WO2006009104A1 - 回路基板の検査装置および回路基板の検査方法 - Google Patents

Abstract

　検査対象の回路基板が微細ピッチの電極を有するものであっても信頼性の高い電気検査を行うことができる回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供する。 　中継ピンユニット３１が、中間保持板３６と、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間に配置された第１の支持ピン３３と、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間に配置された第２の支持ピン３７とを備えるとともに、第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。また、レーザー加工によって形成された導電路形成部とこれらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなる第１の異方導電性シート２２が、ピッチ変換用基板２３側に一体化されてピッチ変換用アダプター体６０を構成している。あるいは、基板７３に形成された複数の貫通孔に、絶縁部６２および絶縁部６２を厚み方向へ貫通する導電路形成部６１が形成された中継基板２９を設置し、ピッチ変換用基板２３と被検査回路基板１との電気的接続を中継する。

Description

明 細 書

回路基板の検査装置および回路基板の検査方法

技術分野

[0001] 本発明は、電気検査を行う検査対象である回路基板 (以下、「被検査回路基板」と いう。）を、一対の第 1の検査治具と第 2の検査治具で両面から挟圧することにより、 被検査回路基板の両面に形成された電極をテスターに電気的に接続された状態とし て、被検査回路基板の電気的特性を検査する回路基板の検査装置および回路基板 の検査方法に関する。

背景技術

[0002] 集積回路などを実装するためのプリント回路基板は、集積回路などを実装する前に 、回路基板の配線パターンが所定の性能を有することを確認するために電気的特性 が検査される。

この電気検査では、例えば、回路基板の搬送機構を備えた検査用テスターに検査 ヘッドを組み込み、検査ヘッド部分を交換することにより異なる回路基板の検査を行 つている。

[0003] 例えば、特許文献 1に開示されて!ヽるように、被検査回路基板の被検査電極に接し て電気的に導通する金属の検査ピンを基板に植設した構造の検査治具を用いる方 法が提案されている。

また、特許文献 2に開示されているように、導電ピンを有する検査ヘッドと、オフダリ ットアダプターと呼ばれるピッチ変換用の回路基板と、異方導電性シートとを組み合 わせた検査治具を用いる方法が知られて 、る。

[0004] しカゝしながら、特許文献 1のように、金属検査ピンを直接に被検査回路基板の被検 查電極に接触させる検査治具を用いる方法では、金属力 なる導電ピンとの接触に より被検査回路基板の電極が損傷する可能性がある。

特に、近年では回路基板における回路の微細化、高密度化が進み、このようなプリ ント回路基板を検査する場合、多数の導電ピンを被検査回路基板の被検査電極に 同時に導通接触させるためには、高い圧力で検査治具を加圧することが必要となり、 被検査電極が損傷し易くなる。

[0005] そして、このような微細化、高密度化されたプリント回路基板を検査するための検査 治具では、高密度で多数の金属ピンを基板に植設することが技術的に困難になりつ つある。また、その製造コストも高価となり、さらに、一部の金属ピンが損傷した場合に 、修理、交換することが困難である。

一方、特許文献 2のように、異方導電性シートを使用する検査治具では、被検査回 路基板の被検査電極が、異方導電性シートを介してピッチ変換用基板の電極と接触 することになるため、被検査回路基板の被検査電極が損傷しにくいという利点がある 。また、ピッチ変換を行う基板を使用しているため、基板に植設する検査ピンを、被検 查回路基板の被検査電極のピッチよりも広 、ピッチで植設することができるため、微 細ピッチで検査ピンを植設する必要がなぐ検査治具の製造コストを節約できるという 禾 IJ点ちある。

[0006] し力しながら、この検査治具では、検査対象である被検査回路基板ごとに、ピッチ 変換用基板と、検査ピンを植設する検査治具とを作成する必要があるため、検査され る被検査回路基板であるプリント回路基板と同数の検査治具が必要となる。

このため、複数のプリント回路基板を生産している場合では、それに対応して複数 の検査治具を保有しなければならないという問題がある。特に、近年では電子機器の 製品サイクルが短縮し、製品に使用されるプリント回路基板の生産期間の短縮化が 進んでいるが、これに伴って検査治具を長期間使用することができなくなり、プリント 回路基板の生産が切り替わる度に検査治具を生産しなければならな 、と 、う問題が 生じている。

[0007] このような問題への対策として、例えば、特許文献 3〜5のような、中継ピンユニット を用いる、 、わゆるユニバーサルタイプの検査治具を用いた検査装置が提案されて いる。

図 62は、このようなユニバーサルタイプの検査治具を用いた検査装置の断面図で ある。この検査装置は、一対の第 1の検査治具 11 laと第 2の検査治具 11 lbとを備え 、これらの検査治具は、回路基板側コネクタ 121a、 121bと、中継ピンユニット 131a、 131bと、テスター側コネクタ 141a、 141bとを備えている。 [0008] 回路基板側コネクタ 121a、 121bは、ピッチ変換用基板 123a、 123bと、その両面 側に配置される異方導電性シート 122a、 122b, 126a, 126bとを有している。

中継ピンユニット 131a、 131bは、一定ピッチ（例えば 2. 54mmピッチ）で格子点上 に多数（例えば 5000ピン）配置された導電ピン 132a、 132bと、この導電ピン 132a、 132bを上下へ移動可能に支持する一対の絶縁板 134a、 134bとを有して 、る。

[0009] テスター側コネクタ 141a、 141bは、被検査回路基板 101を検査治具 11 la、 111b で挟圧した際に、テスターと導電ピン 132a、 132bとを電気的に接続するコネクタ基 板 143a、 143bと、コネクタ基板 143a、 143bの導電ピン 132a、 132bftlJに酉己置され る異方導電性シート 142a、 142bと、ベース板 146a、 146bとを有している。

[0010] この中継ピンユニットを使用した検査治具は、異なる被検査対象であるプリント回路 基板を検査する際に、回路基板側コネクタ 121a、 121bを被検査回路基板 101に対 応するものに交換するだけでよぐ中継ピンユニット 13 la、 13 lbとテスター側コネク タ 141a、 141bは共通で使用できる。

ところで、被検査回路基板 101であるプリント配線基板は、多層高密度化してきて おり、実際には厚み方向に、例えば、 BGAなどのハンダボール電極などの被検査電 極 102、 103による高さバラツキや基板自体の反りが生じている。そのため、被検査 回路基板 101上の検査点である被検査電極 102、 103に電気的接続を達成するた めには、第 1の検査治具 11 laと第 2の検査治具 11 lbとを高い圧力で加圧して、被 検査回路基板 101を平坦に変形する必要がある。また、被検査電極 102、 103の高 さバラツキに対しては、第 1の検査治具 11 laと第 2の検査治具 11 lbの被検査電極 1 02、 103の高さに対する追従性が必要となる。

[0011] 従来のこのようなユニバーサルタイプの検査治具では、被検査電極 102、 103の高 さに対する追従性を確保するために、導電ピン 132a、 132bの軸方向移動により追 従していた力 この導電ピン 132a、 132bの軸方向移動量にも限界があるため、この ような被検査電極 102、 103の高さに対する追従性が良好でない場合があり、導通 不良が発生して正確な検査ができないことになる。

[0012] また、このようなユニバーサルタイプの検査治具では、第 1の検査治具 11 laと第 2 の検査治具 111bによって、被検査回路基板 101を挟圧した際のプレス圧力は、そ の上下の異方導電性シート 122a、 122b, 126a, 126b, 142a, 142bにて吸収して いる。

そのため、このようなユニバーサルタイプの検査治具では、ピッチ変換用基板 123a 、 123bを支持しプレス圧を分散させるために、一定間隔で導電ピン 132a、 132bを 配置する必要がある。

[0013] また、従来のユニバーサルタイプの検査治具では、プレス圧力は導電ピン 132a、 1 32bで受けるようになつているため、一定間隔で多数の導電ピン 132a、 132bを配置 する必要がある。

このため、被検査回路基板 101の電極の微細化に対応して、例えば、 0. 75mmピ ツチで 1万以上の貫通孔を有する絶縁板 134a、 134bを形成する場合、絶縁板 134 a、 134bの基板の厚さが薄いと強度が低くなり、曲げた時に割れることもあるので、絶 縁板 134a、 134bの厚さは厚めにする必要があった。

[0014] し力しながら、形成する貫通孔の径が例えば直径 0. 5mm程度と微細になり、絶縁 板 134a、 134bの厚さが 5mm以上になると、一回のドリル加工で貫通孔を形成しょう とする場合に、ドリルの刃の強度の関係で、ドリルの刃の欠損、折れが生じて絶縁板 の加工に失敗する場合が多くなる。

このため、絶縁板の片面力も厚みの半分程度までドリルカ卩ェし、さらに他面側から 同一部分にドリル加工を行うことにより貫通孔を形成することによって絶縁板の加工を 行っているが、この場合、絶縁板に形成する貫通孔数の 2倍のドリル加工作業が必 要となり、加工工程が煩雑となるという問題があった。

[0015] また、従来のこうしたユニバーサルタイプの検査治具では、回路基板側コネクタを構 成する異方導電性シート 122a、 122bとして、厚み方向に延びる複数の導電路形成 部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電 路形成部中にのみ含有されて面方向に不均一に分散され、シート片面側に導電路 形成部が突出した偏在型の異方導電性シートを使用していた。この異方導電性シー トは検査での繰り返し使用により導電路形成部が劣化 (抵抗値の上昇)し、異方導電 性シートを交換する場合、交換の度に異方導電性シートとピッチ変換用基板との位 置合わせ、および回路基板側コネクタと中継ピンユニットとの位置合わせが必要であ り、この位置合わせ作業が煩雑で検査効率の低下の要因となっていた。

[0016] また、被検査回路基板の電極が、例えば 200 μ m以下のような微少ピッチになると 、上記のような異方導電性シートを用いて複数の被検査回路基板について検査を連 続して行った場合、被検査回路基板と繰り返し接触することにより異方導電性シート の位置ずれが生じ易くなる。すると異方導電性シートの導電路形成部と被検査回路 基板の電極位置とがー致しなくなり、良好な電気的接続が得られなくなるため過大な 抵抗値が測定され、本来は良品と判断されるべきプリント回路基板が不良品と誤判 断され易くなる。

[0017] 従来、このような問題を解決するために、表面に検査対象である回路基板の被検 查電極に対応するパターンに従って配置された接続用電極を有し、裏面に格子点位 置に従って配置された端子電極を有するピッチ変換用基板と、このピッチ変換用基 板の表面上に一体的に設けられた異方導電性エラストマ一シートとからなるアダプタ 一装置が提案されて ヽる (特許文献 6および特許文献 7)。

[0018] このようなアダプター装置によれば、回路基板の電気的検査において、異方導電 性エラストマ一シートの位置合わせ作業が不要であり、また、温度変化による熱履歴 などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って高い 接続信頼性が得られる。

しかしながら、図 63に示したように、被検査電極 102 (103)の間のピッチ P1が 100 m以下の場合には、被検査電極 102 (103)の間の離間距離 S1が 50 m以下に なってしまう。このため、図 64に示したように、ピッチ変換用基板 123の接続用電極 1 25の間の離間距離も、被検査電極 102 (103)の間の離間距離 S1と同じぐ 50 m 以下にする必要がある。

[0019] 従って、異方導電性シート 122の導電路形成部間を相互に絶縁する絶縁部の幅も 、これに合わせて、被検査電極 102 (103)の間の離間距離 S1と同じぐ 50 m以下 にする必要がある。

しカゝしながら、被検査電極間の離間距離が 100 m以下であるような、被検査電極 が狭ピッチで配置された回路基板を検査するための偏在型異方導電性エラストマ一 シートを得る場合、上記したように、隣接する導電路形成部間を相互に絶縁する絶縁 部の幅が 50 m以下となるように形成する必要がある力 金型成形によりシートを製 造する従来の方法では、隣接する金型磁極との磁場作用のため 50 m以下の絶縁 部の形成が困難となる。

[0020] このため、この従来の製法による偏在型異方導電性エラストマ一シートでは、シート の厚みにもよるが、回路基板の電極間距離の検査可能な下限は、約 60〜80 /ζ πιで めつに。

このため、被検査電極の離間距離が 50 m以下である、被検査電極が小ピッチで 配置された回路基板を検査するための偏在型異方導電性エラストマ一シートは、金 型法によって成形することがきわめて困難であるため、実質的には得られていない。

[0021] また、アダプター装置として、ピッチ変換用基板の表面に導電性エラストマ一層を 形成した後、導電性エラストマ一層に対してレーザー加工を施してその一部を除去 することにより、ピッチ変換用基板の各接続用電極上に互いに独立した導電路形成 部が形成されたものが提案されて!、る (特許文献 8)。

このようなアダプター装置によれば、導電路形成部の各々は互いに独立した状態 で形成されているため、隣接する導電路形成部間において所要の絶縁性が確実に 得られる。

[0022] し力しながら、このアダプター装置においては、導電路形成部の各々がピッチ変換 用基板の接続用電極のみによって支持されているため、ピッチ変換用基板力も脱落 し易く耐久性が低 、と 、う問題がある。

また、導電路形成部を形成する際には、レーザー加工によってピッチ変換用基板 に損傷を与えるおそれがある、という問題がある。

[0023] 一方、導電性粒子が厚み方向に配列するとともに面方向に均一に分散された、い わゆる分散型の異方導電性エラストマ一シートでは、その厚みを小さくすることにより 高い分解能が得られるため、例えばその厚みを 30 m程度とすることにより、被検査 電極の離間距離が 50 m以下である回路基板を検査することが、その分解能として は可能となる。

しかし、その厚みが 30 m程度であるような、薄い分散型異方導電性エラストマ一 シートでは、異方導電性エラストマ一シートの特性の一つである、シート本体の弾性 による機械的衝撃の吸収能力や、電極同士のソフトな接触による電気的接続を達成 する能力がほとんど無くなってしまうため、多数の高さバラツキを含む被検査電極を 有する被検査回路基板を検査装置に接続する場合に、異方導電性エラストマーシー トの段差級収能力の低下により、多数の被検査電極を同時に接続することが困難と なる。

[0024] 例えば、メツキにより多数の電極が形成される回路基板では、その各々の電極の高 さのバラツキが約 20 m程度となる。分散型異方導電性エラストマ一シートでは、厚 み方向に圧縮された際に、安定して電気的な導通を達成できる圧縮率は約 20%以 下である。例えば 20%を超えて圧縮を行うと、横方向の電気的導通が大きくなり導通 の異方性が損なわれるば力りでなぐ基材となるエラストマ一の永久変形が生じて繰り 返し使用が困難となる。このため、約 20 mの高さバラツキを含む電極を有する回路 基板の検査を行う場合、厚みが 100 m以上の分散型異方導電性エラストマーシー トを使用することが必要となる。

[0025] しかし、厚みが 100 μ m以上の分散型異方導電性エラストマ一シートを使用すると 、被検査電極が 50 m以下の小さいピッチで配置された回路基板を検査することが 、分解能が損なわれるために実質的に不可能となってしまう問題点があった。

さらに、厚みの小さい分散型異方導電性エラストマ一シートは、シート本体の弾性 が低いために機械的衝撃の吸収能力が小さぐ回路基板検査用アダプターに用い て回路基板の繰り返し検査を行った場合に異方導電性エラストマ一シートの劣化が 早ぐそのため頻繁に分散型異方導電性エラストマ一シートを交換しなければならず 、交換作業が繁雑となり、回路基板の検査効率が低くなつてしまう。

[0026] 以上のことから、被検査電極が 50 μ m以下の小さ 、ピッチで配置された回路基板 を検査するための、異方導電性エラストマ一シートを用いた回路基板検査用アダプタ 一では、分解能、段差吸収能、繰り返し使用耐久性を全て満足するものが得られて いなかった。

図 64に示したように、被検査電極 102 (103)の間のピッチ P1が 100 mの場合に は、ピッチ変換基板 123の接続用電極 125の間の離間距離は、被検査電極 102 (1 03)の間の離間距離 S1と同じぐ 50 /z mであればよい。し力しながら、高い精度で回 路基板の潜在的な電気的欠陥を検出するために 4端子検査を行う場合、図 65に示 したように、被検査用回路基板の被検査電極 102 (103)の 1つに対して、ピッチ変換 基板 123の 2つの電極 (電流供給用電極 127および電圧測定用電極 128)を接続す ることになる。

[0027] そのため、ピッチ変換基板 123における電流供給用電極 127と電圧測定用電極 12 8との間の離間距離 S2はさらに小さくなる。例えば、ピッチ変換基板 123の被検査電 極間 102 (103)のピッチ P1が 200 mである場合、被検査電極 102 (103)の直径 R 力 S約 100 mとなり、この直径約 100 mの被検査電極 102 (103)に対して、ピッチ 変換用基板 123における電流供給用電極 127および電圧測定用電極 128が共に接 続されるので、電流供給用電極 127と電圧測定用電極 128との間の離間距離 S2は 、図 65に示したように、 30〜40 m程度しか設けることができない。

[0028] し力しながら、上述したように、従来では、偏在型異方導電性エラストマ一シート、分 散型異方導電性エラストマ一シートのいずれを用いた場合にも、ピッチ変換用基板 における接続用電極の離間距離 S2を 30〜40 μ mとしたアダプター装置は得られて いないのが現状である。

以上のように、従来の偏在型異方導電性シートや分散型異方導電性シートを用い た回路基板の検査装置では、多数の被検査電極を有する回路基板を検査する際に 要求される分解能、段差吸収能、クッション性、耐久性に関して、その全てにおいて 性能が充分なものは得られて 、な力つた。

特許文献 1 特開平 6 - 94768号公報

特許文献 2特開平 5 - 159821号公報

特許文献 3特開平 7 - 248350号公報

特許文献 4特開平 8 - 271569号公報

特許文献 5特開平 8 - 338858号公報

特許文献 6特開平 4 - 151564号公報

特許文献 7特開平 6 - 82531号公報

特許文献 8特開平 10 — 229270号公報

発明の開示 発明が解決しょうとする課題

[0029] 本発明は、検査対象である被検査回路基板が微細ピッチの微小電極を有するもの であっても、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことができる回路基板の検 查装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。

また、本発明は、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに 対する追従性が良好で、導通不良が発生せず、正確な検査を実施することが可能な 回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。

[0030] また、本発明は、一定間隔で導電ピンを配置する必要がなく、そのため、導電ピン を保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なぐコストを低減す ることが可能な回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供することを目 的とする。

また、本発明は、検査対象である被検査回路基板について繰り返し連続検査を行 う際に、異方導電性シートの位置ずれを補正する必要が少なぐ複数の回路基板を 連続的に検査する際にも検査作業を円滑に行うことができる回路基板の検査装置お よび回路基板の検査方法を提供することを目的とする。

[0031] また、本発明は、高い分解能で検査が可能であり、被検査回路基板の被検査電極 による段差を良好に吸収するとともに、繰り返し使用耐久性にも優れた回路基板の検 查装置および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0032] 本発明の回路基板の検査装置は、一対の第 1の検査治具と第 2の検査治具によつ て、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査 を行う回路基板の検査装置であって、

前記第 1の検査治具と第 2の検査治具がそれぞれ、

基板の一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板と、 前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置される第 1の異方導電性シート と、

前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板とは逆側に配置される第 2の異方導電性 シートと、 を備えた回路基板側コネクタと、

所定のピッチで配置された複数の導電ピンと、

前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第 1の絶縁板と第 2の絶縁板と、

を備えた中 «Iピンユニットと、

テスターと前記中継ピンユニットとを電気的に接続するコネクタ基板と、

前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第 3の異方導電性シートと、 前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板と、 を備えたテスター佃 jコネクタと、を備え、

前記中継ピンユニットは、

前記第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間に配置された中間保持板と、

前記第 1の絶縁板と中間保持板との間に配置された第 1の支持ピンと、

前記第 2の絶縁板と中間保持板との間に配置された第 2の支持ピンと、

を備えるとともに、

前記第 1の支持ピンの中間保持板に対する第 1の当接支持位置と、前記第 2の支 持ピンの中間保持板に対する第 2の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投 影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されており、

前記第 1の異方導電性シートは、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これら の導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部 中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに 、シート片面側に導電路形成部が突出しており、

前記第 1の異方導電性シートは、前記ピッチ変換用基板と共に、該第 1の異方導電 性シートとピッチ変換用基板とが一体化されたピッチ変換用アダプタ一体を構成して いることを特徴とする。

このように構成することによって、第 1の検査治具と第 2の検査治具との間で検査対 象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階 では、中継ピンユニットの導電ピンによる厚み方向への移動と、第 1の異方導電性シ ートと、第 2の異方導電性シートと、第 3の異方導電性シートのゴム弾性圧縮にて圧 力を吸収して、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収するこ とがでさる。

[0034] そして、第 1の支持ピンの中間保持板に対する第 1の当接支持位置と、前記第 2の 支持ピンの中間保持板に対する第 2の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に 投影した中間保持板投影面において、異なる位置に配置されているので、第 1の検 查治具と第 2の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際 に、第 1の異方導電性シートと、第 2の異方導電性シートと、第 3の異方導電性シート のゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニットの第 1の絶縁板と、第 2の絶縁板と、第 1 の絶縁板と第 2の絶縁板の間に配置された中間保持板のパネ弾性により、被検査回 路基板の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高さバラツキに 対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することができる。

[0035] これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板の被検査電極の各々に対しても 、安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、異方導電性 シートの局部的な破損が抑制される。その結果、異方導電性シートの繰り返し使用耐 久性が向上するので、異方導電性シートの交換回数が減り、検査作業効率が向上す る。

また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がないので、導電ピンを保持する絶縁 板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なぐコストを低減することができる。

[0036] さらに、第 1の異方導電性シートとして、導電路形成部と絶縁部とからなり、導電性 粒子が導電路形成部中にのみ含有されて面方向に不均一に分散され、シート片面 側に導電路形成部が突出した偏在型の異方導電性シートを使用しているので、検査 治具の押圧による加圧力や衝撃がこのシートで吸収され、被検査回路基板の電極な どを破損損傷することがない。

[0037] また、第 1の異方導電性シートとピッチ変換用基板側が一体化されて、これらによつ てピッチ変換用アダプタ一体を構成しているので、繰り返し連続検査を行う際に、異 方導電性シートの位置ずれを補正する必要が少なぐ検査の作業性が良好で、しか も、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対して良好な電気的接続状態が安 定に維持され、高い接続信頼性が得られる。 [0038] さらに、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず 、被検査回路基板について所要の電気的検査を確実に実行することができ、被検査 回路基板の被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されて ヽる場合であつ ても、被検査回路基板につ ヽて所要の電気的検査を確実に実施することができる。 本発明の回路基板の検査装置は、前記ピッチ変換用アダプタ一体を構成する第 1 の異方導電性シートが、

離型性支持板上に支持され、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態 で弾性高分子物質中に分散された導電性エラストマ一層を、レーザー加工すること により、離型性支持板上に所定のパターンに従って配置された導電路形成部を形成 し、

これらの導電路形成部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる材料からなる絶 縁部用材料層を形成し、次 、で硬化処理することにより絶縁部を形成して得られたも のであることを特徴とする。

[0039] このように、導電性エラストマ一層をレーザー加工して導電路形成部を形成してい るので、導電路形成部は所期の良好な導電性を有して ヽる。

また、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部を形成し、これらの 導電路形成部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる材料よりなる絶縁部用材料 層を形成して、硬化処理することにより絶縁部を形成するため、絶縁部には導電性粒 子が全く存在しない。

[0040] し力も、従来の異方導電性シートを製造するために使用されていた多数の強磁性 体部が配列されてなる金型を用いることが不要である。

従って、接続すべき被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、電 極の各々に対して所要の電気的接続が確実に達成される。また、接続すべき電極が 、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、電極の各々に対して 所要の電気的接続が確実に達成される。しかも、第 1の異方導電性シートを低コスト で製造することができる。

[0041] 本発明の回路基板の検査装置は、前記ピッチ変換用アダプタ一体が、

離型性支持板上に支持され、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態 で弾性高分子物質中に分散された導電性エラストマ一層を、レーザー加工すること により、離型性支持板上に所定のパターンに従って配置された導電路形成部を形成 し、

この導電路形成部が形成された離型性支持板を、硬化されて弾性高分子物質とな る材料からなる未硬化状態の絶縁部用材料層が接続用電極側の面に形成されたピ ツチ変換用基板上に重ね合わせ、

これにより、ピッチ変換用基板におけるそれぞれの接続用電極と、これに対応する 導電路形成部とを対接させ、

この状態で、絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成した後、離型 性支持板を除去することにより得られたものであることを特徴とする。

[0042] このように、導電性エラストマ一層をレーザー加工して導電路形成部を形成してい るので、導電路形成部は所期の良好な導電性を有して ヽる。

また、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部を形成し、これらの 導電路形成部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる材料よりなる絶縁部用材料 層を形成して、硬化処理することにより絶縁部を形成するため、絶縁部には導電性粒 子が全く存在しない。

[0043] また、導電路形成部の各々と絶縁部とがー体的に形成された第 1の異方導電性シ ートの全体がピッチ変換用基板に一体化されて支持されているため、導電路形成部 力 Sピッチ変換用基板力も脱落することがない。

また、レーザー加工による導電路形成部の形成工程は、離型性支持板上において 行われるため、異方導電性シートの形成において、ピッチ変換用基板の表面に損傷 を与えることがない。

