JP2002075965A - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 - Google Patents
Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡易な方法で歩留まりよくIII族窒化物系化
合物半導体素子を製造するために新規な清浄化処理方法
を提供する。 【構成】 エキシマランプから放出される１７２ｎｍに
中心波長を有する紫外線をウエハ表面に照射して、フォ
トレジスト残渣などの有機系汚染物を酸化除去して清浄
化処理を行う。
合物半導体素子を製造するために新規な清浄化処理方法
を提供する。 【構成】 エキシマランプから放出される１７２ｎｍに
中心波長を有する紫外線をウエハ表面に照射して、フォ
トレジスト残渣などの有機系汚染物を酸化除去して清浄
化処理を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はIII族窒化物系化合物半
導体素子の製造時に適用される清浄化処理方法の改良に
関する。
導体素子の製造時に適用される清浄化処理方法の改良に
関する。
【０００２】
【従来の技術】III族窒化物系化合物半導体素子の一例
として発光素子を製造する際には、透光性電極、ｐ型台
座電極及びｎ型台座電極はフォトリソグラフィにより形
成されるものであるが、フォトレジストの残渣及びその
他の汚染物（コンタミネーション）がウエハの表面に付
着するため、清浄化処理を行う必要がある。特にIII族
窒化物系化合物半導体ではｐ型半導体において電気抵抗
が高くチャージアップしやすい。その結果そこに汚染物
が吸着され易い。これらの汚染物を放置すると発光素子
の外観が損なわれることはもとより、保護膜の密着性が
低下したり電極と半導体層との間に汚染物が介在したと
きには発光ムラの発生や駆動電圧が高くなって発光効率
が低下するなどの不具合を引き起こす。この発明が対象
とする清浄化処理はレジスト残渣などの有機系の汚染物
を灰化（アッシング）してウエハ表面化から除去しよう
とするものである。このような清浄化処理の方法として
従来より薬液処理法やＯ２プラズマ処理法(プラズマア
ッシング）などが知られている。
として発光素子を製造する際には、透光性電極、ｐ型台
座電極及びｎ型台座電極はフォトリソグラフィにより形
成されるものであるが、フォトレジストの残渣及びその
他の汚染物（コンタミネーション）がウエハの表面に付
着するため、清浄化処理を行う必要がある。特にIII族
窒化物系化合物半導体ではｐ型半導体において電気抵抗
が高くチャージアップしやすい。その結果そこに汚染物
が吸着され易い。これらの汚染物を放置すると発光素子
の外観が損なわれることはもとより、保護膜の密着性が
低下したり電極と半導体層との間に汚染物が介在したと
きには発光ムラの発生や駆動電圧が高くなって発光効率
が低下するなどの不具合を引き起こす。この発明が対象
とする清浄化処理はレジスト残渣などの有機系の汚染物
を灰化（アッシング）してウエハ表面化から除去しよう
とするものである。このような清浄化処理の方法として
従来より薬液処理法やＯ２プラズマ処理法(プラズマア
ッシング）などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、III族
窒化物系化合物半導体からなる発光素子に対してこのよ
うな処理法を適用しようとするときには以下の課題があ
った。 薬液処理法 通常、発光素子には薄膜の透光性電極が設けられてお
り、この透光性電極が薬液により浸食されてしまう。ま
た、ｎ型台座電極（ｎ型コンタクト電極）に用いられる
アルミニウムも同様に薬液に浸食される。 Ｏ２プラズマ処理法（プラズマアッシング） サファイア基板を用いる発光素子ではその最表層（コン
タクト層）がｐ型半導体層となるがこのｐ型半導体層は
高い電気抵抗を有するため、プラズマを発生させるとチ
ャージアップが生じる。このチャージアップによりｐ型
半導体層の結晶がダメージを受けてその電気的特性が悪
化する。また、透光性電極の金属元素が高次に酸化され
てしまいｐ型半導体層との間のコンタクト抵抗が高くな
る。いずれも発光素子の駆動電圧（Ｖｆ）を高くするあ
るいは短絡電流（リーク）を発生させる原因となり、発
光素子の発光効率の点から好ましくない。このように、
ウエハ表面の清浄化処理を強く推し進めようとすると発
光素子自体の特性に影響が生じるおそれがあるので、清
浄化処理の程度を制限する必要があった。また、薬液処
理法を実行するときには薬液の回収装置や洗浄装置が必
要であり、Ｏ２プラズマ処理法においてもプラズマ発生
装置が必要となり、製造設備も大掛かりとなって発光素
子の製造コストを引き上げる原因にもなっていた。
窒化物系化合物半導体からなる発光素子に対してこのよ
うな処理法を適用しようとするときには以下の課題があ
った。 薬液処理法 通常、発光素子には薄膜の透光性電極が設けられてお
り、この透光性電極が薬液により浸食されてしまう。ま
た、ｎ型台座電極（ｎ型コンタクト電極）に用いられる
アルミニウムも同様に薬液に浸食される。 Ｏ２プラズマ処理法（プラズマアッシング） サファイア基板を用いる発光素子ではその最表層（コン
タクト層）がｐ型半導体層となるがこのｐ型半導体層は
高い電気抵抗を有するため、プラズマを発生させるとチ
ャージアップが生じる。このチャージアップによりｐ型
半導体層の結晶がダメージを受けてその電気的特性が悪
化する。また、透光性電極の金属元素が高次に酸化され
てしまいｐ型半導体層との間のコンタクト抵抗が高くな
る。いずれも発光素子の駆動電圧（Ｖｆ）を高くするあ
るいは短絡電流（リーク）を発生させる原因となり、発
光素子の発光効率の点から好ましくない。このように、
ウエハ表面の清浄化処理を強く推し進めようとすると発
光素子自体の特性に影響が生じるおそれがあるので、清
浄化処理の程度を制限する必要があった。また、薬液処
理法を実行するときには薬液の回収装置や洗浄装置が必
要であり、Ｏ２プラズマ処理法においてもプラズマ発生
装置が必要となり、製造設備も大掛かりとなって発光素
子の製造コストを引き上げる原因にもなっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は上記課題を解
決すべくなされたものであり、紫外線により清浄化処理
を行うことを特徴とする。紫外線を照射する限りにおい
て発光素子のIII族窒化物系化合物半導体や電極材料は
何ら変性しないので、発光素子自体の特性は維持され
る。また、この発明の清浄化処理を実行するには紫外線
