WO2004075293A1

WO2004075293A1 - 半導体用接着フィルム、これを用いた接着フィルム付金属板、接着フィルム付配線回路及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法

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Publication number: WO2004075293A1
Application number: PCT/JP2004/001866
Authority: WO
Inventors: Hidekazu Matsuura; Toshiyasu Kawai
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2003-02-19
Filing date: 2004-02-19
Publication date: 2004-09-02
Anticipated expiration: 2005-08-19
Also published as: US7449367B2; JPWO2004075293A1; US20060043607A1; US20090053498A1; TW200423316A; CN1698200A

Abstract

本発明の半導体接着フィルムは、金属板の片面に半導体用接着フィルムを貼付けた後、金属板を加工して配線回路とし、半導体素子を搭載、封止した後剥離する方法に使用される半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの片面又は両面に樹脂層Ａが形成されており、半導体用接着フィルムに接着した金属板を加工して配線回路とする前の樹脂層Ａと金属板との２５℃における９０度ピール強度が２０Ｎ／ｍ以上であり、かつ、半導体用接着フィルムに接着した配線回路を封止材で封止した後の樹脂層Ａと配線回路及び封止材との０～２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である。

Description

半導体用接着フィルム、これを用いた接着フィルム付金属板、接着フィルム付配線回路及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法技術分野

本発明は、配線回路及び封止樹脂明から簡便に引き剥がせるため、半導体パッケージを高い作業性で製造できる半導体田用接着フィルム、この半導体用接着フィルムを用いた接着フィルム付金属板、接着フィルム付配線回路及ぴ半導体装置並びに半導体装置の製造方法に関する。背景技術

近年、半導体パッケージの小型 ·薄型化を図るため、リードフレームの片面 (半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードを外部接続用に用いる構造パッケージが開発されてきた。この構造のパッケージはリードが封止樹脂から突出していないので、小面積化及び薄型化が図れる利点がある。例えば、リードフレームの片面に接着テープを貼った後、リードフレームの反対面にチップを瘩載し、ワイヤポンド、封止後、接着テープを剥がす方法が提案されている（例えば特開平 1 0— 1 2 7 7 3号公報（請求項 4 ) ，特開 2 0 0 0 - 2 9 4 5 8 0号公報（請求項 1 ) 参照。）。しかし、リードフレームを用いる場合、リードフレーム.の厚さ、材質に制限があり、半導体パヅケージの高さがまだ高い、微細な配線を形成できない等の問題がある。

一方、上記と類似の半導体パッケージを製造する別の方法として、仮の支持基板に金属層を形成し、回路形成、チップ搭載、ワイヤポンド、封止後、仮の支持基板を剥がす方式が考案されているが、封止時に樹脂が配線回路と支持基板間に回り込むのを防いだり、支持基板を剥離した後に配線回路に糊残りを起こさないようにするためには仮の支持基板としてどのような特性が必要なのかが明らかでない（例えば特開平 1 1— 1 2 1 6 4 6号公報（請求項 4， 5、 [0 013] [0018] ) 参照。）。発明の開示

本発明は、金属板に対して十分な接着力を有し、樹脂封止後に簡易に剥離可能であり、かつ半導体用途に必要とされる諸特性を兼ね備える半導体用接着フイルム、これを用いた接着フィルム付金属板、接着フィルム付配線回路及び半導体装置を'提供することを目的とする。

また、本発明は、高密度化、小面積化及び薄型化した半導体装置を優れた生産性で製造することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

即ち、本発明は、金属板の片面に半導体用接着フィルムを貼付けた後、金属板を加工して配線回路とし、半導体素子を搭載、封止した後剥離する方法に使用される半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの片面又は両に樹脂層 Aが形成されており、半導体用接着フィルムに接着した金属板を加工して配線回路とする前の樹脂層 Aと金属板との 2 5 °Cにおける 9 0度ピール強度が 2 O NZm以上であり、かつ、半導体用接着フィルムに接着した配線回路を封止材で封止した後の樹脂層 Aと配線回路及び封止材との 0 ~ 2 5 0 °Cの温度範囲の少なくとも一点における 9 0度ピール強度がどちらも 1 0 0 0 N/m以下である半導体用接着フィルムに関する。

本発明においては、封止材で封止した後の樹脂層 Aと配線回路及び封止材との 1 0 0〜2 5 O t:の温度範囲の少なくとも一点における 9 0度ピール強度がどちらも 1 0 0 O NZm以下であることが好ましい。本発明においては、封止材で封止した後に半導体用接着フィルム ¾配線回路及び封止材から引き剥がすときの温度における榭脂層 Aと配線回路及び封止材との 9 0度ピール強度がどちらも 1 0 0 O N/m以下であることが好ましい。本発明においては、樹脂層 Aのガラス転移温度が 1 0 0〜3 0 0 °Cであることが好ましい。また、樹脂層 Aが 5重量％減少する温度が 3 0 0 °C以上であることが好ましい。

本発明においては、樹脂層 Aの 2 3 0 °Cにおける弾性率が I MP a以上であることが好ましい。また、樹脂層 Aがアミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂を含有することが好ましい。特に、樹脂層 Aがアミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂を含有することが好ましい。

本発明においては、支持フィルムの材質が芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフエ二レンスルフイド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及ぴポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれるものであることが好ましい。

本発明においては、各樹脂層 Aの厚さ（A) と支持フィルムの厚さ（B ) との比（AZB) が、 0 . 5以下であることが好ましい。また、本発明の半導体用接着フィルムの厚さは 2 0 0 /im以下であることが好ましい。

本発明においては、支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層 Aが形成されており、その反対面に 2 3 0 °Cにおける弾性率が 1 0 M P a以上の接着性を有しない樹脂層 Bが形成されていることが好ましい。

また、本発明は、本発明の半導体用接着フィルムを金属板に接着した接着フィルム付金属板、及び金属板を加工して配線回路として得られた接着フィルム付配線回路に関する。また、本発明は、本発明の半導体用接着フィルムを用いた接着フィルム付き半導体装置に関する。

本発明の接着フィルム付半導体装置は、半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層 Aに片面を接して接着された配線回路、配線回路の露出面に電気的に接続された半導体素子及び半導体素子を封止している封止材からなることが好ましい。特に、本発明の接着フィルム付き半導体装置は、半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層 Aに片面を接して形成された配線回路、配線回路の露出面のダイパッドに接着された半導体素子、半導体素子と配線回路のィンナーリードとを接続するワイヤ並びに半導体素子及びワイヤを封止している封止材からなることが好ましい。

また、本発明は、上記の接着フィルム付き半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置に関する。

また、本発明は、金属板の片面に半導体用接着フィルムを接着する工程、金属板を加工して配線回路とする工程、配線回路の露出面上に半導体素子を電気的に接続する工程、配線回路の露出面及び半導体素子を封止材で封止する工程、並びに、半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から剥離する工程からなる半導体装置の製造方法に関し、好ましくは金属板の片面に半導体用接着フイルムを接着する工程、金属板を加工してダイパッド及びインナーリ一ドを有する配線回路とする工程、配鎳回路の露出面上のダイパッドに半導体素子を接着する工程、ワイヤボンディングにより半導体素子とインナ一リードとをワイャで接続する工程、配線回路の露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止する工程、並びに、半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から剥離する工程からなる半導体装置の製造方法に関する。

本発明の半導体装置の製造方法においては、配線回路が各々ダイパッド及びインナーリ一ドを有する複数のパターンからなるものである場合には、必要に応じ、各々 1つの半導体素子を有する複数の半導体装置に分割される。

本発明の半導体装置の製造方法においては、半導体用接着フィルムとして本発明の半導体用接着フィルムを用い、半導体用接着フィルムの樹脂層 Aを金属板に接着し、金属板を加工して配線回路とすることが好ましい。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である。

図 2は、本発明の半導体用接着フィルムを用いて半導体装置を製造する工程をを示す断面説明図である。

図 3は、本発明の一態様の半導体用接着フィルムを備えた半導体装置を示す断面図である。 ·

図 4は、本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である。

図 5は、本発明の一態様の半導体用接着フィルムを備えた半導体装置を示す断面図である。発明を実施するための最良の形態 _ 次に本発明の半導体用接着フィルム、これを用いた接着フィルム付金属板、接着フィルム付配線回路及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法の実施の形篛について詳しぐ説明する。

半導体用接着フィルム '

本発明の半導体用接着フィルムは、例えば、半導体装置の製造法に好適に使用することができる。本発明の半導体用接着フィルムを半導体装置の製造法に使用する場合、下記の工程からなる方法により半導体装置を製造することが好ましい。

即ち、（1 ) 金属板に 1 5 0〜4 0 0でで本発明の半導体用接着フィルムを接着する工程、（2) 金属板を加工して配線回路とする工程、（3) 配線回路のダイパッドに銀ペーストゃダイボンドフィルム等の接着剤を用いて半導体素子を接着し、必要に応じて 140〜 200 °Cで 30分〜 2時間の加熱を行うことにより銀ペースト等の接着剤を硬化する工程、（4) 1 50〜270°Cで超音波を併用して、配線回路のインナーリードと半導体素子とに金線等のワイャポンドを行う工程、（5) 1 50~200°Cで封.止材で封止する工程、（6 ) 150〜200°〇で4〜6時間の加熱を行うことにより、封止材樹脂を硬化する工程、（7) 0〜250°Cで半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から引き剥がす工程である。配線回路が各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなるものである場合には、必要に応じ、各々 1つの半導体素子を有する複数の半導体装置に分割される。