[0044] 従って、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず 、被検査電極の各々に対して、所要の電気的接続を確実に達成することができる。ま た、被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、被 検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができ、しカゝも、 製造コストの低減ィ匕を図ることができる。さらに、高い耐久性が得られる。

[0045] さらに、従来の金型成形により異方導電シートを製造する方法ではないので、隣接 する金型磁極との磁場作用の影響がなぐ導電路形成部の離間距離が小さい、例え ば、導電路形成部間の絶縁部の幅が 50 m以下である第 1の異方導電性シートが ピッチ変換用基板に一体化された状態のピッチ変換用アダプタ一体が得られる。 したがって、被検査電極の離間距離が 50 m以下である、被検査電極が小ピッチ で配置された被検査回路基板を検査することが可能である。

[0046] さらに、 4端子検査を行う場合、被検査用回路基板の被検査電極 1つに対してピッ チ変換用基板の 2つの検査電極 (電圧用および電流用）を接続することになり、検査 電極間の離間距離が小さくなるが、このような場合であっても、導電路形成部の離間 距離が充分に小さい第 1の異方導電性シートを備えているので、確実に電気的検査 を実施することができる。

[0047] 本発明の回路基板の検査装置は、前記導電性エラストマ一層が、

離型性支持板上に、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマ一用材料 中に磁性を示す導電性粒子が含有された導電性エラストマ一用材料層を形成し、 該導電性エラストマ一用材料層の表面に、形成すべき導電路形成部のパターンに 従って、磁性を示す金属からなる金属マスクを形成し、

前記導電性エラストマ一用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させることに より、導電性粒子を厚み方向に配向させ、次いで、磁場を作用させた状態で、または 磁場を停止した状態で前記導電性エラストマ一用材料層を硬化処理することにより 得られたものであることを特徴とする。

[0048] このように、磁性を示す金属からなる金属マスクを用いて導電性エラストマ一用材料 層に対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、分散されて 、た導電性粒子 は、金属マスク部分に集中した状態で厚み方向に配向する。

これにより、導電性エラストマ一用材料層における金属マスクが形成されて 、な ヽ 部分の導電性粒子の密度が小さくなる。そのため、レーザー加工による導電路形成 部の形成が容易になる。さらに、厚みの大きい導電性エラストマ一層レーザー加工が 容易となるため、厚みの大きい導電路形成部を確実に得ることができる。

[0049] このような製法により得られた第 1の異方導電性シートを用いた本発明の検査装置 は、接続すべき被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、電極の 各々に対して所要の電気的接続を確実に達成できる。また、接続すべき電極が、そ のピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、電極の各々に対して所 要の電気的接続を確実に達成できる。

[0050] 上記した本発明の検査装置では、前記第 1の異方導電性シートにおける少なくとも 一部の導電路形成部において、互いに隣接する導電路形成部の離間距離が 50 m以下であることが好ましぐより好ましくは 10〜50 μ mである。

このようにすることで、被検査電極の離間距離が 50 m以下である、被検査電極が 微細ピッチで配置された被検査回路基板を検査することが可能である。

[0051] さらに、 4端子検査を行う場合、被検査用回路基板の被検査電極 1つに対してピッ チ変換用基板の 2つの検査電極 (電圧用および電流用）を接続するので、検査電極 間の離間距離が小さくなるが、このような場合であっても確実に電気的検査を実施す ることがでさる。

本発明の回路基板の検査装置は、一対の第 1の検査治具と第 2の検査治具によつ て、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査 を行う回路基板の検査装置であって、

前記第 1の検査治具と第 2の検査治具がそれぞれ、

基板の一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板と、 前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置され、基板に形成された複数 の貫通孔に、弾性高分子物質カゝらなる絶縁部と、導電性粒子を含有する弾性高分 子物質からなり前記絶縁部を厚み方向へ貫通する導電路形成部とが形成された、該 導電路形成部によって前記ピッチ変換用基板と前記被検査回路基板との電気的接 続を中継する中継基板と、

前記ピッチ変換用基板の前記中継基板とは逆側に配置される第 2の異方導電性シ ートと、

を備えた回路基板側コネクタと、

所定のピッチで配置された複数の導電ピンと、

前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第 1の絶縁板と第 2の絶縁板と、 を備えた中 «Iピンユニットと、

テスターと前記中継ピンユニットとを電気的に接続するコネクタ基板と、 前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第 3の異方導電性シートと、 前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板と、 を備えたテスター佃 jコネクタと、を備え、

前記中継ピンユニットは、

前記第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間に配置された中間保持板と、

前記第 1の絶縁板と中間保持板との間に配置された第 1の支持ピンと、 前記第 2の絶縁板と中間保持板との間に配置された第 2の支持ピンと、 を備えるとともに、

前記第 1の支持ピンの中間保持板に対する第 1の当接支持位置と、前記第 2の支 持ピンの中間保持板に対する第 2の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投 影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする。

[0052] このように構成することによって、第 1の検査治具と第 2の検査治具との間で検査対 象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階 では、中継ピンユニットの導電ピンによる厚み方向への移動と、中継基板の弾性部分 と、第 2の異方導電性シートと、第 3の異方導電性シートのゴム弾性圧縮にて圧力を 吸収して、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収することが できる。

[0053] そして、第 1の支持ピンの中間保持板に対する第 1の当接支持位置と、前記第 2の 支持ピンの中間保持板に対する第 2の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に 投影した中間保持板投影面において、異なる位置に配置されているので、第 1の検 查治具と第 2の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際 に、中継基板の弾性部分と、第 2の異方導電性シートと、第 3の異方導電性シートの ゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニットの第 1の絶縁板と、第 2の絶縁板と、第 1の 絶縁板と第 2の絶縁板の間に配置された中間保持板のパネ弾性により、被検査回路 基板の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高さバラツキに対し て、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することができる。 [0054] これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板の被検査電極の各々に対しても 、安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、中継基板の 弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性 が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。

また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がないので、導電ピンを保持する絶縁 板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なぐコストを低減することができる。

[0055] さらに本発明では、導電路形成部とその周囲の絶縁部とからなる弾性部分が基板 に形成された複数の貫通孔のそれぞれに設けられた中継基板を配置しているので、 検査治具の押圧による加圧力や衝撃がこの弾性部分で吸収され、被検査回路基板 の電極などを破損損傷することがな!、。

さらに、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず 、被検査回路基板について所要の電気的検査を確実に実行することができ、被検査 回路基板の被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されて ヽる場合であつ ても、被検査回路基板につ ヽて所要の電気的検査を確実に実施することができる。

[0056] 本発明の回路基板の検査装置は、前記中継基板が、

第 1の離型性支持板上に支持され、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向し た状態で弾性高分子物質中に分散された導電性エラストマ一層を、レーザー加工す ることにより、第 1の離型性支持板上に所定のパターンに従って配置された導電路形 成部を形成し、

第 2の離型性支持板上に支持され、硬化されて弾性高分子物質となる材料からな る未硬化状態の絶縁部用材料層が前記基板における両側表面および貫通孔の内 部に形成された当該基板に対して、導電路形成部が形成された前記第 1の離型性 支持板を、導電路形成部が前記基板の貫通孔に位置するように重ね合わせ、 この状態で、絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成した後、第 1 および第 2の離型性支持板を除去することにより得られたものであることを特徴とする

[0057] このように、導電性エラストマ一層をレーザー加工して導電路形成部を形成してい るので、導電路形成部は所期の良好な導電性を有して ヽる。 また、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部を形成し、これらの 導電路形成部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる材料よりなる絶縁部用材料 層を形成して、硬化処理することにより絶縁部を形成するため、絶縁部には導電性粒 子が全く存在しない。

[0058] し力も、従来の異方導電性シートを製造するために使用されていた多数の強磁性 体部が配列されてなる金型を用いることが不要である。

従って、接続すべき被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、電 極の各々に対して所要の電気的接続が確実に達成される。また、接続すべき電極が 、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、電極の各々に対して 所要の電気的接続が確実に達成される。しかも、中継基板を低コストで製造すること ができる。

[0059] さらに、従来の金型成形により異方導電シートを製造する方法ではないので、隣接 する金型磁極との磁場作用の影響がなぐ導電路形成部の離間距離が小さい、例え ば、導電路形成部間の絶縁部の幅が 50 m以下であるものが得られる。

したがって、被検査電極の離間距離が 50 m以下である、被検査電極が小ピッチ で配置された被検査回路基板を検査することが可能である。

[0060] さらに、 4端子検査を行う場合、被検査用回路基板の被検査電極 1つに対してピッ チ変換用基板の 2つの検査電極 (電圧用および電流用）を接続することになり、検査 電極間の離間距離が小さくなるが、このような場合であっても、導電路形成部の離間 距離が充分に小さ 、中継基板を備えて ヽるので、確実に電気的検査を実施すること ができる。

本発明の回路基板の検査装置は、前記導電性エラストマ一層が、

離型性支持板上に、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマ一用材料 中に磁性を示す導電性粒子が含有された導電性エラストマ一用材料層を形成し、 該導電性エラストマ一用材料層の表面に、形成すべき導電路形成部のパターンに 従って、磁性を示す金属からなる金属マスクを形成し、

前記導電性エラストマ一用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させることに より、導電性粒子を厚み方向に配向させ、次いで、磁場を作用させた状態で、または 磁場を停止した状態で前記導電性エラストマ一用材料層を硬化処理することにより 得られたものであることを特徴とする。

[0061] このように、磁性を示す金属からなる金属マスクを用いて導電性エラストマ一用材料 層に対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、分散されて 、た導電性粒子 は、金属マスク部分に集中した状態で厚み方向に配向する。

これにより、導電性エラストマ一用材料層における金属マスクが形成されて 、な ヽ 部分の導電性粒子の密度が小さくなる。そのため、レーザー加工による導電路形成 部の形成が容易になる。さらに、厚みの大きい導電性エラストマ一層のレーザー加工 が容易となるため、厚みの大きい導電路形成部を確実に得ることができる。

[0062] このような製法により得られた中継基板を用いた本発明の検査装置は、接続すべき 被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、電極の各々に対して所 要の電気的接続を確実に達成できる。また、接続すべき電極が、そのピッチが微小 で高密度に配置されている場合であっても、電極の各々に対して所要の電気的接続 を確実に達成できる。

上記した本発明の検査装置では、前記中継基板における少なくとも一部の導電路 形成部において、互いに隣接する導電路形成部の離間距離が 50 m以下であるこ と力 S好ましく、より好ましくは 10〜50 /ζ πιである。

[0063] このようにすることで、被検査電極の離間距離が 50 m以下である、被検査電極が 微細ピッチで配置された被検査回路基板を検査することが可能である。

さらに、 4端子検査を行う場合、被検査用回路基板の被検査電極 1つに対してピッ チ変換用基板の 2つの検査電極 (電圧用および電流用）を接続するので、検査電極 間の離間距離が小さくなるが、このような場合であっても確実に電気的検査を実施す ることがでさる。

[0064] なお、前記中継基板の片面側もしくは両面側には、導電性粒子が厚み方向に配列 するとともに面方向に均一に分散された第 1の異方導電性シートを配置してもよい。 本発明の回路基板の検査装置は、

一対の第 1の検査治具と第 2の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象で ある被検査回路基板の両面を挟圧した際に、 前記第 1の支持ピンの中間保持板に対する第 1の当接支持位置を中心として、前 記中間保持板が、前記第 2の絶縁板の方向に橈むとともに、

前記第 2の支持ピンの中間保持板に対する第 2の当接支持位置を中心として、前 記中間保持板が、前記第 1の絶縁板の方向に橈むことを特徴とする。

[0065] このように構成すること〖こよって、中間保持板が、第 1の当接支持位置、第 2の当接 支持位置を中心として、相互に反対方向に橈むので、第 1の検査治具と第 2の検査 治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際に、中間保持板の パネ弾性力がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラ ツキに対して、圧力集中を分散させて局部的な応力集中を回避することができ、異方 導電性シートの局部的な破損が抑制される。その結果、異方導電性シートの繰り返し 使用耐久性が向上するので、異方導電性シートの交換回数が減り、検査作業効率が 向上する。

[0066] 本発明の回路基板の検査装置は、前記第 1の支持ピンの中間保持板に対する第 1 の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置され、

前記第 2の支持ピンの中間保持板に対する第 2の当接支持位置が、前記中間保持 板投影面において格子状に配置されており、

前記中間保持板投影面において、隣接する 4個の第 1の当接支持位置力もなる単 位格子領域に、 1個の第 2の当接支持位置が配置されるとともに、

前記中間保持板投影面において、隣接する 4個の第 2の当接支持位置力もなる単 位格子領域に、 1個の第 1の当接支持位置が配置されていることを特徴とする。

[0067] このように構成することによって、第 1の当接支持位置と第 2の当接支持位置が格子 状に配置され、しかも、第 1の当接支持位置と第 2の当接支持位置の格子点位置が 全てずれた位置に配置されることになる。

従って、中間保持板が、第 1の当接支持位置、第 2の当接支持位置を中心として、 相互に反対方向により橈むことになり、第 1の検査治具と第 2の検査治具の間で検査 対象である被検査回路基板を加圧した際に、中間保持板のパネ弾性力がさらに発 揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して圧力集中 を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができる。よって、異方導電 性シートの局部的な破損が抑制され、その結果、異方導電性シートの繰り返し使用 耐久性が向上するので、異方導電性シートの交換回数が減り、検査作業効率が向上 する。

[0068] また、本発明の回路基板の検査装置は、前記中継ピンユニットが、

前記第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間に所定間隔離間して配置された複数個の 中間保持板と、

隣接する中間保持板同士の間に配置された保持板支持ピンと、

を備えるとともに、

少なくとも 1つの中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する 保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して 他面側から当接する第 1の支持ピン、第 2の支持ピン、または保持板支持ピンの該中 間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保 持板投影面にぉ 、て異なる位置に配置されて 、ることを特徴とする。

[0069] このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板によってパネ弾性が さらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して 、圧力集中を分散させて局部的な応力集中をさらに回避することができ、異方導電 性シートの局部的な破損が抑制される。その結果、異方導電性シートの繰り返し使用 耐久性が向上するので、異方導電性シートの交換回数が減り、検査作業効率が向上 する。

[0070] また、本発明の回路基板の検査装置は、全ての前記中間保持板において、該中間 保持板に対して一面側力 当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接 支持位置と、該中間保持板に対して他面側力 当接する第 1の支持ピン、第 2の支 持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間 保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面にぉ 、て異なる位置に配置されて いることを特徴とする。

[0071] これによつて、隣接する中間保持板の間で、保持板支持ピンの中間保持板との当 接支持位置がずれた位置に配置されるので、これらの複数個の中間保持板のパネ 弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに 対して圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、異方 導電性シートの局部的な破損が抑制される。その結果、異方導電性シートの繰り返し 使用耐久性が向上するので、異方導電性シートの交換回数が減り、検査作業効率が 向上する。

[0072] また、本発明の回路基板の検査装置は、前記第 2の異方導電性シートが、厚み方 向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁 部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性 粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出 していることを特徴とする。

また、本発明の回路基板の検査装置は、前記第 3の異方導電性シートが、厚み方 向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁 部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性 粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出 していることを特徴とする。

[0073] このように、第 2の異方導電性シートおよび第 3の異方導電性シートとして、導電路 形成部と絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有されて面方向 に不均一に分散され、シート片面側に導電路形成部が突出した偏在型の異方導電 性シートを使用することにより、検査治具の押圧による加圧力や衝撃がこれらのシー トで吸収され、これにより第 1の異方導電性シートの劣化が抑制される。

[0074] 本発明における一つの態様では、前記複数の導電ピンは、前記第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間の間隔よりも短い棒状の中央部と、該中央部の両端側に形成され 該中央部よりも径カ 、さい一対の端部とからなり、

前記一対の端部がそれぞれ、前記第 1の絶縁板と第 2の絶縁板とに形成された前 記中央部よりも径カ 、さく前記一対の端部よりも径が大きい貫通孔に揷通され、これ により、前記導電ピンが軸方向に移動可能に支持される。

[0075] このように構成することで、導電ピンが、第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間に、軸 方向に移動可能に、且つ脱落しな 、ように保持することができる。

本発明における他の態様では、前記第 1の絶縁板と中間保持板との間、前記第 2 の絶縁板と中間保持板との間、または中間保持板同士の間に、前記導電ピンが挿通 される貫通孔が形成された屈曲保持板が設けられ、

前記複数の導電ピンは、前記第 1および第 2の絶縁板に形成された貫通孔と、前記 屈曲保持板に形成された貫通孔とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧され て前記屈曲保持板の貫通孔の位置で屈曲され、これにより前記導電ピンが軸方向に 移動可能に支持される。

[0076] このように構成することで、導電ピンが、第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間に、軸 方向に移動可能に、且つ脱落しないように保持することができる。さらに、導電ピンと して円柱状である簡易な構造のピンを使用できるため、導電ピンおよびそれを保持 する部材の全体としてのコストを抑えることができる。

本発明の回路基板の検査方法は、前述した回路基板の検査装置を用いた回路基 板の検査方法であって、

一対の第 1の検査治具と第 2の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象で ある被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行うことを特徴とする。

発明の効果

[0077] 本発明によれば、検査対象である被検査回路基板が、例えば被検査電極の離間 距離が 50 m以下であるような、微細ピッチの微小電極を有するものであっても、信 頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことが可能である。

また、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対する追従 性が良好で、導通不良が発生せず、正確な検査を実施することが可能である。

[0078] また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がな 、ので、導電ピンを保持する絶縁 板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なぐコストを低減することができる。 また、検査対象である被検査回路基板について繰り返し連続検査を行う際に、異 方導電性シートの位置ずれを補正する必要が少なぐ複数の回路基板を連続的に 検査する際にも検査作業を円滑に行うことができる。

[0079] また、高分解能で検査が可能であり、且つ、被検査回路基板の被検査電極による 段差を良好に吸収できるとともに、繰り返し使用耐久性も高い。

図面の簡単な説明 [図 1]図 1は、本発明の検査装置における一実施形態を示した断面図である。

[図 2]図 2は、図 1の検査装置の検査使用時における積層状態を示した断面図である

[図 3]図 3は、ピッチ変換用基板の回路基板側の表面を示した図である。

[図 4]図 4は、ピッチ変換用基板のピン側表面を示した図である。

[図 5]図 5は、第 1の異方導電性シートの断面図である。

[図 6]図 6は、ピッチ変換用アダプタ一体を示した断面図である。

[図 7]図 7は、離型性支持板上に導電性エラストマ一用材料層が形成された状態を示 した断面図である。

[図 8]図 8は、導電性エラストマ一用材料層を拡大して示した断面図である。

[図 9]図 9は、導電性エラストマ一用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させ た後の状態を示した断面図である。

[図 10]図 10は、離型性支持板上に導電性エラストマ一層が形成された状態を示した 断面図である。

[図 11]図 11は、導電性エラストマ一層上に金属薄層が形成された状態を示した断面 図である。

[図 12]図 12は、金属薄層上に開口を有するレジスト層が形成された状態を示した断 面図である。

[図 13]図 13は、レジスト層の開口内に金属マスクが形成された状態を示した断面図 である。

[図 14]図 14は、離型性支持板上に特定のパターンに従って複数の導電路形成部が 形成された状態を示した断面図である。

[図 15]図 15は、レーザー加工によって導電路形成部を形成する工程を示した断面 図である。

[図 16]図 16は、レーザー加工によって導電路形成部を形成する工程を示した上面 図である。

[図 17]図 17は、金属薄層に開口が形成されたレジスト層が積層された積層体を示し た断面図である。 [図 18]図 18は、図 17におけるレジスト層の開口内に金属マスクを形成した複合フィ ルムの断面図である。

[図 19]図 19は、離型性支持板上に導電性エラストマ一用材料層が形成された状態 を示した断面図である。

[図 20]図 20は、導電性エラストマ一用材料層上に複合フィルムを重ね合わせた状態 を示した断面図である。

[図 21]図 21は、図 20の積層体に対してその厚み方向に磁場を作用させた後の状態 を示した断面図である。

[図 22]図 22は、離型性支持板上に導電性エラストマ一層が形成された状態を示した 断面図である。

[図 23]図 23は、図 22における金属薄層を除去した後の状態を示した断面図である。

[図 24]図 24は、離型性支持板上に特定のパターンに従って複数の導電路形成部が 形成された状態を示した断面図である。

[図 25]図 25は、ピッチ変換用基板の断面図である。

圆 26]図 26は、ピッチ変換用基板の表面に絶縁部用材料層が形成された状態を示 した断面図である。

[図 27]図 27は、絶縁部用材料層が形成されたピッチ変換用基板の上に、導電路形 成部が形成された離型性支持板が重ね合わされた状態を示した断面図である。

[図 28]図 28は、隣接する導電路形成部の間に絶縁部が形成された状態を示した断 面図である。

[図 29]図 29は、ピッチ変換用アダプタ一体を示した断面図である。

[図 30]図 30は、ピッチ変換用アダプタ一体における他の例を示した断面図である。

[図 31]図 31は、図 30のピッチ変換用アダプタ一体の拡大断面図である。

[図 32]図 32は、図 30のピッチ変換用アダプタ一体を構成するピッチ変換用基板を示 した断面図である。

[図 33]図 33は、第 2の異方導電性シートの断面図である。

[図 34]図 34は、中継ピンユニットの断面図である。

[図 35]図 35は、中継ピンユニットの導電ピン、中間保持板および絶縁板の一部を示 した断面図である。

[図 36]図 36は、中継ピンユニットにおける他の例を示した図 35と同様の断面図であ る。

[図 37]図 37は、図 36の構成において第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間に導電ピン を配置するまでの工程を示した断面図である。

[図 38]図 38は、屈曲保持板を配置した中継ピンユニットの断面図である。

[図 39]図 39は、中継ピンユニットの中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投 影面の部分拡大図である。

[図 40]図 40は、本発明の検査装置の実施形態を示した一部断面図である。

[図 41]図 41は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。

[図 42]図 42は、本発明の検査装置における中継ピンユニットの使用状態を説明する 断面図である。

[図 43]図 43は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。

[図 44]図 44は、本発明の検査装置における他の実施形態を示した図 40と同様の一 部断面図である。

[図 45]図 45は、図 44の実施形態における中継ピンユニットの断面図である。

[図 46]図 46は、本発明の検査装置における一実施形態を示した断面図である。

[図 47]図 47は、図 46の検査装置の検査使用時における積層状態を示した断面図で ある。

[図 48]図 48は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を積層した状 態を示した断面図である。

[図 49]図 49 (a)は、中継基板の部分断面図、図 49 (b)は、その拡大図、図 49 (c)は 、中継基板の部分上面図である。

[図 50]図 50は、中継基板の製造工程を説明する断面図である。

[図 51]図 51は、中継基板の製造工程を説明する断面図である。

[図 52]図 52は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を、第 1の異方 導電性シートを介して積層した状態を示した部分断面図である。

[図 53]図 53は、第 1の異方導電性シートの部分断面図である。 [図 54]図 54は、本発明の検査装置の実施形態を示した一部断面図である。

[図 55]図 55は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。

[図 56]図 56は、本発明の検査装置における中継ピンユニットの使用状態を説明する 断面図である。

[図 57]図 57は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。

[図 58]図 58は、本発明の検査装置における他の実施形態を示した図 54と同様の一 部断面図である。

[図 59]図 59は、図 58の実施形態における中継ピンユニットの断面図である。

[図 60]図 60は、ピッチ変換用アダプタ一体における対をなす接続電極間の絶縁抵 抗の評価試験方法を示した図である。

[図 61]図 61は、比較例における絶縁抵抗の評価試験方法を示した図である。

[図 62]図 62は、従来における回路基板の検査装置の断面図である。

[図 63]図 63は、被検査回路基板の被検査電極のピッチと、電極離間距離との関係を 示した図である。

[図 64]図 64は、被検査回路基板の被検査電極のピッチと、電極離間距離と、ピッチ 変換用基板の接続用電極との関係を示した図である。

[図 65]図 65は、 4端子検査の場合における、被検査回路基板の被検査電極のピッチ と、電極離間距離と、ピッチ変換用基板の接続用電極との関係を示した図である。 符号の説明