の放出源（陰極線管等）のみを準備すればよいので、製
造設備も簡素なものとなる。そのため、清浄化処理工程
の実行が容易となり、発光素子の製造コストを低減する
ことが可能となる。
決すべくなされたものであり、紫外線により清浄化処理
を行うことを特徴とする。紫外線を照射する限りにおい
て発光素子のIII族窒化物系化合物半導体や電極材料は
何ら変性しないので、発光素子自体の特性は維持され
る。また、この発明の清浄化処理を実行するには紫外線
の放出源（陰極線管等）のみを準備すればよいので、製
造設備も簡素なものとなる。そのため、清浄化処理工程
の実行が容易となり、発光素子の製造コストを低減する
ことが可能となる。
【０００５】レジスト残渣などの有機系の汚染物を素子
から酸化除去できるだけのエネルギーがあれば、紫外線
の波長は特に制限されるものではない。現在使用できる
紫外線源として低圧水銀ランプとエキシマランプがあ
る。低圧水銀ランプから放出される波長１８５ｎｍと波
長２５４ｎｍの紫外線により次のような反応が生じて清
浄化処理が実行されるものと考えられる。
から酸化除去できるだけのエネルギーがあれば、紫外線
の波長は特に制限されるものではない。現在使用できる
紫外線源として低圧水銀ランプとエキシマランプがあ
る。低圧水銀ランプから放出される波長１８５ｎｍと波
長２５４ｎｍの紫外線により次のような反応が生じて清
浄化処理が実行されるものと考えられる。
【化１】 また、エキシマランプから放出されるピーク波長１７２
ｎｍの紫外線により次のような反応が生じて清浄化処理
が実行されるものと考えられる。
ｎｍの紫外線により次のような反応が生じて清浄化処理
が実行されるものと考えられる。
【化２】 上記においてＯ（１Ｄ）は励起酸素原子であって強い酸
化力を有している。一方紫外線は有機系汚染物（ＣｘＨ
ｙＯｚ）の分子鎖を切断する。そして切断された有機系
汚染物に励起酸素原子が作用してこれをＣＯ、ＣＯ２及
びＨ２Ｏまで酸化し、表面から飛散させる。なお、低圧
水銀ランプ及びエキシマランプとして例えばウシオ電機
（株）の提供するものを使用することができる。
化力を有している。一方紫外線は有機系汚染物（ＣｘＨ
ｙＯｚ）の分子鎖を切断する。そして切断された有機系
汚染物に励起酸素原子が作用してこれをＣＯ、ＣＯ２及
びＨ２Ｏまで酸化し、表面から飛散させる。なお、低圧
水銀ランプ及びエキシマランプとして例えばウシオ電機
（株）の提供するものを使用することができる。
【０００６】紫外線の照射時間も特に制限されるもので
はない。フォトリソグラフィはバッチ処理されるので、
バッチ処理の間の時間（あいた時間）を用いて紫外線を
照射する。また反面、発光素子に特性が変化しないこと
から紫外線の照射時間を厳密に制御する必要がない。他
方、従来の薬液処理法やＯ２プラズマ処理法では発光素
子の特性に影響がでるので、その処理時間は厳密に制御
する必要があった。
はない。フォトリソグラフィはバッチ処理されるので、
バッチ処理の間の時間（あいた時間）を用いて紫外線を
照射する。また反面、発光素子に特性が変化しないこと
から紫外線の照射時間を厳密に制御する必要がない。他
方、従来の薬液処理法やＯ２プラズマ処理法では発光素
子の特性に影響がでるので、その処理時間は厳密に制御
する必要があった。
【０００７】紫外線照射は任意のタイミングで行うこと
ができる。有機系汚染物はフォトリソグラフィを実行す
るときに生じる可能性が高いので、当該フォトリソグラ
フィを実行する度に紫外線を照射することが好ましい。
さらには、ウエハからチップを分離した後にも当該チッ
プに対して紫外線を照射することが好ましい。これによ
り、ｐ型台座電極やｎ型台座電極に対するボールボンデ
ィングの信頼性が向上する。
ができる。有機系汚染物はフォトリソグラフィを実行す
るときに生じる可能性が高いので、当該フォトリソグラ
フィを実行する度に紫外線を照射することが好ましい。
さらには、ウエハからチップを分離した後にも当該チッ
プに対して紫外線を照射することが好ましい。これによ
り、ｐ型台座電極やｎ型台座電極に対するボールボンデ
ィングの信頼性が向上する。
【０００８】以下、この発明を構成する要素について説
明を加えておく。この明細書において、III族窒化物系
化合物半導体は一般式としてＡｌＸＧａ ＹＩｎ
１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦
１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２
元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＩｎ１ −ｘＮ及びＧ
ａｘＩｎ１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆ
る３元系を包含する。III族元素の一部をボロン
（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、また、
窒素（Ｎ）の一部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチ
モン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。III
族窒化物系化合物半導体層は任意のドーパントを含むも
のであっても良い。ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることができる。ｐ型不純物とし
て、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を用いるこ
とができる。なお、ｐ型不純物をドープした後にIII族
窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若し
くは炉による加熱にさらすことも可能である。III族窒
化物系化合物半導体層の形成方法は特に限定されない
が、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）のほか、周知
の分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド気相成長法
（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング
法、電子シャワー法等によっても形成することができ
る。ここにIII族窒化物系化合物半導体素子には、発光
ダイオード、受光ダイオード、レーザダイオード、太陽
電池等の光素子の他、整流器、サイリスタ及びトランジ
