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WO2006070649A1 - パターン形成方法および電子回路 - Google Patents

パターン形成方法および電子回路 Download PDF

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Publication number
WO2006070649A1
WO2006070649A1 PCT/JP2005/023406 JP2005023406W WO2006070649A1 WO 2006070649 A1 WO2006070649 A1 WO 2006070649A1 JP 2005023406 W JP2005023406 W JP 2005023406W WO 2006070649 A1 WO2006070649 A1 WO 2006070649A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
transparent
forming
pattern
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2005/023406
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ryohei Satoh
Yoshinori Iwata
Koji Nakagawa
Kenji Tanaka
Satoru Takaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2006550698A priority Critical patent/JPWO2006070649A1/ja
Publication of WO2006070649A1 publication Critical patent/WO2006070649A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/44—Optical arrangements or shielding arrangements, e.g. filters or lenses
    • H01J2211/442—Light reflecting means; Anti-reflection means

Definitions

  • the present invention relates to a pattern forming method provided in an electronic circuit and an electronic circuit such as a plasma display substrate.
  • a plasma display panel (hereinafter also referred to as "PDP"! /, U) can be thinned and can be easily increased in size, and has features such as light weight and high resolution. It is attracting attention as a strong candidate to replace CRT.
  • PDPs are broadly divided into DC and AC types, but the operating principle is based on the light emission phenomenon associated with gas discharge.
  • the cell space is defined by partition walls 3 formed between the transparent front substrate 1 and the rear substrate 2 arranged opposite to each other to define the cell.
  • Fills with a mixture gas such as He + Xe and Ne + Xe which has low visible light emission and high UV light emission efficiency.
  • plasma discharge is generated in the cell, and the phosphor layer 9A on the cell inner wall is caused to emit light, thereby forming an image on the display screen.
  • the PDP is provided on the front substrate 1 on the display electrode 5 for generating plasma discharge and on a part of the display electrode 5 to reduce the resistance of the display electrode 5.
  • the dielectric layer 8 and the MgO layer 9 that prevent the display electrode 5 and the display electrode 5 and the bus electrode 6 from being eroded by the plasma and coming into contact with the electrodes formed on the back substrate 2 are also necessary.
  • it has a plasma display substrate with black stripes 4 that reduce reflection of external light.
  • an address electrode 7 for writing information is provided on the back substrate 2.
  • the display electrode 5 is formed on the front substrate 1 using a transparent conductive material, and then the bus electrode 6 is formed on a part of the display electrode 5 using a conductive material. Form.
  • the black stripe 4 is provided, the black stripe 4 is further formed.
  • Patent Document 1 Non-Patent Document 1, Non-Patent Document.
  • Patent Document 2 See Table 2.
  • the thin layer formed of the conductive material is processed into a predetermined shape.
  • a method for processing the shape of the thin layer wet etching using a resist is employed.
  • wet etching is performed every time a member such as the display electrode 5 and the bus electrode 6 is formed, the wet etching is performed a plurality of times when one PDP is manufactured.
  • the black stripe 4 is formed in a separate process from the display electrode 5 and the bus electrode 6. Also, when the black stripe 4 is formed, it is necessary to obtain a predetermined shape by wet etching. Therefore, the number of processes required for manufacturing the PDP is further increased by forming the black stripe 4.
  • the etching solution used for wet etching exhibits strong acidity and strong alkalinity, for example, if it is discarded as it is, it has problems such as a large environmental load and is difficult to handle. Therefore, when wet etching is performed when manufacturing a PDP, it becomes necessary to perform complicated work associated with the handling of the etching solution, and the number of processes required for manufacturing further increases.
  • wet etching is also used when forming patterns of electronic circuits other than the above-described PDP.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 7-65727
  • Non-Patent Document 1 Tatsuo Uchida and Taira Uchiike, “Flat Panel Display Display Dictionary”, Industrial Research Committee, December 25, 2001, p. 583-585
  • Non-Patent Document 2 Ken Okumura, “Flat Panel Display 2004 Practice”, Nikkei Business Publications, p. 176-183
  • the present invention has been proposed in view of the conventional situation described above, and provides a pattern forming method capable of reducing the number of steps without performing wet etching and reducing the cost. The purpose is to do. It is another object of the present invention to provide an electronic circuit having a pattern formed by this forming method.
  • the present invention uses the pattern forming method shown in the following (1) to (12), the electrode and the Z or black stripe formed thereby, and the same Provide electronic equipment.
  • a pattern forming method comprising: a laminated body opening forming step of irradiating the laminated body with a first laser beam to form an opening in the laminated body.
  • the antireflection layer includes the first antireflection layer containing chromium oxide and Z or titanium oxide, and the second antireflection layer containing metal chromium and Z or metal titanium.
  • a transparent layer forming step of forming a transparent layer on the one main surface of the transparent substrate a transparent layer forming step of forming a transparent layer on the one main surface of the transparent substrate.
  • a plasma display comprising the pattern formed by the pattern forming method according to any one of (1) to (6) as an electrode for a plasma display substrate and a Z or black stripe substrate.
  • a plasma display substrate comprising a pattern formed by the pattern forming method according to any one of (1) to (6) as an electrode for a plasma display substrate and a black stripe.
  • a plasma display substrate comprising a pattern having a layer and a thin film layer made of copper as electrodes and / or black stripes for the plasma display substrate.
  • a first antireflection layer made of chromate and Z or titanate On one main surface of the transparent substrate, a first antireflection layer made of chromate and Z or titanate, a second antireflection layer made of metal chromium and Z or metal titanium, and A plasma display substrate comprising a pattern having a thin film layer made of copper and a transparent layer as an electrode for a plasma display substrate and a Z or black stripe.
  • the electrode and Z or the black stripe are the other main surface of the transparent substrate.
  • a laminate comprising an antireflection layer and a thin film layer, preferably a laminate containing a transparent layer can be put together, a pattern can be formed with fewer steps than in the prior art. It becomes possible. Therefore, according to the present invention, an electronic circuit pattern and an electronic circuit can be efficiently manufactured at a low cost.
  • a pattern can be formed without performing wet etching. Therefore, according to the present invention, since it is not necessary to use an etching solution exhibiting strong acidity or strong alkalinity, it is possible to reduce troublesome work caused by handling the etching solution when forming a pattern. It becomes possible. In addition, an increase in the number of processes due to wet etching can be avoided.
  • the black display for the plasma display substrate and the electrode for the plasma display substrate (the display electrode and the bus electrode) by the no-turn forming method of the present invention.
  • the black display for the plasma display substrate and the electrode for the plasma display substrate (the display electrode and the bus electrode) by the no-turn forming method of the present invention.
  • the substrate for the plasma display substrate electrode and Z or the black stripe for the plasma display substrate and the substrate PD
  • the transparent layer is formed before the laminated body forming step or after the laminated body opening forming step
  • the transparent layer is used as a transparent electrode
  • the thin film layer is used as a bus electrode for a plasma display substrate. Black stripes and plasma display substrate electrodes can be formed simultaneously.
  • FIGS. 1A to 1F are schematic sectional views showing a pattern forming method of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which a protective layer is formed on the thin film layer.
  • FIG. 3 shows an electrode for a plasma display substrate of the present invention and an electrode for a plasma display substrate formed by a preferred embodiment of a method for forming a Z or black stripe and a substrate having a Z or black stripe. It is a schematic plan view.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of the substrate shown in FIG.
  • FIGS. 5A to 5D are schematic views showing a transparent layer forming step and a transparent layer opening forming step in the pattern forming method of the present invention.
  • FIG. 6 (E) to (I) are schematic views showing a laminate forming step and a laminate opening forming step in the pattern forming method of the present invention.
  • FIG. 7 shows an electrode for a plasma display substrate having a transparent layer and an electrode for a plasma display substrate formed by a Z or black stripe forming method.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view taken along line BB ′ of the substrate shown in FIG.
  • FIG. 9 is a schematic sectional view taken along line BB ′ of another embodiment of the substrate shown in FIG.
  • FIG. 10 (A) to (C) are schematic views showing a laminated body formation step among the steps of forming electrodes for plasma display substrates and Z or black stripes in Example 1.
  • FIG. 10 (A) to (C) are schematic views showing a laminated body formation step among the steps of forming electrodes for plasma display substrates and Z or black stripes in Example 1.
  • FIG. 10 (A) to (C) are schematic views showing a laminated body formation step among the steps of forming electrodes for plasma display substrates and Z or black stripes in Example 1.
  • FIGS. 11 (D) to (F) are schematic views showing a laminated body opening forming step among the steps of forming electrodes for plasma display substrates and Z or black stripes in Example 1.
  • FIGS. 12 (A) to 12 (C) show a transparent layer forming step and a transparent layer opening forming step in the plasma display substrate electrode and Z or black stripe forming step in Example 2.
  • FIG. 12 shows a transparent layer forming step and a transparent layer opening forming step in the plasma display substrate electrode and Z or black stripe forming step in Example 2.
  • FIGS. 13 (D) to (F) are cross-sectional views showing a laminate forming step in the steps of forming electrodes for plasma display substrates and Z or black stripes in Example 2.
  • FIG. 13 (D) to (F) are cross-sectional views showing a laminate forming step in the steps of forming electrodes for plasma display substrates and Z or black stripes in Example 2.
  • FIG. 14 (G) and 14 (H) are cross-sectional views showing a laminated body opening forming step in the steps of forming electrodes for plasma display substrate and Z or black stripes in Example 2.
  • FIG. FIG. 15 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a conventional PDP.
  • Electrode and Z or black stripe for plasma display substrate 61
  • Black stripe 62
  • the antireflection layer 13 including the first antireflection layer 11 and the second antireflection layer 12 and the thin film layer 14 are formed on one main surface of the transparent substrate 10.
  • the laminated body 15 is formed (FIGS. 1A to 1D: Laminate forming step).
  • the laminate 15 is irradiated with the first laser light L1 through the photomask 16 to form an opening, and the laminate 15 is processed into a predetermined shape (FIGS. 1E and 1F). : Laminate opening forming process
  • the first antireflection layer 11 is formed on the one main surface of the transparent substrate 10.
  • a pattern obtained by patterning the laminated body 15 including the antireflection layer 13 including the second antireflection layer 12 and the thin film layer 14 can be formed.
  • the transparent substrate 10 is formed of a transparent material (in the present invention, a material having a visible light transmittance of 80% or more as defined in JISR3106 (1998))! ⁇ .
  • a specific example of the transparent substrate 10 is preferably a glass substrate.
  • a glass substrate having a thickness of 0.7 to 3 mm is preferred as a glass substrate for PDP.
