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WO2004112246A1 - 弾性表面波分波器 - Google Patents

弾性表面波分波器 Download PDF

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WO2004112246A1
WO2004112246A1 PCT/JP2004/007823 JP2004007823W WO2004112246A1 WO 2004112246 A1 WO2004112246 A1 WO 2004112246A1 JP 2004007823 W JP2004007823 W JP 2004007823W WO 2004112246 A1 WO2004112246 A1 WO 2004112246A1
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WO
WIPO (PCT)
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acoustic wave
surface acoustic
parallel arm
common terminal
wave filter
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2004/007823
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English (en)
French (fr)
Inventor
Yasunori Kishimoto
Norio Taniguchi
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
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Priority to JP2005506897A priority patent/JPWO2004112246A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72Networks using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
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    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders or supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • HELECTRICITY
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    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725Duplexers

Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave duplexer configured by using first and second surface acoustic wave filters having different pass bands, and more particularly, to a plurality of series arm resonators and parallel arm resonances.
  • the present invention relates to a surface acoustic wave demultiplexer using a surface acoustic wave filter having a ladder-type circuit configuration having an element.
  • Patent Document 1 discloses a surface acoustic wave duplexer shown in FIG.
  • the first surface acoustic wave with a relatively low frequency is connected to the antenna-side common terminal T.
  • Filter F and a second surface acoustic wave filter F with a relatively high frequency are connected.
  • the surface acoustic wave filter F has a series arm resonator R and a parallel arm resonator R,
  • the surface acoustic wave filter F has a parallel arm resonator R and a series arm resonator R.
  • the resonator close to the antenna common terminal T is a series arm.
  • the SO 2 O vibration is the parallel arm resonator R.
  • a phase rotation between the second surface acoustic wave filter F and the antenna common terminal T is provided.
  • a track S is provided.
  • Patent Document 2 discloses a surface acoustic wave filter having a ladder-type circuit configuration shown in FIG.
  • R 1 and R 2 which are series arm resonators are connected in series.
  • a parallel arm resonator R is arranged on the parallel arm connected between SI S2 and S1.
  • series arm is arranged on the parallel arm connected between SI S2 and S1.
  • a parallel arm resonator R is arranged on the parallel arm with one end connected between the pendulums R and R.
  • a parallel arm resonator R is placed in the parallel arm between the series arm resonator R and the output terminal.
  • the common terminal 51 is connected above.
  • the common terminal 51 and the ground terminal of the package are connected by a bonding wire having an inductance L.
  • Patent Document 3 discloses a ladder-type surface acoustic wave filter in which a parallel arm resonator disposed at an end and a parallel arm sandwiched between series arm resonators are connected. It states that the ratio force of the capacitance of the parallel arm resonator is optimal.
  • Patent Document 4 discloses a surface acoustic wave duplexer shown in FIG.
  • a first surface acoustic wave filter 61 having a relatively low frequency and a second acoustic wave having a relatively high frequency are provided at a common terminal 71 on the antenna side.
  • the surface acoustic wave filter 62 is connected.
  • Each of the surface acoustic wave filters 61 and 62 is a ladder-type surface acoustic wave filter having a series arm resonator S1 S3 and a parallel arm resonator P1 P6.
  • Patent Document 1 JP-A-2000-315936
  • Patent Document 2 JP-A-10-93382
  • Patent Document 3 JP-A-5-183380
  • Patent Document 4 JP 2001-298348 A
  • the series arm resonator R is connected to the first stage of the first surface acoustic wave filter F having a relatively low frequency, and the relatively high Two
  • phase rotation line S described above is connected to the surface acoustic wave filter F.
  • phase rotation line s is configured in a package, it has become difficult to secure a line length sufficient to sufficiently rotate the phase.
  • the longer the line length of the phase rotation line S the larger the resistance of the line. Therefore, there is a problem that the loss of the surface acoustic wave duplexer increases.
  • Patent Document 2 merely discloses a technique for improving the attenuation of a surface acoustic wave filter, and Patent Document 2 discloses a series arm resonator and a serial arm resonator in a surface acoustic wave duplexer. The specific configuration of the parallel arm resonator is described in any way.
  • Patent Document 3 discloses a ladder-type surface acoustic wave filter having a parallel arm resonator including a parallel arm resonator disposed at an end and a parallel arm disposed between series arm resonators.
  • the capacitance ratio of the parallel arm resonator should be a constant value in order to improve the characteristics of a single surface acoustic wave filter. Absent . That is, in the surface acoustic wave duplexer using a plurality of surface acoustic wave filters, the desirability, configuration, and configuration of the series arm resonator and the parallel arm resonator are described.
  • a duplexer 70 is disclosed. However, in the surface acoustic wave duplexer 70, the desirable configuration of each of the series arm resonators S1-S3 and the parallel arm resonators P1-P6, the phase delay circuit, and the like are particularly noted, and the level is high. ,.
  • An object of the present invention is to connect a first surface acoustic wave filter having a relatively low pass band and a second surface acoustic wave filter having a relatively high pass band to a common terminal on the antenna side. This makes it possible to reduce the size of a surface acoustic wave duplexer in which each surface acoustic wave filter is composed of a ladder-type surface acoustic wave filter without deteriorating isolation characteristics or increasing loss. It is to provide structure.
  • the present invention provides a first surface acoustic wave filter having a relatively low pass band, a second surface acoustic wave filter having a relatively high pass band, and first and second surface acoustic wave filters. And a first common terminal connected to an antenna, wherein the first elastic surface acoustic wave filter has a plurality of parallel arm resonators and a plurality of series arm resonators.
  • the one closest to the first common terminal is provided. Is a parallel arm resonator, and the capacity of the parallel arm resonator closest to the first common terminal is the parallel arm resonator sandwiched between series arm resonators different from the parallel arm resonator. It is characterized in that it is less than 1/2 of the capacity of.
  • the capacitance of the parallel arm resonator closest to the first common terminal is different from that of the parallel arm resonator sandwiched between different series arm resonators. It is in the range of 1/40 to 1/5 of the capacity of the parallel arm resonator.
  • one end of the parallel arm resonator closest to the first common terminal and one end of the other parallel arm resonator are connected.
  • a second common terminal connected to the second common terminal is further provided, and an inductance element added between the second common terminal and a ground potential is further provided.
  • a package material accommodating the first and second surface acoustic wave filters is further provided, and the second common surface acoustic wave filter is provided. Terminals are provided within the package.
  • the resonance frequency of the parallel arm resonator closest to the first common terminal is substantially equal to the resonance frequency of the other parallel arm resonator. It is the same.
  • a phase adjustment element inserted between the second surface acoustic wave filter and the first common terminal is further provided. Provided.
  • a phase delay amount of the phase adjustment element is less than 90 degrees with respect to a center frequency of the first surface acoustic wave filter, As viewed from the first common terminal side, at least 50% of the pass band of the second surface acoustic wave filter is inductive.