本発明においては特に、金属板を加工して配線回路とする前の金属板と樹脂層 Aとの 25°Cにおける 90度ピール強度は 2 ONZm以上とされ、 50 NZ m以上が好ましく、 7 ONZm以上がより好ましく、 100N/m以上がさらに好ましく、 15 ON/m以上が特に好ましい。本発明において、 25°Cにおける樹脂層 Aと金属板との 90度ピール強度は、 J I S Z 0237の 90 度引き剥がし法に準じて、金属板に対して半導体用接着フィルムを 90度方向に引き剥がして測定する。具体的には、 25°Cにおいて、毎分 270〜330 mm、好ましくは毎分 30 Ommの速さで半導体用接着フィルムを引きはがす際の 90度ピール強度を、 90度剥離試験機（テスタ産業製）で測定される。 90度ピール強度が 2 ΟΝΖπι未満の場合、金属板加工時にエッチング液の浸透による回路欠け等の回路形成不良が起こりやすく、また、配線回路が細い場合には接着フィルム付配線回路の洗浄工程や搬送工程で、半導体用接着フィルムから配線回路が剥がれやすいという問題がある。また、配線回路に金、銀、パラジウム等のメツキを行う場合には、メツキ液が、配線回路と樹脂層 Αとの 6

間に入り込みやすいという問題がある。さらに、封止工程時に、配線回路と樹脂層 A間に封止用樹脂が入り込むなどの問題があるまた、この 90度ピール強度は、 200 ON/m以下であることが好ましく、 1 500 N/m以下であることがより好ましく、 100 ONZm以下であることがより好ましい。なお、このピール強度を測定するために半導体用接着フィルムと金属板とを接着する条件としては特に制限はないが、後述の本発明の接着フィルム付配線回路の製造方法における接着条件で行うことが好ましい。例えば、金属板として、パラジウムを被覆した銅板又は 42ァロイ板を用い、（1) 温度 250°C 、圧力 8MP a、時間 1 秒、（2) 温度 350°C、圧力 3MP a、時間 3秒、又は（3) 温度 280°C、圧力 6MP a、時間 10秒の.いずれかの接着条件で接着する。

本発明において、封止工程を行う直前の 25 °Cにおける樹脂層 Aと配線回路との 90度ピール強度が、 5NZm以上、好ましくは 1 ON/m以上、より好ましくは 5 ON/m以上にあることが好ましい。封止工程を行う直前の 90度ピール強度が 5 NZm未満である場合、封止工程時に配線 0路と樹脂層 A間に封止用樹脂が入り込むなどの問題が生じる。

また、上記において封止工程を行う直前とは、封止工程の前でありなおかつ封止工程の前に行う全ての工程が終了した状態を意味する。 ·

また、封止工程を行う前に、加熱を行うことにより、樹脂層 Aと配線回路との接着強度を向上させることもできる。この加熱温度は特に限定されないが、樹脂層 Aと配線回路との接着強度を向上させるためには 10 Ot以上で加熱することが好ましい。また、配線回路や半導体用接着フィルムの耐熱性の点から、 300°C以下で加熱することが好ましい。同様の理由で、 130°〇以上27 以下に加熱することがより好ましい。また、加熱時間は特に限定されないが、樹脂層 Aと配線回路との接着強度を十分に向上させるために 1 0秒以上が 4001866

好ましい。同様の理由で加熱時間は 1分以上 2時間以下がより好ましい。 • 上記の加熱工程を、生産性の点から、封止工程に移る前の諸工程'（例えば、銀ペースト等の接着剤の硬化工程、ワイヤボンド工程等）における加熱によつて行うことが好ましい。例えば、上記したように、半導体素子の接着工程では通常、接着に用いる接着剤を硬化させるために 140~200°Cで 30分〜 2 時間の加熱が行われる。また、ワイヤボンド工程では、通常、 150° (：〜 27 0°C程度で 3分〜 30分程度の加熱が行われる。従って、上記の加熱工程をこれらの諸工程における加熱により行うことができる。

本発明において、封止材で封止した後の 0〜 250 °Cの温度範囲の少なくとも一点における樹脂層 Aと配線回路及び封止材との 90度ピール強度は、 J I S Z 0237の 90度引き剥がし法に準じて、配線回路と接着フィルムを室温で、又は 0~250°Cのオーブン中'で、配線回路に対して接着フィルムを 90度方向に引き剥がして測定する。具体的には、 0~250°Cの温度範囲の少なくとも一点において、毎分 270〜 330 mm、好ましくは毎分 300m mの速さで半導体用接着ブイルムを引き剥がす際の 90度ピール強度をテンシロン RTM— 100 (オリエンテック製）で測定する。このピール強度の測定温度の好ましい範囲は 100〜250°Cであり、より好ましくは 150〜25 0°Cである。

封止材で封止した後の 0〜250°Cの温度範囲の少なくとも一点において樹脂層 Aと配線回路及び封止材との 90度ピール強度は、どちらも 1 00 ON/ m以下とされ、 80 ONZm以下が好ましく、 500 NZm以下がより好ましレ^ この 90度ピール強度が 100 ON/mを超える場合、配線回路や封止材に応力が加わり、破損する問題がある。なお、測定温度が高くなるにつれ、通常、上記の 90度ピール強度は低下する。この 90度ピール強度は、 ONZm 以上であることが好ましく、 3 NZm以上であることが好ましく、 5NZm以上であることがより好ましい。 .

なお、本発明においては、半導体用接着フィルムを接着した配線回路を封止材で封止した後に半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から引き剥がすときの温度における樹脂層 Aと配線回路及び封止材との 9 0度ピール強度がどちらも 1 0 0 O NZm以下であることが好ましい。封止材で封止した後、半導体用接着フィルムを引き剥がす温度は、通常、 0〜2 5 0 °Cの間が好ましい。上記の 0〜 2 5 0 °Cの温度範囲の少なくとも一点における 9 0度ピール強度を測定するための封止材による封止条件としては、特に制限はないが、後述の本発明の半導体装置の製造方法における封止条件において封止することが好ましい。例えば、封止材として C E L— 9 2 0 0 (商品名、日立化成工業（株）製ビフエニル封止材）を用い、温度 1 8 0 ° (：、圧力 1 0 M P a、時間 3分の条件で封止を行い、次いで 1 8 0 °Cで 5時間加熱して封止材を硬化させることが好ましい。

本発明においては、半導体用接着フィルムは、樹脂層 Aが支持フィルムの片面又は両面に形成されているもの、及び、支持フィルムの片面に樹脂層 Aが形成され、反対面に他の樹脂層が形成されたものが挙げられる。

本発明においては、支持フィルム上に樹脂層 Aを形成する方法は、特に制限はないが、樹脂層 Aの形成に用いられる樹脂（a ) を N _メチル—2—ピロリドン、ジメチルァセ卜アミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロへキサノン、メチルチルケトン、ジメチルホルムァミド等の溶剤に溶解して作製した接着剤ワニスを、支持フィルムの片面又は両面上に塗工した後、加熱処理して溶剤を,去することにより、二層構造又は三層構造の接着フィルムを得ることができる。又は、ワニス塗布後に加熱処理等によって耐熱性樹脂（a ) (例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（a) の前駆体（例えばポリアミド酸）を溶剤に溶解した前駆体ワニスを支持フィルムの片面又は両面上に塗工した後、加熱処理することで、二層構造又は三層構造の接着フィルムを得ることができる。この場合、塗工後の加熱処理により、溶剤を除去し、前駆体を樹脂（a ) とする（例えばイミド化）。塗工面の表面状態等の点から、接着剤ワニスを用いることが好ましい。

上記において、ワニスを塗工した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、接着剤ワニスであるか前駆体ワニスであるかで異なる。接着剤ワニスの場合には溶剤が除去できる温度であればよく、前駆体ワニスの場合には、イミド化させるために樹脂層 Aのガラス転移温度以上の処理温度が好ましい。

上記において、支持フィルムの片面に塗布される接着剤ワニス又は前駆体ヮニスの塗工方法には、特に制限はないが、例えば、ロールコ一ト、リバース口 —ルコート、グラビアコート、パーコート、コンマコート等を用いて行なうことができる。また、接着剤ワニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗王しても良い。

本発明においては、樹脂層 Aのガラス転移温度は 1 0 0〜3 0 0 °Cであることが好ましく、 1 5 0〜3 0 0。Cであることがより好ましく、 1 5 0 ~ 2 5 0 °Cであることが特に好ましい。ガラス転移温度が 1 0 0 °C未満の場合、配線回路及び封止材から引き剥がした際、樹脂層 Aと支持フィルムの界面で剥離が生じたり、樹脂層八が凝集破壊しやすい傾向がある。また、配線回路及び封止材に樹脂が残留しやすく、また、ワイヤポンド工程での熱によって樹脂層 Aが軟化し、ワイヤの接合不良が生じやすい傾向がある。さらには、封止工程での熱によつて樹脂層 Aが軟化し；配線回路と樹脂層 A間に封止材が入り込むなどの不具合が起きやすい傾向がある。また、ガラス転移温度が 3 0 0 を超える場合、接着時に樹脂層 Aが十分軟化せず、 2 5 における配線回路との 9 0度ピール強度が低下しやすい傾向がある。 n

本発明においては、樹脂層 Aが 5重量％減少する温度が 300°C以上であることが好ましく、 350°C以上であることがより好ましく、 400°C以上であることがさらに好ましい。樹脂層 Aが 5重量％減少する温度が 300°C未満の場合、金属板に接着フィルムを接着する際の熱や、ワイヤポンド工程での熱でアウトガスが生じ、配線回路やワイヤを汚染しやすい傾向がある。尚、樹脂層 Aが 5重量％減少する温度は、示差熱天秤（セイコー電子工業製、 TG/DT A220) により、昇温速度 10°CZ分で測定して求めた。

