[go: up one dir, main page]

WO2006013738A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2006013738A1
WO2006013738A1 PCT/JP2005/013484 JP2005013484W WO2006013738A1 WO 2006013738 A1 WO2006013738 A1 WO 2006013738A1 JP 2005013484 W JP2005013484 W JP 2005013484W WO 2006013738 A1 WO2006013738 A1 WO 2006013738A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
organic
layer
light
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2005/013484
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yoshiyuki Suzuri
Hiroshi Kita
Akira Kawakami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2006531383A priority Critical patent/JP4697142B2/ja
Priority to US11/659,160 priority patent/US20080303415A1/en
Priority to EP05761819.1A priority patent/EP1786242B1/en
Publication of WO2006013738A1 publication Critical patent/WO2006013738A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3

Definitions

  • the present invention relates to a highly efficient organic electoluminescence device that emits white light with multiple colors and has little color shift.
  • Organic-electric luminescence elements also referred to simply as organic EL elements
  • organic EL elements are self-luminous, so they have excellent visibility and can be driven at low voltages from several volts to several tens of volts. ⁇ is possible. Therefore, organic EL devices are expected to be used as thin film displays, lighting, and knocklights.
  • the organic EL element is also characterized by abundant color nomination. Another feature is that various colors can be emitted by combining colors.
  • the need for white light emission is particularly high, and it can also be used as a backlight.
  • Such an organic EL element that emits white light is formed by stacking two layers of a blue light-emitting layer that emits short wavelength light and a red light-emitting layer that emits long wavelength light. Proposals have been made to obtain color emission (for example, see Patent Document 1). O However, in the case where two light emitting layers having different color development (different peak wavelengths) are stacked, the driving time of the element, that is, the light emission time and the applied voltage are changed as 2 The emission center moves due to the change in film quality in one light-emitting layer or the change in the transportability of holes or electrons. As a result, chromaticity is likely to change.
  • Non-Patent Document 1 As an example of achieving a white color by combining a plurality of light emitting layers, there is an example in which an intermediate layer is provided between two light emitting layers having different light emission colors (for example, Non-Patent Document 1). Reference.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 7-142169
  • Patent Document 2 JP 2003-187977
  • Patent Document 3 JP 2004-63349 A Non-Patent Document 1: APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 83, 2459 (2003) and A DVANCED MATERIALS, Vol. 14, No. 2, 147 (2002)
  • An object of the present invention is a white 'multicolor light-emitting element, which does not cause a color shift even when a minute voltage * current is changed!
  • a highly efficient organic electroluminescent element, and the organic electroluminescent element It is to obtain a display device and a lighting device used.
  • One of the aspects for achieving the above object of the present invention is that at least two kinds of light emitting layers having different light emission peaks are provided between the anode and the cathode, and an intermediate layer is provided between the light emitting layers.
  • the at least one of the light emitting layers contains a phosphorescent compound as the light emitting compound, and the excited triplet energy of the compound constituting the intermediate layer is
  • the organic electroluminescence device is characterized by being larger than the excited triplet energy of the phosphorescent compound.
  • FIG. 1 is a diagram showing a layer structure of an organic EL element.
  • FIG. 2 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 3 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 5 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 6 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 7 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic view showing an example of a display device constituted by an organic EL element cover.
  • FIG. 9 is a schematic diagram of a display unit.
  • FIG. 10 is a schematic diagram of a pixel.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of a passive matrix type full-color display device.
  • FIG. 12 is a schematic view of a lighting device.
  • the intermediate layer is provided between the light emitting layers, and at least one of the light emitting layers contains a phosphorescent compound as the light emitting compound, and the intermediate layer
  • An organic electoluminescence device characterized in that the excited triplet energy of the compound constituting is larger than the excited triplet energy of the phosphorescent compound.
  • the excited triplet energy of the host compound is The organic electroluminescent device according to (1) or (2) above, wherein the phosphorescent compound is larger than the excited triplet energy.
  • the film thickness of the intermediate layer is larger than the Förster distance between the light-emitting compounds constituting the two light-emitting layers with the intermediate layer interposed therebetween, (1) to (3) The organic-elect mouth luminescence device according to claim 1.
  • the light emitting layer has at least two types of light emitting layers having different light emission peaks, and each light emitting layer is composed of two or more of the same type of light emitting layers having the same light emission peak.
  • the organic electoluminescence device according to any one of (1) to (6), wherein the intermediate layer and the intermediate layer are alternately laminated.
  • the light-emitting layer has at least three types of light-emitting layers having different light emission peaks, and each light-emitting layer is composed of two or more of the same type of light-emitting layers having the same light emission peak.
  • the organic electoluminescence device according to any one of (1) to (6), wherein the intermediate layer and the intermediate layer are alternately laminated.
  • the organic electoluminescence device according to any one of (1) to (8) above, characterized in that:
  • the light emitting dopant having a partial structure represented by any one of the following general formulas (A) to (C), wherein the organic electroluminescent luminescent layer according to any one of (1) to (11): Organic-electrical luminescence device characterized by containing a general formula (A)
  • Ra represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group or a heterocyclic group
  • Rb or Rc represents a hydrogen atom or a substituent
  • A1 forms an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring.
  • M represents Ir, Pt.
  • Ra represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group or a heterocyclic group
  • Ra represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group or a heterocyclic group
  • Rb or Rc represents a hydrogen atom or a substituent
  • A1 forms an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring.
  • M represents Ir or Pt.
  • a display device comprising the organic electoluminescence device according to any one of (1) to (12).
  • An illuminating device comprising the organic electoluminescence device according to any one of (1) to (12).
  • phosphorescent compounds are used in different light-emitting layers, and these are alternately or periodically or randomly stacked, whereby color shift due to voltage change is unlikely to occur and light emission efficiency is improved.
  • An improved white organic EL device can be obtained.
  • the present invention achieves both color balance and efficiency by confining excitons in the light emitting layer.
  • an intermediate layer is provided between the stacked light emitting layers, and the intermediate layer has a higher (larger) excited triplet energy (T1) than the phosphorescent compound (phosphorescent dopant) of the light emitting layer. ) Can effectively confine triplet excitons in the light-emitting layer. And succeeded.
  • the film thickness of the intermediate layer equal to or greater than the Förster distance, the energy transfer of excitons was suppressed and the color shift was suppressed so that the highly efficient device was obtained.
  • the device configuration shown in FIG. 1 includes a light emitting layer (light emitting layer AZ intermediate layer Z light emitting layer B having a structure including two types of light emitting layers! / ⁇ ) with an electron blocking layer and a hole blocking layer. Hold it! / Speak.
  • a light emitting layer (light emitting layer AZ intermediate layer Z light emitting layer B having a structure including two types of light emitting layers! / ⁇ ) with an electron blocking layer and a hole blocking layer. Hold it! / Speak.
  • the material forming the electron blocking layer is preferably smaller in electron affinity than the material forming the light emitting layer.
  • the hole blocking layer confines holes so that holes do not leak from the light emitting layer
  • the material forming the hole blocking layer has a larger ion potential than the material forming the light emitting layer. Is preferred.
  • the material forming the hole blocking layer and the electron blocking layer is more than the excited triplet energy (T1) of the phosphorescent compound in the light emitting layer. Larger is preferable.
  • Known materials can be used for the hole transport layer and the electron transport layer. It is preferable to use a material with high conductivity in terms of driving voltage reduction.
  • the light emitting layer has a structure including two types of light emitting layers, that is, a light emitting layer AZ intermediate layer Z light emitting layer B.
  • a material having excited triplet energy higher than that of the compound triplet excitons in the light emitting layer can be effectively confined in the light emitting layer, and a highly efficient device can be obtained.
  • the film thickness of the intermediate layer more than the Förster distance, the Förster energy transfer between different light emitting layers can be suppressed, and the color shift can be suppressed.
  • a known material can be used as the material constituting the intermediate layer and the host material.
  • an intermediate layer material and a host material having a larger excited triplet energy than a phosphorescent compound having the largest excited triplet energy is preferred.
  • An intermediate layer material having a larger excited triplet energy than the blue phosphorescent compound and a host material are preferred!
  • the intermediate layer and the host material are responsible for carrier transport, materials having carrier transport capability are preferred.
  • carrier mobility is used as a physical property representing carrier transport ability, the carrier mobility of organic materials generally depends on electric field strength.
  • a material having a high electric field strength dependency tends to break the transport balance between hole and electron injection.
  • the intermediate layer material and the host material it is preferable to use a material whose mobility is less dependent on the electric field strength.
  • the order of the light emitting layers may be regular or random. Further, it is not necessary to provide the intermediate layer at all, and at least one intermediate layer may be provided at a necessary portion.
  • the light emitting layer has at least two types, but preferably has 2 to 4 types, and most preferably has 3 types.
  • Different light-emitting layers mean that the emission maximum wavelength differs by at least lOnm when the emission peak is measured by PL.
  • a vapor deposition film is formed on a quartz substrate with a composition using a light emitting dopant and a host compound in a light emitting layer.
  • a thin film can be prepared by spin coating or dipping from a polymer or other wet process.
  • the vapor deposition film (thin film) thus obtained is then measured for emission with a fluorometer to determine the maximum emission wavelength.
  • the organic EL element having at least two types of light-emitting layers is not particularly limited in color when lit, but is preferably white.
  • white when there are four light emitting layers, white can be obtained by a combination of blue, blue-green, yellow, and red.
  • white it is also possible to use another layer to correct the white color with three colors of blue, green and red.
  • the emission color is not limited to white.
  • the order of arrangement of the plurality of light emitting layers may have a regular cycle or may be random. It is preferable that the elements have the least chromaticity deviation when voltage (current) is applied to the element.
  • the light emitting layers A, B, C, D, etc. are light emitting layers having different light emission wavelengths, and the intermediate layers having different intermediate layer material forces are also used for the intermediate layers 1 to 3 here. Let me show you. In this way, when the voltage (current) is changed, the emission color can be changed even when the emission position is shifted in the thickness direction.
  • the current-voltage characteristics can be changed by selecting a host material.
  • the total thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is preferably 5 to lOOnm. More preferred is 7 to 50 nm, and most preferred is lOnm to 40 nm.
  • each of the light emitting layers constituting the light emitting layer is preferably 1 to 20 nm. These can be selected depending on the element driving voltage, the chromaticity deviation with respect to the voltage (current), energy transfer, and the difficulty of production.
  • the energy transfer of organic EL is mainly governed by the Förster type.
  • the Förster type has a large energy transfer distance.
  • the Förster energy transfer is basically an important factor that the overlap integral intensity of the emission spectrum of the donor molecule and the absorption spectrum of the acceptor molecule is large.
  • the Förster distance refers to a 1: 1 distance between the probability of energy transfer and the probability of internal conversion. Energy transfer is dominant at shorter distances, and energy at longer distances. The movement will happen.
  • the other phosphorescent compounds described in the examples were similarly 3 nm or less. For this reason, the thickness of the intermediate layer is 2.5 ⁇ ! If the film thickness is ⁇ 3 nm or more, energy transfer can be effectively suppressed, and it is possible to obtain a highly efficient device with little color shift.
  • the thickness of the intermediate layer can be reduced with respect to the combination of phosphorescent compounds having a small energy transfer distance.
  • the material of the intermediate layer a known material may be used, particularly a power rubazole derivative, It is particularly preferable to use a nitrogen-substituted force rubazole derivative or triarylboron derivative in which the force rubazole ring is further substituted with nitrogen.
  • the nitrogen-substituted power rubazole derivative obtained by further substituting the force rubazole ring with nitrogen is a carbon represented by the general formula (1) described in Japanese Patent Application No. 004-160771 (filed on May 31, 2004).
  • trialinolevolone derivative a case represented by the general formula (6) described in Japanese Patent Application 2003-20334 (filed on January 29, 2003) is preferable.
  • Triarylboron derivatives represented by general formulas (1) to (4) described in Japanese Patent Application No. 2003-426573 (filed on Dec. 24, 2003) are preferred.
  • the energy transfer between the light emitting dopants to each adjacent light emitting layer proceeds in a Förster type, so that the Förster distance is small and the arrangement order of the respective light emitting layers is determined in combination. I can do it.
  • the current-voltage characteristics can be changed by selecting a host material.
  • the total thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is preferably 5 to lOOnm. More preferred is 7 to 50 nm, and most preferred is lOnm to 40 nm.
  • each of the light emitting layers constituting the light emitting layer is preferably 1 to 20 nm, and more preferably 2 to 1 Onm.
  • At least one layer of the structure of these light emitting layers contains a phosphorescent compound, and it is preferable that all the light emitting layers contain a phosphorescent compound.
  • the mixing ratio of the light-emitting dopant to the host compound which is the main component in the light-emitting layer is preferable. Or in the range of 0.1% by mass to less than 30% by mass.
  • the light emitting dopant may be a mixture of a plurality of types of compounds. Even phosphorescent dopants with good metal complexes and other structures.
  • the light-emitting dopants are roughly classified into two types: fluorescent dopants that emit fluorescence and phosphorescent dopants that emit phosphorescence.
  • fluorescent dopants include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, chromochrome dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes.
  • fluorescent dopants include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, chromochrome dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes.
  • Examples thereof include dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.
  • a complex compound containing a metal of Group 8, Group 9, or Group 10 in the periodic table of elements is preferable, and more preferably, an iridium compound or an osmium compound. Of these, iridium compounds are the most preferred.
  • JP 2002-100476 JP 2002-173674, JP 2002-359082, JP 2002-175884, JP 2002-363552, JP 2002-184582 Gazette, JP 2003-7469 gazette, special table 2002-525 808 gazette, column 2003-7471 gazette, special table 2002-525833 gazette, column 2003 — 31366, JP 2002-226495, JP 2002-234894, JP 2002-235076, JP 2002-241751, JP 2001-319779, JP 2001-319780 JP, 2002-62824, JP 2002-10474, JP 2002-203679, JP 2002-343572, JP 2002-203678, and the like.
  • A1 represents a residue necessary for forming an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring, and the aromatic ring includes a benzene ring, a biphenyl ring, and a naphthalene ring.
  • Ra represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group
  • Rb, Rc, Rb, and Rc represent a hydrogen atom or a substituent.
  • Ra is synonymous with Ra above
  • Rb, Rc, Rb, and Rc have the same meanings as the substituents represented by R to R, RA, and RB.
  • the structures of the general formulas (A) to (C) are partial structures, and a ligand corresponding to the valence of the central metal is necessary in order to become a light emitting dopant of a complete structure.
  • halogen for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom or iodine atom
  • aryl group for example, phenyl group, p-type phenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group
  • alkyl group for example, methyl group, ethyl group, isopropyl group, hydroxyethyl group, methoxymethyl group, trifluoromethyl group, t-butyl group) Etc.
  • alkyloxy group for example, aryloxy group, alkylthio group, arylthio group, aromatic heterocyclic group
  • Tris body which is a completed structure with 3 partial structures is preferred.
  • the luminescent host compound used in the present invention is not particularly limited in terms of structure, but is typically a power rubazole derivative, triarylamine derivative, aromatic borane derivative (triarylborane derivative), nitrogen-containing compound.
  • a compound having a basic skeleton such as a heterocyclic compound, a thiophene derivative, a furan derivative, an oligoarylene compound, or a carboline derivative or a diazacarbazole derivative (Here, a diaza force rubazole derivative is a carboline derivative of a carboline derivative. And the like, in which at least one carbon atom of the hydrocarbon ring is substituted with a nitrogen atom.
  • carboline derivatives diaza force rubazole derivatives and the like are preferably used.
  • the light-emitting host used in the present invention may be a low-molecular compound or a high-molecular compound having a repeating unit. (Host) But ...
  • a compound having a hole transporting ability and an electron transporting ability and preventing a long wavelength of light emission and having a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
  • the hole blocking layer has the function of an electron transport layer, which is a material force that has the function of transporting electrons while transporting holes and is extremely small, and blocks holes while transporting electrons. By doing so, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.
  • Examples of the hole blocking layer include those disclosed in JP-A-11-204258, JP-A-11204359, and “OLED device and its forefront of industrialization (November 30, 1998, NTT Corporation).
  • the hole blocking (hole blocking) layer described in page 237 of “Issuance”) is applicable as the hole blocking layer according to the present invention.