  • the phase adjustment element is configured by a strip line.
  • the phase adjustment element is a phase adjustment circuit having a capacitance element and a second inductance element.
  • the first common terminal side At least 50% of the passband of the second surface acoustic wave filter is inductive.
  • each of the first surface acoustic wave filter having a relatively low pass band and the second surface acoustic wave filter having a relatively high pass band is connected to the antenna.
  • a first common terminal connected to the first side, and the first surface acoustic wave filter is a ladder-type circuit configuration surface acoustic wave filter.
  • the resonator closest to the first common terminal is the parallel arm resonator
  • the parallel arm resonator closest to the first common terminal is the parallel arm resonator.
  • the capacitance of the resonator is less than half the capacitance of the other parallel arm resonator sandwiched between the parallel arm resonator and a different series arm resonator, while suppressing the deterioration of the input loss, It is possible to improve the isolation characteristics.
  • the capacitance ratio is in the range of 1 / 40-1 / 5
  • the isolation characteristics can be effectively improved while further suppressing the deterioration of the insertion loss.
  • One end of the parallel arm resonator closest to the first common terminal and one end of the other parallel arm resonator are connected to the second common terminal, and the second common terminal is connected to the ground potential.
  • the isolation characteristics can be more effectively improved even when the capacitance of the parallel arm resonator is reduced.
  • the inductance element can be configured in the package, and the surface acoustic wave duplexer can be downsized. ⁇ I can.
  • the resonance frequency of the parallel arm resonator closest to the first common terminal is almost the same as the resonance frequency of the other parallel arm resonators, the increase in insertion loss due to the difference in the layer characteristics of the parallel arm resonators is reduced. It is possible to effectively improve the isolation characteristics without inviting.
  • the first common terminal on the antenna side is provided by the phase adjusting element.
  • the loss at the terminal can be effectively reduced.
  • the phase delay amount of the phase adjustment element is less than 90 degrees with respect to the center frequency of the first surface acoustic wave filter, and when viewed from the first common terminal side, the pass band of the second surface acoustic wave filter is If at least 50% is inductive, a DPX connection at the antenna-side common terminal The combined loss can be effectively reduced.
  • phase adjustment element is formed of a strip line
  • a strip line can be easily formed in the package, and a loss that does not hinder miniaturization of the surface acoustic wave duplexer can be reduced.
  • phase adjustment element is a phase adjustment circuit having a capacitance element and a second inductance element, it is possible to further reduce the DPX coupling loss at the antenna-side common terminal by one layer. .
  • FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a surface acoustic wave duplexer according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electrode structure of an elastic surface acoustic wave resonator used as a series arm resonator or a parallel arm resonator in one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic front sectional view showing a physical structure of a surface acoustic wave duplexer according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing a change in isolation when a capacitance ratio of a parallel arm resonator is changed in the surface acoustic wave duplexer according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a capacitance ratio of a parallel arm resonator and insertion loss.
  • FIG. 7 is a graph showing attenuation frequency characteristics when the parallel arm resonator closest to the first common terminal of the surface acoustic wave filter is not provided and the capacitance ratio of the parallel arm resonator is 1Z20 and 1Z10. It is.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a relationship between a capacitance ratio of a parallel arm resonator and an insertion loss of a transmission-side surface acoustic wave filter.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of a receiving-side surface acoustic wave filter when a capacitance ratio of the parallel arm resonator is 1/20 and 1/10 when no parallel arm resonator is provided.
  • FIG. 10 is a diagram showing a change in admittance on an admittance Smith chart when the phase is capacitive when the resonator closest to the first common terminal on the antenna side is a parallel arm resonator.
  • FIG. 11 is a diagram showing an impedance change on an impedance Smith chart when a resonator closest to a first common terminal on the antenna side is a series arm resonator and is made capacitive.
  • FIG. 12 is a circuit diagram showing an example of a conventional surface acoustic wave duplexer.
  • FIG. 13 is a circuit diagram showing an example of a conventional surface acoustic wave filter.
  • FIG. 14 is a circuit diagram showing another example of a conventional surface acoustic wave duplexer.
  • Transmission-side surface acoustic wave filter (first surface acoustic wave filter)
  • FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a surface acoustic wave duplexer according to a first preferred embodiment of the present invention.
  • the pass band on the transmitting side is 824 to 849 MHz
  • the pass band on the receiving side is 869 to 894 MHz.
  • the surface acoustic wave splitter 1 has an ANT terminal 2 belonging to the antenna ANT.
  • One end of a low-pass filter 3 is connected to the ANT terminal 2, and the other end of the low-pass filter 3 is connected to a first common terminal 4.
  • the first common terminal 4 is configured to be connected to the antenna ANT via the low-pass filter 3.
  • the first common terminal 4 has a transmitting surface acoustic wave filter 5 as a first surface acoustic wave filter having a relatively low pass band, and a second surface acoustic wave having a relatively high pass band.
  • the receiving surface acoustic wave filter 6 as a filter is connected.
  • Each of the transmission side surface acoustic wave filter 5 and the reception side surface acoustic wave filter 6 is a surface acoustic wave filter having a ladder type circuit configuration having a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing an electrode structure of one surface acoustic wave resonator used as a parallel arm resonator or a series arm resonator in the surface acoustic wave filters 5 and 6.
  • the surface acoustic wave resonator 11 has a comb-shaped electrode 12 and reflectors 13 and 14 disposed on both sides of the comb-shaped electrode 12 in the surface wave propagation direction.
  • the number and pitch of the electrode fingers of the comb-shaped electrodes are appropriately selected for each series arm resonator and parallel arm resonator according to their respective capacitances and frequencies. ing.
  • the transmission-side surface acoustic wave filter 5 has series arm resonators T2, T3, T5, T6, T8, T9 and parallel arm resonators Tl, T4, T7.
  • the resonator closest to the first common terminal 4 is the parallel arm resonator T1.
  • the parallel arm resonator T4 is provided on a parallel arm having one end connected between the series arm resonators T3 and T5.
  • the parallel arm resonator T7 is disposed on a parallel arm having one end connected between the series arm resonators T6 and # 8.
  • ground-side terminals of the parallel arm resonators Tl, # 4, # 7 are commonly connected to a second common terminal 7 provided in a package described later. Further, an inductance element ⁇ is connected between the second common terminal 7 and the ground potential.
  • the reception-side surface acoustic wave filter 6 as a second surface acoustic wave filter has parallel arm resonators Rl, R4, R7 and series arm resonators R2, R3, R5, R6.
  • the parallel arm resonator R1 is the resonator closest to the first common terminal 4.
  • the parallel arm resonator R4 is provided on a parallel arm having one end connected between the series arm resonators R3 and R5, and the parallel arm resonator R7 is connected between the series arm resonator R6 and the receiving output terminal. It is placed on a parallel arm with one end connected between it.
  • phase adjusting element 9 is arranged between the receiving-side surface acoustic wave filter 6 and the first common terminal 4.
