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WO2004031437A1 - Beschichtungsverfahren und beschichteter körper - Google Patents

Beschichtungsverfahren und beschichteter körper Download PDF

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Publication number
WO2004031437A1
WO2004031437A1 PCT/EP2003/010735 EP0310735W WO2004031437A1 WO 2004031437 A1 WO2004031437 A1 WO 2004031437A1 EP 0310735 W EP0310735 W EP 0310735W WO 2004031437 A1 WO2004031437 A1 WO 2004031437A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
diamond layer
etching
carried out
hard
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2003/010735
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Joachim Gussone
Oliver Lemmer
Dirk Breidt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cemecon AG
Original Assignee
Cemecon AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cemecon AG filed Critical Cemecon AG
Priority to AU2003277912A priority Critical patent/AU2003277912A1/en
Priority to JP2004540718A priority patent/JP4588453B2/ja
Priority to US10/529,258 priority patent/US20060099422A1/en
Priority to DE10393375.1T priority patent/DE10393375B4/de
Publication of WO2004031437A1 publication Critical patent/WO2004031437A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C30/00Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
    • C23C30/005Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process on hard metal substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26Deposition of carbon only
    • C23C16/27Diamond only
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Definitions

  • the invention relates to a coated body and a method for coating a body.
  • Coated bodies comprise a substrate material and a diamond layer applied thereon.
  • Hard metals and cermets are considered as substrate material in the context of the present invention, i.e. Sintered materials made from hard material particles and binder material, in particular with WC grains in a Co-containing matrix.
  • Diamond-coated hard metal or cermet tools are among others used in machining. The high hardness of the diamond has a positive effect on the wear protection of the tool.
  • US-A-6096377 describes a method for coating a hard metal substrate with a diamond layer.
  • the method comprises pretreating the substrate with a WC-selective etching step and with a Co-selective etching step.
  • a diamond layer For the application of a diamond layer, germination with diamond powder and a subsequent diamond coating are proposed.
  • the co-selective etching step, the WC-selective etching step and the seeding step can supposedly be carried out in any order.
  • DE 195 22 371 describes the application of a diamond layer to a hard metal First proposed a co-selective etching step with subsequent cleaning of the etched substrate surface, and then a WC-selective etching step with subsequent cleaning. A diamond layer is applied to the carbide substrate prepared in this way by means of a CVD process.
  • Wo 97/07264 describes a pretreatment process for the CVD diamond coating of a hard metal.
  • an electrochemical etching of the hard metal is carried out, whereby the substrate is switched as an anode and electrochemically etched in an electrolyte (e.g. 10% NaOH).
  • an electrolyte e.g. 10% NaOH
  • the co-binder material is selectively etched.
  • a diamond layer is applied in a CVD process.
  • the coated body should be viewed in section perpendicular to the diamond layer, it being assumed for the purposes of the description that the substrate is arranged at the bottom and the diamond layer at the top. However, this is only for clarity and should not be understood as limiting the geometry of the body and the arrangement of the diamond coating on it.
  • Intact substrate material is understood to mean that hard material particles are embedded in or surrounded by binder material and that the phase boundaries of the hard material particles are intact.
  • the diamond layer is arranged over the first area.
  • the transition area of the first area i.e. the upper boundary surface of the first area
  • a depth profile i.e. a roughness with depressions and elevations. These depressions and elevations are visible in cross-section, for example.
  • the diamond layer is clamped to the substrate by ingrowth of the diamond layer in the depressions. This is understood to mean that, when viewed in section, there are parts of the diamond layer which are arranged deeper in the substrate than elevations of the first substrate region with intact substrate material, i.e. Hard material particles and binder material.
  • the interlocking or bracing means that pressure and shear loads are well absorbed.
  • the depth profile in the transition area distributes pressure loads over a larger area.
  • the surveys offer resistance to shear forces.
  • the transition region ie the substrate surface
  • the surface should be free of grinding-related porosity and grinding-related binder enrichment.
  • a porous zone is arranged between the first region and the diamond layer, in which hard material particles are free of binder material.
  • the hard material particle structure is preferably intact and not weakened at the grain boundaries by etching.
  • the diamond layer then follows the porous zone. The removal of the binder material in the porous zone results in better layer adhesion.
  • the average thickness d of the porous zone is less than or equal to the maximum roughness depth Rmax, preferably also the average roughness depth Rz of the transition region. This leads to good clamping, good adhesion and high mechanical stability.
  • the maximum roughness depth Rmax and the average roughness depth Rz in the sectional image are to be estimated as the mean or maximum value of the distance between “mountains” and “valleys”.
  • a binder material-selective etching is carried out in a first step, a hard material-selective etching in a second step, and a binder material in a third step. selective etching performed.
  • the substrate pretreated in this way is then coated with a diamond layer.
  • the binder material is preferably removed in an edge zone of the substrate.
  • This edge zone preferably has a depth profile.
  • hard material particles are removed in the edge zone, so that a surface profile with elevations and depressions results from the etching depth profile of the first step.
  • the hard material particles exposed in the first etching step are preferably completely removed.
  • the etching of the hard material particles results in an enrichment of the binder material Surface that is removed in the third step. It is preferred here that the etching carried out in the third step has a smaller etching depth than the etching carried out in the first step. As a result, only a small porous zone is formed on the profiled surface.
  • the structure of the diamond layer adheres well to such a structure.
  • the method is particularly preferred for hard metals with WC hard material particles and Co-containing binder material.
  • a selective etching of the binder material is first carried out in the same way as in the first variant.
  • This preferably creates a porous edge zone with a depth profile in which the binder material is removed.
  • the substrate surface pretreated in this way is treated with blasting particles in a blasting process.
  • blasting particles are preferably SiC particles which have a grain size of less than 100 ⁇ m, better less than 70 ⁇ m and particularly preferably less than 30 ⁇ m.
  • This surface can, preferably after a cleaning step, be used directly to apply a diamond layer, since the blasting process does not result in any accumulations of binder material reducing the adhesion to the surface.
  • a porous zone of shallow depth can remain even after blasting.
  • the substrate materials considered according to the invention are hard metals or cermets with sintered hard material particles and binder material.
  • Co, Ni, Fe can be used as binder materials, for example, WC, TiC, TaC, NbC as hard materials.
  • the substrate material preferably used for the body according to the invention and the methods according to the invention is a hard metal with sintered WC hard material particles and Co-containing binder material. Materials with Co-Ni-Fe binder are particularly preferred.
  • the Co content is preferably 0.1-20%, preferably 3-12%, more preferably 6-12%, particularly preferably 10-12%. There are particular advantages in the case of substrate materials which are robust against impact stress and have a Co content of more than 6%.
  • fine-grained hard metals it is preferred for fine-grained hard metals that they also contain chromium and vanadium.
  • coarse (grain size 2.5 - 6 ⁇ m), medium grain (grain size 1.3 - 2.5 ⁇ m) and fine grain (0.8 - 1.3 ⁇ m) types of hard metals can also be used as substrate material.
  • very fine grain types (0.5-0.8 ⁇ m grain size) and ultra-fine grain types (grain size 0.2-0.5 ⁇ m) are preferred.
  • Very fine and ultra-fine grain types are characterized by high hardness and flexural strength.
  • the depth profile of the first area has an average roughness depth Rz of 1-20 ⁇ m, preferably 2-10 ⁇ m.
