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WO2006035565A1 - プラズマディスプレイ基板用、電極および／またはブラックストライプの製造方法 - Google Patents

プラズマディスプレイ基板用、電極および／またはブラックストライプの製造方法 Download PDF

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Publication number
WO2006035565A1
WO2006035565A1 PCT/JP2005/015683 JP2005015683W WO2006035565A1 WO 2006035565 A1 WO2006035565 A1 WO 2006035565A1 JP 2005015683 W JP2005015683 W JP 2005015683W WO 2006035565 A1 WO2006035565 A1 WO 2006035565A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
electrode
plasma display
mask layer
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2005/015683
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English (en)
French (fr)
Inventor
Ryohei Satoh
Yoshinori Iwata
Koji Nakagawa
Kenji Tanaka
Satoru Takaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2006537653A priority Critical patent/JPWO2006035565A1/ja
Priority to CN2005800323952A priority patent/CN101027744B/zh
Publication of WO2006035565A1 publication Critical patent/WO2006035565A1/ja
Priority to US11/691,689 priority patent/US7772778B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
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    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/44—Optical arrangements or shielding arrangements, e.g. filters or lenses
    • H01J2211/444—Means for improving contrast or colour purity, e.g. black matrix or light shielding means

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing an electrode and a Z or black stripe for a plasma display substrate, a plasma display substrate having an electrode and a Z or black stripe, and a plasma using the same. It relates to display panels.
  • the plasma display panel (hereinafter also referred to as "PDP"! /, U) can be reduced in thickness and can be easily increased in size, and has features such as light weight and high resolution. It is attracting attention as a strong candidate to replace CRT.
  • PDPs are broadly divided into DC and AC types, but the operating principle is based on the light emission phenomenon associated with gas discharge.
  • the cell space
  • the cell is defined by the partition wall 3 formed between the transparent front substrate 1 and the rear substrate 2 facing each other, and the visible light emission is small in the cell and the ultraviolet light emission efficiency is reduced.
  • Peung mixed gas such as He + Xe and Ne + Xe. Then, plasma discharge is generated in the cell, and the phosphor layer 11 on the inner wall of the cell emits light to form an image on the display screen.
  • a display electrode 5 made of a transparent conductive film on a transparent front substrate 1 and a part of the electrode Then, the bus electrode 6 is patterned and, if necessary, a black stripe 4 for pixel separation is patterned. Further, the address electrode 7 is formed on the rear substrate 2 by patterning. In order to secure insulation between the display electrode 5 and the address electrode 7 and to stably generate plasma, and to prevent the electrode from being eroded by plasma, the dielectric layer 8 and the MgO protective layer 9 are used. The display electrode 5, the bus electrode 6 and the black stripe 4 are covered (see Patent Document 1, Non-Patent Document 1, and Non-Patent Document 2).
  • DC type PDP does not cover the display electrode with a dielectric layer and protective layer. Different from type.
  • the display electrode 5 is desired to have a low resistance. Therefore, indium oxide containing tin oxide (hereinafter also referred to as “ITO”) has been generally used. This is often used because it has relatively low electrical resistance and is excellent in transparency, conductivity and patterning properties.
  • ITO indium oxide containing tin oxide
  • kites are expensive.
  • the dielectric may erode the ITO and increase the specific resistance of ITO.
  • the patterns of the display electrode 5, the bus electrode 6, and the black stripe 4 shown in FIG. 11 are usually formed by separately patterning the river page numbers by the photolithography 'etching process. Since the production process is long and expensive, and a strong acid or strong alkaline solution is used, an alternative to these methods, which has a large environmental load, is desired.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 7-65727
  • Non-Patent Document 1 Tatsuo Uchida and Satoshi Uchiike, “Flat Dictionary of Flat Panel Displays”, Industrial Research Association, December 25, 2001, p. 583-585
  • Non-Patent Document 2 Ken Okumura, “Flat Panel Display 2004 Practice”, Nikkei Business Publications, p. 176-183
  • the problem to be solved by the present invention is that a display electrode using ITO of a plasma display panel, a bus electrode using Ag or CrZCuZCr, and optionally a black stripe using a black dielectric are made of the same material, Low environmental impact by forming in the same dry process Provide a method for manufacturing electrodes and Z or black stripes for plasma display substrates that can display clear images with low load, low resistance, no erosion by dielectrics, and anti-reflection on PDP displays There is.
  • the present invention provides a plasma display substrate with electrodes and z or black stripes manufactured by this manufacturing method. Furthermore, it is to provide a PDP using this.
  • the present invention includes the following electrode for plasma display substrate, method for producing electrode and Z or black stripe, and electrode and Z or black stripe produced thereby.
  • a plasma display substrate and a PDP using the same are provided.
  • the present invention irradiates a mask layer formed on a transparent substrate (mask layer forming step) with a first laser beam to display electrodes, bus electrodes, and possibly After forming an opening in the area corresponding to each pattern of black stripes (opening forming process), an antireflection layer that provides an antireflection effect and an electrode layer are continuously formed on the entire surface (antireflection layer forming process). And electrode layer forming step), the mask layer is peeled off again by irradiating laser light, and unnecessary layers are simultaneously removed (peeling step), for plasma display substrate, electrode and Z or black stripe manufacturing method .
  • the mask layer is peeled off also on the transparent substrate by irradiating a second laser beam.
  • the antireflection layer includes a first antireflection layer having chromate and Z or titanate and a second antireflection layer made of Cr and Z or Ti. preferable.
  • the mask layer force is made of an organic material.
  • the mask layer is composed of a material containing 10 to 99% by mass of the black pigment or black dye.
  • the first laser light or the second laser light is a laser light having a wavelength of 500 to 1500 nm and an energy density of 0.1 to 5 jZcm 2 ! /.
  • the absorptance of the mask layer with respect to the second laser light may be in front of the antireflection layer. It is preferable that the absorptance with respect to the second laser beam is twice or more.
  • the absorptivity of the mask layer with respect to the first laser light is 70% or more.
  • the opening has an overhang shape or a reverse taper shape.
  • the electrode layer is made of copper, silver, aluminum or gold, and the electrode layer preferably contains Cr and Z or Ti.
  • a Cr / Ti layer forming step of forming a layer of Cr and Z or T after the electrode layer forming step is provided.
  • the method includes a step of forming a thin film layer before the mask layer forming step or after the peeling step, and removing a part of the thin film layer by irradiating the thin film layer with a third laser beam. It is preferable to do this.
  • the present invention is a plasma display substrate provided with the electrode and Z or black stripe, which is produced by the method for producing the electrode and Z or black stripe, and also includes chromate oxide and Z or titanium.
  • This is a plasma display substrate having a first antireflection layer that also has an acid strength, a second antireflection layer made of Cr and Z or Ti, and an electrode layer made of Cu in this order on a transparent substrate.
  • the plasma display substrate is a plasma display front substrate, and the visible light reflectivity from the substrate side of the electrode and Z or the black stripe is 0% or less.
  • the visible light reflectance is stipulated in JIS R3106 (1998), and the “substrate side” is the side of the surface on which the mask layer of the transparent substrate is formed.
  • the present invention is a plasma display panel using the plasma display substrate.
  • an ITO display electrode for a plasma display substrate manufactured using different materials a bus electrode using Ag or CrZCuZCr, and a black dielectric as the case may be.
  • the black stripe was made of the same material, at low cost, with low resistance, It is possible to provide a method for manufacturing an electrode for a plasma display substrate and a Z or black stripe, which can be manufactured from a material having low erosion by a dielectric material and can display a clear image on a PDP display device.
  • the electrode for the plasma display substrate can be obtained more inexpensively with a smaller number of manufacturing steps as compared with a conventional wet method such as photolithography 'etching process wet' lift-off method. And Z or black stripes can be produced. Furthermore, since it is a dry method using laser light, it has become a serious concern nowadays that it is not possible to use a large amount of chemicals such as a developer or an etchant as in the wet method. There is little worry of. Brief Description of Drawings
  • FIGS. L (a) to (d) are schematic cross-sectional views of a plasma display substrate for illustrating the steps of a preferred embodiment of an electrode and a Z or black type manufacturing method for the plasma display substrate of the present invention.
  • FIG. 1 is schematic cross-sectional views of a plasma display substrate for illustrating the steps of a preferred embodiment of an electrode and a Z or black type manufacturing method for the plasma display substrate of the present invention.
  • FIGS. 2 (to (h) are schematic cross-sectional views of a plasma display substrate for illustrating the steps of a preferred embodiment of the electrode and Z or black type manufacturing method for the plasma display substrate of the present invention. is there.
  • FIGS. 3 (a) to (g) are schematic cross-sectional views of a plasma display substrate for illustrating an opening forming step in the method for manufacturing electrodes and / or black stripes for the plasma display substrate of the present invention. is there.
  • FIGS. 4 (a) to (D) are schematic cross-sectional views of a plasma display substrate for showing an opening forming step in the method for manufacturing an electrode and Z or black stripe for the plasma display substrate of the present invention. .
  • FIGS. 5 (a) to (d) are schematic cross-sectional views of a plasma display substrate for illustrating an electrode forming step and an opening forming step in the method for producing a Z or black stripe for the plasma display substrate of the present invention. It is.
  • FIG. 6 shows a plasma display substrate for a plasma display substrate according to the present invention, a plasma display substrate manufactured by a preferred embodiment of the method for manufacturing a Z or black stripe, and a substrate with an electrode and a Z or black stripe. It is a schematic plan view.
  • FIG. 7 shows a plasma display substrate for a plasma display substrate according to the present invention, a plasma display substrate manufactured by a preferred embodiment of a method for manufacturing a Z or black stripe, and a substrate with an electrode and a Z or black stripe attached thereto.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
  • FIGS. 8 (a) to 8 (c) are cross-sectional views showing a schematic configuration of a plasma display substrate and a manufacturing apparatus for showing a manufacturing process of electrodes and Z or black stripes for the plasma display substrate in the example.
  • FIG. 8 is a schematic configuration of a plasma display substrate and a manufacturing apparatus for showing a manufacturing process of electrodes and Z or black stripes for the plasma display substrate in the example.
  • FIGS. 9 ((!) To (e) show a schematic configuration of a plasma display substrate and a manufacturing apparatus for showing a manufacturing process of an electrode and a Z or black stripe for a plasma display substrate in an example. It is sectional drawing.
  • FIGS. 10 (!) To (h) are cross-sectional views showing a schematic configuration of a plasma display substrate and a manufacturing apparatus for a plasma display substrate, an electrode, and a Z or black stripe manufacturing process in the example. It is.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a conventional PDP.
  • a preferred embodiment of the method for producing electrodes and Z or black stripes for the plasma display substrate of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. This preferred embodiment is an example, and the present invention is not limited to this.
  • a mask layer 20 is formed on the transparent substrate 10 (FIGS. 1 (a) and (b) ), Mask layer forming step). Thereafter, the surface of the transparent substrate 10 on which the mask layer 20 is formed is The “surface” and the opposite surface are the “lower surface”.
  • the mask layer 20 is irradiated with the first laser light 14 from the lower surface side through the photomask 12 to form an opening (FIGS. L (c) and (d), opening forming step).
  • an antireflection layer that is, a first antireflection layer 30 and a second antireflection layer 32 are formed on the upper surface of the transparent substrate 10 and the upper surface of the mask layer 20 (FIG. 2 (antireflection layer forming step))
  • the mask layer 20 is also irradiated with the second laser beam 15 with the lower surface side force to make the mask layer 20 transparent. Peel from the substrate 10 (FIGS. 2 (g) and (h), peeling step).
  • the antireflection layer 30 on the upper surface of the transparent substrate 10, the antireflection layer 32 on the upper surface, and the electrode layer 40 on the upper surface. These layers act as electrodes and Z or black stripes.