1 被検査回路基板

2 被検査電極

3 被検査電極

11a 第 1の検査治具

l ib 第 2の検査治具

21a, 21b 回路基板側コネクタ

22a, 22b 第 1の異方導電性シート

23a, 23b ピッチ変換用基板

24a, 24b 端子電極 a, 25b 接続用電極

a, 26b 第 2の異方導電性シートa, 27b 電流供給用電極a, 28b 電圧測定用電極a, 29b 中継基板

a, 31b 中継ピンユニットa, 32b 導電ピン

a, 33b 第 1の支持ピンa, 34b 第 1の絶縁板

a, 35b 第 2の絶縁板

a, 36b 中間保持板

a, 37b 第 2の支持ピン

A 第 1の当接支持位置

B 第 2の当接支持位置

保持板支持ピン

A 当接支持位置

a, 41b テスター側コネクタa, 42b 第 3の異方導電性シートa, 43b コネクタ基板

a, 44b テスター側電極a, 45b ピン側電極

a, 46b ベース板

a,49b 支持ピン

絶縁基板

配線

内部配線

絶縁層

絶縁層 ピッチ変換用アダプタ一体 導電路形成部

a 突出部

A 導電性エラストマ一用材料層B 導電性エラストマ一層 絶縁部

A 絶縁部用材料層

シート基材

金属膜

離型性支持板

金属薄層

レジスト層

a 開口

金属マスク

複合フィルム

導電路形成部

a 突出部

絶縁部

基板

貫通孔

ガラスエポキシ基板 分散型異方導電性シートa, 81b 端部

中央部

, 83a, 83b 貫通孔

屈曲保持板

貫通孔

貫通孔 101 被検査回路基板

102 被検査電極

103 被検査電極

11 1a 第 1の検査治具

111b 第 2の検査治具

121aゝ 121b 回路基板側コネクタ

122a, 122b 第 1の異方導電性シ -卜

123a, 123b ピッチ変換用基板

124a, 124b 端子電極

125a, 125b 接続用電極

126a, 126b 第 2の異方導電性シ -卜

127a, 127b 電流供給用電極

128a, 128b 電圧測定用電極

131a, 131b 中継ピンユニット

132a, 132b 導電ピン

133a, 133b 支持ピン

134a, 134b 絶縁板

141a, 141b テスター側コネクタ

142a, 142b 第 3の異方導電性シ -卜

143a, 143b コネ、クタ基板

144a, 144b テスター側電極

145a, 145b ピン側電極

146a, 146b ベース板

A 中間保持板投影面

P 導電性粒子

L1 距離

L2 距離

Q1 対角線 Q2 対角線

Rl 単位格子領域

R2 単位格子領域

発明を実施するための最良の形態

[0082] 以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。なお、以降の記 述において、第 1の検査治具と第 2の検査治具における一対の同一の構成要素 (例 えば回路基板側コネクタ 21aと回路基板側コネクタ 21b、第 1の異方導電性シート 22 aと第 1の異方導電性シート 22bなど）を総称する場合には、記号「a」、「b」を省略す ることがある (例えば、第 1の異方導電性シート 22aと第 1の異方導電性シート 22bとを 総称して「第 1の異方導電性シート 22」と記述することがある)。

[0083] 図 1は、本発明の検査装置の実施形態を示した断面図、図 2は、図 1の検査装置の 検査使用時における積層状態を示した断面図である。

この検査装置は、集積回路などを実装するためのプリント回路基板などの検査対象 である被検査回路基板 1にお 、て、被検査電極間の電気抵抗を測定することにより 被検査回路基板の電気検査を行うものである。

[0084] そして、この検査装置には、図 1および図 2に示したように、被検査回路基板 1の上 面側に配置される第 1の検査治具 11aと、下面側に配置される第 2の検査治具 l ibと 力 上下に互いに対向するように配置されている。

第 1の検査治具 11aは、その両側に異方導電性シート 22a、 26aを備えた回路基板 側コネクタ 21aと、中継ピンユニット 31aを備えている。また、第 1の検査治具 11aは、 その中継ピンユニット 3 la側に第 3の異方導電性シート 42aが配置されるコネクタ基 板 43aと、ベース板 46aとを備えたテスター側コネクタ 41aを備えて ヽる。

[0085] 第 2の検査治具 l ibも、第 1の検査治具 11aと同様に構成され、その両側に異方導 電性シート 22b、 26bを備えた回路基板側コネクタ 21bと、中継ピンユニット 31bを備 えている。また、第 2の検査治具 l ibは、その中継ピンユニット 3 lb側に異方導電性 シート 42bが配置されるコネクタ基板 43bと、ベース板 46bとを備えたテスター側コネ クタ 41bを備えている。

[0086] 被検査回路基板 1の上面には、被検査用の電極 2が形成され、その下面にも被検 查用の電極 3が形成されており、これらは互 ヽに電気的に接続されて!ヽる。

回路基板側コネクタ 21a, 21bは、ピッチ変換用基板 23a, 23bと、その両側に配置 される第 1の異方導電性シート 22a, 22bおよび第 2の異方導電性シート 26a, 26bを 有している。

[0087] 図 3は、ピッチ変換用基板の被検査回路基板側の表面を示した図、図 4は、その中 継ピンユニット側の表面を示した図、図 6は、ピッチ変換用基板と第 1の異方導電性 シートとからなるピッチ変換用アダプタ一体を示した断面図である。

ピッチ変換用基板 23の一方の表面、すなわち、被検査回路基板 1側には、図 3〖こ 示したように、被検査回路基板 1の電極 2、 3に電気的に接続される複数の接続用電 極 25が形成されている。これらの接続電極 25は、被検査回路基板 1の被検査電極 2 , 3のパターンに対応するように配置されている。

[0088] 一方、ピッチ変換用基板 23の他方の表面、すなわち、被検査回路基板 1と反対側 には、図 4に示したように、中継ピンユニット 31の導電ピン 32a、 32bに電気的に接続 される複数の端子電極 24が形成されている。これらの端子電極 24は、例えば、 2. 5 4mm、 1. 8mm、 1. 27mm、 1. 06mm、 0. 8mm、 0. 75mm、 0. 5mm、 0. 4om m、 0. 3mmまたは 0. 2mmである一定ピッチの格子点上に配置されており、そのピ ツチは中継ピンユニットの導電ピン 32a、 32bの配置ピッチと同一である。

[0089] 図 3のそれぞれの接続電極 25は、配線 52および絶縁基板 51の厚み方向に貫通 する内部配線 53 (図 6を参照）によって、対応する図 4の端子電極 24に電気的に接 続されている。

ピッチ変換用基板 23の表面における絶縁部は、例えば、図 6に示したように、絶縁 基板 51の表面に、それぞれの接続電極 25が露出するように形成された絶縁層 54で 構成される。この絶縁層 54の厚みは、好ましくは 5〜： L00 μ m、より好ましくは 10〜6 0 mである。この厚みが過小である場合、表面粗さが小さい絶縁層を形成すること が困難となることがある。一方、この厚みが過大である場合、接続電極 25と第 1の異 方導電性シート 22との電気的接続が困難となることがある。

[0090] ピッチ変換用基板の絶縁基板 51を形成する材料としては、一般にプリント回路基 板の基材として使用されるものを用いることができる。具体的には、例えばポリイミド榭 脂、ガラス繊維補強型ポリイミド榭脂、ガラス繊維補強型エポキシ榭脂、ガラス繊維補 強型ビスマレイミドトリアジン榭脂などを挙げることができる。

図 6の絶縁層 54、 55の形成材料としては、薄膜状に成形可能な高分子材料を用 いることができる。その具体例としては、例えばエポキシ榭脂、アクリル榭脂、フエノー ル榭脂、ポリイミド榭脂、ポリアミド榭脂、これらの混合物、レジスト材料などを挙げるこ とがでさる。

[0091] ピッチ変換用基板 23は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、平板 状の絶縁基板の両面に金属薄層を積層した積層材料を用意し、この積層材料に対 して、形成すべき端子電極のパターンに対応し、積層材料の厚み方向に貫通する複 数の貫通孔を、数値制御型ドリリング装置、フォトエッチング処理、レーザー加工処理 などにより形成する。

[0092] 次いで、積層材料に形成された貫通孔内に無電解メツキおよび電解メツキを施すこ とによって、基板両面の金属薄層に連結されたノィァホールを形成する。その後、金 属薄層に対してフォトエッチング処理を施すことにより、絶縁基板の表面に配線パタ ーンおよび接続電極を形成するとともに、反対側の表面に端子電極を形成する。 そして、図 6に示したように、絶縁基板 51の表面に、それぞれの接続電極 25が露 出するように絶縁層 54を形成するとともに、反対側の表面に、それぞれの端子電極 2 4が露出するように絶縁層 55を形成することにより、ピッチ変換用基板 23が得られる oなお、絶縁層 55の厚みは、好ましくは 5〜： LOO m、より好ましくは 10〜60 mで ある。

[0093] 図 6に示したように、ピッチ変換用基板 23は、第 1の異方導電性シート 22に一体ィ匕 されている。第 1の異方導電性シート 22とピッチ変換用基板 23とにより、ピッチ変換 用アダプタ一体 60が構成されている。

このピッチ変換用回路基板 23と一体化される第 1の異方導電性シート 22は、図 5に 示したように、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子 Pが厚み方向に配 列して形成された導電路形成部 61と、それぞれの導電路形成部 61を離間する絶縁 部 62と、力も構成されている。

[0094] 導電性粒子 Pは導電路形成部 61中にのみ含有され、これにより、面方向に不均一 に分散されている。

導電路形成部 61のパターンは、接続すべき電極である被検査回路基板の被検査 電極のパターンに対応して 、る。

導電路形成部 61では、絶縁性の弾性高分子物質中に、磁性を示す導電性粒子 P が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されている。これに対し、絶縁部 62は、 導電性粒子 Pを全く含有しな!ヽ弾性高分子物質により構成されて!ヽる。導電路形成 部 61を構成する弾性高分子物質と絶縁部 62を構成する弾性高分子物質とは、互い に異なる種類のものであっても同じ種類のものであってもよい。

[0095] 図 5に示したように、第 1の異方導電性シート 22における被検査回路基板と接する 側の面には、導電路形成部 61が絶縁部 62の表面力も突出した突出部 61aが形成さ れている。

このように突出部 61aを設けることで、導電路形成部 61における加圧による圧縮の 程度が絶縁部 62よりも大きくなるので、充分に抵抗値の低!、導電路が確実に導電路 形成部 61に形成される。これにより、加圧力の変化に対して抵抗値の変化を小さくす ることができる。その結果、第 1の異方導電性シート 22に作用される加圧力が不均一 であっても、それぞれの導電路形成部 61間における導電性のバラツキを防止するこ とがでさる。

[0096] 導電路形成部 61および絶縁部 62を構成する弾性高分子物質としては、架橋構造 を有する高分子物質が好まし 、。このような弾性高分子物質を得るために用いること のできる硬化性の高分子物質形成材料の具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然 ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン一ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル一ブタ ジェン共重合体ゴムなどの共役ジェン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン ブタジエン ジェンブロック共重合体ゴム、スチレン イソプレンブロック共重合体な どのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添カ卩物、クロ口プレン、ウレタンゴム、ポ リエステル系ゴム、ェピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン一プロピレン共重 合体ゴム、エチレン プロピレン ジェン共重合体ゴムなどが挙げられる。

[0097] 第 1の異方導電性シート 22に耐候性が要求される場合には、共役ジェン系ゴム以 外のものを用いることが好ましぐ特に、成形加工性および電気特性の観点からシリコ ーンゴムを用いることが好ましい。シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋 または縮合したものが好ましい。液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度 10^_1secで 10⁵ポアズ以下であることが好ましぐ縮合型のもの、付加型のもの、ビュル基ゃヒドロ キシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、例えばジメチル シリコーン生ゴム、メチルビ-ルシリコーン生ゴム、メチルフエ-ルビ-ルシリコーン生 ゴムなどを挙げることができる。

[0098] また、シリコーンゴムは、その分子量 Mw (標準ポリスチレン換算重量平均分子量を いう。）力 0000〜40000であること力 子ましい。また、耐熱性の点から、分子量分布 指数 (標準ポリスチレン換算重量平均分子量 Mwと標準ポリスチレン換算数平均分 子量 Mnとの比 MwZMnの値をいう。 )が 2以下であることが好ましい。

導電路形成部 61に含有される導電性粒子 Pとしては、後述する方法により導電性 粒子を容易に厚み方向に並ぶよう配向させることができることから、磁性を示す導電 性粒子が用いられる。

[0099] このような導電性粒子の具体例としては、鉄、コバルト、ニッケルなどの磁性を有す る金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、また はこれらの粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に金、銀、ノ ラジウム、ロジウムなどの導 電性の良好な金属のメツキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビ ーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に、 -ッケ ル、コバルトなどの導電性磁性金属のメツキを施したものなどが挙げられる。

[0100] これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に導電性の良好な金のメッ キを施したものを用いることが好ま 、。

芯粒子の表面に導電性金属を被覆する方法としては、例えばィ匕学メツキ、電解メッ キなどを挙げることができる。

導電性粒子として芯粒子の表面に導電性金属を被覆したものを用いる場合には、 良好な導電性が得られる点から、粒子表面における導電性金属の被覆率 (芯粒子の 表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が 40%以上であることが好ましく、 さらに好ましくは 45%以上、特に好ましくは 47〜95%である。

[0101] 導電性金属の被覆量は、芯粒子の 0. 5〜50質量％であることが好ましぐより好ま しくは 2〜30質量％、さらに好ましくは 3〜25質量％、特に好ましくは 4〜20質量％ である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の 0. 5 〜30質量％であることが好ましぐより好ましくは 2〜20質量％、さらに好ましくは 3〜 15質量％でぁる。

[0102] 導電性粒子の粒子径は、 1-100 μ mであることが好ましぐより好ましくは 2〜50

μ m、さらに好ましくは 3〜30 μ m、特〖こ好ましくは 4〜20 μ mである。

導電性粒子 Pの粒子径分布（DwZDn)は、 1〜10であることが好ましぐより好まし くは 1. 01〜7、さらに好ましくは 1. 05〜5、特に好ましくは 1. 1〜4である。

[0103] このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、得られる導電路形成部 6 1は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電路形成部 61において導電性粒子間 に十分な電気的接触が得られる。

導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に 容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝 集した 2次粒子であることが好まし 、。

[0104] また、導電性粒子として、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤や 潤滑剤で処理されたものを適宜用いることができる。カップリング剤や潤滑剤で粒子 表面を処理することにより、異方導電性シートの耐久性が向上する。

このような導電性粒子は、導電路形成部中に体積分率で好ましくは 15〜45%、よ り好ましくは 20〜40%となる割合で含有される。この割合が過小である場合には、十 分に電気抵抗値の小さい導電路形成部 61が得られないことがある。一方、この割合 が過大である場合には、得られる導電路形成部 61は脆弱なものとなりやすぐ導電 路形成部 61として必要な弾性が得られな ヽことがある。

[0105] 導電路形成咅 61の厚み ίま、好ましく ίま 20〜250 μ m、より好ましく ίま 30〜200 μ mである。この厚み過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低くなる。 一方、この厚み過大である場合、良好な導電性が得られないことがある。

導電路形成部 61における突出部 61aの突出高さは、導電路形成部 61の厚みの 5 〜70%であることが好ましぐより好ましくは 10〜60%である。

[0106] 以下に、第 1の異方導電性シート 22がピッチ変換用基板 23側に一体化されたピッ チ変換用アダプタ一体 60の製造方法の一例を説明する。先ず、第 1の異方導電性 シート 22における導電路形成部 61を形成する。

1.導電性エラストマ一層の形成

先ず、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマ一用材料中に磁性を示 す導電性粒子が分散された導電性エラストマ一用材料を調製する。そして、図 7に示 したように、導電路形成部を形成するための離型性支持板 65上に、導電性エラスト マー用材料を塗布することによって導電性エラストマ一用材料層 61Aを形成する。こ こで、導電性エラストマ一用材料層 61A中には、図 8に示したように、磁性を示す導 電性粒子 Pがランダムに分散された状態で含有されている。

[0107] 次いで、導電性エラストマ一用材料層 61Aに対してその厚み方向に磁場を作用さ せることにより、図 9に示したように、導電性エラストマ一用材料層 61A中に分散され ていた導電性粒子 Pを、導電性エラストマ一用材料層 61Aの厚み方向に並ぶよう配 向させる。

そして、導電性エラストマ一用材料層 61Aに対する磁場の作用を継続しながら、ま たは、磁場の作用を停止した後に、導電性エラストマ一用材料層 61Aの硬化処理を 行うことにより、図 10に示したように、弾性高分子物質中に導電性粒子 Pが厚み方向 に並ぶよう配向した状態で含有された導電性エラストマ一層 61Bが、離型性支持板 6 5上に支持された状態で形成される。

[0108] 離型性支持板 65を構成する材料としては、金属、セラミックス、榭脂およびこれらの 複合材などを用いることができる。

導電性エラストマ一用材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷などの印刷法、 ロール塗布法、ブレード塗布法などを利用することができる。

導電性エラストマ一用材料層 61Aの厚みは、形成すべき導電路形成部の厚みに 応じて設定される。

[0109] 導電性エラストマ一用材料層 61Aに磁場を作用させる手段としては、電磁石、永久 磁石などを用いることができる。

導電性エラストマ一用材料層 61Aに作用させる磁場の強度は、 0. 2〜2. 5テスラと なる大きさが好ましい。 導電性エラストマ一用材料層 61Aの硬化処理は、通常、加熱処理によって行われ る。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性エラストマ一用材料層 61Aを構成 するエラストマ一用材料の種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適 宜設定される。

[0110] この導電性エラストマ一層 61Bから、以下のようにして、ピッチ変換用基板 23の接 続用電極 25に対応したパターンに従って複数の導電路形成部 61を形成する。（図 1 1〜図 14)

2.導電路形成部 61の形成

図 11に示したように、離型性支持板 65上に支持された導電性エラストマ一層 61B の表面に、メツキ電極用の金属薄層 66を形成する。

[0111] 次いで、図 12に示したように、この金属薄層 66上に、フォトリソグラフィ一の手法に より、形成すべき導電路形成部のパターン、すなわち接続すべき電極のパターンに 対応する所定のパターンに従って、複数の開口 67aが形成されたレジスト層 67を形 成する。

その後、図 13、図 15 (a)および図 16 (a)に示したように、金属薄層 66をメツキ電極 として、金属薄層 66におけるレジスト層 67の開口 67aから露出した部分に電解メツキ 処理を施すことにより、レジスト層 67の開口 67a内に金属マスク 68を形成する。

[0112] 次に、導電性エラストマ一層 61Bと、金属薄層 66と、レジスト層 67に対してレーザ 一加工を施すことにより、図 15 (b)および図 16 (b)に示したように、金属マスク 68の 周辺のレジスト層 67と、金属薄層 66と、導電性エラストマ一層 61 Bとを除去する。こ れにより、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部 61が離型性支 持板 65上に支持された状態で形成される。

[0113] その後、導電路形成部 61以外の導電性エラストマ一層 61Bを剥離除去することに より、図 14、図 15 (c)および図 16 (c)に示したように、離型性支持板 65上に導電路 形成部 61のみを残す。そして、導電路形成部 61の表面力も残存する金属薄層 66と 金属マスク 68を剥離する。

これにより、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部 61が、離型 性支持板 65上に支持された状態で形成される。 [0114] 導電性エラストマ一層 61Bの表面に金属薄層 66を形成する方法としては、無電解 メツキ法、スノッタ法などを利用することができる。

金属薄層 66を構成する材料としては、銅、金、アルミニウム、ロジウムなどを用いる ことができる。

金属薄層 66の厚みは、 0. 05〜2 mであることが好ましぐより好ましくは 0. 1〜1 /z mである。この厚みが過小である場合には、均一な薄層が形成されず、メツキ電極 として不適なものとなることがある。一方、この厚みが過大である場合には、レーザー 加工によって除去することが困難となることがある。

[0115] レジスト層 67の厚みは、形成すべき金属マスク 68の厚みに応じて設定される。

金属マスク 68を構成する材料としては、銅、鉄、アルミゥニム、金、ロジウムなどを用 いることがでさる。

金属マスク 68の厚みは、 2 μ m以上であることが好ましぐより好ましくは 5〜20 μ m である。この厚みが過小である場合には、レーザーに対するマスクとして不適なものと なることがある。

[0116] レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものが好ましぐこ れにより、 目的とする形態の導電路形成部 61を確実に形成することができる。

第 1の異方導電性シート 22における導電路形成部 61は、上述した方法の他に、以 下の方法によって形成することができる。

1.複合フィルムの形成

図 17に示したように、メツキ電極用の金属薄層 66上に、フォトリソグラフィ一の手法 により、形成すべき導電路形成部のパターン、すなわち接続すべき電極のパターン に対応する所定のパターンに従って複数の開口 67aが形成されたレジスト層 67を形 成する。

[0117] その後、図 18に示したように、金属薄層 66をメツキ電極として、金属薄層 66におけ るレジスト層 67の開口 67aから露出した部分に電解メツキ処理を施すことにより、レジ スト層 67の開口 67a内に金属マスク 68を形成する。これにより、複合フィルム 69が得 られる。

ここで、金属薄層 66としては、金属箔、金属板などを用いることができる。また、榭 脂フィルムに一体化された金属箔ゃ、無電解メツキ法、スパッタ法などにより榭脂フィ ルム上に形成した金属薄層などを用いることができる。

[0118] 金属薄層 66の材料としては、銅、金、アルミニウム、ロジウムなどを用いることができ る。

金属薄層 66の厚みは、 0. 05〜2 mであることが好ましぐより好ましくは 0. 1〜1 /z mである。この厚みが過小である場合には、均一な薄層が形成されず、メツキ電極 として不適なものとなることがある。一方、この厚みが過大である場合には、レーザー 加工によって除去することが困難となることがある。

[0119] レジスト層 67の厚みは、形成すべき金属マスク 68の厚みに応じて設定される。

金属マスク 68を構成する材料としては、磁性を示す金属が使用される。その具体例 としては、ニッケル、コノ レト、およびこれらの合金などを挙げることができる。

金属マスク 68の厚みは、 2 μ m以上であることが好ましぐより好ましくは 5〜20 μ m である。この厚みが過小である場合には、レーザーに対するマスクとして不適なものと なることがある。

2.導電性エラストマ一層の形成

先ず、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマ一用材料中に磁性を示 す導電性粒子が分散された導電性エラストマ一用材料を調製する。そして、図 19〖こ 示したように、導電路形成部を形成するための離型性支持板 65上に、導電性エラス トマ一用材料を塗布することによって導電性エラストマ一用材料層 61Aを形成する。 ここで、導電性エラストマ一用材料層 61A中は、磁性を示す導電性粒子 Pがランダム に分散された状態で含有されて 、る。

[0120] 次いで、複合フィルム 69を、その金属薄層 66が形成されていない側の面が導電性 エラストマ一用材料層 61Aに接するようにして積層する。

その後、導電性エラストマ一用材料層 61Aに対してその厚み方向に磁場を作用さ せることにより、図 21に示したように、分散されていた導電性粒子 Pを、磁性を示す金 属からなる金属マスク 68の部分に集中させると共に、厚み方向に並ぶように配向させ る。磁性を示す金属力もなる金属マスク 68の作用により、金属マスク 68の領域にお ける磁場の強度が強くなるので、導電性粒子 Pが金属マスク 68の部分に集中しつつ 配向がなされる。これにより、導電性エラストマ一用材料層 61Aにおいて、金属マスク 68の部分における導電性粒子 Pの密度が高くなり、金属マスク 68が形成されていな V、部分では導電性粒子の密度が低くなる。

[0121] そして、導電性エラストマ一用材料層 61Aに対する磁場の作用を継続しながら、ま たは、磁場の作用を停止した後に、導電性エラストマ一用材料層 61Aの硬化処理を 行うことにより、図 22に示したように、弾性高分子物質中に導電性粒子 Pが厚み方向 に並ぶよう配向した状態で含有された導電性エラストマ一層 61Bが、離型性支持板 6 5上に支持された状態で形成される。

[0122] 離型性支持板 65を構成する材料、導電性エラストマ一用材料を塗布する方法、導 電性エラストマ一用材料層 61Aの厚み、導電性エラストマ一用材料層 61Aに磁場を 作用させるときの条件等は、前述した導電路形成部の形成方法において説明したと おりである。

その後、図 23に示したように、この導電性エラストマ一層 61Bの表面に一体ィ匕され た金属薄層 66を除去する。金属薄層 66の除去は、エッチング、機械的剥離、機械 的研磨等により行うことができる。

2.導電路形成部 61の形成

この導電性エラストマ一層 61Bから、前述した方法に準じて、ピッチ変換用基板 23 の接続用電極 25に対応したパターンに従って複数の導電路形成部 61を形成する。 すなわち、導電性エラストマ一層 61Bとレジスト層 67に対してレーザー加工を施すこ とにより、金属マスク 68の周辺のレジスト層 67と導電性エラストマ一層 61Bとを除去 する。これにより、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部 61が離 型性支持板 65上に支持された状態で形成される。

[0123] その後、導電路形成部 61以外の導電性エラストマ一層 61Bを剥離除去することに より、図 24に示したように、離型性支持板 65上に導電路形成部 61のみを残す。そし て、導電路形成部 61の表面から残存する金属マスク 68を剥離する。

レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものが好ましぐこ れにより、目的とする形態の導電路形成部 61を確実に形成することができる。

[0124] 以上のようにして得られた、離型性支持板 65上に形成された複数の導電路形成部 61を用いて、以下の工程によってピッチ変換用アダプタ一体 60を得る。先ず、図 25 に示したピッチ変換用基板 23の表面に、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質とな る液状のエラストマ一用材料を塗布することにより、図 26に示したように未硬化状態 の絶縁部用材料層 62Aを形成する。

[0125] 次いで、図 27に示したように、複数の導電路形成部 61が形成された離型性支持板 65を、絶縁部用材料層 62Aが形成されたピッチ変換用基板 23上に重ね合わせ、ピ ツチ変換用基板 23の接続用電極 25の各々と、これに対応する導電路形成部 61とを 対接させる。これにより、隣接する導電路形成部 61の間に絶縁部用材料層 62Aが形 成された状態となる。

[0126] その後、この状態で、または、離型性支持板 65を加圧して導電路形成部 61を弾性 的に圧縮した状態で、絶縁部用材料層 62Aの硬化処理を行うことにより、図 28に示 したように、隣接する導電路形成部 61の間にこれらを相互に絶縁する絶縁部 62が、 導電路形成部 61とピッチ変換用基板 23に一体的に形成される。

