WO2001064611A1

WO2001064611A1 - Polyacene derivatives and production thereof

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Publication number: WO2001064611A1
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Description

明細書ポリアセン誘導体及びその製造方法技術分野

本発明は、ポリアセン誘導体及びその製造方法に関する。背景技術

有機導電材料としてポリアセチレン、ポリピロール、ポリアリレンビニレン、ポリチェ二レンビニレンなどの共役系高分子に電子供与性分子または電子受容性分子をドーピングすることによつて導電材料が得られることが知られている。またテトラチアフルバレン、ビスエチレンジチォテトラチアフルバレンなどの電子供与性分子とテトラシァノキノジメタン、テトラシァノエチレンなどの電子受容性分子の組合せによる電荷移動錯体が導電性を示すことも知られている。これらの有機導電材料中には高い電導度を有するものもあるが薄膜を形成することが難しく、また、これらの導電材料は大気中で酸化しやすいため安定性に問題があった。

また、アントラセン、ナフ夕セン、ペン夕セン等のポリアセンのような縮合多環芳香族化合物も共役系高分子であるため、電子供与性分子または電子受容性分子をドーピングすることによって導電性を示すことが知られており、電子材料として用いることが期待されている。また、ポリアセンは、縮合しているベンゼン環の数が増加するにつれて、理論的には、 H O M Oと L UM Oのバンドギャップが減少するので、導電性が増大することが期待される。従って、ド —パントの濃度が小さくても、十分な導電性を示す可能性がある。

しかし、ポリアセンのような縮合多環芳香族化合物は、置換基が導入されていない場合、溶解度が非常に悪く、ほとんど不溶である。このため、このような縮合多環芳香族化合物を使用する合成方法も限られており、また、その加工は極めて困難であった。このため、縮合多環芳香族化合物の側鎖に、置換基を導入することにより溶解度を飛躍的に改善し、しかも合成や加工が容易になるポリアセンを得ることが望まれていた。特に、縮合しているベンゼン環の数を置換基を導入しながら順次、増加する合成方法は知られていなかった。

従来、アントラセン、ナフタセン、ペン夕セン等のポリアセンの任意の位置に任意の置換基を導入する手法としては、 Diels- Alder反応に限られていた。たとえば、 Harold Hart et. al, 「デカメチルアントラセン及びその 9， 1 0—テワール異性体」 (Decame thy 1 anthracene and i ts 10-' Dewar' Isomer) , テトラヒドロン · レター、 No. 36, pp 3143- 3146には、デカメチルアントラセンの製造方法が記載されている。この製造方法では、 Diel s-Alder反応を応用してメチル基をアントラセンに導入していた。同様に、 Tet rahedron Vol. 43, No. 22, 5 4 0 3ページから 5 2 1 4ページにも Diels-Alder反応を応用してメチル基等をポリアセンに導入していた。

Diel s - Alder反応では、側鎖に導入することができる置換基が限られていた。また、側鎖に導入することができる炭素原子についても自由度が限られていた。更に、 Die l s-Alder反応では、縮合しているベンゼン環の数を順次、増加することはできない。 ]) iel s- Alder反応では、ターゲットとなる化合物の個別の構造を考慮して、個々に合成スキームを検討することが求められる。

また、特開平 4一 3 3 5 0 8 7号公報、特開平 6— 1 6 7 8 0 7号公報、特開平 6— 3 3 0 0 3 2号公報、特開平 1 0— 3 6 8 3 2号公報には、置換基を有するナフタセンが開示されており、特開平 1 1— 3 5 4 2 7 7号公報には、置換基を有するペン夕センが開示されている。しかしながら、これらはいずれも古典的な合成方法に基づいて合成されており、導入できる置換基や導入できる部位が限られていた。また、縮合しているベンゼン環の数を置換基を導入しながら順次、増加する合成方法についての開示はなかった。発明の開示

本発明の一側面では、ポリアセンの任意の炭素原子に任意の置換基を導入することにより、溶解度を向上させることを目的とする。また、ポリアセンの側鎖に置換基を導入することにより、溶解度を向上させることができる他、所望の置換基を導入することによって、更なる合成が容易になるため、ポリアセンの側鎖を様々に修飾することができる。これによつて、ポリアセンの側鎖に置換基を導入しながら、縮合している芳香族環の数を順次、増大することができる。

なお、 K. P. C. Vollhardt et al. , Journal of American Chemical Society 1985, 107, 5670には、 1 , 2—ジェチニル（ethynyl)ベンゼンに、シクロペンタジェ二ルビスカルポニルコバルト等の触媒存在下、 1， 2—ビス（トリメチルシリル）アセチレンを反応させ、ベンゼンに縮合する 4員環及びこの 4員環に縮合するベンゼン環という二つの環を同時に形成する反応が記載されている。即ち、当初から存在しているベンゼン環を考慮すると、 3員環が生成することになる。この 3員環には、二つのトリメチルシリル基がオルト位に存在しているので、これに塩素化ョ一ド（I C 1 ) を反応させ、次いで、塩基性下、パラジウム触媒の存在下、トリメチルシリルアセチレンを反応させることが記載されている。このように同様の反応を繰り返すことにより、縮合環の数が二つずつ増大させるスキームが記載されている。

本発明の一側面では、下記式（I ) で示されることを特徴とするポリアセン誘導体が提供される。

(式中、 R R²、 R³、 R R⁵、 R⁶、 R⁷、 R R⁹及び R^1Dは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい〜C₄₍₎炭化水素基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Dァリールォキシ基；置換基を有していてもよいァミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R⁶及び R⁷は、互いに架橋して C₄〜C₄₍₎飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式一 N (R¹¹) 一で示される基（式中、 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく；

A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい C】〜C_4D炭化水素基；置換基を有していてもよい (^〜0₄₍₎アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C₄₍₎ァリ —ルォキシ基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qアルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₂〜C_4Dアルコキシカルボニル基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qァリールォキシカルボニル基；シァノ基（― CN) ；カルバモイル基（一 C (=0) NH₂) ；ハロホルミル基（― C ( = 0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（一 C (==〇）一 H) ；イソシァノ基；イソシアナト基；チオシアナト基又はチォイソシアナト基であり、但し、 A¹及び A²は、互いに架橋して、式— C (=0) -B-C ( = 0) 一で示される環を形成してもよく（式中、 Bは、酸素原子又は式—N (B¹) —で示される基（式中、 B¹は、水素原子、（^〜(：₄₍₎炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である）、

nは、 1以上の整数である、

但し、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R'° A¹及び A²が全て水素原子である塲合を除き、

nが 1である場合には、

少なくとも R R R⁴及び R⁹が水素原子以外の基であるか、又は少なくとも R³、 R⁵、 R⁸及び R^1Dが水素原子以外の基であり、

かつ、以下の（a) 、 (b) 、 (c) 及び（d) の場合を除き、

(a) R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^lfl、 A¹及び A²が全てメチル基である場合、

(b) R³、 R⁴、 R⁹及び R^lflが全て置換基を有していてもよいァリール基である場合、

(c) R'、 R²、 R⁴及び R⁹が全てアルコキシ基又はァリ一ルォキシ基であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R¹⁰, A¹及び A²が全て水素原子である場合、

(d) R³、 R⁵、 R⁸及び R^1Dが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり

、かつ、 R R²、 R⁴、 R⁶、 R⁷、 R⁹、 A¹及び A²が全て水素原子である場合また、 nが 2である場合には、以下の（a' ) , (b' ) 、（c ' ) 及び（ d' ) の場合を除く。

(a' ) 下記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体であって、

R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^1D、 A¹及び A²が全てメチル基である、又は、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R^1Dが全て水素原子であり、かつ、 R⁶、 R⁷、 A¹及び A²の 1つ以上がァリール基である、又は、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹ 、 R^lfl、 A¹及び A²の 1つ以上がジァリールアミン基である場合、

(b' ) 下記式（I b) で示されるペン夕セン誘導体であって、

RK R²、 R^5b及び R^8bが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である場合

(c ' ) 下記式（I c) で示されるペン夕セン誘導体であって、

(|_C)

RK R^5a、 R^8a及び R^1Dの 2つ以上がァリール基又はァリールアルキニル基であるか、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Qの 1つ以上がァリールアルケニル基であるか、又は、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Dが全てァルコキシ基又はァリールォキシ基である

¾口ゝ (d' ) 下記式（I d) で示されるペンタセン誘導体であって、

R⁴及び R⁹が水素原子、炭化水素基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ハロゲン原子又は水酸基である場合。）

本発明の一側面において、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹ ^D、 A¹及び A²の 5つ以上が、水素原子以外の基であることが好ましく、 R R ²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R'° A¹及び A²の 6つ以上が水素原子以外の基であることが更に好ましい。

また、前記ポリアセン誘導体が、下記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体であり、

(式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5A、 R^{5 B}、 R⁶、 R⁷、 R^{8 A}、 R^{8 B}、 R⁹及び R ^1Dは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい〜；)炭化水素基；置換基を有していてもよい C^C アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R⁶及び R⁷は、互いに架橋して C₄〜C_4D飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式— N (R" ) 一で示される基（式中、 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく；

A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい (^〜（ ₄₍₎炭化水素基；置換基を有していてもよい（^〜（：₄„アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qアルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい c₂〜c₄₍₎アルコキシカルボニル基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Dァリールォキシカルポニル基；シァノ基（― CN) ；カルバモイル基（一 C (=〇） NH₂) ；ハロホルミル基（― C (=0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。 ) ；ホルミル基（一 C (=0) ― H) ；イソシァノ基；イソシアナト基；チオシアナト基又はチォイソシアナ卜基であり、但し、 A¹及び A²は、互いに架橋して、式一 C (=0) -B-C ( =〇）一で示される環を形成してもよい（式中、 Bは、酸素原子又は式一 N (B¹) 一で示される基（式中、 B¹は、水素原子、（^〜（：₄₍₎炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である）。 )

R!、 R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A² の 5つ以上が、水素原子以外の基であることが好ましく、また、 R R²、 R³ 、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 RK R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²のうち 6つ以上力水素原子以外の基であることが更に好ましく、更に好ましくは R R²、： ³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²のうち 7っ以上であり、更に好ましくは R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R ^8b、 R⁹、 R^1D、 A¹及び A²のうち 8つ以上であり、更に好ましくは R R²、 R³ 、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²のうち 9つ以上であり、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹ 及び A²の 1 0以上が、水素原子以外の基であることが更にまた好ましい。

本発明の一側面において、 R¹及び R²、 R³及び R^lfl、 R⁴及び R⁹、 R⁵及び R⁸ 、 R⁶及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基であることが好ましく、本発明の一側面において、前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合は、 R¹及び R²、 R³及び R^1Q、 R⁴及び R⁹、 R^5a及び R^8a、 R^5b及び R^8b、 R⁶及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基であることが好ましい。

本発明の一側面において、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R R⁹及び R^1Dの何れかが、置換基を有していてもよい（^〜（：炭化水素基；置換基を有していてもよい (：。アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C₄₀ァリールォキシ基であることが好ましく、本発明の一側面において、前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合は、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R ¹⁰の何れかが、置換基を有していてもよい〜 ^炭化水素基；置換基を有していてもよい〜C₄。アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Dァリールォキシ基であることが好ましい。

本発明の一側面において、 nが 1である場合に、 A¹及び A²がアルコキシ力ルポニル基であり、かつ、 R'、 R²、 R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよく、また、 nが 1である場合に、 A A²、 R R²、 R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよく、また、 nが 1である場合に、 A¹ 及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸及び R^lflがァルキル基又はァリール基であってもよい。

本発明の一側面において、前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A¹及び A²がアルコキシカルポニル基であり、かつ、 R R²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^{8 b}、 R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよく、また、前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A A²、 R R²、 R⁴、 R^5b、 R⁶ 、 R⁷、 R^{8 b}、 R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよく、また、前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R^{5 a}、 "及び ^{1 ()}がァルキル基又はァリール基であってもよい。

本発明の他の側面では、下記式（ I ) で示されるポリアセン誘導体の製造方法であって、

(式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R R⁹及び R^1Dは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい〜C₄。炭化水素基；置換基を有していてもよい〜（：₄₍₎アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Dァリールォキシ基；置換基を有していてもよいァミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R⁶及び R⁷は、互いに架橋して C₄〜C_4Q飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式 _N (R¹¹) 一で示される基（式中、 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく；

A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい (^〜炭化水素基；置換基を有していてもよい〜。アルコキシ基；置換基を有していてもよい c₆〜c₄。ァリールォキシ基；置換基を有していてもよい c₇〜c₄„アルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい c₂〜c_4flアルコキシ力ルポニル基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qァリールォキシカルポニル基；シァノ基（_CN) ；カルバモイル基（一 C (=0) NH₂) ；ハロホルミル基（― C (=0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（― C ( = 0) 一 H) ；イソシァノ基；イソシアナト基；チオシアナト基又はチォイソシアナト基であり、伹し、 A¹及び A²は、互いに架橋して、式— C (=0) -B-C (=〇） —で示される環を形成してもよく（式中、 Bは、酸素原子又は式一 N (B¹) 一で示される基（式中、 B¹は、水素原子、（^〜(：^炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である）、

nは、 1以上の整数である。）

下記式（I I ) で示される炭化水素縮合環を

(式中、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰、 A A²及び nは、上記の意味を有する。

下記式に示される結合は、単結合又は 2重結合を示す。但し、単結合の場合には、 R⁵、 R⁶、 R⁷及び R⁸に直接結合している炭素原子には、更に水素原子が直接結合している。）

脱水素試薬の存在下、芳香族化することを特徴とするポリアセン誘導体の製造方法が提供される。

本発明の一実施態様では、記脱水素試薬がリチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せであり、まず、前記炭化水素縮合環にリチウム化剤を添加し、ついで、脱リチウム試薬を添加することが好ましい。また、前記リチウム化剤がアルキルリチウムであり、前記脱リチウム試薬がハロゲン化アルキルであることが好ましい。

本発明の他の実施態様では、前記脱水素試薬が、下記式（I I I) で示される化合物であることが好ましい。

(式中、 X¹、 X²、 X³及び X⁴は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なつて、ハロゲン原子又はシァノ基である。）

本発明の他の実施態様では、前記脱水素試薬が、パラジウムを含むことが好ましい。

また、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁽⁾、 A¹及び A²の 5つ以上が、水素原子以外の基であることが好ましく、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R R⁶、 R⁷、 R\ RK R^lfl、 A¹及び A²の 6つ以上が、水素原子以外の基であることが更に好ましい。

あるいは、前記ポリアセン誘導体が、下記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体であり、

(式中、 R)、 R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 Rⁱ⁰、 A¹ 及び A²は、上記の意味を有する。）

R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R\ R¹⁰、 A¹及び A² の 5つ以上が、水素原子以外の基であることが好ましい。また、 R R'²、 R³ 、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R'。、 A¹及び A²の 6つ以上が、水素原子以外の基であることが更に好ましく、更に好ましくは R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²のうち 7つ以上であり、更に好ましくは R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R K R^1Q、 A¹及び A²のうち 8つ以上であり、更に好ましくは R R²、 R³、 R⁴ 、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R R^l A¹及び A²のうち 9つ以上であり、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R ¹⁰、 A¹及び A²の 1 0以上が、水素原子以外の基であることが更になお好ましい。

あるいは、 R¹及び R²、 R³及び R^1D、 R⁴及び R⁹、 R⁵及び R⁸、 R⁶及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基であることが好ましく、本発明の他の側面において、前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合は、 R¹及び R²、 R³及び R^1Q、 R⁴及び R⁹、 R ^5a及び R^8a、 R^5b及び R^8b、 R⁶及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基であることが好ましい。

あるいは、 ¹、 R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹及び R ^lflの何れかが、置換基を有していてもよい (^〜(：^炭化水素基；置換基を有していてもよい C ,〜(：_4(]アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Dァリールォキシ基であることが好ましく、本発明の一側面において、前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合は、 R R²、 RK R⁴ 、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R ^1Qの何れかが、置換基を有していてもよい (^〜（：₄。炭化水素基；置換基を有していてもよい C,〜C₄。アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C₄₍₎ァリ一ルォキシ基であることが好ましい。

また、上記式（ I ) 中、 R R²、 R³、 R R⁵、 R⁶、 R⁷、 R R⁹、 R¹⁰ 、 A¹及び A²が全て水素原子である場合を除かれていてもよい。

また、上記式（ I ) 中、 nが 1である場合には、少なくとも R R²、 R⁴ 及び R⁹が水素原子以外の基であるか、又は少なくとも R³、 R R⁸及び R^iD が水素原子以外の基であり、かつ、以下の（a) 、 (b) 、 (c) 及び（d) の場合を除かれていてもよい。

(a) R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1D、 A¹及び A²が全てメチル基である場合、

(b) R³、 R⁴、 R⁹及び R^1Dが全て置換基を有していてもよいァリール基である場合、

(c) R'、 RK R⁴及び R⁹が全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R^lfl、 A¹及び A²が全て水素原子である場合、

(d) R³、 R R⁸及び R^1Dが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基でありかつ、 R R²、 R⁴、 R⁶、 R⁷、 R⁹、 A¹及び A²が全て水素原子である場合前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合には、以下の（a ' ) 、（b ' ) 、（c ' ) 及び（d ' ) の場合が除かれていてもよい。

(a ' ) 下記式（I a) で示されるペンタセン誘導体であって、

R '、 R ²、 R ³、 R ⁴、 R^5a、 R^5b、

全てメチル基である、又は、 R R²、 RK R R^5a、 R^5b、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R^1(lが全て水素原子であり、かつ、 R⁶、 R⁷、 A¹及び A²の 1つ以上がァリール基である、又は、 R'、 R²、 R³、 R R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 ⁹ 、 R¹⁰, A¹及び A²の 1つ以上がジァリールアミン基である場合、

(b' ) 下記式（ I b) で示されるペン夕セン誘導体であって、

RK R²、 R^5b及び R^8bが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である場合 (c ' ) 下記式（I c) で示されるペン夕セン誘導体であって、

RK R^5a、 R^8a及び Ri^flの 2つ以上がァリール基又はァリールアルキニル基であるか、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Dの 1つ以上がァリ一ルァルケニル基であるか、又は、 R³、 R^5a、 R^8a及び R¹⁽⁾が全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である場合、

(d' ) 下記式（ I d) で示されるペン夕セン誘導体であって、

R⁴及び R⁹が水素原子、炭化水素基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ハロゲン原子又は水酸基である場合。

また、本発明の一側面において、 nが 1である場合に、 A¹及び A²がアルコキシカルポニル基であり、かつ、 R RK R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリ一ル基であってもよく、また、 nが 1である場合に、 A A²、 RK RK R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよく、また、 nが 1である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸及び R¹ ⁰がアルキル基又はァリール基であってもよい。

また、本発明の一側面において、前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペンタセン誘導体である場合に、 A¹及び A²がアルコキシ力ルポ二ル基であり、かつ、 R R²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^{8 b}、 R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよく、また、前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A A\ R R²、 R⁴、 R⁵ ^b、 R⁶、 R⁷、 R^8b、 R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよく、また、前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R^{5 a}、及び尺¹ ⁰がアルキル基又はァリール基であつてもよい。