  • the transparent substrate 10 is made of a material that transmits a second laser beam to be described later (in the present invention, a material having a transmittance of 80% or more)!
  • the mask layer 20, the first antireflection layer 30, the second antireflection layer 32, and the electrode layer 40 are formed.
  • the mask layer 20 is not required by laser light irradiation from the transparent substrate 10 side (lower surface side). Can be peeled off.
  • a specific example is a glass substrate.
  • the mask layer 20 is formed on the surface of the transparent substrate 10 in the mask layer forming step.
  • Mask layer 20 is not particularly limited as long as it is made of a material that causes so-called ablation that can be removed by irradiation with a first laser beam described later (hereinafter also simply referred to as "mask layer forming material"). .
  • Such a mask layer forming material is preferably an organic material.
  • the first laser beam having a low energy density can sufficiently form and peel off the opening.
  • organic material include epoxy resin, polyethylene resin, polyimide resin, polyester resin, tetrafluoroethylene resin, and acrylic resin.
  • the first laser beam 14 having a wavelength of 500 to 1500 nm and an energy density of 0.1 to 5 jZcm 2 is simply irradiated with 1 to 5 pulses in the opening forming process described later.
  • the opening can be reliably formed without the mask layer 20 remaining on the surface of the transparent substrate 10 in the opening.
  • the second laser beam 15 having a wavelength of 500 to 1500 nm and an energy density of 0.1 to 5 j / cm 2 is left on the transparent substrate 10 only by irradiating 1 to 5 pulses.
  • the mask layer 20 can be reliably peeled from the transparent substrate 10 without causing damage to the first antireflection layer 30, the second antireflection layer 32, the electrode layer 40, and the like.
  • the mask layer is preferably composed of a mask layer forming material containing 10 to 99% by mass, preferably 20 to 99% by mass of a pigment or dye.
  • the pigment or dye is preferably a black pigment or black dye.
  • the black pigment (dye) is not particularly limited as long as it is a compound that increases the absorption rate of the mask layer with respect to the first laser beam or the second laser beam.
  • Specific examples thereof include carbon black, titanium black, Preferable examples include bismuth sulfide, iron oxide, azo acid dyes (for example, C ⁇ Mordant Blackl7), disperse dyes, and cationic dyes.
  • carbon black and titanium black are preferable because they have a high absorptance for all laser beams.
  • the absorptance for the first laser beam or the second laser beam is increased.
  • the opening can be sufficiently formed and peeled by a low laser beam (eg, about 0.1 to about LjZcm 2 ).
  • a low laser beam eg, about 0.1 to about LjZcm 2 .
  • the wavelength is 500 to 1500 nm in the opening forming step to be described later.
  • the first laser beam 14 having a Gee density of 0.1 to 5 j / cm 2 is irradiated with 1 to 5 pulses, so that the mask layer 20 does not remain on the surface of the transparent substrate 10 in the opening. Can be formed.
  • the organic material containing such a black pigment (dye) is used as a mask layer forming material, the first laser beam 14 having a wavelength of 500 to 1500 nm and an energy density of 0.1 to UZcm 2 is used. Even if it is, the same effect can be obtained by irradiating 1 to 5 pulses.
  • a wavelength force of 00 to 1500 nm and an energy density of 0.1 to 5 jZcm 2 can be obtained even in the peeling process described later.
  • the second laser beam having a wavelength of 500 to 1500 nm and an energy density of 0.1 to LjZcm 2 15
  • the same effect can be obtained by irradiating only 1 to 5 pulses.
  • the mask layer is preferably twice or more, and more preferably, so that the absorptance with respect to the second laser light 15 is larger than the absorptivity with respect to the second laser light 15 of the antireflection layer described later. Is 3 times or more, more preferably 5 times or more. Thus, it is possible to easily and more reliably peel off only the unnecessary mask layer in the peeling step described later.
  • the absorptivity of the mask layer with respect to the first laser light 14 is 70% or more, more preferably 85% or more, because the laser can be efficiently cached.
  • Such a mask 20 layer is formed by a commonly used method, for example, a method of applying the mask layer forming material to the surface of the transparent substrate 10 using a coater or the like, or a film-like mask layer forming material.
  • a method of forming on the surface of the transparent substrate 10 using a laminator or the like is illustrated.
  • the thickness of the mask layer 20 is preferably about 5 to 20 ⁇ m, more preferably about 10 to 20 ⁇ m. In the conventional wet method, the thickness of the mask layer 20 is usually about 25 to 50 / ⁇ ⁇ , but in the case of the present invention using laser light, the above thickness is suitable. Reason The reason is that it is suitable for manufacturing more fine electrodes more reliably and with higher precision, and because it can be processed with less laser energy, mass productivity can be greatly improved. is there.
  • an excimer laser beam or a YAG laser beam is used as the first laser beam 14 to ablate.
  • the mask layer 20 formed on the surface of the transparent substrate 10 in the mask layer forming step is removed by evaporation to form an opening.
  • the opening has an overhang shape or a reverse taper shape.
  • the first antireflection layer 30, the second antireflection layer 32, the electrode layer 40, and the like can be easily formed more precisely.
  • the first laser beam 14 incident on the mask layer is generally used as the mask layer. Since the energy attenuates as it enters the inside of the opening 20, the cross-sectional shape of the opening is formed to be an inversely tapered shape.
  • the inversely tapered shape is a shape in which the size of the opening of the mask layer 20 increases as it goes toward the transparent substrate 10.
  • the first laser beam 14 can be applied to the mask layer 20 from the upper surface side to form an overhang-shaped opening.
  • the overhang shape refers to a state in which, for example, when the opening is formed by forming two mask layers 20, the size of the opening in the upper layer is smaller than the size of the opening in the lower layer. That is, it is a shape in which the end of the upper layer opening protrudes beyond the end of the lower layer opening.
  • 3 to 5 show the process of processing the opening of the mask layer 20 formed on the transparent substrate 10 into a reverse tapered shape or an overhang shape.
  • a mask layer forming material to be used, a mask layer forming method, and The thickness of the mask layer is the same as that shown in the mask layer forming step.
  • a liquid mask layer forming material is applied on the transparent substrate 10, or a film-like mask layer forming material is laminated to form a first mask layer 20a (FIG. 3 (a)).
  • the mask layer 2 Oa side force is also irradiated with the first laser beam 14 through the photomask 12 (FIG. 3 (b)) to form an opening (FIG. 3 (c)).
  • the cross-sectional shape of the opening portion becomes narrower toward the surface of the transparent substrate 10, and has a so-called forward taper shape.
  • a film-like mask layer forming material is laminated on the upper surface of the first mask layer 20a to form a second mask layer 20b (FIG. 3 (d)).
  • the first laser beam 14 is irradiated from the mask layer 20b side through the photomask 12 (FIG. 3 (e)) to form an opening (FIG. 3 (f)).
  • the opening of the second mask layer 20b is formed so that the size of the opening is smaller than the size of the opening formed in the first mask layer 20a.
  • the end of the second mask layer 20b in the opening protrudes beyond the end of the first mask layer 20a, resulting in an overhanging opening.
  • the part can be formed.
  • the first antireflection layer 30 is formed in the next antireflection layer forming step to be described later, the result is as shown in FIG. 3 (g).
  • the method of processing the mask layer 20 into the overhang shape using the first laser beam 14 is different from the method of forming the two mask layers 20 in the above-mentioned manner by changing the focus of the first laser beam 14. It can also be performed by a method of irradiating twice. This process will be described in detail with reference to FIG. First, a liquid mask layer forming material is applied on the transparent substrate 10, or a film-like mask layer forming material is laminated to form the mask layer 20 (FIG. 4 (a)). Then, by irradiating the first laser beam 14 from the upper surface side of the mask layer 20 through the photomask 12 (FIG. 4 (b)), the mask layer 20 is processed into a forward tapered shape (FIG. 4 ( c)). Thereafter, the focal point of the first laser beam 14 is moved, and the first laser beam 14 is irradiated again through the photomask 12 (FIG. 4 (d)).
  • the cross-sectional shape of the opening of the mask layer 20 becomes a shape processed into a reverse taper shape from the middle of the forward taper shape (FIG. 4 (e)).
  • This is processed into a normal taper shape by the first laser beam irradiation, so the mask layer forming material that absorbs the energy of the first laser beam 14 is transparent at the second laser beam irradiation. This is because energy is applied to the mask layer forming material in the lateral direction near the top surface of the substrate 10 and near the focal point.
  • the first antireflection layer 30 is formed in the next antireflection layer forming step, the result is as shown in FIG.
  • a method for covering the mask layer 20 in a reverse taper shape will be described in detail with reference to FIG. 5.
  • a liquid mask layer forming material is applied on the transparent substrate 10, or a film-like material is formed.
  • a mask layer 20 is formed by laminating mask layer forming materials (FIG. 5 (a)).
  • the lower surface side force of the transparent substrate 10 is also irradiated with the first laser light 14 through the photomask 12 (FIG. 5B).
  • the first laser light 14 transmitted through the transparent substrate 10 covers the mask layer 20, and an opening having a reverse tapered shape in cross section can be formed in the mask layer 20 (FIG. 5).
  • the first antireflection layer 30 is formed in the next antireflection layer forming step described later, the result is as shown in FIG.
  • this method can form an inversely tapered opening with a single laser beam irradiation, and thus can form the inversely tapered opening most efficiently.
  • an opening having a cross-sectional shape of an overhang or a reverse taper can be formed in the mask layer 20.
  • the first laser beam 14 used has a wavelength power of 00 to 1500 nm and an energy density of 0.1 to 5 jZcm 2 , preferably 0.5 to 3 jZcm. 2 is a laser beam.
  • the first laser light may be a pulse or CW (continuous light).
  • laser light examples include YAG laser light (wavelength: 1064 nm), YAG laser light (wavelength: 532 nm), and the like.
  • the mask layer 20 By irradiating the mask layer 20 made of the above-described material with the first laser beam 14 as described above, the mask layer 20 can be reliably left on the surface of the transparent substrate 10 at the opening only by irradiation for a very short time. Opening such as overhang shape or reverse taper shape can be formed
  • ⁇ Antireflection layer forming step> In a preferred embodiment of the method for producing electrodes and / or black stripes for the plasma display substrate of the present invention, in the antireflection layer forming step, a first oxide made of chromium oxide having a predetermined film thickness is formed on the transparent substrate 10. An antireflection layer having a two-layer structural force of an antireflection layer 30 and a second antireflection layer 32 made of Cr is manufactured.
  • the reflected light from each layer interferes and the reflectance decreases. And a clear image can be displayed.
  • the material of the first antireflection layer 30 is preferably made of chromate and Z or titanate. 95% by mass of chromate and Z or titanate (total content of chromate and titanium oxide) with respect to the entire material forming the first antireflection layer 30 If it is contained above, it is preferable as the antireflection layer of the present invention.
  • chromate means oxygen-deficient CrO (1.0 ⁇ X ⁇ 1.5), Cr 2 O, etc.
  • Titanium oxide means oxygen-deficient TiO (1. 0 ⁇ X ⁇ 2. 0), TiO, etc.
  • the titanate is oxygen deficient TiO (1. 0 ⁇ X ⁇ 2. 0), the reflection characteristics are good.
  • the chromate oxide and Z or titanate oxide may further contain carbon, nitrogen and the like.
  • the extinction coefficient and the refractive index of the film can be finely adjusted, so that it matches the optical characteristics of the second antireflection layer 32.
  • the visible power is also preferred in terms of the laser wavelength range used in the present invention and the good antireflection characteristics.