本発明においては、樹脂層 Aの 230°Cにおける弾性率は IMP a以上であることが好ましく、 3MP a以上であることがより好ましい。ワイヤポンド温度は、特に制限はないが、一般には 200-260°C程度であり、 230°C前後が広く用いられる。したがつて、 23 O における弾性率が 1 M P a未満の場合、ワイヤポンド工程での熱により樹脂層 Aが軟化し、ワイヤの接合不良が生じやすい。樹脂層 Aの 230°Cにおける弾性率の好ましい上限は、 2000 MP aであり、より好ましくは 150 OMP aであり、さらに好ましくは 10 0 OMP aである。樹脂層 Aの 230でにおける弾性率は、動的粘弾性測定装置、 DVE RHEOS PECTOLER (レオロジ社製）を用いて、昇温速度 2°C/分、測定周波数 10Hzの引張モードによって測定される。

本発明こおいては、樹脂層 Aの形成に用いられる樹脂（a) は、アミド基（ -NHCO-) 、エステル基（一 CO—〇_) 、イミド基（—CO) ₂— N— 、ェ一テル基（_〇—）又はスルホン基（一 S〇₂—）を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。特に、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性榭脂であることが好ましい。具体的には、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミ 'ド、芳香族ポリエステルイミド及び芳香族ポリエーテルイミド等が挙げられるこれらのなかで、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルィミド及び芳香族ポリエーテルアミドが、耐熱性、接着性、及び金属板加工時の耐薬品性、必要に応じて配線回路にメツキを行う際の耐メツキ性の点から好ましい。

上記の樹脂はいずれも、塩基成分である芳香族ジァミン又はビスフエノ一ル等と、酸成分であるジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸若しくは芳香族塩化物又はこれらの反応性誘.導体を重縮合させて製造することができる。すなわち、ァミンと酸との反応に用いられている公知の方法で行う.ことができ、諸条件等についても特に制限はない。芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はこれらの反応性誘導体とジァミンの重縮合反応については、公知の方法が用いられる。

芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる塩基成分としては、例えば、 2 , 2—ビス [ 4— ( 4一アミノフエノキシ) フエニル] プロパン、ビス [ 4一（4—ァミフエノキシ）フエニル] スルホン、 4， 4 ' —ジアミノジフエニルエーテル、 1， 3 —ビス .（3—アミノフエノキシ）ベンゼン、ビス [ 4— ( 4—アミノフエノキシ）フエニル] エーテル、 2， 2—ビス [ 4一（4'ーァミノ'フエノキシ）フエニル] へキサフルォロプロパン等のエーテル基を有する芳香族ジァミン； 4 , 4 ' —メチレンビス（2 , 6—ジイソプロピルァミン）等のエーテル基を有しない芳香族ジァミン； 1 , 3 —ビス（3—ァミノプロピル） —テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジァミン；及び 1 , 1 2—ジアミノドデカン、 1 , 6—ジァミノへキサン等の α， ω—ジアミノアルカンが好適に用いられる。塩基成分総量中、上記のエーテル基を有する芳香族ジァミンを 4 0〜 1 0 0モル％、好ましくは 5 0〜9 7モル％、エーテル基を有しない芳香族ジァミン、シロキサンジァミン及び α, ω—ジァミノアルカンから選ばれる少なくとも 1種を 0〜60モル％、好ましくは 3〜 50モル％の量で用いることが好ましい。好ましい塩基成分の具体例としては、（1) エーテル基を有する芳香族ジァミン 60~89モル％、好ましくは 68〜82モル％、シロキサンジァミン 1〜10モル％、好ましくは 3〜7モル％、及び α, ω—ジァミノアルカン 1 0〜30モル％、好ましくは 1 5〜25モル％からなる塩基成分、（2 ) エーテル基を有する芳香族ジァミン 9 Q〜 99モル％、好ましくは 93〜9 7モル％、及びシロキサンジァミン 1〜10モル％、好ましくは 3〜7モル％からなる塩基成分、（3) エーテル基を有する芳香族ジァミン 40〜70モル %、 ·好ましくは 45〜60モル％、エーテル基を有しない芳香族ジァミン 30 〜60モル％、好ましくは 40~ 55モル％からなる塩基成分が挙げられる。芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる酸成分としては、例えば、（A) 無水トリメリット酸、 .無水トリメリット酸クロライド等の無水トリメリット酸の反応性誘導体、ピロメリット酸ニ無水物等の単核芳香族トリカルボン酸無水物又は単核芳香族テト.ラカルボン酸二無水物、（B) ビスフエノール Aビストリメリテートニ無水物、ォキシジフタル酸無水物等の多核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（C) テレフタレ酸、イソフタル酸、テレフタル酸クロライド、イソフタル酸クロライド等のフタル酸の反応性誘導体^の芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。

中でも、上記塩基成分（1) 又は（2) 1モル当たり、上記酸成分（A) 0 . 95〜1. 05モル、好ましくは 0. 98〜； L. 02モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドイミド、及び、上記塩基成分（3)· 1モル当たり、上記酸成分（B) 0. 9 5- 1. 05モル、好ましくは 0. 98~1. 0 2モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルイミドが好適に用いられる。本発明においては、樹脂（a) にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーや、カップリング剤を添加してもよい。

フィラーを添加する場合、その添加曇は、樹脂（a) 1 00重量部に対して 1-3 0重量部が好ましく、 5〜1 5重量部がより好ましい。

カップリング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネート等の力ップリング剤が使用できるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカツプリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトシシラン、ビニレトリス（ —メトキシェトキシ）シラン、 β— (3, 4一エポキシシク

アミノエチル）一ァーァミノプロピルメチルジメトキシシラン、ァーアミノプ口ピルトリエトキシシラン、 Ν—フエニル—ァーァミノプロピルトリメトキシシラン、ァーメルカプトプロビルトリメトキシシラン等の末端に有機反応基を. 有するシランカップリング剤で、これらの内、エポキシ基を有するエポキシシランカップリング剤が好ましく用いられる。なお、ここで有機反応性基とは、エポキシ基、ビニル基、アミノ基、メルカプト基等の官能基である。シラン力ップリング剤の添加は、樹脂の支持フルムに対する密着性を向上させ、 1 0 0-3 0 0°Cの温度で引き剥がした際に、樹脂層と支持フィルムの界面で剥離が生じにくくするためである。カップリング剤の添加量は、樹脂 (a) 1 0 0 重量部に対して、 1~1 5重量部が好ましく、 2~1 0重量部がより好ましい本発明においては、支持フィルムには特に制限はないが、樹脂の塗工、乾燥、半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂からなるフィルムが好ましく、樹脂は、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフエ二レンスルフイド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエ一テルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれることが好ましい。また。亥持フィルムのガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために 200 °C以上であることが好ましく、. 250°C以上であることがより好ましい。上記の耐熱性樹脂フィルムを用いることにより、接着工程、ワイヤポンド工程、封止工程、引き剥がし工程などの熱の加わる工程において、支持フィルムが軟化せず、効率よく作業を行うことができる。 ' '

上記の ¾持フィルムは、樹脂層 Aに対して密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、 100~.300°Cの温度で配線回路及び封止材から引き剥がした際、樹脂層 Aと支持フィルムの界面で剥離が生じやすく、配線回路及び封止材に樹脂が残留しやすい。支持フィルムは、耐熱性を有し、かつ樹脂層 A に対する密着性が十分高いことが好ましいことから、ポリイミドフィルムがより好ましい。

上記ポリイミドフィルムの種類は特に P良定されないが、半導体用接着フィルムを金属板に貼り付けた後の金属板の反りを低減するために、 20〜200°C における線熱膨張係数が 3. 0 X 10 ⁵Z°C以下であることが好ましく、 2. 5 X 10 ⁵/°C以下であることがより好ましく、 2. 0 X 10 ⁵/°C以下であることがさらに好ましい。また半導体用接着フィルムを金属板に貼り付けた後の金属板の反りを低減するために、 200°Cで 2時間加熱した際の加熱収縮率が 0. 15%以下であることが好ましく、 0. 1%以下であることがさらに好ましく、 0. 0 5%以下であることが特に好ましい。

上記の支持フィルムは、樹脂層 Aに対する密着性を十分高めるために、表面を処理することが好ましい。支持フィルムの表面処理方法には特に制限はないが、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。

上記の支持フイルムの厚さは特に制限はないが、半導体用接着フィルムを金属板に貼り付けた後の金属板の反りを低減するために、 100 m以下であることが好ましく、 50 μιη以下がより好ましく、 25 m以下がさらに好ましレ^ なお支持フィルムの厚さは、 5 xm以上であることが好ましく、 10 m 以上であることがより好ましい。

また、支持フィルムの材質を、上記した樹脂以外の、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ぶこともできる。持フィルムを上記の金属とすることにより、金属板と支持フィルムの線膨張係数を近くし、半導体用接着フィルムを金属板に貼り付けた後の接着フィルム付金属板の反りを低減することができる。

本発明になる半導体用接着フィルムの厚さは特に制限はないが、剥離時の剥離角度を大きく取るほど剥離が容易になるので、 200 //m以下であることが好ましく、 100 m以下がより好ましく、 50 m以下がさらに好ましい。本発明になる半導体用接着フィルムは、支持フィルムの片面又は両面に樹脂層を設けた場合、特に支持フィルムの片面に樹脂層 Aを設けた場合、樹脂層の厚さ（A) と、支持フィルムの厚さ（B) との比（AZB) が 0. '5以下であることが好ましく、 0. 3以下がより好ましく、 0. 2以下がさらに好ましい。樹脂層の厚さ（A) と、支持フィルムの厚さ（B) との比（A/B) が 0. 5を超える場合、塗工後の溶剤除去時の樹脂層の体積減少によりフィルムが力ールしゃすく、金属板に接着する際の作業性や生産性が低下しやすい傾向がある。支持フィルムの両面に樹脂層を設けた場合には、両樹脂層の厚みの比を 0 . 8 ： 1-1. 2 ： 1とすることが好ましく、 0. 9 ： 1〜； L. 1 ： 1とすることがより好ましく、 1 ： 1とすることが特に好ましい。なお、樹脂層 Aの厚さ（A) は 1〜20 mであることが好まじく、 3〜 1 5 mであることがより好ましく、 4~10 mであることがさらに好ましい。

