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WO2006037499A2 - Kontaktierung thermoelektrisch aktiver antimonide - Google Patents

Kontaktierung thermoelektrisch aktiver antimonide Download PDF

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WO2006037499A2
WO2006037499A2 PCT/EP2005/010365 EP2005010365W WO2006037499A2 WO 2006037499 A2 WO2006037499 A2 WO 2006037499A2 EP 2005010365 W EP2005010365 W EP 2005010365W WO 2006037499 A2 WO2006037499 A2 WO 2006037499A2
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semiconductor material
contacting
thermoelectric
silver
solder
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    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/3006—Ag as the principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices

Definitions

  • thermoelectrically active antimonides
  • the invention relates to the temperature-stable contacting of semiconductor materials based on antimonides for use in thermoelectric generators and PET-animal arrangements and methods for producing such thermoelectric modules.
  • thermoelectric generators and Peltier devices have long been known, p- and n-doped semiconductors heated on one side and cooled on the other side carry electrical charges through an external circuit. These thermoelectric generators electrical work can be done on a consumer in the circuit. Peltier arrangements reverse the process described above.
  • thermoelectric effects and materials are given e.g. Cronin B. Vining, ITS Short Course on Thermoelectricity, Nov. 8, 1993 Yokohama, Japan.
  • thermoelectric generators are used in space probes for the generation of direct currents, for the cathodic corrosion protection of pipelines, for the energy supply of light and radio buoys and for the operation of radios and television sets.
  • the advantages of the thermoelectric generators lie in their extreme reliability: they work independently of atmospheric conditions such as air humidity; there is no fault-susceptible mass transfer, but only a charge transport; the fuel is burned continuously - even kataiytisch without free flame - whereby only small amounts of CO, NO x and unburned fuel are released; It can be used any fuel from hydrogen to natural gas, gasoline, kerosene, diesel fuel to biologically produced fuels such as rapeseed oil methyl ester.
  • thermoelectric energy conversion fits extremely flexibly into future needs such as hydrogen economy or energy production from renewable energies.
  • a particularly attractive application would be the use for conversion into electrical energy in electrically powered vehicles. In particular, no change to the existing filling station network needed to be made.
  • thermoelectrically active materials are essentially evaluated on the basis of their efficiency. Characteristic of thermoelectric materials in this regard is the so-called Z factor (figure of merit): S 2 . ⁇
  • thermoelec- tric materials which have the lowest possible thermal conductivity, the highest possible electrical conductivity and the largest possible Seebeck coefficient, so that the figure of merit assumes the highest possible value.
  • T high temperature of the heated side of the semiconductor
  • T n i edr ig temperature of the cooled side of the semiconductor
  • thermoelectric generators operate with high efficiency when the temperature difference between the hot and cooled sides is as great as possible.
  • this requires the greatest possible temperature resistance of the thermoelectric material - i. the highest possible melting point and if possible no phase transformations in the application temperature range - as well as a particularly high requirement for the contacting of the thermoelectric materials.
  • the contact material should have the greatest possible electrical and thermal conductivity in order to avoid losses.
  • the mechanical strength should be as large as possible, the contact material must not detach during operation, it must not peel off.
  • soldering method of the prior art are preferred with the advantages that the soldering 100 sau ⁇ place to 200 c C below the melting temperature of the semiconductor and that the liquid solder even small cracks and imperfections fills in an advantageous manner, which is a high electrical and thermal Conductivity results.
  • Prior art plugs are usually alloys containing bismuth, antimony, tin, lead, copper and / or silver.
  • the melting points are usually below 400 ° C.
  • a boundary condition for a good solder joint is that at least one alloy component of the solder diffuses into the materials to be joined.
  • barrier layers for connection to the contact material also require an additional solder, which has the task of firmly connecting the barrier layer to the contact material.
  • the object of the invention was to provide a suitable solder that enables a high-temperature-stable, diffusion-resistant solder joint of thermoelectric materials and manages without additional barrier layer.
  • the contact material should have the largest possible electrical and thermal conductivity and a high mechanical strength.
  • the object has been achieved by using silver-containing solders as contacting agents for contacting semiconductor material based on antimonides, which makes it possible to dispense with further barrier layers.