  • An average roughness depth Rz of 3-7 ⁇ m is particularly preferred.
  • the average roughness depth Rz of the depth profile is greater than the grain size of the hard metal substrate. Particularly in the case of very fine and ultra-fine grain types, it is preferred that Rz is even more than five times, more preferably more than ten times the grain size.
  • Electrochemical etching methods with direct or alternating current with HC1 or H2SO4 are particularly preferred. Electrochemical etching methods with dilute HC1, H2SO4 solutions are also preferred. HNO3 and preferably mixtures of H2SO4 / H2O2, HCI / H2O2 and HCI / HNO3 can also be used for the etching.
  • Etching step hard material particles, in particular tungsten carbide grains are etched. Chemicals that selectively etch WC can be used for this.
  • the corresponding treatment is possible with blood lye salt / lye mixtures, preferably potassium permanganate / lye mixtures.
  • a third, co-selective etching step is carried out.
  • the third etching step is preferably carried out as electrochemical etching with sulfuric acid or hydrochloric acid.
  • a porous zone is created on the surface of the substrate already profiled by the first two steps, in which the binder material is removed. This porous zone is preferably of a small thickness.
  • the coating is preferably carried out by means of a CVD process.
  • the diamond grows on the generated surface. Due to the depth profile of the pretreated substrate, there is excellent interlocking between the diamond layer and the substrate.
  • the roughness produced by the pretreatment process is in principle not dependent on the substrate grain size. Because the roughness is generated by the depth profile achieved in the first etching step. In this way, excellent interlocking between the diamond layer and the substrate is also possible with very fine and ultra-fine grains.
  • FIG. 1 shows a cross section through a hard metal substrate with a porous zone.
  • FIG. 2 shows a cross section through a hard metal substrate with a profiled surface
  • 3 shows a symbolic representation of a cross section through a body with a substrate and a diamond layer
  • FIG. 4 shows a symbolic representation of the depth profile from FIG. 3
  • 4a shows a schematic diagram for determining roughness parameters
  • 5 shows a cross section through a diamond-coated body.
  • 5a shows an enlargement of area A from FIG. 5;
  • 6 shows a symbolic representation of the attack of pressure loads on the profile of a transition area;
  • 7 shows a symbolic representation of the attack of shear loads on the depth profile of a transition area
  • 8 shows a symbolic representation of the profile of a transition region in the case of a coarse-grain hard metal
  • Fig. 9 is a symbolic representation of the profile of a transition area in a fine-grain hard metal.
  • a tool made of a hard metal is to be coated with a diamond layer.
  • the tool material (substrate) 10 is a fine grain type with WC particles in the range from 0.5 to 0.8 ⁇ m and a co-binder with 10% Co.
  • the substrate 10 is pretreated.
  • a first etching step is first carried out on the substrate 10, with which a porous zone 12 is generated on the surface, in which the binder material has been completely removed.
  • the porous zone 12 has a depth profile, which is given by the boundary line 14 shown in FIG. 1.
  • the acid used has penetrated into the surface to different depths at different locations on the substrate 10.
  • the porous zone 12 has a maximum etching depth of 6 ⁇ m.
  • the WC grains in the porous zone 12 are now completely removed.
  • the substrate is etched with KMN ⁇ 4 / NaOH (100 g / 1, 100 g / 1). This removes 12 tungsten carbide within the porous zone.
  • the result is a surface structure as can be seen in the sectional view of FIG. 2.
  • the surface of the substrate 10 is rough with a number of elevations 16 and depressions 18.
  • the surface profile produced corresponds to the profile of the porous zone from FIG. 1, and thus to the etching depth profile of the first etching step.
  • a cobalt enrichment is present on the surface after the second etching step, which is called cobalt sponge here.
  • the cobalt sponge is removed electrochemically with concentrated sulfuric acid.
  • the third etching step with concentrated sulfuric acid is carried out in such a way that the cobalt sponge in particular is removed and a porous zone (ie a surface area in which the binder material has been removed) of only a small depth arises.
  • the etching depth can be adjusted by diluting the sulfuric acid. The duration of the treatment is of little importance for the etching depth, since a passivation layer forms as soon as cobalt has been completely removed from the surface.
  • the substrate 10 comprises WC hard material particles 20 and binder material 22.
  • the WC grains form a WC framework.
  • first area 24 the hard metal substrate is intact, i.e. Toilet grains are surrounded by binder material.
  • a porous zone 26 follows over the first area 24. WC grains 20 are not enclosed by the binder material in the porous zone 26.
  • FIG. 3 is intended to be illustrative and is not to scale.
  • a diamond layer 30 follows above the porous zone 26.
  • the diamond layer 30 is applied to the pretreated substrate surface after completion of the pretreatment. This is done by means of a known CVD method, as described, for example, in WO 98/35071, in which CH4 is supplied in a hydrogen atmosphere and activated on wire-shaped heating elements, so that a diamond layer is formed at a substrate temperature of approximately 850.degree forms the substrate.
  • the binder material 22 is removed in the porous zone 26 and therefore does not hinder the adhesion of the diamond layer 30 to the substrate 10.
  • FIG. 4 also shows a symbolic representation of the transition area between substrate 10 and diamond layer 30.
  • the edge lines of the corresponding areas in FIG. 3 of the first area 24, the porous zone 26 and the diamond layer 30 are shown in broken lines. Preferred properties of the transition region are to be explained on the basis of these representations.
  • the porous zone 26 has an average thickness, which is to be referred to here as d.
  • the surface of the first region 24 has a surface profile with elevations 16 and depressions 18. The distance between an elevation 16 and a depression 18 measured in the vertical direction is designated R here.
  • the roughness parameters Ra, Rmax, Rz are defined for surfaces and are generally included Touch probe measured.
  • the values on the cross section are determined. The determination is made according to DIN EN ISO 4287, in that the long-wave components that are attributable to the external shape of the body are not considered. Five sections of the remaining profile are considered, as shown in FIG. 4 a.
  • the individual roughness is determined as the sum of the height of the highest profile tip and the depth of the largest recess within the section. From this, the average roughness depth Rz is determined as the arithmetic mean of the individual roughness depths, and the maximum roughness depth Rmax as the largest single roughness depth of the measuring section.
  • the average thickness d of the porous zone 26 is equal to or less than the maximum distance between ridges and depressions, i.e. the Rmax value.
  • the average thickness d of the porous zone 26 is equal to or less than the maximum distance between ridges and depressions, i.e. the Rmax value.
  • FIG. 5 shows the substrate 10 from FIG. 2 with a diamond layer applied thereon. It can be seen that the transition region has a depth profile with elevations and depressions.
  • FIG. 5a shows an enlargement of the area A from FIG. 5. Here the clinging of the diamond layer 30 to the substrate 10 can be clearly seen.
  • the morphology of the transition area is independent of the grain size of the hard metal used.
  • the roughness of the transition area is determined by the first etching step.
  • the same surface morphology can therefore be achieved for hard metals with different grain sizes. This is symbolically represented in FIGS. 8 and 9, where the same depth profile is achieved with different grain sizes.
  • the above-described clamping of the diamond layer 30 to the substrate 10 results in particularly good adhesion.
