[go: up one dir, main page]

WO2008114799A1 - Dispositif et procédé de traitement au plasma - Google Patents

Dispositif et procédé de traitement au plasma Download PDF

Info

Publication number
WO2008114799A1
WO2008114799A1 PCT/JP2008/055014 JP2008055014W WO2008114799A1 WO 2008114799 A1 WO2008114799 A1 WO 2008114799A1 JP 2008055014 W JP2008055014 W JP 2008055014W WO 2008114799 A1 WO2008114799 A1 WO 2008114799A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
plasma
plasma treating
shower head
treating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2008/055014
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Tadahiro Ohmi
Tetsuya Goto
Atsutoshi Inokuchi
Kiyotaka Ishibashi
Cai Zhong Tian
Toshihisa Nozawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tohoku University NUC
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tohoku University NUC
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tohoku University NUC, Tokyo Electron Ltd filed Critical Tohoku University NUC
Publication of WO2008114799A1 publication Critical patent/WO2008114799A1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/0203—Protection arrangements
    • H01J2237/0206—Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

L'invention concerne un procédé de traitement au plasma capable d'éviter qu'une décharge anormale se produise dans un passage d'admission de gaz formé dans une pomme de douche ayant la fonction d'un toit. Ce procédé de traitement au plasma s'exécute dans un dispositif de traitement au plasma comprenant un passage d'introduction des gaz destiné à introduire des gaz, contenant au moins un gaz d'excitation du plasma, dans une chambre de traitement rendue évacuatrice, et une pomme de douche ayant une pluralité d'orifices d'évacuation de gaz communiquant avec le passage d'introduction de gaz pour évacuer ainsi les gaz dans la chambre de traitement. Dans le procédé de traitement au plasma, une onde électromagnétique est introduite via la tête de douche dans la chambre de traitement, pour soumettre ainsi une tâche (W) à la chambre de traitement au plasma. Le gaz dans le passage d'introduction des gaz (84) est réglé à une pression de 4 000 Pa (30 Torrs) ou plus.
PCT/JP2008/055014 2007-03-21 2008-03-18 Dispositif et procédé de traitement au plasma Ceased WO2008114799A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-073770 2007-03-21
JP2007073770A JP2008235611A (ja) 2007-03-21 2007-03-21 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008114799A1 true WO2008114799A1 (fr) 2008-09-25

Family

ID=39765906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/055014 Ceased WO2008114799A1 (fr) 2007-03-21 2008-03-18 Dispositif et procédé de traitement au plasma

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2008235611A (fr)
TW (1) TW200903636A (fr)
WO (1) WO2008114799A1 (fr)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153680A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
WO2018047440A1 (fr) * 2016-09-12 2018-03-15 株式会社東芝 Structure de canaux d'écoulement et appareil de traitement
CN108103480A (zh) * 2018-01-11 2018-06-01 宁波晶钻工业科技有限公司 一种化学气相沉积炉
CN114420526A (zh) * 2022-01-18 2022-04-29 江苏天芯微半导体设备有限公司 一种衬套及晶圆预处理装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2010058560A1 (ja) * 2008-11-20 2012-04-19 株式会社エバテック プラズマ処理装置
JP6061545B2 (ja) * 2012-08-10 2017-01-18 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
TWI826925B (zh) * 2018-03-01 2023-12-21 美商應用材料股份有限公司 電漿源組件和氣體分配組件
US12154764B2 (en) * 2018-08-28 2024-11-26 Fuji Corporation Gas supply determination method and plasma generator
JP7682054B2 (ja) * 2021-08-17 2025-05-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299314A (ja) * 2001-03-28 2002-10-11 Tadahiro Omi プラズマ処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299314A (ja) * 2001-03-28 2002-10-11 Tadahiro Omi プラズマ処理装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153680A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
WO2018047440A1 (fr) * 2016-09-12 2018-03-15 株式会社東芝 Structure de canaux d'écoulement et appareil de traitement
JP2018044191A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 株式会社東芝 流路構造及び処理装置
US10774420B2 (en) 2016-09-12 2020-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Flow passage structure and processing apparatus
CN108103480A (zh) * 2018-01-11 2018-06-01 宁波晶钻工业科技有限公司 一种化学气相沉积炉
CN114420526A (zh) * 2022-01-18 2022-04-29 江苏天芯微半导体设备有限公司 一种衬套及晶圆预处理装置
CN114420526B (zh) * 2022-01-18 2023-09-12 江苏天芯微半导体设备有限公司 一种衬套及晶圆预处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008235611A (ja) 2008-10-02
TW200903636A (en) 2009-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008114799A1 (fr) Dispositif et procédé de traitement au plasma
TW200727325A (en) Method of treating a gas stream
WO2006034130A3 (fr) Appareil et procede de traitement de surface d'un substrat mettant en oeuvre un gaz reactif active
WO2011068730A3 (fr) Équipement reconfigurable multizones d'amenée de gaz pour pommes de douche de traitement de substrats
WO2008146834A1 (fr) Procédé d'élimination de résist, procédé de fabrication d'un semi-conducteur et appareil d'élimination de résist
WO2011068936A3 (fr) Procédés et appareils de traitement de gaz d'échappement dans un système de transformation
WO2004098259A3 (fr) Traitement au plasma pour purifier du cuivre ou du nickel
WO2009003552A3 (fr) Système de traitement de substrats plats
WO2006038990A3 (fr) Procede de traitement de substrat
WO2011056484A3 (fr) Procédé et appareil de retrait d'halogène
WO2009146744A9 (fr) Procédé pour traiter des surfaces, émetteur de rayonnement pour ce procédé ainsi que système d'irradiation avec cet émetteur de rayonnement
AU2003296050A1 (en) Method and apparatus for treating a substrate
WO2006038976A3 (fr) Systeme de traitement au plasma destine au traitement d'un substrat
WO2007117741A3 (fr) Système d'injection de gaz à teneur en contaminants réduite et procédé d'utilisation de celui-ci
WO2009155446A3 (fr) Procédé et appareil de nettoyage de source d'ions
WO2007115309A3 (fr) Appareil et procédé de traitement d'une pièce à travailler au gaz plasma ionisant
WO2011029096A3 (fr) Appareil de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma
TW201130042A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2005104186A3 (fr) Procede et systeme de traitement pour le nettoyage ameliore par plasma des elements d'un systeme
ATE281000T1 (de) Verfahren und gerät zur stabilisierung eines plasmas
WO2010118219A3 (fr) Procédés et appareil de traitement d'effluent
SG143278A1 (en) Method for the treatment of gases using high-frequency discharges
WO2002065500A3 (fr) Procede de suppression d'effluents de traitement de semi-conducteurs ameliore au plasma sous pression atmospherique
TW200704291A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
MY183535A (en) Fluid treatment apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08722404

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08722404

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1