[go: up one dir, main page]

WO2007138786A1 - 基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム - Google Patents

基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム Download PDF

Info

Publication number
WO2007138786A1
WO2007138786A1 PCT/JP2007/057538 JP2007057538W WO2007138786A1 WO 2007138786 A1 WO2007138786 A1 WO 2007138786A1 JP 2007057538 W JP2007057538 W JP 2007057538W WO 2007138786 A1 WO2007138786 A1 WO 2007138786A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
support plate
solvent
bump
protective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2007/057538
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yoshihiro Inao
Yasumasa Iwata
Koichi Misumi
Takahiro Asai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Publication of WO2007138786A1 publication Critical patent/WO2007138786A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W95/00—
    • H10W70/685—
    • H10P52/00—
    • H10P72/04—
    • H10P72/0428—
    • H10P72/74—
    • H10P72/7402—
    • H10W70/05—
    • H10W70/093—
    • H10W90/701—
    • H10P72/7412—
    • H10P72/7416—
    • H10P72/7422—
    • H10W72/20—

Definitions

  • the present invention relates to a method and system for thinning a substrate (wafer) having bumps (projection electrodes) formed on a circuit forming surface.
  • Patent Document 3 and Patent Document 4 disclose a protective tape on the surface (circuit forming surface) as means for grinding and thinning the back surface of a semiconductor wafer having the bump (projection electrode) formed on the surface.
  • the back surface of the semiconductor wafer is ground with a grinder, and finally the IC chip is peeled off using a collet.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 8-148452
  • Patent Document 2 JP 2005-136187 A
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-14843
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-116610
  • a circuit forming surface (bump forming surface) was provided with a protective tape.
  • the protective tape is dissolved and removed, and in Patent Document 3 and Patent Document 4, the protective tape is peeled off. ing.
  • the protective tape does not adhere to the circuit forming surface where the embedding property to the bump of the protective tape is bad, and serves as a protective layer. This function may not fully function, and the wafer may slip during grinding, or the stress during grinding may not be absorbed and the wafer may be damaged. Also, when the protective tape is peeled off, the bump may interfere with the peeling, causing the wafer to break or the bump to peel off from the wafer together with the protective tape.
  • the substrate thinning method according to the present invention applies a liquid resin thicker than the height of the bumps to a circuit forming surface provided with the bumps of the substrate, and dries the liquid resin.
  • the substrate is attached to the support plate through this protective layer, and the back side of the substrate is ground to form a thin plate, and then the solvent supply hole formed on the support plate is supported.
  • a solvent was supplied between the plate and the protective layer to dissolve and remove the protective layer.
  • a system for carrying out the above-described thin plate coating method includes a coating apparatus that applies a liquid resin thicker than the bump height to a circuit forming surface of a substrate provided with bumps, and the applied liquid state.
  • a beta device for drying the resin to form a protective layer and a laminating device for laminating a support plate on the protective layer are provided.
  • a method using a squeegee is preferable as a means for uniformly applying the liquid resin thicker than the bump height.
  • the support plate for example, made of glass in which a large number of through-holes are formed in the thickness direction, or a large number of grooves capable of moving the solvent are formed on the surface bonded to the protective layer, A glass plate having a solvent supply hole and a recovery hole connected to the groove formed in the thickness direction can be used.
  • the protective layer adheres to the circuit forming surface provided with the bumps without gaps, the stress during grinding that absorbs no shift between the protective layer and the substrate during grinding is absorbed. This prevents cracking of the wafer. Furthermore, since the means for removing the protective layer is not peeling as in the conventional tape, there is no disadvantage that the bumps are peeled off with the tape.
  • FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate thinning system according to the present invention.
  • FIG. 2] (a) to (g) are diagrams illustrating a method of thinning a substrate according to the present invention in the order of steps.
  • FIG. 3 (a) and (b) are diagrams showing another embodiment.
  • FIG. 4 (a) and (b) are diagrams illustrating an example of a procedure for stacking substrates obtained by the method of the present invention to form a multilayer wiring structure.
  • FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate thin plate system (bonding system) according to the present invention.
  • the thin plate system encloses wafer cassette B and squeegee so as to surround transfer robot A.
  • Coating device C equipped, beta device D equipped with hot plate and cool plate, support plate supply device E, laminating device F for bonding the support plate on the protective layer F and grinding device for grinding the back side of the wafer G force is composed.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the method of thinning a substrate according to the present invention in the order of steps.
  • the surface W1 of a wafer (substrate) W to be ground is a circuit. 1 is formed, and a bump (projection electrode) 2 is formed on a part of the circuit 1.
  • a liquid resin 4 used as a resist for example, is applied to the surface W 1 of the wafer (substrate) W to be thicker than the height of the bump 2 using a squeegee 3.
  • a protective film 5 having a uniform thickness is formed as shown in FIG. 2 (c).
  • the coating thickness of the liquid resin 4 is determined by the height of the bump 2. That is, since the liquid resin 4 is thinned and thinned by drying (beta), it is necessary to be higher than the bump 2 even if this thinning is anticipated. For example, for a 200 ⁇ m bump, liquid resin 4 with a thickness of 200 to 400 ⁇ m What is necessary is just to apply.
  • the support plate 6 is overlaid on the protective film 5, and the support plate 6 is pressed by the head 7 to bond the support plate 6 and the protective film 5. .
  • a large number of solvent supply holes 8 are formed in the thickness direction of the support plate 6, and a solvent supply pipe 9 and a solvent recovery pipe 10 are connected to the head 7, and the lower surface of the head 7 and the upper surface of the support plate 6 are connected.
  • a solvent reservoir 12 defined by an O-ring 11 is formed between the two.
  • the support plate 6 is brought close to the surface W1 of the wafer (substrate) W up to a predetermined interval, and in this state, the resin is supplied from the liquid resin supply hole and the support plate 6 is supplied. Fill the space between the rate 6 and the surface W1 of wafer W, and then cure it by beta or ultraviolet irradiation to form a protective film.
  • a spin method or a slit nozzle method may be applied.
  • coating twice is preferable.
  • the solvent is supplied from the solvent supply pipe 9 of the head 7, and the protective film 5 and the support plate 6 are passed through the solvent supply holes 8 of the support plate 6.
  • the protective film 5 is dissolved by allowing the solvent to spread over the adhesive interface, and the solvent in which the protective film 5 is dissolved is recovered from the solvent recovery pipe 10 of the head 7.
  • a thinned wafer W shown in FIG. 2 (g) is obtained. That is, a circuit 1 is formed on the surface W1 of the wafer W, a through electrode 11 is formed as a part of the circuit 1, and a bump 2 is formed on the through electrode 11.
  • FIGS. 3 (a) and 3 (b) are diagrams showing another embodiment.
  • a groove 14 is formed as a support plate 6 on a surface in contact with the protective layer 5.
  • FIG. The solvent is supplied to the groove 14 through the through hole 15 in the thickness direction, and the solvent in which the protective layer is dissolved is recovered through the through hole 16 in the thickness direction.
  • FIG. 4 (a) In order to obtain a multilayer wiring structure using the above-described thinned wafer W, as shown in Fig. 4 (a), two thinned wafers W are prepared, and these back surfaces are provided.
  • a multi-layer wiring structure shown in FIG. 4 (b) is obtained by joining the through electrodes 21 so as to be moved through the facing wirings 22. Furthermore, by overlapping these in the same way, a multilayered wiring structure can be obtained. It should be noted that it is arbitrary how the thinned wafer W is formed into a multilayer wiring structure.

