JPH0768425A - ダイヤモンド被覆工具の製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド被覆工具の製造方法Info
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- JPH0768425A JPH0768425A JP21966193A JP21966193A JPH0768425A JP H0768425 A JPH0768425 A JP H0768425A JP 21966193 A JP21966193 A JP 21966193A JP 21966193 A JP21966193 A JP 21966193A JP H0768425 A JPH0768425 A JP H0768425A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0254—Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
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- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属炭化物，金属窒化物又はそれらの混合物
からなる分散粒子と金属マトリクスとからなる基体の表
面にダイヤモンド膜を被覆するダイヤモンド被覆工具の
製造方法に関し、サーメット等の表面に被覆される気相
合成ダイヤモンド膜の密着性を一層高めることができる
ダイヤモンド被覆工具の製造方法を提供する。 【構成】 金属炭化物，金属窒化物又はそれらの混合物
からなる分散粒子と金属マトリクス１２とからなる基体
１１の表面にダイヤモンド膜１５を被覆するダイヤモン
ド被覆工具の製造方法であって、分散粒子は粗粒１３と
微粒１４とからなり、少なくとも基体１１の表層の金属
マトリクス１２及び微粒の分散粒子１４を除去して基体
１１の表面に凹凸を形成した後、ダイヤモンド膜１５を
形成することで、アンカー効果によりダイヤモンド膜１
５の密着性を高めることを含み構成する。
からなる分散粒子と金属マトリクスとからなる基体の表
面にダイヤモンド膜を被覆するダイヤモンド被覆工具の
製造方法に関し、サーメット等の表面に被覆される気相
合成ダイヤモンド膜の密着性を一層高めることができる
ダイヤモンド被覆工具の製造方法を提供する。 【構成】 金属炭化物，金属窒化物又はそれらの混合物
からなる分散粒子と金属マトリクス１２とからなる基体
１１の表面にダイヤモンド膜１５を被覆するダイヤモン
ド被覆工具の製造方法であって、分散粒子は粗粒１３と
微粒１４とからなり、少なくとも基体１１の表層の金属
マトリクス１２及び微粒の分散粒子１４を除去して基体
１１の表面に凹凸を形成した後、ダイヤモンド膜１５を
形成することで、アンカー効果によりダイヤモンド膜１
５の密着性を高めることを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド被覆工具
の製造方法に関し、より詳しくは、金属炭化物，金属窒
化物又はそれらの混合物からなる分散粒子と金属マトリ
クスとからなる基体の表面に気相合成法によりダイヤモ
ンド膜を被覆する前に基体の表面を加工するダイヤモン
ド被覆工具の製造方法に関する。
の製造方法に関し、より詳しくは、金属炭化物，金属窒
化物又はそれらの混合物からなる分散粒子と金属マトリ
クスとからなる基体の表面に気相合成法によりダイヤモ
ンド膜を被覆する前に基体の表面を加工するダイヤモン
ド被覆工具の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドはビッカース硬度１万と地
球上で最も硬い材料であり、ヤング率も高く、耐磨耗
性，化学的安定性にも優れている。このような優れた性
質のため、ダイヤモンドは工具材料として必要不可欠で
ある。また、ダイヤモンド膜は工具等の耐磨耗性コーテ
ィング材料としても有用である。
球上で最も硬い材料であり、ヤング率も高く、耐磨耗
性，化学的安定性にも優れている。このような優れた性
質のため、ダイヤモンドは工具材料として必要不可欠で
ある。また、ダイヤモンド膜は工具等の耐磨耗性コーテ
ィング材料としても有用である。
【０００３】ダイヤモンド被覆工具では下地の基体とし
て超硬（ＷＣ−Ｃｏ）などのセラミックスの粉末と金属
の粉末とを圧縮成形，焼結した複合材料であるサーメッ
トを用いる例が多い。超硬はＣｏのマトリクスに粒径数
μｍのＷＣ粒子が混合されている。但し、Ｃｏはダイヤ
モンド膜からの炭素の拡散を招くため、Ｃｏの含有量は
数％と少なくしてある。
て超硬（ＷＣ−Ｃｏ）などのセラミックスの粉末と金属
の粉末とを圧縮成形，焼結した複合材料であるサーメッ
トを用いる例が多い。超硬はＣｏのマトリクスに粒径数
μｍのＷＣ粒子が混合されている。但し、Ｃｏはダイヤ
モンド膜からの炭素の拡散を招くため、Ｃｏの含有量は
数％と少なくしてある。
【０００４】上記のように、超硬中に含有されるＣｏは
もともと少なくしてあるが、更にダイヤモンド膜との接
触面積を減らす必要があるため、下地の超硬の表面に露
出するＣｏを硝酸等でエッチングし、除去している。ま
た、上記表面のＣｏを除去することにより、表面のＷＣ
粒子間に隙間が形成されて凹凸が生じ、アンカー効果に
よりダイヤモンド膜の密着性を高めるという狙いもある
（特開昭６３−５３２６９参照）。
もともと少なくしてあるが、更にダイヤモンド膜との接
触面積を減らす必要があるため、下地の超硬の表面に露
出するＣｏを硝酸等でエッチングし、除去している。ま
た、上記表面のＣｏを除去することにより、表面のＷＣ
粒子間に隙間が形成されて凹凸が生じ、アンカー効果に
よりダイヤモンド膜の密着性を高めるという狙いもある
（特開昭６３−５３２６９参照）。
【０００５】図３（ａ），（ｂ）は従来例に係る基体の
超硬を加工し、ダイヤモンド膜を形成する方法を示す断
面図である。まず、図３（ａ）に示すように、ＷＣ粒子
３の添加されたＣｏマトリクス２からなる超硬の基体１
の表面を硝酸により処理して、厚さ１〜２μｍ程度の表
層のＣｏ層をエッチングし、除去する。これにより、超
硬の表面のＷＣ粒子３間に隙間が形成されて凹凸が生じ