  • the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer based on this invention as needed.
  • the electron blocking layer has the function of a hole transport layer in a broad sense, and is a material force that has a function of transporting holes and an extremely small capacity of transporting electrons, and transports holes while transporting holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking the children.
  • the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the thickness of the hole blocking layer and the electron blocking layer according to the present invention is preferably 3 ⁇ ! ⁇ lOOnm, more preferably 5 nm to 30 nm.
  • the hole transport layer includes a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • a hole transport material there is no particular limitation. Conventionally, in a photoconductive material, it is commonly used as a hole charge injection / transport material and used for a hole injection layer or a hole transport layer of an EL element. Any one of known ones used can be selected and used.
  • the hole transport material has either injection or transport of holes and / or a barrier property of electrons, and may be either organic or inorganic.
  • triazole derivatives oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives , Stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.
  • the above-described forces that can be used are preferably porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styrylamine compounds, particularly aromatic tertiary amine compounds. ,.
  • aromatic tertiary amine compounds and styryl amine compounds include N, N, N
  • N 1 tetraphenyl 4, 4, 1, diaminophenol; N, N, 1 diphenyl N, N, 1 (3-methylphenol) — [1, 1, —biphenyl] — 4, 4, — Diamine (TPD); 2, 2 Bis (4 di-p-tri-laminophenol) propane; 1, 1 Bis (4-di-p-tri-amino-phenyl) cyclohexane; N, N, ⁇ ', ⁇ , monotetra ⁇ tril 1,4,4, 1 diaminobiphenyl; 1, 1 bis (4 di ⁇ triarylaminophenol) 4 phenol cyclohexane; bis (4 dimethylamino 2 methylphenol) phenylmethane; bis (4 di-rholylaminophenol) phenol; ⁇ ⁇ ⁇ , ⁇ , 1 diphenyl ⁇ , ⁇ , 1 di (4-methoxyphenyl) —4, 4'-diaminobiphenyl; ⁇ , ⁇ , ⁇
  • Inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material. Further, the hole transport material preferably has a high Tg.
  • the hole transport layer is formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. be able to.
  • the thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually 5 ⁇ ! ⁇ 50 OOnm or so.
  • This hole transport layer may have a single-layer structure in which one or more of the above materials are used.
  • An impurity-doped hole transport layer with high p property can also be used. Examples thereof include those described in JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, R. Ap pi. Phys., 95, 5773 (2004), etc. It is done.
  • the electron transport layer is a material force having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be a single layer or a plurality of layers.
  • an electron transport material also serving as a hole blocking material used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is as follows. The materials listed are known.
  • the electron transport layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and any material selected from conventionally known compounds can be used. It is possible to be.
  • electron transport materials examples include -to-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, and heterocyclic rings such as naphthalene perylene.
  • Tetracarboxylic anhydride, carbodiimide, fluorenili Examples include denmethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, or a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material. I'll do it.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8 quinolinol derivatives such as tris (8 quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-1-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-jib mouth)
  • Metal complexes replacing Mg, Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as electron transport materials.
  • metal free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material.
  • the distyrylvirazine derivative exemplified as the material for the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and, like the hole injection layer and the hole transport layer, n-type-Si, n-type-SiC, etc. These inorganic semiconductors can also be used as electron transport materials.
  • the electron transport layer may be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction
  • This electron transport layer may have a single-layer structure having one or more of the above materials.
  • an n-doped electron transport layer doped with impurities can be used. Examples thereof include those described in JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, R. Ap pi. Phys., 95, 5773 (2004), etc. It is done.
  • injection layer used as a constituent layer of the organic EL element of the present invention.
  • injection layer electron injection layer, hole injection layer
  • the injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer. As described above, the injection layer exists between the anode and the light emitting layer or hole transport layer, and between the cathode and the light emitting layer or electron transport layer. May be present.
  • the injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer in order to lower the driving voltage and improve the luminance of the light emission.
  • the organic EL element and its industrial front line June 30, 1998) Chapter 2 “Electrode materials” (pages 123-166) of “Part 2” of “Tees Co., Ltd.”) describes the details of the hole injection layer (anode buffer layer) and the electron injection layer (cathode buffer). One layer).
  • anode buffer layer hole injection layer
  • a phthalocyanine buffer layer typified by phthalocyanine
  • an oxide buffer layer typified by vanadium oxide
  • an amorphous carbon buffer layer a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyarene (emeraldine) or polythiophene Etc.
  • cathode buffer layer (electron injection layer) The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like.
  • Metal buffer layer typified by aluminum or aluminum
  • alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride
  • alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride
  • acid aluminum or the like.
  • the buffer layer (injection layer) preferably has a very thin film thickness, but the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 100 nm.
  • This injection layer can be formed by thin-filming the above material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method.
  • the thickness of the injection layer is not particularly limited, but is usually about 5 to 5000 nm.
  • This injection layer may have a single-layer structure in which one or more of the above materials are used.
  • anode according to the organic EL device of the present invention a metal having a large work function (4 eV or more), An alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof are preferably used.
  • electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as Cul, indium tin oxide (ITO), SnO, and ZnO. IDIXO (In O-
  • An amorphous material such as ZnO) that can produce a transparent conductive film may be used.
  • these electrode materials can be formed into a thin film by vapor deposition or sputtering, and a pattern with a desired shape can be formed by a single photolithography method. m or more), a pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered.
  • the film thickness depends on the material. Usually ⁇ ! ⁇ 1000 nm, preferably 10 nm to 200 nm.
  • the cathode according to the present invention a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is used.
  • an electron injecting metal a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy referred to as an electron injecting metal
  • an alloy referred to as an electron injecting metal
  • an alloy an electrically conductive compound
  • a mixture thereof a mixture thereof.
  • electrode materials include sodium, sodium-powered rhodium alloy, magnesium, lithium, magnesium Z copper mixture, magnesium Z silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium Z indium mixture, aluminum Z acid aluminum (Al 2 O 3) mixture, indium, lithium
  • Lithium Z aluminum mixture, aluminum and the like are preferred.
  • the cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ or less.
  • the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 200 nm.
  • Substrate also referred to as substrate, substrate, support, etc.
  • the substrate of the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic, etc., and is not particularly limited as long as it is transparent, but preferably used substrates include, for example, glass, quartz And a light-transmitting resin film. Particularly preferred V, the substrate is a resin film that can give flexibility to the organic EL element.
  • Examples of the resin film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylenesulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC). , Cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate (CAP) and the like.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PES polyethersulfone
  • PES polyetherimide
  • polyetheretherketone polyphenylenesulfide
  • PC polycarbonate
  • TAC Cellulose triacetate
  • CAP cellulose acetate propionate
  • an inorganic film or an organic film, or a hybrid film of both of them may be formed, and a water vapor permeability of 0.01 gZm 2 'dayatm or less is used. I prefer to be there.
  • the external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic electoluminescence device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 2% or more.
  • external extraction quantum efficiency (%) number of photons emitted outside the organic EL element Z number of electrons flowing through the organic EL element X 100.
  • a roughened film (such as an antiglare film) can be used in combination in order to reduce unevenness in light emission.
  • the organic EL element having at least two different emission maximum wavelengths When used as a multicolor display device, the organic EL element having at least two different emission maximum wavelengths will be described. A preferred example of producing an organic EL element will be described.
  • an anode / hole injection layer / hole transport layer As an example of a method for producing the organic EL device of the present invention, an anode / hole injection layer / hole transport layer
  • Z light-emitting layer (3 layers or more) Z hole blocking layer Z electron transport layer Z cathode buffer layer
  • Z cathode buffer layer A method for producing an organic EL device comprising a Z cathode will be described.
  • a desired electrode material for example, a thin film having a material force for an anode, is 1 ⁇ m or less, preferably ⁇ !
  • An anode is formed by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of ⁇ 200 nm.
  • a hole injection layer which is a device material, is formed on the positive electrode.
  • a thin film containing an organic compound such as a hole transport layer, a light-emitting layer (3 layers or more), a hole blocking layer, and an electron transport layer is formed.
  • a method for forming a thin film containing an organic compound there are a spin coating method, a casting method, an ink jet method, a vapor deposition method, a printing method, and the like. Vacuum vapor deposition or spin coating is particularly preferred because it is difficult to form. Further, different film forming methods may be applied for each layer.
  • the deposition conditions may vary due to kinds of materials used, generally boat temperature 50 ° C ⁇ 450 ° C, vacuum degree of 10- 6 Pa ⁇ : LO- 2 Pa, Desirably, the deposition rate is 0.01 nm to 50 nm Z seconds, the substrate temperature is 50 ° C. to 300 ° C., and the film thickness is 0.1 nm to 5 ⁇ m.
  • a thin film having a cathode material force is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 50 nm to 200 nm.
  • a desired organic EL device can be obtained. It is preferable that the organic EL device is manufactured from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but it does not matter if it is taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.
  • the display device of the present invention will be described.
  • the display device of the present invention may be single color or multicolor, but here, the multicolor display device will be described.
  • a shadow mask is provided only when forming a light emitting layer, and a film can be formed on one side by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, etc.
  • the method is not limited, but is preferably an evaporation method.
  • Inkjet method and printing method When using the vapor deposition method, patterning using a shadow mask is preferred.
  • the multicolor display device can be used as a display device, a display, and various light sources. Display devices and displays can be displayed in full color by using three types of organic EL elements that emit blue, red, and green light.
  • Examples of the display device and display include a television, a personal computer, a mono device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in an automobile.
  • the driving method when used as a display device for reproducing moving images which may be used as a display device for reproducing still images or moving images, may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • Light emitting sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sensors Although a light source etc. are mentioned, it is not limited to this.
  • the lighting device of the present invention will be described.
  • the organic EL element having a resonator structure may be used as an organic EL element having a resonator structure in the organic EL element of the present invention.
  • Examples include, but are not limited to, photocopier light sources, optical communication processor light sources, and optical sensor light sources.
  • the organic EL device of the present invention may be used as a kind of lamp such as an illumination or exposure light source, a projection device of a type for projecting an image, a still image or a moving image. It may be used as a display device (display) of the type that is directly visually recognized. When used as a display device for video playback, either the simple matrix (passive matrix) method or the active matrix method may be used. Alternatively, a full color display device can be produced by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of a display device configured with organic EL element power.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.
  • the display 1 also includes a display unit A having a plurality of pixels and a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information.
  • the control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside. Sequentially emit light according to the image data signal, scan the image, and display the image information on the display unit A.
  • FIG. 9 is a schematic diagram of the display unit A.
  • the display unit A includes a wiring unit including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6, a plurality of pixels 3 and the like on a substrate.
  • the main members of the display unit A will be described below.
  • the light power emitted from the pixel 3 is taken out in the direction of the white arrow (downward).
  • the scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at orthogonal positions ( Details are not shown).
  • the pixel 3 When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6, and emits light according to the received image data.
  • Full color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region on the same substrate.
  • FIG. 10 is a schematic diagram of a pixel.
  • the pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like. As organic EL element 10 divided into multiple pixels, it emits white light. Full color display can be achieved by using organic EL elements and combining with BGR color filters.
  • an image data signal is also applied to the drain of the switching transistor 11 via the data line 6 in the control unit B force.
  • a scanning signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 11 via the scanning line 5
  • the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is connected to the capacitor 13 and the driving transistor. It is transmitted to the gate of the star 12.
  • the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive of the drive transistor 12 is turned on.
  • the drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and the organic EL element is connected from the power supply line 7 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied to element 10.
  • the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 holds the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied.
  • the organic EL device 10 continues to emit light until it is seen.
  • the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
  • the organic EL element 10 emits light by providing a switching transistor 11 and a drive transistor 12 as active elements for each of the organic EL elements 10 of each of the plurality of pixels.
  • Element 10 is emitting light.
  • Such a light emitting method is called an active matrix method.
  • the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-value image data signal having a plurality of gradation potentials, or a predetermined light emission amount by the binary image data signal. On, even a talent! /.
  • the potential of the capacitor 13 may be maintained until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.
  • a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of a display device based on a noisy matrix method.
  • a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice shape so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.
  • the pixel 3 connected to the applied scanning line 5 emits light according to the image data signal.
  • the noisy matrix method pixel 3 has no active elements, and manufacturing costs can be reduced.
  • the organic EL device according to the present invention can also be applied to an organic EL device that emits substantially white light as a lighting device.
  • patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like during film formation, if necessary.
  • patterning only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire element layer may be patterned.
  • the white light-emitting organic EL device of the present invention is not limited to the display device or the display, but as a variety of light-emitting light sources and lighting devices, such as home lighting, interior lighting, and exposure light source.
  • a lamp it is also useful for a display device such as a backlight of a liquid crystal display device.
  • the same tantalum heating boat containing HTM1 was energized and heated, and HTM1 was deposited to a thickness of 15 nm at a deposition rate of 0. InmZsec.
  • each composition of the light-emitting layers A and B and the intermediate layer 1 was used to form a light-emitting layer of the light-emitting layer 11 shown in FIG.
  • Each light-emitting layer is filled with a resistance heating boat made of tantalum so that the ratio of the host compound and dopant is as shown in Table 2, and the boat is energized and heated.
  • H-13 was deposited as a hole blocking layer on the layer by lOnm.
  • the heating boat containing Alq was energized and heated, and the positive rate was set at a deposition rate of 0. InmZsec.
  • An electron transport layer having a thickness of 30 nm was provided by vapor deposition on the hole blocking layer.
  • the substrate temperature during vapor deposition was room temperature.
  • each light emitting layer shown in Table 2 was deposited and laminated so as to have the structure and thickness of each light emitting layer shown in FIGS. 2 to 4. Was made.
  • the term Ir-12 3% 15 nm is, Ir- 12 which is a dopant for a certain H- 14 on the host is included 3 mass 0/0 It shows that it is a deposited film. 15 nm is the film thickness.
  • the external extraction quantum efficiency (%) was measured when a constant current of 2.5 mAZcm 2 was applied at 23 ° C in a dry nitrogen gas atmosphere.
  • a spectral radiance meter CS-1000 manufactured by Minolta was used.
  • the chromaticity shift is shown in the CIE chromaticity diagram!
  • the chromaticity coordinate at lOOcdZm 2 luminance and the chromaticity coordinate at 5000 cdZ m 2 luminance are shown.
  • Measurement was performed using CS-1000 (manufactured by Minolta) at 23 ° C in a dry nitrogen gas atmosphere.
  • the organic EL device of the present invention exhibits a high ⁇ external extraction quantum efficiency and low chromaticity shift.
  • FIG. 12 is a schematic diagram of the lighting device, (a) is a schematic plan view, and (b) is a schematic cross-sectional view of the lighting device.
  • An organic EL element 102 provided on a glass substrate 101 with a transparent electrode was covered with a glass cover 104, and an ultraviolet curable adhesive 107 was used for bonding the glass cover.
  • 103 is a cathode.
  • the glass cover 104 is filled with nitrogen gas, and a water catching agent 105 is provided.
  • a high-efficiency white-multicolor organic electoluminescence device that does not cause a color shift even when a slight voltage or current change is obtained.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