  • the main surface on the side on which the first antireflection layer 11, the second antireflection layer 12, the thin film layer 14, etc. are formed is one of the main surfaces of the transparent substrate 10.
  • the main surface on the side where the first antireflection layer 11, the second antireflection layer 12, and the thin film layer 14 are not formed is called the other king surface.
  • the antireflection layer 13 including the first antireflection layer 11 and the second antireflection layer 12 is formed on one main surface of the transparent substrate 10, and the thin film layer 14 is further formed.
  • a laminate 15 is formed.
  • the antireflection layer 13 includes a first antireflection layer 11 formed on one main surface of the transparent substrate 10 and a second antireflection layer 12 formed on the upper surface thereof. Because of this structure, the antireflection layer 13 has a low reflectivity of visible light because the reflected light from each layer interferes with each other. When displaying an image as a PDP, the antireflection layer 13 It is possible to avoid stripes appearing in the image.
  • the material of the first antireflection layer 11 preferably contains chromate oxide and / or titanate oxide.
  • the material of the first antireflection layer 11 is preferably chromic oxide in that it can prevent the oxidation of Cu, which is an electrode material with high durability, and can easily exhibit reflective performance.
  • chromic acid compound and Z or titanic acid compound are contained in an amount of 95% by mass or more based on the whole material forming the first antireflection layer 11! /, I like it! /
  • the chromium oxide is oxygen deficient, such as Cr 2 O 3 or oxygen deficient CrO.
  • Chromium oxide is oxygen-deficient CrO (1. 0 ⁇ X ⁇ 1.5)
  • the reflection characteristics are good.
  • titanic acid oxide is TiO that is not deficient in oxygen, or oxygen deficient TiO (1
  • Titanium oxide is oxygen deficient TiO (1. 0 ⁇ ⁇ 2.0)
  • the reflection characteristics are good, which is particularly preferable.
  • the first antireflection layer 11 may further contain carbon, nitrogen, or the like.
  • carbon and soot or nitrogen to the material forming the first antireflection layer 11, the extinction coefficient and the refractive index of the film can be finely adjusted. It is preferable that the antireflection characteristics in the laser wavelength range used in the present invention can be easily improved.
  • chromium oxide contains nitrogen
  • the composition of this chromium oxynitride film is 0.3 ⁇ Y ⁇ 0.55, 0.03 ⁇ ⁇
  • Chromates that are preferably ⁇ 0.2 include these nitrogen-containing chromium oxides.
  • the thickness of the first antireflection layer 11 is preferably 30 to: LOOnm.
  • the thickness of the first antireflection layer 11 is within this range, it is preferable that antireflection performance is improved by utilizing interference of reflected light. 30 to 70 nm is particularly preferable.
  • the thickness of the first antireflection layer 11 may be adjusted as appropriate from the refractive index and extinction coefficient of the film in the range of 30 to: LOOnm.
  • the first antireflection film 11 is preferably substantially transparent, and the refractive index at a wavelength of 550 nm is preferably 1.9 to 2.8. 1.9 to 2 4 is more preferable. Within this range, it is preferable in that the antireflection characteristics can be improved. “Substantially transparent” means that the extinction coefficient is 1.5 or less, more preferably 0.7 or less, so that sufficient light interference can be caused.
  • the first antireflection film 11 may have a configuration in which a plurality of films are stacked.
  • the substrate strength is exemplified by sequentially laminating acid chromium and chromium nitride.
  • the second antireflection layer 12 is made of metallic chromium (hereinafter also referred to as Cr) and Z or metallic titanium ( Hereinafter also referred to as Ti. ) Is preferably contained.
  • the material of the second antireflection layer 12 is preferably Cr in that it can prevent the oxidation of Cu, which is a material of an electrode having high durability, and can easily exhibit reflection performance.
  • Cr and / or Ti is contained in a total amount of 95% by mass or more with respect to the entire material forming the second antireflection layer 12.
  • the second antireflection layer 12 may further contain carbon, nitrogen, and the like.
  • carbon and Z or nitrogen added to the material forming the second antireflection layer 12, the extinction coefficient and the refractive index of the film can be finely adjusted. It is preferable in that the antireflection performance can be easily improved in the laser wavelength range used in the present invention.
  • the second antireflection layer 12 in the present invention is substantially opaque in the visible light region where the light transmittance is low.
  • the visible light transmittance may be set to 0.0 001-0. 1%.
  • the thickness of the second antireflection layer 12 is preferably 10 to 200 nm, particularly 20 to LOOrnn! / ⁇ .
  • the first antireflection layer 11 and the second antireflection layer 12 in the present invention are formed by sputtering or vapor deposition.
  • sputtering may be performed using a Cr target in an inert atmosphere such as Ar. The same applies when forming a Ti layer. Where N, CH, etc.
  • a Cr target is used in order to form the chromic oxide layer of the first antireflection layer 11 and sputtering is performed in an atmosphere containing oxygen. It is also possible to use it. The same applies when the titanium oxide layer is formed.
  • sputtering may be performed by mixing N, CH, CO, or the like with Ar or the like.
  • the film formation time by sputtering, vapor deposition or the like is controlled. This can be adjusted.
  • the pattern widths of the first antireflection layer 11 and the second antireflection layer 12 formed on the transparent substrate 10 are preferably determined in consideration of the balance between target contrast and luminance. Fat If this is the case, the light emitted from the PDP itself will be blocked, and sufficient brightness cannot be secured.
  • the antireflection layer forming step of the method for forming an electrode for a plasma display substrate and a Z or black stripe of the present invention comprises two layers, the first antireflection layer 11 and the second antireflection layer 12 described above. It is not limited to what forms. In addition to these two layers, one or more layers may be formed.
  • the thin film layer forming material for forming the thin film layer 14 is not particularly limited as long as it functions as an electrode.
  • copper, silver, aluminum, gold or the like can be used. Among these, it is preferable to use inexpensive copper as a material having high conductivity.
  • the thin film layer 14 is formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like, using the thin film layer forming material described above, similarly to the first antireflection layer 11 and the second antireflection layer 12. Further, the thickness of the thin film layer 14 can be adjusted by controlling the film formation time by the sputtering method, the vapor deposition method, or the like, similarly to the first antireflection layer 11 and the second antireflection layer 12.
  • the thickness of the thin film layer 14 should be 0.5-3111, preferably S, more preferably 0.5-2 m, and even more preferably 0.5-1.5 / zm. preferable.
  • the laminate 15 can be peeled off from the transparent substrate 10 without remaining on the transparent substrate 10 by irradiating the laminate 15 with the first laser light L1. Further, when the thickness is 1.5 m or less, the laminate 15 can be more effectively peeled from the transparent substrate 10.
  • the thickness of the thin film layer 14 is 0.5 to 3 ⁇ m, particularly 0.5 to If it is 2 ⁇ m, it can be prevented from being displayed on the image of the PDP while maintaining the conductivity as the display electrode and the bus electrode, which is preferable in terms of transparency.
  • the first laser beam L1 is irradiated, and a predetermined region of the laminated body 15 formed on the one main surface of the transparent substrate 10 in the laminated body forming step is subjected to ablation and thermal energy.
  • the first laser light L1 for example, excimer laser light, YAG laser light, or the like is used.
  • the first laser beam L1 is applied to the stacked body 15 through the photomask 16. to this Accordingly, the first laser beam LI transmitted through the opening provided in the photomask 16 is irradiated to the stacked body 15, and the region corresponding to the opening of the photomask 16 in the stacked body 15 is removed by evaporation, so that the stacked body 15 Is processed according to the shape of the photomask 16.
  • a pattern in which the antireflection layer and the thin film layer are patterned can be formed.
  • the first laser beam L1 used for forming the opening in the laminate opening forming step has an energy density of 1.5 to 40jZcm 2 or 2 to 40j /, which preferably has a wavelength of 500 to 1500 nm. cm 2 , in particular 1.5 to 20 j / cm 2 , more preferably 1.5 to: L 0 j / cm 2 is preferred.
  • the first laser light L1 may be a pulse or CW (continuous light). Specific examples of such laser light include YAG laser light having a wavelength of 1064 nm, YAG laser light having a wavelength of 532 nm, and the like.
  • the energy density is the total energy density of the irradiated pulses when the number of laser pulses is plural, and so on.
  • the opening is reliably formed without leaving the laminated body 15 on the surface of the transparent substrate 10 exposed to the opening with only a short irradiation. be able to.
  • the first antireflection layer 11, the second antireflection layer 12, and the thin film layer 14 are laminated on the transparent substrate 10 in this order. Another layer may be formed.
  • the formed pattern when used as an electrode for a plasma display substrate and Z or a black stripe for a plasma display, it may be covered with a dielectric.
  • the resistance to the electrode of the present invention and the dielectric of Z or black stripe is preferable because it can be further improved by the following two methods.
  • the first method is to form a pattern including a protective layer forming step of forming a protective layer 17 after the step of forming the thin film layer.
  • the protective layer 17 preferably contains Cr and Z or Ti as main components, and preferably contains 95 mass% or more of Cr and Z or Ti. As a result, the dielectric does not directly contact the thin film layer 14, and the thin film layer 14 is less likely to be eroded.
  • the protective layer 17 is a normal sputter layer. It is formed by an etching method or a vapor deposition method.
  • the thickness of the protective layer 17 is preferably 0.05 to 0.2 m. With this thickness, the thin film layer 14 can be prevented or suppressed from being eroded by the dielectric. Similar to the first antireflection layer 11, the thickness of the protective layer 17 can be adjusted by controlling the film formation time by sputtering or vapor deposition.
  • the second method is a method in which the thin film layer 14 contains Cr and Z or Ti. This is because Cr and Ti are highly resistant to dielectrics. When Cr and Z or Ti are contained in an amount of 5 to 15% by mass with respect to the entire material constituting the thin film layer 14, the thin film layer 14 has sufficient resistance to the dielectric and maintains conductivity. I like it.
  • the thin film layer 14 containing Cr and Z or Ti is formed by sputtering or vapor deposition using the thin film layer forming material containing Cr and Z or Ti.
  • the second antireflection layer 12, and the thin film layer 14 one or more other thin film layers may be formed.
  • the transparent substrate 10 On the other hand, another thin film layer may be formed on the main surface side.
  • a transparent layer as described later may be provided.
  • Fig. 4 shows a cross-sectional view taken along line AA of the substrate shown in Fig. 3.
  • the electrode 32 also serves as a display electrode and a bus electrode.
  • the electrode and the Z or black stripe 30 include a black stripe 31 that is formed on one main surface of the transparent substrate 10 and reduces reflection of external light, and an electrode 32. .
