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WO2007091687A1 - 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置 - Google Patents

蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置 Download PDF

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WO2007091687A1
WO2007091687A1 PCT/JP2007/052405 JP2007052405W WO2007091687A1 WO 2007091687 A1 WO2007091687 A1 WO 2007091687A1 JP 2007052405 W JP2007052405 W JP 2007052405W WO 2007091687 A1 WO2007091687 A1 WO 2007091687A1
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WO
WIPO (PCT)
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phosphor
light
less
emitting device
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2007/052405
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masahiko Yoshino
Chisato Miura
Naoto Kijima
Naoyuki Komuro
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to US12/278,790 priority Critical patent/US20100164365A1/en
Priority to CN200780004816XA priority patent/CN101379164B/zh
Priority to EP07714017A priority patent/EP1995294A4/en
Priority to KR1020087021668A priority patent/KR101184957B1/ko
Publication of WO2007091687A1 publication Critical patent/WO2007091687A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
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    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10W72/5522—
    • H10W72/5524—
    • H10W74/00—
    • H10W90/756—

Definitions

  • Phosphor and method for producing the same Phosphor and method for producing the same, phosphor-containing composition, light emitting device, and image display device and lighting device
  • the present invention relates to a phosphor that emits green fluorescence, a method for producing the same, a phosphor-containing composition and a light emitting device using the phosphor, and an image display device and an illumination device using the light emitting device. . More specifically, the present invention relates to a green phosphor suitable for a backlight for liquid crystal, a phosphor-containing composition and a light emitting device using the green phosphor, and an image display device and an illumination device using the light emitting device.
  • white light essential for illumination and display applications is obtained by combining blue, green, and red light emission by the principle of additive mixing of light.
  • blue, green, and red light emitters emit as much light as possible in order to efficiently reproduce a wide range of colors on the chromaticity coordinates. High strength and good color purity are desired.
  • NTS C National Television Standard Committee
  • NTS C National Television Standard Committee
  • green is particularly important compared to the other two colors because it greatly contributes to the overall brightness of the display with the highest visibility to the human eye.
  • a phosphor that emits green fluorescence (hereinafter, referred to as “green phosphor” as appropriate) is a fluorescent substance.
  • the center wavelength is usually 498 nm or more, preferably 510 nm or more, and usually 550 nm or less, preferably 540 nm or less.
  • a green phosphor for example, (Mg, Ca, Sr, Ba) Si ON: Eu-pium-activated Al force represented by Eu
  • Patent Document 1 describes SrBaSiO: Eu as a known example of a phosphor that obtains green light emission by wavelength conversion of near-ultraviolet light or blue light from a semiconductor light-emitting device.
  • the phosphor described in Patent Document 1 contains Eu in an amount of 0.0001% to 5% by weight, and the Eu concentration in Example 1 is 0.9% by weight. The concentration is 0.8% by weight, and the amount of Eu relative to the total of divalent elements is about 1 mol%. These phosphors are insufficient for the above purpose, which has a narrow color reproduction range and low luminance.
  • Patent Document 1 describes that the wavelength can be changed by changing the composition of Ba, Sr, and Ca.
  • the composition and the manufacturing method described in the examples are described. None of the phosphors produced in 1) were sufficient to satisfy both the color reproduction range and the luminance with low conversion efficiency for blue light or near ultraviolet light.
  • Patent Document 1 US Patent No. 6982045
  • Green light emitters for illumination and displays are required to have a light emission peak wavelength in the vicinity of 525 nm and to have a half-width as narrow as possible with high light emission efficiency.
  • existing green phosphors typified by those described in Patent Document 1 are insufficient in terms of conversion efficiency and color purity with respect to blue light or near ultraviolet light. For this reason, a high-quality green phosphor suitable for the above purpose has been desired.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is a phosphor that emits green fluorescence, which has excellent conversion efficiency and color purity with respect to blue light or near ultraviolet light, and has high characteristics. And a phosphor-containing composition and light emission using the phosphor And an image display device and an illumination device using the light emitting device. Means for solving the problem
  • the present inventors have examined the composition ratio of the alkaline earth metal element and the activating element in detail, and as a result, the inventors have a specific composition range and the object color satisfies a specific condition. It has been found that a satisfactory phosphor satisfies a predetermined chromaticity suitable as a green phosphor and has high color purity and high luminance.
  • a phosphor that meets the above-mentioned purpose is characterized by a sharp peak shape of the emission spectrum, but the phosphor found by the present inventors has a peak half-value width of the emission spectrum. This condition is met.
  • this phosphor exhibits very excellent characteristics as a green light source and can be suitably used for applications such as a light-emitting device, and have completed the present invention.
  • the gist of the present invention resides in a phosphor characterized by satisfying the following (i) to (v):
  • Emission peak wavelength force when excited with light having a peak wavelength of 400 nm or 455 nm is 510 ⁇ m or more and 542 nm or less.
  • the emission peak half-width force is 75 nm or less when excited with light having a peak wavelength of 400 nm or 455 nm.
  • At least a part of the surface of the phosphor also has a material force containing oxygen.
  • the phosphor contains a metal element (hereinafter referred to as “M” element ”) capable of taking a bivalent and trivalent valence, and the total of divalent elements contained in the phosphor.
  • M metal element
  • the ratio of the number of moles of the M ′′ element to the number of moles is greater than 1% and less than 15%.
  • the X value and the y value of the CIE chromaticity coordinates of the emission color when excited with light having a peak wavelength of 400 nm or 455 nm are respectively
  • the phosphor contains at least Ba as a divalent element (hereinafter referred to as “M” element), and the molar ratios of Ba and Sr to the entire M 1 element are [Ba] and [Sr When [Ba] and [Sr] are
  • Another gist of the present invention is that when the object color is expressed by the LW color system, the chemical color is expressed by the following formula [1], and L *, And b * are
  • M 1 represents one or more elements selected from the group consisting of Ba, Ca, Sr, Zn and Mg.
  • M represents one or more metal elements that can have divalent and trivalent valences.
  • ⁇ , ⁇ and j8 are each
  • the phosphor precursor is obtained by firing in the presence of a flux (claim 5).
  • the weight median diameter of the phosphor is preferably 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less! /!
  • a monovalent element, a divalent element, a trivalent element, a monovalent element, and a trivalent elemental force are selected. It is preferable that the total content of these elements is at least 1 ppm (claim 10).
  • an alkali metal element in addition to the elements described in the formula [1], an alkali metal element, an alkaline earth metal element, zinc (Zn), yttrium), aluminum (A1), scandium (Sc), phosphorus (P), nitrogen (N), a rare earth element, and at least one element selected from the group power that is also a halogen element power is contained, and the total content of these elements is preferably lppm or more. 11).
  • Another aspect of the present invention is a method for producing the above-described phosphor, characterized by having a step of firing the phosphor precursor in an atmosphere having an oxygen concentration of lOOppm or less.
  • Another aspect of the present invention is a method for producing the above-described phosphor, which includes a step of firing a phosphor precursor in the presence of a solid carbon. (Claim 13).
  • the M “source, and the Si source a compound containing a monovalent element or atomic group and a monovalent element, a monovalent element or atomic group, and -Compounds containing trivalent elements or atomic groups, compounds containing divalent elements and monovalent elements, compounds containing divalent elements and trivalent elements or atomic groups, trivalent elements
  • a compound containing an element and a monovalent element, and a compound force containing a trivalent element and a trivalent element or atomic group It is preferable to use two or more compounds selected from the above (Claim 14).
  • the M “source, and the Si source it further comprises an alkali metal halide, an alkaline earth metal halide, a zinc oxygenide, Y, Al, Sc, and a rare earth element.
  • Trivalent elements selected from the group Trivalent elements selected from the group consisting of halides, alkali metal phosphates, alkaline earth metal phosphates, zinc phosphate, Y, Al, La, and Sc It is preferable to use two or more kinds of compounds in which the group strength of phosphate power is selected (claim 15).
  • Another gist of the present invention resides in a phosphor-containing composition characterized by containing the phosphor described above and a liquid medium (claim 17).
  • a first light emitter and a second light emitter that emits visible light by irradiation with light having the first light emitter strength includes at least the above-described phosphor.
  • a light-emitting device comprising at least one kind as a first phosphor exists (claim 18).
  • the second phosphor includes at least one phosphor having a light emission peak wavelength different from that of the first phosphor as the second phosphor. (Claim 19).
  • the first light emitter has a light emission peak in a range of 420 nm or more and 500 nm or less
  • the second light emitter as the second phosphor has a range of 570 nm or more and 780 nm or less. It is preferable to contain at least one kind of phosphor having an emission peak.
  • the first light emitter has a light emission peak in a range of 300 nm to 420 nm, and the second light emitter emits light in a range of 420 nm to 470 nm as the second phosphor. It is also preferable to contain at least one kind of phosphor having a peak and at least one kind of phosphor having an emission peak in the range of 570 nm to 780 nm (claim 21).
  • the first phosphor has a light emission peak in a range of 20 nm to 500 nm
  • the second light emitter has a light emission peak in a range of 580 nm to 620 nm as the second phosphor. It is also preferable to contain at least one kind of phosphor having (claim 22).
  • the above light-emitting device is provided as a light source. It resides in an image display device (claim 23).
  • a fluorescent material that emits green fluorescence, and has high conversion efficiency and color purity with respect to blue light or near ultraviolet light, and has high characteristics. Further, by using a composition containing this phosphor, a light-emitting device having high efficiency and high characteristics can be obtained. This light-emitting device is suitably used for an image display device or a lighting device.
  • FIG. 1 An excitation light source (first illuminant) and a phosphor-containing portion in an example of the light-emitting device of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic perspective view showing a positional relationship with (second light emitter).
  • FIG. 2 (a) and FIG. 2 (b) are both examples of a light emitting device having an excitation light source (first light emitter) and a phosphor-containing portion (second light emitter). It is a typical sectional view shown.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a lighting device of the present invention.
  • FIG. 4 is an exploded cross-sectional view schematically illustrating a main part of the image display device for explaining an embodiment of the image display device of the present invention.
  • FIG. 5 is an exploded cross-sectional view schematically illustrating a main part of the image display device for explaining another embodiment of the image display device of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram showing emission spectra of the phosphors of Example 4, Example 6, Comparative Example 1 and Comparative Example 2.
  • FIG. 7 is an excitation spectrum of the phosphors of Example 12 and Example 22.
  • FIG. 8 is a white emission spectrum of the light emitting device of Example 40.
  • FIG. 9 is an emission spectrum of the light emitting device of Example 41.
  • FIG. 10 is a white emission spectrum of the light-emitting device of Example 42.
  • FIG. 11 is a white emission spectrum of the light-emitting device of Example 43.
  • FIG. 12 is a powder X-ray diffraction spectrum of the phosphor of Reference Example 2A.
  • FIG. 13 is a powder X-ray diffraction spectrum of the phosphor of Reference Example 2B.
  • FIG. 14 Luminescence spectrum at 455 nm excitation wavelength of phosphors in Reference Example 2A and Reference Example 2B It is le.
  • each composition formula is divided by a comma).
  • a plurality of elements are listed by separating them with a comma (,), one or two or more of the listed elements may be contained in any combination and composition.
  • the total of the elements shown in parentheses is 1 mol.
  • the composition formula of “(Ba, Sr, Ca) A10: Eu” is “BaAl 2 O: Eu”, “SrAl 2 O: Eu”,
  • the phosphor according to one embodiment of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “the specific characteristic phosphor of the present invention” or simply “the specific characteristic phosphor”) has an emission peak wavelength when excited with light of a specific wavelength,
  • the emission peak half-width, external quantum efficiency, and composition satisfy the requirements described below.
  • the phosphor according to one embodiment of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “the specific composition phosphor of the present invention” or simply “the specific composition phosphor”) satisfies the requirements described below. Is.
  • the phosphor of the present invention corresponds to at least one of the "specific characteristic phosphor” and the “specific composition phosphor", but the "special characteristic phosphor” and the “specific composition phosphor” Both It is preferable to apply.
  • the specific characteristic phosphor of the present invention has the characteristics described below.
  • the specific characteristic phosphor has the following characteristics when an emission spectrum is measured when excited with light having a peak wavelength of 400 nm or 455 nm.
  • the specific characteristic phosphor has an emission peak wavelength (nm) in the emission spectrum described above.
  • the relative intensity of the emission peak of the specific characteristic phosphor (hereinafter sometimes referred to as “relative emission peak intensity”) is usually 75 or more, preferably 85 or more, more preferably 95 or more. Note that this relative emission peak intensity is the BaMgAl 2 O: Eu (Product No.
  • the emission intensity when LP-B4) is excited at 365 nm is expressed as 100. This relative light emission peak intensity is high and is preferred.
  • the specific characteristic phosphor has a feature that the emission width at half maximum (hereinafter referred to as "FWHM" as appropriate) in the above-mentioned emission spectrum is narrow.
  • FWHM emission width at half maximum
  • a narrow FWHM means that the color purity is excellent, and it becomes an excellent phosphor in applications such as knocklights.
  • the FWHM of the specific characteristic phosphor is usually lOnm or more, preferably 20nm or more. More preferably 25 nm or more, and usually 75 nm or less, preferably 70 nm or less, more preferably 65 nm or less, and even more preferably 60 nm or less (this requirement may hereinafter be referred to as “requirement (ii)”). ) O If the FWHM is too narrow, the luminance may decrease, whereas if it is too wide, the color purity may decrease.
  • a GaN-based light emitting diode In order to excite the phosphor with light having a peak wavelength of 400 nm or 455 nm, for example, a GaN-based light emitting diode can be used.
  • the measurement of the emission spectrum of the phosphor and the calculation of the emission peak wavelength, peak relative intensity and peak half-value width can be performed, for example, by using a 150 W xenon lamp as the excitation light source and the multi-channel CCD detector C7041 ( Hamamatsu Photo-TAS Co., Ltd.) can be used.
  • the absorption efficiency (hereinafter sometimes referred to as “ ⁇ ”) is the absorption of the phosphor relative to the number of photons of the light (excitation light) emitted by the excitation light source (corresponding to “first illuminant” described later). It means the ratio of the number of photons to be played.
  • photon may be referred to as “photon”.
  • the absorption efficiency when the specific characteristic phosphor is excited with light having a peak wavelength of 400 nm or 455 nm is usually 0.55 or more, preferably 0.6 or more, more preferably 0.75 or more. Is desirable. If the absorption efficiency ⁇ of the phosphor is too low, the amount of excitation light necessary to obtain predetermined light emission tends to increase and the energy consumption tends to increase.
  • the method for measuring the phosphor absorption efficiency ⁇ is as described later.
  • the internal quantum efficiency (hereinafter sometimes referred to as “r?”) Means the ratio of the number of photons emitted by the phosphor to the number of photons of the excitation light absorbed by the phosphor.
  • the specific characteristic phosphor has a higher internal quantum efficiency of 7? I, and is preferred.
  • the internal quantum efficiency 77 is usually 0.57 or more, preferably 0.69 or more, more preferably 0.79 or more. It is desirable. If the internal quantum efficiency 7? There is a tendency that the amount of excitation light necessary to obtain light emission increases and the energy consumption increases.
  • the method for measuring the internal quantum efficiency ⁇ of the phosphor is as described later.
  • the external quantum efficiency (hereinafter sometimes referred to as “7?”) Is a value that represents the ratio of the number of photons emitted from the phosphor to the number of photons in the excitation light, and the absorption efficiency ⁇ and the internal quantum. Equivalent to a product of efficiency 77. In other words, the external quantum efficiency 7?
  • the specific characteristic phosphor is characterized by a high external quantum efficiency r ?.
  • the external quantum efficiency 77 is usually 0.42 or more, preferably 0.50 or more, more preferably 0.55 or more, and further It is preferably 0.65 or more (this requirement may be referred to as “requirement (iii)” below.)
  • the external quantum efficiency r? Of the phosphor is low, the amount of excitation light necessary to obtain a predetermined emission There is a tendency for energy consumption to increase.
  • a phosphor sample to be measured (for example, a phosphor powder) is packed in a cell with a sufficiently smooth surface so that measurement accuracy is maintained, and is collected in a condenser such as an integrating sphere.
  • a condenser such as an integrating sphere.
  • a light-emitting source for exciting the phosphor sample is attached to the condensing device.
  • an Xe lamp is used as the light source.
  • adjustment is performed using a filter, a monochromator (diffraction grating spectrometer), or the like so that the emission peak wavelength of the emission source is monochromatic light of, for example, 405 ⁇ m or 455 nm.
  • the phosphor sample to be measured is irradiated with light from the light emission source whose emission peak wavelength is adjusted, and a spectrum including light emission (fluorescence) and reflected light is measured by a spectroscopic measurement device (for example, manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.).
  • excitation light The spectrum measured here is actually reflected light that has not been absorbed by the phosphor out of the light from the excitation light source (hereinafter simply referred to as “excitation light”) and the phosphor is excited. This includes light of another wavelength (fluorescence) emitted by the fluorescence phenomenon by absorbing light. That is, the excitation light region corresponds to the reflection spectrum, and the longer wavelength region corresponds to the fluorescence spectrum (sometimes referred to herein as the emission spectrum).
  • the absorption efficiency ⁇ is determined by exciting the photon number N of the excitation light absorbed by the phosphor sample.
  • the total photon number N of the latter excitation light is obtained as follows.
  • a white reflector such as a “Spectralon” manufactured by Labsphere (having a reflectance R of 98% for 450 nm excitation light) such as a material having a reflectance R of almost 100% for the excitation light is measured.
  • the target is attached to the above-described light collecting device in the same arrangement as the phosphor sample, and the reflection spectrum is measured using the spectroscopic measurement device (this reflection spectrum is hereinafter referred to as “I
  • the numerical value represented by is proportional to the total number of photons N of the excitation light.
  • the photon number N of the excitation light absorbed by the phosphor sample is expressed by the following (formula II)
  • I (E) represents a reflection spectrum when the phosphor sample to be measured for the absorption efficiency a is attached to the light collector.
  • the integration interval of (Expression II) is the same as the integration interval defined by (Expression I).
  • the second term in the above (Equation II) is a numerical value corresponding to the number of photons generated when the phosphor sample to be measured reflects the excitation light, that is, the measurement pair. This is the number corresponding to the number of photons excluding the photon derived from the fluorescence phenomenon among all photons generated from the elephant phosphor sample. Since actual spectrum measurements are generally obtained as digital data separated by a finite bandwidth with respect to ⁇ , the integrations in (Equation I) and (Equation II) above are based on that bandwidth. It is obtained by the sum.
  • the absorption efficiency ⁇ can be obtained by the following equation.
  • the internal quantum efficiency of 7? Means that the phosphor sample absorbs the number N of photons derived from the fluorescence phenomenon.
  • N is proportional to the amount obtained by the following (formula III).
  • the integration interval of the above is limited to the wavelength range of photon derived from the fluorescence phenomenon of the phosphor sample. This is because the phosphor sample force also excludes the reflected photon contribution from I ( ⁇ ).
  • the lower limit of the integration interval of (Equation III) above takes the upper end of the integration interval of (Equation I) above, and the upper limit of the integration interval is a range sufficient to include photons derived from fluorescence. To do.
  • the external quantum efficiency ⁇ can be obtained.
  • the external quantum efficiency 77 can also be obtained from the following relational expression.
  • At least a part of its surface, preferably substantially the entire surface thereof, also has a material force containing oxygen (this requirement may be referred to as “requirement (iv)” below).
  • the specific characteristic phosphor is an oxide phosphor or an oxynitride phosphor
  • the surface of the phosphor is also a substance containing oxygen.
  • the surface of the phosphor can be further coated with an oxide phosphor or an oxynitride phosphor with calcium phosphate or silica.
  • the specific-characteristic phosphor is a nitride phosphor or a sulfide phosphor
  • the surface is coated with calcium phosphate, silica, etc., and at least a part of the phosphor surface contains oxygen. It is preferable that However, since the surface of the phosphor may be oxidized during the crushing process or the like and an oxide film may be formed, it is not necessary to perform active coating in this case.
  • the thickness of the layer is usually lOnm or more, preferably 30 nm or more, and usually 1 ⁇ m or less. Should be in the range of 500nm or less! /.
  • the specific characteristic phosphor has one or more elements (hereinafter sometimes referred to as “M”) capable of taking a divalent and trivalent valence in its composition.
  • M functions as an activator.
  • Specific examples of M include transition metal elements such as Cr and Mn; rare earth elements such as Eu, Sm, Tm, and Yb Elements; and the like.
  • M ′′ may contain any one of these elements alone, or may contain two or more of them in any combination and ratio. Among them, M ′′ includes Sm, Eu Yb is preferred Eu is particularly preferred.
  • the molar ratio of the divalent element to the total M "(the sum of the divalent element and the trivalent element) is usually 0.5 or more, preferably 0.7 or more, more preferably 0.8. In addition, it is preferably less than 1 and is preferably closer to 1. If the molar ratio of the divalent element to the entire M ′′ is too low, the luminous efficiency tends to decrease. Force that both divalent and trivalent elements are incorporated into the crystal lattice Trivalent elements are thought to absorb light emission energy in the crystal.
  • the content of M "in the specific characteristic phosphor is a value of the molar ratio of M" with respect to the total number of moles of divalent elements contained in the specific characteristic phosphor, and is usually larger than 1%, preferably 4% or more, more preferably 6% or more, and usually less than 15%, preferably 10% or less, more preferably 8% or less (this requirement may be referred to as “requirement (v)” hereinafter). ) If the content of 0 M "is too small, the emission intensity tends to decrease. On the other hand, if the content of M" is too large, the emission intensity tends to decrease.
  • the emission color of the specific characteristic phosphor can be expressed by one of the CIE chromaticity coordinates, the x, y color system (CIE 1931 color system).
  • the value of the CIE chromaticity coordinate X of the specific characteristic phosphor is usually 0.210 or more, preferably 0.240 or more, more preferably 0.263 or more, and usually 0.330 or less.
  • the range is preferably 0.310 or less, more preferably 0.300 or less.
  • the CIE chromaticity coordinate y of the specific characteristic phosphor is usually 0.480 or more, preferably 0.490 or more, more preferably 0.495 or more, and usually 0.670 or less, preferably 0. It is desirable that the range be 660 or less, more preferably 0.665 or less.
  • the CIE chromaticity coordinates X and y of the phosphor can be calculated by calculating according to JIS Z8724 from the emission spectrum in the wavelength range of 480 nm to 800 nm.
  • the specific-characteristic phosphor has one or more elements (M ′′) capable of taking a divalent and trivalent valence in its composition. Further, it may contain other elements.
  • the specific characteristic phosphor may have other than M ", and the elements include Si, Ge, Ga, Al, B, P, Tb, Pr, Ag, La, Sm, 0, N, S, etc., and divalent elements other than M "(hereinafter sometimes referred to as” M '").
  • the specific-characteristic phosphor may contain any one of these elements other than M "alone! /, Or may contain two or more kinds in any combination and ratio. .
  • the specific characteristics phosphor preferably contains Si and M 1
  • M 1 is preferred! /, For example, Ba, Ca, Sr, Zn, Mg.
  • the specific-characteristic phosphor may contain two or more of these M 1 s alone or in any combination and ratio.
  • the specific characteristic phosphor preferably contains at least Ba as M 1 , and more preferably contains at least Ba and Sr.
  • the ratio of [Ba] to the sum of [Ba] and [Sr], that is, [Ba ] / ([Ba] + [Sr]) is usually greater than 0.5, preferably 0.6 or more, more preferably 0.65 or more, and usually 1 or less, preferably 0. It is preferably 9 or less, more preferably 0.8 or less.
  • the emission color tends to change depending on the ratio of Sr and Ca, the emission color can be changed by appropriately adjusting the ratio of Sr and Ca.
  • the molar ratio of Ca to Sr contained in the specific characteristic phosphor is usually 20% or less, preferably 10% or less.
  • the specific-characteristic phosphor may include any one or more of the features of the specific composition phosphor described later.
  • the specific characteristic phosphor may correspond to a specific composition phosphor described later.
  • composition phosphor of the present invention has the characteristics described below.
  • the specific composition phosphor is characterized by having a chemical composition represented by the following formula [1].
  • M 1 represents one or more elements selected from the group consisting of Ba, Ca, Sr, Zn, and Mg.
  • M ′′ can have divalent and trivalent valences.
  • metal elements ⁇ , ⁇ and j8 are 0.01 ⁇ x ⁇ 0.3, 1.5 ⁇ ⁇ ⁇ 2.5 and 3.5 ⁇ ⁇ ⁇ 4.5 Represents a number that satisfies
  • Micromax 1 represents Ba, Ca, Sr, one or more elemental selected from the group consisting of Zn and Mg.
  • M 1 any one of these elements may be contained alone, or two or more kinds may be contained in any combination and ratio.
  • M 1 preferably contains at least Ba.
  • the molar ratio of Ba to the entire M 1 is usually 0.5 or more, particularly 0.55 or more, more preferably 0.6 or more, and usually less than 1, especially 0.97 or less, and further 0.9. In the following, a range of 0.8 or less is particularly preferable. If the mole ratio of Ba is too high, the emission peak wavelength tends to shift to the short wavelength side. On the other hand, if the molar ratio of Ba is too low, the luminous efficiency tends to decrease.
  • M 1 preferably contains at least Ba and Sr.
  • the molar ratios of Ba and Sr to the whole M 1 are [Ba] and [Sr], respectively, the ratio of [Ba] to the sum of [Ba] and [Sr], that is, ⁇ & ] 7
  • the value represented by ([ & ] + [31:]) is usually 0.6 or more, even more than 0.6, even more than 0.5, usually 1 or less, especially 0.9 or less. Is preferably in the range of 0.8 or less. If the value of [8 &] 7 ([&] + [31:]) is too small (that is, the Ba ratio is too small), the emission peak wavelength of the phosphor shifts to the longer wavelength side.
  • the half-value width tends to increase.
  • the value of ⁇ & ] 7 ([ & ] + [31:]) is too large (ie, the Ba ratio is too large), the emission peak wavelength of the phosphor tends to shift to the short wavelength side. is there.
  • the relative ratio between [Ba] and [Sr], that is, the value force represented by [Ba] Z [Sr] is usually 1.2 or more, even more than 1.5, especially 1.5 or more. 1. It is preferably 8 or more, usually 15 or less, especially 10 or less, more preferably 5 or less, and particularly preferably 3.5 or less. If the value of [Ba] Z [Sr] is too small (ie, the ratio of Ba is too small), the emission peak wavelength of the phosphor tends to shift to the longer wavelength side and the half-value width tends to increase. On the other hand, if the value of [Ba] Z [Sr] is too large (ie, the Ba ratio is too large), the emission peak wavelength of the phosphor tends to shift to the short wavelength side.
  • the amount of substitution with Ca is the value of the molar ratio of the amount of Ca substitution with respect to the total amount of Sr, and is usually 10% or less, preferably 5% or less, and more preferably 2% or less. If the ratio of the amount of substitution by Ca is too high, the light emission becomes yellowish and the light emission efficiency tends to decrease.
  • Si may be partially substituted with other elements such as Ge.
  • other elements such as Ge may be contained in an amount of 20 mol% or less of Si, and it is more preferable that all are made of Si.
  • M is listed as an activator element, and represents one or more metal elements that can take a divalent or trivalent valence.
  • Transition metal elements such as Cr and Mn; rare earth elements such as Eu, Sm, Tm, and Yb; and the like.
  • M may contain any one of these elements alone. Two or more kinds may be used in any combination and ratio. Of these, Sm, Eu, and Yb are preferred as M ′′. Eu is particularly preferred.
  • the molar ratio of the divalent element to the entire M ′′ (the sum of divalent and trivalent elements) is usually 0.5 or more, preferably 0.7 or more, more preferably 0.8 or more, usually less than 1 and is preferably closer to 1.
  • divalent and trivalent elements have a crystal lattice. Force incorporated into the element The trivalent element is considered to absorb the luminescence energy in the crystal.
  • X is a number representing the number of moles of M ". Specifically, it is usually larger than 0.01, preferably 0.04 or more, more preferably 0.05 or more. In particular, it represents a number of 0.06 or more, usually less than 0.3, preferably 0.2 or less, and more preferably 0.16 or less. On the other hand, if the value of X is too large, the emission intensity tends to decrease.
  • (X is preferably close to 2, but usually 1.5 or more, preferably 1.7 or more, more preferably 1.8 or more, and usually 2.5. In the following, it represents a number in the range of preferably 2.2 or less, more preferably 2.1 or less. If the value of ⁇ is too small or too large, heterogeneous crystals appear and the light emission characteristics tend to deteriorate. is there.
  • 13 is usually 3.5 or more, preferably 3.8 or more, more preferably 3.9 or more, and usually 4.5 or less, preferably 4.4 or less, More preferably, it represents a number in the range of 4.1 or less. If the value of ⁇ is too small or too large, heterogeneous crystals appear and the light emission characteristics tend to deteriorate.
  • the specific composition phosphor further includes a monovalent element, 2 It may contain a valent element, a trivalent element, a monovalent element, and an element selected from a group force that also has a trivalent elemental power (hereinafter referred to as “trace element” t).
  • the trace elements include alkali metal elements, alkaline earth metal elements, zinc (Zn), yttrium (Y), aluminum (A1), scandium (Sc), phosphorus (P), nitrogen (N), It preferably contains at least one element selected from the group power of rare earth elements and halogen elements.
  • the total content of the above trace elements is usually 1 ppm or more, preferably 3 ppm or more, more preferably 5 ppm or more, and usually 10 ppm or less, preferably 50 ppm or less, more preferably 30 ppm or less.
  • the specific composition phosphor contains plural kinds of trace elements, the total amount of the phosphors should satisfy the above range.
  • the specific composition phosphor may contain one or more elements selected from the group force consisting of Tb, Ag, La, Sm, and Pr in addition to the above elements. Among these, it is preferable to contain Tb and Z or Pr.
  • the specific composition phosphor contains Tb, the luminance maintenance ratio at high temperatures is improved, and the temperature characteristics are improved. Furthermore, durability when a light emitting device described later is configured is improved, and lighting for a long time is possible.
  • the content of Tb is usually 0.0001 mol% or more with respect to 1 mol of the phosphor, and more preferably 0.0.
  • It is preferably in the range of 01 mol% or more, more preferably 0.01 mol% or more, and usually 5 mol% or less, especially 1 mol% or less, and more preferably 0.5 mol% or less.
  • the durability improvement effect may be reduced.
  • the content of Pr is usually 0.0001 mol% or more with respect to 1 mol of the phosphor, more preferably 0.0.
  • It is preferably in the range of 01 mol% or more, more preferably 0.01 mol% or more, and usually 5 mol% or less, especially 1 mol% or less, and more preferably 0.5 mol% or less.
  • the specific composition phosphor may contain A1 in addition to the above elements.
  • the content of A1 is usually 1 ppm or more, preferably 5 ppm or more, more preferably 10 ppm or more, and usually 500 ppm or less, preferably 200 ppm or less, and more preferably 10 ppm or less.
  • the specific composition phosphor may contain B (boron).
  • the content of B is usually 1 ppm or more, preferably 3 ppm or more, more preferably 5 ppm or more, and usually 10 ppm or less, preferably 50 ppm or less, more preferably 30 ppm or less.
  • the specific composition phosphor may contain Fe in addition to the above elements.
  • the Fe content is usually 1 ppm or more, preferably 3 ppm or more, more preferably 5 ppm or more, and usually 10 ppm or less, preferably 50 ppm or less, more preferably 30 ppm or less.
  • the specific composition phosphor may contain N in addition to the above elements.
  • the N content is usually 10 mol% or less, preferably 5 mol% or less, more preferably 3 mol% or less, based on the amount of oxygen contained in the phosphor.
  • the upper limit value of a * of the specific composition phosphor is usually 20 or less, preferably 22 or less, more preferably -24 or less, and particularly preferably -30 or less. Phosphors with too large a * tend to reduce the total luminous flux. In addition, it is desirable that the a * value is also small for the viewpoint of increasing the brightness.
  • the b * of the specific composition phosphor is usually in the range of 30 or more, preferably 40 or more, more preferably 45 or more, and particularly preferably 50 or more. If b * is too small, the brightness tends to decrease. On the other hand, the upper limit of b * is preferably a force that is theoretically 200 or less, usually 120 or less. If b * is too large, the emission wavelength tends to shift to the longer wavelength side and the brightness tends to decrease. There is.
  • the ratio of a * and b * of the specific composition phosphor that is, the value represented by a * Zb * is usually -0.45 or less, preferably 0.5 or less, more preferably 0.55.
  • the range is as follows. a If the value of Zb * is too large, the object color tends to be yellowish and the brightness tends to decrease.
  • the L * of the specific composition phosphor is usually 90 or more, preferably 95 or more. If the value of L * is too small, the light emission tends to be weak. On the other hand, the upper limit of L * generally does not exceed 100 because it deals with objects that do not emit light with irradiation light, but specific composition phosphors emit light generated by excitation by irradiation light as reflected light. Since it is superimposed, the value of L * may exceed 100. Specifically, the upper limit value of L * of the specific composition phosphor is usually 115 or less.
  • the measurement of the object color of the specific yarn and synthetic phosphor can be performed, for example, by using a commercially available object color measurement device (for example, CR-300 manufactured by Minolta).
  • a commercially available object color measurement device for example, CR-300 manufactured by Minolta.
  • the object color means a color when light is reflected by the object.
  • an object to be measured that is, a phosphor
  • a predetermined light source white light source.
  • standard light D can be used
  • the obtained reflected light is spectrally separated by a filter.
  • L * The value of b * is calculated.
  • the object color is related to the degree of reduction of the phosphor material (for example, expressed as a ratio of the molar ratio of divalent elements to the total M "), and when the degree of reduction is high (for example, divalent to the total M" If the molar ratio of the elements is high), it is considered to have an object color in the above range.
  • the degree of reduction of the phosphor material for example, expressed as a ratio of the molar ratio of divalent elements to the total M "
  • the degree of reduction for example, divalent to the total M" If the molar ratio of the elements is high
  • the excitation wavelength of the specific composition phosphor is not particularly limited, it is usually excited by light having a wavelength range of 300 nm or more, particularly 350 nm or more, more preferably 380 nm or more, and usually 500 nm or less, especially 480 nm or less, and even 470 nm or less.
  • it is possible.
  • it can be suitably used for a light emitting device using a semiconductor light emitting element or the like as a first light emitter.
  • the excitation spectrum can be measured at room temperature, for example, 25 ° C, using a fluorescence spectrophotometer F-4500 (manufactured by Hitachi, Ltd.).
  • the excitation peak wavelength can be calculated from the obtained excitation vector.
  • the specific composition phosphor preferably has a weight median diameter of usually 10 / z m or more, more preferably 12 / z m or more, and usually 30 ⁇ m or less, especially 25 ⁇ m or less.
  • the weight median diameter of the specific composition phosphor can be measured by using an apparatus such as a laser diffraction Z scattering type particle size distribution measuring apparatus.
  • the specific composition phosphor is usually preferably 20 nm or more, more preferably lOOnm or more, as the crystallite size is larger.
  • the crystallite diameter can be obtained by measuring the half width in powder X-ray diffraction. It is considered that non-radiation deactivation occurs at the interface between crystallites, and the conversion of luminescence energy to thermal energy occurs. Larger crystallites result in fewer crystallite interfaces, resulting in higher brightness with less conversion to thermal energy.
  • the ratio of the emission peak intensity value in the emission spectrum at 100 ° C to the luminance at 25 ° C when irradiated with light at a wavelength of 455 nm is usually 50% or more, preferably 60% or more, particularly preferably 70% or more.
  • the temperature characteristics for example, as an emission spectrum device, MCPD7000 multi-channel spectrum measurement device manufactured by Otsuka Electronics, a stage equipped with a cooling mechanism using a Peltier element and a heating mechanism using a heater, and as a light source 150W xenon run
  • the measurement can be carried out as follows using an apparatus provided with a filter. Place the cell with the phosphor sample on the stage and change the temperature in the range of 20 ° C to 180 ° C. Check that the surface temperature of the phosphor is constant at the specified temperature. Next, the emission spectrum is measured by exciting the phosphor with light of 455 nm extracted from the light source by a diffraction grating. The emission peak intensity is obtained from the measured emission spectrum.
  • the measured value of the surface temperature of the phosphor is a value corrected using the measured temperature value by a radiation thermometer and a thermocouple.
  • the specific composition phosphor is also excellent in durability. In particular, as described above, when Tb and the like are contained, the durability is superior. Specifically, when a light-emitting device is configured using a specific composition phosphor, the value of “green peak emission intensity Z blue peak emission intensity” immediately after the start of lighting (0 hour) is 100%. The value of “green peak emission intensity Z blue peak emission intensity” for 1000 hours is usually 85% or more, preferably 90% or more, more preferably 95% or more.
  • the durability measurement can be performed, for example, by the following procedure. Immediately after the light-emitting device is turned on (hereinafter referred to as “0 hour”), the emission spectrum and chromaticity coordinates are measured using a fiber multi-channel spectrometer (USB2000 manufactured by Oshan Optakes). Next, using an aging device, LED AGING SYSTEM lOOch LED environmental test device (YEL-51005, manufactured by Yamakatsu Electronics Co., Ltd.), the light emitting device is driven at a current of 20 mA under the conditions of 85 ° C and relative humidity of 85%.
  • the specific composition phosphor may include any one or more of the features of the specific characteristic phosphor described above. Further, the specific composition phosphor may correspond to the specific characteristic phosphor described above. [0138] [1-3. Method of manufacturing phosphor]
  • the raw materials for obtaining the phosphor of the present invention, the phosphor production method, etc. are as follows.
  • the method for producing a phosphor of the present invention is not particularly limited, for example, when manufacturing the formula [1] with phosphor represented of the present invention, metal element M 1 material (hereinafter as "M" Source)), Si raw material (hereinafter referred to as “Si source” where appropriate), and the element M ”raw material (hereinafter referred to as“ M ”source”) as an activator, after weighing, mixed. (Mixing step), and the resulting mixture (sometimes referred to as “phosphor precursor”) is fired under predetermined firing conditions (firing step), and pulverization, washing, surface treatment, etc. are performed as necessary. Can be manufactured.
  • the phosphor of the present invention is different in constituent elements from the phosphor represented by the formula [1], it can be produced by the following production method if the raw materials are changed.
  • the M 1 source, Si source and M "source used in the production of the phosphor of the present invention include oxides, hydroxides, carbonates, nitrates, sulfates of the elements M ', Si and M", Examples thereof include oxalates, carboxylates and halides. From these compounds, it may be selected as appropriate in consideration of the reactivity to the composite oxide and the low generation amount of NO, SO, etc. during firing.
  • Ba source examples include BaO, Ba (OH) ⁇ 8 ⁇ 0, BaCO, Ba (NO), BaSO,
  • BaCO is particularly preferable because of the handling power that 2 4 2 3 2 2 3 2 and the like are preferred.
  • the stability in the air is good.
  • carbonate is used as a raw material, it is preferable that the carbonate is preliminarily calcined and used as a raw material.
  • Ca sources include CaO, Ca (OH), CaCO, Ca (NO) ⁇ 4 ⁇ 0, CaSO ⁇
  • CO, CaCl and the like are preferable.
  • the carbonate is calcined in advance and the raw material is
  • Sr sources include SrO, Sr (OH) ⁇ 8 ⁇ 0, SrCO, Sr (NO), SrSO, Sr
  • SrCO is particularly preferred. Good stability in the air.
  • carbonate is used as a raw material, it is preferable that the carbonate is preliminarily calcined and used as a raw material.
  • Zn source examples include ZnO, Zn (C O) ⁇ 2 ⁇ 0, ZnSO ⁇ 7 ⁇
  • Mg source examples include MgCO, MgO, MgSO, Mg (C 2 O 3) 2H 2 O, and the like.
  • carbonate When carbonate is used as a raw material, it is preferable that the carbonate be preliminarily calcined and used as a raw material.
  • any one of these M 1 sources may be used alone, or two or more of them may be used in any combination and ratio.
  • Si source examples include SiO, H 2 SiO, Si (OCOCH 3), and the like. Above all, Si
  • One of these Si sources may be used alone, or two or more of these Si sources may be used in any combination and ratio.
  • Eu sources include Eu O, Eu (SO), Eu (C O), EuCl,
  • EuCl, Eu (NO) -6H 2 O and the like are preferable.
  • Sm source examples include compounds in which Eu is replaced with Sm, Tm, Yb, etc. in each of the compounds listed as specific examples of Eu source. .
  • M "sources may be used alone or in combination of two or more in any combination and ratio.
  • a compound containing another element may be used as a raw material.
  • a specific example of a Ge source is GeO.
  • Ge OH
  • Ge OCOCH 3
  • GeCl GeCl
  • Tb source when producing a phosphor having a composition containing Tb, a specific example of a Tb source is Tb 2 O 3 , TbCl (including hydrates), TbF, Tb (NO) ⁇ ⁇ 0, Tb (SiO), Tb (CO) ⁇ 1
  • Tb O is more preferred.
  • a specific example of a Pr source is Pr O
  • Pr 2 O PrCl, and PrF are mentioned, and Pr 2 O is more preferable.
  • Pr 2 O is more preferable.
  • Ga O As a specific example of the Ga source, Ga O, Ga (OH), Ga (S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-Se, a specific example of the Ga source, Ga O, Ga (OH), Ga (S), Ga (S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S
  • A1 source When manufacturing the body, specific examples of A1 source include Al-O, Al--
  • P O P O
  • Sr Sr
  • specific examples of the B source include B 2 O and H BO.
  • the method of mixing the M 1 source, the Si source, and the M ′′ source is not particularly limited, and examples thereof include the following (A) dry method and (B) wet method.
  • a solvent or dispersion medium such as water, methanol, ethanol or the like is added to the above-mentioned raw material, and the mixture is mixed using a pulverizer, a mortar and pestle, or an evaporating dish and a stirring bar, and the solution or slurry is Then, a wet mixing method of drying by spray drying, heat drying, or natural drying.
  • the firing step is usually carried out by filling the mixture obtained in the above-described mixing step into a heat-resistant container such as a crucible or tray that has low reactivity with each phosphor raw material and baked.
  • a heat-resistant container such as a crucible or tray that has low reactivity with each phosphor raw material and baked.
  • the material of the heat-resistant container used at the time of firing is alumina, quartz, boron nitride, charcoal Ceramics such as kalium nitride, silicon nitride, magnesium oxide, platinum, molybdenum, tantasten, tantalum, niobium, iridium, rhodium, etc., or alloys based on them, carbon (graphite), etc. Is mentioned.
  • the heat-resistant container made of quartz can be used for heat treatment at a relatively low temperature, that is, 1200 ° C. or less, and a preferable use temperature range is 1000 ° C. or less.
  • alumina and metal are particularly preferable.
  • the temperature at the time of firing is usually in the range of 850 ° C or higher, preferably 950 ° C or higher, and usually 1400 ° C or lower, preferably 1350 ° C or lower. If the calcination temperature is too low, the crystal does not grow sufficiently and the grain size force may be reduced. On the other hand, if the calcination temperature is too high, the crystal grows too much and the grain size may become too large.
  • the pressure at the time of firing is not particularly limited because it varies depending on the firing temperature, etc.
  • OlMPa or more preferably 0. IMPa or more, and usually 200 MPa or less, preferably lOOMPa or less. Of these, industrially, atmospheric pressure to about IMPa is preferred because of its simplicity and cost.
  • the firing time is not particularly limited because it varies depending on the temperature, pressure, etc. at the time of firing, but usually 10 minutes or longer, preferably 1 hour or longer, more preferably 3 hours or longer, more preferably 4 hours or longer, Usually it is within 24 hours, preferably within 15 hours.
  • the atmosphere during firing is not particularly limited, but in the present invention, firing is preferably performed in an atmosphere having a low oxygen concentration, as described later.
  • the oxygen concentration at the time of firing is preferably m ⁇ m or less, more preferably 50 ppm or less, and particularly preferably 20 ppm or less. Ideally, no oxygen is present at all.
  • the reaction is performed in a single atmosphere or a mixed atmosphere of two or more of gases such as carbon monoxide, carbon dioxide, nitrogen, hydrogen, and argon. Among these, it is preferable to contain a reducing gas such as carbon monoxide and hydrogen, and particularly in a hydrogen-containing nitrogen atmosphere.
  • the hydrogen content contained in the hydrogen-containing nitrogen atmosphere is usually 1% by volume or more, preferably 2% by volume or more, and usually 5% by volume or less is the most preferable hydrogen content. 4% by volume. If the hydrogen content in the atmosphere is too high, there is a risk of explosion, and if it is too low, a sufficient reducing atmosphere cannot be achieved. [0162] Furthermore, in the present invention, during the firing, the firing atmosphere is reduced to a reducing atmosphere such as a hydrogen-containing nitrogen atmosphere, and further solid carbon is allowed to coexist in the reaction system, thereby reducing the oxygen concentration and providing strong reducing properties. An atmosphere is preferable, but this will be described in detail in the following sections.
  • a necessary atmosphere is selected so that the activating element M ′′ of the present invention is in an ionic state (valence) contributing to light emission.
  • the activating element M ′′ of the present invention is in an ionic state (valence) contributing to light emission.
  • at least a part of Eu as an activator element which is one of the preferred “M” elements, which produces green light emission in the body, is a divalent ion.
  • the higher the proportion of Eu 2+ in the total Eu the more preferable it is usually 50% or more, preferably 80% or more, more preferably 90% or more, and most preferably 95% or more.
  • Eu raw materials are usually Eu O
  • a compound containing trivalent Eu ions is used. Therefore, in order to obtain a phosphor that contains Eu 2+ , which is a divalent ion, and emits green light, conventionally, carbon monoxide that should reduce trivalent ion Eu 3+ to divalent ion Eu 2+ , It was common to burn under a reducing atmosphere such as hydrogen-containing nitrogen or hydrogen. However, even in these firing atmospheres, oxygen derived from raw materials and the like is contained, so that it has been difficult to sufficiently reduce the oxygen concentration. In addition, when using Sm, Tm, Yb, etc. as the M "element, there were the same problems as in the case of Eu described above.
  • the inventors reduced the trivalent ion of the M "element to a divalent ion and simultaneously introduced it into the host crystal so that solid carbon coexists in addition to the normal reducing atmosphere. It was found that firing under the conditions (that is, more reducing power and conditions) was effective, and thus the obtained phosphor had a wavelength range of 510 nm or more and 542 nm or less as described above. Therefore, it has high brightness and light emission, and at the same time, the emission spectrum width is narrow!
  • the object color is considered to be an index indicating the degree of reduction of the M "element.
  • the M" element is sufficiently reduced, It is considered that the phosphor power represented by [1] has an object color in the above range.
  • the type of solid carbon is not particularly limited, and any type of solid carbon can be used. Examples include carbon black, activated carbon, pitch, coatas, graphite ( Graphite) and the like.
  • the reason why it is preferable to use solid carbon is that oxygen in the firing atmosphere reacts with the solid carbon to generate carbon monoxide gas, and this carbon monoxide reacts with oxygen in the firing atmosphere to generate carbon dioxide. This is because it becomes carbon and the oxygen concentration in the firing atmosphere can be reduced.
  • activated carbon having high reactivity with oxygen is preferable.
  • the shape of the solid carbon may be powder, bead, particle, block or the like, but is not particularly limited.
  • the amount of solid carbon to be coexisted is a force due to other firing conditions. Usually 0.1% by weight or more, preferably 1% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, particularly preferably based on the phosphor. Is 30% by weight or more, most preferably 50% by weight or more.
  • firing is preferably performed under sealed conditions, such as by covering the crucible.
  • the term "calcining in the presence of solid carbon” means that the phosphor raw material and the solid carbon need only exist in the same baking container, and the phosphor raw material and the solid carbon are mixed. There is no need to fire. In general, when carbon is mixed in the phosphor product, the black carbon absorbs the light emitted from the phosphor, and the luminous efficiency of the phosphor is reduced. As an example of a method for allowing solid carbon to coexist, solid carbon is put in a container different from the container containing the phosphor raw material, and these containers are placed in the same crucible (for example, solid carbon in the upper part of the raw material container).
  • the container containing the solid carbon is embedded in the phosphor material, or conversely, the solid carbon is disposed around the container filled with the phosphor material powder, etc.
  • the method is mentioned. In the case of using a large crucible, it is preferable to sinter solid carbon in the same container as the phosphor raw material. In any case, the solid carbon is not mixed in the phosphor material.
  • the following method may be implemented in place of the above-described method of coexisting solid carbon or instead of the method of coexisting solid carbon. Noh. That is, it is preferable to remove the air present in the crucible at the same time as the raw material powder as much as possible to lower the oxygen concentration. As a specific method, it is preferable that the crucible charged with a predetermined raw material is removed under reduced pressure in a vacuum furnace, and the atmospheric gas used in firing is introduced to restore the pressure. It is more preferable to repeat this operation. Alternatively, an oxygen getter such as Mo can be used as necessary. Also, if safety measures are taken, divalent ions of M "element can also be obtained by firing in a nitrogen atmosphere containing 5 vol% or more of hydrogen.
  • a flux coexists in the reaction system from the viewpoint of growing good crystals.
  • the type of flux is not particularly limited, but it contains a compound containing a monovalent element or atomic group and a monovalent element, a monovalent element or atomic group, and a trivalent element or atomic group.
  • it is preferable to use, as the flux a compound in which a group force consisting of a trivalent element and a compound containing a trivalent element or atomic group is also selected.
  • Monovalent elements or atomic groups are, for example, alkali metal elements and ammonium groups (NH).
  • Cs cesium
  • Rb rubidium
  • the divalent element is preferably, for example, an alkaline earth metal element and at least one element selected from the group force of zinc (Zn) force, more preferably strontium (Sr) or barium (Ba). preferable.
  • the trivalent element may be, for example, a rare earth element such as lanthanum (La), yttrium (Y), aluminum (A1), and at least one element selected from a group force including scandium (Sc) force. More preferred is yttrium or aluminum (A1).
  • a rare earth element such as lanthanum (La), yttrium (Y), aluminum (A1)
  • at least one element selected from a group force including scandium (Sc) force More preferred is yttrium or aluminum (A1).
  • Monovalent elements are, for example, at least one element selected from the group power of halogen element power Preferred is chlorine (CI) or fluorine (F).
  • the trivalent element or atomic group is preferably, for example, a phosphate group (PO 4).
  • the flux includes alkali metal halides, alkaline earth metal halides, zinc halides, yttrium (Y), aluminum (A1), scandium (Sc), and rare earth element forces.
  • Chlorides such as RbCl, LiF, NaF ⁇ KF, CsF ⁇ CaF, BaF, SrF, Al
  • Fluoride such as F, MgF, YF, K PO, K HPO, KH PO, Na PO, Na HPO,
  • NaH PO Li PO, Li HPO, LiH PO, (NH) PO, (NH) HPO, (NH) H
  • Examples thereof include phosphates such as PO.