　陽極、および陰極の間に、異なる発光ピークを有する発光層を少なくとも２種類以上有し、発光層間に中間層が設けられている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層の少なくとも１種は発光性化合物としてリン光性化合物を含有しており、かつ、中間層を構成する化合物の励起３重項エネルギーは該リン光性化合物の励起３重項エネルギーよりも大きいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

Description

有機エレクト口ルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 技術分野
[0001] 本発明は、白色'多色発光、かつ色ずれの少ない高効率な有機エレクト口ルミネッ センス素子に関するものである。
背景技術
[0002] 有機エレクト口ルミネッセンス素子（単に、有機 EL素子ともいう）は自己発光のため、 視認性に優れ、かつ数 V〜数十 Vの低電圧駆動が可能なため駆動回路を含めた軽 量ィ匕が可能である。そこで、有機 EL素子は、薄膜型ディスプレイ、照明、ノックライト としての活用が期待されて ヽる。
[0003] また、有機 EL素子は色ノリエーシヨンが豊富であることも特徴である。また、複数の 発光色を組み合わせる混色によってさまざまな発光が可能となることも特徴である。
[0004] 発光色の中で、特に白色発光のニーズは高ぐまたバックライトとしても活用できる。
さらに、カラーフィルタを用いて青、緑、赤の画素に分けることが可能である。
[0005] この様な白色発光を行う方法としては次の 2種類の方法がある。
[0006] 1.一つの発光層に複数の発光化合物をドープする
2.複数の発光層から複数の発光色を組み合わせる。
[0007] 例えば、青 (B)、緑 (G)、赤 (R)の 3色により白色を達成する場合、 1の場合は、素 子作製方法として真空蒸着法を用いた場合は、 BGRとホスト化合物の 4元蒸着となり
、コントロールが非常に困難となる。
[0008] また、 BGRとホストイ匕合物を溶液に溶解或いは分散にして塗布する方法もあるが、 いまのところ、塗布型有機 ELは蒸着型に比べ耐久性が劣るという問題がある。
[0009] 一方、 2の複数の発光層を組み合わせる方法が提案されて 、る。蒸着型を用いる 場合には 1に比べ容易となる。
[0010] このような白色発光を行う有機 EL素子としては、短波長発光である青色発光層と長 波長発光である赤色発光層との 2層を積層することにより、両発光層の混色として白 色の発光を得るようにしたものが提案されている (例えば、特許文献 1参照。 ) o [0011] し力しながら、このような発色の異なる（異なるピーク波長の） 2層の発光層を積層し たものにおいては、素子の駆動時間すなわち発光時間や印加電圧の変化に伴って 、 2つの発光層において膜質が変化したり、ホール (正孔)や電子の輸送性の度合が 変化する等により、発光中心が移動し、その結果、色度変化を生じやすい。
[0012] 特に、 2つの発光層の混色として白色を得る場合、白色は他の色に比べて色度変 化に敏感であるため、問題が顕在化する。
[0013] 異なるピーク波長を有する複数の発光層からの混色発光を行うようにした有機 EL 素子において、駆動時間や電圧変化に伴う色度変化を極力抑制できるようにする方 法として、異なるピーク波長の発光を行う発光層が交互に 3層以上積層されたものが 開示されている (例えば、特許文献 2参照。 )0
[0014] また、 2層以上の積層構造において、発光層の膜厚及び有機ホスト材料と蛍光材 料の比率を発光効率をパラメータとして設計する方法が開示されている (例えば、特 許文献 3参照。）。
[0015] これらは交互に積層することで、キャリアの注入バランスを多少ずれても、色ずれが 起こりにくくするという効果がある。し力しながら発光効率が低いこと、及び層間でのェ ネルギー移動があり、白色度において偏りが認められ、白色発光として未だ不十分 であることが分力つた。
[0016] また、複数の発光層を組み合わせ白色を達成している例として、異なる発光色を有 する 2層の発光層の間に中間層を設けている例がある（例えば、非特許文献 1参照。
) o
[0017] し力しながら、上記技術の問題点としては
1.電圧 (電流）によって、発光色がずれる
2.効率が理論限界に到達していない
3.中間層を設けることにより作製が煩雑となる
等の 3点が上げられ、 、ずれも解決すべき問題として残されて ヽた。
特許文献 1 :特開平 7—142169号公報
特許文献 2 :特開 2003— 187977号公報
特許文献 3 :特開 2004— 63349号公報 非特許文献 1 : APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 83, 2459 (2003)や A DVANCED MATERIALS, Vol. 14, No. 2, 147 (2002)
発明の開示
[0018] 本発明の目的は、白色'多色発光素子であり、微少な電圧 *電流の変化によっても 色ずれのな!、高効率な有機エレクト口ルミネッセンス素子、該有機エレクト口ルミネッ センス素子を用いた表示装置、また照明装置を得ることにある。
[0019] 本発明の上記目的を達成するための態様の一つは、陽極、および陰極の間に、異 なる発光ピークを有する発光層を少なくとも 2種類以上有し、発光層間に中間層が設 けられている有機エレクト口ルミネッセンス素子において、前記発光層の少なくとも 1 種は発光性化合物としてリン光性化合物を含有しており、かつ、中間層を構成する化 合物の励起 3重項エネルギーは該リン光性ィ匕合物の励起 3重項エネルギーよりも大 きいことを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子にある。
図面の簡単な説明
[0020] [図 1]有機 EL素子の層構成を示す図である。
[図 2]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 3]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 4]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 5]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 6]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 7]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 8]有機 EL素子カゝら構成される表示装置の一例を示した模式図である。
[図 9]表示部の模式図である。
[図 10]画素の模式図である。
[図 11]パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。
[図 12]照明装置の概略図である。
発明を実施するための最良の形態
[0021] 本発明の上記目的は以下の手段により達成される。
(1) 陽極、および陰極の間に、異なる発光ピークを有する発光層を少なくとも 2種類 以上有し、発光層間に中間層が設けられて 、る有機エレクト口ルミネッセンス素子に おいて、前記発光層の少なくとも 1種は発光性化合物としてリン光性化合物を含有し ており、かつ、中間層を構成する化合物の励起 3重項エネルギーは該リン光性化合 物の励起 3重項エネルギーよりも大きいことを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス 素子。
(2) 前記異なる発光ピークを有する発光層の全てカ^ン光性ィ匕合物を含有すること を特徴とする前記（1)に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(3) 前記発光層のうち、発光性化合物とホスト化合物から構成され、発光性化合物 がリン光性ィ匕合物である発光層にお 、て、ホストイ匕合物の励起 3重項エネルギーは 該リン光性ィ匕合物の励起 3重項エネルギーより大き 、ことを特徴とする前記（1)また は（2)に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(4) 前記中間層の膜厚は、中間層を隔てて 2つの発光層を構成する発光性化合物 間でのフェルスター距離よりも大き 、ことを特徴とする前記（1)〜（3)の 、ずれか 1項 に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(5) 少なくとも 1種の前記発光層が同じ発光ピークを有する同種類の発光層を 2層 以上有することを特徴とする前記（1)〜 (4)の 、ずれか 1項に記載の有機エレクト口 ルミネッセンス素子。
(6) 少なくとも 2種の前記発光層が同種類の発光層を 2層以上有することを特徴と する前記（1)〜（5)の 、ずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(7) 異なる発光ピークを有する発光層を少なくとも 2種類有し、かつ、それぞれの発 光層が、同じ発光ピークを有する同種類の発光層の 2層以上からなるものであり、前 記発光層および中間層が交互に積層されていることを特徴とする前記（1)〜（6)の いずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(8) 異なる発光ピークを有する発光層を少なくとも 3種類有し、かつ、それぞれの発 光層が、同じ発光ピークを有する同種類の発光層の 2層以上からなるものであり、前 記発光層および中間層が交互に積層されていることを特徴とする前記（1)〜（6)の いずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(9) 発光層と陰極の間であって、かつ、発光層に隣接して正孔阻止層を有すること を特徴とする前記（1)〜（8)の 、ずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素 子。
(10) 発光層と陽極の間であって、かつ、発光層に隣接して電子阻止層を有するこ とを特徴とする前記（1)〜（9)の 、ずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス 素子。
(11) 有機エレクト口ルミネッセンス素子からの発光が白色であることを特徴とする前 記（1)〜（10)のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(12) 前記（1)〜（11)のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンスの発光 層が下記一般式 (A)〜 (C)のいずれかで表される部分構造を持つ発光ドーパントを 含有していることを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子 一般式 (A)
.A1 -
Figure imgf000006_0001
(式中、 Raは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 Rb、 Rcは水素原子 または置換基を表し、 A1は芳香族環、芳香族複素環を形成するのに必要な残基を 表し、 Mは Ir、 Ptを表す。 ) 一般式 (B)
Figure imgf000006_0002
(式中、 Raは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 Rb、 Rc、 Rb、 Rc
1 1 は水素原子または置換基を表し、 A1は芳香族環、芳香族複素環を形成するのに必 要な残基を表し、 Mは Ir、 Ptを表す。 ) 一般式 (C)
A1 -、、
Figure imgf000007_0001
[0024] (式中、 Raは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 Rb、 Rcは水素原子 または置換基を表し、 A1は芳香族環、芳香族複素環を形成するのに必要な残基を 表し、 Mは Ir、 Ptを表す。 )
( 13) 前記（1)〜（12)のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を 用いたことを特徴とする表示装置。
( 14) 前記（1)〜（12)のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を 用いたことを特徴とする照明装置。
[0025] 以下本発明を実施するための最良の形態について説明するが、本発明はこれによ り限定さることはない。
[0026] 本発明によれば、異なる発光層にリン光性の化合物を使用して、交互若しくは周期 的若しくはランダムにこれを積層することにより、電圧変化に伴う色ずれが起こりにくく 、発光効率が向上した白色有機 EL素子を得ることが出来る。
[0027] 本発明は、励起子を発光層内に閉じこめることで、色バランス、効率を両立するもの である。
[0028] すなわち、本発明においては、積層する発光層の間に中間層を設け、中間層に発 光層のリン光性化合物（リン光ドーパント)よりも高い（大きな)励起三重項エネルギー (T1)を有する材料を用いることで、発光層の 3重項励起子を効果的に閉じ込めるこ とに成功した。
[0029] さらに、その中間層の膜厚をフェルスター距離以上にすることで、励起子のエネル ギー移動を抑制しよりいつそう色ずれを抑え、高効率な素子を得ることに成功した。
[0030] (有機 EL素子の層構成）
本発明に係わる有機 EL素子の層構成に関し、図を用いて説明するが、これに限定 するものでは無い。
[0031] 図 1に示される素子構成は発光層（発光層 AZ中間層 Z発光層 Bという 2種の発光 層を含む構成を有して!/ヽ）を電子阻止層と正孔阻止層で挟み込んで！/ヽる。
[0032] これらは必ずしも必要ではないが、こうすることで、電子 ·正孔のキャリアを発光層に 閉じ込め、更に電子と正孔の再結合により生成する励起子をも発光層に閉じ込める ことができるため、電子阻止層、正孔阻止層を設けることが好ましい。
[0033] 電子阻止層、正孔阻止層を形成する材料は既知のものを使用することができる。
[0034] 電子阻止層は電子が発光層から漏れ出さぬよう電子を閉じ込めるため、電子阻止 層を形成する材料は電子親和力が発光層を形成する材料よりも小さいことが好まし い。
[0035] また、正孔阻止層は正孔が発光層から漏れ出さぬように正孔を閉じ込めるため正 孔阻止層を形成する材料は発光層を形成する材料よりもイオンィ匕ポテンシャルが大 きいことが好ましい。
[0036] 更に再結合にて生成する 3重項励起子を閉じ込めるため、正孔阻止層、電子阻止 層を形成する材料は発光層のリン光性化合物の励起 3重項エネルギー (T1)よりも大 きいことが好ましい。
[0037] さらに、それらを挟み込むように正孔輸送層、電子輸送層を設ける事が好ましい。
正孔輸送層、電子輸送層は既知の材料を用いることが出来る。駆動電圧低下の面か ら伝導度の高 、材料を用いることが好まし 、。
[0038] 不純物ドープした p性の高い正孔輸送層、 n性の高い電子輸送層を用いることが出 来る。
[0039] その例としては、特開平 4— 297076号、特開 2000— 196140号、特開 2001— 1 02175号、 J. Appl. Phys. , 95, 5773 (2004)など力あげられる。 [0040] また、ここでは発光層として、発光層 AZ中間層 Z発光層 Bという 2種の発光層を含 む構成を有しているが、中間層、発光ホストの材料にリン光性ィ匕合物より高い励起三 重項エネルギーを有する材料を用いることで、発光層の三重項励起子を効果的に発 光層に閉じ込め高効率な素子を得ることができる。
[0041] また、さらに中間層の膜厚をフェルスター距離以上にすることにより異なる発光層の 層間でのフェルスターエネルギー移動を抑えることができ、色ずれを抑えることができ
、更に高効率素子をえることができる。
[0042] このような中間層を構成する材料、ホスト材料は公知の材料を使用することが出来 る。
[0043] 発光層に含有されるリン光性化合物の中で最も大きな励起 3重項エネルギーを有 するリン光性ィ匕合物よりも大きな励起 3重項エネルギーを有する中間層材料およびホ スト材料が好ましい。
[0044] 例えば青 *緑'赤の 3色白色素子において各々の発光材料にリン光性ィ匕合物を用 V、る場合、青色のリン光性ィ匕合物の励起 3重項エネルギーが一番大き 、。
[0045] この青色リン光性ィ匕合物よりも大きい励起 3重項エネルギーを有する中間層材料、 およびホスト材料が好まし!/、。
[0046] また中間層、ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料 が好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材 料のキャリア移動度は一般的に電界強度に依存性が見られる。
[0047] 電界強度依存性の高い材料は正孔と電子注入'輸送バランスを崩しやすい。
[0048] 中間層材料、ホスト材料は移動度の電界強度依存性の少な 、材料を用いることが 好ましい。
[0049] 次に発光層の構成を、前記の発光層 AZ中間層 Z発光層 Bという構成も含め図 2
〜7に示す力 これらに限定されるものではない。
[0050] 発光層の層順は規則的であっても良いしランダムであっても良い。また、中間層は 全てに設ける必要はなく必要な箇所に少なくとも一層設けるだけでも良い。
[0051] 発光層を少なくとも 2種類以上有するが、好ましくは 2〜4種類を有することが好まし ぐ最も好ましいのは 3種類有するものである。 [0052] 異なる発光層とは、発光ピークが PL測定したとき発光極大波長が少なくとも lOnm 以上異なることをいう。
[0053] PL測定とは、石英基板上に、発光ドーパントとホストイ匕合物を発光層で用いる組成 にて蒸着膜を作製する。ポリマーなどのウエットプロセスにて作製するものは、スピン コートもしくはディップにより薄膜を作製することが出来る。こうして得られた蒸着膜 (薄 膜）について、次いで、蛍光光度計で発光を測定し発光極大波長を決定するもので ある。
[0054] 発光層を少なくとも 2種類以上有する有機 EL素子として、点灯させた時の色は特に 限定しないが、白色になることが好ましい。
[0055] 例えば発光層が 2種である場合、青色と黄色、青緑色と赤に発光する発光層の組 み合わせ、白色を得るのが好ましい。
[0056] また、例えば発光層が 3種である場合、青色と緑色と赤色に発光する組み合わせ、 白色を得るのが好ましい。
[0057] こうすることで、照明やバックライトなど様々な光源に用いることが出来る。
[0058] 例えば発光層が 4種である場合、青、青緑、黄、赤の組み合わせにより白色を得る ことができる。その他にも青色、緑色、赤色の 3色での白色の色補正をするためにもう 一層を使用することも可能である。
[0059] また、発光色は白色だけに限定するものではない。
[0060] 異なる複数の発光層で単色 (例えば青、緑、赤）を発光させることにより、より微妙な 色の調整が可能となる。
[0061] 複数の発光層の並び順は規則的な周期を持っていても良いし、ランダムであっても 良い。素子に電圧 (電流）をかけたときに、色度のずれがもっとも少ない並び方になる ものが好ましい。
[0062] 好ましくは規則的な周期をもって！/、るものが好ま 、。
[0063] 例えば、図 2〜7に示した発光層 1— 3、 1— 5、 1— 6、 2— 5、 2— 6、 2— 7、 2— 8、 2— 9、 2— 10、 3— 5、である。ここにおいて、発光層 A, B、 C, D等は、それぞれ異 なった発光波長を有する発光層であり、中間層 1〜3についてもそれぞれ異なった中 間層材料力も構成される中間層をここでは示して 、る。 [0064] このようにすると電圧 (電流）を変化させたとき、発光位置が厚さ方向にシフトした場 合にも発光色を変化しに《することが可能である。
[0065] それぞれの隣接する発光層への発光ドーパント間のエネルギー移動はフェルスタ 一型で進行するが、フェルスター距離が小さ!/、組み合わせでそれぞれの発光層の並 び順を決定する事が出来る。
[0066] さらに、ホスト材料を選択することで、電流 電圧特性を変化させることが出来る。
[0067] 発光層の全体の膜厚は特に限定しないが、 5から lOOnmが好ましい。更に好ましく は 7から 50nmが好ましぐ最も好ましくは lOnmから 40nmである。
[0068] 発光層を構成する複数の発光層における、それぞれの膜厚は 1から 20nmが好まし い。これらは素子駆動電圧、電圧 (電流）に対する色度のずれ、エネルギー移動、作 製の困難さにより、選ぶことができる。
[0069] (フェルスター型エネルギー移動）
有機 ELのエネルギー移動は主にフェルスター型が支配的だ力 フェルスター型は エネルギー移動距離が大き ヽ。
[0070] フェルスター型エネルギー移動とは、基本的にドナー分子の発光スペクトルとァクセ プター分子の吸収スペクトルの重なり積分強度が大きいことが重要な因子となる。