  • the black stripe 31 is formed from a laminated body 15 including an antireflection layer 13 including a first antireflection layer 11 and a second antireflection layer 12, and a thin film layer 14.
  • an antireflection layer 13 including a first antireflection layer 11 and a second antireflection layer 12, and a thin film layer 14.
  • the electrode 32 includes a first antireflection layer 11 and a second antireflection layer 12. It is formed from a laminated body 15 including an anti-reflection layer 13 and a thin film layer 14. Electrode 32 is energized when the electrode and Z or black stripe 30 are attached to the PDP. When a current flows through the electrode 32, the plasma sealed in the corresponding position is discharged. In addition, since the electrode 32 includes the first antireflection layer 11 and the second antireflection layer 12, similarly to the black stripe 31, the other main surface side force of the transparent substrate 10 prevents reflection of visible light incident thereon. Stop.
  • the electrode of the present invention and the Z or black stripe 30 have a high effect of suppressing reflection of external light or the like.
  • a clear image can be formed on the PDP using the electrode of the present invention and the Z or black stripe 30. That is, the electrode 32 has both functions of a display electrode and a bus electrode in the PDP.
  • the reflectance of the visible light that is also incident on the other main surface side force of the transparent substrate 10 is preferably 50% or less, more preferably 40% or less, and even more preferably 10% or less. Preferred. By setting it to 50% or less, a clearer image is displayed on the PDP.
  • the thin film is not processed by wet etching using a resist film, the pattern can be formed at a lower cost with a smaller number of forming steps.
  • the black stripe for the plasma display substrate when the black stripe for the plasma display substrate is provided, the black stripe and the electrode can be formed at the same time, so the electrode for the plasma display substrate and the Z or black can be made more inexpensively with fewer forming steps. Stripes can be formed.
  • the electrodes mean display electrodes and bus electrodes in the plasma display substrate.
  • the process can be further shortened. Further, the number of steps can be further reduced by collectively patterning the antireflection layer and the thin film layer.
  • the present invention can form an electronic circuit including a no-turn formed by the pattern forming method and an electronic device using the electronic circuit.
  • the electronic circuit include a substrate with an electrode for LCD, a substrate with an electrode for organic EL, and a plasma device.
  • Examples include electrodes for play substrates and substrates with z or black stripes (front substrate and back substrate, especially front substrate), and the electronic devices include LCD, organic E
  • Examples include L and PDP.
  • a plasma display back substrate having address electrodes can be formed by the pattern forming method of the present invention. Furthermore, a PDP can be formed using the plasma display back substrate.
  • FIG. 1 Before forming the laminated body 15 on one main surface of the transparent substrate 10, first, FIG. 1
  • (B) Form the transparent layer 50 as shown in (B) (transparent layer forming step), and then apply the second laser beam L2 to the transparent layer 50 with a photomask as shown in FIGS. 5 (C) and (D).
  • the opening may be formed through irradiation (transparent layer opening forming step).
  • FIGS. 6 (E) to (G) After forming the opening of the transparent layer, it is possible to go through a laminate forming process having the antireflection layer and the thin film layer and a laminate opening forming process as described above. Specifically, as shown in FIGS. 6 (E) to (G), after the laminate 15 is formed on the transparent layer 50 having the openings, the layers shown in FIGS. 6 (H) and (I) are formed. As shown, an opening is formed in the laminate 15.
  • the transparent layer 50, the first antireflection layer 11, the second antireflection layer 12, and the thin film layer 14 are patterned on one main surface of the transparent substrate 10. Pattern can be formed.
  • the transparent layer 50 is formed on the one main surface of the transparent substrate 10.
  • the material used for the formation of the transparent layer 50 is not particularly limited as long as it is a conductive material having transparency, and a tin compound such as ITO (Indium Tin Oxide) or acid tin (SnO) is used.
  • SnO is used from the viewpoint of preventing erosion by dielectrics
  • SnO containing 2 to 8% by mass of Sb is preferably used.
  • the layer preferably has a visible light transmittance of 80% or more as defined in JISR3106 (1998).
  • the transparent layer 50 is formed by sputtering or vapor deposition.
  • the thickness of the transparent layer 50 is preferably 0.1 to 3 ⁇ , 0.1 to 1 111, and particularly preferably 0.1 to 0.5 m, based on notching force.
  • the thickness of the transparent layer 50 in terms of its conductivity Is preferably 0.1-3 / ⁇ ⁇ . In order for the transparent layer 50 to have the above thickness, it can be adjusted by controlling the film formation time by sputtering or vapor deposition.
  • the transparent layer 50 is formed by sputtering, for example, cocoon and SnO
  • the transparent layer opening forming step for example, excimer laser light or YAG laser light is used as the second laser light L2, and the surface of the transparent substrate 10 is formed in the transparent layer forming step by using a combination of abrasion and thermal energy.
  • the formed transparent layer 50 is removed by evaporation to form an opening.
  • the second laser light L2 is applied to the transparent layer 50 through the photomask 51.
  • the second laser light L2 that has passed through the opening provided in the photomask 51 is irradiated onto the transparent layer 50, and the transparent layer 50 is covered according to the shape of the photomask 51.
  • the second laser light L2 to be used preferably has an energy density of 1.5 to 40 jZ cm 2 , 2 to 40j / cm 2 , particularly 1.5 to 20 j / cm 2 , more preferably 1.5 to: L0j / cm 2 is preferable.
  • the second laser light L2 may be a pulse or CW (continuous light).
  • laser light examples include YAG laser light having a wavelength of 1064 nm, YAG laser light having a wavelength of 532 nm, and the like.
  • the first laser light L1 has a wavelength of 500 to 1500 nm. Preferably it is lower than L2.
  • the energy density of the first laser beam L1 is preferably 0.5 to 20 j / cm 2 , particularly preferably 1.0 to 5 j / cm 2 .
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of the substrate shown in FIG.
  • the electrode for the plasma display substrate and the Z or black stripe 60 are arranged on the transparent substrate 10 with the black stripe 61 for reducing the reflection of external light, and the display electrode through which a current flows. 62 and a bus electrode 63 that lowers the resistance value of the display electrode 62 are formed.
  • the black stripe 61 is formed from a laminated body 15 including a first antireflection layer 11, a second antireflection layer 12, and a thin film layer 14.
  • the black stripe 61 reduces the reflection of external light by using the interference between the reflected light of the first antireflection layer 11 and the reflected light of the second antireflection layer 12, and the image displayed on the PDP becomes clearer. To do.
  • the display electrode 62 is formed from the transparent layer 50.
  • a current flows and discharges the plasma enclosed in the corresponding position.
  • the bus electrode 63 is formed from the transparent layer 50 and the laminated body 15 including the first antireflection layer 11, the second antireflection layer 12, and the thin film layer 14.
  • the bus electrode 63 supplies current to the display electrode 62 and reduces the resistance value of the display electrode 62.
  • the bus electrode 63 includes the first antireflection layer 11 and the second antireflection layer 12, similar to the black stripe 61, the other main surface side force of the transparent substrate 10 reflects incident light. Is prevented. A clear image can be displayed on the PDP.
  • the transparent layer 50 may be formed in the subsequent stage of the laminate opening forming step.
  • FIG. 9 shows a cross-sectional view taken along line BB ′ of the substrate shown in FIG.
  • the transparent layer 50 is preferable in that the laminate 15 can be protected. If an opening is formed in the transparent layer 50 by the method described above, the pattern shown in FIG. 9 can be formed.
  • SnO which is a material of a transparent electrode
  • the transparent layer 50 includes the antireflection layer 13 and the thin film layer 14.
  • the laminate of the antireflection layer 13 and the thin film layer 14 is protected by the transparent layer 50 and is eroded by the dielectric.
  • antireflection layer Z Since the thin film layers are formed in contact with each other in this order, the reflection characteristics are more effective and preferable.
  • the pattern of the present invention is used as a PDP, it is preferable because conduction between the thin film layer and the transparent layer can be effectively achieved.
  • the reflectivity of visible light CFIS—R3106 (1998) in which the force on the other main surface side of the transparent substrate 10 in the electrode and the Z or black stripe also enters is defined as 50 % Is preferably 40% or less, and more preferably 10% or less. By setting it to 50% or less, a clearer image is displayed on the PDP.
  • Electrodes and Z or black stripes can be formed.
  • the electrodes mean display electrodes and bus electrodes in the PDP.
  • the transparent layer serves as a display electrode
  • the thin film layer serves as a bus electrode.
  • the black stripe for the plasma display substrate when the black stripe for the plasma display substrate is provided, the black stripe for the plasma display substrate and the electrode for the plasma display substrate can be formed at the same time. Plate electrodes and Z or black stripes can be formed. Further, the number of processes can be further reduced by putting the antireflection layer and the thin film layer together.
  • the present invention can form an electronic circuit including a no-turn formed by the pattern forming method and an electronic device using the electronic circuit.
  • the electronic circuit include a substrate with an electrode for LCD, a substrate with an electrode for organic EL, an electrode for a plasma display substrate, and a substrate with Z or black stripe (a front substrate, particularly a front substrate among the front substrate and the back substrate), etc.
  • the electronic device include LCD, organic E Examples include L and PDP.
  • Example 1 a metal Cr target (purity: 99.99% or more) was used as a material for forming the first antireflection layer, and as a material for forming the second antireflection layer. Use metal Cr target (purity: 99.99% or higher) and metal Cu target (purity: 99.99% or higher) as the thin film layer forming material.
  • the electrode for the plasma display substrate and the method of forming the Z or black stripe according to Example 1 are: (1) Laminate formation step (FIG. 10), (2) Product A layer body opening forming step (FIG. 11) is provided.
  • the glass substrate 70 is mounted on the sputter deposition apparatus 80, and metallic chromium is added in Ar + O gas.
  • a first antireflection layer 82 composed of a CrO layer having an extinction coefficient of 0.3 is formed on the one main surface of the glass substrate 70 (FIG. 10A).
  • the second antireflection layer 84 composed of a Cr layer having a visible light transmittance of 0.05% is formed on the first antireflection layer 82 by performing sputter deposition using a metallic chromium target in Ar gas. (Fig. 10 (B)).
  • the thickness of the first antireflection layer 82 is about 50 nm, and the thickness of the second antireflection layer 84 is about 80 nm.
  • a thin film layer 86 made of a Cu layer is formed on the second antireflection layer 84 by sputtering film formation using a metallic copper target in Ar gas, thereby forming a laminated body 87.
  • the thickness of the thin film layer 86 is about: L m.