  • the layer adhesion is also particularly robust against dynamic pressure and shear stresses. As can be seen in the symbolic representation of FIG. 6, pressure stresses are distributed over a larger area due to the surface roughness and can therefore be better are transferred from the diamond layer 30 to the substrate 10. In the case of shear stresses, the clamping with elevations and depressions in the diamond layer offers a good hold on the substrate 10.
  • the substrate to be coated is micro-blasted with SiC particles. This removes 12 WC particles in the porous zone. The result is a rough surface with very low porosity.
  • the surface so created i.A. has no co-enrichment, so that it is possible to carry out the coating without a further co-selective etching step.
  • prior cleaning of the substrate makes sense, e.g. in an ultrasound bath.
  • a further binding material-selective etching step can be carried out after the blasting to enlarge the porous zone on the surface.
  • the pretreatment and subsequent coating of a body is carried out for a
  • Tool preferred only in the functional area, i.e. for example with a cutting tool in the area of the cutting edge.
  • a milling tool (diameter 10 mm) made of coarse-grained hard metal (grain size
  • the functional area of the tool (30 mm immersion depth) is diluted in HC1 (3%) for 2 min. electrochemically etched at a current of 0.1 A. A porous zone with a maximum etching depth of 6 ⁇ m is created.
  • the functional area of the tool is etched with KMN ⁇ 4 / NaOH ( ⁇ oog / l / ⁇ oog / 1, 30 min, 5 ⁇ ° C).
  • the tungsten cabid is etched in the po- completely removed until there is a cobalt accumulation on the surface.
  • This cobalt sponge is removed electrochemically in the third stage with concentrated sulfuric acid (98%, 3 A, 3 min.).
  • concentrated sulfuric acid only removes the cobalt enrichment; a porous zone of very little thickness is created.
  • the substrate pretreated in this way is coated in a CVD process with a 10 ⁇ m thick diamond layer.
  • a tool (milling cutter, diameter 10 mm) made of ultra-fine-grain carbide (grain size 0.4 ⁇ m) with a cobalt content of 10% should be coated.
  • the tool is etched in HNO3 (25%, 3 min.) In the first step. A porous zone with a maximum etching depth of 10 ⁇ m is created.
  • the tungsten carbide of the porous zone is removed with KMNO4 / NaOH ( ⁇ oog / l / ⁇ oog / 1, 30 min., 50 ° C.).
  • the porous zone is removed by etching the tungsten carbide.
  • the cobalt sponge formed on the surface is removed in the third step.
  • the cobalt accumulation is removed electrochemically by dilute hydrochloric acid (3%, 0.1 A, 5 min.) And a porous zone of approx. 6 ⁇ m is created.
  • the substrate is then coated with a diamond layer with a thickness of 6 ⁇ m in the CVD process.
  • a tool made of fine-grained hard metal (grain size 1 ⁇ m) with a cobalt content of 10% is etched with HNO3 (25%, 3 min.) In the first step.
  • a porous zone with a maximum etching depth of 6 ⁇ m is created.
  • the functional area of the tool is micro-blasted with SiC until the free placed WC grains of the porous zone are removed.
  • the result is a rough WC surface with very low porosity, which is coated with an 8 ⁇ m thick diamond layer after an intensive cleaning step with ultrasound treatment in an ethanol bath.

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Abstract

Beschrieben wird ein Körper mit einem Hartmetall-Substrat (10) und einer Diamantschicht (30) sowie ein Verfahren zur Beschichtung eines Hartmetall-Substrats (10). Das Hartmetall-Substrat weist Hartstoffpartikel (20) und umgebendes Bindermaterial (22) auf. In einem ersten Bereich (24) intakten Hartmetalls sind die Hartstoffpartikel (20) von Bindermaterial (22) umgeben. Der Übergangsbereich des ersten Bereich (24) weist ein Tiefenprofil mit Vertiefungen (18) und Erhebungen (16) auf. Hierdurch ist die Diamantschicht (30) mit dem Substratmaterial (10) verklammert, wobei Teile der Diamantschicht (30) tiefer im Substrat (10) angeordnet sind als Erhebungen (16) des ersten Bereichs (24). Dies wird mit einem Vorbehandlungsverfahren erzielt, bei dem ein Hartmetall-Substrat (10) zunächst einem selektiven Ätzschritt zur Entfernung des Bindermaterials (22) unterworfen wird. Es bildet sich eine poröse Zone mit einem Tiefenprofil. Die Hartstoffpartikel in der porösen Zone (12) werden entweder durch Mikrostrahlen entfernt, oder in einem zweiten, WC-selektiven Ätzschritt entfernt. Schliesslich wird mit einem Co-selektiven Ätzschritt eine Cobaltanreicherung auf der Oberfläche entfernt und das Substrat (10) mittels CVD mit einer Diamantschicht beschichtet.

Description

Beschichtungsverfahren und beschichteter Körper
Die Erfindung betrifft einen beschichteten Körper sowie ein Verfahren zur Beschichtung eines Körpers.
Es ist bekannt, Körper oder Teile von Körpern mit einer Oberflächenbeschichtung zur Verbesserung der mechanischen Eigenschaften zu versehen. Insbesondere für Werkzeuge ist es bekannt, Funktionsflächen mit einer Diamantschicht zu versehen. Ein bekanntes Verfahren ist hierbei das Aufbringen einer Diamantschicht mittels eines CVD (chemical vapor deposition) Prozesses. Ein solches Beschichtungsverfahren ist z.B. in WO 98/35071 beschrieben.
Beschichtete Körper umfassen ein Substratmaterial und eine darauf aufgebrachte Diamantschicht. Als Substratmaterial werden im Rahmen der vorliegenden Erfindung Hartmetalle und Cermets betrachtet, d.h. Sintermaterialien aus Hartstoffpartikeln und Bindermaterial, insbesondere mit WC-Körnern in einer Co-haltigen Matrix. Diamantbeschichtete Hartme- tall- bzw. Cermet- Werkzeuge werden u.a. bei der Zerspanung eingesetzt. Dabei wirkt sich insbesondere die hohe Härte des Diamants positiv auf den Verschleißschutz des Werkzeugs auf.
Um eine gute Haftung der Diamant-Beschichtung auf dem Substrat zu erzielen sind verschiedene Vorbehandlungsmethoden bekannt.
Die US-A-6096377 beschreibt ein Verfahren zur Beschichtung eines Hartmetallsubstrats mit einer Diamantschicht. Das Verfahren umfaßt eine Vorbehandlung des Substrats mit einem WC-selektiven Ätzschritt sowie mit einem Co-selektiven Ätzschritt. Für das Aufbrin- gen einer Diamantschicht wird eine Bekeimung mit Diamantpulver und eine anschließende Diamant-Beschichtung vorgeschlagen. Hierbei können angeblich der Co-selektive Ätzschritt, der WC-selektive Ätzschritt und der Bekeimungsschritt in beliebiger Reihenfolge vorgenommen werden.
In der DE 195 22 371 wird zum Aufbringen einer Diamantschicht auf ein Hartmetall- Substrat zunächst ein Co-selektiver Ätzschritt mit anschließender Reinigung der geätzten Substratoberfläche, und dann ein WC-selektiver Ätzschritt mit anschließender Reinigung vorgeschlagen. Auf das so vorbereitete Hartmetallsubstrat wird mittels eines CVD- Verfahrens eine Diamantschicht aufgebracht.