  • LiCl, CsCl, BaCl, SrCl, YF it is preferable to use LiCl, CsCl, BaCl, SrCl, YF.
  • CsCl, SrCl Use CsCl, SrCl.
  • the phosphor of the present invention tends to have higher luminance as the particle size increases. From the above, when flux is coexisted in the phosphor material, it seems to be preferable because the brightness is improved. If the particle size is too large, coating unevenness and clogging of the dispenser, etc. may occur. Tend to be.
  • Preferred combinations in the case of using two or more kinds of fluxes include Sr C1 and CsCl, SrCl and LiCl, SrCl and YC1 ⁇ 6 ⁇ 0, SrCl, BaCl and CsCl, etc.
  • the amount of flux used (when two or more fluxes are used in combination, the total amount used) varies depending on the type of raw material, the material of the flux, the firing temperature and atmosphere, etc. Further, it is preferably 0.1% by weight or more, usually 20% by weight or less, and more preferably 10% by weight or less. If the amount of flux used is too small, the effect of flux may not appear. If the amount of flux used is too large, the flux effect may be saturated, the particle size may become too large and the handleability may deteriorate, or it may be incorporated into the host crystal to change the emission color or cause a decrease in brightness. .
  • the usage ratio (molar ratio) of the compound containing a monovalent or trivalent element is 1 for the number of moles of the compound containing a divalent element. In this case, it is usually 0.1 or more, preferably 0.2 or more, and usually 10 or less, preferably 5 or less.
  • the firing process is divided into primary firing and secondary firing.
  • the raw material mixture obtained in the mixing process is first fired first, and then pulverized again with a ball mill or the like, followed by secondary firing.
  • the temperature of the primary firing is usually 850 ° C or higher, preferably 1000 ° C or higher, more preferably 105 ° C. It is 0 ° C or higher, usually 1350 ° C or lower, preferably 1200 ° C or lower, more preferably 1150 ° C or lower.
  • the time for the primary firing is usually 1 hour or longer, preferably 2 hours or longer, more preferably 4 hours or longer, and usually 24 hours or shorter, preferably 15 hours or shorter, more preferably 13 hours or shorter. .
  • the conditions such as the temperature and time of the secondary firing are basically the above-mentioned (firing conditions) and (solid carbon
  • the flux may be mixed before the primary firing or may be mixed before the secondary firing. Also, the firing conditions such as the atmosphere may be changed between the primary firing and the secondary firing.
  • the powder mills listed as being usable in the raw material mixing step can be used. Washing can be performed with water such as deionized water, an organic solvent such as methanol or ethanol, or an alkaline aqueous solution such as ammonia water.
  • the classification treatment can be performed by sieving or water sieving, or by using various classifiers such as various air classifiers or vibrating sieves. In particular, when dry classification using a nylon mesh is used, a phosphor with good dispersibility having a weight median diameter of about 20 m can be obtained.
  • drying treatment it is preferable to perform a drying process after a washing process.
  • a drying treatment method it is preferable to select a drying treatment method as appropriate in accordance with the properties of the phosphor as required. For example, when a specific composition phosphor is exposed to a high-temperature and high-humidity atmosphere (for example, hot water) for a long time, a part of the surface of the phosphor base material dissolves, and the dissolved part is a diacid salt in the air. May react with carbon to form carbonate.
  • a high-temperature and high-humidity atmosphere for example, hot water
  • a part of the surface of the phosphor base material dissolves, and the dissolved part is a diacid salt in the air. May react with carbon to form carbonate.
  • low temperature drying such as vacuum drying, reduced pressure drying, freeze drying, etc.
  • short time drying such as spray drying
  • diacids such as nitrogen and argon gas are preferred. It is preferable to dry in an atmosphere that does not contain carbon, or to air dry by replacing the water with a low boiling point solvent.
  • Substance that can be present on the surface of the phosphor (hereinafter referred to as "surface treatment substance” as appropriate).
  • Examples of) include organic compounds, inorganic compounds, glass materials, and the like.
  • organic compound examples include hot-melt polymers such as acrylic resin, polycarbonate, polyamide, and polyethylene, latex, polyorganosiloxane, and the like.
  • Examples of the inorganic compound include magnesium oxide, acid aluminum, silicon oxide, titanium oxide, zirconium oxide, tin oxide, germanium oxide, tantalum oxide, niobium oxide, vanadium oxide, boron oxide, and antimony oxide.
  • Metal oxides such as zinc oxide, yttrium oxide, lanthanum oxide and bismuth oxide, metal nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride, orthophosphates such as calcium phosphate, barium phosphate and strontium phosphate, polyphosphates, etc. It is done.
  • Examples of the glass material include borosilicate, phosphosilicate, and alkali silicate.
  • These surface treatment substances may be used alone or in combination of two or more in any combination and ratio.
  • the phosphor of the present invention subjected to the surface treatment has these surface treatment substances.
  • Examples of the presence of the surface treatment substance include the following.
  • the adhesion amount or the coating amount of the surface treatment substance on the surface of the phosphor of the present invention is usually 0.1% by weight or more, preferably 1% by weight or more, based on the weight of the phosphor of the present invention. More preferably, it is 5% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 30% by weight or less, more preferably 15% by weight or less. Too much surface treatment material for phosphor If the amount is too small, the surface coating may be incomplete, and improvement in moisture resistance and dispersibility may not be observed.
  • the film thickness (layer thickness) of the surface treatment material formed by the surface treatment is usually lOnm or more, preferably 50 nm or more, and usually 2000 nm or less, preferably lOOOnm or less. If the film thickness is too thick, the light emission characteristics of the phosphor may be impaired. If the film thickness is too thin, the surface coating may be incomplete and the moisture resistance and dispersibility may not be improved.
  • the surface treatment method is not particularly limited, and examples thereof include a coating treatment method using a metal oxide (silicon oxide) as described below.
  • the phosphor of the present invention is added to an alcohol such as ethanol and stirred, and further an alkaline aqueous solution such as ammonia water is added and stirred.
  • a hydrolyzable alkyl silicate ester such as tetraethylorthosilicate is added and stirred.
  • the resulting solution is allowed to stand for 3 minutes to 60 minutes, the supernatant containing the oxidized silicon particles that do not adhere to the phosphor surface is removed with a dropper or the like.
  • a surface treatment phosphor is obtained through a vacuum drying step at 120 ° C to 150 ° C for 10 minutes to 5 hours, for example, 2 hours. .
  • Other methods of surface treatment of the phosphor include, for example, a method of attaching spherical silicon oxide fine powder to the phosphor (JP-A-2-209989, JP-A-2-233794), and silicon in the phosphor.
  • a method of depositing a film of an organic compound Japanese Patent Laid-Open No. 3-231987)
  • a method of coating the surface of phosphor fine particles with polymer fine particles Japanese Patent Laid-Open No. 6-314593
  • phosphors with organic materials, inorganic materials and A method of coating with a glass material or the like (Japanese Patent Laid-Open No.
  • the phosphor of the present invention can be used for any application that uses the phosphor.
  • the phosphor can be excited by blue light or near-ultraviolet light.
  • the light-emitting device of the invention can be suitably used.
  • Light emitting devices with various emission colors can be manufactured by adjusting the types and usage ratios of the phosphors to be combined.
  • the phosphor of the present invention is a green phosphor, an excitation light source that emits blue light can be combined with a phosphor that emits orange! / And red fluorescence (orange! / And red phosphor). In this case, a white light emitting device can be manufactured.
  • the light emission color in this case is a power that can be changed to a preferred light emission color by adjusting the light emission wavelength of the phosphor of the present invention or the combined orange or red phosphor.
  • so-called pseudo white for example, blue LED and yellow
  • pseudo white for example, blue LED and yellow
  • this white light emitting device with a phosphor that emits red fluorescence (red phosphor)
  • a light emitting device with excellent red color rendering and a light emitting device that emits light bulb color (warm white) can be realized. can do.
  • a white light emitting device can also be manufactured by combining the phosphor of the present invention with a phosphor emitting blue fluorescence (blue phosphor) and a red phosphor in an excitation light source that emits near-ultraviolet light.
  • the emission color of the light-emitting device is not limited to white, and if necessary, yellow phosphor (phosphor that emits yellow fluorescence), blue phosphor, orange to red phosphor, other types of green phosphor
  • yellow phosphor phosphor that emits yellow fluorescence
  • blue phosphor blue to red phosphor
  • other types of green phosphor other types of green phosphor
  • the phosphor of the present invention can be used by mixing with a liquid medium.
  • the phosphor of the present invention when used for a light emitting device or the like, it is preferably used in a form dispersed in a liquid medium.
  • the phosphor of the present invention dispersed in a liquid medium will be referred to as “the phosphor-containing composition of the present invention” as appropriate.
  • the type of the phosphor of the present invention to be contained in the phosphor-containing composition of the present invention There is no limitation on the type of the phosphor of the present invention to be contained in the phosphor-containing composition of the present invention.
  • the power described above can be arbitrarily selected.
  • the phosphor of the present invention to be contained in the phosphor-containing composition of the present invention may be only one kind, or two or more kinds may be used in any combination and ratio.
  • the phosphor-containing composition of the present invention may contain a phosphor other than the phosphor of the present invention as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • liquid medium used in the phosphor-containing composition of the present invention is not particularly limited as long as the performance of the phosphor is not impaired within the intended range.
  • any inorganic material and Z or organic material can be used as long as it exhibits a liquid property under the desired use conditions and suitably disperses the phosphor of the present invention and does not cause a favorable reaction. Materials can be used.
  • the inorganic material for example, a solution obtained by hydrolytic polymerization of a solution containing a metal alkoxide, a ceramic precursor polymer, or a metal alkoxide by a sol-gel method, or an inorganic material obtained by solidifying a combination thereof (for example, siloxane) Inorganic materials having bonds).
  • Examples of the organic material include thermoplastic resin, thermosetting resin, and photocurable resin.
  • methacrylic resin such as methyl polymethacrylate
  • styrene resin such as polystyrene, styrene-acrylonitrile copolymer
  • polycarbonate resin polyester resin
  • phenoxy resin examples include polybulal alcohols; cenorose resins such as ethenosenorelose, senorelose acetate, and senorelose acetate butyrate; epoxy resins; phenol resins; silicone resins.
  • a silicon-containing compound for the purpose of heat resistance, light resistance, and the like.
  • the silicon-containing compound refers to a compound having a silicon atom in the molecule, for example, an organic material such as polyorganosiloxane (silicone-based material), an oxygen cage, a nitride nitride, an oxynitride cage.
  • organic material such as polyorganosiloxane (silicone-based material)
  • oxygen cage such as oxygen cage
  • nitride nitride such as borosilicates, phosphosilicates, and alkali silicates.
  • silicon-based materials are preferable from the viewpoint of easy handling.
  • the silicone material generally refers to an organic polymer having a siloxane bond as the main chain, and examples thereof include a compound represented by the following formula (i) and Z or a mixture thereof.
  • R 1 to R 6 may be the same or different, an organic functional group, a hydroxyl group
  • the group power of hydrogen and nuclear power is selected.
  • M, D, T and Q are each a number of 0 or more and less than 1, and
  • M + D + T + Q a number that satisfies l.
  • the silicone material When used for sealing a semiconductor light emitting device, the silicone material can be used after being sealed with a liquid silicone material and then cured by heat or light.
  • Silicone-based materials are usually classified by addition polymerization curing type according to the mechanism of curing.
  • silicone-based materials such as a condensation polymerization curing type, an ultraviolet curing type, and a peroxide crosslinking type.
  • silicone-based materials such as a condensation polymerization curing type, an ultraviolet curing type, and a peroxide crosslinking type.
  • addition polymerization curing type addition type silicone resin
  • condensation curing type condensation type silicone resin
  • ultraviolet curing type ultraviolet curing type
  • the addition-type silicone-based material is a material crosslinked with a polyorganosiloxane chain strength organic addition bond.
  • Typical examples include compounds having a Si—C—C—Si bond at the cross-linking point obtained by reacting butylsilane and hydrosilane in the presence of an addition catalyst such as a Pt catalyst.
  • an addition catalyst such as a Pt catalyst.
  • Commercially available products such as “LPS-1400”, “LPS-2410” and “LPS-3400” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. It is done.
  • examples of the condensation type silicone material include a compound having a Si—O—Si bond obtained by hydrolysis of poly (alkoxysilane) polycondensation at a crosslinking point.
  • M represents at least one element selected from silicon, aluminum, zirconium, and titanium
  • X represents a hydrolyzable group
  • Y 1 represents a monovalent group.
  • M represents an organic group
  • m represents an integer of 1 or more that represents the valence of M
  • n represents an integer of 1 or more that represents the number of X groups, where m ⁇ n.
  • M is a small amount selected from silicon, aluminum, zirconium, and titanium.
  • X represents at least one element
  • Y represents a hydrolyzable group
  • Y 1 represents a monovalent organic group
  • Y 2 represents a u-valent organic group
  • s represents M Represents an integer of 1 or more that represents a valence
  • t represents an integer of 1 or more and s—1 or less
  • u represents an integer of 2 or more.
  • the condensation type silicone material may contain a curing catalyst.
  • a curing catalyst for example, a metal chelate compound or the like can be preferably used.
  • the metal chelate compound preferably contains Zr, preferably containing one or more of Ti, Ta, and Zr. Only one curing catalyst may be used. Two or more curing catalysts may be used in any combination and ratio.
  • condensation-type silicone material for example, semiconductor light emitting device materials described in Japanese Patent Application Nos. 2006-47274 to 47727 and Japanese Patent Application No. 2006-176468 are suitable.
  • condensation-type silicone materials particularly preferable materials will be described below.
  • Silicone-based materials generally have a problem of poor adhesion to semiconductor light-emitting elements, substrates on which elements are arranged, packages, etc., but silicone-based materials with high adhesion are characterized by the following characteristics [1] A condensation type silicone material having one or more of [3] is preferred.
  • the content of silicon is 20% by weight or more.
  • the solid Si nuclear magnetic resonance (NMR) spectrum measured by the method described in detail later has at least one peak derived from Si of (a) and Z or (b) below.
  • the peak top position is in the region where the chemical shift is 40 ppm or more and Oppm or less with respect to tetramethoxysilane, and the peak half-value width is 0.3 ppm or more and 3. Oppm or less.
  • the silanol content is from 0.1% by weight to 10% by weight.
  • the silicone material having the above features [1] and [2] is preferred because the silicone material having the feature [1] is preferred. Is more preferred A silicone material having all the features [1] to [3] is particularly preferred.
  • the basic skeleton of the conventional silicone-based material is organic resin such as epoxy resin having carbon-carbon and carbon-oxygen bonds as the basic skeleton, whereas the basic skeleton of the silicone-based material of the present invention is glass (key acid). It is the same inorganic siloxane bond as salt glass). This siloxane bond has the following excellent characteristics as a silicone-based material, as is clear from the comparative table power of chemical bonds in Table 2 below.
  • silicone-based silicone materials formed with a skeleton in which siloxane bonds are three-dimensionally bonded with a high degree of cross-linking are close to inorganic materials such as glass or rocks. It can be understood that the protective film is rich in.
  • a silicone-based material having a methyl group as a substituent is excellent in light resistance, because it does not absorb in the ultraviolet region, and thus photolysis does not easily occur.
  • the silicone content of the silicone material suitable for the present invention is usually 20% by weight or more, and of these, 25% by weight or more is preferable, and 30% by weight or more is more preferable.
  • the upper limit is usually that the SiO content of glass is 47% by weight.
  • the range is 47% by weight or less.
  • ICP inductively coupled plasma spectrometry
  • the peak region of (a) and Z or (b) derived from the silicon atom directly bonded to the carbon atom of the organic group was measured. At least one, preferably multiple peaks are observed.
  • the full width at half maximum of the peak described in (a) is generally described in (b) described later, since the constraint of molecular motion is small.
  • the peak of the listed 3. Oppm or less, preferably 2. Oppm or less, and usually 0.3ppm or more.
  • the full width at half maximum of the peak described in (b) is usually 5. Oppm or less, preferably 4. Oppm or less, and usually 0.3 ppm or more, preferably 0.4 ppm or more.
  • the half width of the peak is too small, Si atoms in the environment will not be involved in siloxane crosslinking, and the trifunctional silane will remain in an uncrosslinked state. It may be a member that is less heat resistant and weather resistant than other materials.
  • the value of the chemical shift of the silicone material suitable for the present invention can be calculated based on the result of solid Si-NMR measurement performed, for example, using the following method.
  • analysis of measurement data is performed by a method of dividing and extracting each peak by, for example, waveform separation analysis using a Gaussian function or a Lorentle function.
  • Probe 7.5mm ⁇ CP / MAS probe
  • optimization calculation is performed by nonlinear least square method with the center position, height, and half width of the peak shape created by Lorentz waveform and Gaussian waveform or a mixture of both as variable parameters. Do.
  • the silicone material suitable for the present invention has a silanol content of usually 0.1% by weight or more, preferably 0.3% by weight or more, and usually 10% by weight or less, preferably 8% by weight or less, and more preferably. Is less than 5% by weight.
  • the silanol-based material has excellent long-term performance stability with little change over time, and excellent performance in both moisture absorption and moisture permeability.
  • a member containing no silanol is inferior in adhesion, there is an optimum range of silanol content as described above.
  • the silanol content of the silicone-based material can be calculated, for example, by the above-mentioned 2-2. 2.
  • [2] Solid Si-NMR Spectrum> ⁇ Solid Si-NMR ⁇ Vector Measurement and Calculation of Silanol Content ⁇
  • the solid Si-NMR spectrum was measured using the method described in the section above. From the ratio of the peak area derived from silanol to the total peak area, the ratio of silanol atoms in all the silicon atoms ( %) And comparing with the separately analyzed content of silicon.
  • the silicone material suitable for the present invention contains an appropriate amount of silanol, silanol usually hydrogen bonds to a polar portion present on the surface of the device, and adhesion is exhibited.
  • the polar part include a hydroxyl group and oxygen of a metalloxane bond.
  • the silicone material suitable for the present invention usually forms a covalent bond by dehydration condensation with a hydroxyl group on the surface of the device by heating in the presence of a suitable catalyst, thereby further strengthening the adhesion. Sex can be expressed.
  • the inside of the system will thicken, making it difficult to apply, and it will become more active and solidify before the light boiling component volatilizes by heating, causing foaming and internal stress. May increase and induce cracks.
  • the content of the liquid medium is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 50% by weight or more, preferably 75% by weight or more with respect to the entire phosphor-containing composition of the present invention.
  • the amount is usually 99% by weight or less, preferably 95% by weight or less.
  • the mixing ratio as described above is usually used. It is desirable to use a liquid medium. On the other hand, if the amount of the liquid medium is too small, it may be difficult to handle due to lack of fluidity.
  • the liquid medium mainly has a role as a noinder.
  • One type of liquid medium may be used alone, or two or more types may be used in any combination and ratio.
  • other thermosetting properties such as epoxy resin to the extent that the durability of the silicon-containing compound is not impaired.
  • You may contain rosin.
  • the content of the other thermosetting resin is usually 25% by weight or less, preferably 10% by weight or less based on the total amount of the liquid medium as the binder.
  • the phosphor-containing composition of the present invention may contain other components in addition to the phosphor and the liquid medium as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • other components may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
  • the light-emitting device of the present invention includes a first light-emitting body (excitation light source), a second light-emitting body that emits visible light by irradiation with light from the first light-emitting body, and A light-emitting device having at least one or more phosphors according to the present invention described in the above section [1. Phosphor] as the second phosphor. . [0250]
  • the phosphor of the present invention is the above-mentioned specific-characteristic phosphor and Z or a specific-composition phosphor, and usually emits green region fluorescence under the irradiation of light from an excitation light source. (Hereinafter sometimes referred to as “the green phosphor of the present invention”). Specifically, the green phosphor of the present invention is 510 ⁇ ! Those having an emission peak in the range of ⁇ 542 nm are preferred
  • the green phosphor of the present invention may be used alone or in combination of two or more in any combination and ratio.
  • the light emitting device of the present invention exhibits high luminous efficiency with respect to an excitation light source (first light emitter) having light emission from the near ultraviolet to the blue region. Furthermore, when used in a white light emitting device such as a light source for a liquid crystal display, it is an excellent light emitting device in that the color reproduction range of the display is widened.
  • the CIE chromaticity coordinates X and y based on JIS Z8701 of the emitted color may satisfy the following regulations: desirable.
  • the value of the CIE chromaticity coordinate X of the green phosphor of the present invention is usually 0.210 or more, preferably 0.240 or more, more preferably 0.263 or more, and usually 0.330 or less, preferably 0. It is desirable that it is in the range of 3 or less, more preferably 0.30 or less.
  • the CIE chromaticity coordinate y of the green phosphor of the present invention is usually 0.480 or more, preferably ⁇ or 0.490 or more, more preferably ⁇ or 0.495 or more, and usually 0.670 or less, preferably It is desirable that the range is 0.660 or less, more preferably 0.6655 or less.
  • the weight median diameter is usually 10 ⁇ m or more, especially 15 ⁇ m or more, and usually 30 ⁇ m or less. However, it is preferably in the range of 20 ⁇ m or less. When the weight median diameter is too small, the luminance is lowered and the phosphor particles tend to aggregate. On the other hand, if the weight median diameter is too large, there is a tendency for coating unevenness and blockage of the dispenser to occur.
  • the configuration of the light-emitting device of the present invention is limited except that the light-emitting device of the present invention includes the first light-emitting body (excitation light source) and uses at least the phosphor of the present invention as the second light-emitting body. It is possible to arbitrarily adopt a known device configuration. A specific example of the device configuration will be described later.
  • the emission peak in the green region of the emission spectrum of the light emitting device of the present invention preferably has an emission peak in the wavelength range of 515 nm to 535 nm.
  • the emission spectrum of the light-emitting device was measured using a color / illuminance measurement software and USB2000 series spectroscope (integrated sphere specification) manufactured by Oshan Optakes in a room maintained at a temperature of 25 ⁇ 1 ° C. It can be used with 20mA current.
  • the XYZ color system may be referred to as an XY color system, and is usually expressed as (x, y).
  • the light-emitting device of the present invention is also characterized by a high NTSC ratio, particularly when a white light-emitting device is used.
  • the NTSC ratio (%) of the light emitting device of the present invention is usually 70 or higher, preferably 72 or higher, more preferably 74 or higher.
  • the NTSC ratio is preferably as high as possible, but theoretically it is 150 or less.
  • the method for measuring the NTSC ratio is as follows.
  • the standard R, G, and B chromaticity points are defined by the points (x, y) on the CIE chromaticity coordinates as follows.
  • the area of the triangle formed by these three RGB points is 100
  • the area of the triangle formed by the R, G, and B of the desired display specifically, the monochrome RGB is emitted by the desired display.
  • the luminous efficiency is obtained by obtaining the total luminous flux from the result of the emission spectrum measurement using the light emitting device as described above and dividing the lumen (lm) value by the power consumption (W).
  • the power consumption is obtained by multiplying the current value and the voltage value by measuring the voltage using Fluke True RMS Multimeters Model 187 & 189 with 20 mA applied.
  • an excitation light source as described later is used as the first light-emitting device.
  • a phosphor emitting red fluorescence hereinafter referred to as “red phosphor” as appropriate
  • a phosphor emitting blue fluorescence hereinafter referred to as “blue phosphor”
  • a phosphor emitting yellow fluorescence hereinafter referred to as “blue phosphor”. It can be obtained by using a known apparatus structure using any combination of known phosphors such as “yellow phosphor” as appropriate.
  • the white color of the white light emitting device is defined by JIS Z 8701, (yellowish) white,
  • the first light emitter in the light emitting device of the present invention emits light that excites a second light emitter described later.
  • the emission wavelength of the first illuminant is not particularly limited as long as it overlaps the absorption wavelength of the second illuminant described later, and an illuminant having a wide emission wavelength region can be used.
  • a light emitter having an emission wavelength from the ultraviolet region to the blue region is used, and it is particularly preferable to use a light emitter having an emission wavelength from the near ultraviolet region to the blue region.
  • the specific value of the emission wavelength of the first illuminant is usually preferably 200 nm or more.
  • a light emitter having a peak emission wavelength of usually 300 nm or more, preferably 330 nm or more, more preferably 360 nm or more, and usually 420 nm or less should be used. Is desirable.
  • blue light it is desirable to use an illuminant having a peak emission wavelength of usually 420 nm or more, preferably 430 nm or more, and usually 500 nm or less, preferably 48 Onm or less. Both This is from the viewpoint of the color purity of the optical device.
  • a semiconductor light emitting element is generally used, and specifically, a light emitting LED, a semiconductor laser diode (hereinafter abbreviated as "LD" as appropriate), and the like. Can be used.
  • examples of the illuminant that can be used as the first illuminant include an organic electroluminescent luminescence element and an inorganic electroluminescent luminescent element.
  • what can be used as the first light emitter is not limited to those exemplified in this specification.
  • GaN-based LEDs and LDs are extremely bright at very low power by combining with the above phosphors whose light output and external quantum efficiency are significantly higher than SiC-based LEDs that emit light in this region. It is also the power to obtain luminescence.
  • GaN-based LEDs and LDs usually have a light emission intensity that is more than 100 times that of SiC.
  • Al Ga N emission layer, GaN emission layer or In Ga N Al Ga N emission layer, GaN emission layer or In Ga N
  • a GaN-based LED with an N light emitting layer is particularly preferred because its light emission intensity is very strong
  • the emission intensity is very high.
  • the value of X + Y is usually a value in the range of 0.8 to 1.2.
  • these light-emitting layers doped with Zn or Si and those without dopants are preferred for adjusting the light-emitting characteristics.
  • GaN-based LEDs have these light-emitting layers, p-layers, n-layers, electrodes, and substrates as basic constituent elements.
  • the light-emitting layers are n-type and p-type AlGaN layers, GaN layers, or In layers. Sand with Ga N layer etc.
  • first light emitter may be used, or two or more may be used in any combination and ratio.
  • the second light emitter in the light emitting device of the present invention is a light source from the first light emitter described above.
  • a phosphor that emits visible light by radiation and contains the above-described phosphor of the present invention (green phosphor) as a first phosphor, and a second phosphor (described later) as appropriate depending on its use and the like ( Red phosphor, blue phosphor, orange phosphor, etc.).
  • the second light emitter is configured by dispersing the first and second phosphors in a sealing material.
  • composition of the phosphor other than the phosphor of the present invention used in the second luminescent material is not particularly limited, but YO, YV04, Zn SiO, Y Al O, and the like that become the crystal matrix. Sr SiO etc.
  • Oxysulfides such as Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and other rare earth metal ions, Ag, Cu, Au, A combination of metal ions such as Al, Mn, and Sb as activators or coactivators can be mentioned.
  • Preferred examples of the crystal matrix include, for example, sulfur such as (Zn, Cd) S, SrGaS, SrS, and ZnS.
  • Oxides such as Y Y S; ( ⁇ , Gd) Al O, YAIO, BaMgAl O, (Ba, Sr) (Mg
  • Borate such as BO
  • Halolin such as Ca (PO) (F, CI), (Sr, Ca, Ba, Mg) (PO) CI
  • the crystal matrix and the activator or coactivator are not particularly limited in element composition, and can be partially replaced with elements of the same family, and the obtained phosphor is visible from the near ultraviolet. Any material that absorbs light in a region and emits visible light can be used.
  • the following force can be used as the phosphor.
  • the phosphor that can be used in the present invention is not limited to these.
  • phosphors that differ only in part of the structure are omitted as appropriate.
  • the second light emitter in the light emitting device of the present invention contains at least the above-described phosphor of the present invention as the first phosphor. Even if any one of the phosphors of the present invention is used alone, You may use 2 or more types together in arbitrary combinations and ratios.
  • a phosphor that emits the same color fluorescence as the phosphor of the present invention (the same color combined phosphor) may be used as the first phosphor. Since the phosphor of the present invention is usually a green phosphor, other types of green phosphors can be used in combination with the phosphor of the present invention as the first phosphor.
  • Any green phosphor may be used as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the green phosphor is composed of, for example, fractured particles having a fractured surface, and emits light in the green region (Mg, Ca, Sr, Ba) Si ON: represented by Eu
  • Examples thereof include activated alkaline earth silicon oxynitride phosphors.
  • green phosphors include SrAlO: Eu, (Ba, Sr, Ca) A10: Eu, etc.
  • Salt phosphor Sr Si O-2SrCl: Eu-activated halosilicate phosphor such as Eu, Zn SiO: Mn, etc.
  • Ce activator such as Ce
  • Activated silicate phosphor, CaSc O Ce activated acid phosphor such as Ce, Eu activated sialon
  • Eu-activated oxynitride phosphor such as BaMgAl 2 O: Eu
  • Mn-activated aluminate such as Eu and Mn
  • Tb-activated oxysulfide phosphors such as 2 4 2 2
  • LaPO Ce
  • Tb-activated phosphate phosphors such as Ce and Tb, Z
  • nS Cu, Al, ZnS: Sulfide phosphors such as Cu, Au, Al, etc. (Y, Ga, Lu, Sc, La) BO: C
  • Tb activated borate phosphor Ca Mg (SiO) CI: Eu, Mn activated halosilicates such as Eu, Mn Phosphor, (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga, In) S: Eu-activated thioaluminate phosphor such as Eu
  • the green phosphor a pyridine phthalimide condensed derivative, a benzoxazinone-based, a quinazolinone-based, a coumarin-based, a quinophthalone-based, a naltalimide-based fluorescent pigment, or an organic phosphor such as a terbium complex is used. It is also possible.
  • the green phosphors exemplified above may be used alone or in combination of two or more in any combination and ratio.
  • the emission peak wavelength ⁇ (nm) of the first phosphor used in the light emitting device of the present invention is usually
  • It is preferably larger than 500 nm, especially 510 nm or more, more preferably 515 nm or more, and usually 550 nm or less, especially 542 nm or less, and further 535 nm or less. If this emission peak wavelength is too short, it tends to be bluish, while if it is too long, it becomes yellowish.
  • the characteristics as green light may deteriorate.
  • the first phosphor used in the light emitting device of the present invention has an emission peak at half maximum (foil width at half maximum, hereinafter abbreviated as "FWHM") force. It is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, more preferably 25 nm or more, and usually 85 nm or less, especially 75 nm or less, and further preferably 70 nm or less. If the full width at half maximum FWHM is too narrow, the emission intensity may decrease, and if it is too wide, the color purity may decrease.
  • FWHM emission peak at half maximum
  • the second light emitter in the light emitting device of the present invention may contain a phosphor (that is, the second phosphor) in addition to the first phosphor described above, depending on the application.
  • This second phosphor is a phosphor having an emission wavelength different from that of the first phosphor.
  • these second phosphors are used to adjust the color tone of light emitted from the second phosphor, so that the second phosphor has a fluorescence of a color different from that of the first phosphor.
  • a phosphor that emits light is used.
  • examples of the second phosphor include a green phosphor such as an orange to red phosphor, a blue phosphor, and a yellow phosphor.
  • An external phosphor is used.
  • the weight median diameter of the second phosphor used in the light emitting device of the present invention is usually 10 m or more, especially 12 ⁇ m or more, and usually 30 ⁇ m or less, especially 25 ⁇ m or less. It is preferable that If the weight median diameter is too large, the luminance tends to decrease and the phosphor particles tend to aggregate. On the other hand, if the weight median diameter is too large, the coating unevenness tends to cause clogging of the dispenser.
  • the emission peak wavelength of the orange to red phosphor is usually in the wavelength range of 570 nm or more, preferably 580 nm or more, more preferably 585 nm or more, and usually 780 nm or less, preferably 700 ⁇ m or less, more preferably 680 nm or less. Preferably it is.
  • Such an orange tan red phosphor is composed of, for example, fractured particles having a red fracture surface and emits light in the red region (Mg, Ca, Sr, Ba) Si N: represented by Eu. Be
  • Europium-activated alkaline earth silicon nitride-based phosphor composed of growing particles with a nearly spherical shape as a regular crystal growth shape, and emits light in the red region (Y, La, Gd, Lu) OS: Eu Europium-activated rare earth oxychalcogenide firefly
  • a light body etc. are mentioned.
  • An acid containing at least one element selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, W, and Mo A phosphor containing nitride and Z or oxysulfuric acid, wherein the phosphor contains an oxynitride having an alpha sialon structure in which part or all of the A1 element is substituted with Ga element. It can be used for any reason.
  • Eu-activated oxysulfurite fireflies such as (La, Y) O S: Eu
  • Mn (Ba, Sr, Ca, Mg) SiO: Eu
  • Mn activated silicate phosphors such as Eu, Mn, LiW 2 O
  • Ce-activated aluminate phosphor such as Ce, (Mg, Ca, Sr, Ba) Si
  • Eu-activated oxides such as Eu, nitrides or oxynitride phosphors, (Mg, Ca, Sr, Ba) AlSi
  • Ce-activated acid oxide such as Ce, nitride or oxynitride phosphor, (Sr, Ca, Ba, Mg
  • Eu-activated oxynitride phosphors such as Hysialon, (Gd, Y, Lu, La) O: Eu such as Eu and Bi,
  • Bi-activated oxide phosphor (Gd, Y, Lu, La) O S: Eu, Bi-activated oxysulfide firefly
  • Ce activated sulfide phosphors such as Eu and Ce
  • CaLa S Ce activated sulfur phosphors such as Ce
  • Mn activated phosphate phosphor (Y, Lu) WO: Eu, Mo activated tungsten such as Eu, Mo
  • the Eu, Ce activated nitride phosphor such as (Ca, Sr, Ba, Mg) (PO) (F, CI, Br, O)
  • Ce-activated silicate phosphors such as Si Ge O ⁇
  • red phosphors examples include ⁇ -diketonates, ⁇ -diketones, aromatic carboxylic acids, or red organic phosphors having a rare-earth ion complex power having a ligand such as Bronsted acid, perylene pigments (for example, , Dibenzo ⁇ [f, f '] -4, 4', 7, 7'-tetraphenyl ⁇ diindeno [1, 2, 3- cd: l ,, 2 ', 3, 1 lm] perylene), anthraquinone Pigments, lake pigments, azo pigments, quinacridone pigments, anthracene pigments, isoindoline pigments, isoindolinone pigments, phthalocyanine pigments, triphenylmethane basic dyes, indanthrone pigments, Indophenol pigments, cyanine pigments, dioxazine facial It is also possible to use a fee.
  • perylene pigments for example, Dibenzo
  • red phosphors include (Ca, Sr, Ba) Si (N, O): Eu, (Ca, Sr, B
  • 2 5 8 3 is particularly preferably (La, Y) O S: Eu.
  • (Sr, Ba) SiO: Eu is preferable as the orange phosphor.
  • the emission peak wavelength of the blue phosphor is usually 420 nm or more, preferably 430 nm or more, more preferably 440 nm or more, and usually 490 nm or less, preferably 480 nm or less, more preferably 470 nm or less, more preferably 460 nm or less. It is preferable to be in the wavelength range.
  • Such a blue phosphor is composed of a growing particle force having an almost hexagonal shape as a regular crystal growth shape, and emits light in the blue region (Ba, Sr, Ca) MgAlO: Eu.
  • the europium-activated barium magnesium aluminate-based phosphor shown composed of grown particles with a nearly spherical shape as a regular crystal growth shape, emits light in the blue region (Mg, Ca, Sr, Ba) (PO) (CI, F): Eu-pium-activated halolin represented by Eu
  • Calcium-acid-based phosphor composed of growth particles with a nearly cubic shape as a regular crystal growth shape, and emits light in the blue region (Ca, Sr, Ba) B O Cl: Eu
  • Sn-activated phosphate phosphors such as Sr PO: Sn,
  • Aluminate phosphor, Ce-activated thiogallate phosphor such as SrGa S: Ce, CaGa S: Ce
  • Eu-activated halophosphate phosphors such as Sb, Sb, BaAl Si O: Eu, (Sr, Ba) MgSi O: Eu, etc.
  • S Sulfur phosphors such as Ag and Al
  • Y SiO Ce-activated silicate phosphors such as Ce, CaWO, etc.
  • O Eu, 2SrO-0.84P O 0.16B
  • O Eu, Mn-activated borate phosphate phosphors such as Eu
  • Sr Si O-2SrCl Eu-activated halosilicate phosphors such as Eu, SrSi Al ON: Eu, EuSi
  • Eu-activated oxynitride phosphors such as Al ON can also be used.
  • the blue phosphor includes, for example, naphthalimide, benzoxazole, styryl, coumarin, virarizone, and triazole compound fluorescent dyes, and organic phosphors such as thulium complexes. It is also possible to use it.
  • the emission peak wavelength of the yellow phosphor is usually 530 nm or more, preferably 540 nm or more, more preferably 550 nm or more, and usually 620 nm or less, preferably 600 nm or less, more preferably 580 nm or less. It is preferable to be in the wavelength range.
  • Examples of such yellow phosphors include various oxide-based, nitride-based, oxynitride-based, sulfate-based, and oxysulfide-based phosphors.
  • RE M O Ce (where RE is selected from the group consisting of Y, Tb, Gd, Lu, and Sm.
  • M represents at least one element, and M represents at least one element selected from the group forces consisting of Al, Ga, and Sc. ) Or M a M b M c O: Ce (where M a is bivalent gold
  • M b is a trivalent metal element
  • M e represents a tetravalent metallic element.
  • the group force consisting of Ca, Mg, and Zn also represents at least one element selected, and M d represents Si and Z or Ge.
  • Etc. oxynitride phosphors obtained by substituting part of oxygen of the constituent elements of these phosphors with nitrogen, AEAISi N: Ce (where AE is Ba, At least 1 selected from the group consisting of Sr, Ca, Mg and Zn
  • Nitride phosphors with a CaAlSiN structure such as
  • Other yellow phosphors include CaGa S: Eu, (Ca, Sr) Ga S: Eu, (Ca, Sr).
  • a phosphor activated with Eu such as an oxynitride phosphor having a 2 4 12 16 structure.
  • yellow phosphor for example, brilliant sulfoflavine FF (Colour Index Number)
  • the second phosphor one kind of phosphor may be used alone, or two or more kinds of phosphors may be used in any combination and ratio. Further, the ratio of the first phosphor to the second phosphor is also arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Accordingly, the amount of the second phosphor used, the combination of phosphors used as the second phosphor, and the ratio thereof may be arbitrarily set according to the use of the light emitting device. [0302] In the light emitting device of the present invention, whether or not the second phosphor (orange to red phosphor, blue phosphor, etc.) described above is used and its type are appropriately selected according to the use of the light emitting device. That's fine. For example, when the light-emitting device of the present invention is configured as a green light-emitting device, it is usually unnecessary to use the second phosphor, which only requires the first phosphor (green phosphor). is there.
  • the light emitting device of the present invention is configured as a white light emitting device
  • the first light emitter and the first phosphor green phosphor
  • the second phosphor can be combined appropriately.
  • examples of the preferred and combination of the first light emitter, the first phosphor, and the second phosphor include The following combinations (i) to (iii) are mentioned.
  • a blue phosphor (such as a blue LED) is used as the first phosphor
  • a green phosphor (such as the phosphor of the present invention) is used as the first phosphor
  • a second phosphor As a red phosphor.
  • the red phosphor is a kind selected from the group consisting of (Sr, Ca) AlSiN: Eu.
  • red phosphors are preferred.
  • a near-ultraviolet illuminant (such as a near-ultraviolet LED) is used as the first illuminant
  • a green phosphor (such as the phosphor of the present invention) is used as the first phosphor
  • the second A blue phosphor and a red phosphor are used in combination as the phosphor.
  • the blue phosphor (Ba, Sr, Ca) MgAl O
  • red phosphor (Sr, Ca) AlSiN: Eu
  • red phosphors selected from the group consisting of 3 and La O S: Eu are preferred.
  • a blue phosphor (such as a blue LED) is used as the first phosphor
  • a green phosphor (such as the phosphor of the present invention) is used as the first phosphor
  • the second phosphor Use orange phosphor as the body.
  • (Sr, Ba) SiO: Eu is preferable as the orange phosphor.
  • the phosphor of the present invention is mixed with other phosphors (here, mixing means that different types of phosphors are not necessarily mixed).
  • Mean The Can be used.
  • phosphors are mixed in the combination described above, a preferable phosphor mixture is obtained.
  • the phosphor to be produced by the imide'amide method is usually a phosphor containing at least one element selected from the group consisting of Si, Al, lanthanoid elements, and alkaline earth metal elements. .
  • a nitride phosphor or an oxynitride phosphor containing an alkaline earth metal element is preferable.
  • Specific examples of phosphors to be manufactured by the imide 'amide method include Eu-activated hyaluronan, Eu-activated j8 sialon, (Mg, Ca, Sr, Ba) Si (N, O): Eu ⁇ (Mg, Ca,
  • Eu-activated nitride or oxynitride phosphor such as Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba) AlSi (N, O)
  • Ce-activated nitride or oxynitride phosphor such as Ce, (Ba, Sr, Ca) Si N: Eu, Ce (however
  • X, y, z represent an integer of 1 or more.
  • Eu Ce activated nitride phosphors.
  • the imide'amide method is characterized by using, as a raw material, an imide compound and Z or an amide compound containing one or more elements (for example, alkaline earth metal elements) constituting the phosphor.
  • an imide compound or an amidy compound may be purchased, for example, it can be synthesized by a method described later.
  • alkaline earth metal element contained in the imido compound or the amido compound examples include calcium (Ca), strontium (Sr), and barium (Ba). Of these, strontium (Sr) and norium (Ba) are preferred.
  • the imide compound may contain one of the above-mentioned alkaline earth metal elements alone! /, Or may contain two or more in any combination and ratio.
  • imido compounds examples include imido compounds of various alkaline earth metal elements are used. Among them, Sr imide compounds (for example, SrNH) are preferable, and Ba imide compounds (for example, BaNH 3) are preferable.
  • amide compounds examples include Y (NH), Ln
  • “Ln 3 ” is a trivalent lanthanoid element, specifically, La ⁇ Ce ⁇ Pr ⁇ Nd ⁇ Gd ⁇ Tb ⁇ Dy ⁇ represents one or more elements selected from the group consisting of Ho, Er, and Tm force
  • ⁇ M ⁇ consists of alkali metal elements, specifically, Li, Na, K, Rb and Cs Represents one or more elements selected from the group
  • “M 2 ” is an alkaline earth metal element, specifically, one or two elements selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr and Ba. The above elements are represented. These definitions are the same throughout this “Imido-amide method” column.
  • one kind of imide compound or amide compound may be used alone, or two or more kinds of imide compounds and Z or amide compounds may be used in any combination and ratio.
  • the imido compound and the method for producing the amido compound are not limited, but will be described below with specific examples.
  • Examples of the method for producing an imide compound containing an alkaline earth metal element include a method of firing an alkaline earth metal in an ammonia atmosphere. The conditions are explained below.
  • the firing step is usually carried out by weighing the alkaline earth metal as a raw material, filling it in a heat-resistant container such as a crucible or tray that has a low reactive material strength, and firing it.
  • a heat-resistant container such as a crucible or tray that has a low reactive material strength
  • Materials for the heat-resistant container used during firing are ceramics such as alumina, quartz, boron nitride, silicon carbide, silicon nitride, magnesium oxide, metals such as platinum, molybdenum, tungsten, tantalum, -ob, iridium, and rhodium.
  • an alloy mainly containing them, carbon (graphite), and the like can be given.
  • the heat-resistant container made of quartz can be used for heat treatment at a relatively low temperature, that is, 1 200 ° C or less, and the preferable use temperature range is 1000 ° C or less. It is below.
  • alumina and metal are particularly preferable.
  • the temperature at the time of firing is usually in the range of 300 ° C or higher, preferably 400 ° C or higher, and usually 800 ° C or lower, preferably 700 ° C or lower. If the calcination temperature is too low, the formation reaction does not proceed sufficiently. In some cases, the imide compound may not be obtained sufficiently. is there.
  • the pressure during firing varies depending on the firing temperature and is not particularly limited, but is usually 0. OlMPa or more, preferably 0. IMPa or more, and usually 200 MPa or less, preferably lOOMPa or less. Among these, industrially, it is preferable in terms of cost and labor in terms of power and labor, from atmospheric pressure to IMPa.
  • the atmosphere during firing is an ammonia atmosphere.
  • other atmospheres are not particularly limited as long as the atmosphere at the time of holding within the above baking temperature range is an ammonia atmosphere.
  • the firing time is not particularly limited because it varies depending on the temperature and pressure during firing, but is usually 10 minutes or longer, preferably 30 minutes or longer, and usually 10 hours or shorter, preferably 6 hours or shorter. If the firing time is too short, the production reaction may be insufficient, and if it is too long, useless firing energy may be consumed and the production cost may be increased.
  • the following method can be used as a method for producing an imide compound containing Si.
  • the raw material SiCl is expanded in hexane, and ammonia gas is added to this solution.
  • Si (NH) can be obtained.
  • Examples of the method for producing the amido compound of A1 include the following methods. Put A1 metal and alkali metal or A1 metal and alkaline earth metal as raw materials in a stainless steel reaction tube and cool to -30 ° C. Next, ammonia gas is fed into the reaction tube and condensed as liquid ammonia. Thereafter, the upper end of the reaction tube is closed, the lower end is heated at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, and the reaction is performed for about 24 hours to dissolve the metal as a raw material in the liquid ammonia. After the reaction is completed, the amide compound can be obtained by removing ammonia gas and taking out M'AI (NH) or M 2 A1 (NH).
  • M'AI NH
  • M 2 A1 M 2 A1
  • Examples of the method for producing an amidy compound of Y and a lanthanoid element include the following methods. Put the metal of lanthanoid element or metal as a raw material into a stainless steel reaction tube and cool to -30 ° C. Next, ammonia gas is fed into the reaction tube and condensed as liquid ammonia. After that, the upper end of the reaction tube is closed, and the lower end is heated at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower and reacted for about 24 hours to dissolve the metal as a raw material in liquid ammonia. After the reaction is finished, remove ammonia gas and Y (NH)
  • Ln (NH 2) and Ln (NH 2) can be taken out to obtain an amidy compound.
  • Examples of the method for producing an amide compound of an alkali metal element and an alkaline earth metal element include the following methods. Put alkali metal or alkaline earth metal as a raw material in a stainless steel reaction tube and cool to -30 ° C. Next, ammonia gas is fed into the reaction tube and condensed as liquid ammonia. Thereafter, the upper end of the reaction tube is closed, and the lower end is heated at a temperature of 80 ° C. or higher and 100 ° C. or lower and reacted for about 24 hours to dissolve the metal as a raw material in liquid ammonia. After the reaction is completed, the ammonia gas is removed, and M J NH or M 2 (NH 2 ) is extracted to obtain an amidy compound.
  • the phosphor raw material one or two or more kinds of imido compounds and Z or amide compounds described above and other compounds as necessary are used.
  • the types and ratios of the imide compound, Z or amide compound, and other compounds used as the phosphor material can be selected according to the composition of the phosphor to be manufactured.
  • the procedure of the imide amide method is the same as that of a normal phosphor production method. That is, the phosphor raw materials are weighed and mixed (mixing step), and the resulting mixture is fired under predetermined firing conditions (firing step), and pulverized, washed, surface treated, etc. as necessary. A phosphor is manufactured. Since imide compounds and amide compounds are vulnerable to moisture in the atmosphere, it is preferable to perform operations such as weighing and mixing in a glove box filled with an inert gas such as argon gas or nitrogen gas.
  • the method for mixing the phosphor raw materials is not particularly limited, and examples thereof include the following (A) dry method and (B) wet method. Since imido compounds and Z or amido compounds are unstable to polar solvents such as water, (A) dry method is usually used.
  • a dry mixing method that combines the above ingredients and pulverizes and mixes the aforementioned raw materials.
  • the firing step is usually carried out by filling the mixture obtained in the above-described mixing step into a heat-resistant container such as a crucible or tray that has low reactivity with each phosphor raw material and baked.
  • a heat-resistant container such as a crucible or tray that has low reactivity with each phosphor raw material and baked.
  • Materials for the heat-resistant container used at the time of firing include ceramics such as alumina, quartz, boron nitride, carbonized carbide, silicon nitride, magnesium oxide, platinum, molybdenum, tandastene, tantalum, niobium, iridium, rhodium, etc. Examples thereof include metals, alloys containing them as main components, and carbon (graphite).
  • the heat-resistant container made of quartz can be used for heat treatment at a relatively low temperature, that is, 1200 ° C. or less, and a preferable use temperature range is 1000 ° C. or less.
  • alumina and metal are particularly preferable.
  • the temperature during firing is usually in the range of 1000 ° C or higher, preferably 1200 ° C or higher, and usually 1900 ° C or lower, preferably 1800 ° C or lower. If the firing temperature is too low, the light emission characteristics may be deteriorated, and if it is too high, the intended phosphor may not be produced.
  • the pressure during firing varies depending on the firing temperature and is not particularly limited, but is usually 0. OlMPa or more, preferably 0. IMPa or more, and usually 200 MPa or less, preferably lOOMPa or less.
  • the firing time is not particularly limited because it varies depending on the temperature and pressure at the time of firing, but is usually 10 minutes or more, preferably 1 hour or more, more preferably 4 hours or more, and usually 24 hours or less, preferably 8 hours. Below, more preferably 6 hours or less. Baking time is too short In this case, the generation reaction may be insufficient, and if it is too long, useless firing energy may be consumed and the production cost may be increased.
  • the atmosphere during firing is not limited, it is usually a nitrogen gas (N) atmosphere or argon gas
  • Inert atmosphere such as atmosphere is preferred.
  • an imide compound for example, SrNH
  • an amide compound used as a raw material in an imide'amide method is more oxygenated than an acid compound (for example, SrCO) used in a conventional phosphor manufacturing method.
  • the use of the phosphor as a raw material can reduce the oxygen content in the obtained phosphor and improve the luminance of the phosphor.
  • nitride eg, Sr N
  • Sr N nitride
  • Nitride is unstable in air, and the ratio of N to alkaline earth metal elements such as Sr is low, so that the resulting phosphor tends to cause crystal defects.
  • imido compounds and amido compounds such as SrNH have a higher ratio of N to alkaline earth metal elements than nitrides, and as a result, crystal defects are less likely to occur in the resulting phosphor. It is considered that the crystallinity of the phosphor is improved and the effect of improving the luminance is obtained.
  • the oxygen concentration of the phosphor is reduced as described above, and the crystallinity and purity of the obtained phosphor can be improved.
  • the ambient environment of the activation element such as Eu becomes more uniform, and the peak of the emission spectrum of the phosphor becomes sharp (that is, the half-value width of the emission peak becomes narrow). It is estimated that
  • the first and Z or second phosphors are usually encapsulants. It is used by being dispersed in a liquid medium.
  • liquid medium examples include the same ones as described in the above section [2. Phosphor-containing composition].