  • thermoelectric modules with an antimonide as a semiconductor material which are characterized in that they contain silver-containing solders as contacting agents and have no further barrier layer.
  • the invention further relates to a method for producing such thermoelectric modules and to the use of the soldering material according to the invention for contacting semiconductor material based on antimonides.
  • thermoelectric modules according to the invention contain an antimonide as semiconductor material.
  • an antimonide as semiconductor material.
  • Preferably used are CoSb 3 or Zn 4 Sb 3 .
  • antimonides are also suitable, for example those of the metals magnesium, iron, nickel, vanadium, niobium, tantalum, chromium and / or manganese. It is also possible to use substituted antimonides in which the crystal lattice of the metal antimonides is partially substituted by sulfides, selenides and / or tellurides of the metals antimony, silicon, germanium, zinc, lead, arsenic and / or bismuth.
  • partial is a degree of substitution with preferably 0.0005 to 0.3 mol, especially DERS preferably 0.001 to 0.2 mol, particularly 0.005 to 0.05 understood MoI 1 unit per mole Formel ⁇ antimonide.
  • substitution of the crystal lattice of the antimonide preferably obtain compounds selected from the group consisting of Si 2 Te 3 , GeTe, SnTe, PbTe, Sb 2 Te 3 , Bi 2 Te 3 , ZnTe, As 2 Te 3 , ZnS, As 2 S 3 , ZnSe, As 2 Se 3 or mixtures thereof.
  • Such substituted antimonides are described, for example, in unpublished German Patent Application No. 102004025065.0.
  • the semiconductor material may contain further compounds, in particular other commonly used dopants.
  • a dopant is, for example, Mg 2 Zn.
  • a total of at most 5 atomic%, preferably 0.2 to 3 atomic%, of compounds used to substitute the antimonide should be used.
  • the semiconducting antimonides from the outset may be advantageous to alloy with 0.1 to 10 atom% of silver. Preferred are concentrations of 1 to 5 atom%.
  • silver-containing solders are used as contacting agents according to the invention.
  • solders are preferred, which contain as further component tin, zinc or antimony, because the Antimonide small amounts of these elements also tolerate.
  • Preferred solder systems are Ag - Sn, Ag - Zn and Ag - Sb.
  • thermoelectric modules according to the invention are produced by using the above-described semiconductor material based on antimonides.
  • the semiconductor material is connected to the contact material by soldering by means of the silver-containing solders likewise described above, without any further barrier layer being applied between semiconductor material and solder.
  • soldering process is carried out in the usual way.
  • a good overview of currently used soldering methods is given in the company brochure "Soldering" by Braze Tee GmbH (www.BrazeTec.de).
  • the soldering process for the production of thermoelectric modules can be carried out at relatively high temperatures.
  • the temperatures can be adjusted individually depending on the materials used.
  • the soldering times are to be adapted to the respective conditions of heat capacity and thermal conductivity.
  • the inventive method has the advantage that the contact material does not diffuse into the semiconductor even at high temperatures, so that the composition of the semiconductor material is not changed and thus the thermoelectric properties are not adversely affected.
  • thermoelectric modules produced in this way have a high electrical and thermal conductivity with high mechanical strength.
  • thermoelectric generators or Peltier arrangements with the described thermoelectric modules are particularly suitable for applications at elevated temperatures.

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Abstract

Die Erfindung betrifft die temperaturstabile Kontaktierung von Halbleitermaterialen auf der Basis von Antimoniden mit silberhaltigen Loten ohne weitere Barriereschicht zum Einsatz in thermoelektrischen Generatoren und Peltier-Anordnungen sowie Verfahren zur Herstellung solcher thermoelektrischer Module.

Description

Kontaktierung thermoelektrisch aktiver Antimonide
Beschreibung
Die Erfindung betrifft die temperaturstabile Kontaktierung von Halbleitermaterialen auf der Basis von Antimoniden zum Einsatz in thermoelektrischen Generatoren und PeI- tier-Anordnungen sowie Verfahren zur Herstellung solcher thermoelektrischer Module.