  • a protective layer 88 made of a Cr layer is formed on the thin film layer 86 by sputtering using a metal chromium target in Ar gas (FIG. 11D).
  • the thickness of the protective layer 88 is about lOnm.
  • a YAG laser having a wavelength of 1064 nm and an energy density of 1.5 jZcm 2 is used as the first laser beam.
  • the laminated body 87 and the protective layer 88 are irradiated with the light from the other main surface side of the glass substrate 70 through the photomask 89 to form an opening in the laminated body 87 (FIGS. 11E and 11F). )).
  • the electrodes for the plasma display substrate and the Z or black stripe similar to those shown in FIGS. 3 and 4 can be formed in a very small number of steps.
  • the formed plasma display substrate electrode and Z or black stripe are useful as PDP.
  • Example 2 SnO containing 5% by mass of Sb was used as a material for forming the transparent layer.
  • Metal Cr (purity: 99.99% or more) is used as the material to form the first antireflection layer, and metal Cr (purity: 99.99% or more) is used as the material to form the second antireflection layer, forming the thin film layer Metal Cu (purity: 99. 99% or more) is used as the material.
  • the method for forming an electrode for a plasma display substrate and a Z or black stripe according to Example 2 includes (1) a transparent layer forming step (FIG. 12 (A)), (2 ) Transparent layer opening forming step (Figs. 12B, 12C), (3) Laminate forming step (Fig. 13) (4) Laminate opening forming step (Fig. 14).
  • the glass substrate 90 is mounted on the sputter deposition apparatus 80, and SnO containing 5% by mass of Sb is coated.
  • a transparent layer 91 is formed by performing sputtering film formation used as one get. (Fig. 12 (A)
  • the thickness of the transparent layer 91 is about 0.2 m.
  • first antireflection layer 93 Forming the first antireflection layer 93 with high force (Fig. 13 (D)), and further performing sputter deposition using a metal chromium target in Ar gas, thereby allowing visible light to be formed on the first antireflection layer 93.
  • a second antireflection layer 94 made of a Cr layer having a transmittance of 0.05% is formed (FIG. 13 (E)).
  • First antireflection The thickness of the layer 93 is about 50 nm, and the thickness of the second antireflection layer 94 is about 80 nm.
  • the same sputter deposition apparatus 80 is used to form a thin film layer 95 having a Cu layer force on the second antireflection layer 94 by performing sputter deposition using a metallic copper target in Ar gas.
  • a laminate 96 FIG. 13 (F)
  • the thickness of the thin film layer 95 is about 1 m.
  • a YAG laser beam having a wavelength of 1064 nm and an energy density of 2jZcm 2 is irradiated from the other main surface side of the glass substrate 70 to the stacked body 96 through the photomask 97, and the stacked body An opening is formed in 96 (Fig. 14 (G) ⁇ (H)).
  • the same electrode for a plasma display substrate and Z or black stripes as those shown in FIGS. 7 and 8 can be formed with few steps.
  • the formed plasma display substrate electrodes and Z or black stripes are useful as PDPs.
  • a laminate comprising an antireflection layer and a thin film layer preferably a laminate comprising a transparent layer can be put together, a pattern is formed with fewer steps than in the prior art. It becomes possible. Therefore, according to the present invention, an electronic circuit pattern and an electronic circuit can be efficiently manufactured at a low cost.

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Description

明 細 書
パターン形成方法および電子回路
技術分野
[0001] 本発明は、電子回路に備えられるパターンの形成方法、ならびに、プラズマデイス プレイ基板などの電子回路に関する。
背景技術
[0002] プラズマディスプレイパネル（以下、「PDP」とも!/、う）は、薄型化が可能で、かつ大 型化が容易であり、さらに軽量、高解像度等の特徴を有するため、表示装置として C RTに替わる有力候補として注目されて 、る。
PDPは DC型と AC型に大別されるが、その動作原理は、ガス放電に伴う発光現象 を利用したものである。例えば AC型では、図 15に示すように、対向して配置された 透明な前面基板 1と背面基板 2との間に形成した隔壁 3によりセル空間を区画してセ ルを画定し、セル内には可視発光が少なく紫外線発光効率が高い He+Xe、 Ne+X eなどのぺユング混合ガスを封入する。そしてセル内でプラズマ放電を発生させ、セ ル内壁の蛍光体層 9Aを発光させて表示画面上に画像を形成する。
[0003] PDPは、一般的に、前面基板 1上に、プラズマ放電を発生させるための表示電極 5 と、表示電極 5の一部の上に設けられており表示電極 5の抵抗を低減するノ ス電極 6 と、表示電極 5およびバス電極 6がプラズマに侵食されることや、背面基板 2上に形成 されている電極に接触することを防ぐ誘電体層 8および MgO層 9と、また、必要に応 じて、外光の反射を低減するブラックストライプ 4とを備えたプラズマディスプレイ基板 を有している。また、背面基板 2上に、情報を書き込むためのアドレス電極 7を備えて いる。
[0004] この PDPを製造するときには、前面基板 1上に、透明な導電材料を用いて表示電 極 5を形成した後に、表示電極 5の一部の上に、導電材料を用いてバス電極 6を形成 する。また、ブラックストライプ 4を備える場合には、さらにブラックストライプ 4を形成す る。
ついで、誘電体層 8と MgO層 9を形成する（特許文献 1、非特許文献 1、非特許文 献 2参照)。
[0005] ところで、表示電極 5やバス電極 6などを形成する場合には、導電材料によって形 成された薄層を、所定の形状に加工する。薄層の形状を加工する方法としては、レジ ストを用いたウエットエッチングが採用されて 、る。
[0006] しかしながら、ウエットエッチングによる薄層の加工は、最初に、薄層上にレジスト層 を形成した後に、レジスト層の露光および現像を行ってレジスト層に開口部を形成し 、ついで、エッチング液を用いて開口部に露出した薄層をエッチングし、最後にレジ スト層を剥離することによってなされるために、多くの工程を必要とする。
また、ウエットエッチングは、表示電極 5やバス電極 6など、各部材を形成する毎に 行うために、 1つの PDPを製造するに際して、複数回行う。
[0007] したがって、ウエットエッチングによって薄膜を所定の形状にカ卩ェする場合には、 P DPの製造に必要となる工程数が膨大になる。工程数が多いと、製造に必要となる作 業が増えるために、煩雑な作業の増加やコストの上昇などの不都合が生じる。
[0008] また、コントラストをさらに向上させて、画像を鮮明にするために、前面基板 1上に、 ブラックストライプ 4を形成することが提案されている。
しカゝしながら、ブラックストライプ 4は、表示電極 5やバス電極 6などとは別工程で形 成される。また、ブラックストライプ 4を形成するときにも、ウエットエッチングによって所 定の形状にする必要がある。したがって、 PDPは、ブラックストライプ 4を形成すること によって、製造に必要となる工程数がさらに増加する。
[0009] また、ウエットエッチングに用いられるエッチング液は、強酸性や強アルカリ性を示 すために、例えばそのまま廃棄すると環境負荷が大きいなどの問題点を有し、取り扱 いが困難である。したがって、 PDPを製造するときにウエットエッチングを行う場合に は、エッチング液の取り扱いに伴った煩雑な作業を行う必要がさらに生じ、製造に必 要となる工程数がさらに増加する。
[0010] さらに、ウエットエッチングは、上述した PDP以外の電子回路のパターンを形成する ときにも用いられる。