Zu den beiden vorgenannten Druckschriften ist festzustellen, daß zwei-schrittige Vorbehandlungsverfahren mit zuerst einem Co-selektiven Ätzschritt und dann einem WC- selektiven Ätzschritt in vielen Fällen nicht zu einer ausreichenden Schichthaftung führen. Denn wenn im zweiten, WC-selektiven Ätzschritt eine vollständige Ätzung der an der Oberfläche liegenden WC-Körner erfolgt, dann umfaßt anschließend die Oberfläche eine Co-Anreicherung, die eine gute Schichthaftung verhindert. Wird hingegen die WC-Ätzung nur teilweise durchgeführt, dann sind an der Oberfläche, d.h. im späteren Übergangsbereich zwischen Substrat und Diamantschicht die WC-Körner an den Korngrenzen geätzt. Dann aber liegt kein intaktes WC-Gerüst vor, was zu reduzierter Schichthaftung und mechanischer Festigkeit führt.
In der Wo 97/07264 ist ein Vorbehandlungsverfahren für die CVD-Diamantbeschichtung eines Hartmetalls beschrieben. Hier wird in einem ersten Schritt ein elektrochemisches Ätzen des Hartmetalls durchgeführt, wobei in einem Elektrolyt (z.B. 10% NaOH) das Substrat als Anode geschaltet und elektrochemisch geätzt wird. In einem zweiten Schritt wird selektiv das Co-Bindermaterial geätzt. Schließlich wird in einem CVD-Verfahren eine Diamantschicht aufgebracht.
Die mit diesem oder vergleichbaren zwei-schrittigen Vorbehandlungsverfahren mit zu- nächst WC-Ätzung und dann Co-Ätzung erzielten Ergebnisse weisen für einige Anwendungen eine durchaus akzeptable ScMchthaftung auf. Bei starken Beanspruchungen, insbesondere Scherbeanspruchungen und dynamischen Druckbeanspruchungen, reicht aber die mit dieser Vorbehandlung erzielte Festigkeit nicht aus.
Es ist Aufgabe der Erfindung, einen beschichteten Körper und ein Beschichtungsverfahren hierfür vorzuschlagen, wobei der Körper eine erhöhte Belastbarkeit bei verschiedenen mechanischen Belastungen aufweist.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Körper nach Anspruch 1 und die Verfahren nach den Ansprüchen 9 und 14. Abhängige Ansprüche beziehen sich auf vorteilhafte Ausführungs- formen der Erfindung.
Erfindungsgemäß wird eine spezielle Beschaffenheit des Übergangsbereiches zwischen dem Substratmaterial (Hartmetall oder Cermet) und der Diamantschicht vorgeschlagen. Zur Erläuterung der Strulctur soll der beschichtete Körper im Schnitt senkrecht zur Diamantschicht betrachtet werden, wobei für die Zwecke der Beschreibung davon ausgegangen wird, daß das Substrat unten und die Diamantschicht oben angeordnet ist. Dies dient allerdings lediglich der Anschaulichkeit und sollte hinsichtlich der Geometrie des Körpers und der Anordnung der Diamant-Beschichtung daran nicht einschränkend verstanden werden.
Bei dem erfindungsgemäßen Körper ist zunächst ein erster Bereich intakten Substratmaterials vorgesehen. Unter intaktem Substratmaterial wird verstanden, daß Hartstoffpartikel in Bindermaterial eingebettet bzw. davon umgeben sind, und daß die Phasengrenzen der Hartstoffpartikel intakt sind.
Über dem ersten Bereich ist die Diamantschicht angeordnet. Hierbei weist der Übergangsbereich des ersten Bereichs, d.h. die obere Begrenzungsfläche des ersten Bereichs, ein Tiefenprofil, d.h. eine Rauhigkeit mit Vertiefungen und Erhebungen auf. Diese Vertiefun- gen und Erhebungen sind beispielsweise im Querschnitt sichtbar. Durch Einwachsen der Diamantschicht in den Vertiefungen ist die Diamantschicht mit dem Substrat verklammert. Hierunter wird verstanden, daß es im Schnitt betrachtet Teile der Diamantschicht gibt, die tiefer im Substrat angeordnet sind als Erhebungen des ersten Substrat-Bereichs mit intaktem Substratmaterial, d.h. Hartstoffpartikeln und Bindermaterial.
Durch diese Verklammerung wird eine gute Haftung der Diamantschicht erzielt. Die Verzahnung bzw. Verklammerung führt dazu, daß Druck- und Scherbelastungen gut aufgenommen werden. Durch das Tiefenprofil im Übergangsbereich verteilen sich Druckbelastungen auf eine größere Fläche. Die Erhebungen bieten Scherkräften Widerstand.
Bei dem erfindungsgemäßen Körper ist bevorzugt, daß der Übergangsbereich, d.h. die Substratoberfläche, keine Schleiffehler aufweist, und daß sich im Übergangsbereich auch keine zertrümmerten Hartstoffpartikel befinden, wie sie beispielsweise durch Schleifen erzeugt werden. Zudem sollte die Oberfläche von schliffbedingter Porosität und schliffbe- dingten Binderanreicherungen frei sein. Für die Schichthaftung ist es bevorzugt, daß im Übergangsbereich ausschließlich vollständig vom Bindermaterial befreite Oberflächen vorliegen, die der Diamantschicht zugewandt sind. Keinesfalls sollte eine Bindermaterialanreicherung vorliegen.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist zwischen dem ersten Bereich und der Diamantschicht eine poröse Zone angeordnet, in der Hartstoffpartikel frei von Bindermaterial sind. Bevorzugt ist in der porösen Zone das Hartstoffpartikel-Gerüst intakt und nicht an den Korngrenzen durch Ätzung geschwächt. Auf die poröse Zone folgt dann die Diamant- schicht. Aufgrund der Entfernung des Bindermaterials in der porösen Zone ergibt sich eine bessere Schichthaftung.
Hierbei ist zu beachten, daß eine zu dicke poröse Zone wiederum die Schichthaftung bzw. die Festigkeit des Übergangsbereiches schwächen kann. Es wird daher eine poröse Zone geringer Dicke bevorzugt. Besonders bevorzugt werden Dicken von 3 - 7 m. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist die mittlere Dicke d der porösen Zone kleiner oder gleich der maximalen Rauhtiefe Rmax, bevorzugt auch der mittleren Rauhtiefe Rz des Übergangsbereiches. Dies führt zu einer guten Verklammerung, guten Haftung und hohen mechanischen Stabilität. Hierbei sind die maximale Rauhtiefe Rmax und die mittlere Rauhtiefe Rz im Schnittbild als mittleren bzw. maximalen Wert des Abstandes zwischen „Bergen" und „Tälern" zu schätzen.
Bei der in Anspruch 9 wiedergegebenen ersten Variante eines erfindungsgemäßen Verfahrens wird bei einem Substratmaterial mit Hartstoffpartikeln und umgebendem Binderma- terial in einem ersten Schritt eine Bindermaterial-selektive Ätzung, in einem zweiten Schritt eine Hartstoff-selektive Ätzung, und in einem dritten Schritt eine Bindermaterial- selektive Ätzung durchgeführt. Das so vorbehandelte Substrat wird dann mit einer Diamantschicht beschichtet.