Thermoelektrische Generatoren und Peltier-Anordnungen als solche sind seit langem bekannt, p- und n-dotierte Halbleiter, die auf einer Seite erhitzt und auf der anderen Seite gekühlt werden, transportieren elektrische Ladungen durch einen äußeren Stromkreis. Durch diese thermoelektrischen Generatoren kann an einem Verbraucher im Stromkreis elektrische Arbeit verrichtet werden. Peltier-Anordnungen kehren den zuvor beschriebenen Prozess um.
Einen guten Überblick über thermoelektrische Effekte und Materialien gibt z.B. Cronin B. Vining, ITS Short Course on Thermoelectricity, Nov. 8, 1993 Yokohama, Japan.
Gegenwärtig werden thermoelektrische Generatoren in Raumsonden zur Erzeugung von Gleichströmen, für den kathodischen Korrosionsschutz von Pipelines, zur Energie¬ versorgung von Leucht- und Funkbojen sowie zum Betrieb von Radios und Fernseh¬ apparaten eingesetzt. Die Vorteile der thermoelektrischen Generatoren liegen in ihrer äußersten Zuverlässigkeit: So arbeiten sie unabhängig von atmosphärischen Bedin¬ gungen wie Luftfeuchte; es erfolgt kein störungsanfälliger Stofftransport, sondern nur ein Ladungstransport; der Betriebsstoff wird kontinuierlich - auch kataiytisch ohne freie Flamme - verbrannt, wodurch nur geringe Mengen an CO, NOx und unverbranntem Betriebsstoff frei werden; es sind beliebige Betriebsstoffe einsetzbar von Wasserstoff über Erdgas, Benzin, Kerosin, Dieselkraftstoff bis zu biologisch erzeugten Kraftstoffen wie Rapsölmethylester.
Damit passt sich die thermoelektrische Energiewandlung äußerst flexibel in künftige Bedürfnisse wie Wasserstoffwirtschaft oder Energieerzeugung aus regenerativen Energien ein.
Eine besonders attraktive Anwendung wäre der Einsatz zur Wandlung in elektrische Energie in elektrisch betriebenen Fahrzeugen. Insbesondere brauchte hierfür keine Änderung am vorhandenen Tankstellennetz vorgenommen zu werden.
Thermoelektrisch aktive Materialien werden im Wesentlichen anhand ihres Wirkungs- grades bewertet. Kennzeichnend für thermoelektrische Materialien ist diesbezüglich der so genannte Z-Faktor (figure of merit): S2. σ
Z =
K
mit dem Seebeck-Koeffizienten S [μV/Grad], der elektrischen Leitfähigkeit σ [Ω"1 • cm"1] und der Wärmeleitfähigkeit K [mW/cm ■ Grad]. Gesucht werden dabei thermoelek- trische Materialien, die eine möglichst geringe Wärmeleitfähigkeit, eine möglichst große elektrische Leitfähigkeit und einen möglichst großen Seebeck-Koeffizienten aufweisen, so dass der figure of merit einen möglichst hohen Wert annimmt.
Für die Umwandlung thermischer Energie in elektrische beträgt der Wirkungsgrad η:
' hoch- " ' niedrig M - 1 η =
~l"hoch M + ' niedrig
Thoch mit
M = [ 1 + Y z (Thoch + Tniedrig)] 12
Thoch = Temperatur der erhitzten Seite des Halbleiters Tniedrig = Temperatur der gekühlten Seite des Halbleiters
(siehe auch Mat. Sei. and Eng. B29 (1995) 228).
Aus diesem Zusammenhang geht hervor, dass insbesondere thermoelektrische Gene- ratoren dann mit einem hohen Wirkungsgrad arbeiten, wenn die Temperaturdifferenz zwischen heißer und gekühlter Seite möglichst groß ist. Dies bedingt einerseits eine möglichst große Temperaturbeständigkeit des thermoelektrischen Materials - d.h. ein möglichst hoher Schmelzpunkt und möglichst keine Phasenumwandlungen im Anwen¬ dungstemperaturbereich - wie auch besonders hohe Anforderung an die Kontaktierung der thermoelektrischen Materialien.
Das Kontaktmaterial soll zur Vermeidung von Verlusten eine möglichst große elektri¬ sche und thermische Leitfähigkeit aufweisen. Die mechanische Festigkeit soll mög¬ lichst groß sein, das Kontaktmaterial darf sich im Betrieb nicht ablösen, es darf nicht abplatzen.