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】　回路形成面にバンプが設けられたウェーハ（基板）をバンプの剥離を伴うことなく薄板化することができる基板の薄板化方法を提供する。 【解決手段】　ウェーハ（基板）Ｗの表面Ｗ１にスキージ３を用いて液状樹脂４をバンプ２の高さよりも厚く塗布し、ベークすることで均一な厚みの保護膜５を形成する。この後、保護膜５の上にサポートプレート６を重ね、更にヘッド７によってサポートプレート６を押し付けてサポートプレート６と保護膜５を接着する。次いで上下反転せしめてウェーハＷの裏面Ｗ２をグラインダー１３にて研削し薄板化する。この後、ヘッド７の溶剤供給用配管９から溶剤を供給し、サポートプレート６の多数の溶剤供給孔８を介して保護膜５とサポートプレート６の接着界面に溶剤を行き渡らせて保護膜５を溶解せしめ、更に保護膜５が溶けた溶剤をヘッド７の溶剤回収用配管１０から回収する。

Description

明 細 書
基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム 技術分野
[0001] 本発明は、回路形成面にバンプ (突起電極)を形成した基板 (ゥエーハ）を薄板ィ匕 する方法とそのシステムに関する。
背景技術
[0002] 回路素子 (ICチップ)を薄くすることで、この回路素子を組み込む各種装置のコンパ クトイ匕を達成することができる。そのため特許文献 1に示すように、半導体ゥエーハの 回路形成面に保護テープを貼り付け、この保護テープを介して半導体ゥエーハを吸 着ヘッドなどに固定し、この状態で半導体ゥエーハの裏面側をグラインダーで検索し て薄板ィ匕し、薄板ィ匕した後に保護テープをイソプロピルアルコールで溶カゝして除去 するようにしている。
[0003] また、回路の集積率を高めるため、特許文献 2に示すように、バンプ (突起電極)を 用いて上下の回路を電気的に接続して多層配線構造にすることが従来力 行われ ている。
[0004] 更に、特許文献 3及び特許文献 4には上記のバンプ (突起電極)を表面に形成した 半導体ゥヱーハの裏面を研削して薄板ィヒする手段として、表面（回路形成面）に保護 テープを介してサポート板に取り付け、この状態でグラインダーによって半導体ゥエー ハの裏面を研削し、最終的にはコレットなどを用いて保護テープ力も ICチップを剥が すようにしている。
[0005] 特許文献 1 :特開平 8— 148452号公報
特許文献 2 :特開 2005— 136187号公報
特許文献 3 :特開 2004— 14843号公報
特許文献 4：特開 2005 - 116610号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 上述したように、従来にあっては回路形成面 (バンプ形成面）に保護テープを介し てサポートプレートに貼り付け研削して薄板ィ匕した後、特許文献 1にあっては保護テ ープを溶解して除去し、特許文献 3及び特許文献 4にあっては保護テープを剥がす ようにしている。
[0007] バンプが形成されているゥエーハの回路形成面を、保護テープを介してサポートプ レートに取り付けても、保護テープのバンプに対する埋め込み性が悪ぐ回路形成面 に密着せずに保護層としての機能を十分に発揮できず研削中にゥ ーハがずれたり 、研削時のストレスを吸収できずゥエーハを傷つけることがある。また保護テープを剥 離する場合にはバンプが剥離の邪魔になってゥエーハが割れたり、バンプが保護テ ープとともにゥエーノ、から剥がれてしまうことが生じる。
課題を解決するための手段
[0008] 上記課題を解決するため本発明に係る基板の薄板化方法は、基板のバンプを設 けた回路形成面に前記バンプの高さよりも厚く液状榭脂を塗布し、この液状榭脂を乾 燥せしめて保護層とし、この保護層を介して基板をサポートプレートに取り付けて基 板の裏面側を研削して薄板ィ匕し、この後、前記サポートプレートに形成した溶剤供給 孔カゝらサポートプレートと保護層との間に溶剤を供給して前記保護層を溶解除去す るよつにした。
[0009] また、上記の薄板ィ匕方法を実施するシステムは、バンプを設けた基板の回路形成 面に前記バンプの高さよりも厚く液状榭脂を塗布する塗布装置と、前記塗布された液 状榭脂を乾燥せしめて保護層とするベータ装置と、前記保護層の上にサポートプレ ートを貼り合わせる貼り合せ装置を備えて ヽる。
[0010] バンプの高さよりも厚く且つ均一に液状榭脂を塗布する手段としては、スキージを用 いる方法が好ましい。また保護層となる液状榭脂としては、例えばアクリル系榭脂 (溶 剤等により粘度が調整されていてよい）を用い、溶剤としてはアルコール等の極性溶 剤を用いるのが好ましい。
[0011] また、サポートプレートとしては、例えば厚み方向に多数の貫通孔が形成されたガ ラス製、或いは保護層と接着される面に溶剤の移動を可能とする多数の溝が形成さ れ、この溝につながる溶剤の供給孔と回収孔を厚み方向に形成したガラス製のプレ ートなどを使用することができる。 発明の効果
[0012] 本発明によれば、保護層がバンプを設けた回路形成面に隙間なく接着するため、 研削中に保護層と基板との間にずれが生じることがなぐ研削中のストレスを吸収して ゥエーハの割れなどを防ぐことができる。更に保護層を除去する手段が従来のテープ のように引き剥がしではないので、バンプがテープとともに剥離してしまう不利もない 図面の簡単な説明