本発明の他の側面では、上記何れかに記載のポリアセン誘導体、又は、上記何れかに記載の製造方法で得られたポリァセン誘導体を含む導電材料が提供される。

本発明の他の側面では、上記何れかに記載のポリアセン誘導体、又は、上記何れかに記載の製造方法で得られたポリァセン誘導体と、その他の合成有機ポリマーとを含有する樹脂組成物が提供される。図面の簡単な説明

図 1は、本発明にかかるポリァセン誘導体の合成スキームの一例を示したものである。

図 2は、本発明にかかるポリァセン誘導体の合成スキームの一例を示したものである。

図 3は、ジメチル 5， 12 -ジヒドロ- 1,4, 6, 1卜テトラプロピルナフタセン - 2， 3 -ジカルボキシレートの X線結晶構造解析である。

図 4は、ジメチル 1， 4, 6, 1卜テトラプロピルナフタセン - 2, 3 -ジカルポキシレートの X線結晶構造解析である。

図 5は、本発明にかかるポリアセン誘導体の合成スキームの一例を示したものである。

図 6は、ジメチル 1, 4, 6， 8, 9, 10, 11, 13-ォクタエチル- 5, 14 -ジヒドロペン夕セン- 2, 3-ジカルポキシレートの X線結晶構造解析である。発明の好ましい実施の形態

(式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R^s及び R^lG、並びに、 n、 A ¹及び A²は、上記の意味を有する。 )

本明細書では、 C^C^炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であつてもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。（：！〜炭化水素基が非環式の場合には、線状でもよいし、枝分かれでもよい。 C^ C^炭化水素基には、

C₂〜C_4Qアルケニル基、 C₂〜C_4Qアルキニル基、 C₃〜C₄₀ァリル基、 C₄〜C₄₀アルキルジェニル基、 C₄〜C₄₀ポリェニル基、 C₆〜C_I8ァリール基、 C₆〜C アルキルァリール基、 C₆〜C ₀ァリールアルキル基、 C₄〜C_4Qシクロアルキル基、 C₄〜C_4Qシクロアルケニル基などが含まれる。

C!〜C₄。アルキル基、 C₂〜C₄。アルケニル基、 C₂〜C₄₍₎アルキニル基、 C₃〜 c₄₀ァリル基、 C₄〜C_4Qアルキルジェニル基、及び、 C₄〜C_4Qポリェニル基は

、それぞれ、（^〜（ ₂₍₎アルキル基、 c₂〜c₂。アルケニル基、 c₂〜c₂。アルキニル基、 C₃〜C_2flァリル基、 C₄〜C₂。アルキルジェニル基、及び、 C₄〜C_2Qポリェニル基であることが好ましく、（^〜（^アルキル基、 C₂〜C_IGアルケニル基、〜。アルキニル基、 C₃〜C_1Qァリル基、 C₄〜C_1Qアルキルジェニル基、及び、 C₄〜 C ₁₍₎ポリェニル基であることがさらに好ましい。

本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアルキル基の例には、制限するわけではないが、メチル、ェチル、プロピル、 n—プチル、 t一ブチル、ドデカニル、トリフルォロメチル、ペルフルオロー n—ブチル、 2， 2 , 2—トリフルォロェチル、ベンジル、 2—フエノキシェチル等がある。本発明の実施において有用なァリール基の例には、制限するわけではないが、フエニル、 2—トリル、 3—トリル、 4一トリル、ナフチル、ビフエニル、 4—フエノキシフエニル、 4一フルオロフェニル、 3—カルボメトキシフエ二ル、 4一力ルポメトキシフエ二ル等がある。

本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアルコキシ基の例には、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、 2—メトキシェトキシ、 t—ブトキシ等がある。

本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいァリールォキシ基の例には、制限するわけではないが、フエノキシ、ナフトキシ、フエニルフエノキシ、 4一メチルフエノキシ等がある。

本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアミノ基の例には、制限するわけではないが、ァミノ、ジメチルァミノ、メチルァミノ、メチルフエニルァミノ、フエニルァミノ等がある。

置換基を有していてもよいシリル基としては、式—S i ( R ¹²) ( R ¹³) ( R ¹ で示される基（式中、 R ¹²、 R ¹³及び R "は、それぞれ、互いに独立し、同一又は異なって、ハロゲン原子で置換されていてもよい（^〜じアルキル基；ハロゲン原子で置換されていてもよい C ₆〜 C _4Qァリールアルキル基；ハロゲン原子で置換されていてもよい〜（^アルコキシ基；ハロゲン原子で置換されていてもよい C ₆〜 C _4Qァリールアルキルォキシ基である。）を挙げることがでさる。

本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいシリル基の例には、制限されるわけではないが、トリメチルシリル、トリェチルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフエニルメチルシリル、トリフエニルシリル、トリフエノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフエノキシシリル、メチルメトキシフエ二ル等がある。

(^〜 (：炭化水素基、〜（ ₄₍₎アルコキシ基、 C ₆〜C ₄。ァリールォキシ基、アミノ基、シリル基などには、置換基が導入されていてもよく、この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基などが挙げられる。

ハロゲン原子には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が含まれる。（^〜（：₄。炭化水素基、（^〜( ₄₍₎アルコキシ基、 C₆〜C_4Qァリールォキシ基などの水素原子が、フッ素原子で置換されている場合には、ポリアセン誘導体の溶解度が増大するので好ましい。

R⁶及び R⁷は、互いに架橋して（ ₄〜（：₄₍₎飽和又は不飽和環を形成してもよい。不飽和環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよい。 R⁶及び R⁷が互いに架橋して形成する環は、 4員環〜 16員環であることが好ましく、 4員環〜 1 2員環であることが更に好ましい。この環は、芳香族環あってもよいし、脂肪族環であってもよい。この環には、（^〜じ^炭化水素基、〜。アルコキシ基、 c₆〜c₂„ァリールォキシ基、アミノ基、水酸基又はシリル基などの置換基が導入されていてもよい。

前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式一 N (R¹¹) —で示される基（式中、 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよい。 R¹¹は水素原子又は Ci〜C₆アルキル基であることが好ましく、水素原子又は C ,〜 C₄アルキル基であることがさらに好ましい。

及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい〜〇₄。炭化水素基；置換基を有していてもよい ^ C^。アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Dァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qアルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₂〜C_4Qアルコキシ力ルポニル基；置換基を有していてもよい C₇〜C₄₍₎ァリ一ルォキシカルボニル基；シァノ基（—CN) ；力ルバモイル基（—C (=0) NH₂) ；ハロホルミル基（一 C ( = 0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（― C ( = 0) -H) 、イソシァノ基、イソシアナト基、チオシアナ卜基又はチォイソシアナト基である。シァノ基（一 CN) ；カルバモイル基（一 C ( = 0) NH₂) ；ハロホルミル基（― C (=0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。 ) ；ホルミル基（― C ( = 0) ― H) 、イソシァノ基、イソシアナト基、チオシアナ卜基又はチォイソシアナト基は、たとえば、アルコキシカルポニル基から通常の有機化学の手法により変換することができる。また、力ルバモイル基（― C ( =〇） NH ₂) 、ハロホルミル基（一 C (=0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）、ホルミル基（一 C (=0) 一 H) などは、シァノ基、アルコキシカルポニル基と互いに変換することができる。

A¹及び A²は、互いに架橋して、式— C ( = 0) -B-C (=0) 一で示される環を形成してもよい（式中、 Bは、酸素原子又は式一 N (B¹) 一で示される基（式中、 B¹は、水素原子、（^〜(：₄₍₎炭化水素基、又は、ハロゲン原子でる。）。たとえば、 A^!及び A²が、アルコキシカルボエル基である場合には、通常の有機化学の手法により、カルポキシ基に変換することができる。そして、隣接する力ルポキシル基は、脱水することにより、無水カルボン酸、即ち、式一 C ( =〇）一 O— C (=0) —で示される環に変換することができる。同様にして、無水カルボン酸は、通常の有機化学の手法により、イミド、式一 C ( =0) 一 N (B¹) 一 C (=0) 一で示される環（Biは上記の意味を有する。 ) に変換することができる。

nは、 1以上の整数である。 nが 1及び 2の場合には、それぞれ、 4環式及び、 5環式、即ち、ナフタセン誘導体、及び、ペン夕セン等誘導体となる。従来は、縮合多環芳香族化合物中の芳香族環の数が増大するにつれて、溶解度が減少する傾向にあった。しかし、本発明では、縮合多環芳香族化合物中の芳香族環の数が増大しても、適切な様々な置換基を導入することにより、溶解度を維持することができる。従って、 nは 1〜2に限られることなく、 3以上の整数であってもよいし、 4以上の整数であってもよいし、 5以上の整数であつてもよい。たとえば、ベンゼン環が 7つ縮合したポリアセン誘導体（nが 4 に相当する。）が得られている。

nは、 200以下であってもよく、 1 00以下であってもよく、 80以下であってもよく、 50以下であってもよく、 30以下であってもよく、 20以下であってもよく、 1 5以下であってもよく、 10以下であってもよい。下記に説明する製造方法を適用することにより、 nの数は 2つずつ増加していくので、このスキームを繰り返せばよいからである。そして、上述したように、置換基を適切に導入することにより、 nの数が増大しても溶解度は維持することができるので、 nの数を増加させていくことができる。

本発明において、物の発明としては、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R ⁸, R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²が全て水素原子である化合物を対象としていない。このような化合物の中には、石炭等から分離可能な化合物も含まれており、公知だからである。しかし、このような化合物を合成する方法は、本発明に含まれる。

本発明において、上記式（I ) 中、 nが 1である場合には、物の発明としては、少なくとも R R²、 R⁴及び R⁹が水素原子以外の基であるか、又は少なくとも R³、 R⁵、 R⁸及び R^lflが水素原子以外の基であるものを対象としており、以下の（a) 、（b) 、 (c) 及び（d) の場合は対象としていない。

(a) R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R R⁸、 R⁹、 R¹⁰, A¹及び A²が全てメチル基である場合、

(b) R³、 R R^s及び R^iBが全て置換基を有していてもよいァリール基である ½口 -、

(c) R R²、 R ⁴及び R ⁹が全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R'^D、 A¹及び A²が全て水素原子である場合、

、かつ、 R¹, R\ R⁴、 R⁶、 R⁷、 R⁹、 A¹及び A²が全て水素原子である場合もっとも、このような化合物を合成する方法は、本発明に含まれる。

本発明において、物の発明としては、上記式（I ) 中、 nが 2であって、以下の（a' ) , (b' ) 、 (c ' ) 及び（d' ) の場合は対象としていない。しかし、このような化合物を合成する方法は、本発明に含まれる。

(a' ) 下記式（ I a) で示されるペンタセン誘導体であって、

(|a)

R R²、 R³、 R R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R气 R⁹、 R^lfl、 A¹及び A²が全てメチル基である、又は、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a R^5b、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R^1Dが全て水素原子であり、かつ、 R⁶、 R⁷、 A¹及び A²の 1つ以上がァリ一ル基である、又は、 R R²、 R\ R\ R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹ 、 R^1D、 A¹及び A²の 1つ以上がジァリールアミン基である場合、

(b ' ) 下記式（I b) で示されるペン夕セン誘導体であって、

R R²、 R^5b及び R^8bが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である場合 (c ' ) 下記式（I c) で示されるペン夕セン誘導体であって、

R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Qの 2つ以上がァリール基又はァリールアルキニル基であるか、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^lflの 1つ以上がァリ一ルァルケニル基であるか、又は、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Dが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である場合、

(d ' ) 下記式（I d) で示されるペン夕セン誘導体であって、

式（ I ) で示されるポリアセン誘導体は、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷ 、 R R\ R^] A¹及び A²の 5つ以上が水素原子以外の基であることが好ましく、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1D、 A¹及び A²の 6っ以上が水素原子以外の基であることが更に好ましく、 R R²、 R³、 R⁴, RK R R RK R\ R^1Q、 A¹及び A²の 8つ以上が水素原子以外の基であることが更になお好ましく、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 RK R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰, A ¹及び A²の 1 0以上が水素原子以外の基であることが更になお好ましい。リチゥム化剤及び脱リチウム試薬の組合せで脱水素化をする場合には、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R ^L0. A¹及び A²中に水素原子が多く含まれるにつれて、収率が低下する場合があるからである。

式（I) で示されるポリアセン誘導体が、下記式（I a) で示さ.れるペン夕セン誘導体である場合、

(式中、 R R²、 R³、 R' R 5a 5b R⁶、 R⁷、 R^8A、 R^8B、 R⁹、 R¹⁰、 A¹ 及び A²は、上記の意味を有する。） R R²、 R³、 R⁴、 R^5A、 R^5B、 R⁶、 R⁷ 、 R^8A、 R^8B、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²の 5つ以上が水素原子以外の基であることが好ましく、 R!、 R²、 RK R\ R^5A、 R^5B、 RK R⁷、 R^8A、 R^8B、 R⁹、 R¹⁰ 、 A¹及び A²の 6つ以上が水素原子以外の基であることが更に好ましく、 R RK RK R⁴、 R^5A、 R^5B、 R⁶、 R⁷、 R^8A、 R^8B、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²の 7つ以上が水素原子以外の基であることが更になお好ましく、 R R²、 R³、 R⁴ 、 R^5A、 R^5B、 R⁶、 R⁷、 R^8A、 R^8B、 RK R^l A¹及び A²の 8つ以上が水素原子以外の基であることが更になお好ましく、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5A、 R^5B、 RK R⁷、 R^8A、 R^8B、 R R^LFL、 A¹及び A²の 9つ以上が水素原子以外の基であることが更になお好ましく、 R R\ R³、 R⁴、 R^5A、 R^5B、 R⁶、 R R^8A、 R^8B、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²の 1 0以上が水素原子以外の基であることが更になお好ましい。

本発明の一実施形態では、 R¹及び R²、 R³及び R^1D、 R⁴及び R⁹、 R⁵及び R⁸ 、 R⁶及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基であることが好ましく、 R¹及び R²が同一の置換基であり、かつ、 R³及び R^1Dが同一の置換基であり、かつ、 R⁴及び R⁹が同一の置換基であり、かつ、 R⁵及び R⁸が同一の置換基であり、かつ、 R⁶及び R⁷が同一の置換基であり、かつ、 A¹及び A ²が同一の置換基であることが更に好ましい。かかるポリアセン誘導体の合成が容易であり、収率が向上するからである。

同様の理由から、本発明の一側面において、前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合は、 R¹及び R²、 R³及び R ^l R⁴及び R⁹、 R^5a及び R^8a、 R^5b及び R^8b、 R⁶及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基であることが好ましく、 R ¹及び R ²が同一の置換基であり、かつ、 R³及び R^1Dが同一の置換基であり、かつ、 R⁴及び R⁹が同一の置換基であり、かつ、 R^5a及び R^8aが同一の置換基であり、かつ、 R^5b及び R^8bが同一の置換基であり、かつ、 R⁶及び R⁷が同一の置換基であり、かつ、 A¹及び A²が同一の置換基であることが更に好ましい。かかるポリアセン誘導体の合成が容易であり、収率が向上するからである。

あるいは、ポリアセン誘導体の合成が容易になり、収率が向上する観点から、それぞれ、 R¹及び R²が同一の置換基であることが好ましく、 R³及び R^IDが同一の置換基であることが好ましく、 R ⁴及び R ⁹が同一の置換基であることが好ましく、 R⁵及び R⁸ (前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合は、 R^5a及び R 又は、 R^5b及び R^8b) が同一の置換基であることが好ましく、 R⁶及び R⁷が同一の置換基であることが好ましく、また、 A¹及び A²が同一の置換基であることが好ましい。

本発明の一実施形態では、 nが 1である場合に、 A¹及び A²がアルコキシ力ルポニル基であり、かつ、 R'、 R²、及び R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよい。また、 nが 1である場合に、 A A²、 R R²、 R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリ一ル基であってもよい。また、 nが 1である場合に、 A¹ 及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R^s及び R^lflがァルキル基又はァリール基であってもよい。

また、本発明の一実施形態では、前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A ¹及び A²がアルコキシ力ルポ二ル基であり、かつ、 R R²、 R⁴、 R^{5 b}、 R⁶、 R⁷、 R^{8 b}、 R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよい。また、前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A A²、 R R²、 R⁴、 R⁵ ^b、 R⁶、 R⁷、 R^{8 b}、 R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよい。また、前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R^{5 a}、 R^{8 a}及び R ¹ ⁰がアルキル基又はァリ一ル基であってもよい。

本発明の一側面では、下記式（ I I ) で示される炭化水素縮合環が脱水素試薬の存在下、芳香族化することにより、上記式（ I ) で示されるポリアセン誘導体の製造方法が提供される。

(式中、 R R²、 RK R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R R^1D、 A A²、及び n は上記の意味を有する。

下記式に示される結合は、単結合又は 2重結合を示す。

)

上記式（ I I ) で示される炭化水素縮合環には、たとえば、結合の種類によつて、下記式（ I I a) 、 ( l i b) 及び（l i e ) で示される炭化水素縮合環が含まれる。

(式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R^8a、 R 8b R ⁹、 R¹⁰, A A²、及び nは上記の意味を有する。）

nが奇数であり、上記式（I I ) で示される炭化水素縮合環が上記式（ I I b) で示される炭化水素縮合環である場合、 kは、（n+ 1) Z2で示される整数であり、 nが偶数であり、上記式（I I ) で示される炭化水素縮合環が上記式（ I I c) で示される炭化水素縮合環である場合、 mは、 n/ 2で示される整数である。

式（ I I a) で示される炭化水素縮合環の場合には、一つの環が芳香族化されることになる。一方、式（ I I b) 及び式（l i e) で示される炭化水素縮合環の場合には、 2以上の環が芳香族化されることになる。

もっとも、上記式（I I ) で示される炭化水素縮合環には、繰り返し単位中の環が、芳香族環である場合と、芳香族環でない場合がランダムに繰り返される場合も含まれる。

本発明の一実施態様では、脱水素試薬がリチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せであり、まず、前記炭化水素縮合環にリチウム化剤を添加し、ついで、脱リチウム試薬を添加することが好ましい。

このスキームについて、下記式（I I a；) 、 (l i b) 及び（I I c) で示される炭化水素縮合環の場合で例示する。 D²-

(式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰, A A²、及び n は上記の意味を有する。 D¹ ル基等の求核基を意味する。 D ²は、〜(：₆アルキル基等の

基を意味する。 Z ¹は、ハロゲン原子等の脱離基を意味する。）

この際、ポリアセン誘導体の合成が容易になる観点から、式（I I a) 中、 R\ R^1Qは、水素原子であることが好ましい。

(式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 RK R\ R^l A A²、及び k は上記の意味を有する。 D¹は、（^〜（：₆アルキル基等の求核基を意味する。 D ²は、（^~(：₆アルキル基等の C^C^炭化水素基を意味する。 Z¹は、ハロゲン原子等の脱離基を意味する。）

この際、ポリアセン誘導体の合成が容易になる観点から、式（I l b) 中、 R\ RK R R^lflは、水素原子であることが好ましい。

(式中、 R R²、 RK R⁴、 RK R⁶、 R⁷、 R⁸、 RK R^l A\ A²、及び m は上記の意味を有する。 D¹は、（^〜 ₆アルキル基等の求核基を意味する。 D ²は、 C! Ceアルキル基等の（^〜(：炭化水素基を意味する。 Z¹は、ハロゲン原子等の脱離基を意味する。）