  • the liquid medium may contain a metal element that can be a metal oxide having a high refractive index in order to adjust the refractive index of the sealing member.
  • metal elements that give a metal oxide having a high refractive index include Si, Al, Zr, Ti, Y, Nb, and B. These metal elements may be used alone or in combination of two or more in any combination and ratio.
  • the presence form of such a metal element is not particularly limited as long as the transparency of the sealing member is not impaired.
  • the metal element has a particulate shape. May exist.
  • the structure inside the particles may be amorphous or crystalline, but in order to give a high refractive index, a crystalline structure is preferred.
  • the particle diameter is usually not more than the emission wavelength of the semiconductor light emitting device, preferably not more than lOOnm, more preferably not more than 50nm, and particularly preferably not more than 30nm so as not to impair the transparency of the sealing member.
  • the above metal elements are formed into particles in the sealing member. Can be present.
  • the liquid medium may further contain known additives such as a diffusing agent, a filler, a viscosity modifier, and an ultraviolet absorber.
  • the other configurations of the light-emitting device of the present invention are not particularly limited as long as the light-emitting device includes the above-described first light-emitting body and second light-emitting body.
  • the above-described first light-emitting apparatus is mounted on an appropriate frame.
  • a light emitter and a second light emitter are arranged.
  • the second light emitter is excited by the light emission of the first light emitter (that is, the first and second phosphors are excited) to emit light, and the light emission of the first light emitter is generated.
  • the light emission of Z or the second light emitter will be arranged so as to be extracted to the outside.
  • the first phosphor and the second phosphor do not necessarily have to be mixed in the same layer.
  • the second phosphor is placed on the layer containing the first phosphor.
  • the phosphor may be contained in a separate layer for each color development of the phosphor, such as by laminating layers containing the phosphor.
  • members other than the above-described excitation light source (first light emitter), phosphor (second light emitter), and frame may be used.
  • examples thereof include the aforementioned sealing materials.
  • the sealing material is used between the excitation light source (first light emitter), the phosphor (second light emitter), and the frame. Can be used for the purpose of bonding.
  • the present invention is not limited to the following embodiments, and does not depart from the gist of the present invention.
  • the range can be arbitrarily modified and implemented.
  • FIG. 1 shows the figure.
  • reference numeral 1 denotes a phosphor-containing portion (second light emitter)
  • reference numeral 2 denotes a surface-emitting GaN LD as an excitation light source (first light emitter)
  • reference numeral 3 denotes a substrate.
  • LD (2) and phosphor-containing part (second light emitter) (1) are produced separately, and their surfaces are brought into contact with each other by an adhesive or other means.
  • the phosphor-containing portion (second light emitter) may be formed (molded) on the light emitting surface of the LD (2). As a result, the LD (2) and the phosphor-containing portion (second light emitter) (1) can be brought into contact with each other.
  • Fig. 2 (a) is a typical example of a light emitting device of a form generally referred to as a cannonball type.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of a light emitting device having a (first light emitter) and a phosphor-containing portion (second light emitter).
  • reference numeral 5 is a mount lead
  • reference numeral 6 is an inner lead
  • reference numeral 7 is an excitation light source (first light emitter)
  • reference numeral 8 is a phosphor-containing resin part
  • reference numeral 9 is a conductive wire
  • Reference numeral 10 denotes a mold member.
  • FIG. 2 (b) is a typical example of a light-emitting device of a form referred to as a surface mount type, in which an excitation light source (first light emitter) and a phosphor-containing portion (second light emitter) 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a light emitting device having
  • reference numeral 22 is an excitation light source (first light emitter)
  • reference numeral 23 is a phosphor-containing resin part as a phosphor-containing part (second light emitter)
  • reference numeral 24 is a frame
  • reference numeral 25 is conductive.
  • Wires 26 and 27 refer to electrodes, respectively.
  • the use of the light-emitting device of the present invention is not particularly limited, and since the color reproduction range that can be used in various fields where a normal light-emitting device is used is wide and color rendering is high, the illumination device is particularly preferred. And as a light source for image display devices.
  • the above-described light-emitting device may be used by being appropriately incorporated into a known lighting device.
  • a surface emitting illumination device (11) incorporating the above-described light emitting device (4) as shown in FIG. 3 can be mentioned.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of the lighting device of the present invention.
  • the surface-emitting illumination device has a large number of light-emitting devices (13) (described above) on the bottom surface of a rectangular holding case (12) whose inner surface is light-opaque such as a white smooth surface.
  • the light-emitting device (4)) is disposed outside the light-emitting device (13) with a power supply and a circuit (not shown) for driving the light-emitting device (13), and is placed on the lid of the holding case (12).
  • a diffuser plate (14) such as a milky white acrylic plate is fixed to the corresponding part for uniform light emission.
  • the specific configuration of the image display device is not limited.
  • those shown in FIGS. 4 and 5 are typical examples. Indicated.
  • FIG. 4 is an exploded cross-sectional view schematically illustrating a main part of the image display device, according to an embodiment of the image display device of the present invention.
  • the observer sees an image displayed by the right-hand force display device in the figure.
  • the display device (15) of the present embodiment includes a light source (16) that emits excitation light, and a phosphor containing a phosphor that absorbs light emitted from the light source (16) and emits visible light. Parts (17R), (17G), and (17B).
  • the display device (15) includes a frame (18), a polarizer (19), a light shirt (20), and an analyzer (21).
  • the frame (18) is a base for holding members such as the light source (16) constituting the display device (15), and the shape thereof is arbitrary.
  • the material of the frame (18) is also arbitrary, and for example, an inorganic material such as a metal, an alloy, glass, or carbon, or an organic material such as a synthetic resin can be used depending on the application.
  • the frame (18) hit by the light emitted from the light source (16) It is preferable that the reflectance of the light is increased. Therefore, it is preferable that at least the surface that is exposed to light is formed of a material having high reflectance.
  • the entire frame (18) or the surface of the frame (18) is formed of a material containing a material having high reflectivity such as glass fiber, alumina powder, titania powder (e.g., resin for injection shaping). To do.
  • the specific method for increasing the reflectance of the surface of the frame (18) is arbitrary.
  • the material of the frame (18) itself as described above for example, silver, platinum, aluminum, etc.
  • the reflectance of light can be increased by plating or vapor deposition with a metal or alloy having a high reflectance.
  • the portion for increasing the reflectance may be the entire frame (18) or a part thereof. Force Normally, it is desirable that the reflectivity of the entire surface of the portion where the light emitted from the light source (16) hits is increased.
  • the frame (18) is usually provided with electrodes and terminals for supplying power to the light source (16).
  • means for connecting the electrode or terminal and the light source (16) is arbitrary, and for example, the light source (16) and the electrode or terminal can be connected by wire bonding to supply power.
  • the wire There are no restrictions on the wire used and the material and dimensions are arbitrary.
  • a metal such as gold or aluminum can be used as the material of the wire, and the thickness of the wire can be usually 20 ⁇ m to 40 ⁇ m.
  • the wire is not limited to this. .
  • Another example of a method for supplying power to the light source (16) is a method for supplying power to the light source (16) by flip-chip mounting using bumps.
  • solder when power is supplied to the light source (16), solder may be used. Since the node exhibits excellent heat dissipation, when a large current type LED or LD where heat dissipation is important is used as the excitation light source (first light emitter) in the light source (16), the display device ( This is because the heat dissipation of 15) can be improved.
  • the type of solder is arbitrary, but, for example, AuSn, AgSn, etc. can be used.
  • solder is simply a frame.
  • (18) may be used to install the light source (16)! /.
  • the light source (16) is attached to the frame (18) by means other than solder, for example, an adhesive such as epoxy resin, imide resin, acrylic resin may be used.
  • an adhesive such as epoxy resin, imide resin, acrylic resin
  • the adhesive is energized to power the light source (16) as in the case of using solder. It is also possible to be able to supply. Furthermore, it is preferable to mix these conductive fillers because heat dissipation is improved.
  • a flat frame (18) having an increased surface reflectance is used, and a terminal (not shown) for supplying power to the light source (16) is provided on the surface. It is assumed that In addition, power is supplied to the terminal from a power source (not shown).
  • the light source (16) is positioned as the first light emitter that emits excitation light in the light emitting device of the present invention as described above.
  • the light emitted from the light source (16) becomes excitation light that excites the phosphors contained in the phosphor portions (17R), (17G), and (17B).
  • the observer of the display device (15) it is possible to allow the observer of the display device (15) to see the light itself emitted from the light source (16). In this case, the light emitted from the light source (16) is emitted from the pixels. It becomes the light itself.
  • the wavelength of the light emitted from the light source (16) is light in the ultraviolet region or the visible region as long as the phosphors in the phosphor portions (17R), (17G), (17B) can be excited. Can be used arbitrarily.
  • the main emission peak wavelength is usually 350 nm or more, preferably 380 nm or more, more preferably 390 nm or more, and usually 500 nm or less, preferably 480 nm or less, more preferably. Is less than 470nm.
  • the liquid crystal substance itself may be destroyed by the light emitted from the light source (16) when a liquid crystal light shutter is used as the light shutter (20).
  • the upper limit of the above range is exceeded, the luminous efficiency of the phosphor is lowered, and the luminance of the pixel may be lowered or the color reproduction range may be narrowed.
  • the light emitted from the light source (16) may be used as it is for image display.
  • the light shutter (20) adjusts the amount of light emitted from the light source (16), so that the luminance of the pixel using the light emitted from the light source (16) is adjusted.
  • the light source (16) has a wavelength of 450 ⁇ !
  • the blue light can be used as it is as light emitted from the pixels of the display device (15).
  • it is not necessary to perform wavelength conversion using a phosphor there may be no phosphor portion corresponding to the blue pixel.
  • Examples of the light source include an LED, a fluorescent lamp, an edge-emitting or surface-emitting LD, and an electroluminescent device.
  • LEDs and fluorescent lamps are usually preferred.
  • fluorescent lamps can use cold cathode tubes and hot cathode tubes that have been used in the past.
  • white light is used, other colors are mixed in the blue, green, and red light emitting areas. It is desirable to extract only the near-ultraviolet region of white light using a filter or the like.
  • the phosphor used in the fluorescent lamp for example, SrMgP 2 O: Eu (emission wavelength: 394 nm)
  • Y Si O Ce (emission wavelength 385 nm), ZnGa O: Li, Ti (emission wavelength 380 nm), YTaO: N
  • a near-ultraviolet light emitting semiconductor LED can be suitably used because it can selectively emit light in a wavelength region preferable for the present invention.
  • a known single or multi-quantum well blue LED having InGaN as a light emitting layer and a known single or multi quantum well near-ultraviolet LED having AlInGaN, GaN or AlGaN as a light emitting layer are preferred.
  • the light emitted from the light source (16) is directly incident on the phosphor portions (17R), (17G), (17B), and is also used for planar light emission using a light guide plate or a light diffusion plate. It is also possible to convert it so that it is incident on the phosphor parts (17R), (17G), (17B). , (17B).
  • a reflector is provided on the back surface of the light source (16) (on the side opposite to the light shirter (20)). The utilization efficiency of light emitted from the light source (16) can be increased.
  • the light source (16) may be modified to convert the light emitted from the light source into a planar light emission.
  • a light guide plate such as a quartz plate, a glass plate, an acrylic plate, an A1 sheet, various types Reflection mechanisms such as metal vapor deposition films, patterns using TiO compounds, light diffusion sheets, light diffusion prisms, etc.
  • a single scattering mechanism preferably a combination of a plurality of scattering mechanisms, can be used.
  • a single scattering mechanism preferably a combination of a plurality of scattering mechanisms.
  • the transformation for conversion is preferably used in the present embodiment.
  • a modification used for a liquid crystal display device can be preferably used.
  • the light source (16) when the light source (16) is installed on the frame (18), any known means can be used without any limitation on its installation means. Therefore, as described above, for example, the light source (16) can be installed on the frame (18) using a node, a solder or the like.
  • a surface light emitter that emits light in a planar manner is used as the light source (16).
  • power is supplied to the light source (16) by electrically connecting the terminals on the frame (18) and the electrodes of the light source (16) using an interconnection circuit, wires, or the like. It shall be.
  • a polarizer (19) is preferably provided in front of the light source (16) (right side in the figure), specifically between the light source (16) and the optical shutter (20).
  • the polarizer (19) is provided to select only light in a predetermined direction from the light emitted from the light source (16). Also in this embodiment, it is assumed that the polarizer (19) is installed between the light source (16) and the optical shutter (20).
  • the optical shutter (20) transmits the irradiated light by adjusting the amount of light. Specifically, this is a member that adjusts the amount of light for each pixel and transmits the light irradiated on the back surface to the front corresponding to the image to be displayed.
  • the light shirt (20) has a light source (16) force that adjusts the amount of light emitted to the phosphor parts (17R), (17G), (17B) for each pixel and moves forward. It is designed to be transparent. Even when the light emitted from the light source (16) is used as it is as the pixel light, the light amount from the light source (16) is adjusted so as to be transmitted forward.
  • the display device (15) when configured as a multi-color or full-color display, two or more types of the above-described phosphors are independently defined as light wavelength conversion mechanisms (ie, It arrange
  • the amount of excitation light applied to these phosphor parts (17R), (17G), (17B) is adjusted by the optical shutter (20), respectively, so that the phosphor parts (17R ), (17G) and (17B) are adjusted so that the display device (15) can display a desired image with multicolor light emission.
  • the type of the optical shutter (20) there is a type in which the amount of light can be adjusted only for light in a specific wavelength region.
  • the optical shutter (20 an optical shutter capable of switching light by adjusting the amount of light in the wavelength region of the light emitted from the light source (16) is used.
  • the optical shutter (20 not the light from the light source (16) but the light emitted from the phosphor (17R), (17G), (17B) force may be adjusted by the optical shutter (20).
  • a phosphor that can switch light by adjusting the amount of light in the light wavelength region where the phosphor (17R), (17G), (17B) force is also emitted.
  • the center wavelength of the light emitted from the light source (16) and the light emitted from the phosphor part (17R), (17G), (17B) is usually 350 nm or more, and usually 780 nm or less, preferably 420 nm or less.
  • the optical shutter (20) should be capable of adjusting the amount of light in this wavelength range.
  • the mechanism of the optical shutter (20) usually has a collective force of a plurality of pixels (pixels).
  • the number and size of pixels and the arrangement method vary depending on the screen size, display method, application, etc., and are not particularly limited to certain values. Accordingly, there is no limitation on the size of the pixel of the optical shutter (20), so long as the effect of the present invention is not significantly impaired.
  • the size of one pixel is preferably 500 ⁇ m square or less. Furthermore, as a suitable pixel size, it is more preferable that the number of pixels is about 640 ⁇ 3 ⁇ 480 and the single pixel size is about 100 m ⁇ 300 m as the value of a liquid crystal display currently in practical use.
  • the quantity and size of the optical shutter (20) itself are not limited, and are arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the thickness of the optical shutter (20) is usually 5 cm or less, and is preferably lcm or less in consideration of thinning and light weight.
  • a light shirt that changes the light transmittance of the pixel to an arbitrary value by electrical control in order to enable gradation display. (20) can be preferably used. The higher the absolute value of the light transmittance, the contrast of the change and the speed response, the better.
  • optical shutters (20) that meet these requirements include TFT (Thin Film Transistor), STN (Super Twisted Nematic liquid crystal), ferroelectric, antiferroelectric, and dichroic dyes.
  • Transmissive liquid crystal optical shutters such as polymer distributed PDN (Polymer Dispersed Network); tungsten oxide, iridium oxide, Prussian blue, viologen derivatives, TTF polystyrene, rare earth metal-diphthalocyanine complex, polythiophene, Examples include electrochromic and chemical chromic typified by polyarin.
  • the liquid crystal optical shutter is preferably used because it is thin, lightweight and has low power consumption, has practical durability, and can increase the density of segments.
  • liquid crystal shutters using a TFT active matrix drive or PDN method are particularly desirable.
  • the reason for this is that active matrix using twisted nematic liquid crystal does not cause high-speed response and crosstalk corresponding to moving images, and the PDN method does not require a polarizer (21). This is because light from the body parts (17R), (17G), and (17B) is less attenuated and can emit light with high brightness.
  • the display device (15) usually has a control unit (not shown) that controls the light shutter (20) so as to adjust the amount of light for each pixel according to the image displayed on the display device (15). (Omitted).
  • the optical shutter (20) adjusts the amount of visible light generated by each pixel power in accordance with the control of the control unit, whereby a desired image is displayed on the display device (15).
  • the display device (15) can further simplify the control circuit of the control unit. For example, when an LED is used as the light source (16) and the brightness of the pixel is adjusted by controlling the light emission intensity of the LED, the current-brightness characteristic of the LED changes over time, so the displayed image is controlled. The control circuit may become complicated. On the other hand, if a light shutter (20) portion for adjusting the amount of light emitted by the light source (16) is provided as in the present embodiment, and the brightness of the pixel is adjusted by the light shutter (20). Since many optical shutters such as liquid crystal optical shutters are voltage controlled, the brightness can be adjusted with a simple control circuit.
  • the optical shutter (20) uses the liquid crystal optical shutters stacked in the above order as the optical shutter (20), and the optical shutter (20) is provided in front of the polarizer (19) (right side in the figure).
  • the back electrode (20-1) and front electrode (20-3) are used for the light used for the display device (15). It shall be comprised with the transparent electrode which does not absorb.
  • the molecular arrangement of the liquid crystal in the liquid crystal layer (20-2) is controlled by the voltage applied to the back electrode (20-1) and the front electrode (20-3). The amount of light irradiated on the back side is adjusted for each pixel (that is, for each phosphor portion (17R), (17G), (17B)).
  • an analyzer (21) for receiving light whose light amount is adjusted through the optical shutter (20) is usually provided.
  • the analyzer (21) is for selecting light having only a certain plane of polarization from the light passing through the optical shutter (20).
  • the analyzer (21) is located in front of the optical shutter (20), specifically, between the optical shutter (20) and the phosphor portions (17R), (17G), (17B). Shall be provided.
  • the phosphor parts (17R), (17G), and (17B) absorb the excitation light emitted from the light source (16) and emit visible light for forming an image displayed by the display device (15). It is a part containing. Also, the phosphor parts (17R), (17G), and (17B) are usually provided one by one corresponding to the pixels, and generate light that the pixels of the display device (15) emit. . Therefore, in this embodiment, the observer recognizes the image by looking at the fluorescence emitted from the phosphor portions (17R), (17G), and (17B).
  • any phosphor can be used as long as at least the green phosphor according to the present invention is used and the effect of the present invention is not significantly impaired.
  • Specific examples of these phosphors include those exemplified as the first phosphor and the second phosphor described above.
  • the phosphor is used by blending one kind or two or more kinds of phosphors.
  • the emission color of the phosphor is not particularly limited because there is an appropriate color depending on the application. For example, when producing a full color display, blue, green and red phosphors having high color purity are preferably used. There are several methods for expressing the appropriate color. 1S The center wavelength of light emission and CIE chromaticity coordinates are used for convenience. Optical wavelength conversion When the mechanism is monochrome display or multicolor display, it preferably contains a phosphor that develops colors of purple, blue-violet, yellow-green, yellow, and orange. You can also mix two or more of these phosphors to achieve high color purity, emit light, or emit neutral or white light.
  • a noinder is usually used to protect the phosphor from external forces from the external environment and forces such as moisture.
  • the noinder is not particularly limited as long as it is usually used in this application, and a colorless and transparent material as described above as the liquid medium is used.
  • the proportion of the binder in the phosphor parts (17R), (17G), (17B)! / is optional as long as the effect is not significantly impaired.
  • the amount is usually 5 parts by weight or more, preferably 10 parts by weight or more, and usually 95 parts by weight or less, preferably 90 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the phosphor. Below the lower limit of this range, the phosphor parts (17R), (17G), and (17B) may become brittle, and above the upper limit, the emission intensity may decrease.
  • the phosphor parts (17R), (17G), and (17B) may contain an additive other than the binder and the phosphor.
  • a diffusing agent may be contained in order to further increase the viewing angle.
  • Specific examples of the diffusing agent include barium titanate, titanium oxide, acid aluminum, and silicon oxide.
  • an organic or inorganic coloring dye or coloring pigment may be contained for the purpose of cutting an undesired wavelength.
  • Each of these additives may be used alone, or two or more of these additives may be used in any combination and ratio.
  • the phosphor portions (17R), (17G), and (17B) can be produced by any known method.
  • the phosphor portions (17R), (17G), and (17B) are formed by applying a mixture (coating liquid) composed of a binder, a phosphor, and a solvent to the intervals corresponding to the pixels of the optical shutter (20) by screen printing.
  • a mixture (coating liquid) composed of a binder, a phosphor, and a solvent
  • it can be formed on the transparent substrate (17-1) in a mosaic shape, an array shape, or a stripe shape.
  • a black matrix layer (17-2) may be formed between each of the phosphor portions (17R), (17G), and (17B) to absorb external light.
  • the black matrix layer (17-2) is made of carbon black on a transparent substrate (17-1) such as glass using the photosensitive principle of photosensitive resin. It may be formed by a process for producing a light absorbing film, or may be formed by laminating a mixture of resin, carbon black and a solvent by a screen printing method.
  • the shapes of the phosphor portions (17R), (17G), and (17B) are arbitrary.
  • the light emitting areas such as the phosphor portions (17R), (17G), and (17B) have a predetermined color according to the pixel shape of the optical shutter mechanism.
  • the phosphor parts (17R), (17G), and (17B) include segment shapes and matrix shapes necessary for information display. Among them, a stripe structure, a delta structure, etc. can be mentioned as preferable forms.
  • a phosphor uniformly coated may be used.
  • the dimensions of the phosphor portions (17R), (17G), and (17B) are also arbitrary.
  • the thickness is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but usually, it can be suitably used when the thickness is 1 cm or less.
  • the thickness in a flat panel display that is required to be thin and lightweight, it is more preferable that the thickness is 2 mm or less.
  • the thickness of the phosphor parts (17R), (17G), (17B) is usually more than, preferably more than 5 ⁇ m, more preferably more than 10 ⁇ m. Also, it is usually 1000 ⁇ m or less, preferably 500 ⁇ m or less, more preferably 200 ⁇ m or less.
  • the visible light emitted from the light source (16) can be used as light emitted by the pixels.
  • a phosphor portion that emits fluorescence of the same color as the light corresponding to the visible light is not essential.
  • a blue light-emitting LED is used as the light source (16)
  • a phosphor portion including a blue phosphor is unnecessary. Therefore, if the visible light emitted by the light source (16) is adjusted by the optical shutter to be emitted outside the display device (15), it is not always necessary to use a phosphor in every pixel. . However, even in such a case, the visible light emitted from the light source (16) is efficiently emitted to the outside, scattered, or cut off light having an undesired wavelength. It is desirable to transmit the light transmission part containing the additive in the binder.
  • the image display device as described above causes the light source (16) to emit light with a predetermined intensity when in use.
  • light The light emitted from the source (16) is incident on the optical shutter (20) after the polarization plane is aligned by the polarizer (19).
  • the optical shutter (20) adjusts the amount of light incident from the back side for each pixel according to the image to be displayed under the control of the control unit (not shown), and transmits the light forward. Specifically, by controlling the voltage applied to the transparent electrodes (20-1) and (20-3), the orientation of the liquid crystal at the site corresponding to each pixel is adjusted, and thus, for each pixel. The light received on the back is transmitted forward while adjusting how much light is transmitted.
  • the light that has passed through the optical shutter (20) enters the corresponding phosphor parts (17R), (17G), and (17B) via the analyzer (21), respectively.
  • the red phosphor dispersed in the phosphor portion (17R) absorbs incident light and emits red fluorescence.