Es darf auch nicht - und dies ist besonders bei hohen Arbeitstemperaturen kritisch - ganz oder teilweise in die Halbleiter eindiffundieren. In diesem Fall würden dort die Zusammensetzung geändert und die thermoelektrischen Eigenschaften in stark negati¬ ver Weise erniedrigt werden.
Diese Problematik zeigt sich beispielsweise leicht beim Bleitellurid als thermoelektri- schem Material (s. Review of Lead-Telluride Bonding Concepts, Mat. Res. Soc. Symp. Proc, Vol. 234, 1991 , Seiten 167-177):
Nahezu jedes als Lotkomponente in Frage kommende Element reagiert mit Tellur, wo¬ durch das empfindliche Pb : Te-Verhältnis unzulässig geändert wird. Dies betrifft auch Dotierstoffe, wodurch beispielsweise ein n-leitendes Material in ein p-leitendes und umgekehrt überführt wird.
Als Lösungen werden beispielsweise formstabile, federnde Kontaktierungen diskutiert, die aber sowohl teuer als auch unreproduzierbar in der flächigen Kontaktierung selbst sind.
Auch Schweißverbindungen werden diskutiert. Beim Schweißen besteht der Vorteil, dass kein zusätzlicher Werkstoff zwischen Kontaktmaterial und Halbleiter eingebracht wird. Allerdings wird der Halbleiter zumindest kurzzeitig teilweise aufgeschmolzen mit den Nachteilen, dass beim Erkalten die aufgeschmolzene Schicht mit einem anderen Gefüge rekristallisiert und dass die Diffusion von Kontaktwerkstoff in die Schmelze ex¬ trem groß ist.
Nach dem Stand der Technik sind deshalb Lötverfahren bevorzugt mit den Vorteilen, dass das Löten 100 bis 200cC unterhalb der Schmelztemperatur der Halbleiter statt¬ findet und dass das flüssige Lot auch kleine Risse und Unebenheiten in vorteilhafter Weise ausfüllt, was eine hohe elektrische und thermische Leitfähigkeit ergibt.
Lote nach dem Stand der Technik sind üblicherweise Legierungen, die Bismut, Anti- mon, Zinn, Blei, Kupfer und/oder Silber enthalten. Die Schmelzpunkte liegen üblicher¬ weise unterhalb von 4000C.
Es sind keine Lötverbindungen bekannt, die oberhalb 400°C diffusionsfest wären. Im Gegenteil: Eine Randbedingung für eine gute Lötverbindung besteht darin, dass zu- mindest eine Legierungskomponente des Lots in die zu verbindenden Werkstoffe ein¬ diffundiert.
Damit wird ausgesagt, dass es von vornherein keine hochtemperaturstabilen, diffu¬ sionsfesten Lötverbindungen gibt.
Offensichtlich deshalb wurde bereits vorgeschlagen, zwischen das Kontaktmaterial und die Halbleiter eine Barriereschicht einzubringen (JP 2000 - 043637). Diskutiert werden Barriereschichten aus Nickelphosphiden, Nickelboriden und eine zusätzliche Schicht aus Gold.
Dennoch erfordern auch Barriereschichten zur Verbindung mit dem Kontaktmaterial ein zusätzliches Lot, das die Aufgabe hat, die Barriereschicht fest mit dem Kontaktmaterial zu verbinden.
Aufgabe der Erfindung war es, ein geeignetes Lot zur Verfügung zu stellen, das eine hochtemperaturstabile, diffusionsfeste Lötverbindung thermoelektrischer Materialien ermöglicht und ohne zusätzliche Barriereschicht auskommt. Das Kontaktmaterial sollte eine möglichst große elektrische und thermische Leitfähigkeit sowie eine hohe mecha¬ nische Festigkeit aufweisen.
Die Aufgabe wurde dadurch gelöst, dass zur Kontaktierung von Halbleitermaterial auf der Basis von Antimoniden silberhaltige Lote als Kontaktierungsmittel eingesetzt wer¬ den, wodurch ermöglicht wird, auf weitere Barriereschichten zu verzichten.