  • FIG. 3 is a schematic front sectional view showing a physical structure of the surface acoustic wave duplexer of the present embodiment.
  • the surface acoustic wave duplexer 1 has a package 17 including a case member 15 and a lid member 16.
  • the case material 15 is made of an insulating material such as an insulating ceramic such as alumina or a synthetic resin.
  • the lid member 16 can be made of an appropriate material such as a conductive material such as a metal or an insulating material such as an alumina.
  • the case material 15 has a concave portion 15a opened on the upper surface, and in the concave portion 15a, a transmitting-side surface acoustic wave filter chip 5A constituting a transmitting-side surface acoustic wave filter, and a receiving-side surface acoustic wave filter 6 And the receiving-side surface acoustic wave filter chip 6A that constitutes the above.
  • the surface acoustic wave filter chips 5A and 6A are mounted on the case material 15 by a flip chip bonding method.
  • FIG. 3 illustrates a state in which the surface acoustic wave filter chips 5A and 6A are joined to the bottom surface of the concave portion 15a by the schematically illustrated metal bumps 18. You. Actually, the metal bumps 18 electrically connect the electrodes of the surface acoustic wave filter chips 5A and 6A and the electrode lands formed on the bottom surface of the concave portion 15 of the case material 15.
  • via-hole electrodes 19 and 20 are formed.
  • a phase adjusting element 9 composed of strip lines 22 and 23 connected by via-hole electrodes 21 is formed between the via-hole electrodes 19 and 20.
  • via-hole electrodes 24, 25 are arranged in the case material 15.
  • the upper ends of the via hole electrodes 24 and 25 reach the bottom surface of the concave portion 15a of the case member 15, and the upper ends are connected to the parallel arm resonators T4 and T1 shown in FIG. 1, respectively.
  • the lower ends of the via hole electrodes 24 and 25 are connected to the second common terminal 7.
  • the second common terminal 7 is also connected to a via hole electrode (not shown in FIG. 3) connected to the ground terminal of the parallel arm resonator T7 shown in FIG.
  • the second common terminal 7 is embedded inside the case material 15, and the lower surface of the second common terminal 7 is connected to the upper end of the via hole electrode 26.
  • the lower end of the via hole electrode 26 reaches the lower surface of the case material 15 and is connected to a ground electrode (not shown) provided on the lower surface of the case material 15.
  • each of the surface acoustic wave filter chips 5A and 6A is provided on the LiTaO substrate with A1
  • Electrodes constituting a surface acoustic wave resonator and a connection electrode with an electrode material mainly composed of:
  • the strip lines 22, 23 for phase adjustment have a characteristic impedance of around 50 ⁇ , and the phase shift amount thereof is 836.5 MHz, which is the center frequency of the pass band of the surface acoustic wave filter 5 on the transmitting side. It is set to a length that rotates 75 degrees.
  • the feature of the surface acoustic wave duplexer of the present embodiment is that the transmission-side surface acoustic wave filter 5 having a relatively low pass band as described above is closest to the first common terminal 4, that is, The parallel arm resonator closest to the antenna side is the parallel arm resonator T1, and the capacitance of the parallel arm resonator T1 is different from that of the parallel arm resonator T1. This is less than 1/10 of the capacitance of the parallel arm resonators T4 and T7. Thereby, it is possible to suppress the signal leakage from the transmitting surface acoustic wave filter 5 to the receiving surface acoustic wave filter 6. That is, the isolation characteristics can be improved. this, This will be described with reference to FIGS.
  • the number of pairs of electrode fingers, the width of electrode fingers, the wavelength, and the number of electrode fingers of the reflector used in the transmission-side surface acoustic wave filter 5 and the reception-side surface acoustic wave filter 6 are described.
  • the number was as shown in Tables 1 and 2 below.
  • FIG. 4 is a diagram showing a change in isolation when the capacitance ratio between the parallel arm resonator T1 and the parallel arm resonators T4 and T7 is changed.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating isolation characteristics when the parallel arm resonator T1 is not connected and when the above-mentioned capacitance ratio of the parallel arm resonator T1 is 1/20 and 1/10 (the present embodiment). is there.
  • FIG. 6 shows the capacity ratio and the transmission side
  • FIG. 5 is a diagram showing a relationship with an insertion loss of a surface acoustic wave filter. Fig.
  • FIG. 7 shows the insertion loss of each transmission-side surface acoustic wave filter when the parallel arm resonator T1 is not connected and the capacitance ratio of the parallel arm resonator T1 is 1/20 and 1/10, as in Fig. 5. It is a figure showing a characteristic.
  • FIG. 8 is a diagram showing the capacitance ratio and the insertion loss of the receiving surface acoustic wave filter.
  • FIG. 9 is a diagram showing the insertion loss of each surface acoustic wave filter on the receiving side when the parallel arm resonator T1 is not connected and the capacitance ratio of the parallel arm resonator T1 is 1/20 and 1/10. It is. Note that the characteristic shown inside in FIG. 9 is a characteristic obtained by enlarging the attenuation frequency characteristic on the scale on the right side of the vertical axis.
  • the characteristic drawn inside is a characteristic obtained by enlarging the attenuation frequency characteristic on the scale on the right side of the vertical axis.
  • the resonator closest to the first common terminal 1 is the serial arm.
  • the parallel arm resonator T1 compared to the case of using the resonator T2
  • leakage from the surface acoustic wave filter 5 on the transmitting side to the surface acoustic wave filter 6 on the receiving side can be suppressed, and the isolation characteristics are improved. It can be understood that it can be done.
  • the isolation characteristics can be effectively improved especially when the above-mentioned capacitance ratio is around 1/10.
  • the above-mentioned capacitance ratio is optimally 1/2, but the first and second surface acoustic wave filters have been conventionally described.
  • the above-mentioned capacitance ratio is desirably less than 1Z2 in consideration of the change in the isolation characteristics shown in FIG. That is, by setting the capacitance ratio to less than 1Z2, a surface acoustic wave duplexer with improved isolation characteristics is provided as compared with the case where a surface acoustic wave filter having a capacitance ratio of 1Z2 is used. It turns out that it gets.
  • the isolation characteristics can be improved while suppressing the deterioration of the insertion loss.
  • the ground-side terminal of the parallel arm resonator T1 closest to the first common terminal 4 is connected to the other parallel arm resonators T4, T7 provided on the surface acoustic wave filter chip 5A. And the second common terminal 7 are commonly connected. Then, the second common terminal 7 is connected to the ground potential via the inductance element Z. Therefore, since the inductance element Z is added to the portion where the parallel arm resonator T1 is connected to the other parallel arm resonators T4 and T7 via the common terminal 7, the capacitance of the parallel arm resonator T1 is small. Even in this case, the isolation characteristics can be effectively improved.
  • the resonance frequency of the parallel arm resonator T1 is the same as the resonance frequency of the other parallel arm resonators T4 and T7.