Hierbei wird bevorzugt im ersten Schritt in einer Randzone des Substrats das Bindermaterial entfernt. Diese Randzone weist bevorzugt ein Tiefenprofil auf. Im zweiten Schritt werden in der Randzone Hartstoffpartikel entfernt, so daß aus dem Ätztiefenprofil des ersten Schritts ein Oberflächenprofil mit Erhebungen und Vertiefungen entsteht. Die im ersten Ätzschritt freigelegten Hartstoffpartikel werden bevorzugt vollständig entfernt. Durch das Ätzen der Hartstoffpartikel entsteht eine Bindermaterial-Anreicherung der Oberfläche, die im dritten Schritt entfernt wird. Hierbei wird bevorzugt, daß die im dritten Schritt durchgeführte Ätzung eine geringere Ätztiefe hat als die im ersten Schritt durchgeführte Ätzung. Dies führt dazu, daß sich nur eine geringe poröse Zone auf der profilierten Oberfläche bildet. Auf einer solchen Struktur ergibt sich eine gute Haftung der darauf angebrachten Diamantschicht. Das Verfahren wird besonders für Hartmetalle mit WC- Hartstoffpartikeln und Co-haltigem Bindermaterial bevorzugt.
Bei der in Anspruch 14 wiedergegebenen zweiten Variante eines erfindungsgemäßen Verfahrens wird zunächst ebenso wie bei der ersten Variante eine selektive Ätzung des Bindermaterials durchgeführt. Hierdurch wird bevorzugt eine poröse Randzone mit einem Tiefenprofil erzeugt, in dem das Bindermaterial entfernt ist. In einem darauffolgenden mechanischen Entfernungsschritt wird die so vorbehandelte Substratoberfläche in einem Strahlverfahren mit Strahlpartikeln behandelt. Bevorzugt handelt es sich um SiC-Partikel, die eine Korngröße von weniger als 100 μm, besser weniger als 70 μm und besonders bevorzugt weniger als 30 μm aufweisen. Hierdurch werden Hartstoffpartikel an der Oberfläche entfernt, und zwar bevorzugt in der im ersten Schritt gebildeten porösen Randzone. Nach dem mechanischen Entfernungsschritt ergibt sich so eine Oberfläche, die ein Tiefenprofil mit Erhöhungen und Vertiefungen aufweist. Diese Oberfläche kann, bevorzugt nach einem Reinigungsschritt, direkt zum Aufbringen einer Diamantschicht verwendet werden, da durch das Strahlverfahren keine haftungsverringernden Anreicherungen von Bindermaterial an der Oberfläche auftreten. Hierbei kann auch nach dem Strahlen eine poröse Zone geringer Tiefe verbleiben. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung kann es vorgesehen sein, die Tiefe der porösen Zone durch einen Bindermaterial-selektiven Ätzschritt zu vergrößern, um die Haftung zu verbessern.
Die erfindungsgemäß betrachteten Substratmaterialien sind Hartmetalle oder Cermets mit gesinterten Hartstoffpartikeln und Bindermaterial. Als Bindermaterialien können beispielsweise Co, Ni, Fe verwendet werden, als Hartstoffe beispielsweise WC, TiC, TaC, NbC. Das für den erfindungsgemäßen Körper und die erfindungsgemäßen Verfahren bevorzugt verwendete Substratmaterial ist ein Hartmetall mit gesinterten WC-Hartstoffpartikeln und Co-haltigem Bindermaterial. Besonders bevorzugt werden Materialien mit Co-Ni-Fe- Binder. Hierbei beträgt bevorzugt der Co-Gehalt 0,1 - 20%, bevorzugt 3 - 12%, besser 6 - 12%, besonders bevorzugt 10 - 12%. Besondere Vorteile ergeben sich bei gegenüber Schlagbeanspruchung robusten Substrat-Materialien mit Co-Gehalten über 6%. Zudem wird bei feinkörnigen Hartmetallen bevorzugt, daß diese auch Chrom und Vanadium aufweisen. Als Substratmaterial können prinzipiell auch Grob- (Korngröße 2,5 - 6 μm), Mittelkornsorten (Korngröße 1,3 - 2,5 μm) und Feinkornsorten (0,8 - 1,3 μm) von Hartmetallen verwendet werden. Bevorzugt werden jedoch Feinstkornsorten (0,5 - 0,8 μm Korngröße) und Ultrafeinkornsorten (Korngröße 0,2 - 0,5 μm). Feinst- und Ultrafeinkornsorten zeichnen sich durch hohe Härte und Biegebruchfestigkeit aus.
Das Tiefenprofil des ersten Bereichs weist gemäß einer Weiterbildung eine mittlere Rauhtiefe Rz von 1 - 20 μm auf, bevorzugt 2 - 10 μm. Besonders bevorzugt wird eine mittlere Rauhtiefe Rz von 3 - 7 μm. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist die mittlere Rauhtiefe Rz des Tiefenprofils größer als die Korngröße des Hartmetall-Substrats. Besonders bei Feinst- und Ultrafeinkornsorten wird bevorzugt, daß Rz sogar mehr als das fünffache, weiter bevorzugt mehr als das zehnfache der Korngröße beträgt.
Bei den erfindungsgemäßen Verfahren wird nach einer Weiterbildung im ersten Ätzschritt eine mittlere Ätztiefe von 1 bis 20 μm zu erzielt. Bevorzugt wird eine Ätztiefe von 2 bis 10 μm, besonders bevorzugt 3 bis 7 μm. Bei dem ersten Schritt dringt die Säure unterschiedlich schnell in den oberflächennahen Bereich des Substrates ein, so daß eine poröse Randzone entsteht, die ein Tiefenprofil aufweist. Durch die Ätzung wird so die Rauhigkeit des Übergangsbereiches vorbestimmt. Dabei bestimmt die maximale Eindringtiefe der Säure den Rauhigkeitswert Rmax und die Ätztiefenvarianz den Rz und den Ra-Wert. Die Eindringtiefe (und damit insbesondere der Wert Rmax) kann beeinflußt werden durch geeignete Wahl der Säure und Einstellung der Ätzzeit. Die Werte Ra und Rz werden bevorzugt ebenfalls durch die Wahl der Säure, und insbesondere von deren Verdünnungsgrad beein- flußt. Bei elektrochemischen Verfahren können die Parameter auch durch Wahl der elektrischen Parameter eingestellt werden.
Für die im ersten Schritt durchgeführte Ätzung können prinzipiell alle Säuren verwendet werden, die das Bindematerial, insbesondere Cobalt ätzen. Besonders bevorzugt werden elektrochemische Ätzmethoden mit Gleich- oder Wechselstrom mit HC1 oder H2SO4. Ebenso bevorzugt werden elektrochemische Ätzmethoden mit verdünntem HC1, H2SO4 Lösungen. Für die Ätzung kann zudem HNO3 sowie bevorzugt Mischungen aus H2SO4/H2O2, HCI/H2O2 und HCI/HNO3 verwendet werden.
In dem in der ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens durchgeführten zweiten Ätzschritt werden Hartstoff-Partikel, insbesondere Wolframcarbid-Körner geätzt. Hierfür können Chemikalien verwendet werden, die selektiv WC ätzen. Die entsprechende Behandlung ist möglich mit Blutlaugensalz/Lauge-Mischungen, bevorzugt Kaliumpermanga- nat/Lauge-Mischungen. Besonders bevorzugt werden elektrochemische Verfahren mit Lauge-Mischungen, beispielsweise aus Natronlauge, Kalilauge und/oder Natriumcarbonat.