電子回路のパターンは、近年、急速に進展する高度情報化社会に対応するために 、より複雑ィ匕している。したがって、パターンの複雑化に伴い、電子回路を作製する 場合にも、ウエットエッチングを行うことによる工程数が大幅に増加し、上述したような 煩雑な作業の増加や、コストの上昇などの不都合が生じる。
特許文献 1：特開平 7— 65727号公報
非特許文献 1 :内田龍男、内池平榭著、「フラットパネル ·ディスプレイ大辞典」、工業 調査会、 2001年 12月 25日、 p. 583- 585
非特許文献 2：奥村健史著、「フラットパネル ·ディスプレイ 2004実務編」、日経 BP社 、 p. 176- 183
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0011] 本発明は、以上説明した従来の実情を鑑みて提案されたものであり、ゥヱットエッチ ングを行うことなぐ工程数を少なくしかつコストの低減を図ることが可能なパターン形 成方法を提供することを目的とする。また、この形成方法により形成されるパターンを 備える電子回路を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0012] 本発明は、上記の課題を解決するために、以下の（1)〜（12)に示すパターン形成 方法、およびこれにより形成される、電極および Zまたはブラックストライプ、ならびに これを用いた電子機器などを提供するものである。
[0013] (1)透明基板の一方主面上に、反射防止層と薄膜層とを順次形成し、前記反射防止 層と前薄膜層とからなる積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体に第 1レ 一ザ光を照射して、前記積層体に開口部を形成する積層体開口部形成工程とを備 えるパターン形成方法。
[0014] (2)前記反射防止層は、クロム酸化物および Zまたはチタン酸化物を含有する第 1 反射防止層と、金属クロムおよび Zまたは金属チタンを含有する第 2反射防止層とを 備える前記（1)に記載のパターン形成方法。
[0015] (3)前記第 1レーザ光は、波長力 00〜1500nm、エネルギー密度が 2〜40jZcm2 である前記（1)または（2)に記載のパターン形成方法。
[0016] (4)前記積層体形成工程の前段に、前記透明基板の該一方主面上に、透明層を形 成する透明層形成工程と、前記透明層形成工程に引き続いて、前記透明層に第 2レ 一ザ光を照射して、前記透明層に開口部を形成する透明層開口部形成工程とを備 える前記（1)〜（3)の 、ずれかに記載のパターン形成方法。
(5)前記積層体開口部形成工程の後段に、前記透明基板の該一方主面上に、透明 層を形成する透明層形成工程と、前記透明層形成工程に引き続いて、前記透明層 に第 2レーザ光を照射して、前記透明層に開口部を形成する透明層開口部形成ェ 程とを備える前記（1)〜（3)の 、ずれかに記載のパターン形成方法。
[0017] (6)前記第 2レーザ光は、波長力 00〜1500nm、エネルギー密度が 2〜40jZcm2 である前記 (4)または（5)に記載のパターン形成方法。
[0018] (7)前記薄膜層形成工程の後段に、保護層を形成する保護層形成工程を備える前 記（1)〜（6)の 、ずれかに記載のパターン形成方法。
[0019] (8)前記（1)〜（7)の 、ずれかに記載のパターン形成方法によって形成される電子 回路。
[0020] (9) (8)に記載の電子回路を有する電子機器。
[0021] (10)前記（1)〜（6)の 、ずれかに記載のパターン形成方法によって形成されるパタ ーンを、プラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライプとして備 える、プラズマディスプレイ基板。
(11)前記（1)〜（6)の ヽずれかに記載のパターン形成方法によって形成されるパタ ーンを、プラズマディスプレイ基板用の電極およびブラックストライプとして備える、プ ラズマディスプレイ基板。
[0022] (12)透明基板の一方主面上に、クロム酸ィ匕物および Zまたはチタン酸ィ匕物からなる 第 1反射防止層と、金属クロムおよび Zまたは金属チタン力 なる第 2反射防止層と、 銅カゝらなる薄膜層とを有するパターンをプラズマディスプレイ基板用の電極および/ またはブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。
(13)透明基板の一方主面上に、クロム酸ィ匕物および Zまたはチタン酸ィ匕物からなる 第 1反射防止層と、金属クロムおよび Zまたは金属チタン力 なる第 2反射防止層と、 銅カゝらなる薄膜層と、透明層とを有するパターンをプラズマディスプレイ基板用の電 極および Zまたはブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。
[0023] (14)前記電極および Zまたは前記ブラックストライプは、前記透明基板の他方主面 側から入射する可視光の反射率が 50%以下である前記（12)または（13)に記載の プラズマディスプレイ基板。
[0024] ( 15)前記（ 12)、（ 13)または（ 14)に記載のプラズマディスプレイ基板を備えるブラ ズマディスプレイパネノレ。
発明の効果
[0025] 本発明によれば、反射防止層と薄膜層とからなる積層体、好ましくはさらに透明層 を含む積層体を一括してパターユングできるため、従来より少な 、工程数でパターン を形成することが可能となる。したがって、本発明によれば、電子回路のパターンおよ び電子回路を、低コストで効率よく製造することが可能となる。
[0026] また、本発明によれば、ウエットエッチングを施すことなくパターンを形成することが 可能となる。したがって、本発明によれば、強酸性や強アルカリ性を示すエッチング 液を用いる必要がなくなるために、パターンを形成するときに、エッチング液の取り扱 いに伴って生じる煩雑な作業を削減することが可能となる。また、ウエットエッチングを 施すことによる工程数の増加を、回避することが可能となる。
[0027] また、本発明のパターン形成方法により形成されたパターンを PDP用途に用いる 場合は、本発明のノターン形成方法によりプラズマディスプレイ基板用ブラックストラ イブとプラズマディスプレイ基板用電極 (表示電極およびバス電極）とを同時に形成 することができる。また、プラズマディスプレイ基板用電極および Zまたはプラズマデ イスプレイ基板用ブラックストライプと基板との間に反射防止層を形成することで、 PD
Pとして画像を表示するときに、電極やブラックストライプが映し出されることを回避で きる。
[0028] また、積層体形成工程の前段または積層体開口部形成工程の後段に透明層を形 成する場合には、透明層を透明電極とし、薄膜層をバス電極としたプラズマディスプ レイ基板用ブラックストライプとプラズマディスプレイ基板用電極とを同時に形成でき る。
図面の簡単な説明
[0029] [図 1]図 1 (A)〜 (F)は本発明のパターン形成方法を示す概略断面図である。
[図 2]図 2は薄膜層上に保護層を形成した状態を示す断面図である。 [図 3]図 3は、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックス トライプの形成方法の好適実施例により形成されたプラズマディスプレイ基板用の電 極および Zまたはブラックストライプを備える基板の概略平面図である。
[図 4]図 4は図 3に示す基板の A— A'線断面概略図である。
圆 5]図 5 (A)〜(D)は、本発明のパターン形成方法のうち、透明層形成工程と、透 明層開口部形成工程とを示す概略図である。
[図 6]図 6 (E)〜 (I)は、本発明のパターン形成方法のうち、積層体形成工程と、積層 体開口部形成工程とを示す概略図である。
[図 7]図 7は、透明層を備えるプラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラ ックストライプの形成方法により形成されたプラズマディスプレイ基板用の電極および
Zまたはブラックストライプを備える基板の概略平面図である。
[図 8]図 8は図 7に示す基板の B— B'線の断面概略図である。
[図 9]図 9は図 7に示す基板の別の態様の B— B'線の断面概略図である。
[図 10]図 10 (A)〜（C)は、実施例 1におけるプラズマディスプレイ基板用の電極およ び Zまたはブラックストライプの形成工程のうち、積層体形成工程を示す概略図であ る。
[図 11]図 11 (D)〜 (F)は、実施例 1におけるプラズマディスプレイ基板用の電極およ び Zまたはブラックストライプの形成工程のうち、積層体開口部形成工程を示す概略 図である。
[図 12]図 12 (A)〜（C)は、実施例 2におけるプラズマディスプレイ基板用の電極およ び Zまたはブラックストライプの形成工程のうち、透明層形成工程と透明層開口部形 成工程とを示す概略図である。
[図 13]図 13 (D)〜（F)は、実施例 2におけるプラズマディスプレイ基板用の電極およ び Zまたはブラックストライプの形成工程のうち、積層体形成工程を示す断面図であ る。
[図 14]図 14 (G)および (H)は、実施例 2におけるプラズマディスプレイ基板用の電極 および Zまたはブラックストライプの形成工程のうち、積層体開口部形成工程を示す 断面図である。 [図 15]図 15は従来の PDPの概略構成を示す概略図である。
符号の説明
1 面基板
2 背面基板
3 隔壁
4 ブラックストライプ
5 表示電極
6 バス電極
7 アドレス電極
8 誘電体層
9 MgO層
9A 蛍光体層
10 透明基板
11 第 1反射防止層
12 第 2反射防止層
13 反射防止層
14 薄膜層
15 積層体
16 フォトマスク
17 保護層
30 プラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライプ
31 ブラックス卜ライプ
32 電極（バス電極兼表示電極）
50 透明層
51 フォトマスク
52 フォトマスク
60 プラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライプ 61 ブラックス卜ライプ 62 表示電極
63 バス電極
70 ガラス基板
80 スパッタ成膜装置
82 第 1反射防止層
84 第 2反射防止層
86 薄膜層
87 積層体
88 保護層
89 フォトマスク
90 ガラス基板
91 透明層
92 フォトマスク
93 第 1反射防止層
94 第 2反射防止層
95 薄膜層
96 積層体
97 フォトマスク
発明を実施するための最良の形態
[0031] 以下、本発明について詳細に説明する。なお、以下の説明は本発明の一例であり
、本発明はこれに限定されない。
[0032] 本発明のパターン形成方法においては、まず、透明基板 10の一方主面上に、第 1 反射防止層 11および第 2反射防止層 12を備える反射防止層 13と、薄膜層 14とを順 次形成することにより、積層体 15を形成する（図 1 (A)〜(D)：積層体形成工程)。 次に、フォトマスク 16を介して、積層体 15に、第 1レーザ光 L1を照射して開口部を 形成し、積層体 15を所定の形状に加工する（図 1 (E)、 (F)：積層体開口部形成工程
) o
[0033] このような形成工程により、透明基板 10の該一方主面上に、第 1反射防止層 11お よび第 2反射防止層 12からなる反射防止層 13と、薄膜層 14とからなる積層体 15を パター-ングしたパターンを形成することができる。
[0034] <透明基板 >
透明基板 10は、透明材料 (本発明においては、 JISR3106 (1998年)規定の可視 光透過率が 80%以上の材料)を用いて形成されて!ヽれば特に限定されな！ヽ。透明 基板 10の具体例としては、ガラス基板が好適に挙げられる。特に、 PDP用のガラス 基板として用いられて 、る厚さが 0. 7〜3mmのガラス基板が好まし 、。
[0035] なお、本発明では、透明基板 10の両主面のうち、第 1反射防止層 11、第 2反射防 止層 12、および薄膜層 14などが形成される側の主面を一方主面といい、第 1反射防 止層 11、第 2反射防止層 12、および薄膜層 14などが形成されない側の主面を他方 王面と ヽう。
[0036] <積層体形成工程 >