この際、ポリアセン誘導体の合成が容易になる観点から、式（I I c) 中、 R\ R^5a、 R^8a、 R^1Qは、水素原子であることが好ましい。

上記スキームでは、 L i —D¹で示されるリチウム化剤（I V) が作用する炭素原子を明確にするという説明の便宜上、式（ I I a) , 式（ I I b) 又は式 ( I I c) で示される炭化水素縮合環が用いられている。脱水素試薬がリチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せが、上記式（ I I ) で示される炭化水素縮合環に広く適用することができることはいうまでもない。

式（I I a) 、式（I I b) 及び式（l i e) で示される炭化水素縮合環にリチウム化剤（I V) を反応させ、それぞれ、式（V a) 、 (Vb) 及び（V c) で示されるリチウム化された炭化水素縮合環が得られる。リチウム化剤としては、アルキルリチウム、ァリールリチウムのような C^CM炭化水素リチゥムが好ましい。たとえば、ブチルリチウム等の ^ Ceアルキルリチウム、フエニルリチウムのような C₆〜C₂„ァリールリチウムが好適に用いられる。リチウム化剤（ I V) とともに、リチウム化剤の活性化剤を共存させることが好ましい。活性化剤としては、 3級ァミンが好ましく、たとえば、 N, N, N'、 N'—テトラメチルエチレンジァミン（TMEDA) のような N， N, N '、 N'—テトラアルキルアルキレンジァミンが用いられる。アルキルリチウムは、溶液中では、四量体のようなオリゴマーとして存在していると思われる。そして、 3級ァミンが共存するときには、ァミンの窒素原子がアルキルリチウムのリチウム原子に配意し、オリゴマー構造を壌すと思われる。これにより、アルキルリチウムのリチウム原子が溶液中に晒され、反応性が向上すると思われる。

溶媒としては、有機溶媒が好ましく、特に、無極性有機溶媒が用いられる。たとえば、へキサン等のアルカン、ベンゼン等の芳香族化合物が好ましい。反応温度としては、 0 〜 200 が好ましく、 20°C〜 1 00°Cがさらに好ましく、 30° (：〜 80°Cが更になお好ましい。

式（Va) 、 (Vb) 及び（Vc) で示される炭化水素縮合環に脱リチウム試薬（V I ) を反応させ、これにより、それぞれ、式（V I I a) 、（V I I b) 及び（V I I c) で示される中間体が生成すると推定され、この中間体が分解し、式（I ) 、（ l b) 又は（I c) で示されるポリアセン誘導体が得られる。

脱リチウム試薬（V I ) としては、たとえば、ハロゲン化アルキルを好適に用いることができる。ハロゲン化アルキルとしては、たとえば、ヨウ化メチル、臭化工チル等の炭素原子が 6個以下のハロゲン化アルキルが好ましい。

この反応では、リチウム化剤（I V) 及び脱リチウム試薬（V I ) として、炭素数の少ないものを用いた場合には、たとえば、リチウム化剤（ I V) 及び脱リチウム試薬（V I ) として、プチルリチウム及びヨウ化メチルを用いた場合には、ヨウ化リチウム及びへキサンが脱離することになる。へキサンは溶媒を除去するときに同時に除去できる。ヨウ化リチウムについては、得られた反応混合物を水で洗浄することにより、除去できる。従って、リチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せは、反応混合物の精製がきわめて容易であり、好ましい。

式（ I I a) で示される炭化水素縮合環から式（I ) で示されるポリアセン誘導体までの収率は、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰, A¹ 、及び A こ水素原子が多く導入されている場合には、たとえば、これらのうち、 8以上が水素原子である場合には、 50 %ぐらいである。一方、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰, A¹, 及び A²の 6以上、特に 8以上に水素原子以外の基が導入されている場合には、収率が向上する傾向にある。たとえば、収率は 90 %以上になることもあり、 95 %以上になることもある。本発明の他の実施態様では、前記脱水素試薬が、下記式（I I I) で示される化合物であることが好ましい。

(式中、 X¹、 X²、 X³、及び、 X⁴は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子又はシァノ基である。）

上記式（ I I I ) で示されるキノンは、上記式（I I ) で示される化合物と反応して、 1， 4ージヒドロキシーシクロへキサン誘導体に変換する。

上記式（ I I I) で示されるキノンの場合には、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が好ましく、塩素原子又は臭素原子がさらに好ましく、塩素原子がさらになお好ましい。

たとえば、 X¹、 X²、 X³、及び、 X⁴が全て塩素原子であってもよい。即ち、クロラニルであってもよい。あるいは、 X¹及び X²がシァノ基であり、 X³及び X⁴が塩素原子であってもよい。即ち、 2, 3—ジクロロー 5， 6—ジシァノキノンであってもよい。 X¹、 X²、 X³、及び、 X⁴が全てシァノ基であってもよい。即ち、 2， 3, 5, 6—テトラシァノキノンであってもよい。上記式（I I I) で示されるキノンを用いた場合には、上記式（I I I) で示されるキノンが更に生成物のポリァセン誘導体と Diels- Alder反応をして、副生成物を生じる場合がある。所望より、カラムクロマトグラフィー等により、副生成物を除去する。

上記式（I I I) で示されるキノンは、このような副生成物の生成を防止するために、上記式（I I) で示される化合物の 0. 9当量〜 1. 2当量用いることが好ましく、 0. 9当量〜 1. 15当量用いることが更に好ましく、 0. 95当量〜 1. 05当量用いることが更になお好ましい。

溶媒としては、有機溶媒が好ましく、特に、ベンゼン等の芳香族化合物が好ましい。

反応温度としては、一 80°C〜200°Cが好ましく、 0°C〜100°Cがさらに好ましく、 10°C：〜 80°Cが更になお好ましい。所望により、光を遮断して反応を進行させてもよい。

本発明の他の実施態様では、前記脱水素試薬が、パラジウムを含むことが好ましい。たとえば、活性炭のような炭素に担持されたパラジウム、いわゆるパラジウムカーボンとして市販されているものを好適に用いることができる。 P dZCは、脱水素化に広く用いられている触媒であり、本発明でも従来と同様に用いることができる。反応温度は、たとえば、 200° (：〜 500°Cである。もっとも、反応温度は、出発物質等の様々な条件に依存して、適宜、設定すればよい。 '

炭化水素縮合環は、たとえば、下記のようなスキームで得ることができる。

(式中、 R R²、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、及び nは、上記の意味を有する。 A^la及び A^2aは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよい C₆〜C_4Dアルコキシカルボ二ル基又はハロゲン原子を含む置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ力ルポニル基である。 Xはハロゲン原子等の脱離基である。

下記式に示される結合は、単結合又は 2重結合を示す。 Mは、周期表の第 3族〜第 5族又はランタニド系列の金属を示し；

！^及び！^は、互いに独立し、同一又は異なって、ァニオン性配位子を示し、ただし、 L¹及び L²は、架橋されていてもよく；

Y¹及び Y'²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、脱離基である。）

(式中、 R R²、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R R⁸、 R⁹、 n、 A^la及び A^2aは、上記の意味を有する。

下記式に示される結合は、単結合又は 2重結合を示す。）まず、ジエステル（V I I I ) を還元剤により、還元し、ジオール（I X) を得る。還元剤としては、水素化リチウムアルミニウムを用いることができる。溶媒としては、有機溶媒を用いることが好ましく、極性有機溶媒を用いても良い。たとえば、ジェチルエーテル、 THFのようなエーテルを用いることができる。

反応温度は、一 80 °C〜 200 °Cが好ましく、一 50^〜100 °Cが更に好ましく、 — 20°C〜80°Cが更に好ましい。還元剤を添加した後に、水、弱酸等を添加して反応を終了させてもよい。

所望により、ジエステル（V I I I ) を酸性又はアルカリ性下、水和して、ジカルボン酸に変換し、ジカルボン酸をジケトンに還元し、次いで、ジケトンをジオールに還元してもよい。

次いで、ジオール（I X) に三臭素化リン等の三ハロゲン化リン、又は、 S

OC 1₂等を作用させ、ジハロゲン（X) に変換する。溶媒としては、有機溶媒を用いることが好ましく、極性有機溶媒を用いても良い。たとえば、 THFのようなエーテルを用いることができる。反応温度は、一 80°C〜200°Cが好ましく、一 50°C〜 100°Cが更に好ましく、一 20° (：〜 80°Cが更になお好ましい。

次いで、ジハロゲン（X) にアルキニルリチウムを作用させ、ジアルキン（ X I) を得る。このカップリング反応には、 N, N'—ジメチルプロピレンゥレア、へキサメチルホスホアミド等の安定化剤を共存させることが好ましい。溶媒としては、有機溶媒を用いることが好ましく、極性有機溶媒を用いることが好ましい。たとえば、 THFのようなエーテルを用いることができる。反応温度は、 — 80 ° (：〜 200 °Cが好ましく、一 50°C〜100 °Cが更に好ましく、 _ 20°C〜80°Cが更になお好ましい。

ジアルキン（XI) に、ビスシクロペン夕ジェニルジルコニウムジアルキルのような UL^MY'Y ²で示される有機金属化合物を作用させ、メタラシクロべンタジェン（X I I) を生成させる。 UI^MY'Y²で示される有機金属化合物からのメタラシクロペン夕ジェンの生成については、例えば、 L Takahas i et al. J. Org. Cheni. 1995, 60, 4444 に記載されており、これと同一又は近似した条件で反応が進行する。

溶媒は、脂肪族又は芳香族の溶媒が用いられ、好ましくは、極性溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジェチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素； o—ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素； N， N—ジメチルホルムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシドが用いられる。あるいは、芳香族の溶媒として、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素を用いてもよい。

反応は好ましくは一 80 〜 300°Cの温度範囲で行われ、特に好ましくは 0°C〜 150°Cの温度範囲で行われる。圧力は 0. 1バール〜 2500バールの範囲内で、好ましくは 0. 5バール〜 10バールの範囲内である。反応は継続的に又はバッチ式で、一段階又はそれより多段階で、溶液中、懸濁液中、気相中又は超臨界媒体中で行える。

Mは、周期表の第 3族〜第 5族又はラン夕ニド系列の金属を示す。 Mとしては、周期表第 4族又はラン夕ニド系列の金属が好ましく、周期表第 4族の金属、即ち、チタン、ジルコニウム及びハフニウムが更に好ましい。 L¹及び L²は、互いに独立し、同一又は異なって、ァニオン性配位子を示す前記ァニオン性配位子が、非局在化環状 η⁵—配位系配位子、（^〜。アルコキシ基、 C₆〜C_2(Jァリールォキシ基又はジアルキルアミド基であることが好ましい。

L¹及び L²は、非局在化環状 7? ⁵—配位系配位子であることが好ましい。非局在化環状 7? ⁵—配位系配位子の例は、無置換のシクロペンタジェニル基、及び置換シクロペン夕ジェニル基である。この置換シク口ペン夕ジェニル基は例えルシクロペン夕ジェニル、 n—ブチルシクロペンタジェニル、 t—ブチルシクェニル、ジイソプロピルシクロペンタジェニル、ジー t〜ブチルシクロペン夕ジェニル、テトラメチルシクロペン夕ジェニル、インデニル基、 2—メチルインデニル基、 2—メチルー 4—フエニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルォレニル基、ベンゾフルォレニル基、テトラヒドロフルォレニル基及びォクタヒドロフルォレニル基である。

非局在化環状 ⁵—配位系配位子は、非局在化環状 π系の 1個以上の原子がヘテロ原子に置換されていてもよい。水素の他に、周期表第 14族の元素及び Z又は周期表第 1 5、 1 6及び 1 7族の元素のような 1個以上のへテロ原子を含むことができる。

非局在化環状 ?7⁵—配位系配位子、例えば、シクロペン夕ジェニル基は、中心金属と、環状であってもよい、一つの又は複数の架橋配位子により架橋されていてもよい。架橋配位子としては、例えば、 CH₂、 CH₂CH₂、 CH (CH ₃) CH₂、 CH (C₄H₉) C (CH₃) ₂、 C (CH₃) ₂、 (CH₃) ₂S i、 (CH ₃) ₂Ge、（CH₃) ₂S n、（C₆H₅) ₂S i、 (C₆H₅) (CH₃) S i、 (C₆ H₅) ₂Ge、 (C₆H₅) ₂S n、 (CH₂) ₄S i、 CH₂S i (CH₃) ₂、 o - C₆ H₄又は 2、 2，— (C₆H₄) ₂が挙げられる。

2以上の非局在化環状 7] ⁵—配位系配位子、例えば、シクロペン夕ジェニル基は、互いに、環状であってもよい、一つの又は複数の架橋基により架橋されていてもよい。架橋基としては、例えば、 CH_?、 CH H , CH (CHJ C

H₂、 CH (C₄H₉) C (CH₃) ₂、 C (CH₃) ₂、 (CH₃) ₂S i . (CH₃) ₂ Ge、（CH₃) ₂S n、（C₆H₅) ₂S i、 (C₆H₅) (CH₃) S i (C_BH₅)

Ge、 (C₆H₅) ₂S n、 (CH, V) ₄4S ' i、 CH_¾S i (CH_S) 2、 O C₆H₄又は 2、 2,— (C₆H₄) ₂が挙げられる。

メタラシクロペン夕ジェンは、二

(moiety)を有する化合物も含む。このような化合物は多核のメタ口センとして知られている。前記多核メタ口センは、いかなる置換様式及びいかなる架橋形態を有していてもよい。前記多核メタ口センの独立したメタ口セン部分は、各々が同一種でも、異種でもよい。前記多核メタ口センの例は、例えば EP— A

— 632063、特開平 4一 80214号、特開平 4— 853 10、 EP—A

- 654476に記載されている。

Y¹及び Y²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、脱離基である。脱離基としては、例えば、 F、 C l、 B r、 Iのようなハロゲン原子、 n 一ブチル基等の一 C_2flアルキル基、フエニル基等の C₆— C_2Qァリール基等が含まれる。

上記反応は、好ましくは— 1 20°C~50°C、更に好ましくは、一 1 2 0°C 〜0°Cの温度範囲で行われる。

次いで、本発明の一実施形態では、メタラシクロペン夕ジェン（X I I ) にアルキンを反応させ、ベンゼン環を形成し、炭化水素縮合環（I I d) を得る。典型的には、メタラシクロペン夕ジェン（X I I ) を単離することなく、反応混合物にアルキンを添加する。

ジルコナシクロペン夕ジェンのようなメタラシクロペン夕ジェンと、アルキンとを、 CuClの存在下で反応させ、ベンゼン環を形成することは、 T. Takahashi et al., J. Am. C em. Soc.1998, 120, 1672-1680に記載されている。これと同一又は近似する条件で反応を進行させることができる。

Cu C 1に限られず、金属化合物を用いても良い。金属化合物が、周期表第 4〜 1 5族の金属化合物であることが好ましい。前記金属化合物が、 Cu C 1 のような塩であってもいし、有機金属錯体であってもよい。塩としては、例えば、 CuX、 N i X₂、 P dX₂、 ZnX₂ 、 C r X₂ 、 C r X₃、 CoX₂ 、若しくは、 B i X₃ (式中、 Xは、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子を示す。）のような金属塩が用いられる。

金属化合物は、有機金属錯体、特に、ニッケル錯体を用いてもよい。有機金属錯体としては、周期表 3〜1 1族の中心金属、好ましくは周期表 6〜1 1族の中心金属に、ホスフィン；ピリジン、ビピリジン等の芳香族ァミン、ハロゲン原子等の配位子が配位しているものが好ましく用いられる。中心金属は、いわゆる 4〜 6配位であることが好ましく、周期表 10族の金属が更に好ましい。ホスフィンとしては、トリフエニルホスフィン、メチルジフエニルホスフィン等、制限がない。有機金属錯体としては、例えば、ビス（トリフエニルホスフィン）ジクロロニッケル、ジクロロ（2， 2'—ビビリジン）ニッケル、 PdCl₂(2, 2'-ビビリジン）が挙げられる。ジルコナシクロペン夕ジェンのようなメタラシクロペン夕ジェンと、アルキンとを、ニッケルホスフィン錯体の存在下で反応させ、ベンゼン環を形成することは、 T. T a k a h a s h i e t . a 1. J . Am. Ch em. S o c. , Vo l . 1 21. ， No. 48, 1 999, 1 1 0 95に記載されている。

反応は好ましくは一 80°C〜 300°Cの温度範囲で行われ、特に好ましくは 0°C〜1 50°Cの温度範囲で行われる。圧力は 0. 1バール〜 2500バールの範囲内で、好ましくは 0. 5バール〜 1 0バールの範囲内である。反応は継続的に又はバッチ式で、一段階又はそれより多段階で、溶液中、懸濁液中、気相中又は超臨界媒体中で行える。

溶媒は、脂肪族又は芳香族の溶媒が用いられ、好ましくは、極性溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジェチルェ一テル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；◦ージクロ口ベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素； N, N—ジメチルホルムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシドが用いられる。

反応は、金属化合物を溶媒中で安定化させるための安定化剤の存在下で行われることが好ましい。特に、金属化合物が金属塩であり、かつ、溶媒が有機溶媒のときに、安定化剤が、金属塩を有機溶媒中で安定化させる。安定化剤としては、 N， N'—ジメチルプロピレンゥレア、へキサメチルホスホアミド等が挙げられる。

次いで、上述した芳香族化反応により、炭化水素縮合環（I I d) を芳香族化し、ポリアセン誘導体（ I e) を得る。

上述したスキームでは、 R³及び R¹⁽⁾が水素原子であるポリアセン誘導体（ I e) を得ることができる。 R³及び R^1Qが水素原子以外の基であるポリアセン誘導体は、たとえば、下記のスキームで得ることができる。

R⁵、 R⁶、 R ⁷、 RK

記の意味を有する。

下記式に示される結合は、単結合又は 2重結合を示す。）ジエステル（V i l l a) を水素化ジイソブチルアルミニウム等の還元剤でジアルデヒド（V I I l b) に還元する。たとえば、トルエン等の有機溶媒を用いて、一 1 00°C〜一 50°C、好ましくは一 78 °Cで反応を進行させる。ジエステルと還元剤とは、正確に一当量を用いることが好ましい。

あるいは、ジエステル（V i l l a) を酸性又は塩基性下、加水分解して、ジカルボン酸を得る。そして、ジカルボン酸を還元剤により、ジアルデヒド（ V I I I b) にまで還元してもよい。次いで、ジアルデヒド（V I I l b) にグリニアール試薬を作用させ、ジォ —ル（ I Xa) を生成させる。その後、ジオール（ I Xa) を上記と同様に反応させればよい。