Bei der ersten Variante sowie optional auch bei der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein dritter, Co-Selektiver Ätzschritt durchgeführt. Der dritte Ätzschritt wird bevorzugt als elektrochemisches Ätzen mit Schwefelsäure oder Salzsäure durchge- führt. Hierbei wird an der Oberfläche des durch der ersten beide Schritte bereits profilierten Substrats eine poröse Zone erzeugt, in der das Bindermaterial entfernt ist. Diese poröse Zone ist bevorzugt von geringer Dicke.
Bevorzugt erfolgt die Beschichtung mittels eines CVD-Verfahrens. Hierbei wächst der Diamant auf der erzeugten Oberfläche. Aufgrund des Tiefenprofils des vorbehandelten Substrats ergibt sich eine ausgezeichnete Verklammerung zwischen Diamantschicht und Substrat.
Hierbei ist die durch das Vorbehandlungsverfahren hergestellte Rauhigkeit prinzipiell nicht von der Substratkorngröße abhängig. Denn die Rauhigkeit wird durch das im ersten Ätzschritt erzielte Tiefenprofil erzeugt. Eine ausgezeichnete Verklammerung zwischen Diamantschicht und Substrat ist auf diese Weise auch bei Feinst- und Ultrafeinkornsorten möglich.
Nachfolgend werden Ausführungsformen anhand von Zeichnungen näher beschrieben. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein Hartmetallsubstrat mit einer porösen Zone;
Fig. 2 einen Querschnitt durch ein Hartmetallsubstrat mit einer profilierten Oberfläche; Fig. 3 eine symbolische Darstellung eines Querschnitts durch einen Körper mit einem Substrat und einer Diamantschicht;
Fig. 4 eine symbolische Darstellung des Tiefenprofils aus Fig. 3;
Fig. 4a eine Prinzipskizze zur Ermittlung von Rauhigkeitskennwerten;
Fig. 5 einen Querschnitt durch einen diamantbeschichteten Körper; Fig- 5a eine Vergrößerung des Bereiches A aus Fig. 5; Fig. 6 eine symbolische Darstellung des Angriffs von Druckbelastungen auf das Profil eines Übergangsbereiches;
Fig. 7 eine symbolische Darstellung des Angriffs von Scherbelastungen auf das Tiefenprofil eines Übergangsbereiches; Fig. 8 eine symbolische Darstellung des Profils eines Übergangsbereiches bei einem Grobkorn-Hartmetall;
Fig. 9 eine symbolische Darstellung des Profils eines Übergangsbereiches bei einem Feinkorn-Hartmetall.
Ein Werkzeug aus einem Hartmetall soll mit einer Diamantschicht beschichtet werden. Bei dem Werkzeugmaterial (Substrat) 10 handelt es sich um eine Feinstkornsorte mit WC- Partikeln in der Größenordnung von 0,5 bis 0,8 μm und einen Co-Binder mit 10 % Co.
Vor dem Aufbringen der Diamantschicht wird das Substrat 10 vorbehandelt. Hierbei wird an dem Substrat 10 zunächst ein erster Ätzschritt durchgeführt, mit dem an der Oberfläche eine poröse Zone 12 erzeugt wird, in der das Bindermaterial vollständig entfernt wurde. Die poröse Zone 12 weist ein Tiefenprofil auf, das durch die in Fig. 1 dargestellte Begrenzungslinie 14 gegeben ist. Hierbei ist die verwendete Säure an unterschiedlichen Stellen des Substrats 10 unterschiedlich tief in die Oberfläche eingedrungen. Die poröse Zone 12 weist eine maximale Ätztiefe von 6 μm auf.
In einem zweiten Schritt werden nun die WC-Körner in der porösen Zone 12 vollständig entfernt. Hierbei wird das Substrat mit KMNθ4/NaOH (100 g/1, 100 g/1) geätzt. Hierdurch wird innerhalb der porösen Zone 12 Wolframcarbid entfernt. Es ergibt sich eine Oberflä- chenstruktur wie in der Schnittansicht von Fig. 2 sichtbar. Die Oberfläche des Substrats 10 ist rauh mit einer Anzahl von Erhebungen 16 und Vertiefungen 18. Das entstandene Oberflächenprofil entspricht dem Profil der porösen Zone aus Fig. 1, und damit dem Ätztiefenprofil des ersten Ätzschritts.
Durch die Entfernung des Wolframcarbids liegt nach Durchführung des zweiten Ätzschritts an der Oberfläche eine Cobaltanreicherung vor, die hier Cobaltschwamm genannt wird. Der Cobaltschwamm wird in einem dritten Schritt elektrochemisch mit konzentrierter Schwefelsäure entfernt. Der dritte Ätzschritt mit konzentrierter Schwefelsäure wird so durchgeführt, daß vor allem der Cobaltschwamm entfernt wird, und eine poröse Zone (d.h. ein Oberflächen-Bereich, in dem das Bindermaterial entfernt wurde) von nur geringer Tiefe entsteht. In dem Beispiel ist die Ätztiefe durch die Verdünnung der Schwefelsäure einstellbar. Die Behandlungsdauer ist für die Ätztiefe von geringer Bedeutung, da sich eine Passi- vierungsschicht bildet, sobald Cobalt vollständig an der Oberfläche entfernt wurde.
Dies ist in einer symbolischen Darstellung in Fig. 3 gezeigt. Das Substrat 10 umfaßt WC- Hartstoffpartikel 20 und Bindermaterial 22. Die WC-Körner bilden ein WC-Gerüst In einem unteren, ersten Bereich 24 ist das Hartmetallsubstrat intakt, d.h. WC-Körner sind von Bindermaterial umgeben. Über dem ersten Bereich 24 folgt eine poröse Zone 26. In der porösen Zone 26 sind WC-Körner 20 nicht vom Bindermaterial umschlossen.
Es sei daraufhingewiesen, daß die symbolische Darstellung in Fig. 3 der Anschaulichkeit dienen soll und nicht maßstabsgerecht ist.
Oberhalb der porösen Zone 26 schließlich folgt eine Diamantschicht 30. Die Diamant- schicht 30 wird nach Abschluß der Vorbehandlung auf der vorbehandelten Substratoberfläche aufgebracht. Dies erfolgt mittels eines bekannten CVD-Nerfahrens, wie es beispielsweise in der WO 98/35071 beschrieben ist, bei dem in einer Wasserstoffatmosphäre CH4 zugeführt und an drahtförmigen Heizelementen aktiviert wird, so daß sich bei einer Substrattemperatur von ca. 850 °C eine Diamantschicht auf dem Substrat bildet.
Wie in Fig. 3 dargestellt ist in der porösen Zone 26 das Bindermaterial 22 entfernt und behindert daher nicht die Haftung der Diamantschicht 30 auf dem Substrat 10.
In Fig.4 ist in einer ebenfalls symbolischen Darstellung der Übergangsbereich zwischen Substrat 10 und Diamantschicht 30 gezeigt. Hierbei sind von den entsprechenden Bereichen in Fig. 3 die Randlinien des ersten Bereichs 24, der porösen Zone 26 und der Diamantschicht 30 gestrichelt dargestellt. An dieser Darstellungen sollen bevorzugte Eigenschaften des Übergangsbereiches erläutert werden.