  • chromium oxide contains nitrogen
  • the composition of this chromium oxynitride film is 0.3 ⁇ Y ⁇ 0, when expressed as Cr ON.
  • the thickness of the first antireflection layer 30 is preferably 30 nm to 100 nm. If it is out of this range, it is difficult to reduce reflectivity by using interference of reflected light. It becomes difficult.
  • the thickness may be appropriately adjusted within the range from the refractive index and extinction coefficient of the film.
  • the first antireflection film 30 is substantially transparent and preferably has a refractive index of 1.9 to 2.8 at a wavelength of 550 nm of 1.9 to 2.4. It is more preferable. Outside this range, it becomes difficult to reduce the reflected light by causing the reflected light from the first antireflection layer 30 and the second antireflection layer 32 to interfere with each other.
  • substantially transparent means that the extinction coefficient is not more than 1.5, more preferably not more than 0.7, so that sufficient light interference can be generated.
  • the first antireflection film 30 may be a plurality of films. Specifically, a laminate in which chromium oxide and chromium nitride are sequentially laminated from the substrate is exemplified.
  • the second antireflection layer 32 can also be Cr and / or T. If Cr and / or Ti is contained in an amount of 95% by mass or more with respect to the entire material forming the second antireflection layer 32, the function as the antireflection layer of the present invention is achieved. Also, it is preferable in that the second antireflection layer 32 is made of Cr and Z or Ti, so that the thin film layer as described later can be protected! /.
  • Cr and Z or Ti may further contain carbon, nitrogen and the like.
  • the extinction coefficient and the refractive index of the film can be finely adjusted, so that it matches the optical characteristics of the first antireflection layer 30. It is preferable in that the antireflection characteristic can be made good in the laser wavelength range used in the present invention.
  • the second antireflection layer 32 of the present invention has a low light transmittance and is substantially opaque in the visible light region.
  • the visible light transmittance is usually set to 0.0001 to 0.1%.
  • the thickness is 10 to 200 nm, preferably 20 to 100 nm.
  • the first antireflection layer 30 and the second antireflection layer 32 of the present invention can be formed by ordinary sputtering or vapor deposition.
  • a chromium target is used and an inert atmosphere such as argon is used.
  • sputtering may be performed.
  • sputtering may be performed by mixing N, CH, or the like with argon.
  • the chromic oxide layer of the layer 30 it is possible to use a chromic target, using a chromium target, and using an oxygen chromic target, which is the most effective method of sputtering in an atmosphere containing oxygen.
  • a chromic target using a chromium target, and using an oxygen chromic target, which is the most effective method of sputtering in an atmosphere containing oxygen.
  • oxygen chromic target which is the most effective method of sputtering in an atmosphere containing oxygen.
  • the reaction time by sputtering, vapor deposition or the like is controlled. Can be adjusted.
  • the opening is formed in the mask layer 20. Since the transparent substrate 10 in the opening portion formed in the step is exposed, the first antireflection layer 30 and the second antireflection layer 32 are formed on the surface (upper surface) of the transparent substrate 10 in this opening portion. It is. In other portions than the opening, the first antireflection layer 30 and the second antireflection layer 32 are formed on the upper surface of the mask layer 20.
  • the pattern width of the pixel display area of the first antireflection layer 30 and the second antireflection layer 32 formed on the transparent substrate 10 is preferably determined in consideration of the balance between the desired contrast and luminance. For example, it is 30 m or less. If it is too wide, the light that also generates the power of the PDP display device is shielded, and sufficient brightness cannot be secured.
  • the first antireflection coating exemplified in the preferred embodiment above is used.
  • the layer 30 and the second antireflection layer 32 are not limited to those forming two layers. In addition to these two layers, a plurality of layers may be provided.
  • the electrode layer 40 is formed on the upper surface side of the second antireflection layer 32 in the electrode layer forming step.
  • the material of the electrode layer forming material for forming the electrode layer 40 functions as an electrode. If it is, it will not specifically limit. For example, copper, silver, aluminum, gold or the like can be used.
  • copper is preferable.
  • the reason is that it is inexpensive as a material with high conductivity.
  • the method for forming the electrode layer 40 using the electrode layer forming material of such a material is the same as the method shown in the antireflection layer forming step.
  • the electrode layer 40 can be formed by these methods.
  • the thickness of the electrode layer 40 is usually about 1 to 4 m.
  • the method for adjusting the thickness is the same as the method shown in the antireflection layer forming step.
  • the electrode and the Z or black stripe may be covered with a dielectric.
  • the resistance of the electrode of the present invention and the dielectric of the Z or black stripe to the dielectric is much lower than that of ITO, but the electrode is more eroded by the following two methods. It is harder and better.
  • the first method includes a Cr′T layer forming step of forming a layer that also contains Cr and / or T after the electrode layer forming step. Further, the upper surface of the electrode layer 40 is further protected. In this method, a layer composed of Cr and Z or Ti is formed. As a result, the dielectric does not directly contact the electrode layer 40, so that the electrode layer 40 is not easily eroded.
  • the method of forming the layer made of Cr and Z or Ti is the same as the method of forming the first antireflection layer and the second antireflection layer.
  • the thickness of the layer made of Cr and Z or Ti may be 0.05 to 0. With this thickness, the electrode layer 40 can be prevented or suppressed from being eroded by the dielectric.
  • the method for adjusting the thickness is the same as the method for forming the first antireflection layer and the second antireflection layer.
  • the second method is a method in which the electrode layer 40 contains Cr and / or Ti. This is because Cr is highly resistant to dielectrics.
  • the electrode layer 40 may be a layer that also has an alloying force of Cr and Z or Ti and Cu.
  • the electrode layer 40 contains 5 to 15% by mass with respect to the entire material constituting electrode layer 40. It is preferable that the electrode layer 40 has sufficient resistance to the dielectric and the conductivity is maintained.
  • the electrode layer containing Cr and Z or Ti In order to form the electrode layer containing Cr and Z or Ti, a method similar to the method of forming the antireflection layer may be applied using the electrode layer forming material containing Cr and Z or Ti. Good.
  • the mask layer 20 in the peeling step, is irradiated with the second laser light 15 to thereby apply the mask layer 20 to the transparent substrate 10. Peel from.
  • the mask layer 20 evaporates due to the combined use of abrasion and thermal energy. As a result, the mask layer 20 is peeled from the transparent substrate 10.
  • excimer laser light, YAG laser light, or the like can be used as the type of the second laser light 15 in the same manner as the first laser light 14 described above.
  • the intensity of the second laser beam 15 is set to a wavelength of 500 to 1500 nm and an energy density of 0.1 to 5 jZcm 2 , as with the first laser beam 14. If the intensity of the second laser beam 15 is within this range, the first antireflection layer 30, the second antireflection layer 32, the electrode layer 40, etc. remaining on the transparent substrate 10 are damaged as described above.
  • the mask layer 20 can be peeled off from the transparent substrate 10 without fail.
  • the types and intensities of the first laser beam 14 and the second laser beam 15 may be the same or different. In consideration of the cost of the apparatus and the like, the same is preferable.
  • the transparent substrate 10 It is preferable to irradiate the second laser beam 15 on the lower surface side of the substrate because the mask layer 20 can be peeled off as much as possible by the transparent substrate 10 with less residue and less residue.
  • a film with an adhesive is pasted on the electrode layer 40, and then the mask layer 20 and the transparent substrate. May be removed from 10.
  • Adhesive strength reduction process In addition, in order to reduce or eliminate the adhesion between the mask layer 20 and the transparent substrate 10 immediately before the peeling process (hereinafter, these are collectively referred to simply as “decrease adhesion”), these adhesions are caused by light. There may be a process to reduce the adhesive strength (hereinafter referred to as “adhesive strength reduction process” ⁇ ⁇ ). After the first antireflection layer 30, the second antireflection layer 32, and the electrode layer 40 are formed on the mask layer 20, light is irradiated from the transparent substrate 10 side (lower surface side). Here, the light is preferably ultraviolet light. As a result, the mask layer forming material is decomposed and deteriorated.
  • the adhesion between the mask layer 20 and the transparent substrate 10 decreases. Accordingly, in this case, as the mask layer forming material, a material containing a component that causes decomposition and deterioration due to light irradiation may be used. Further, when the types of mask layer forming materials are different, irradiation may be performed using light having a wavelength corresponding to each mask layer forming material.
  • the mask layer 20 can be easily peeled off from the transparent substrate 10 and the residue after peeling can be reduced.
  • a plurality of thin film layers can be formed.
  • a thin film layer is further formed on the upper surface of the transparent substrate 10 before the mask layer forming step or after the peeling step, and a third thin film layer is formed on the thin film layer.
  • direct patterning By using such direct patterning, a thin film layer can be easily formed.
  • the thin film layer is formed after the peeling step, direct patterning of the thin film layer by irradiation with a third laser beam described later is formed on the transparent substrate 10 and the electrode layer 40.
  • the thin film layer may be applied to a portion of the thin film layer that is directly formed on the transparent substrate 10.
  • the thin film layer is formed before the mask layer forming step
  • direct patterning of the thin film layer by irradiation with a third laser beam described later is performed by the first antireflection layer 30 and the second antireflection layer 32.
  • formation of the electrode layer 40 that may be performed before forming the mask layer for forming the electrode layer 40 (that is, in a state where only the thin film layer is formed on the transparent substrate 10). It may be performed later (that is, after the first antireflection layer 30, the second antireflection layer 32, and the electrode layer 40 are formed on the thin film layer).
  • the direct patterning of the thin film layer is performed after the formation of the first antireflection layer 30, the second antireflection layer 32, and the electrode layer 40.
  • the mask layer for forming the antireflection layer 30, the second antireflection layer 32, and the electrode layer 40 need only be formed on the thin film layer on the transparent substrate 10 that has not been subjected to caloring. It is possible to form an efficient and highly accurate pattern.
  • the third laser beam for direct patterning of the thin film layer is an excimer laser beam, a YAG laser beam, or the like, and the first laser beam and the second laser beam used for opening and peeling of the mask layer described above.
  • (wavelength 500 to 1500 nm, the energy density lasers light 0. l ⁇ 5jZcm 2) high instrument wavelength force energy density than 00 ⁇ 1500Nm, preferably that energy density using a laser beam of 6 ⁇ 40jZcm 2 ! /
  • the material that can be used for the thin film layer may be any material that can be directly removed by irradiation with the third laser beam for direct patterning of the thin film layer.
  • Oxides such as SnO
  • metals such as Cr and Ti
  • the material of the thin film layer and the third laser beam to be used can be appropriately selected according to the combination thereof.
  • Such a thin film layer can be formed by a method similar to the formation of the first antireflection layer 30, the second antireflection layer 32, and the electrode layer 40.
  • the thickness of the thin film layer is usually about 0.
  • the method of adjusting the thickness is the same as that of the first antireflection layer, the second antireflection layer, and the electrode layer 40.
  • the present invention may add, for example, a step of appropriately changing the order of the steps in the preferred embodiment or forming another thin film.
  • the present invention provides a first antireflection layer also having chromate and Z or titanate strength, a second antireflection layer made of Cr and Z or Ti, and an electrode layer made of Cu. And a plasma display substrate to which a Z or black stripe is attached, and can be produced by the method for producing an electrode and / or black stripe for the plasma display substrate described above.
  • the first antireflection layer, the second antireflection layer, and the electrode layer are arranged in this order between the force layers stacked on the substrate.
  • another layer may be formed.
  • FIG. 6 shows an example of a transparent substrate 60 for a plasma display substrate with electrodes 62 and black stripes 61 formed by the method for manufacturing electrodes and Z or black stripes for the plasma display substrate of the present invention.
  • Fig. 7 shows a cross-sectional view along line AA in Fig. 6.