る。
超硬を加工し、ダイヤモンド膜を形成する方法を示す断
面図である。まず、図３（ａ）に示すように、ＷＣ粒子
３の添加されたＣｏマトリクス２からなる超硬の基体１
の表面を硝酸により処理して、厚さ１〜２μｍ程度の表
層のＣｏ層をエッチングし、除去する。これにより、超
硬の表面のＷＣ粒子３間に隙間が形成されて凹凸が生じ
る。
【０００６】その後、図３（ｂ）に示すように、基体１
を温度７００℃以上に保持した状態で、Ｈ2 ＋ＣＨ4 の
混合ガスを用いたＣＶＤ法により基体１の超硬の表面に
ダイヤモンド膜を形成する。このとき、超硬の表面には
凹凸が生じているため、アンカー効果により、ダイヤモ
ンド膜４と基体１の超硬との密着性は高められる。
を温度７００℃以上に保持した状態で、Ｈ2 ＋ＣＨ4 の
混合ガスを用いたＣＶＤ法により基体１の超硬の表面に
ダイヤモンド膜を形成する。このとき、超硬の表面には
凹凸が生じているため、アンカー効果により、ダイヤモ
ンド膜４と基体１の超硬との密着性は高められる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法では
十分な密着性は得られないという問題がある。その理由
の一つは、ＷＣ粒子３の脱落を防ぐため、基体１の超硬
の表層のエッチングの深さは１〜２μｍ程度と浅く、ま
た、Ｃｏマトリクス２の含有量は数％と少ない。従っ
て、図３（ａ）に示すように、エッチングで形成される
凹部は幅が小さく、かつ深さが浅い。このため、アンカ
ー効果が十分に発揮されないためであると考えられる。
十分な密着性は得られないという問題がある。その理由
の一つは、ＷＣ粒子３の脱落を防ぐため、基体１の超硬
の表層のエッチングの深さは１〜２μｍ程度と浅く、ま
た、Ｃｏマトリクス２の含有量は数％と少ない。従っ
て、図３（ａ）に示すように、エッチングで形成される
凹部は幅が小さく、かつ深さが浅い。このため、アンカ
ー効果が十分に発揮されないためであると考えられる。
【０００８】更に、ダイヤモンドは弾性係数が極めて高
く、しかも成膜温度が７００℃以上と高温であるため、
超硬との熱膨張係数の違いにより発生する熱応力は大変
大きく、これも密着性を低下させる原因になっていると
考えられる。本発明は、係る従来例の課題に鑑みて創作
されたものであり、サーメット等の表面に被覆される気
相合成ダイヤモンド膜の密着性を一層高めることができ
るダイヤモンド被覆工具の製造方法の提供を目的とす
る。
く、しかも成膜温度が７００℃以上と高温であるため、
超硬との熱膨張係数の違いにより発生する熱応力は大変
大きく、これも密着性を低下させる原因になっていると
考えられる。本発明は、係る従来例の課題に鑑みて創作
されたものであり、サーメット等の表面に被覆される気
相合成ダイヤモンド膜の密着性を一層高めることができ
るダイヤモンド被覆工具の製造方法の提供を目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は、金属炭化
物，金属窒化物又はそれらの混合物からなる分散粒子と
金属マトリクスとからなる基体の表面に気相合成法によ
りダイヤモンド膜を被覆するダイヤモンド被覆工具の製
造方法であって、前記分散粒子は粗粒と微粒とからな
り、少なくとも前記基体の表層の金属マトリクス及び前
記微粒の分散粒子を除去して前記基体の表面に凹凸を形
成した後、前記ダイヤモンド膜を形成することで、アン
カー効果により前記ダイヤモンド膜の密着性を高めるこ
とを特徴とするダイヤモンド被覆工具の製造方法によっ
て達成され、第２に、前記基体の表層の金属マトリクス
及び前記微粒の分散粒子を除去する前に前記基体の表面
をブラスト処理し、又は放電加工することを特徴とする
第１の発明に記載のダイヤモンド被覆工具の製造方法に
よって達成され、第３に、前記粗粒の粒径は３〜１０μ
ｍであることを特徴とする第１又は第２の発明に記載の
ダイヤモンド被覆工具の製造方法によって達成され、第
４に、前記微粒の粒径は0.1 〜３μｍであることを特徴
とする第１乃至第３の発明のいずれかに記載のダイヤモ
ンド被覆工具の製造方法によって達成され、第５に、前
記粗粒と前記微粒の混合比率は粗粒が３０〜９０％であ
ることを特徴とする第１乃至第４の発明のいずれかに記
載のダイヤモンド被覆工具の製造方法によって達成さ
れ、第６に、前記金属炭化物は、タングステン，チタ
ン，ニオブ，タンタル又はシリコンの炭化物を主成分と
することを特徴とする第１乃至第５の発明のいずれかに
記載のダイヤモンド被覆工具の製造方法によって達成さ
れ、第７に、前記金属窒化物は、チタン，ニオブ，タン
タル又はシリコンの窒化物を主成分とすることを特徴と
する第１乃至第６の発明のいずれかに記載のダイヤモン
ド被覆工具の製造方法によって達成され、第８に、前記
金属マトリクスは、コバルト又はニッケルを主成分とす
ることを特徴とする第１乃至第７の発明のいずれかに記
載のダイヤモンド被覆工具の製造方法によって達成され
る。
物，金属窒化物又はそれらの混合物からなる分散粒子と
金属マトリクスとからなる基体の表面に気相合成法によ
りダイヤモンド膜を被覆するダイヤモンド被覆工具の製
造方法であって、前記分散粒子は粗粒と微粒とからな
り、少なくとも前記基体の表層の金属マトリクス及び前
記微粒の分散粒子を除去して前記基体の表面に凹凸を形
成した後、前記ダイヤモンド膜を形成することで、アン
カー効果により前記ダイヤモンド膜の密着性を高めるこ
とを特徴とするダイヤモンド被覆工具の製造方法によっ
て達成され、第２に、前記基体の表層の金属マトリクス
及び前記微粒の分散粒子を除去する前に前記基体の表面
をブラスト処理し、又は放電加工することを特徴とする
第１の発明に記載のダイヤモンド被覆工具の製造方法に
よって達成され、第３に、前記粗粒の粒径は３〜１０μ
ｍであることを特徴とする第１又は第２の発明に記載の
ダイヤモンド被覆工具の製造方法によって達成され、第
４に、前記微粒の粒径は0.1 〜３μｍであることを特徴
とする第１乃至第３の発明のいずれかに記載のダイヤモ
ンド被覆工具の製造方法によって達成され、第５に、前
記粗粒と前記微粒の混合比率は粗粒が３０〜９０％であ
ることを特徴とする第１乃至第４の発明のいずれかに記
載のダイヤモンド被覆工具の製造方法によって達成さ