そして、離型性支持板 65から離型させることにより、ピッチ変換用基板 23の表面に 第 1の異方導電性シート 22がー体的に形成された、図 29 (a)に示した構成のピッチ 変換用アダプタ一体 60が得られる。

[0127] なお、図 29 (b)に示したように、導電路形成部 61の先端部に、金属膜 64を形成し てもよい。このような金属膜は、例えば金属メツキによる方法、スパッタ法などによる蒸 着、金属プレートを接着剤によって導電路形成部 61の先端部に貼付する方法など、 公知である各種の方法で形成できる。

エラストマ一用材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロール 塗布法、ブレード塗布法などを利用することができる。

[0128] 絶縁部用材料層 62Aの厚みは、形成すべき絶縁部 62の厚みに応じて設定される 絶縁部用材料層 62Aの硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な 加熱温度および加熱時間は、絶縁部用材料層 62Aを構成するエラストマ一材料の 種類などを考慮して適宜設定される。

以上に説明したピッチ変換用アダプタ一体 60製造方法によれば、導電性粒子 Pが 厚み方向に並ぶよう配向した状態で分散された導電性エラストマ一層 61Aに対して レーザー加工を施してその一部を除去することによって目的とする形状の導電路形 成部 61を形成している。

[0129] 従って、所要の量の導電性粒子 Pが充填され、所期の導電性を有する導電路形成 部 61が形成された第 1の異方導電性シート 22を確実に得ることができる。

また、磁性を示す金属力もなる金属マスクを用いて導電性エラストマ一用材料層 61

Aに対して磁場配向を行う方法を適用することにより、金属マスクが形成されていない 部分の導電性粒子の密度が小さくなる。そのため、レーザー加工による導電路形成 部の形成が容易になる。さらに、厚みの大きい導電性エラストマ一層 61Bのレーザー 加工が容易となるため、厚みの大きい導電路形成部 61を確実に得ることができる。

[0130] また、ピッチ変換用基板 23の接続用電極 25に対応する所定のパターンに従って 離型性支持板 65上に配置された複数の導電路形成部 61を形成し、これらの導電路 形成部 61の間に、未硬化状態のエラストマ一用材料層 62Aを形成して硬化処理す ることにより、絶縁部 62を形成している。

これにより、導電性粒子 Pが全く存在しない絶縁部 62が形成された第 1の異方導電 性シート 22を確実に得ることができる。

[0131] し力も、従来の異方導電性シートを製造するために使用されていた、多数の強磁性 体部が配列された高価な金型が不要である。

また、導電路形成部 61の各々と絶縁部 62とが一体的に形成され、これら全体がピ ツチ変換用基板 23に支持されているため、導電路形成部 61がピッチ変換用基板 23 力 脱落することがない。

[0132] また、レーザー加工による導電路形成部 61の形成工程は、離型性支持板 65上に おいて行われるため、第 1の異方導電性シート 22の形成時においてピッチ変換用基 板 23の表面に損傷を与えることがない。

従って、このような方法によって得られるピッチ変換用アダプタ一体 60によれば、検 查対象である被検査回路基板の検査電極の配置パターンに関わらず、被検査電極 の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができる。

[0133] また、被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても 、被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができ、しか も、製造コストの低減ィ匕を図ることができ、さらに高い耐久性が得られる。

図 30は、ピッチ変換用アダプタ一体における他の構成を示した断面図、図 31は、 その拡大断面図、図 32は、そのピッチ変換用基板を示した断面図である。

[0134] このピッチ変換用アダプタ一体 60は、例えば、プリント回路基板などの回路装置に っ 、て、各配線パターンの電気抵抗測定試験を行うために用いられるものであって、 多層配線板力もなるピッチ変換用基板 23を備えている。

ピッチ変換用基板 23の表面（図 30〜図 32において上面）には、それぞれ同一の 被検査電極に電気的に接続される互 ヽに離間して配置された電流供給用の電流供 給用電極 27および電圧測定用の電圧測定用電極 28からなる接続用電極 25が形成 されている。

[0135] これらの接続用電極 25は、検査対象である被検査回路基板の被検査電極のバタ ーンに従って配置されて 、る。

ピッチ変換用基板 23の裏面には、例えば、ピッチが 0. 8mm, 0. 75mm, 1. 5mm 、 1. 8mm、 2. 54mmの格子点位置に従って複数の端子電極 24が配置されている

[0136] そして、電流供給用電極 27および電圧測定用電極 28の各々は、内部配線 53によ つて端子電極 24に電気的に接続されている。

ピッチ変換用基板 23の表面には、その接続用電極 25上に、第 1の異方導電性シ ート 22がー体的に接着または密着した状態で形成されている。図 30の例では、ピッ チ変換用基板 23の表面全体を覆うよう第 1の異方導電性シート 22が形成されている

[0137] この第 1の異方導電性シート 22は、ピッチ変換用基板 23における接続用電極 25の ノターンに従って配置された、それぞれ厚み方向に延びる複数の導電路形成部 61 を備えている。すなわち、それぞれの導電路形成部 61は、ピッチ変換用基板 23にお ける電流供給用電極 27および電圧測定用電極 28の各々の上に配置されている。 また、これらの隣接する導電路形成部 61の間に、導電路形成部 61の各々に一体 的に接着した状態で形成された、これらの導電路形成部 61を相互に絶縁する絶縁 部 62を備えている。

[0138] この第 1の異方導電性シート 22の導電路形成部 61と絶縁部 62は、図 29に示した ピッチ変換用アダプタ一体 60における第 1の異方導電性シート 22と基本的に同様の 構成である。

ピッチ変換用基板 23の中継ピンユニット 31側に配置される第 2の異方導電性シー ト 26は、図 33に示したように、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子 Pが 厚み方向に配列して形成された導電路形成部 71と、それぞれの導電路形成部 71を 離間する絶縁部 72から構成されている。このように、導電性粒子 Pは導電路形成部 7 1中にのみ、面方向に不均一に分散されている。

[0139] 導電路形成部 71の厚みは、好ましくは 0. l〜2mm、より好ましくは 0. 2〜1. 5mm である。この厚みが過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低ぐ検 查時において検査治具による加圧力の吸収が小さくなり、回路基板側コネクタ 21へ の衝撃を緩和する効果が減少する。このため、第 1の異方導電性シート 22の劣化を 抑制しにくくなり、結果として被検査回路基板 1の繰り返し検査時における第 1の異方 導電性シート 22の交換回数が増加して、検査の効率が低下する。一方、この厚みが 過大である場合、厚み方向の電気抵抗が大きくなり易く電気検査が困難となることが ある。

[0140] 絶縁部 72の厚みは、導電路形成部 71の厚みと実質的に同一力、それよりも小さい ことが好ましい。図 33に示したように、絶縁部 72の厚みを導電路形成部 71の厚みよ りも小さくして導電路形成部 71が絶縁部 72より突出した突出部 71aを形成することに より、厚み方向の加圧に対して導電路形成部 72の変形が容易になり、加圧力の吸収 能力が増大するため、検査時において検査治具の加圧力を吸収し、回路基板側コ ネクタへ 21の衝撃を緩和することができる。

[0141] 第 2の異方導電性シート 26を構成する導電性粒子 Pに、磁性導電性粒子を使用す る場合、その数平均粒子径は好ましくは 5〜200 μ m、より好ましくは 5〜 150 m、さ らに好ましくは 10〜： LOO mである。ここで、「磁性導電性粒子の数平均粒子径」とは 、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。磁性導電性粒子の数平均粒 子径が 5 m以上であると、異方導電性シートの導電路形成部の加圧変形が容易に なる。また、その製造工程において磁場配向処理によって磁性導電性粒子を配向さ せる場合、磁性導電性粒子の配向が容易である。磁性導電性粒子の数平均粒子径 力 S 200 m以下であると、異方導電性シートの導電路形成部 71の弾性が良好でカロ 圧変形が容易になる。

[0142] 導電路形成部 71の厚み W m)と、磁性導電性粒子の数平均粒子径 D ( μ m)

2 2 との比率 W ZDは 1. 1〜10であることが好ましい。

2 2

比率 W ZDが 1. 1未満である場合、導電路形成部 71の厚みに対して磁性導電

2 2

性粒子の直径が同等あるいはそれよりも大きくなるため、導電路形成部 71の弾性が 低くなり、その厚み方向の加圧力の吸収能力が小さくなる。検査時における検査治 具の加圧圧力を吸収が小さくなり、回路基板側コネクタ 21への衝撃を緩和する効果 が減少するため、第 1の異方導電性シート 22の劣化を抑制しに《なり、結果として 被検査回路基板 1の繰り返し検査時において、第 1の異方導電性シート 22、すなわ ち、第 1の異方導電性シート 22が、ピッチ変換用基板 23側に一体化されたピッチ変 換用アダプタ一体 60の交換回数が増加して、検査の効率が低下し易くなる。

[0143] 一方、比率 W ZDが 10を超える場合、導電路形成部 71に多数の導電性粒子が

2 2

配列して連鎖を形成することとなり、導電性粒子同士の接点が多数存在することにな るため、電気的抵抗値が高くなり易い。

導電路形成部 71の基材である弾性高分子 (エラストマ一）は、そのタイプ Aデュロメ ータによって測定されたデュロメータ硬さが好ましくは 15〜60、より好ましくは 20〜5 0、さらに好ましくは 25〜45である。

[0144] 弾性高分子のデュロメータ硬さが、 15よりも小さい場合、厚み方向に押圧された際 のシートの圧縮、変形が大きぐ大きな永久歪が生じるためシート形状が早期に変形 して検査時の電気的接続が困難となり易い。弾性高分子のデュロメータ硬さが、 60よ りも大きい場合、厚み方向に押圧された際の変形力 、さくなるため、その厚み方向の 加圧力の吸収能力が小さくなる。このため、第 1の異方導電性シート 22の劣化を抑 制しに《なり、結果として、被検査回路基板 1の繰り返し検査時において、第 1の異 方導電性シート 22、すなわち、第 1の異方導電性シート 22が、ピッチ変換用基板 23 側に一体ィ匕されたピッチ変換用アダプタ一体 60の交換回数が増加して、検査の効 率が低下しやすくなる。

[0145] 導電路形成部 71の基材となる弾性高分子としては、上記のデュロメータ硬さを示す ものであれば特に限定されないが、加工性および電気特性の点から、シリコーンゴム を用いることが好ましい。

第 2の異方導電性シート 26の絶縁部 72は、実質的に導電性粒子を含有しない絶 縁材料により形成される。絶縁材料としては、例えば、絶縁性の高分子材料、無機材 料、表面を絶縁ィ匕処理した金属材料などを用いることができるが、導電路形成部に 使用した弾性高分子と同一の材料を用いると生産が容易である。絶縁部の材料とし て弾性高分子を使用する場合、デュロメータ硬さが上記の範囲であるものを使用する ことが好ましい。

[0146] 磁性導電性粒子としては、前述した第 1の異方導電性シートに用いられる導電性粒 子を用いることができる。

第 2の異方導電性シート 26は、例えば、以下のようにして製造することができる。先 ず、それぞれ全体の形状が略平板状であって、互いに対応する上型と下型とよりなり 、上型と下型との間の成形空間内に充填された材料層に磁場を作用させながら材料 層を加熱硬化することができる構成の異方導電性シート成形用金型を用意する。

[0147] この異方導電性シート成形用金型は、材料層に磁場を作用させて適正な位置に導 電性を有する部分を形成するために、上型および下型の両方は、鉄、ニッケルなど の強磁性体からなる基板上に、金型内の磁場に強度分布を生じさせるための鉄、二 ッケルなどよりなる強磁性体部分と、銅などの非磁性金属若しくは榭脂よりなる非磁 性体部分とが互いに隣接するよう交互に配置されたモザイク状の層を有する構成の ものであり、強磁性体部分は、形成すべき導電路形成部に対応するパターンに従つ て配列されている。

[0148] ここで、上型の成形面は平坦であり、下型の成形面は形成すべき異方導電性シー トの導電路形成部に対応してわずかに凹凸を有するものである。

そして、上記の異方導電性シート成形用金型を用いて、以下のようにして異方導電 性シートが製造される。先ず、異方導電性シート成形用金型の成形空間内に、硬化 されて弾性高分子物質となる高分子物質材料中に磁性を示す導電性粒子が含有さ れてなる成形材料を注入して成形材料層を形成する。

[0149] 次に、上型および下型の各々における強磁性体部分および非磁性体部分を利用 し、形成された成形材料層に対してその厚み方向に強度分布を有する磁場を作用さ せることにより、その磁力の作用によって、導電性粒子を、上型における強磁性体部 分と、その直下に位置する下型における強磁性体部分との間に集合させ、更には導 電性粒子を厚み方向に並ぶように配向させる。そして、その状態で成形材料層を硬 化処理することにより、複数の柱状の導電路形成部が、絶縁部によって互い絶縁さ れてなる構成を有する異方導電性シートが製造される。

[0150] 一方、テスター側コネクタ 41a, 41bは、図 1に示したように、第 3の異方導電性シー 卜 42a, 42bと、コネクタ基板 43a, 43bと、ベース板 46a, 46bと、を備えて ヽる。第 3 の異方導電性シート 42a, 42bには、前述した第 2の異方導電性シート 26と同様のも のが使用される。すなわち、図 33に示したような、絶縁性の弾性高分子材料中に多 数の導電性粒子が厚み方向に配列して形成された導電路形成部と、それぞれの導 電路形成部を離間する絶縁部とから構成された異方導電性シートが使用される。

[0151] コネクタ基板 43a, 43bは、絶縁基板を備えており、その表面の中継ピンユニット 31 側に、図 1および図 2に示したようにピン側電極 45a, 45bが形成されている。

これらのピン側電極 45は、例えば、 2. 54mm, 1. 8mm、 1. 27mm, 1. 06mm, 0. 8mm、 0. 75mm, 0. 5mm、 0. 45mm, 0. 3mmまたは 0. 2mmの一定ピッチ の格子点上に配置されており、その配置ピッチは中継ピンユニット 31の導電ピン 32 の配置ピッチと同一である。

[0152] それぞれのピン側電極 45は、絶縁基板の表面に形成された配線パターンおよびそ の内部に形成された内部配線によって、テスター側電極 44a, 44bへ電気的に接続 されている。

中継ピンユニット 31は、図 1、図 2、図 34 (図 34は、説明の便宜上、中継ピンュ-ッ ト 31aについて示している）、および図 40〜図 43に示したように、上下方向を向くよう に並列に、所定のピッチで設けられた多数の導電ピン 32a, 32bを備えている。また、 中継ピンユニット 31は、これらの導電ピン 32a, 32bの両端側に設けられ、導電ピン 3 2a, 32bを揷通支持する被検査回路基板 1側に配置された第 1の絶縁板 34a, 34b と、被検査回路基板 1側とは反対側に配置された第 2の絶縁板 35a, 35bの 2枚の絶 縁板を備えている。

[0153] 導電ピン 32は、例えば、図 35に示したように、直径の大きい中央部 82と、これよりも 直径の小さい端部 81a, 81bとからなる。第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35には、導 電ピン 32の端部 81が挿入される貫通孔 83が形成されている。そして、貫通孔 83の 直径が、導電ピン 32の端部 81a, 81bの直径よりも大きぐ且つ中央部 82の直径より も小さく形成され、これにより導電ピン 32が脱落しな ヽように保持されて ヽる。

[0154] 第 1の絶縁板 34および第 2の絶縁板 35は、図 1の第 1の支持ピン 33および第 2の 支持ピン 37によって、これらの間隔が導電ピン 32の中央部 82の長さよりも長くなるよ うに固定され、これにより導電ピン 32が上下へ移動可能に保持されている。導電ピン 32の端部 81の長さは、絶縁板 34の厚みよりも長くなるように形成され、これにより、 少なくとも一方の絶縁板 34から導電ピン 32が突出するようになっている。

[0155] 中継ピンユニットは、多数の導電ピンが、例えば、 2. 54mm, 1. 8mm、 1. 27mm 、 1. 06mm、 0. 8mm、 0. 75mm、 0. 5mm、 0. 45mm、 0. 3mmまたは 0. 2mm のピッチの格子点上に配置されている。

中継ピンユニット 31の導電ピン 32の配置ピッチと、ピッチ変換用基板 23に設けられ た端子電極 24の配置ピッチとを同一とすることにより、導電ピン 32を介してピッチ変 換用基板 23がテスター側に電気的に接続されるようになっている。

[0156] また、図 1および図 34に示したように、中継ピンユニット 31には、第 1の絶縁板 34a , 34bと、第 2の絶縁板 35a, 35bとの間に、中間保持板 36a、 36b力 ^酉己置されて!/、る そして、第 1の絶縁板 34a, 34bと中間保持板 36a, 36bとの間には、第 1の支持ピ ン 33a, 33bが配置され、これによつて、第 1の絶縁板 34a, 34bと中間保持板 36a, 3 6bとの間を固定している。

[0157] 同様に、第 2の絶縁板 35a, 35bと中間保持板 36a, 36bとの間には、第 2の支持ピ ン 37a, 37bが配置され、これによつて、第 2の絶縁板 35a, 35bと中間保持板 36a, 3 6bとの間を固定している。

第 1の支持ピン 33と、第 2の支持ピン 37の材質としては、例えば、真鍮、ステンレス などの金属が使用される。

[0158] なお、図 34における第 1の絶縁板 34と中間保持板 36との間の距離 L1と、第 2の絶 縁板 35と中間保持板 36との間の距離 L2としては、特に限定されるものではないが、 後述するように、第 1の絶縁板 34、中間保持板 36、第 2の絶縁板 35の弾性による、 被検査回路基板 1の被検査電極 2, 3の高さバラツキの吸収性を考慮すれば、 2mm 以上が好ましぐより好ましくは 2. 5mm以上である。

[0159] そして、図 34に示したように、第 1の支持ピン 33の中間保持板 36に対する第 1の当 接支持位置 38Aと、第 2の支持ピン 37の中間保持板 36に対する第 2の当接支持位 置 38Bとは、検査装置を中間保持板の厚さ方向に（図 1において上方から下方に向 カゝつて）投影した中間保持板投影面 A上において異なる位置に配置されている。 この場合、異なる位置としては、特に限定されるものではないが、第 1の当接支持位 置 38Aと、第 2の当接支持位置 38Bは、図 39に示したように、中間保持板投影面 A 上にぉ 、て格子上に形成されて 、ることが好ま 、。

[0160] 具体的には、図 39に示したように、中間保持板投影面 A上において、隣接する 4個 の第 1の当接支持位置 38Aからなる単位格子領域 R1に、 1個の第 2の当接支持位 置 38Bが配置される。また、中間保持板投影面 Aにおいて、隣接する 4個の第 2の当 接支持位置 38Bからなる単位格子領域 R2に、 1個の第 1の当接支持位置 38Aが配 置される。なお、図 39では、第 1の当接支持位置 38Aを黒丸、第 2の当接支持位置 群 38Bを白丸で示して!/、る。

[0161] なお、ここでは、第 1の当接支持位置 38Aの単位格子領域 R1の対角線 Q1の中央 に、 1個の第 2の当接支持位置 38Bを配置するとともに、第 2の当接支持位置 38Bの 単位格子領域 R2の対角線 Q2の中央に、 1個の第 1の当接支持位置 38Aを配置し ている。し力しながら、これらの相対的な位置は、特に限定されるものではなぐ上記 のように、検査装置を中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面 A上にお いて異なる位置に配置されていればよい。すなわち、格子状に配置されない場合に は、このような相対位置関係に拘束されるものではなぐ上記のように、検査装置を中 間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面 A上にぉ ヽて異なる位置に配置 されていればよい。 [0162] また、この場合、互いに隣接する第 1の当接支持位置 38Aの間の離間距離、第 2の 当接支持位置 38Bの間の離間距離は、好ましくは 10〜： LOOmm、より好ましくは 12 〜70mm、特に好ましくは 15〜50mmである。

第 1の絶縁板 34、中間保持板 36、第 2の絶縁板 35の形成材料には、可撓性を有 するものが用いられる。これらの板の可撓性は、第 1の絶縁板 34、中間保持板 36、 第 2の絶縁板 35の両端部を、それぞれ 10cm間隔で支持した状態で水平に配置し た場合において、上方から 50kgfの圧力で加圧することによって生ずる橈み力 これ らの絶縁板の幅の 0. 02%以下であり、かつ上方から 200kgfの圧力で加圧すること によっても破壊および永久変形が生じな 、程度であることが好ま 、。

[0163] 第 1の絶縁板 34、中間保持板 36、第 2の絶縁板 35の材料としては、具体的には、 固有抵抗が 1 X 1Ο¹⁰Ω 'cm以上の絶縁性材料、例えばポリイミド榭脂、ポリエステル 榭脂、ポリアミド榭脂、フエノール榭脂、ポリアセタール榭脂、ポリブチレンテレフタレ ート榭脂、ポチエチレンテレフタレート榭脂、シンジオタクチック'ポリスチレン榭脂、ポ リフエ二レンサルファイド榭脂、ポリエーテルェチルケトン榭脂、フッ素榭脂、ポリエー テル-トリル榭脂、ポリエーテルサルホン榭脂、ポリアリレート榭脂、ポリアミドイミド榭 脂等の機械的強度の高い榭脂材料、ガラス繊維補強型エポキシ榭脂、ガラス繊維補 強型ポリエステル榭脂、ガラス繊維補強型ポリイミド榭脂、ガラス繊維補強フエノール 榭脂、ガラス繊維補強型フッ素榭脂等のガラス繊維型複合榭脂材料、カーボン繊維 補強型エポキシ榭脂、カーボン繊維補強型ポリエステル榭脂、カーボン繊維補強型 ポリイミド榭脂、カーボン繊維補強型フエノール榭脂、カーボン繊維補強型フッ素榭 脂等のカーボン繊維型複合榭脂、エポキシ榭脂、フエノール榭脂等にシリカ、アルミ ナ、ボロンナイトライド等の無機材料を充填した複合榭脂材料、エポキシ榭脂、フエノ 一ル榭脂等にメッシュを含有した複合榭脂材料などが挙げられる。また、これらの材 料力もなる板材を複数積層して構成された複合板材等も用いることができる。

[0164] 第 1の絶縁板 34、中間保持板 36、および第 2の絶縁板 35の厚みは、第 1の絶縁板 34、中間保持板 36、第 2の絶縁板 35を構成する材料の種類に応じて適宜選択され る力 好ましくは 1〜： LOmmである。例えば、ガラス繊維補強型エポキシ榭脂からなり 、その厚みが 2〜5mmであるものを使用することができる。 第 1の絶縁板 34および第 2の絶縁板 35に導電ピン 32を移動可能に支持する方法 としては、図 34に示した方法の他に、図 36〜図 38に示した方法を挙げることができ る。この例では、導電ピン 32として図示したように、この例では第 1の絶縁板 34と第 2 の絶縁板 35との間に、屈曲保持板 84が設けられて 、る。

[0165] また、導電ピン 32として、円柱形状である金属ピンを用いている。

図 36に示したように、屈曲保持板 84には導電ピン 32が挿通される貫通孔 85が形 成されている。導電ピン 32は、第 1の絶縁板 34に形成された貫通孔 83aおよび第 2 の絶縁板 35に形成された貫通孔 83bと、屈曲保持板 84に形成された貫通孔 85とを 支点として、互いに逆方向に横方向へ押圧されて、屈曲保持板 84の貫通孔 85の位 置で屈曲され、これにより導電ピン 32が軸方向へ移動可能に支持されて 、る。

[0166] なお、中間保持板 36には、導電ピン 32と接触しない程度に径を大きくした貫通孔 8 6が形成され、この貫通孔 86に導電ピン 32が揷通されている。

導電ピン 32は、図 37 (a)〜図 37 (c)に示した手順で第 1の絶縁板 34および第 2の 絶縁板 35に支持される。図 37 (a)に示したように、第 1の絶縁板 34の貫通孔 83aお よび第 2の絶縁板 35に形成された貫通孔 83bと、屈曲保持板 84の貫通孔 85とが軸 方向に位置合わせされた位置に屈曲保持板 84を配置する。

[0167] 次に、図 37 (b)に示したように、導電ピン 32を、第 1の絶縁板 34の貫通孔 83aから 屈曲保持板 84の貫通孔 85を通して第 2の絶縁板 35の貫通孔 83bまで挿入する。 次に、図 37 (c)に示したように、屈曲保持板 84を、導電ピン 32の軸方向と垂直な横 方向（水平方向）に移動し、適宜の手段によって屈曲保持板 84の位置を固定する。 これによつて、導電ピン 32は、第 1の絶縁板 34の貫通孔 83aおよび第 2の絶縁板 35 に形成された貫通孔 83bと、屈曲保持板 84の貫通孔 85とを支点として互いに逆方 向に横方向へ押圧されて、屈曲保持板 84の貫通孔 85の位置で屈曲され、これによ り導電ピン 32が軸方向に移動可能に支持される。

[0168] このように構成することで、導電ピン 32が、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35との 間に、軸方向へ移動可能に、且つ脱落しないように保持することができるとともに、導 電ピン 32として円柱状である簡易な構造のピンを使用できるため、導電ピン 32およ びそれを保持する部材の全体としてのコストを抑えることができる。 なお、屈曲保持板 84が配置される位置は、第 1の絶縁板 34と中間保持板 36との 間であってもよい。