  • a first antireflection layer 63, a second antireflection layer 64, an electrode layer 66, and a protective layer 68 are formed in this order on the upper surface of the transparent substrate 60.
  • an antireflection layer is formed on the bus electrode and display electrode, which is not only black stripes, so that reflection of external light is further suppressed, and PDP display using this A clear image can be formed on the apparatus.
  • the visible light reflectance from the substrate side (transparent substrate 60 side) of these layers as a whole is preferably 50% or less, particularly preferably 40% or less, more preferably 10% or less. If the visible light reflectance is in this range, a clearer image can be formed on the PDP display device using the reflectance.
  • the plasma display substrate electrode of the present invention has been conventionally used as a bus electrode, and the electrode layer is also used as a display electrode. Therefore, like the conventional plasma display substrate electrode, First, it is not necessary to form a display electrode made of a transparent electrode and then form a bus electrode on a part of the display electrode. Therefore, the electrode for the plasma display substrate can be more reliably manufactured in a shorter time and at a lower cost.
  • the electrodes and the black stripe can be produced in the same process, and a very large cost reduction can be expected.
  • the plasma display substrate electrode according to the present invention is provided. Similarly, a PDP using a substrate can be manufactured at a lower cost.
  • a plasma display back substrate with address electrodes can be manufactured by the method for manufacturing an electrode for a plasma display substrate of the present invention.
  • Sarako, PDP can also be manufactured using this plasma display back substrate.
  • a film made of talyl resin containing 40% by mass of carbon black and having a mask layer forming material strength is used.
  • Metal Cr purity: 99.99% or more
  • metal Cr purity: 99.99% or more
  • metal copper purity
  • metal Cr purity: 99.99% or more
  • metal Cr purity: 99.99% or more
  • the mask film and the first antireflection layer, the second antireflection layer, the electrode layer, and the protective layer are formed by the step of forming electrodes and Z or black stripes for the plasma display substrate shown in FIGS. .
  • the manufacturing method of the electrode and Z or black stripe for the plasma display substrate is as follows: (1) Mask film attaching process (FIG. 8 (a) '(b)) (2) Opening formation process by laser light irradiation (Fig. 8 (c)), (3) Antireflection layer formation process (Fig. 9 (d) '(e)) ⁇ (4) Electrode layer and protective layer formation process (Fig. 10 (f) '(g)) (5) A mask layer peeling step by laser light irradiation (Fig. 10 (h)) is provided.
  • a mask film 72 having a thickness of 15 ⁇ m is uniformly attached on a glass substrate 70 (FIG. 8 (a)) with a film laminator 74 (FIG. 8 (b)).
  • the glass substrate 70 is irradiated with YAG laser light having a wavelength of 1064 nm and an energy density of ljZcm 2 as the first laser light through the photomask 78 (FIG. 8 (c)).
  • the cross-sectional shape of the opening of the mask film 72 becomes a reverse taper shape.
  • the glass substrate 70 is sputter-deposited 80
  • a CrO layer as the first antireflection layer 82 is formed on the glass substrate 70 and the mask film 72 by sputtering (FIG. 9 (d)).
  • the thickness of the first antireflection layer 82 is 0.05.
  • the first antireflection layer 82 is deposited on the mask film 72 and the glass substrate 70 completely separately. Further, using the same sputter deposition apparatus 80, the first antireflection layer 82, the Cr layer serving as the second antireflection layer 84, the Cu layer serving as the electrode layer 86, and the Cr layer serving as the protective layer 88 were sequentially formed. (Fig. 9 (e) to Fig. 10 (g)).
  • the thickness of each layer is about 0.08 ⁇ m for the 2nd anti-fi84 force, about 3 ⁇ m for the layer 86 force S, and about 0.1 ⁇ m for the layer 88 force S.
  • Each layer is completely separated on the mask film 72 and the glass substrate 70.
  • a YAG having a wavelength of 1064 nm and an energy density of 0.25 J / cm 2 is used as the second laser beam. Laser light is applied to the side force mask film 72 of the glass substrate 70 to peel the mask film 72 from the glass substrate 70 (FIG. 10 (h)).
  • an electrode and a Z or black stripe for a plasma display substrate similar to those shown in FIGS. 6 and 7 can be manufactured. Further, this display electrode has a resistance equal to or lower than that of ITO and has an excellent contrast. In addition, no erosion by dielectrics is observed.
  • a plasma display substrate can be manufactured by forming electrodes and black stripes on a transparent substrate with the same material, at a low price, with low resistance, and with a material that is less susceptible to erosion by dielectrics, Furthermore, a plasma display device that can display a clear image using the plasma display substrate can be manufactured.

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Abstract

　プラズマディスプレイパネルの表示電極、バス電極、および場合によりブラックストライプを、同一材料で、同一のドライ工程で形成することにより、環境低負荷で、安価で、低抵抗で、誘電体による侵食がなく、かつＰＤＰ表示装置上に反射防止をした鮮明な画像を表示できるプラズマディスプレイ基板用、電極および／またはブラックストライプの製造方法を提供する。 　透明基板上に形成したマスク層に、レーザ光を照射して、表示電極、バス電極、および、場合によりブラックストライプの各パターンに相当する領域に開口部を形成した後、全面に反射防止の効果をもたらす反射防止層と、電極層を連続形成し、再びレーザ光を照射して前記マスク層を剥離し、不要な薄膜層を同時に除去する、プラズマディスプレイ基板用、電極および／またはブラックストライプの製造方法。

Description

明 細 書
プラズマディスプレイ基板用、電極および zまたはブラックストライプの製 造方法
技術分野
[oooi] 本発明は、プラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプの 製造方法、およびこれにより製造される、電極および Zまたはブラックストライプ、が付 、たプラズマディスプレイ基板、ならびにこれを用いたプラズマディスプレイパネルに 関するものである。
背景技術
[0002] プラズマディスプレイパネル（以下、「PDP」とも!/、う）は、薄型化が可能で、かつ大 型化が容易であり、さらに軽量、高解像度等の特徴を持っため、表示装置として CR Tに替わる有力候補として注目されて 、る。
PDPは DC型と AC型に大別されるが、その動作原理はガス放電に伴う発光現象を 利用したものである。例えば AC型では図 11に示すように対向する透明な前面基板 1 および背面基板 2の間に形成した隔壁 3によりセル (空間）を区画し、セル内には可 視光発光が少なく紫外線発光効率が高 、He+Xe、 Ne+Xeなどのぺユング混合ガ スを封入する。そしてセル内でプラズマ放電を発生させ、セル内壁の蛍光体層 11を 発光させて表示画面上に画像を形成させる。
[0003] このような PDP表示装置においては、画像を形成する画素にプラズマ放電を発生 させるための電極として、透明な前面基板 1上に透明導電膜からなる表示電極 5およ びその電極の一部にバス電極 6をパターユングし、必要に応じて画素分離用のブラッ クストライプ 4をパターユングして形成する。また、背面基板 2にアドレス電極 7をパタ 一ユングして形成する。そして、表示電極 5とアドレス電極 7の間の絶縁を確保しプラ ズマを安定に発生させるために、また、電極がプラズマに侵食されるのを防ぐために 、誘電体層 8および MgO保護層 9で表示電極 5、バス電極 6およびブラックストライプ 4を被覆する (特許文献 1、非特許文献 1、非特許文献 2参照)。