  • the isolation characteristics can be improved as described above without causing an increase in extra insertion loss due to the difference in resonance characteristics.
  • the phase adjustment element 9 is connected to the surface acoustic wave filter 6 on the receiving side. As a result, DPX coupling loss on the common terminal 4 side on the antenna side can be reduced.
  • the amount of phase rotation by phase adjustment element 9 of receiving surface acoustic wave filter 6 is less than 90 degrees with respect to the center frequency of the pass band of the receiving surface acoustic wave filter. Is done. In this case, since the amount of phase rotation can be reduced, the size of the phase adjustment element can be reduced, and the size of the surface acoustic wave duplexer 1 can be reduced.
  • the reception surface acoustic wave filter 5 and the reception surface acoustic wave filter 6 are placed on the antenna side before receiving and coupling.
  • Side bullet The phase in the pass band of the surface acoustic wave filter 6 is inductive, and the phase in the pass band of the transmitting surface acoustic wave filter 5 is capacitive.
  • the force S for achieving impedance matching on the real axis can be obtained.
  • the resonator closest to the common terminal 4 on the antenna side is a series arm resonator, and the passband of the transmitting surface acoustic wave filter 5 is made capacitive, the capacitance is increased. In particular, as shown in FIG. 11, the larger the capacitance, the greater the movement on the Smith chart, and the greater the reflection. Therefore, the loss during DPX binding increases.
  • the transmission side surface acoustic wave filter is If the passband is made capacitive, it moves on the chart as shown in FIG. 10, so that the reflection becomes small and the deterioration of characteristics when DPX is coupled can be suppressed.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

 挿入損失の劣化を抑制しつつアイソレーション特性を改善し得る弾性表面波分波器を提供する。  通過帯域が相対的に低い第1の弾性表面波フィルタ5と、通過帯域が相対的に高い第2の弾性表面波フィルタ6の各一端がアンテナに接続される第1の共通端子4に接続されており、第1の弾性表面波フィルタ5が複数の並列腕共振子T1,T4,T7及び複数の直列腕共振子T2,T3,T5,T6,T8,T9を有し、複数の直列腕共振子T2,T3,T5,T8,T9及び並列腕共振子T1,T4,T7のうち、第1の共通端子4に最も近い共振子が並列腕共振子T1であり、第1の共通端子4に最も近い並列腕共振子T1の容量が、他の並列腕共振子T4,T7の容量の1/2未満とされている、弾性表面波フィルタ1。

Description

明 細 書
弾性表面波分波器
技術分野
[0001] 本発明は、通過帯域が異なる第 1 ,第 2の弾性表面波フィルタを用いて構成された 弾性表面波分波器に関し、より詳細には、複数の直列腕共振子及び並列腕共振子 を有する梯子型回路構成の弾性表面波フィルタを用いた弾性表面波分波器に関す る。
背景技術
[0002] 従来、直列腕共振子及び並列腕共振子を有する梯子型回路構成の弾性表面波フ ィルタを用いた弾性表面波分波器が種々提案されている。
例えば、下記の特許文献 1には、図 12に示す弾性表面波分波器が開示されている 。ここでは、アンテナ側共通端子 Tに、相対的に周波数が低い第 1の弾性表面波フ
0
ィルタ Fと、相対的に周波数が高い第 2の弾性表面波フィルタ Fとが接続されている
1 2
。弾性表面波フィルタ Fは、直列腕共振子 R 及び並列腕共振子 Rを有し、第 2の
1 SO P
弾性表面波フィルタ Fは、並列腕共振子 R 及び直列腕共振子 Rを有する。
2 PO S
[0003] 第 1の弾性表面波フィルタ Fでは、アンテナ共通端子 Tに近い共振子は、直列腕
1 0
共振子 R であり、第 2の弾性表面波フィルタ Fでは、アンテナ共通端子 Tに近い共
SO 2 0 振は並列腕共振子 R である。
PO
また、第 2の弾性表面波フィルタ Fとアンテナ共通端子 Tとの間には、位相回転用
2 0
線路 Sが設けられている。
[0004] 他方、下記の特許文献 2には、図 13に示す梯子型回路構成の弾性表面波フィルタ が開示されている。ここでは、入力端と出力端との間の直列腕において、直列腕共振 子である R , R が直列に接続されている。また、入力端子と直列腕共振子 R との
SI S2 S1 間に接続されている並列腕に並列腕共振子 R が配置されている。また、直列腕共
P1
振子 R , R 間に一端が接続された並列腕には、並列腕共振子 R が配置されてい
SI S2 P2 る。さらに、直列腕共振子 R と出力端子との間の並列腕に並列腕共振子 R が配置
S2 P3 されている。 [0005] この弾性表面波フィルタでは、 3個の並列腕共振子 R 、弾性表面波チップ