溶剤除去時の樹脂層 Aの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺するために、支持フィルムの雨面に樹脂層 Aを設けてもよい。支持フィルムの片面に樹脂層 Aを設け、反対面に高温で軟化しにくい樹脂層を設けることが好ましい。すなわち、前記支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層 A を形成し、その反対面に 230°Cにおける弾性率が 1 OMP a以上の接着性を有しない樹脂層 Bを形成することが好ましい。

本発明においては、接着性を有しない榭脂層 Bの 230°Cでの弾性率は 10 MP a以上であることが好ましく、 10 OMP a以上がより好ましく、 100 0 MP a以上がさらに好ましい。樹脂層 Bの 230°Cでの弾性率が 1 OMP a 未満の場合、ワイヤボンド工程などの熱の加わる工程で軟化しやすく、金型やジグに貼り付きやすい傾向がある。この弾性率は、 200 OMP a以下であることが好ましく、 1 50 OMP a以下であることがより好ましい。

上記の接着性を有しない樹脂層 Bの金型ゃジグに対する接着力は、工程上、金型やジグに張り付かない程度に低ければ特に制限はないが、 25°Cにおける樹脂層 Bと金型やジグとの 90度ピール強度が 5 N m未満であることが好ましく、 1 NZm以下であることがより好ましい。このピール強度は、例えば、真鍮製の金型に温度 250°C、圧力 8MP aで 1 0秒間圧着した後に測定する。

上記の 230°Cでの弾性率が 1 OMP a以上である樹旨層 Bのガラス転移温度は、接着工程、ワイヤポンド工程、封止工程、引き剥がし工程などで軟化しにくく、金型やジグに貼り付きにくくするため、 1 50°C以上であることが好ましく、 200 以上がより好ましく、 2 50°C以上がさらに好ましい。なお、このガラス転移温度は、 350以下であることが好ましく、 300°C以下であることがより好ましい。上記の樹脂層 Bの形成に用いられる樹脂（b ) の組成には特に制限はなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれも用いることができる。熱可塑性樹脂の組成は、特に制限はないが、前記した樹脂と同様の、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂が好ましい。特に、上記の塩基成分（3 ) 1モルと上記の酸成分（A) 0 . 9 5〜1 . 0 5モル、好ましくは 0 . 9 8〜1 . 0 2モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドィミドが好ましい。また、熱硬化性樹脂の組成には、特に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ビスマレイミド榭脂（例えば、ビス（4一マレイミドフエ二ル）メタンをモノマーとするビスマレイミド樹脂）などが好ましい。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合せて用いることもできる。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせる場合、熱可塑性樹脂 1 0 0重量部に対し、熱硬化性樹脂 5〜1 0 0重量部とすることが好ましく、 2 0 ~ 7 0 重量部とすることがより好ましい。

さらには、上記の樹脂（b ) にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーやカップリング剤を添加することが好ましい。フイラ一を添加する場合、その添加量は、樹脂（b ) 1 0 0重量部に対して 1〜 3 0重量部とすることが好ましく、 5〜1 5重量部とすることがより好ましい。カップリング剤の添加量は、樹脂（b ) 1 0 0重量部に対して 1〜2 0重量部とすることが好ましく、 5〜1 5重量部とすることがより好ましい。

上記の接着性を有しない樹脂層 Bを支持フィルム上に形成する方法としては、特に制限はないが、通常、樹脂（b ) を N—メチルー 2—ピロリドン、ジメチルァセトアミド、ジエチレングリコールジメチルェ一テル、テトラヒドロフラン、シクロへキサノン、メチルェチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤に溶解して作製した樹脂ワニスを、支持フィルム上に塗工した後、加熱処理して溶剤を除去することにより形成することができる。又は、ワニス塗布後に加熱処理等によって耐熱性樹脂（b ) (例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ b ) の前駆体（例えばポリアミド酸）を溶剤に溶解した前駆体ワニスを支持フイルム上に塗工した後、加熱処理することで、形成することができる。この場合、塗工後の加熱処理により、溶剤を除去し、前駆体を樹脂（b ) とする（例えばイミド化）。塗工面の表面状態等の点から、樹脂ワニスを用いることが好ましい。 - 上記のワニスを塗工した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、樹脂ワニスであるか前駆体ワニスであるかで異なる。榭脂ワニスの場合には溶剤が除去できる温度であればよく、前駆体ヮニスの場合には、イミド化させるために榭脂層 Bのガラス転移温度以上の処理温度が好ましい。 ―

上記の樹脂（b ) として熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の組 '合せを用いる場合は、塗工後の加熱処理によって、熱硬化性樹脂を硬化させ、樹脂層 Bの弾性率を 1 O M P a以上にすることもできる。この加熱処理は、溶剤の除去やイミド化と同時に行うこともできるし、別途行うこともできる。上記の樹脂層 Bにおいて、溶剤除去時の樹脂層 Bの体積減少又はイミド化ゃ熱硬化性樹脂の硬化の際の収縮により、樹脂層 Aの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺することができる。

上記において、榭脂（b ) の樹脂ワニス又は前駆体ワニスの塗工方法は特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、パーコート、コンマコート等を用いて行なわれる。また、樹脂ワニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗工しても良い。

接着フィルム付金属板、接着フィルム付配線回路

本発明の接着フィルム付金属板、接着フィルム付配線回路は、例えば、本発明の半導体用接着フィルムを、樹脂層 Aを金属板の片面に接して接着することにより製造することができる。

本発明において、金属板への半導体用接着フィルムの接着条件は特に制限はないが、金属板加工前の金属板と樹脂層 Aとの 25°Cにおける 90度ピール強度が 2 ONZm以上となるように設定すればよい。 90度ピール強度が 2 ON m未満の場合、金属板加工時にエッチング液の浸透による回路欠け等の.回路形成不良が起こりやすく、また、配線回路が細い場合には接着フィルム付配線回路の洗浄工程や搬送工程で、半導体用接着フィルムから配線回路が剥がれやすく、また封止工程時に、配線回路と樹脂層 A間に封止用樹脂が入り込むなどの問題がある。また、この 90度ピール強度は、 200 ON/m以下であることが好ましく、 1 50 ONZm以下であることがより好ましく、 1000 NZ m以下であることがより好ましい。

本発明において、接着温度は 150〜40り °Cの間であることが好ましく、 180〜350°Cがより好ましく、 200〜300°Cがさらに好ましい。温度が 150°C未満の場合、金属板と樹脂層 Aとの 90度ピール強度が低下する傾向がある。また 400°Cを超えると、，金属板が劣化する傾向がある。

本発明において、金属板への半導体用接着フィルムの接着圧力は 0. 5〜3 OMP aの間が好ましく、 1〜2 OMP aがより好ましく、 3〜： L 5MP aがさらに好ましい。接着圧力が 0. 5MP a未満の場合、樹脂層 Aと金属板との 90度ピール強度が低下する傾向がある。また 30 MP aを超えると、金属板が破損しゃすい傾向がある。

本発明において、金属板への半導体用接着フィルムの接着時間は 0. 1〜6 0秒の間が好ましく、 1〜3 0秒がより好ましく、 3〜20秒がさらに好まし' レ^ 接着時間が 0. 1秒未満の場合、樹脂層 Aと金属板との 90度ピール強度が低下しやすい傾向がある。また 60秒を超えると、作業性と生産性が低下しやすい傾向がある。また、圧力を加える前に、 5〜60秒程度の予備加熱を行うことが好ましい。

本発明において、金属板の材質には特に制限はないが、例えば、 4 2ァロイなどの鉄系合金、又は銅や銅系合金、アルミニウム、アルミニウムと銅とを積層した複合多層箔などを用いることができる。電解箔、圧延箔等製造方法にも制限はない。また、銅や銅系合金の金属板の表面には、パラジウム、ニッケル、金、銀などを被覆することもできる。

金属板の厚さにも特に制限はないが、薄いほうが微細な金属板加工、つまり配線回路形成に有利である。 0 . 1〜5 0 0 mが好ましく、 l〜5 0 mが特に好ましい。 3〜1 5 mがさらに好ましい。 5 0 0 mより厚いと回路形成に時間がかかり、また接着フィルム付配線回路が屈曲性に乏しいため、リールツ一リール方式で製造する場合、搬送工程等に不都合が生じる。さらに半導体パッケージの厚さを薄くできなくなる。 0 . 1 i mより薄いとワイヤポンドが難しく、また、配線板にパッケージを接続する際に導通不良が生じる恐れがある。

金属板を加工して配線回路とする方法には特に制限はない。例えば、接着フィルム付金属板の接着フィルムと反対面に感光性フィルムを貼った後、配線回路のマスクを重ねて露光し、感光性フィルムを現像した後、金属板を溶解する薬品.（例えば銅に対しては塩化第二鉄液、塩化第二銅液、アルカリエッチング液等）を用いてエッチングすることによってインナ一リード及びダイパッド等を有する配線回路を得ることができる。

金属板を加工して配線回路とした後、回路上に金、銀、パラジウム等のメッキを行ってもよい。本発明の半導体用接着フィルムを用いて製造される半導体装置の構造は特に限定されず、フェイスアップ構造であってもフェイスダウン構造であってもよレ^ 例えばパッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードを外部接続用に用いる構造のパッケージ（Non Lead Type Package) が挙げられる。上記パッケージの具体例としては、 Q F N (Quad Fl at Non-1 e aded Package) 、 S O N (Smal l Out l ine Non-l eaded Package) 、 L GA (L and Gr i d Array) 等が挙げられる。