スタ等のバイポーラ素子、ＦＥＴ等のユニポーラ素子並
びにマイクロウェーブ素子などの電子デバイスを挙げら
れる。なお、発光素子の構成としては、ＭＩＳ接合、Ｐ
ＩＮ接合やｐｎ接合を有したものや、ホモ構造、ヘテロ
構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることがで
きる（これらの場合、発光に寄与する層を発光層とい
う）。発光層として量子井戸構造（単一量子井戸構造若
しくは多重量子井戸構造）を採用することもできる。
明を加えておく。この明細書において、III族窒化物系
化合物半導体は一般式としてＡｌＸＧａ ＹＩｎ
１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦
１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２
元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＩｎ１ −ｘＮ及びＧ
ａｘＩｎ１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆ
る３元系を包含する。III族元素の一部をボロン
（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、また、
窒素（Ｎ）の一部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチ
モン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。III
族窒化物系化合物半導体層は任意のドーパントを含むも
のであっても良い。ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることができる。ｐ型不純物とし
て、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を用いるこ
とができる。なお、ｐ型不純物をドープした後にIII族
窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若し
くは炉による加熱にさらすことも可能である。III族窒
化物系化合物半導体層の形成方法は特に限定されない
が、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）のほか、周知
の分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド気相成長法
（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング
法、電子シャワー法等によっても形成することができ
る。ここにIII族窒化物系化合物半導体素子には、発光
ダイオード、受光ダイオード、レーザダイオード、太陽
電池等の光素子の他、整流器、サイリスタ及びトランジ
スタ等のバイポーラ素子、ＦＥＴ等のユニポーラ素子並
びにマイクロウェーブ素子などの電子デバイスを挙げら
れる。なお、発光素子の構成としては、ＭＩＳ接合、Ｐ
ＩＮ接合やｐｎ接合を有したものや、ホモ構造、ヘテロ
構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることがで
きる（これらの場合、発光に寄与する層を発光層とい
う）。発光層として量子井戸構造（単一量子井戸構造若
しくは多重量子井戸構造）を採用することもできる。
【０００９】ｐ型半導体上に形成される透光性の金属電
極はｐ型半導体の全域に形成されるのが望ましい。III
族窒化物系化合物半導体では一般的にｐ型半導体層の電
気抵抗が高いため、発光層へ均一に電流を注入し、充分
な発光を得るためである。透光性電極がｐ型コンタクト
層のエッジ部分まで形成されることにより有効発光部分
が半導体積層部の側面まで達する。その結果、側面から
の強い発光が得られる。透光性電極としては、例えばコ
バルトと金を含んでなる合金を用いることができる。コ
バルトの一部をニッケル(Ni)、鉄(Fe)、銅(Cu)、クロム
(Cr)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、
アルミニウム(Al)、銀(Ag)のうち少なくとも一種の元素
で置換し、金の一部をパラジウム(Pd)、イリジウム(I
r)、白金(Pt)のうち少なくとも１種の元素で置換するこ
とも可能である。透光性電極は、第１電極層としてコバ
ルトを０．５〜１５ｎｍの膜厚でｐ型コンタクト層の上
に積層し、当該コバルト層の上に第２電極層として金を
３．５〜２５ｎｍの膜厚で積層する。その後、熱処理に
より両者を合金化させる。熱処理後において、ｐ型コン
タクト層の表面から深さ方向の元素分布は、CoよりもAu
が深く浸透した分布となる。ここに、熱処理は酸素を含
むガス中において行うことが好ましい。このとき、酸素
を含むガスとしては、O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、N
O2、又は、H2Oの少なくとも１種又はこれらの混合ガス
を用いることができる。又は、O2、O3、CO、CO2、NO、N
2O、NO2、又は、H2Oの少なくとも１種と不活性ガスとの
混合ガス、又は、O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、又
は、H2Oの混合ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いる
ことができる。要するに酸素を含むガスは、酸素原子、
酸素原子を有する分子のガスの意味である。熱処理時の
雰囲気の圧力は、熱処理温度において、窒化ガリウム系
化合物半導体が熱分解しない圧力以上であれば良い。酸
素を含むガスは、O2ガスだけを用いた場合には、窒化ガ
リウム系化合物半導体の分解圧以上の圧力で導入すれば
良く、他の不活性ガスと混合した状態で用いた場合に
は、全ガスを窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以上
の圧力とし、O2ガスは全ガスに対して１０-6程度以上の
割合を有しておれば十分である。要するに、酸素を含む
ガスは極微量存在すれば十分である。尚、酸素を含むガ
スの導入量の上限値は、ｐ型低抵抗化及び電極合金化の
特性からは、特に、制限されるものではない。要は、製
造が可能である範囲まで使用できる。熱処理に関して
は、最も望ましくは、５００〜６００℃である。５００