[0071] 蛍光発光化合物の場合、スペクトルが重なると蛍光量子収率およびモル吸光係数 が大き!/、ためエネルギー移動距離が大きくなる。
[0072] リン光発光化合物においても T—G吸収が見られる場合には蛍光発光化合物と同 様にエネルギー移動が起こる。
[0073] フェルスター距離とはエネルギー移動をする確率と内部変換する確率とが 1： 1の距 離のことをいい、これより短い距離ではエネルギー移動が支配的となり、長い距離に おいてはエネルギー移動は起こりに《なる。
[0074] フェルスター型エネルギー移動 'フェルスター距離に関しては『Principles
oi Fluorescence Spectrocsopy Jjoseph R. Lakowicz着 Kluwer Acad emic Plenum Publishers p. 368を参照できる。
[0075] リン光性ィ匕合物は、フェルスター型のエネルギー移動距離が小さぐ各発光層間で のエネルギー移動が起こりづらいため、これにより薄層による多層化が可能になり、 所望の色を得やすくすることができ、また、効率低下を少なくすることができる。
[0076] エネルギー移動での原則としては、「スピン保存則」が成り立つ。よって、 1重項から 1重項若しくは 3重項から 3重項へのエネルギー移動が起こる力 一般的な有機材料 の場合、 T—G吸収 (基底状態から励起 3重項への直接励起）は殆どない。また、リン 光性化合物においても T—G吸収は若干みられる程度であり、 3重項から 3重項への フェルスター型エネルギー移動は起こりにく 、。
[0077] し力 ながら短い距離で起こることは確認されており、例えば、 Fir (pic) (Ir— 12) 力 btplr (acac) (Ir— 9)へのエネルギー移動においては、フェルスター距離は 2. 3 nmと見積もることが出来る。これはエネルギー移動距離としては小さいが、これによ つて起こる色ずれ、低効率ィ匕等は白色素子では大きな問題である。本発明において は燐光性化合物を用い、更に中間層を有することでエネルギー移動を抑制し、色ず れを少ない更に高効率な白色の有機エレクト口ルミネッセンス素子を可能とした。
[0078] フェルスター距離を実測すると表 1の様になつた。
[0079] [表 1]
Figure imgf000012_0001
[0080」 測疋方法は [[Principles of Fluorescence Spectrocsopyjjoseph R. Lako wicz著 Kluwer Academic Plenum Publishers記載の方法にて行った。
[0081] 実施例に記載の他のリン光性ィ匕合物においても同様に 3nm以下となった。このこと から、中間層の膜厚としては 2. 5ηπ！〜 3nm以上の膜厚を有すれば、効果的にエネ ルギー移動を抑制することが出来、高効率かつ色ずれの少ない素子を得ることが出 来ることが分力ゝる。
[0082] もちろん、エネルギー移動距離の少ないリン光性化合物の組み合わせに関しては 中間層の膜厚を薄くする事が出来る。
[0083] 中間層の材料としては、既知の材料を使用してもよぐ特に力ルバゾール誘導体、 力ルバゾール環を更に窒素で置換した窒素置換力ルバゾール誘導体、トリアリール ボロン誘導体を用いることが特に好まし 、。
[0084] 材料に全て異なるものを用いると、製造工程、製造装置に大きな負担を与える。
[0085] 本発明においては、ホストイ匕合物と中間層を構成する材料に同一のものを用いるこ とで、製造装置を単純にすることが可能であり、更に真空蒸着を使用する場合にはド 一パントのシャッターの開け閉めだけで、何層もの積層構造を作製することが出来る
[0086] 力ルバゾール誘導体としては、 CBP等がよく知られている力 その他に、例えば、特 開 2000— 21572、特開 2002— 8860、また同 2001— 313179等、また、特願 200 3— 75512号（2003年 3月 19日出願)等に記載の力ルバゾール誘導体等があり、好 ましいものである。
[0087] 力ルバゾール環を更に窒素で置換した窒素置換力ルバゾール誘導体とは、特願 2 004- 160771 (2004年 5月 31日出願）に記載された、一般式（1)で表されるカル バゾール骨格の環を形成する炭素の 1つ以上が、窒素で置換されたィ匕合物であり、 代表的には、カルボリン誘導体やジァザ力ルバゾール誘導体 (ここで、ジァザ力ルバ ゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なく とも一つの炭素原子が窒素原子で置換されて 、るものを表す)等を表す。
[0088] また、トリアリーノレボロン誘導体としては、特願 2003— 20334 (2003年 1月 29日出 願）に記載の一般式 (6)で表されるもの場合が好ま 、。
[0089] また、特願 2003— 426573 (2003年 12月 24日出願）に記載の一般式（1)〜（4) で表されるトリアリールボロン誘導体が好ましい。
[0090] 中間層に用いられるに好ましい上記化合物の代表的具体例を以下に示す。本発 明はこれらに限定されるものではない。
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000014_0002
8ε.ειο/9θοζ OAV
Figure imgf000015_0001
LV-H
Figure imgf000015_0002
[1600]
8C.CT0/900Z OAV /v:/ O 8120sooifcl£ 8ε/-εϊο900ίAV7
Figure imgf000016_0001
Figure imgf000016_0002
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000017_0002
Figure imgf000017_0003
600]
91
Figure imgf000017_0004
8ε.ειο/9θοζ OAV
Figure imgf000018_0001
[S600]
Ll [0096]
Figure imgf000019_0001
[0097] (発光層）
本発明にお 、て、それぞれの隣接する発光層への発光ドーパント間のエネルギー 移動はフェルスター型で進行することから、フェルスター距離が小さ 、組み合わせで それぞれの発光層の並び順を決定することが出来る。
[0098] さらに、ホスト材料を選択することで、電流 電圧特性を変化させることが出来る。
[0099] 発光層の全体の膜厚は特に限定しないが、 5から lOOnmが好ましい。更に好ましく は 7から 50nmが好ましぐ最も好ましくは lOnmから 40nmである。
[0100] 発光層を構成する複数の発光層における、それぞれの膜厚は 1から 20nmが好まし く更に好ましくは 2から 1 Onmである。
[0101] これらは素子駆動電圧、電圧 (電流）に対する色度のずれ、エネルギー移動、作製 の困難さにより、選ぶことができる。
[0102] 本発明は、これらの発光層の構成の少なくとも 1層に燐光性化合物を含有すること が必要であり、好ましくは全ての発光層に燐光性ィ匕合物を含有することが好ま 、。
[0103] (発光ホストと発光ドーパント）
発光層中の主成分であるホストイ匕合物に対する発光ドーパントとの混合比は好まし くは質量で 0. 1質量％〜30質量％未満の範囲である。
[0104] ただし、本発明にお 、ては発光層の少なくとも 1層に燐光性化合物 (燐光性ドーパ ント)を用いることが必要であり、発光ドーパントは複数種の化合物を混合して用いて も良ぐ金属錯体やその他の構造を有する燐光性ドーパントでもよ 、。
[0105] 発光ドーパントは、大きくわけて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントと燐光を発光す る燐光性ドーパントの 2種類がある。
[0106] 蛍光性ドーパントの代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シァニン系色 素、クロコ-ゥム系色素、スクァリウム系色素、ォキソベンツアントラセン系色素、フル ォレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン 系色素、ポリチオフ ン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
[0107] 燐光性ドーパントの代表例としては、好ましくは元素の周期表で 8属、 9属、 10属の 金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム 化合物であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
[0108] 燐光性ドーパントの具体例としては以下の特許公報に記載されている化合物であ る。
[0109] 国際公開第 OOZ70655号パンフレツ K特開 2002— 280178号公報、特開 2001
— 181616号公報、特開 2002— 280179号公報、特開 2001— 181617号公報、 特開 2002— 280180号公報、特開 2001— 247859号公報、特開 2002— 299060 号公報、特開 2001— 313178号公報、特開 2002— 302671号公報、特開 2001— 345183号公報、特開 2002— 324679号公報、国際公開第 02,15645号パンフ レッド、特開 2002— 332291号公報、特開 2002— 50484号公報、特開 2002— 33 2292号公報、特開 2002— 83684号公報、特表 2002— 540572号公報、特開 20 02— 117978号公報、特開 2002— 338588号公報、特開 2002— 170684号公報 、特開 2002— 352960号公報、国際公開第 01/93642号パンフレット、特開 2002
— 50483号公報、特開 2002— 100476号公報、特開 2002— 173674号公報、特 開 2002— 359082号公報、特開 2002— 175884号公報、特開 2002— 363552号 公報、特開 2002— 184582号公報、特開 2003— 7469号公報、特表 2002— 525 808号公報、欄 2003— 7471号公報、特表 2002— 525833号公報、欄 2003 — 31366号公報、特開 2002— 226495号公報、特開 2002— 234894号公報、特 開 2002— 235076号公報、特開 2002— 241751号公報、特開 2001— 319779号 公報、特開 2001— 319780号公報、特開 2002— 62824号公報、特開 2002— 10 0474号公報、特開 2002— 203679号公報、特開 2002— 343572号公報、特開 2 002— 203678号公報等。
その具体例の一部を下記に示す。
Pt-1 Pt-2
Figure imgf000021_0001
Figure imgf000021_0002
Figure imgf000021_0003
Figure imgf000022_0001
Figure imgf000022_0002
Figure imgf000022_0003
Figure imgf000023_0001
Figure imgf000023_0002
Figure imgf000023_0003
lr-13 lr-14
Figure imgf000023_0004
[0113] 次に本発明に係る発光ドーパントの前記一般式 (A)〜 (C)の部分構造を持つ化合 物について説明する。
[0114] 本発明の発光層の少なくとも一つの発光層の発光ドーパントとして一般式 (A)〜（ C)の部分構造を持つ化合物を用レ、ることが好ましい。特に青色発光層の発光ドーパ ントとして用いることが好まし 、。 [0115] 一般式 (A)〜(C)において、 A1は芳香族環、芳香族複素環を形成するのに必要 な残基を表し、該芳香族環としてはベンゼン環、ビフヱニル環、ナフタレン環、ァズレ ン環、アントラセン環、フエナントレン環、ピレン環、タリセン環、ナフタセン環、トリフエ 二レン環、 o—テルフエ-ル環、 m—テルフエ-ル環、 p—テルフエ-ル環、ァセナフ テン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環 、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン 環等が挙げられ、該芳香族複素環としては、フラン環、チオフ ン環、ピリジン環、ピリ ダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、ォキサジァ ゾール環、トリァゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール 環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾォキサゾール環、キノキサリ ン環、キナゾリン環、フタラジン環、力ルバゾール環、カルボリン環、ジァザカルバゾー ル環 (カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置 換されて!/ヽる環を示す)等が挙げられる。
[0116] 一般式 (A)〜(C)において、 Raは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表 し、 Rb、 Rc、 Rb、 Rcは水素原子または置換基を表すが、 Raは上記 Raと同義であ
I 1 1
り、 Rb、 Rc、 Rb、 Rcが表す置換基は上記 R〜R、 RA、 RBが表す置換基と同義で
I I 1 9
ある。
[0117] 一般式 (A)〜 (C)の構造は部分構造であり、それ自身が完成構造の発光ドーパン トとなるには、中心金属の価数に対応した配位子が必要である。具体的には、ハロゲ ン (例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子等）、ァリール基 (例え ば、フエ-ル基、 p クロ口フエ-ル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフエ-ル 基、ナフチル基、アントリル基、フエナントリル基等）、アルキル基 (例えば、メチル基、 ェチル基、イソプロピル基、ヒドロキシェチル基、メトキシメチル基、トリフルォロメチル 基、 t ブチル基等）、アルキルォキシ基、ァリールォキシ基、アルキルチオ基、ァリー ルチオ基、芳香族複素環基 (例えば、フリル基、チェ-ル基、ピリジル基、ピリダジ- ル基、ピリミジニル基、ピラジュル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チ ァゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリ-ル基、フタラジニル基等）、 一般式 (A)〜 (C)の金属を除 、た部分構造等が挙げられる。 [0118] 一般式 (A)〜（C)にお!/、て、 Mは Ir、 Ptを表し、特に Irが好まし!/、。また一般式 (A)
〜 (C)の部分構造 3個で完成構造となるトリス体が好ま 、。
[0119] 以下、本発明に係る発光ドーパントの前記一般式 (A)〜 (C)の部分構造を持つ化 合物を例示するが、これらに限定されるものではない。
Figure imgf000026_0001
Figure imgf000027_0001
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000029_0001
Ό -Q 6ε— α
HZ
Figure imgf000029_0002
8ε.ειο/9θοζ OAV
Figure imgf000030_0001
V9-Q €9-Q Z9-Q
[SSTO]
61
Figure imgf000030_0002
8ε.ειο/9θοζ OAV [0124]
D— 63 D-64
Figure imgf000031_0001
D— 65
Figure imgf000031_0002
[0125] 以下、一般式 (A)〜 (C)の部分構造を持つ化合物の合成例を示す。
[0126] D— 1合成例 合成例
Figure imgf000031_0003
D— 1acac D— 1
[0127] 500ml三つ口フラスコに D—lacac、 4. 0g、フエ-ルイミダゾール 2. 6g、グリセリン 300mlを入れ、温度計、冷却管を付けて油浴スターラー上にセットし、徐々に加熱し て内温が 150°Cになる様に浴温を調節し、 5時間撹拌して反応終了とした。室温まで 冷却すると結晶が析出してきた。反応液をメタノール 200mlで希釈し、結晶を濾過し てメタノールで良く洗浄して乾燥し、 1. 6g (36. 5%)を得た。この結晶は D— 1である ことを1 H— NMRと MASSにて構造を確認した。 [0128] (発光ホスト化合物）
本発明に用いられる発光ホストイ匕合物としては、構造的には特に制限はないが、代 表的には力ルバゾール誘導体、トリアリールァミン誘導体、芳香族ボラン誘導体（トリ ァリールボラン誘導体)、含窒素複素環化合物、チォフェン誘導体、フラン誘導体、 オリゴァリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体ゃジ ァザカルバゾール誘導体 (ここで、ジァザ力ルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導 体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で 置換されているものを表す。）等が挙げられる。
[0129] 中でもカルボリン誘導体、ジァザ力ルバゾール誘導体等が好ましく用いられる。
[0130] 以下に、カルボリン誘導体、ジァザ力ルバゾール誘導体等の具体例を挙げる力 本 発明はこれらに限定されない。
32
Figure imgf000033_0001
Figure imgf000033_0002
[0131]
H-12 H-13
Figure imgf000034_0001
[0133] また、本発明に用いられる発光ホストは低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高 分子化合物でもよぐビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合 物 (蒸着重合性発光ホスト)でも 、 、。
[0134] 発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化 を防ぎ、高 Tg (ガラス転移温度)である化合物が好ま 、。
[0135] 発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が好適である。
例えば、特開 2001— 257076号公報、同 2002— 308855号公報、同 2001— 313 179号公報、同 2002— 319491号公報、同 2001— 357977号公報、同 2002— 3 34786号公報、同 2002— 8860号公報、同 2002— 334787号公報、同 2002— 1 5871号公報、同 2002— 334788号公報、同 2002— 43056号公報、同 2002— 3 34789号公報、同 2002— 75645号公報、同 2002— 338579号公報、同 2002— 105445号公報、同 2002— 343568号公報、同 2002— 141173号公報、同 2002 — 352957号公報、同 2002— 203683号公報、同 2002— 363227号公報、同 20
02— 231453号公報、同 2003— 3165号公報、同 2002— 234888号公報、同 20
03— 27048号公報、同 2002— 255934号公報、同 2002— 260861号公報、同 2 002— 280183号公報、同 2002— 299060号公報、同 2002— 302516号公報、 同 2002— 305083号公報、同 2002— 305084号公報、同 2002— 308837号公報 等。
[0136] 次に、有機 EL素子の他の構成層につ 、て述べる。
[0137] (正孔阻止層）
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有 しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料力 なり、電子を輸送しつつ正孔を阻 止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
[0138] 正孔阻止層としては、例えば特開平 11— 204258号公報、同 11 204359号公 報、及び「有機 EL素子とその工業化最前線（1998年 11月 30日 ェヌ'ティー 'エス 社発行)」の 237頁等に記載の正孔阻止（ホールブロック)層等を本発明に係る正孔 阻止層として適用可能である。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本 発明に係る正孔阻止層として用 、ることが出来る。
[0139] (電子阻止層）