PI P3
上で共通端子 51に共通接続されている。そして、この共通端子 51とパッケージのァ ース端子とが、インダクタンス Lを有するボンディングワイヤーにより接続されている。
E
[0006] 他方、下記の特許文献 3には、梯子型回路構成の弾性表面波フィルタにおいて、 端部に配置されている並列腕共振子と、直列腕共振子間に挟まれた並列腕に接続 されている並列腕共振子の静電容量の比率力 が最適である旨が記載されてい る。
[0007] さらに下記の特許文献 4には、図 14に示す弾性表面波分波器が開示されている。
図 14に示すように、弾性表面波分波器 70では、アンテナ側の共通端子 71に、相対 的に周波数が低い第 1の弾性表面波フィルタ 61と、相対的に周波数が高い第 2の弾 性表面波フィルタ 62とが接続されている。弾性表面波フィルタ 61, 62はそれぞれ、 直列腕共振子 S1 S3及び並列腕共振子 P1 P6を有する梯子型回路構成の弾性 表面波フィルタである。
[0008] 特許文献 1 :特開 2000 - 315936号公報
特許文献 2:特開平 10 - 93382号公報
特許文献 3:特開平 5 - 183380号公報
特許文献 4 :特開 2001— 298348号公報
発明の開示
[0009] 特許文献 1に記載の弾性表面波分波器では、周波数が相対的に低い第 1の弾性 表面波フィルタ Fの初段に直列腕共振子 R が接続されており、相対的に高い第 2
1 so
の弾性表面波フィルタ Fに前述の位相回転用線路 Sが接続されている。
2
[0010] 近年、弾性表面波分波器においても小型化の要求が強くなつてきている。従って、 位相回転用線路 sをパッケージ内で構成する場合、充分に位相を回転させるだけの 線路長を確保することが困難となってきている。また、位相回転用線路 Sの線路長が 長くなれば長くなるほど、線路の抵抗分が大きくなる。従って、弾性表面波分波器の 損失が増大するという問題があった。
[0011] 他方、位相回転用線路 Sの線路長を短くした場合には、位相回転量が小さくなり、 弾性表面波フィルタ Fのインピーダンス整合が 50 Ωの基準インピーダンスから外れ、 帯域内損失が増加したり、アイソレーション特性が劣化するおそれがあった。
[0012] 上記特許文献 2に記載の弾性表面波フィルタでは、並列腕共振子 R のァー
PI P3 ス側端子を共通接続することにより、減衰量の改善が図られるとされている。しかしな がら、特許文献 2は、単に弾性表面波フィルタの減衰量の改善を図る技術を開示して レ、るに留まり、特許文献 2には、弾性表面波分波器における直列腕共振子及び並列 腕共振子の具体的な構成にっレ、ては何ら述べられてレ、なレ、。
[0013] また、特許文献 3には、梯子型回路構成の弾性表面波フィルタにおいて、端部に配 置された並列腕共振子と、直列腕共振子間に配置された並列腕の並列腕共振子の 静電容量の比率が述べられてレ、る力 単体の弾性表面波フィルタの特性を改善する 上で上記並列腕共振子の容量比を一定の値とすることが述べられているにすぎない 。すなわち、弾性表面波フィルタを複数用いた弾性表面波分波器における直列腕共 振子及び並列腕共振子の望ましレ、構成にっレ、ては何ら述べられてレ、なレ、。
[0014] 上記特許文献 4に記載の弾性表面波分波器では、アンテナ共通端子 71に最も近 い共振子が並列腕共振子 Sである弾性表面波フィルタ 61 , 62を用いた弾性表面波
1
分波器 70が開示されている。し力 ながら、この弾性表面波分波器 70では、各直列 腕共振子 S1— S3及び並列腕共振子 P1— P6の望ましい構成、位相遅延回路等に っレヽては特に言及されてレヽなレ、。
[0015] 本発明の目的は、アンテナ側の共通端子に、通過帯域が相対的に低い第 1の弾性 表面波フィルタと、通過帯域が相対的に高い第 2の弾性表面波フィルタとが接続され ており、各弾性表面波フィルタが梯子型弾性表面波フィルタで構成されている弾性 表面波分波器において、アイソレーション特性の劣化や損失の増大を招くことなぐ 小型化を図ることを可能とする構造を提供することにある。
[0016] 本発明は、通過帯域が相対的に低い第 1の弾性表面波フィルタと、通過帯域が相 対的に高い第 2の弾性表面波フィルタと、第 1,第 2の弾性表面波フィルタの一端が 接続されており、かつアンテナに接続される第 1の共通端子とを備え、前記第 1の弾 性表面波フィルタが、複数の並列腕共振子及び複数の直列腕共振子を有する梯子 型回路構成の弾性表面波フィルタであり、
[0017] 前記複数の直列腕共振子及び並列腕共振子の内、前記第 1の共通端子に最も近 い共振子が並列腕共振子であり、該第 1の共通端子に最も近い並列腕共振子の容 量が、該並列腕共振子とは異なる直列腕共振子間に挟まれた並列腕共振子の容量 の 1/2未満とされていることを特徴とする。
[0018] 本発明に係る弾性表面波分波器のある特定の局面では、前記第 1の共通端子に 最も近レ、並列腕共振子の容量が、異なる直列腕共振子間に挟まれた他の並列腕共 振子の容量の 1/40— 1/5の範囲にある。
[0019] 本発明に係る弾性表面波分波器の他の特定の局面では、前記第 1の共通端子に 最も近レ、並列腕共振子の一端と、他の並列腕共振子の一端とが接続されてレ、る第 2 の共通端子がさらに備えられており、前記第 2の共通端子とグラウンド電位との間に 付加されたインダクタンス素子がさらに備えられる。
[0020] 本発明に係る弾性表面波分波器の別の特定の局面では、前記第 1 ,第 2の弾性表 面波フィルタを収納しているパッケージ材がさらに備えられ、前記第 2の共通端子が 該パッケージ内に設けられている。
本発明に係る弾性表面波分波器のさらに他の特定の局面では、前記第 1の共通端 子に最も近い並列腕共振子の共振周波数が、他の並列腕共振子の共振周波数とほ ぼ同一とされている。
[0021] 本発明に係る弾性表面波分波器のさらに他の特定の局面では、前記第 2の弾性表 面波フィルタと前記第 1の共通端子との間に挿入された位相調整素子がさらに備えら れる。
本発明に係る弾性表面波分波器のさらに別の特定の局面では、前記位相調整素 子の位相遅延量が、第 1の弾性表面波フィルタの中心周波数に対して 90度未満で あり、前記第 1の共通端子側から見て、第 2の弾性表面波フィルタの通過帯域内の少 なくとも 50%が誘導性とされている。
[0022] 本発明の弾性表面波分波器の他の特定の局面では、上記位相調整素子がストリツ プラインにより構成されている。
本発明に係る弾性表面波分波器のさらに別の特定の局面では、位相調整素子が 容量素子と第 2のインダクタンス素子とを有する、位相調整用回路である。
[0023] 本発明に係る弾性表面波分波器のさらに別の特定の局面では、第 1の共通端子側 から見て、第 2の弾性表面波フィルタの通過帯域の少なくとも 50%が誘導性である。