[0013] [図 1]本発明に係る基板の薄板化システムの全体構成を示す平面図
[図 2] (a)〜 (g)は本発明に係る基板の薄板化方法を工程順に説明した図
[図 3] (a)及び (b)は別実施例を示す図
[図 4] (a)及び (b)は本発明方法にて得られた基板を積層して多層配線構造とする手 順の一例を説明した図
発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図 1は本発明に係る基板の薄板ィ匕システム (貼り合せシステム)の全体構成を示す平 面図であり、薄板化システムは搬送ロボット Aを囲むように、ゥエーハカセット B、スキ ージを備えた塗布装置 C、ホットプレート及びクールプレートを備えたベータ装置 D、 サポートプレート供給装置 E、保護層の上にサポートプレートを貼り合わせる貼り合せ 装置 F及びゥ ーハの裏面側を研削する研削装置 G力 構成される。
[0015] 図 2は本発明に係る基板の薄板ィ匕方法を工程順に説明した図であり、図 2 (a)に示 すように、研削対象となるゥエーハ（基板) Wの表面 W1は回路 1が形成され、この回 路 1の一部にはバンプ (突起電極） 2が形成されて 、る。
[0016] 次いで、図 2 (b)〖こ示すように、上記のゥエーハ（基板) Wの表面 W1にスキージ 3を 用いて例えばレジストとして用いる液状榭脂 4をバンプ 2の高さよりも厚く塗布し、ベー クすることで図 2 (c)に示すように均一な厚みの保護膜 5を形成する。ここで、液状榭 脂 4の塗布厚はバンプ 2の高さによって決定する。即ち、乾燥 (ベータ）によって液状 榭脂 4は膜減りして薄くなるので、この膜減りを見込んでもバンプ 2より高いことが必要 である。例えば、 200 μ mのバンプに対しては 200〜400 μ mの厚さで液状榭脂 4を 塗布すればよい。
[0017] この後、図 2 (d)に示すように、保護膜 5の上にサポートプレート 6を重ね、更にへッ ド 7によってサポートプレート 6を押し付けてサポートプレート 6と保護膜 5を接着する。
[0018] サポートプレート 6には厚み方向に多数の溶剤供給孔 8が形成され、またヘッド 7に は溶剤供給用配管 9と溶剤回収用配管 10が接続され、ヘッド 7下面とサポートプレー ト 6上面との間には Oリング 11で画成される溶剤溜り 12が形成される。
[0019] 尚、スキージを用いずに、サポートプレート 6を所定間隔までゥエーハ（基板) Wの表 面 W1に接近せしめ、この状態で液状樹脂の供給孔カゝら榭脂を供給してサポートプ レート 6とゥエーハ Wの表面 W1との間の空間に充填し、この後ベータ若しくは紫外線 の照射などによって硬化せしめて保護膜を形成するようにしてもょ 、。またスピン法や スリットノズル法を適用してもよい。但し、本発明の場合には 200〜400 /ζ πι程度の厚 さに塗布することが必要なため、スピン法やスリットノズル法の場合には二度塗りが好 ましい。
[0020] 以上の如くして、保護膜 5を介してゥエーノ、 Wをサポートプレート 6に取り付けたなら ば、図 2 (e)〖こ示すように、上下反転せしめてゥエーハ Wの裏面 W2をグラインダー 13 にて研削し薄板ィ匕する。
[0021] この後、図 2 (f)に示すように、ヘッド 7の溶剤供給用配管 9から溶剤を供給し、サボ ートプレート 6の多数の溶剤供給孔 8を介して保護膜 5とサポートプレート 6の接着界 面に溶剤を行き渡らせて保護膜 5を溶解せしめ、更に保護膜 5が溶けた溶剤をヘッド 7の溶剤回収用配管 10から回収する。
[0022] 保護膜 5を溶解除去することで、図 2 (g)に示す薄板化されたゥエーハ Wが得られる 。即ち、ゥエーハ Wの表面 W1には回路 1が形成され、この回路 1の一部として貫通電 極 11が形成され、この貫通電極 11の上にバンプ 2が形成されて!、る。
[0023] 保護膜 5を溶解除去に関しては、完全に保護膜 5を溶解させず、サポートプレート が容易に剥がれるまで保護膜 5を溶解したらここで溶解を停止し、サポートプレートを 剥離した後に洗浄液にて残りの保護膜 5を溶解除去するのが好ましい。即ち、保護 膜 5を完全に溶解除去するとサポートプレート 6とバンプ 2とがぶつ力ることがあり、バ ンプを潰してしまうことが考えられるので、上記の方法が好ま 、。 [0024] 図 3 (a)及び (b)は別実施例を示す図であり、 (a)に示す実施例では、サポートプレ ート 6として保護層 5と接触する面に溝 14を形成し、この溝 14に厚み方向の貫通孔 1 5を介して溶剤を供給するとともに、厚み方向の貫通孔 16を介して保護層が溶けた 溶剤を回収するようにして 、る。
[0025] (b)に示す実施例にあっては、保護層 5を溶解せしめる工程において、ゥエーノ、 W を上方に、サポートプレート 6を下方に配置して行うようにしている。斯カる構成とする と溶剤の回収が容易になる。
[0026] 上記の薄板ィ匕されたゥエーハ Wを用いて多層配線構造とするには、図 4 (a)に示す ように、薄板ィ匕されたゥエーハ Wを 2枚用意し、これらの裏面を対向せしめ配線 22を 介して夫々の貫通電極 21を動通せしめるように接合することで、図 4 (b)に示す多層 配線構造が得られる。更にこれらを同様の手法で重ねることで更に重畳された多層 配線構造が得られる。尚、薄板ィ匕されたゥエーハ Wをどのようにして多層配線構造に するかは任意である。