℃以上の温度で、抵抗率が完全に飽和した低抵抗のｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体を得ることができる。又、
６００℃以下の温度において、電極の合金化処理を良好
に行うことができる。又、望ましい温度範囲は、４５０
〜６５０℃である。詳しくは特願２０００−９２６１１
号（出願人整理番号：990472、代理人整理番号：P019
7）を参照されたい。
極はｐ型半導体の全域に形成されるのが望ましい。III
族窒化物系化合物半導体では一般的にｐ型半導体層の電
気抵抗が高いため、発光層へ均一に電流を注入し、充分
な発光を得るためである。透光性電極がｐ型コンタクト
層のエッジ部分まで形成されることにより有効発光部分
が半導体積層部の側面まで達する。その結果、側面から
の強い発光が得られる。透光性電極としては、例えばコ
バルトと金を含んでなる合金を用いることができる。コ
バルトの一部をニッケル(Ni)、鉄(Fe)、銅(Cu)、クロム
(Cr)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、
アルミニウム(Al)、銀(Ag)のうち少なくとも一種の元素
で置換し、金の一部をパラジウム(Pd)、イリジウム(I
r)、白金(Pt)のうち少なくとも１種の元素で置換するこ
とも可能である。透光性電極は、第１電極層としてコバ
ルトを０．５〜１５ｎｍの膜厚でｐ型コンタクト層の上
に積層し、当該コバルト層の上に第２電極層として金を
３．５〜２５ｎｍの膜厚で積層する。その後、熱処理に
より両者を合金化させる。熱処理後において、ｐ型コン
タクト層の表面から深さ方向の元素分布は、CoよりもAu
が深く浸透した分布となる。ここに、熱処理は酸素を含
むガス中において行うことが好ましい。このとき、酸素
を含むガスとしては、O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、N
O2、又は、H2Oの少なくとも１種又はこれらの混合ガス
を用いることができる。又は、O2、O3、CO、CO2、NO、N
2O、NO2、又は、H2Oの少なくとも１種と不活性ガスとの
混合ガス、又は、O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、又
は、H2Oの混合ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いる
ことができる。要するに酸素を含むガスは、酸素原子、
酸素原子を有する分子のガスの意味である。熱処理時の
雰囲気の圧力は、熱処理温度において、窒化ガリウム系
化合物半導体が熱分解しない圧力以上であれば良い。酸
素を含むガスは、O2ガスだけを用いた場合には、窒化ガ
リウム系化合物半導体の分解圧以上の圧力で導入すれば
良く、他の不活性ガスと混合した状態で用いた場合に
は、全ガスを窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以上
の圧力とし、O2ガスは全ガスに対して１０-6程度以上の
割合を有しておれば十分である。要するに、酸素を含む
ガスは極微量存在すれば十分である。尚、酸素を含むガ
スの導入量の上限値は、ｐ型低抵抗化及び電極合金化の
特性からは、特に、制限されるものではない。要は、製
造が可能である範囲まで使用できる。熱処理に関して
は、最も望ましくは、５００〜６００℃である。５００
℃以上の温度で、抵抗率が完全に飽和した低抵抗のｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体を得ることができる。又、
６００℃以下の温度において、電極の合金化処理を良好
に行うことができる。又、望ましい温度範囲は、４５０
〜６５０℃である。詳しくは特願２０００−９２６１１
号（出願人整理番号：990472、代理人整理番号：P019
7）を参照されたい。
【００１０】ｐ型台座電極の形成材料も特に限定される
ものではないが、下側から第１金属層としてＶ層、第２
金属層としてＡｕ層及び第３金属層としてＡｌ層を順次
積層して台座電極材料層を構成し、これを加熱してｐ型
台座電極を形成することが好ましい第１金属層はその下
の層と強固に結合できるように、第２の金属層よりもイ
オン化ポテンシャルが低い元素とする。第２金属層はＡ
ｌ又はＡｕとのボンディング性が良好で、かつ透光性電
極と反応しない元素とし、第３金属層は保護膜と強固に
結合できる元素とすることが好ましい。望ましくは、第
１金属層の構成元素は、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、銅(C
u)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、マン
ガン(Mn)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)コバルト(Co)のう
ち少なくとも一種の元素であり、その膜厚は５〜３００
ｎｍである。望ましくは、第３金属層の構成元素は、ア
ルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)のうち少な
くとも一種の元素であり、その膜厚は１〜３０ｎｍであ
る。望ましくは、第２金属層の構成元素は金(Au)であ
り、その膜厚は３００〜５０００ｎｍである。ｎ型台座
電極はバナジウム（Ｖ）とアルミニウム（Ａｌ）とから
形成される。ｎ型台座電極を形成するために、ｎ型コン
タクト層が露出するまで半導体層は予めエッチングされ
ている。
ものではないが、下側から第１金属層としてＶ層、第２
金属層としてＡｕ層及び第３金属層としてＡｌ層を順次
積層して台座電極材料層を構成し、これを加熱してｐ型
台座電極を形成することが好ましい第１金属層はその下
の層と強固に結合できるように、第２の金属層よりもイ
オン化ポテンシャルが低い元素とする。第２金属層はＡ
ｌ又はＡｕとのボンディング性が良好で、かつ透光性電
極と反応しない元素とし、第３金属層は保護膜と強固に
結合できる元素とすることが好ましい。望ましくは、第
１金属層の構成元素は、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、銅(C
u)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、マン
ガン(Mn)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)コバルト(Co)のう
ち少なくとも一種の元素であり、その膜厚は５〜３００