[0024] 本発明に係る弾性表面波分波器では、通過帯域が相対的に低い第 1の弾性表面 波フィルタと通過帯域が相対的に高い第 2の弾性表面波フィルタの各一端が、アンテ ナ側に接続される第 1の共通端子接続されており、第 1の弾性表面波フィルタが梯子 型回路構成の弾性表面波フィルタで構成されている弾性表面波分波器において、 第 1の弾性表面波フィルタの複数の直列腕共振子及び並列腕共振子の内、第 1の共 通端子に最も近い共振子が並列腕共振子とされており、第 1の共通端子に最も近い 並列腕共振子の容量が、該並列腕共振子と異なる直列腕共振子間に挟まれた他の 並列腕共振子の容量の 1/2未満とされているため、揷入損失の劣化を抑制しつつ 、アイソレーション特性の改善を図ることが可能となる。特に、上記容量比が 1/40— 1/5の範囲の場合には、揷入損失の劣化をより一層抑制しつつ、アイソレーション 特性を効果的に改善することが可能となる。
[0025] 第 1の共通端子に最も近い並列腕共振子の一端と、他の並列腕共振子の一端とが 第 2の共通端子に接続されており、第 2の共通端子とグラウンド電位との間にインダク タンス素子が接続されている場合には、並列腕共振子の容量を小さくした場合であつ ても、アイソレーション特性をより一層効果的に改善することかできる。
[0026] また、第 2の共通端子がパッケージ内に設けられている場合には、パッケージ内に おいて上記インダクタンス素子を構成することができ、弾性表面波分波器の小型化を 図ることカゝできる。
第 1の共通端子に最も近い並列腕共振子の共振周波数が他の並列腕共振子の共 振周波数とほぼ同一である場合には、並列腕共振子の層特性の差による挿入損失 の増大を招くことなぐアイソレーション特性を効果的に改善することができる。
[0027] 第 2の弾性表面波フィルタと第 1の共通端子との間に挿入された位相調整素子がさ らに備えられている場合には、位相調整素子により、アンテナ側の第 1の共通端子に おける損失を効果的に低減することができる。
位相調整素子の位相遅延量が、第 1の弾性表面波フィルタの中心周波数に対して 90度未満であり、第一の共通端子側から見て、第 2の弾性表面波フィルタの通過帯 域の少なくとも 50%が誘導性である場合には、アンテナ側共通端子における DPX結 合損失を効果的に低減することができる。
位相調整素子が、ストリップラインにより構成されている場合には、パッケージ内にスト リップラインを容易に形成でき、弾性表面波分波器の小型化を妨げることなぐ損失 の低減を図り得る。
[0028] 位相調整素子が、容量素子と第 2のインダクタンス素子とを有する位相調整用回路 である場合には、それによつてアンテナ側共通端子における DPX結合損失をより一 層低減すること力 Sできる。
第 1の共通端子側から見て、第 2の弾性表面波フィルタの通過帯域の少なくとも 50 %が誘導性である場合には、アンテナ側共通端子における DPX結合損失を効果的 に低減することができる。
図面の簡単な説明
[0029] [図 1]本発明の一実施形態に係る弾性表面波分波器の回路構成を示す図である。
[図 2]本発明の一実施形態で直列腕共振子又は、並列腕共振子として用いられる弾 性表面波共振子の電極構造を示す模式的平面図である。
[図 3]本発明の一実施形態の弾性表面波分波器の物理的構造を示す略図的正面断 面図である。
[図 4]第 1の実施形態の弾性表面波分波器において、並列腕共振子の容量比を変化 させた場合のアイソレーションの変化を示図である。
[図 5]アンテナ側の第 1の共通端子に最も近い並列腕共振子を設けなかった場合、 並列腕共振子の容量比を 1/20及び 1/10とした場合のアイソレーション特性を示 す図である。
[図 6]並列腕共振子の容量比と挿入損失の関係を示す図である。
[図 7]弾性表面波フィルタの第 1の共通端子に最も近い並列腕共振子を設けなかつ た場合、並列腕共振子の容量比を 1Z20及び 1Z10とした場合の各減衰量周波数 特性を示す図である。
[図 8]並列腕共振子の容量比と、送信側弾性表面波フィルタの挿入損失との関係を 示す図である。
[図 9]第 1の弾性表面波フィルタにおいて第 1の共通端子側に最も近い共振子として 並列腕共振子を設けなかった場合、該並列腕共振子の容量比を 1/20及び 1/10 とした場合の受信側弾性表面波フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。
[図 10]アンテナ側の第 1の共通端子に最も近い共振子が並列腕共振子である場合 に、位相を容量性とした場合のアドミタンススミスチャート上におけるアドミタンスの変 化を示す図である。
[図 11]アンテナ側の第 1の共通端子に最も近い共振子を直列腕共振子とし、容量性 とした場合のインピーダンススミスチャート上におけるインピーダンス変化を示す図で ある。
[図 12]従来の弾性表面波分波器の一例を示す回路図である。
[図 13]従来の弾性表面波フィルタの一例を示す回路図である。
[図 14]従来の弾性表面波分波器の他の例を示す回路図である。
符号の説明
1…弾性表面波分波器
2…アンテナ端子
3…ローパスフィルタ
4…第 1の共通端子
5…送信側弾性表面波フィルタ(第 1の弾性表面波フィルタ)
5A-■·送信側弾性表面波フィルタチップ
6…受信側弾性表面波フィルタ(第 2の弾性表面波フィルタ)
6A-■·受信側弾性表面波フィルタチップ
7…第 2の共通端子
9…位相調整素子
11…弾性表面波共振子
12…くし型電極
13, 14…反射器
15…ケース材
16…蓋材
17…パッケージ 18…金属バンプ
19, 20, 21…ビアホーノレ電極
22, 23…ストリップライン
24—26· - ·ビアホール電極
ANT…アンテナ
Z…インダクタンス素子
発明を実施するための最良の形態
[0031] 以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明 を明らかにする。
図 1は、本発明の第 1の実施形態に係る弾性表面波分波器の回路構成を示す図で ある。
[0032] 本実施形態の弾性表面波分波器では、送信側の通過帯域が 824— 849MHz、受 信側の通過帯域が 869— 894MHzである。
弾性表面波分波器 1では、アンテナ ANTに属される ANT端子 2を有する。 ANT 端子 2にローパスフィルタ 3の一端が接続されており、ローパスフィルタ 3の他端が第 1 の共通端子 4に接続されている。言い換えれば、第 1の共通端子 4は、ローパスフィル タ 3を介してアンテナ ANTに接続されるように構成されてレ、る。
[0033] 第 1の共通端子 4には、通過帯域が相対的に低い第 1の弾性表面波フィルタとして の送信側弾性表面波フィルタ 5と、通過帯域が相対的に高い第 2の弾性表面波フィ ルタとしての受信側弾性表面波フィルタ 6とが接続されている。
送信側弾性表面波フィルタ 5及び受信側弾性表面波フィルタ 6は、それぞれ、複数 の直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを有する梯子型回路構成の弾性表面波フ ィルタである。
[0034] 図 2は、弾性表面波フィルタ 5, 6で並列腕共振子または直列腕共振子として用いら れている 1つの弾性表面波共振子の電極構造を模式的に示す平面図である。弾性 表面波共振子 11は、くし型電極 12と、くし型電極 12の表面波伝搬方向両側に配置 された反射器 13, 14とを有する。なお、各直列腕共振子及び並列腕共振子は、それ ぞれの容量や周波数に応じて、くし型電極の電極指の数やピッチ等が適宜選択され ている。