  • the green phosphor dispersed in the phosphor part (17G) absorbs incident light and emits green fluorescence.
  • the blue phosphor dispersed in the phosphor part (17G) absorbs incident light and emits blue fluorescence.
  • each phosphor portion (17R), (17G), (17B The amount of fluorescence (visible light) emitted from the lens is also adjusted for each pixel, and a desired image is formed.
  • the image display device (15) can suppress the photodegradation coloring of the binder contained in the phosphor portions (17R), (17G), and (17B). Therefore, it is possible to prevent the color and brightness of the image displayed by the image display device (15) from deteriorating over time.

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Abstract

　緑色の蛍光を発する蛍光体であって、青色光又は近紫外光に対する変換効率及び色純度に優れた、高性能な蛍光体を提供する。 　下記（ｉ）～（ｖ）を満たす蛍光体。 （ｉ）ピーク波長４００ｎｍ又は４５５ｎｍの光で励起した場合の発光ピーク波長が、５１０ｎｍ以上５４２ｎｍ以下である。 （ii）ピーク波長４００ｎｍ又は４５５ｎｍの光で励起した場合の発光ピーク半値幅が、７５ｎｍ以下である。 （iii）ピーク波長４００ｎｍ又は４５５ｎｍの光で励起した場合の、下記式で規定される外部量子効率が、０．４２以上である。 　　　　　　　（外部量子効率）＝（内部量子効率）×（吸収効率） （iv）該蛍光体の表面の少なくとも一部が、酸素を含有する物質からなる。 （ｖ）該蛍光体が、２価及び３価の原子価を取り得る金属元素（以下「ＭII元素」という。）を含有すると共に、該蛍光体中に含有される２価の元素の合計モル数に対する該ＭII元素のモル数の比率が、１％よりも大きく、１５％未満である。

Description

明 細 書
蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像 表示装置及び照明装置
技術分野
[0001] 本発明は、緑色の蛍光を発する蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた 蛍光体含有組成物及び発光装置、並びにその発光装置を用いた画像表示装置及 び照明装置に関する。より詳しくは、液晶用バックライトに適した緑色蛍光体と、その 緑色蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びにその発光装置を用 いた画像表示装置及び照明装置に関する。
背景技術
[0002] 照明用及びディスプレイの用途で必須な白色光は、光の加算混合原理により、青 色、緑色、赤色の発光を組み合わせることによって得るのが一般的である。ディスプ レイ用途の一分野であるカラー液晶表示装置用バックライトにおいては、色度座標上 の広い範囲の色を効率よく再現するために、青色、緑色、赤色の各発光体は、出来 るだけ発光強度が高いこと、色純度が良いことが望まれる。例えば、 TVの色再現範 囲の標準の一つとして、 NTS C (National Television Standard Committee)が知られ ている。
[0003] 最近、この 3色の発光源として、半導体発光装置を使用する試みがなされている。
しかしながら、 3色全てに半導体発光装置を用いることは、使用中の色シフトを補償 する回路が必要となるため、一般的でない。そこで、蛍光体を使用して半導体発光素 子からの発光を波長変換し、所望の 3色を得ることが実際的である。具体的には、近 紫外発光の半導体発光素子を光源として青色、緑色、赤色を発光させる方式と、青 色発光の半導体発光素子からの発光はそのまま青色として使用し、緑色と赤色は蛍 光体による波長変換で得る方法とが知られて 、る。
[0004] これらの 3色の中で、緑色は、人間の眼に対する視感度が最も高ぐディスプレイの 全体の明るさに大きく寄与するため、他の 2色に比べ、とりわけ重要である。
[0005] 緑色の蛍光を発する蛍光体 (以下適宜「緑色蛍光体」という。）としては、その蛍光 の中心波長が、通常 498nm以上、好ましくは 510nm以上、また、通常 550nm以下 、好ましくは 540nm以下の範囲内にあるものが望ましい。このような緑色蛍光体とし ては、例えば、（Mg, Ca, Sr, Ba) Si O N： Euで表わされるユウ口ピウム賦活アル力
2 2 2
リ土類シリコンォキシナイトライド系蛍光体、（Ba, Ca, Sr, Mg) SiO： Euで表わされ
2 4
るユウ口ピウム賦活アルカリ土類マグネシウムシリケート系蛍光体等が挙げられる。
[0006] し力しながら、これら従来知られている緑色蛍光体は、明るさや色度の要求に応え ることが難しぐ実用化されることはな力つた。
[0007] 半導体発光素子からの近紫外光又は青色光を波長変換し、緑色発光を得る蛍光 体の公知例として、特許文献 1に、 SrBaSiO： Euが記載されている。
4
[0008] しかしながら、この特許文献 1記載の蛍光体は、 Euを 0. 0001重量％〜5重量％含 有しており、実施例 1の Eu濃度は 0. 9重量％、実施例 2の Eu濃度は 0. 8重量％で あり、 2価の元素の合計に対する Eu量は何れも約 1モル％である。これらの蛍光体は 色再現範囲が狭い上に輝度も低ぐ上記の目的に対して不十分なものであった。
[0009] また、特許文献 1には、 Ba、 Sr、及び Caの組成を変化させることにより、波長を変化 させることができると記載されて 、るが、その実施例に記載された組成及び製法で作 製される蛍光体は、何れも青色光又は近紫外光に対する変換効率が低ぐ色再現範 囲及び輝度の両者を満たすには不充分であった。
[0010] 特許文献 1：米国特許第 6982045号明細書
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0011] 照明用及びディスプレイ用の緑色発光体としては、発光ピーク波長が 525nm付近 に存在し、発光効率が高ぐ半値幅が出来るだけ狭いことが求められる。しかしながら 、上記特許文献 1記載のものに代表される既存の緑色蛍光体は、青色光又は近紫 外光に対する変換効率及び色純度の点で、何れも不十分なものであった。このため 、上記目的に適う高特性の緑色蛍光体が望まれていた。
[0012] 本発明は上述の課題に鑑みてなされたもので、その目的は、緑色の蛍光を発する 蛍光体であって、青色光又は近紫外光に対する変換効率及び色純度に優れた、高 特性な蛍光体を提供するとともに、この蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光 装置と、この発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供することである。 課題を解決するための手段
[0013] 本発明者等は上記課題に鑑み、アルカリ土類金属元素及び付活元素の構成比を 詳細に検討した結果、特定の組成範囲を有し、且つ、その物体色が特定の条件を満 たす蛍光体が、緑色蛍光体として好適な所定の色度を満たすとともに、色純度が高く て高輝度であることを見出した。
[0014] 上述の目的に見合った蛍光体は、その発光スペクトルのピーク形状がシャープであ ることで特徴付けられるが、本発明者等が見出した蛍光体は、発光スペクトルのピー ク半値幅が狭ぐこの条件を満たしている。
[0015] また、本発明者等は、この蛍光体が緑色光源として非常に優れた特性を示し、発光 装置等の用途に好適に使用できることを見出して、本発明を完成させた。
[0016] 即ち、本発明の要旨は、下記 (i)〜(v)を満たすことを特徴とする、蛍光体に存する
(請求項 1)。
(i)ピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場合の発光ピーク波長力 510η m以上 542nm以下である。
(ii)ピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場合の発光ピーク半値幅力 75 nm以下である。
(iii)ピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場合の、下記式で規定される外 部量子効率が、 0. 42以上である。
(外部量子効率） = (内部量子効率） X (吸収効率）
(iv)該蛍光体の表面の少なくとも一部が、酸素を含有する物質力もなる。
(V)該蛍光体が、 2価及び 3価の原子価を取り得る金属元素（以下「M"元素」という。 ) を含有すると共に、該蛍光体中に含有される 2価の元素の合計モル数に対する該 M" 元素のモル数の比率力 1%よりも大きぐ 15%未満である。
[0017] ここで、ピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場合の発光色の CIE色度 座標の X値及び y値が、それぞれ
0. 210≤x≤0. 330、及び、
0. 480≤y≤0. 670 を満たすことが好ま 、 (請求項 2)。
[0018] また、前記蛍光体が 2価の元素（以下「M"元素」という。 )として少なくとも Baを含有 するとともに、 M1元素全体に対する Ba及び Srのモル比をそれぞれ [Ba]及び [Sr]と した場合に、 [Ba]及び [Sr]が、
0. 5 < { [Ba] / ( [Ba] + [Sr] ) }≤ 1
を満たすことが好ま 、 (請求項 3)。
[0019] また、本発明の別の要旨は、下記式 [ 1]で表わされる化学糸且成を有するとともに、 物体色を LW表色系で表わした場合に、 L*、
Figure imgf000005_0001
及び b*が、それぞれ
L*≥90、
a*≤—20、
b*≥30、及び
Figure imgf000005_0002
を満たすことを特徴とする、蛍光体に存する (請求項 4)。
[化 1]
(M 1 ( 1 _ x ) Μπ χ ) α S i O 0 [ 1 ]
(前記式 [ 1]中、
M1は、 Ba、 Ca、 Sr、 Zn及び Mgからなる群より選ばれる 1種以上の元素を表わす。 M"は、 2価及び 3価の原子価を取り得る 1種以上の金属元素を表わす。
χ、 α及び j8は各々、
0. 01く Xく 0. 3、
1. 5≤ α≤2. 5、及び、
3. 5≤ β≤4. 5
を満たす数を表わす。 )
[0020] ここで、フラックス存在下で蛍光体前駆体を焼成することにより得られたものであるこ とが好ましい（請求項 5)。
[0021] また、強還元性雰囲気下で蛍光体前駆体を焼成することにより得られたものである ことが好ましい (請求項 6)。
[0022] また、前記式 [ 1]において、 Μ1が少なくとも Baを含有するとともに、 M1全体に対する Baのモル比が 0. 5以上、 1未満であることが好ましい（請求項 7)。
[0023] また、前記式 [1]において、 M1が少なくとも Ba及び Srを含有するとともに、 M1全体 に対する Ba及び Srのモル比をそれぞれ [Ba]及び [Sr]とした場合に、 [Ba]及び [Sr ]が、
0. 5 < { [Ba] / ( [Ba] + [Sr] ) }≤ 1
を満たすことが好ま 、 (請求項 8)。
[0024] また、該蛍光体の重量メジアン径が 10 μ m以上、 30 μ m以下であることが好まし!/ヽ
(請求項 9)。
[0025] また、前記式 [1]に記載された元素以外に、更に、 1価の元素、 2価の元素、 3価の 元素、 1価の元素、及び 3価の元素力 なる群力 選ばれる少なくとも 1種の元素 を含有し、これらの元素の含有量の合計が lppm以上であることが好ましい (請求項 1 0)。
[0026] 中でも、前記式 [1]に記載された元素以外に、更に、アルカリ金属元素、アルカリ土 類金属元素、亜鉛 (Zn)、イットリウムが）、アルミニウム (A1)、スカンジウム（Sc)、リン (P)、窒素 (N)、希土類元素及びハロゲン元素力もなる群力も選ばれる少なくとも 1種 の元素を含有し、これらの元素の含有量の合計が lppm以上であることが好まし ヽ（ 請求項 11)。
[0027] また、本発明の別の要旨は、上述の蛍光体を製造する方法であって、酸素濃度が lOOppm以下の雰囲気下で蛍光体前駆体を焼成する工程を有することを特徴とする
、蛍光体の製造方法に存する (請求項 12)。
[0028] また、本発明の別の要旨は、上述の蛍光体を製造する方法であって、固体カーボ ンの共存下で蛍光体前駆体を焼成する工程を有することを特徴とする、蛍光体の製 造方法に存する（請求項 13)。
[0029] ここで、 M1源、 M"源、及び Si源以外に、更に、 1価の元素又は原子団とー 1価の元 素とを含有する化合物、 1価の元素又は原子団とー 3価の元素又は原子団とを含有 する化合物、 2価の元素と 1価の元素とを含有する化合物、 2価の元素と 3価の 元素又は原子団とを含有する化合物、 3価の元素と 1価の元素とを含有する化合 物、並びに、 3価の元素と 3価の元素又は原子団とを含有する化合物力 なる群か ら選ばれる 2種以上の化合物を用いることが好ま ヽ (請求項 14)。
[0030] また、 M1源、 M"源、及び Si源以外に、更にアルカリ金属ハロゲンィ匕物、アルカリ土 類金属ハロゲンィ匕物、亜鉛ノヽロゲン化物、 Y、 Al、 Sc、及び希土類元素からなる群か ら選ばれる 3価の元素のハロゲンィ匕物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ土類金属リン 酸塩、リン酸亜鉛、 Y、 Al、 La、及び Scからなる群力も選ばれる 3価の元素のリン酸 塩力 なる群力も選ばれる 2種以上の化合物を用いることが好ま ヽ（請求項 15)。
[0031] また、結晶成長促進作用を有するフラックスと結晶成長抑制作用を有するフラックス とを組み合わせて用いることが好まし ヽ (請求項 16)。
[0032] また、本発明の別の要旨は、上述の蛍光体と、液状媒体とを含有することを特徴と する、蛍光体含有組成物に存する (請求項 17)。
[0033] また、第 1の発光体と、該第 1の発光体力 の光の照射によって可視光を発する第 2 の発光体とを備え、該第 2の発光体が、上述の蛍光体を少なくとも 1種以上、第 1の蛍 光体として含有することを特徴とする、発光装置に存する (請求項 18)。
[0034] ここで、前記第 2の発光体が、前記第 1の蛍光体とは発光ピーク波長の異なる少な くとも 1種以上の蛍光体を、第 2の蛍光体として含有することが好ま 、 (請求項 19)。
[0035] この場合、前記第 1の発光体が、 420nm以上 500nm以下の範囲に発光ピークを 有し、前記第 2の発光体が、前記第 2の蛍光体として、 570nm以上 780nm以下の範 囲に発光ピークを有する少なくとも一種の蛍光体を含有することが好ましい（請求項 2 0)。
[0036] また、前記第 1の発光体が、 300nm以上 420nm以下の範囲に発光ピークを有し、 前記第 2の発光体が、前記第 2の蛍光体として、 420nm以上 470nm以下の範囲に 発光ピークを有する少なくとも一種の蛍光体と、 570nm以上 780nm以下の範囲に 発光ピークを有する少なくとも一種の蛍光体とを含有することも好ましい (請求項 21)
[0037] また、前記第 1の発光体力 20nm以上 500nm以下の範囲に発光ピークを有し、 前記第 2の発光体が、前記第 2の蛍光体として、 580nm以上 620nm以下の範囲に 発光ピークを有する少なくとも 1種の蛍光体を含有することも好ま ヽ (請求項 22)。
[0038] また、本発明の別の要旨は、上述の発光装置を光源として備えることを特徴とする、 画像表示装置に存する（請求項 23)。
[0039] また、本発明の別の要旨は、上述の発光装置を光源として備えることを特徴とする、 照明装置に存する (請求項 24)。
発明の効果
[0040] 本発明によれば、緑色の蛍光を発する蛍光体であって、青色光又は近紫外光に対 する変換効率及び色純度に優れた、高特性な蛍光体が提供される。また、この蛍光 体を含有する組成物を用いることによって、高効率及び高特性な発光装置を得ること ができる。この発光装置は、画像表示装置や照明装置の用途に好適に用いられる。 図面の簡単な説明
[0041] [図 1]本発明の発光装置の一例における、励起光源 (第 1の発光体)と蛍光体含有部
(第 2の発光体)との位置関係を示す模式的斜視図である。
[図 2]図 2 (a)及び図 2 (b)は何れも、励起光源 (第 1の発光体)と蛍光体含有部 (第 2 の発光体)とを有する発光装置の一実施例を示す模式的断面図である。
[図 3]本発明の照明装置の一実施形態を模式的に示す断面図である。
[図 4]本発明の画像表示装置の一実施形態について説明するもので、画像表示装 置の要部を模式的に示す分解断面図である。
[図 5]本発明の画像表示装置の別の実施形態について説明するもので、画像表示装 置の要部を模式的に示す分解断面図である。
[図 6]実施例 4、実施例 6、比較例 1及び比較例 2の蛍光体の発光スペクトルを示す図 である。
[図 7]実施例 12及び実施例 22の蛍光体の励起スペクトルである。
[図 8]実施例 40の発光装置の白色発光スペクトルである。
[図 9]実施例 41の発光装置の発光スペクトルである。
[図 10]実施例 42の発光装置の白色発光スペクトルである。
[図 11]実施例 43の発光装置の白色発光スペクトルである。
[図 12]参考例 2Aの蛍光体の粉末 X線回折スペクトルである。
[図 13]参考例 2Bの蛍光体の粉末 X線回折スペクトルである。
[図 14]参考例 2A及び参考例 2Bの蛍光体の励起波長 455nmにおける発光スぺタト ルである。
符号の説明
1:第 2の発光体
2:面発光型 GaN系 LD
3:基板
4:発光装置
5:マウントリード
6:インナーリード
7:第 1の発光体
8:蛍光体含有樹脂部
9:導電性ワイヤ
10:モールド部材
11:面発光照明装置
12:保持ケース
13:発光装置
14:拡散板
15:表示装置
16:光源
17R, 17G, 17 ：蛍光体咅
17— 1:透明基板
17— 2:ブラックマトリックス層
18:フレーム
19:偏光子
20:光シャッター
20— 1:背面電極
20— 2:液晶層
20— 3:前面電極
21:検光子 22 :第 1の発光体
23 :蛍光体含有樹脂部
24 :フレーム
25 :導電性ワイヤ
26, 27 :電極
発明を実施するための最良の形態
[0043] 以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではな ぐその要旨の範囲内において種々に変更して実施することができる。
[0044] なお、本明細書中の蛍光体の組成式において、各組成式の区切りは読点し）で区 切って表わす。また、カンマ（，）で区切って複数の元素を列記する場合には、列記さ れた元素のうち一種又は二種以上を任意の組み合わせ及び組成で含有していても よいことを示している。但し、括弧内に併記される元素の合計は 1モルである。例えば 、「（Ba, Sr, Ca)A1 0： Eu」という組成式は、「BaAl O： Eu」と、「SrAl O： Eu」と、
2 4 2 4 2 4
「CaA1 0 :Eu」と、「Ba Sr Al O :Eu」と、「Ba Ca Al O :Eu」と、「Sr Ca Al O
2 4 1-x x 2 4 1-x x 2 4 1-x x 2
： Eu」と、「Ba Sr Ca Al O： Eu」とを全て包括的に示しているものとする（但し、前
4 Ι 2 4
記式中、 0く Xく 1、 0< y< 1、 0< x +y< 1である。 )0
[0045] また、本明細書における色名と色度座標との関係は、すべて JIS規格に基づく QIS
Z811(XS^Z870:0。
[0046] [1.蛍光体]
本発明の一態様に係る蛍光体 (以下「本発明の特定特性蛍光体」或いは単に「特 定特性蛍光体」という場合がある。）は、特定波長の光で励起した場合の発光ピーク 波長、発光ピーク半値幅及び外部量子効率、並びに組成が後述の規定を満たすも のである。
また、本発明の一態様に係る蛍光体 (以下「本発明の特定組成蛍光体」或いは単 に「特定組成蛍光体」という場合がある。）は、その組成及び物体色が後述の規定を 満たすものである。
[0047] 本発明の蛍光体は、「特定特性蛍光体」及び「特定組成蛍光体」のうち少なくとも一 方に該当するものであるが、「特定特性蛍光体」及び「特定組成蛍光体」の双方に該 当することが好ましい。
[0048] 以下の記載では、必要に応じて「特定特性蛍光体」と「特定組成蛍光体」とに分け て説明を行なう。また、「特定特性蛍光体」と「特定組成蛍光体」とを特に区別しない 場合には、「本発明の蛍光体」と総称する。
なお、「特定特性蛍光体」及び「特定組成蛍光体」という語は、あくまでも説明の便 宜のために用いるものであり、本発明の蛍光体になんら影響を与えるものではな 、。
[0049] [1 - 1.特定特性蛍光体]
本発明の特定特性蛍光体は、以下に説明する特徴を有する。
[0050] <発光スペクトルに関する特徴 >
特定特性蛍光体は、緑色蛍光体としての用途に鑑みて、ピーク波長 400nm又は 4 55nmの光で励起した場合における発光スペクトルを測定した場合に、以下の特徴 を有する。
[0051] まず、特定特性蛍光体は、上述の発光スペクトルにおける発光ピーク波長え (nm)
P
1S 通常 510nm以上、好ましくは 518nm以上、より好ましくは 520nm以上、また、通 常 542nm以下、好ましくは 528nm以下、より好ましくは 525nm以下の範囲である（ この要件を以下「要件 (i)」と言う場合がある。 ) o発光ピーク波長えが短過ぎると青味
P
を帯びる傾向がある一方で、長過ぎると黄味を帯びる傾向があり、何れも緑色光とし ての特性が低下する場合がある。
[0052] また、特定特性蛍光体の発光ピークの相対強度 (以下「相対発光ピーク強度」 、う 場合がある。）は、通常 75以上、好ましくは 85以上、より好ましくは 95以上である。な お、この相対発光ピーク強度は、化成ォブト-タス社製 BaMgAl O ： Eu (製品番号
10 17
LP-B4)を 365nmで励起した時の発光強度を 100として表わしている。この相対発 光ピーク強度は高 、方が好ま 、。
[0053] また、特定特性蛍光体は、上述の発光スペクトルにおける発光ピーク半値幅 (foil wi dth at half maximum。以下適宜「FWHM」と略称する。）が狭いという特徴を有する。 FWHMが狭いということは、即ち、色純度が優れていることを意味し、例えば、ノ ック ライト等の用途において優れた蛍光体となる。
[0054] 具体的に、特定特性蛍光体の FWHMは、通常 lOnm以上、好ましくは 20nm以上 、より好ましくは 25nm以上、また、通常 75nm以下、好ましくは 70nm以下、より好ま しくは 65nm以下、更に好ましくは 60nm以下の範囲である（この要件を以下「要件 (ii )」と言う場合がある。 ) o FWHMが狭過ぎると輝度が低下する場合があり、一方、広 過ぎると色純度が低下する場合がある。
[0055] なお、蛍光体をピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起するには、例えば、 Ga N系発光ダイオードを用いることができる。
また、蛍光体の発光スペクトルの測定、並びにその発光ピーク波長、ピーク相対強 度及びピーク半値幅の算出は、例えば、励起光源として 150Wキセノンランプを、ス ベクトル測定装置としてマルチチャンネル CCD検出器 C7041 (浜松フォト-タス社製 )を備える蛍光測定装置（日本分光社製)を用いて行なうことができる。
[0056] <吸収効率 α、内部量子効率 r?、及び外部量子効率 r? >
Q 1 0
(吸収効率 α )
吸収効率 (以下「ひ 」で表わす場合がある。 )は、励起光源 (後述する「第一の発光 体」に相当する。）が発する光 (励起光)の光子数に対し、蛍光体が吸収する光子数 の割合を意味する。なお、以下の記載では「光子」を「フオトン」と言う場合がある。
[0057] 特定特性蛍光体は、その吸収効率 aが高 、ほど好ま 、。
具体的に、特定特性蛍光体をピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場 合における吸収効率ひ は、通常 0. 55以上、好ましくは 0. 6以上、より好ましくは 0. 75以上であることが望ましい。蛍光体の吸収効率 αが低過ぎると、所定の発光を得 るために必要な励起光量が大きくなり、消費エネルギーが大きくなる傾向がある。 なお、蛍光体の吸収効率 αの測定方法については後述の通りである。
[0058] (内部量子効率 r? )
内部量子効率 (以下「r?」で表わす場合がある。）とは、蛍光体が吸収した励起光の 光子数に対する、蛍光体が発光した光子数の比率を意味する。
[0059] 特定特性蛍光体は、その内部量子効率 7? iが高 、ほど好ま U 、。
具体的に、特定特性蛍光体をピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場 合における内部量子効率 77は、通常 0. 57以上、好ましくは 0. 69以上、より好ましく は 0. 79以上であることが望ましい。蛍光体の内部量子効率 7?が低過ぎると、所定の 発光を得るために必要な励起光量が大きくなり、消費エネルギーが大きくなる傾向が ある。
なお、蛍光体の内部量子効率 ηの測定方法については後述の通りである。
[0060] (外部量子効率 r? )
外部量子効率 (以下「 7? 」で表わす場合がある。 )とは、励起光の光子数に対する 蛍光体の発光光子数の割合を表わす値であり、前記の吸収効率 αと前記の内部量 子効率 77との積に相当する。即ち、外部量子効率 7? は、下記式で規定されることに なる。
(外部量子効率 7? ) = (内部量子効率 7? ) X (吸収効率 OC )
[0061] 特定特性蛍光体は、この外部量子効率 r? が高いことを特徴とする。
具体的に、特定特性蛍光体をピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場 合における外部量子効率 77 は、通常 0. 42以上、好ましくは 0. 50以上、より好ましく は 0. 55以上、更に好ましくは 0. 65以上である（この要件を以下「要件 (iii)」と言う場 合がある。 蛍光体の外部量子効率 r? が低いと、所定の発光を得るために必要な 励起光量が大きくなり、消費エネルギーが大きくなる傾向がある。
なお、蛍光体の外部量子効率 r? の測定方法については後述の通りである。
[0062] (吸収効率 α、内部量子効率 r?、及び外部量子効率 r? の測定方法）
蛍光体の吸収効率 α、内部量子効率 r?及び外部量子効率 r? を求める方法につ いて、以下に説明する。
[0063] まず、測定対象となる蛍光体サンプル (例えば蛍光体の粉末等)を、測定精度が保 たれるように、十分に表面を平滑にしてセルに詰め、積分球等の集光装置に取り付 ける。積分球等の集光装置を用いるのは、蛍光体サンプルで反射したフオトン、及び 蛍光体サンプル力も蛍光現象により放出されたフオトンを全て計上できるようにする、 即ち、計上されずに測定系外へ飛び去るフオトンをなくすためである。
[0064] この集光装置に、蛍光体サンプルを励起するための発光源を取り付ける。発光源と しては、例えば Xeランプ等を用いる。また、発光源の発光ピーク波長が例えば 405η mや 455nmの単色光となるように、フィルターやモノクロメーター（回折格子分光器） 等を用いて調整を行なう。 [0065] この発光ピーク波長が調整された発光源からの光を、測定対象の蛍光体サンプル に照射し、発光 (蛍光)及び反射光を含むスペクトルを分光測定装置 (例えば大塚電 子株式会社製 MCPD7000等)で測定する。ここで測定されるスペクトルには、実際 には、励起発光光源からの光（以下では単に「励起光」と記す。）のうち、蛍光体に吸 収されなかった反射光と、蛍光体が励起光を吸収して蛍光現象により発する別の波 長の光 (蛍光）とが含まれる。すなわち、励起光領域は反射スペクトルに相当し、それ よりも長波長領域は蛍光スペクトル (ここでは、発光スペクトルと呼ぶ場合もある）に相 当する。
[0066] 吸収効率 αは、蛍光体サンプルによって吸収された励起光のフオトン数 N を、励
q aos 起光の全フオトン数 Nで割った値として求められる。具体的な算出手順は以下の通り である。
[0067] まず、後者の励起光の全フオトン数 Nを、次のようにして求める。
すなわち、励起光に対してほぼ 100%の反射率 Rを持つ物質、例えば Labsphere 製「Spectralon」（450nmの励起光に対して 98%の反射率 Rを持つ。）等の白色反 射板を測定対象として、蛍光体サンプルと同様の配置で上述の集光装置に取り付け 、該分光測定装置を用いて反射スペクトルを測定する（この反射スペクトルを以下「I
rei
(え）」とする。）。
[0068] この反射スペクトル I ( λ )から、下記 (式 I)で表わされる数値を求める。下記 (式 I)
ref
で表わされる数値は、励起光の全フオトン数 Nに比例する。
[数 1]
- - iref ( )d (式ェ）
Figure imgf000014_0001
[0069] なお、上記 (式 I)の積分区間は、実質的に I ( λ )が有意な値を持つ区間のみに限
ref
定してちよい。
[0070] 一方、蛍光体サンプルによって吸収された励起光のフオトン数 N は、下記（式 II)
abs
で求められる量に比例する。
[数 2] \λ ' Jref {λ)άλ― \λ · λ)άλ (式 I I)
[0071] 上記 (式 II)にお 、て、「I (え）」は、吸収効率 aの測定対象となる蛍光体サンプルを 集光装置に取り付けたときの反射スペクトルを表わす。
[0072] また、上記 (式 II)の積分区間は、上記 (式 I)で定めた積分区間と同じにする。このよ うに積分区間を限定することで、上記 (式 II)の第二項は、測定対象の蛍光体サンプ ルが励起光を反射することによって生じたフオトン数に対応した数値、即ち、測定対 象の蛍光体サンプルから生ずる全フオトンのうち蛍光現象に由来するフオトンを除い たフオトン数に対応した数値になる。実際のスペクトル測定値は、一般には λに関す るある有限のバンド幅で区切ったデジタルデータとして得られるため、上記の（式 I)及 び (式 II)の積分は、そのバンド幅に基づ 、た和分によって求まる。
[0073] 以上より、吸収効率 α は、次の式で求められる。
吸収効率 α q = Ν abs ΖΝ = (式 Π)Ζ (式 I)
[0074] 次に、内部量子効率 r? iを求める方法を説明する。
内部量子効率 7?は、蛍光現象に由来するフオトンの数 N を、蛍光体サンプルが吸
i PL
収したフォトンの数 N で割った値である。
abs
[0075] ここで、 N は、下記（式 III)で求められる量に比例する。
PL
[数 3] ·ΐ(λ)άλ (式]：]：]：)
Figure imgf000015_0001
[0076] なお、上記 (式 III)の積分区間は、蛍光体サンプルの蛍光現象に由来するフオトン の有する波長範囲に限定する。蛍光体サンプル力も反射されたフオトンの寄与を I ( λ )から除くためである。
具体的に、上記 (式 III)の積分区間の下限は、上記 (式 I)の積分区間の上端を取り 、積分区間の上限は、蛍光に由来するフオトンを包含するために必要十分な範囲と する。
[0077] 以上より、内部量子効率 α は、次の式で求められる。
η = (式 III) Ζ (式 Π) [0078] なお、デジタルデータとなったスペクトル力 積分を行なう点に関しては、吸収効率 aを求めた場合と同様である。
[0079] そして、上記の手順により求めた吸収効率 αと内部量子効率 r?との積をとることで
Q 1
、外部量子効率 η を求めることができる。
[0080] また、外部量子効率 77 は、以下の関係式から求めることもできる。
η = (式 m) Z (式 I)
即ち、外部量子効率 7? は、蛍光に由来するフオトンの数 N を励起光の全フオトン
0 PL
数 Nで害 ljつた値である。
[0081] <蛍光体の表面の性質 >
特定特性蛍光体は、少なくともその表面の一部、好ましくはその表面の実質的に全 体が、酸素を含有する物質力もなる (この要件を以下「要件 (iv)」と言う場合がある。 )
[0082] 例えば、特定特性蛍光体が酸化物蛍光体や酸窒化物蛍光体であれば、当然なが らその蛍光体の表面も酸素を含有する物質となる。また、酸化物蛍光体や酸窒化物 蛍光体に更に燐酸カルシウムやシリカ等で蛍光体の表面をコーティングすることもで きる。
一方、特定特性蛍光体が窒化物蛍光体や硫ィ匕物蛍光体である場合は、燐酸カル シゥムやシリカ等で表面をコーティングし、少なくとも蛍光体の表面の一部を、酸素を 含有する物質とすることが好ましい。但し、解砕処理等の間に蛍光体の表面が酸化さ れ、酸ィ匕膜が形成される場合があるので、この場合には積極的にコーティングを行な わなくともよい。
[0083] 特定特性蛍光体がその表面に有する、酸素を含有する物質が層状の場合、当該 層の厚さは、通常 lOnm以上、好ましくは 30nm以上、また、通常 1 μ m以下、好まし くは 500nm以下の範囲であることが望まし!/、。
[0084] < 2価及び 3価の原子価を取り得る金属元素 >
特定特性蛍光体は、その組成に 2価及び 3価の原子価を取り得る 1種以上の元素（ 以下「M"」という場合がある。）を有する。 M"は付活元素として機能するものである。 M"の具体例としては、 Cr、 Mn等の遷移金属元素； Eu、 Sm、 Tm、 Yb等の希土類 元素；等が挙げられる。 M"としては、これらの元素のうち何れか一種を単独で含有し ていてもよぐ二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併有していてもよい。中でも M"としては、 Sm、 Eu、 Ybが好ましぐ Euが特に好ましい。
[0085] また、 M"全体（2価の元素及び 3価の元素の合計）に対する 2価の元素のモル比は 、通常 0. 5以上、好ましくは 0. 7以上、より好ましくは 0. 8以上であることが望ましい。 また、通常 1未満であり、 1に近い程好ましい。 M"全体に対する 2価の元素のモル比 が低過ぎると、発光効率が低下する傾向がある。 2価の元素も 3価の元素も結晶格子 内に取り込まれる力 3価の元素は結晶中で発光エネルギーを吸収してしまうと考え られる力 である。
[0086] 特定特性蛍光体における M"の含有量は、特定特性蛍光体中に含まれる 2価の元 素の合計モル数に対する M"のモル比の値で、通常 1%より大きぐ好ましくは 4%以 上、より好ましくは 6%以上、また、通常 15%未満、好ましくは 10%以下、より好ましく は 8%以下の範囲である（この要件を以下「要件 (v)」と言う場合がある。 ) 0 M"の含有 量が少な過ぎると、発光強度が小さくなる傾向がある。一方、 M"の含有量が多過ぎる と、発光強度が低下する傾向がある。
[0087] <色度座標 >
特定特性蛍光体の発光色は、 CIE色度座標の一つ、 x、 y表色系（CIE 1931表色 系）で表現することができる。
[0088] 具体的に、特定特性蛍光体の CIE色度座標 Xの値は、通常 0. 210以上、好ましく は 0. 240以上、より好ましくは 0. 263以上、また、通常 0. 330以下、好ましくは 0. 3 10以下、より好ましくは 0. 300以下の範囲であることが望ましい。
また、特定特性蛍光体の CIE色度座標 yの値は、通常 0. 480以上、好ましくは 0. 4 90以上、より好ましくは 0. 495以上、また、通常 0. 670以下、好ましくは 0. 660以下 、より好ましくは 0. 655以下の範囲であることが望ましい。
CIE色度座標 X及び yの値が上述の範囲を満たすことにより、白色光合成時には色 再現範囲が広くなるという利点が得られる。
なお、蛍光体の CIE色度座標 X及び yの値は、波長 480nm〜800nmの範囲にお ける発光スペクトルから、 JIS Z8724に準じて計算することにより算出することができ る。
[0089] く組成〉
特定特性蛍光体は、前述したように、その組成に 2価及び 3価の原子価を取り得る 1 種以上の元素（M")を有する。更に、その他の元素を含有していてもよい。
[0090] 特定特性蛍光体が M"以外に有して 、てもよ 、元素としては、 Si、 Ge、 Ga、 Al、 B、 P、 Tb、 Pr、 Ag、 La、 Sm、 0、 N、 S等や、 M"以外の 2価の元素（以下「M'」という場 合がある。）等が挙げられる。特定特性蛍光体は、これらの M"以外の元素のうち、何 れか一種を単独で含有して!/、てもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併 有していてもよい。中でも、特定特性蛍光体は、 Si及び M1を含有することが好ましい
[0091] M1の好まし!/、例としては、 Ba、 Ca、 Sr、 Zn、 Mgが挙げられる。特定特性蛍光体は 、これらの M1のうち、何れか一種を単独で含有していてもよぐ二種以上を任意の組 み合わせ及び比率で併有していてもよい。中でも、特定特性蛍光体は、 M1として、少 なくとも Baを含有することが好ましぐ更には、少なくとも Ba及び Srを含有することが より好まし 、。
[0092] 特定特性蛍光体が M1全体に対する Ba及び Srのモル比をそれぞれ [Ba]及び [Sr] とすると、 [Ba]及び [Sr]の合計に対する [Ba]の割合、即ち、 [Ba]/ ( [Ba] + [Sr]) で表わされる値が、通常 0. 5より大きぐ好ましくは 0. 6以上、より好ましくは 0. 65以 上、また、通常 1以下、好ましくは 0. 9以下、より好ましくは 0. 8以下の範囲であること が好ましい。この^&]7 ( [ &] + [31：])の値が小さ過ぎる（即ち、 Baの比率が少な過 ぎる）と、蛍光体の発光ピーク波長が長波長側にシフトし、半値幅が増大する傾向が ある。一方、この^&]7 ( [ &] + [31：])の値が大き過ぎる（即ち、 Baの比率が多過ぎ る）と、蛍光体の発光ピーク波長が短波長側にシフトする傾向がある。
[0093] また、特定特性蛍光体が M1として Srを含有する場合、 Srの一部が Caによって置換 されていてもよい。 Srと Caとの比率によって発光色が変化する傾向にあるため、 Srと Caとの比率を適宜調整することによって発光色を変化させることができる。例えば、 特定特性蛍光体が含有する Srに対する Caのモル比率を、通常 20%以下、好ましく は 10%以下とすることが望ましい。 [0094] 以上説明した特徴の他、特定特性蛍光体は、後述する特定組成蛍光体の特徴のう ち、任意の一つ又は二つ以上の特徴を備えていてもよい。また、特定特性蛍光体は 、後述する特定組成蛍光体に該当するものであってもよ 、。
[0095] [1 - 2.特定組成蛍光体]
一方、本発明の特定組成蛍光体は、以下に説明する特徴を有する。
[0096] く組成〉
特定組成蛍光体は、下記式 [1]で表わされる化学組成を有することを、その特徴と する。
[0097] [化 2]
(M 1 ( 1— x ) Mn x ) a S i 0 3 [ 1 ]
(前記式 [1]中、 M1は、 Ba、 Ca、 Sr、 Zn及び Mgからなる群より選ばれる 1種以上の 元素を表わす。 M"は、 2価及び 3価の原子価を取り得る 1種以上の金属元素を表わ す。 χ、 α及び j8は各々、 0. 01 <x< 0. 3、 1. 5≤ α≤2. 5、及び、 3. 5≤ β≤4. 5を満たす数を表わす。 )
[0098] 前記式 [1]中、 Μ1は、 Ba、 Ca、 Sr、 Zn及び Mgからなる群より選ばれる 1以上の元 素を表わす。 M1としては、これらの元素のうち何れか一種を単独で含有していてもよ く、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併有して 、てもよ 、。
[0099] 中でも、 M1は、少なくとも Baを含有することが好ましい。この場合、 M1全体に対する Baのモル比は、通常 0. 5以上、中でも 0. 55以上、更には 0. 6以上、また、通常 1未 満、中でも 0. 97以下、更には 0. 9以下、特に 0. 8以下の範囲が好ましい。 Baのモ ル比が高過ぎると、発光ピーク波長が短波長側にシフトする傾向がある。一方、 Baの モル比が低過ぎると、発光効率が低下する傾向がある。
[0100] 特に、 M1は、少なくとも Ba及び Srを含有することが好ましい。ここで、 M1全体に対す る Ba及び Srのモル比をそれぞれ [Ba]及び [Sr]とすると、 [Ba]及び [Sr]の合計に 対する [Ba]の割合、即ち、 ^&] 7 ( [ &] + [31：])で表ゎされる値カ 通常0. 5より 大きぐ中でも 0. 6以上、更には 0. 65以上、また、通常 1以下、中でも 0. 9以下、更 には 0. 8以下の範囲であることが好ましい。この[8&] 7 ( [ &] + [31：])の値が小さ過 ぎる（即ち、 Baの比率が少な過ぎる）と、蛍光体の発光ピーク波長が長波長側にシフ トし、半値幅が増大する傾向がある。一方、この^&]7 ([ &] + [31：])の値が大き過 ぎる（即ち、 Baの比率が多過ぎる）と、蛍光体の発光ピーク波長が短波長側にシフト する傾向がある。
[0101] また、 [Ba]と [Sr]との相対比、即ち、 [Ba]Z[Sr]で表わされる値力 通常 1より大 きぐ中でも 1. 2以上、更には 1. 5以上、特に 1. 8以上、また、通常 15以下、中でも 10以下、更には 5以下、特に 3. 5以下の範囲であることが好ましい。この [Ba]Z[Sr ]の値が小さ過ぎる (即ち、 Baの比率が少な過ぎる）と、蛍光体の発光ピーク波長が 長波長側にシフトし、半値幅が増大する傾向がある。一方、この [Ba]Z[Sr]の値が 大き過ぎる (即ち、 Baの比率が多過ぎる）と、蛍光体の発光ピーク波長が短波長側に シフトする傾向がある。
[0102] また、前記式 [1]において、 M1が少なくとも Srを含有する場合、 Srの一部が Caによ つて置換されていてもよい。この場合、 Caによる置換量は、 Srの全量に対する Ca置 換量のモル比率の値で、通常 10%以下、中でも 5%以下、更には 2%以下の範囲で あることが好ましい。 Caによる置換量の割合が高過ぎると、発光が黄色味を帯び、発 光効率が低下する傾向がある。
[0103] また、 Siは、 Ge等の他の元素によって一部置換されていてもよい。但し、緑色の発 光強度等の面から、 Siが他の元素によって置換されている割合は、できるだけ低い 方が好ましい。具体的には、 Ge等の他の元素を Siの 20モル％以下含んでいてもよく 、全てが Siからなることがより好ましい。
[0104] 前記式 [1]中、 M"は、付活元素として挙げられているもので、 2価及び 3価の原子 価を取り得る 1種以上の金属元素を表わす。具体例としては、 Cr、 Mn等の遷移金属 元素； Eu、 Sm、 Tm、 Yb等の希土類元素；等が挙げられる。 M"としては、これらの元 素のうち何れか一種を単独で含有して ヽてもよく、二種以上を任意の組み合わせ及 び比率で併有していてもよい。中でも、 M"としては Sm、 Eu、 Ybが好ましぐ Euが特 に好ましい。また、 M"全体（2価の元素及び 3価の元素の合計）に対する 2価の元素 のモル比は、通常 0. 5以上、好ましくは 0. 7以上、更に好ましくは 0. 8以上、また、 通常 1未満であり、 1に近い程好ましい。 M"全体に対する 2価の元素のモル比が低過 ぎると、発光効率が低下するとなる傾向がある。 2価の元素も 3価の元素も結晶格子 内に取り込まれる力 3価の元素は結晶中で発光エネルギーを吸収してしまうと考え られる力 である。
[0105] 前記式 [1]中、 Xは、 M"のモル数を表わす数であり、具体的には、通常 0. 01より大 きぐ好ましくは 0. 04以上、更に好ましくは 0. 05以上、特に好ましくは 0. 06以上、 また、通常 0. 3未満、好ましくは 0. 2以下、更に好ましくは 0. 16以下の数を表わす。 Xの値力 、さ過ぎると、発光強度が小さくなる傾向がある。一方、 Xの値が大き過ぎると 、発光強度が低下する傾向がある。
[0106] 前記式 [1]中、 (Xは、 2に近いことが好ましいが、通常 1. 5以上、好ましくは 1. 7以 上、更に好ましくは 1. 8以上、また、通常 2. 5以下、好ましくは 2. 2以下、更に好まし くは 2. 1以下の範囲の数を表わす。 αの値が小さ過ぎても大き過ぎても、異相結晶 が現れ、発光特性が低下する傾向がある。
[0107] 前記式 [1]中、 13は、通常 3. 5以上、好ましくは 3. 8以上、更に好ましくは 3. 9以 上、また、通常 4. 5以下、好ましくは 4. 4以下、更に好ましくは 4. 1以下の範囲の数 を表わす。 βの値が小さ過ぎても大き過ぎても、異相結晶が現れ、発光特性が低下 する傾向がある。
[0108] また、特定組成蛍光体は、前記式 [1]に記載された元素、即ち M"、 M"、 Si (ケィ素） 及び 0 (酸素）以外に、更に、 1価の元素、 2価の元素、 3価の元素、 1価の元素及 び 3価の元素力もなる群力 選ばれる元素（これを以下適宜「微量元素」 t 、う。）を 含有していてもよい。
[0109] 中でも、微量元素としては、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、亜鉛 (Zn) 、イットリウム (Y)、アルミニウム (A1)、スカンジウム（Sc)、リン (P)、窒素 (N)、希土類 元素、及びハロゲン元素力 なる群力 選ばれる少なくとも 1種の元素を含有してい ることが好ましい。
[0110] 上記の微量元素の含有量の合計は、通常 lppm以上、好ましくは 3ppm以上、更に 好ましくは 5ppm以上、また、通常 lOOppm以下、好ましくは 50ppm以下、更に好ま しくは 30ppm以下である。特定組成蛍光体が複数種の微量元素を含有する場合に は、それらの合計量が上記範囲を満たすようにする。
[0111] 特定組成蛍光体の好ま ヽ組成の具体例を下記の表 1に挙げるが、特定組成蛍光 体の糸且成は以下の例示に制限されるものではない
[表 1]
表 1
Figure imgf000022_0001
[0113] また、特定組成蛍光体は、上記の元素以外に、 Tb、 Ag、 La、 Sm、及び Prからなる 群力 選ばれる 1種以上の元素を含有していてもよい。これらの中でも、 Tb及び Z又 は Prを含有することが好ま U、。
[0114] 特定組成蛍光体が Tbを含有すると、高温下における輝度維持率が向上し、温度 特性が良好となる。更に、後述する発光装置を構成した場合の耐久性も向上し、長 時間の点灯が可能となる。
[0115] Tbの含有量としては、蛍光体 1モルに対し、通常 0. 0001モル％以上、中でも 0. 0
01モル％以上、更には 0. 01モル％以上、また、通常 5モル％以下、中でも 1モル％ 以下、更には 0. 5モル％以下の範囲であることが好ましい。
Tbの含有量が多過ぎると、温度特性向上効果が低下する傾向があり、 Tbの含有 量が少な過ぎると耐久性向上効果が低下する場合がある。
[0116] また、特定組成蛍光体が Prを含有すると、外部量子効率が向上する。
Prの含有量としては、蛍光体 1モルに対し、通常 0. 0001モル％以上、中でも 0. 0
01モル％以上、更には 0. 01モル％以上、また、通常 5モル％以下、中でも 1モル％ 以下、更には 0. 5モル％以下の範囲であることが好ましい。
Prの含有量が多過ぎると、濃度消光を起こし、輝度が低下する傾向にあり、 Prの含 有量が少な過ぎると外部量子効率向上効果が低下する場合がある。
[0117] また、特定組成蛍光体は、上記の元素以外に、 A1を含有する場合がある。 A1の含 有量としては、通常 lppm以上、好ましくは 5ppm以上、更に好ましくは lOppm以上、 また、通常 500ppm以下、好ましくは 200ppm以下、更に好ましくは lOOppm以下で ある。 [0118] また、特定組成蛍光体は、上記の元素以外に、 B (ホウ素）を含有する場合がある。 Bの含有量としては、通常 lppm以上、好ましくは 3ppm以上、更に好ましくは 5ppm 以上、また、通常 lOOppm以下、好ましくは 50ppm以下、更に好ましくは 30ppm以 下である。
[0119] また、特定組成蛍光体は、上記の元素以外に、 Feを含有する場合がある。 Feの含 有量としては、通常 lppm以上、好ましくは 3ppm以上、更に好ましくは 5ppm以上、 また、通常 lOOppm以下、好ましくは 50ppm以下、更に好ましくは 30ppm以下であ る。
[0120] また、特定組成蛍光体は、上記の元素以外に、 Nを含有する場合がある。 Nの含有 量としては、該蛍光体中に含有される酸素の量に対し、通常 10モル％以下、好ましく は 5モル％以下、更に好ましくは 3モル％以下である。
[0121] <物体色 >
特定組成蛍光体は、その物体色を L*a*b*表色系（CIE 1976表色系）で表わした場 合に、 L*値、 a*値及び b*値が以下の式を満たすことを、もう一つの特徴とする。
L*≥90
a*≤— 20
b*≥30
Figure imgf000023_0001
[0122] 特定組成蛍光体は、上記条件を満たす物体色を有することにより、後述する発光 装置に利用した場合に、高発光効率の発光装置を実現することが可能となる。
[0123] 具体的に、特定組成蛍光体の a*の上限値は、通常 20以下、好ましくは 22以 下、更に好ましくは— 24以下、特に好ましくは— 30以下である。 a*が大き過ぎる蛍光 体は、全光束が小さくなる傾向にある。また、輝度を高くする観点力もも、 a*の値は小 さいことが望ましい。
[0124] また、特定組成蛍光体の b*は、通常 30以上、好ましくは 40以上、更に好ましくは 45 以上、特に好ましくは 50以上の範囲である。 b*が小さ過ぎると、輝度が低下する傾向 がある。一方、 b*の上限は、理論上は 200以下である力 通常 120以下であることが 好ましい。 b*が大き過ぎると、発光波長が長波長側にシフトし、輝度が低下する傾向 がある。
[0125] また、特定組成蛍光体の a*と b*との比、即ち a*Zb*で表わされる値は、通常—0. 45 以下、好ましくは 0. 5以下、更に好ましくは 0. 55以下の範囲である。 a Zb*の 値が大き過ぎると、物体色が黄色味を帯び、輝度も低下する傾向がある。
[0126] また、特定組成蛍光体の L*は、通常 90以上、好ましくは 95以上である。 L*の値が 小さ過ぎると、発光が弱くなる傾向がある。一方、 L*の上限値は、一般的には照射光 で発光しない物体を扱うので、 100を超えることは無いが、特定組成蛍光体は、照射 光によって励起されて生じた発光が反射光に重畳されるので、 L*の値が 100を超え る場合もある。具体的には、特定組成蛍光体の L*の上限値は、通常 115以下である
[0127] なお、特定糸且成蛍光体の物体色の測定は、例えば、市販の物体色測定装置 (例え ば、ミノルタ社製 CR— 300)を使用することにより行なうことが可能である。
また、物体色とは、光が物体で反射したときの色を意味する。本発明においては、 測定物 (即ち、蛍光体)を決められた光源（白色光源。例えば、標準光 D を使用する ことができる。）で照射し、得られた反射光をフィルターで分光して、 L*、
Figure imgf000024_0001
b*の値を 求めている。
物体色は、蛍光体原料の還元度（例えば、 M"全体に対する 2価の元素のモル比の 割合で示される。）と関連し、還元度が高いと (例えば、 M"全体に対する 2価の元素 のモル比の割合が高いと）上記範囲の物体色を有すると考えられる。後述するように 、固体カーボン存在下等の強還元性雰囲気下で蛍光体原料を焼成する等、本発明 の製造方法に従って製造すると、上記の範囲の物体色を有する蛍光体を得ることが できる。
[0128] <励起波長に関する特性 >
特定組成蛍光体は、励起波長は特に限定されないが、通常 300nm以上、中でも 3 50nm以上、更には 380nm以上、また、通常 500nm以下、中でも 480nm以下、更 には 470nm以下の波長範囲の光で励起可能であることが好ましい。例えば、青色領 域の光、及び Z又は、近紫外領域の光で励起可能であれば、半導体発光素子等を 第 1の発光体とする発光装置に好適に使用することができる。 [0129] なお、励起スペクトルの測定は、室温、例えば 25°Cにおいて、蛍光分光光度計 F— 4500型 (株式会社日立製作所製)を用いて測定することができる。得られた励起ス ベクトルから、励起ピーク波長を算出することができる。
[0130] く重量メジアン径>
特定組成蛍光体は、その重量メジアン径カ 通常 10 /z m以上、中でも 12 /z m以上 、また、通常 30 μ m以下、中でも 25 μ m以下の範囲であることが好ましい。重量メジ アン径が小さ過ぎると、輝度が低下し、蛍光体粒子が凝集してしまう傾向がある。一 方、重量メジアン径が大き過ぎると、塗布ムラやディスペンサー等の閉塞が生じる傾 向がある。なお、特定組成蛍光体の重量メジアン径は、例えばレーザー回折 Z散乱 式粒度分布測定装置等の装置を用いて測定することができる。
[0131] <結晶子径>
また、特定組成蛍光体は、その結晶子径が大きいほど好ましぐ通常 20nm以上、 中でも lOOnm以上であることが好ましい。ここで、結晶子径とは、粉末 X線回折にお いて半値幅を測定することにより求めることができるものである。結晶子間の界面では 、無輻射失活が起こり、発光エネルギーの熱エネルギーへの変換が起こると考えられ ている。結晶子が大きいと、結晶子界面が少なくなるため、熱エネルギーへの変換が 少なぐ輝度が高くなる。
[0132] <温度特性 >
また、前述したように、 Tbを含有する場合等、一部の特定組成蛍光体は、温度特性 にも優れる。具体的には、 455nmの波長の光を照射した場合の 25°Cでの輝度に対 する 100°Cでの発光スペクトル図中の発光ピーク強度値の割合力 通常 50%以上 であり、好ましくは 60%以上、特に好ましくは 70%以上である。
[0133] また、通常の蛍光体は温度上昇と共に発光強度が低下するので、該割合が 100% を越えることは考えられ難いが、何らかの理由により 100%を超えることがあってもよ い。但し 150%を超えるようであれば、温度変化により色ずれを起こす傾向となる。
[0134] 尚、上記温度特性を測定する場合は、例えば、発光スペクトル装置として大塚電子 製 MCPD7000マルチチャンネルスペクトル測定装置、ペルチヱ素子による冷却機 構とヒーターによる加熱機構を備えたステージ、及び、光源として 150Wキセノンラン プを備える装置を用いて、以下のように測定することができる。ステージに蛍光体サン プルを入れたセルを載せ、温度を 20°Cから 180°Cの範囲で変化させる。蛍光体の表 面温度が所定温度で一定となったことを確認する。次いで、光源から回折格子で分 光して取り出した 455nmの光で蛍光体を励起して発光スペクトル測定する。測定さ れた発光スペクトルから発光ピーク強度を求める。ここで、蛍光体の表面温度の測定 値は、放射温度計と熱電対による温度測定値を利用して補正した値を用いる。
[0135] <耐久性 >
また、特定組成蛍光体は、耐久性にも優れる。特に、前述したように、 Tb等を含有 する場合は耐久性により優れる。具体的には、特定組成蛍光体を用いて発光装置を 構成したときに、点灯開始直後（0時間）の「緑色ピークの発光強度 Z青色ピークの発 光強度」の値を 100%とした時の 1000時間の「緑色ピークの発光強度 Z青色ピーク の発光強度」の値が、通常 85%以上、中でも好ましくは 90%以上、更に好ましくは 9 5%以上であることが好まし 、。
[0136] なお、上記耐久性の測定は、例えば以下の手順で行なうことができる。発光装置の 点灯開始直後（以下、「0時間」と称する。）に、ファイバマルチチャンネル分光器 (ォ 一シャンォプテイクス社製 USB2000)を用いて発光スペクトル及び色度座標を測定 する。次いで、エージング装置、 LED AGING SYSTEM lOOch LED環境試験 装置（山勝電子工業 (株)製、 YEL— 51005)を用いて、 85°C、相対湿度 85%の条 件下、発光装置を駆動電流 20mAで連続して 1000時間点灯させ、再度、ファイバマ ルチチャンネル分光器 (オーシャンォプテイクス社製 USB2000)を用いて発光スぺ タトル及び色度座標を測定する。測定した各々の発光スペクトルにおいて、青色ピー ク (LEDに由来する。）の発光強度に対する、緑色ピーク（蛍光体に由来する。）の発 光強度、即ち、「緑色ピークの発光強度 Z青色ピークの発光強度」を算出し、 0時間 の「緑色ピークの発光強度 Z青色ピークの発光強度」の値を 100%とした時の 1000 時間の「緑色ピークの発光強度 Z青色ピークの発光強度」の値を求める。
[0137] 以上説明した特徴の他、特定組成蛍光体は、前述した特定特性蛍光体の特徴のう ち、任意の一つ又は二つ以上の特徴を備えていてもよい。また、特定組成蛍光体は 、前述した特定特性蛍光体に該当するものであってもよ 、。 [0138] [1 - 3.蛍光体の製造方法]
本発明の蛍光体を得るための原料、蛍光体製造法等については以下の通りである
[0139] 本発明の蛍光体の製造方法は特に制限されないが、例えば、本発明の前記式 [1] で表される蛍光体を製造する場合、金属元素 M1の原料 (以下適宜「M"源」という。）、 Siの原料 (以下適宜「Si源」という。）、及び、付活元素である元素 M"の原料 (以下適 宜「M"源」という。）を秤量後、混合し (混合工程)、得られた混合物 (これを「蛍光体 前駆体」という場合がある。）を所定の焼成条件で焼成し (焼成工程)、必要に応じて 粉砕、洗浄、表面処理等を行なうことにより製造することができる。
なお、本発明の蛍光体が前記式 [1]で表される蛍光体とは構成元素が異なる場合 は、原料の変更等を行えば以下の製造方法で製造することができる。
[0140] <蛍光体原料 >
本発明の蛍光体の製造に使用される M1源、 Si源及び M"源としては、 M'、 Si及び M"の各元素の酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、蓚酸塩、カルボン酸塩 、ハロゲン化物等が挙げられる。これらの化合物の中から、複合酸化物への反応性 や、焼成時における NO、 SO等の発生量の低さ等を考慮して、適宜選択すればよ い。
[0141] M1源の具体例を、 M1金属の種類毎に分けて列挙すると、以下の通りである。
[0142] Ba源の具体例としては、 BaO、 Ba (OH) · 8Η 0、 BaCO、 Ba (NO )、 BaSO、
2 2 3 3 2 4
Ba (C O ) - 2H 0、 Ba (OCOCH ) 、 BaCl等が挙げられる。中でも BaCO、 BaCl
2 4 2 3 2 2 3 2 等が好ましぐ取扱の点力も BaCOが特に好ましい。空気中の安定性が良ぐまた、
3
加熱により容易に分解するため、目的外の元素が残留し難ぐ更に、高純度の原料 を入手し易いからである。炭酸塩を原料とする場合は、予め炭酸塩を仮焼成して原 料として使用することが好ましい。
[0143] Ca源の具体例としては、 CaO、 Ca (OH) 、 CaCO、 Ca (NO ) ·4Η 0、 CaSO ·
2 3 3 2 2 4
2H 0、 Ca (C O ) ·Η 0、 Ca (OCOCH ) ·Η 0、 CaCl等が挙げられる。中でも Ca
2 2 4 2 3 2 2 2
CO、 CaCl等が好ましい。炭酸塩を原料とする場合は、予め炭酸塩を仮焼成して原
3 2
料として使用することが好ましい。 [0144] Sr源の具体例としては、 SrO、 Sr (OH) · 8Η 0、 SrCO、 Sr (NO )、 SrSO、 Sr
2 2 3 3 2 4
(C O ) ·Η 0、 Sr (OCOCH ) -0. 5H 0、 SrCl等が挙げられる。中でも SrCO、 S
2 4 2 3 2 2 2 3 rCl等が好ましぐ SrCOが特に好ましい。空気中の安定性が良ぐまた、加熱により
2 3
容易に分解し、目的外の元素が残留し難ぐ更に、高純度の原料を入手し易いから である。炭酸塩を原料とする場合は、予め炭酸塩を仮焼成して原料として使用するこ とが好ましい。
[0145] Zn源の具体例としては、 ZnO、 Zn (C O ) · 2Η 0、 ZnSO · 7Η Ο等が挙げられる
2 4 2 4 2
[0146] Mg源の具体例としては、 MgCO、 MgO、 MgSO、 Mg (C O ) · 2H O等が挙げら
3 4 2 4 2
れる。炭酸塩を原料とする場合は、予め炭酸塩を仮焼成して原料として使用すること が好ましい。
[0147] これらの M1源は、何れか一種を単独で用いてもよぐ二種以上を任意の組み合わ せ及び比率で併用してもょ 、。
[0148] Si源の具体例としては、 SiO、 H SiO、 Si (OCOCH )等が挙げられる。中でも Si
2 4 4 3 4
o等が好ましい。
2
これらの Si源は、何れか一種を単独で用いてもよぐ二種以上を任意の組み合わせ 及び比率で併用してもよ!、。
[0149] M"源のうち、 Eu源の具体例としては、 Eu O、 Eu (SO ) 、 Eu (C O )、 EuCl、
2 3 2 4 3 2 2 4 3 2
EuCl、 Eu (NO ) - 6H O等が挙げられる。中でも Eu O、 EuCl等が好ましい。
3 3 3 2 2 3 2
また、 Sm源、 Tm源、 Yb源等の具体例としては、 Eu源の具体例として挙げた各化 合物において、 Euをそれぞれ Sm、 Tm、 Yb等に置き換えたィ匕合物が挙げられる。 これらの M"源は、何れか一種を単独で用いてもよぐ二種以上を任意の組み合わ せ及び比率で併用してもょ 、。
[0150] また、目的とする本発明の蛍光体の組成に応じて、他の元素を含有する化合物を 原料として使用してもよい。
[0151] 例えば、 Geを含む組成の蛍光体を製造する場合、 Ge源の具体例としては、 GeO
2
、 Ge (OH) 、 Ge (OCOCH ) 、 GeCl等が挙げられる。中でも GeO等が好ましい。
4 3 4 4 2
[0152] 例えば、 Tbを含む組成の蛍光体を製造する場合、 Tb源の具体例としては、 Tb O 、 TbCl (水和物を含む。 )、 TbF、 Tb (NO ) ·ηΗ 0、 Tb (SiO )、 Tb (C O ) · 1
3 3 3 3 2 2 4 3 2 2 4 3
OH O等が挙げられる。中でも、 Tb O、 TbCl、 TbFが好ましぐ Tb Oがより好まし
2 4 7 3 3 4 7 い。例えば、 Prを含む組成の蛍光体を製造する場合、 Pr源の具体例としては、 Pr O
2 3
、 PrCl、 PrF、 Pr (NO ) · 6Η 0、 Pr (SiO ) 、 Pr (C O ) · 10H O等が挙げられ
3 3 3 3 2 2 4 3 2 2 4 3 2 る。中でも、 Pr O、 PrCl、 PrFが挙げられ、 Pr Oがより好ましい。例えば、 Gaを含
2 3 3 3 2 3
む組成の蛍光体を製造する場合、 Ga源の具体例としては、 Ga O、 Ga (OH)、 Ga (
2 3 3
NO ) ·ηΗ 0、 Ga (SO )、 GaCl等が挙げられる。例えば、 Alを含む組成の蛍光
3 3 2 2 4 3 3
体を製造する場合、 A1源の具体例としてはひ -Al O、 y -Al O、等の Al O、 Al(
2 3 2 3 2 3
OH) 、 A100H、 Al (NO ) · 9Η 0、 Al (SO )、 A1C1等が挙げられる。例えば、 P
3 3 3 2 2 4 3 3
を含む組成の蛍光体を製造する場合、 P源の具体例としては、 P O、 Ba (PO ) 、 Sr
2 5 3 4 2
(PO ) 、（NH ) PO等が挙げられる。例えば、 Bを含む組成の蛍光体を製造する
3 4 2 4 3 4
場合、 B源の具体例としては、 B O、 H BO等が挙げられる。
2 3 3 3
これらの他の元素を含有する化合物は、何れか一種を単独で用いてもよぐ二種以 上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもょ 、。
[0153] <混合工程 >
M1源、 Si源及び M"源を混合する手法は特に制限されないが、例としては、下記の (A)乾式法及び (B)湿式法の手法が挙げられる。
[0154] (A)ハンマーミル、ロールミル、ボールミル、ジェットミル等の乾式粉砕機、又は、乳鉢 と乳棒等を用いる粉砕と、リボンブレンダー、 V型ブレンダー、ヘンシェルミキサー等 の混合機、又は、乳鉢と乳棒を用いる混合とを組み合わせ、前述の原料を粉砕混合 する乾式混合法。
[0155] (B)前述の原料に水、メタノール、エタノール等の溶媒又は分散媒を加え、粉砕機、 乳鉢と乳棒、又は蒸発皿と撹拌棒等を用いて混合し、溶液又はスラリーの状態とした 上で、噴霧乾燥、加熱乾燥、又は自然乾燥等により乾燥させる湿式混合法。
[0156] <焼成工程 >
焼成工程は通常、上述の混合工程により得られた混合物を、各蛍光体原料と反応 性の低 、材料力 なるルツボ又はトレィ等の耐熱容器中に充填し、焼成することによ り行なう。焼成時に用いる耐熱容器の材質としては、アルミナ、石英、窒化ホウ素、炭 化ケィ素、窒化ケィ素、酸ィ匕マグネシウム等のセラミックス、白金、モリブデン、タンダ ステン、タンタル、ニオブ、イリジウム、ロジウム等の金属、或いは、それらを主成分と する合金、カーボン (グラフアイト)等が挙げられる。ここで、石英製の耐熱容器は、比 較的低温、すなわち、 1200°C以下での熱処理に使用することができ、好ましい使用 温度範囲は 1000°C以下である。上述した耐熱容器の材質のうち、中でもアルミナ、 金属が好ましい。
[0157] 焼成時の温度は、通常 850°C以上、好ましくは 950°C以上、また、通常 1400°C以 下、好ましくは 1350°C以下の範囲である。焼成温度が低過ぎると充分に結晶が成長 せず、粒径力 、さくなる場合がある一方で、焼成温度が高過ぎると結晶が成長しすぎ て粒径が大きくなり過ぎる場合がある。
[0158] 焼成時の圧力は、焼成温度等によっても異なるため特に限定されないが、通常 0.