れ、第６に、前記金属炭化物は、タングステン，チタ
ン，ニオブ，タンタル又はシリコンの炭化物を主成分と
することを特徴とする第１乃至第５の発明のいずれかに
記載のダイヤモンド被覆工具の製造方法によって達成さ
れ、第７に、前記金属窒化物は、チタン，ニオブ，タン
タル又はシリコンの窒化物を主成分とすることを特徴と
する第１乃至第６の発明のいずれかに記載のダイヤモン
ド被覆工具の製造方法によって達成され、第８に、前記
金属マトリクスは、コバルト又はニッケルを主成分とす
ることを特徴とする第１乃至第７の発明のいずれかに記
載のダイヤモンド被覆工具の製造方法によって達成され
る。
【００１０】
【作 用】従来例の問題点の調査結果より、高いアンカ
ー効果を得るためには、下地基体表面の凹凸の幅や高さ
をもっと大きく、凹凸の形状を複雑にする必要がある。
更に、ダイヤモンドの熱応力を緩和する必要もある。そ
のためには、下地基体とダイヤモンドとの間の界面の厚
さ方向の広がりを大きくする必要がある。
ー効果を得るためには、下地基体表面の凹凸の幅や高さ
をもっと大きく、凹凸の形状を複雑にする必要がある。
更に、ダイヤモンドの熱応力を緩和する必要もある。そ
のためには、下地基体とダイヤモンドとの間の界面の厚
さ方向の広がりを大きくする必要がある。
【００１１】即ち、表面の凹凸の高さを大きくすること
で、アンカー効果を高め、かつ熱応力を緩和して、密着
性を高めることができる。本発明のダイヤモンド被覆工
具の製造方法においては、金属マトリクスに加える分散
粒子として粗粒の分散粒子と微粒の分散粒子を組み合わ
せたものを用いている。
で、アンカー効果を高め、かつ熱応力を緩和して、密着
性を高めることができる。本発明のダイヤモンド被覆工
具の製造方法においては、金属マトリクスに加える分散
粒子として粗粒の分散粒子と微粒の分散粒子を組み合わ
せたものを用いている。
【００１２】従って、金属マトリクスが少量でも、金属
マトリクスが除去されると、微粒の分散粒子が優先的に
脱落して粗粒の分散粒子が残るようになるため、幅が広
く、かつ高さの高い凹凸形状が基体の表面で得られる。
このため、ダイヤモンド膜で基体を被覆した場合、アン
カー効果が十分に発揮され、ダイヤモンド膜の密着性が
高まる。なお、更に大きい凹凸を得るために、場合によ
り粗粒が除去される程のエッチング等の表面加工を行っ
てもよい。
マトリクスが除去されると、微粒の分散粒子が優先的に
脱落して粗粒の分散粒子が残るようになるため、幅が広
く、かつ高さの高い凹凸形状が基体の表面で得られる。
このため、ダイヤモンド膜で基体を被覆した場合、アン
カー効果が十分に発揮され、ダイヤモンド膜の密着性が
高まる。なお、更に大きい凹凸を得るために、場合によ
り粗粒が除去される程のエッチング等の表面加工を行っ
てもよい。
【００１３】組み合わせにもよるが、粗粒の大きさは３
〜１０μｍ、微粒の大きさは0.1 〜３μｍが好ましい。
なお、粗粒の大きさは３μｍ以下では十分な凹凸が形成
されず、１０μｍ以上では凹凸が大きすぎる。また、微
粒の大きさは0.1 μｍ以下では製造が難しく、３μｍ以
上では良好な凹凸の形状が得られない。また、微粒に対
する粗粒の体積比率は３０％以上、９０％以下が好まし
い。粗粒が３０％以下では凸が少なく、９０％以上では
凹が少なく、ともに有効なアンカー効果が得られない。
〜１０μｍ、微粒の大きさは0.1 〜３μｍが好ましい。
なお、粗粒の大きさは３μｍ以下では十分な凹凸が形成
されず、１０μｍ以上では凹凸が大きすぎる。また、微
粒の大きさは0.1 μｍ以下では製造が難しく、３μｍ以
上では良好な凹凸の形状が得られない。また、微粒に対
する粗粒の体積比率は３０％以上、９０％以下が好まし
い。粗粒が３０％以下では凸が少なく、９０％以上では
凹が少なく、ともに有効なアンカー効果が得られない。
【００１４】更に、主な表面加工の前に、ブラスト処
理、又は放電加工等を行い、予め下地基体の表面に凹凸
を形成してもよい。これにより、主な表面加工後の基体
表面の凹凸を更に大きくすることができ、更に有効なア
ンカー効果が得られる。また、本発明に適用できるサー
メットとして、代表的なものに超硬（ＷＣ−Ｃｏ系）が
あるが、他の種類のサーメットにも同様に本発明を適用
することができる。他の種類のサーメットの分散粒子と
してタングステン，チタン，ニオブ，タンタル又はシリ
コンの金属炭化物や金属窒化物があり、また、金属マト
リクスとしてコバルトの他にニッケルがある。
理、又は放電加工等を行い、予め下地基体の表面に凹凸
を形成してもよい。これにより、主な表面加工後の基体
表面の凹凸を更に大きくすることができ、更に有効なア
ンカー効果が得られる。また、本発明に適用できるサー
メットとして、代表的なものに超硬（ＷＣ−Ｃｏ系）が
あるが、他の種類のサーメットにも同様に本発明を適用
することができる。他の種類のサーメットの分散粒子と
してタングステン，チタン，ニオブ，タンタル又はシリ
コンの金属炭化物や金属窒化物があり、また、金属マト
リクスとしてコバルトの他にニッケルがある。
【００１５】
【実施例】次に、図面を参照しながら、本発明の実施例
について説明する。 （１）第１の実施例 図１（ａ），（ｂ），図２（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１の実施例に係るダイヤモンド被覆工具の製造方法に
ついて説明する断面図である。外形１０×１０×２ｍｍ
のバイトチップの基体１１の表面を加工して、ダイヤモ
ンド膜を被覆する場合について説明する。そのバイトチ
ップの基体１１として、図１（ａ）に示すような超硬が
用いられ、金属マトリクス１２は含有量５Ｗｔ％のＣｏ
からなり、かつ分散粒子として平均粒径５μｍのＷＣ粗
粒（粗粒の分散粒子）１３と0.5μｍのＷＣ微粒（微粒
の分散粒子）１４が重量比７０：３０の割合でＣｏマト
リクス１２に混合されている。
について説明する。 （１）第１の実施例 図１（ａ），（ｂ），図２（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１の実施例に係るダイヤモンド被覆工具の製造方法に
ついて説明する断面図である。外形１０×１０×２ｍｍ
のバイトチップの基体１１の表面を加工して、ダイヤモ
ンド膜を被覆する場合について説明する。そのバイトチ