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機 能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料力 なり、正孔を輸送しつつ電 子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述 する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることが出来る。
[0140] 本発明に係る正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては好ましくは 3ηπ！〜 lOOnm であり、更に好ましくは 5nm〜30nmである。
[0141] (正孔輸送層）
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入 層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設ける ことができる。 [0142] 正孔輸送材料としては、特に制限はなぐ従来、光導伝材料において、正孔の電荷 注入輸送材料として慣用されて 、るものや EL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使 用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
[0143] 正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性の!/、ずれかを有するも のであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリァゾール誘導体、ォキ サジァゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン 誘導体及びピラゾロン誘導体、フ 二レンジァミン誘導体、ァリールァミン誘導体、アミ ノ置換カルコン誘導体、ォキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルォレ ノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ァニリン系共重 合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチォフェンオリゴマー等が挙げられる。
[0144] 正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができる力 ポルフィリン化合物 、芳香族第三級ァミン化合物及びスチリルァミン化合物、特に芳香族第三級ァミン化 合物を用いることが好まし 、。
[0145] 芳香族第三級アミンィ匕合物及びスチリルアミンィ匕合物の代表例としては、 N, N, N
' , N，一テトラフエ-ルー 4, 4， 一ジァミノフエ-ル； N, N，一ジフエ-ルー N, N，一ビ ス（3—メチルフエ-ル）—〔1, 1，—ビフエ-ル〕— 4, 4，—ジァミン (TPD) ; 2, 2 ビ ス（4 ジ一 p トリルァミノフエ-ル）プロパン； 1 , 1 ビス（4 ジ一 p トリルアミノフ ェニル）シクロへキサン； N, N, Ν' , Ν，一テトラ一 ρ トリル一 4, 4， 一ジアミノビフエ -ル； 1 , 1 ビス（4 ジ一 ρ トリルァミノフエ-ル） 4 フエ-ルシクロへキサン；ビ ス（4 ジメチルァミノ 2 メチルフエ-ル）フエニルメタン；ビス（4 ジ一 ρ トリルァ ミノフエ-ル）フエ-ルメタン； Ν, Ν，一ジフエ-ル一 Ν, Ν，一ジ（4—メトキシフエ-ル） —4, 4'—ジアミノビフエニル； Ν, Ν, Ν' , Ν，一テトラフエニル一 4, 4'—ジアミノジフ ェ-ルエーテル； 4, 4，—ビス（ジフエ-ルァミノ）クオードリフエ-ル； Ν, Ν, Ν—トリ（ρ 一トリル）ァミン； 4一（ジ—ρ—トリルァミノ）ー4， 一 〔4一（ジ—ρ—トリルァミノ)スチリル 〕スチルベン； 4—Ν, Ν ジフエ-ルァミノー（2 ジフエ-ルビ-ル）ベンゼン； 3—メ トキシー 4'—Ν, Ν ジフエ-ルアミノスチルベンゼン； Ν—フエ-ルカルバゾール、さ らには、米国特許第 5, 061, 569号明細書に記載されている 2個の縮合芳香族環を 分子内に有するもの、例えば 4, 4' ビス〔Ν—（1 ナフチル）—Ν—フエ-ルァミノ〕 ビフエ-ル (NPD)、特開平 4— 308688号公報に記載されているトリフエ-ルァミン ユニットが 3つスターバースト型に連結された 4, 4，， 4"—トリス〔?^— (3—メチルフエ -ル）—N—フエ-ルァミノ〕トリフエ-ルァミン（MTDATA)等が挙げられる。
[0146] さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖と した高分子材料を用いることもできる。
[0147] また、 p型 Si、 p型 SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として 使用することができる。また、正孔輸送材料は、高 Tgであることが好ましい。
[0148] この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キ ヤスト法、インクジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成す ることができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5ηπ！〜 50 OOnm程度である。この正孔輸送層は、上記材料の 1種または 2種以上力もなる 1層 構造であってもよい。
[0149] 又、不純物ドープした p性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては 、特開平 4— 297076号、特開 2000— 196140号、特開 2001— 102175号、了. Ap pi. Phys. , 95, 5773 (2004)などに記載されたもの力 S挙げ、られる。
[0150] (電子輸送層）
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料力 なり、広い意味で電子注入 層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層を設 けることができる。
[0151] 従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣 接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料 (正孔阻止材料を兼ねる）としては、下 記の材料が知られて 、る。
[0152] さらに、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有して いればよぐその材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用 いることがでさる。
[0153] この電子輸送層に用いられる材料 (以下、電子輸送材料という）の例としては、 -ト 口置換フルオレン誘導体、ジフヱ-ルキノン誘導体、チォピランジオキシド誘導体、ナ フタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリ デンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、ォキサジァゾール誘導 体などが挙げられる。さらに、上記ォキサジァゾール誘導体において、ォキサジァゾ ール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として 知られて!/ヽるキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用い ることがでさる。
[0154] さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖と した高分子材料を用いることもできる。
[0155] また、 8 キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（8 キノリノール)アルミ-ゥ ム（Alq )、トリス（5, 7—ジクロロ一 8—キノリノール）アルミニウム、トリス（5, 7—ジブ口
3
モ一 8 キノリノール）アルミニウム、トリス（2 メチル 8 キノリノール）アルミニウム 、トリス（5—メチル 8—キノリノール）アルミニウム、ビス（8—キノリノール）亜鉛（Znq )など、及びこれらの金属錯体の中心金属が In、 Mg、 Cu、 Ca、 Sn、 Ga又は Pbに置 き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリ 一若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基ゃスルホン酸基な どで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発 光層の材料として例示したジスチリルビラジン誘導体も、電子輸送材料として用いる ことができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、 n型— Si、 n型— SiCなどの無機 半導体も電子輸送材料として用いることができる。
[0156] この電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キ ヤスト法、インクジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成す ることができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5〜5000 nm程度である。この電子輸送層は、上記材料の 1種または 2種以上力もなる 1層構 造であってもよい。
[0157] 又、不純物ドープした n性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては 、特開平 4— 297076号、特開 2000— 196140号、特開 2001— 102175号、了. Ap pi. Phys. , 95, 5773 (2004)などに記載されたもの力 S挙げ、られる。
[0158] 次に、本発明の有機 EL素子の構成層として用いられる、注入層について説明する [0159] (注入層）：電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と 発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存 在させてもよい。
[0160] 注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる 層のことで、「有機 EL素子とその工業ィ匕最前線（1998年 11月 30日 ェヌ'ティー'ェ ス社発行)」の第 2編第 2章「電極材料」（123〜166頁）に詳細に記載されており、正 孔注入層（陽極バッファ一層）と電子注入層（陰極バッファ一層）とがある。
[0161] 陽極バッファ一層（正孔注入層）は、特開平 9— 45479号公報、同 9 260062号 公報、同 8— 288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フ タロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ一層、酸ィ匕バナジウムに代表される 酸化物バッファ一層、アモルファスカーボンバッファ一層、ポリア-リン（ェメラルディ ン)やポリチォフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ一層等が挙げられる
[0162] 陰極バッファ一層（電子注入層）は、特開平 6— 325871号公報、同 9 17574号 公報、同 10— 74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、スト口 ンチウムゃアルミニウム等に代表される金属バッファ一層、フッ化リチウムに代表され るアルカリ金属化合物バッファ一層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金 属化合物バッファ一層、酸ィヒアルミニウムに代表される酸ィヒ物バッファ一層等が挙げ られる。
[0163] 上記バッファ一層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましぐ素材にもよるが、そ の膜厚は 0. lnm〜100nmの範囲が好ましい。
[0164] この注入層は、上記材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インク ジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜ィ匕することにより形成することができる 。注入層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5〜5000nm程度である。こ の注入層は、上記材料の 1種または 2種以上力もなる 1層構造であってもよい。
[0165] (陽極）
本発明の有機 EL素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい (4eV以上)金属、 合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用い られる。このような電極物質の具体例としては Au等の金属、 Cul、インジウムチンォキ シド (ITO)、 SnO、 ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、 IDIXO (In O -
2 2 3
ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの 電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィ 一法で所望の形状のパターンを形成してもよぐあるいはパターン精度をあまり必要 としない場合は（100 m以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所 望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場 合には、透過率を 10%より大きくすることが望ましぐまた、陽極としてのシート抵抗は 数百 Ω Ζ口以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよる力 通常 ΙΟηπ！〜 1000nm、 好ましくは 10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
(陰極）
一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい (4eV以下)金属 (電子注入 性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするも のが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム一力リウ ム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム Z銅混合物、マグネシウム Z銀混合物 、マグネシウム /アルミニウム混合物、マグネシウム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (Al O )混合物、インジウム、リチウム
2 3 Zアルミニウム混合物、希 土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の 点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金 属との混合物、例えばマグネシウム Z銀混合物、マグネシウム Zアルミニウム混合物 、マグネシウム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (Al O )混合物
2 3
、リチウム Zアルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電 極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製す ることができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百 Ω Ζ口以下が好ましぐ膜厚は 通常 10nm〜1000nm、好ましくは 50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光 を透過させるため、有機 EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または 半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。 [0167] (基体 (基板、基材、支持体等ともいう)）
本発明の有機 EL素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に 限定はなぐまた、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板と しては例えばガラス、石英、光透過性榭脂フィルムを挙げることができる。特に好まし V、基体は、有機 EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な榭脂フィルムである。
[0168] 榭脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレンナフ タレート（PEN)、ポリエーテルスルホン（PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエ ーテルケトン、ポリフエ-レンスルフイド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（P C)、セルローストリアセテート (TAC)、セルロースアセテートプロピオネート（CAP) 等力 なるフィルム等が挙げられる。
[0169] 榭脂フィルムの表面には、無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイプリ ッド被膜が形成されていてもよぐ水蒸気透過率が 0. 01gZm2'dayatm以下の高 ノ リア性フィルムであることが好まし ヽ。
[0170] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効 率は 1%以上であることが好ましぐより好ましくは 2%以上である。ここに、外部取り出 し量子効率 (％) =有機 EL素子外部に発光した光子数 Z有機 EL素子に流した電子 数 X 100である。
[0171] 照明用途で用いる場合には、発光ムラを低減させるために粗面加工したフィルム（ アンチグレアフィルム等）を併用することもできる。
[0172] 多色表示装置として用いる場合は少なくとも 2種類の異なる発光極大波長を有する 有機 EL素子カゝらなるが、有機 EL素子を作製する好適な例を説明する。
[0173] (有機 EL素子の作製方法）
本発明の有機 EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層
Z発光層（3層以上) Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ一層 Z陰極からな る有機 EL素子の作製法にっ ヽて説明する。
[0174] まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質力 なる薄膜を、 1 μ m 以下、好ましくは ΙΟηπ！〜 200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方 法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正 孔輸送層、発光層（3層以上)、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物を含有す る薄膜を形成させる。
[0175] この有機化合物を含有する薄膜の薄膜ィ匕の方法としては、スピンコート法、キャスト 法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすぐかつピ ンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好まし い。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、 その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度 50°C〜450°C、真空度 10— 6Pa〜： LO— 2Pa、蒸着速度 0. 01nm〜50nmZ秒、基板温 度— 50°C〜300°C、膜厚 0. lnm〜5 μ mの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