OlMPa以上、好ましくは 0. IMPa以上であり、また、通常 200MPa以下、好ましくは lOOMPa以下である。このうち、工業的には大気圧〜 IMPa程度がコスト及び手間 の点で簡便であり好ま 、。
[0159] 焼成時間は、焼成時の温度や圧力等によっても異なるため特に制限されないが、 通常 10分以上、好ましくは 1時間以上、より好ましくは 3時間以上、更に好ましくは 4 時間以上、また、通常 24時間以下、好ましくは 15時間以下の範囲である。
[0160] 焼成時の雰囲気は特に制限されないが、本発明では後述のように、酸素濃度の低 い雰囲気下で焼成を行なうことが好ましい。焼成時の酸素濃度は、好ましくは ΙΟΟρρ m以下、更に好ましくは 50ppm以下、特に好ましくは 20ppm以下であり、理想的に は、酸素が全く存在しないことが好ましい。具体例としては、一酸化炭素、二酸化炭 素、窒素、水素、アルゴン等の気体のうち、何れか一種単独の雰囲気下、或いは、二 種以上の混合雰囲気下で行なう。この中でも、一酸化炭素、水素等の還元性の気体 を含むことが好ましぐ特に、水素含有窒素雰囲気下が好ましい。
[0161] ここで、水素含有窒素雰囲気に含まれる水素含有量としては、通常 1体積％以上、 好ましくは 2体積％以上、また、通常 5体積％以下が好ましぐ最も好ましい水素含有 量としては 4体積％である。雰囲気中の水素の含有量は、高過ぎると爆発の危険が 生じ、低過ぎると十分な還元雰囲気を達成できな ヽからである。 [0162] 更に、本発明では焼成の際に、焼成雰囲気を水素含有窒素雰囲気等の還元性雰 囲気とし、更に、反応系に固体カーボンを共存させること等により、酸素濃度を下げ、 強還元性雰囲気下とすることが好ましいが、これについては次節以降で詳述する。
[0163] (固体カーボン）
本発明の蛍光体を製造するためには、本発明の付活元素 M"が発光に寄与するィ オン状態 (価数)となるように、必要な雰囲気を選択する。例えば、本発明の蛍光体に おける緑色発光をもたらす好まし ヽ M"元素の一つである付活元素の Euは、少なくと もその一部が 2価イオンであることが望ましい。具体的に、全 Euに占める Eu2+の割合 は高いほど好ましぐ通常 50%以上、好ましくは 80%以上、より好ましくは 90%以上 、最も好ましくは 95%以上である。しかしながら、 Euの原料として通常は、 Eu O等の
2 3
3価の Euイオンを含む化合物が用いられる。従って、 2価イオンである Eu2+を含有し、 緑色発光をもたらす蛍光体を得るために、従来は、 3価イオン Eu3+を 2価イオン Eu2+ に還元するべぐ一酸化炭素、水素含有窒素、水素等の何らかの還元雰囲気下で焼 成するのが一般的であった。しかし、これらの焼成雰囲気下でも、原料等由来の酸素 が含まれてしまうため、酸素濃度を充分に低減することは困難であった。また、 M"元 素として Sm、 Tm、 Yb等を用いる場合にも、上述の Euの場合と同様の課題があった
[0164] 本発明者等は検討の結果、 M"元素の 3価イオンを 2価イオンに還元すると同時に 母体結晶中に導入するに際し、通常の還元雰囲気下に加えて、固体カーボンを共 存させる条件 (即ち、より還元力の強 、条件)で焼成することが有効であることを見出 した。これによつて、得られる蛍光体は、前記のような 510nm以上、 542nm以下の 波長範囲にぉ 、て輝度の高 、発光をもたらし、同時に発光スペクトル幅が狭 、と!/、う 特徴を有することになる。
[0165] また、前記の物体色が、 M"元素の還元度合いを示す指標となっていると考えられ る。強還元雰囲気下において焼成することにより、 M"元素が充分に還元され、前記 式 [1]で表される蛍光体力 前記範囲の物体色を有するようになるものと考えられる。
[0166] 固体カーボンの種類は特に制限されず、任意の種類の固体カーボンを使用するこ とが可能である。その例としては、カーボンブラック、活性炭、ピッチ、コータス、黒鉛（ グラフアイト）等が挙げられる。固体カーボンを使用することが好ましい理由としては、 焼成雰囲気中の酸素が固体カーボンと反応し、一酸ィ匕炭素ガスを発生し、更にこの 一酸化炭素が焼成雰囲気中の酸素と反応し、二酸化炭素となり、焼成雰囲気中の酸 素濃度を低減させることが出来るからである。前述の例示の中でも、酸素との反応性 が高い活性炭が好ましい。また、固体カーボンの形状については、粉末状、ビーズ状 、粒子状、ブロック状等が挙げられるが、特に制限されるものではない。
[0167] 共存させる固体カーボンの量は、その他の焼成条件にもよる力 蛍光体に対して通 常 0. 1重量％以上、好ましくは 1重量％以上、更に好ましくは 10重量％以上、特に 好ましくは 30重量％以上であり、 50重量％以上が最も好ましい。
[0168] また、焼成容器として黒鉛のルツボを使用することにより、固体カーボンの共存と同 様の効果を得ることも可能である。一方、アルミナルツボ等のカーボン以外の材料か らなるルツボを使用する場合には、黒鉛のビーズ、粒状物、ブロック等の固体カーボ ンを別途共存させることが好まし 、。
なお、ルツボに蓋をする等、密閉した条件下で焼成を行なうことが好ましい。
[0169] なお、固体カーボンの共存下で焼成を行なうとは、同一の焼成容器内に蛍光体原 料と固体カーボンとが存在すればよいのであって、蛍光体原料と固体カーボンを混 合して焼成する必要はない。一般的に、蛍光体製品中にカーボンが混入すると、黒 色であるカーボンが蛍光体の発光を吸収するため、蛍光体の発光効率が落ちる。固 体カーボンを共存させる手法の例としては、蛍光体原料を入れた容器とは別の容器 に固体カーボンを入れ、これらの容器を同一のルツボ内に（例えば、原料の容器の 上部に固体カーボンの容器が位置するように)設置する、固体カーボンを入れた容 器を蛍光体原料中に埋め込む、或いはこの反対に、蛍光体原料粉末を充填した容 器の周囲に固体カーボンを配置する、等の手法が挙げられる。なお、大型のルツボ を使用する場合には、固体カーボンを蛍光体原料と同一容器内に入れて焼成するこ とが好ましい。何れの場合にも、固体カーボンが蛍光体原料中に混入しないようにェ 夫して行なう。
[0170] M"元素の 2価イオンを得る手法として、前述の固体カーボンを共存させる手法にカロ え、或いは固体カーボンを共存させる手法に代えて、以下の手法を実施することも可 能である。すなわち、原料粉末と同時にルツボ内に存在する空気を出来るだけ除去 し、酸素濃度を下げることが好ましい。具体的な手法としては、所定の原料を仕込ん だルツボを真空炉中で減圧除去し、焼成時に用いる雰囲気ガスを導入して復圧する ことが好ましい。この操作を繰り返して行なうのが更に好ましい。或いは、必要に応じ て Mo等の酸素ゲッターを使用することもできる。また、安全上の対策をすれば、水素 を 5体積％以上含有する窒素雰囲気で焼成することによつても M"元素の 2価イオン を得ることができる。
[0171] このように固体カーボンを存在させること等によって、焼成雰囲気の酸素濃度を低 減し、焼成雰囲気を還元性の強い雰囲気とし、それにより特性の高い蛍光体が得ら れるので好ましい。
[0172] (フラックス）
焼成工程においては、良好な結晶を成長させる観点から、反応系にフラックスを共 存させることが好ましい。フラックスの種類は特に制限されないが、 1価の元素又は原 子団とー 1価の元素とを含有する化合物、 1価の元素又は原子団とー 3価の元素又 は原子団とを含有する化合物、 2価の元素と 1価の元素とを含有する化合物、 2価 の元素と 3価の元素又は原子団とを含有する化合物、 3価の元素と 1価の元素と を含有する化合物、並びに、 3価の元素と 3価の元素又は原子団を含有する化合 物とからなる群力も選ばれる化合物をフラックスとして使用することが好ましい。
[0173] 1価の元素又は原子団は、例えば、アルカリ金属元素及びアンモニゥム基 (NH )か
4 らなる群力 選ばれる少なくとも 1種の元素であることが好ましぐセシウム (Cs)又は ルビジウム (Rb)であることがより好まし!/、。
2価の元素は、例えば、アルカリ土類金属元素、及び亜鉛 (Zn)力 なる群力 選ば れる少なくとも 1種の元素であることが好ましく、ストロンチウム（Sr)又はバリウム (Ba) であることがより好ましい。
3価の元素は、例えば、ランタン (La)等の希土類元素、イットリウム (Y)、アルミ-ゥ ム (A1)、及びスカンジウム（Sc)力もなる群力 選ばれる少なくとも 1種の元素であるこ とが好ましぐイットリウムお)又はアルミニウム (A1)であることがより好ましい。
1価の元素は、例えば、ハロゲン元素力 なる群力 選ばれる少なくとも 1種の元 素であることが好ましぐ塩素（CI)又はフッ素（F)であることが好ましい。 —3価の元素又は原子団は、例えば、リン酸基 (PO )であることが好ましい。
4
[0174] 上記の中でも、フラックスとしては、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属ハ ロゲン化物、亜鉛ハロゲン化物、イットリウム（Y)、アルミニウム（A1)、スカンジウム（Sc )、及び希土類元素力 なる群力 選ばれる 3価の元素のハロゲンィ匕物、アルカリ金 属リン酸塩、アルカリ土類金属リン酸塩、リン酸亜鉛、イットリウム (Y)、アルミニウム (A 1)、ランタン (La)、及びスカンジウム（Sc)力 なる群力 選ばれる 3価の元素のリン酸 塩力もなる群力も選ばれる化合物を使用することが好ましい。
[0175] より具体的には、 NH Cl、 LiCl、 NaCl、 KC1、 CsCl、 CaCl、 BaCl、 SrCl、 YC1 ·
4 2 2 2 3
6H O (但し、無水和物であってもよい。）、 ZnCl、 MgCl · 6Η O (但し、無水和物で
2 2 2 2
あってもよい。 )、 RbCl等の塩化物、 LiF、 NaFゝ KF、 CsFゝ CaF、 BaF、 SrF、 Al
2 2 2
F、 MgF、 YF等のフッ化物、 K PO、 K HPO、 KH PO、 Na PO、 Na HPO、
3 2 3 3 4 2 4 2 4 3 4 2 4
NaH PO、： Li PO、 Li HPO、 LiH PO、（NH ) PO、（NH ) HPO、（NH ) H
2 4 3 4 2 4 2 4 4 3 4 4 2 4 4 2
PO等のリン酸塩等が挙げられる。
4
[0176] 中でも、 LiCl、 CsCl、 BaCl、 SrCl、 YFを用いることが好ましぐ CsCl、 SrClを用
2 2 3 2 いることが特に好ましい。
[0177] これらのフラックスは、一種を単独で使用してもよぐ二種以上を任意の組み合わせ 及び比率で併用してもよいが、二種以上を組み合わせて用いると以下のような効果 が得られる。
[0178] フラックスの種類や焼成条件等によっても異なるが、一般的に、フラックスを蛍光体 原料中に共存させると、蛍光体の結晶成長が促進され、粒径の大きい蛍光体が得ら れる傾向にある。また、本発明の蛍光体は、粒径が大きいほど輝度が高くなる傾向に ある。以上より、フラックスを蛍光体原料中に共存させると、一見、輝度が向上して好 ましいように思われる力 粒径が大き過ぎると塗布ムラやディスペンサー等の閉塞が 生じる等、取り扱い性が悪くなる傾向にある。
[0179] 二種以上のフラックスを組み合わせて用いる場合において、上記のフラックスの中 でも、 SrCl、 BaCl等の 2価の元素を含有する化合物をフラックスとして用いると、結
2 2
晶成長促進作用があり、一方、上記のフラックスの中でも、 CsCl、 LiCl、 YC1 · 6Η Ο 等の 1価又は 3価の元素を含有する化合物をフラックスとして用いると、結晶成長抑 制作用があることが本発明により明らかになった。よって、結晶成長促進作用のある フラックスと、結晶成長抑制作用のあるフラックスとを組み合わせて用いると、両者の フラックスの相乗効果により、高輝度で、且つ、結晶成長が抑制された、扱い易い重 量メジアン径 (具体的には 10 μ m以上 25 μ m以下）の蛍光体を得ることが出来るの で、特に好ましい。
[0180] フラックスを 2種以上組み合わせて用いる場合の好ましい組み合わせとしては、 Sr C1と CsCl、 SrClと LiCl、 SrClと YC1 · 6Η 0、 SrClと BaClと CsCl等が挙げられ、
2 2 2 3 2 2 2
中でも、 SrClと CsClとを組み合わせて用いることが特に好ましい。
2
[0181] フラックスの使用量 (フラックスを 2種以上組み合わせて用いる場合、その合計の使 用量）は、原料の種類、フラックスの材料、焼成温度や雰囲気等によっても異なる力 通常 0. 01重量％以上、更には 0. 1重量％以上、また、通常 20重量％以下、更には 10重量％以下の範囲が好ましい。フラックスの使用量が少な過ぎると、フラックスの 効果が現れない場合がある。フラックスの使用量が多過ぎると、フラックス効果が飽和 したり、粒径が大きくなりすぎて取り扱い性が悪くなつたり、母体結晶に取り込まれて 発光色を変化させたり、輝度低下を引き起こす場合がある。
[0182] また、フラックスを 2種以上組み合わせて用いる場合、 1価又は 3価の元素を含有す る化合物の使用割合 (モル比）は、 2価の元素を含有する化合物のモル数を 1とした 場合に、通常 0. 1以上、中でも 0. 2以上、また、通常 10以下、中でも 5以下とするこ とが好ましい。
[0183] なお、 SrCl等の好ましいフラックスを適量用いると、固体カーボンを共存させない
2
弱還元性雰囲気下 (例えば、水素含有窒素雰囲気下 (窒素：水素 = 96： 4 (体積比) ) であっても本発明の蛍光体を得ることができる。
[0184] (一次焼成及び二次焼成）
なお、焼成工程を一次焼成と二次焼成とに分割し、混合工程により得られた原料混 合物をまず一次焼成した後、ボールミル等で再度粉砕してから二次焼成を行なって ちょい。
[0185] 一次焼成の温度は、通常 850°C以上、好ましくは 1000°C以上、より好ましくは 105 0°C以上、また、通常 1350°C以下、好ましくは 1200°C以下、より好ましくは 1150°C 以下の範囲である。
[0186] 一次焼成の時間は、通常 1時間以上、好ましくは 2時間以上、より好ましくは 4時間 以上、また、通常 24時間以下、好ましくは 15時間以下、より好ましくは 13時間以下の 範囲である。
[0187] 二次焼成の温度、時間等の条件は、基本的に上述の (焼成条件）、（固体カーボン
)及び (フラックス）の欄に記載した条件と同様である。
[0188] なお、フラックスは一次焼成の前に混合してもよいし、二次焼成の前に混合してもよ い。また、雰囲気等の焼成条件も一次焼成と二次焼成で変更してもよい。
[0189] <後処理 >
上述の焼成工程の加熱処理後は、必要に応じて、洗浄、乾燥、粉砕、分級処理等 がなされる。
粉枠処理には、原料の混合工程に使用できるとして列挙した粉碎機が使用できる。 洗浄は、脱イオン水等の水、メタノール、エタノール等の有機溶剤、アンモニア水等 のアルカリ性水溶液等で行なうことができる。分級処理は、篩分や水篩を行なう、或 いは、各種の気流分級機や振動篩等各種の分級機を用いることにより行なうことがで きる。中でも、ナイロンメッシュによる乾式分級を用いると、重量メジアン径 20 m程 度の分散性の良い蛍光体を得ることができる。
また、洗浄処理後に乾燥処理を行うことが好ましい。乾燥処理の方法に特に制限は ないが、必要に応じて、蛍光体の性質に合わせて適宜乾燥処理方法を選択すること が好ましい。例えば、特定組成蛍光体は、長時間、高温高湿の雰囲気下 (例えば熱 水中）にさらしたりすると、蛍光体の母体表面の一部が溶解し、溶解した部分は空気 中の二酸ィ匕炭素と反応して炭酸塩に変わることがある。従って、特定組成蛍光体に 乾燥処理を施す際は、真空乾燥、減圧乾燥、凍結乾燥等の低温乾燥や、スプレード ライ等の短時間乾燥が好ましぐまた、窒素やアルゴンガス等の二酸ィ匕炭素を含まな い雰囲気中で乾燥するか、もしくは水分を低沸点溶剤に置換して風乾する方法が好 ましい。
[0190] <表面処理 > なお、上述の手順により得られた本発明の蛍光体を用いて、後述の方法で発光装 置を製造する際には、耐湿性等の耐候性を一層向上させるために、又は、後述する 発光装置の蛍光体含有部における榭脂に対する分散性を向上させるために、必要 に応じて、蛍光体の表面を異なる物質で被覆する等の表面処理を行なってもよ 、。
[0191] 蛍光体の表面に存在させることのできる物質 (以下適宜「表面処理物質」と称する。
)の例としては、有機化合物、無機化合物、ガラス材料等を挙げることができる。
[0192] 有機化合物の例としては、アクリル榭脂、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエチレン 等の熱溶融性ポリマー、ラテックス、ポリオルガノシロキサン等が挙げられる。
[0193] 無機化合物の例としては、酸化マグネシウム、酸ィ匕アルミニウム、酸化珪素、酸ィ匕チ タン、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化ゲルマニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、 酸化バナジウム、酸化硼素、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化イットリウム、酸化ラン タン、酸化ビスマス等の金属酸化物、窒化珪素、窒化アルミニウム等の金属窒化物、 燐酸カルシウム、燐酸バリウム、燐酸ストロンチウム等のオルト燐酸塩、ポリリン酸塩等 が挙げられる。
[0194] ガラス材料の例としてはホウ珪酸塩、ホスホ珪酸塩、アルカリ珪酸塩等が挙げられる
[0195] これらの表面処理物質は、何れか一種のみを単独で用いてもよぐ二種以上を任 意の組み合わせ及び比率で併用してもょ 、。
[0196] 表面処理を施した本発明の蛍光体は、これらの表面処理物質を有することになるが
、その表面処理物質の存在態様としては、例えば下記のものが挙げられる。
(i)前記表面処理物質が連続膜を構成して、本発明の蛍光体の表面を被覆する態 様。
(ii)前記表面処理物質が多数の微粒子となって、本発明の蛍光体の表面に付着す ることにより、本発明の蛍光体の表面を被覆する態様。
[0197] 本発明の蛍光体の表面への表面処理物質の付着量ないし被覆量は、本発明の蛍 光体の重量に対して、通常 0. 1重量％以上、好ましくは 1重量％以上、更に好ましく は 5重量％以上、通常 50重量％以下、好ましくは 30重量％以下、更に好ましくは 15 重量％以下であることが望まし 、。蛍光体に対する表面処理物質量の量が多過ぎる と、蛍光体の発光特性が損なわれる場合があり、少な過ぎると表面被覆が不完全とな つて、耐湿性、分散性の改善が見られない場合がある。
[0198] また、表面処理により形成される表面処理物質の膜厚 (層厚）は、通常 lOnm以上、 好ましくは 50nm以上、また、通常 2000nm以下、好ましくは lOOOnm以下であること が望ましい。この膜厚が厚過ぎると蛍光体の発光特性が損なわれる場合があり、薄過 ぎると表面被覆が不完全となって、耐湿性、分散性の改善が見られない場合がある。
[0199] 表面処理の方法には特に限定は無いが、例えば、以下に説明するような、金属酸 化物 (酸化珪素）による被覆処理法を挙げることができる。
[0200] 本発明の蛍光体をエタノール等のアルコール中に添カ卩して、攪拌し、更にアンモ- ァ水等のアルカリ水溶液を添加して、攪拌する。次に、加水分解可能なアルキル珪 酸エステル、例えばテトラエチルオルト珪酸を添加して、攪拌する。得られた溶液を 3 分間〜 60分間静置した後、スポイト等により蛍光体表面に付着しなカゝつた酸ィ匕珪素 粒子を含む上澄みを除去する。次いで、アルコール添加、攪拌、静置、上澄み除去 を数回繰り返した後、 120°C〜150°Cで 10分〜 5時間、例えば 2時間の減圧乾燥ェ 程を経て、表面処理蛍光体を得る。
[0201] 蛍光体の表面処理方法としては、この他、例えば球形の酸化珪素微粉を蛍光体に 付着させる方法 (特開平 2— 209989号公報、特開平 2— 233794号公報）、蛍光体 に珪素系化合物の皮膜を付着させる方法 (特開平 3 - 231987号公報)、蛍光体微 粒子の表面をポリマー微粒子で被覆する方法 (特開平 6— 314593号公報）、蛍光 体を有機材料、無機材料及びガラス材料等でコーティングする方法 (特開 2002— 2 23008号公報）、蛍光体の表面を化学気相反応法によって被覆する方法 (特開 200 5— 82788号公報）、金属化合物の粒子を付着させる方法 (特開 2006— 28458号 公報)等の公知の方法を用いることができる。
[0202] [1 -4.蛍光体の用途]
本発明の蛍光体は、蛍光体を使用する任意の用途に用いることができる力 特に、 青色光又は近紫外光で励起可能であるという特性を生かして、各種の発光装置 (後 述する「本発明の発光装置」）に好適に用いることができる。組み合わせる蛍光体の 種類や使用割合を調整することで、様々な発光色の発光装置を製造することができ る。特に、本発明の蛍光体が緑色蛍光体であることから、青色光を発する励起光源と 橙色な!/、し赤色の蛍光を発する蛍光体 (橙色な!/、し赤色蛍光体)を組み合わせれば 、白色発光装置を製造することができる。この場合の発光色は、本発明の蛍光体や 組み合わせる橙色ないし赤色蛍光体の発光波長を調整することにより、好みの発光 色にすることができる力 例えば、いわゆる擬似白色 (例えば、青色 LEDと黄色蛍光 体を組み合わせた発光装置の発光色）の発光スペクトルと類似した発光スペクトルを 得ることもできる。更に、この白色発光装置に赤色の蛍光を発する蛍光体 (赤色蛍光 体)を組み合わせれば、赤色の演色性に極めて優れた発光装置や電球色（暖かみ のある白色）に発光する発光装置を実現することができる。また、近紫外光を発する 励起光源に、本発明の蛍光体と、青色の蛍光を発する蛍光体 (青色蛍光体)及び赤 色蛍光体を組み合わせても、白色発光装置を製造することができる。
[0203] 発光装置の発光色としては白色に制限されず、必要に応じて、黄色蛍光体 (黄色 の蛍光を発する蛍光体）、青色蛍光体、橙色ないし赤色蛍光体、他種の緑色蛍光体 等を組み合わせて、蛍光体の種類や使用割合を調整することにより、任意の色に発 光する発光装置を製造することができる。こうして得られた発光装置を、画像表示装 置の発光部 (特に液晶用バックライト等)や照明装置として使用することができる。
[0204] [2.蛍光体含有組成物]
本発明の蛍光体は、液体媒体と混合して用いることもできる。特に、本発明の蛍光 体を発光装置等の用途に使用する場合には、これを液体媒体中に分散させた形態 で用いることが好ましい。本発明の蛍光体を液体媒体中に分散させたものを、適宜「 本発明の蛍光体含有組成物」と呼ぶものとする。
[0205] [2— 1.蛍光体]
本発明の蛍光体含有組成物に含有させる本発明の蛍光体の種類に制限は無ぐ 上述したもの力も任意に選択することができる。また、本発明の蛍光体含有組成物に 含有させる本発明の蛍光体は、 1種のみであってもよぐ 2種以上を任意の組み合わ せ及び比率で併用してもよい。更に、本発明の蛍光体含有組成物には、本発明の効 果を著しく損なわない限り、本発明の蛍光体以外の蛍光体を含有させてもよい。
[0206] [2- 2.液体媒体] 本発明の蛍光体含有組成物に使用される液体媒体としては、該蛍光体の性能を目 的の範囲で損なわない限りにおいて特に限定されない。例えば、所望の使用条件下 において液状の性質を示し、本発明の蛍光体を好適に分散させるとともに、好ましく な ヽ反応を生じな!ヽものであれば、任意の無機系材料及び Z又は有機系材料が使 用できる。
[0207] 無機系材料としては、例えば、金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは 金属アルコキシドを含有する溶液をゾルーゲル法により加水分解重合して成る溶液、 又はこれらの組み合わせを固化した無機系材料 (例えばシロキサン結合を有する無 機系材料)等を挙げることができる。
[0208] 有機系材料としては、例えば、熱可塑性榭脂、熱硬化性榭脂、光硬化性榭脂等が 挙げられる。具体的には、例えば、ポリメタアクリル酸メチル等のメタアクリル榭脂；ポリ スチレン、スチレン—アクリロニトリル共重合体等のスチレン榭脂；ポリカーボネート榭 脂；ポリエステル榭脂；フエノキシ榭脂；プチラール榭脂；ポリビュルアルコール；ェチ ノレセノレロース、セノレロースアセテート、セノレロースアセテートブチレート等のセノレロー ス系榭脂；エポキシ榭脂；フエノール榭脂；シリコーン榭脂等が挙げられる。
[0209] これらの中で特に照明など大出力の発光装置に蛍光体を用いる場合には、耐熱性 や耐光性等を目的として珪素含有ィ匕合物を使用することが好ましい。
[0210] 珪素含有化合物とは、分子中に珪素原子を有する化合物をいい、例えば、ポリオ ルガノシロキサン等の有機材料 (シリコーン系材料)、酸ィ匕ケィ素、窒化ケィ素、酸窒 化ケィ素等の無機材料、及びホウケィ酸塩、ホスホケィ酸塩、アルカリケィ酸塩等の ガラス材料を挙げることができる。中でも、ハンドリングの容易さ等の点から、シリコー ン系材料が好ましい。
[0211] 上記シリコーン系材料とは、通常、シロキサン結合を主鎖とする有機重合体をいい 、例えば下記式 (i)で表される化合物及び Z又はそれらの混合物が挙げられる。
[化 3]
(RH3 S i 01/2) (R4R5 S i 02/2) D (Rs S i 03/2) T (S i 04/2) Q 式 （i)
[0212] 上記式 (i)において、 R1から R6は同じであっても異なってもよぐ有機官能基、水酸 基、水素原子力 なる群力 選択される。
また、上記式 (i)において、 M、 D、 T及び Qは、各々 0以上 1未満の数であり、且つ
、 M + D+T+Q = lを満足する数である。
[0213] 該シリコーン系材料は、半導体発光素子の封止に用いる場合、液状のシリコーン系 材料を用いて封止した後、熱や光によって硬化させて用いることができる。
[0214] シリコーン系材料を硬化のメカニズムにより分類すると、通常、付加重合硬化タイプ
、縮重合硬化タイプ、紫外線硬化タイプ、パーオキサイド架硫タイプなどのシリコーン 系材料を挙げることができる。これらの中では、付加重合硬化タイプ (付加型シリコー ン榭脂）、縮合硬化タイプ (縮合型シリコーン榭脂）、紫外線硬化タイプが好適である 。以下、付加型シリコーン系材料、及び縮合型シリコーン系材料について説明する。
[0215] 付加型シリコーン系材料とは、ポリオルガノシロキサン鎖力 有機付加結合により架 橋されたものをいう。代表的なものとしては、例えばビュルシランとヒドロシランを Pt触 媒などの付加型触媒の存在下反応させて得られる Si -C-C- Si結合を架橋点に 有する化合物等を挙げることができる。これらは市販のものを使用することができ、例 えば付加重合硬化タイプの具体的商品名としては信越ィ匕学工業社製「LPS - 1400 」「LPS— 2410」「LPS— 3400」等が挙げられる。
[0216] 一方、縮合型シリコーン系材料とは、例えば、アルキルアルコキシシランの加水分 解'重縮合で得られる Si— O— Si結合を架橋点に有する化合物を挙げることができる
具体的には、下記一般式 (ii)及び Z又は (iii)で表わされる化合物、及び Z又はそ のオリゴマーを加水分解 ·重縮合して得られる重縮合物が挙げられる。
[0217] Mm+X Y1 (ii)
n m-n
(式 (ii)中、 Mは、ケィ素、アルミニウム、ジルコニウム、及びチタンより選択される少な くとも 1種の元素を表わし、 Xは、加水分解性基を表わし、 Y1は、 1価の有機基を表わ し、 mは、 Mの価数を表わす 1以上の整数を表わし、 nは、 X基の数を表わす 1以上の 整数を表わす。但し、 m≥nである。 )
[0218] M^XY1 (iii)
t s-t
(式 (iii)中、 Mは、ケィ素、アルミニウム、ジルコニウム、及びチタンより選択される少な くとも 1種の元素を表わし、 Xは、加水分解性基を表わし、 Y1は、 1価の有機基を表わ し、 Y2は、 u価の有機基を表わし、 sは、 Mの価数を表わす 1以上の整数を表わし、 t は、 1以上、 s— 1以下の整数を表わし、 uは、 2以上の整数を表わす。 )
[0219] また、縮合型シリコーン系材料には、硬化触媒を含有させてもよい。この硬化触媒と しては、例えば、金属キレートイ匕合物などを好適なものとして用いることができる。金 属キレート化合物は、 Ti、 Ta、 Zrの何れか 1以上を含むものが好ましぐ Zrを含むも のが更に好ましい。なお、硬化触媒は、 1種のみを用いてもよぐ 2種以上を任意の組 み合わせ及び比率で併用してもょ 、。
[0220] このような縮合型シリコーン系材料としては、例えば特願 2006— 47274号〜 4727 7号明細書及び特願 2006— 176468号明細書に記載の半導体発光デバイス用部 材が好適である。
[0221] 縮合型シリコーン系材料の中で、特に好ましい材料について、以下に説明する。
シリコーン系材料は、一般に半導体発光素子や素子を配置する基板、パッケージ 等との接着性が弱いことが課題とされるが、密着性が高いシリコーン系材料として、特 に、以下の特徴〔1〕〜〔3〕のうち 1つ以上を有する縮合型シリコーン系材料が好まし い。
[0222] 〔1〕ケィ素含有率が 20重量％以上である。
〔2〕後に詳述する方法によって測定した固体 Si 核磁気共鳴 (NMR)スペクトルに おいて、下記 (a)及び Z又は (b)の Siに由来するピークを少なくとも 1つ有する。
(a)ピークトップの位置がテトラメトキシシランを基準としてケミカルシフト一 40ppm 以上、 Oppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が 0. 3ppm以上、 3. Oppm以下で あるピーク。
(b)ピークトップの位置がテトラメトキシシランを基準としてケミカルシフト一 80ppm 以上、 40ppm未満の領域〖こあり、ピークの半値幅が 0. 3ppm以上 5. Oppm以下 であるピーク。
〔3〕シラノール含有率が 0. 1重量％以上、 10重量％以下である。
[0223] 本発明においては、上記の特徴〔1〕〜〔3〕のうち、特徴〔1〕を有するシリコーン系材 料が好ましぐ上記の特徴〔1〕及び〔2〕を有するシリコーン系材料がより好ましぐ上 記の特徴〔1〕〜〔3〕を全て有するシリコーン系材料が特に好ましい。
以下、上記の特徴〔1〕〜〔3〕について説明する。
[0224] < 2- 2- 1.特徴〔1〕（ケィ素含有率） >
従来のシリコーン系材料の基本骨格は炭素 炭素及び炭素 酸素結合を基本骨 格としたエポキシ榭脂等の有機榭脂であるが、これに対し本発明のシリコーン系材料 の基本骨格はガラス (ケィ酸塩ガラス)などと同じ無機質のシロキサン結合である。こ のシロキサン結合は、下記表 2の化学結合の比較表力もも明らかなように、シリコーン 系材料として優れた以下の特徴がある。
[0225] (I)結合エネルギーが大きぐ熱分解 '光分解し難いため、耐光性が良好である。
(II)電気的に若干分極して!/ヽる。
(III)鎖状構造の自由度は大きぐフレキシブル性に富む構造が可能であり、シロキサ ン鎖中心に自由回転可能である。
(IV)酸ィ匕度が大きぐこれ以上酸化されない。
(V)電気絶縁性に富む。
[0226] [表 2]
Figure imgf000043_0001
[0227] これらの特徴から、シロキサン結合が 3次元的に、し力も高架橋度で結合した骨格 で形成されるシリコーン系のシリコーン系材料は、ガラス或いは岩石などの無機質に 近ぐ耐熱性'耐光性に富む保護皮膜となることが理解できる。特にメチル基を置換 基とするシリコーン系材料は、紫外領域に吸収を持たないため光分解が起こり難ぐ 耐光性に優れる。
[0228] 本発明に好適なシリコーン系材料のケィ素含有率は、通常 20重量％以上であるが 、中でも 25重量％以上が好ましぐ 30重量％以上がより好ましい。一方、上限として は、 SiOのみ力もなるガラスのケィ素含有率が 47重量％であるという理由から、通常
2
47重量％以下の範囲である。 [0229] なお、シリコーン系材料のケィ素含有率は、例えば以下の方法を用いて誘導結合 高周波プラズマ分光（inductively coupled plasma spectrometry:以下適宜「ICP」と略 する。）分析を行ない、その結果に基づいて算出することができる。
[0230] {ケィ素含有率の測定）
シリコーン系材料を白金るつぼ中にて大気中、 450°Cで 1時間、次いで 750°Cで 1 時間、 950°Cで 1. 5時間保持して焼成し、炭素成分を除去した後、得られた残渣少 量に 10倍量以上の炭酸ナトリウムをカ卩えてバーナー加熱し溶融させ、これを冷却し て脱塩水を加え、更に塩酸にて pHを中性程度に調整しつつケィ素として数 ppm程 度になるよう定容し、 ICP分析を行なう。
[0231] く 2— 2— 2.特徴〔2〕（固体 Si—NMR ^ベクトル） >
本発明に好適なシリコーン系材料の固体 Si— NMR^ぺクトルを測定すると、有機 基の炭素原子が直接結合したケィ素原子に由来する前記 (a)及び Z又は (b)のピー ク領域に少なくとも 1本、好ましくは複数本のピークが観測される。
[0232] ケミカルシフト毎に整理すると、本発明に好適なシリコーン系材料において、（a)に 記載のピークの半値幅は、分子運動の拘束が小さいために、全般に後述の (b)に記 載のピークの場合より小さぐ通常 3. Oppm以下、好ましくは 2. Oppm以下、また、通 常 0. 3ppm以上の範囲である。
一方、（b)に記載のピークの半値幅は、通常 5. Oppm以下、好ましくは 4. Oppm以 下、また、通常 0. 3ppm以上、好ましくは 0. 4ppm以上の範囲である。
[0233] 上記のケミカルシフト領域において観測されるピークの半値幅が大き過ぎると、分 子運動の拘束が大きくひずみの大きな状態となり、クラックが発生し易ぐ耐熱'耐候 耐久性に劣る部材となる場合がある。例えば、四官能シランを多用した場合や、乾燥 工程において急速な乾燥を行ない大きな内部応力を蓄えた状態などにおいて、半 値幅範囲が上記の範囲より大きくなる。
[0234] また、ピークの半値幅が小さ過ぎると、その環境にある Si原子はシロキサン架橋に 関わらないことになり、三官能シランが未架橋状態で残留する例など、シロキサン結 合主体で形成される物質より耐熱 '耐候耐久性に劣る部材となる場合がある。
[0235] 但し、大量の有機成分中に少量の Si成分が含まれるシリコーン系材料においては 、—80ppm以上に上述の半値幅範囲のピークが認められても、良好な耐熱'耐光性 及び塗布性能は得られな 、場合がある。
[0236] 本発明に好適なシリコーン系材料のケミカルシフトの値は、例えば以下の方法を用 いて固体 Si— NMR測定を行ない、その結果に基づいて算出することができる。また 、測定データの解析（半値幅ゃシラノール量解析）は、例えばガウス関数やローレン ッ関数を使用した波形分離解析等により、各ピークを分割して抽出する方法で行なう
[0237] {固体 Si— NMRスペクトル測定及びシラノール含有率の算出）
シリコーン系材料について固体 Si— NMRスペクトルを行なう場合、以下の条件で 固体 Si— NMRスペクトル測定及び波形分離解析を行なう。また、得られた波形デー タより、シリコーン系材料について、各々のピークの半値幅を求める。また、全ピーク 面積に対するシラノール由来のピーク面積の比率より、全ケィ素原子中のシラノール となっているケィ素原子の比率 (％)を求め、別に分析したケィ素含有率と比較するこ とによりシラノール含有率を求める。
[0238] {装置条件）
装置： Chemagnetics社 Infinity CMX-400核磁気共鳴分光装置
29Si共鳴周波数： 79. 436MHz
プローブ： 7. 5mm φ CP/MAS用プローブ
測定温度:室温
試料回転数: 4kHz
測定法：シングルパルス法
1Hデカップリング周波数： 50kHz
29Siフリップ角： 90°
29Si90°ノ レス幅： 5. O /z s
繰り返し時間： 600s
積算回数： 128回
観測幅： 30kHz
ブロードニングフアクター： 20Hz 基準試料：テトラメトキシシラン
[0239] シリコーン系材料については、 512ポイントを測定データとして取り込み、 8192ポィ ントにゼロフィリングしてフーリエ変換する。
[0240] {波形分離解析法）
フーリエ変換後のスペクトルの各ピークについてローレンツ波形及びガウス波形或 いは両者の混合により作成したピーク形状の中心位置、高さ、半値幅を可変パラメ一 タとして、非線形最小二乗法により最適化計算を行なう。
なお、ピークの同定は、 AIChE Journal, 44(5), p.1141, 1998年等を参考にする。
[0241] < 2— 2— 3.特徴〔3〕（シラノール含有率） >
本発明に好適なシリコーン系材料は、シラノール含有率が、通常 0. 1重量％以上、 好ましくは 0. 3重量％以上、また、通常 10重量％以下、好ましくは 8重量％以下、更 に好ましくは 5重量％以下の範囲である。シラノール含有率を低くすることにより、シラ ノール系材料は経時変化が少なぐ長期の性能安定性に優れ、吸湿'透湿性何れも 低い優れた性能を有する。但し、シラノールが全く含まれない部材は密着性に劣るた め、シラノール含有率に上記のごとく最適な範囲が存在する。
[0242] なお、シリコーン系材料のシラノール含有率は、例えば上記く 2— 2— 2.特徴〔2〕 ( 固体 Si— NMRスペクトル） >の{固体 Si— NMR ^ベクトル測定及びシラノール含有 率の算出 }の項において説明した方法を用いて固体 Si— NMRスペクトル測定を行 ない、全ピーク面積に対するシラノール由来のピーク面積の比率より、全ケィ素原子 中のシラノールとなっているケィ素原子の比率（％)を求め、別に分析したケィ素含有 率と比較することにより算出することができる。
[0243] また、本発明に好適なシリコーン系材料は、適当量のシラノールを含有しているた め、通常は、デバイス表面に存在する極性部分にシラノールが水素結合し、密着性 が発現する。極性部分としては、例えば、水酸基やメタロキサン結合の酸素等が挙げ られる。
[0244] また、本発明に好適なシリコーン系材料は、通常、適当な触媒の存在下で加熱する ことにより、デバイス表面の水酸基との間に脱水縮合による共有結合を形成し、更に 強固な密着性を発現することができる。 [0245] 一方、シラノールが多過ぎると、系内が増粘して塗布が困難になったり、活性が高く なり加熱により軽沸分が揮発する前に固化したりすることによって、発泡や内部応力 の増大が生じ、クラックなどを誘起する場合がある。
[0246] [2- 3.液体媒体の含有率]
液体媒体の含有率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、本発 明の蛍光体含有組成物全体に対して、通常 50重量％以上、好ましくは 75重量％以 上であり、通常 99重量％以下、好ましくは 95重量％以下である。液体媒体の量が多 い場合には特段の問題は起こらないが、半導体発光装置とした場合に所望の色度 座標、演色指数、発光効率等を得るには、通常、上記のような配合比率で液体媒体 を用いることが望ましい。一方、液体媒体が少な過ぎると流動性がなく取り扱い難くな る可能性がある。
[0247] 液体媒体は、本発明の蛍光体含有組成物にぉ 、て、主にノインダーとしての役割 を有する。液体媒体は、一種を単独で用いてもよいが、二種以上を任意の組み合わ せ及び比率で併用してもよい。例えば、耐熱性や耐光性等を目的として珪素含有ィ匕 合物を使用する場合は、当該珪素含有ィ匕合物の耐久性を損なわない程度に、ェポ キシ榭脂など他の熱硬化性榭脂を含有してもよい。この場合、他の熱硬化性榭脂の 含有量は、バインダーである液体媒体全量に対して通常 25重量％以下、好ましくは 10重量％以下とすることが望まし 、。
[0248] [2-4.その他の成分]
なお、本発明の蛍光体含有組成物には、本発明の効果を著しく損なわない限り、 蛍光体及び液体媒体以外に、その他の成分を含有させてもよい。また、その他の成 分は、 1種のみを用いてもよぐ 2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても よい。
[0249] [3.発光装置]
本発明の発光装置 (以下、適宜「発光装置」という）は、第 1の発光体 (励起光源)と 、当該第 1の発光体からの光の照射によって可視光を発する第 2の発光体とを有する 発光装置であって、該第 2の発光体として前述の [1.蛍光体]の項で記載した本発 明の蛍光体を少なくとも 1種以上第 1の蛍光体として含有するものである。 [0250] 本発明の蛍光体としては、上述の特定特性蛍光体及び Z又は特定組成蛍光体で あって、通常は、励起光源からの光の照射下において、緑色領域の蛍光を発する蛍 光体 (以下「本発明の緑色蛍光体」と言う場合がある。）を使用する。具体的に、本発 明の緑色蛍光体は、 510ηπ！〜 542nmの範囲に発光ピークを有するものが好ましい
。本発明の緑色蛍光体は、何れか一種を単独で使用してもよぐ二種以上を任意の 組み合わせ及び比率で併用してもよ!、。
[0251] 本発明の緑色蛍光体を使用することにより、本発明の発光装置は、近紫外から青 色領域までの発光を有する励起光源 (第 1の発光体）に対して高い発光効率を示し、 更には、液晶ディスプレイ用光源等の白色発光装置に使用した場合にディスプレイ の色再現範囲が広くなるという点で、優れた発光装置となる。
[0252] なお、本発明の緑色蛍光体が特定組成蛍光体のみに該当する場合でも、その発 光色の JIS Z8701に基づく CIE色度座標 X及び yの値は、以下の規定を満たすこと が望ましい。
即ち、本発明の緑色蛍光体の CIE色度座標 Xの値は、通常 0. 210以上、好ましく は 0. 240以上、より好ましくは 0. 263以上、また、通常 0. 330以下、好ましくは 0. 3 10以下、より好ましくは 0. 300以下の範囲であることが望ましい。
また、本発明の緑色蛍光体の CIE色度座標 yの値は、通常 0. 480以上、好ましく ίま 0. 490以上、より好ましく ίま 0. 495以上、また、通常 0. 670以下、好ましく ίま 0. 6 60以下、より好ましくは 0. 655以下の範囲であることが望ましい。
CIE色度座標 X及び yの値が上述の範囲を満たすことにより、白色光合成時に色再 現範囲が広くなるという利点が得られる。
[0253] また、本発明の緑色蛍光体が特定特性蛍光体のみに該当する場合でも、その重量 メジアン径は、通常 10 μ m以上、中でも 15 μ m以上、また、通常 30 μ m以下、中で も 20 μ m以下の範囲であることが好ましい。重量メジアン径が小さ過ぎると、輝度が 低下し、蛍光体粒子が凝集してしまう傾向がある。一方、重量メジアン径が大き過ぎ ると、塗布ムラやディスペンサー等の閉塞が生じる傾向がある。
[0254] なお、蛍光体の発光スペクトル、色度座標値、その他の各物性値の測定方法として は、前記 [1.蛍光体]の項で記載したのと同様の方法を用いることができる。 [0255] また、本発明の発光装置に用いられる本発明の緑色蛍光体の好ましい具体例とし ては、前述の [1.蛍光体]の欄に記載した本発明の蛍光体や、後述の [実施例]の欄 の各実施例に用いた蛍光体が挙げられる。
[0256] 本発明の発光装置は、第 1の発光体 (励起光源)を有し、且つ、第 2の発光体として 少なくとも本発明の蛍光体を使用している他は、その構成は制限されず、公知の装 置構成を任意にとることが可能である。装置構成の具体例については後述する。
[0257] 本発明の発光装置の発光スペクトルにおける緑色領域の発光ピークとしては、 515 nm〜535nmの波長範囲に発光ピークを有するものが好ましい。
[0258] なお、発光装置の発光スペクトルは、気温 25± 1°Cに保たれた室内において、ォ 一シャンォプテイクス社製の色 ·照度測定ソフトウェア及び USB2000シリーズ分光 器 (積分球仕様)を用いて 20mA通電して測定を行なうことができる。この発光スぺク トルの 380nm〜780nmの波長領域のデータから、 JIS Z8701で規定される XYZ表 色系における色度座標として色度値 (X, y, z)を算出できる。この場合、 x+y+ z= l の関係式が成立する。本明細書においては、前記 XYZ表色系を XY表色系と称して いる場合があり、通常 (x、 y)で表記している。
[0259] 本発明の発光装置は、特に白色発光装置とした場合、その NTSC比が高いという 特徴もある。具体的には、本発明の発光装置の NTSC比（％)は、通常 70以上、好ま しくは 72以上、より好ましくは 74以上である。また、 NTSC比は、数値が高ければ高 いほうが好ましいが、理論的には 150以下となるものである。
[0260] なお、 NTSC比の測定方法は以下の通りである。
日本のカラー TVの標準である NTSC方式では、基準となる R、 G、 B色度点を、 CI E色度座標上のポイント (x、 y)で次のように規定して 、る。
R (0. 67, 0. 33)、 G (0. 21, 0. 71)、 B (0. 14, 0. 08)
[0261] この RGBの 3点で形成される三角形の面積を 100とした時、求めるディスプレイの R 、 G、 Bで形成される三角形の面積、具体的には求めるディスプレイで単色 RGBを発 光させて色度 (x、 y)を測定し、 CIE色度図上にプロットして得られる三角形の面積を NTSCの標準三角形の面積で割った値に 100を掛けた値を NTSC比（％)と定義す る。 [0262] また、発光効率は、前述のような発光装置を用いた発光スペクトル測定の結果から 全光束を求め、そのルーメン (lm)値を消費電力（W)で割ることにより求められる。消 費電力は、 20mAを通電した状態で、 Fluke社の True RMS Multimeters Model 187& 189を用 、て電圧を測定し、電流値と電圧値の積で求められる。
[0263] 本発明の発光装置のうち、特に白色発光装置として、具体的には、第 1の発光体と して後述するような励起光源を用い、上述のような緑色蛍光体の他、後述するような 赤色の蛍光を発する蛍光体 (以下、適宜「赤色蛍光体」という）、青色の蛍光を発する 蛍光体 (以下、適宜「青色蛍光体」という）、黄色の蛍光を発する蛍光体 (以下、適宜「 黄色蛍光体」という）等の公知の蛍光体を任意に組み合わせて使用し、公知の装置 構成をとることにより得られる。
[0264] ここで、該白色発光装置の白色とは、 JIS Z 8701により規定された、（黄みの）白、
(緑みの）白、（青みの）白、（紫みの）白及び白の全てを含む意であり、このうち好まし くは白である。
[0265] [3- 1.発光装置の構成 (発光体) ]
(第 1の発光体）
本発明の発光装置における第 1の発光体は、後述する第 2の発光体を励起する光 を発光するものである。
[0266] 第 1の発光体の発光波長は、後述する第 2の発光体の吸収波長と重複するもので あれば、特に制限されず、幅広い発光波長領域の発光体を使用することができる。 通常は、紫外領域から青色領域までの発光波長を有する発光体が使用され、近紫 外領域から青色領域までの発光波長を有する発光体を使用することが特に好ましい
[0267] 第 1の発光体の発光波長の具体的数値としては、通常 200nm以上が望ま 、。こ のうち、近紫外光を励起光として用いる場合には、通常 300nm以上、好ましくは 330 nm以上、より好ましくは 360nm以上、また、通常 420nm以下のピーク発光波長を有 する発光体を使用することが望ましい。また、青色光を励起光として用いる場合には 、通常 420應以上、好ましくは 430nm以上、また、通常 500nm以下、好ましくは 48 Onm以下のピーク発光波長を有する発光体を使用することが望ましい。何れも、発 光装置の色純度の観点からである。
[0268] 第 1の発光体としては、一般的には半導体発光素子が用いられ、具体的には発光 LEDや半導体レーザーダイオード（semiconductor laser diode。以下、適宜「LD」と 略称する。）等が使用できる。その他、第 1の発光体として使用できる発光体としては 、例えば、有機エレクト口ルミネッセンス発光素子、無機エレクト口ルミネッセンス発光 素子等が挙げられる。但し、第 1の発光体として使用できるものは本明細書に例示さ れるものに限られない。
[0269] 中でも、第 1の発光体としては、 GaN系化合物半導体を使用した GaN系 LEDや L Dが好ましい。なぜなら、 GaN系 LEDや LDは、この領域の光を発する SiC系 LED等 に比し、発光出力や外部量子効率が格段に大きぐ前記蛍光体と組み合わせること によって、非常に低電力で非常に明るい発光が得られる力もである。例えば、 20mA の電流負荷に対し、通常 GaN系 LEDや LDは SiC系の 100倍以上の発光強度を有 する。 GaN系 LEDや LDにおいては、 Al Ga N発光層、 GaN発光層又は In Ga N
X Υ X Υ
発光層を有しているものが好ましい。 GaN系 LEDにおいては、それらの中でも In G
X
a N発光層を有するものは発光強度が非常に強いので特に好ましぐ GaN系 LED
Y
においては、 In Ga N層と GaN層の多重量子井戸構造のものが発光強度は非常に
X Y
強いので特に好ましい。
[0270] なお、上記において X+Yの値は通常 0. 8〜1. 2の範囲の値である。 GaN系 LED にお!/、て、これら発光層に Znや Siをドープしたものやドーパント無しのものが発光特 性を調節する上で好まし 、ものである。
[0271] GaN系 LEDはこれら発光層、 p層、 n層、電極、及び基板を基本構成要素としたも のであり、発光層を n型と p型の Al Ga N層、 GaN層、又は In Ga N層などでサンド
X Y X Y
イッチにしたへテロ構造を有しているもの力 発光効率が高くて好ましぐ更にへテロ 構造を量子井戸構造にしたもの力 発光効率が更に高いため、より好ましい。
なお、第 1の発光体は、 1個のみを用いてもよぐ 2個以上を任意の組み合わせ及び 比率で併用してもよい。
[0272] (第 2の発光体）
本発明の発光装置における第 2の発光体は、上述した第 1の発光体からの光の照 射によって可視光を発する発光体であり、第 1の蛍光体として前述の本発明の蛍光 体 (緑色蛍光体)を含有するとともに、その用途等に応じて適宜、後述する第 2の蛍光 体 (赤色蛍光体、青色蛍光体、橙色蛍光体等)を含有する。また、例えば、第 2の発 光体は、第 1及び第 2の蛍光体を封止材料中に分散させて構成される。
[0273] 上記第 2の発光体中に用いられる、本発明の蛍光体以外の蛍光体の組成には特 に制限はないが、結晶母体となる、 Y O、 YV04、 Zn SiO、 Y Al O 、 Sr SiO等
2 3 2 4 3 5 12 2 4 に代表される金属酸化物、 Sr Si N等に代表される金属窒化物、 Ca (PO ) CI等に
2 5 8 5 4 3 代表されるリン酸塩及び ZnS、 SrS、 CaS等に代表される硫化物、 Y O S、 La O S
2 2 2 2 等に代表される酸硫化物等に Ce、 Pr、 Nd、 Pm、 Sm、 Eu、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb等の希土類金属のイオンや Ag、 Cu、 Au、 Al、 Mn、 Sb等の金属のイオンを付活 元素又は共付活元素として組み合わせたものが挙げられる。
[0274] 結晶母体の好ましい例としては、例えば、 (Zn, Cd)S、 SrGa S、 SrS、 ZnS等の硫
2 4
化物； Y Ο S等の酸硫化物； (Υ, Gd) Al O 、 YAIO、 BaMgAl O 、 (Ba, Sr)(Mg
2 2 3 5 12 3 10 17
, Mn)Al O 、 (Ba, Sr, Ca)(Mg, Zn, Mn)Al O 、 BaAl O 、 CeMgAl O 、 (
10 17 10 17 12 19 11 19
Ba, Sr, Mg)0 -Al O、 BaAl Si O、 SrAl O、 Sr Al O , Y AI O 等のアルミン
2 3 2 2 8 2 4 4 14 25 3 5 12
酸塩; Y SiO、 Zn SiO等の珪酸塩； SnO、 Υ Ο等の酸化物； GdMgB O 、（Y, G
2 5 2 4 2 2 3 5 10 d)BO等の硼酸塩； Ca (PO ) (F, CI)、 (Sr, Ca, Ba, Mg) (PO ) CI等のハロリン
3 10 4 6 2 10 4 6 2 酸塩； Sr P O、 (La, Ce)PO等のリン酸塩等を挙げることができる。
2 2 7 4
[0275] 但し、上記の結晶母体及び付活元素又は共付活元素は、元素組成には特に制限 はなく、同族の元素と一部置き換えることもでき、得られた蛍光体は近紫外から可視 領域の光を吸収して可視光を発するものであれば用いることが可能である。
[0276] 具体的には、蛍光体として以下に挙げるものを用いることが可能である力 これらは あくまでも例示であり、本発明で使用できる蛍光体はこれらに限られるものではない。 なお、以下の例示では、前述の通り、構造の一部のみが異なる蛍光体を、適宜省略 して示している。
[0277] (第 1の蛍光体）
本発明の発光装置における第 2の発光体は、第 1の蛍光体として、少なくとも上述 の本発明の蛍光体を含有する。本発明の蛍光体は、何れか 1種を単独で使用しても よぐ 2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。また、第 1の蛍光体と しては、本発明の蛍光体以外にも、本発明の蛍光体と同色の蛍光を発する蛍光体（ 同色併用蛍光体)を用いてもよい。通常、本発明の蛍光体は緑色蛍光体であるので 、第 1の蛍光体として、本発明の蛍光体と共に他種の緑色蛍光体を併用することがで きる。
[0278] 該緑色蛍光体としては、本発明の効果を著しく損なわない限り任意のものを使用す ることがでさる。
該緑色蛍光体として具体的には、例えば、破断面を有する破断粒子から構成され、 緑色領域の発光を行なう（Mg, Ca, Sr, Ba) Si O N： Euで表わされるユウ口ピウム
2 2 2
付活アルカリ土類シリコンォキシナイトライド系蛍光体等が挙げられる。
[0279] また、その他の緑色蛍光体としては、 Sr Al O ： Eu、 (Ba, Sr, Ca)A1 0： Eu等
4 14 25 2 4 の Eu付活アルミン酸塩蛍光体、（Sr, Ba)Al Si O： Eu、 (Ba, Mg) SiO： Eu、 (Ba
2 2 8 2 4
, Sr, Ca, Mg) SiO： Eu、 (Ba, Sr, Ca) (Mg, Zn) Si O： Eu、 (Ba, Ca, Sr, Mg