ップの基体１１として、図１（ａ）に示すような超硬が
用いられ、金属マトリクス１２は含有量５Ｗｔ％のＣｏ
からなり、かつ分散粒子として平均粒径５μｍのＷＣ粗
粒（粗粒の分散粒子）１３と0.5μｍのＷＣ微粒（微粒
の分散粒子）１４が重量比７０：３０の割合でＣｏマト
リクス１２に混合されている。
【００１６】まず、図１（ｂ）に示すように、１００メ
ッシュのアルミナ粒子を用いてバイトチップの基体１１
全体をブラスト処理する。これにより、Ｃｏマトリクス
１２やＷＣ微粒１４等が除去されてバイトチップの基体
１１の表面に凹凸が形成される。次に、図２（ａ）に示
すように、５％の硝酸水溶液をエッチング液として、基
体１１の表層を深さ約３μｍ程エッチングする。これに
より、Ｃｏマトリクス１２やＷＣ微粒１４が除去される
とともに、ＷＣ粗粒１３が残り、一層大きな凹凸が形成
される。その後、純水で十分に超音波洗浄した後、乾燥
した。なお、エッチングで脱落したＷＣ粒子が基体１１
表面に付着し、残らないように、エッチング後の洗浄を
注意深く行う必要がある。
ッシュのアルミナ粒子を用いてバイトチップの基体１１
全体をブラスト処理する。これにより、Ｃｏマトリクス
１２やＷＣ微粒１４等が除去されてバイトチップの基体
１１の表面に凹凸が形成される。次に、図２（ａ）に示
すように、５％の硝酸水溶液をエッチング液として、基
体１１の表層を深さ約３μｍ程エッチングする。これに
より、Ｃｏマトリクス１２やＷＣ微粒１４が除去される
とともに、ＷＣ粗粒１３が残り、一層大きな凹凸が形成
される。その後、純水で十分に超音波洗浄した後、乾燥
した。なお、エッチングで脱落したＷＣ粒子が基体１１
表面に付着し、残らないように、エッチング後の洗浄を
注意深く行う必要がある。
【００１７】次いで、アルミナ製の容器に平均粒径２μ
ｍのダイヤモンド粉末を入れ、その中にバイトチップを
入れ、その上にアルミナ製の重しを載せた後、超音波振
動機にかけ、基体１１表面に付着している微粒等を除去
するとともに、ダイヤモンドの核発生サイトとなる微細
な傷をつける。次に、図２（ｂ）に示すように、このバ
イトチップをＤＣプラズマジェットＣＶＤ装置（特開昭
６４−０２８２９７）にセットし、バイトチップを温度
９００℃以上に保持した状態で、Ｈ2 ＋ＣＨ4 の混合ガ
スを用いたＣＶＤ法により表面に厚さ５０μｍのダイヤ
モンド膜１５を形成する。成膜条件は水素流量５０ｌ／
ｍｉｎ，メタン濃度５％，圧力５０Torr，放電電力１０
ｋＷである。
ｍのダイヤモンド粉末を入れ、その中にバイトチップを
入れ、その上にアルミナ製の重しを載せた後、超音波振
動機にかけ、基体１１表面に付着している微粒等を除去
するとともに、ダイヤモンドの核発生サイトとなる微細
な傷をつける。次に、図２（ｂ）に示すように、このバ
イトチップをＤＣプラズマジェットＣＶＤ装置（特開昭
６４−０２８２９７）にセットし、バイトチップを温度
９００℃以上に保持した状態で、Ｈ2 ＋ＣＨ4 の混合ガ
スを用いたＣＶＤ法により表面に厚さ５０μｍのダイヤ
モンド膜１５を形成する。成膜条件は水素流量５０ｌ／
ｍｉｎ，メタン濃度５％，圧力５０Torr，放電電力１０
ｋＷである。
【００１８】これにより、ダイヤモンド被覆が完了す
る。次いで、ダイヤモンド被覆されたバイトチップを用
いて切削試験を行った。被削材としてＡｌ−１２％Ｓｉ
合金（ＡＣ８Ａ−７６）を用い、切削速度1000m/min ，
送り0.2mm/rev ，切込み0.25mmの切削条件により、外周
長手連続旋削を行った。その結果，１万ｍの切削でも逃
げ面磨耗幅は数μｍ程度であった。なお、逃げ面とは被
削材に接触する面のことをいう。 （２）第２の実施例 次に、本発明の第２の実施例に係るダイヤモンド被覆工
具の製造方法について説明する。第１の実施例と同じ組
成の超硬を基体とするバイトチップを用いた。第１の実
施例と異なるところは、基体をブラスト処理していない
ことである。
る。次いで、ダイヤモンド被覆されたバイトチップを用
いて切削試験を行った。被削材としてＡｌ−１２％Ｓｉ
合金（ＡＣ８Ａ−７６）を用い、切削速度1000m/min ，
送り0.2mm/rev ，切込み0.25mmの切削条件により、外周
長手連続旋削を行った。その結果，１万ｍの切削でも逃
げ面磨耗幅は数μｍ程度であった。なお、逃げ面とは被
削材に接触する面のことをいう。 （２）第２の実施例 次に、本発明の第２の実施例に係るダイヤモンド被覆工
具の製造方法について説明する。第１の実施例と同じ組
成の超硬を基体とするバイトチップを用いた。第１の実
施例と異なるところは、基体をブラスト処理していない
ことである。
【００１９】まず、５％硝酸水溶液をエッチング液とし
て、基体の表層を深さ約１０μｍ程エッチングした。そ
の後、純水で十分に超音波洗浄し、乾燥させた。次い
で、アルミナ製の容器に平均粒径２μｍのダイヤモンド
粉末を入れ、更にその中に基体を入れ、更にその上にア
ルミナ製の重しを載せた後、超音波振動機にかける。
て、基体の表層を深さ約１０μｍ程エッチングした。そ
の後、純水で十分に超音波洗浄し、乾燥させた。次い
で、アルミナ製の容器に平均粒径２μｍのダイヤモンド
粉末を入れ、更にその中に基体を入れ、更にその上にア
ルミナ製の重しを載せた後、超音波振動機にかける。
【００２０】次に、このチップをＤＣプラズマジェット
ＣＶＤ装置に入れ、第１の実施例と同じ条件で基体の超
硬の表面に厚さ５０μｍのダイヤモンド膜を形成する。
次いで、ダイヤモンド被覆されたバイトチップを用いて
第１の実施例と同様な条件及び方法で切削試験を行っ
た。その結果、１万ｍの切削でも逃げ面磨耗幅は数μｍ
程度であり、ブラスト処理していないにもかかわらず、
第１の実施例と同様な良好な結果が得られた。 （３）第３の実施例 次に、本発明の第３の実施例に係るダイヤモンド被覆工
具の製造方法について説明する。第１の実施例と同じ寸
法のバイトチップの基体の表面を加工し、ダイヤモンド
膜を被覆する場合について説明する。バイトチップの基
体として超硬が用いられ、金属マトリクスは含有量５Ｗ
ｔ％のＮｉからなり、かつ分散粒子として平均粒径６μ
ｍのＴｉＣ粗粒と１μｍのＴｉＣ微粒が重量比７０：３
０でマトリクスに混合されている。第１の実施例と異な
るところは、金属マトリクスとしてＮｉを用い、かつ分