本発明の半導体装置は、例えば、半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層 Aに片面を接して接着された配線回路、 S3線回路の露出面に電気的に接続された半導体素子及び半導体素子を封止している封止材からなる接着フィルム付き半導体装置から、半導体用接着フィルムを剥離して製造される。好ましくは、本発明の半導体装置は、例えば、半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層 Aに片面を接して接着された配線回路、配線回路のダィパッドに接着された半導体素子、半導体素子と配線回路のインナーリードとを接続するワイヤ並びに半導体素子及びワイヤを封止している封止材からなる構造を有する接着フィルム付き半導体装置から、半導体用接着フィルムを剥離して製造される。，

本発明の半導体用接着フィルムを用いて製造される半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等め点で優れており、例えば携帯電話等の情報機器に組み込まれる。

半導体装置の製造方法

本発明の半導体装置の製造方法は、金属板の片面に半導体用接着フィルムを接着する工程、金属板を加工して配線回路とする工程、配線回路の露出面上に半導体素子を電気的に接続する工程、配線回路の露出 M及び半導体素子を封止材で封止する工程、並びに、半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から剥離する工程からなる。好ましくは、本発明の半導体装置の製造方法は、金属板の片面に半導体用接着フィルムを接着する工程、金属板を加工してダイパッ 2004/001866

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ド及ぴインナ一リードを有する配線回路とする工程、配線回路の露出面上のダィパッドに半導体素子を接着する工程、ワイヤボンディングにより半導体素子とインナーリードとをワイヤで接続する工程、配線回路の露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止する工程、並びに、半導体用接着フィルムを配線回路及ぴ封止材から剥離する工程からなる。

本発明において、配線回路が各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなるものである場合、必要に応じ、封止した配線回路を分割することにより、各々 1個の半導体素子を有する複 :の半導体装置を得ることができる。この分割工程は、封止する工程後又は半導体用接着フィルムを剥離する工程の後のいずれにおいて行ってもよい。

本発明の製造方法に使用することのできる金属板、及ぴ、半導体用接着フィルムを金属板に接着する際の接着条件、金属板を加工して配線回路とする方法は、先に本発明の接着フィルム付配線回路の製造について記載したと同様である。 ·

本発明の製造方法においては、本発明の接着フィルム付金属板、又は接着フイルム付配線回路が入手できる場合はその段階から始めてもよい。

半導体素子を配線回路のダイパッドに接着するために用いる接着剤としては

、特に制限はなく、例えば銀べ一スト等のペースト状の接着剤や、接着テープ等を用いることができる。半導体素子をダイパッドに接着した後、通常、接着剤を 1 4 0〜2 0 0 °Cで 3 0分〜 2時間加熱することにより硬化させる。本発明において、ワイヤボンディングに用いるワイヤの材質には特に制限はないが、金線などが挙げられる。ワイヤボンディング工程では、例えば、 2 0 0〜2 7 0 で超音波を併用してワイヤを半導体素子及びインナ一リードに接合する。

本発明において、封止材の材質には特に制限はないが、クレゾ" ' クエポキシ樹脂、フエノールノポラックエポキシ樹脂、ビフエニルジエポキシ、ナフトールノポラックエポキシ榭脂などのエポキシ樹脂等が挙げられる。封止材には、フィラーや、ブロム化合物等の難燃性物質等の添加材が添加されていてもよい。封止材による封止条件は、 '特に制限はないが、通常、 1 5 0 〜2 0 0 °C、圧力 1 0〜1 5 M P aで、 .2〜 5分の加熱を行うことにより行われる。封止は半導体素子一つずつ別々の個片封止でも、多数の半導体素子を同時に封止する一括封止のどちらでもよい。

封止材で封止した後、半導体用接着フィルムを引き剥がす温度は、 ' 0〜2 5 0 °Cの間が好ましい。温度が 0 °C未満の場令、配線回路及び封止材に樹脂が残りやすい。また温度が 2 5 0 °Cを超えると、配線回路や封止材が劣化する傾向がある。同様の理由で 1 0 0〜2 0 0 がより好ましく、 1 5 0〜2 5 0 °Cが特に好ましい。

一般に、封止材で封止した後、封止材を 1 5 0 °C〜2 0 0 °C程度で数時間加熱することにより硬化させる工程がある。上記半導体用接着フィルムを封止材及び配線回路から引き剥がす工程は、上記の封止材を硬化させる工程の前後のどちらで行ってもよい。

本発明において、封止材で封止した後に半導体用接着フィルムを 0〜2 5 0 °Cで引き剥がした際、配線回路及び封止材に樹脂が残らないことが好ましい。樹脂の残留量が多い場合、外観が劣るだけでなく、配線回路を外部接続用に用いる際、接触不良の原因になりやすい。

従って、配線回路及び封止材に残留した樹脂を機械的ブラッシング、溶剤等で除去することが好ましい。溶剤には特に制限はないが、 N—メチルー 2—ピ口リドン、ジメチルァセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロへキサノン、メチルェチルケトン、ジメチルホルムアミド等が好ましい。引き剥がした'接着フィルムは、樹脂の欠損、封止材の残留、配線回路の凹凸の転写等により表面状態が初期と異なっている場合が多く、実際上再使用できない。

本発明になる半導体用接着フィルムは、金属板加工前の金属板との 25 における密着性が高く、なおかつ樹脂封止後、 0〜250 で、配線回路及び封止樹脂から簡便に引き剥がせるため、金属板加工等の各工程において不具合を生じることなく、厚さ 0. 1~500 im程度の薄型の配線回路を形成することも可能であり、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することを可能とするものである。

また、この半導体用接着フィルムを用いて作製される本発明の半導体装置は

、高密度化、小面積化、薄型化の点で優れており、例えば、.携帯電話等の情報機器への使用に適している。実施例

次に実施例により本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を制限するものではない。

製造例 1 (実施例 1〜4、 7及び 8に使用した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造）

温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた 5リットルの 4つ 0フラスコに窒素雰囲気下、 2， 2—ビス [4— (4—アミノフエノキシ）フエ二ル] プロパン 258. 3 g (0. 63モル）、 1, 3—ビス（3—ァミノプロピル）ーテトラメチルジシロキサン 10. 4g (.0. 042モル）を入れ、 N 一メチル一 2—ピロリドン 1450 gに溶解した。この溶液を 70 に昇温し、 1, 12—ジアミノドデカン 33. 6 g (0. 168モル）を溶解した。さらにこの溶液を 0°Cに冷却し、無水トリメリット酸クロライド 180. 4g ( 0. 857モル）を添加した。無水トリメリット酸ク口ライドが溶解したら、トリェチルアミン 130 gを添加した。室温で 2時間撹拌を続けた後、 180 °Cに昇温して 5時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、 N—メチル—2 —ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリェ一テルアミドィミド粉末 120 g及びシラン力ップリング剤（信越化学ェ業株式会社製、商品名： SH6040) 6 gを N—メチル _ 2 _ピロリドン 3 60 gに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを得た。製造例 2 (実施例 5及ぴ 6に使用した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造）

温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた 5リットルの 4っロフラスコに窒素雰囲気下、 2， 2—ビス [4一（4一アミノフエノキシ）フエ二ル] プロパン 258. 6 g (0. 63モル）、 1, 3—ビス（3—ァミノプロピル）テトラメチルジシロキサン 67. 0 g (0. 27モル）を入れ、 N—メチル一 2—ピロリドン 1550 gに溶解した。さらにこの溶液を 0 °Cに冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド 187. 3 g (0. 89モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリェチルァミン 1 00 gを添加した。.室温で 2時間撹拌を続けた後、 180 °Cに昇温して 5時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、 N—メチルー 2—ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドィミド粉末 120 g及びシランカップリング剤（信越化学工業ネ朱式会社製、商品名： SH6040) 3. 6 gを N—メチル一 2—ピロリドン 360 gに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを得た。

製造例 3 (実施例 5で樹脂層 Bに用いた芳香族ポリエーテルアミドイミドヮニスの製造）

温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた 5リットルの 4っロフラスコに窒素雰囲気下、 2, 2—ビス [4一（4一アミノフエノキシ）フエ二ル] プロパン 172. 4 g (0. 42モル) 、 4， 4 ' ーメチレンビス (2, 6 -ジィソプロピルァニリン) 1.53. 7 g (0. 42モル) を入れ、 N -メチルー 2—ピロリドン 1 550 gに溶解した。さらにこの溶液を 0°Cに冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド 174. 7 g (0. 83モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解しだら、トリェチルァミン 1 30 gを添加した。室温で 2時間撹拌を続けた後、 180°Cに昇温して 5時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、 N—メチルー 2—ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドィミド粉末 120 gにシランカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名： SH6040) 6 gを N—メチル—2 _ピロリドン 360 gに溶解し、芳香族ポリエ一テルアミドイミドワニスを得た。

製造例 4 (実施例 6で樹脂層 Bに用いた芳香族ポリエーテルアミドイミド粉末の合成） " 温度計、撹泮機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた 5リットルの 4っロフラスコに窒素雰囲気下、 2, 2—ビス [4— (4—アミノフエノキシ）フエ二ル] プロパン 270. 9 g (0. 66モル）、 1, 3—ビス（3—ァミノプロピル）ーテトラメチルジシロキサン 8. 7 g (0. 035モル）を入れ、 N— メチルー 2—ピロリドン 19 50 gに溶解した。さらにこの溶液を 0°Cに冷却 4001866

28

し、この温度で無水トリメリット酸クロライド 149. 5 g (0. 71モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリェチルァミン 100 gを添加した。室温で 2時間撹拌を続けた後、 180°Cに昇温して 5時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、 N—メチルー 2—ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製された芳香族ポリエーテルアミドイミド粉末を得た。 ■