積層体形成工程では、透明基板 10の一方主面上に、第 1反射防止層 11と第 2反 射防止層 12とを含む反射防止層 13を形成し、さらに薄膜層 14を形成して、積層体 1 5を形成する。
[0037] <反射防止層 >
反射防止層 13は、透明基板 10の一方主面上に形成された第 1反射防止層 11と、 その上面に形成された第 2反射防止層 12とを含む。このような構造であるために、反 射防止層 13は、各層からの反射光が互いに干渉するために、可視光の反射率が低 くなり、 PDPとして画像を表示するときに、電極やブラックストライプが画像に映し出さ れることを回避できる。
[0038] <第 1反射防止層 >
本発明にお 、て、第 1反射防止層 11の材料はクロム酸ィ匕物および/またはチタン 酸ィ匕物を含有することが好ましい。特に耐久性が高ぐ電極の材料となる Cuの酸ィ匕 を防止でき、かつ反射性能を出しやすい点で、第 1反射防止層 11の材料はクロム酸 化物であることが好ましい。反射防止性能の点で、クロム酸ィ匕物および Zまたはチタ ン酸ィ匕物は、第 1反射防止層 11を形成する材料の全体に対して、 95質量％以上含 有されて!/、ることが好まし!/、。 [0039] ここで、クロム酸化物とは、酸素が欠損して 、な 、Cr Oなどや酸素欠損型の CrO
2 3 X
(1. 0≤X< 1. 5)なども含む。クロム酸化物が酸素欠損型の CrO (1. 0≤X< 1. 5)
X
であると、反射特性が良好となり特に好ましい。
また、チタン酸ィ匕物とは、酸素が欠損していない TiOなどや酸素欠損型の TiO (1
2 X
. 0≤Χ< 2· 0)なども含む。チタン酸化物が酸素欠損型の TiO (1. 0≤Χ< 2· 0)で
X
あると、反射特性が良好となり特に好ましい。
[0040] また、第 1反射防止層 11は、さらに炭素、窒素等を含有していてもよい。特に炭素 および Ζまたは窒素を、第 1反射防止層 11を形成する材料に含有させることにより、 消衰係数、膜の屈折率を微調整できるため、第 2反射防止層 32の光学特性と整合さ せることで、可視域力 本発明で使用されるレーザ波長範囲における反射防止特性 を容易に良好とできる点で好ましい。クロム酸化物に窒素を含有している場合、この 酸窒化クロム膜の組成は、 Cr O Nと表す場合に、 0. 3≤Y≤0. 55、 0. 03≤Ζ
1-Υ-Ζ Υ ζ
≤0. 2であることが好ましぐクロム酸ィ匕物には、こうした窒素含有クロム酸化物も含ま れる。
[0041] 本発明において第 1反射防止層 11の厚さは、 30〜： LOOnmとすることが好ましい。
第 1反射防止層 11の厚さがこの範囲内であれば、反射光の干渉を利用することによ り反射防止性能が良好となり好ましい。特に 30〜70nmが好ましい。第 1反射防止層 11の厚さは、 30〜： LOOnmの範囲で、膜の屈折率および消衰係数などから適宜調整 されればよい。
[0042] また、第 1反射防止膜 11は、実質的に透明であることが好ましぐ波長 550nmでの 屈折率が 1. 9〜2. 8であることが好ましぐ 1. 9〜2. 4であることがより好ましい。この 範囲内であれば、反射防止特性を良好にできる点で好ましい。実質的に透明である とは、消衰係数が 1. 5以下、より好ましくは 0. 7以下であることをいい、これにより、十 分な光の干渉を生じさせることができるようになる。
また、第 1反射防止膜 11は複数の膜を積層した構成であってもよい。具体的には、 基板力も酸ィ匕クロム、窒化クロムを順に積層したものが例示される。
[0043] <第 2反射防止層 >
第 2反射防止層 12は、金属クロム (以下、 Crともいう。）および Zまたは金属チタン（ 以下、 Tiともいう。）を含有することが好ましい。特に耐久性が高ぐ電極の材料となる Cuの酸ィ匕を防止でき、かつ反射性能を出しやすい点で、第 2反射防止層 12の材料 は Crであることが好ましい。反射防止性能の点で、 Crおよび/または Tiは、第 2反射 防止層 12を形成する材料の全体に対して、合量で 95質量％以上含有されて ヽるこ とが好ましい。
また、第 2反射防止層 12は、さらに炭素、窒素等を含有していてもよい。特に炭素 および Zまたは窒素を、第 2反射防止層 12を形成する材料に含有させることにより、 消衰係数、膜の屈折率を微調整できるため、第 1反射防止層 11の光学特性と整合さ せることで可視域力 本発明で使用されるレーザ波長範囲において反射防止性能を 容易に良好とできる点で好まし 、。
[0044] 本発明における第 2反射防止層 12は光透過率が低ぐ可視光領域で実質的に不 透明であることが好ましい。実質的に不透明にするためには、可視光透過率で、 0. 0 001-0. 1%とすればよい。具体的には、第 2反射防止層 12の厚さを 10〜200nm 、特に 20〜： LOOrnnとすること力好まし!/ヽ。
[0045] 本発明における第 1反射防止層 11および第 2反射防止層 12は、スパッタリング法 や蒸着法によって形成される。スパッタリング法によって第 2反射防止層 12である Cr 層を形成する場合には、 Crターゲットを用い、 Ar等の不活性雰囲気下で、スパッタリ ングを行えばよい。 Ti層を形成する場合も同様である。ここで Ar等に Nや CHなどを
2 4 混合させてスパッタリングを行ってもょ 、。
[0046] また、第 1反射防止層 11のクロム酸ィ匕物層を形成するためには、 Crターゲットを用 い、酸素を含む雰囲気下でスパッタリングを行う方法のほか、酸ィ匕クロムターゲットを 用いることも可能である。チタン酸化物層を形成する場合も同様である。ここで Ar等 に N、 CHや COなどを混合させてスパッタリングを行ってもよい。
2 4 2
[0047] 透明基板 10上に形成される第 1反射防止層 11および第 2反射防止層 12が、上記 の厚さとなるようにするには、スパッタリング法や蒸着法等による成膜時間等を制御す ることで調整可能である。
[0048] 透明基板 10上に形成される第 1反射防止層 11および第 2反射防止層 12のパター ン幅は、目的のコントラストと輝度とのバランスを考慮して決めることが好ましい。太す ぎると PDPから発する光そのものが遮光されて、十分な輝度を確保できなくなる。
[0049] なお、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライ プの形成方法の反射防止層形成工程は、上述した第 1反射防止層 11および第 2反 射防止層 12の 2層を形成するものに限定されない。この 2層の他に、さらに 1層以上 の層を形成してもよい。
[0050] <薄膜層 >
薄膜層 14を形成する薄膜層形成材料は、電極としての機能を果たすものであれば 特に限定されない。例えば、銅、銀、アルミニウム、金等を用いることができる。これら の中でも、導電性が高ぐ材料として安価である銅を用いることが好ましい。
[0051] 薄膜層 14は、以上説明した薄膜層形成材料を用いて、第 1反射防止層 11および 第 2反射防止層 12と同様に、スパッタリング法や蒸着法等によって形成される。 また、薄膜層 14の厚さは、第 1反射防止層 11および第 2反射防止層 12と同様に、 スパッタリング法や蒸着法等による成膜時間等を制御することで調整可能である。 薄膜層 14の厚さは、 0. 5〜3 111であること力 S好ましく、 0. 5〜2 mであることがよ り好ましぐ 0. 5〜1. 5 /z mであることがさらに好ましい。上記範囲内であると、積層体 15に第 1レーザ光 L1を照射することにより、積層体 15を透明基板 10上に残存させる ことなぐ透明基板 10から剥離することができる。また、 1. 5 m以下であれば、透明 基板 10から積層体 15をより効果的に剥離することができる。
また、本発明の形成方法により形成されたパターンをプラズマディスプレイ基板用 の電極および/またはブラックストライプに用いる場合には、薄膜層 14の厚さが 0. 5 〜3 μ m、特に 0. 5〜2 μ mであれば、表示電極やバス電極としての導電性を保ちつ つ、 PDPの画像に表示されることを回避でき、透明性の点で好ましい。
[0052] <積層体開口部形成工程 >
積層体開口部形成工程では、第 1レーザ光 L1を照射して、上記積層体形成工程 で透明基板 10の該一方主面上に形成した積層体 15の所定の領域を、アブレーショ ンと熱エネルギーとの併用によって蒸発除去して、積層体 15に開口部を形成する。 第 1レーザ光 L 1としては、例えばエキシマレーザ光や YAGレーザ光等を用 、る。
[0053] 第 1レーザ光 L1は、積層体 15に対して、フォトマスク 16を介して照射される。これに より、フォトマスク 16に設けられた開口部を透過した第 1レーザ光 LIが積層体 15に 照射され、積層体 15のフォトマスク 16の開口部に対応する領域が蒸発除去され、積 層体 15は、フォトマスク 16の形状どおりに加工される。この方法により、反射防止層と 薄膜層とをパターユングしたパターンを形成できる。
[0054] 積層体開口部形成工程において開口部を形成するにあたり用いる第 1レーザ光 L1 は、波長が 500〜1500nmであることが好ましぐエネルギー密度が 1. 5〜40jZcm 2、 2〜40j/cm2、特に 1. 5〜20j/cm2、さらには 1. 5〜： L0j/cm2であることが好 ましい。第 1レーザ光 L1は、パルスであっても、 CW (連続光）であってもよい。このよう なレーザ光として、具体的には、波長が 1064nmである YAGレーザ光や、波長が 53 2nmである YAGレーザ光等が挙げられる。なお、エネルギー密度は、レーザパルス 数が複数の場合は、照射したパルスの合計のエネルギー密度であり、以下同様であ る。
このような第 1レーザ光 L1を積層体 15に照射すれば、短時間の照射のみで開口部 に露出した透明基板 10の表面に積層体 15が残存することなぐ確実に開口部を形 成することができる。
[0055] なお、本実施の形態では、第 1反射防止層 11と、第 2反射防止層 12と、薄膜層 14 とは、この順に透明基板 10上に積層されているが、各層の間に、別の層が形成され ていてもよい。
[0056] ところで、形成されたパターンを、プラズマディスプレイ基板用電極および Zまたは プラズマディスプレイ用ブラックストライプとして使用するにあたり、誘電体によって被 覆する場合がある。本発明の電極および Zまたはブラックストライプの誘電体に対す る耐性は、以下に例示する 2つの方法により、さらに向上するため好ましい。
[0057] 第 1の方法は、図 2に示すように、薄膜層を形成する工程の後に、保護層 17を形成 する保護層形成工程を備えてパターンを形成することである。保護層 17は、 Crおよ び Zまたは Tiを主成分とすることが好ましぐ具体的には、 Crおよび Zまたは Tiを 95 質量％以上含有することが好ましい。これにより誘電体が薄膜層 14に直接接すること がなくなるので、薄膜層 14は侵食されにくくなる。
[0058] 保護層 17は、第 1反射防止層 11や第 2反射防止層 12と同様に、通常のスパッタリ ング法や蒸着法によって形成される。
また、保護層 17の厚さは、 0. 05-0. 2 mとすることが好ましい。この厚さであれ ば、薄膜層 14が誘電体により侵食されるのを防止または抑制することができる。保護 層 17の厚さは、第 1反射防止層 11と同様に、スパッタリング法や蒸着法等による成膜 時間等を制御することで調整できる。
[0059] 第 2の方法は、薄膜層 14に Crおよび Zまたは Tiを含有させる方法である。 Crや Ti は誘電体に対する耐性が高 、からである。 Crおよび Zまたは Tiが薄膜層 14を構成 する材料全体に対して 5〜15質量％含有されていると、薄膜層 14は誘電体に対して 十分な耐性を有し、かつ導電性が保たれるので好ま ヽ。
Crおよび Zまたは Tiを含有した薄膜層 14は、 Crおよび Zまたは Tiを含有する前 記薄膜層形成材料を用いて、スパッタリング法や蒸着法により形成される。
[0060] なお、上記の第 1反射防止層 11、第 2反射防止層 12、および薄膜層 14の他に、さ らに、 1層以上の他の薄膜層を形成してもよい。例えば、第 1反射防止層 11の形成 前、第 1反射防止層 11の形成と第 2反射防止層 12の形成との間、または第 2反射防 止層 12の形成後に、透明基板 10の該一方主面側に、さらに他の薄膜層を形成して もよい。例えば、後述するような透明層を設けてもよい。