散粒子として平均粒径６μｍのＴｉＣ粗粒と１μｍのＴ
ｉＣ微粒を用いていることである。
ＣＶＤ装置に入れ、第１の実施例と同じ条件で基体の超
硬の表面に厚さ５０μｍのダイヤモンド膜を形成する。
次いで、ダイヤモンド被覆されたバイトチップを用いて
第１の実施例と同様な条件及び方法で切削試験を行っ
た。その結果、１万ｍの切削でも逃げ面磨耗幅は数μｍ
程度であり、ブラスト処理していないにもかかわらず、
第１の実施例と同様な良好な結果が得られた。 （３）第３の実施例 次に、本発明の第３の実施例に係るダイヤモンド被覆工
具の製造方法について説明する。第１の実施例と同じ寸
法のバイトチップの基体の表面を加工し、ダイヤモンド
膜を被覆する場合について説明する。バイトチップの基
体として超硬が用いられ、金属マトリクスは含有量５Ｗ
ｔ％のＮｉからなり、かつ分散粒子として平均粒径６μ
ｍのＴｉＣ粗粒と１μｍのＴｉＣ微粒が重量比７０：３
０でマトリクスに混合されている。第１の実施例と異な
るところは、金属マトリクスとしてＮｉを用い、かつ分
散粒子として平均粒径６μｍのＴｉＣ粗粒と１μｍのＴ
ｉＣ微粒を用いていることである。
【００２１】まず、１００メッシュのアルミナ粒子を用
いて基体全体をブラスト処理する。次に、５％硝酸水溶
液をエッチング液として、基体の超硬の表層を深さ約４
μｍ程エッチングする。その後、純水で十分に超音波洗
浄した後、乾燥する。次いで、アルミナ製の容器に平均
粒径２μｍのダイヤモンド粉末を入れ、その中に基体を
入れ、その上にアルミナ製の重しを載せた後、超音波振
動機にかける。
いて基体全体をブラスト処理する。次に、５％硝酸水溶
液をエッチング液として、基体の超硬の表層を深さ約４
μｍ程エッチングする。その後、純水で十分に超音波洗
浄した後、乾燥する。次いで、アルミナ製の容器に平均
粒径２μｍのダイヤモンド粉末を入れ、その中に基体を
入れ、その上にアルミナ製の重しを載せた後、超音波振
動機にかける。
【００２２】次に、この基体をＤＣプラズマジェットＣ
ＶＤ装置に入れ、第１の実施例と同様な条件で、基体の
表面に厚さ５０μｍのダイヤモンド膜を形成した。次い
で、ダイヤモンドの被覆されたバイトチップを用いて第
１の実施例と同様な条件及び方法により切削試験を行っ
た。その結果，１万ｍの切削でも逃げ面磨耗幅は数μｍ
程度であり、第１の実施例と同様な結果が得られた。 （第１の比較例）次に、本発明の上記実施例に対する第
１の比較例に係るダイヤモンド被覆工具の製造方法につ
いて説明する。外形１０×１０×２ｍｍのバイトチップ
の基体の表面を加工し、ダイヤモンド膜を被覆する場合
について説明する。そのバイトチップの基体として超硬
が用いられ、金属マトリクスは含有量９Ｗｔ％のＣｏか
らなり、かつ分散粒子として平均粒径２μｍのＷＣ粒子
が金属マトリクスに混合されている。第１〜第３の実施
例と異なるところは、平均粒径２μｍのＷＣ粒子からな
る一種類の分散粒子を用いていることである。
ＶＤ装置に入れ、第１の実施例と同様な条件で、基体の
表面に厚さ５０μｍのダイヤモンド膜を形成した。次い
で、ダイヤモンドの被覆されたバイトチップを用いて第
１の実施例と同様な条件及び方法により切削試験を行っ
た。その結果，１万ｍの切削でも逃げ面磨耗幅は数μｍ
程度であり、第１の実施例と同様な結果が得られた。 （第１の比較例）次に、本発明の上記実施例に対する第
１の比較例に係るダイヤモンド被覆工具の製造方法につ
いて説明する。外形１０×１０×２ｍｍのバイトチップ
の基体の表面を加工し、ダイヤモンド膜を被覆する場合
について説明する。そのバイトチップの基体として超硬
が用いられ、金属マトリクスは含有量９Ｗｔ％のＣｏか
らなり、かつ分散粒子として平均粒径２μｍのＷＣ粒子
が金属マトリクスに混合されている。第１〜第３の実施
例と異なるところは、平均粒径２μｍのＷＣ粒子からな
る一種類の分散粒子を用いていることである。
【００２３】まず、５％硝酸水溶液をエッチング液とし
て、深さ約１μｍ程エッチングする。その後、純水で十
分に超音波洗浄した後、乾燥する。次いで、アルミナ製
の容器に平均粒径２μｍのダイヤモンド粉末を入れ、そ
の中に基体をいれ、その上にアルミナ製の重しを載せた
後、超音波振動機にかける。
て、深さ約１μｍ程エッチングする。その後、純水で十
分に超音波洗浄した後、乾燥する。次いで、アルミナ製
の容器に平均粒径２μｍのダイヤモンド粉末を入れ、そ
の中に基体をいれ、その上にアルミナ製の重しを載せた
後、超音波振動機にかける。
【００２４】次に、この基体をＤＣプラズマジェットＣ
ＶＤ装置に入れ、第１の実施例と同様な条件及び方法で
基体の表面に厚さ５０μｍのダイヤモンド膜を形成す
る。次いで、ダイヤモンド被覆されたバイトチップを用
いて第１の実施例と同様な条件及び方法で切削試験を行
った。その結果，1000ｍの切削でダイヤモンド膜の剥離
が生じた。上記実施例と比較して、切削可能距離が１／
１０に減った。
ＶＤ装置に入れ、第１の実施例と同様な条件及び方法で
基体の表面に厚さ５０μｍのダイヤモンド膜を形成す
る。次いで、ダイヤモンド被覆されたバイトチップを用
いて第１の実施例と同様な条件及び方法で切削試験を行
った。その結果，1000ｍの切削でダイヤモンド膜の剥離
が生じた。上記実施例と比較して、切削可能距離が１／
１０に減った。
【００２５】また、上記と同様に切削試験を行ったダイ
ヤモンド被覆のない超硬チップでは1000ｍの切削で逃げ
面磨耗幅は２００μｍに達したが、焼結ダイヤモンドで
は１万ｍの切削でも逃げ面磨耗幅は数十μｍであった。 （４）第４の実施例 次に、本発明の第４の実施例に係るダイヤモンド被覆工
具の製造方法について説明する。直径５ｍｍのドリルの
基体の表面を加工し、ダイヤモンド膜を被覆する場合に
ついて説明する。ドリルの基体は超硬からなり、金属マ
トリクスは含有量５Ｗｔ％のＣｏからなり、かつ平均粒
径５μｍのＴｉＣ粗粒と0.5 μｍのＴｉＣ微粒が重量比
７０：３０の割合で金属マトリクスに混合されている。
ヤモンド被覆のない超硬チップでは1000ｍの切削で逃げ
面磨耗幅は２００μｍに達したが、焼結ダイヤモンドで
は１万ｍの切削でも逃げ面磨耗幅は数十μｍであった。 （４）第４の実施例 次に、本発明の第４の実施例に係るダイヤモンド被覆工
具の製造方法について説明する。直径５ｍｍのドリルの