Die poröse Zone 26 weist eine mittlere Dicke auf, die hier als d bezeichnet werden soll. Die Oberfläche des ersten Bereichs 24 weist ein Oberflächenprofil mit Erhöhungen 16 und Vertiefungen 18 auf. Der in vertikaler Richtung gemessene Abstand zwischen einer Erhöhung 16 und einer Vertiefung 18 wird hier mit R bezeichnet.
Die Rauhigkeitskennwerte Ra, Rmax, Rz sind für Oberflächen definiert und werden i.A. mit Tastverfahren gemessen. Für die hier betrachteten beschichteten Körper wird eine Bestimmung der Werte am Querschnitt vorgenommen. Die Bestimmung erfolgt nach DIN EN ISO 4287, indem die langwelligen Anteile, die der äußeren Form des Körpers zuzurechnen sind, nicht betrachtet werden. Von dem verbleibenden Profil werden fünf Teilstrecken betrachtet, wie in Fig.4 a gezeigt. Für jede Teilstrecke wird die Einzelrauhtiefe als Summe aus der Höhe der höchsten Profilspitze und der Tiefe der größten Vertiefung innerhalb der Teilstrecke ermittelt. Hieraus wird die mittlere Rauhtiefe Rz ermittelt als arithmetischer Mittelwert der Einzelrauhtiefen, und die maximale Rauhtiefe Rmax als größte Einzelrauhtiefe der Meßstrecke.
Für den Übergangsbereich ist es nun bevorzugt, daß die mittlere Dicke d der porösen Zone 26 gleich oder kleiner ist als der maximale Abstand zwischen Erhöhungen und Vertiefungen, d.h. der Rmax-Wert. Dann nämlich ergibt sich wie in Fig. 3 gezeigt eine gute Verklammerung der Diamantschicht 30 mit dem Substrat 10. Hierbei sind Teile der Diamant- schicht 30 (wie im Beispiel von Fig. 4 beispielsweise eine untere Spitze 32) tiefer angeordnet als Erhebungen des ersten Bereichs (in Fig.4 beispielsweise die Erhebung 16). Weiter bevorzugt ist d auch kleiner oder gleich dem mittleren Rauhtiefenwert Rz.
Fig. 5 zeigt das Substrat 10 aus Fig. 2 mit einer darauf aufgebrachten Diamantschicht. Es ist sichtbar, daß der Übergangsbereich ein Tiefenprofil mit Erhöhungen und Vertiefungen aufweist. Fig. 5a zeigt eine Vergrößerung des Bereichs A aus Fig. 5. Hier ist deutlich die Verklammerung der Diamantschicht 30 mit dem Substrat 10 erkennbar.
Bei dem oben erläuterten Vorbehandlungsverfahren ist die Morphologie des Übergangsbe- reiches unabhängig von der Korngröße des verwendeten Hartmetalls. Die Rauhigkeit des Übergangsbereiches wird durch den ersten Ätzschritt bestimmt. Daher ist für Hartmetalle mit verschiedenen Korngrößen dieselbe Oberflächenmorphologie erzielbar. Dies ist in Fig. 8 und Fig. 9 symbolisch dargestellt, wo dasselbe Tiefenprofil bei unterschiedlichen Korngrößen erreicht wird.
Durch die oben beschriebene Verklammerung der Diamantschicht 30 mit dem Substrat 10 wird eine besonders gute Sclüchthaftung erzielt. Die Schichthaftung ist auch insbesondere robust gegenüber dynamischen Druckbeanspruchungen und Scherbeanspruchungen. Wie in der symbolischen Darstellung von Fig. 6 ersichtlich, verteilen sich Druckbeanspruchun- gen aufgrund der Oberflächenrauhigkeit auf eine größere Fläche und können daher besser von der Diamantschicht 30 auf das Substrat 10 übertragen werden. Bei Scherbeanspruchungen bietet die Verklammerung mit Erhebungen und Vertiefungen der Diamantschicht einen guten Halt am Substrat 10.
Während das oben beschriebene Ausführungsbeispiel als Vorbehandlungsverfahren ein dreistufiges Ätzverfahren vorsieht, werden in einem alternativen Verfahren der zweite und eventuell auch der dritte Ätzschritt durch einen mechanischen Entfernungsschritt ersetzt.
Nach Dm-chführung des ersten Ätzschritts und Erzeugung einer porösen Zone 12 mit einem Tiefenprofil (vgl. Fig. 1), wird das zu beschichtende Substrat mit SiC-Partikeln mikroge- strahlt. Hierdurch werden in der porösen Zone 12 WC-Partikel entfernt. Es entsteht eine rauhe Oberfläche mit sehr geringer Porosität. Die so erzeugte Oberfläche i.A. weist keine Co-Anreicherung auf, so daß es möglich ist, ohne weiteren Co-selektiven Ätzschritt die Beschichtung durchzuführen. Allerdings ist i.A. eine vorherige Reinigung des Substrats sinnvoll, z.B. in einem Ultraschall-Bad.
Bei dem alternativen Verfahren kann auch nach dem Strahlen ein weiterer Bindermaterial- selektiver Ätzschritt zur Vergrößerung der porösen Zone an der Oberfläche erfolgen.
Die Vorbehandlung und anschließende Beschichtung eines Körpers erfolgt für ein
Werkzeug bevorzugt nur im Funktionsbereich, d.h. beispielsweise bei einem Schneidwerkzeug im Bereich der Schneide.
Nachfolgend sollen noch einige detaillierte Anwendungsbeispiele erläutert werden.
1. Beispiel
Ein Fräs- Werkzeug (Durchmesser 10 mm) aus grobkörnigem Hartmetall (Korngröße
3μm)mit einem Cobaltgehalt von 6% soll beschichtet werden.
Im ersten Schritt wird der Funktionsbereich des Werkzeugs (30 mm Eintauchtiefe) in verdünnter HC1 (3 %) 2 min. bei einer Stromstärke von 0,1 A elektrochemisch geätzt. Es entsteht eine poröse Zone mit einer maximalen Ätztiefe von 6μm.
In der zweiten Ätzstufe wird der Funktionsbereich des Werkzeugs mit KMNθ4/NaOH (ιoog/l/ιoog/1, 30 min, 5θ°C) geätzt. Durch Ätzung wird das Wolframcabid in der po- rösen Zone vollständig entfernt, bis schließlich eine Cobaltanreicherung an der Oberfläche vorliegt.
Dieser Cobaltschwamm wird in der dritten Stufe elektrochemisch mit konzentrierter Schwefelsäure (98 %, 3 A, 3 min.) entfernt. Durch die konzentrierte Schwefelsäure wird nur die Cobaltanreicherung entfernt; es entsteht eine poröse Zone von nur sehr geringer Dicke.
Das so vorbehandelte Substrat wird nach einem Reinigungsschritt in einem CVD-Prozeß mit einer 10 μm dicken Diamantschicht beschichtet.
2. Beispiel
Ein Werkzeug (Fräser, Durchmesser 10 mm) aus ultrafeinkörnigem Hartmetall (Korngröße 0,4 μm) mit einem Cobaltgehalt von 10 % soll beschichtet werden.