Claims

請求の範囲
[1] バンプを設けた基板の回路形成面に前記バンプの高さよりも厚く液状榭脂を塗布し
、この液状榭脂を乾燥せしめて保護層とし、この保護層を介して基板をサポートプレ ートに取り付けて基板の裏面側を研削して薄板ィ匕し、この後、前記サポートプレート に形成した溶剤供給孔からサポートプレートと保護との間に溶剤を供給して前記保 護層を溶解除去することを特徴とする基板の薄板化方法。
[2] 請求項 1に記載の基板の薄板化方法にお!、て、前記液状樹脂の塗布はスキージを 用いて行うことを特徴とする基板の薄板化方法。
[3] バンプを設けた基板の回路形成面に前記バンプの高さよりも厚く液状榭脂を塗布す る塗布装置と、前記塗布された液状榭脂を乾燥せしめて保護層とするベータ装置と、 前記保護層の上にサポートプレートを貼り合わせる貼り合せ装置とを備えた貼り合わ せシステム。
[4] バンプを設けた基板の回路形成面に前記バンプの高さよりも厚く液状榭脂を塗布す る塗布装置と、前記塗布された液状榭脂を乾燥せしめて保護層とするベータ装置と、 前記保護層の上にサポートプレートを貼り合わせる貼り合せ装置と、前記サポートプ レートが貼り合わされた基板の裏面側を研削する研削装置とを備えた基板の薄板ィ匕 システム。
PCT/JP2007/057538 2006-06-01 2007-04-04 基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム Ceased WO2007138786A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-152987 2006-06-01
JP2006152987A JP5008340B2 (ja) 2006-06-01 2006-06-01 基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007138786A1 true WO2007138786A1 (ja) 2007-12-06