基体の表面を加工し、ダイヤモンド膜を被覆する場合に
ついて説明する。ドリルの基体は超硬からなり、金属マ
トリクスは含有量５Ｗｔ％のＣｏからなり、かつ平均粒
径５μｍのＴｉＣ粗粒と0.5 μｍのＴｉＣ微粒が重量比
７０：３０の割合で金属マトリクスに混合されている。
【００２６】まず、１００メッシュのアルミナ粒子を用
いてドリルの基体全体をブラスト処理した。次に、５％
硝酸水溶液をエッチング液として、基体の超硬の表層を
深さ約３μｍ程エッチングした。その後、純水で十分に
超音波洗浄した後、乾燥する。次いで、アルミナ製の容
器に平均粒径２μｍのダイヤモンド粉末を入れ、その中
に基体をいれ、その上にアルミナ製の重しを載せた後、
超音波振動機にかける。
いてドリルの基体全体をブラスト処理した。次に、５％
硝酸水溶液をエッチング液として、基体の超硬の表層を
深さ約３μｍ程エッチングした。その後、純水で十分に
超音波洗浄した後、乾燥する。次いで、アルミナ製の容
器に平均粒径２μｍのダイヤモンド粉末を入れ、その中
に基体をいれ、その上にアルミナ製の重しを載せた後、
超音波振動機にかける。
【００２７】次に、この基体をＤＣプラズマジェットＣ
ＶＤ装置に入れ、第１の実施例の条件及び方法で基体の
表面に厚さ３０μｍのダイヤモンド膜を形成する。次い
で、ダイヤモンド被覆されたドリルを用いて削孔試験を
行った。被削材として厚さ１０ｍｍの板状の炭素繊維強
化プラスチック（ＣＦＲＰ）を用い、回転数3000rpm ，
送り２００ｍｍ／ｍｉｎの切削条件で孔開け加工を行っ
た。その結果，1000孔の加工後も逃げ面磨耗幅は数μｍ
程度であり、良好な結果が得られた。
ＶＤ装置に入れ、第１の実施例の条件及び方法で基体の
表面に厚さ３０μｍのダイヤモンド膜を形成する。次い
で、ダイヤモンド被覆されたドリルを用いて削孔試験を
行った。被削材として厚さ１０ｍｍの板状の炭素繊維強
化プラスチック（ＣＦＲＰ）を用い、回転数3000rpm ，
送り２００ｍｍ／ｍｉｎの切削条件で孔開け加工を行っ
た。その結果，1000孔の加工後も逃げ面磨耗幅は数μｍ
程度であり、良好な結果が得られた。
【００２８】（第２の比較例）次に、本発明の第４の実
施例に対する第２の比較例に係るダイヤモンド被覆工具
の製造方法について説明する。基体の金属マトリクスは
含有量９Ｗｔ％のＣｏからなり、分散粒子として平均粒
径２μｍのＷＣ粒子が混合された超硬で製作された直径
５ｍｍのドリルを用いた。第４の実施例と異なるところ
は、Ｃｏマトリクスの含有量を多くし、かつ平均粒径２
μｍのＷＣ粒子からなる一種類の分散粒子を用いている
ことである。
施例に対する第２の比較例に係るダイヤモンド被覆工具
の製造方法について説明する。基体の金属マトリクスは
含有量９Ｗｔ％のＣｏからなり、分散粒子として平均粒
径２μｍのＷＣ粒子が混合された超硬で製作された直径
５ｍｍのドリルを用いた。第４の実施例と異なるところ
は、Ｃｏマトリクスの含有量を多くし、かつ平均粒径２
μｍのＷＣ粒子からなる一種類の分散粒子を用いている
ことである。
【００２９】まず、５％硝酸水溶液をエッチング液とし
て、基体の超硬の表層を深さ約１μｍ程エッチングす
る。続いて、純水で十分に超音波洗浄した後、乾燥す
る。次いで、アルミナ製の容器に平均粒径２μｍのダイ
ヤモンド粉末を入れ、その中に基体をいれ、その上にア
ルミナ製の重しを載せた後、超音波振動機にかける。
て、基体の超硬の表層を深さ約１μｍ程エッチングす
る。続いて、純水で十分に超音波洗浄した後、乾燥す
る。次いで、アルミナ製の容器に平均粒径２μｍのダイ
ヤモンド粉末を入れ、その中に基体をいれ、その上にア
ルミナ製の重しを載せた後、超音波振動機にかける。
【００３０】次に、この基体をＤＣプラズマジェットＣ
ＶＤ装置に入れ、第１の実施例と同じ条件及び方法で、
超硬の表面に厚さ５０μｍのダイヤモンド膜を形成す
る。次いで、ダイヤモンドの被覆されたドリルを用いて
第４の実施例と同様な条件及び方法で削孔試験を行っ
た。その結果，１０孔の加工でダイヤモンド膜の剥離が
生じた。第４の実施例と比較して可能な孔開け回数が１
／１００に低減した。
ＶＤ装置に入れ、第１の実施例と同じ条件及び方法で、
超硬の表面に厚さ５０μｍのダイヤモンド膜を形成す
る。次いで、ダイヤモンドの被覆されたドリルを用いて
第４の実施例と同様な条件及び方法で削孔試験を行っ
た。その結果，１０孔の加工でダイヤモンド膜の剥離が
生じた。第４の実施例と比較して可能な孔開け回数が１
／１００に低減した。
【００３１】また、上記と同様に切削試験を行ったダイ
ヤモンド被覆のない超硬チップでは１０孔の切削で逃げ
面磨耗幅は数百μｍに達していた。以上説明したよう
に、本発明のダイヤモンド被覆工具の製造方法によれ
ば、従来法に比較してダイヤモンド膜の密着強度を大幅
に改善できる。従って、従来のダイヤモンド被覆工具に
比べて寿命を長くすることができる。これにより、ドリ
ルやエンドミルなど、高い密着性が要求される工具にも
ダイヤモンド被覆を適用できる。
ヤモンド被覆のない超硬チップでは１０孔の切削で逃げ
面磨耗幅は数百μｍに達していた。以上説明したよう
に、本発明のダイヤモンド被覆工具の製造方法によれ
ば、従来法に比較してダイヤモンド膜の密着強度を大幅
に改善できる。従って、従来のダイヤモンド被覆工具に
比べて寿命を長くすることができる。これにより、ドリ
ルやエンドミルなど、高い密着性が要求される工具にも
ダイヤモンド被覆を適用できる。
【００３２】なお、組み合わせにもよるが、粗粒の大き
さは３〜１０μｍ、微粒の大きさは0.1 〜３μｍが好ま
しい。粗粒の大きさは３μｍ以下では十分な凹凸が形成
されず、１０μｍ以上では凹凸が大きすぎるためであ
り、また、微粒の大きさは0.1μｍ以下では製造が難し
く、３μｍ以上では良好な凹凸の形状が得られないため
である。
さは３〜１０μｍ、微粒の大きさは0.1 〜３μｍが好ま
しい。粗粒の大きさは３μｍ以下では十分な凹凸が形成
されず、１０μｍ以上では凹凸が大きすぎるためであ
り、また、微粒の大きさは0.1μｍ以下では製造が難し
く、３μｍ以上では良好な凹凸の形状が得られないため
である。
【００３３】また、実施例では、微粒に対する粗粒の体
積比率を７０％としているが、微粒に対する粗粒の体積