尚、 DC型の PDPでは、表示電極を誘電体層および保護層で被覆しない点で AC 型と異なる。
[0004] ここで、上記表示電極 5は低抵抗であることが望まれる。そこで、従来から酸化錫を 含有する酸化インジウム（以下、「ITO」ともいう）が一般的に使用されている。これは、 比較的電気抵抗が低ぐ透明性、導電性とパターユング性に優れているので多用さ れている。
[0005] し力し、 ΙΤΟは高価である。また、 AC型の PDPにお!/、て ITOを誘電体で被覆する と誘電体が ITOを侵食し、 ITOの比抵抗を増大させる可能性もある。
この誘電体の侵食に対する ITOの耐性を向上させるために、誘電体の成分を調整 することで対応も可能である。しかし、この場合、同時に誘電体の本来の目的である 絶縁能、プラズマ力 の侵食防止能が低下する可能性がある。従って、この ITOに代 わる材料や方法が強く望まれて ヽる。
[0006] 一方、図 11に示す表示電極 5、バス電極 6、ブラックストライプ 4の各パターンは、通 常フォトリソグラフィ 'エッチングプロセスにより、川頁番に別々にパターユングして形成し ているため、製造工程が長ぐ高価であり、かつ強酸や強アルカリ液を用いるため、 環境負荷が大きぐこれらに代わる方法が望まれている。
また、コントラストをさらに向上させて、画像を鮮明にするためにブラックストライプ 4 を付けることが提案されている力 表示電極 5、バス電極 6などとは別工程での製造と なるために、その分、工程数が多くなつてしまう。
特許文献 1：特開平 7— 65727号公報
非特許文献 1 :内田龍男、内池平榭著、「フラットパネルディスプレイ大辞典」、工業調 查会、 2001年 12月 25日、 p. 583- 585
非特許文献 2：奥村健史著、「フラットパネル ·ディスプレイ 2004実務編」、日経 BP社 、 p. 176- 183
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 本発明が解決しょうとする課題は、プラズマディスプレイパネルの ITOを用いた表示 電極、 Agや CrZCuZCrを用いたバス電極、および場合により黒色誘電体を用いた ブラックストライプを、同一材料で、同一のドライ工程で形成することにより、環境低負 荷で、安価で、低抵抗で、誘電体による侵食がなぐかつ PDP表示装置上に反射防 止をした鮮明な画像を表示できるプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたは ブラックストライプの製造方法を提供することにある。また、この製造方法により製造さ れる、電極および zまたはブラックストライプが付 ヽたプラズマディスプレイ基板を提 供する点にある。さらに、これを用いた PDPを提供する点にある。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明は、上記の課題を解決するために、以下のプラズマディスプレイ基板用、電 極および Zまたはブラックストライプの製造方法、およびこれにより製造される、電極 および Zまたはブラックストライプ、が付いたプラズマディスプレイ基板、ならびにこれ を用いた PDPを提供するものである。
[0009] 本発明は、上記課題を解決するために、透明基板上に形成したマスク層に (マスク 層形成工程)、第 1レーザ光を照射して、表示電極、バス電極、および、場合によりブ ラックストライプの各パターンに相当する領域に開口部を形成（開口部形成工程)した 後、全面に反射防止の効果をもたらす反射防止層と、電極層を連続形成し (反射防 止層形成工程および電極層形成工程）、再びレーザ光を照射して前記マスク層を剥 離し、不要な層を同時に除去する（剥離工程)、プラズマディスプレイ基板用、電極お よび Zまたはブラックストライプの製造方法である。
[0010] このようなプラズマディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製 造方法において、前記剥離工程では、第 2レーザ光を照射して前記マスク層を前記 透明基板上力も剥離することが好まし 、。
[0011] また、前記反射防止層が、クロム酸ィ匕物および Zまたはチタン酸ィ匕物力もなる第 1 反射防止層と、 Crおよび Zまたは Tiからなる第 2反射防止層とを含むのが好ましい。
[0012] また、前記マスク層力 有機材料で構成されて 、るのが好ま 、。
[0013] また、前記マスク層力 黒色顔料もしくは黒色染料を 10〜99質量％含有する材料 で構成されて 、るのが好まし 、。
[0014] また、前記第 1レーザ光または前記第 2レーザ光が、波長が 500〜1500nm、エネ ルギー密度が 0. 1〜 5jZcm2のレーザ光であるのが好まし!/、。
[0015] また、前記マスク層の前記第 2レーザ光に対する吸収率が、前記反射防止層の前 記第 2レーザ光に対する吸収率の 2倍以上であるのが好ましい。
[0016] また、前記マスク層の前記第 1レーザ光に対する吸収率が 70%以上であるのが好 ましい。
[0017] また、前記開口部が、オーバーハング形状または逆テーパ形状であるのが好ま 、
[0018] また、前記電極層が、銅、銀、アルミニウムまたは金力 なり、該電極層に Crおよび Zまたは Tiを含有させるのが好まし 、。
[0019] また、前記電極層形成工程の後に、 Crおよび Zまたは T もなる層を形成する Cr •Ti層形成工程を具備するのが好ま U、。
[0020] また、前記マスク層形成工程の前または前記剥離工程の後に、薄膜層を形成し、 該薄膜層に第 3レーザ光を照射することによって該薄膜層の一部を除去する工程を 具備するのが好ましい。
[0021] また、本発明は、前記電極および Zまたはブラックストライプの製造方法により製造 される、電極および Zまたはブラックストライプが付 、たプラズマディスプレイ基板で あり、またクロム酸ィ匕物および Zまたはチタン酸ィ匕物力もなる第 1反射防止層と、 Cr および Zまたは Tiからなる第 2反射防止層と、 Cuからなる電極層と、を透明基板上に この順序で有するプラズマディスプレイ基板である。
[0022] また、本発明は、前記プラズマディスプレイ基板がプラズマディスプレイ前面基板で あり、前記電極および Zまたは前記ブラックストライプの基板側からの可視光反射率 力 0%以下であるのが好ましい。ここで可視光反射率とは、 JIS R3106 (1998年） に規定されて 、るものであり、「基板側」とは、透明基板のマスク層を形成して 、な ヽ 面の側である。
[0023] また、本発明は、前記プラズマディスプレイ基板を用いてなるプラズマディスプレイ パネルである。
発明の効果
[0024] 本発明によれば、従来は各々、別々の材料を用いて製造したプラズマディスプレイ 基板用の ITOの表示電極と、 Agや CrZCuZCrを用いたバス電極と、場合によって は黒色誘電体を用いたブラックストライプとを、同一材料で、かつ安価で、低抵抗で、 誘電体による侵食等が低い材料で製造でき、さらに PDP表示装置上に鮮明な画像 を表示できる、プラズマディスプレイ基板用電極および Zまたはブラックストライプの 製造方法を提供することができる。
さらに、本発明によれば、従来から利用されているフォトリソグラフィ 'エッチングプロ セスゃウエット 'リフトオフ法等の湿式法と比較して、より少ない製造工程数で、より安 価にプラズマディスプレイ基板用電極および Zまたはブラックストライプを製造するこ とができる。さらに、レーザ光を用いた乾式法であるので、湿式法のように多量の現像 液やエッチング剤等の薬液を使用することがなぐ昨今、重大な関心事となってきた 廃液処理等の環境負荷の心配も少な 、。 図面の簡単な説明
[図 1]図 l(a)〜(d)は、本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブ ラックストタイプの製造方法の好適実施例の工程を示すためのプラズマディスプレイ 基板の概略断面図である。
[図 2]図 2( 〜 (h)は、本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブ ラックストタイプの製造方法の好適実施例の工程を示すためのプラズマディスプレイ 基板の概略断面図である。
[図 3]図 3(a)〜(g)は、本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および/またはブラ ックストライプの製造方法における開口部形成工程を示すためのプラズマディスプレ ィ基板の概略断面図である。
[図 4]図 4(a)〜(Dは、本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラ ックストライプの製造方法における開口部形成工程を示すためのプラズマディスプレ ィ基板の概略断面図である。
[図 5]図 5(a)〜(d)は、本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブ ラックストライプの製造方法における開口部形成工程を示すためのプラズマディスプ レイ基板の概略断面図である。
[図 6]図 6は、本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックスト ライプの製造方法の好適実施例により製造されたプラズマディスプレイ基板用、電極 および Zまたはブラックストライプが付いた基板の概略平面図である。 [図 7]図 7は、本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックスト ライプの製造方法の好適実施例により製造されたプラズマディスプレイ基板用、電極 および Zまたはブラックストライプが付 、た基板の概略平面図の A— A'線断面概略 図である。
[図 8]図 8(a)〜(c)は、実施例におけるプラズマディスプレイ基板用、電極および Zま たはブラックストライプの製造工程を示すためのプラズマディスプレイ基板および製造 装置の概略構成を示す断面図である。
[図 9]図 9((！)〜 (e)は、実施例におけるプラズマディスプレイ基板用、電極および Zま たはブラックストライプの製造工程を示すためのプラズマディスプレイ基板および製造 装置の概略構成を示す断面図である。
[図 10]図 10(！)〜 (h)は、実施例におけるプラズマディスプレイ基板用、電極および Z またはブラックストライプの製造工程を示すためのプラズマディスプレイ基板および製 造装置の概略構成を示す断面図である。
[図 11]図 11は、従来の PDPの概略構成を示す概略図である。
符号の説明
1 前面基板
2 背面基板
3 隔壁
4 ブラックストライプ
5 表示電極
6 バス電極
7 アドレス電極
8 誘電体層
9 MgO保護層
11 蛍光体層
10 透明基板
12 フォトマスク
14 第 1レーザ光 15 第 2レーザ光
20、 20a、 20b マスク層
30 第 1反射防止層
32 第 2反射防止層
40 電極層
60 透明基板
61 ブラックストライプ
62 プラズマディスプレイ基板用電極
63 第 1反射防止層
64 第 2反射防止層
66 電極層
68 保護層
70 ガラス基板
72 マスクフイノレム
74 フィルムラミネータ
78 フォトマスク
80 スパッタ成膜装置
82 第 1反射防止層
84 第 2反射防止層
86 電極層
88 保護層
発明を実施するための最良の形態
[0027] 本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプの製 造方法の好適実施例を、図 1および図 2に基づいて詳細に説明する。この好適実施 例は一例であり本発明はこれに限定されない。
[0028] 本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプの製 造方法の好適実施例においては、まず、透明基板 10上にマスク層 20を形成する（図 1(a), (b)、マスク層形成工程)。以後、透明基板 10のマスク層 20を形成した面を「上 面」、逆の面を「下面」とする。
次に、フォトマスク 12を介してマスク層 20に下面側から第 1レーザ光 14を照射して 開口部を形成 (図 l(c)、（d)、開口部形成工程)する。
そして、透明基板 10の上面およびマスク層 20の上面に反射防止層、すなわち、第 1反射防止層 30および第 2反射防止層 32を形成し (図 2( 、反射防止層形成工程） 、第 2反射防止層 32の上面側に電極層 40を形成（図 2(1)、電極層形成工程)した後 、マスク層 20に下面側力も第 2レーザ光 15を照射して、マスク層 20を透明基板 10か ら剥離する（図 2(g)、（h)、剥離工程)。
このような製造工程により、透明基板 10の上面に、反射防止層 30、その上面に反 射防止層 32、さらにその上面に電極層 40を形成することができる。これらの層は、電 極および Zまたはブラックストライプの役割を果たす。
[0029] <透明基板 >
前記透明基板 10は、後述する第 2レーザ光を透過する材料 (本発明においては透 過率 80%以上の材料)で構成されて!ヽれば特に限定されず、前記剥離工程にぉ 、 て、マスク層 20、第 1反射防止層 30、第 2反射防止層 32、および電極層 40が形成さ れて 、な 、透明基板 10側（下面側)からのレーザ光照射で不要なマスク層 20を剥離 することができる。その具体例としては、ガラス基板が好適に挙げられる。特に、 PDP 用のガラス基板として従来力も用いられている、厚さ 0. 7〜3mm程度のガラス製基 板が好ましい。
[0030] <マスク層形成工程 >
本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製 造方法の好適実施例において、マスク層形成工程では、前記透明基板 10の表面に マスク層 20を形成する。
[0031] マスク層 20は、後述する第 1レーザ光の照射で除去可能な、いわゆるアブレーショ ンを引き起こす材料 (以下、単に「マスク層形成材料」ともいう。）で構成されていれば 特に限定されない。