あるいは、本発明の一実施形態では、上記のメタラシクロペン夕ジェン（X I I) に、 1， 2—ジョードベンゼンのようなオルトジハロゲノアレ一ン、又は、 1, 2， 4， 5—テトラハロゲノベンゼンのようなテトラハロゲノアレ一ンを反応させ、アレーン環を形成してもよい。 - このカップリング反応では、典型的には、 CuC 1のような金属化合物と、安定化剤の存在下で行われる。金属化合物が、周期表第 4〜1 5族の金属化合物であることが好ましい。前記金属化合物が、 CuC 1のような塩であってもいし、有機金属錯体であってもよい。塩としては、例えば、 CuX、 N i X₂ 、 PdX₂、 Z nX₂、 C rX₂、 C rX₃、 CoX₂、若しくは、 B i X₃ (式中、 Xは、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子を示す。）のような金属塩が用いられる。

安定化剤としては、 N， N'—ジメチルプロピレンゥレア、へキサメチルホスホアミド等の安定化剤を共存させることが好ましい。溶媒としては、有機溶媒を用いることが好ましく、極性有機溶媒を用いることが好ましい。たとえば、 THFのようなエーテルを用いることができる。反応温度は、一 80° (：〜 2 00 °Cが好ましく、一 50 °C〜 100 °Cが更に好ましく、一 20 °C〜 80でが更になお好ましい。

本発明の一側面では、導電材料が提供される。導電材料の形状には、制限がなく、薄膜であってもよい。導電材料には、ドーパントが含まれていてもよい。たとえば、電子受容性分子を導入してもよい。この場合には、たとえば、真空蒸着法で薄膜を作製する場合、縮合多環芳香族化合物とともに電子受容性分子を基板上に供給して薄膜のドーピングを行うことができる。またスパッタリングで薄膜作製を行う場合、縮合多環芳香族化合物と電子受容性分子の 2元夕ーゲットを用いてスパッタリングを行い、薄膜のドーピングを行うことができる。以上のようにしてドーピングを行い導電材料の組成はドーピングの条件によって変化させることが可能である。ドーパントとしては、たとえば、ポリアセチレン、ポリピロ一ル、ポリアリレンビニレン、ポリチェ二レンビニレンなどの共役系高分子にドーパントとして用いられる電子供与性分子または電子受容性分子を好ましく用いることができる。

導電材料が薄膜の場合には、膜厚は利用する目的により 5 0オングストロームからミクロンオーダ一まで作製が可能である。必要に応じて、薄膜上にド一パントの拡散 ·飛散防止、機械的強度増加のための保護層や他の材料の層を設けることができる。また、薄膜を応用した機能材料として、本発明の薄膜と他の材料の薄膜の多層膜を用いることもできる。

導電材料の導電性は通常の方法である直流二端子法、直流四端子法により評価できる。この電導度は使用する目的に応じてド一パントの種類、含量によつて変化させることができる。本発明の導電材料の電導度は、たとえば、 1 0 ¹⁵ S Z c m以上である。

本発明の他の側面では、上記のポリアセン誘導体と、その他の合成有機ポリマーとを含有する樹脂組成物、例えば、ブレンドが提供される。例えば、 1重量％〜9 9重量％のポリアセン誘導体と、 9 9重量％〜 1重量％の合成有機ポリマーとを含有する樹脂組成物が提供される。また、 1 0重量％〜9 0重量％のポリアセン誘導体と、 9 0重量％〜1 0重量％の合成有機ポリマーとを含有する樹脂組成物も提供される。

合成有機ポリマーには、熱可塑性ポリマー、熱硬化性ポリマ一、エンジニアリングプラスチックス、導電性ポリマーなどが含まれる。また、合成有機ポリマ一は、コポリマーであってもよい。熱可塑性ポリマーには、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリシクロォレフィン、エチレン一プロピレンコポリマー等のポリオレフイン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビエル、ポリアクリル酸、ポリメ夕クリル酸、ポリスチレン、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート等が含まれる。熱硬化性ポリマーには、例えば、フエノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ケィ素樹脂、ポリウレタン樹脂が含まれる。ェンジニアリングプラスチックには、例えば、ポリイミド、ポリフエ二レンォキシド、ポリスルホン等が含まれる。合成有機ポリマーは、スチレン—ブタジエン等の合成ゴム、ポリテトラフルォロエチレン等のフッ素樹脂であってもよい。導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアリレンビ二レン、ポリチェ二レンビニレンなどの共役系高分子、若しくはそれらに電子供与性分子または電子受容性分子をドーピングしたものが挙げられる。さらに、導電性ポリマーとしては、テトラチアフルバレン、ビスエチレンジチォテトラチアフルバレンなどの電子供与性分子、若しくは、それらとテトラシァノキノジメタン、テトラシァノエチレンなどの電子受容性分子の組合せによる電荷移動錯体が挙げられる。

この樹脂組成物には、更に、種々の添加剤が含まれていても良い。添加剤としては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、着色剤、ドーパントなどが挙げられる。更に、樹脂組成物には、ガラスファイバー、カーボンファイバ一、ァラミド繊維、ボロン繊維、力一ボンナノチューブ等の強化材が含まれていても良い。上記樹脂組成物は、当業者に公知の方法を用いて、繊維、フイルム又はシー卜の形態にすることができ、制限するわけではないが、この方法には、溶融紡糸、溶液からの紡糸、乾燥ジェット湿式紡糸、押出法、流延法、及び成形法がある。繊維、フィルム又はシートは、圧延成形、型押、二次成形又は当業者に公知の他の方法により更に加工される。

U L ²M Y ^lY²で示される有機金属化合物としては、たとえば、下記に掲げる化合物を用いることができる。

なお、ビス（シクロペン夕ジェニル）ジクロロジルコニウム；ビス（メチルシクロペン夕ジェニル）ジクロロジルコニウム；ビス（ブチルシクロペン夕ジェニル）ジクロロジルコニウム；ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；ビス（フルォレニル）ジクロロジルコニウム；（インデニル）（フルォレニル ) ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペン夕ジェニル）ジクロロチタン；（ジメチルシランジィル）ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジィル）ビス（テトラヒドロインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジィル）（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジィル）ビス（2—メチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジィル）ビス（2—ェチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジィル) ビス（2—メチル一 4， 5一べンゾィンデニル) ジクロ口ジルコニウム；（ジメチルシランジィル）ビス（2—ェチルー 4 , 5 _ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジィル）ビス（2— メチル— 4一フエニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジィル）ビス（2 —ェチル—4一フエニルインデニル）ジクロロジルコニウム； (ジメチルシランジィル）ビス（2—メチル _ 4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジクロロジルコニウムなどのジハロゲノ体については、ナトリウム等のアルカリ金属、マグネシウム等のアルカリ土類金属のような強塩基で還元してからか、又は、ジハロゲノ体をジアルキル体に変換してから、メタラシクロペンタジェンを生成させることが好ましい。

ビス（シクロペン夕ジェニル）ジブチルジルコニウム；

ビス（ブチルシクロペン夕ジェニル）ジブチルジルコニウム；

ビス（メチルシクロペン夕ジェニル）ジブチルジルコニウム；

ビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；

ビス（フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

(インデニル）（フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

( 3—メチルー 5—ナフチルインデニル）（2， 7 —ジー t e r t —プチルフルォレニル）ジブチルジルコニウム；

( 3—メチルー 5—ナフチルインデニル）（3， 4 , 7—トリメトキシフルォレニル）ジブチルジルコニウム；

(ペンタメチルシクロペン夕ジェニル）（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；

(シクロペン夕ジェニル）（1ーォクテン一 8 —ィルシクロペン夕ジェニル）ジブチルジルコニウム；

(インデニル）（ 1ーブテン一 4—ィルシクロペンタジェニル）ジブチルジルコニゥム；

[ 1 , 3 —ビス (卜リメチルシリル) シクロペンタジェニル] ( 3， 4一ベンゾフルォレニル）ジブチルジルコニウム；。

ビス（シクロペン夕ジェニル）ジブチルチタン； (インデニル）ジブチルジルコニウム；

(テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；ジメチルシランジィル（シクロペン夕ジェニル）（インデニル）ジブチルジルコニゥム；

( 2—メチルインデニル）ジブチルジルコニウム；（2—ェチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

( 2—メチル—4， 5—べンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—ェチルー 4 , 5—ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（4 , 5—ジヒドロー 8—メチルー 7 H—シクロべント〔e〕ァセナフチレン— 7—イリデン）ジプチルジルコニウム；ジメチルシランジィル（2—メチルー 4， 5—べンゾインデニル）（2—メチルー 4—フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—ェチル— 4， 5—べンゾインデニル）（2—メチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—メチルー 4， 5—べンゾインデニル）（2—ェチル—4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—ェチルインデニル）（2—ェチル—4一フエニルナフチル）ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—メチルインデニル）（4—フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2 —ェチル— 4 _フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチルー 4 , 6—ジイソプロピルインデニル ) ジブチルジルコニウム；

( 2—ェチルー 4， 6 —ジイソプロピルインデニル ) ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチル _ 4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—ェチルー 4—ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；。

メチルフエニルシランジィルビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；メチルフエニルシランジィル（シクロペンタジェニル）（インデニル）ジブチルジルコニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（テトラヒドロインデニル）ジプチルジルコニゥム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—メチルインデニル）ジブチルジルコニゥム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチルインデニル）ジブチルジルコニゥム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—メチル— 4， 5—べンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチル—4 , 5 _ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（4， 5—ジヒドロ一 8—メチルー 7 H—シクロベント〔e〕ァセナフチレン一 7—^ Tリデン）ジブチルジルコニウム；メチルフエニルシランジィル（2—メチルー 4 , 5—べンゾインデニル）（2 —メチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

メチルフエエルシランジィル（2 —ェチルインデニル）（2—メチルー 4ーフェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

メチルフエニルシランジィル（2—メチル— 4 , 5—べンゾインデニル）（2 —ェチルー 4 _フエニルインニル）ジブチルジルコニウム；

メチルフエニルシランジィル（2—ェチルー 4 , 5—べンゾインデニル）（2 一ェチル—インデニル）ジブチルジルコニウム；

メチルフエニルシランジィル（2—メチルインデニル）（4フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—メチルー 4フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；メチルフエニルシランジィルビス（2—メチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジプチルジルコニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニゥム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチル _ 4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエニルシランジィルビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；ジフエ二ルシランジィルビス（2—メチルインデニル）ジブチルジルコニウム；ジフエニルシランジィルビス（2—ェチルインデニル）ジブチルジルコニゥム；ジフエニルシランジィル（シクロペン夕ジェニル）（インデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエニルシランジィルビス（2—メチル一4， 5—べンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエニルシランジィルビス（2—ェチルー 4 , 5—べンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエニルシランジィル（2—メチルー 4 , 5—べンゾインデニル）（2—メチル— 4フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエニルシランジィル（2—ェチルー 4， 5—べンゾインデニル）（2—メチルー 4フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエニルシランジィル（2—メチルー 4 , 5—べンゾインデニル）（2—ェチルー 4フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエニルシランジィル（2—ェチル— 4， 5—べンゾインデニル）（2—ェチルー 4ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；ジフエニルシランジィル（2—メチルインデニル）（4フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエ二ルシランジィルビス（2—メチルー 4フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエニルシランジィルビス（2—ェチルー 4フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエニルシランジィルビス（2—メチルー 4 , 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエエルシランジィルビ；ス（2—ェチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム

ジフエエルシランジィルビス（2—メチルー 4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

ジフエニルシランジィルビス（2 —ェチル— 4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

1ーシラシクロペンタン— 1、 1 一ビス（インデニル）ジブチルジルコニウム； 1ーシラシクロペンタン一 1、 1 一ビス（2—メチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

1ーシラシクロペンタン一 1、 1 一ビス（2—ェチルインデニル）ジブチルジルコニゥム；

1ーシラシクロペンタン一 1、 1 一ビス（2—メチルー 4， 5—べンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；

1 —シラシクロペンタン一 1、 1 一ビス（2 —ェチルー 4 , 5—ベンゾィンデニル）ジブチルジルコニウム；

1—シラシクロペンタン一 1一（2—メチル一 4 , 5—べンゾインデニル）一 1一（2—メチルー 4—フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

1ーシラシクロペンタン一 1— ( 2—ェチル一 4， 5—べンゾインデニル）一 1一（2—メチル一 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム； 1 —シラシクロペンタン一 1一（2—メチル一 4 , 5—べンゾインデニル）一 1一（2—ェチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム； 1—シラシクロペンタン一 1— ( 2—ェチルー 4， 5—べンゾインデニル）一 1一（2—ェチル—4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム； 1—シラシクロペンタン一 1— ( 2—メチルインデニル）一 1一（4—フエ二ルインデニル）ジブチルジルコニウム；

1ーシラシクロペンタン一 1， 1—ビス（2—メチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

1—シラシクロペンタン一 1， 1一ビス（2—ェチル一 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

1ーシラシクロペンタン一 1， 1一ビス（2—メチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；

1ーシラシクロペンタン一 1， 1一ビス（2—ェチル一 4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；

1—シラシクロペンタン一 1， 1一ビス（2—メチルー 4—ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

1ーシラシクロペンタン一 1 , 1—ビス（2—ェチルー 4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン一 1， 2—ビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン一 1， 2—ビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；エチレン一 1 一（シクロペン夕ジェニル）一 2— （1一インデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン— 1一（シクロペンタジェニル） — 2— ( 2 f ンデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン一 1 一（シクロペン夕ジェニル）一 2— （2—メチルー 1 一インデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン一 1， 2—ビス（2 _メチルインデニル）ジブチルジルコニウム；エチレン一 1 , 2—ビス（2—ェチルインデニル）ジブチルジルコニウム；エチレン一 1， 2—ビス（2—メチルー 4， 5—べンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン一 1，' 2—ビス（2—ェチル—4 , 5—ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン一 1， 2—ビス（4， 5—ジヒドロー 8—メチルー 7 H—シクロペント〔e〕ァセナフチレン一 7—イリデン）ジブチルジルコニウム；

エチレン— 1— (2—メチル—4, 5—べンゾインデニル） — 2— （2—メチル— 4—フエニルインデニル）ジプチルジルコニウム；

エチレン一 1一（2—ェチル—4, 5 _ベンゾインデニル）一 2— （2—メチル— 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン— 1 _ (2—メチル—4, 5—べンゾインデニル）ー 2— （2—ェチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン— 1— (2—ェチル _ 4， 5—べンゾインデニル） — 2— （2—ェチルー 4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン一 1— (2—メチルインデニル） — 2— （4—フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン— 1 , 2—ビス（2 _メチル _ 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニゥム；

エチレン一 1 , 2—ビス（2—ェチルー 4—フエニルインデニル）ジブチルジルコニゥム；

エチレン— 1 , 2—ビス（2—メチル _ 4, 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン— 1 , 2—ビス（2—ェチルー 4, 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；

エチレン一 1， 2—ビス（2—メチル— 4—ナフチルインデニル）ジブチルジルコニゥム；

エチレン一 1 , 2—ビス（2—ェチルー 4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニゥム；

プロピレン一 2, 2 _ビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン— 2—シクロペン夕ジェニルー 2— （1—インデニル）ジブチルジルコニゥム；

プロピレン一 2—シクロペンタジェ二ルー 2 - (4一フエ二ルー 1—ィンデニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2—シクロペン夕ジェニルー 2— （9—フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2—シクロペン夕ジェニルー 2— （2 , 7—ジメトキシー 9ーフルォレニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2—シクロペンタジェ二ルー 2— （2， 7—ジー t e r t—プチル— 9一フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2—シクロペン夕ジェニル _ 2— ( 2 , 7—ジブ口モー 9—フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2—シクロペン夕ジェニルー 2— （2， 7ージフエ二ルー 9ーフルォレニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2—シク口ペン夕ジェニルー 2一 ( 2 , 7一ジメチルー 9—フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2— （3—メチルシクロペンタジェニル）一 2— ( 2 , 7—ジブチルー 9一フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2― ( 3 - t e r t—ブチルシクロペンタジェニル） - 2 - ( 2 , 7—ジブチル _ 9一フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2— ( 3—トリメチルシリルシクロペンタジェニル） — 2— （3 , 6ージ— t e r t—ブチルー 9一フルォレニル）ジブチルジルコニウム；プロピレン— 2—シクロペンタジェ二ルー 2— [ 2 , 7—ビス（3—ブテン一 1一ィル）一 9 _フルォレニル] ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2—シク口ペン夕ジェニルー 2— ( 3— t e r t—ブチルー 9― フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2 , 2—ビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；プロピレン— 2， 2—ビス（ 2 _メチルインデニル）ジブチルジルコニウムプロピレン一 2， 2—ビス（2—ェチルインデニル）ジブチルジルコニウム；プロピレン— 2， 2—ビス（2—メチル一 4 , 5—べンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；プロピレン一 2 , 2—ビス（2 - ェチルー 4， 5—べンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2， 2—ビス（4， 5—ジヒドロ一 8—メチルー 7 H—シクロべント〔e〕ァセナフチレン一 7 - イリデン）ジブチルジルコニウム；プロピレン一 2— （2—メチル-■4 , 5—ベンゾインデニル） — 2— ( 2—メチル— 4一フエ二ルインデニル) ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2― ( 2—ェチル- ' 4， 5—ベンゾインデニル） — 2 ( 2 -メチルー 4一フエ二ルインデニル) ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2— ( 2—メチル-•4 , 5—ベンゾインデニル）一 2 ( 2—ェチル— 4—フエ二ルインデニル) ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2— （2—ェチル-•4， 5—ベンゾインデニル） — 2 ( 2ーェチル— 4一ナフチルインデニル) ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2— ( 2 - ニル）一 2— （4—フエニルインデニル ) ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2 , 2—ビス（2一メチル— 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2 2—ビス（2ーェチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2 2—ビス（2 メチル · 4 , 6—ジイソプロピルインデニル

) ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2 , 2—ビス（2—ェチル · 4 , 6—ジイソプロピルインデニル ) ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2， 2—ビス（2—メチル—4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン一 2， 2—ビス（2—ェチル— 4一ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；

1， 6—ビス [メチルシリルビス（2—メチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム] へキサン；

1 , 6—ビス [メチルシリルビス（2—メチルー 4， 5—べンゾインデニル）ジブチルジルコニウム] へキサン；

1， 6—ビス [メチルシリルビス（2 _ェチル—4—フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム] へキサン；

1， 6—ビス [メチルシリルビス（2—メチルー 4 _ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム] へキサン；

1， 6—ビス [メチルシリルビス（2—メチル—4, 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム] へキサン；

1， 6—ビス [メチルシリル（2—メチル一 4フエニルインデニル）（4， 5 一べンゾインデニル）ジブチルジルコニウム] へキサン；

1一 [メチルシリルビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム] - 6 - [ェチルス夕ニル (シクロペン夕ジェニル) (フルォレニル) ジブチルジルコニウム] へキサン；

1 , 6—ジシラー 1, 1, 6， 6—テトラメチルー 1 , 6—ビス [メチルシリルビス（2—メチル— 4フエニルインデニル）ジブチルジルコニウム] へキサン； 1， 4一ジシラ 1, 4—ビス [メチルシリルビス（2—メチル _ 4フエ二ルインデニル）ジブチルジルコニウム] シクロへキサン；

[1， 4—ビス ( 1—ィンデニル) — 1 , 1, 4, 4ーテトラメチル一 1， 4 —ジシラブタン] ビス（ペンタメチルシクロペン夕ジェニルジブチルジルコニゥム）；