ｎｍである。望ましくは、第３金属層の構成元素は、ア
ルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)のうち少な
くとも一種の元素であり、その膜厚は１〜３０ｎｍであ
る。望ましくは、第２金属層の構成元素は金(Au)であ
り、その膜厚は３００〜５０００ｎｍである。ｎ型台座
電極はバナジウム（Ｖ）とアルミニウム（Ａｌ）とから
形成される。ｎ型台座電極を形成するために、ｎ型コン
タクト層が露出するまで半導体層は予めエッチングされ
ている。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。
実施例は発光ダイオード１０であり、そのIII族窒化物
系化合物半導体層の構成を図１に示す。
実施例は発光ダイオード１０であり、そのIII族窒化物
系化合物半導体層の構成を図１に示す。
【００１２】 層 ： 組成：ドーパント （膜厚） ｐ型クラッド層 １５： ｐ−ＧａＮ:Ｍｇ （0.3μm） 発光層 １４ ： 超格子構造 量子井戸層 ： Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ （3.5nm) バリア層 ： ＧａＮ （3.5nm） 量子井戸層とバリア層の繰り返し数：1〜10 ｎ型クラッド層 １３ ： ｎ−ＧａＮ：Ｓｉ （4μm） ＡｌＮバッファ層 １２ ： ＡｌＮ （60nm） 基板 １１ ： サファイア（ａ面） （300μm）
【００１３】ｎ型クラッド層１３は発光層１４側の低電
子濃度ｎ-層とバッファ層１２側の高電子濃度ｎ＋層と
からなる２層構造とすることができる。後者はｎ型コン
タクト層と呼ばれる。発光層１４は超格子構造のものに
限定されない。発光素子の構成としてはシングルへテロ
型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用いる
ことができる。発光層１４とｐ型クラッド層１５との間
にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャ
ップの広いIII族窒化物系化合物半導体層を介在させる
こともできる。これは発光層１４中に注入された電子が
ｐ型クラッド層１５に拡散するのを防止するためであ
る。ｐ型クラッド層１５を発光層１４側の低ホール濃度
ｐ−層と電極側の高ホール濃度ｐ＋層とからなる２層構
造とすることができる。後者はｐ型コンタクト層と呼ば
れる。上記構成の発光ダイオードにおいて、各III族窒
化物系化合物半導体層は一般的な条件でＭＯＣＶＤを実
行して形成する。
子濃度ｎ-層とバッファ層１２側の高電子濃度ｎ＋層と
からなる２層構造とすることができる。後者はｎ型コン
タクト層と呼ばれる。発光層１４は超格子構造のものに
限定されない。発光素子の構成としてはシングルへテロ
型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用いる
ことができる。発光層１４とｐ型クラッド層１５との間
にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャ
ップの広いIII族窒化物系化合物半導体層を介在させる
こともできる。これは発光層１４中に注入された電子が
ｐ型クラッド層１５に拡散するのを防止するためであ
る。ｐ型クラッド層１５を発光層１４側の低ホール濃度
ｐ−層と電極側の高ホール濃度ｐ＋層とからなる２層構
造とすることができる。後者はｐ型コンタクト層と呼ば
れる。上記構成の発光ダイオードにおいて、各III族窒
化物系化合物半導体層は一般的な条件でＭＯＣＶＤを実
行して形成する。
【００１４】次に、図２に示すように紫外線による清浄
化処理を含む一連の工程により電極を形成し、更にウエ
ハからチップを分離する。なお、清浄化処理は少なくと
も一度実行されればよい。まずステップ１でメタルマス
ク（Ｎｉ/Ｔｉ/ＳｉＯ２の積層膜）をウエハの全面に形
成し、その上にフォトレジストを積層しパターニングす
る（ステップ３）。パターニングによりｎ台座電極形成
面に対応する部分のレジスト層に窓が形成される。その
後、ウエハを取り出して、これへ図３に示すように紫外
線ランプユニット（ウシオ電機（株）製のエキシマラン
プ、型番：ＵＥＲ２０−１７２）により紫外線を照射
し、もって紫外線アッシング（清浄化処理）を行う（ス
テップ５）。紫外線照射条件は次の通りであった（な
お、以降のステップにおける紫外線照射条件も同じであ
る。各紫外線アッシング工程において紫外線照射条件を
変化させることもできる。） 紫外線中心波長 ： １７２ｎｍ 半値幅 ： １４ｎｍ 放射照度 ： １０ｍＷ／ｃｍ２ 照射距離 ： ２ｍｍ 照射時間 ： ２分
化処理を含む一連の工程により電極を形成し、更にウエ
ハからチップを分離する。なお、清浄化処理は少なくと
も一度実行されればよい。まずステップ１でメタルマス
ク（Ｎｉ/Ｔｉ/ＳｉＯ２の積層膜）をウエハの全面に形
成し、その上にフォトレジストを積層しパターニングす
る（ステップ３）。パターニングによりｎ台座電極形成
面に対応する部分のレジスト層に窓が形成される。その
後、ウエハを取り出して、これへ図３に示すように紫外
線ランプユニット（ウシオ電機（株）製のエキシマラン
プ、型番：ＵＥＲ２０−１７２）により紫外線を照射
し、もって紫外線アッシング（清浄化処理）を行う（ス
テップ５）。紫外線照射条件は次の通りであった（な
お、以降のステップにおける紫外線照射条件も同じであ
る。各紫外線アッシング工程において紫外線照射条件を
変化させることもできる。） 紫外線中心波長 ： １７２ｎｍ 半値幅 ： １４ｎｍ 放射照度 ： １０ｍＷ／ｃｍ２ 照射距離 ： ２ｍｍ 照射時間 ： ２分
【００１５】かかる紫外線照射を行うと、式２に示すよ
うに
うに
【化３】 紫外線によりレジスト残渣などの有機系汚染物の分子鎖
が切断される。そして、切断された有機系汚染物は励起
酸素原子によりＣＯ、ＣＯ２、Ｈ２Ｏまで酸化分解され
てウエハ表面から飛散する。このとき、図４に示すよう
に、紫外線によりレジストそのものの表面も浸食される
こととなるが、このレジストはいずれ除去されるもので
あり発光素子の特性に何ら影響することはない。
が切断される。そして、切断された有機系汚染物は励起
酸素原子によりＣＯ、ＣＯ２、Ｈ２Ｏまで酸化分解され
てウエハ表面から飛散する。このとき、図４に示すよう
に、紫外線によりレジストそのものの表面も浸食される
こととなるが、このレジストはいずれ除去されるもので
あり発光素子の特性に何ら影響することはない。
【００１６】ステップ７ではパターニングされたフォト