[0176] これらの層の形成後、その上に陰極用物質力もなる薄膜を、 1 μ m以下好ましくは 5 0nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法に より形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機 EL素子が得られる。この有機 EL 素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが 好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても力まわない。その際、作業を 乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
[0177] (表示装置）
本発明の表示装置について説明する。
[0178] 本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは、多色表示装置について 説明する。多色表示装置の場合は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面 に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる
[0179] 発光層のみパターユングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法
、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを 用いたパターユングが好まし 、。
[0180] また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層（3層以上)、正 孔輸送層、陽極の順に作製することも可能である。
[0181] このようにして得られた多色表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を +
、陰極を—の極性として電圧 2〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また、 逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電 圧を印加する場合には、陽極が +、陰極が一の状態になったときのみ発光する。な お、印加する交流の波形は任意でよい。
[0182] 多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることがで きる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の 3種の有機 EL素子を 用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。
[0183] 表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、ノ ソコン、モノくィル機器、 AV機器、文 字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生 する表示装置として使用してもよぐ動画再生用の表示装置として使用する場合の駆 動方式は単純マトリックス (パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式で もどちらでもよい。
[0184] 発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告 、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光 センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。
[0185] (照明装置）
本発明の照明装置について説明する。
[0186] 本発明の有機 EL素子に共振器構造を持たせた有機 EL素子として用いてもよぐこ のような共振器構造を有した有機 EL素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、 電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる 力 これらに限定されない。
[0187] また、本発明の有機 EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使 用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクシヨン装置や、静止画像や動画 像を直接視認するタイプの表示装置 (ディスプレイ）として使用しても良い。動画再生 用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス (パッシブマトリクス） 方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。または、異なる発光色を有する 本発明の有機 EL素子を 2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製す ることが可能である。
[0188] 以下、本発明の有機 EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する [0189] 図 8は、有機 EL素子力 構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機 EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの 模式図である。
[0190] ディスプレイ 1は、複数の画素を有する表示部 A、画像情報に基づいて表示部 Aの 画像走査を行う制御部 B等力もなる。
[0191] 制御部 Bは、表示部 Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画 像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画 素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部 A に表示する。
[0192] 図 9は、表示部 Aの模式図である。
[0193] 表示部 Aは基板上に、複数の走査線 5及びデータ線 6を含む配線部と、複数の画 素 3等とを有する。表示部 Aの主要な部材の説明を以下に行う。
[0194] 図においては、画素 3の発光した光力 白矢印方向（下方向）へ取り出される場合 を示している。
[0195] 配線部の走査線 5及び複数のデータ線 6は、それぞれ導電材料からなり、走査線 5 とデータ線 6は格子状に直交して、直交する位置で画素 3に接続している（詳細は図 示していない）。
[0196] 画素 3は、走査線 5から走査信号が印加されると、データ線 6から画像データ信号を 受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑 領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラ 一表示が可能となる。
[0197] 本発明の有機 EL素子を白色発光の素子として用いる場合は、 BGRのカラーフィル ターとの組み合わせによりフルカラー表示を行うことが出来る。
[0198] 次に、画素の発光プロセスを説明する。
[0199] 図 10は、画素の模式図である。
[0200] 画素は、有機 EL素子 10、スイッチングトランジスタ 11、駆動トランジスタ 12、コンデ ンサ 13等を備えて 、る。複数の画素に区分された有機 EL素子 10として白色発光の 有機 EL素子を用い、 BGRのカラーフィルターと組み合わせることでフルカラー表示 を行うことができる。
[0201] 図 10において、制御部 B力もデータ線 6を介してスイッチングトランジスタ 11のドレ インに画像データ信号が印加される。そして、制御部 Bから走査線 5を介してスィッチ ングトランジスタ 11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ 11の 駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ 13と駆動トランジ スタ 12のゲートに伝達される。
[0202] 画像データ信号の伝達により、コンデンサ 13が画像データ信号の電位に応じて充 電されるとともに、駆動トランジスタ 12の駆動がオンする。駆動トランジスタ 12は、ドレ インが電源ライン 7に接続され、ソースが有機 EL素子 10の電極に接続されており、ゲ 一トに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン 7から有機 EL素子 10に 電流が供給される。
[0203] 制御部 Bの順次走査により走査信号が次の走査線 5に移ると、スイッチングトランジ スタ 11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ 11の駆動がオフしてもコン デンサ 13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ 12 の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機 EL素子 1 0の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に 同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ 12が駆動して有機 E L素子 10が発光する。
[0204] すなわち、有機 EL素子 10の発光は、複数の画素それぞれの有機 EL素子 10に対 して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ 11と駆動トランジスタ 12を設けて 、複数の画素 3それぞれの有機 EL素子 10の発光を行っている。このような発光方法 をアクティブマトリクス方式と呼んで 、る。
[0205] ここで、有機 EL素子 10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号 による複数の階調の発光でもよ 、し、 2値の画像データ信号による所定の発光量の オン、才フでもよ！/、。
[0206] また、コンデンサ 13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持して もよ 、し、次の走査信号が印加される直前に放電させてもょ 、。 [0207] 本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査さ れたときのみデータ信号に応じて有機 EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の 発光駆動でもよい。
[0208] 図 11は、ノ ッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図 4において、複 数の走査線 5と複数の画像データ線 6が画素 3を挟んで対向して格子状に設けられ ている。
[0209] 順次走査により走査線 5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線 5に接続 して 、る画素 3が画像データ信号に応じて発光する。ノ ッシブマトリクス方式では画 素 3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
[0210] 本発明に係わる有機 EL素子は、また、照明装置として、実質白色の発光を生じる 有機 EL素子に適用できる。
[0211] 本発明に係わる白色有機 EL素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクや インクジェットプリンティング法等でパター-ングを施してもよ 、。パターユングする場 合は、電極のみをパターユングしてもいいし、電極と発光層をパターユングしてもいい し、素子全層をパターユングしてもいい。
[0212] このように、本発明の白色発光有機 EL素子は、前記表示デバイス、ディスプレーに カロえて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また、露光光源の ような一種のランプとして、液晶表示装置のバックライト等、表示装置にも有用に用い られる。
[0213] その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写 真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、更には表示装置を 必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。
実施例
[0214] 以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるも のではない。
[0215] 実施例 1
《有機 EL素子 1 1〜1 10の作製》
〈有機 EL素子 1—1の作製〉 陽極として、 lOOmm X lOOmmX l. 1mmのガラス基板上に ITO (インジウムチン ォキシド)を lOOnm製膜した基板 (ΝΗテクノグラス社製 ΝΑ45)にパターユングを行 つた後、この ITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音 波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間行った。この透明支持基 板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
[0216] 次 、で、真空槽を 4 X 10— 4Paまで減圧した後、ひ NPDの入ったタンタル製抵抗 加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0. InmZsecで透明支持基板に蒸着し 25 nmの正孔輸送層を設けた。
[0217] 次に電子阻止層として、 HTM1の入った同じタンタル製加熱ボートに通電して加熱 し、蒸着速度 0. InmZsecで HTM1を 15nm蒸着した。
[0218] その後、表 2に示すように、発光層 A、 B、また中間層 1の各組成を用い、図 2に示 す発光層 1 1の積層の発光層となるように形成した。
[0219] 尚、各発光層は、それぞれホストイ匕合物、ドーパントを表 2に記載の割合となるよう それぞれタンタル製の抵抗加熱ボートに容れ、ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0
. InmZsecで表に記載された厚みに蒸着し形成した。
[0220] 中間層も同様に、表記載の中間層化合物をボートに容れ加熱、表に記載の厚みで 蒸着形成した。
[0221] 次いで、その上に正孔阻止層として H— 13を lOnm蒸着した。
[0222] 更に Alqの入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0. InmZsecで前記正
3
孔阻止層上に蒸着して膜厚 30nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温 度は室温で行った。
[0223] 引き続き陰極バッファ一層（電子注入層）としてフッ化リチウム 0. 5nmを蒸着し、更 に、アルミニウム l lOnmを蒸着して陰極を形成し、有機 EL素子 1—1を作製した。
[0224] 〈有機EL素子1 2〜1 10の作製〉
有機 EL素子 1 1と同様にして表 2に示す各発光層を、図 2〜4に示す各発光層の 構成、厚みとなるように蒸着'積層し、有機 EL素子 1— 2〜1— 10を作製した。
Figure imgf000048_0001
t^ o/sooidf/iDd 8f.ClO/900Z OAV 発光餍の構成 発光層 A 発光層 B 発光 fSC 発光層 D 中間 JS1 中間屠 2 備考
1一 1 発光 JS 1 -1 H-14: lr-123% 15nm H-14 lr-98% 8nm なし なし M- 1 3nm なし 本発明
1 -2 発光層 1—1 H-14： Ir— 123% 15nm H-6 lr-98% 8nm なし なし H- 1 3rm なし 本発明
1 -3 発光層 1一 5 H-14: lr-123% 6rai H-14 lr-98% 3nm なし なし H-133rai なし 本発明
1 -4 発光 2—1 H-H: Ir— 133% 8nm H-U lr-1 6% 4nm H-14 lr-98% 6ηπι なし - 1 3nm なし 本発明
1—5 発光層 2— 3 H-14： Ir— 133% 8nm H-H lr-1 6% 4nm H-14 lr-98% 6nm なし -1 3mi H— 143nm 本発明
1一 6 発光 2-6 H-14： Ir一 133% 5nm H-14 lr-1 6% 2nm H-14 lr-98% 3nm なし M-1 3nm なし 本発明
1一 7 発光層 3 - 2 H-14： Ir一 133% 5nm H-14 lr-1 6% 2nm H-14 lr-98% 3rm H— 14： lr-58% 2nm M-2 3rm なし 本発明
1一 8 発光屠 1一 1 H— 15： lr-123% 15nm H— 15 lr-98% 8rm なし なし BAIq 3nm なし 比較例
1 -9 発光 JS1— 1 H-14： lr-123% 15nm H-14 lr-98% 8nm なし なし BAIq 3nm なし 比較例
1 -10 発光 B 2-6 H-14： Ir一 133% 5nm H-14 lr-1 6% 2rai H-14: lr-98% 3rm なし BAIq 3nm なし 比較例
1 -11 発光層 1—1 lr-14 ： H— 23 11% 5rm H-23： D-499% 15rm なし なし なし M-1 本発明
1—12 発光層 1一 1 lr-14 ： H— 23 11% 5rai H— 23： D-499% 15rm なし なし なし H— 23 本発明
(%は質量％を表す)
[0226] 尚、ここで各発光層において、例えば H—14 :Ir—12 3% 15nmとあるのは、ホ ストである H— 14に対しドーパントである Ir— 12が 3質量0 /0含まれる蒸着膜であること を示す。 15nmとは膜厚である。
[0227] 《評価》
(外部量子効率）
作製した各有機 EL素子 1— 2〜1— 10について、それぞれ、 23°C、乾燥窒素ガス 雰囲気下で 2. 5mAZcm2の一定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％)を 測定した。尚、測定には分光放射輝度計 CS— 1000 (ミノルタ製)を用いた。
[0228] (色度のずれ）
色度のずれは CIE色度図にお!、て、 lOOcdZm2輝度時の色度座標と 5000cdZ m2輝度時の色度座標のずれを表す。
[0229] 23°C、乾燥窒素ガス雰囲気下で CS— 1000 (ミノルタ製）を用いて測定を行った。
[0230] また、用いたリン光性ィ匕合物間のフェルスター距離は前記表 1に記載した。
[0231] 得られた結果を表 3に示す。
[0232] [表 3]
Figure imgf000050_0001
[0233] 本発明の有機 EL素子は高 ヽ外部取り出し量子効率と低!ヽ色度のずれを示すこと が分かる。
[0234] 実施例 2
有機 EL素子 1 1〜1 10の a—NPDを HTM1 :F4—TCNQ (3質量％)共蒸 着膜に変更し、 Alqを BPhen: Cs = 1： 1共蒸着膜に変更し、 LiFを蒸着しなかった 以外、全く同様に有機 EL素子 2— 1〜2— 12を作製した BPhen F4-TCNQ
Figure imgf000051_0001
[0235] 有機 EL素子 2— 1〜2— 10は有機 EL素子 1— 1〜1— 10に比べどれも駆動電圧 力^〜 6V低電圧化する事が確認された。
[0236] これにより、高いエネルギー効率 (lmZW)を有する素子を得ることが可能であるこ とが確認された。
[0237] 実施例 3
実施例 1で作製した有機 EL素子 1—6の非発光面をガラスケースで覆い、照明装 置とした。照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明 装置として使用することができた。図 12は照明装置の概略図であり、（a)は平面概略 図を、また、（b)は照明装置の概略断面図である。透明電極付きのガラス基板 101上 に設けられた有機 EL素子 102をガラスカバー 104で覆い、ガラスカバーの接着には 紫外線硬化型接着剤 107を用いた。 103は陰極である。なおガラスカバー 104内に は窒素ガスが充填され、捕水剤 105が設けられている。
産業上の利用可能性
[0238] 本発明により、微少な電圧'電流の変化によっても色ずれのない、高効率な白色- 多色の有機エレクト口ルミネッセンス素子が得られる。