[1, 4—ビス（9一フルォレニル） — 1 , 1, 4， 4ーテトラメチルー 1， 4ージシラブタン] ビス（シクロペンタジェニルジブチルジルコニウム）；

[1， 4_ビス（1—インデニル） — 1 , 1， 4， 4—テトラメチル— 1 , 4 —ジシラブタン] ビス（シクロペンタジェニルジプチルジルコニウム）；

[1一（1一インデニル）一 6— （2—フエ二ルー 1 _インデニル） — 1 , 1 ， 6， 6—テトラェチルー 1， 6—ジシラ一 4ーォキサへキサン] ビス（ t e r tーブチルシクロペンタジェニルジブチルジルコニウム）；

[1, 10—ビス（2， 3 _ジメチルー 1一インデニル）一 1， 1, 1 0, 1 0—テトラメチルー 1， 10—ジゲルマデカン] ビス（2—メチルー 4 _フエニルインデニルジブチルジルコニウム）； ( 1ーメチルー 3— t e r t—ブチルシクロペン夕ジェニル）（1—フエニル一 4ーメトキシー 7—クロ口フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

(4, 7—ジクロ口インデニル）（3， 6 _ジメシチルフルォレニル）ジブチルジルコニウム；

ビス（2， 7—ジ一 t e r t—ブチル— 9—シクロへキシルフルォレニル）ジブチルジルコニウム；

(2, 7—ジメシチルフルォレニル） [2, 7—ビス ( 1一ナフチル) フルォレニル] ジブチルジルコニウム；

ジメチルシリルビス（フルォレニル）ジブチルジルコニウム；

ジブチルス夕ニルビス（2—メチルフルォレニル）ジブチルジルコニウム；

1 , 1 , 2, 2ーテトラェチルジシランジィル（2—メチルインデニル) (4 —フエニルフルォレニル）ジブチルジルコニウム；

プロピレン— 1一（2—インデニル） —2— （9—フルォレニル）ジブチルジルコニゥム；

1, 1一ジメチルー 1—シラエチレンビス（フルォレニル）ジブチルジルコニゥム；

[4一（シクロペン夕ジェニル） 4， 7, 7—卜リメチル（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；

[4 - (シクロペンタジェニル） 4, 7—ジメチル一 7—フエニル（5, 6— ジメチルテトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；

[4 - (シクロペンタジェニル）一 4, 7—ジメチルー 7— (1—ナフチル）

(7 _フエニルテトラヒドロインデニル） ] ジブチルジルコニウム；

[4一（シクロペン夕ジェニル）一 4, 7—ジメチルー 7—ブチル（6 , 6 - ジェチルテトラヒドロインデニル） ] ジブチルジルコニウム；

[4— (3— t e r t—ブチルシクロペンタジェニル）一 4, 7, 7—トリメチル（テトラヒドロインデニル） ] ジブチルジルコニウム；

[4一（1一インデニル）一4, 7, 7—トリメチル（テトラヒドロインデニル） ] ジブチルジルコニウム；

ビス（シクロペン夕ジェニル）ジブチルハフニウム；ビス（インデニル）ジブチルバナジウム；

ビス（フルォレニル）ジブチルスカンジウム；

(インデニル）（フルォレニル）ジブチルニオブ；

( 2—メチルー 7—ナフチルインデニル）（2， 6—ジー t e r t —プチルフルォレニル）ジブチルチタン；

臭化（ペンタメチルシクロペン夕ジェニル）（テトラヒドロインデニル）プチルハフニウム；

(シクロペン夕ェニル）（1ーォクテン一 8—ィルシクロペン夕ジェニル）ジブチル八フニゥム；

(インデニル）（2—ブテン一 4一ィルシクロペンタジェニル）ジブチルチタン；

[ 1， 3—ビス（卜リメチルシリル）シクロペン夕ジェニル] ( 3 , 4—ベンゾフルォレニル）ジブチルニオブ；

ジメチルシランジィルビス（インデニル）ジブチルチタン；

ジメチルシランジィルビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルハフニウム；ジメチルシランジィル（シクロペンタジェニル）（インデニル）ジブチルチタン；

( 2—メチルインデニル）ジブチルハフニウム；

( 2—ェチルインデニル）メチルスカンジウム；ジメチルシランジィルビス（2—プチルー 4， 5—ベンゾインデニル）ジブチルニオブ；

ジメチルシランジィルビス（2—ェチルー 4， 5—ベンゾインデニル）ジブチルチタン；

ジメチルシランジィルビス（4 , 5—ジヒドロ— 8—メチルー 7 H—シクロべン卜〔e〕ァセナフチレン— 7 Γリデン）ジブチルチタン；

ジメチルシランジィル（2—メチル— 4 , 5—べンゾインデニル）（2—メチル— 4一フエニルインデニル）ジブチルチタン；

ジメチルシランジィル（2—ェチル—4 , 5—ベンゾインデニル）（2—メチルー 4—フエニルインデニル）ジブチルハフニウム； ( 2—ェチル—4 , 5—ベンゾインデニル）（2—ェチルー 4一フエニルインデニル）メチルスカンジウム；

ジメチルシランジィル（2—ェチルー 4 , 5—べンゾインデニル）（2—ェチル— 4一ナフチルインデニル) ジブチルチタン；

ジメチルシランジィル（2—メチルインデニル）（4—フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

—メチル— 4一フエニルインデニル）ジブチル —ェチルー 4—フエニルインデニル）ジブチル —メチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル —ェチル— 4， 6—ジイソプロピルインデニル

( 2—メチルー 4—ナフチルインデニル) プチ

—ェチルー 4—ナフチルインデニル）ジブチルチタン；

メチルフエニルシランジィルビス（インデニル）ジブチルチタン；

メチルフエニルシランジィル（シクロペン夕ジェニル）（インデニル）ハフ二ゥム；

メチルフエニルシランジィルビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルハフ二ゥム； '

メチルフエニルシランジィルビス（2—メチルインデニル）ジブチルチタン；メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチルインデニル）ジブチルハフニゥム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—メチル—4 , 5—べンゾインデニル）ジブチルハフニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチル—4， 5—ベンゾインデニル）ジブチルバナジウム；

メチルフエニルシランジィルビス（4， 5—ジヒドロー 8—メチル _ 7 H—シクロベント〔_e〕ァセナフチレン— 7—イリデン）ジブチルチタン；臭化メチルフエニルシランジィルビス（2—メチル—4， 5 _ベンゾインデニル）（2 _メチル _ 4一フエニルインデニル）ブチルチタン；

メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチル—4， 5—べンゾインデニル）

( 2—メチル一 4一フエ二ルインデニル）ジブチルチタン；

メチルフエニルシランジィルビス（2 —メチル _ 4， 5 _ベンゾインデニル）

( 2—ェチル _ 4一フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチルー 4 , 5—ベンゾインデニル）

( 2—ェチルー 4—フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

メチルフエニルシランジィル（2—メチルインデニル）（4—フエ二ルインデニル）ジブチルチタン；

メチルフエニルシランジィルビス ( 2 —メチル— 4 _フエニルインデニル) ジプチルハフニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチルー 4—フエニルインデニル）ジブチルバナジウム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—メチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルチタン；

メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルハフニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—メチルー 4一ナフチルインデニル）ジプチルハフニウム；

メチルフエニルシランジィルビス（2—ェチルー 4—ナフチルインデニル）ジプチルチタン；

ジフエニルシランジィルビス（インデニル）ジブチルチタン；

ジフエニルシランジィルビス（2—メチルインデニル）ジブチルハフニウム；ジフエニルシランジィルビス（2—ェチルインデニル）ジブチルチタン；ジフエニルシランジィルビス（シクロペン夕ジェニル）（インデニル）ジプチル八フニゥム；

ジフエニルシランジィルビス（2—メチルー 4 , 5—べンゾインデニル）ジブチルチタン；

ジフエニルシランジィルビス（2—ェチル—4， 5—べンゾインデニル）ジブチル八フニゥム；

ジフエニルシランジィル（2—メチルー 4， 5—べンゾインデニル）（2—メチル— 4， 5—フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

ジフエニルシランジィル（2—ェチル _ 4， 5—べンゾインデニル）（2—メチルー 4， 5—フエニルインデニル）ジブチルチタン；

ジフエニルシランジィル（2—メチル _ 4， 5—ベンゾインデニル）（2—ェチルー 4， 5—フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

ジフエ二ルシランジィル（2—ェチル— 4， 5—べンゾインデニル）（2—ェチルー 4 , 5—フエニルインデニル）ジブチルチタン；

ジフエ二ルシランジィル ( 2—メチルインデニル) ( 4一フエ二ルインデニル ) ジブチルチタン；

ジフエニルシランジィルビス（2—メチル— 4—フエニルインデニル）ジブチルチタン；

ジフエ二ルシランジィルビス（2—ェチル—4一フエニルインデニル）ジブチル八フニゥム；

ジフエ二ルシランジィルビス（2—メチル一 4 , 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルハフニウム；

ジフエ二ルシランジィルビス（2—ェチル—4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルハフニウム；

ジフエニルシランジィルビス（2—メチルー 4一ナフチルインデニル）ジブチル八フニゥム；

ジフエニルシランジィルビス（2 _ェチル— 4一ナフチルインデニル）ジブチルチタン；

1—シラシクロペンタン— 1， 1 一ビス（インデニル）ジブチルハフニウム； 1ーシラシクロペンタン一 1， 1一ビス（2—メチルインデニル）ジブチルハフニゥム；

1ーシラシクロペンタン一 1， 1一ビス（2—ェチルインデニル）ジブチルハフニゥム；

1—シラシクロペンタン一 1 , 1一ビス（2—メチル _ 4， 5—べンゾインデニル）ジブチルチタン；

1ーシラシクロペンタン一 1 , 1—ビス（2—ェチル一 4， 5—ベンゾィンデニル）ジブチルハフニウム；

1ーシラシクロペンタン一 1— ( 2—メチル一 4 , 5—ベンゾインデニル）一 1一 ( 2—メチルー 4—フエ二ルインデニル) メチルスカンジウム；

1ーシラシクロペンタン一 1一（2—ェチル—4， 5—ベンゾインデニル）一 1— ( 2—メチルー 4—フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

1ーシラシクロペンタン一 1— ( 2ーメチルー 4， 5一べンゾィンデニル) ― 1一（2—ェチルー 4—フエニルインデニル）ジブチルチタン；

1ーシラシクロペンタン一 1— ( 2—ェチルー 4， 5—ベンゾィンデニル) ― 1一（2 _ェチル— 4—フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

1ーシラシクロペンタン一 1 _ ( 2—メチルインデニル）一 1— ( 4一フエ二ルインデニル）ジブチルハフニウム；

1—シラシクロペンタン一 1， 1一ビス（ 2—メチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

臭化 1ーシラシクロペンタン— 1 , 1一ビス（2—ェチル一 4—フエニルインデニル）ジブチルチタン；

1—シラシクロペンタン一 1 , 1一ビス（2—メチル一 4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルチタン；

1ーシラシクロペンタン一 1， 1一ビス（2—ェチル一 4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルチタン；

1ーシラシクロペンタン一 1， 1—ビス（2—メチル一 4—ナフチルインデニル）メチルスカンジウム；

1ーシラシクロペンタン一 1， 1一ビス（2—ェチルー 4—ナフチルインデニル）ジブチルハフニウム；エチレン一 1， 2 _ビス（インデニル）メチルスカンジウム；エチレン— 1， 2—ビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルチタン；エチレン一 1一（シクロペン夕ジェニル）一 2— （1一インデニル）ジブチルハフニウム；

臭化工チレン一 1一（シクロペン夕ジェニル） —2— （2—インデニル）プチルチタン；

エチレン— 1— (シクロペンタジェニル） — 2— (2—メチル— 1—インデニル）ジブチルハフニウム；

1， 2—ビス（2—メチルインデニル）ジブチルハフニウム；エチレン一 11， 2—ビス（2—ェチルインデニル）ジプチルハフニウム；エチレン一 11， 2—ビス（2—メチル—4， 5 _ベンゾインデニル）ジブチルハフニウム；

エチレン一 1 2 _ビス（2—ェチル—4， 5—べンゾインデニル）ジブチルチタン；

エチレン— 1 1 , 2 _ビス（4， 5—ジヒドロー 8—メチルー 7 H—シクロペント〔e〕ァセナフチレン— 7—ィリデン) ジブチルチタン；

エチレン— 1一（2—メチル—4， 5_ベンゾインデニル） — 2— (2—メチルー 4—フエニルインデニル）ジブチルチタン；

エチレン— 1— (2—ェチルー 4, 5—ベンゾインデニル） — 2— (2—メチルー 4 _フエニルインデニル）ジブチルチタン；

エチレン— 1— (2—メチルー 4, 5—ベンゾインデニル） — 2— (2—ェチルー 4—フエニルインデニル）メチルスカンジウム；

エチレン— 1— (2—ェチル—4， 5—ベンゾインデニル）一 2_ (2—ェチル— 4—ナフチルインデニル) ジブチルハフニウム；

エチレン一 1 _ (2—メチルインデニル） — 2— (4—フエニルインデニル）ジブチルチタン；

エチレン— 1， 2—ビス（2—メチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルハフニゥム；

エチレン一 1， 2 _ビス（2—ェチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルハフニゥム；

エチレン— 1， 2—ビス（2—メチルー 4 , 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルハフニウム；

エチレン— 1， 2—ビス（2—ェチル _ 4 , 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルチタン；

エチレン— 1， 2—ビス（2—メチル—4一ナフチルインデニル）ジブチルチタン；

エチレン— 1 , 2 —ビス（2 —ェチル— 4一ナフチルインデニル）ジブチルハフニゥム；

プロピレン一 2， 2—ビス（インデニル）ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2—シクロペン夕ジェニルー 2 _ ( 1—インデニル）ジブチルチタン；

プロピレン一 2ーシク口ペン夕ジェニルー 2一（4—フエニル一 1—ィンデニル）ジブチルチタン；

プロピレン一 2—シク口ペンタジェ二ルー 2— ( 9 一フルォレニル) ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2—シクロペン夕ジェニルー 2一 ( 2 , 7ージメトキシ一 9ーフルォレニル）ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2ーシクロペン夕ジェニルー 2— ( 2 , 7—ジ一 t e r t —プチルー 9 —フルォレニル）ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2—シクロペン夕ジェニル _ 2— ( 2 , 7—ジブ口モー 9 _フルォレニル）ジブチルチタン；

プロピレン一 2—シクロペン夕ジェニルー 2— ( 2， 7ージフエニル— 9ーフルォレニル）ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2—シクロペンタジェニル一 2 _ ( 2 , 7—ジメチルー 9一フルォレニル）ジブチルチタン；

プロピレン一 2— ( 3ーメチルシクロペン夕ジェニル) — 2— ( 2 , 7—ジブチルー 9一フルォレニル）ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2— ( 3 - t e r tーブチルシクロペン夕ジェニル）一 2— （2 , 7—ジブチル— 9—フルォレニル）ジブチルチタン；

プロピレン一 2 _ (3—トリメチルシリルシクロペン夕ジェニル）一 2— (3 , 6—ジ— t e r t—ブチルー 9一フルォレニル）ジブチルチタン；プロピレン一 2—シクロペン夕ジェニル一 2 _ [2， 7—ビス（3—ブテン一 1—ィル）一 9—フルォレニル] ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2—シクロペン夕ジェニルー 2 _ ( 3— t e r t—ブチルー 9 - フルォレニル）ジブチルチタン；

プロピレン一 2, 2—ビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルハフニウム；フロピレン一 2 2—ビス（2—メチルインデニル）ジブチルハフニウム；プロピレン一 2 2—ビス（2—ェチルインデニル）ジブチルチタン；プロピレン一 2 2—ビス（2—メチル—4， 5—べンゾインデニル）ジブチルチタン；

プロピレン一 2 2—ビス（2—ェチルー 4， 5—べンゾインデニル）ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2 2—ビス（4， 5—ジヒドロ _ 8—メチルー 7H—シクロべント〔e〕ァセナフチレン— 7—イリデン）ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2— (2—メチルー 4， 5—ベンゾインデニル）一 2— (2—メチル— 4—フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

プロピレン _ 2 _ (2—ェチルー 4， 5—べンゾインデニル）一 2— (2—メチル— 4—フエニルインデニル）ジブチルチタン；

プロピレン一 2— (2一メチル—4, 5—ベンゾィンデニル) 一 2— (2 -X チル— 4—フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2— (2—ェチル—4， 5—べンゾインデニル） — 2— (2—ェチルー 4一ナフチルインデニル）ジブチルチタン；

プロピレン一 2— (2—メチルインデニル）一 2— （4一フエニルインデニル ) ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2, 2—ビス（2 _メチル _ 4一フエニルインデニル）ジブチルチタン；

プロピレン— 2， 2—ビス（2—ェチルー 4—フエニルインデニル）ジブチルハフニウム；

プロピレン一 2， 2—ビス（2—メチル— 4， 6—ジイソプロピルインデニル ) ジブチルチタン；

プロピレン一 2 , 2—ビス（2—ェチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル ) ジブチルハフニウム；

プロピレン— 2， 2—ビス（2—メチル— 4一ナフチルインデニル）ジブチルチタン；

プロピレン— 2， 2—ビス（2—ェチル— 4—ナフチルインデニル）ジブチルチタン；

1 , 6—ビス [メチルシリルビス（2 —メチル _ 4一フエニルインデニル）ジブチルハフニウム] へキサン；

1， 6—ビス [メチルシリルビス（2—メチル—4， 5 _ベンゾインデニル）

1， 6—ビス [メチルシリルビス（2—ェチルー 4一フエニルインデニル）ジブチルハフニウム] へキサン；

1， 6—ビス [メチルシリルビス ( 2—メチル—4一ナフチルインデニル）ジブチルチタン] へキサン；

1， 6—ビス [メチルシリルビス（2—メチル—4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジブチルハフニウム] へキサン；

1， 6 —ビス [メチルシリル（2—メチル—4フエニルインデニル）（4， 5 一べンゾインデニル）ジブチルチタン] へキサン；

1 一 [メチルシリルビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルハフニウム] 一 6— [ェチルス夕ニル（シクロペンタジェニル）（フルォレニル）ジブチルチタン] へキサン；

1， 6—ジシラー 1， 1， 6， 6—テトラメチル一 1 , 6 _ビス [メチルシリルビス（2—メチルー 4フエニルインデニル）ジブチルハフニウム] へキサン

1， 4—ジシラ 1、 4—ビス [メチルシリルビス（2—メチル _ 4フエ二ルインデニル）ジブチルハフニウム] シクロへキサン； [1， 4—ビス（1一インデニル） _ 1， 1， 4， 4ーテトラメチルー 1, 4 ージシラブタン] ビス（ペンタメチルシクロペン夕ジェニルジブチルハフニゥム）；