Gegenstand der Erfindung sind somit thermoelektrische Module mit einem Antimonid als Halbleitermaterial, die dadurch gekennzeichnet sind, dass sie silberhaltige Lote als Kontaktierungsmittel enthalten und keine weitere Barriereschicht aufweisen.
Gegenstände der Erfindung sind weiterhin ein Verfahren zur Herstellung solcher ther¬ moelektrischer Module sowie die Verwendung des erfindungsgemäßen Lotmaterials zur Kontaktierung von Halbleitermaterial auf der Basis von Antimoniden.
Es wurde überraschenderweise gefunden, dass sich halbleitende Antimonide, die sich von CoSb3 oder Zn4Sb3 herleiten, gegenüber bis zu 10 Atom-% Silber hinsichtlich ihrer elektronischen Eigenschaften nahezu inert verhalten. Insbesondere Halbleiter, denen man bis zu 5 Atom-% Silber zumischt, weisen keine niedrigeren Seebeck-Koeffizienten oder elektrische Leitfähigkeiten auf. Damit wurde erkannt, dass es möglich ist, derarti¬ ge Antimonide mit silberhaltigen Loten zu kontaktieren und dabei auf eine zusätzliche Barriereschicht zu verzichten.
Die erfindungsgemäßen thermoelektrischen Module enthalten als Halbleitermaterial ein Antimonid. Vorzugsweise eingesetzt werden CoSb3 oder Zn4Sb3.
Es eignen sich aber auch andere Antimonide, beispielsweise solche der Metalle Mag¬ nesium, Eisen, Nickel, Vanadium, Niob, Tantal, Chrom und/oder Mangan. Des Weite¬ ren können auch substituierte Antimonide eingesetzt werden, in denen das Kristallgitter der Metallantimonide partiell mit Sulfiden, Seleniden und/oder Telluriden der Metalle Antimon, Silizium, Germanium, Zink, Blei, Arsen und/oder Bismut substituiert ist. Unter „partiell" wird dabei ein Substitutionsgrad mit vorzugsweise 0,0005 bis 0,3 Mol, beson- ders bevorzugt 0,001 bis 0,2 Mol, insbesondere 0,005 bis 0,05 MoI1 pro Mol Formel¬ einheit Antimonid verstanden. Falls eine Substitution des Kristallgitters des Antimonids erfolgt, so erhalten diese vorzugsweise Verbindungen, die ausgewählt sind aus der Gruppe, bestehend aus Si2Te3, GeTe, SnTe, PbTe, Sb2Te3, Bi2Te3, ZnTe, As2Te3, ZnS, As2S3, ZnSe, As2Se3 oder Mischungen davon. Solche substituierten Antimonide sind beispielsweise beschrieben in der noch unveröffentlichten DE-Patentanmeldung Nr. 102004025065.0.
Neben den unsubstituierten oder substituierten Antimoniden kann das Halbleiter- material weitere Verbindungen, insbesondere sonstige üblicherweise mitverwendete Dotiermittel enthalten. Ein solches Dotiermittel ist beispielsweise Mg2Zn.
Zur Substitution der Antimonide mitverwendete Verbindungen sollten insgesamt zu höchstens 5 Atom-%, vorzugsweise 0,2 bis 3 Atom-%, eingesetzt werden.
Um sehr gute Lötverbindungen zu erhalten, kann es von Vorteil sein, die halbleitenden Antimonide von vornherein mit 0,1 bis 10 Atom-% an Silber zu legieren. Bevorzugt sind Konzentrationen von 1 bis 5 Atom-%.
Zur Verbindung des Halbleitermaterials mit den Kontakten werden erfindungsgemäß silberhaltige Lote als Kontaktierungsmittel verwendet. Es sind insbesondere derartige Lote bevorzugt, die als weitere Komponente Zinn, Zink oder Antimon enthalten, weil die Antimonide geringe Mengen dieser Elemente ebenfalls tolerieren.
Bevorzugt sind als Lotsysteme Ag - Sn, Ag - Zn sowie Ag - Sb.
Es kommen aber auch reines Silber oder Mischungen von Silber mit oben beschriebe¬ nen Lotmaterialien in Frage.