比率は３０％以上、９０％以下が好ましい。粗粒が３０
％以下では凸が少なく、９０％以上では凹が少なく、と
もに有効なアンカー効果が得られないためである。更
に、エッチング前に、ブラスト処理しているが、放電加
工等を行ってもよいこれにより、ブラスト処理した場合
と同様に、エッチングだけの場合よりも更に有効なアン
カー効果が発揮される。
積比率を７０％としているが、微粒に対する粗粒の体積
比率は３０％以上、９０％以下が好ましい。粗粒が３０
％以下では凸が少なく、９０％以上では凹が少なく、と
もに有効なアンカー効果が得られないためである。更
に、エッチング前に、ブラスト処理しているが、放電加
工等を行ってもよいこれにより、ブラスト処理した場合
と同様に、エッチングだけの場合よりも更に有効なアン
カー効果が発揮される。
【００３４】また、サーメットとして、ＷＣ−Ｃｏ系の
超硬を用いているが、他の種類のサーメットにも同様に
本発明を適用することができる。他の種類のサーメット
の分散粒子としてチタン，ニオブ，タンタル又はシリコ
ンの金属炭化物や金属窒化物を用いてもよい。
超硬を用いているが、他の種類のサーメットにも同様に
本発明を適用することができる。他の種類のサーメット
の分散粒子としてチタン，ニオブ，タンタル又はシリコ
ンの金属炭化物や金属窒化物を用いてもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のダイヤモ
ンド被覆工具の製造方法によれば、粗粒と微粒の混合し
たものを分散粒子として用いているので、エッチング等
により基体の表面に一層大きな凹凸を形成することがで
きる。これにより、基体の表面に形成されたダイヤモン
ド膜の大幅な密着強度の改善を図ることができる。この
ため、従来のダイヤモンド被覆工具に比べて寿命を長く
でき、ドリルやエンドミルなど、高い密着性が要求され
る工具にもダイヤモンド被覆を適用できる。
ンド被覆工具の製造方法によれば、粗粒と微粒の混合し
たものを分散粒子として用いているので、エッチング等
により基体の表面に一層大きな凹凸を形成することがで
きる。これにより、基体の表面に形成されたダイヤモン
ド膜の大幅な密着強度の改善を図ることができる。この
ため、従来のダイヤモンド被覆工具に比べて寿命を長く
でき、ドリルやエンドミルなど、高い密着性が要求され
る工具にもダイヤモンド被覆を適用できる。
【図１】本発明の実施例に係るダイヤモンド被覆工具の
製造方法について示す断面図（その１）である。
製造方法について示す断面図（その１）である。
【図２】本発明の実施例に係るダイヤモンド被覆工具の
製造方法について示す断面図（その２）である。
製造方法について示す断面図（その２）である。
【図３】従来例に係るダイヤモンド被覆工具の製造方法
について示す断面図である。
について示す断面図である。
１１ 基体、 １２ Ｃｏマトリクス（金属マトリクス）、 １３ ＷＣ粗粒（粗粒の分散粒子）、 １４ ＷＣ微粒（微粒の分散粒子）、 １５ ダイヤモンド膜。
フロントページの続き (72)発明者 明石 忍 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 金属炭化物，金属窒化物又はそれらの混
合物からなる分散粒子と金属マトリクスとからなる基体
の表面に気相合成法によりダイヤモンド膜を被覆するダ
イヤモンド被覆工具の製造方法であって、 前記分散粒子は粗粒と微粒とからなり、少なくとも前記
基体の表層の金属マトリクス及び前記微粒の分散粒子を
除去して前記基体の表面に凹凸を形成した後、前記ダイ
ヤモンド膜を形成することで、アンカー効果により前記
ダイヤモンド膜の密着性を高めることを特徴とするダイ
ヤモンド被覆工具の製造方法。 - 【請求項２】 前記基体の表層の金属マトリクス及び前
記微粒の分散粒子を除去する前に前記基体の表面をブラ
スト処理し、又は放電加工することを特徴とする請求項
１記載のダイヤモンド被覆工具の製造方法。 - 【請求項３】 前記粗粒の粒径は３〜１０μｍであるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２記載のダイヤモン
ド被覆工具の製造方法。 - 【請求項４】 前記微粒の粒径は0.1 〜３μｍであるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
のダイヤモンド被覆工具の製造方法。 - 【請求項５】 前記粗粒と前記微粒の混合比率は粗粒が
３０〜９０％であることを特徴とする請求項１乃至請求
項４のいずれかに記載のダイヤモンド被覆工具の製造方
法。 - 【請求項６】 前記金属炭化物は、タングステン，チタ
ン，ニオブ，タンタル又はシリコンの炭化物を主成分と
することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか
に記載のダイヤモンド被覆工具の製造方法。 - 【請求項７】 前記金属窒化物は、チタン，ニオブ，タ
ンタル又はシリコンの窒化物を主成分とすることを特徴
とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のダイヤ
モンド被覆工具の製造方法。 - 【請求項８】 前記金属マトリクスは、コバルト又はニ
ッケルを主成分とすることを特徴とする請求項１乃至請
求項７のいずれかに記載のダイヤモンド被覆工具の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21966193A JPH0768425A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | ダイヤモンド被覆工具の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21966193A JPH0768425A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | ダイヤモンド被覆工具の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0768425A true JPH0768425A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=16739001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21966193A Withdrawn JPH0768425A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | ダイヤモンド被覆工具の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0768425A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002100612A3 (en) * | 2001-06-08 | 2003-02-20 | Fundacao De Amparo A Pesquisa | Ultrasonic cutting tool coated by diamond cvd |