[1， 4—ビス（9一フルォレニル）一 1, 1， 4, 4—テトラメチル— 1， 4ージシラブタン] ビス（シクロペン夕ジェニルジブチルハフニウム）；

[1， 4_ビス（1—インデニル）一 1， 1， 4， 4—テトラメチル一 1， 4 —ジシラブタン] ビス（シクロペン夕ジェニルジブチルチタン）；

[1— (1一インデニル）一 6— (2—フエニル— 1—インデニル） _ 1， 1 ， 6， 6—テトラエチル— 1， 6—ジシラー 4—ォキサへキサン] ビス（ t e r t—プチルシクロペン夕ジェニルジブチルチタン）；

[1, 10—ビス（2， 3—ジメチル— 1一インデニル）一 1， 1， 1 0， 1 0—テトラメチル一 1, 10—ジゲルマデカン] ビス（2—メチルー 4—フエニルインデニルジブチルハフニウム）；

( 1ーメチル— 3— t e r t—プチルシクロペンタジェニル）（ 1一フエニル一 4ーメトキシ— 7—クロ口フルォレニル）ジブチルチタン；

(4， 7—ジクロ口インデニル）（3， 6—ジメシチルフルォレニル）ジブチルチタン；

ビス（2， 7—ジー t e r t—ブチル— 9—シクロへキシルフルォレニル）ジブチルハフニウム；

(2, 7—ジメシチルフルォレニル) [2, 7 -ビス (1—ナフチル）フルォレニル] ジブチルハフニウム；

ジメチルシリルビス（フルォレニル）ジブチルチタン；

ジブチルス夕ニルビス（2—メチルフルォレニル）ジブチルハフニウム； 1， 1， 2， 2—テトラェチルジシランジィル（2—メチルインデニル）（4 一フエニルフルォレニル）ジブチルチタン；

プロピレン一 1— (2—インデニル） - 2 - (9一フルォレニル) ジブチルハフニゥム；

1、 1ージメチル一 1—シラエチレンビス（フルォレニル）ジブチルチタン； [4— (シクロペン夕ジェニル） 4, 7 , 7—トリメチル（テトラヒドロインデニル）ジブチルチタン；

[4— (シクロペンタジェニル） 4， 7—ジメチル一 7—フエニル（5, 6 - ジメチルテトラヒドロインデニル）ジブチルハフニウム；

[4一（シクロペン夕ジェニル）一4， 7—ジメチルー 7— （1—ナフチル） (7—フエニルテトラヒドロインデニル） ] ジブチルチタン；

[4 - (シクロペンタジェニル） —4, 7—ジメチルー 7—ブチル（6， 6 - ジェチルテトラヒドロインデニル） ] ジブチルハフニウム；

[4一（3— t e r t—ブチルシクロペン夕ジェニル）一 4， 7, 7—トリメチル（テトラヒドロインデニル） ] ジブチルハフニウム；

[4- (1 f ンデニル）一 4, 7, 7—トリメチル（テトラヒドロインデニル） ] ジブチルチタン；。

ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；

ビス（フルォレニル）ジクロロジルコニウム；

(インデニル）（フルォレニル）ジクロロジルコニウム；

ビス（シクロペンタジェニル）ジクロロチタン；

ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；

ビス（テトラヒドロインデニル）ジクロロジルコ二ゥム；

(インデニル）ジクロロジルコニウム；

ビス（2—メチルインデニル）ジクロロジルコニゥビス（2—ェチルインデニル）ジクロロジルコニゥビス（2—メチルー 4， 5—べンゾインデニル）ジビス（2—ェチル一4, 5—べンゾインデニル）ジビス（2—メチルー 4—フエニルインデニル）ジクビス（2—ェチルー 4—フエニルインデニル）ジクロロジルコニウム；

(ジメチルシランジィル）ビス（2—メチル—4， 6—ジイソプロピルインデニル）ジクロロジルコニウム；

ビス（シクロペンタジェニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；ビス（メチルシクロペン夕ジェニル） (り⁴—ブタジエン) ジルコニウム；ビス（n—ブチルシクロペン夕ジェニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム

；ビスインデニル（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

( t e r t -ブチルアミド）ジメチル (テ卜ラメチルー ?7 ⁵—シクロペン夕ジェニル）シラン ( 71 ⁴—ブタジエン) ジルコニウム；

ビス（2—メチルベンゾインデニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；ジメチルシランジィルビス（2—メチルーインデニル） ( 7? ⁴—ブタジエン) ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビスインデニル（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；ジメチルシランジィルビス（2 —メチルインデニル）（ ⁴—ブタジエン）ジルコニゥム；

ジメチルシランジィル（2—メチルベンゾインデニル）（2—メチル—インデニル）（7ί ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—メチルベンゾインデニル）（2—メチル—4ーフェニルインデニル) ( 77 ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィル ( 2—メチルインデニル）（4—フエニルインデニル） ( ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチル— 4一フエニルインデニル） ( 7] ⁴— ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチル一 4， 6—ジイソプロピルインデニル

) ( 7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチル一 4—ナフチルインデニル）（7? ⁴— ブタジエン）ジルコニウム；

イソプロピリデン（シクロペン夕ジェニル）（フルォレニル）（？？⁴—ブ夕ジェン）ジルコニウム；

イソプロピリデン（シクロペン夕ジェニル）（インデニル）（ ⁴ーブ夕ジェン）ジルコニウム；

( 4— ? ⁵—シクロペンタジェニル） —4 , 7 , 7 _トリメチルー（7? ⁵— 4 , 5， 6， 7—テトラヒドロインデニル）（ ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；ジメチルシランジィルビス（2—メチル一インデニル）（77 ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ニウム

⁴—ブ夕ジェン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—メチルベンゾインデニル）（2—メチル—インデニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—メチルベンゾインデニル）（2—メチル一 4—フェニルインデニル）（ ⁴一ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—メチルベインデニル）（4—フエニルインデニル ) ( 7? ⁴ _ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2 —メチル—4—フエニルインデニル）（7? ⁴— ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2 —メチル一 4 , 6 _ジィソプロピルインデニル ) ( ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチルインデニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニゥム；

ニウム；

⁴—ブ夕ジェン）ジルコニウム；。

ジメチルシランジィル（2—メチルベンゾインデニル）（2—メチルインデニル）（7] ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—メチルベンゾインデニル）（2—メチル—4ーフェニルインデニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム； ( 2—べンゾィンデニル）（4—フエ二ルインデニル） ( η ⁴—ブタジエン) ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2 —メチル— 4一フエニルインデニル） ( η ⁴— ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル

) ( 7ί ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチルー 4一ナフチルインデニル） ( 7) ⁴— ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス ( 2—メチルインデニル) ( 7] ⁴—ブタジエン）ジルコニゥム；

コニウム；

77 ⁴—ブ夕ジェン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—メチルベンゾインデニル）（2—メチルインデニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—メチルベンゾインデニル）（2—メチル—4—フェニルインデニル）（ ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィル（2—メチルベンゾインデニル）（4一フエ二ルインデニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル ) ( 7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—メチルー 4一ナフチルインデニル）（7? ⁴— ブタジエン）ジルコニウム；

メチルフエニルメチレン（フルォレニル）（シクロペンタジェニル）（7? ⁴— ブタジエン）ジルコニウム；

ジフエ二ルメチレン（フルォレニル）（シクロペンタジェニル）（7? ⁴—ブタジェン）ジルコニウム；イソプロピリデン（3— -ニル）（フルォレニル）（7? ⁴一ブタジエン）ジルコニウム；

：ニル）（フルォレニル）（77 ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

ジフエニルシランジィル（3— （トリメチルシリル）シクロペン夕ジェニル） (フルォレニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

フエニルメチルシランジィルビス（2—メチルインデニル） ( η ⁴—ブタジェン）ジルコニウム；

フエニルメチルシランジィルビスインデニル（7? ⁴ _ブタジエン）ジルコニゥム；

フエニルメチルシランジィルビス（2—メチル—4， 5—べンゾインデニル） ( V ⁴—ブタジエン) ジルコニウム；

フエニルメチルシランジィル（2—メチルー 4， 5 _ベンゾインデニル）（2 一メチルインデニル）（ ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

フエニルメチルシランジィル（2—メチルー 4 , 5—ベンゾインデニル）（2 —メチル— 4一フエニルインデニル）（77 ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；フエニルメチルシランジィル（2—メチルインデニル）（4—フエ二ルインデニル）（？7 ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

フエニルメチルシランジィルビス（2—メチル— 4一フエニルインデニル）（ ?7 ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

フエニルメチルシランジィルビス ( 2—ェチル— 4一フエ二ルインデニル) ( η ⁴—ブタジエン) ジルコニウム；

フエニルメチルシランジィルビス（2—メチルー 4、 6—ジイソプロピルインデニル）（77 ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

フエニルメチルシランジィルビス（2—メチル—4ナフチルルインデニル）（ 7？⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

エチレンビス（2—メチルインデニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；エチレンビスインデニル（7 ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

エチレンビス（2—メチル一 4， 5—べンゾインデニル）（7? ⁴—ブタジエン ) ジルコニウム；。

エチレン（2—メチル— 4 , 5—べンゾインデニル）（2 —メチル _ 4一フエニルインデニル）（ ⁴一ブタジエン）ジルコニウム；

エチレン（ 2 _メチルインデニル）（2—メチルー 4一フエニルインデニル） ( 7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

エチレン（2—メチルインデニル）（4—フエニル—インデニル） ( Π ⁴—プ夕ジェン）ジルコニウム；

エチレンビス（2 —メチル— 4 , 5—ベンゾインデニル）（7? ⁴—ブタジエン ) ジルコニウム；

エチレンビス（2—メチル—4—フエニルインデニル） ( 71 ⁴—ブタジエン) ジルコニウム；

エチレンビス（2 _メチル一 4 , 6—ジイソプロピルインデニル）（7? ⁴—ブ夕ジェン）ジルコニウム；

エチレンビス（2—メチルー 4—ナフチルインデニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

エチレンビス（2—ェチル— 4一フエニルインデニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

エチレンビス（2—ェチルー 4， 6—ジイソプロピルインデニル） ( η ⁴—プ夕ジェン）ジルコニウム；

エチレンビス（2—ェチルー 4—ナフチルインデニル）（7? ⁴ _ブタジエン）ジルコニウム；

ジメチルシランジィルビス（2—ェチル—4一フエニルインデニル）（7? ⁴— ブタジエン）ジルコニウム； ( 77 ⁴—ブタジエン）ジルコニウム；

1， 6 — {ビス [メチルシリルビス（2—メチルー 4一フエニルインデニル（ η ⁴—ブタジエン) ジルコニウム） ] へキサン；

1， 6 — {ビス [メチルシリルビス（2—ェチル—4—フエニルインデニル（ 7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム） ] へキサン； 1， 6— {ビス [メチルシリルビス（2 _メチル—4—ナフチルインデニル（？? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム） ] へキサン；

1, 6 - {ビス [メチルシリルビス（2—メチルー 4， 5—べンゾインデニル (7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム） ] へキサン；

1, 6— {ビス [メチルシリル（2—メチル— 4—フエニルインデニル）（2 —メチルインデニル）（7? ⁴—ブタジエン）ジルコニウム] } へキサン； 1， 2— {ビス [メチルシリルビス（2—メチルー 4一フエニルインデニル（ ?7⁴—ブタジエン）ジルコニウム） ] ェタン；

1, 2— {ビス [メチルシリルビス (2—ェチル—4一フエニルインデニル（ η ⁴—ブタジエン) ジルコニウム） ] ェタン；

1, 2― {ビス [メチルシリルビス (2—メチル—4—ナフチルインデニル ( 7？⁴—ブタジエン）ジルコニウム） ] ェタン；

1, 2 - {ビス [メチルシリルビス（2—メチルー 4， 5—ベンゾインデニル (7? ⁴_ブタジエン）ジルコニウム） ] ェタン；

1， 2— {ビス [メチルシリル（2—メチル—4一フエニルインデニル）（2 一メチルインデニル）（ ⁴一ブタジエン）ジルコニウム] } ェタン。実施例

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。ただし、本発明は、下記の実施例に制限されるものではない。

すべての反応は、窒素雰囲気下のもとで行われた。溶媒として用いた THF、ジェチルエーテル、へキサン、ベンゼンは窒素気流下、ナトリウム金属、ベンゾフエノンで蒸留して無水とし、また 1, 2-ジクロロエタンは窒素加圧下五酸化リンによって蒸留したものを用いた。ジルコノセンジクロリドは、 Aldrich C emical Company, In 、日亜化学工業から購入したものを用い、その他の試薬は関東化学、東京化成工業、 Aldrichから購入した。 NMRおよび¹³ C- NMRスぺクトルは、 B ker ARX- 400または JEOL JNM- LA300を用いて測定した。この時、 Ή-NMR：テトラメチルシラン； ¹³C-匪 R：重水素化クロ口ホルムを内部標準とした。ガスクロマトグラフィーは SHIMADZU CBP1-M25-025 fused silica capilla ry columnを備えた SHIMADZU GC-14A gas chromatograpiiで測定し、記録は SHIM ADZU CR6A-C romatopac integratorを用いた。 GCにより収率を求めたときはメシチレン、 n-ドデカンを内部標準として用いた。カラムクロマトグラフィーのカラム充填剤として、関東化学シリカゲル 60N (球状、中性） 40- 100マイクロメートルを使用した。

参考例 1

ジメチル 1, 4, 5， 6， 7， 8-へキサプロピル一 9， 10—ジヒドロアントラセン- 2

, 3 -ジカルポキシレート

ビス（7? ⁵—シクロペンタジェニル）ジクロロジルコニウム（1. 2mmo 1 ) 及び THF (1 0m l ) をシュレンク管に投入した。この溶液を一 78 °C に冷却し、次いで、 n—ブチルリチウム（2. 4mmo 1 ) を添加した。この溶液を— 78でにて 1時間、攪拌し、ビス（77⁵—シクロペン夕ジェニル）ジブチルジルコニウムを得た。

一 78°Cにて、この反応混合物に 1, 2 _ビス（2—へキシニル） — 3， 4 ， 5. 6—テトラプロピルベンゼン（1. Ommo 1 ) を添加し、次いで、室温にまで暖め、 1時間、放置し、 1ージルコナシクロペン夕一 2, 4—ジェン誘導体を得た。

こうして得られた、 1ージルコナシクロペンター 2， 4一ジェン（1. Om mo 1 ) 誘導体の THF ( 1 Om 1 ) 溶液に、室温にて、 C u C 1 (2. Om mo 1 ) 及びジメチルアセチレンジカルポキシレート（3. Ommo 1 ) を添加し、さらに、室温にて 1時間、攪拌した。次いで、 3 N塩酸を添加し、反応を終了させた。次いで、ジェチルエーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィ一を行い、標題化合物を得た。

参考例 1の標題化合物又はそれに類似する化合物を芳香族化して得られた参考例 2の表題化合物又はそれに類似する化合物から、実施例 1の標題化合物又はそれに類似する化合物の合成までのスキームを図 1に示す。

参考例 2

ジメチル 1， 4, 5, 6, 7, 8-へキサプロピルアントラセン - 2, 3 -ジカルポキシレー h

参考例 1で得られた、ジメチル 1， 4， 5， 6, 7, 8-へキサプロピル— 9， 10— ジヒドロアントラセン- 2, 3 -ジカルポキシレ一トを用いた。 2， 3-ジクロロ- 5， 6 - ジシァノベンゾキノン（0.729 g， 3.21 mmol)をジメチル 1， 4, 5， 6， 7, 8-へキサプロピル一 9， 10—ジヒドロアントラセン- 2, 3-ジカルポキシレート（1.5 54 g， 2.832 mmol)のベンゼン（25ml) 溶液に添加した。次いで、混合物を 1時間、リフラックスした。濾過後、混合物中の溶媒を真空下で除去した。へキサンで粉末化することにより、 1.393 gの標題化合物が白色固体として得られた。単離収率 90%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.13 (t, J = 7.2 Hz, 6H) , 1.14 (t, J = 7.3

Hz, 6H), 1.21 (t, J = 7.3 Hz, 6H) , 1.60-1.66 (m, 4H) , 1.76-1.91 (m, 8

H), 2.80 (t, J = 8.3 Hz, 4H)， 3.14-3.23 (m, 8H)， 3.93 (s, 6H) , 8.82 ( s, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.77 (20, 15.01 (20, 15.03 (20, 2

4.61 (20, 24.74 (20, 24.88 (20, 31.69 (20, 32.71 (20, 32.81 (20

, 52.25 (20, 121.42 (20, 126.48 (20, 128.81 (20, 130.52 (20, 133

.85 (20, 137.50 (20, 137.90 (20, 169.78 (20. 元素分析計算値 C₃₆H₅。

： C 79.08; H, 9.22. 実験値： C， 79.02; H, 9.20. 高分解能質量分析計算値 C₃₆H_5Q0₄546.3709, 実験値 546.3709。

参考例 3

2, 3_ビス（ヒロドキシメチル）-1， 4, 5， 6, 7, 8 -へキサプロピルアントラセン参考例 2で得られたジメチル 1,4， 5, 6， 7, 8 -へキサプロピルアントラセン - 2， 3 -ジカルポキシレートを用いた。ジメチル 1, 4， 5， 6, 7， 8-へキサプロピルァントラセン- 2， 3-ジカルポキシレートのジェチルエーテル溶液に、 0°Cにて、水素化リチウムアルミニウムを添加し、次いで、室温に暖め、 1時間、攪拌した。室温にて水を添加し、反応を終了させた。次いで、 2 N硫酸でわずかに酸性にして、エーテルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシゥムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、へキサンを用いて、カラムクロマトグラフィーを行った。へキサンからの再結晶により、 6.637 g (13.846 匪 ol )の標題化合物が淡黄色固体として得られた。単離収率 98%。

Ή NM (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.11-1.26 (m, 亂 1.58-1.68 (m, 氣 1.74 — 1.81 (m, 8H), 2.78 (t, J = 8.3 Hz, 4H)， 3.15 (t, J = 8.3 Hz, 4H) , 3. 26 (t, J = 8.3 Hz, 4H), 5.00 (s， 4H)， 8.75 (s， 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄ Si) δ 14.81 (20, 15.05 (40, 24.56 (20, 24.94 (20, 25.08 (20, 31. 37 (20, 31.75 (20, 32.81 (20, 60.18 (20 , 120.44 (20, 129.30 (20 , 129.74 (20, 133.03 (20, 133.62 (20, 136.42 (20, 136.85 (20. 元素分析計算値 C₃₄H_5Q0₂: C, 83.21; H, 10.27. 実験値： C, 83.00; H, 10.50. 高分解能質量分析計算値 C₃₄H₅。0₂ 490.3811, 実験値 490.3811。

参考例 4

2, 3_ビス（プロモメチル） - 1， 4, 5, 6, 7, 8 -へキサプロピルアントラセン

参考例 3で得られた 1, 3 -ビス（ヒロドキシメチル）-1， 4, 5， 6, 7, 8 -へキサプ口ピルアントラセンを用いた。 2, 3_ビス（ヒロドキシメチル）-1， 4, 5, 6， 7, 8 -へキサプロピルアントラセン（l e q) のクロ口ホルム溶液に、室温にて、三臭化リン（l e q) を添加し、次いで、室温にて 1時間、攪拌した。次いで、ェ一テルで抽出し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を除去し、残渣をへキサンへキサンから再結晶し、 7.767 g (13.120 匪 ol) の標題化合物が淡黄色固体として得られた。単離収率 96%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.13 (t, J = 7.3 Hz, 6H) , 1.20 (t, J = 7.2 Hz, 6H) ， 1. 4 (t, J = 7.1 Hz, 6H) , 1.60-1.66 (m, 4H) , 1.75-1.87 (m, 8 H), 2.78 (t， J = 8.4 Hz, 4H) , 3.15 (t, J = 8.3 Hz, 4H) , 3.27 (t， J =