[0032] このようなマスク層形成材料としては有機材料が好ましい。エネルギー密度の低い 第 1レーザ光によっても十分に開口部形成および剥離ができる力もである。 このような有機材料として、例えば、エポキシ榭脂、ポリエチレン榭脂、ポリイミド榭 脂、ポリエステル榭脂、四フッ化工チレン榭脂、アクリル榭脂等が挙げられる。
このような有機材料を用いることで、後述する開口部形成工程において波長が 500 〜1500nm、エネルギー密度が 0. l〜5jZcm2である第 1レーザ光 14を、 1〜5パル ス照射するだけで、開口部の透明基板 10の表面にマスク層 20が残存することなぐ 確実に開口部を形成することができる。
また、後述する剥離工程においても、波長が 500〜1500nm、エネルギー密度が 0 . l〜5j/cm2である第 2レーザ光 15を 1〜5パルス照射するだけで、透明基板 10上 に残存させる第 1反射防止層 30、第 2反射防止層 32、および電極層 40等にダメー ジを与えることなぐ確実にマスク層 20を透明基板 10から剥離することができる。
[0033] また、上記マスク層は、顔料または染料を 10〜99質量％、好ましくは 20〜99質量 %含有するマスク層形成材料で構成されて ヽるのが好ま ヽ。顔料または染料として は黒色顔料もしくは黒色染料であるのが好まし 、。
ここで、黒色顔料 (染料）は、マスク層の第 1レーザ光または第 2レーザ光に対する 吸収率を上昇させる化合物であれば特に限定されず、その具体例としては、カーボ ンブラック、チタンブラック、硫化ビスマス、酸化鉄、ァゾ系酸性染料 (例えば、 C丄 Mo rdant Blackl7)、分散系染料、カチオン系染料等が好適に挙げられる。これらのうち 、カーボンブラック、チタンブラックであるの力 全てのレーザ光に対して高い吸収率 を有する理由力も好ましい。
このような黒色顔料 (染料)を 10〜99質量％含有するマスク層形成材料を用いるこ とにより、後述する第 1レーザ光または第 2レーザ光に対する吸収率が増加することか ら、エネルギー密度の低い（例えば、 0. 1〜： LjZcm2程度）レーザ光によっても十分 に開口部形成および剥離させることができる。これにより、基板上に残存させる第 1反 射防止層 30、第 2反射防止層 32、および電極層 40にダメージを与えずに不要なマ スク層 20のみを容易かつ確実に、基板上にマスク層 20が残存することなく剥離する ことができる。
[0034] 従って、このような黒色顔料 (染料)を含有する材料をマスク層形成材料として使用 することにより、後述する開口部形成工程において波長が 500〜1500nm、ェネル ギー密度が 0. l〜5j/cm2である第 1レーザ光 14を、 1〜5パルス照射するだけで、 開口部の透明基板 10の表面にマスク層 20が残存することなぐ確実に開口部を形 成することができる。また、このような黒色顔料 (染料)を含有する前記有機材料をマ スク層形成材料として使用すれば、波長が 500〜1500nm、エネルギー密度が 0. 1 〜UZcm2である第 1レーザ光 14であっても、 1〜5パルス照射するだけで、同様な 効果を奏する。
さらに、このような黒色顔料 (染料)を含有する材料をマスク層形成材料として使用 することにより、後述する剥離工程においても、波長力 00〜1500nm、エネルギー 密度が 0. l〜5jZcm2である第 2レーザ光 15を 1〜5パルス照射するだけで、透明基 板 10上に残存させる第 1反射防止層 30、第 2反射防止層 32、および電極層 40等に ダメージを与えることなぐ確実にマスク層 20を透明基板 10から剥離することができる 。また、このような黒色顔料 (染料)を含有する前記有機材料をマスク層形成材料とし て使用すれば、波長が 500〜1500nm、エネルギー密度が 0. 1〜： LjZcm2である第 2レーザ光 15であっても、 1〜5パルス照射するだけで、同様な効果を奏する。
[0035] また、前記マスク層は、第 2レーザ光 15に対する吸収率が、後述する反射防止層の 第 2レーザ光 15に対する吸収率よりも大きくなるように、好ましくは 2倍以上、より好ま しくは 3倍以上、さらに好ましくは 5倍以上大きくなるようにする。これにより、後述する 剥離工程において、不要なマスク層のみを、より容易に、かつ、より確実に剥離するこ とができると!、う効果を奏する。
また、マスク層の第 1レーザ光 14に対する吸収率が 70%以上、より好ましくは 85% 以上であることが、効率よくレーザカ卩ェできるという理由力も好ましい。
[0036] このようなマスク 20層は、通常用いられる方法、例えば、コーター等を用いて透明 基板 10の表面に前記マスク層形成材料を塗布する方法や、フィルム状の前記マスク 層形成材料をフィルムラミネ一タ等を用いて透明基板 10の表面に形成する方法が例 示される。
このマスク層 20の厚さは 5〜20 μ m程度とすることが好ましぐ 10〜20 μ m程度で あればより好ましい。従来の湿式法においては、マスク層 20の厚さは 25〜50 /ζ πι程 度が通常であるが、レーザ光を用いた本発明の場合は上記の厚さが適している。理 由は、より微細な電極を、より確実に、より高精度で製造するのに適していることと、よ り少ないレーザーエネルギーで加工できるため、量産性を大幅に向上させることがで きるためである。
[0037] <開口部形成工程 >
本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製 造方法の好適実施例において、開口部形成工程では、例えば第 1レーザ光 14として エキシマレーザ光や YAGレーザ光等を用いて、アブレーシヨンと熱エネルギーとの 併用によって、上記マスク層形成工程で透明基板 10の表面に形成したマスク層 20 を蒸発除去して開口部を形成する。
[0038] 本発明では、開口部がオーバーハング形状または逆テーパ形状であることが好ま しい。
このような形状であれば、より精密に第 1反射防止層 30、第 2反射防止層 32、およ び電極層 40等を容易に形成することができるからである。
[0039] このような第 1レーザ光 14をマスク層 20に下面側から照射してマスク層 20に開口を 形成する場合には、一般的にマスク層に入射した第 1レーザ光 14はマスク層 20の内 部へ侵入するにつれて、そのエネルギーが減衰していくので、開口部の断面形状は 、逆テーパ形状となるように形成される。逆テーパ形状とは、マスク層 20の開口部の 大きさが透明基板 10に向かうにつれて大きくなつていく形状である。
また、第 1レーザ光 14をマスク層 20に上面側から照射してオーバーハング形状の 開口を形成することができる。オーバーハング形状とは、例えばマスク層 20を 2層形 成して開口部を形成する際に、上層の開口部の大きさが下層の開口部の大きさよりも 小さい状態を指す。すなわち、上層の開口部の端部が下層の開口部の端部よりもは み出している形状のことである。
[0040] 以下に、第 1レーザ光 14を用いてマスク層 20を加工し、開口部を形成する方法に ついて具体的に説明する。図 3〜図 5に、透明基板 10上に形成されたマスク層 20の 開口部を、その断面形状が逆テーパ形状またはオーバーハング形状に加工するェ 程を示す。
尚、この具体的説明において、用いるマスク層形成材料、マスク層形成方法および マスク層の厚さ等は、上記のマスク層形成工程で示したものと同様である。
[0041] まず、図 3に示すオーバーハング形状の開口部を形成する工程について説明する 。透明基板 10上に液状のマスク層形成材料を塗布する、またはフィルム状のマスク 層形成材料を積層して 1層目のマスク層 20aを形成する（図 3(a))。そして、マスク層 2 Oa側力もフォトマスク 12を介して第 1レーザ光 14を照射して（図 3 (b) )、開口部を形 成する（図 3(c))。この開口部の断面形状は、透明基板 10の表面に向かうにつれて 狭くなつており、いわゆる順テーパ形状を有している。次いで、この 1層目のマスク層 20aの上面に、フィルム状のマスク層形成材料を積層して 2層目のマスク層 20bを形 成する（図 3(d))。そして、マスク層 20b側からフォトマスク 12を介して第 1レーザ光 14 を照射して（図 3 (e) )、開口部を形成する（図 3(f))。 2層目のマスク層 20bの開口部 の形成は、その開口部の大きさが 1層目のマスク層 20aに形成した開口部の大きさよ りも小さくなるように行う。これにより、図 3(f)に示すように、開口部における 2層目のマ スク層 20bの端部が 1層目のマスク層 20aの端部よりも突き出た形状となり、オーバー ハング形状の開口部を形成することができる。そして、後述する次の反射防止層形成 工程で第 1反射防止層 30を形成すれば、図 3(g)のようになる。
[0042] また、マスク層 20を第 1レーザ光 14を用いてオーバーハング形状に加工する方法 は、上記マスク層 20を 2層形成する方法の他に、第 1レーザ光 14の焦点を変えて 2 回照射する方法によって行うこともできる。この工程を図 4に示し具体的に説明する。 まず、透明基板 10上に液状のマスク層形成材料を塗布する、またはフィルム状のマ スク層形成材料を積層してマスク層 20を形成する（図 4(a))。そして、マスク層 20の上 面側からフォトマスク 12を介して第 1レーザ光 14を照射することにより（図 4 (b) )、マ スク層 20は順テーパ形状に加工される（図 4(c))。その後、第 1レーザ光 14の焦点を 移動させて再度フォトマスク 12を介して第 1レーザ光 14を照射する（図 4(d))。
これにより、マスク層 20の開口部の断面形状は、順テーパ形状の途中から逆テー パ形状に加工された形状となる（図 4 (e) )。これは、 1回目のレーザ光照射にて順テ ーパ形状に加工されているため、 2回目のレーザ光照射の際には第 1レーザ光 14の エネルギーを吸収するマスク層形成材料がなぐ透明基板 10の上面に近 、焦点近 傍で横方向のマスク層形成材料にエネルギーが加えられるためである。そして、後述 する次の反射防止層形成工程で第 1反射防止層 30を形成すれば、図 4(f)のようにな る。
[0043] 次に、マスク層 20を逆テーパ形状にカ卩ェする方法を図 5に示し具体的に説明する まず、透明基板 10上に液状のマスク層形成材料を塗布する、またはフィルム状の マスク層形成材料を積層してマスク層 20を形成する（図 5(a))。そして、透明基板 10 の下面側力もフォトマスク 12を介して第 1レーザ光 14を照射する（図 5 (b) )。これによ り、透明基板 10を透過した第 1レーザ光 14がマスク層 20をカ卩ェして、マスク層 20に 断面形状が逆テーパ形状となる開口部を形成することができる（図 5(c))。そして、後 述する次の反射防止層形成工程で第 1反射防止層 30を形成すれば、図 5(d)のよう になる。
尚、この方法は、 1回のレーザ光照射で確実に逆テーパ形状の開口部を形成する ことができるので、最も効率よく逆テーパ形状の開口部を形成することができる方法 である。
[0044] このような方法の!/、ずれか、または各方法を組み合わせて用いれば、断面形状が オーバーハング形状または逆テーパ形状である開口部をマスク層 20に形成すること が可能となる。
[0045] 本発明の開口部形成工程において開口部を形成するにあたり、用いる第 1レーザ 光 14は、波長力 00〜1500nm、エネルギー密度が 0. l〜5jZcm2、好ましくは、 0 . 5〜3jZcm2のレーザ光である。第 1レーザ光はパルスであっても、 CW (連続光）で あってもよい。
このようなレーザ光として、具体的には、 YAGレーザ光（波長： 1064nm)、 YAGレ 一ザ光 (波長： 532nm)等が挙げられる。
このような第 1レーザ光 14を、前述のような材質のマスク層 20に照射すれば、極短 時間の照射のみで開口部の透明基板 10の表面にマスク層 20が残存することなぐ 確実にオーバーハング形状または逆テーパ形状等の開口部を形成することができる
[0046] <反射防止層形成工程 > 本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製 造方法の好適実施例において、反射防止層形成工程では、透明基板 10上に、所定 の膜厚を有するクロム酸化物からなる第 1反射防止層 30と、 Crからなる第 2反射防止 層 32との 2層構造力もなる反射防止層を製造する。
透明基板 10上に第 1反射防止層 30を形成し、その上面に第 2反射防止層 32を形 成して 2層構造とすることで、各層からの反射光が干渉し、反射率が低下し、鮮明な 画像が表示できる。
[0047] <第 1反射防止層 >
本発明の好適実施例において、第 1反射防止層 30の材料はクロム酸ィ匕物および Zまたはチタン酸ィ匕物力もなることが好ましい。第 1反射防止層 30を形成する材料の 全体に対して、クロム酸ィ匕物および Zまたはチタン酸ィ匕物（クロム酸ィ匕物およびチタ ン酸化物の含有量の合計)が 95質量％以上含有されれば、本発明の反射防止層と して好ましい。
ここで、クロム酸ィ匕物とは、酸素欠損型の CrO (1. 0≤X< 1. 5)、 Cr Oなどを意
X 2 3 味する。クロム酸ィ匕物が酸素欠損型の CrO (1≤X< 1. 5)であると、反射特性が良
X
好となり特に好ましい。
また、チタン酸ィ匕物とは、酸素欠損型の TiO (1. 0≤X< 2. 0)、 TiOなどを意味
X 2
する。チタン酸ィ匕物が酸素欠損型の TiO (1. 0≤X< 2. 0)であると、反射特性が良
X
好となり特に好ましい。
また、クロム酸ィ匕物および Zまたはチタン酸ィ匕物は、さらに炭素、窒素等を含有して いてもよい。特に炭素および Zまたは窒素を、第 1反射防止層 30を形成する材料に 含有させることにより、消衰係数、膜の屈折率を微調整できるため、第 2反射防止層 3 2の光学特性と整合させることで可視域力も本発明で使用されるレーザ波長範隨こ ぉ 、て反射防止特性を良好とできる点で好ま 、。クロム酸化物に窒素を含有して ヽ る場合、この酸窒化クロム膜の組成は、 Cr O Nと表す場合に、 0. 3≤Y≤0.