[0169] このように構成された本実施形態の検査装置では、図 2に示したように、被検査回 路基板 1の電極 2および電極 3が、第 1の異方導電性シート 22a, 22b、ピッチ変換用 基板 23a, 23b、第 2の異方導電性シー卜 26a, 26b、導電ピン 32a, 32b、第 3の異 方導電性シート 42a, 42b、コネクタ基板 43a, 43bを介して、最外側に配置されたべ ース板 46a, 46bをテスターの加圧機構により規定の圧力で押圧することによってテ スター（図示せず）に電気的に接続され、被検査回路基板 1の電極間における電気 抵抗測定などの電気検査が行われる。

[0170] 測定時に被検査回路基板に対して上側および下側の第 1の検査治具 11a,第 2の 検査治具 l ibから押圧する圧力は、例えば、 100〜250kgfである。

以下、図 40〜図 43を参照しながら (便宜的に、第 2の検査治具 l ibのみ示す)、第 1の検査治具 1 laと第 2の検査治具 1 lbとの間で被検査回路基板 1の両面を挟圧し た際における圧力吸収作用および圧力分散作用について説明する。

[0171] 図 41に示したように、第 1の検査治具 11aと第 2の検査治具 l ibとの間で検査対象 である被検査回路基板 1の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階で は、中継ピンユニット 31の導電ピン 32の厚み方向への移動と、第 1の異方導電性シ ート 22と、第 2の異方導電性シート 26と、第 3の異方導電性シート 42のゴム弾性圧縮 により圧力を吸収して、被検査回路基板 1の被検査電極の高さバラツキをある程度吸 収することができる。

[0172] そして、第 1の支持ピンと中間保持板との第 1の当接支持位置と、前記第 2の支持ピ ンと中間保持板との第 2の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中 間保持板投影面にぉ ヽて異なる位置に配置されて ヽるので、図 42の矢印で示した ように、上下方向に力が作用し、図 43に示したように、第 1の検査治具 11aと第 2の検 查治具 l ibの間で検査対象である被検査回路基板 1をさらに加圧した際に、第 1の 異方導電性シート 22と、第 2の異方導電性シート 26と、第 3の異方導電性シート 42 のゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニット 31の第 1の絶縁板 34と、第 2の絶縁板 3 5と、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35の間に配置された中間保持板 36のパネ弾性 により、被検査回路基板 1の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極 の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避すること ができる。

[0173] すなわち、図 42および図 43に示したように、第 1の支持ピン 33と中間保持板 36に 対する第 1の当接支持位置 38Aを中心として、中間保持板 36が、第 2の絶縁板 35の 方向に橈むとともに（図 43の一点鎖線で囲んだ Eの部分参照）、第 2の支持ピン 37と 中間保持板 36との第 2の当接支持位置 38Bを中心として、中間保持板 36が、第 1の 絶縁板 34の方向に橈むことになる（図 43の一点鎖線で囲んだ Dの部分参照)。なお 、ここで「橈む」および「橈み方向」とは中間保持板 36が凸状になる方向に突出するよ うに橈むことおよびその突出方向を言う。

[0174] このように、中間保持板 36が、第 1の当接支持位置 38A、第 2の当接支持位置 38 Bを中心として、相互に反対方向に橈むので、第 1の検査治具 11aと第 2の検査治具 l ibとの間で検査対象である被検査回路基板 1をさらに加圧した際に、中間保持板 3 6のパネ弾性力が発揮されることになる。

また、図 43の一点鎖線で囲んだ B部分で示したように、第 2の異方導電性シート 26 の導電路形成部の突出部の圧縮によって、導電ピン 32bの高さが吸収されるが、こ の突出部の圧縮よつて吸収しきれない圧力力 第 1の絶縁板 34bに加わることになる

[0175] したがって、図 43の一点鎖線で囲んだ C部分で示したように、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35も、第 1の支持ピン 33、第 2の支持ピン 37との当接位置で、相互に反 対方向に橈むので、第 1の検査治具 11aと第 2の検査治具 l ibとの間で検査対象で ある被検査回路基板 1をさらに加圧した際に、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35の パネ弾性力が発揮されることになる。

[0176] これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板 1の被検査電極のそれぞれに対 して安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、第 1の異 方導電性シート 22の局部的な破損が抑制される。その結果、第 1の異方導電性シー ト 22の繰り返し使用耐久性が向上するので、その交換回数が減り、検査作業効率が 向上することになる。 [0177] 図 44は、本発明の検査装置の他の実施形態を説明する図 40と同様な断面図 (便 宜的に第 2の検査治具のみ示している）、図 45は、その中継ピンユニットの拡大断面 図である。この検査装置は、図 1に示した検査装置と基本的には同様な構成であり、 同一の構成部材には同一の参照番号を付している。この検査装置では、図 44およ び図 45に示したように、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35との間に、複数個（本実 施形態では 3個）の中間保持板 36が所定間隔離間して配置されるとともに、これらの 隣接する中間保持板 36同士の間に、保持板支持ピン 39が配置されて 、る。

[0178] この場合、少なくとも 1つの中間保持板 36bにおいて、中間保持板 36bに対して一 面側力も当接する保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当接支持位置と、 中間保持板 36bに対して他面側力も当接する第 1の支持ピン 33b、第 2の支持ピン 3 7b、または保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当接支持位置とが、中間 保持板 36bの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置さ れて 、ることが必要である。

[0179] 最も好ましくは、全ての中間保持板 36bにおいて、中間保持板 36bに対して一面側 力 当接する保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当接支持位置と、中間 保持板 36bに対して他面側力も当接する第 1の支持ピン 33b、第 2の支持ピン 37b、 または保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当接支持位置とが、中間保 持板 36bの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置され る。

[0180] この場合、詳述しないが、「異なる位置」とは、前述した実施形態において、第 1の 支持ピン 33と中間保持板 36との第 1の当接支持位置 38Aと、第 2の支持ピン 37と中 間保持板 36との第 2の当接支持位置 38Bとの間の関係で説明した相対位置と同様 な配置とすることが可能である。

本実施形態では、 3つの中間保持板 36bのうち上側の中間保持板 36bにお 、て、 中間保持板 36bに対して一面側力も当接する保持板支持ピン 39bの中間保持板 36 bに対する当接支持位置 39Aと、中間保持板 36bに対して他面側力も当接する第 1 の支持ピン 33bの中間保持板 36bに対する当接支持位置 38Aとが、中間保持板 36 bの厚さ方向に投影した中間保持板投影面にぉ 、て異なる位置に配置されて 、る。 [0181] また、 3つの中間保持板 36bのうち中央の中間保持板 36bにおいて、中間保持板 3 6bに対して一面側から当接する保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当 接支持位置 39Aと、中間保持板 36bに対して他面側力も当接する保持板支持ピン 3 9bの中間保持板 36bに対する当接支持位置 39Aとが、中間保持板 36bの厚さ方向 に投影した中間保持板投影面にぉ ヽて異なる位置に配置されて ヽる。

[0182] また、 3つの中間保持板 36bのうち下側の中間保持板 36bにおいて、中間保持板 3 6bに対して一面側から当接する保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当 接支持位置 39Aと、中間保持板 36bに対して他面側から当接する第 2の支持ピン 37 bの中間保持板 36bに対する当接支持位置 38Bとが、中間保持板 36bの厚さ方向に 投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。

[0183] このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板 36によってバネ弹 性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板 1の被検査電極の高さバラツキに 対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、異 方導電性シートの局部的な破損が抑制され、その結果、異方導電性シートの繰り返 し使用耐久性が向上するので、異方導電性シートの交換回数が減り、検査作業効率 が向上する。

[0184] なお、中間保持板 36の個数としては、複数個であればよぐ特に限定されるもので はない。

図 46は、本発明の検査装置における他の実施形態を示した断面図、図 47は、図 4 6の検査装置の検査使用時における積層状態を示した断面図である。

本実施形態の検査装置は、図 46および図 47に示したように、被検査回路基板 1の 上面側に配置される第 1の検査治具 11aと、下面側に配置される第 2の検査治具 11 bとが、上下に互いに対向するように配置されて 、る。

[0185] 第 1の検査治具 11aは、その両側に中継基板 29aおよび異方導電性シート 26aを 備えた回路基板側コネクタ 21aと、中継ピンユニット 31aを備えている。また、第 1の検 查治具 1 laは、その中継ピンユニット 3 la側に第 3の異方導電性シート 42aが配置さ れるコネクタ基板 43aと、ベース板 46aとを備えたテスター側コネクタ 41aを備えて ヽ る。 [0186] 第 2の検査治具 l ibも、第 1の検査治具 11aと同様に構成され、その両側に中継基 板 29bおよび異方導電性シート 26bを備えた回路基板側コネクタ 21bと、中継ピンュ ニット 3 lbを備えている。また、第 2の検査治具 l ibは、その中継ピンユニット 3 lb側 に異方導電性シート 42bが配置されるコネクタ基板 43bと、ベース板 46bとを備えた テスター側コネクタ 4 lbを備えている。

[0187] 被検査回路基板 1の上面には、被検査用の電極 2が形成され、その下面にも被検 查用の電極 3が形成されており、これらは互 ヽに電気的に接続されて!ヽる。

回路基板側コネクタ 21a, 21bは、ピッチ変換用基板 23a, 23bと、その一方の面に 配置される中継基板 29a, 29bと、他方の面に配置される第 2の異方導電性シート 26 a, 26bを有している。

[0188] ピッチ変換用基板 23の構成は、図 1の実施形態と同様であり、その被検査回路基 板側の表面および中継ピンユニット側の表面は、図 3および図 4に示したように構成さ れている。図 48は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を積層した 状態を示した断面図である。

ピッチ変換用基板 23の一方の表面、すなわち、被検査回路基板 1側には、図 3〖こ 示したように、被検査回路基板 1の電極 2、 3に電気的に接続される複数の接続用電 極 25が形成されている。これらの接続電極 25は、被検査回路基板 1の被検査電極 2 , 3のパターンに対応するように配置されている。

[0189] 一方、ピッチ変換用基板 23の他方の表面、すなわち、被検査回路基板 1と反対側 には、図 4に示したように、中継ピンユニット 31の導電ピン 32a、 32bに電気的に接続 される複数の端子電極 24が形成されている。これらの端子電極 24は、例えば、 2. 5 4mm、 1. 8mm、 1. 27mm、 1. 06mm、 0. 8mm、 0. 75mm、 0. 5mm、 0. 4om m、 0. 3mmまたは 0. 2mmである一定ピッチの格子点上に配置されており、そのピ ツチは中継ピンユニットの導電ピン 32a、 32bの配置ピッチと同一である。

[0190] 図 3のそれぞれの接続電極 25は、配線 52および絶縁基板 51の厚み方向に貫通 する内部配線 53 (図 48を参照）によって、対応する図 4の端子電極 24に電気的に接 続されている。

図 49 (a)は、中継基板の断面図、図 49 (b)は、その部分拡大断面図、図 49 (c)は 、その部分上面図である。この中継基板 29の基板 73には、ピッチ変換用基板 23の 電極パターンに従って導電路形成部 61が配置される多数の貫通孔が形成されてい る。この貫通孔内には、弾性高分子物質を埋設することにより絶縁部 62が形成され、 導電路形成部 61が、この絶縁部 76に囲まれるように貫通形成されている。絶縁部 7 6は基板 73の両側表面にも一体的に形成され、複数の貫通孔に連続している。

[0191] 導電路形成部 61には、絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が 厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されている。

これに対し、絶縁部 62は、導電性粒子を含有しない弾性高分子物質により形成さ れている。導電路形成部 61を構成する弾性高分子物質と絶縁部 62を構成する弾性 高分子物質とは、互いに同じ種類のものであっても異なる種類のものであってもよい

[0192] 中継基板の基板 73を形成する材料としては、具体的には、例えばガラス繊維補強 型ポリイミド榭脂、ガラス繊維補強型エポキシ榭脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドト リアジン榭脂、等の複合榭脂材料、ポリイミド榭脂、ポリエステル榭脂、ポリアラミド榭 脂、ポリアミド榭脂、ビスマレイミド 'トリアジン榭脂、液晶ポリマー等の機械的強度の 高い榭脂材料、ステンレス等の金属材料、フッ素榭脂繊維、ァラミド繊維、ポリエチレ ン繊維、ポリアリレート繊維、ナイロン繊維、ポリエステル繊維、液晶ポリマー繊維等の 有機繊維よりなるメッシュ、不織布、金属メッシュなどを挙げることができる。基板 73の 厚みは、形成材料にもよる力 好ましくは 20〜200 μ m、より好ましくは 30〜： LOO μ mである。

[0193] この基板 73に形成された多数の貫通孔のそれぞれに、接続用電極 25に対応した 導電路形成部 61が配置される。例えば、 4端子検査における電圧供給用電極 27と 電圧測定用電極 28に対応した導電路形成部 61の対が貫通孔のそれぞれに配置さ れる。一つの貫通孔に配置される導電路形成部 61の数は、特に限定されないが、好 ましくは 1〜4個であり、ピッチ変換用基板 23の接続用電極 25に対応して、基板 73 の各貫通孔毎に導電路形成部 75の数が異なって 、てもよ 、。

[0194] 図示の例では、中継基板 29の両面において、導電路形成部 61が絶縁部 62の表 面力も突出した突出部 61aが形成されている。このように突出部 61aを形成すること によって、導電路形成部 61に対する加圧による圧縮の程度が絶縁部 62に対するそ れよりも大きくなるため、導電路形成部 61には充分に抵抗値の低い導電路が確実に 形成され、加圧力の変化に対する抵抗値の変化を小さくすることができる。その結果 、中継基板 29のそれぞれの導電路形成部 61に作用する加圧力が不均一であっても 、各導電路形成部 61間における導電性のバラツキを防止することができる。

[0195] 導電路形成部 61および絶縁部 62を構成する弾性高分子物質としては、架橋構造 を有する高分子物質が好まし 、。このような弾性高分子物質を得るために用いること のできる硬化性の高分子物質形成材料の具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然 ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン一ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル一ブタ ジェン共重合体ゴムなどの共役ジェン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン ブタジエン ジェンブロック共重合体ゴム、スチレン イソプレンブロック共重合体な どのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添カ卩物、クロ口プレン、ウレタンゴム、ポ リエステル系ゴム、ェピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン一プロピレン共重 合体ゴム、エチレン プロピレン ジェン共重合体ゴムなどが挙げられる。

[0196] 中継基板 29に耐候性が要求される場合には、共役ジェン系ゴム以外のものを用い ることが好ましぐ特に、成形カ卩ェ性および電気特性の観点からシリコーンゴムを用い ることが好ましい。シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合した ものが好ましい。液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度 10— ^ecで 10⁵ポアズ以下 であることが好ましぐ縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基ゃヒドロキシル基を含 有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、例えばジメチルシリコーン生ゴ ム、メチルビ-ルシリコーン生ゴム、メチルフエ-ルビ-ルシリコーン生ゴムなどを挙げ ることがでさる。

[0197] また、シリコーンゴムは、その分子量 Mw (標準ポリスチレン換算重量平均分子量を いう。）力 0000〜40000であること力 子ましい。また、耐熱性の点から、分子量分布 指数 (標準ポリスチレン換算重量平均分子量 Mwと標準ポリスチレン換算数平均分 子量 Mnとの比 MwZMnの値をいう。 )が 2以下であることが好ましい。

導電路形成部 61に含有される導電性粒子 Pとしては、後述する方法により導電性 粒子を容易に厚み方向に並ぶよう配向させることができることから、磁性を示す導電 性粒子が用いられる。

[0198] このような導電性粒子の具体例としては、鉄、コバルト、ニッケルなどの磁性を有す る金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、また はこれらの粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に金、銀、ノラジウム、ロジウムなどの導 電性の良好な金属のメツキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビ ーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に、 -ッケ ル、コバルトなどの導電性磁性金属のメツキを施したものなどが挙げられる。

[0199] これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に導電性の良好な金のメッ キを施したものを用いることが好ま 、。

芯粒子の表面に導電性金属を被覆する方法としては、例えばィ匕学メツキ、電解メッ キなどを挙げることができる。

導電性粒子として芯粒子の表面に導電性金属を被覆したものを用いる場合には、 良好な導電性が得られる点から、粒子表面における導電性金属の被覆率 (芯粒子の 表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が 40%以上であることが好ましく、 さらに好ましくは 45%以上、特に好ましくは 47〜95%である。

[0200] 導電性金属の被覆量は、芯粒子の 0. 5〜50質量％であることが好ましぐより好ま しくは 2〜30質量％、さらに好ましくは 3〜25質量％、特に好ましくは 4〜20質量％ である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の 0. 5 〜30質量％であることが好ましぐより好ましくは 2〜20質量％、さらに好ましくは 3〜 15質量％でぁる。

[0201] 導電性粒子の粒子径は、 1-100 μ mであることが好ましぐより好ましくは 2〜50 μ m、さらに好ましくは 3〜30 μ m、特〖こ好ましくは 4〜20 μ mである。

導電性粒子 Pの粒子径分布（DwZDn)は、 1〜10であることが好ましぐより好まし くは 1. 01〜7、さらに好ましくは 1. 05〜5、特に好ましくは 1. 1〜4である。

[0202] このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、得られる導電路形成部 6 1は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電路形成部 61において導電性粒子間 に十分な電気的接触が得られる。

導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に 容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝 集した 2次粒子であることが好まし 、。

[0203] また、導電性粒子として、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤や 潤滑剤で処理されたものを適宜用いることができる。カップリング剤や潤滑剤で粒子 表面を処理することにより、異方導電性シートの耐久性が向上する。

このような導電性粒子は、導電路形成部中に体積分率で好ましくは 15〜45%、よ り好ましくは 20〜40%となる割合で含有される。この割合が過小である場合には、十 分に電気抵抗値の小さい導電路形成部 61が得られないことがある。一方、この割合 が過大である場合には、得られる導電路形成部 61は脆弱なものとなりやすぐ導電 路形成部 61として必要な弾性が得られなヽことがある。

[0204] 導電路形成部 61の厚みは、好ましくは 20〜250 μ m、より好ましくは 30〜200 μ mである。この厚み過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低くなる。 一方、この厚み過大である場合、良好な導電性が得られないことがある。

導電路形成部 61における突出部 61aの突出高さは、導電路形成部 61の厚みの 5 〜70%であることが好ましぐより好ましくは 10〜60%である。

[0205] 以下、中継基板 29の製造方法の一例を説明する。先ず、導電路形成部 61を形成 する。導電路形成部 61は、図 7〜図 16に示した方法、あるいは図 17〜図 24に示し た方法によって形成することができる。離型性支持板 65上に形成された複数の導電 路形成部 61を用いて、以下の工程によって中継基板 29を得る。図 50 (a)に示したよ うに、離型性支持板 70を用意し、この離型性支持板 70の表面に、硬化されて絶縁性 の弾性高分子物質となる液状の絶縁部用材料層 62Aを印刷法などにより形成する。

[0206] 次いで、図 50 (b)に示したように、絶縁部用材料層 62Aの上に、貫通孔を有する基 板 73を載置する。そして基板 73の上面側から、硬化されて絶縁性の弾性高分子物 質となる液状のエラストマ一用材料を、印刷法などによって基板 73の貫通孔 75内に 充填する。さらに、エラストマ一用材料を基板 73の表面に塗布することにより、図 50 ( c)に示したように基板 73の両側表面および貫通孔 75に一体に形成された絶縁部用 材料層 62Aを得る。

[0207] 次いで、図 51 (a)に示したように、複数の導電路形成部 61が形成された離型性支 持板 65を、基板 73が載置され、その両側表面および貫通孔 75内に絶縁部用材料 層 62Aが形成された離型性支持板 70上に重ね合わせることにより、導電路形成部 6 1の各々を離型性支持板 70に接触させる。これにより、導電路形成部 61の周囲に絶 縁部用材料層 62Aが形成された状態となる。

[0208] 次いで図 51 (b)に示したように、離型性支持板 65を加圧することにより導電路形成 部 61を圧縮し、絶縁部用材料層 62Aの硬化処理を行う。硬化処理後、離型性支持 板 65および離型性支持板 70による圧力を開放し、離型性支持板 65および離型性 支持板 70から離型させることにより、導電路形成部 61の両端部を絶縁部 62から突 出させる。これにより、図 51 (c)に示したように、隣接する一対の導電路形成部 61, 6 1を相互に絶縁する絶縁部 62が、導電路形成部 61と一体的に形成され、導電路形 成部 61が絶縁部 62の表面より突出した中継基板 29が得られる。

[0209] なお、図 51 (d)に示したように、導電路形成部 61の先端部に、金属膜 64を形成し てもよい。この金属膜 64は、同図のように導電路形成部 61における両側の先端部に 形成してもよぐあるいは導電路形成部 61におけるいずれか一方の片側の先端部に 形成してもよい。このような金属膜は、例えば金属メツキによる方法、スパッタ法などに よる蒸着、金属プレートを接着剤によって導電路形成部 61の先端部に貼付する方法 など、公知である各種の方法で形成できる。

[0210] 離型性支持板 70を構成する材料としては、導電路形成部 61を形成するための離 型性支持板 65と同様のものを用いることができる。

絶縁部用材料層 62Aに用いられるエラストマ一用材料を塗布する方法としては、ス クリーン印刷などの印刷法、ロール塗布法、ブレード塗布法などを挙げることができる 絶縁部用材料層 62Aの厚みは、形成すべき絶縁部 62の厚みに応じて設定される

[0211] 絶縁部用材料層 62A硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加 熱温度および加熱時間は、絶縁部用材料層 62Aを構成するエラストマ一材料の種 類などを考慮して適宜設定される。

基板 73の貫通孔は、数値制御型ドリリング装置、フォトエッチング処理、レーザー加 ェ処理などにより形成することができる。

[0212] 図 48の断面図では、 4端子検査を行う場合の例を示している。図示したように、被 検査回路基板 1とピッチ変換用基板 23との間に中継基板 29が配置されている。 ピッチ変換用基板 23の表面には、それぞれ同一の被検査電極に電気的に接続さ れる互いに離間して配置された電流供給用の電流供給用電極 27および電圧測定 用の電圧測定用電極 28からなる接続用電極 25が形成されている。

[0213] ピッチ変換用基板 23の電流供給用電極 27および電圧測定用電極 28に対応して、 中継基板 29の 1つの貫通孔内には、一対の導電路形成部 61が形成されている。こ の一対の導電路形成部 61, 61は、その一端側で電流供給用電極 27および電圧測 定用電極 28と電気的に接続され、他端側で被検査回路基板 1の被検査電極 2と電 気的に接続され、この状態で電気検査が行われる。

[0214] 中継基板 29の片面側もしくは両面側には、分散型異方導電性シートを配置するよ うにしてもよい。本発明では中継基板 29を備えているので、分解能を損なわない薄 い分散型異方導電性シートを用いても、被検査回路基板 1の電極による局部的な応 力集中が充分に緩和される。図 52 (a) , (b)は、分散型異方導電性シートを配置した 例を示した断面図であり、図 52 (a)では、ピッチ変換用基板 23と中継基板 29との間 に分散型異方導電性シートである第 1の異方導電性シート 22を配置し、ピッチ変換 用基板 23の電流供給用電極 27および電圧測定用電極 28と、中継基板 29の一対 の導電路形成部 61, 61とを、第 1の異方導電性シート 22を介して電気的に接続して いる。

[0215] 図 52 (b)では、中継基板 29の両面側に分散型異方導電性シートである第 1の異方 導電性シート 22, 22を配置し、ピッチ変換用基板 23の電流供給用電極 27および電 圧測定用電極 28と、中継基板 29の一対の導電路形成部 61, 61とを、第 1の異方導 電性シート 22を介して電気的に接続するとともに、被検査回路基板 1の被検査電極 2と、中継基板 29の一対の導電路形成部 61, 61とを、第 1の異方導電性シート 22を 介して電気的に接続して！/、る。

[0216] 回路基板側コネクタ 21を構成し、中継基板 29に隣接して配置される第 1の異方導 電性シート 22は、図 53に示したように、絶縁性の弾性高分子物質力もなるシート基 材 63中に多数の導電性粒子 Pが面方向に分散されるとともに厚み方向に配列した 状態で含有されている。

第 1の異方導電性シート 22の厚みは、好ましくは 20〜200 μ m、より好ましくは 30 〜100 mである。この最小厚みが 20 m未満である場合には、第 1の異方導電性 シート 22の機械的強度が低くなり易ぐ必要な耐久性が得られないことがある。一方 、この第 1の異方導電性シート 22の厚みが 200 /z mを超える場合には、厚み方向の 電気抵抗が大きくなり易ぐまた、接続すべき電極のピッチが小さい場合には、加圧 により形成される導電路間において所要の絶縁性が得られず、被検査電極間で電気 的な短絡が生じて検査対象回路基板の電気的検査が困難となることがある。

[0217] 第 1の異方導電性シート 22のシート基材 63を構成する弾性高分子物質は、そのデ ュロメータ硬さが好ましくは 30〜90であり、より好ましくは 35〜80、さらに好ましくは 4 0〜70である。なお、ここで「デュ口メータ硬さ」とは、 JIS K6253のデュロメータ硬さ 試験に基づいてタイプ Aデュロメータによって測定されたものをいう。

弾性高分子物質のデュロメータ硬さが 30未満である場合、厚み方向に押圧された 際に、異方導電性シートの圧縮、変形が大きぐ大きな永久歪みが生じるため、異方 導電性シートが早期に劣化して検査使用が困難となり耐久性が低くなり易い。

[0218] 一方、弾性高分子物質のデュロメータ硬さが 90を超える場合、異方導電性シートが 厚み方向に押圧された際に、厚み方向の変形量が不十分となるため、良好な接続信 頼性が得られず、接続不良が発生し易くなる。