8.3 Hz, 4H), 4.99 (s, 4H) , 8.72 (s, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.9

6 (20, 15.03 (40, 24.38 (20, 24.60 (20, 24.90 (20, 29.91 (20, 3

1.63 (20, 31.72 (20, 32.83 (20, 120.69 (20, 129.14 (20, 129.17 (

20, 130.21 (20, 133.76 (20, 137.4.3 (20, 138.69 (20. 元素分析計算値 C₃₄H₄₈Br₂: C, 66.23; H, 7.85; Br, 25.92. 実験値： C, 66.35; H， 7.92;

Br, 25.85。

参考例 5

2, 3-ビス (2 -へキシニル） -1， 4, 5, 6, 7, 8-へキサプロピルアントラセン

参考例 4で得られた 2, 3 -ビス（プロモメチル） - 1, 4， 5, 6, 7, 8 -へキサプロピルアントラセンを用いた。 2, 3 -ビス（プロモメチル） - 1, 4, 5, 6， 7, 8-へキサプロピルアントラセンの THF溶液に、 N, N'—ジメチルプロピレンゥレア (DM PU) 及び 1一ペンチニルリチウムを添加した。反応混合物を室温にて 1時間、攪拌した。 3 N塩酸を添加して、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した後、残渣をシリカゲルを充填剤として、へキサンを用いて、カラムクロマトグラフィーを行った。メタノールからの再結晶により、 6.372 g (12.338 mmol)の標題化合物が黄色固体として得られた。単離収率 87%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 0.93 (t, J = 7.4 Hz, 6H) , 1.12 (t, J = 7.3 Hz, 6H), 1.20 (t, J = 7.3 Hz, 6H) , 1.21 (t, J = 7.4 Hz, 6H) , 1.43—1.5 3 (DI, 4H), 1.58-1.66 (m, 4H) , 1.76-1.86 (m, 8H) , 2.11 (U, J = 2.1, 7 .0 Hz, 4H), 2.77 (t, J = 8.3 Hz, 4H) , 3.15 (t, J = 8.2 Hz, 4H) , 3.24 (t, J = 8.3Hz, 4H), 3.86 (t， J = 2.1 Hz, 4H) , 8.69 (s, 2H)； ¹³C NMR (C DC1₃, Me₄Si) δ 13.47 (20, 14.97 (20 , 15.05 (40, 20.11 (20 , 20.95 ( 20, 22.38 (20, 24.09 (20, 24.54 (20, 24.96 (20, 31.78 (20, 31.9 0 (20, 32.81 (20, 78.57 (20, 80.99 (20, 119.71 (20, 129.19 (20 , 129.31 (20, 131.17 (20, 133.55 (20, 134.55 (20, 136.20 (20. 元素分析計算値 C₄₄H₆₂: C, 89.43; H, 10.57. 実験値： C, 89.17; H, 10.78。参考例 6

ジメチル 5, 14 -ジヒドロ- 1, 4, 6， 8, 9, 10, 11, 13-ォク夕プロピルペン夕セン - 2

， 3-ジカルボキシレー卜

参考例 1と同様の反応を行った。ビス（ ⁵—シクロペン夕ジェニル）ジクロロジルコニウム（1. 2mmo 1 ) 及び THF (1 0m l ) をシュレンク管に投入した。この溶液を— 78°Cに冷却し、次いで、 n—ブチルリチウム（2 . 4mmo 1 ) を添加した。この溶液を— 7 8 °Cにて 1時間、攪拌し、ビス（ 7] ⁵—シクロペンタジェニル）ジブチルジルコニウムを得た。

一 7 8°Cにて、この反応混合物に、参考例 5で得られた、 2, 3-ビス（2 -へキシニル）-1, 4, 5, 6， 7, 8 -へキサプロピルアントラセン（1. Ommo l ) を添加し、次いで、室温にまで暖め、 1時間、放置し、 1—ジルコナシクロペンター 2, 4 _ジェン誘導体を得た。

こうして得られた、 1—ジルコナシクロペン夕一 2， 4—ジェン（1. Om _mo 1 ) 誘導体の THF (1 Om l ) 溶液に、室温にて、 CuC 1 (2. Om mo 1 ) 及びジメチルアセチレンジカルポキシレー卜 (3. 0 mm o 1 ) を添加し、さらに、室温にて 1時間、攪拌した。次いで、 3 N塩酸を添加し、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを用いた短いカラムクロマトグラフィー（溶離液、 CHC1₃)の後、クロ口ホルム及びメタノールの混合溶媒から再結晶し、 5 .528 g (10.78 匪 ol)の標題化合物がクリーム状固体として得られた。単離収率 70%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.11 (t, J = 7.2 Hz, 6H) , 1.13 (t， J = 7.1 Hz, 6H), 1.22 (t, J = 7.3 Hz, 6H) , 1.23 (t, J = 7.3 Hz, 6H) , 1.61-1.7

3 (m, 8H), 1.78-1.86 (m, 8H) , 2.79 (t， J = 8.3 Hz, 4H), 2.84 (t， J =

8.2 Hz, 4H), 3.17 (t, J = 8.2 Hz, 4H) , 3.32 (t, J = 8.4 Hz, 4H) , 3.85

(s, 6H), 4.11 (s， 4H), 8.72 (s， 2H)； ^I3C NMR (CDC1₃, Me₄Si) <5 14.66 (

20, 14.93 (20, 15.03 (20, 15.06 (20, 24.31 (20, 24.52 (20, 24.6

0 (20, 24.96 (20, 30.39 (20, 31.30 (20, 31.78 (20, 32.80 (20, 3

2.89 (20, 52.18 (20, 119.57 (20, 128.82 (20, 129.17 (20, 130.23

(20, 131.12 (20, 131.68 (20, 133.50 (20, 135.11 (20, 136.20 (20

， 139.80 (20, 169.48 (20. 元素分析計算値 C₅。H₆₈0₄: C， 81.69; H, 9.4

6. 実験値： C， 81.92; H, 9.35。

実施例 1

ジメチル 1, 4, 6, 8, 9, 10, 11, 13-ォクタプロピルペン夕セン - 2， 3 -ジカルポキシレー卜

クロラニル（0.054 g, 0.22醒 ol) を、参考例 6で得られたジメチル 5, 14 -ジヒドロ- 1, 4, 6, 8， 9, 10, 11, 13 -ォクタプロピルペン夕セン - 2, 3 -ジカルポキシレート（0.147 g, 0.2 mmol)のベンゼン溶液（5ml) に添加した。次いで、混合物を 24時間、リフラックスした。濃縮後、クロ口ホルムを残渣に添加し、濾過した。濃縮後、ベンゼンから再結晶することにより、 0.048 gの標題化合物が青色固体として得られた。単離収率 33%。

ΐ匪 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.15 (t, J = 7.2 Hz, 6H) , 1.20 (t, J = 7.3 Hz, 6H), 1.27 (t, J = 7.5 Hz, 6H) , 1.29 (t, J = 7.4 Hz, 6H) , 1.62-1.6 8 (m, 4H)， 1.85-2.07 (m, 12H), 2.78 (t, J = 7.5 Hz, 4H) , 3.22-3.26 (m , 8H), 3.90 (bs, 4H), 3.94 (s, 6H) , 9.06 (s, 2H) , 9.17 (s, 2H)； ¹³C匪 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.85 (20, 15.05 (20, 15.13 (40, 24.36 (20, 24 .60 (20, 24.87 (20, 25.11 (20, 31.33 (20 , 31.76 (20, 32.67 (20, 32.85 (20, 52.26 (20, 120.08 (20, 122.74 (20, 126.23 (20, 127.5 7 (20, 127.76 (20, 128.35 (20, 129.91 (20, 133.37 (20, 133.76 (2 0, 136.77 (20, 138.13 (20, 169.65 (20. 高分解能質量分析計算値 H₆₆0₄730.4961, 実験値 730.4995。

参考例 2の標題化合物から始まり、参考例 3の表題化合物、参考例 4の表題化合物を経て得られる参考例 5の表題化合物を経、続いて参考例 6の表題化合物を経て、実施例 1の標題化合物を合成するまでのスキームを図 2に示す。参考例 7

ジメチル 1， 4-ジプロピルナフタレン- 2, 3-ジカルポキシレ一ト

2, 3 -ジクロ口 _5， 6 -ジシァノベンゾキノン（1.362 g, 6.0 mmol) をジメチル 1,4-ジプロピル一 5， 6， 7, 8—テトラヒドロナフタレン- 2， 3-ジカルポキシレート（0.665 g, 2.0匪 ol)のベンゼン溶液（20ml) に添加した。次いで、混合物を 24時間、リフラックスした。濾過後、混合物中の溶媒を真空下、除去した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル / へキサン， 1/20)により、 0.464 gの標題化合物が無色結晶として得られた。 GC収率 87%。単離収率 71%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.05 (t, J = 7.4 Hz, 6H) , 1.71-1.81 (m, 4H) ， 3.07 (t, J = 8.1 Hz, 4H), 3.91 (s, 6H) , 7.60 (dd, J = 3.4, 6.5 Hz, 2H), 8.12 (dd, J = 3.4, 6.5 Hz, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.52 (2 0, 24.64 (20, 32.20 (20, 52.26 (20, 125.53 (20, 127.28 (20, 128 .25 (20, 132.42 (20 , 136.85 (20, 169.53 (20. 元素分析計算値 C₂₀H ₂₄0₄： C, 73.15; H, 7.37. 実験値： C， 73.10; H, 7.44。

参考例 8

2, 3-ビス（ヒドロキシメチル） -1， 4-ジプロピルナフタレン参考例 7で得られたジメチル 1, 4-ジプロピルナフタレン- 2, 3-ジカルポキシレートを参考例 3と同様に、水素化リチウムアルミニウムで処理した。これにより、 0.219 g (0.898 mmol)の標題化合物が白色固体として得られた。エーテル/へキサンからの再結晶により、少量の標題化合物が元素分析用に得られた。単離収率 90%。

'Η丽 R (CDC1₃, Me₄Si) <5 (t, J = 7.3 Hz, 6H) , 1.59-1.67 (m, 4H) , 3.0

8 (t, J = 8.2 Hz, 4H), 3.51 (bs, 2H) , 4.87 (s, 4H) , 7.47 (dd, J = 3.3

， 6.5 Hz, 2H), 8.04 (dd, J = 3.3, 6.5 Hz, 2H)； ¹³C NM (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.52 (20, 24.96 (20 , 31.52 (20, 59.71 (20, 125.05 (20, 125.7 7 (20, 132.12 (20, 134.53 (20, 136.48 (20. 元素分析計算値 C₁₈H₂₄0

₂： C, 79.37; H, 8.88. 実験値： C, 79.43; H, 9.01。

参考例 9

2, 3 -ビス (プロモメチル） -1， 4 -ジプロピルナフタレン

参考例 8で得られた 2， 3-ビス（ヒドロキシメチル） - 1, 4 -ジプロピルナフタレンを参考例 4と同様に三臭化リンで処理した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル /へキサン， 1/50) により 0.115 g (0.4匪 ol)の標題化合物が白色固体として得られた。単離収率 72%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.14 (t, J = 7.3 Hz, 6H) , 1.75 (bs, 4H) , 3. 12 (t， J = 8.3 Hz, 4H), 4.92 (s， 4H) , 7.49 (dd, J = 3.3, 6.5 Hz, 2H) , 8.02 (dd, J = 3.3, 6.5 Hz, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.77 (20, 24.37 (20, 29.01 (20, 31.11 (20, 125.17 (20, 126.59 (20, 130.91 (20, 132.44 (20, 138.44 (20. 元素分析計算値 C₁₈H₂₂Br₂: C, 54.30; H , 5.57; Br, 40.13. 実験値： C, 54.21; H, 5.57; Br, 40.24。

参考例 10

2, 3-ビス（2-へキシニル） -1, 4-ジプロピルナフ夕レン

参考例 9で得られた 2, 3_ビス（プロモメチル） - 1， 4 -ジプロピルナフタレンを参考例 5と同様に N, N'ージメチルプロピレンゥレア (DMPU) 及び 1— ペンチニルリチウムで処理した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ一（酢酸ェチル /へキサン， 1/50) により 1.661 g (4.787 匪 ol)の標題化合物が白色固体として得られた。単離収率 93%。

^匪 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 0.91 (t, J = 7.4 Hz, 6H) , 1.12 (t, J = 7.3 Hz, 6H), 1.40-1.49 (m， 4H) , 1.68-1.78 (m, 4H)， 2.07 (tt, J = 2.1, 7.0 Hz, 4H), 3.10 (t, J = 8.3 Hz, 4H) , 3.84 (t, J = 2.1 Hz, 4H)， 7.41 (d d, J = 3.3, 6.5 Hz, 2H), 8.01 (dd, J = 3· 3, 6.5 Hz, 2H)； ^I3C NMR (CDC1

₃, Me₄Si) δ 13.43 (20, 14.77 (20, 19.96 (20, 20.88 (20, 22.32 (2C ), 24.11 (20, 31.40 (20, 78.25 (20, 80.95 (20 , 124.64 (20, 125.0 2 (20, 131.66 (20, 132.48 (20, 134.99 (20. 元素分析計算値 C₂₈H₃₆:

C, 90.26; H, 9.74. 実験値： C, 90.13; H, 9.86。

参考例 1 1

ジメチル 5， 12-ジヒドロ- 1, 4, 6, 11-テトラプロピルナフタセン _2， 3 -ジカルポキシレー卜

参考例 1 0で得られた 2, 3-ビス（2-へキシニル）- 1， 4 -ジプロピルナフタレンを参考例 1と同様にして、ビス（7? ⁵—シクロペン夕ジェニル）ジブチルジルコニゥムと反応させ、次いで、この反応物のまま、室温にて、 CuC l及びジメチルアセチレンジカルポキシレートを添加し、さらに、室温にて 1時間、攪拌した。次いで、 3 N塩酸を添加し、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル /へキサン， 1/10)により、 1 .790 g (4.458 mmol)の標題化合物が淡黄色固体として得られた。単離収率 78 %。標題化合物の X線結晶構造解析を図 3に示す。

lH NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.09 (t， J = 7.3 Hz, 6H) , 1.16 (t, J = 7.3 Hz, 6H), 1.65-1.75 (m, 8H) , 2.82 (t， J = 8.2 Hz, 4H) , 3.19 (t， J = 8. 2 Hz, 4H)， 3.84 (s, 6H)， 4.08 (s, 4H) , 7.45 (dd, J = 3.2, 6.6 Hz, 2H) , 8.06 (dd, J = 3.4, 6.5 Hz, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.63 (20, 14.76 (20, 24.27 (20, 24.53 (20, 30.21 (20, 30.85 (20, 32.85 (2 C), 52.20 (20, 124.52 (20, 124.86 (20, 130.22 (20 , 131.07 (20, 1 32.35 (20, 132.39 (20, 135.12 (20, 139.55 (20, 169.44 (20. 元素分析計算値 C₃₄H₄₂0₄: C, 79.34; H, 8.22. 実験値： C, 79.21; H, 8.36。実施例 2

ジメチル 1, 4， 6, 1卜テトラプロピルナフ夕セン- 2， 3-ジカルポキシレート参考例 1 1で得られたジメチル 5, 12-ジヒドロ- 1, 4, 6, 1卜テトラプロピルナフ夕セン- 2, 3-ジカルボキシレートを用いた。

2, 3 -ジクロ口- 5, 6 -ジシァノベンゾキノン（0.050 g, 0.22 mmoI)を 1， 4一ジォキサン（5m l ) のジメチル 5， 12 -ジヒドロ- 1, 4, 6, 1卜テトラプロピルナフ夕セン- 2, 3-ジカルポキシレート（0.103 g, 0.2 匪 ol)溶液に添加した。次いで、混合物を 3時間、リフラックスした。濾過後、混合物中の溶媒を真空化、除去した。クロ口ホルムを添加し、再度、濾過した。クロ口ホルム Zメタノールからの再結晶により、 0.076 g の標題化合物が赤色針状結晶として得られた。 NMR 収率 97%。単離収率 71%。標題化合物の X線結晶構造解析を図 4に示す。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.19 (t, J = 7.3 Hz, 6H) , 1.23 (t, J = 7.3 Hz, 6H), 1.92-1.86 (m, 8H) , 3.26 (t, J = 8.1 Hz, 4H) , 3.72 (t, J = 8. 1 Hz, 4H), 3.94 (s, 6H) , 7.46 (dd, J = 3.2, 7.0 Hz, 2H) , 8.31 (dd, J = 3.2, 7.0 Hz, 2H), 9.19 (s, 2H)； ¹³C匪 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.81 (20, 14.89 (20, 24.67 (20, 24.89 (20, 30.73 (20, 32.72 (20, 52.25 (2 0, 122.65 (20, 125.12 (20, 125.39 (20, 126.67 (20, 128.44 (20, 128.77 (20, 129.63 (20, 134.16 (20, 137.87 (20, 169.58 (20. 元素分析計算値 C₃₄H₄。0₄: C, 79.65; H, 7.86. 実験値： C, 79.43; H, 8.01. 高分解能質量分析計算値 C₃₄H_4D0₄512.2937, 実験値 512.2937。

参考例 7の標題化合物から始まり、参考例 8を経て得られる参考例 9の表題化合物を経、続いて参考例 10の表題化合物を経て、更に、参考例 11の表題化合物を経て、実施例 2の標題化合物を合成するまでのスキームを図 5に示す参考例 12

1, 2， 3, 4, 5, 6, 7, 8—ォクタプロピルアントラセン

1, 2, 3, 4， 5, 6, 7, 8_ォク夕プロピル一 9, 10—ジヒドロアントラセン（0.208 g, 0· 400匪 ol)のベンゼン（5 ml)溶液に 2， 3—ジクロ口一 5， 6—ジシァノキノン（O. lOOg, 0.440匪 ol)を加え、 1時間加熱還流した。ろ過をしてヒドロキノンを除き、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル /へキサン， 99 /1)で精製すると標題化合物が白色固体（0.164 g)として得られた。単離収率 7 9%。

Ή腹 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.11 (t, J = 7.3 Hz, 12H), 1.20 (t, J = 7.3 Hz, 12H), 1.60-1.66 (m, 8H) , 1.77-1.83 (m, 8H) , 2.77 (t, J = 7.7 Hz, 4H), 3.15 (t, J = 8.2 Hz, 8H) , 8.66 (s， 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 15.06 (40, 15.09 (40, 24.57 (40, 25.02 (40, 31.83 (40, 32.83 (4 0, 119.40 (20, 129.03 (40, 133.47 (40, 135.80 (40. 元素分析計算値 C₃₈H₅₈： C， 88.65; H, 11.35. 実験値： C, 88.76; H, 11.36。

