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WO2003030221A3 - Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements auf der basis eines nitrid-verbindungshalbleiters - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements auf der basis eines nitrid-verbindungshalbleiters Download PDF

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Alfred Lell
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf der Basis eines Nitrid-Verbindungshalbleiters. In einem ersten Schritt des Verfahrens wird ein Halbleiterkörper (1) bereitgestellt, der mindestens einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält. Auf die Oberfläche (6) des Halbleiterkörpers (1) wird in einem zweiten Schritt eine Metallschicht (7) aufgebracht. Nachfolgend wird in einem dritten Schritt der Halbleiterkörper (1) strukturiert, wobei ein Teil der Metallschicht (7) und Teile des darunterliegenden Halbleiterkörpers (1) abgetragen werden.
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