製造例 5 (実施例 9に使用した芳香族ポリエーテルアミドィミド接着剤ヮニスの製造）

製造例 4で得られたポリエ一テルアミドイミド粉末 120 g及びシランカツプリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名： SH6040) 3. 6 gを N ーメチルー 2—ピロリドン 360 gに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを得た。

製造例 6 (実施例 10に使用した芳香族ポリエーテルイミド接着剤ワニスの温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた 5リットルの 4っロフラスコに窒素雰囲気下、 2， 2—ビス [4一（4一アミノフエノキシ）フエ二ル] プロパン 102. 5 g (0. 25モル）、 4， 4' ーメチレンビス（2, 6—ジイソプロピルァニリン） 91. 5 g (0. 25モル）を入れ、 N—メチルー 2—ピロリドン 1900 gに溶解した。さらにこの溶液を 0°Cに冷却し、この温度でビスフエノール Aビストリメリテ一トニ無水物 282. 2 g (0. 49モル）を添加した。その舉、室温で 20分間、 60 °Cで 2時間撹拌を続けた後、 180°Cに昇温して 5時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、 N —メチル一 2—ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルイミド粉末を得た。得られたポリエーテルイミド粉末 120 gを N—メチル—2—ピロリドン 360 g (こ溶解し、芳香族ポリエーテルイミド接着剤ワニスを得た。

製造例 7 (実施例 1 1及び 12に使用した芳香族ポリエーテルァミドイミド接着剤ワニスの製造）

温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた 5リットルの 4っロフラスコに窒素雰囲気下、ビス [4— (4一アミノフエノキシ）フエニル] スルホン 250. 9 g (0. 58モル）、 1, ·3—ビス（3—ァミノプロピル）一テトラメチルジシロキサン 7. 4 g (0. 03モル）を入れ、 N—メチル—2 一ピロリドン 1 500 gに溶解した。さらにこの溶液を 0°Cに冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド 126. 3 g (0. 6モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリェチルァミン 67 gを添加した。室温で 2時間撹拌を続けた後、 180°Cに昇温して 5時間反応させてィミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、 N—メチル一2—ピロリドンに溶解しメタノール中に入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエ一テルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末 12 0 g及びシランカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名： SH60 40) 6. 0 gを N—メチルー 2—ピロリドン 3.60 gに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドィミド接着剤ワニスを得た。 '

製造例 8 (比較例 1に使用したポリシロキサンポリアミドブロック共重合体接着剤ワニスめ製造）

温度計、撹捽機、'窒素導入管及び分留塔をとりつけた 5リツトルの 4っロフラスコに窒素雰囲気卞、 2, 2—ビス [4一（4一アミノフエノキシ）フエ二ル] プロパン 29 5. 2 g (0. 72モル）、シリコーンジァミン（信越化学 ' 工業株式会社製、商品名： X— 22— 1 6 1 B) 540 g (0. 18モル）を入れ、ジエチレングリコールジチルエーテル 2400 gに溶解した。さらにこの溶液を一 10°Cに冷却し、この温度でイソフタル酸クロライド 188. 8 g (0. 93モル）を添加した。その後、 1時間撹拌した後、プロピレンォキサイド 214 gを添加した。さらに室温で 30分間撹拌を続けた後、 40°Cに昇温して 5時間反応させた。得られた反応液をメタノ一ル中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、ジメチルホルムアミドに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリシロキサンポリアミドブロック共重合体粉末を得た。得られた樹脂粉末 120 g 及ぴシラン力ップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名： S H 6040 ) 6. 0 &を N—メチル—2—ピロリドン 360 gに溶解し、ポリシロキサンポリアミドブロック共重合体接着剤ワニスを得た。

製造例 9 (比較例 3に使用した芳香族ポリエーテルアミドィミド接着剤ヮニスの製造）

温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた 5リットルの 4っロフラスコに窒素雰囲気下、ビス [4— (4—アミノフエノキシ）フエニル] スルホン 259. 6 g (0. 60モル）を入れ、 N—メチル—2—ピロリドン 1 5 00 gに溶解じた。さらにこの溶液を 0 °Cに冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド 126. 3 g (0. 6モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリェチルァミン 67 gを添加した。室温で 2時間撹拌を続けた後、 1 80°Cに昇温して 5時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、 N—メチルー 2—ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末 120 g及ぴシラン力 6

31 '

ップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名： SH6040) 6. 0 gを N—メチル— 2—ピロリドン 360 gに溶解し、芳香族ポリエーテルァミドィミド接着剤ワニスを得た。

実施例 1

厚さ 125 mの表面に化学処理を施したポリイミドフイリレム（宇部興産 ( 株）製ュ一ピレックス SGA) を、支持フィルムとして用いた。このポリィミドフィルムの片面に、製造例 1で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを 90 mの厚さに流延し、 100°Cで 10分、 300°Cで 10 分乾燥して、支持フィルム 1の片面に厚さ · 25 の樹脂層 A 2がついた図 1 の構成の半導体用接着フィルムを得た。樹脂層 Aは、ガラス転移温度が 1 95 °C、 5重量％減少温度が 42 1 °C、 230°Cにおける弾性率が 7 M P aのものであった。樹脂層 A2の厚さ（A) と、支持フィルム 1の厚さ（B) との厚さの比（A/B) は 0. 2であった。

次に、温度 250°C、圧力 8 MP a、時間 10秒で 10 mの圧延銅箔に接着し、 25 °Cにおける樹脂層 Aと銅箔との 90度ピール強度（引き剥がし速度：毎分 300mm、以下同様）を測定したところ、 1 50 NZmで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムの力一ルは少なく、接着時の作業性は良好であった。

図 2に、この半導体用接着フィルムを用いて半導体装置を製造する工程を示す。図 2 (a) 、 (b) に示すように、半導体用接着フィルムの樹脂層 Afc銅箔 3を貼り合わせ、図 2 (c) 、 (d) 、 (e) 、 (f) 、 (g) に示すように、半導体用接着フィルムと反対面の銅箔に感光性：イルム 4を貼った後、配線回路のマスク 5を重ねて UV光で露光し、次いで感光性フィルム 4を現像した後、塩化第二鉄溶液を用いてエッチングすることによってィンナーリ一ド 6 及びダイパッド 7を有する配線回路を得た。金属板を加工して配線回路とする工程において、エッチング液の浸透による回路形成不良や、洗浄工程、搬送ェ程における回路の剥がれ等の不具合はなかった。

上記で得た配線回路のダイパッド 7に、図 2 ( ) に示すように、半導体素子 8をダイボンド材 9を用いて接着し、半導体素子 8とィンナ一リード 6をヮィャ 1 0を用いてワイヤポンドし、配線回路と半導体素子とワイヤを封止材 1 1で封止してパッケージを得た。得られたパッケージは、図 2 (h) のパッケージが複数繋がった図 3に示す構造のものである（銀ペースト（ダイポンド材 9 ) は図示せず）。なお、 6、 7はともに金属板（ここでは銅箔）を加工して得た配線回路の一部である。半導体素子の接着には銀ペーストを用い、 1 5 0 tで 6 0分加熱して銀べ一ストを硬化させた。ワイヤポンドは、ワイヤとして金線を用い、 2 3 0 °Cで超音波を併用して行った。封止工程には封止材としてビフエニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名： C E L 9 2 0 0 ) を用い、，温度 1 8 0 °C、圧力 1 O' M P a、時間 3分で行い、その後、 1 8 0 °Cで 5 時間の加熱を行い、封止樹脂を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかつた。封止工程後、図 2 ( i ) に示すように、 2 3 5 °Cで配線回路と封止材から半導体用接着フィルム 1 2を引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分 3 0 O mm, 以下同様）、 9 0度ピール強度は 3 5 O N/mで簡単に引き剥がせ、樹脂は配線回路及び封止樹脂にほとんど残留しなかった。ごくわずかに残留した樹脂も N—メチルー 2—ピロリドンで洗净することにより、除去することができた。

さらに、このパッケージをダイシングにより分割して各々 1つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。

実施例 2 ·

支持フィルムとして厚さ 5 0 mの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックス S GA) を用いた以外は、実施例 1 と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層 Aの厚さ（A) と、支持フィルムの厚さ（B ) との厚さの比（A/B ) は 0 . 5であった。次に、温度 2 5 0 ° (：、圧力 8 M P a、時間 1 0秒で 1 0 mの圧延銅箔に接着し、 2 5 °Cにおける樹脂層 Aと金属板との 9 0度ピール強度を測定したところ、 1 7 0 NZmで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。さらに、この半導体用接着フィルムを _接着した銅箔を用いて、実施例 1と同様にして金属板加工、配線回路への半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行ない、図 3 の構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、 2 3 5 °Cで配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、 9 0度ピール強度は 3 3 O N/mで簡単に引き剥がせた。樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。

実施例 3

支持フィルムとして厚さ 2 5 / mの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックス S GA) を用いた以外は、実施例 1 と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層 Aの厚さ（A) と、支持フィルムの厚さ（B ) との厚さの比（A/B ) は 1 . 0であった。次に、温度 2 5 0 °C、圧力 8 M P a、時間 1 0秒で 1 0 i mの圧延銅箔に接着し、 2 5 °Cにおける樹脂層 Aと金属板との 9 0度ピール強度を測定したところ、 1 7 0 N/mで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作業性は良好であった。さらに、この半導体用接着 ^_フィルムを接着した銅箔を用いて、実施例 1と同様にして金属板加工、配線回路への半導体素子の接着、ワイヤポンド工程及び封止工程及び切断を行ない、図 3の構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、 2 3 5 で配線回路と封止材から接着フィルムを引き剥がしたところ、 90度ピール強度は 30 ON/mで ft単に引き剥がせた。また、樹脂は配線回路及ぴ封止材にほとんど付着残留しなかった。