[0035] 送信側弾性表面波フィルタ 5は、直列腕共振子 T2, T3, T5, T6, T8, T9と、並列 腕共振子 Tl , T4, T7とを有する。送信側弾性表面波フィルタ 5では、第 1の共通端 子 4に最も近い共振子は、並列腕共振子 T1である。並列腕共振子 T4は、直列腕共 振子 T3, T5間に一端が接続された並列腕に設けられている。また、並列腕共振子 T 7は、直列腕共振子 T6, Τ8間に一端が接続された並列腕に配置されている。
[0036] 並列腕共振子 Tl , Τ4, Τ7のアース側端子は、後述のパッケージに設けられた第 2 の共通端子 7に共通接続されている。また、第 2の共通端子 7とグラウンド電位との間 に、インダクタンス素子 Ζが接続されている。
他方、第 2の弾性表面波フィルタとしての受信側弾性表面波フィルタ 6は、並列腕 共振子 Rl , R4, R7と、直列腕共振子 R2, R3, R5, R6とを有する。これらの共振子 の内、並列腕共振子 R1が第 1の共通端子 4に最も近い共振子である。そして、並列 腕共振子 R4は、直列腕共振子 R3, R5間に一端が接続された並列腕に設けられて おり、並列腕共振子 R7は、直列腕共振子 R6と受信側出力端子との間に一端が接続 された並列腕に配置されてレ、る。
[0037] なお、受信側弾性表面波フィルタ 6と第 1の共通端子 4との間には、位相調整素子 9 が配置されている。
図 3は、本実施形態の弾性表面波分波器の物理的な構造を示す略図的正面断面 図である。弾性表面波分波器 1は、ケース材 15と、蓋材 16とから成るパッケージ 17を 有する。ケース材 15は、アルミナなどの絶縁性セラミックスまたは合成樹脂などによる 絶縁性材料により構成されている。蓋材 16は、金属などの導電性材料もしくはアルミ ナなどの絶縁性材料などの適宜の材料で構成され得る。
[0038] ケース材 15は、上面に開いた凹部 15aを有し、凹部 15a内に、送信側弾性表面波 フィルタを構成する送信側弾性表面波フィルタチップ 5Aと、受信側弾性表面波フィ ルタ 6を構成している受信側弾性表面波フィルタチップ 6Aとが収納されている。弾性 表面波フィルタチップ 5A, 6Aは、フリップチップボンディング工法によりケース材 15 に実装されている。図 3では、弾性表面波フィルタチップ 5A, 6Aが略図的に示され ている金属バンプ 18により、凹部 15aの底面に接合されている状態が図示されてい る。実際には、金属バンプ 18は、弾性表面波フィルタチップ 5A, 6Aの電極と、ケー ス材 15の凹部 15の底面上に形成された電極ランドとを電気的に接続している。
[0039] また、ケース材 15内には、ビアホール電極 19, 20が形成されている。ビアホール電 極 19, 20間に、ビアホール電極 21で接続されたストリップライン 22, 23から成る位相 調整素子 9が構成されてレ、る。
他方、送信側弾性表面波フィルタチップ 5Aの下方においては、ケース材 15内にビ ァホール電極 24, 25が配置されている。ビアホール電極 24, 25の上端が、ケース材 15の凹部 15aの底面に至っており、該上端が、図 1に示した並列腕共振子 T4, T1 にそれぞれ接続されている。ビアホール電極 24, 25の下端は、第 2の共通端子 7に 接続されている。第 2の共通端子 7には、図 1に示した並列腕共振子 T7のアース側 端子に接続されるビアホール電極(図 3では図示されず)も接続されている。
[0040] 第 2の共通端子 7は、ケース材 15の内部に埋設されており、第 2の共通端子 7の下 面に、ビアホール電極 26の上端が接続されている。ビアホール電極 26の下端は、ケ ース材 15の下面に至っており、ケース材 15の下面に設けられたグラウンド電極(図示 せず)に接続されている。
[0041] 本実施形態では、各弾性表面波フィルタチップ 5A, 6Aは、 LiTaO 基板上に A1
3
を主成分とする電極材料により、弾性表面波共振子や接続電極を構成する電極を形 成することにより構成されている。
また、上記位相調整用ストリップライン 22, 23は、 50 Ω付近の特性インピーダンス を有し、その位相シフト量は、送信側弾性表面波フィルタ 5の通過帯域の中心周波数 である 836. 5MHzにおいて位相が 75度回転する長さに設定されている。
[0042] 本実施形態の弾性表面波分波器の特徴は、上記のように相体的に通過帯域が低 い送信側弾性表面波フィルタ 5において、第 1の共通端子 4に最も近い、すなわちァ ンテナ側に最も近い並列腕共振子が、並列腕共振子 T1であり、該並列腕共振子 T1 の容量が、該並列腕共振子 T1とは異なる、直列腕共振子間に挟まれた他の並列腕 共振子 T4, T7の静電容量の 1/10未満とされていることにある。それによつて、送 信側弾性表面波フィルタ 5から受信側弾性表面波フィルタ 6への信号の漏洩を抑制 すること力 Sできる。すなわち、アイソレーション特性の改善を図ることができる。これを、 図 4一図 9を参照して説明する。
[0043] 本実施形態では、送信側弾性表面波フィルタ 5及び受信側弾性表面波フィルタ 6 において用いられている各共振子の電極指の対数、電極指交叉幅、波長及び反射 器の電極指の本数は、下記の表 1及び表 2に示す通りとした。
[0044] [表 1]
Figure imgf000013_0001
[0045] [表 2]
Figure imgf000013_0002
[0046] また以下の図 4一図 9に示した結果は、上記実施形態の弾性表面波分波器で用い られた共振子の構成を適宜変化することにより得られたものであることより、容量比 1 / 10の場合が本実施形態に相当する。
[0047] 図 4は、並列腕共振子 T1と、並列腕共振子 T4, T7との容量比を変化させた場合 のアイソレーションの変化を示す図である。図 5は、並列腕共振子 T1を接続しなかつ た場合と、並列腕共振子 T1の上記容量比を 1/20及び 1/10 (本実施形態)とした 場合のアイソレーション特性を示す図である。また、図 6は、上記容量比と送信側弹 性表面波フィルタの挿入損失との関係を示す図である。図 7は図 5と同様に並列腕共 振子 T1を接続しなかった構成、並列腕共振子 T1の容量比を 1/20及び 1/10とし た場合の各送信側弾性表面波フィルタの挿入損失特性を示す図である。
[0048] また、図 8は、容量比と受信側弾性表面波フィルタの揷入損失を示す図である。図 9は、並列腕共振子 T1を接続しなかった構成、並列腕共振子 T1の容量比を 1/20 及び 1/10とした場合の各受信側弾性表面波フィルタの揷入損失を示す図である。 なお、図 9において内側に示されている特性は、減衰量周波数特性を縦軸の右側の スケールで拡大した特性である。
なお、図 7において、内側に描かれている特性は、減衰量周波数特性を縦軸の右 側のスケールで拡大した特性である。
[0049] 図 5から明ら力、なように、並列腕共振子 T1が設けられなかった構成、すなわち送信 側弾性表面波フィルタ 5において、第 1の共通端子 1に最も近い共振子が直列腕共 振子 T2である構成とした場合に比べて、並列腕共振子 T1を設けることにより、送信 側弾性表面波フィルタ 5から受信側弾性表面波フィルタ 6への漏洩を抑制でき、アイ ソレーシヨン特性を改善し得ることがわかる。また、図 4から明ら力なように、特に、上 記容量比が 1/10付近においてアイソレーション特性が効果的に改善され得ること がわかる。すなわち、アンテナ側の第 1の共通端子 4に最も近い送信側弾性表面波 フィルタ 5の共振子を並列腕共振子 T1とした場合、共通端子 4に最も近い共振子を 直列腕共振子とした場合に比べてアイソレーション特性を改善し得ることがわかる。