レジストを用いてメタルマスクをエッチングしｎ型台座
電極形成面に対応する部分のメタルマスクに窓を開け
る。その後フォトレジストを除去する。次に、ステップ
９において反応性イオンエッチングを実行してｐクラッ
ド層１５、発光層１４及びｎクラッド層１３の一部を除
去してｎ型台座電極形成面２５（図５参照）を形成す
る。その後、メタルマスクをエッチング（ウエット）に
より除去する(ステップ１１）。
レジストを用いてメタルマスクをエッチングしｎ型台座
電極形成面に対応する部分のメタルマスクに窓を開け
る。その後フォトレジストを除去する。次に、ステップ
９において反応性イオンエッチングを実行してｐクラッ
ド層１５、発光層１４及びｎクラッド層１３の一部を除
去してｎ型台座電極形成面２５（図５参照）を形成す
る。その後、メタルマスクをエッチング（ウエット）に
より除去する(ステップ１１）。
【００１７】ステップ１３において再度紫外線アッシン
グを行い、ウエハ表面の汚染物等を除去する。ステップ
１５ではウエハの全面に透光性電極材料を蒸着する。こ
の実施例では透光性電極材料としてＣｏ（コバルト）層
（１．５ｎｍ）とＡｕ（金）層（６ｎｍ）を順次積層し
た。ステップ１７では蒸着された透光性電極材料の上に
フォトレジストを積層してフォトリソグラフィを実行す
る。そしてステップ１９において透光性電極材料をパタ
ーニングする。その後、有機溶剤処理によりレジストを
除去（ステップ１９１）し、表面に僅かに残ったレジス
ト残渣を紫外線アッシングにより除去する。
グを行い、ウエハ表面の汚染物等を除去する。ステップ
１５ではウエハの全面に透光性電極材料を蒸着する。こ
の実施例では透光性電極材料としてＣｏ（コバルト）層
（１．５ｎｍ）とＡｕ（金）層（６ｎｍ）を順次積層し
た。ステップ１７では蒸着された透光性電極材料の上に
フォトレジストを積層してフォトリソグラフィを実行す
る。そしてステップ１９において透光性電極材料をパタ
ーニングする。その後、有機溶剤処理によりレジストを
除去（ステップ１９１）し、表面に僅かに残ったレジス
ト残渣を紫外線アッシングにより除去する。
【００１８】ステップ２１ではｐ型台座電極を形成する
部分に窓があくようにフォトレレジスト積層及びフォト
リソグラフィを実行する。そして、ステップ２５におい
てｐ型台座電極形成材料としてＶ（バナジウム）層（１
７．５ｎｍ）、Ａｕ層（１．５μｍ）及びＡｌ（アルミ
ニウム）層（１０ｎｍ）を順次蒸着積層する。ステップ
２７においてレジストを除去し、ｐ型台座電極１７（こ
の状態では上の材料の積層体）をリフトオフ法により形
成する。その後、ステップ２７１において再度紫外線に
よりアッシングを実行する。
部分に窓があくようにフォトレレジスト積層及びフォト
リソグラフィを実行する。そして、ステップ２５におい
てｐ型台座電極形成材料としてＶ（バナジウム）層（１
７．５ｎｍ）、Ａｕ層（１．５μｍ）及びＡｌ（アルミ
ニウム）層（１０ｎｍ）を順次蒸着積層する。ステップ
２７においてレジストを除去し、ｐ型台座電極１７（こ
の状態では上の材料の積層体）をリフトオフ法により形
成する。その後、ステップ２７１において再度紫外線に
よりアッシングを実行する。
【００１９】ステップ２９ではｎ型台座電極を形成する
部分に窓があくようにフォトレレジスト積層及びフォト
リソグラフィを実行する。そして、ステップ３３におい
てｎ型台座電極形成材料としてＶ（バナジウム）層（１
８ｎｍ）及びＡｌ（アルミニウム）層（２μｍ）を順次
蒸着積層する。ステップ３５においてレジストを除去
し、ｎ型台座電極１８（この状態では上の材料の積層
体）をリフトオフ法により形成する。その後、ステップ
３７において再度紫外線によりアッシングを実行する。
部分に窓があくようにフォトレレジスト積層及びフォト
リソグラフィを実行する。そして、ステップ３３におい
てｎ型台座電極形成材料としてＶ（バナジウム）層（１
８ｎｍ）及びＡｌ（アルミニウム）層（２μｍ）を順次
蒸着積層する。ステップ３５においてレジストを除去
し、ｎ型台座電極１８（この状態では上の材料の積層
体）をリフトオフ法により形成する。その後、ステップ
３７において再度紫外線によりアッシングを実行する。
【００２０】ステップ３９では上記のようにして得られ
たウエハを加熱炉に入れ、炉内を１Ｐａ以下にまで排気
し、その後１０数ＰａまでＯ２を供給する。そして、そ
の状態で炉の温度を５５０℃に設定して、４分間程度、
熱処理する。これにより、透光性電極１６とｐ型台座電
極１７の合金化、ｎ型台座電極１８の合金化及びそれら
とｐ型半導体、ｎ型半導体とのオーミック接合が形成さ
れる。その後、ステップ４１において、ＣＤＶ法により
ＳｉＯ２保護膜がウエハの全体に形成される。ステップ
４３では保護膜の上にフォトレジスト層が形成され、さ
らにフォトリソグラフィが実行される。ステップ４５で
はステップ４３でレジスト層にあけられた窓を介して保
護膜をドライエッチングし、更にレジスト層を除去す
る。
たウエハを加熱炉に入れ、炉内を１Ｐａ以下にまで排気
し、その後１０数ＰａまでＯ２を供給する。そして、そ
の状態で炉の温度を５５０℃に設定して、４分間程度、
熱処理する。これにより、透光性電極１６とｐ型台座電
極１７の合金化、ｎ型台座電極１８の合金化及びそれら
とｐ型半導体、ｎ型半導体とのオーミック接合が形成さ
れる。その後、ステップ４１において、ＣＤＶ法により
ＳｉＯ２保護膜がウエハの全体に形成される。ステップ
４３では保護膜の上にフォトレジスト層が形成され、さ
らにフォトリソグラフィが実行される。ステップ４５で
はステップ４３でレジスト層にあけられた窓を介して保
護膜をドライエッチングし、更にレジスト層を除去す
る。
【００２１】ステップ４７ではウエハを常法により図５
に示すチップ毎に切り分け、以降の特性測定（ステップ
４９）、配列（ステップ５１）及び外観検査（ステップ
５３）に進む。なお、チップ分離ステップ４７以降にお
いてもチップに紫外線を照射して清浄化処理を実行する
ことが好ましい。ｐ型ＧａＮ層は比較的抵抗が高くその
ためチャージアップしやすい。その結果、ｐ型台座電極
１７やｎ型台座電極１８の表面に極性をもった有機系汚
染物が付着する惧れがある。当該清浄化処理を実行する
ことによりかかる汚染物が酸化除去され、その結果ボー
ルボンディングの信頼性が向上することとなる。
に示すチップ毎に切り分け、以降の特性測定（ステップ
４９）、配列（ステップ５１）及び外観検査（ステップ
５３）に進む。なお、チップ分離ステップ４７以降にお
いてもチップに紫外線を照射して清浄化処理を実行する
ことが好ましい。ｐ型ＧａＮ層は比較的抵抗が高くその