Claims

請求の範囲
[1] 陽極、および陰極の間に、異なる発光ピークを有する発光層を少なくとも 2種類以 上有し、発光層間に中間層が設けられて 、る有機エレクト口ルミネッセンス素子にお いて、前記発光層の少なくとも 1種は発光性化合物としてリン光性化合物を含有して おり、かつ、中間層を構成する化合物の励起 3重項エネルギーは該リン光性化合物 の励起 3重項エネルギーよりも大きいことを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素 子。
[2] 前記異なる発光ピークを有する発光層の全てカ^ン光性ィ匕合物を含有することを特 徴とする請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[3] 前記発光層のうち、発光性化合物とホスト化合物から構成され、発光性化合物がリ ン光性ィ匕合物である発光層にお 、て、ホスト化合物の励起 3重項エネルギーは該リ ン光性ィ匕合物の励起 3重項エネルギーより大きいことを特徴とする請求の範囲第 1項 に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[4] 前記中間層の膜厚は、中間層を隔てて 2つの発光層を構成する発光性ィ匕合物間 でのフェルスター距離よりも大きいことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の有機 エレクトロノレミネッセンス素子。
[5] 少なくとも 1種の前記発光層が同じ発光ピークを有する同種類の発光層を 2層以上 有することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子
[6] 少なくとも 2種の前記発光層が同種類の発光層を 2層以上有することを特徴とする 請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[7] 異なる発光ピークを有する発光層を少なくとも 2種類有し、かつ、それぞれの発光層 1S 同じ発光ピークを有する同種類の発光層の 2層以上からなるものであり、前記発 光層および中間層が交互に積層されていることを特徴とする請求の範囲第 1項に記 載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[8] 異なる発光ピークを有する発光層を少なくとも 3種類有し、かつ、それぞれの発光層 1S 同じ発光ピークを有する同種類の発光層の 2層以上からなるものであり、前記発 光層および中間層が交互に積層されていることを特徴とする請求の範囲第 1項に記 載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[9] 発光層と陰極の間であって、かつ、発光層に隣接して正孔阻止層を有することを特 徴とする請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[10] 発光層と陽極の間であって、かつ、発光層に隣接して電子阻止層を有することを特 徴とする請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[11] 有機エレクト口ルミネッセンス素子からの発光が白色であることを特徴とする請求の 範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[12] 請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンスの発光層が下記一般式（
A)〜 (C)の 、ずれかで表される部分構造を持つ発光ドーパントを含有して 、ることを 特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子 一般式 (A)
.A1 -
Figure imgf000053_0001
(式中、 Raは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 Rb、 Rcは水素原子 または置換基を表し、 A1は芳香族環、芳香族複素環を形成するのに必要な残基を 表し、 Mは Ir、 Ptを表す。 ) 一般式 (B)
A1 -、、
Figure imgf000053_0002
(式中、 Raは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 Rb、 Rc、 Rb、 Rc
1 1 は水素原子または置換基を表し、 A1は芳香族環、芳香族複素環を形成するのに必 要な残基を表し、 Mは Ir、 Ptを表す。 ) 一般式 iC)
Figure imgf000054_0001
(式中、 Raは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 Rb、 Rcは水素原子 または置換基を表し、 A1は芳香族環、芳香族複素環を形成するのに必要な残基を 表し、 Mは Ir、 Ptを表す。 )
[13] 請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を用いたことを特徴と する表示装置。
[14] 請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を用いたことを特徴と する照明装置。
PCT/JP2005/013484 2004-08-05 2005-07-22 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 Ceased WO2006013738A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006531383A JP4697142B2 (ja) 2004-08-05 2005-07-22 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
US11/659,160 US20080303415A1 (en) 2004-08-05 2005-07-22 Organic Electroluminescence Element, Display and Illuminator
EP05761819.1A EP1786242B1 (en) 2004-08-05 2005-07-22 Organic electroluminescence device, display apparatus and lighting apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-229165 2004-08-05
JP2004229165 2004-08-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006013738A1 true WO2006013738A1 (ja) 2006-02-09

Family

ID=35787029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/013484 Ceased WO2006013738A1 (ja) 2004-08-05 2005-07-22 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20080303415A1 (ja)
EP (1) EP1786242B1 (ja)
JP (2) JP4697142B2 (ja)
WO (1) WO2006013738A1 (ja)