Family

ID=38778311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/057538 Ceased WO2007138786A1 (ja) 2006-06-01 2007-04-04 基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5008340B2 (ja)
KR (1) KR20090018139A (ja)
TW (1) TW200806395A (ja)
WO (1) WO2007138786A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103042449A (zh) * 2011-10-11 2013-04-17 株式会社迪思科 晶片磨削方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7470411B2 (ja) * 2020-09-30 2024-04-18 フジコピアン株式会社 ウェーハ加工用積層体、それを用いた薄型ウェーハの製造方法及び薄型ウェーハ個片化の製造方法
JP2024077216A (ja) * 2022-11-28 2024-06-07 日東電工株式会社 半導体ウエハ加工用液状表面保護材、半導体ウエハ加工用液状表面保護材から形成された保護膜、および、半導体ウエハの加工方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270398A (ja) * 1997-03-27 1998-10-09 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの研磨装置
JP2004153193A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの処理方法
JP2005191550A (ja) * 2003-12-01 2005-07-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の貼り付け方法
JP2005303214A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェーハの研削方法
JP2005347382A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270398A (ja) * 1997-03-27 1998-10-09 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの研磨装置
JP2004153193A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの処理方法
JP2005191550A (ja) * 2003-12-01 2005-07-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の貼り付け方法
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
JP2005303214A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェーハの研削方法
JP2005347382A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103042449A (zh) * 2011-10-11 2013-04-17 株式会社迪思科 晶片磨削方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200806395A (en) 2008-02-01
JP5008340B2 (ja) 2012-08-22
JP2007324370A (ja) 2007-12-13
KR20090018139A (ko) 2009-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7494845B2 (en) Method of forming a thin wafer stack for a wafer level package
JP6759343B2 (ja) 超小型又は超薄型ディスクリート部品の配置
JP7321760B2 (ja) ディスプレイ装置の製造方法、およびソース基板構造体
CN103998552B (zh) 具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法、使用了粘合剂片材的布线基板的制造方法、半导体装置的制造方法及粘合剂片材的制造装置
KR100780123B1 (ko) 다이싱 시트 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
US7723213B2 (en) Manufacturing method of semiconductor chips and semiconductor device having the semiconductor chips
WO2008012937A1 (fr) Procédé de liage de tranche, procédé d'amincissement et procédé de séparation
JP2000223518A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US8080447B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device including exposing a dicing line on a wafer
CN104064483B (zh) 半导体装置及其制造方法
KR101530528B1 (ko) 땜납 전사기재의 제조방법, 땜납 프리코트 방법 및 땜납 전사기재
US9613932B2 (en) Integrated circuit package and method of making same
KR100759687B1 (ko) 기판의 박판화 방법 및 회로소자의 제조방법
JP5647335B2 (ja) はんだ転写基材、はんだ転写基材の製造方法、及びはんだ転写方法
WO2007138786A1 (ja) 基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム
WO2008038345A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2004055770A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP4515129B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2012004603A (ja) 半導体装置の実装構造、半導体装置の実装方法及び基板
JP6698337B2 (ja) 半導体ウェハの保持方法及び半導体デバイスの製造方法
CN113053760A (zh) 封装方法
JP2007294575A (ja) 半導体装置の製造方法
CN101202234A (zh) 芯片重布工具结构及其方法
JP2003305860A (ja) デバイス接続方法、デバイスおよびデバイス接続用製造装置
JP2010199187A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07740974

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087030791

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07740974

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1