1 -Y-Z Υ Ζ
55、 0. 03≤Ζ≤0. 2であること力 子まし!/ヽ。
[0048] 本発明において第 1反射防止層 30の厚さは、 30nm〜100nmとすることが好まし い。この範囲からはずれると、反射光の干渉を利用して反射率を低下させることが困 難になる。厚さは、該範囲で、膜の屈折率、消衰係数などから、適宜調整されればよ い。
[0049] また、第 1反射防止膜 30は、実質的に透明であり、波長 550nmでの屈折率が 1. 9 〜2. 8であることが好ましぐ 1. 9〜2. 4であることがより好ましい。この範囲を外れる と、第 1反射防止層 30からと第 2反射防止層 32からとの反射光を干渉させて、反射 光を低減することが困難になる。実質的に透明であるとは、消衰係数が 1. 5以下、よ り好ましくは 0. 7以下であることをいい、これにより、十分な光の干渉を生じさせること ができるようになる。
また、第 1反射防止膜 30は複数の膜であってもよい。具体的には、基板から酸化ク ロム、窒化クロムを順に積層したものが例示される。
[0050] <第 2反射防止層 >
本発明の好適実施例にぉ 、て、第 2反射防止層 32は Crおよび/または T もな る。第 2反射防止層 32を形成する材料の全体に対して、 Crおよび/または Tiが 95 質量％以上含有されれば、本発明の反射防止層としての機能を果たす。また、第 2 反射防止層 32を Crおよび Zまたは Tiとすることで、後述するような薄膜層を保護す ることができる点で好まし!/、。
また、 Crおよび Zまたは Tiは、さらに炭素、窒素等を含有していてもよい。特に炭 素および Zまたは窒素を、第 2反射防止層 32を形成する材料に含有させることにより 、消衰係数、膜の屈折率を微調整できるため、第 1反射防止層 30の光学特性と整合 させることで可視光領域力 本発明で使用されるレーザ波長範囲において反射防止 特性を良好とできる点で好まし 、。
[0051] 本発明の第 2反射防止層 32は光透過率を低くして、可視光領域で実質的に不透 明とする。実質的に不透明にするためには、通常、可視光透過率で、 0. 0001〜0.1 %とされれば良い。具体的には、厚さを 10〜200nm、好ましくは 20〜100nmとする
[0052] 本発明の第 1反射防止層 30および第 2反射防止層 32を形成するためには、通常 のスパッタリングや蒸着法によって行なえる。スパッタリングにより、第 2反射防止層 32 の Cr層を形成するためには、クロムターゲットを用い、アルゴン等の不活性雰囲気下 で、スパッタリングを行なえばよい。 Ti層を形成する場合も同様である。ここでァルゴ ン等に Nや CHなどを混合させてスパッタリングを行ってもよい。また、第 1反射防止
2 4
層 30のクロム酸ィ匕物層を形成するためには、クロムターゲットを用い、酸素を含む雰 囲気下でスパッタリングを行なう方法のほ力、酸ィ匕クロムターゲットを用いることも可能 である。チタン酸化物層を形成する場合も同様である。ここで N、 CO、 CHなどを
2 2 4 混合させてスパッタリングを行ってもょ 、。
[0053] 透明基板 10上に形成される第 1反射防止層 30および第 2反射防止層 32が、上記 の厚さとなるようにするには、スパッタリングや蒸着法等による反応時間等を制御する ことで調整可能である。
[0054] このような方法でマスク層 20が形成された透明基板 10の上面側に、第 1反射防止 層 30および第 2反射防止層 32を形成する場合、マスク層 20には上記開口部形成ェ 程で形成した開口部の部分の透明基板 10が露出しているので、この開口部では、 透明基板 10の表面 (上面）に第 1反射防止層 30および第 2反射防止層 32が形成さ れる。その他の開口部以外の部分では、マスク層 20の上面に第 1反射防止層 30お よび第 2反射防止層 32が形成される。
[0055] 透明基板 10上に形成される第 1反射防止層 30および第 2反射防止層 32の画素表 示領域のパターン幅は、目的のコントラストと輝度とのバランスを考慮して決めること が好ましぐ例えば 30 m以下である。広すぎると PDP表示装置力も発する光そのも のが遮光されて、十分な輝度を確保できなくなる。
[0056] 本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプの製 造方法の好適実施例の反射防止層形成工程にぉ 、ては、上記の好適実施例に例 示した第 1反射防止層 30および第 2反射防止層 32の 2層を形成するものに限定され ない。この 2層の他に、さらに複数の層を有してもよい。
[0057] く電極層形成工程〉
本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製 造方法の好適実施例において、電極層形成工程では、第 2反射防止層 32の上面側 に電極層 40を形成する。
[0058] この電極層 40を形成する電極層形成材料の材質は、電極としての機能を果たすも のであれば特に限定されない。例えば、銅、銀、アルミニウム、金等を用いることがで きる。
これらの中でも銅が好ましい。理由は、導電性が高ぐ材料として安価であるためで ある。
[0059] このような材質の電極層形成材料を用いて電極層 40を形成する方法は、前記反射 防止層形成工程で示した方法と同様である。これらの方法により電極層 40を形成す ることができる。電極層 40の厚さは通常 1〜4 m程度とする。この厚さを調製する方 法も、前記反射防止層形成工程で示した方法と同様である。
[0060] このような電極層 40を上記反射防止層と共に、プラズマディスプレイ基板用、電極 および Zまたはブラックストライプとして使用するに当たり、電極および Zまたはブラッ クストライプを誘電体により被覆する場合がある。本発明の電極および Zまたはブラッ クストライプの誘電体に対する耐性は、 ITOと比較して格段に高く侵食される程度も 非常に低いが、以下に例示する 2つの方法により、電極は、より侵食されにくくなり好 ましい。
[0061] 第 1の方法は、電極層形成工程の後に、 Crおよび/または T もなる層を形成す る Cr'T層形成工程を具備するもので、前記電極層 40の上面に、さらに保護層とし て Crおよび Zまたは Tiからなる層を形成する方法である。これにより誘電体が電極層 40に直接接することがなくなるので、電極層 40は侵食されにくい。
該 Crおよび Zまたは Tiからなる層を形成する方法は、前記第 1反射防止層および 第 2反射防止層を形成する方法と同様である。
該 Crおよび Zまたは Tiからなる層の厚さは、 0. 05〜0. であればよい。 この厚さであれば、電極層 40が誘電体により侵食されるのを防止、または抑制するこ とができる。この厚さに調整する方法も、前記第 1反射防止層および第 2反射防止層 を形成する方法と同様である。
[0062] 第 2の方法は、上記電極層 40に Crおよび/または Tiを含有させる方法である。 Cr は誘電体に対する耐性が高いからである。具体的には、電極層 40を、 Crおよび Zま たは Tiと、 Cuとの合金力もなる層とするものが挙げられる。
Crおよび/または Tiが電極層 40を構成する材料の全体に対して 5〜 15質量％含 有していると、電極層 40は誘電体に対して十分な耐性を有し、かつ導電性が保たれ るので好ましい。
該 Crおよび Zまたは Tiを含有した電極層を形成するには、 Crおよび Zまたは Tiを 含有した前記電極層形成材料を用いて、前記反射防止層を形成する方法と同様の 方法を適用すればよい。
[0063] <剥離工程 >
本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製 造方法の好適実施例において、剥離工程では、前記マスク層 20に第 2レーザ光 15 を照射して、マスク層 20を透明基板 10から剥離する。マスク層 20に第 2レーザ光 15 を照射すると、アブレーシヨンと熱エネルギーとの併用によってマスク層 20が蒸発す る。この結果、マスク層 20は透明基板 10から剥離する。
ここで第 2レーザ光 15の種類は、前述の第 1レーザ光 14と同様にエキシマレーザ 光や YAGレーザ光等を用いることができる。
また第 2レーザ光 15の強度は、第 1レーザ光 14と同様に、波長が 500〜1500nm 、エネルギー密度が 0. l〜5jZcm2とする。第 2レーザ光 15の強度がこの範囲であ れば、前述のように、透明基板 10上に残存させる第 1反射防止層 30、第 2反射防止 層 32、および電極層 40等にダメージを与えることなぐ確実にマスク層 20を透明基 板 10から剥離することができる。
尚、第 1レーザ光 14と第 2レーザ光 15との種類や強度は同じであっても違っていて もよい。装置のコスト等を考慮すれば、同じであることが好ましい。
また、図 2(g)では、マスク層 20上に、第 1反射防止層 30、第 2反射防止層 32、およ び電極層 40が形成されている力 このような場合は、透明基板 10の下面側力も第 2 レーザ光 15を照射したほうが、より確実に、かつ、残渣が少なくマスク層 20を透明基 板 10力も剥離することができるので好ま 、。
[0064] また、本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプ の製造方法において、剥離工程では、粘着剤が付いたフィルムを電極層 40の上に 貼り、その後マスク層 20ごと透明基板 10から剥がしてもよい。
[0065] <接着力低下工程 > 尚、剥離工程の直前にマスク層 20と透明基板 10との接着性を低下させる、または 無くす (以下、これらをまとめて単に「接着性を低下させる」という）ために、光によって これらの接着性を低下させる工程 (以下、「接着力低下工程」 ヽぅ）を設けてもょ 、。 マスク層 20上の第 1反射防止層 30、第 2反射防止層 32および電極層 40を成膜し た後、透明基板 10側（下面側)から光を照射する。ここで光は紫外光が好ましい。こ れにより、マスク層形成材料が分解 '劣化する。その結果、マスク層 20と透明基板 10 との接着性が低下する。従って、この場合、マスク層形成材料としては、光の照射に より分解'劣化を起こす成分を含む材料を用いればよい。さらに、マスク層形成材料 の種類が異なる場合には、それら各マスク層形成材料に対応した波長の光を用いて 照射すればよい。
これにより、マスク層 20を透明基板 10から剥離しやすくするとともに、剥離した後の 残渣を減少させることができる。
[0066] <薄膜層 >
本発明は、上記の第 1反射防止層 30、第 2反射防止層 32、および電極層 40の他 に、さらに複数の薄膜層（複数層）を形成することができる。例えば、さらにもう 1層の 薄膜層を形成する場合、上記マスク層形成工程の前、または、上記剥離工程の後に 、透明基板 10の上面にさらに薄膜層を形成するとともに、該薄膜層に第 3レーザ光を 照射することによって、薄膜層の一部を直接除去加工 (ダイレクトパターユング)する。 このようなダイレクトパターユングを利用することにより、薄膜層を容易に形成すること ができる。
[0067] また、上記剥離工程の後に薄膜層の形成を行った場合には、後述する第 3レーザ 光の照射による該薄膜層のダイレクトパターユングは、透明基板 10上および電極層 40上に形成された薄膜層に対して、特に、該薄膜層のうち透明基板 10上に直接形 成された部分に対して行えばよ!、。
一方、上記マスク層形成工程前に薄膜層の形成を行った場合には、後述する第 3 レーザ光の照射による該薄膜層のダイレクトパターニングは、第 1反射防止層 30、第 2反射防止層 32および電極層 40を形成するためのマスク層の形成前に（すなわち、 透明基板 10上に薄膜層のみが形成された状態で)行ってもよぐ電極層 40の形成 後に (すなわち、薄膜層上に第 1反射防止層 30、第 2反射防止層 32および電極層 4 0が形成された後に)行ってもよい。尚、上記マスク層形成工程前に薄膜層の形成を 行う場合において、薄膜層のダイレクトパターユングを第 1反射防止層 30、第 2反射 防止層 32および電極層 40の形成後に行う場合は、第 1反射防止層 30、第 2反射防 止層 32および電極層 40を形成するためのマスク層は、透明基板 10上ではなぐカロ ェする前の薄膜層上のみに形成すればよいため、さらに一層効率的かつ高精度の ノターンを形成することが可能となる。
[0068] 薄膜層をダイレクトパターユングするための第 3レーザ光は、エキシマレーザ光や Y AGレーザ光等であって、上述したマスク層の開口および剥離に用いる第 1レーザ光 、第 2レーザ光（波長が 500〜1500nm、エネルギー密度が 0. l〜5jZcm2のレー ザ光）よりもエネルギー密度が高ぐ波長力 00〜1500nm、エネルギー密度が 6〜 40jZcm2のレーザ光を用いることが好まし!/、。
また、薄膜層に用いることのできる材料は、前記の薄膜層をダイレクトパターユング するための第 3レーザ光の照射によって直接除去加工が可能な材料であればよぐ 具体的には、 In O、 SnO等の酸化物や Cr、 Ti等の金属およびこれらの酸化物が
2 3 2
好適に例示される。すなわち、薄膜層の材料および用いる第 3レーザ光とはこれらの 組合せに応じて適宜選択すればょ ヽ。
[0069] このような薄膜層は第 1反射防止層 30、第 2反射防止層 32および電極層 40の形 成と同様な方法で形成することができる。薄膜層の厚さは通常 0. 程度とするが 、この厚さを調整する方法も第 1反射防止層、第 2反射防止層および電極層 40と同 様である。