2 4 2 2 7
) (Sc, Y, Lu, Gd) (Si, Ge) O ： Eu等の Eu付活珪酸塩蛍光体、 Y SiO： Ce, T
9 2 6 24 2 5 b等の Ce, Tb付活珪酸塩蛍光体、 Sr P O -Sr B O： Eu等の Eu付活硼酸リン酸
2 2 7 2 2 5
塩蛍光体、 Sr Si O - 2SrCl： Eu等の Eu付活ハロ珪酸塩蛍光体、 Zn SiO： Mn等
2 3 8 2 2 4 の Mn付活珪酸塩蛍光体、 CeMgAl O ： Tb、Y A1 0 ： Tb等の Tb付活アルミン酸
11 19 3 5 12
塩蛍光体、 Ca Y (SiO ) O： Tb、 La Ga SiO ： Tb等の Tb付活珪酸塩蛍光体、（S
2 8 4 6 2 3 5 14
r, Ba, Ca) Ga S： Eu, Tb, Sm等の Eu， Tb, Sm付活チォガレート蛍光体、 Y (Al
2 4 3
， Ga) O ： Ceゝ（Y， Ga, Tb, La, Sm, Pr, Lu) (Al, Ga) O ： Ce等の Ce付活ァ
5 12 3 5 12
ルミン酸塩蛍光体、 Ca Sc Si O ： Ceゝ Ca (Sc, Mg, Na， Li) Si O ： Ce等の Ce
3 2 3 12 3 2 3 12
付活珪酸塩蛍光体、 CaSc O： Ce等の Ce付活酸ィ匕物蛍光体、 Eu付活 サイアロン
2 4
等の Eu付活酸窒化物蛍光体、 BaMgAl O ： Eu， Mn等の Eu， Mn付活アルミン酸
10 17
塩蛍光体、 SrAl O： Eu等の Eu付活アルミン酸塩蛍光体、（La, Gd, Y) O S :Tb
2 4 2 2 等の Tb付活酸硫化物蛍光体、 LaPO： Ce, Tb等の Ce, Tb付活リン酸塩蛍光体、 Z
4
nS : Cu， Al、 ZnS : Cu， Au， Al等の硫化物蛍光体、（Y， Ga, Lu, Sc, La) BO： C
3 e， Tb、 Na Gd B O ： Ce, Tb、 (Ba, Sr) (Ca, Mg, Zn) B O ： K, Ce, Tb等の Ce
2 2 2 7 2 2 6
， Tb付活硼酸塩蛍光体、 Ca Mg (SiO ) CI： Eu, Mn等の Eu， Mn付活ハロ珪酸塩 蛍光体、（Sr, Ca, Ba) (Al, Ga, In) S： Eu等の Eu付活チオアルミネート蛍光体や
2 4
チォガレート蛍光体、 (Ca, Sr) (Mg, Zn) (SiO ) CI： Eu, Mn等の Eu, Mn付活
8 4 4 2
ハロ珪酸塩蛍光体、 M Si O N： Eu, M Si O N： Eu (但し、 Mはアルカリ土類金属
3 6 9 4 3 6 12 2
元素を表わす。）等の Eu付活酸窒化物蛍光体等を用いることも可能である。
[0280] また、緑色蛍光体としては、ピリジン フタルイミド縮合誘導体、ベンゾォキサジノン 系、キナゾリノン系、クマリン系、キノフタロン系、ナルタル酸イミド系等の蛍光色素、テ ルビゥム錯体等の有機蛍光体を用いることも可能である。
以上例示した緑色蛍光体は、何れか一種を単独で使用してもよぐ二種以上を任 意の組み合わせ及び比率で併用してもょ 、。
[0281] 本発明の発光装置に使用される第 1の蛍光体の発光ピーク波長 λ (nm)は、通常
P
500nmより大きく、中でも 510nm以上、更には 515nm以上、また、通常 550nm以 下、中でも 542nm以下、更には 535nm以下の範囲であることが好ましい。この発光 ピーク波長えが短過ぎると青味を帯びる傾向がある一方で、長過ぎると黄味を帯び
P
る傾向があり、何れも緑色光としての特性が低下する場合がある。
[0282] また、本発明の発光装置に使用される第 1の蛍光体は、上述の発光スペクトルにお ける発光ピーク半値幅（foil width at half maximum。以下適宜「FWHM」と略称する。 )力 通常 10nm以上、好ましくは 20nm以上、より好ましくは 25nm以上、また、通常 85nm以下、中でも 75nm以下、更には 70nm以下の範囲であることが好ましい。こ の半値幅 FWHMが狭過ぎると発光強度が低下する場合があり、広過ぎると色純度 が低下する場合がある。
[0283] (第 2の蛍光体）
本発明の発光装置における第 2の発光体は、その用途に応じて、上述の第 1の蛍 光体以外にも蛍光体 (即ち、第 2の蛍光体)を含有していてもよい。この第 2の蛍光体 は、第 1の蛍光体とは発光波長が異なる蛍光体である。通常、これらの第 2の蛍光体 は、第 2の発光体の発光の色調を調節するために使用されるため、第 2の蛍光体とし ては第 1の蛍光体とは異なる色の蛍光を発する蛍光体を使用することが多い。上記 のように、通常は第 1の蛍光体として緑色蛍光体を使用するので、第 2の蛍光体とし ては、例えば橙色ないし赤色蛍光体、青色蛍光体、黄色蛍光体等の緑色蛍光体以 外の蛍光体を用いる。
[0284] 本発明の発光装置に使用される第 2の蛍光体の重量メジアン径は、通常 10 m以 上、中でも 12 μ m以上、また、通常 30 μ m以下、中でも 25 μ m以下の範囲であるこ とが好ましい。重量メジアン径カ 、さ過ぎると、輝度が低下し、蛍光体粒子が凝集し てしまう傾向がある。一方、重量メジアン径が大き過ぎると、塗布ムラゃデイスペンサ 一等の閉塞が生じる傾向がある。
[0285] (橙色ないし赤色蛍光体）
第 2の蛍光体として橙色ないし赤色蛍光体を使用する場合、当該橙色ないし赤色 蛍光体は本発明の効果を著しく損なわない限り任意のものを使用することができる。 この際、橙色ないし赤色蛍光体の発光ピーク波長は、通常 570nm以上、好ましくは 580nm以上、より好ましくは 585nm以上、また、通常 780nm以下、好ましくは 700η m以下、より好ましくは 680nm以下の波長範囲にあることが好適である。
[0286] このような橙色な ヽし赤色蛍光体としては、例えば、赤色破断面を有する破断粒子 から構成され、赤色領域の発光を行なう（Mg, Ca, Sr, Ba) Si N： Euで表わされる
2 5 8
ユーロピウム賦活アルカリ土類シリコンナイトライド系蛍光体、規則的な結晶成長形状 としてほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、赤色領域の発光を行なう (Y, La , Gd, Lu) O S :Euで表わされるユーロピウム賦活希土類ォキシカルコゲナイド系蛍
2 2
光体等が挙げられる。
[0287] 更【こ、特開 2004— 300247号公報【こ記載された、 Ti、 Zr、 Hf、 Nb、 Ta、 W、及び Moよりなる群から選ばれる少なくも 1種類の元素を含有する酸窒化物及び Z又は酸 硫ィ匕物を含有する蛍光体であって、 A1元素の一部又は全てが Ga元素で置換された アルファサイアロン構造をもつ酸窒化物を含有する蛍光体も、本発明にお ヽて用いる ことができる。なお、これらは酸窒化物及び Z又は酸硫化物を含有する蛍光体である
[0288] また、そのほか、赤色蛍光体としては、 (La, Y) O S： Eu等の Eu付活酸硫ィ匕物蛍
2 2
光体、 Y(V， P) 0 :Eu、 Y O： Eu等の Eu付活酸化物蛍光体、（Ba， Mg) SiO： Eu
4 2 3 2 4
， Mn、 (Ba, Sr, Ca, Mg) SiO： Eu, Mn等の Eu， Mn付活珪酸塩蛍光体、 LiW O
2 4 2
： Eu、 LiW O： Eu, Sm、 Eu W O、 Eu W O： Nb、 Eu W O： Sm等の Eu付活タ ングステン酸塩蛍光体、（Ca, Sr) S :Eu等の Eu付活硫ィ匕物蛍光体、 YAIO： Eu等
3 の Eu付活アルミン酸塩蛍光体、 Ca Y (SiO ) O :Eu、 LiY (SiO ) O :Eu、 (Sr,
2 8 4 6 2 9 4 6 2
Ba, Ca) SiO： Eu、 Sr BaSiO： Eu等の Eu付活珪酸塩蛍光体、（Y， Gd) Al O ：
3 5 2 5 3 5 12
Ce、 (Tb, Gd) Al O ： Ce等の Ce付活アルミン酸塩蛍光体、（Mg， Ca, Sr, Ba) Si
3 5 12 2
(N， O) ： Euゝ (Mg, Ca, Sr, Ba) Si (N， O) ： Euゝ (Mg, Ca, Sr, Ba)AlSi (N, O
5 8 2
) ： Eu等の Eu付活酸ィ匕物、窒化物又は酸窒化物蛍光体、 (Mg, Ca, Sr, Ba)AlSi
3
(N, O) ： Ce等の Ce付活酸ィ匕物、窒化物又は酸窒化物蛍光体、 (Sr, Ca, Ba, Mg
3
) (PO ) CI： Eu, Mn等の Eu， Mn付活ハロリン酸塩蛍光体、 Ba MgSi O： Eu,
10 4 6 2 3 2 8
Mn、 (Ba, Sr, Ca, Mg) (Zn， Mg) Si O： Eu, Mn等の Eu， Mn付活珪酸塩蛍光
3 2 8
体、 3. 5MgO-0. 5MgF -GeO： Mn等の Mn付活ゲルマン酸塩蛍光体、 Eu付活
2 2
ひサイアロン等の Eu付活酸窒化物蛍光体、（Gd， Y, Lu, La) O： Eu, Bi等の Eu，
2 3
Bi付活酸化物蛍光体、 (Gd, Y, Lu, La) O S :Eu, Bi等の Eu, Bi付活酸硫化物蛍
2 2
光体、（Gd， Y， Lu, La)VO： Eu, Bi等の Eu， Bi付活バナジン酸塩蛍光体、 SrY S
4 2
： Eu, Ce等の Eu, Ce付活硫化物蛍光体、 CaLa S： Ce等の Ce付活硫ィ匕物蛍光体
4 2 4
、 (Ba, Sr, Ca) MgP O： Eu, Mn、 (Sr, Ca, Ba, Mg, Zn) P O： Eu, Mn等の Eu
2 7 2 2 7
， Mn付活リン酸塩蛍光体、（Y， Lu) WO： Eu, Mo等の Eu， Mo付活タングステン
2 6
酸塩蛍光体、 (Ba, Sr, Ca) Si N： Eu, Ce (但し、 x、 y、 zは、 1以上の整数を表わ
X y z
す。）等の Eu, Ce付活窒化物蛍光体、（Ca, Sr, Ba, Mg) (PO ) (F, CI, Br, O
10 4 6
H)： Eu, Mn等の Eu, Mn付活ハロリン酸塩蛍光体、 ( (Y, Lu, Gd, Tb) Sc Ce
Ι-χ-y x y
) (Ca, Mg) (Mg, Zn) Si Ge O δ等の Ce付活珪酸塩蛍光体等を用いること
2 1-r 2+r z-q q 12+
も可能である。
赤色蛍光体としては、 β ジケトネート、 βージケトン、芳香族カルボン酸、又は、 ブレンステッド酸等のァ-オンを配位子とする希土類元素イオン錯体力 なる赤色有 機蛍光体、ペリレン系顔料 (例えば、ジベンゾ { [f, f' ] -4, 4' , 7, 7'—テトラフエ- ル}ジインデノ [1, 2, 3— cd: l，， 2' , 3，一 lm]ペリレン）、アントラキノン系顔料、レー キ系顔料、ァゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラセン系顔料、イソインドリン系顔 料、イソインドリノン系顔料、フタロシアニン系顔料、トリフエ-ルメタン系塩基性染料、 インダンスロン系顔料、インドフエノール系顔料、シァニン系顔料、ジォキサジン系顔 料を用いることも可能である。
[0290] 以上の中でも、赤色蛍光体としては、 (Ca, Sr, Ba) Si (N, O) ： Eu、 (Ca, Sr, B
2 5 8
a) Si (N, O) ： Euゝ (Ca, Sr, Ba)AlSi(N, O) ： Euゝ (Ca, Sr, Ba)AlSi(N, O) ：
2 3 3
Ceゝ (Sr, Ba) SiO： Eu, (Ca, Sr) S :Eu、 (La, Y) O S :Eu又は Eu錯体を含むこ
3 5 2 2
とが好ましぐより好ましくは（Ca, Sr, Ba) Si (N, O) ： Eu、 (Ca, Sr, Ba) Si(N, O
2 5 8
) ： Euゝ (Ca, Sr, Ba)AlSi(N, O) ： Euゝ (Ca, Sr, Ba)AlSi (N, O) ： Ceゝ (Sr, B
2 3 3
a) SiO： Eu、 (Ca, Sr) S :Eu又は（La, Y) O S :Eu、もしくは Eu (ジベンゾィルメタ
3 5 2 2
ン） · 1, 10—フエナント口リン錯体等の j8—ジケトン系 Eu錯体又はカルボン酸系 Eu
3
錯体を含むことが好ましく、 (Ca, Sr, Ba) Si (N, O) ： Eu、 (Sr, Ca)AlSiN： Eu又
2 5 8 3 は（La, Y) O S :Euが特に好ましい。
2 2
[0291] また、以上例示の中でも、橙色蛍光体としては（Sr, Ba) SiO： Euが好ましい。
3 5
[0292] (青色蛍光体）
第 2の蛍光体として青色蛍光体を使用する場合、当該青色蛍光体は本発明の効果 を著しく損なわない限り任意のものを使用することができる。この際、青色蛍光体の発 光ピーク波長は、通常 420nm以上、好ましくは 430nm以上、より好ましくは 440nm 以上、また、通常 490nm以下、好ましくは 480nm以下、より好ましくは 470nm以下、 更に好ましくは 460nm以下の波長範囲にあることが好適である。
[0293] このような青色蛍光体としては、規則的な結晶成長形状としてほぼ六角形状を有す る成長粒子力 構成され、青色領域の発光を行なう（Ba, Sr, Ca) MgAl O ： Euで
10 17 表わされるユーロピウム賦活バリウムマグネシウムアルミネート系蛍光体、規則的な結 晶成長形状としてほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の発光を行 なう（Mg, Ca, Sr, Ba) (PO ) (CI, F)： Euで表わされるユウ口ピウム賦活ハロリン
5 4 3
酸カルシウム系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ立方体形状を有する成長 粒子から構成され、青色領域の発光を行なう（Ca, Sr, Ba) B O Cl:Euで表わされ
2 5 9
るユウ口ピウム賦活アルカリ土類クロロボレート系蛍光体、破断面を有する破断粒子 から構成され、青緑色領域の発光を行なう（Sr, Ca, Ba)A1 0： Eu又は（Sr, Ca, B
2 4
a) Al O ： Euで表わされるユウ口ピウム賦活アルカリ土類アルミネート系蛍光体等
4 14 25
が挙げられる。 [0294] また、そのほか、青色蛍光体としては、 Sr P O： Sn等の Sn付活リン酸塩蛍光体、（
2 2 7
Sr, Ca， Ba)A1 0 ： Eu又は（Sr， Ca， Ba) Al O ： Euゝ BaMgAl O ： Euゝ (Ba,
2 4 4 14 25 10 17
Sr, Ca) MgAl O ： Eu, BaMgAl O ： Eu， Tb， Sm、 BaAl O ： Eu等の Eu付活
10 17 10 17 8 13
アルミン酸塩蛍光体、 SrGa S： Ce、 CaGa S： Ce等の Ce付活チォガレート蛍光体
2 4 2 4
、 (Ba, Sr, Ca) MgAl O ： Eu, Mn等の Eu， Mn付活アルミン酸塩蛍光体、（Sr，
10 17
Ca， Ba, Mg) (PO ) CI： Eu、 (Ba, Sr, Ca) (PO ) (CI, F， Br, OH)： Eu, Mn
10 4 6 2 5 4 3
， Sb等の Eu付活ハロリン酸塩蛍光体、 BaAl Si O ： Eu、 (Sr, Ba) MgSi O ： Eu等
2 2 8 3 2 8 の Eu付活珪酸塩蛍光体、 Sr P O： Eu等の Eu付活リン酸塩蛍光体、 ZnS :Ag、 Zn
2 2 7
S :Ag, Al等の硫ィ匕物蛍光体、 Y SiO： Ce等の Ce付活珪酸塩蛍光体、 CaWO等
2 5 4 のタングステン酸塩蛍光体、（Ba， Sr, Ca) BPO ： Eu, Mn、 (Sr, Ca) (PO ) ·ηΒ
5 10 4 6 2
O ： Eu、 2SrO-0. 84P O ·0. 16B O ： Eu等の Eu， Mn付活硼酸リン酸塩蛍光体
3 2 5 2 3
、 Sr Si O - 2SrCl： Eu等の Eu付活ハロ珪酸塩蛍光体、 SrSi Al ON ： Eu、 EuSi
2 3 8 2 9 19 31 9
Al ON 等の Eu付活酸窒化物蛍光体等を用いることも可能である。
19 31
[0295] また、青色蛍光体としては、例えば、ナフタル酸イミド系、ベンゾォキサゾール系、ス チリル系、クマリン系、ビラリゾン系、トリァゾール系化合物の蛍光色素、ツリウム錯体 等の有機蛍光体等を用いることも可能である。
[0296] 以上の例示の中でも、青色蛍光体としては、（Ca、 Sr, Ba) MgAl O ： Eu、 (Sr,
10 17
Ca, Ba, Mg) (PO ) (CI, F) ： Eu又は（Ba, Ca, Mg, Sr) SiO： Euを含むことが
10 4 6 2 2 4
好ましく、（Caゝ Sr, Ba) MgAl O ： Euゝ (Sr, Ca, Ba, Mg) (PO ) (CI, F) ： Eu
10 17 10 4 6 2 又は（Ba, Ca, Sr) MgSi O： Euを含むことがより好ましぐ BaMgAl O ： Eu, Sr
3 2 8 10 17 10
(PO ) (CI, F) ： Eu又は Ba MgSi O： Euを含むことがより好ましい。また、このうち
4 6 2 3 2 8
照明用途及びディスプレイ用途としては（Sr, Ca, Ba, Mg) (PO ) CI： Eu又は（C
10 4 6 2
a、 Sr， Ba) MgAl O ： Euが特に好ましい。
10 17
[0297] (黄色蛍光体）
第 2の蛍光体として黄色蛍光体を使用する場合、当該青色蛍光体は本発明の効果 を著しく損なわない限り任意のものを使用することができる。この際、黄色蛍光体の発 光ピーク波長は、通常 530nm以上、好ましくは 540nm以上、より好ましくは 550nm 以上、また、通常 620nm以下、好ましくは 600nm以下、より好ましくは 580nm以下 の波長範囲にあることが好適である。
[0298] このような黄色蛍光体としては、各種の酸化物系、窒化物系、酸窒化物系、硫ィ匕物 系、酸硫化物系等の蛍光体が挙げられる。
特に、 RE M O ： Ce (ここで、 REは、 Y、 Tb、 Gd、 Lu、及び Smからなる群から選
3 5 12
ばれる少なくとも 1種類の元素を表わし、 Mは、 Al、 Ga、及び Scからなる群力も選ば れる少なくとも 1種類の元素を表わす。 )や Ma Mb Mc O ： Ce (ここで、 Maは 2価の金
3 2 3 12
属元素、 Mbは 3価の金属元素、 Meは 4価の金属元素を表わす。）等で表わされるガ 一ネット構造を有するガーネット系蛍光体、 AE MdO： Eu (ここで、 AEは、 Ba、 Sr、
2 4
Ca、 Mg、及び Znからなる群力も選ばれる少なくとも 1種類の元素を表わし、 Mdは、 S i、及び Z又は Geを表わす。）等で表わされるオルソシリケート系蛍光体、これらの系 の蛍光体の構成元素の酸素の一部を窒素で置換した酸窒化物系蛍光体、 AEAISi N： Ce (ここで、 AEは、 Ba、 Sr、 Ca、 Mg及び Znからなる群から選ばれる少なくとも 1
3
種類の元素を表わす。）等の CaAlSiN構造を有する窒化物系蛍光体等の Ceで付
3
活した蛍光体が挙げられる。
[0299] また、その他、黄色蛍光体としては、 CaGa S： Eu、 (Ca, Sr) Ga S： Eu、 (Ca, Sr
2 4 2 4
) (Ga, Al) S： Eu等の硫化物系蛍光体、 Cax (Si, Al) (O, N) ： Eu等の SiAlON
2 4 12 16 構造を有する酸窒化物系蛍光体等の Euで付活した蛍光体を用いることも可能であ る。
[0300] また、黄色蛍光体としては、例えば、 brilliant sulfoflavine FF (Colour Index Number
56205)、 basic yellow HG (Colour Index Number 46040)、 eosine (Colour Index Nu mber 45380)、 rhodamine 6G (Colour Index Number 45160)等の蛍光染料等を用い ることち可會である。
[0301] (第 2の蛍光体の組み合わせ）
上記第 2の蛍光体としては、 1種類の蛍光体を単独で使用してもよぐ 2種以上の蛍 光体を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。また、第 1の蛍光体と第 2の蛍 光体との比率も、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。従って、第 2の蛍 光体の使用量、並びに、第 2の蛍光体として用いる蛍光体の組み合わせ及びその比 率等は、発光装置の用途等に応じて任意に設定すればよい。 [0302] 本発明の発光装置において、以上説明した第 2の蛍光体 (橙色ないし赤色蛍光体 、青色蛍光体等)の使用の有無及びその種類は、発光装置の用途に応じて適宜選 択すればよい。例えば、本発明の発光装置を緑色発光の発光装置として構成する場 合には、第 1の蛍光体 (緑色蛍光体)のみを使用すればよぐ第 2の蛍光体の使用は 通常は不要である。
[0303] 一方、本発明の発光装置を白色発光の発光装置として構成する場合には、所望の 白色光が得られるように、第 1の発光体と、第 1の蛍光体 (緑色蛍光体)と、第 2の蛍光 体を適切に組み合わせればよい。具体的に、本発明の発光装置を白色発光の発光 装置として構成する場合における、第 1の発光体と、第 1の蛍光体と、第 2の蛍光体と の好ま 、組み合わせの例としては、以下の（i)〜（iii)の組み合わせが挙げられる。
[0304] (i)第 1の発光体として青色発光体 (青色 LED等)を使用し、第 1の蛍光体として緑色 蛍光体 (本発明の蛍光体等)を使用し、第 2の蛍光体として赤色蛍光体を使用する。 この場合、赤色蛍光体としては、 (Sr, Ca)AlSiN： Euからなる群より選ばれる一種
3
又は二種以上の赤色蛍光体が好まし 、。
[0305] (ii)第 1の発光体として近紫外発光体 (近紫外 LED等)を使用し、第 1の蛍光体として 緑色蛍光体 (本発明の蛍光体等)を使用し、第 2の蛍光体として青色蛍光体及び赤 色蛍光体を併用する。この場合、青色蛍光体としては、 (Ba, Sr, Ca) MgAl O
10 17： E u及び（Mg， Ca， Sr, Ba) (PO ) (CI, F)： Euからなる群より選ばれる一種又は二
5 4 3
種以上の青色蛍光体が好ましい。また、赤色蛍光体としては、 (Sr, Ca)AlSiN： Eu
3 及び La O S :Euからなる群より選ばれる一種又は二種以上の赤色蛍光体が好まし
2 2
い。中でも、近紫外 LEDと、本発明の蛍光体と、青色蛍光体として BaMgAl O ： E
10 17 uと、赤色蛍光体として（Sr， Ca)AlSiN： Euとを組み合わせて用いることが好ましい
3
[0306] (iii)第 1の発光体として青色発光体 (青色 LED等)を使用し、第 1の蛍光体として緑 色蛍光体 (本発明の蛍光体等)を使用し、第 2の蛍光体として橙色蛍光体を使用する 。この場合、橙色蛍光体としては（Sr, Ba) SiO： Euが好ましい。
3 5
[0307] また、本発明の蛍光体は、他の蛍光体と混合 (ここで、混合とは、必ずしも蛍光体同 士が混ざり合っている必要はなぐ異種の蛍光体が組み合わされていることを意味す る。）して用いることができる。特に、上記に記載の組み合わせで蛍光体を混合すると 、好ましい蛍光体混合物が得られる。なお、混合する蛍光体の種類やその割合に特 に制限はない。
[0308] (イミド 'アミド法）
上述した各種の蛍光体を製造する際に、イミドィ匕合物及び Z又はアミド化合物を原 料として用いる特定の製造方法 (これを以下「イミド 'アミド法」という場合がある。 )によ つて製造することが好ましい場合がある。以下、このイミド 'アミド法について説明する
[0309] イミド 'アミド法の製造対象となる蛍光体は、通常、 Si、 Al、ランタノイド元素、及びァ ルカリ土類金属元素からなる群より選ばれる少なくとも 1種の元素を含有する蛍光体 である。中でも、アルカリ土類金属元素を含有する窒化物蛍光体又は酸窒化物蛍光 体が好ましい。イミド 'アミド法の製造対象となる蛍光体の具体例としては、 Eu付活ひ サイアロン、 Eu付活 j8サイアロン、 （Mg, Ca, Sr, Ba) Si (N, O) ： Euゝ （Mg, Ca,
2 5 8
Sr, Ba) Si (N, O) ： Euゝ (Mg, Ca, Sr, Ba)AlSi(N, O) ： Eu, SrSi Al ON ： E
2 3 9 19 31 u、 EuSi Al ON 、 (Mg, Ca, Sr, Ba) Si O N： Eu、 （Mg, Ca, Sr, Ba) Si O
9 19 31 3 6 9 4 3 6 12
N： Eu等の Eu付活窒化物又は酸窒化物蛍光体、（Mg, Ca, Sr, Ba)AlSi (N, O)
2 3
： Ce等の Ce付活窒化物又は酸窒化物蛍光体、（Ba, Sr, Ca) Si N： Eu, Ce (但し
x y z
、 x、 y、 zは、 1以上の整数を表わす。）等の Eu, Ce付活窒化物蛍光体等が挙げられ る。
[0310] イミド'アミド法は、蛍光体を構成する一種又は二種以上の元素（例えば、アルカリ 土類金属元素）を含有するイミド化合物及び Z又はアミド化合物を原料として用いる ことを特徴とする。イミド化合物やアミドィ匕合物は、購入しても良いが、例えば、後述の 方法で合成することができる。
イミドィ匕合物又はアミドィ匕合物に含まれるアルカリ土類金属元素としては、カルシゥ ム（Ca)、ストロンチウム（Sr)、バリウム（Ba)が挙げられる。中でもストロンチウム（Sr) 、ノリウム (Ba)が好ましい。イミド化合物は、上述のアルカリ土類金属元素のうち、一 種を単独で含有して!/、てもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併有して いてもよい。 イミドィ匕合物の例としては、各種のアルカリ土類金属元素のイミドィ匕合物が用いられ るが、中でも Srのイミド化合物（例えば SrNH等）、 Baのイミド化合物（例えば BaNH 等）が好ましい。
アミド化合物の例としては、 Y(NH ) 、 Ln
2 3 (NH ) 、 Ln
2 2 (NH 、
2 ) 3 MW 2 (NH 2 ) 、
5
MW (NH ) 、 M1 Ln (NH ) 、 M1 Ln (NH ) 、 M^KNH ) 、 M2A1 (NH ) 、
2 2 7 3 2 5 3 2 6 2 4 2 5
M2 (NH ) が挙げられる。なお、式中、「Ln2」は、 2価のランタノイド元素、具体的には
2 2
、 Sm、 Eu及び Ybからなる群より選ばれる一種又は二種以上の元素を表わし、「Ln3」 は、 3価のランタノイド元素、具体的には、 Laゝ Ceゝ Prゝ Ndゝ Gdゝ Tbゝ Dyゝ Ho、 Er 及び Tm力 なる群より選ばれる一種又は二種以上の元素を表わし、「M^は、アル カリ金属元素、具体的には、 Li、 Na、 K、 Rb及び Csからなる群より選ばれる一種又 は二種以上の元素を表わし、「M2」は、アルカリ土類金属元素、具体的には、 Mg、 C a、 Sr及び Baからなる群より選ばれる一種又は二種以上の元素を表わす。これらの 定義は、本「イミド ·アミド法」の欄を通じて同様である。
イミド 'アミド法では、一種のイミド化合物又はアミドィ匕合物を単独で用いていてもよく 、二種以上のイミド化合物及び Z又はアミド化合物を任意の組み合わせ及び比率で 用いていてもよい。
[0311] イミドィ匕合物、及びアミドィ匕合物の製造方法は制限されないが、以下に具体例を挙 げて説明する。
[0312] アルカリ土類金属元素を含有するイミド化合物の製造方法としては、アルカリ土類 金属をアンモニア雰囲気で焼成する手法が挙げられる。その条件について以下に説 明する。
焼成工程は通常、原料となるアルカリ土類金属を秤量し、反応性の低い材料力ゝらな るルツボ又はトレィ等の耐熱容器中に充填し、焼成することにより行なう。焼成時に用 いる耐熱容器の材質としては、アルミナ、石英、窒化ホウ素、炭化ケィ素、窒化ケィ素 、酸化マグネシウム等のセラミックス、白金、モリブデン、タングステン、タンタル、 -ォ ブ、イリジウム、ロジウム等の金属、或いは、それらを主成分とする合金、カーボン (グ ラフアイト)等が挙げられる。ここで、石英製の耐熱容器は、比較的低温、すなわち、 1 200°C以下での熱処理に使用することができ、好ましい使用温度範囲は 1000°C以 下である。上述した耐熱容器の材質のうち、中でもアルミナ、金属が好ましい。
焼成時の温度は、通常 300°C以上、好ましくは 400°C以上、また、通常 800°C以下 、好ましくは 700°C以下の範囲である。焼成温度が低過ぎると生成反応が充分に進 まず、イミド化合物が十分に得られない場合があり、高過ぎると生成したイミドィ匕合物 が分解して反応活性の低い窒化物が生成する場合がある。
焼成時の圧力は、焼成温度等によっても異なるため特に限定されないが、通常 0. OlMPa以上、好ましくは 0. IMPa以上であり、また、通常 200MPa以下、好ましくは lOOMPa以下である。このうち、工業的には大気圧〜 IMPa程度力 コスト及び手間 の点で簡便であり好ま 、。
焼成時の雰囲気は、アンモニア雰囲気とする。但し、上記焼成温度範囲内での保 持時の雰囲気をアンモニア雰囲気とすればよぐその他の雰囲気は特に制限されな い。
焼成時間は、焼成時の温度や圧力等によっても異なるため特に制限されないが、 通常 10分以上、好ましくは 30分以上、また、通常 10時間以下、好ましくは 6時間以 下の範囲である。焼成時間が短過ぎると生成反応が不十分となる場合があり、長過ぎ ると無駄な焼成エネルギーを費やし製造コストが高くなる場合がある。
[0313] また、 Siを含有するイミド化合物の製造方法としては、例えば、以下の手法を用いる ことが出来る。原料となる SiClをへキサン中に展開し、この溶液にアンモニアガスを
4
バブリングさせ、アンモニアガスと SiClとを反応させることにより、 Si(NH)と NH C1
4 2 4 とを生成する。この溶液を不活性ガス雰囲気中で加熱し、 NH C1を取り除くことにより
4
Si(NH)を得ることができる。
2
[0314] A1のアミドィ匕合物の製造方法としては、例えば、以下の手法が挙げられる。原料と なる A1金属とアルカリ金属、あるいは、 A1金属とアルカリ土類金属をステンレス反応 管に入れ、— 30°Cになるまで冷却する。次いで、この反応管にアンモニアガスを送り 込み、液体アンモニアとして凝縮させる。その後、この反応管の上端を閉じて、下端 を 80°C以上 100°C以下の温度で加熱し、約 24時間かけて反応させ、液体アンモ- ァ中に原料とする金属を溶解させる。反応終了後、アンモニアガスを取り除き、 M'AI (NH )、あるいは、 M2A1(NH )を取り出すことにより、アミド化合物を得ることができ る。
[0315] Y、及びランタノイド元素のアミドィ匕合物の製造方法としては、例えば、以下の手法 が挙げられる。原料となるランタノイド元素の金属、又は Υ金属をステンレス反応管に 入れ、—30°Cになるまで冷却する。次いで、この反応管にアンモニアガスを送り込み 、液体アンモニアとして凝縮させる。その後、この反応管の上端を閉じて、下端を 80 °C以上 100°C以下の温度で加熱し、約 24時間かけて反応させ、液体アンモニア中 に原料とする金属を溶解させる。反応終了後、アンモニアガスを取り除き、 Y(NH )
2 3
、 Ln (NH )、 Ln (NH )を取り出すことにより、アミドィ匕合物を得ることができる。
2 2 2 3
[0316] アルカリ金属元素、及びアルカリ土類金属元素のアミド化合物の製造方法としては 、例えば、以下の手法が挙げられる。原料となるアルカリ金属、又はアルカリ土類金 属をステンレス反応管に入れ、— 30°Cになるまで冷却する。次いで、この反応管にァ ンモユアガスを送り込み、液体アンモニアとして凝縮させる。その後、この反応管の上 端を閉じて、下端を 80°C以上 100°C以下の温度で加熱し、約 24時間かけて反応さ せ、液体アンモニア中に原料とする金属を溶解させる。反応終了後、アンモニアガス を取り除き、 MJNH、あるいは、 M2 (NH )を取り出すことにより、アミドィ匕合物を得る
2 2 2
ことができる。
[0317] 次いで、上述のイミド化合物及び Z又はアミド化合物を用いた蛍光体の製造方法 について以下に説明する。
蛍光体原料としては、上述した一種又は二種以上のイミドィ匕合物及び Z又はアミド 化合物と、必要に応じてその他の化合物とを用いる。蛍光体原料となるイミド化合物 及び Z又はアミド化合物並びにその他の化合物の種類や比率は、製造対象となる蛍 光体の組成に応じて選択すればよ!ヽ。
上述の蛍光体原料を用いる点の他、イミド 'アミド法の手順は通常の蛍光体の製造 方法と同様である。即ち、蛍光体原料を秤量後、混合し (混合工程)、得られた混合 物を所定の焼成条件で焼成し (焼成工程)、必要に応じて粉砕、洗浄、表面処理等 を行なうことにより、蛍光体が製造される。なお、イミド化合物及びアミド化合物は大気 中の水分に弱いため、例えばアルゴンガス、窒素ガス等の不活性気体を充填したグ ローブボックス内で秤量や混合等の操作を行なうことが好ましい。 蛍光体原料を混合する手法は特に制限されないが、例としては、下記の (A)乾式 法及び (B)湿式法の手法が挙げられる。イミドィ匕合物及び Z又はアミドィ匕合物は水 等の極性溶媒に対して不安定であるため、通常は (A)乾式法を用いる。
(A)ハンマーミル、ロールミル、ボールミル、ジェットミル等の乾式粉砕機、又は、乳鉢 と乳棒等を用いる粉砕と、リボンブレンダー、 V型ブレンダー、ヘンシェルミキサー等 の混合機、又は、乳鉢と乳棒を用いる混合とを組み合わせ、前述の原料を粉砕混合 する乾式混合法。
(B)前述の原料に水、メタノール、エタノール等の溶媒又は分散媒を加え、粉砕機、 乳鉢と乳棒、又は蒸発皿と撹拌棒等を用いて混合し、溶液又はスラリーの状態とした 上で、噴霧乾燥、加熱乾燥、又は自然乾燥等により乾燥させる湿式混合法。
焼成工程は通常、上述の混合工程により得られた混合物を、各蛍光体原料と反応 性の低 、材料力 なるルツボ又はトレィ等の耐熱容器中に充填し、焼成することによ り行なう。焼成時に用いる耐熱容器の材質としては、アルミナ、石英、窒化ホウ素、炭 化ケィ素、窒化ケィ素、酸ィ匕マグネシウム等のセラミックス、白金、モリブデン、タンダ ステン、タンタル、ニオブ、イリジウム、ロジウム等の金属、或いは、それらを主成分と する合金、カーボン (グラフアイト)等が挙げられる。ここで、石英製の耐熱容器は、比 較的低温、すなわち、 1200°C以下での熱処理に使用することができ、好ましい使用 温度範囲は 1000°C以下である。上述した耐熱容器の材質のうち、中でもアルミナ、 金属が好ましい。
焼成時の温度は、通常 1000°C以上、好ましくは 1200°C以上、また、通常 1900°C 以下、好ましくは 1800°C以下の範囲である。焼成温度が低過ぎると発光特性が低下 する場合があり、高過ぎると目的としている蛍光体が生成しない場合がある。
焼成時の圧力は、焼成温度等によっても異なるため特に限定されないが、通常 0. OlMPa以上、好ましくは 0. IMPa以上であり、また、通常 200MPa以下、好ましくは lOOMPa以下が望ましい。
焼成時間は、焼成時の温度や圧力等によっても異なるため特に制限されないが、 通常 10分以上、好ましくは 1時間以上、より好ましくは 4時間以上、また、通常 24時 間以下、好ましくは 8時間以下、より好ましくは 6時間以下である。焼成時間が短過ぎ ると生成反応が不十分となる場合があり、長過ぎると無駄な焼成エネルギーを費やし 、製造コストが高くなる場合がある。
焼成時の雰囲気は制限されないが、通常は窒素ガス (N )雰囲気やアルゴンガス
2
雰囲気等の不活性雰囲気が好まし 、。
[0319] イミド 'アミド法を用いることにより、得られる蛍光体の輝度を向上させることができる という効果が得られるので好ましい。その理由は明らかではないが、以下のように推 測される。
即ち、イミド 'アミド法で原料として用いられるイミド化合物（例えば SrNH)やアミド化 合物は、従来の蛍光体の製法で用いられる酸ィ匕合物（例えば SrCO )と比べて酸素
3
含有量が少ないため、蛍光体原料として用いることにより、得られる蛍光体中の酸素 含有量を低下させるとともに、蛍光体の輝度を向上させることができるものと考えられ る。
また、蛍光体原料としては窒化物（例えば Sr N)を用いることもできる力 Sr N等の
2 2 窒化物は空気中で不安定である上に、 Sr等のアルカリ土類金属元素に対する Nの 比率が低いため、得られる蛍光体が結晶欠陥を生じ易い傾向にある。これに対して S rNH等のイミドィ匕合物やアミドィ匕合物は、アルカリ土類金属元素に対する Nの比率が 窒化物よりも高いため、得られる蛍光体に結晶欠陥が生じ難ぐその結果として蛍光 体の結晶性が向上し、輝度向上効果が得られるものと考えられる。
更に、イミド化合物やアミド化合物に含まれる水素 (H)が焼成中に酸素 (O)と反応 して水 (H O)を生成するため、得られる蛍光体中の酸素濃度をより一層低下させるこ
2
とがでさるちのと推測される。
イミド 'アミド法を用いることにより、上述のように蛍光体の酸素濃度が減少し、得られ る蛍光体の結晶性及び純度を向上させることができる力 これによつて、得られる蛍 光体の輝度を向上させる効果だけではなぐ Eu等の付活元素の周囲環境がより均一 となることにより、蛍光体の発光スペクトルのピークがシャープになる（即ち、発光ピー ク半値幅が狭くなる）という効果も得られるものと推測される。
[0320] (封止材料）
本発明の発光装置において、上記第 1及び Z又は第 2の蛍光体は、通常、封止材 料である液体媒体に分散させて用いられる。
該液体媒体としては、前述の [2.蛍光体含有組成物]の項で記載したのと同様のも のが挙げられる。
[0321] また、該液体媒体は、封止部材の屈折率を調整するために、高 、屈折率を有する 金属酸ィ匕物となり得る金属元素を含有させることができる。高 、屈折率を有する金属 酸化物を与える金属元素の例としては、 Si、 Al、 Zr、 Ti、 Y、 Nb、 B等が挙げられる。 これらの金属元素は単独で使用されてもよぐ 2種以上が任意の組み合わせ及び比 率で併用されてもよい。
[0322] このような金属元素の存在形態は、封止部材の透明度を損なわなければ特に限定 されず、例えば、メタロキサン結合として均一なガラス層を形成していても、封止部材 中に粒子状で存在していてもよい。粒子状で存在している場合、その粒子内部の構 造はアモルファス状であっても結晶構造であってもよいが、高屈折率を与えるために は結晶構造であることが好ましい。また、その粒子径は、封止部材の透明度を損なわ ないために、通常は、半導体発光素子の発光波長以下、好ましくは lOOnm以下、更 に好ましくは 50nm以下、特に好ましくは 30nm以下である。例えばシリコーン系材料 に、酸化珪素、酸ィ匕アルミニウム、酸ィ匕ジルコニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、 酸ィ匕ニオブ等の粒子を混合することにより、上記の金属元素を封止部材中に粒子状 で存在させることができる。
また、上記液体媒体としては、更に、拡散剤、フィラー、粘度調整剤、紫外線吸収剤 等公知の添加剤を含有して 、てもよ 、。
[0323] [3- 2.発光装置の構成 (その他) ]
本発明の発光装置は、上述の第 1の発光体及び第 2の発光体を備えていれば、そ のほかの構成は特に制限されないが、通常は、適当なフレーム上に上述の第 1の発 光体及び第 2の発光体を配置してなる。この際、第 1の発光体の発光によって第 2の 発光体が励起されて (即ち、第 1及び第 2の蛍光体が励起されて)発光を生じ、且つ、 この第 1の発光体の発光及び Z又は第 2の発光体の発光が、外部に取り出されるよう に配置されることになる。この場合、第 1の蛍光体と第 2の蛍光体とは必ずしも同一の 層中に混合されなくてもよぐ例えば、第 1の蛍光体を含有する層の上に第 2の蛍光 体を含有する層が積層する等、蛍光体の発色毎に別々の層に蛍光体を含有するよう にしてもよい。
[0324] また、本発明の発光装置では、上述の励起光源 (第 1の発光体)、蛍光体 (第 2の発 光体)及びフレーム以外の部材を用いてもよい。その例としては、前述の封止材料が 挙げられる。該封止材料は、発光装置において、蛍光体 (第 2の発光体)を分散させ る目的以外にも、励起光源 (第 1の発光体)、蛍光体 (第 2の発光体)及びフレーム間 を接着する目的で用いたりすることができる。
[0325] [3- 3.発光装置の実施形態]
以下、本発明の発光装置について、具体的な実施の形態を挙げて、より詳細に説 明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなぐ本発明の要旨を逸 脱しな 、範囲にぉ 、て任意に変形して実施することができる。
[0326] 本発明の発光装置の一例における、励起光源となる第 1の発光体と、蛍光体を有 する蛍光体含有部として構成された第 2の発光体との位置関係を示す模式的斜視図 を図 1に示す。図 1中の符号 1は蛍光体含有部 (第 2の発光体)、符号 2は励起光源（ 第 1の発光体)としての面発光型 GaN系 LD、符号 3は基板を表す。相互に接触した 状態をつくるために、 LD (2)と蛍光体含有部 (第 2の発光体）（1)とそれぞれ別個に 作製し、それらの面同士を接着剤やその他の手段によって接触させてもよいし、 LD ( 2)の発光面上に蛍光体含有部 (第 2の発光体)を製膜 (成型)させてもょ ヽ。これらの 結果、 LD (2)と蛍光体含有部 (第 2の発光体）（1)とを接触した状態とすることができ る。
[0327] このような装置構成をとつた場合には、励起光源 (第 1の発光体)からの光が蛍光体 含有部 (第 2の発光体)の膜面で反射されて外にしみ出るという光量損失を避けること ができるので、装置全体の発光効率を良くすることができる。
[0328] 図 2 (a)は、一般的に砲弾型と言われる形態の発光装置の代表例であり、励起光源
(第 1の発光体)と蛍光体含有部 (第 2の発光体)とを有する発光装置の一実施例を 示す模式的断面図である。該発光装置 (4)において、符号 5はマウントリード、符号 6 はインナーリード、符号 7は励起光源 (第 1の発光体)、符号 8は蛍光体含有榭脂部、 符号 9は導電性ワイヤ、符号 10はモールド部材をそれぞれ指す。 [0329] また、図 2 (b)は、表面実装型と言われる形態の発光装置の代表例であり、励起光 源 (第 1の発光体)と蛍光体含有部 (第 2の発光体)とを有する発光装置の一実施例 を示す模式的断面図である。図中、符号 22は励起光源 (第 1の発光体)、符号 23は 蛍光体含有部 (第 2の発光体)としての蛍光体含有榭脂部、符号 24はフレーム、符 号 25は導電性ワイヤ、符号 26及び符号 27は電極をそれぞれ指す。
[0330] [3-4.発光装置の用途]
本発明の発光装置の用途は特に制限されず、通常の発光装置が用いられる各種 の分野に使用することが可能である力 色再現範囲が広ぐ且つ、演色性も高いこと から、中でも照明装置や画像表示装置の光源として、とりわけ好適に用いられる。
[0331] [3-4- 1.照明装置]
本発明の発光装置を照明装置に適用する場合には、前述のような発光装置を公知 の照明装置に適宜組み込んで用いればよい。例えば、図 3に示されるような、前述の 発光装置 (4)を組み込んだ面発光照明装置（11)を挙げることができる。
[0332] 図 3は、本発明の照明装置の一実施形態を模式的に示す断面図である。この図 3 に示すように、該面発光照明装置は、内面を白色の平滑面等の光不透過性とした方 形の保持ケース（12)の底面に、多数の発光装置（13) (前述の発光装置 (4)に相当 )を、その外側に発光装置（13)の駆動のための電源及び回路等（図示せず。）を設 けて配置し、保持ケース（12)の蓋部に相当する箇所に、乳白色としたアクリル板等 の拡散板（14)を発光の均一化のために固定してなる。
[0333] そして、面発光照明装置（11)を駆動して、発光装置（13)の励起光源 (第 1の発光 体）に電圧を印加することにより光を発光させ、その発光の一部を、蛍光体含有部（ 第 2の発光体)としての蛍光体含有榭脂部における前記蛍光体が吸収し、可視光を 発光し、一方、蛍光体に吸収されなかった青色光等との混色により演色性の高い発 光が得られ、この光が拡散板（14)を透過して、図面上方に出射され、保持ケース（1 2)の拡散板（14)面内において均一な明るさの照明光が得られることとなる。
[0334] [3-4- 2.画像表示装置]
本発明の発光装置を画像表示装置に適用する場合には、その画像表示装置の具 体的構成に制限は無いが、例えば、図 4及び図 5に示すようなものが代表例として例 示される。
[0335] 図 4は、本発明の画像表示装置の一実施形態について説明するもので、画像表示 装置の要部を模式的に示す分解断面図である。なお、図 4に示す表示装置におい ては、観察者は図中右側力 表示装置が表示する画像を見るようになって 、るものと する。
[0336] 本実施形態の表示装置（15)は、励起光を発する光源（16)と、該光源（16)から発 せられた光を吸収して可視光を発する蛍光体を含有する蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)とを備える。また、表示装置（15)は、フレーム（18)、偏光子（19)、光シャツタ 一 (20)、検光子 (21)を備えて!/、る。
以下、各部材について説明を行なう。
[0337] [フレーム]
フレーム（18)は、表示装置（15)を構成する光源（16)等の部材を保持する基部で あり、その形状は任意である。
また、フレーム（18)の材質も任意であり、例えば、金属、合金、ガラス、カーボン等 の無機材料、合成樹脂等の有機材料など、用途に応じて適当なものを用いることが できる。
[0338] 但し、光源（16)から発せられた光を有効に活用し、表示装置（15)の発光効率を 改善する観点からは、光源（16)から発せられた光が当たるフレーム（18)の面は、当 たった光の反射率を高められていることが好ましい。従って、少なくとも光が当たる面 は、反射率が高い素材により形成されていることが好ましい。具体例としては、ガラス 繊維、アルミナ粉、チタニア粉等の高い反射率を有する物質を含んだ素材 (射出整 形用榭脂など)でフレーム（18)の全体又はフレーム（18)の表面を形成することが挙 げられる。
[0339] また、フレーム（18)の表面の反射率を高める具体的な方法は任意であり、上記の ようにフレーム（18)自体の材料を選択するほか、例えば、銀、白金、アルミニウム等 の高反射率を有する金属や合金でメツキ、或いは蒸着処理することにより、光の反射 率を高めることちできる。
[0340] なお、反射率を高める部分は、フレーム（18)の全体であっても一部であってもよい 力 通常は、光源（16)力 発せられる光が当たる部分の全表面の反射率が高められ ていることが望ましい。
[0341] 更に、通常はフレーム（18)には光源（16)に対して電力を供給するための電極や 端子等が設けられる。この際、電極や端子と光源（16)とを接続する手段は任意であ り、例えば、光源（16)と電極や端子とをワイヤボンディングにより結線して電力供給 することができる。用いるワイヤに制限はなぐ素材や寸法などは任意である。例えば 、ワイヤの素材としては金、アルミニウム等の金属を用いることができ、また、その太さ は通常 20 μ m〜40 μ mとすることができる力 ワイヤはこれに限定されるものではな い。
[0342] また、光源（16)に電力を供給する他の方法の例としては、バンプを用いたフリップ チップ実装により光源（16)に電力を供給する方法が挙げられる。
[0343] 更に、光源（16)に電力を供給する場合には、ハンダを用いるようにしてもよい。ノヽ ンダは優れた放熱性を発揮するため、放熱性が重要となる大電流タイプの LEDや L Dなどを光源（16)における励起光源 (第 1の発光体)として用いた場合に、表示装置 (15)の放熱性を向上させることができるためである。ハンダの種類は任意であるが、 例えば、 AuSn、 AgSn等を用いることができる。
[0344] また、電極や端子に接続して電力の供給経路に用いる他、ハンダは、単にフレーム
(18)に光源（16)を設置するために用いるようにしてもよ!/、。
[0345] 更に、ハンダ以外の手段によって光源（16)をフレーム（18)に取り付ける場合には 、例えば、エポキシ榭脂、イミド榭脂、アクリル榭脂等の接着剤を用いてもよい。この 場合、接着剤に銀粒子、炭素粒子等の導電性フィラーを混合させてペースト状にし たものを用いることにより、ハンダを用いる場合のように、接着剤を通電して光源（16) に電力供給できるようにすることも可能である。更に、これらの導電性フィラーを混合 させると、放熱性も向上するため、好ましい。
[0346] 本実施形態においては、表面の反射率を高めた平板状のフレーム（18)を用い、そ の表面には、光源（16)に電力を供給するための端子（図示省略）が設けられている ものとする。また、その端子には、電源（図示省略)から電力が供給されるようになって いるものとする。 [0347] [光源]
光源（16)は前述のような本発明の発光装置において励起光を発する第 1の発光 体に位置づけられるものである。該光源（16)から発せられる光は、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)に含有される蛍光体を励起する励起光となる。更に、光源（16)が 発する光自体を表示装置（15)の観察者が見ることができるようにすることも可能であ り、その場合、光源（16)から発せられた光は画素が発する光自体ともなる。
[0348] 光源（16)が発する光の波長は、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)内の蛍光体を 励起することが可能であれば、紫外領域又は可視領域にある光を任意に用いること ができる。該光源力 発せられる光の波長の望ましい範囲を挙げると、主発光ピーク 波長が、通常 350nm以上、好ましくは 380nm以上、より好ましくは 390nm以上、ま た、通常 500nm以下、好ましくは 480nm以下、より好ましくは 470nm以下である。こ の範囲の下限を下回ると、光シャッター (20)として液晶光シャッターを用いた場合に 光源（16)が発する光により液晶物質自体が破壊される可能性があるからである。一 方、上記の範囲の上限を超えると、蛍光体の発光効率が低くなり画素の輝度の低下 が起こったり色再現範囲が狭くなつたりする可能性があるため、好ましくない。
[0349] なお、光源（16)が発する励起光の波長が可視領域にある場合には、光源（16)が 発する光をそのまま画像の表示に用いるようにしてもよい。この場合に、光源（16)が 発する光の光量を光シャッター (20)が調節することで、その光源（16)が発する光を 用いた画素の輝度が調整されることになる。例えば、光源（16)が波長 450ηπ！〜 47 Onmの青色光を発する場合、その青色光をそのまま表示装置（15)の画素が発する 光として用いることができる。但し、この場合には蛍光体を用いて波長変換を行うこと は不要となるため、当該青色の画素に対応した蛍光体部はなくても構わない。
[0350] 光源の例としては、 LED、蛍光ランプ、端面発光型又は面発光型の LD、エレクト口 ルミネセンス素子などが挙げられる。中でも通常は、 LEDや蛍光ランプが好ましい。 更に、蛍光ランプは、従来使用されている冷陰極管、熱陰極管を使用することができ る力 白色光を使用すると青、緑、赤色の発光領域に他の色が混入してくるため、フ ィルター等を使用して白色光の中の近紫外領域のみを取り出すことが望まし 、。中で も特に好ましくは、近紫外蛍光体のみを塗布した蛍光ランプを使用すれば消費電力 低減に効果的である。
[0351] 蛍光ランプに用いる蛍光体としては、例えば、 SrMgP O： Eu (発光波長 394nm)
2 7
、 Sr (PO ) ： Eu (発光波長 408nm)、 (Sr, Ba)Al Si O： Eu (発光波長 400nm)、
3 4 2 2 2 8
Y Si O： Ce (発光波長 385nm)、 ZnGa O： Li, Ti (発光波長 380nm)、 YTaO： N
2 2 7 2 4 4 b (発光波長 400nm)、 CaWO (発光波長 410nm)、 BaFX:Eu (Xはハロゲン，発光
4
波長 380nm)、 (Sr, Ca) 0 - 2B O： Eu (発光波長 380〜450nm)、 SrAl O ： Eu (
2 3 12 14 発光波長 400nm)、および Y SiO： Ce (発光波長 400nm)などが挙げられる。なお
2 5
、これらは 1種を単独で用いてもよぐ 2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用 してちよい。
[0352] 一方、 LEDとしては、最近は高輝度の近紫外発光無機半導体 LEDも入手できるこ とから、これらの光源を使用したバックライトの使用も可能である。特に近紫外発光無 機半導体 LEDは、選択的に本発明に好ましい波長領域での光を放出できることから 好適に用いることができる。例えば、 InGaNを発光層とする公知の単一又は多重量 子井戸構造の青色 LEDや、 AlInGaN、 GaN又は AlGaNを発光層とする公知の単 一又は多重量子井戸構造の近紫外 LEDが好ま 、。
[0353] 更に、光源（16)から発せられた光は、直接に蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)に 入射させるほか、導光板や光拡散板を用いて面状発光へ変換して蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)に入射させるようにしてもよぐまた、反射板を設置して一度反射さ せて力も蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)に入射させるようにしてもよい。なお、フレ ーム（18)として高 、反射率を有するものを用いたように、光源（16)の背面 (光シャツ ター（20)とは逆側）に反射板を設けるようにすれば、光源（16)から発せられる光の 利用効率を高めることができる。