| JP2006500235A (ja) * | 2002-09-27 | 2006-01-05 | コムコン・アーゲー | 被覆法および被覆された部材 |
| JP2011105585A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-06-02 | Tomei Diamond Co Ltd | Ｃｖｄダイヤモンド析出用基体及び析出面の形成方法 |
| JP5716861B1 (ja) * | 2013-11-29 | 2015-05-13 | 三菱マテリアル株式会社 | ダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具及びその製造方法 |
| JP2016087726A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具 |
| WO2018014054A1 (de) * | 2016-07-18 | 2018-01-25 | Ceratizit Austria Gesellschaft M.B.H. | Verfahren zum herstellen eines hartmetallprodukts und hartmetallprodukt |
| CN111850335A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-10-30 | 深圳市海明润超硬材料股份有限公司 | 一种易脱钴金刚石复合片及其制备方法 |
-
1993
- 1993-09-03 JP JP21966193A patent/JPH0768425A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002100612A3 (en) * | 2001-06-08 | 2003-02-20 | Fundacao De Amparo A Pesquisa | Ultrasonic cutting tool coated by diamond cvd |
| CN100343029C (zh) * | 2001-06-08 | 2007-10-17 | 圣保罗国情研究援助基金会 | 涂有金刚石cvd的超声切削工具 |
| US7700195B2 (en) | 2001-06-08 | 2010-04-20 | Fundacao De Amparo A Pesquisa Do Estado De Sao Paulo | Cutting tool and process for the formation thereof |
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| JP2011105585A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-06-02 | Tomei Diamond Co Ltd | Ｃｖｄダイヤモンド析出用基体及び析出面の形成方法 |
| WO2015080237A1 (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-04 | 三菱マテリアル株式会社 | ダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具及びその製造方法 |
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| CN105764637A (zh) * | 2013-11-29 | 2016-07-13 | 三菱综合材料株式会社 | 金刚石包覆硬质合金制切削工具及其制造方法 |
| US10086438B2 (en) | 2013-11-29 | 2018-10-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Cutting tool made of diamond-coated cemented carbide and method for producing the same |
| JP2016087726A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具 |
| WO2018014054A1 (de) * | 2016-07-18 | 2018-01-25 | Ceratizit Austria Gesellschaft M.B.H. | Verfahren zum herstellen eines hartmetallprodukts und hartmetallprodukt |
| CN111850335A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-10-30 | 深圳市海明润超硬材料股份有限公司 | 一种易脱钴金刚石复合片及其制备方法 |
| CN111850335B (zh) * | 2020-07-27 | 2022-04-29 | 深圳市海明润超硬材料股份有限公司 | 一种易脱钴金刚石复合片及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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