Das Werkzeug wird im ersten Schritt in HNO3 (25 %, 3 min.) geätzt. Es entsteht eine poröse Zone mit einer maximalen Ätztiefe von 10 μm.
Im zweiten Schritt wird nur der Funktionsbereich geätzt. In dieser Ätzung wird das Wolframcarbid der porösen Zone mit KMNθ4/NaOH (ιoog/l/ιoog/1, 30 min., 50°C) entfernt. Durch Ätzung des Wolframcarbides wird die poröse Zone entfernt.
Der an der Oberfläche gebildete Cobaltschwamm wird im dritten Schritt entfernt. Durch verdünnte Salzsäure (3 %, 0,1 A, 5 min.) wird die Cobaltanreicherung elektrochemisch entfernt und es entsteht eine poröse Zone von ca. 6 μm.
Das Substrat wird danach im CVD-Prozeß mit einer Diamantschicht einer Dicke von 6 μm beschichtet.
3. Beispiel
Ein Werkzeug aus feinkörnigem Hartmetall (Korngröße 1 μm)mit einem Cobaltgehalt von 10% wird im ersten Schritt mit HNO3 (25 %, 3 min.) geätzt. Es entsteht eine poröse Zone mit einer maximalen Ätztiefe von 6μm.
Danach wird der Funktionsbereich des Werkzeugs mit SiC mikrogestrahlt, bis die frei- gelegten WC-Körner der porösen Zone entfernt sind. Es entsteht eine WC-rauhe Oberfläche mit sehr geringer Porosität, die nach einem intensiven Reinigungsschritt mit Ultraschall-Behandlung in einem Ethanol-Bad mit einer 8 μm dicken Diamantschicht beschichtet wird.

Claims

Ansprüche
l. Körper mit einem Substrat (10) aus einem Hartmetall oder Cermet, bestehend aus Hartstoffpartikeln (20) und Bindermaterial (22) und einer Diamantschicht (30), - wobei die Diamantschicht (30) über einem ersten Bereich (24) intakten Substratmaterials angeordnet ist, in dem Hartstoffpartikel (20) von Bindermaterial (22) umgeben sind,
dadurch gekennzeichnet, daß
der der Diamantschicht (30) zugewandte Übergangsbereich des ersten Bereiches (24) ein Tiefenprofil mit Vertiefungen (18) und Erhebungen (16) aufweist, wobei die Diamantschicht (30) mit dem Substratmaterial (10) verklammert ist, so daß Teile (32) der Diamantschicht (30) tiefer im Substrat (10) angeordnet sind als Erhebungen (16) des ersten Bereichs (24).
2. Körper nach Anspruch 1, bei dem zwischen dem ersten Bereich (24) und der Diamantschicht (30) eine poröse Zone (26) angeordnet ist, in der Hartstoffpartikel (20) frei von Bindermaterial (22) sind.
3. Körper nach Anspruch 2, bei dem die poröse Zone (26) eine mittlere Dicke von 3 - 7 μm aufweist.
4. Körper nach Anspruch 2 oder 3, bei dem die poröse Zone (26) eine mittlere Dicke d aufweist, und das Tiefenprofil des Übergangsbereiches des ersten Bereiches (24) eine mittlere Rauhtiefe Rz und eine maximale Rauhtiefe Rmax aufweist wobei d kleiner oder gleich Rmax ist, - und bevorzugt d kleiner oder gleich Rz ist.
5. Körper nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Substratmaterial WC-Hartstoffpartikel (20) enthält und einen Co-haltigen Binder (22), - wobei die Korngröße der Hartstoffpartikel (20) weniger als 0,8 μm beträgt, bevorzugt weniger als 0,5 μm.
6. Körper nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Bindermaterial (22) 3 bis 12 %, bevorzugt mehr als 6 %, besonders bevor- zugt 8 bis 10 % Cobalt enthält.
7. Körper nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Übergangsbereich des ersten Bereiches (24) eine mittlere Rauhtiefe Rz von 1 bis 20 μm, bevorzugt 2 bis 10 μm, besonders bevorzugt 3 bis 7 μm aufweist.
8. Körper nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die mittlere Rauhtiefe Rz des Übergangsbereiches des ersten Bereichs (24) größer ist als die Korngröße des Hartmetalls, bevorzugt mehr als das fünffache der Korngröße des Hartmetalls beträgt.
9. Verfahren zur Beschichtung eines Substratmaterials (10) mit einer Diamantschicht (30), wobei das Substratmaterial Hartstoffpartikel (20) und Bindermaterial (22) umfaßt, bei dem in einem ersten Schritt eine Bindermaterial-selektive Ätzung durchgeführt wird, - in einem zweiten Schritt eine Hartstoff-selektive Ätzung durchgeführt wird, in einem dritten Schritt eine Bindermaterial-selektive Ätzung durchgeführt wird, und danach das Substrat (10) mit einer Diamantschicht (30) beschichtet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die im dritten Schritt durchgeführte Ätzung eine geringere Ätztiefe hat als die im ersten Schritt durchgeführte Ätzung.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, bei dem - im ersten Schritt in einer Randzone (12) des Substrats (10) das Bindermaterial (22) entfernt wird, im zweiten Schritt in der Randzone (12) Hartstoffpartikel (20) vollständig entfernt werden, so daß ein Oberflächenprofil mit Erhebungen (16) und Vertiefungen (18) entsteht, - und im dritten Schritt eine Bindermaterial-Anreicherung an der Oberfläche entfernt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, bei dem im zweiten Schritt die Ätzung mit einer der folgenden Chemikalien durchge- führt wird: Mischungen aus Kaliumpermanganat und Natronlauge, Mischungen aus Blutlaugensalz und Natronlauge, Natronlauge, Kalilauge und/ oder Natri- umcarbonat.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, bei dem - im dritten Schritt die Ätzung als elektrochemisches Ätzen mit Schwefelsäure und/oder Salzsäure durchgeführt wird, oder als chemische Ätzung mit HCI/H2O2 oder H2S04/H2O2.
14. Verfahren zur Beschichtung eines Substratmaterials (10) mit einer Diamantschicht (30), wobei das Substratmaterial (10) Hartstoffpartikel (20) und umgebendes Bindermaterial (22) umfaßt, bei dem in einem ersten Schritt eine selektive Ätzung des Bindermaterials (22) durchgeführt wird, in einem anschließenden mechanischen Entfernungsschritt Hartstoffpartikel (20) durch ein Strahlverfahren mit Strahlpartikeln entfernt werden, und danach das Substrat (10) mit einer Diamantschicht (30) beschichtet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem nach dem mechanischen Entfernungsschritt ein Bindermaterial-selektiver Ätz- schritt durchgeführt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, bei dem vor der Beschichtung ein Reinigungsschritt durchgeführt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 - 16, bei dem - die Strahlpartikel aus SiC bestehen und eine Korngröße von weniger als 100 μm aufweisen.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 17, bei dem - im ersten Schritt eine mittlere Ätztiefe von 1 bis 20 μm, bevorzugt 2 bis 10 μm, besonders bevorzugt 3 bis 7 μm erreicht wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 18, bei dem
- im ersten Schritt die Ätzung mit einer der folgenden Chemikalien durchgeführt wird: HCl, HNO3, Mischungen aus H2SO4 und H2O2, Mischungen aus HCl und H2O2.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 19, bei dem die Diamantschicht (30) mittels CVD aufgebracht wird.
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