ためチャージアップしやすい。その結果、ｐ型台座電極
１７やｎ型台座電極１８の表面に極性をもった有機系汚
染物が付着する惧れがある。当該清浄化処理を実行する
ことによりかかる汚染物が酸化除去され、その結果ボー
ルボンディングの信頼性が向上することとなる。
【００２２】この実施例を実行するときの発光素子製造
の歩留まりは９５％である。これに対し、実施例におけ
る紫外線清浄化処理を従来の薬液処理としたときの発光
素子製造の歩留まりは８５％であった。
の歩留まりは９５％である。これに対し、実施例におけ
る紫外線清浄化処理を従来の薬液処理としたときの発光
素子製造の歩留まりは８５％であった。
【００２３】以上、III族窒化物系化合物半導体からな
る素子を例に採り説明をしてきたが、III族窒化物系化
合物半導体以外の半導体からなる素子についても本発明
の清浄化処理方法が適用できる。
る素子を例に採り説明をしてきたが、III族窒化物系化
合物半導体以外の半導体からなる素子についても本発明
の清浄化処理方法が適用できる。
【００２４】この発明は、上記発明の実施の形態及び実
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
【００２５】以下、次の事項を開示する。 １１ ｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層上へ電極を
形成する際に紫外線による清浄化処理工程が施されてい
る、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素
子。 １２ ウエハから分離された後に紫外線による清浄化処
理工程が施されている、ことを特徴とするIII族窒化物
系化合物半導体素子。 １３ 前記紫外線の中心波長は１７２ｎｍである、こと
を特徴とする１１又は１２に記載のIII族窒化物系化合
物半導体素子。 １４ 前記紫外線はエキシマランプから放出されたもの
である、ことを特徴とする１１又は１２に記載のIII族
窒化物系化合物半導体素子。 １５ 発光素子若しくは受光素子である、ことを特徴と
する１１〜１４のいずれかに記載のIII族窒化物系化合
物半導体素子。 ２１ ウエハ表面に紫外線を照射して該ウエハ表面を清
浄化処理する工程を含む、ことを特徴とする半導体素子
の製造方法。 ２２ 前記紫外線は１７２ｎｍの中心波長を有する、こ
とを特徴とする２１に記載の半導体素子の製造方法。 ２３ 前記紫外線はエキシマランプから放出されたもの
である、ことを特徴とする２１に記載のIII族窒化物系
化合物半導体素子の製造方法。 ２４ 前記清浄化処理工程はp型半導体層上において行
われる、ことを特徴とする２１〜２３のいずれかに記載
の半導体素子の製造方法。 ２５ p型の半導体層上に電極を有する半導体素子に対
して前記電極の形成前及び／又は形成後に紫外線を照射
する、ことを特徴する清浄化処理方法。 ２６ 前記紫外線は１７２ｎｍの中心波長を有する、こ
とを特徴とする２５に記載の清浄化処理方法。 ２７ 前記紫外線はエキシマランプから放出されたもの
である、ことを特徴とする２５に記載の清浄化処理方
法。 ２８ ウエハから分離した半導体素子に対して紫外線を
照射して清浄化処理する、ことを特徴とする半導体素子
の洗浄方法。 ２９ 前記紫外線は１７２ｎｍの中心波長を有する、こ
とを特徴とする２８に記載の洗浄方法。 ３０ 前記紫外線はエキシマランプから放出されたもの
である、ことを特徴とする２８に記載の洗浄方法。 ３１ ｐ型の半導体層上へ電極を形成する際に紫外線に
よる清浄化処理工程が施されている、ことを特徴とする
半導体素子。 ３２ ウエハから分離された後に紫外線による清浄化処
理工程が施されている、ことを特徴とする半導体素子。 ３３ 前記紫外線の中心波長は１７２ｎｍである、こと
を特徴とする３１又は３２に記載の半導体素子。 ３４ 前記紫外線はエキシマランプから放出されたもの
である、ことを特徴とする３１又は３２に記載の半導体
素子。 ３５ 発光素子若しくは受光素子である、ことを特徴と
する３１〜３４のいずれかに記載の半導体素子。
形成する際に紫外線による清浄化処理工程が施されてい
る、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素
子。 １２ ウエハから分離された後に紫外線による清浄化処
理工程が施されている、ことを特徴とするIII族窒化物
系化合物半導体素子。 １３ 前記紫外線の中心波長は１７２ｎｍである、こと
を特徴とする１１又は１２に記載のIII族窒化物系化合
物半導体素子。 １４ 前記紫外線はエキシマランプから放出されたもの
である、ことを特徴とする１１又は１２に記載のIII族
窒化物系化合物半導体素子。 １５ 発光素子若しくは受光素子である、ことを特徴と
する１１〜１４のいずれかに記載のIII族窒化物系化合
物半導体素子。 ２１ ウエハ表面に紫外線を照射して該ウエハ表面を清
浄化処理する工程を含む、ことを特徴とする半導体素子
の製造方法。 ２２ 前記紫外線は１７２ｎｍの中心波長を有する、こ
とを特徴とする２１に記載の半導体素子の製造方法。 ２３ 前記紫外線はエキシマランプから放出されたもの
である、ことを特徴とする２１に記載のIII族窒化物系
化合物半導体素子の製造方法。 ２４ 前記清浄化処理工程はp型半導体層上において行
われる、ことを特徴とする２１〜２３のいずれかに記載
の半導体素子の製造方法。 ２５ p型の半導体層上に電極を有する半導体素子に対
して前記電極の形成前及び／又は形成後に紫外線を照射
する、ことを特徴する清浄化処理方法。 ２６ 前記紫外線は１７２ｎｍの中心波長を有する、こ
とを特徴とする２５に記載の清浄化処理方法。 ２７ 前記紫外線はエキシマランプから放出されたもの
である、ことを特徴とする２５に記載の清浄化処理方
法。 ２８ ウエハから分離した半導体素子に対して紫外線を
照射して清浄化処理する、ことを特徴とする半導体素子
の洗浄方法。 ２９ 前記紫外線は１７２ｎｍの中心波長を有する、こ
とを特徴とする２８に記載の洗浄方法。 ３０ 前記紫外線はエキシマランプから放出されたもの
である、ことを特徴とする２８に記載の洗浄方法。 ３１ ｐ型の半導体層上へ電極を形成する際に紫外線に
よる清浄化処理工程が施されている、ことを特徴とする
半導体素子。 ３２ ウエハから分離された後に紫外線による清浄化処
理工程が施されている、ことを特徴とする半導体素子。 ３３ 前記紫外線の中心波長は１７２ｎｍである、こと
を特徴とする３１又は３２に記載の半導体素子。 ３４ 前記紫外線はエキシマランプから放出されたもの