[0070] また、本発明は、例えば、上記好適実施例における各工程の順番を適宜入れ換え たり、さらに別の薄膜を形成する工程を加えてもよい。
[0071] また、本発明は、クロム酸ィ匕物および Zまたはチタン酸ィ匕物力もなる第 1反射防止 層と、 Crおよび Zまたは Tiからなる第 2反射防止層と、 Cuからなる電極層と、を有す る電極および Zまたはブラックストライプが付 ヽたプラズマディスプレイ基板であり、以 上に示したプラズマディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製 造方法により製造することができる。 本発明の電極および zまたはブラックストライプが付いたプラズマディスプレイ基板 において、第 1反射防止層と、第 2反射防止層と、電極層とは、この順に基板上に積 層されている力 各層の間に、別の層が形成されていてもよい。
[0072] 次に、以上のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプ の製造方法により製造された、プラズマディスプレイ基板用、電極およびブラックスト ライプが付 、たプラズマディスプレイ前面基板にっ 、て、図 6および図 7を用いて説 明する。
図 6は、本発明のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライ プの製造方法により形成された、プラズマディスプレイ基板用、電極 62およびブラッ クストライプ 61が付いた透明基板 60の一例を示している。また、図 7は図 6の A— A， 線断面図を示している。
[0073] 図 7に示すように、透明基板 60の上面に、第 1反射防止層 63、第 2反射防止層 64 、電極層 66、保護層 68の順に形成している。このような層構造とすることで、ブラック ストライプだけではなぐバス電極、表示電極部にも反射防止層が形成されるため、よ り外光等の反射が抑制され、これを用いてなる PDP表示装置上に鮮明な画像を形成 することができる。
これらの層の全体の、基板側 (透明基板 60側）からの可視光反射率は 50%以下、 特に 40%以下であることが好ましぐ 10%以下であることが更に好ましい。この範囲 の可視光反射率となるようにすれば、これを用いてなる PDP表示装置上により鮮明な 画像を形成することができる。
[0074] また、本発明のプラズマディルプレイ基板用電極は、従来、バス電極として用いられ て!、る電極層を表示電極としても用いて 、るので、従来のプラズマディスプレイ基板 用電極のように、まず、透明電極からなる表示電極を形成し、その後、その表示電極 の一部にバス電極を形成する必要はない。従って、より短時間、低コストで、より確実 にプラズマディスプレイ基板用電極を製造することができる。
また、電極およびブラックストライプを同一の工程で作成することができ、非常に大 きなコストダウンが期待できる。
従って、本発明のプラズマディスプレイ基板用電極が付 、たプラズマディスプレイ 基板を用いてなる PDPも、同様に、より低コストで製造することができる。
[0075] 尚、本発明のプラズマディスプレイ基板用電極の製造方法により、アドレス電極が 付いたプラズマディスプレイ背面基板を製造することもできる。さら〖こ、このプラズマデ イスプレイ背面基板を用いて、 PDPを製造することもできる。
実施例
[0076] 以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する力 本発明はこれらに限 定されるものではない。
実施例に係るプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプ の製造方法を図 8〜図 10に基づき説明する。
[0077] 本実施例においては、マスク層として、カーボンブラックを 40質量％含有するアタリ ル榭脂からなるマスク層形成材料力 なるフィルム（以下、単に「マスクフィルム」と!、う 。）を用い、第 1反射防止層形成材料として金属 Cr (純度 : 99. 99%以上)、第 2反射 防止層形成材料として金属 Cr (純度： 99. 99%以上）、電極層形成材料として金属 銅 (純度： 99. 99%以上）、保護層形成材料として金属 Cr (純度： 99. 99%以上）を 用いる。
[0078] マスクフィルムならびに第 1反射防止層、第 2反射防止層、電極層、保護層は、図 8 〜図 10に示すプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプを 形成する工程により形成する。
図 8〜図 10に示すように、実施例に係るプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプの製造方法は、（1)マスクフィルムの貼り付け工程（図 8 (a ) ' (b) )、（2)レーザ光照射による開口部形成工程 (図 8 (c) )、（3)反射防止層形成 工程 (図 9 (d) ' (e) )ゝ（4)電極層および保護層形成工程 (図 10 (f) ' (g) )ゝ（5)レー ザ光照射によるマスク層の剥離工程 (図 10 (h) )を具備する。
[0079] 具体的には、まず、ガラス基板 70 (図 8 (a) )上に、厚さ 15 μ mのマスクフィルム 72 をフィルムラミネータ 74で均一に貼り付ける（図 8 (b) )。次に、ガラス基板 70に、第 1 レーザ光として、波長が 1064nm、エネルギー密度が ljZcm2の YAGレーザ光を、 フォトマスク 78を介して照射する（図 8 (c) )。これにより、マスクフィルム 72の開口部の 断面形状が逆テーパ形状となる。その後、このガラス基板 70をスパッタ成膜装置 80 に入れ、ガラス基板 70およびマスクフィルム 72上に、第 1反射防止層 82である CrO 層をスパッタ成膜により形成する（図 9 (d) )。この第 1反射防止層 82の厚さは 0. 05
. 3
mであり、第 1反射防止層 82は、マスクフィルム 72上とガラス基板 70上とに完全に 分離して成膜される。そしてさらに同じスパッタ成膜装置 80を用いて、第 1反射防止 層 82上に、第 2反射防止層 84である Cr層、電極層 86である Cu層、保護層 88である Cr層の順に各層をスパッタ成膜する（図 9 (e)〜図 10 (g) )。各々の層の厚さは、第 2 !ί防止 fi84力 約 0. 08 μ m、 層86力 S約 3 μ m、 層88力 S約 0. 1 μ mで ある。
各々の層は、マスクフィルム 72上とガラス基板 70上とで完全に分離して成膜される そして最後に、第 2レーザ光として、波長が 1064nm、エネルギー密度が 0. 25J/ cm2の YAGレーザ光を、ガラス基板 70の側力 マスクフィルム 72に照射して、マスク フィルム 72をガラス基板 70から剥離する（図 10 (h) )。
[0080] 以上の工程により、図 6および図 7に示したものと同様なプラズマディスプレイ基板 用、電極および Zまたはブラックストライプを製造することができる。また、この表示電 極は、 ITOと同等以下の抵抗を有し、優れたコントラストを有している。また、誘電体 による侵食も認められない。
産業上の利用可能性
[0081] 本発明によれば、電極やブラックストライプを、同一材料で、安価で、低抵抗で、誘 電体による侵食等が低い材料で透明基板に形成してプラズマディスプレイ基板を製 造でき、さらに該プラズマディスプレイ基板を用いて鮮明な画像を表示できるプラズ マディスプレイ装置を製造できる。 なお、 2004年 9月 27曰に出願された曰本特許出願 2004— 279497号の明細書 、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開 示として、取り入れるものである。

Claims

請求の範囲
[1] 透明基板上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
第 1レーザ光を照射して前記マスク層に開口部を形成する開口部形成工程と、 前記透明基板上および前記マスク層上に反射防止層を形成する反射防止層形成 工程と、
前記反射防止層の上面側に電極層を形成する電極層形成工程と、
前記マスク層を前記透明基板上から剥離する剥離工程と、
を具備する、プラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプの 製造方法。
[2] 前記剥離工程では、第 2レーザ光を照射して前記マスク層を前記透明基板上から 剥離することを特徴とする、請求項 1に記載のプラズマディスプレイ基板用、電極およ び Zまたはブラックストライプの製造方法。
[3] 前記反射防止層が、クロム酸ィ匕物および Zまたはチタン酸ィ匕物力もなる第 1反射防 止層と、 Crおよび Zまたは Tiからなる第 2反射防止層とを含む請求項 1または 2に記 載のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプの製造方法
[4] 前記マスク層力 有機材料で構成されて 、る請求項 1〜3の 、ずれか〖こ記載のブラ ズマディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製造方法。
[5] 前記マスク層が、黒色顔料もしくは黒色染料を 10〜99質量％含有する材料で構 成されて!/、る請求項 1〜4の 、ずれか〖こ記載のプラズマディスプレイ基板用、電極お よび Zまたはブラックストライプの製造方法。
[6] 前記マスク層の層厚力 5〜20 /ζ πιである請求項 1〜5のいずれかに記載のプラズ マディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製造方法。
[7] 前記第 1レーザ光または前記第 2レーザ光が、波長が 500〜1500nm、エネルギ 一密度が 0. l〜5jZcm2のレーザ光である請求項 1〜6のいずれかに記載のプラズ マディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製造方法。
[8] 前記第 2レーザ光が、波長力 S500〜1500nm、エネルギー密度が 0. 1〜： LjZcm2 のレーザ光である請求項 5に記載のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまた はブラックストライプの製造方法。
[9] 前記マスク層の前記第 2レーザ光に対する吸収率が、前記反射防止層の前記第 2 レーザ光に対する吸収率の 2倍以上である請求項 2〜8のいずれかに記載のプラズ マディスプレイ基板用、電極および/またはブラックストライプの製造方法。
[10] 前記マスク層の前記第 1レーザ光に対する吸収率が 70%以上である請求項 1〜9 の!、ずれか〖こ記載のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストラ イブの製造方法。
[11] 前記開口部が、オーバーハング形状または逆テーパ形状である請求項 1〜10のい ずれかに記載のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zまたはブラックストライプ の製造方法。
[12] 前記電極層が、銅、銀、アルミニウムまたは金力もなり、該電極層に Crおよび Zまた は Tiを含有させてなる請求項 1〜： L 1の 、ずれか〖こ記載のプラズマディスプレイ基板 用、電極および Zまたはブラックストライプの製造方法。
[13] 前記電極層形成工程の後に、 Crおよび Zまたは Tiからなる層を形成する Cr'T環 形成工程を具備する請求項 1〜11の!、ずれか〖こ記載のプラズマディスプレイ基板用
、電極および Zまたはブラックストライプの製造方法。
[14] 前記マスク層形成工程の前または前記剥離工程の後に、薄膜層を形成し、該薄膜 層に第 3レーザ光を照射することによって該薄膜層の一部を除去する工程を具備す る請求項 1〜13のいずれかに記載のプラズマディスプレイ基板用、電極および Zま たはブラックストライプの製造方法。
[15] 透明基板上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
第 1レーザ光を照射して前記マスク層に開口部を形成する開口部形成工程と、 前記透明基板上および前記マスク層上に反射防止層を形成する反射防止層形成 工程と、
前記反射防止層の上面側に電極層を形成する電極層形成工程と、
前記マスク層を前記透明基板上から剥離する剥離工程と、
を具備する、プラズマディスプレイ基板用、電極およびブラックストライプの製造方法
[16] 上記請求項 1〜15のいずれかに記載のプラズマディスプレイ基板用、電極および
Zまたはブラックストライプの製造方法により製造される、電極および Zまたはブラッ クストライプが付いたプラズマディスプレイ基板。
[17] クロム酸ィヒ物および Zまたはチタン酸ィヒ物からなる第 1反射防止層と、
Crおよび Zまたは Tiからなる第 2反射防止層と、
Cuからなる電極層と、
を透明基板上にこの順序で有する、電極および Zまたはブラックストライプが付 ヽた プラズマディスプレイ基板。
[18] 前記プラズマディスプレイ基板がプラズマディスプレイ前面基板であり、前記電極お よび Zまたは前記ブラックストライプの基板側力 の可視光反射率が 50%以下であ ることを特徴とする請求項 16または 17に記載のプラズマディスプレイ用基板。
[19] 請求項 16〜18の 、ずれかに記載のプラズマディスプレイ基板を用いてなるプラズ マディスプレイパネノレ。
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