Je nach Zusammensetzung können fast beliebige Schmelzpunkte eingestellt werden. So werden für die folgenden Zusammensetzungen (in Gew.-%) die angegebenen Schmelzpunkte erhalten:
Ag / Sn 48 / 52 4800C Ag / Sn 85 / 15 8000C Ag / Sb 87 / 13 8000C Ag / Sb 82 / 18 700°C Ag / Sb 56 / 44 485°C Ag / Zn 85 / 15 800°C Ag / Zn 17 / 83 43O0C Die erfindungsgemäßen thermoelektrischen Module werden hergestellt unter Verwen¬ dung des oben beschriebenen Halbleitermaterials auf der Basis von Antimoniden. Das Halbleitermateriel wird dabei mit dem Kontaktmaterial durch Löten mittels der ebenfalls oben beschriebenen silberhaltigen Lote verbunden, ohne dass zwischen Halbleiterma- terial und Lot eine weitere Barriereschicht aufgebracht wird.
Der Lötvorgang erfolgt dabei auf übliche Art und Weise. Eine gute Übersicht über ge¬ genwärtig angewandte Lötverfahren gibt die Firmenschrift „Lötverfahren" der Firma Braze Tee GmbH (www.BrazeTec.de).
Gemäß dem vorliegenden erfindungsgemäßen Verfahren kann der Lötvorgang für die Herstellung von thermoelektrischen Modulen bei vergleichsweise hohen Temperaturen erfolgen. Die Temperaturen können je nach verwendeten Materialien individuell ange- passt werden. Vorteilhafterweise wird bei Temperaturen von 10 bis 2000C oberhalb der Liquidustemperatur des Lots gearbeitet. Die Lötzeiten sind den jeweiligen Bedin¬ gungen von Wärmekapazität und Wärmeleitfähigkeit anzupassen.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, dass das Kontaktmaterial auch bei hohen Temperaturen nicht in die Halbleiter eindiffundiert, damit die Zusammensetzung des Halbleitermaterials nicht geändert wird und somit die thermoelektrischen Eigen¬ schaften nicht negativ beeinflusst werden.
Die so hergestellten thermoelektrischen Module weisen eine große elektrische und thermische Leitfähigkeit auf bei hoher mechanische Festigkeit.
Thermoelektrische Generatoren oder Peltier-Anordnungen mit den beschriebenen thermoelektrischen Modulen sind besonders geeignet für Anwendungen bei erhöhten Temperaturen.

Claims

Patentansprüche
1. Thermoelektrische Module mit einem Antimonid als Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, dass sie silberhaltige Lote als Kontaktierungsmittel enthalten und keine weitere Barriereschicht aufweisen.
2. Thermoelektrische Module nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass sie Lote auf der Basis von Ag-Sn, Ag-Zn oder Ag-Sb als Kontaktierungsmittel enthal¬ ten.
3. Thermoelektrische Module nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial CoSb3 oder Zn4Sb3 als Haupt- oder Teilkomponente enthält.
4. Thermoelektrische Module nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn¬ zeichnet, dass die Antimonide mit 0,1 bis 10 Atom-% Silber legiert sind.
5. Verfahren zur Herstellung thermoelektrischer Module mit einem Antimonid als Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, dass zur Kontaktierung des Halblei- termaterials mit dem Kontaktmaterial silberhaltige Lote verwendet werden und zwischen Halbleitermaterial und Lot keine weitere Barriereschicht aufgebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass Lote auf der Basis von Ag-Sn, Ag-Zn oder Ag-Sb verwendet werden.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein Halblei¬ termaterial auf der Basis von CoSb3 oder Zn4Sb3 eingesetzt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das eingesetzte Halbleitermaterial 0,1 bis 10 Atom-% Silber enthält.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Lötvorgang bei Temperaturen von 10 bis 200 0C oberhalb der Liquidustempera- tur des Lots erfolgt.
10. Verwendung von Lotmaterial auf der Basis von Ag-Sn, Ag-Zn oder Ag-Sb zur Kontaktierung von Halbleitermaterial auf der Basis von Antimoniden.
11. Thermoelektrischer Generator oder Peltier-Anordnung, enthaltend thermoelektri¬ sche Module mit einem Antimonid als Halbleitermaterial und silberhaltigen Loten als Kontaktierungsmittel und nicht enthaltend weitere Barriereschichten.
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