である、ことを特徴とする３１又は３２に記載の半導体
素子。 ３５ 発光素子若しくは受光素子である、ことを特徴と
する３１〜３４のいずれかに記載の半導体素子。
【図１】図１はこの発明の実施例の発光素子のIII族窒
化物系化合物半導体層の構成を示す断面図である。
化物系化合物半導体層の構成を示す断面図である。
【図２】図２は実施例の発光素子の製造工程を示す。
【図３】図３は実施例の紫外線ランプユニットを示す。
【図４】図４はレジスト残渣に対する清浄化処理作用を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図５】図５は実施例の発光素子を示す。
１０ 発光素子 １３ ｎ型クラッド層 １４ 発光層 １５ ｐ型クラッド層 １６ 透光性電極 １７ ｐ型台座電極 １８ ｎ型台座電極 ２５ ｎ型台座電極形成面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年９月３日（２００１．９．３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】レジスト残渣などの有機系の汚染物を素子
から酸化除去できるだけのエネルギーがあれば、紫外線
の波長は特に制限されるものではない。現在使用できる
紫外線源として低圧水銀ランプとエキシマランプがあ
る。低圧水銀ランプから放出される波長１８５ｎｍと波
長２５４ｎｍの紫外線により次のような反応が生じて清
浄化処理が実行されるものと考えられる。
から酸化除去できるだけのエネルギーがあれば、紫外線
の波長は特に制限されるものではない。現在使用できる
紫外線源として低圧水銀ランプとエキシマランプがあ
る。低圧水銀ランプから放出される波長１８５ｎｍと波
長２５４ｎｍの紫外線により次のような反応が生じて清
浄化処理が実行されるものと考えられる。
【化１】 また、エキシマランプから放出されるピーク波長１７２
ｎｍの紫外線により次のような反応が生じて清浄化処理
が実行されるものと考えられる。
ｎｍの紫外線により次のような反応が生じて清浄化処理
が実行されるものと考えられる。
【化２】 上記においてＯ（１Ｄ）は励起酸素原子であって強い酸
化力を有している。一方紫外線は有機系汚染物（ＣｘＨ
ｙＯｚ）の分子鎖を切断する。そして切断された有機系
汚染物に励起酸素原子が作用してこれをＣＯ、ＣＯ２及
びＨ２Ｏまで酸化し、表面から飛散させる。なお、低圧
水銀ランプ及びエキシマランプとして例えばウシオ電機
（株）の提供するものを使用することができる。
化力を有している。一方紫外線は有機系汚染物（ＣｘＨ
ｙＯｚ）の分子鎖を切断する。そして切断された有機系
汚染物に励起酸素原子が作用してこれをＣＯ、ＣＯ２及
びＨ２Ｏまで酸化し、表面から飛散させる。なお、低圧
水銀ランプ及びエキシマランプとして例えばウシオ電機
（株）の提供するものを使用することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】かかる紫外線照射を行うと、式２に示すよ
うに
うに
【化３】 紫外線によりレジスト残渣などの有機系汚染物の分子鎖
が切断される。そして、切断された有機系汚染物は励起
酸素原子によりＣＯ、ＣＯ２、Ｈ２Ｏまで酸化分解され
てウエハ表面から飛散する。このとき、図４に示すよう
に、紫外線によりレジストそのものの表面も浸食される
こととなるが、このレジストはいずれ除去されるもので
あり発光素子の特性に何ら影響することはない。
が切断される。そして、切断された有機系汚染物は励起
酸素原子によりＣＯ、ＣＯ２、Ｈ２Ｏまで酸化分解され
てウエハ表面から飛散する。このとき、図４に示すよう
に、紫外線によりレジストそのものの表面も浸食される
こととなるが、このレジストはいずれ除去されるもので
あり発光素子の特性に何ら影響することはない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA09 AA14 BA19 BB04 BB05 BD01 DB19 DB26 5F041 AA05 AA31 AA44 CA04 CA05 CA34 CA40 CA46 CA77 CA88 5F046 MA13 5F049 MA02 MB07 NA08 PA20 5F073 AA74 CA07 CB05 CB07 DA35
Claims (10)
- 【請求項１】 ウエハ表面に紫外線を照射して該ウエハ
表面を清浄化処理する工程を含む、ことを特徴とするII
I族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記紫外線は１７２ｎｍの中心波長を有
する、ことを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物
系化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記紫外線はエキシマランプから放出さ
れたものである、ことを特徴とする請求項１に記載のII
I族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記清浄化処理工程はp型半導体層上に
おいて行われる、ことを特徴とする請求項１〜３のいず
れかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方
法。 - 【請求項５】 p型のIII族窒化物系化合物半導体層上に
電極を有するIII族窒化物系化合物半導体素子に対して
前記電極の形成前及び／又は形成後に紫外線を照射す
る、ことを特徴する清浄化処理方法。 - 【請求項６】 前記紫外線は１７２ｎｍの中心波長を有
する、ことを特徴とする請求項５に記載の清浄化処理方
法。 - 【請求項７】 前記紫外線はエキシマランプから放出さ
れたものである、ことを特徴とする請求項５に記載の清
浄化処理方法。 - 【請求項８】 ウエハから分離したIII族窒化物系化合
物半導体素子に対して紫外線を照射して清浄化処理す
る、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子
の洗浄方法。 - 【請求項９】 前記紫外線は１７２ｎｍの中心波長を有
する、ことを特徴とする請求項８に記載の洗浄方法。 - 【請求項１０】 前記紫外線はエキシマランプから放出
されたものである、ことを特徴とする請求項８に記載の
洗浄方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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