実施例 4

支持フィルムとして厚さ 25 mの表面にプラズマ処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックス SPA) を用いた以外は、実施例 1と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層 Aの厚さ（A) と、支持フィルムの厚さ（B) と厚さの比（A/B) は 1. 0であった。次に、温度 250°C、圧力 8 MP a、時間 10秒で 70 xmの圧延銅箔に接着し、 25°Cにおける樹脂層 Aと金属板との 90度ピール強度を測定したところ、 1 70 N/mで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フイルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着した銅箔を用いて、実施例 1と同様に金属板加工、配線回路への半導体素子の接着、ワイヤポンド工程及び封止工程を行ない、図 3 の構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。封止ェ蘀後、 235°Cで配線回路と封止材から接着フィルムを引き剥がしたところ、 90度ピール強度は 30 ONズ mで簡単に引き剥がせた。さらには、樹脂は配^回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。

実施例 5

支持フィルムとして、厚さ 25 の表面にプラズマ処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ュ一ピレックス SPA) ) を用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例 2で製造した芳香族ポリエーテルアミドィミド接着剤ワニスを 50 mの厚さに流延し、 100°Cで 10分、 300°Cで 10分乾燥して、厚さ 10 mの樹旨層 Aを形成した。この樹脂層 Aのガラス転移温度は 187 °C、 5 %重量減少温度は 4 '29 °C、 230 .における弾性率は 5MP aであった。さらに、ポリイミドフィルムの反対面に、製造例 3で製 400₁₈66

35

造した芳香族ポリエテルアミドイミド樹脂ワニスを 50 mの厚さに流延し 100 °Cで 10分、 300 °Cで 10分乾燥して、厚さ 1 0 の樹脂層 Bを形成した。この樹脂層 Bのガラス転移温度は 260°C 5%重量減少温度は 4 2 1°C, 230 Cにおける弾性率は 1 70 OMP aであった。これにより図 4 のように、支持フィルム 1に樹脂層 A2と樹脂) IB 13が片面ずつに塗布された半導体用接着フィルムを得た。

次に、温度 250°C、圧力 8 MP a、時間 10秒で 10 mの圧延銅箔に接着した後の 25°Cにおける金属板との 90度ピール強度を測定したところ、 1 30NZmで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フイルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着した銅箔を用いて、実施例 1と同様にして金属板加工、配線回路への半導体素子の接着、ワイヤポンド工程及び封止工程を行ない、図 3の構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、 205°Cで配線回路と封止材から接着フィルムを引き剥がしたところ、 90度ピール強度は 28 ON/mで簡単に引き剥がせた。さらには、樹脂は配線回路及ぴ封止材にほとんど付着残留しなかつた。

実施例 6

支持フィルムとして、厚さ 25 //mの表面に化学処理を施したポリイミドフイルム（宇部興産（株）製、ユーピレックス SGA) を用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例 2で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを 50 mの厚さに流延し、 100°Cで 10分、 300°Cで 10分乾燥して、厚さ 10 mの樹脂層 Aを形成した。この樹脂層 Aのガラス転移温度は 187 °C 5 %重量減少温度は 429 、 230 "Cにおける弾性率は 5 M P aであった。さらに、ポリイミドフィルムの反対面に、製造例 4で製造したガラス転移温度 230°Cの芳香族ポリエ一テルアミドイミド粉末とビス（4— マレイミドフエ二ル）メタンを 6 4 (前者 Z後者）の重量比で混合した樹脂ワニスを 50 の厚さに流延し、 100°Cで 10分、 300°Cで 10分乾燥して、厚さ 1 0 mの樹脂層 Bを形成した。樹脂層 Bの 2 3 0°Cにおける弾性率は 50 OMP aであった。これにより図 4のように、支持フィルム 1に樹脂層 A 2と樹脂層 B 13が片面ずつに塗布された半導体用接着フィルムを得た。その後、温度 250°C、圧力 8 MP a、時間 10秒で 10 imの圧延銅箔に接着した後の 25 °Cにおける樹脂層 Aと金属板との 90度ピール強度を測定したところ、 130NZmで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着した銅箔を用いて、実施例 1と同様にして金属板加工、配線回路への半導体素子の接着、ワイヤポンド工程及び封止工程を行ない、図 3の構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問. 題は生じなかった。封止工程後、 205°Cで配線回路と封止材から接着フィルムを引き剥がしたところ、 90度ピール強度は 28 ONZmで簡単に引き剥せた。さらには、樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。実施例 7

支持フィルムとして、厚さ 1 2 5 mの表面に化学処理を施したポリイミド；フィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックス SGA) のかわりに、厚さ 12 5 j!/mのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人（株）製、商品名： TE〇 NEX) を用いた以外は、実施例 1と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層 Aの厚さ（A) と、支持フィルムの厚さ（B) との厚さの比（A ZB) は 0. 2であった。次に、温度 250°C、圧力 8 MP a、時間 10秒で 10 mの圧延銅箔に接着し、 25°Cにおける樹脂層 Aと金属板との 90度ピール強度を測定したところ、 150NZmで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムの力一ルはやや大きかったが、接着時の作業性は良好であった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着した銅箔を用いて、実施例 1と同様にして金属板加工、配線回路への半導体素子の接着、ワイヤポンド工程及び封止工程を行ない、図 3の構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、 2 3 5 °Cで配線回路と封止材から接着フィルムを引き剥がしたところ、 9 0度ピール強度は 3 5 0 N/mで簡単に引き剥がせた。さらには、樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。

実施例 8

支持フィルムとして厚さ 2 5 /zmの表面に化孛処理を施したポリイミドフィ' ルム（宇部興産（株）製、ュ一ピレックス S GA) を用いた以外は、実施例 1 と同様にして半導体用接着フィルムを作製し、温度 3 5 0 °C、圧力 3 MP a、時間 3秒で 1 5 0 mの 4 2ァロイ板に接着し、 2 5 °Cにおける樹脂層 Aと金属板との 9 0度ピール強度を測定したところ、 9 0 0 N/mで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着した金属板を用いて、金属板加工、配線回路への半導体素子の接着、ワイヤポンド工程及び封止工程を行ない、図 3の構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、 2 3 5 °Cで配線回路と封止材から接着フィルムを引き剥がしたところ、 9 0度ピ一ル強度は 2 2 0 N/mで簡単に引き剥がせた。さらには、樹脂は配線回路及ぴ封止材にほとんど付着残留しなかった。 '

実施例 9

樹脂層 Aの形成用に製造例 5で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを用いた以外は、実施例 1と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層 Aのガラス転移温度は 2 3 0 °C、 5重量％減少温度は 4 5 1 °C 、 2 3 0 °Cにおける弾性率は 1 5 O M P aであった。次に、温度 2 5 0 °C、圧力 8 M P a、時間 1 0秒で 3 5 mの電解銅箔に接着した。接着後の 2 5 における樹脂層 Aと銅箔との 9 0度ピール強度を測定したところ、 7 O NZmで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着した銅箔を用いて、実施例 1と同様にして金属板を加工して配線回路を得て、配線回路に金メッキを行った後、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行ない、図 3の構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、 2 0 5 °Cで配線回路と封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、 9 0度ピール強度は 3 0 0 NZ mで簡単に引き剥がせた。さらには、樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。 .

実施例 1 0

樹脂層 Aの形成用に製造例 6で製造した芳香族ポリエーテルィミド接着剤ヮニスを用いた以外は、実施例 1と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層 Aのガラス転移温度は 2 4 0 °C、 5 %重量減少温度は 4 1 0 °C、 2 3 0 °Cにおける弾性率は 3 0 0 M P aであった。次に、温度 2 5 0 °C、圧力 8 M P a、時間 1 0秒で、半導体用接着フィルムを 1 8 mの電解銅箔に接着した。接着後の 2 5 °Cにおける樹脂層 Aと銅箔との 9 0度ピール強度を測定したところ、 5 O NZmで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。さらに、この半導体接着フィルムを接着した銅箔を用いて、実施例 1と同様にして金属板加工、配線回路への半導体素子の接着、ワイヤポンド工程及び封止工程を行ない、図 3の構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかつた。封止工程後、 2 3 5 °Cで配線回路と封止材から半導体用接着フィルムを 1866

39

引き剥がしたところ、 90度ピール強度は 50 ONZmで簡単に引き剥がせた。さらには、樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。実施例 11 . 支持フィルムとして、厚さ 25 mの表面にサンドマツト処理を施したポリイミドフィルム（東レ ·デュポン（株）製、商品名：カプトン EN 20 2 0 における線熱膨張係数が 15 X 1◦ ⁵Z°C 200°Cで 2時間加熱した際の加熱収縮率が 0. 02 %) .を用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例 7で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを 25 m の厚さに硫延し、 100°Cで 10分、 300°Cで 10分乾燥して、厚さ 4 m の樹脂層 Aが支持フィルムの片面についた図.1の構成'の半導体用接着フィルムを得た。この樹脂層 Aのガラス転移温度は 260°C 5%重量減少温度は 43 0°C 230 における弾性率は 150 OMP aであった。

次に、温度 280° (、圧力 6MP a、時間 10秒で、半導体用接着フィルムを 10 の圧延銅箔に接着した。接着後の樹脂層 Aと銅箔との 25°Cにおける 90度ピール強度を測定したところ、 30 N/mで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。

さらに、この半導体用接着フィルムを接着した銅箔を用いて、金属板の加工を行い配線回路を得たところ、接着フィルムとの界面にごくわずかにエツチング液の浸透が見られ、また洗浄工程において水流が強すぎた場合、部剥離しそうになる場合もあったが、条件の最適化で問題は回避できた。次いでダイパッドへの半導体素子の接着工程を行った。この際、接着用の銀ペーストを硬化させるために 150°Cで 90分加熱した後、 25 °Cにおける銅箔と樹脂層 Aとの 90度ピール強度を測定したところ、 5 ONZmであった。