第 1の異方導電性シート 22の基材を構成する弾性高分子物質としては、上記のデ ュロメータ硬さを示すものであれば特に限定されな ヽが、形成加工性および電気特 性の観点から、シリコーンゴムを用いることが好まし!/、。

[0219] 第 1の異方導電性シート 22は、その厚み W m)と、磁性導電性粒子の数平均粒

1

子径 D m)との比率 W ZDが 1. 1〜10であることが好ましい。ここで、「磁性導電

1 1 1

性粒子の数平均粒子径」とは、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。 比率 W ZDが 1. 1未満である場合、異方導電性シートの厚みに対して磁性導電性

1 1

粒子の直径が同等あるいはそれよりも大きくなるため、この異方導電性シートはその 弾性が低くなり、このため、この異方導電性シートを被検査回路基板側に配置する際 に被検査回路基板が傷つきやすくなる。

[0220] 一方、比率 W ZDが 10を超える場合には、厚み方向に多数の導電性粒子が配列

1 1

して連鎖が形成されるので、多数の導電性粒子同士の接点が存在し、電気的抵抗 値が高くなり易い。

磁性導電性粒子としては、異方導電性シートを形成するためのシート成形材料中 にお 、て、磁性導電性粒子を磁場の作用によって容易に移動させることができる点 から、その飽和磁ィ匕が好ましくは 0. lWb/m²以上、より好ましくは 0. 3Wb/m²以 上、特に好ましくは 0. 5Wb/m²以上のものが使用される。

[0221] 飽和磁化が 0. lWbZm²以上であることにより、その製造工程において磁性導電 性粒子を磁場の作用によって確実に移動させて所望の配向状態とすることができる ため、異方導電性シートを使用する際に磁性導電性粒子の連鎖を形成することがで きる。

磁性導電性粒子の具体例としては、鉄、ニッケル、コバルトなどの磁性を示す金属 の粒子もしくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、あるいはこ れらの粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に高導電性金属を被覆した複合粒子、 あるいは非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒 子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に、高導電性金属のメツキを施した複合粒子、あ るいは芯粒子に、フェライト、金属間化合物などの導電性磁性体および高導電性金 属の両方を被覆した複合粒子などが挙げられる。

[0222] ここで、「高導電性金属」とは、 0°Cにおける導電率が 5 X 10⁶ Ω—¹!!!—¹以上の金属を いう。このような高導電性金属としては、具体的には、金、銀、ロジウム、白金、クロム などを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する 点で金を用いることが好まし 、。

上記の磁性導電性粒子の中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀 などの高導電性金属のメツキを施した複合粒子が好ましい。

[0223] 芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する手段として、例えば、無電解メツキ法を 用!/、ることができる。

磁性導電性粒子は、その数平均粒子径の変動係数が 50%以下であることが好まし ぐより好ましくは 40%以下、さらに好ましくは 30%以下、特に好ましくは 20%以下で ある。ここで、「数平均粒子径の変動係数」とは、式：（ σ ZDn) X 100 (但し、 σは、 粒子径の標準偏差の値を示し、 Dnは、粒子の数平均粒子径を示す。 )によって求め られるちのである。

[0224] 磁性導電性粒子の数平均粒子径の変動係数が 50%以下であることにより、粒子径 の不揃いの程度が小さくなるため、得られる異方導電性シートにおける部分的な導 電性のバラツキを小さくすることができる。

このような磁性導電性粒子は、金属材料を常法により粒子化し、あるいは市販の金 属粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより得ることができる。粒子 の分級処理は、例えば、空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行 うことができる。分級処理の具体的な条件は、目的とする導電性金属粒子の数平均 粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。

[0225] 磁性導電性粒子の具体的な形状は、特に限定されな!、が、例えば複数の球形の 一次粒子が一体的に連結された二次粒子が好ましく用いられる。

磁性導電性粒子として、芯粒子の表面に高導電性金属が被覆された複合粒子 (導 電性複合金属粒子)を用いる場合、良好な導電性が得られる点から、導電性複合金 属粒子の表面における高導電性金属の被覆率 (芯粒子の表面積に対する高導電性 金属の被覆面積の割合）が 40%以上であることが好ましぐさらに好ましくは 45%以 上、特に好ましくは 47〜95%である。

[0226] また、高導電性金属の被覆量は、芯粒子の重量の 2. 5〜50質量％であることが好 ましぐより好ましくは 3〜45質量％、さらに好ましくは 3. 5〜40質量％、特に好ましく は 5〜30質量％である。

このような、絶縁性の弾性高分子物質中に多数の導電性粒子が面方向に分散し厚 み方向に配列した状態で含有された異方導電性シートは、例えば特開 2003— 775 60号公報に示されるように、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質用材料中 に、磁性を示す導電性粒子が含有された流動性の成形材料を調製し、この成形材 料からなる成形材料層を、当該成形材料層における一面に接する一面側成形部材 と、当該成形材料層における他面に接する他面側成形部材との間に形成し、この成 形材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させると共に、当該成形材料層を硬 化処理する方法等により製造することができる。

[0227] ピッチ変換用基板 23の中継ピンユニット 31側に配置される第 2の異方導電性シー ト 26は、図 33に示したような、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子 Pが 厚み方向に配列して形成された導電路形成部 71と、それぞれの導電路形成部 71を 離間する絶縁部 72から構成されたものであり、その詳細は図 1の実施形態における 場合と同様である。

[0228] 一方、テスター側コネクタ 41a, 41bは、図 1に示したように、第 3の異方導電性シー 卜 42a, 42bと、コネクタ基板 43a, 43bと、ベース板 46a, 46bと、を備えて ヽる。第 3 の異方導電性シート 42a, 42bには、前述した第 2の異方導電性シート 26と同様のも のが使用される。すなわち、図 33に示したような、絶縁性の弾性高分子材料中に多 数の導電性粒子が厚み方向に配列して形成された導電路形成部と、それぞれの導 電路形成部を離間する絶縁部とから構成された異方導電性シートが使用される。

[0229] コネクタ基板 43a, 43bは、絶縁基板を備えており、その表面の中継ピンユニット 31 側に、図 46および図 47に示したようにピン側電極 45a, 45bが形成されている。 これらのピン側電極 45は、例えば、 2. 54mm, 1. 8mm、 1. 27mm, 1. 06mm, 0. 8mm、 0. 75mm, 0. 5mm、 0. 45mm, 0. 3mmまたは 0. 2mmの一定ピッチ の格子点上に配置されており、その配置ピッチは中継ピンユニット 31の導電ピン 32 の配置ピッチと同一である。

[0230] それぞれのピン側電極 45は、絶縁基板の表面に形成された配線パターンおよびそ の内部に形成された内部配線によって、テスター側電極 44a, 44bへ電気的に接続 されている。

中継ピンユニット 31は、図 34〜図 39に示したものと同様に構成されている。その具 体的な詳細は前述したとおりである。

[0231] 以下、図 54〜図 57を参照しながら (便宜的に、第 2の検査治具 l ibのみ示す)、第 1の検査治具 1 laと第 2の検査治具 1 lbとの間で被検査回路基板 1の両面を挟圧し た際における圧力吸収作用および圧力分散作用について説明する。

図 55に示したように、第 1の検査治具 1 laと第 2の検査治具 1 lbとの間で検査対象 である被検査回路基板 1の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階で は、中継ピンユニット 31の導電ピン 32の厚み方向への移動と、中継基板 29の弾性 部と、第 2の異方導電性シート 26と、第 3の異方導電性シート 42のゴム弾性圧縮によ り圧力を吸収して、被検査回路基板 1の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収 することができる。

[0232] そして、第 1の支持ピンと中間保持板との第 1の当接支持位置と、前記第 2の支持ピ ンと中間保持板との第 2の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中 間保持板投影面にぉ ヽて異なる位置に配置されて ヽるので、図 56の矢印で示した ように、上下方向に力が作用し、図 57に示したように、第 1の検査治具 11aと第 2の検 查治具 l ibの間で検査対象である被検査回路基板 1をさらに加圧した際に、中継基 板 29の弾性部と、第 2の異方導電性シート 26と、第 3の異方導電性シート 42のゴム 弾性圧縮に加えて、中継ピンユニット 31の第 1の絶縁板 34と、第 2の絶縁板 35と、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35の間に配置された中間保持板 36のパネ弾性により 、被検査回路基板 1の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高 さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することがで きる。

[0233] すなわち、図 56および図 57に示したように、第 1の支持ピン 33と中間保持板 36に 対する第 1の当接支持位置 38Aを中心として、中間保持板 36が、第 2の絶縁板 35の 方向に橈むとともに（図 57の一点鎖線で囲んだ Eの部分参照）、第 2の支持ピン 37と 中間保持板 36との第 2の当接支持位置 38Bを中心として、中間保持板 36が、第 1の 絶縁板 34の方向に橈むことになる（図 57の一点鎖線で囲んだ Dの部分参照)。なお 、ここで「橈む」および「橈み方向」とは中間保持板 36が凸状になる方向に突出するよ うに橈むことおよびその突出方向を言う。

[0234] このように、中間保持板 36が、第 1の当接支持位置 38A、第 2の当接支持位置 38 Bを中心として、相互に反対方向に橈むので、第 1の検査治具 11aと第 2の検査治具 l ibとの間で検査対象である被検査回路基板 1をさらに加圧した際に、中間保持板 3 6のパネ弾性力が発揮されることになる。

また、図 57の一点鎖線で囲んだ B部分で示したように、第 2の異方導電性シート 26 の導電路形成部の突出部の圧縮によって、導電ピン 32bの高さが吸収されるが、こ の突出部の圧縮よつて吸収しきれない圧力力 第 1の絶縁板 34bに加わることになる

[0235] したがって、図 57の一点鎖線で囲んだ C部分で示したように、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35も、第 1の支持ピン 33、第 2の支持ピン 37との当接位置で、相互に反 対方向に橈むので、第 1の検査治具 11aと第 2の検査治具 l ibとの間で検査対象で ある被検査回路基板 1をさらに加圧した際に、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35の パネ弾性力が発揮されることになる。

[0236] これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板 1の被検査電極のそれぞれに対 して安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、中継基板 29の弾性部の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板 29の繰り返し使用 耐久性が向上するので、その交換回数が減り、検査作業効率が向上することになる。 図 58は、本発明の検査装置の他の実施形態を説明する図 54と同様な断面図 (便 宜的に第 2の検査治具のみ示している）、図 59は、その中継ピンユニットの拡大断面 図である。この検査装置は、図 46に示した検査装置と基本的には同様な構成であり 、同一の構成部材には同一の参照番号を付している。この検査装置では、図 58およ び図 59に示したように、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35との間に、複数個（本実 施形態では 3個）の中間保持板 36が所定間隔離間して配置されるとともに、これらの 隣接する中間保持板 36同士の間に、保持板支持ピン 39が配置されて 、る。

[0237] この場合、少なくとも 1つの中間保持板 36bにおいて、中間保持板 36bに対して一 面側力も当接する保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当接支持位置と、 中間保持板 36bに対して他面側力も当接する第 1の支持ピン 33b、第 2の支持ピン 3 7b、または保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当接支持位置とが、中間 保持板 36bの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置さ れて 、ることが必要である。

[0238] 最も好ましくは、全ての中間保持板 36bにおいて、中間保持板 36bに対して一面側 力 当接する保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当接支持位置と、中間 保持板 36bに対して他面側力も当接する第 1の支持ピン 33b、第 2の支持ピン 37b、 または保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当接支持位置とが、中間保 持板 36bの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置され る。

[0239] この場合、詳述しないが、「異なる位置」とは、前述した実施形態において、第 1の 支持ピン 33と中間保持板 36との第 1の当接支持位置 38Aと、第 2の支持ピン 37と中 間保持板 36との第 2の当接支持位置 38Bとの間の関係で説明した相対位置と同様 な配置とすることが可能である。

本実施形態では、 3つの中間保持板 36bのうち上側の中間保持板 36bにお 、て、 中間保持板 36bに対して一面側力も当接する保持板支持ピン 39bの中間保持板 36 bに対する当接支持位置 39Aと、中間保持板 36bに対して他面側力も当接する第 1 の支持ピン 33bの中間保持板 36bに対する当接支持位置 38Aとが、中間保持板 36 bの厚さ方向に投影した中間保持板投影面にぉ 、て異なる位置に配置されて 、る。

[0240] また、 3つの中間保持板 36bのうち中央の中間保持板 36bにおいて、中間保持板 3 6bに対して一面側から当接する保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当 接支持位置 39Aと、中間保持板 36bに対して他面側力も当接する保持板支持ピン 3 9bの中間保持板 36bに対する当接支持位置 39Aとが、中間保持板 36bの厚さ方向 に投影した中間保持板投影面にぉ ヽて異なる位置に配置されて ヽる。

[0241] また、 3つの中間保持板 36bのうち下側の中間保持板 36bにおいて、中間保持板 3 6bに対して一面側から当接する保持板支持ピン 39bの中間保持板 36bに対する当 接支持位置 39Aと、中間保持板 36bに対して他面側から当接する第 2の支持ピン 37 bの中間保持板 36bに対する当接支持位置 38Bとが、中間保持板 36bの厚さ方向に 投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。

[0242] このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板 36によってバネ弹 性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板 1の被検査電極の高さバラツキに 対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、中 継基板 29の弾性部の局部的な破損が抑制され、その結果、中継基板 29の繰り返し 使用耐久性が向上するので、中継基板 29の交換回数が減り、検査作業効率が向上 する。 [0243] なお、中間保持板 36の個数としては、複数個であればよぐ特に限定されるもので はない。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定 されるものではなぐその要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形、変更が可 能である。

例えば、被検査回路基板 1は、プリント回路基板以外に、ノ ッケージ IC、 MCM、 C SPなどの半導体集積回路装置、ウェハに形成された回路装置であってもよい。また 、プリント回路基板は、両面プリント回路基板だけではなく片面プリント回路基板であ つてもよい。

[0244] 第 1の検査治具 11aと第 2の検査治具 l ibは、使用材料、部材構造などにおいて必 ずしも同一である必要はなぐこれらが異なるものであってもよい。

テスター側コネクタは、コネクタ基板のような回路基板と異方導電性シートを複数積 層して構成してもよい。

上記の実施形態では、第 2の異方導電性シート 26および第 3の異方導電性シート 4 2として、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに 絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これに より該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路 形成部が突出しているものを用いた力 必ずしもこれに限定されるものではない。

[0245] また、図 1,図 2,図 40,図 41,図 43,図 44,図 54,図 55,図 57,図 58に示したよ うに、テスター側コネクタ 41におけるコネクタ基板 43とベース板 46との間に、支持ピ ン 49を配置してもよい。これらの支持ピン 49によって、第 1の支持ピン 33、第 2の支 持ピン 37 (図 44および図 58では第 1の支持ピン 33、第 2の支持ピン 37および保持 板支持ピン 39)が与える作用と同様にして、面圧を分散させる作用を与えることも可 能である。この面圧分散作用を与えるためには、支持ピン 49の位置と、第 2の支持ピ ン 37の位置とが面方向にぉ 、て互いに異なるようにこれらを配置することが好ま Uヽ

[0246] 以下に、本発明の具体的な実施例および比較例を示す。

[実施例 1] レール搬送型回路基板自動検査機 (日本電産リード社製，品名： STARREC V5 )の検査部に適合する、図 1に示したような、下記の評価用回路基板を検査するため の回路基板検査装置を作製した。

(1)評価用回路基板 1

下記の仕様の評価用回路基板 1を用意した。

寸法： 100mm (縦） X 100mm (横） X O. 8mm (厚み）

上面側の被検査電極の数： 3600個

上面側の被検査電極の径： 0. 2mm

上面側の被検査電極の最小配置ピッチ： 0. 4mm

下面側の被検査電極の数： 2600個

下面側の被検査電極の径： 0. 2mm

下面側の被検査電極の最小配置ピッチ： 0. 4mm

(2)ピッチ変換用基板 23

ガラス繊維補強型エポキシ榭脂からなる絶縁基板の両面全面に、厚みが 18 mの 銅からなる金属薄層を形成した積層材料 (松下電工社製，品名： R— 1766)に、数値 制御型ドリリング装置によって、それぞれ積層材料の厚み方向に貫通する直径 0. 2 mmの円形の貫通孔を合計で 7200個形成した。

[0247] 次 、で、貫通孔が形成された積層材料に対して、 EDTAタイプ銅メツキ液を用いて 無電解メツキ処理を施すことにより、各貫通孔の内壁に銅メツキ層を形成し、さらに、 硫酸銅メツキ液を用いて電解銅メツキ処理を施すことにより、各貫通孔内に、積層材 料表面の各金属薄層を互いに電気的に接続する、厚さ約 10 mの円筒状のバイァ ホールを形成した。

[0248] 次いで、積層材料表面の金属薄層上に、厚みが 25 μ mのドライフィルムレジスト（ 東京応化製，品名： FP— 225)をラミネートしてレジスト層を形成するとともに、この積 層材料の他面側の金属薄層上に保護シールを配置した。このレジスト層上にフォトマ スクフィルムを配置し、レジスト層に対して、平行光露光機 (オーク製作所製)を用い て露光処理を施した後、現像処理を行うことにより、エッチング用のレジストパターン を形成した。そして、レジストパターンを形成した面の金属薄層に対してエッチング処 理を施すことにより、絶縁基板の表面に、横方向 60 m、縦方向 120 mの矩形の 7 200個の接続電極と、各接続電極とバイァホールとを電気的に接続する線幅が 100 mのパターン配線部を形成し、次いで、レジストパターンを除去した。

[0249] 接続電極およびパターン配線部が形成された絶縁基板の表面に保護シールを施 した。次いで、積層材料の他面側の金属薄層上の保護シールを除去し、この面の金 属薄層上に、厚みが 25 mのドライフィルムレジスト (東京応化製，品名： FP— 225) をラミネートしてレジスト層を形成した。その後、このレジスト層上にフォトマスクフィル ムを配置し、レジスト層に対して、平行光露光機 (オーク製作所製)を用いて露光処 理を施した後、現像処理を行うことにより、積層材料における金属薄層上にエツチン グ用のレジストパターンを形成した。次いでエッチング処理を施すことにより、絶縁性 基板の裏面に 7200個の端子電極と、各端子電極とバイァホールとを電気的に接続 するパターン配線部を形成し、レジストパターンを除去した。

[0250] 次 、で、端子電極およびパターン配線部が形成された絶縁基板の裏面に、厚みが 38 μ mのドライフィルムソルダーレジスト（-チゴーモートン製、品名：コンフォマスク 2 015)をラミネートして絶縁層を形成し、この絶縁層上にフォトマスクフィルムを配置し 、次いで、絶縁層に対して、平行光露光機 (オーク製作所製)を用いて露光処理を施 した後、現像処理することにより、電極を露出する直径 0. 4mmの開口を 7200個形 成した。

[0251] 以上のようにして、第 1の検査治具 11a用のピッチ変換用基板 23aを作製した。この ピッチ変換用基板 23aは、縦横の寸法が 120mm X 160mm,厚みが 0. 5mm、接 続電極は横方向 60 m、縦方向 120 mの矩形で、対をなす接続電極間の離間距 離（電極間の絶縁部の幅） 30 μ m、端子電極の直径が 0. 4mm、端子電極の配置ピ ツチが 0. 45mmであり、接続電極が形成された面側の絶縁層の表面粗さが 0. 02 μ mであった。

[0252] また、上記と同様にして、表面に 5200個の接続電極を有すると共に裏面に 5200 個の端子電極を有する、第 2の検査治具 l ib用のピッチ変換用基板 23bを作製した 。このピッチ変換用基板 23bは、縦横の寸法が 120mm X 160mm、厚みが 0. 5mm 、接続電極は横方向 60 m、縦方向 120 mの矩形で、対をなす接続電極間の離 間距離 (電極間の絶縁部の幅） 30 m、端子電極の直径が 0. 4mm、端子電極の配 置ピッチが 0. 45mmであり、表面 (接続電極が形成された面)側の絶縁層の表面粗 さが 0. 02 mのものである。

(3)ピッチ変換用アダプタ一体 60

図 7〜図 16に示した方法により、第 1の異方導電性シート 22を上記のピッチ変換用 基板 23の表面側に一体ィ匕して、ピッチ変換用アダプタ一体 60を得た。

(i)導電性エラストマ一層 61Bの形成

付加型液状シリコーンゴム 100重量部中に、ニッケルよりなる芯粒子に金が被覆さ れてなる導電性粒子 (芯粒子に対する金の割合が 2重量％) 400重量部を分散させ ることにより、導電性エラストマ一用材料を調製した。この導電性エラストマ一用材料 を、厚みが 5mmのステンレスよりなる離型性支持板 65の表面に、スクリーン印刷によ り塗布した。

[0253] これにより、離型性支持板 65上に、厚みが 0. 05mmの導電性エラストマ一用材料 層 61Aを形成した（図 7および図 8)。

次いで、導電性エラストマ一用材料層 61Aに対して、電磁石によって厚み方向に 2 テスラの磁場を作用させながら、 120°C、 1時間の条件で硬化処理を行った。その結 果、支持板 65上に支持された厚みが 0. 05mmの導電性エラストマ一層 61Bを形成 した（図 9および図 10)。

(ii)導電路形成部 61の形成

離型性支持板 65上に支持された導電性エラストマ一層 61Bの表面に、無電解メッ キ処理を施すことによって、厚みが 0. 3 mの銅よりなる金属薄層 66を形成した。

[0254] そして、この金属薄層 66上に、フォトリソグラフィ一の手法により、ピッチ変換用基板 23aに設けられた接続電極 25aに対応する位置に、それぞれ寸法が、 60 m X 120 μ mの矩形の 7200個の開口 67aが形成された、厚みが 25 μ mのレジスト層 67を形 成した（図 12)。

その後、金属薄層 66の表面に電解メツキ処理を施すことにより、レジスト層 67の開 口 67a内に、厚みが 20 μ mの銅よりなる金属マスク 68を形成した（図 13)。

[0255] そして、この状態で、導電性エラストマ一層 61Bと、金属薄層 66と、レジスト層 67に 対して、炭酸ガスレーザー装置によって、レーザー加工を施した（図 15 (b)および図 16 (b) ) _G

これにより、それぞれ離型性支持板 65上に支持された 7200個の導電路形成部 61 を形成した、次いで、導電路形成部 61以外の導電性エラストマ一層 61Bを剥離除去 し（図 14、図 15 (c)および図 16 (c) )、その後、導電路形成部 61の表面から残存する 金属薄層 66と、金属マスク 68とをエッチング処理により剥離した。

[0256] なお、レーザー加工は、炭酸ガスレーザー加工機「ML— 605GTX」（三菱電機（ 株）製）を用い、レーザービーム径が直径 60 m,レーザー出力が 0. 8mJの条件で 、 1つの加工点にレーザービームを 10ショット照射することにより行った。

(iii)絶縁部 62の形成

ピッチ変換用基板 23aの表面に、付加型液状シリコーンゴムを塗布することにより、 厚みが 0. 05mmの絶縁部用材料層 62Aを形成した。そして、この絶縁部用材料層 62A上に、 7200個の導電路形成部 61が形成された離型性支持板 65を位置合わ せして、重ね合わせることにより、ピッチ変換用基板 23aの接続用電極 25の各々と、 これに対応する導電路形成部 61とを対接させた。

[0257] そして、離型性支持板 65に、 20kgfの圧力を加えることにより、絶縁部用材料層 62 Aの厚みを、 0. 04mmとするとともに、導電路形成部 61の厚みを、 0. 05mm力ら 0. 04mmに弹性的に圧縮させた。

この状態で、 120°C、 1時間の条件で、絶縁部用材料層 62Aの硬化処理を行うこと により、隣接する導電路形成部 61の間に、絶縁部 62を形成した。

[0258] その後、離型性支持板 65から離型させることにより、第 1の検査治具 11a用のピッ チ変換アダプタ一体 60aを製造した。

このピッチ変換アダプタ一体 60aの異方導電性シート 22aは、導電路形成部 61の 数力 7200個、導電路形成部 61の厚みが、 0. 05mm,絶縁部 62の厚み力 0. 04 mm、対を成す隣接する導電路形成部 61の間の絶縁部の幅が 30 m、絶縁部 62 力もの導電路形成部 61の突出高さ力 0. 01mmである。

[0259] 第 1の検査治具 11a用のピッチ変換アダプタ一体 60aと同様にして、導電路形成部 61の数力 5200個、導電路形成部 61の厚みが、 0. 05mm,絶縁部 62の厚みが 0 . 04mm,対を成す隣接する導電路形成部 61の間の絶縁部の幅が 30 /z m 絶縁部 62からの導電路形成部 61の突出高さが 0. Olmmである、第 2の検査治具 l ib用の ピッチ変換アダプタ一体 60bを作製した。

(4)回路基板側コネクタ 21

このピッチ変換用アダプタ一体 60の裏面側に、厚み方向に延びる多数の導電路形 成部と、これらを互いに絶縁する絶縁部とからなり、片面に導電路形成部が突出した 偏在型異方導電性シートからなる第 2の異方導電性シート 26を配置することにより、 回路基板側コネクタ 21とした。

[0260] なお、ピッチ変換用基板 23と中継ピンユニット 31との間に配置される第 2の異方導 電性シート 26は、図 33に示される形状であり、具体的には以下の構成のものを使用 した。

〔第 2の異方導電性シート 26〕

寸法： 11 Omm X 150mm

導電路形成部の厚み： 0. 6mm

導電路形成部の外径: 0. 35mm

導電路形成部の突出高さ： 0. 05mm

導電性粒子:材質;金メッキ処理を施したニッケル粒子、平均粒子径; 35 ;ζ ΐη、導電 路形成部における導電性粒子の含有率; 30体積％

弾性高分子物質:材質;シリコーンゴム、硬度; 30

(5)中継ピンユニット 31

第 1の絶縁板 34、中間保持板 36、第 2の絶縁板 35の材料として、固有抵抗が I X 10¹⁰ Ω 'cm以上の絶縁性材料、ガラス繊維補強型エポキシ榭脂よりなり、その厚みが 1. 9mmのものを用いた。

[0261] そして、第 1の絶縁板 34と中間保持板 36との間の距離 L1が、 36. 3mm,第 2の絶 縁板 35と中間保持板 36との間の距離 L2が、 3mmとなるように、第 1の支持ピン 33 ( 直径 2mm、長さ 36. 3mm)と、第 2の支持ピン 37 (直径 2mm、長さ 3mm)によって 固定支持するようにするとともに、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35との間に、下記 の構成力もなる導電ピン 32を移動自在となるように貫通孔 83 (直径 0. 4mm)に配置 して作製した。

〔導電ピン〕

材質：金メッキ処理を施した真鍮

先端部 81aの寸法：外径 0. 35mm、全長 2. lmm

中央部 32の寸法外径 0. 45mm,全長 41mm

基端部 8 lbの寸法：外径 0. 35mm、全長 2. lmm

なお、第 1の支持ピン 33の中間保持板 36との第 1の当接支持位置 38Aと、第 2の 支持ピン 37の中間保持板 36との第 2の当接支持位置 38Bは、図 39に示したように、 格子状に配置した。互いに隣接する第 1の当接支持位置 38Aの間の離間距離、第 2 の当接支持位置 38Bの間の離間距離は、 17. 5mmとした。

(6)テスター側コネクタ 41

テスター側コネクタ 41を、図 1に示したように、第 3の異方導電性シート 42と、コネク タ基板 43と、ベース板 46とから構成した。なお、第 3の異方導電性シート 42は、前述 した第 2の異方導電性シート 26と同様のものを用いた。

性能試験

1.ピッチ変換用アダプタ一体の絶縁性の評価

以下のようにして、ピッチ変換用アダプタ一体 60の対をなす接続電極間の絶縁抵 抗を評価した。

[0262] 接続用電極間の絶縁抗性の評価には、縦方向 100mm、横方向 100mm、厚さ 0.