[0061] つぎに、図 3および図 4を用いて、以上説明したパターン形成方法により形成された 、ブラックストライプ 31および電極 32が備えられて 、るプラズマディスプレイ基板用の 電極および Zまたはブラックストライプ 30について説明する。なお、図 4は図 3に示す 基板の A— A，線の断面図を示している。なお、電極 32は、表示電極およびバス電 極を兼ねている。
[0062] 図 3に示すように、電極および Zまたはブラックストライプ 30は、透明基板 10の一方 主面上に形成されている、外光の反射を低減するブラックストライプ 31と、電極 32と を含む。
[0063] ブラックストライプ 31は、図 4に示すように、第 1反射防止層 11と第 2反射防止層 12 とからなる反射防止層 13と、薄膜層 14とを備えた積層体 15から形成される。第 1反 射防止層 11と第 2反射防止層 12を形成することにより、外光の反射を低減できる。
[0064] 電極 32は、図 4に示すように、第 1反射防止層 11と第 2反射防止層 12とからなる反 射防止層 13と、薄膜層 14とを備えた積層体 15から形成される。電極 32は、電極お よび Zまたはブラックストライプ 30が PDPに装着されたときに電流が流される。電極 3 2に電流が流れることにより、対応する位置に封入されているプラズマが放電する。 また、電極 32は、第 1反射防止層 11と第 2反射防止層 12とを備えるために、ブラッ クストライプ 31と同様に、透明基板 10の他方主面側力も入射した可視光の反射を防 止する。このため、本発明の電極および Zまたはブラックストライプ 30は、外光等の 反射の抑制効果が高いものとなる。また、本発明の電極および Zまたはブラックストラ イブ 30を用いてなる PDP上に鮮明な画像を形成することができる。つまり、電極 32 は、 PDPにおける表示電極とバス電極の両方の機能を有して!/、る。
[0065] 透明基板 10の他方主面側力も入射した可視光の反射率は、 50%以下であること が好ましぐ 40%以下であることがより好ましぐ 10%以下であることがさらに好ましい 。 50%以下とすることにより、 PDPには、より鮮明な画像が表示される。
[0066] 以上説明したように、本発明では、レジスト膜を用いたウエットエッチングによる薄膜 の加工を行わないため、より少ない形成工程数で、より安価にパターンを形成するこ とがでさる。
また、強酸性や強アルカリ性を示すエッチング剤を使用しないために、エッチング 剤を取り扱うことによって必要となる煩雑な作業を行う必要がなくなり、パターンの形 成に必要となる工程が削減される。
また、プラズマディスプレイ基板用ブラックストライプを設ける場合に、ブラックストラ イブと電極とを、同時に形成することができるため、より少ない形成工程数で、より安 価にプラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライプを形成する ことができる。ここで電極とは、プラズマディスプレイ基板における表示電極およびバ ス電極を意味する。なお、 PDPの場合、薄膜層が透明電極とバス電極との機能を兼 ねるため、さらに工程を短縮できる。また、反射防止層と薄膜層を一括してパター- ングすることにより、さらに工程を少なくすることができる。
また、本発明は、前記パターン形成方法により形成されるノターンを備える電子回 路、および前記電子回路を用いてなる電子機器を形成することができる。前記電子 回路としては、 LCD用の電極付き基板、有機 EL用の電極付き基板、プラズマデイス プレイ基板用の電極および zまたはブラックストライプ付き基板 (前面基板および背 面基板のうち、特に前面基板)等が例示され、前記電子機器としては、 LCD,有機 E
L、 PDP等が例示される。
なお、本発明のパターン形成方法により、アドレス電極を備えるプラズマディスプレ ィ背面基板を形成することもできる。さらに、このプラズマディスプレイ背面基板を用 いて、 PDPを形成することもできる。
[0067] ところで、透明基板 10の一方主面上に積層体 15を形成する前に、最初に、図 5 (A
) · (B)に示すように透明層 50を形成し (透明層形成工程)、ついで、図 5 (C) · (D)に 示すように透明層 50に第 2レーザ光 L2をフォトマスクを介して照射して開口部を形成 してもょ 、 (透明層開口部形成工程)。
透明層の開口部を形成した後に、前述したような反射防止層および薄膜層を有す る積層体形成工程および積層体開口部形成工程を経ることが可能である。具体的に は、図 6 (E)〜（G)に示すように、開口部が形成された透明層 50上に積層体 15が形 成された後に、図 6 (H) · (I)に示すように、積層体 15に開口部が形成される。
[0068] このような形成工程により、透明基板 10の一方主面上に、透明層 50と、第 1反射防 止層 11と、第 2反射防止層 12と、薄膜層 14とがパターユングされたパターンを形成 することができる。
[0069] <透明層形成工程 >
透明層形成工程では、透明基板 10の該一方主面上に透明層 50を形成する。この 透明層 50の形成に用いられる材料は、透明性を有する導電性の材料であれば特に 限定されず、 ITO (Indium Tin Oxide)や酸ィ匕錫（SnO )などの錫化合物を用いること
2
ができる。錫化合物のうちでも、誘電体による侵食の防止の観点から、 SnOを用いる
2 ことが好ましぐ特に Sbを 2〜8質量％含有する SnOを用いることが好ましい。透明
2
層は、 JISR3106 (1998年）規定の可視光透過率が 80%以上であることが好ましい
[0070] 透明層 50は、スパッタリング法や蒸着法によって形成される。透明層 50の厚さは、 ノターニングのしゃすさ力ら、 0. 1〜3 πι、0. 1〜1 111、特に0. 1〜0. 5 mであ ることが好ましい。電極として用いる場合には、その導電性の点で、透明層 50の厚さ は 0. 1〜3 /ζ πιであることが好ましい。透明層 50が、上記の厚さとなるようにするには 、スパッタリング法や蒸着法等による成膜時間等を制御することで調整可能である。 透明層 50をスパッタリング法により形成する場合には、例えば、 ΙΤΟや SnOなどの
2 透明層形成材料をターゲットとして、 Ar等に Oなどを混合させてスパッタリングを行う
2
[0071] <透明層開口部形成工程 >
透明層開口部形成工程では、第 2レーザ光 L2として例えばエキシマレーザ光や Y AGレーザ光等を用いて、アブレーシヨンと熱エネルギーとの併用によって、上記透 明層形成工程で透明基板 10の表面に形成した透明層 50を蒸発除去して開口部を 形成する。
[0072] 第 2レーザ光 L2は、透明層 50に対して、フォトマスク 51を介して照射される。これに より、フォトマスク 51に設けられた開口部を透過した第 2レーザ光 L2のみが透明層 5 0に照射され、透明層 50は、フォトマスク 51の形状どおりにカ卩ェされる。
[0073] 透明層開口部形成工程において開口部を形成するにあたり、用いる第 2レーザ光 L2は、波長が 500〜1500nmであることが好ましぐエネルギー密度が 1. 5〜40jZ cm2、 2〜40j/cm2、特に 1. 5〜20j/cm2、さらには 1. 5〜： L0j/cm2であることが 好ましい。第 2レーザ光 L2はパルスであっても、 CW (連続光）であってもよい。
このようなレーザ光として、具体的には、波長が 1064nmである YAGレーザ光、波 長が 532nmである YAGレーザ光等が挙げられる。
図 6に示す通り、積層体 15を形成する前に透明層 50を形成する場合は、第 1レー ザ光 L1は波長が 500〜1500nmであることが好ましぐエネルギー密度は第 2レー ザ光 L2よりも低いことが好ましい。第 1レーザ光 L1のエネルギー密度は、具体的に は、 0. 5〜20j/cm2、特に 1. 0〜5j/cm2であることが好ましい。
[0074] このような第 2レーザ光 L2を、透明層 50に照射すれば、極短時間の照射のみで開 口部に露出した透明基板 10の表面に透明層 50が残存することなぐ確実に開口部 を形成することができる。
[0075] つぎに、図 7および図 8を用いて、以上説明したプラズマディスプレイ基板用の電極 および Zまたはブラックストライプの形成方法により形成された、ブラックストライプ 61 、表示電極 62、およびバス電極 63、ならびにブラックストライプ 61、表示電極 62、お よびバス電極 63を備えるプラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラック ストライプ 60について説明する。なお、図 8は図 7に示す基板の B— B'線の断面図を 示している。
[0076] 図 7に示すように、プラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストラ イブ 60は、透明基板 10上には、外光の反射を低減するブラックストライプ 61と、電流 が流される表示電極 62と、表示電極 62の抵抗値を下げるバス電極 63とが形成され ている。
[0077] ブラックストライプ 61は、図 8に示すように、第 1反射防止層 11と、第 2反射防止層 1 2と、薄膜層 14とを備えた積層体 15から形成される。ブラックストライプ 61は、第 1反 射防止層 11の反射光と第 2反射防止層 12の反射光との干渉を利用して外光の反射 を低減し、 PDPに表示される画像をより鮮明にする。
[0078] 表示電極 62は、透明層 50から形成される。表示電極 62は、前面基板力PDPに装 着されたときに電流が流れ、対応する位置に封入されて ヽるプラズマを放電させる。
[0079] バス電極 63は、透明層 50と、第 1反射防止層 11、第 2反射防止層 12および薄膜 層 14を備えた積層体 15とから形成される。バス電極 63は、表示電極 62に電流を供 給するとともに、表示電極 62の抵抗値を低減する。
また、バス電極 63は、第 1反射防止層 11と第 2反射防止層 12とを備えるために、ブ ラックストライプ 61と同様に、透明基板 10の他方主面側力も入射する可視光の反射 が防止される。そして、 PDP上に鮮明な画像を表示することができる。
[0080] なお、図 9に示すように、透明層 50は、積層体開口部形成工程の後段に形成して もよい。ここで、図 9は図 7に示す基板のうち、この態様の基板の B— B'線の断面図を 示している。積層体 15を形成した後に透明層 50を形成することにより、透明層 50が 積層体 15を保護できる点で好ましい。前述した方法により、透明層 50に開口部を形 成すれば、図 9に示すパターンが形成できる。特に、透明層 50の材料として透明電 極の材料である SnOを用いる場合には、透明層 50が反射防止層 13と薄膜層 14と
2
の積層体上に形成されることにより、反射防止層 13と薄膜層 14との積層体が透明層 50によって保護され、誘電体により侵食されに《なり好ましい。また、反射防止層 Z 薄膜層がこの順に接して形成されるため、反射特性がより有効となり好ましい。また、 本発明のパターンを PDPとして用いる場合には、薄膜層と透明層との導通を有効に とることができる点で好まし!/、。
[0081] 透明層を形成する場合であっても、電極および Zまたはブラックストライプにおける 透明基板 10の他方主面側力も入射した可視光の反射率 CFIS—R3106 (1998年） に規定）が、 50%以下であることが好ましぐ 40%以下であることがより好ましぐ 10 %以下であることがさらに好ましい。 50%以下とすることにより、 PDPには、より鮮明 な画像が表示される。
[0082] 以上説明したように、透明層を形成する場合であっても、レジスト膜を用いたウエット エッチングによる薄膜の加工を行わないため、より少ない形成工程数で、より安価に プラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライプを形成すること ができる。ここで電極とは、 PDPにおける表示電極およびバス電極を意味する。なお 、 PDPの場合、透明層が表示電極となり、薄膜層がバス電極となる。