さらに、この半導体素子を接着した接着フィルム付配線回路を用いてワイヤポンドを行った。この際、 2 6 0 でワイヤポンドした後、 2 5 °Cにおける銅箔と樹脂層 Aとの 9 0度ピール強度を測定したところ、 7 O N/mであった。さらにこの接着フィルム付配線回路を用いて、実施例 1と同様にして封止ェ程を行い、図 3の構造のパッケージを作製したが、封止工程時に配線回路と榭脂層 A間に封止材が入り込むなどの問題は生じなかった。封止工程後、 1 7 5 °Cで配線回路と封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、 9 0 度ピール強度は 1 0 0 N/mで簡単に引き剥がせた。

実施例 1 2 ' 実施例 1 1と同様にして、半導体用揆着フィルムの作製、 3 5 x mの圧延銅箔への接着、異なる配線回路の形成、配線回路への金メッキを行った後、半導体素子の接着、ワイヤポンド工程、封止工程を行い、図 5のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかつた。封止工程後、 1 Ί 5 °Cで配線回路と封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、 9 0度ピ一ル強度は 9 0 N/mで簡単に引き剥がせた。さらには、接着剤は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。さらに、この複数繋がった構造パッケージを分割して図 5のパッケージ個片を作製したが、工程中、問題は生じなかった。

比較例 1

支持フィルムとして、厚さ 1 2 5 /z mの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックス S GA) を用いた。この支持フイルムの片面に、製造例 8で製造したポリシロキサンポリアミドブ口.ック共重合体接着剤ワニスを 9 0 mの厚さに流延し、 1 0 0 °Cで 1 0分、 3 0 0 °Cで 1 0分乾燥して、厚さ 2 5 mの樹脂層 A 2が支持フィルム 1の片面についた図 1の構成の半導体用接着フィルムを得た。この樹脂層 Aのガラス転移温度は 1 8 2 °C、 5 %重量減少温度は 3 8 0 、 2 3 0 における弾性率は 1 M P a 4001866

41

未満であった。樹脂層 Aの厚さ（A) と、支持フィルムの厚さ（B) との厚さの比（A/B) は 0. 2であった。次に、この半導体用接着フィルムを、温度 250°C、圧力 8 MP a、時間 10秒で 12 mの圧延銅箔に接着し、 25°C における銅箔と樹脂層 Aとの 90度ピール強度を測定したところ、 ONZmで、搬送時に剥がれてしまい、後の工程を行うことができなかった。

比較例 2

支持フィルムとして、厚さ 125 mの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックス SGA) を用いた。この支持フイルムの片面に、フヱノール樹脂系接着剤ワニスを 80 /mの厚さに流延し、 100 °Cで 10分、 1 50 °Cで 10分乾燥して、厚さ 25 mの樹脂層 A 2が支持フィルム 1の片面についた図 1の構成の半導体用接着フィルム'を得た。樹脂層 Aのガラス転移温度は 180° (：、 5 %重量減少温度は 280°C, 230 °C における弾性率は 1 OMP aであった。榭脂層 Aの厚さ（A) と支持フィルムの厚さ（B) との厚さの比（AZB). は 0. 2であった。

次に、温度 250°C、圧力 8 MP a、時間 10秒で、この半導体接着フィルムを 12 mの圧延銅箔に接着し、 25 °Cにおける銅箔と樹脂層 Aとの 90度ピール強度を測定したところ、 40 ONZmで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着した銅箔を用いて、実施例 iと同様にして金属板加工、配線回路への半導体素子の接着、ワイヤポンド工程を行ったところ、ワイヤポンド工程でアウトガスが生じ、ワイヤを汚染する不具合が生じた。

封止工程を行い、図 3の構造のパッケージ.を作製した後、 190°Cで配線回路と封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、 90度ピール強度は 1 30 ON/mで封止材の一部が破損した。また、樹脂が配線回路及び封 6

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止材に大量に付着残留し、 N—メチルー 2—ピロリドンで洗浄しても除去するのが難しかった。

比較例 3

支持フィルムとして、厚さ 25 / mの表面にサンドマツト処理を施したポリイミドフィルム（東レ ·デュポン（株）製、商品名：カプトン EN、 20〜2 00 °Cにおける線熱膨張係数が 15 X 10— ⁵ /°C、 200 °Cで 2時間加熱した際の加熱収縮率が 0. 02%) を用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例 9で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを 25 m の厚さに硫延し、 100°Cで 10分、 300°Cで 10分乾燥して、厚さ 4 m の樹脂層 Aが支持フィルムの片面についた図 1の構成の半導体用接着フィルムを得た。この樹脂層 Aのガラス転移温度は 270°C、 5%重量減少温度は 44 0°C, 230°Cにおける弾性率は 170 OMP aであった。

次に、温度 280° (、圧力 6 MP a、時間 10秒で、半導体用接着フィルムを 10 mの圧延銅箔に接着した。接着後の樹脂層 Aと銅箔との 25°Cにおける 90度ピール強度を測定したところ、' 5NZmであった。

この半導体用接着フィルムを接着した銅箔を加工して配線回路としたところ

、接着フィルムとの界面にエッチング液の浸透が見られ、一部に回路の欠けが生じた。また洗浄工程においてかなりの回路の剥離が生じたため、次の工程に進めなかった。

実施例 1〜 12及び比較例 1〜 3の結果より、金属轵を加工して配線回路とする前の金属板との 25Tにおける 90度ピール強度が 2 ONZm以上で、なおかつ樹脂封止後， 0 °C〜 250 の温度範囲の少なくとも 1点において配線回路及び封止材との 90度ピ一ル強度が 100 ONZm以下である配線回路及び封止材より剥離可能な半導体用接着フィルムを用いることにより、金属板加ェ等の各工程において不具合を生じることなく、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造できることが示される。

Claims

求の範囲

1 . 金属板の片面に半導体用接着フィルムを貼付けた後、金属板を加工して配線回路とし、半導体素子を搭載、封止した後剥離する方法に使用される半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの片面又は両面に樹脂層 Aが形成されており、半導体用接着フィルムに接着した金属板を加工して酉己線回路とする前の樹脂層 Aと金属板との 2 5 °Cにおける 9 0度ピール強度が 2 O NZm以上であり、かつ、半導体用接着フィルムに接着した配線回路を封止材で封止した後の樹脂層 Aと配線回路及び封止材との 0〜2 5 0 °Cの温度範囲の少なくとも一点における 9 0度ピール強度がどちらも 1 0 0 0 NZm以下である半導体用接着フィルム。

2 封止材で封止した後の樹脂層 Aと配線回路及び封止材との 1 0 0〜2 5 0 °Cの温度範囲の少なくとも一点における 9 0度ピール強度がどちらも 1 0 0 0 N/m以下である請求項 1記載の半導体用接着フィルム。

3 封止材で封止した後に半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から引き剥がすときの温度における樹脂層 Aと配線回路及び封止材との 9 0度ピール強度がどちらも 1 0 0 0 NZm以下である請求項 1記載の半導体用接着フィルム。

4 樹脂層 Aのガラス転移温度が 1 0 0〜3 0 0 である請求項 1記載の半

5 樹脂層 Aが 5重量％減少する温度が 3 0 0 °C以上である請求項 1記載の半導体用接着フィルム。

6 樹脂層 Aの 2 3 0 °Cにおける弾性率が I M P a以上である請求項 1記載の半導体用接着フィルム。

7 樹脂層 Aがアミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂を含有する請求項 1記載の半導体用接着フィルム。

. 8 樹脂層 Aがアミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂を含有する請求項 1記載の半導体用接着フィルム。

9 支持フィルムの材質が芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフイド、芳香族ボリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれる請求項 1記載の半導体用接着フィルム。

1 0 各樹脂層 Aの厚さ（A) と支持フィルムの厚さ（B ) との比（AZB ) が、 0 . 5以下である請求項 1記載の半導体用接着フィルム。

1 1 支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層 Aが形成されており、その反対面に 2 3 0 °Cにおける弾性率が 1 O M P a以上の接着性を有しない樹脂層 Bが形成されている請求項 1記載の半導体用接着フィルム。

1 2 厚さが 2 0 0 m以下である請求項 1記載の半導体用接着フィルム。

1 3 請求項 1〜 1 2' 'のいずれかに記載の半導体用接着フィルムを接着した

1 4 請求項 1 3記載の接着フィルム付金属板を加工して配線回路として得られる接着フィルム付配線回路。

1 5 半導体用接着フィルムの樹脂層 Aに片面を接して接着された請求項 1 4記載の接着フィルム付配線回路。

1 6 請求項 1〜1 2のいずれかに記載の半導体用接着フィルムを用いた接着フィルム付き半導体装置。

1 7 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層 Aに片面を接して接着された配 ί泉回路、配線回路の露出面に電気的に接続された半導体素子及び半導体素子を封止している封止材からなる請求項 1 6記載の接着フィルム付き半導体装置。

1 8 請求項 1 7記載の半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置。

1 9 金属板の片面に請求項 1〜 1 2のいずれかに記載の半導体用接着フィルムを接着する工程、金属板を加工して配線回路とする工程、配線回路の露出面上に半導体素子を電気的に接続する工程、配線回路の露出面及び半導体素子を封止材で封止する工程、 '並びに、半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から剥離する工程からなる半導体装置の製造方法。

2 0 配線回路が各々ダイパッド及びィンナーリ一ドを有する複数のバタ一ンからなり、封止する工程後又は半導体用接着フィルムを剥離する工程の後に、封止した接着フィルム付配線回路を分割することにより、各々 1個の半導体素子を有する複数の半導体装置を得る工程を含む請求項 1 9記載の方法。