8mmの、表面を絶縁性コートを施したガラスエポキシ基板を使用した。

作成した検査装置を、レール搬送型回路基板自動検査機「STARREC V5」の検 查部にセットし、検査装置に対して上記のガラスエポキシ基板 76をセットした（図 60 を参照)。

[0263] そして、レール搬送型回路基板自動検査機 rSTARREC V5jのプレス圧力を、 1 00〜210kgfの範囲内において段階的に変化させた。そして、各プレス圧力条件毎 に各 10回づつ、第 1の検査治具 11a用のピッチ変換アダプタ一体 60aに設けられた 、各々の対をなす検査電極 25の間の絶縁抵抗を測定した。

具体的には、対をなす接続用電極 25に対応する端子電極 24を通じて、 1ミリアン ペアの電流を印加しつつ、対をなす接続用電極 25の導通抵抗値を測定した。

[0264] この方法にて、対をなす検査電極 25間の絶縁抵抗値、すなわち一体的に設けられ た第 1の異方導電性シート 21における対をなす導電路形成部 61間の絶縁部 62の 絶縁抵抗値を測定した。

測定された絶縁抵抗値が 100 Ω以上となった接続用電極の電極対を絶縁良好と 判定し、総検査点数に対する絶縁良好と判定された点の割合 (以下「絶縁性合格点 割合」という。）を算出した。

[0265] 第 1の検査治具 11a用のピッチ変換アダプタ一体 60aにおける接続用電極 25は、 7

200個力 600個の対となっており、すなわち 3600個の接続電極対が存在し、各プ レス圧力条件において 10回の測定を行ったことから、絶縁性合格点割合は、式（36

00) X 10 = 36000によって算出される 36000点の検査点に占める NG検査点の割 合を示す。

[0266] この検査装置においては、実用上、絶縁性合格点割合が 99. 9%以上であること が必要とされており、絶縁性合格点割合が 99. 9%未満の場合には、検査時におい て、電流供給用電極として使用する接続用電極から、電圧測定用電極として使用す る接続用電極へリーク電流が流れることになる。

その結果、被検査回路基板の良品である被検査回路基板に対して、不良品である との誤った検査結果が得られる場合があるため、信頼性の高い回路基板の電気的検 查を行うことができなくなるおそれがある。

[0267] 測定結果を表 1に示した。

2.最低プレス圧力の測定

作成した検査装置をレール搬送型回路基板自動検査機 rSTARREC V5Jの検 查部にセットし、検査装置に対して用意した評価用回路基板 1をセットした。

そして、レール搬送型回路基板自動検査機「STARREC V5」のプレス圧力を、 1

00〜210kgfの範囲内において段階的に変化させ、各プレス圧力条件毎に各 10回 づっ、評価用回路基板 1の被検査電極について、電流供給用の接続用電極に 1ミリ アンペアの電流を流したときの導通抵抗値を測定した。

[0268] 測定された導通抵抗値が 10 Ω以上となった検査点（以下、「NG検査点」という。）を 導通不良と判定し、総検査点における NG検査点の割合 (以下、「NG検査点割合」と いう。）を算出し、 NG検査点割合が 0. 01%以下となった最も低いプレス圧力を最低 プレス圧力とした。

この検査装置においては、実用上、 NG検査点割合が 0. 01%以下であることが必 要とされており、 NG検査点割合が 0. 01%を超える場合には、良品である被検査回 路基板に対して、不良品であるとの誤った検査結果が得られる場合があることから、 信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことができなくなるおそれがある。

[0269] この導通抵抗値の測定においては、一の導通抵抗値の測定が終了した後に、測定 に係るプレス圧力を開放して検査装置を無加圧状態に戻し、次の導通抵抗値の測 定は、再度、所定の大きさのプレス圧力を作用させることによって行った。

評価用回路基板 1の上面被検査電極数は 3600点、下面被検査電極数は 2600点 であり、各プレス圧力条件において 10回の測定を行ったことから、 NG検査点割合は 、式（3600 + 2600) X 10 = 62000【こよって算出される 62000, の検査, 【こ占める NG検査点の割合を示す。

[0270] 測定結果を表 2に示した。

なお、「最低プレス圧が小さい」とは、低いプレス圧力で被検査回路基板の電気的 検査が行えることを意味している。検査時の加圧圧力を低く設定できれば、検査時の 加圧圧力による被検査回路基板、異方導電性シートおよびピッチ変換用基板の劣化 が抑制できる。

し力も、検査装置の構成部材として、耐久性強度の低い部品を使用することが可能 となることから、検査装置の構造を小さくコンパクトにすることができる。

[0271] その結果、検査装置の耐久性の向上、検査装置の製造のコスト削減が達成できる

3.異方導電性シートの耐久性の測定

作成した検査装置をレール搬送型回路基板自動検査機 rSTARREC V5Jの検 查部にセットした。

検査装置に対して用意した評価用回路基板 1をセットして、レール搬送型回路基板 自動検査機「STARREC V5」のプレス圧力条件を 130kgfとし、所定回数の加圧を 行った。

[0272] その後、評価用回路基板 1の被検査電極について、プレス圧力 130kgfの条件下 にて、検査用電極に 1ミリアンペアの電流を印加したときの導通抵抗値を 10回測定し

、所定回数の加圧を行い同様に導通抵抗値を 10回測定する作業を繰り返した。 測定された導通抵抗値が 10 Ω以上となった検査点 (NG検査点)を導通不良と判 定し、総検査点における NG検査点の割合 (NG検査点割合)を算出した。

[0273] 次いで、検査装置の異方導電性シートを新しいものに交換し、プレス圧力条件を 1

50kgfに変更したこと以外は上記と同様の条件によって所定回数の加圧を行い、上 記と同様の手法によって NG検査点割合を算出した。

なお、一の導通抵抗値の測定が終了した後に、測定に係るプレス圧力を開放して 検査装置を無加圧状態に戻し、次の導通抵抗値の測定は、所定の大きさのプレス圧 力を再度作用させることによって行った。

[0274] 測定結果を表 3に示した。

4.被検査回路基板の導通不良の評価

作成した検査装置をレール搬送型回路基板自動検査機 rSTARREC V5Jの検 查部にセットし、検査装置に対して用意した評価用回路基板 1をセットした。

そして、レール搬送型回路基板自動検査機「STARREC V5」のプレス圧力条件 を 150kgfとし、評価用回路基板 1の被検査電極について、プレス圧力 150kgfの条 件下にて、電流供給用の接続用電極より 1ミリアンペアの電流を供給したときの導通 抵抗値を電圧測定用の接続用電極にて 10回測定した。

[0275] その結果、設定した導通抵抗値（100 Ω )以上の導通抵抗値が検出された検査点（

NG検査点）を導通不良と判断し、総検査点における NG検査点の割合 (NG検査点 割合)を算出した。

そして、同一の評価用回路基板 1に対して、 NG検査点と判断する導通抵抗値の設 定を、 100 Ωより低い抵抗値に段階的に変化させて、各設定抵抗値において評価用 回路基板 1の評価を行つた。

[0276] 測定結果を表 4に示した。

[比較例 1] 図 61に示したように、実施例 1の検査装置において、ピッチ変換用アダプタ一体 60 をピッチ変換用基板 23に変更し、ピッチ変換基板 23と評価用回路基板 1との間に、 厚さ 100 μ mの分散型異方導電性シート 77を配置した。

[0277] そして、作製した比較用の検査装置について、実施例 1と同様な方法により、ピッチ 変換用アダプタ一体の絶縁性の測定、最低プレス圧の測定、異方導電性シートの耐 久性の測定および被検査回路基板の導通不良の評価を行った。絶縁性の測定結果 を表 1に、最低プレスの測定結果を表 2に、異方導電性シートの耐久性の測定結果 を表 3に、被検査回路基板の導通不良の評価の結果を表 4に示した。

[0278] なお、絶縁性の評価は、図 61に示したように、実施例 1の検査装置に対するピッチ 変換用アダプタ一体の絶縁性の評価に準じて実施した。

[比較例 2]

比較例 1において使用した厚さ 100 /z mの分散型異方導電性エラストマ一シートを 、厚み 40 mの分散型異方導電性シート 77に交換した。

[0279] そして、作製した比較用の検査装置について、実施例 1と同様な方法により、ピッチ 変換用アダプタ一体の絶縁性の測定、最低プレス圧の測定、異方導電性シートの耐 久性の測定および被検査回路基板の導通不良の評価を行った。絶縁性の測定結果 を表 1に、最低プレスの測定結果を、表 2に、異方導電性シートの耐久性の測定結果 を、表 3に、被検査回路基板の導通不良の評価の結果を、表 4に示した。

[0280] 絶縁性の評価は、図 61に示したように、実施例 1の検査装置に対するピッチ変換 用アダプタ一体の絶縁性の評価に準じて実施した。

なお、比較例 1および比較例 2において使用した分散型異方導電性シートは、以下 のようにして得た。

<分散型異方導電性シートの製造 >

二液型の付加型液状シリコーンゴムの A液と B液とを、等量となる割合で混合した混 合物 100容量部に、平均粒子径が 20 mの導電性粒子を 25容量部添加して混合 した。

[0281] その後、減圧による脱泡処理を行うことにより、導電性エラストマ一用材料を調製し た。導電性粒子としては、ニッケル粒子を芯粒子とし、この芯粒子に無電解金メッキ が施されたもの（平均被覆量:芯粒子の重量の 5重量％となる量)を用いた。

表面が光沢面 (表面粗さが 0. 04 /z m)で、裏面が非光沢面である、厚みが 0. lm mのポリエステル榭脂シート (東レネ土製，品名「マットルミラー S 10」）を 2枚用意した。 そして、一方のポリエステル榭脂シートの表面上に、 120mm X 200mmの矩形の開 口を有する、厚みが 100 μ mの枠状のスぺーサーを配置した。

[0282] このスぺーサ一の開口内に、調製した導電性エラストマ一用材料を塗布し、この導 電性エラストマ一用材料上に、他方のポリエステル榭脂シートを、その表面が導電性 エラストマ一用材料に接するよう配置した。

その後、加圧ロールと支持ロールとからなる加圧ロール装置を用い、 2枚のポリエス テル榭脂シートによって導電性エラストマ一用材料を挟圧することにより、厚みが 100 μ mの導電性エラストマ一用材料層を形成した。

[0283] 次 、で、 2枚のポリエステル榭脂シートの各々の裏面に電磁石を配置し、導電性ェ ラストマー材料層に対して、その厚み方向に 0. 3Tの平行磁場を作用させながら、 12

0°C、 30分間の条件で、成形材料層の硬化処理を行うことにより、厚みが 100 mの 矩形の導電性エラストマ一シートを製造した。得られた導電性エラストマ一シートにお ける導電性粒子の割合は、体積分率で 12%であった。

[0284] この導電性エラストマ一シートを、 110mm X 110mmに切断し、比較例 1に使用さ れる分散型異方導電性エラストマ一シートとした。

また、上記において、スぺーサ一の厚みを 40 /z mに変更し、同様の方法にて、比 較例 2に使用される厚み 40 μ mの分散型異方導電性シートを得た。

[0285] [表 1]

[0286] [表 2] N G検査点割合 （％) 最低プレス rレス圧力 100 110 130 150 180 210 圧力

(kg£) (kg£) 実施例 1 0.52 0.14 0 0 0 0 130 比較例 2 0.48 0.11 0 0 0 0 130

[0287] [表 3]

[0288] [表 4]

[0289] これらの表 1〜表 4から明らかなように、本発明の検査装置によれば、接続用電極 の間の電気絶縁性が良好で、最低プレス圧も低ぐ異方導電性シートの耐久性に優 れ、し力も、導通不良の発生も極めて小さいことがわかる。

[実施例 2]

レール搬送型回路基板自動検査機 (日本電産リード社製，品名： STARREC V5 )の検査部に適合する、図 46に示したような、下記の評価用回路基板を検査するた めの回路基板検査装置を作製した。

(1)評価用回路基板 1

下記の仕様の評価用回路基板 1を用意した。

寸法： 100mm (縦） X 100mm (横） X O. 8mm (厚み）

上面側の被検査電極の数： 3600個 上面側の被検査電極の径： 0. 2mm

上面側の被検査電極の最小配置ピッチ： 0. 4mm

下面側の被検査電極の数： 2600個

下面側の被検査電極の径： 0. 2mm

下面側の被検査電極の最小配置ピッチ： 0. 4mm

(2)ピッチ変換用基板 23

ガラス繊維補強型エポキシ榭脂からなる厚さ 0. 5mmの絶縁基板の両面全面に、 厚みが の銅カゝらなる金属薄層を形成した積層材料 (松下電工社製，品名： R - 1766)に、数値制御型ドリリング装置によって、それぞれ積層材料の厚み方向に 貫通する直径 0. 1mmの円形の貫通孔を合計で 7200個形成した。

[0290] この場合、貫通孔の形成は 2個を一組として、評価用回路基板の上面側の被検査 電極に対応する位置に形成し、一組の貫通孔は 0. 1mmの間隙を設けて形成した（ すなわち、貫通孔 A=0. 1mmと貫通孔 B=0. 1mmとの間の間隙 =0. 1mmとなる ように設定することを意味する)。

その後、貫通孔が形成された積層材料に対し、 EDTAタイプ銅メツキ液を用いて無 電解メツキ処理を施すことにより、各貫通孔の内壁に銅メツキ層を形成し、さらに、硫 酸銅メツキ液を用いて電解銅メツキ処理を施すことにより、各貫通孔内に、積層材料 表面の各金属薄層を互いに電気的に接続する、厚さ約 10 mの円筒状のバイァホ ールを形成した。

[0291] 次いで、積層材料表面の金属薄層上に、厚みが 25 μ mのドライフィルムレジスト（ 東京応化製，品名： FP— 225)をラミネートしてレジスト層を形成するとともに、この積 層材料の他面側の金属薄層上に保護シールを配置した。このレジスト層上にフォトマ スクフィルムを配置し、レジスト層に対して、平行光露光機 (オーク製作所製)を用い て露光処理を施した後、現像処理を行うことにより、エッチング用のレジストパターン を形成した。そして、レジストパターンを形成した面の金属薄層に対してエッチング処 理を施すことにより、絶縁基板の表面に、横 60 /ζ πι、縦 120 mの矩形の 7200個の 接続電極と、各接続電極とバイァホールとを電気的に接続する線幅が 100 mのパ ターン配線部を形成し、次いで、レジストパターンを除去した。 [0292] 次に、積層材料の接続電極とパターン配線部を形成した側の面に、厚みが 25 μ m のドライフィルムレジスト (東京応化製，品名： FP— 225)をラミネートしてレジスト層を 形成し、このレジスト層の上にフォトマスクフィルムを配置して、レジスト層に対して平 行光露光機 (オーク製作所製)を用いて露光処理を施した後、現像処理を行うこと〖こ より、それぞれの接続電極を露出する、横方向 60 m、縦方向 120 mの矩形の 72 00個の開口を形成した。

[0293] そして、硫酸銅メツキ液を用い、積層材料の他面側の金属薄層を共通電極として用 い、それぞれの接続電極に対して電解銅メツキ処理を施すことにより 7200個の接続 電極を形成した。次 、でレジストパターンを除去した。

次いで、積層材料の他面側の金属薄層上の保護シールを除去し、この面の金属薄 層上に、厚みが 25 mのドライフィルムレジスト (東京応化製，品名： FP— 225)をラ ミネートしてレジスト層を形成した。その後、このレジスト層上にフォトマスクフィルムを 配置し、レジスト層に対して、平行光露光機 (オーク製作所製)を用いて露光処理を 施した後、現像処理を行うことにより、積層材料における金属薄層上にエッチング用 のレジストパターンを形成した。

[0294] 次 、で、積層材料の接続電極を形成した側の面に保護シールを施した後に、エツ チング処理を施すことにより、絶縁性基板の裏面に 7200個の端子電極と、各端子電 極とバイァホールとを電気的に接続するパターン配線部を形成し、レジストパターン を除去した。

次いで、端子電極およびパターン配線部が形成された絶縁基板の裏面に、厚みが 38 μ mのドライフィルムソルダーレジスト（-チゴーモートン製、品名：コンフォマスク 2 015)をラミネートして絶縁層を形成し、この絶縁層上にフォトマスクフィルムを配置し 、次いで、絶縁層に対して、平行光露光機 (オーク製作所製)を用いて露光処理を施 した後、現像処理することにより、電極を露出する直径 0. 4mmの開口を 7200個形 成した。

[0295] 以上のようにして、第 1の検査治具 11a用のピッチ変換用基板 23aを作製した。この ピッチ変換用基板 23aは、縦横の寸法が 120mmX 160mm,厚みが 0. 5mm、接 続用電極 25の絶縁層表面力も露出した部分の寸法力 横方向約 60 mで、縦方向 約 120 /ζ πι、接続用電極 25の絶縁層表面からの突出高さが約 30 /z m 対をなす接 続用電極 25間の離間距離が 30 m、端子電極 24の直径が 0. 4mm、端子電極 24 の配置ピッチが 0. 75mmであった。

[0296] また、上記と同様にして、表面に 5200個の接続用電極 25を有すると共に裏面に 5 200個の端子電極 24を有する、第 2の検査治具 l ib用のピッチ変換用基板 23bを作 製した。

このピッチ変換用基板 23bは、縦横の寸法が 120mm X 160mm、厚みが 0. 5mm 、接続用電極 25における絶縁層の表面に露出した部分の横方向約 60 /z mで、縦方 向約 120 m、接続用電極 25における絶縁層の表面力もの突出高さが約 30 μ m、 対をなす接続用電極 25間の離間距離が 30 /ζ πι、端子電極 24の直径が 0. 4mm、 端子電極 24の配置ピッチが 0. 75mmのものである。

(3)中継基板 29

1.基板の製造

両面に銅箔を備えた厚みが 25 μ mの液晶ポリマー銅張積層板 (新日鐡ィ匕学：エス パネックス LB18— 25— 18NEP)に対してエッチングを行い、両面の銅箔を除去 すること〖こより厚み 25 μ mの液晶ポリマーシートを得た。

[0297] この液晶ポリマーシートに、形成するべき貫通孔に対応する開口を有する厚さ 18 mの銅よりなるレーザー加工用金属マスクを積層し、炭酸ガスレーザー加工機にて、 レーザー加工用金属マスクの開口部を介してレーザー光を照射することにより液晶ポ リマーシートに所定の貫通孔を形成した。

以上において、炭酸ガスレーザー装置によるレーザー加工は、炭酸ガスレーザー 加工機「ML— 605GTX」（三菱電機 (株)製)を用い、レーザービーム径が直径 60 m,レーザー出力が 0. 8mJの条件で、 1つの加工点にレーザービームを 10ショット照 射することにより行った。

[0298] 得られた基板 73の寸法、貫通孔の数および直径は以下のとおりである。

〔上側の中継基板 29a用の基板 73a〕

寸法： 90mm (縦） X 90mm (横） X 25 m (厚み）

貫通孔の数： 3600個 貫通孔の直径： 0. 3mm

〔下側の中継基板 29b用の基板 73b〕

寸法： 90mm (縦） X 90mm (横） X 25 m (厚み）

貫通孔の数： 2600個

貫通孔の直径： 0. 3mm

2.導電性エラストマ一層の形成

付加型液状シリコーンゴム 100重量部中に、ニッケルよりなる芯粒子に金が被覆さ れてなる導電性粒子 (芯粒子に対する金の割合が 2重量％) 400重量部を分散させ ることにより、導電性エラストマ一用材料を調製した。この導電性エラストマ一用材料 を、厚みが 5mmのステンレスよりなる離型性支持板 65の表面に、スクリーン印刷によ り塗布することにより、離型性支持板 65上に、厚みが 0. 05mmの導電性エラストマ 一用材料層 61 Aを形成した（図 7)。

次いで、導電性エラストマ一用材料層 65に対して、電磁石によって厚み方向に 2テ スラの磁場を作用させながら、 120°C、 1時間の条件で硬化処理を行うことにより、離 型性支持板 65上に支持された厚みが 0. 05mmの導電性エラストマ一層 65Bを形成 した（図 10)。

3.導電路形成部の形成

離型性支持板 65上に支持された導電性エラストマ一層 65Bの表面に、無電解メッ キ処理を施すことによって、厚みが 0. 3 mの銅よりなる金属薄層 66を形成し（図 11 )、この金属薄層 66上に、フォトリソグラフィ一の手法によって横 60 m、縦 120 m の矩形の 7200個の開口が形成された、厚みが 25 μ mのレジスト層 67を形成した（ 図 12)。その後、金属薄層 66の表面に電解メツキ処理を施すことにより、レジスト層 6 7の開口内に厚みが約 20 mの銅よりなる金属マスク 68を形成した（図 13)。そして 、この状態で、金属マスク 68の周辺部の導電性エラストマ一層 65B、金属薄層 66お よびレジスト層 67に対して、炭酸ガスレーザー装置によってレーザー加工を施すこと により、離型性支持板 65上に支持された 7200個の導電路形成部 61を形成し（図 15 B)、次に、導電路形成部 61をレーザー加工により切り離した残余の導電性エラスト マー層を剥離することにより、図 15 (c)に示したように導電路形成部 61のみを離型性 支持板 65上に残存させた。その後、導電路形成部 61の表面から残存する金属薄層 66および金属マスク 68をエッチングにより除去した。

[0300] 以上において、炭酸ガスレーザー装置によるレーザー加工は、炭酸ガスレーザー 加工機「ML— 605GTX」（三菱電機 (株)製)を用い、レーザービーム径が直径 60 m、レーザー出力が 0. 8mJの条件で、 1つの加工点にレーザービームを 10ショット照 射することにより行った。

4.絶縁部の形成

離型性支持板 70の表面に付加型液状シリコーンゴムを塗布して厚み 15 mのシリ コーンゴム層を設けた（図 50 (a) )。

[0301] 離型性支持板 70の表面に、液晶ポリマーシートからなる基板 73を上記のシリコー ンゴム層を介して載置し（図 50 (b) )、基板 73の貫通孔内に付加型液状シリコーンゴ ムを塗布することにより、合計の厚みが 0. 05mmの絶縁部用材料層 62Aを形成し（ 図 50 (c) )、この絶縁部用材料層 62A上に、 7200個の導電路形成部 61が形成され た離型性支持板 65を位置合わせして重ね合わせた（図 51 (a) )。

[0302] そして、離型性支持板 65に 20kgfの圧力を加えることにより、導電路形成部 61の 厚みを 0. 05mm力ら 0. 04mmに弹性的に圧縮させ、この状態で、 120°C、 1時間の 条件で、絶縁部用材料層 62の硬化処理を行うことにより、隣接する導電路形成部 61 の間に絶縁部 62を形成し（図 51 (b) )、その後、離型性支持板から離型させること〖こ より、第 1の検査治具 1 la用の中継基板 29aを製造した（図 51 (c) )。