また、プラズマディスプレイ基板用ブラックストライプを設ける場合に、プラズマデイス プレイ基板用ブラックストライプとプラズマディスプレイ基板用電極とを、同時に形成 することができるため、より少ない形成工程数で、より安価にプラズマディスプレイ基 板用の電極および Zまたはブラックストライプを形成することができる。また、反射防 止層と薄膜層を一括してパターユングすることにより、さらに工程を少なくすることがで きる。
[0083] また、強酸性や強アルカリ性を示すエッチング剤を使用しな 、ために、エッチング 剤を取り扱うことによって必要となる煩雑な作業を行う必要がなくなり、プラズマデイス プレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライプの形成に必要となる工程が削 減される。
また、本発明は、前記パターン形成方法により形成されるノターンを備える電子回 路、および前記電子回路を用いてなる電子機器を形成することができる。前記電子 回路としては、 LCD用の電極付き基板、有機 EL用の電極付き基板、プラズマデイス プレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライプ付き基板 (前面基板および背 面基板のうち、特に前面基板)等が例示され、前記電子機器としては、 LCD,有機 E L、 PDP等が例示される。
実施例
[0084] 以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する力 本発明はこれらに限 定されるものではない。
[0085] (実施例 1)
実施例 1に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライ プの形成方法を図 10および 11に基づき説明する。
[0086] 実施例 1にお!/、ては、第 1反射防止層を形成する材料として金属 Crターゲット (純 度： 99. 99%以上）を用い、第 2反射防止層を形成する材料として金属 Crターゲット (純度： 99. 99%以上）、薄膜層形成材料として金属 Cuターゲット (純度： 99. 99% 以上）を用いる。
[0087] 図 10および 11に示すように、実施例 1に係るプラズマディスプレイ基板用の電極お よび Zまたはブラックストライプの形成方法は、（1)積層体形成工程 (図 10)、（2)積 層体開口部形成工程 (図 11)を備える。
[0088] まず、ガラス基板 70をスパッタ成膜装置 80に装着し、 Ar+Oガス中で金属クロム
2
ターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、ガラス基板 70の該一方主面上に、 消衰係数が 0. 3の CrO 層からなる第 1反射防止層 82を形成し（図 10 (A) )、さらに
1.3
、 Arガス中で金属クロムターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、第 1反射防 止層 82上に可視光透過率が 0. 05%の Cr層からなる第 2反射防止層 84を形成する (図 10 (B) )。第 1反射防止層 82の厚さは約 50nmであり、第 2反射防止層 84の厚さ は約 80nmである。
[0089] ついで、 Arガス中で金属銅ターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、第 2反 射防止層 84上に、 Cu層からなる薄膜層 86を形成して、積層体 87を形成する（図 10
(C) )。薄膜層 86の厚さは約： L mである。
[0090] ついで、薄膜層 86上に、 Arガス中で金属クロムターゲットを用いてスパッタ成膜に より、 Cr層からなる保護層 88を形成する（図 11 (D) )。保護層 88の厚さは約 lOnmで ある。
[0091] 第 1レーザ光として、波長が 1064nm、エネルギー密度が 1. 5jZcm2の YAGレー ザ光を、ガラス基板 70の他方主面側から、フォトマスク 89を介して積層体 87および 保護層 88に照射して、積層体 87に開口部を形成する（図 11 (E) · (F) )。
[0092] 以上の工程により、図 3および図 4に示したものと同様なプラズマディスプレイ基板 用の電極および Zまたはブラックストライプを、非常に少な 、工程で形成することがで きる。また、形成されたプラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックスト ライプは PDPとして有用である。
[0093] (実施例 2)
実施例 2に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライ プの形成方法を図 12〜14に基づき説明する。
[0094] 実施例 2においては、透明層を形成する材料として Sbを 5質量％含む SnOを用い
2
、第 1反射防止層を形成する材料として金属 Cr (純度：99. 99%以上)を用い、第 2 反射防止層を形成する材料として金属 Cr (純度 : 99. 99%以上)、薄膜層形成材料 として金属 Cu (純度： 99. 99%以上）を用いる。
[0095] 図 12〜14に示すように、実施例 2に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライプの形成方法は、（1)透明層形成工程（図 12 (A) )、（2)透 明層開口部形成工程 (図 12 (B)，（C) )、（3)積層体形成工程 (図 13) (4)積層体開 口部形成工程 (図 14)を備える。
[0096] まず、ガラス基板 90をスパッタ成膜装置 80に装着し、 Sbを 5質量％含む SnOをタ
2 一ゲットとして用いるスパッタ成膜を行うことにより、透明層 91を形成する。（図 12 (A)
)。透明層 91の厚さは、約 0. 2 mである。
[0097] ついで、第 2レーザ光として、波長が 1064nm、エネルギー密度が 2. 5jZcm2の Y
AGレーザ光を、ガラス基板 90の他方主面側からフォトマスク 92を介して透明層 91 に照射して、透明層 91に開口部を形成する（図 12 (B) · (C) )。
[0098] ついで、同じスパッタ成膜装置 80を用いて、 Ar+Oガス中で金属クロムターゲット
2
を用いてスパッタ成膜を行うことにより、透明層 91上に、消衰係数が 0. 3の CrO 層
1.3 力もなる第 1反射防止層 93を形成し（図 13 (D) )、さらに、 Arガス中で金属クロムター ゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、第 1反射防止層 93上に可視光透過率 が 0. 05%の Cr層からなる第 2反射防止層 94を形成する（図 13 (E) )。第 1反射防止 層 93の厚さは約 50nmであり、第 2反射防止層 94の厚さは約 80nmである。
[0099] ついで、同じスパッタ成膜装置 80を用いて、 Arガス中で金属銅ターゲットを用いて スパッタ成膜を行うことにより、第 2反射防止層 94上に Cu層力もなる薄膜層 95を形 成し、積層体 96を形成する（図 13 (F) )。薄膜層 95の厚さは約 1 mである。
[0100] 第 1レーザ光として、波長が 1064nm、エネルギー密度が 2jZcm2の YAGレーザ 光を、ガラス基板 70の他方主面側から、フォトマスク 97を介して積層体 96に照射し て、積層体 96に開口部を形成する（図 14 (G) · (H) )。
[0101] 以上の工程により、図 7および図 8に示したものと同様のプラズマディスプレイ基板 用の電極および Zまたはブラックストライプを少な 、工程で形成することができる。ま た、形成されたプラズマディスプレイ基板用の電極および Zまたはブラックストライプ は PDPとして有用である。
[0102] 本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲 を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明ら かである。
本出願は、 2004年 12月 27日出願の日本特許出願 2004— 376332に基づくものであ り、その内容はここに参照として取り込まれる。
産業上の利用可能性
[0103] 本発明によれば、反射防止層と薄膜層とからなる積層体、好ましくはさらに透明層を 含む積層体を一括してパターユングできるため、従来より少な 、工程数でパターンを 形成することが可能となる。したがって、本発明によれば、電子回路のパターンおよ び電子回路を、低コストで効率よく製造することが可能となる。

Claims

請求の範囲
[1] 透明基板の一方主面上に、反射防止層と薄膜層とを順次形成し、前記反射防止層 と前記薄膜層とからなる積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体に第 1レーザ光を照射して、前記積層体に開口部を形成する積層体開 口部形成工程とを備える、パターン形成方法。
[2] 前記反射防止層は、
クロム酸ィヒ物および Zまたはチタン酸ィヒ物を含有する第 1反射防止層と、 金属クロムおよび Zまたは金属チタンを含有する第 2反射防止層とを備える、請求 項 1に記載のパターン形成方法。
[3] 前記第 1レーザ光は、波長力 S500〜1500nm、エネルギー密度が 2〜40jZcm2で ある、請求項 1または 2に記載のパターン形成方法。
[4] 前記積層体形成工程の前段に、
前記透明基板の該一方主面上に、透明層を形成する透明層形成工程と、 前記透明層形成工程に引き続いて、前記透明層に第 2レーザ光を照射して、前記 透明層に開口部を形成する透明層開口部形成工程とを備える、請求項 1〜3いずれ かに記載のパターン形成方法。
[5] 前記積層体開口部形成工程の後段に、
前記透明基板の該一方主面上に、透明層を形成する透明層形成工程と、 前記透明層形成工程に引き続いて、前記透明層に第 2レーザ光を照射して、前記 透明層に開口部を形成する透明層開口部形成工程とを備える、請求項 1〜3いずれ かに記載のパターン形成方法。
[6] 前記第 2レーザ光は、波長力 S500〜1500nm、エネルギー密度が 2〜40jZcm2で ある、請求項 4または 5に記載のパターン形成方法。
[7] 前記薄膜層形成工程の後段に、保護層を形成する保護層形成工程を備える、請 求項 1〜6いずれかに記載のパターン形成方法。
[8] 請求項 1〜7のいずれかに記載のパターン形成方法によって形成される電子回路。
[9] 請求項 8に記載の電子回路を有する電子機器。
[10] 請求項 1〜7のいずれかに記載のパターン形成方法によって形成されるパターンを 電極および/またはブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。
[11] 請求項 1〜7のいずれかに記載のパターン形成方法によって形成されるパターンを 電極およびブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。
[12] 透明基板の一方主面上に、
クロム酸ィヒ物および Zまたはチタン酸ィヒ物からなる第 1反射防止層と、 金属クロムおよび Zまたは金属チタン力 なる第 2反射防止層と、
銅力 なる薄膜層とを有するパターンを電極および Zまたはブラックストライプとして 備える、プラズマディスプレイ基板。
[13] 透明基板の一方主面上に、
クロム酸ィヒ物および Zまたはチタン酸ィヒ物からなる第 1反射防止層と、 金属クロムおよび Zまたは金属チタン力 なる第 2反射防止層と、
銅からなる薄膜層と、
透明層とを有するパターンを電極および Zまたはブラックストライプとして備える、プ ラズマディスプレイ基板。
[14] 前記電極および Zまたは前記ブラックストライプは、前記透明基板の他方主面側か ら入射する可視光の反射率が 50%以下である請求項 12または 13に記載のプラズマ ディスプレイ基板。
[15] 請求項 13、 14または 15に記載のプラズマディスプレイ基板を備えるプラズマデイス プレイパネノレ。
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