[0354] 光源（16)カゝら発せられた光を面状発光へ変換する変 構は任意であるが、例 えば、石英板、ガラス板、アクリル板などの導光板と、 A1シート、各種金属蒸着膜など 反射機構と、 TiO系化合物を用いたパターン、光拡散シート、光拡散プリズムなどの
2
光拡
散機構とが、単独、好ましくは複数組み合わせられたものを用いることができる。特に
、導光板、反射板、拡散板などを用いて光源（16)を面発光体化して光を面状光に 変換する変 構は、本実施形態において好適に用いられる。また、例えば、液晶 表示装置用途などで使用されている変 構も好適に使用することができる。
[0355] 更に、光源（16)をフレーム（18)に設置する際、その設置手段に制限は無ぐ公知 の任意の手段を用いることができる。従って、上述したように、例えば、光源（16)をノ、 ンダ等を用いてフレーム（18)に設置することができる。
[0356] 本実施形態では、光源（16)として面状発光する面発光体を用いている。また、光 源（16)への電力供給は、相互接続回路やワイヤ等を用いて、フレーム（18)上の端 子と光源（16)の電極とを電気的に接続することにより行われているものとする。
[0357] [偏光子]
光源（16)の前方（図中右側）、詳しくは光源（16)と光シャッター（20)との間には、 偏光子（19)を設けることが好ましい。偏光子（19)は、光源（16)から発せられた光の うち所定方向の光のみを選択するために設けられるものである。本実施形態におい ても、偏光子（19)を光源（16)と光シャッター（20)との間に設置しているものとする。
[0358] [光シャッター]
本実施形態において、光シャッター（20)は、照射された光を、光量を調節して透過 させるものである。詳しくは、背面に照射された光を、表示する画像に対応して、画素 毎に、光量を調節して前方に透過させる部材である。本実施形態の場合、光シャツタ 一（20)は、光源（16)力も蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)へ発せられる光の光量 を、各画素毎に調節して前方に透過させるようになつている。なお、光源（16)が発し た光をそのまま画素の光として用いる場合にも、光源（16)が発した光の光量を調節 して前方に透過させるように構成する。
[0359] 詳しく説明すると、表示装置（15)をマルチカラーもしくはフルカラーディスプレイと して構成する場合は、上記の蛍光体を 2種類以上、独立に光波長変換機構として定 められた領域 (即ち、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B) )に配置する。本実施形態に おいては、これらの蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)に照射する励起光の光量をそ れぞれ光シャッター（20)により調節して蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)が発する 光の光量を調節し、表示装置（15)に所望の画像を多色発光にて表示させることが できるようになつている。 [0360] また、光シャッター (20)の種類によっては、特定の波長領域の光にっ 、てのみ、光 量の調節が可能なものがある。従って、光シャッター（20)としては、光源（16)が発す る光の波長領域にぉ 、て、光の光量を調節して光のスイッチングが可能なものを用 いるようにする。なお、表示装置（15)の構成によっては、光源（16)からの光ではなく 蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)力も発せられる光を光シャッター（20)に光量調節 させることもある力 その場合には、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)力も発せられ る光波長領域において、光の光量を調節して光のスイッチングが可能なものを用いる ようにする。通常、光源（16)が発する光や蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)が発す る光の中心波長は、通常 350nm以上、また、通常 780nm以下、好ましくは 420nm 以下であるので、光シャッター（20)は、この波長域の光の光量を調節できるものが望 ましい。
[0361] また、光シャッター (20)の機構は、通常、複数の画素（ピクセル)の集合体力もなる 。但し、画面サイズ、表示方式、用途などにより、画素の数量及びサイズ並びに配列 方式は変化し、特に一定の値に制限されるものではない。従って、光シャッター（20) の画素の寸法に制限は無ぐ本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。
[0362] 例えば、通常のディスプレイ用途では、一画素のサイズは 500 μ m角以下が好まし い。更に、好適な画素サイズとして、現在実用化されている液晶ディスプレイの値とし て、画素数が 640 X 3 X 480、単色一画素サイズが 100 m X 300 m程度とするこ とがより好ましい。
[0363] 更に、光シャッター（20)自体の数量や寸法にも制限は無ぐ本発明の効果を著しく 損なわない限り任意である。例えば、光シャッター（20)の厚さは、通常 5cm以下のも のが有用であり、薄型化及び軽量ィ匕を考慮すれば lcm以下であることが好ましい。
[0364] また、表示装置（15)を平面型表示装置とする場合においては、階調表示を可能と するために、電気的制御により画素の光透過率を任意の値に変化せしめる光シャツ ター（20)を好適に用いることができる。光透過率の絶対値や、その変化のコントラス ト及び速度応答性は、高いほど好ましい。
[0365] これらの要件を満たす光シャッター（20)の例としては、 TFT (Thin Film Transistor) 、 STN (Super Twisted Nematic liquid crystal)、強誘電、反強誘電、 2色性色素を用 いたゲストホスト、ポリマー分散型である PDN (Polymer Dispersed Network)方式など の透過型液晶光シャッター；酸化タングステン、酸化イリジウム、プルシアンブルー、 ビオローゲン誘導体、 TTF ポリスチレン、希土類金属—ジフタロシア-ン錯体、ポリ チォフェン、ポリア-リンなどに代表されるエレクトクロミック、ケミカルクロミックなどが 挙げられる。中でも液晶光シャッターは、薄型、軽量、低消費電力を特徴とし、実用 的な耐久性があってセグメントの高密度化も可能であることから好適に用いられる。こ の中で特に望まし 、ものは、 TFTアクティブマトリックス駆動や PDN方式を用いた液 晶光シャッターである。その理由は、ねじれネマティック液晶を使用したアクティブマト リックスでは、動画に対応した高速応答性やクロストークが起きないこと、 PDN方式で は偏光子（21)が必要ないので、光源（16)や蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)から の光の減衰が少なく高輝度な発光が可能になるからである。
[0366] また、表示装置（15)には、通常、表示装置（15)に表示させる画像に応じて画素毎 に光量の調節を行うよう〖こ光シャッター (20)を制御する制御部（図示省略)を設ける 。光シャッター（20)は、この制御部の制御に応じて各画素力 発せられる可視光の 光量を調節し、これにより、所望の画像が表示装置（15)によって表示されるようにな つている。
[0367] 光シャッター（20)によって画素の輝度を調整するようにすることで、表示装置（15) は、制御部の制御回路をより簡単にすることができる。例えば、光源（16)として LED を用い、その LEDの発光強度等を制御することによって画素の輝度調整を行う場合 には、 LEDの電流一輝度特性が経時変化するため、表示する像を制御する制御回 路が複雑になる場合がある。これに対し、本実施形態のように光源（16)力 発せら れた光の光量を調節する光シャッター（20)部分を設け、光シャッター (20)によって 画素の輝度を調整するようにすれば、液晶光シャッター等の光シャッターの多くは電 圧制御であるため、簡単な制御回路で輝度を調整することができる。
[0368] 本実施形態においては、背面電極（20— 1)、液晶層（20— 2)、及び前面電極（20
3)が上記の順に重ねられた液晶光シャッターを光シャッター（20)として用いてい て、光シャッター（20)は、偏光子（19)の前方（図中右方）に設けられているものとす る。なお、背面電極（20—1)及び前面電極（20— 3)は表示装置（15)に用いる光を 吸収しない透明電極にて構成されているものとする。そして、この液晶光シャッターで は、背面電極 (20- 1)及び前面電極 (20- 3)に印加する電圧によって液晶層（20 - 2)内の液晶の分子配列を制御され、この分子配列によって背面側に照射される光 それぞれの光量を、各画素毎 (即ち、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)毎）に調節さ れるようになっている。
[0369] [検光子]
光シャッター（20)の前方には、通常、光シャッター（20)を透過して光量を調節され た光を受け付ける検光子（21)が設けられる。検光子（21)は、光シャッター（20)を通 過した光のうち一定の偏光面のみをもつものを選択するためのものである。
[0370] 本実施形態においても、光シャッター (20)の前方、詳しくは、光シャッター (20)と 蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)との間には検光子（21)が設けられているものとす る。
[0371] [蛍光体部]
蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)は、光源（16)が発した励起光を吸収し、表示装 置（15)が表示する画像を形成するための可視光を発する蛍光体を含有する部分で ある。また、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)は画素に対応して通常 1つずつ設けら れ、表示装置（15)の画素が発することになる光を生じるようになつている。従って、本 実施形態では、観察者は、この蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)が発する蛍光を見 て画像を認識するようになって ヽる。
[0372] 上記蛍光体部において用いる蛍光体としては、少なくとも緑色蛍光体として本発明 に係るものを用い、且つ、本発明の効果を著しく損なわない限り任意の蛍光体を用い ることができる。これらの蛍光体の具体例としては、前述の第 1の蛍光体及び第 2の蛍 光体として例示したものなどが挙げられる。
[0373] 更に、該蛍光体は、 1種類、または、 2種類以上の蛍光体をブレンドして用いられる 。蛍光体の発光色は、その用途によって適切な色があるので特に限定されないが、 例えばフルカラーディスプレイを作製する場合には、色純度の高い青、緑、赤色発光 体が好ましく用いられる。その適切な色の表現方法にっ 、ては幾つかの方法がある 1S 簡便には発光の中心波長や CIE色度座標などが使用される。また、光波長変換 機構がモノクロ表示やマルチカラー表示であるときは、紫、青紫、黄緑、黄色、オレン ジ色に発色する蛍光体を含むことが好ましい。また、これらの蛍光体の 2つ以上を混 合して色純度の高!、発光を行ったり、中間色や白色の発光を行ってもょ 、。
[0374] また、該蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)には、蛍光体を外部環境からの外力や 水分など力も保護するために通常、ノインダーを用いる。
該ノインダ一としては、本用途に通常用いられるものであれば、特に限定はされな いが、上述の液体媒体として記載したような無色透明の材料が用いられる。
[0375] また、蛍光体部 (17R) , (17G) , (17B)にお!/、て、蛍光体部 (17R) , (17G) , (17 B)内に占めるバインダーの割合は本発明の効果を著しく損なわない限り任意である 力 蛍光体 100重量部に対し、通常 5重量部以上、好ましくは 10重量部以上、また、 通常 95重量部以下、好ましくは 90重量部以下である。この範囲の下限を下回ると蛍 光体部（17R) , (17G) , (17B)がもろくなる可能性があり、上限を上回ると発光強度 が低くなる可能性がある。
[0376] また、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)には、バインダーや蛍光体以外の添加剤 を含有させてもよい。添加剤としては、例えば、視野角を更に増やすために拡散剤を 含有させてもよい。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸ィ匕ァ ルミ-ゥム、酸ィ匕珪素などが挙げられる。また、添加剤としては、例えば、所望外の波 長をカットする目的で有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることもできる。 なお、これらの添加剤は、それぞれ 1種を単独で用いてもよぐ 2種以上を任意の組 み合わせ及び比率で併用してもょ 、。
[0377] 更に、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)は、公知の任意の方法で作製することが できる。例えば、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)は、バインダーと蛍光体と溶剤と からなる混合物（塗布液)を、スクリーン印刷法によって、光シャッター (20)の画素に 対応する間隔でモザイク状、アレイ状、あるいはストライプ状に、透明基板（17— 1)上 に形成することができる。
[0378] また、各蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)の間に、外光の吸収のためにブラックマ トリックス層（17— 2)を形成してもよい。ブラックマトリックス層（17— 2)は、ガラスなど の透明基板（17— 1)上に、感光性の榭脂の感光原理を利用してカーボンブラックか らなる光吸収膜を製造する工程により形成してもよいし、榭脂とカーボンブラックと溶 剤とからなる混合物をスクリーン印刷法で積層して形成してもよい。
[0379] また、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)の形状は任意である。例えば、表示装置（ 15)をマルチカラー表示とする場合、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)などの発光 領域には、光シャッター機構のピクセル形状に合わせて、定められた色に発光する 蛍光体を配置することになるが、その蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)の形状として は、情報表示に必要なセグメント形状、マトリックス形状が挙げられ、マトリックス形状 の中では、ストライプ構造、デルタ構造などが好ましい形態として挙げることができる。 更に、モノクロ表示の場合は、上記の形状の他、均一に蛍光体を塗布したものでも可 能である。
[0380] 更に、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)の寸法も任意である。例えば、その厚みは 本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常、 1cm以下とすると好適に 用いることができる。更に、薄型、軽量ィ匕が求められるフラットパネルディスプレイにお いては、 2mm以下の厚みにすることがより好ましい。特に、発光光線の出射率とのバ ランスを考慮すると、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)の厚みは、通常 以上、 好ましくは 5 μ m以上、より好ましくは 10 μ m以上、また、通常 1000 μ m以下、好まし くは 500 μ m以下、より好ましくは 200 μ m以下である。
[0381] ところで、上述したように、光源（16)から青色光等の可視光を発するようにした場合 には、その光源（16)から発せられる可視光を画素が発する光として用いることができ る。その場合には、当該可視光に対応した光と同じ色の蛍光を発する蛍光体部は必 須ではない。例えば、光源（16)として青色発光 LEDを用いた場合には、青色蛍光 体を含む蛍光体部は不要である。従って、その光源（16)力 発せられた可視光が、 光シャッターにより光量を調節されて表示装置（ 15)の外部に発せられるようにすれ ば、必ずしもすべての画素において蛍光体を用いなくとも良い。但し、その場合でも、 光源（16)が発する可視光を効率よく外部に放出させたり、散乱させたり、所望外の 波長の光をカットしたりするため、光源（16)が発した可視光に、バインダーに添加剤 を含有させた光透過部を透過させるようにすることが望まし 、。
[0382] 上述のような画像表示装置は、使用時に光源（16)を所定の強度で発光させる。光 源（16)力 発せられた光は、偏光子（19)で偏光面を揃えられた後、光シャッター（2 0)に入射する。
[0383] 光シャッター (20)は、制御部（図示省略)の制御に従って、表示しょうとする画像に 応じて背面側から入射した光の光量を画素毎に調節し、前方に透過させる。具体的 には、透明電極（20— 1)及び（20— 3)に印加する電圧を制御することにより、各画 素に対応する部位の液晶の配向性を調整し、これにより、画素毎にどれだけの強さ の光を透過させるか調節しながら、背面に受光した光を前方に透過させる。
[0384] 光シャッター (20)を通った光は、検光子（21)を介して、それぞれ、対応する蛍光 体部（17R) , (17G) , (17B)に入射する。
[0385] 蛍光体部（17R)では、蛍光体部（17R)内に分散した赤色蛍光体が入射光を吸収 し、赤色の蛍光を発する。また、蛍光体部（17G)では、蛍光体部（17G)内に分散し た緑色蛍光体が入射光を吸収し、緑色の蛍光を発する。更に、蛍光体部（17B)では 、蛍光体部（17G)内に分散した青色蛍光体が入射光を吸収し、青色の蛍光を発す る。
[0386] この際、入射光の光量が、形成しょうとする画像に応じて光シャッター（20)により画 素毎に調節されているので、各蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)が発する蛍光（可 視光)の光量も画素毎に調節され、所望の画像が形成される。
[0387] こうして生じた赤色、緑色及び青色の蛍光は、透明基板（17— 1)を介して表示装 置（15)の外部（図中右側）に発せられる。観察者は、この透明基板（17— 1)の表面 から発せられる光を見て、画像を認識する。
[0388] 上記のように構成することによって、画像表示装置（15)は、蛍光体部（17R) , (17 G) , (17B)に含まれるバインダーの光劣化着色を抑制することができる。従って、画 像表示装置（15)が表示する画像の色や輝度が経時的に劣化することを防止できる
[0389] 更に、上記表示装置によれば、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)内の水分量を少 なくすることができるために、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)内蛍光体の劣化を抑 制することも可能となる。
[0390] また、上記画像表示装置（15)によれば、液晶光シャッターを用いた表示装置とは 異なり、視野角によって画素の輝度が低下したり色が変化したりすることを防止するこ とがでさる。
[0391] 図 5は、本発明の画像表示装置の別の実施形態について説明するもので、画像表 示装置の要部を模式的に示す分解断面図である。なお、図 5に示す表示装置にお
V、ては、観察者は図中右側から表示装置が表示する画像を見るようになって 、るも のとする。また、図 5において、図 4と同様の符号を用いて示す部位は、図 4と同様の ものを表わす。
[0392] 該画像表示装置（15' )は、画像表示装置（15)において、蛍光体部が光源（16)と 偏光子（19)の間に存在するものである。本画像表示装置における各構成部材は、 前述の表示装置（15)と同様のものが挙げられる。
[0393] また、光シャッター（20)の画素間にブラックマトリックス（図示省略）が設けられてい ることが好ましい。ブラックマトリックスは画素間のすきまを黒くし、画像を見やすくする 作用を有する。ブラックマトリックスの材質としては、例えば、クロム、炭素、または炭素 またはその他黒色物質を分散した榭脂が用いられるが、これに限定されるものではな い。本実施形態においては、光シャッター（20)を透過した光を観察者が見ることにな るため、光シャッターに、このブラックマトリックスを設けてある。
[0394] また、本実施形態の表示装置（15' )においては、上記のように構成部材の配置順 を変更したため、光シャッター（20)は、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)力も発せら れる光の光量を、各画素毎に調節して前方に透過させるようになつている。即ち、光 源（16)から発せられた光を蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)に入射させて蛍光体 部（17R) , (17G) , (17B)内の蛍光体を発光させ、その蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)内の蛍光体が発した光の光量を、画素毎に光シャッター（20)が調節し、前方 に透過させ、光シャッター（20)によって光量を調節された光によって、表示装置（15 ' )に所望の画像を多色発光にて表示させることができるようになって!/、る。
[0395] 従って、画像表示装置 15においては、光シャッター（20)として、光源（16)が発す る光の波長領域にぉ 、て光の光量を調節しうるものを用いるようにしたが、本実施形 態の表示装置（15' )においては、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)が発する光の 波長領域において光の光量を調節しうるものを用いるようにする。詳しくは、本実施形 態の光シャッター（20)では、背面電極（20— 1)及び前面電極（20— 3)に印加する 電圧によって液晶層（20— 2)内の液晶の分子配列が制御され、この分子配列によつ て背面側に照射される光のそれぞれの光量を、各画素毎に調節されるようになって いる。
[0396] 光シャッター（20)を通った光は、検光子（21)に照射される。この際、蛍光体部（17 R) , (17G) , (17B)が発した蛍光の光量は、光シャッター（20)により画素毎に調節 されているので、検光子（21)に照射された蛍光は所望の画像を形成することになる 。そして、観察者は、この検光子（21)の表面力も発せられる光を見て、画像を認識 する。
[0397] 更に、上記のように構成することによって、画像表示装置（15' )は、蛍光体部（17R ) , (17G) , (17B)に含まれるバインダーの光劣化着色を抑制することができる。従つ て、画像表示装置（15' )が表示する画像の色や輝度が経時的に劣化することを防 止できる。
[0398] また、画像表示装置（15' )によれば、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)内の水を 従来よりも少なくすることができるために、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)内の蛍 光体の劣化を抑制することも可能となる。
[0399] 更に、画像表示装置（15' )によれば、従来の液晶光シャッターを用いた表示装置 とは異なり、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)内の蛍光体の残光特性による影響を 排除することができる。蛍光体は、光の照射を止めた後も所定の時間だけ蛍光を発 することがあり、この光照射停止後に蛍光が発せられる時間を残光特性という。残光 特性は蛍光体により異なることから、従来、表示装置に表示される画像においてはあ る特定の色が強調される傾向があり、コスト高や制御の複雑ィ匕の一因となっていた。 しかし、画像表示装置（15' )のような構成をとることにより、上記の残光特性の影響を 排除し、画像の特定の色が強調されることを防止することができる。
更に、画像表示装置（15)と同様、制御部の制御回路をより簡単にすることも可能 である。
[0400] [その他]
本発明の画像表示装置は、上記画像表示装置の実施形態に限定されるものでは なぐ各構成については、任意に変更可能である。
例えば、上記の実施形態では赤色、緑色及び青色の 3種の光を用いて画像を表示 する場合を説明したが、上記の赤色、緑色及び青色以外の光を用いて画像表示を 行うようにしてもよぐ更に、 2種、又は、 4種以上の光を用いて画像表示を行うようにし てもよい。
[0401] また、例えば、一部の画素においては、光源（16)が発する光を直接に、画素の光 として用いるようにしてもょ 、。
[0402] 更に、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)を透過する以外にも、光源（16)から発せ られた光が蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)で反射するような反射型の構成を適用 してもよい。具体的には、例えば、画像表示装置（15)において、光源（16)を蛍光体 部（17R) , (17G) , (17B)よりも前方に設置することも可能である。
[0403] また、光シャッター（20)を設けるほか、光源（16)を画素毎に設置し、各光源（16) に供給する電流量を調整して光源（16)が発する光の強度を画素毎に制御するよう にして、画素の輝度を調整するようにしてもよい。
[0404] 更に、上述した光源（16)、蛍光体部（17R) , (17G) , (17B)、フレーム（18)、偏 光子（19)、光シャッター（20)、検光子（21)などの部材は、本発明の要旨を逸脱し な!、範囲で、任意に組み合わせて用いることができる。
また、本発明の画像表示装置には更に別の構成部材を組み合わせて用いてもよい
。例えば、特開 2005— 884506号公報の第 0039段落以下に記載があるように、保 護フィルムを採用するようにしてもよ 、。
[0405] 更に、上記の部材にカ卩えて、反射防止層、配向フィルム、位相差フィルム、輝度向 上フィルム、反射フィルム、半透過反射フィルム、光拡散フィルムなど、様々な機能を 有するフィルムを追加したり、積層形成したりしてもよい。
これらの光学機能を有するフィルムは、例えば、以下のような方法により形成するこ とがでさる。
[0406] 位相差フィルムとしての機能を有する層は、例えば、特許第 2841377号公報、特 許第 3094113号公報などに記載の延伸処理を施したり、特許第 3168850号公報 などに記載された処理を施したりすることにより形成することができる。 [0407] また、輝度向上フィルムとしての機能を有する層は、例えば、特開 2002— 169025 号公報ゃ特開 2003— 29030号公報に記載されたような方法で微細孔を形成するこ と、或いは、選択反射の中心波長が異なる 2層以上のコレステリック液晶層を重畳す ること〖こより形成することができる。
[0408] 更に、反射フィルム又は半透過反射フィルムとしての機能を有する層は、例えば、 蒸着やスパッタリングなどで得られた金属薄膜を用いて形成することができる。
[0409] また、拡散フィルムとしての機能を有する層は、上記の保護フィルムに微粒子を含 む榭脂溶液をコーティングすることにより、形成することができる。
[0410] 更に、位相差フィルムや光学補償フィルムとしての機能を有する層は、ディスコティ ック液晶性化合物、ネマティック液晶性化合物などの液晶性化合物を塗布して配向 させること〖こより形成することができる。
実施例
[0411] 以下、本発明について実施例を用いて更に詳細に説明するが、本発明はその要 旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
[0412] なお、以下の各表中、上記式 [1]の各符号と同じ符号は、同じ定義を表わしている また、以下の各表の「組成」の欄では、特に断り書きのない限り、蛍光体の各元素の 比率を、蛍光体中のケィ素（Si) 1モルに対する各元素のモル数 (即ち、ケィ素に対す る各元素のモル比）で示して ヽる。
以上の定義により、例えば、以下の各表に示す「Eu」の比率は、上記式 [1]におけ る (Xと Xとを掛け合わせた数値 ( a X)と等しくなる。
[0413] また、フラックスの使用量についても、特に断り書きのない限り、蛍光体中のケィ素（ Si) 1モルに対するフラックスのモル数（即ち、ケィ素に対するフラックスのモル比）で 示している。
[0414] [実施例 1〜6及び比較例 1〜8]
蛍光体原料として、炭酸バリウム (BaCO )、炭酸ストロンチウム（SrCO )、酸ィ匕ユウ
3 3
口ピウム (Eu O )、二酸ィ匕ケィ素（SiO )の各粉末を用いた。これらの蛍光体原料は
2 3 2
何れも、純度が 99. 9%以上で、重量メジアン径 D 力 lOnm以上、 5 ;z m以下の範 囲内のものを用いた。これらの蛍光体原料を、各元素の比率が下記表 3の実施例 1 〜6及び比較例 1〜8に示すモル比となるように秤取した。これらの蛍光体原料の粉 末を、自動乳鉢にて十分に均一となるまで混合し、アルミナ製ルツボに充填して、大 気圧下、空気中で 1000°C、 12時間焼成した。次いで、ルツボの内容物を取り出し、 フラックスとして SrCl又は NH C1を、下記表 3の実施例 1〜6及び比較例 1〜8に示
2 4
すモル比となるようにカ卩えて、乾式ボールミルで混合粉砕した。得られた混合粉砕物 を再度、アルミナ製ルツボに充填した。実施例 1、 3及び 5においては、焼成時にルツ ボに原料を詰め、その上に固体カーボン (ブロック状)を載せて蓋をした。また、実施 例 2、 4及び 6、並びに、比較例 1〜5及び 8においては、ルツボ周囲の空間にビーズ 状カーボンを設置した。比較例 6及び 7においては、カーボンを使用しな力つた。真 空炉中で真空ポンプにて 2Paまで減圧した後、水素含有窒素ガス（窒素：水素 = 96： 4 (体積比)）を大気圧になるまで導入した。この操作を再度繰り返した後、水素含有 窒素ガス（窒素：水素 = 96： 4 (体積比） )流通下、大気圧下で 1200°Cで 4時間加熱 することにより、焼成を行なった。得られた焼成物をボールミルで解砕した後、スラリー 状態のまま篩を通して粗い粒子を除去した後、水洗し、水簸して微粒子を流去し、乾 燥後、凝集した粒子を解すために篩仕上げすることにより、蛍光体を製造した。これ らを以下、実施例 1〜6及び比較例 1〜8の蛍光体と呼ぶ。
[表 3]
表 3
Figure imgf000086_0001
※ ：蛍光体中の 2価の元素（アルカリ土類金属元素と Eu)の合計モル数に対する Euのモル数の比率（％) を表わす。
実施例 1〜6及び比較例 1〜8の蛍光体について、全 Euに対する Eu2+の割合を、 以下の手順により測定した。
Eu— L3吸収端の X線吸収端近傍微細構造（X- ray absorption near-edge fine stru cture0以下「XANES」と略記する。）スペクトルは、財団法人高輝度光科学研究セン ター大型放射光施設（SPring— 8)のビームライン BL19B2第一ハッチに設置されて V、る XAFS測定装置にお 、て、 Si (111)二結晶分光器と高次光除去ミラーを用いて 測定した。 X線のエネルギー較正は、金属銅箔の Cu—K吸収端 XANESスペクトル において 8980. 3eVに現れるプリエッジピークにおける分光器の角度を 12. 7185 度として行ない、更にサンプル測定前後に酸ィ匕ユウ口ピウムの Eu—L3吸収端 XAN ES測定を実施して経時に伴う分光器の微小なずれを補正した。 XANESスペクトル の測定は、 Eu— L3吸収端 (6970eV付近)近傍で約 0. 4eV (分光器の角度にして 0 . 00094度）間隔、各点 2秒の積算時間で、透過法により行なった。すなわち、窒素 ガスを充填した電極長 17cm及び 31cmの電離箱をそれぞれ入射 X線及びサンプル を透過した X線の検出器として用い、 Lambert— Beerの式に従って X線吸収係数を μ t=ln (l /1) (ここで、 Iは入射 X線強度、 Iは透過 X線強度を示す。 )として定義し
0 0
た。測定のための試料としては、焼成後に篩を通した各実施例及び各比較例の蛍光 体粉末を 70mg程度の窒化ホウ素とメノウ乳鉢で均一になるまで混合し、 150kg重 Z cm2の圧力下で直径 1 Ommの錠剤に成形したものを用 、た。
[0417] このようにして得られた Eu— L3吸収端 XANESスペクトルを、バックグラウンドの影 響を取り除くため一階微分すると、 Eu2+及び Eu3+に由来するスペクトルパターンが、 それぞれ 6965eV〜6976eV付近及び 6976eV〜6990eV付近に出現した。そこで 、それぞれのエネルギー範囲内における微分スペクトルの極大値と極小値の差を Eu 2 Eu3+ピークの強度 p、 qとして定義し、 Eu全体に占める Eu2+の割合 rを r=p/ (p + q)として定義した。
以上の手順により得られた、実施例 1〜6及び比較例 1〜8の各蛍光体における全 Euに対する Eu2+の割合 (Eu2+ZEu)を、後出の表 4に示す。
[0418] また、実施例 1〜6及び比較例 1〜8の各蛍光体について発光スペクトルを測定し た。
[0419] 発光スペクトルは、励起光源として 150Wキセノンランプを、スペクトル測定装置とし てマルチチャンネル CCD検出器 C7041 (浜松フォト-タス社製)を備える蛍光測定 装置（日本分光社製)用いて測定した。励起光源力もの光を焦点距離が 10cmである 回折格子分光器に通し、波長 400nmの励起光のみを光ファイバ一を通じて蛍光体 に照射した。励起光の照射により蛍光体から発生した光を焦点距離が 25cmである 回折格子分光器により分光し、 300nm以上 800nm以下の波長範囲においてスぺク トル測定装置により各波長の発光強度を測定し、パーソナルコンピュータによる感度 補正等の信号処理を経て発光スペクトルを得た。なお、測定時には、受光側分光器 のスリット幅を lnmに設定して測定を行なった。
[0420] 得られた発光スペクトルから、発光ピーク波長、相対発光ピーク強度、及び発光ピ ーク半値幅を求めた。相対発光ピーク強度は、 BaMgAl O ： Eu (化成ォブト-タス
10 17
社製、製品番号 LP— B4)を 365nmで励起したときの発光ピークの強度を 100として 表した。得られた発光ピーク波長、相対発光ピーク強度、及び発光ピーク半値幅を下 記表 4に示す。また、代表的な発光スペクトルとして、実施例 4、実施例 6、比較例 1及 び比較例 2の蛍光体の発光スペクトルを図 6に示す。
[0421] [表 4] 表 4
Figure imgf000088_0001
[0422] また、上述の表 3及び表 4に示した各実施例及び各比較例の結果に基づき、蛍光 体の BaZSrの値と、蛍光体の発光スペクトルの発光ピーク波長、相対発光ピーク強 度、及び発光ピーク半値幅との関係を下記表 5に示した。具体的には、同じ Eu濃度 を有する実施例及び比較例にっ 、て、 BaZSr値を変化させたときの発光ピーク波 長、相対発光ピーク強度、及び発光ピーク半値幅の変化を示した。下記表 5の結果 から、 Baの割合が低くなるにつれ、発光ピーク波長が長波長側にシフトし、発光ピー ク半値幅も増大することが分力る。
[0423] [表 5]
表 5
Figure imgf000088_0002
[0424] また、実施例 1 6及び比較例 1 8の蛍光体について、 L*a*b*表色系に基づく物 体色を、色彩色度計 (ミノルタ社製、 CR— 300)を使用して、標準光を D として測定 した。得られた結果を下記表 6に示す。
[0425] [表 6] 表 6
Figure imgf000089_0001
[0426] 比較例 2及び 4は、実施例の蛍光体と比べて M1全体に占める Sr量が多いために、 発光ピーク波長が長波長側にシフトし、半値幅が広ぐ発光ピーク強度が低下してい るものと考えられる。
また、比較例 5及び 7は、 Eu量が多過ぎるため、濃度消光を起こし、発光ピーク強 度が低下して 、るものと考えられる。
[0427] また、実施例 1〜6及び比較例 1〜8の蛍光体について、以下の手順により、蛍光体 の吸収効率 α 、内部量子効率 r?、及び外部量子効率 r? を求めた。
Q 1 0
[0428] まず、測定対象となる蛍光体サンプルを、測定精度が保たれるように、十分に表面 を平滑にしてセルに詰め、積分球の底部ホールに取り付けた。
[0429] この積分球に、蛍光体を励起するための発光光源（150Wの Xeランプ)から光ファ ィバーを用いて光を導入した。前記の発光光源からの光は発光ピーク波長を 455η mの単色光となるようにモノクロメーター（回折格子分光器)等を用いて調整した。こ の単色光を励起光として、積分球上部ホールから測定対象の蛍光体サンプルに照 射し、蛍光を側面ホールから光ファイバ一で取り出し、分光測定装置 (大塚電子株式 会社製 MCPD7000)に導入して、蛍光体サンプルの発光 (蛍光)及び反射光のス ベクトルを測定した。
[0430] 吸収効率 α は、蛍光体サンプルによって吸収された励起光のフオトン数 N を励 q aos 起光の全フオトン数 Nで割った値である。 [0431] まず、後者の励起光の全フオトン数 Nは、下記 (式 I)で求められる数値に比例する。 そこで、励起光に対してほぼ 100%の反射率 Rを持つ反射板である Labsphere製「S pectralonj (450nmの励起光に対して 98%の反射率 Rを持つ。）を測定対象として 、蛍光体サンプルと同様の配置で上述の積分球に取り付け、励起光を照射し、分光 測定装置で測定することにより、反射スペクトル I (
ref λ )を測定し、下記 (式 I)の値を求 めた。
[0432] [数 4] -lref (l)dX
Figure imgf000090_0001
(式 I ) 上記（式 I)の積分区間は、 410nm〜480nmとした。
[0433] 一方、蛍光体サンプルによって吸収された励起光のフオトン数 N は、下記（式 II) abs
で求められる量に比例する。
[0434] [数 5]
(式 II)
Figure imgf000090_0002
[0435] そこで、吸収効率 αを求める対象としている蛍光体サンプルを取り付けたときの、 反射スペクトル Ι ( λ )を求めた。（式 Π)の積分範囲は、（式 I)で定めた積分範囲と同じ にした。実際のスペクトル測定値は、一般にはえに関するある有限のバンド幅で区切 つたデジタルデータとして得られるため、（式 I)及び (式 II)の積分は、そのバンド幅に 基づ 、た和分によって求めた。
以上の結果から、吸収効率 α =Ν ΖΝ=
q aos (式 Π) Ζ (式 I)を算出した。
[0436] 次に、内部量子効率 r?を以下の手順で求めた。
内部量子効率 7? は、蛍光現象に由来するフオトンの数 N を蛍光体サンプルが吸 i PL
収したフォトンの数 N で割った値である。ここで、 N は、下記（式 III)で求められる量 abs PL
に比例する。
[0437] そこで、下記（式 III)で求められる量を求めた。
[数 6] 上記（式 III)の積分区間は、 481nm〜800nmとした。
[0438] 以上の結果から、内部量子効率 7? = (式 III) / (式 II)を算出した。
なお、デジタルデータとなったスペクトル力 積分を行なうことに関しては、吸収効 率 αを求めた場合と同様に行なった。
[0439] そして、上記のようにして求めた吸収効率 αと内部量子効率 r?との積をとることで
、外部量子効率 η を求めた。
[0440] 以上の手順により算出された、実施例 1〜6及び比較例 1〜8の蛍光体の吸収効率 a、内部量子効率 r?、及び外部量子効率 r? を、下記表 7に示す。
[0441] [表 7]
表
Figure imgf000091_0001
[0442] 上記表 7から、実施例 1〜6の蛍光体は、比較例 1〜8の蛍光体と比較して、外部量 子効率 r? が高ぐ発光効率に優れた蛍光体であることが分力る。
また、上記の表 3、表 4、表 6及び表 7の結果から、実施例 1〜6の蛍光体は、何れも 本発明の特定特性蛍光体及び特定組成蛍光体の双方に該当することが分力る。
[0443] [実施例 7]
上述した図 2 (b)に示す発光装置と同様の構成の発光装置を作製し、その色再現 範囲を NTSC比により評価した。発光装置の作製は以下の手順により行なった。 なお、以下の実施例及び比較例において作製した発光装置の各構成要素のうち、 図 2 (b)に対応する構成要素が描かれているものについては、適宜その符号をカツコ 書きにて示すものとする。
[0444] 第 1の発光体（22)としては、波長 450nm〜470nmで発光する青色発光ダイォー ド（以下適宜「青色 LED」と略する。 )である EPISTAR社の ES - CEBL912を用 ヽ た。この青色 LED (22)を、フレーム（24)の凹部の底の端子に、接着剤として銀ぺー ストを用いてダイボンディングした。この際、青色 LED (22)で発生する熱の放熱性を 考慮して、接着剤である銀ペーストは薄く均一に塗布した。 150°Cで 2時間加熱し、 銀ペーストを硬化させた後、青色 LED (22)とフレーム（24)の電極（26)とをワイヤボ ンデイングした。ワイヤ（25)としては、直径 25 mの金線を用いた。
[0445] 蛍光体含有榭脂部（23)の発光物質としては、緑色蛍光体である上記実施例 1の 蛍光体 (この蛍光体を以下「蛍光体 (A)」という場合がある。）と、凡そ波長 520ηπ！〜 760nmの光を発光する蛍光体である Sr Ca Eu AlSiN (この蛍光体を以下「
0.8 0.192 0.008 3
蛍光体 (B)」という場合がある。）を用いた。蛍光体 (A)及び蛍光体 (B)の重量比は 9 0 : 10とした。これらの蛍光体 (A)及び蛍光体（B)の合計重量に対し、 15 : 100の重 量比となるように 2液タイプのエポキシ榭脂とァエロジルとの混合物をカ卩え、更に、こ の蛍光体を含む榭脂混合物の合計重量に対して 100： 70の割合で硬化剤を加えて 混練機で混合して蛍光体スラリー (蛍光体含有組成物)を作製した。得られた蛍光体 スラリーを、上述のフレーム（24)の凹部に注入し、 100°Cで 3時間、続いて 140°Cで 3時間加熱することにより硬化させ、蛍光体含有榭脂部（23)を形成した。
[0446] 得られた発光装置を、その青色 LED (22)に 20mAの電流を通電して駆動し、発光 させた。その白色色度座標を測定したところ、 x/y=0. 31/0. 33であった。また、 色再現範囲の指標として、上記 [3.発光装置]の欄に記載した方法に従って NTSC 比を測定した。得られた NTSC比を後述の表 8に示す。
[0447] [実施例 8]
実施例 7において、蛍光体（B)の代わりに、凡そ波長 560nm〜750nmの光を発 光する蛍光体である Ca Eu AlSiN (この蛍光体を「蛍光体 (C)」と 、う場合があ
0.998 0.08 3
る。）を用い、蛍光体 (A)と蛍光体 (C)との重量比を 88 : 12としたこと以外は、実施例 7と同様の手順により発光装置を作製した。
[0448] 得られた発光装置を、実施例 7と同様の条件で発光させ、その白色色度座標を測 定したところ、 xZy=0. 31/0. 33であった。また、色再現範囲の指標として、上記 [3.発光装置]の欄に記載した方法に従って NTSC比を測定した。得られた NTSC 比を後述の表 8に示す。
[0449] [比較例 9]
実施例 7において、青色 LED (22)としてCree社製460MB290を用ぃ、蛍光体含 有榭脂部（23)の発光物質として、凡そ波長 480ηπ！〜 720nmの光を発光する蛍光 体である Y Al O ： Ce (化成ォブト-タス社製、 P46— Y3)を用いたこと以外は、実
3 5 12
施例 7と同様の手順により発光装置を作製した。
[0450] 得られた発光装置を、実施例 7と同様の条件で発光させ、その白色色度座標を測 定したところ、 xZy=0. 31/0. 33であった。また、色再現範囲の指標として、上記
[2-4.発光装置の実施形態〕の欄に記載した方法に従って、 NTSC比を測定した
。得られた NTSC比を表 8に示す。
[0451] [表 8]
表 8
Figure imgf000093_0001
[0452] [実施例 9〜33及び比較例 10]
蛍光体原料として、炭酸バリウム (BaCO )、炭酸ストロンチウム（SrCO )、酸ィ匕ユウ
3 3 口ピウム (Eu O )、二酸ィ匕ケィ素（SiO )の各粉末を用いた。これらの蛍光体原料は
2 3 2
何れも、純度が 99. 9%以上で、重量メジアン径 D 力 lOnm以上、 5 ;z m以下の範
50
囲内のものを用いた。これらの蛍光体原料を、得られる蛍光体の組成が下記表 9の 実施例 9〜33及び比較例 10に示す組成となるように秤取した。なお、実施例 9〜33 及び比較例 10においては、蛍光体中に含まれる 2価の元素の総量に対する Eu量の 比率は、何れも 7. 5モル％である。これらの蛍光体原料の粉末を、自動乳鉢にて十 分均一となるまで混合し、アルミナ製ルツボに充填して、大気圧下、窒素雰囲気中で 1000°C、 12時間焼成した。次いで、ルツボの内容物を取り出し、フラックスとして下 記表 8に記載の化合物を加えて、乾式ボールミルで混合粉砕した。得られた混合粉 砕物を再度、アルミナ製ルツボに充填し、その上に固体カーボン (ブロック状)を載せ て蓋をした。真空炉中で真空ポンプにて 2Paまで減圧した後、水素含有窒素ガス（窒 素:水素 = 96： 4 (体積比) )を大気圧になるまで導入した。この操作を再度繰り返した 後、水素含有窒素ガス（窒素：水素 = 96 :4 (体積比））流通下、大気圧下で 1200°C で 4時間加熱することにより、焼成を行なった。得られた焼成物をボールミルで解砕し た後、スラリー状態のまま篩を通して粗い粒子を除去した後、水洗し、水簸して微粒 子を流去し、乾燥後、凝集した粒子を解すために篩仕上げすることにより、蛍光体を 製造した。これらを以下、実施例 9〜33及び比較例 10の蛍光体と呼ぶ。
[表 9]
Figure imgf000094_0001
[0454] 実施例 9〜33及び比較例 10の蛍光体について、実施例 1〜8、及び比較例 1〜9 と同様の方法で、発光スペクトルを測定した。但し、励起光として波長 455nmの光を 使用した。得られた発光スペクトルから、発光ピーク波長、発光ピーク半値幅及び相 対発光ピーク強度を算出した。その結果を下記の表 10に示す。
[0455] なお、相対発光ピーク強度の値は、実施例 1〜8及び比較例 1〜9と同様に、 BaM gAl O ： Eu (化成ォブト-タス社製 LP— B4)を 365nmで励起したときの発光ピー
10 17
クの強度を 100として表わした。
[0456] また、実施例 9〜33及び比較例 10の蛍光体について、以下の方法により、相対輝 度及び色度座標を算出した。その結果を下記の表 10に示す。
[0457] (相対輝度）
JIS Z8701で規定される刺激値 Yは輝度に比例するので、刺激値 Yの相対値を相 対輝度とした。なお、 Y Al O ： Ce (ィ匕成ォブト-タス社製 P46— Y3)を 455nmで励
3 5 12
起したときの輝度を 100として表わした。
[0458] (色度座標）
発光スペクトルの 480nm以上 800nm以下の波長領域のデータから、 JIS Z8701 で規定される XYZ表色系における色度座標 Xと yを算出した。
[0459] また、実施例 9〜33及び比較例 10の蛍光体について、実施例 1〜6及び比較例 1
〜8と同様の方法により、吸収効率 α、内部量子効率 r?、及び外部量子効率 r? を 算出した。その結果を下記の表 10に示す。
[0460] [表 10]
表 1 0
Figure imgf000096_0001
[0461] 表 9及び表 10の結果より、実施例 9〜33の蛍光体は、何れも本発明の特定特性蛍 光体に該当する蛍光体であることが分かる。
[0462] また、実施例 9〜33及び比較例 10の蛍光体について、上述の実施例 1〜6及び比 較例 1〜8と同様の方法で、重量メジアン径、及び、 L*a*b*表色系に基づく物体色に っ ヽても測定を行なった。その結果を下記の表 11に示す。
[0463] [表 11] 表 1 1
Figure imgf000097_0001
[0464] 表 9及び表 11の結果より、実施例 9〜33の蛍光体は、何れも本発明の特定組成蛍 光体に該当する蛍光体であることが分かる。
[0465] また、実施例 12及び実施例 22の蛍光体について、蛍光分光光度計 F— 4500型（ 株式会社日立製作所製)を用いて、室温にて励起スぺ外ルを測定した。その結果を 図 7に示す。
[0466] 実施例 9〜13は、フラックスとして SrClを単独で使用した実施例である。これらの
2
結果から、 SrClの使用量を増加すると結晶成長が促進され、重量メジアン径が増大
2
し、それに伴って相対発光ピーク強度及び相対輝度の向上が見られる。これにより、 SrClには結晶成長促進作用があることが分かる。
2
[0467] 実施例 14〜19は、種々の化合物を単独でフラックスとして使用し、蛍光体を製造し た例である。 [0468] 実施例 20〜23は、フラックスとして SrClと CsClとを組み合わせて使用して蛍光体
2
を製造した例である。結晶成長促進作用のある SrClに CsClを組み合わせることで、
2
結晶成長が抑制されていることが分かる。このように、 SrCl等の 2価の元素を含有す
2
る化合物と CsCl等の 1価又は 3価の元素を含有する化合物とを混合して用いると、 C sCl等の 1価又は 3価の元素を含有する化合物が結晶成長抑制作用を発揮し、高い 輝度を維持したまま、重量メジアン径が小さぐ使い易い蛍光体を得ることができる。
[0469] なお、実施例 20の蛍光体につ!、て、グロ一放電質量分析 (Glow Discharge Mass S pectrometry: GDMS)法による化学組成分析を行なったところ、塩素（C1)が lOppm 、セシウム（Cs)が lOppmの割合で検出された。
[0470] 実施例 24〜33は、種々の化合物を 2種又は 3種組み合わせてフラックスとして使用 し、蛍光体を製造した例である。フラックスを 2種以上組み合わせて用いることで、重 量メジアン径の小さ!/、蛍光体であっても高輝度な蛍光体を得ることができるようになる なお、実施例 33のように、 2価の元素を含有する化合物同士を組み合わせて用い ることち可會である。
[0471] また、フラックスを使用せずに製造した比較例 10の蛍光体は、重量メジアン径が小 さぐ相対発光ピーク強度も相対輝度も低くなつている。
[0472] [実施例 34〜36]
蛍光体原料として、炭酸バリウム (BaCO )、炭酸ストロンチウム（SrCO )、酸ィ匕ユウ
3 3 口ピウム (Eu O )、二酸ィ匕ケィ素（SiO )の各粉末を用いた。これらの蛍光体原料は
2 3 2
何れも、純度が 99. 9%以上で、重量メジアン径 D 力 lOnm以上、 5 ;z m以下の範
50
囲内のものを用いた。これらの蛍光体原料を、下記表 12の実施例 34〜36に示す割 合となるように秤取した。これらの蛍光体原料の粉末を、自動乳鉢にて十分均一とな るまで混合し、アルミナ製ルツボに充填して、大気圧下、窒素雰囲気中で 1100°C、 1 2時間焼成した。次いで、ルツボの内容物を取り出し、フラックスとして SrClを、蛍光
2 体中のケィ素（Si)に対するモル比で 0. 1となるようにカ卩えて、乾式ボールミルで混合 粉砕した。得られた混合粉砕物を再度、アルミナ製ルツボに充填し、その上に固体力 一ボン (ブロック状)を載せて蓋をした。真空炉中で真空ポンプにて 2Paまで減圧した 後、水素含有窒素ガス (窒素：水素 = 96： 4 (体積比) )を大気圧になるまで導入した。 この操作を再度繰り返した後、水素含有窒素ガス (窒素：水素 = 96： 4 (体積比) )流 通下、大気圧下で 1200°Cで 6時間加熱することにより、焼成を行なった。得られた焼 成物をボールミルで解砕した後、スラリー状態のまま篩を通して粗!ヽ粒子を除去した 後、水洗し、水簸して微粒子を流去し、乾燥後、凝集した粒子を解すために篩仕上 げすること〖こより、蛍光体を製造した。これらを以下、実施例 34〜36の蛍光体と呼ぶ
[0473] [表 12]
表 1 2
Figure imgf000099_0001
※2 :蛍光体中の 2価の元素（アルカリ土類金属元素と Eu)の合計モル数に対する Euのモル数の 比率（％)を表わす。
[0474] 実施例 34〜36の蛍光体について、上述の実施例 9〜33及び比較例 10と同様の 方法で、発光スペクトルを測定した。得られた発光スペクトルから、発光ピーク波長、 相対発光ピーク強度、発光ピーク半値幅、相対輝度、及び色度座標 X及び yの値を 算出した。その結果を下記の表 13に示す。
[0475] また、実施例 34〜36の蛍光体について、上述の実施例 1〜6及び比較例 1〜8と 同様の方法により、吸収効率 α、内部量子効率 r?、及び外部量子効率 r? を算出し た。その結果を下記の表 13に示す。
[0476] [表 13]
表" 1 3
Figure imgf000099_0002
[0477] また、実施例 34〜36の蛍光体について、上述の実施例 1〜6及び比較例 1〜8と 同様の方法で、 LW表色系に基づく物体色についても測定を行なった。その結果 を下記の表 14に示す。
[0478] [表 14]
表 1 4
Figure imgf000100_0001
[0479] [比較例 11〜14]
上記特許文献 1 (米国特許第 6982045号明細書)の「FIG. 5」に記載の Sr Ba
0.5 1.5
SiO ： Euを、上述の実施例 1の方法に従って製造した。
4
即ち、蛍光体原料として、炭酸バリウム (BaCO )、炭酸ストロンチウム（SrCO )、酸
3 3 ィ匕ユウ口ピウム（Eu O )、二酸化ケイ素（SiO )の各粉末をモル比で 1· 5 : 0. 48 : 0.