[0303] このようにして作成した第 1の検査治具 11a用の中継基板 29aは、基板 73aの寸法 力 S90mm (縦） X 90mm (横） X 25 m (厚み）、導電路形成部 61aの数が 7200個、 導電路形成部 61aの寸法が横 60 m、縦 120 /z m、厚みが約 0. 05mm,絶縁部 6 2aの厚みが約 0. 03mm,隣接する導電路形成部 61a間の絶縁部 62aの幅が 30 m、絶縁部 62aからの導電路形成部 61aの突出高さが上下を合計して約 0. 02mm であった。

[0304] また、第 1の検査治具 11a用の中継基板 29aと同様の工程によって、第 2の検査治 具 l ib用の中継基板 29bを作成した。この中継基板 29bは、導電路形成部 61bの数 力 ^5200偶、導電路形成咅 lbの寸法力 S横 60 μ m、縦 120 μ m、厚み力 S約 0. 05m m、絶縁部 62bの厚みが約 0. 03mm,隣接する導電路形成部 61b間の絶縁部 62b の幅が 30 m、絶縁部 62bからの導電路形成部 61bの突出高さが上下を合計して 約 0. 02mmであった。

(4)回路基板側コネクタ 21

上記のピッチ変換用基板 23の一面側に、中継基板 29を配置し、裏面側に、厚み 方向に延びる多数の導電路形成部と、これらを互いに絶縁する絶縁部とからなり、片 面に導電路形成部が突出した偏在型異方導電性シートからなる第 2の異方導電性シ ート 26を配置することにより、回路基板側コネクタ 21とした。

[0305] なお、ピッチ変換用基板 23と中継ピンユニット 31との間に配置される第 2の異方導 電性シート 26は、図 33に示される形状であり、具体的には以下の構成のものを使用 した。

〔第 2の異方導電性シート 26〕

寸法： 11 Omm X 150mm

導電路形成部の厚み： 0. 6mm

導電路形成部の外径: 0. 35mm

導電路形成部の突出高さ： 0. 05mm

導電性粒子:材質;金メッキ処理を施したニッケル粒子、平均粒子径; 35 ;ζ ΐη、導電 路形成部における導電性粒子の含有率; 30体積％

弾性高分子物質:材質;シリコーンゴム、硬度; 30

(5)中継ピンユニット 31

第 1の絶縁板 34、中間保持板 36、第 2の絶縁板 35の材料として、固有抵抗が I X 10¹⁰ Ω 'cm以上の絶縁性材料、ガラス繊維補強型エポキシ榭脂よりなり、その厚みが 1. 9mmのものを用いた。

[0306] そして、第 1の絶縁板 34と中間保持板 36との間の距離 L1が、 36. 3mm、第 2の絶 縁板 35と中間保持板 36との間の距離 L2が、 3mmとなるように、第 1の支持ピン 33 ( 直径 2mm、長さ 36. 3mm)と、第 2の支持ピン 37 (直径 2mm、長さ 3mm)によって 固定支持するようにするとともに、第 1の絶縁板 34と第 2の絶縁板 35との間に、下記 の構成力もなる導電ピン 32を移動自在となるように貫通孔 83 (直径 0. 4mm)に配置 した。

〔導電ピン〕

材質：金メッキ処理を施した真鍮

先端部 81aの寸法：外径 0. 35mm、全長 2. lmm

中央部 32の寸法外径 0. 45mm,全長 41mm

基端部 8 lbの寸法：外径 0. 35mm、全長 2. lmm

なお、第 1の支持ピン 33の中間保持板 36との第 1の当接支持位置 38Aと、第 2の 支持ピン 37の中間保持板 36に対する第 2の当接支持位置 38Bは、図 39に示したよ うに、格子状に配置した。なお、互いに隣接する第 1の当接支持位置 38Aの間の離 間距離、第 2の当接支持位置 38Bの間の離間距離を、 17. 5mmとした。

(6)テスター側コネクタ 41

テスター側コネクタ 41を、図 46に示したように、第 3の異方導電性シート 42と、コネ クタ基板 43と、ベース板 46とから構成した。なお、第 3の異方導電性シート 42は、前 述した第 2の異方導電性シート 26と同様のものを用いた。

性能試験

1.最低プレス圧力の測定

作成した検査装置をレール搬送型回路基板自動検査機 rSTARREC V5Jの検 查部にセットし、検査装置に対して用意した評価用回路基板 1をセットした。

[0307] そして、レール搬送型回路基板自動検査機 rSTARREC V5jのプレス圧力を、 1 00〜210kgfの範囲内において段階的に変化させ、各プレス圧力条件毎に各 10回 づっ、評価用回路基板 1の被検査電極について、電流供給用の接続用電極に 1ミリ アンペアの電流を流したときの導通抵抗値を測定した。

測定された導通抵抗値が 10 Ω以上となった検査点（以下、「NG検査点」という。）を 導通不良と判定し、総検査点における NG検査点の割合 (以下、「NG検査点割合」と いう。）を算出し、 NG検査点割合が 0. 01%以下となった最も低いプレス圧力を最低 プレス圧力とした。

[0308] この検査装置においては、実用上、 NG検査点割合が 0. 01%以下であることが必 要とされており、 NG検査点割合が 0. 01%を超える場合には、良品である被検査回 路基板に対して、不良品であるとの誤った検査結果が得られる場合があることから、 信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことができなくなるおそれがある。

この導通抵抗値の測定においては、一の導通抵抗値の測定が終了した後に、測定 に係るプレス圧力を開放して検査装置を無加圧状態に戻し、次の導通抵抗値の測 定は、再度、所定の大きさのプレス圧力を作用させることによって行った。

[0309] 評価用回路基板 1の上面被検査電極数は 3600点、下面被検査電極数は 2600点 であり、各プレス圧力条件において 10回の測定を行ったことから、 NG検査点割合は 、式（3600 + 2600) X 10 = 62000【こよって算出される 62000, の検査, 【こ占める NG検査点の割合を示す。

測定結果を表 5に示した。

[0310] なお、「最低プレス圧が小さい」とは、低いプレス圧力で被検査回路基板の電気的 検査が行えることを意味している。検査時の加圧圧力を低く設定できれば、検査時の 加圧圧力による被検査回路基板、異方導電性シートおよびピッチ変換用基板の劣化 が抑制できる。

し力も、検査装置の構成部材として、耐久性強度の低い部品を使用することが可能 となることから、検査装置の構造を小さくコンパクトにすることができる。

[0311] その結果、検査装置の耐久性の向上、検査装置の製造のコスト削減が達成できる

2.中継基板の耐久性の測定

作成した検査装置をレール搬送型回路基板自動検査機 rSTARREC V5Jの検 查部にセットした。

検査装置に対して用意した評価用回路基板 1をセットして、レール搬送型回路基板 自動検査機「STARREC V5」のプレス圧力条件を 130kgfとし、所定回数の加圧を 行った。

[0312] その後、評価用回路基板 1の被検査電極について、プレス圧力 130kgfの条件下 にて、検査用電極に 1ミリアンペアの電流を印加したときの導通抵抗値を 10回測定し 、所定回数の加圧を行い同様に導通抵抗値を 10回測定する作業を繰り返した。 測定された導通抵抗値が 10 Ω以上となった検査点 (NG検査点)を導通不良と判 定し、総検査点における NG検査点の割合 (NG検査点割合)を算出した。

[0313] 次いで、検査装置の中継基板を新しいものに交換し、プレス圧力条件を 150kgfに 変更したこと以外は上記と同様の条件によって所定回数の加圧を行い、上記と同様 の手法によって NG検査点割合を算出した。

なお、一の導通抵抗値の測定が終了した後に、測定に係るプレス圧力を開放して 検査装置を無加圧状態に戻し、次の導通抵抗値の測定は、所定の大きさのプレス圧 力を再度作用させることによって行った。

[0314] 測定結果を表 6に示した。

3.絶縁性の評価

以下のようにして、ピッチ変換用基板 23および中継基板 29からなるアダプタ一体 における対をなす接続用電極間の絶縁抵抗を評価した。

接続用電極間の絶縁抗性の評価には、縦方向 100mm、横方向 100mm、厚さ 0. 8mmの、表面を絶縁性コートを施したガラスエポキシ基板を使用した。

[0315] 作成した検査装置を、レール搬送型回路基板自動検査機 rSTARREC V5jの検 查部にセットし、検査装置に対して上記のガラスエポキシ基板をセットした。

そして、レール搬送型回路基板自動検査機「STARREC V5」のプレス圧力を、 1 00〜210kgfの範囲内において段階的に変化させた。そして、各プレス圧力条件毎 に各 10回づつ、第 1の検査治具 11a用の上記アダプタ一体に設けられた、各々の対 をなす検査電極 25の間の絶縁抵抗を測定した。

[0316] 具体的には、対をなす接続用電極 25に対応する端子電極 24を通じて 1ミリアンぺ ァの電流を印加しつつ、対をなす検査電極 25の導通抵抗値を測定した。

この方法にて、対をなす接続用電極 25間の絶縁抵抗値、すなわち中継基板 29に おける対をなす導電路形成部 61間の絶縁部 62の絶縁抵抗値を測定した。

測定された絶縁抵抗値が 100 Ω以上となった接続用電極対を絶縁良好と判定し、 総検査点数に対する絶縁良好と判定された点の割合 (以下「絶縁性合格点割合」と いう。）を算出した。

[0317] 第 1の検査治具 11a用の上記アダプタ一体における接続用電極 25は、 7200個が 3600個の対となっており、すなわち 3600個の接続電極対が存在し、各プレス圧力 条件において 10回の測定を行ったことから、絶縁性合格点割合は、式（3600) X 10 = 36000によって算出される 36000点の検査点に占める NG検査点の割合を示す

[0318] この検査装置においては、実用上、絶縁性合格点割合が 99. 9%以上であること が必要とされており、絶縁性合格点割合が 99. 9%未満の場合には、検査時におい て、電流供給用電極として使用する接続用電極から、電圧測定用電極として使用す る接続用電極へリーク電流が流れることになる。

その結果、被検査回路基板の良品である被検査回路基板に対して、不良品である との誤った検査結果が得られる場合があるため、信頼性の高い回路基板の電気的検 查を行うことができなくなるおそれがある。

[0319] 評価結果を表 7に示した。

[比較例 3]

実施例 1の中継ピンユニット 31の代わりに、図 62に示したような従来の中継ピンュ ニット 131a、 131bを用いた。すなわち、一定ピッチ（2. 54mmピッチ）で格子点上に 多数（8000ピン）配置された導電ピン 132a, 132bと、この導電ピン 132a, 132bを 上下へ移動可能に支持する絶縁板 134a, 134bとを有しているものを用いた。それ 以外は実施例 2と同様の構成として、比較用の検査装置を作製した。

[0320] 作製した比較用検査装置について、実施例 2と同様な方法により、最低プレス圧お よび中継基板の耐久性を測定した。

最低プレス圧の測定結果を表 5に、耐久性の測定結果を表 6に示した。

[比較例 4]

実施例 2の検査装置において、中継基板 29の代わりに、ピッチ変換基板 23と評価 用回路基板 1の間に厚さ 100 μ mの分散型異方導電性シートを配置した。

[0321] 作製した比較用検査装置におけるピッチ変換用基板と分散型異方導電性シートと 力もなるアダプタ一体について、上述した方法にて絶縁性の評価を行った。絶縁性 の評価結果を表 7に示した。

[比較例 5]

比較例 4において使用した厚さ 100 mの分散型異方導電性シートを、厚み 40 mの分散型異方導電性シートに交換した。

[0322] そして作製した比較用検査装置について、実施例 2と同様な方法により、最低プレ ス圧の測定、異方導電性シートの耐久性の測定および絶縁性の評価を行った。最低 プレス圧の測定結果を表 5に、耐久性の測定結果を表 6に、絶縁性の評価結果を表 7に示した。

なお、比較例 4および比較例 5にお 、て使用した分散型異方導電性シートは以下 のようにして得た。

<分散型異方導電性シートの製造 >

二液型の付加型液状シリコーンゴムの A液と B液とを、等量となる割合で混合した混 合物 100容量部に、平均粒子径が 20 mの導電性粒子を 25容量部添加して混合 した。

[0323] その後、減圧による脱泡処理を行うことにより、導電性エラストマ一用材料を調製し た。導電性粒子としては、ニッケル粒子を芯粒子とし、この芯粒子に無電解金メッキ が施されたもの（平均被覆量:芯粒子の重量の 5重量％となる量)を用いた。

表面が光沢面 (表面粗さが 0. 04 /z m)で、裏面が非光沢面である、厚みが 0. lm mのポリエステル榭脂シート (東レネ土製，品名「マットルミラー S 10」）を 2枚用意した。 そして、一方のポリエステル榭脂シートの表面上に、 120mm X 200mmの矩形の開 口を有する、厚みが 100 μ mの枠状のスぺーサーを配置した。

[0324] このスぺーサ一の開口内に、調製した導電性エラストマ一用材料を塗布し、この導 電性エラストマ一用材料上に、他方のポリエステル榭脂シートを、その表面が導電性 エラストマ一用材料に接するよう配置した。

その後、加圧ロールと支持ロールとからなる加圧ロール装置を用い、 2枚のポリエス テル榭脂シートによって導電性エラストマ一用材料を挟圧することにより、厚みが 100 μ mの導電性エラストマ一用材料層を形成した。

[0325] 次 、で、 2枚のポリエステル榭脂シートの各々の裏面に電磁石を配置し、導電性ェ ラストマー材料層に対して、その厚み方向に 0. 3Tの平行磁場を作用させながら、 12 0°C、 30分間の条件で、成形材料層の硬化処理を行うことにより、厚みが 100 mの 矩形の導電性エラストマ一シートを製造した。得られた導電性エラストマ一シートにお ける導電性粒子の割合は、体積分率で 12%であった。

[0326] この導電性エラストマ一シートを、 110mm X 110mmに切断し、比較例 2に使用さ れる分散型異方導電性エラストマ一シートとした。

また、上記において、スぺーサ一の厚みを 40 /zmに変更し、同様の方法にて、比 較例 3に使用される厚み 40 μ mの分散型異方導電性エラストマ一シートを得た。

[0327] [表 5]

[0328] [表 6]

[0329] [表 7] 絶縁性合格点割合 （％) 絶緣性評価 レス圧力 100 110 130 150 180 210

(k_g0

実施例 2 99.9< 99.9< 99.9< 99.9ぐ 99.9< 99.9 < 絶縁性良好 比較例 4 <93 <93 く 93 ぐ 93 <93 <93 測定不能 比較例 5 98.5 98.2 97.6 96.3 96,1 95.4 信頼性低い

Claims

請求の範囲

一対の第 1の検査治具と第 2の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象で ある被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う回路基板の検査装置であつ て、

前記第 1の検査治具と第 2の検査治具がそれぞれ、

基板の一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板と、 前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置される第 1の異方導電性シート と、

前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板とは逆側に配置される第 2の異方導電性 シートと、

を備えた回路基板側コネクタと、

所定のピッチで配置された複数の導電ピンと、

前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第 1の絶縁板と第 2の絶縁板と、

を備えた中 «Iピンユニットと、

テスターと前記中継ピンユニットとを電気的に接続するコネクタ基板と、

前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第 3の異方導電性シートと、 前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板と、 を備えたテスター佃 jコネクタと、を備え、

前記中継ピンユニットは、

前記第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間に配置された中間保持板と、

前記第 1の絶縁板と中間保持板との間に配置された第 1の支持ピンと、

前記第 2の絶縁板と中間保持板との間に配置された第 2の支持ピンと、

を備えるとともに、

前記第 1の支持ピンの中間保持板に対する第 1の当接支持位置と、前記第 2の支 持ピンの中間保持板に対する第 2の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投 影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されており、

前記第 1の異方導電性シートは、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これら の導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部 中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに 、シート片面側に導電路形成部が突出しており、

前記第 1の異方導電性シートは、前記ピッチ変換用基板と共に、該第 1の異方導電 性シートとピッチ変換用基板とが一体化されたピッチ変換用アダプタ一体を構成して いることを特徴とする回路基板の検査装置。

[2] 前記ピッチ変換用アダプタ一体を構成する第 1の異方導電性シートは、

離型性支持板上に支持され、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態 で弾性高分子物質中に分散された導電性エラストマ一層を、レーザー加工すること により、離型性支持板上に所定のパターンに従って配置された導電路形成部を形成 し、

これらの導電路形成部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる材料からなる絶 縁部用材料層を形成し、次 、で硬化処理することにより絶縁部を形成して得られたも のであることを特徴とする請求項 1に記載の回路基板の検査装置。

[3] 前記ピッチ変換用アダプタ一体は、

離型性支持板上に支持され、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態 で弾性高分子物質中に分散された導電性エラストマ一層を、レーザー加工すること により、離型性支持板上に所定のパターンに従って配置された導電路形成部を形成 し、

この導電路形成部が形成された離型性支持板を、硬化されて弾性高分子物質とな る材料からなる未硬化状態の絶縁部用材料層が接続用電極側の面に形成されたピ ツチ変換用基板上に重ね合わせ、

これにより、ピッチ変換用基板におけるそれぞれの接続用電極と、これに対応する 導電路形成部とを対接させ、

この状態で、絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成した後、離型 性支持板を除去することにより得られたものであることを特徴とする請求項 1に記載の 回路基板の検査装置。

[4] 前記導電性エラストマ一層は、 離型性支持板上に、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマ一用材料 中に磁性を示す導電性粒子が含有された導電性エラストマ一用材料層を形成し、 該導電性エラストマ一用材料層の表面に、形成すべき導電路形成部のパターンに 従って、磁性を示す金属からなる金属マスクを形成し、

前記導電性エラストマ一用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させることに より、導電性粒子を厚み方向に配向させ、次いで、磁場を作用させた状態で、または 磁場を停止した状態で前記導電性エラストマ一用材料層を硬化処理することにより 得られたものであることを特徴とする請求項 2または 3に記載の回路基板の検査装置

[5] 前記第 1の異方導電性シートにおける少なくとも一部の導電路形成部において、互 いに隣接する導電路形成部の離間距離が 50 m以下であることを特徴とする請求 項 1〜4のいずれかに記載の回路基板の検査装置。

[6] 前記第 1の異方導電性シートにおける少なくとも一部の導電路形成部において、互 いに隣接する導電路形成部の離間距離が 10〜50 mであることを特徴とする請求 項 5に記載の回路基板の検査装置。

[7] 一対の第 1の検査治具と第 2の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象で ある被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う回路基板の検査装置であつ て、

前記第 1の検査治具と第 2の検査治具がそれぞれ、

基板の一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板と、 前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置され、基板に形成された複数 の貫通孔に、弾性高分子物質カゝらなる絶縁部と、導電性粒子を含有する弾性高分 子物質からなり前記絶縁部を厚み方向へ貫通する導電路形成部とが形成された、該 導電路形成部によって前記ピッチ変換用基板と前記被検査回路基板との電気的接 続を中継する中継基板と、

前記ピッチ変換用基板の前記中継基板とは逆側に配置される第 2の異方導電性シ ートと、

を備えた回路基板側コネクタと、 所定のピッチで配置された複数の導電ピンと、

前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第 1の絶縁板と第 2の絶縁板と、

を備えた中 «Iピンユニットと、

テスターと前記中継ピンユニットとを電気的に接続するコネクタ基板と、

前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第 3の異方導電性シートと、 前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板と、 を備えたテスター佃 jコネクタと、を備え、

前記中継ピンユニットは、

前記第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間に配置された中間保持板と、

前記第 1の絶縁板と中間保持板との間に配置された第 1の支持ピンと、 前記第 2の絶縁板と中間保持板との間に配置された第 2の支持ピンと、 を備えるとともに、

前記第 1の支持ピンの中間保持板に対する第 1の当接支持位置と、前記第 2の支 持ピンの中間保持板に対する第 2の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投 影した中間保持板投影面にお 、て異なる位置に配置されて 、ることを特徴とする回 路基板の検査装置。

前記中継基板は、

第 1の離型性支持板上に支持され、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向し た状態で弾性高分子物質中に分散された導電性エラストマ一層を、レーザー加工す ることにより、第 1の離型性支持板上に所定のパターンに従って配置された導電路形 成部を形成し、

第 2の離型性支持板上に支持され、硬化されて弾性高分子物質となる材料からな る未硬化状態の絶縁部用材料層が前記基板における両側表面および貫通孔の内 部に形成された当該基板に対して、導電路形成部が形成された前記第 1の離型性 支持板を、導電路形成部が前記基板の貫通孔に位置するように重ね合わせ、 この状態で、絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成した後、第 1 および第 2の離型性支持板を除去することにより得られたものであることを特徴とする 請求項 7に記載の回路基板の検査装置。

[9] 前記導電性エラストマ一層は、

離型性支持板上に、硬化されて弾性高分子物質となる液状のエラストマ一用材料 中に磁性を示す導電性粒子が含有された導電性エラストマ一用材料層を形成し、 該導電性エラストマ一用材料層の表面に、形成すべき導電路形成部のパターンに 従って、磁性を示す金属からなる金属マスクを形成し、

前記導電性エラストマ一用材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させることに より、導電性粒子を厚み方向に配向させ、次いで、磁場を作用させた状態で、または 磁場を停止した状態で前記導電性エラストマ一用材料層を硬化処理することにより 得られたものであることを特徴とする請求項 8に記載の回路基板の検査装置。

[10] 前記中継基板における少なくとも一部の導電路形成部において、互いに隣接する 導電路形成部の離間距離が 50 μ m以下であることを特徴とする請求項 7〜9の ヽず れかに記載の回路基板の検査装置。

[11] 前記中継基板における少なくとも一部の導電路形成部において、互いに隣接する 導電路形成部の離間距離が 10〜50 μ mであることを特徴とする請求項 10に記載の 回路基板の検査装置。

[12] 前記中継基板の片面側もしくは両面側に、導電性粒子が厚み方向に配列するとと もに面方向に均一に分散された第 1の異方導電性シートが配置されていることを特徴 とする請求項 7〜 11の 、ずれかに記載の回路基板の検査装置。

[13] 一対の第 1の検査治具と第 2の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象で ある被検査回路基板の両面を挟圧した際に、

前記第 1の支持ピンの中間保持板に対する第 1の当接支持位置を中心として、前 記中間保持板が、前記第 2の絶縁板の方向に橈むとともに、

前記第 2の支持ピンの中間保持板に対する第 2の当接支持位置を中心として、前 記中間保持板が、前記第 1の絶縁板の方向に橈むことを特徴とする請求項 1〜12の

V、ずれかに記載の回路基板の検査装置。

[14] 前記第 1の支持ピンの中間保持板に対する第 1の当接支持位置が、前記中間保持 板投影面において格子状に配置され、 前記第 2の支持ピンの中間保持板に対する第 2の当接支持位置が、前記中間保持 板投影面において格子状に配置されており、

前記中間保持板投影面において、隣接する 4個の第 1の当接支持位置力もなる単 位格子領域に、 1個の第 2の当接支持位置が配置されるとともに、

前記中間保持板投影面において、隣接する 4個の第 2の当接支持位置力もなる単 位格子領域に、 1個の第 1の当接支持位置が配置されていることを特徴とする請求項 1〜 13のいずれかに記載の回路基板の検査装置。

[15] 前記中継ピンユニットが、

前記第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間に所定間隔離間して配置された複数個の 中間保持板と、

隣接する中間保持板同士の間に配置された保持板支持ピンと、

を備えるとともに、

少なくとも 1つの中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する 保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して 他面側から当接する第 1の支持ピン、第 2の支持ピン、または保持板支持ピンの該中 間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保 持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項 1〜12の V、ずれかに記載の回路基板の検査装置。

[16] 全ての前記中間保持板において、該中間保持板に対して一面側力 当接する保 持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他 面側力も当接する第 1の支持ピン、第 2の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間 保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持 板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項 15に記載の 回路基板の検査装置。

[17] 前記第 2の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これら の導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部 中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに 、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする請求項 1〜16のい ずれかに記載の回路基板の検査装置。

[18] 前記第 3の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これら の導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部 中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに 、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする請求項 1〜17のい ずれかに記載の回路基板の検査装置。

[19] 前記複数の導電ピンは、前記第 1の絶縁板と第 2の絶縁板との間の間隔よりも短い 棒状の中央部と、該中央部の両端側に形成され該中央部よりも径が小さい一対の端 部とからなり、

前記一対の端部がそれぞれ、前記第 1の絶縁板と第 2の絶縁板とに形成された前 記中央部よりも径カ 、さく前記一対の端部よりも径が大きい貫通孔に揷通され、これ により前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持されていることを特徴とする請求項 1 〜18のいずれかに記載の回路基板の検査装置。

[20] 前記第 1の絶縁板と中間保持板との間、前記第 2の絶縁板と中間保持板との間、ま たは中間保持板同士の間に、前記導電ピンが挿通される貫通孔が形成された屈曲 保持板が設けられ、

前記複数の導電ピンは、前記第 1および第 2の絶縁板に形成された貫通孔と、前記 屈曲保持板に形成された貫通孔とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧され て前記屈曲保持板の貫通孔の位置で屈曲され、これにより前記導電ピンが軸方向へ 移動可能に支持されていることを特徴とする請求項 1〜18のいずれかに記載の回路 基板の検査装置。

[21] 請求項 1〜20のいずれかに記載の回路基板の検査装置を用いた回路基板の検査 方法であって、

一対の第 1の検査治具と第 2の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象で ある被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行うことを特徴とする回路基板の 検査方法。