[0050] 従って、梯子型回路構成の弾性表面波フィルタ回路においては、従来、上記容量 比は 1/2が最適であると特許文献 3に特記されていたが、第 1 ,第 2の弾性表面波フ ィルタを接続して成る弾性表面波分波器では、図 4のアイソレーション特性の変化を 考慮すると、上記容量比は 1Z2未満とすることが望ましいことがわかる。すなわち、 上記容量比を 1Z2未満とすることにより、容量比が 1Z2とされている弾性表面波フィ ルタを用いた場合に比べて、アイソレーション特性の改善された弾性表面波分波器 を提供し得ることがわかる。
[0051] 他方、図 4からわかるように、上記容量比が 1Z40未満または、 1/5を越える場合 には、アイソレーション特性は並列腕共振子を接続しなかった場合 (容量比 =0)と同 等となることがわかる。従って、望ましくは、上記容量比を 1/40以上かつ 1/5以下 の範囲とすることが好ましレ、。
[0052] 上記図 5、図 6、図 8及び図 9から明らかなように、送信側弾性表面波フィルタ 5の損 失及び受信側弾性表面波フィルタ 6の損失は、上記容量比が大きくなる程劣化する 傾向のあることがわかる。し力 ながら、図 6—図 9から明らかなように、上記容量比が 1/5以下であれば、送信側弾性表面波フィルタ 5及び受信側弾性表面波フィルタ 6 における損失は比較的小さいことがわかる。
従って、より好ましくは、上記容量比が 1Z40— 1/5の範囲であれば、揷入損失の 劣化を抑制しつつ、アイソレーション特性を改善し得ることがわかる。
[0053] また、本実施形態では、第 1の共通端子 4に最も近い並列腕共振子 T1のアース側 端子が、弾性表面波フィルタチップ 5Aに設けられている他の並列腕共振子 T4, T7 のアース側端子と、第 2の共通端子 7に共通接続されている。そして、第 2の共通端 子 7がインダクタンス素子 Zを介しアース電位に接続されている。よって、並列腕共振 子 T1が共通端子 7により他の並列腕共振子 T4, T7と接続されている部分に、インダ クタンス素子 Zが付加されているため、並列腕共振子 T1の容量が小さい場合であつ ても、アイソレーション特性を効果的に改善することができる。
[0054] また、好ましくは、並列腕共振子 T1の共振周波数が、他の並列腕共振子 T4, T7 の共振周波数と同一とされている。その場合には、共振特性の差による余分な挿入 損失の増大を招くことなぐ上記のようにアイソレーション特性を改善することができる さらに、受信側の弾性表面波フィルタ 6に位相調整素子 9が接続されているため、ァ ンテナ側の共通端子 4側における DPX結合損失を低減することができる。
[0055] 本実施形態では、好ましくは、受信側弾性表面波フィルタ 6の位相調整素子 9によ る位相回転量が、受信側弾性表面波フィルタの通過帯域の中心周波数に対して 90 度未満とされる。この場合には、位相回転量を小さくし得るので、位相調整素子の小 型化を図ることができ、ひいては弾性表面波分波器 1の小型化を図ることができる。
[0056] 特に、上記位相回転量を 90度未満とする場合、送信側弾性表面波フィルタ 5と受 信側弾性表面波フィルタ 6とをアンテナ側にぉレ、て結合する前の段階で、受信側弾 性表面波フィルタ 6の通過帯域で位相を誘導性とし、送信側弾性表面波フィルタ 5の 通過帯域での位相を容量性とする。これにより、実軸上でインピーダンス整合を図る こと力 Sできる。特に、アンテナ側の共通端子 4に最も近い共振子を直列腕共振子とし た構成にぉレ、て、送信側弾性表面波フィルタ 5の通過帯域を容量性とした場合には 、容量を大きくしてレ、くと、図 11に示すように、容量が大きくなるほどスミスチャート上 を大きく移動し、反射が大きくなる。従って、 DPX結合時の損失が増大する。
これに対して、本実施形態のように、アンテナ側の共通端子 4に最も近い共振子が 並列腕共振子 T1である場合には、並列腕共振子 T1の付加により送信側弾性表面 波フィルタの通過帯域を容量性とする場合には、図 10に示すようにチャート上を移動 するため、反射が小さくなり、 DPX結合時の特性の劣化を抑制することができる。

Claims

請求の範囲
[1] 通過帯域が相対的に低い第 1の弾性表面波フィルタと、
通過帯域が相対的に高い第 2の弾性表面波フィルタと、
第 1 ,第 2の弾性表面波フィルタの一端が接続されており、かつアンテナに接続され る第 1の共通端子とを備え、
前記第 1の弾性表面波フィルタが、複数の並列腕共振子及び複数の直列腕共振 子を有する梯子型回路構成の弾性表面波フィルタであり、
前記複数の直列腕共振子及び並列腕共振子の内、前記第 1の共通端子に最も近 い共振子が並列腕共振子であり、該第 1の共通端子に最も近い並列腕共振子の容 量が、該並列腕共振子とは異なる直列腕共振子間に挟まれた並列腕共振子の容量 の 1/2未満とされていることを特徴とする、弾性表面波分波器。
[2] 前記第 1の共通端子に最も近い並列腕共振子の容量が、異なる直列腕共振子間 に挟まれた他の並列腕共振子の容量の 1/40— 1/5の範囲にある、請求項 1に記 載の弾性表面波分波器。
[3] 前記第 1の共通端子に最も近い並列腕共振子の一端及び、他の並列腕共振子の 一端が接続されている第 2の共通端子をさらに備え、
前記第 2の共通端子とグラウンド電位との間に付加されたインダクタンス素子をさら に備える、請求項 1または 2に記載の弾性表面波分波器。
[4] 前記第 1 ,第 2の弾性表面波フィルタを収納しているパッケージ材をさらに備え、前 記第 2の共通端子が該パッケージ内に設けられている、請求項 3に記載の弾性表面 波分波器。
[5] 前記第 1の共通端子に最も近い並列腕共振子の共振周波数が、他の並列腕共振 子の共振周波数とほぼ同一である、請求項 1一 4のいずれかに記載の弾性表面波分 波器。
[6] 前記第 2の弾性表面波フィルタと前記第 1の共通端子との間に挿入された位相調 整素子をさらに備える、請求項 1一 5のいずれかに記載の表面波分波器。
[7] 前記位相調整素子の位相遅延量が、第 1の弾性表面波フィルタの中心周波数に 対して 90度未満であり、前記第 1の共通端子側から見て、第 2の弾性表面波フィルタ の通過帯域内の少なくとも 50%が誘導性であることを特徴とする、請求項 6に記載の 弾性表面波分波器。
[8] 前記位相調整素子がストリップラインである、請求項 6または 7に記載の弾性表面波 分波器。
[9] 前記位相調整素子が、容量素子と第 2のインダクタンス素子とを有する、請求項 6ま たは 7に記載の弾性表面波分波器。
[10] 第 1の共通端子側から見て、第 2の弾性表面波フィルタの通過帯域の少なくとも 50
%が誘導性である、請求項 6 9のレ、ずれかに記載の弾性表面波分波器。
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