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287652A (ja) * 2006-03-23 2007-11-01 Fujifilm Corp 発光素子
JP2008069221A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2008166745A (ja) * 2006-12-04 2008-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置並びに電子機器
JP2008181937A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
WO2008123178A1 (ja) * 2007-03-23 2008-10-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ素子
WO2008132965A1 (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Konica Minolta Holdings, Inc. 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置
DE102007046445A1 (de) 2007-09-28 2009-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches selbstemittierendes Bauteil
WO2008131750A3 (de) * 2007-04-30 2009-05-14 Novaled Ag Licht emittierendes bauelement und verfahren zum herstellen
JP2010500733A (ja) * 2006-08-14 2010-01-07 インクテック カンパニー リミテッド 有機ｅｌ素子及びこれの製造方法
DE102008033929A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Siemens Aktiengesellschaft Phosphoreszente Metallkomplexverbindung, Verfahren zur Herstellung dazu und strahlungsemittierendes Bauelement
JP2010040216A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、面状光源および表示装置
JP2010507922A (ja) * 2006-10-27 2010-03-11 ザ ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア 白色発光ｏｌｅｄのために一重項及び三重項励起子を効率的に捕獲するための物質及び構造
JP2010515255A (ja) * 2006-12-28 2010-05-06 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 長寿命リン光発光有機発光デバイス（ｏｌｅｄ）構造
JP2010103317A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 照明光通信システム用の送信装置
US20100140645A1 (en) * 2008-12-10 2010-06-10 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
JP2010129301A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010147179A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010146813A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010161060A (ja) * 2008-12-08 2010-07-22 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010192427A (ja) * 2009-01-23 2010-09-02 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
DE102009031683A1 (de) 2009-07-03 2011-03-24 Siemens Aktiengesellschaft Phophoreszente Metallkomplexverbindung, Verfahren zur Herstellung dazu und strahlungsemittierendes Bauelement
WO2011088918A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Siemens Aktiengesellschaft Verwendung des guanidinium-kations in einem lichtemittierenden bauelement
DE102010005632A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Siemens Aktiengesellschaft, 80333 Phosphoreszente Metallkomplexverbindung, Verfahren zur Herstellung und lichtemittierendes Bauelement
WO2012053216A1 (ja) * 2010-10-20 2012-04-26 出光興産株式会社 タンデム型有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012523653A (ja) * 2009-04-09 2012-10-04 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネセンスデバイス
US8734962B2 (en) 2007-05-21 2014-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphorescent metal complex compound radiation emitting component comprising a phosphorescent metal complex compound and method for production of a phosphorescent metal complex compound
JP2015043460A (ja) * 2006-12-13 2015-03-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2015125581A1 (ja) * 2014-02-24 2015-08-27 コニカミノルタ株式会社 有機電界発光素子
US9139764B2 (en) 2007-09-28 2015-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic radiation-emitting component
JP2017152747A (ja) * 2012-04-20 2017-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、電子機器
WO2017159797A1 (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 シャープ株式会社 Ｅｌ素子及びｅｌ素子の製造方法
US10164206B2 (en) 2012-04-20 2018-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
US11812626B2 (en) 2011-02-16 2023-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007145129A1 (ja) * 2006-06-13 2009-10-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US7829272B2 (en) 2007-05-24 2010-11-09 Nanotrope Inc. Viral detection liposomes and method
JP5530608B2 (ja) 2007-09-13 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子および発光装置
JP4893573B2 (ja) * 2007-10-03 2012-03-07 セイコーエプソン株式会社 発光素子、表示装置および電子機器
US7923925B2 (en) * 2007-11-20 2011-04-12 Group Iv Semiconductor, Inc. Light emitting device with a stopper layer structure
KR101453874B1 (ko) * 2008-03-04 2014-10-21 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기발광소자
US20100033082A1 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 General Electric Company Method of Manufacture of a Multi-Layer Phosphorescent Organic Light Emitting Device, and Articles Thereof
DE102008054234A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US9461253B2 (en) * 2008-12-10 2016-10-04 Udc Ireland Limited Organic electroluminescence device and luminescence apparatus
WO2010085259A1 (en) * 2009-01-26 2010-07-29 Nanotrope, Inc. Viral detection liposomes and method
WO2011024761A1 (ja) * 2009-08-27 2011-03-03 住友化学株式会社 金属錯体組成物及び錯体高分子
JPWO2011046166A1 (ja) * 2009-10-14 2013-03-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いた照明装置
EP2366753B1 (en) * 2010-03-02 2015-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element and Lighting Device
DE112012007331B4 (de) 2011-02-16 2025-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element
KR20250018429A (ko) 2011-03-23 2025-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
US8502445B2 (en) * 2011-07-18 2013-08-06 Universal Display Corporation RGBW OLED display for extended lifetime and reduced power consumption
DE102011086277B4 (de) 2011-11-14 2017-09-14 Osram Oled Gmbh Organisches Licht-emittierendes Bauelement
JP5926580B2 (ja) 2012-03-01 2016-05-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、有機電界発光素子用材料、並びに、該素子を用いた発光装置、表示装置、照明装置及び該素子に用いられる化合物
US9577221B2 (en) 2012-09-26 2017-02-21 Universal Display Corporation Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime
KR102230139B1 (ko) * 2013-05-17 2021-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 조명 장치, 발광 장치, 및 전자 기기
KR102626916B1 (ko) 2015-09-09 2024-01-19 삼성전자주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
EP3141550B1 (en) * 2015-09-09 2020-03-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
CN109791998B (zh) * 2016-09-30 2021-02-05 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
KR20220134749A (ko) 2019-12-30 2022-10-05 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 벌크 확산재

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878163A (ja) * 1994-09-07 1996-03-22 Kemipuro Kasei Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製法
JP2001313180A (ja) * 2000-03-27 2001-11-09 Samsung Sdi Co Ltd 有機電子発光素子
WO2004060026A1 (ja) * 2002-12-26 2004-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 有機発光素子
JP2005183213A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ素子及びその形成方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3949214B2 (ja) * 1997-03-18 2007-07-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2002071813A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-12 The Trustees Of Princeton University Double doped-layer, phosphorescent organic light emitting devices
US6750608B2 (en) * 2001-11-09 2004-06-15 Konica Corporation Organic electroluminescence element and display
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
WO2004053019A1 (ja) * 2002-12-12 2004-06-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI354011B (en) * 2003-05-16 2011-12-11 Semiconductor Energy Lab Carbazole derivative, organic semiconductor elemen
US20060251918A1 (en) * 2003-12-11 2006-11-09 Toshihiro Iwakuma Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using same
US20060008670A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
WO2006009024A1 (ja) * 2004-07-23 2006-01-26 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878163A (ja) * 1994-09-07 1996-03-22 Kemipuro Kasei Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製法
JP2001313180A (ja) * 2000-03-27 2001-11-09 Samsung Sdi Co Ltd 有機電子発光素子
WO2004060026A1 (ja) * 2002-12-26 2004-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 有機発光素子
JP2005183213A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ素子及びその形成方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SATO Y.: "Organic Electroluminescence", MATERIAL AND TECHNOLOGIES, DAI 1 PAN, KABUSHIKI KAISHA CMC SHUPPAN HAKKO, 31 May 2004 (2004-05-31), pages 215 - 222 *
See also references of EP1786242A4 *
TOKIMASA S.: "Aoiro/Shiroiro Rin Hikari Yuki El Soshi heno Torikumi to Kadai", FPD INTERNATIONAL 2004 PRESEMINAR DAI 4 KAI YUKI EL PANEL, ZAIRYO KARA NO CHOJUMYOKA, 23 April 2004 (2004-04-23), pages 7 - 17 *

Cited By (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287652A (ja) * 2006-03-23 2007-11-01 Fujifilm Corp 発光素子
JP2010500733A (ja) * 2006-08-14 2010-01-07 インクテック カンパニー リミテッド 有機ｅｌ素子及びこれの製造方法
US8866128B2 (en) 2006-08-14 2014-10-21 Inktec Co., Ltd. Organic electroluminescent device and preparation method thereof
JP2008069221A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US8945722B2 (en) 2006-10-27 2015-02-03 The University Of Southern California Materials and architectures for efficient harvesting of singlet and triplet excitons for white light emitting OLEDs
JP2010507922A (ja) * 2006-10-27 2010-03-11 ザ ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア 白色発光ｏｌｅｄのために一重項及び三重項励起子を効率的に捕獲するための物質及び構造
JP2008166745A (ja) * 2006-12-04 2008-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置並びに電子機器
US8916857B2 (en) 2006-12-04 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US10109800B2 (en) 2006-12-13 2018-10-23 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
JP2015043460A (ja) * 2006-12-13 2015-03-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US9590188B2 (en) 2006-12-13 2017-03-07 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
JP2014041846A (ja) * 2006-12-28 2014-03-06 Universal Display Corp 長寿命リン光発光有機発光デバイス（ｏｌｅｄ）構造
US8866377B2 (en) 2006-12-28 2014-10-21 Universal Display Corporation Long lifetime phosphorescent organic light emitting device (OLED) structures
JP2010515255A (ja) * 2006-12-28 2010-05-06 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 長寿命リン光発光有機発光デバイス（ｏｌｅｄ）構造
JP2008181937A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
WO2008123178A1 (ja) * 2007-03-23 2008-10-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ素子
JPWO2008123178A1 (ja) * 2007-03-23 2010-07-15 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
US8207526B2 (en) 2007-03-23 2012-06-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device
US20100127246A1 (en) * 2007-04-17 2010-05-27 Konica Minolta Holdings, Inc. White organic electroluminescent element and lighting device
JPWO2008132965A1 (ja) * 2007-04-17 2010-07-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置
JP2013055341A (ja) * 2007-04-17 2013-03-21 Konica Minolta Holdings Inc 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置
WO2008132965A1 (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Konica Minolta Holdings, Inc. 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置
US9006711B2 (en) 2007-04-17 2015-04-14 Konica Minolta Holdings, Inc. White organic electroluminescent element and lighting device
WO2008131750A3 (de) * 2007-04-30 2009-05-14 Novaled Ag Licht emittierendes bauelement und verfahren zum herstellen
US8734962B2 (en) 2007-05-21 2014-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphorescent metal complex compound radiation emitting component comprising a phosphorescent metal complex compound and method for production of a phosphorescent metal complex compound
US9966544B2 (en) 2007-05-21 2018-05-08 Osram Oled Gmbh Phosphorescent metal complex compound radiation emitting component comprising a phosphorescent metal complex compound and method for production of a phosphorescent metal complex compound
DE102007046445A1 (de) 2007-09-28 2009-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches selbstemittierendes Bauteil
US9139764B2 (en) 2007-09-28 2015-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic radiation-emitting component
DE102008033929A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Siemens Aktiengesellschaft Phosphoreszente Metallkomplexverbindung, Verfahren zur Herstellung dazu und strahlungsemittierendes Bauelement
US9012038B2 (en) 2008-07-18 2015-04-21 Osram Gmbh Phosphorescent metal complex compound, method for the preparation thereof and radiating component
WO2010007107A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Siemens Aktiengesellschaft Phosphoreszente metallkomplexverbindung, verfahren zur herstellung dazu und strahlungsemittierendes bauelement
JP2010040216A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、面状光源および表示装置
JP2010103317A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 照明光通信システム用の送信装置
JP2010129301A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010161060A (ja) * 2008-12-08 2010-07-22 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
US8288763B2 (en) * 2008-12-10 2012-10-16 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
US20100140645A1 (en) * 2008-12-10 2010-06-10 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
JP2010161071A (ja) * 2008-12-10 2010-07-22 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010146813A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010147179A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010192427A (ja) * 2009-01-23 2010-09-02 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2012523653A (ja) * 2009-04-09 2012-10-04 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネセンスデバイス
DE102009031683A1 (de) 2009-07-03 2011-03-24 Siemens Aktiengesellschaft Phophoreszente Metallkomplexverbindung, Verfahren zur Herstellung dazu und strahlungsemittierendes Bauelement
DE102010005632A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Siemens Aktiengesellschaft, 80333 Phosphoreszente Metallkomplexverbindung, Verfahren zur Herstellung und lichtemittierendes Bauelement
WO2011088918A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Siemens Aktiengesellschaft Verwendung des guanidinium-kations in einem lichtemittierenden bauelement
US9169434B2 (en) 2010-01-25 2015-10-27 Osram Ag Phosphorescent metal complex, process for production and light-emitting component
US9375392B2 (en) 2010-01-25 2016-06-28 Osram Ag Use of the guanidinium cation and light-emitting component
DE102010005634A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Siemens Aktiengesellschaft, 80333 Neuartige Verwendung des Guanidinium-Kations und lichtemittierendes Bauelement
WO2012053216A1 (ja) * 2010-10-20 2012-04-26 出光興産株式会社 タンデム型有機エレクトロルミネッセンス素子
US12150325B2 (en) 2011-02-16 2024-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US11812626B2 (en) 2011-02-16 2023-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US10164206B2 (en) 2012-04-20 2018-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
JP7362959B2 (ja) 2012-04-20 2023-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置および電子機器
US12127419B2 (en) 2012-04-20 2024-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
JP2019149386A (ja) * 2012-04-20 2019-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置および電子機器
US10505135B2 (en) 2012-04-20 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
JP2017152747A (ja) * 2012-04-20 2017-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、電子機器
US10797257B2 (en) 2012-04-20 2020-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
US11177451B2 (en) 2012-04-20 2021-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
JP2022044821A (ja) * 2012-04-20 2022-03-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置および電子機器
JP7274623B2 (ja) 2012-04-20 2023-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置および電子機器
JP2023100812A (ja) * 2012-04-20 2023-07-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置および電子機器
US11778846B2 (en) 2012-04-20 2023-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
WO2015125581A1 (ja) * 2014-02-24 2015-08-27 コニカミノルタ株式会社 有機電界発光素子
JPWO2015125581A1 (ja) * 2014-02-24 2017-03-30 コニカミノルタ株式会社 有機電界発光素子
US10693096B2 (en) 2016-03-18 2020-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha EL element and method for manufacturing EL element with a light-emitting layer including an ionic liquid, a phosphorescent material, and a fluorescent material
WO2017159797A1 (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 シャープ株式会社 Ｅｌ素子及びｅｌ素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1786242B1 (en) 2014-08-27
JP4697142B2 (ja) 2011-06-08
JP4962613B2 (ja) 2012-06-27
US20080303415A1 (en) 2008-12-11
EP1786242A4 (en) 2010-07-21
JPWO2006013738A1 (ja) 2008-05-01
EP1786242A1 (en) 2007-05-16
JP2011109113A (ja) 2011-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4697142B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP4858169B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5454610B2 (ja) 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子及び照明装置
JP6428267B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5742581B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
WO2005123873A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2007029533A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JPWO2005097940A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2006114966A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR102168778B1 (ko) 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 표시 장치 및 조명 장치
WO2005009088A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP2005314663A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP7173145B2 (ja) 薄膜、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス用材料、表示装置、及び、照明装置
JP6187214B2 (ja) 金属錯体、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JPWO2006093007A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示装置および照明装置
JP5104981B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JPWO2006129471A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及び表示装置
JP4941291B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2006100925A1 (ja) 有機ｅｌ素子用材料、有機ｅｌ素子、表示装置及び照明装置
JP4946862B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示装置および照明装置
WO2013137162A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP2007005524A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、表示装置及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006531383

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005761819

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11659160

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005761819

Country of ref document: EP