2 3 2
01 : 1. 05となるように秤取し、脱イオン水を加えてスラリーを作成し、ボールミルで粉 砕混合を行なった。得られた混合物を乾燥した後、フラックスとして NH C1を、蛍光体
4
のケィ素（Si)に対するモル比で 0. 01となるように混合して、粒子径が平均 1 μ m〜5 μ m程度になるまで更にボールミルで粉砕し、原料混合物を得た。得られた混合物 を石英製ルツボに充填して、大気圧下、空気中で 1000°C、 1時間焼成した (一次焼 成)。次いで、ルツボ内の焼成物を取り出し、フラックスとして NH C1を原料混合時と
4
同量加えて、粒子径が平均 1 μ m〜5 μ m程度になるまで乾式ボールミルで混合粉 砕した。得られた焼成物を再度石英製ルツボに充填し蓋をして、下記表 15の比較例 11〜14に示す二次焼成条件により、大気圧下、還元雰囲気中で 3時間焼成した（二 次焼成)。得られた焼成物をボールミルで解砕した後、スラリー状態のまま篩を通し、 粗い粒子を除去した後、水洗し、水簸して微粒子を流去した。乾燥後、凝集した粒子 を解すために篩仕上げを行ない、蛍光体を製造した。これらを以下、比較例 11〜14 の蛍光体と呼ぶ。
[0480] なお、各比較例における二次焼成時の焼成条件は表 15に示した力 詳細には以 下の通りである。
比較例 11においては、水素含有窒素雰囲気 (窒素:水素 = 96 :4 (体積比)）下、 1 000°Cで 3時間焼成した。
比較例 12においては、原料を詰めて蓋をした前記の石英製ルツボを、更に大きな ルツボに入れて、前記石英製ルツボ周囲の空間にビーズ状カーボンを設置し、蓋を した。これを空気中、 1000°Cで 3時間焼成した。即ち、一酸化炭素に近い雰囲気（ 擬似 CO雰囲気)で焼成したことになる。
比較例 13においては、焼成温度を 1200°Cとしたこと以外は、比較例 11と同様の 条件で焼成を行なった。
比較例 14においては、焼成温度を 1200°Cとしたこと以外は、比較例 12と同様の 条件で焼成を行なった。
[0481] [表 15]
表 1 5
Figure imgf000101_0001
※3 :蛍光体中の 2価の元素（アルカリ土類金属元素と Eu)の合計モル数に対する Euのモル数の 比率（·½)を表わす。
※ヰ：原料を詰めて蓋をした石英製ルツボを更に大きなルツボに入れて、石英製ルツポ周囲の空 間にビーズ状力一ボンを設置し、蓋をして焼成することによリ得られる雰囲気を表わす。
[0482] 比較例 11〜14の蛍光体について、上述の実施例 9〜33及び比較例 10と同様の 方法で、発光スペクトルを測定した。得られた発光スペクトルから、発光ピーク波長、 相対発光ピーク強度、発光ピーク半値幅、相対輝度、及び色度座標 X及び yの値を 算出した。その結果を下記の表 16に示す。
[0483] また、比較例 11〜14の蛍光体について、上述の実施例 1〜6及び比較例 1〜8と 同様の方法により、吸収効率 α、内部量子効率 r?、及び外部量子効率 r? を算出し た。その結果を下記の表 16に示す。
[0484] [表 16] 表 1 6
Figure imgf000102_0001
[0485] また、比較例 11〜14の蛍光体について、上述の実施例 1〜6及び比較例 1〜8と 同様の方法で、 LW表色系に基づく物体色についても測定を行なった。その結果 を下記の表 17に示す。
[0486] [表 17]
表 1 7
Figure imgf000102_0002
[0487] 比較例 11〜14の蛍光体は、表 16に示す通り、相対発光ピーク強度、相対輝度、 外部量子効率が何れも低ぐまた、表 17に示す通り、物体色も本発明の規定の範囲 外である。これは、比較例 11〜14の蛍光体が、本発明の蛍光体と比較して Eu濃度 が低ぐ更に一次焼成においても二次焼成においても焼成時間が短ぐ焼成温度や 焼成雰囲気の組み合わせも適切ではないためと考えられる。
[0488] [組成（1)〜（6) ]
以下に説明する実施例 37〜39及び比較例 15〜47では、蛍光体を製造する際に 、蛍光体原料として、炭酸バリウム (BaCO )、炭酸ストロンチウム（SrCO )、酸ィ匕ユウ
3 3 口ピウム (Eu O )、二酸ィ匕ケィ素（SiO )の各粉末を、下記の表 18に記載の組成（1)
2 3 2
〜組成（6)の組成となるように秤量して用いた。以下の説明では、これらの組成を単 に、組成（1)〜組成 (6)として表わす。
[0489] [表 18] 表 1 8
Figure imgf000103_0001
※ら：蛍光体中の 2価の元素（アルカリ土類金属元素と Eu)の合計モル数に対する Etiのモル数の 比率（％)を表わす。
[0490] 上記表 18に示す通り、組成（1)〜（5)は Eu量が少ない。組成（6)のみが Eu量が 多く、上述した本発明の特定特性蛍光体の要件 (V)を満たして!/ヽる。
[0491] [実施例 37及び比較例 15〜 19]
蛍光体原料の粉末を、下記の表 19に記載の組成となるように秤量し、自動乳鉢に て十分に均一となるまで混合し、アルミナ製ルツボに充填して、大気圧下、窒素雰囲 気中で 1100°C、 12時間焼成した (一次焼成)。次いで、ルツボの内容物を取り出し、 フラックスとして SrClを、蛍光体のケィ素（Si)に対するモル比で 0. 1となるようにカロ
2
えて、乾式ボールミルで混合粉砕した。得られた混合粉砕物を再度、アルミナ製ルツ ボに充填し、その上に固体カーボンを載せて蓋をした。真空炉中で真空ポンプにて 2 Paまで減圧した後、水素含有窒素ガス (窒素：水素 = 96： 4 (体積比) )を大気圧にな るまで導入した。この操作を再度繰り返した後、水素含有窒素ガス (窒素:水素 = 96 : 4 (体積比））流通下、大気圧下で 1200°Cで 6時間加熱することにより、焼成を行なつ た（二次焼成)。得られた焼成物をボールミルで解砕した後、スラリー状態のまま篩を 通して粗い粒子を除去した後、水洗し、水簸して微粒子を流去し、乾燥後、凝集した 粒子を解すために篩仕上げすることにより、蛍光体を製造した。これらを以下、実施 例 37及び比較例 15〜 19の蛍光体と呼ぶ。実施例 37及び比較例 15〜 19の蛍光体 の製造条件を下記の表 19に示す。
[0492] [表 19] 表 19
Figure imgf000104_0001
[0493] 実施例 37及び比較例 15〜19の蛍光体について、実施例 34〜36と同様の方法で 、発光ピーク波長、相対発光ピーク強度、発光ピーク半値幅、相対輝度、色度座標、 吸収効率、内部量子効率、外部量子効率、及び L*a*b*表色系に基づく物体色を測 定した。その結果を表 20及び表 21に示す。
[0494] [表 20]
表 20
Figure imgf000104_0002
[0495] [表 21]
表 21
Figure imgf000104_0003
[0496] 表 20及び表 21の結果から、比較例 15〜19の蛍光体のように、 Eu量が小さいと、 固体カーボン存在下で焼成しても発光特性の高! ヽ蛍光体が得られな ヽ傾向にあるこ とが分かる。また、比較例 18の蛍光体のように、 Sr量が多いと、発光ピーク半値幅が 広くなる傾向があることが分かる。
[0497] [実施例 38及び比較例 20〜24]
一次焼成の雰囲気を大気中としたこと、また、二次焼成ではフラックスを使用せず、 代わりに一次焼成において、フラックスとして SrClを、蛍光体のケィ素（Si)に対する
2
モル比で 0. 1となるように使用したこと以外は、上述の実施例 37及び比較例 15〜1 9と同様の条件で蛍光体を製造した。これらを以下、実施例 38及び比較例 20〜24 の蛍光体と呼ぶ。実施例 38及び比較例 20〜24の蛍光体の製造条件を下記の表 2 2に示す。
[0498] [表 22]
表 22
Figure imgf000105_0001
[0499] 実施例 38及び比較例 20〜24の蛍光体について、実施例 34〜36と同様の方法で 、発光ピーク波長、相対発光ピーク強度、発光ピーク半値幅、相対輝度、色度座標、 吸収効率、内部量子効率、外部量子効率、及び L*a*b*表色系に基づく物体色を測 定した。その結果を表 23及び表 24に示す。
[0500] [表 23] 表 23
Figure imgf000106_0001
[0501] [表 24]
表 24
Figure imgf000106_0002
[0502] 表 23及び表 24の結果から、比較例 23では、ある程度の相対輝度及び外部量子効 率 r? が得られている力 発光ピーク半値幅が広ぐ上述した本発明の特定特性蛍光 体の要件 (ii)を満たして 、な 、ことが分かる。
[0503] [比較例 25〜30]
一次焼成の雰囲気を大気中としたこと、一次焼成においてフラックスとして、 SrCl
2 の代わりに NH C1を、蛍光体のケィ素（Si)に対するモル比で 0. 1となるように使用し
4
たこと、二次焼成においてフラックスを使用しなかったこと、及び、固体カーボンを使 用しな力つたこと以外は、上述の実施例 37及び比較例 15〜19と同様の条件で蛍光 体を製造した。これらを以下、比較例 25〜30の蛍光体と呼ぶ。比較例 25〜30の蛍 光体の製造条件を下記の表 25に示す。
[0504] [表 25] 表 25
Figure imgf000107_0001
[0505] 実施例 38及び比較例 20〜24の蛍光体について、実施例 34〜36と同様の方法で 、発光ピーク波長、相対発光ピーク強度、発光ピーク半値幅、相対輝度、色度座標、 吸収効率 α、内部量子効率 r?、外部量子効率 7? 、及び L*a*b*表色系に基づく物
Q 1 0
体色を測定した。その結果を表 26及び表 27に示す。
[0506] [表 26]
表 26
Figure imgf000107_0002
[0507] [表 27]
表 27
Figure imgf000107_0003
[0508] 表 26及び表 27の結果から、比較例 25〜30の蛍光体のように、水素含有窒素ガス (窒素:水素 = 96： 4 (体積比) )等の弱還元雰囲気下で焼成すると、発光特性が低下 する傾向にあることが分かる。
[0509] [実施例 39及び比較例 31〜35]
一次焼成において、フラックスとして NH C1の代わりに SrClを、蛍光体のケィ素（S
4 2
i)に対するモル比で 0. 1となるように使用したこと以外は、比較例 25〜30と同様の条 件で蛍光体を製造した。これらを以下、実施例 39及び比較例 31〜35の蛍光体と呼 ぶ。実施例 39及び比較例 31〜35の蛍光体の製造条件を下記の表 28に示す。
[0510] [表 28]
表 28
Figure imgf000108_0001
[0511] 実施例 39及び比較例 31〜35の蛍光体について、実施例 34〜36と同様の方法で 、発光ピーク波長、相対発光ピーク強度、発光ピーク半値幅、相対輝度、色度座標、 吸収効率、内部量子効率、外部量子効率、及び L*a*b*表色系に基づく物体色を測 定した。その結果を表 29及び表 30に示す。
[0512] [表 29]
表 29
発光ピーク 相対発光ピー 発光ピーク 相対輝度 色度座標値 波長（nm) ク強度（％) 半値幅（nm) (%) 値 y値 比較例 31 521 1 55 65 1 93 0. 247 0. 631 比較例 32 508 98 64 47 0. 1 80 0. 578 比較例 33 51 8 1 27 68 75 0. 231 0. 620 比較例 34 545 85 86 73 0. 380 0. 568 比較例 35 590 21 1 59 21 0. 443 0. 463 実施例 39 525 1 97 68 1 30 0. 275 0. 634 [0513] [表 30]
表 30
Figure imgf000109_0001
[0514] 表 29及び表 30の結果を、表 26及び表 27の結果と比較すると、比較例 31 35及 び実施例 39の蛍光体の方が、比較例 25 30の蛍光体と比べて、全体的に発光特 '性が高い。従って、フラックスとして SrClを用いた方が、 NH C1よりも好ましいことが 分かる。特に、比較例 30の蛍光体と実施例 39の蛍光体とを比較すると、 SrClの効 果が顕著である。
[0515] 上述のように、強還元雰囲気下で焼成する方が、より発光特性の高い蛍光体が得 られる傾向にあるので好ましいが、実施例 39の蛍光体の結果から、弱還元雰囲気下 であっても Eu量を適量に調整した上で、 SrCl等の適切なフラックスを用いることで、 発光特性の高い蛍光体を得ることができることが分力る。
[0516] [比較例 36 41]
一次焼成において雰囲気を大気中とし、フラックスとして NH C1を、蛍光体のケィ素
(Si)に対するモル比で 0. 1となるように使用したこと、及び、二次焼成において雰囲 気を大気中とし、固体カーボン存在下で焼成し (即ち、一酸化炭素に近い雰囲気とし
)、フラクッスを使用しな力つたこと以外は、実施例 37及び比較例 15 19と同様の条 件により蛍光体を製造した。これらを以下、比較例 36 41の蛍光体と呼ぶ。比較例 36 41の蛍光体の製造条件を下記の表 31に示す。
[0517] [表 31] 表 31
Figure imgf000110_0001
[0518] 比較例 36〜41の蛍光体について、実施例 34〜36と同様の方法で、発光ピーク波 長、相対発光ピーク強度、発光ピーク半値幅、相対輝度、色度座標、吸収効率、内 部量子効率、外部量子効率、及び LW表色系に基づく物体色を測定した。その結 果を表 32及び表 33に示す。
[0519] [表 32]
表 32
Figure imgf000110_0002
[0520] [表 33]
表 33
発光効率 物 i色
吸収効率 内部暈子 外部量子
し * a* a*ノ b* 効率 η Ί 効率 。
比較例 36 0. 51 0. 25 0. 13 99.4 — 15. 6 + 29. 07 -0. 54 比較例 37 0. 51 0. 25 0. 13 97. 5 -10. 8 + 13. 32 一 0. 81 比較例 38 0. 34 0. 33 0. 11 99. 3 -13. 7 + 22. 60 —0. 60 比較例 39 0. 43 0. 28 0. 12 96. 5 -9. 3 + 22. 9Θ —0. 40 比較例 40 0. 47 0. 13 0. 06 96. 6 —4. 4 + 13. 39 -0. 33 比較例 41 0. 33 0. 11 0. 04 94. 9 — 14. 6 + 40. 59 -0. 36 [0521] 比較例 36〜41の蛍光体の発光特性が低力つた理由としては、焼成雰囲気の還元 状態が弱力つたことが考えられる。
[0522] [比較例 42〜47]
一次焼成において、フラックスとして NH C1の代わりに SrClを、蛍光体のケィ素（S
4 2
i)に対するモル比で 0. 1となるように使用したこと以外は、比較例 36〜41と同様の条 件により蛍光体を製造した。これらを以下、比較例 42〜47の蛍光体と呼ぶ。比較例 42〜47の蛍光体の製造条件を下記の表 34に示す。
[0523] [表 34]
表 34
o
Figure imgf000111_0001
O
「
[0524] 比較例 42〜47の蛍光体について、実施例 34〜36と同様の方法で、発光ピーク波 長、相対発光ピーク強度、発光ピーク半値幅、相対輝度、色度座標、吸収効率、内 部量子効率、外部量子効率、及び LW表色系に基づく物体色を測定した。その結 果を表 35及び表 36に示す。
[0525] [表 35]
表 35
発光ピーク 相対発光ピー 発光ピーク 相対輝度 色度座標値 波 (nm) ク強度（％) 半値幅（nm) (%) 値 値 比較例 42 51 9 73 64 48 0. 233 0. 61 7 比較例 43 506 63 63 30 0. 1 75 0. 558 比較例 44 51 9 67 フ 1 40 0. 223
比較例 45 544 25 93 22 0. 345 0. 543 比較例 46 563 4 22 6 0. 333 0. 41 7 比較例 47 51 4 1 1 79 7 0， 224 0. 539 [0526] [表 36]
表 36
Figure imgf000112_0001
[0527] 比較例 42〜47の蛍光体の発光特性の低い理由としては、焼成雰囲気の還元状態 が弱力つたことが考えられる。
[0528] [実施例 40]
図 2 (b)に示す発光装置と同様の構成の発光装置を、以下の手順により作製した。 第 1の発光体（22)としては、波長 450ηπ！〜 470nmで発光する青色発光ダイォー ド（以下適宜「青色 LED」と略する。）である Cree社製の C460EZ290を用いた。この 青色 LED (22)を、フレーム（24)の凹部の底の端子に、接着剤として銀ペーストを用 いてダイボンディングした。この際、青色 LED (22)で発生する熱の放熱性を考慮し て、接着剤である銀ペーストは薄く均一に塗布した。 150°Cで 2時間加熱し、銀ぺー ストを硬化させた後、青色 LED (22)とフレーム（24)の電極（26)とをワイヤボンディ ングした。ワイヤ（25)としては、直径 25 mの金線を用いた。
[0529] 蛍光体含有榭脂部（23)の発光物質としては、実施例 8で用いた蛍光体 (C)と、緑 色蛍光体である上記実施例 34の蛍光体 (以下、蛍光体 (D)という場合がある。）を用 いた。蛍光体 (C)と蛍光体 (D)との重量比は 16 : 84とした。これらの蛍光体 (C)及び 蛍光体 (D)の合計重量に対し、 13 : 100の重量比となるようにエポキシ榭脂（ジャパ ンエポキシレジン社製の YL7301)をカ卩え、更に、硬化剤（ジャパンエポキシレジン社 製の YLH1230)、及びァエロジル (日本ァエロジル社製の RY— 200S)を加えて蛍 光体スラリー (蛍光体含有組成物)を作製した。得られた蛍光体スラリーを、上述のフ レーム（24)の凹部に注入し 100°Cで 3時間、続いて 140°Cで 3時間加熱することに より硬化させ、蛍光体含有榭脂部（23)を形成した。
[0530] 得られた発光装置を、その青色 LED (22)に 20mAの電流を通電して駆動し、発光 させたところ、白色光が得られた。また、発光装置力も発せられた光を、ファイバマル チチャンネル分光器 (オーシャンォプテイクス社製 USB2000)により測定し、その白 色色度座標を測定したところ、 x/y=0. 34/0. 33であり、発せられた光の全光束 は 2. 6 lm、発光効率は 43 lmZWであった。このとき得られた実施例 40の発光装置 の白色発光スペクトルを図 8に示す。
[0531] [実施例 41]
実施例 40の発光装置の製造手順にお ヽて、蛍光体含有榭脂部（23)の発光物質 として蛍光体（D)を単独で用いたこと、青色 LED (22)として C460MB290 (Cree製 、発光波長 450ηπ！〜 470nm)を用いたこと以外は、実施例 40と同様の手順により発 光装置を作製した。
[0532] 得られた発光装置を、実施例 40と同様の条件で発光させたところ、青緑色光が得 られた。また、発光装置カゝら発せられた光を、ファイバマルチチャンネル分光器 (ォー シャンォプテイクス社製 USB2000)により測定し、その白色色度座標を測定したとこ ろ、 x/y=0. 18/0. 22であり、発せられた光の全光束は 1. 4 lm、発光効率は 23 lmZWであつた。このとき得られた実施例 41の発光装置の発光スペクトルを図 9に 示す。
[0533] [実施例 42]
実施例 40の発光装置の製造手順において、第 1の発光体（22)として青色 LEDの 代わりに近紫外発光ダイオード (以下、「近紫外 LED」という場合がある。 ) C395MB 290 BR0428— 03A(Cree社製、発光波長 390nm〜400nm)を用いたこと、蛍光 体含有樹脂部 (22)の発光物質として、蛍光体 (C) (赤色蛍光体)、蛍光体 (D) (緑 色蛍光体）、及び凡そ波長 420ηπ！〜 460nmの光を発光する青色蛍光体である Ba MgAl O ： Eu (以下、蛍光体 (E)という場合がある。）を用いて、蛍光体 (C)と蛍光
10 17
体（D)と蛍光体 (E)との重量比を 2： 2： 17としたこと、これらの蛍光体（C)、蛍光体（D )及び蛍光体 (E)の合計重量に対し、エポキシ榭脂の代わりにシリコーン榭脂 (東レ ダゥコー-ングネぉじ1^61011；?)を21 : 100の重量比となるょぅに加ぇ、更に、ァエロ ジル (日本ァエロジル社製の RY— 200S)をカ卩えて蛍光体スラリー（蛍光体含有組成 物）を作製したこと、及び、蛍光体スラリーの加熱硬化の条件を 70°Cで 1時間、続い て 150°Cで 2時間としたこと以外は、実施例 40と同様の手順により発光装置を作製し た。
[0534] 得られた発光装置を、その近紫外 LEDに 20mAの電流を通電して駆動し、実施例 7と同様の条件で発光させたところ、白色光が得られた。また、発光装置から発せら れた光を、ファイバマルチチャンネル分光器 (オーシャンォプテイクス社製 USB2000 )により測定し、その白色色度座標を測定したところ、 x/y=0. 34/0. 34であり、 発せられた光の全光束は 0. 6 lm、発光効率は 8. 2 lmZWであった。このとき得ら れた実施例 42の発光装置の白色発光スペクトルを図 10に示す。
[0535] [実施例 43]
図 2 (b)に示す発光装置と同様の構成の発光装置を、以下の手順により作製した。 第 1の発光体（22)としては、波長 450ηπ！〜 470nmで発光する青色発光ダイォー ド（以下適宜「青色 LED」と略する。）である Cree社製の C460EZ290を用いた。この 青色 LED (22)を、フレーム（24)の凹部の底の端子に、接着剤として銀ペーストを用 いてダイボンディングした。この際、青色 LED (22)で発生する熱の放熱性を考慮し て、接着剤である銀ペーストは薄く均一に塗布した。 150°Cで 2時間加熱し、銀ぺー ストを硬化させた後、青色 LED (22)とフレーム（24)の電極（26)とをワイヤボンディ ングした。ワイヤ（25)としては、直径 25 μ mの金線を用いた。
[0536] 蛍光体含有榭脂部（23)の発光物質としては、赤色蛍光体である（Sr Eu ) Si
0.992 0.008 2
N (以下、蛍光体 (X)という場合がある。）と、緑色蛍光体である上記実施例 34の蛍
5 8
光体 (以下、蛍光体 (D)という場合がある。）を用いた。蛍光体 (X)と蛍光体 ( との 重量比は 4 : 11とした。これらの蛍光体 (X)及び蛍光体 (D)に対し、無機系材料 (製 法については後述する。）を、（蛍光体 (X)及び蛍光体 (D)の合計重量）： (無機系材 料の合計重量)の比が 15 : 100となるように加え、ァエロジル (テグサ社製親水性 CO K84)を加えて蛍光体スラリー (蛍光体含有組成物）を作製した。得られた蛍光体スラ リーを上述のフレーム（24)の凹部に注入し、 90°Cで 2時間、 110°Cで 1時間、続いて 150°Cで 3時間加熱することにより硬化させ、蛍光体含有榭脂部（23)を形成した。
[0537] 得られた発光装置を、その青色 LED (22)に 20mAの電流を通電して駆動し、発光 させたところ、白色光が得られた。また、発光装置力も発せられた光を、ファイバマル チチャンネル分光器 (オーシャンォプテイクス社製 USB2000)により測定し、その白 色色度座標を測定したところ、 x/y=0. 34/0. 33であり、発せられた光の全光束 は 1. 3 lm、発光効率は 20. 6 lmZWであった。このとき得られた実施例 43の発光 装置の白色発光スペクトルを図 11に示す。
[0538] なお、上述した無機系材料は、以下のようにして合成したものである。
両末端シラノールジメチルシリコーンオイル（GE東芝シリコーン社製 XC96 - 723) 140g、フエ-ルトリメトキシシランを 14g、及び、触媒としてジルコニウムテトラァセチ ルァセトネート粉末を 0. 308g用意し、これを攪拌翼とコンデンサとを取り付けた三つ 口コルベン中に計量し、室温にて 15分触媒が十分溶解するまで攪拌した。この後、 反応液を 120°Cまで昇温し、 120°C全還流下で 30分間攪拌しつつ初期加水分解を 行なった。
[0539] 続 ヽて窒素（N )を SV20で吹き込み生成メタノール及び水分、副生物の低沸ケィ
2
素成分を留去しつつ 120°Cで攪拌し、更に 6時間重合反応を進めた。なお、ここで「 SV」とは「Space Velocity」の略称であり、単位時間当たりの吹き込み体積量を指 す。よって、 SV20とは、 1時間に反応液の 20倍の体積の窒素を吹き込むことをいう。
[0540] 窒素の吹き込みを停止し、反応液を 、つたん室温まで冷却した後、ナス型フラスコ に反応液を移し、ロータリーエバポレーターを用いてオイルバス上 120°C、 lkPaで 2 0分間微量に残留しているメタノール及び水分、低沸ケィ素成分を留去し、無溶剤の 無機系材料を得た。
[0541] [実施例 44〜50]
蛍光体原料として、炭酸バリウム (BaCO )、炭酸ストロンチウム（SrCO )、酸ィ匕ユウ
3 3 口ピウム (Eu O )、二酸化ケイ素（SiO )、酸ィ匕テルビウム (Tb O )の各粉末を用いた
2 3 2 4 7
。これらの蛍光体原料は何れも、純度が 99. 9%以上で、重量メジアン径 D 力 lOn
50 m以上、 5 m以下の範囲内のものを用いた。これらの蛍光体原料を、各元素の比率 が下記表 37の実施例 44〜50に示すモル比となるように秤取した。また、実施例 45 及び実施例 47〜50では、蛍光体原料として酸ィ匕テルビウムを、蛍光体 1モル (即ち 、蛍光体中のケィ素（Si) 1モル）に対する Tbのモル比が下記表 37の「Tb」に示すモ ル比となるように秤量して使用した (例えば、実施例 45では、蛍光体 1モルに対して T b力 o. 001モルとなるように、即ち、蛍光体に対する Tbのモル比が 0. 1モル％となる ように、酸ィ匕テルビウムを秤量した。 ) oなお、蛍光体のモル数は、上記式 [1]で表わ される組成を 1分子と見做して算出された分子量に基づいて求めた。また、これらの 蛍光体原料の粉末に、フラックスとして SrClを加えて、エタノールとともに自動乳鉢
2
にて十分均一となるまで混合し、乾燥後アルミナ製ルツボに充填して、大気圧下、窒 素雰囲気中で 1100°C、 12時間焼成した。次いで、ルツボの内容物を取り出し、乾式 ボールミルで混合粉砕した。得られた混合粉砕物を再度、アルミナ製ルツボに充填し 、その上に固形カーボンを載せて蓋をした。真空炉中で真空ポンプにて 2Paまで減 圧した後、水素含有窒素ガス (窒素：水素 = 96： 4 (体積比) )を大気圧になるまで導 入した。この操作を再度繰り返した後、水素含有窒素ガス (窒素:水素 =96 :4 (体積 比））流通下、大気圧下で 1200°Cで 6時間加熱することにより、焼成を行なった。得ら れた焼成物をボールミルで解砕した後、スラリー状態のまま篩を通して粗 、粒子を除 去した後、水洗し、水簸して微粒子を流去し、乾燥後、凝集した粒子を解すために篩 仕上げすることにより、蛍光体を製造した。これらを以下、実施例 44〜50の蛍光体と 呼ぶ。
[0542] [表 37]
表 37
Figure imgf000116_0001
※6 :蛍光体中の 2価の元素（アルカリ土類金属元素と Eu)の合計モル数に対する Euのモル数の比率（¾>) を表わす。
※フ：蛍光体中のケィ素（Si)のモル数に対する丁 bのモル数の比率（モル％)で示す。
[0543] 実施例 44〜50の蛍光体について、実施例 34〜36と同様の方法で、発光ピーク波 長、相対発光ピーク強度、発光ピーク半値幅、相対輝度、色度座標、吸収効率、内 部量子効率、外部量子効率、及び LW表色系に基づく物体色を測定した。その結 果を表 38及び表 39に示す。また、実施例 44及び実施例 45については、その重:! ジアン径も表 39に示す。
[0544] [表 38]
表 38
Figure imgf000117_0001
[0545] [表 39]
表 39
Figure imgf000117_0002
[0546] 表 38及び表 39の結果から、 Tbを含有する実施例 45及び実施例 47〜50の蛍光 体は、 Tbを含有しない実施例 44及び実施例 46の蛍光体と比較して、同程度以上の 発光特性を有して ヽることが分かる。
[0547] 続、て、実施例 46〜50の蛍光体にっ 、て、以下の方法により輝度維持率の評価 を行なった。
[0548] 発光スペクトル測定装置として、大塚電子製 MCPD7000マルチチャンネルスぺク トル測定装置、ペルチェ素子による冷却機構とヒーターによる加熱機構を備えたステ ージ、及び、光源として、 150Wキセノンランプと分光器を備えた装置を使用した。
[0549] ステージに蛍光体サンプルを入れたセルを載せ、温度を 20°Cから 180°Cの範囲で 変化させた。蛍光体サンプルの表面温度が所定の温度で一定となったことを確認し た。次いで、光源力もの発光を回折格子で分光して波長 455nmの光を取り出し、こ の波長 455nmで蛍光体サンプルを励起して発光スペクトルを測定した。測定された 発光スペクトルから輝度を求めた。なお、蛍光体サンプルの表面温度の測定値として は、放射温度計と熱電対による温度測定値を利用して補正した値を用いた。
[0550] 以上の手順により得られた、 25°Cにおける輝度に対する 100°Cにおける輝度の相 対値を、輝度維持率として求めた。
具体的には、 25°Cにおいて、ピーク波長 455nmの光で励起して得られる輝度を I
45
(25)とし、 100°Cにおいて、ピーク波長 455nmの光で励起して得られる輝度を I (
5 455
100)としたとき、 {1 (100) /1 (25) }の値を、輝度維持率として求めた。
455 455
[0551] 実施例 46〜50の蛍光体について得られた輝度維持率の結果を下記の表 40に示 す。
[表 40]
表 40
Figure imgf000118_0001
※8 :蛍光体中のケィ素（Si)のモル数に対する Tbのモル数の比率（％)で示す。
[0552] 表 40の結果から明らかなように、 Tbを 0. 05モル％含有する実施例 47の蛍光体、 及び、 Tbを 0. 1モル％含有する実施例 48の蛍光体は、 Tbを含有しない実施例 46 の蛍光体と比べて、明らかな輝度維持率の向上が認められた。一方、 Tbの濃度を更 に増加させた実施例 49及び実施例 50の蛍光体では、再び輝度維持率が低下する 傾向にある。
[0553] 以上の結果は、 Euイオンと別のイオン（ここでは Tbイオン）とが共存することで、 Eu 発光の非輻射緩和量が低減し、温度特性向上効果が得られたためと考えられる。 なお、本発明者等の検討では、他の希土類イオンや、周期表第 IB族の金属イオン にも、同様の効果が見られることが推測される。 [0554] [実施例 51]
実施例 40において、青色 LEDとして C460MB290 (Cree製、発光波長 460nm) を用いたこと、蛍光体含有榭脂部（22)の発光物質として、実施例 44の蛍光体を単 独で用いたこと、蛍光体の重量に対し、エポキシ榭脂の代わりに上述の実施例 43で 使用した無機系材料を 6 : 100の重量比となるように加え、更に、ァエロジル（日本ァ エロジル社の COK84)を加えて蛍光体スラリー（蛍光体含有組成物）を作製したこと 以外は、実施例 40と同様の手順により発光装置を作製した。得られた発光装置を、 その青色 LEDに 20mAの電流を通電して駆動し、実施例 40と同様の条件で発光さ せたところ、青緑色の発光が得られた。
[0555] [実施例 52]
実施例 44の蛍光体の代わりに実施例 45の蛍光体を用いたこと以外は、実施例 51 と同様の手順により発光装置を作製した。得られた発光装置を、実施例 51と同様の 条件で発光させたところ、青緑色光の発光が得られた。
[0556] 実施例 51及び実施例 52で得られた発光装置について、以下の方法により耐久性 試験を行なった。
発光装置の点灯開始直後（この時点を以下「0時間」という。）に、ファイバマルチチ ヤンネル分光器 (オーシャンォプテイクス社製 USB2000)を用いて、発光スペクトル 及び色度座標を測定した。次いで、エージング装置、 LED AGING SYSTEM 10 Och LED環境試験装置（山勝電子工業 (株)製、 YEL— 51005)を用いて、 85°C、 相対湿度 85%の条件下、発光装置を駆動電流 20mAで連続して 1000時間点灯さ せた後（この時点を以下「1000時間」と 、う。）、ファイバマルチチャンネル分光器 (ォ 一シャンォプテイクス社製 USB2000)を用いて再度、発光スペクトル及び色度座標 の X値及び y値を測定した。
[0557] 測定した各々の発光スペクトルにおいて、青色ピーク (LEDに由来する。）の発光 強度に対する、緑色ピーク (蛍光体に由来する。）の発光強度、即ち、「緑色ピークの 発光強度 Z青色ピークの発光強度」を算出し、 0時間の「緑色ピークの発光強度 Z青 色ピークの発光強度」の値を 100%とした時の 1000時間の「緑色ピークの発光強度 Z青色ピークの発光強度」の値を求め、この値を耐久性試験結果 (％)とした。 実施例 51及び実施例 52の発光装置について得られた耐久性試験結果（％)と、 0 時間及び 1000時間における色度座標の X値及び y値を、下記の表 41に記載した。
[表 41]
表 41
Figure imgf000120_0001
※^蛍光体中のケィ素（Si)のモル数に対する Tbのモル数の比率（％)で示す。
[0559] 上記の表 41の結果から、 Tbを含有する実施例 45の蛍光体を用いた実施例 52の 発光装置の方が、 Tbを含有しない実施例 44の蛍光体を用いた実施例 51の発光装 置と比べて、耐久性に優れていることが分かる。更に、色度座標を見ても、 1000時間 点灯後の y値の変化力 実施例 52では 0. 007、実施例 51では 0. 017であり、実施 例 52の方が色ずれが小さ 、ことが分かる。
[0560] 以上の実施例 51及び実施例 52の結果を、上述の実施例 44及び実施例 45の結果 と総合して考えると、上記式 [1]で表わされる組成を有する蛍光体に Tbを添加しても 、 Tbを添加しない場合と同等の発光特性を有する蛍光体が得られ、この蛍光体を発 光装置に用いると、実施例 52に示すように耐久性に優れた発光装置が得られる。
[0561] [蛍光体の製造 (参考例) ]
最後に、上述の各実施例及び比較例において発光装置の製造に使用した蛍光体 のうち、これまで製造方法を述べていない蛍光体の製造方法を、参考例として以下 に記載する。
[0562] (参考例 1： CaAlSiN ： Euの製造）
3
得られる蛍光体の化学組成比が Ca AlEu SiNとなるように、蛍光体 1モルに
0.992 0.008 3
する匕で、 Ca N力0. 3306モノレ、 AJN力 1モノレ、 Si N力 0. 363モノレ、 Eu O力0
3 2 3 4 2 3
. 004モルとなるように各原料粉末を秤量した。それらを卓上ミキサーで混合し、窒化 硼素製ルツボ中で、 0. 5MPaの窒素雰囲気中、最高 1800°Cで 2時間焼成した。得 られた焼成粉をアルミナ乳鉢上で粉砕し、 450 mと 224 mのナイロンメッシュに通 した。その後、純水中で 1時間攪拌し、ボールミル粉砕処理を行なった。引き続き、粒 径を整えるための分級処理、乾燥を行なうことにより、蛍光体 Ca AlEu SiNを 製造した。
[0563] (参考例 2： Sr Si N： Euの製造）
2 5 8
蛍光体 Sr Si N： Euを、以下に説明する 2通りの方法で製造した。以下、参考例 2
2 5 8
Aで用いた製法を「イミド 'アミド法」、参考例 2Bで用いた製法を「従来法」という場合 がある。なお、上述の実施例 43では、参考例 2Aの製法 (イミド 'アミド法)で得られた 蛍光体（Sr Eu ) Si Nを用いた。
0.992 0.008 2 5 8
[0564] <参考例 2A (イミド ·アミド法） >
まず、以下の方法により SrNHを製造した。
高純度アルゴンガスで満たされたグローブボックス内で Sr金属 3. 1566gを電子天 秤で秤量し、これを Al Oボートに載せた。これを更に石英ガラス管に入れ、石英ガラ
2 3
ス管の両端にバルブを取り付けて密封した。この石英ガラス管をグローブボックスから 取り出し、管状炉にセットした。次いで、石英ガラス管の両端のノ レブの先をアンモ- ァガスラインに連結させた。石英ガラス管内が 5 X 10—3Pa程度になるまで真空にした 後で、ロータリーポンプを止めて高純度アンモニアガスを一時間流通させた。その後 、 1時間かけて 250°Cまで昇温した後、 1時間維持した。更に、 650°Cまで 2時間かけ て昇温し、 4時間維持した後、室温まで放冷した。焼成終了後、両端のバルブを閉じ た状態で石英ガラス管をグローブボックス内に取り込んで保管した。このようにして得 られたィ匕合物 SrNHを、後述する蛍光体の出発原料として用いた。
[0565] 続 、て、以下の方法により蛍光体 Sr Si N： Euを製造した。
2 5 8
糸且成比が (Sr Eu ) Si Nとなるように、蛍光体原料として、上述の SrNHを 0.
0.992 0.008 2 5 8
4638g、 Si N (宇咅興産）を 0. 5283g、 Eu O (信越ィ匕学）を 0. 0080g用！/、た。こ
3 4 2 3
れらの蛍光体原料を、高純度アルゴンガスで満たされたグローブボックス内で電子天 秤により秤量した。グローブボックス内で、これら全ての蛍光体原料をアルミナ乳鉢で 均一になるまで粉砕混合し、混合した粉体を窒化ホウ素製ルツボに充填し、軽く荷重 をかけて成形した。この窒化ホウ素製ルツボを、富士電波工業製の抵抗加熱式真空 加圧雰囲気熱処理炉に設置し、炉内を 5 X 10— 3Pa未満となるまで減圧し、ほぼ真空 とした。室温から昇温速度 20°CZ分で昇温し、 800°Cに達した時点で高純度窒素ガ ス（99. 9995%)の導入を開始した。炉内温度を 800°Cに維持しながら、炉内の圧 力が 0. 92MPaになるまで窒素ガスを 30分間導入し続けた。高純度窒素ガスの圧力 を 0. 92MPaに保持しながら、更に昇温速度 20°CZ分で 1200°Cまで昇温し、その まま 5分間保持し、熱電対から放射温度計に換えた。次いで、放射温度計で測温し ながら、昇温速度 20°CZ分で 1600°Cまで昇温し、 1600°Cで 2時間維持した後、昇 温速度 20°CZ分で 1800°Cまで昇温し、 1800°Cで 2時間維持した。その後、降温速 度 20°CZ分で 1200°Cまで冷却し、次いで放冷した。得られた焼成物を大気中、ァ ルミナ乳鉢を用いて 30分間粉砕し、蛍光体 (Sr Eu ) Si Nの粉末を得た。
0.992 0.008 2 5 8
以上の製法 (イミド 'アミド法）により得られた蛍光体 (Sr Eu ) Si Nを以下、参
0.992 0.008 2 5 8 考例 2Aの蛍光体という。
[0566] 得られた参考例 2Aの蛍光体にっ 、て粉末 X線回折測定を行なった。得られた粉 末 X線回折スペクトルを図 12に示す。図 12より、参考例 2Aの蛍光体には、 Sr Si N
2 5 8 力 なるほぼ単一の相が生成していることが分かる。
[0567] <参考例 2B (従来法） >
糸且成 it力 ^(Sr Eu ) Si Nとなるように、原料として、 SrCOを 1. 96モノレ、 Si N
0.98 0.02 2 5 8 3 3 4 を 1. 66モル、 Eu Oを 0. 02モルの割合で秤量し、これらを良く混合した。得られた
2 3
原料混合物をカーボン (グラフアイト)製ルツボに入れ、富士電波工業製の抵抗加熱 式真空加圧雰囲気熱処理炉を用いて、圧力 0. 92MPa、温度 1800°Cで 2時間加熱 することにより焼成を行なった（一次焼成)。焼成後、アルミナ乳鉢で粉砕し、得られた 粉末を窒化ホウ素製ルツボに入れ、富士電波工業製の抵抗加熱式真空加圧雰囲気 熱処理炉で、圧力 0. 92MPa、温度 1800°Cで 2時間加熱することにより、再度焼成 を行なった（二次焼成)。得られた焼成物をアルミナ乳鉢で粉砕し、蛍光体 (Sr Eu
0.98 0
) Si Nの粉末を得た。
.02 2 5 8
以上の製法 (従来法）により得られた蛍光体 (Sr Eu ) Si Nを以下、参考例 2B
0.98 0.02 2 5 8
の蛍光体という。
[0568] 得られた参考例 2Bの蛍光体につ 、て粉末 X線回折測定を行なった。得られた粉 末 X線回折スペクトルを図 13に示す。図 13より、参考例 2Bの蛍光体にも、 Sr Si N
2 5 8 力 なるほぼ単一の相が生成していることが分かる。
[0569] <参考例 2A (イミド ·アミド法)と参考例 2B (従来法)と比較 > 参考例 2A及び参考例 Bの蛍光体につ!ヽて、励起波長 455nmで発光スペクトルを 測定した。その結果を図 14に示す。
[0570] 図 14の発光スペクトルから、参考例 2A及び参考例 Bの蛍光体の発光ピーク半値 幅を算出したところ、参考例 2Aの蛍光体の発光ピーク半値幅が 96nmであるのに対 し、参考例 2Bの蛍光体の発光ピーク半値幅は 83nmであった。ここから、参考例 2A の製法 (イミド 'アミド法)で蛍光体を製造することにより、得られる蛍光体の発光ピーク 半値幅を 13nm狭くすることができ、カロえて、発光ピーク波長を短波長化できたことが 分かる。
[0571] また、図 14の発光スペクトルから、参考例 2A及び参考例 Bの蛍光体の輝度を算出 したところ、参考例 2Aの蛍光体は、参考例 2Bの蛍光体に対し、輝度が約 1. 3倍向 上していた。なお、参考例 2Aの蛍光体と参考例 2Bの蛍光体とでは Eu含有量が異な るが、この場合は Eu含有量によって半値幅や輝度に大きな変化は生じず、製法の違 いによるものと考えられる。
[0572] 以上により、参考例 2Aの製法 (イミド 'アミド法)で蛍光体を製造することにより、得ら れる蛍光体の発光ピーク半値幅が狭くなり、発光ピーク波長が短波長化するとともに 、輝度が向上することが分かる。
[0573] 参考例 2Aの製法 (イミド 'アミド法）は、蛍光体の構成元素を含有するイミド化合物 又はアミドィ匕合物 (本参考例では SrNHを使用。）を原料として用いることを特徴とし ている。
SrNHは、参考例 2Bの製法で用いた SrCOよりも酸素含有量が少ないため、蛍光
3
体原料として用いることにより、得られる蛍光体中の酸素含有量を低下させるとともに 、蛍光体の輝度を向上させることができるものと考えられる。
[0574] 蛍光体の Sr源としては、 Sr Nを用いることもできる力 Sr Nは空気中で不安定であ
2 2
る上に、 Srに対する Nの比率が低いため、得られる蛍光体が結晶欠陥を生じ易い傾 I口」にある。
これに対して SrNHは、 Srに対する Nの比率が Sr Nよりも高いため、得られる蛍光
2
体に結晶欠陥が生じ難ぐその結果として、蛍光体の結晶性が向上し、輝度向上効 果が得られるものと考えられる。 更に、 SrNHに含まれる水素 (H)が焼成中に酸素（O)と反応して水 (H O)を生成
2 するため、得られる蛍光体中の酸素濃度をより一層低下させることができるものと推 測される。
[0575] 上述したように、蛍光体原料として SrNHを用いることにより、蛍光体の酸素濃度が 減少し、得られる蛍光体の結晶性及び純度を向上させることができるが、これによつ て、得られる蛍光体の輝度を向上させる効果だけではなぐ Eu等の付活元素の周囲 環境がより均一となることにより、蛍光体の発光スペクトルのピークがシャープになる（ 即ち、発光ピーク半値幅が狭くなる）という効果も得られるものと推測される。
[0576] (参考例 3 : Sr Ca AlSiN： Euの製造）
0.8 0.2 3
<母合金の製造 >
金属元素組成比が A1： Si= 1： 1 (モル比）となるように各金属を秤量した。黒鉛製ル ッボを用い、アルゴン雰囲気で高周波誘導式溶融炉を用いて原料金属を溶融した 後、ルツボカも金型へ注湯して凝固させ、金属元素組成元素比が Al: Si= 1： 1であ る合金を得た。これを以下「母合金」と言う。
[0577] <蛍光体原料用合金の製造 >
Eu: Sr: Ca :Al: Si=0. 008 : 0. 792 : 0. 2 : 1： 1 (モル比）となるように、上述の母 合金及びその他の原料金属を秤量した。炉内を 5 X 10— 2Paまで真空排気した後、排 気を中止し、炉内にアルゴンを所定圧まで充填した。この炉内で、力ルシア製ルツボ 内で母合金を溶解し、次いで Srを溶解し、ルツボカゝら溶湯を金型へ注湯して凝固さ せた。これを以下「蛍光体原料用合金」と言う。
[0578] <蛍光体の製造 >
得られた蛍光体原料用合金を、窒素雰囲気下、アルミナ乳鉢上で粗粉砕した後、 超音速ジェット粉砕機を用い、窒素雰囲気下、粉砕圧力 0. 15MPa、原料供給速度 0. 8kgZhrで粉砕した。得られた合金粉末を水洗、分級処理、乾燥することにより、 蛍光体 Sr Ca AlEu SiNを製造した。
0.792 0.200 0.008 3
[0579] (参考例 4 : BaMgAl O ： Euの製造）
10 17
製造される蛍光体の化学組成比が Ba Eu MgAl O となるように、蛍光体 1モル
0.7 0.3 10 17
に対する比で、 BaCOを 0· 7モル、 MgCOを 1モル、 Eu Oを 0· 15モル、 y— Al Oを 5モルとなるように各原料粉末を秤量した。それらを袋中で混合し、 224 mの
3
ナイロンメッシュに通した。得られた混合物をアルミナ製ルツボ中で、固体カーボン存 在下の一酸ィ匕炭素ガス含有雰囲気中、最高温度 1550°Cで 5時間加熱することによ り焼成した。焼成粉が冷めて力 アルミナ乳鉢中で乳棒を用いて粉砕をし、水洗、分 級処理、乾燥を行なうことにより、蛍光体 Ba Eu MgAl O を製造した。
0.7 0.3 10 17
産業上の利用可能性
[0580] 本発明の蛍光体の用途は特に制限されず、通常の蛍光体が用いられる各種の分 野に使用可能であるが、青色光又は近紫外光に対する変換効率及び色純度に優れ ているという特性を生かして、近紫外 LEDや青色 LED等の光源で励起される一般照 明用発光体、とりわけ高輝度で色再現範囲の広いバックライト用白色発光体を実現 する目的に適している。
[0581] また、上述のような特性を有する本発明の蛍光体を用いた本発明の発光装置は、 通常の発光装置が用いられる各種の分野に使用可能であるが、中でも画像表示装 置や照明装置の光源としてとりわけ好適に用いられる。
[0582] 以上、本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離 れることなく様々な変更が可能であることは当業者に明らかである。
なお、本出願は、 2006年 2月 10日付で出願された特願 2006— 034393号明細 書、 2006年 9月 7日付で出願された特願 2006— 243165号明細書、及び、 2007 年 2月 9日付で出願された特願 2007— 30442号明細書に基づいており、その全体 が引用により援用される。

Claims

請求の範囲
[1] 下記 (i)〜(v)を満たす
ことを特徴とする、蛍光体。
(i)ピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場合の発光ピーク波長力 510η m以上 542nm以下である。
(ii)ピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場合の発光ピーク半値幅力 75 nm以下である。
(iii)ピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場合の、下記式で規定される外 部量子効率が、 0. 42以上である。
(外部量子効率） = (内部量子効率） X (吸収効率）
(iv)該蛍光体の表面の少なくとも一部が、酸素を含有する物質力もなる。
(V)該蛍光体が、 2価及び 3価の原子価を取り得る金属元素（以下「M"元素」という。 ) を含有すると共に、該蛍光体中に含有される 2価の元素の合計モル数に対する該 M11 元素のモル数の比率力 1%よりも大きぐ 15%未満である。
[2] ピーク波長 400nm又は 455nmの光で励起した場合の発光色の CIE色度座標の X 値及び y値が、それぞれ
0. 210≤x≤0. 330、及び、
0. 480≤y≤0. 670
を満たす
ことを特徴とする、請求項 1記載の蛍光体。
[3] 前記蛍光体が 2価の元素（以下 ΓΜ1元素」という。）として少なくとも Baを含有すると ともに、
M1元素全体に対する Ba及び Srのモル比をそれぞれ [Ba]及び [Sr]とした場合に、 [Ba]及び [Sr]が、
0. 5 < { [Ba] / ( [Ba] + [Sr] ) }≤ 1
を満たす
ことを特徴とする、請求項 1又は請求項 2に記載の蛍光体。
[4] 下記式 [1]で表わされる化学組成を有するとともに、 物体色を L*aV表色系で表わした場合に、 L*、
Figure imgf000127_0001
及び b*が、それぞれ L*≥90、
a*≤—20、
b*≥30、及び、
Figure imgf000127_0002
を満たす
ことを特徴とする、蛍光体。
[化 1]
(M 1 ( 1 _ x ) Mn x ) Q S i Ο β [ 1 ]
(前記式 [ 1]中、
Μ1は、 Ba、 Ca、 Sr、 Zn及び Mgからなる群より選ばれる 1種以上の元素を表わし、 M"は、 2価及び 3価の原子価を取り得る 1種以上の金属元素を表わし、 χ、 α及び j8は、各々、
0. 01く Xく 0. 3、
1. 5≤ α≤2. 5、及び、
3. 5≤ β≤4. 5
を満たす数を表わす。 )
[5] フラックス存在下で蛍光体前駆体を焼成することにより得られたものである
ことを特徴とする、請求項 4記載の蛍光体。
[6] 強還元性雰囲気下で蛍光体前駆体を焼成することにより得られたものである
ことを特徴とする、請求項 4又は請求項 5に記載の蛍光体。
[7] 前記式 [ 1]において、 Μ1が少なくとも Baを含有するとともに、
M1全体に対する Baのモル比が 0. 5以上、 1未満である
ことを特徴とする、請求項 4〜6の何れか一項に記載の蛍光体。
[8] 前記式 [ 1]において、 M1が少なくとも Ba及び Srを含有するとともに、
M1全体に対する Ba及び Srのモル比をそれぞれ [Ba]及び [Sr]とした場合に、 [Ba ]及び [Sr]が、
0. 5 < { [Ba] / ( [Ba] + [Sr] ) }≤ 1
を満たす
ことを特徴とする、請求項 4〜7の何れか一項に記載の蛍光体。
該蛍光体の重量メジアン径が 10 μ m以上、 30 μ m以下である
ことを特徴とする、請求項 4〜8の何れか一項に記載の蛍光体。
前記式 [1]に記載された元素以外に、更に、 1価の元素、 2価の元素、 3価の元素、 1価の元素、及び 3価の元素力 なる群力 選ばれる少なくとも 1種の元素を含 有し、これらの元素の含有量の合計が lppm以上である
ことを特徴とする、請求項 4〜9の何れか一項に記載の蛍光体。
前記式 [1]に記載された元素以外に、更に、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属 元素、亜鉛 (Zn)、イットリウム (Y)、アルミニウム (A1)、スカンジウム（Sc)、リン（P)、 窒素 (N)、希土類元素及びハロゲン元素からなる群力も選ばれる少なくとも 1種の元 素を含有し、これらの元素の含有量の合計が lppm以上である
ことを特徴とする、請求項 10記載の蛍光体。
請求項 1〜11の何れか一項に記載の蛍光体を製造する方法であって、 酸素濃度が lOOppm以下の雰囲気下で蛍光体前駆体を焼成する工程を有する ことを特徴とする、蛍光体の製造方法。
請求項 1〜11の何れか一項に記載の蛍光体を製造する方法であって、 固体カーボンの共存下で蛍光体前駆体を焼成する工程を有する
ことを特徴とする、蛍光体の製造方法。
M1源、 M"源、及び Si源以外に、更に、 1価の元素又は原子団と 1価の元素とを 含有する化合物、 1価の元素又は原子団とー 3価の元素又は原子団とを含有する化 合物、 2価の元素と 1価の元素とを含有する化合物、 2価の元素と 3価の元素又 は原子団とを含有する化合物、 3価の元素と 1価の元素とを含有する化合物、並び に、 3価の元素と 3価の元素又は原子団とを含有する化合物からなる群力 選ばれ る 2種以上の化合物を用いる
ことを特徴とする、請求項 12又は請求項 13に記載の蛍光体の製造方法。
M1源、 M"源、及び Si源以外に、更に、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金 属ハロゲン化物、亜鉛ノ、ロゲン化物、 Y、 Al、 Sc、及び希土類元素力もなる群力も選 ばれる 3価の元素のハロゲンィ匕物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ土類金属リン酸塩 、リン酸亜鉛、 Y、 Al、 La、及び Scからなる群力も選ばれる 3価の元素のリン酸塩から なる群力 選ばれる 2種以上の化合物を用いる
ことを特徴とする、請求項 12〜14の何れか一項に記載の蛍光体の製造方法。
[16] 結晶成長促進作用を有するフラックスと結晶成長抑制作用を有するフラックスとを 組み合わせて用いる
ことを特徴とする、請求項 12〜 15の何れか一項に記載の蛍光体の製造方法。
[17] 請求項 1〜11の何れか一項に記載の蛍光体と、液状媒体とを含有する
ことを特徴とする、蛍光体含有組成物。
[18] 第 1の発光体と、該第 1の発光体力 の光の照射によって可視光を発する第 2の発 光体とを備え、
該第 2の発光体力 請求項 1〜11の何れか一項に記載の蛍光体を少なくとも 1種 以上、第 1の蛍光体として含有する
ことを特徴とする、発光装置。
[19] 前記第 2の発光体が、前記第 1の蛍光体とは発光ピーク波長の異なる少なくとも 1種 以上の蛍光体を、第 2の蛍光体として含有する
ことを特徴とする、請求項 18記載の発光装置。
[20] 前記第 1の発光体が、 420nm以上 500nm以下の範囲に発光ピークを有し、 前記第 2の発光体が、前記第 2の蛍光体として、 570nm以上 780nm以下の範囲 に発光ピークを有する少なくとも一種の蛍光体を含有する
ことを特徴とする、請求項 19記載の発光装置。
[21] 前記第 1の発光体が、 300nm以上 420nm以下の範囲に発光ピークを有し、 前記第 2の発光体が、前記第 2の蛍光体として、 420nm以上 470nm以下の範囲 に発光ピークを有する少なくとも一種の蛍光体と、 570nm以上 780nm以下の範囲 に発光ピークを有する少なくとも一種の蛍光体とを含有する
ことを特徴とする、請求項 19記載の発光装置。
[22] 前記第 1の発光体が、 420nm以上 500nm以下の範囲に発光ピークを有し、 前記第 2の発光体が、前記第 2の蛍光体として、 580nm以上 620nm以下の範囲 に発光ピークを有する少なくとも 1種の蛍光体を含有する
ことを特徴とする、請求項 19記載の発光装置。
[23] 請求項 18〜22の何れか一項に記載の発光装置を光源として備える
ことを特徴とする、画像表示装置。
[24] 請求項 18〜22の何れか一項に記載の発光装置を光源として備える
ことを特徴とする、照明装置。
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