1, 2, 3, 4， 5, 6， 7, 8-ォク夕プロピル _ 9, 10—ジヒドロアントラセン（0.155g, 0. 300 mmol)のベンゼン（5 ml)溶液に 2， 3—ジクロ口一 5， 6—ジシァノキノン（0. 075g, 0. 440 讓 ol)を加え、室温で 1時間撹拌した。反応溶液を NMR測定したところ、生成物は 1, 2, 3， 4， 5, 6, 7, 8 -才クタプロピルアントラセン（NMR収率 49%)と Diels-Alder付加物（丽 R収率 30%)であり、原料が 23 残っていた。

参考例 1 3

42H52O4

Exact Mass: 620.3866

Mol. Wt.: 620.8599

C, 81.25; H, 8.44; 0， 10.31 ジメチル 1, 4， 6, 8, 9, 10, 11, 13 -ォク夕ェチル- 5, 14 -ジヒドロペン夕セン- 2， 3 -ジカルボキシレ一ト

参考例 2〜 6と同様の手順により、標題化合物を得た。参考例 2では、ジメチル 1, 4, 5, 6, 7, 8-へキサプロピル一 9 , 1 0—ジヒドロアントラセン- 2, 3 - ジカルポキシレートを用いたのに対し、参考例 1 3では、ジメチル 1, 4, 5, 6， 7, 8-へキサェチルー 9， 1 0 —ジヒドロアントラセン- 2, 3-ジカルボキシレー卜を用いた。

最終段階では、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（Et₂0/へキサン， 1/10) により 124 mg (0. 50 mmol)の標題化合物が無色単結晶として得られた。単離収率 40%。標題化合物の X線結晶構造解析を図 6に示す。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1. 27-1. 36 (m, 12H) , 1. 41-1. 48 (m, 12H) , 2. 8 6-2. 96 (m, 8H) , 3. 24-3. 32 (m, 4H) , 3. 39-3. 47 (m, 4H)， 3. 86 (s, 6H) , 4 . 18 (s， 4H) , 8. 79 (s, 2H) . ¹³C匪 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 15. 22, 15. 49, 15. 6 3， 15. 89, 21. 87, 22. 00, 22. 99, 23. 95, 29. 95, 52. 29, 119. 49, 128. 55, 1 28. 99, 130. 12, 130. 75, 133. 11， 134. 78, 136. 43, 137. 10, 139. 66, 169. 53 . 高分解能質量分析計算値 C₄₂H₅₂0₄: 620. 3866, 実験値： 620. 3869。

参考例 1 4 、COOMe

Bu Bu

C42H62O4

Exact Mass: 630.4648

Mol. Wt.: 630.9393

C， 79.95； H, 9.90； O, 10.14

ジメチル 1, 4, 5, 6， 7, 8 -へキサブチルアン卜ラセン- 2, 3-ジカルボキシレー卜参考例 2と同様の手順で行った。参考例 2では、ジメチル 1， 4, 5， 6， 7， 8 -へキサプロピル一 9 ， 1 0—ジヒドロアントラセン- 2， 3-ジカルポキシレートを用いたのに対し、参考例 1 4では、ジメチル 1， 4, 5， 6, 7， 8 -へキサブチル一 9 ， 1 0—ジヒドロアントラセン- 2, 3 -ジカルボキシレー卜を用いた。

最終段階では、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（Et₂0/へキサン， 1/10により、 1764 mg (3 mmol)の標題化合物が淡黄色固体として得られた。単離収率 93 %。

匪 R (CDC 1₃, Me₄S i) δ 0. 98-1. 08 (m, 18H) , 1. 52-1. 82 (m, 24H) , 2. 7 8-2. 85 (m, 4H)， 3. 16-3. 26 (m, 8H) ， 3. 92 (s， 6H) , 8. 84 (s, 2H) . ^I3C NMR (CDC I 3, Me₄S i) δ 13. 94, 14. 04, 14. 1, 23. 47, 23. 59, 23. 72, 29. 13, 30. 16, 30. 39, 33. 56, 33. 67, 52. 30, 121. 40, 126. 41, 128. 81, 130. 55, 133. 9 1, 137. 64, 137. 94. 高分解能質量分析計算値 C₄₂H ₆₂0₄ : 630. 4648, 実験値：実施例 3

し 42H50O4

Exact Mass: 618.3709

Mol. Wt.: 618.8440

C， 81.51 ; H, 8.14; O， 10.34

ジメチル 1, 4, 6, 8, 9, 10, 11, 13- ■2, 3-ジカルポキシレー卜

参考例 1 3で得られた化合物の 4一ジォキサン溶液をク口ラニルにて脱水素化した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（まず、 Et,0/へキサン， 1/5で溶離し、次いで、クロ口ホルム 100%で溶離した）により、 80 mg ( 0. 5 mmol)の標題化合物が深い青色の固体として得られた。単離収率 26%。

Ή NMR (CDC 1₃, Me₄S i) δ 1. 32 (t, J = 7. 4 Hz, 6H) , 1. 48-1. 58 (m, 12H ) , 1. 66 (t, J = 7. 5 Hz, 6H) , 2. 90 (a, J = 7. 5 Hz, 4H) , 3. 33 (a, J = 7 . 5 Hz, 8H) , 3. 95 (s, 6H)， 4. 03 (a, J = 7. 5 Hz, 4H) , 9. 16 (s， 2H) , 9. 2 6 (s, 2H) . ¹³C NMR (CDC 1₃, Me₄Si) δ 15. 36, 15. 66, 15. 79, 15. 87, 22. 03, 22. 21, 23. 09, 23. 80, 52. 34, 119. 92, 122. 57, 126. 05, 127. 28, 127. 47, 128. 20, 129. 78, 134. 66, 135. 20, 137. 69, 139. 42, 169. 69. 高分解能質量分析計算値 C₄₂H_5Q0₄ : 618. 3709, 実験値： 618. 3680。

以上から、本発明の方法によれば、縮合多環芳香族化合物中の環の数が少ないうちに、これに適切な置換基を導入して溶解度を向上させ、これによつて更なる合成を進め、溶解度を維持したまま、ポリアセンの環の数を増やしていくことができることがわかる。

次に、置換基の導入と得られるポリアセン誘導体の収率との関係について検討した実験結果を示す。

参考例 1 5

1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8—才クタプロピルアントラセン

9, 10 -ジヒドロ _1， I、 3, 4， 5, 6, 7, 8 -ォクタプロピルアントラセンのへキサン溶液に室温で 2. 2 当量の n - BuL iと 2. 2当量のテトラメチルエチレンジァミンを加え、 50 :で 3時間加熱した。反応溶液を室温に冷やし、 1. 1 当量のヨウ化メチルを加え 1時間撹拌すると標題化合物が NMR収率 98 %で生成した。 3N塩酸で処理し、これを飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗って有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧下で除くと、純粋な標題化合物が 96 %の収率で得られた。この場合、カラムクロマトグラフィーなどの精製は不必要であった。

同様な実験手順で多置換ジヒドロアントラセンの芳香族化を行った。結果を表 1に示す。表 1 ジヒドロアン卜ラセン収率 (％)

表中、収率は、 NM R収率であり、括弧内は単離収率である。

表 1からも明らかなように、リチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せの系では、置換基が導入されたポリヒドロポリアセンに非常に有効であり、置換基のないジヒドロアントラセンでは 47%であった。

つぎにさまざまなリチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せについて検討した実験結果を表 2に示す。なお、表中、リチウム化剤を「R M」と表し、脱リチウム試薬を「R ' X」と表した。表 2 RM R'X 時間/ h U?鎏 /oん

n-BuLi Mel 1 98 (96)

Prl 24 45 (40)

BuBr 24 35 (31) seoBuLi Mel 96 (92) iert-BuLi Mel 95 (92)

¹

MeU Mel 40 (33)

PhLi Mel 91 (86)

EtMgBr Mel N. R.

Prl、 BuBrでは収率が悪く、 RM/Melで良いことがわかる。また、リチウム化剤として n- BuLi、 sec_BuLi、 tert-BuLi, PhLiが用いることができる。

リチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せは、 Pd/C、トリチルカチオン、 n - BuLi/CdCl₂、 2 , 3—ジクロロー 5， 6 ジシァノキノンによる芳香族化と比ベていくつかの優れた点がある。 Pd/Cでは 200°C、 300°Cといった高温が必要であり、トリチルカチオンでは強酸を用いなければならないため転位反応など副反応が起こりやすい。これに対して、リチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せは、温和な条件で反応が進行する。 n- BuLi/CdCl₂では有毒な金属塩の添加が必須である。 2 , 3—ジクロ口一 5 , 6—ジシァノキノン、クロラニルなどのキノンによる芳香族化では、先にも述べたように多置換アントラセンは Diels - Alder反応してしまうために副生成物が生成してしまう（反応温度、キノンの量などをコントロールすると改善される。）という問題がある。しかし、本反応ではこのような副反応を起こさない。

リチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せは、次のような特徴を持っている。（1)高い反応温度が必要としない。（2)短い時間で反応は進行し、多置換ポリヒドロポリアセンの芳香族化において良い収率が得られる。（3)簡単な後処理で純度の高い生成物が得られる。

参考例 16

下記のスキームにより、炭化水素縮合環を得ることができる。この炭化水素縮合環は、更に、芳香族化してポリアセンを得ることができる。

71 % (R = Pr) 91% (R = Pr)

(式中、（a) は、水素化リチウムアルミニウムを 0°Cにて作用させ、除々に温度を室温に暖めたことを示す。（b) は、臭素化リンを室温にて作用させたことを示す。（c) は、式 R— C C— L iで示されるアルキニルリチウムを、 THF溶媒中、 N， N'—ジメチルプロピレンゥレアの存在下、作用させたことを示す。（d) は、 THF溶媒中のビスシクロペン夕ジェニルジルコニウムジブチルを、 — 78 で作用させ、次いで、室温に暖めた後、 CuC lの存在下、ジメチルアセチレンカルボキシレートを作用させたことを示す。）参考例 1 7

(X = OH, R = Pr) 74% (X = Br, R = Pr)

61 % (R = Pr)

41 % (R = = Pr)

(式中、（a) は、水素化リチウムアルミニウムを 0 にて作用させ、除々に温度を室温に暖めたことを示す。（b) は、臭素化リンを室温にて作用させたことを示す。（c) は、式 R— C C— L iで示されるアルキニルリチウムを、 THF溶媒中、 N， N'—ジメチルプロピレンゥレアの存在下、作用させたことを示す。（d) は、 THF溶媒中のビスシクロペン夕ジェニルジルコニウムジブチルを、一 78°Cで作用させ、次いで、室温に暖めた後、 CuC 1の存在下、ジメチルアセチレンカルボキシレートを作用させたことを示す。 ) 参考例 18

51 % (R = Pd 95% (X： OK, R = Pr)

75% (X Br, R = Pr)

71 % (R = Pr) 92% (R = Pr)

(式中、（a) は、水素化リチウムアルミニウムを 0°Cにて作用させ、除々に温度を室温に暖めたことを示す。（b) は、臭素化リンを室温にて作用させたことを示す。（c) は、式 R— CC— L iで示されるアルキニルリチウムを、 THF溶媒中、 N， N'ジメチルプロピレンゥレアの存在下、作用させたことを示す。（d) は、 THF溶媒中のビスシクロペン夕ジェニルジルコニウムジブチルを、 _ 78°Cで作用させ、次いで、室温に暖めた後、 CuC 1の存在下、ジメチルアセチレンカルポキシレートを作用させたことを示す。）参考例 19

80% (X = OH, R = Pr)

92% (X = Br, R = Pr)

60% (R = Pr) 65% (R = Pr)

(式中、（a) は、水素化リチウムアルミニウムを 0°Cにて作用させ、除々に温度を室温に暖めたことを示す。（b) は、臭素化リンを室温にて作用させたことを示す。（c) は、式 R— CC一 L iで示されるアルキニルリチウムを、 THF溶媒中、 N， N'—ジメチルプロピレンゥレアの存在下、作用させたことを示す。（d) は、 THF溶媒中のビスシクロペンタジェニルジルコニウムジブチルを、 _ 78°Cで作用させ、次いで、室温に暖めた後、 CuC 1の存在下、ジメチルアセチレンカルボキシレートを作用させたことを示す。）参考例 20

R = Pr,48%

このスキームでは、下記の手順を用いた。 Cp₂ZrCl₂ (l. 2 eQ)の THF溶液をドラィアイス-アセトン浴で- 78°Cにし、 n- BuLi (2. 4 ed)のへキサン溶液を加えた。反応溶液を- 78°Cで 1時間保ち、これにアルキンを加え室温まで昇温した。そのまま室温で 1〜3時間保つと、ジルコナシクロペン夕ジェンが生成した。このジルコナシクロペン夕ジェン（1. 0 e<i)の THF溶液に 4-ォクチン（1. 5 eQ)とジブロモビス（トリフエニルホスフィン）ニッケル（II) (2. 0 ea)を室温で加えた。

24時間の後 3N塩酸で処理し、適当な溶媒で抽出した。有機層を 1つにして飽和炭酸水素ナトリウム、飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥させた。エバポレー夕一で溶媒を除いた後、適当な精製方法により環化生成物を得た。 9, 10 -ジヒドロ- 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 -才クタプロピルアントラセン

出発物質（0. 407 g， 1. 00 nrniol)を用い、上に述べた方法で実験を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル /へキサン， 1/99)をし、得られた固体をエタノールで洗うことで 9, 10 -ジヒドロ- 1， 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 -ォク夕プロピルアンドラセンが白色粉末（0. 251 g)として得られた。単離収率 48%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1. 05 (t, J = 7. 3 Hz, 12H) , 1. 12 (t, J = 7. 3 Hz, 12H) , 1. 47-1. 61 (m, 16H) , 2. 54 (t， J = 8. 4 Hz, 8H) , 2. 70 (t, J = 8.4 Hz, 8H), 3.80 (s, 4H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 15.06 (40, 15.12 (40, 24.57 (40, 25.10 (40, 29.90 (20, 32.26 (40, 32.31 (40, 13 4.33 (40, 134.93 (40, 136.30 (40. 元素分析計算値 C₃₈H₆₀: C, 88.30 ； H, 11.70. 実験値： C, 88.45; H, 67。

1, 2, 3, 4， 6, 8, 9, 10, 11, 13 -デカプロピル - 5, 7, 12, 14 -テトラヒドロペン夕セン出発物質（1.19 g, 2.00 mmol)を用い、上に述べた方法で実験を行った。クロロホルム/メタノールの混合溶媒から再結晶することで 1, 2, 3, 4, 6, 8, 9, 10, 1 1, 13-デカプロピル -5, 7, 12, 14 -テトラヒドロペン夕センが白色粉末（0.699g) として得られた。単離収率 50%。

¾匪 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.03-1.18 (m, 30H) , 1.51-1.59 (m, 20H) , 2.5 5 (t， J = 7.8 Hz, 8H)， 2.71 (t， J = 7.7 Hz, 8H) , 2.90 (t, J = 7.7 Hz, 4H)， 3.87 (s, 8H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.98 (20, 15.06 (40, 1 5.08 (40, 24.29 (20, 24.54 (40, 25.11 (40, 29.85 (40, 31.93 (20 , 32.22 (40, 32.26 (40, 133.06 (20, 133.66 (4C)， 133.95 (40, 135. 00 (40, 136.29 (40. 元素分析計算値 C₅₂H₇₈： C, 88.82; H, 11.18. 実験値： C, 88.92; H, 11.37。

5, 7, 8, 9， 10, 12 -へキサヒドロ- 1, 2, 3, 4, 6, 11-へキサプロピルナフタセン

出発物質（0.456 g， 1.21龍 ol)を用い、上に述べた方法で実験を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル /へキサン， 1/99)の処理により 5, 7, 8, 9, 10, 12 -へキサヒドロ -1, 2, 3, 4, 6, 1卜へキサプロピルナフ夕センが白色固体（0.283 g)として得られた。単離収率 48%。

ΐ匪 R (CDC1_3> Me₄Si) δ 1.04 (t， J = 7.3 Hz, 6H)， 1.09-1.13 (m, 12H ), 1.47-1.58 (m, 12H), 1.76 (bs, 4H) , 2.54 (t, J = 8.2 Hz, 4H) , 2.68- 2.72 (m, 8H), 2.75 (bs, 4H)， 3.83 (s, 4H)； ^!3C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14 .98 (20, 15.04 (20 , 15.07 (20, 23.31 (20 , 23.41 (20, 24.55 (20, 25.11 (20, 27.31 (20, 29.67 (20, 31.37 (20, 32.21 (20, 32.26 (2 0, 132.54 (20, 133.71 (20, 134.11 (20, 134.93 (40, 136.23 (20. 元素分析計算値 C₃₆H₅₄: C, 88.82; H, 11.18. 実験値： C， 88.68; H, 11.2 9o 参考例 2 1

下記のスキームにより、炭化水素縮合環を得ることができる。の炭化水素縮合環は、更に、芳香族化してポリアセンを得ることができる。

(式中、 D M P Uは、 N， N '—ジメチルプロピレンウレァを示す。）このスキームでは、下記の手順を用いた。 Cp₂ZrCl₂ (l. 2 ed)の THF溶液をドラィアイス-アセトン浴で- 78°Cにし、 n- BuLi (2. 4 eQ)のへキサン溶液を加えた。反応溶液を - 78°Cで 1時間保ち、これにアルキンを加え室温まで昇温した。そのまま室温で 1〜3時間保つと、ジルコナシクロペン夕ジェンが生成した。このジルコナシクロペン夕ジェン（1. 0 en)の THF溶液に、塩化銅（I) (2. 1 eQ)、 N， N' - ジメチルプロプレンゥレア（DMPU) (3. 0 eQ)、ジョードベンゼン（1. 0 en)を室温で加えた。 50°Cで 24時間撹拌し、 3N塩酸で処理した。適当な溶媒で抽出して有機層を 1つにし、飽和炭酸水素ナトリウム、飽和食塩水で洗った。硫酸マグネシゥムで乾燥させエバポレーターで溶媒を除いた後、適当な精製方法により力ップリング生成物を得た。

5, 12 -ジヒドロ- 1, 2, 3, 4, 6, 1卜へキサプロピルナフ夕セン

出発物質（0. 813 g, 2. 00 腿 ol)を用い、上に述べた方法で実験を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル /へキサン， 1/99)の処理により 5， 12-ジヒドロ- 1， 2， 3, 4， 6, 11 -へキサプロピルナフタセンが橙色固体（0.474 g)として得られた。単離収率 49%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.14-1.19 (m, 18H), 1.48-1.79 (m， 12H), 2.5 7 (t, J = 8.4 Hz, 4H), 2.76 (t， J = 8.4 Hz, 4H)， 3.20 (t， J = 8.3 Hz, 4H) , 4.04 (s, 4H) , 7.42 (dd, J = 3.3, 6.6 Hz, 2H)， 8.05 (dd， J = 3.3 , 6.6 Hz, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.88 (20, 15.06 (20, 15.10 (20, 24.29 (20, 24.69 (20, 25.08 (20, 30.42 (20 , 30.98 (20, 32. 26 (20, 32.35 (20, 124.47 (40, 131.03 (20, 131.92 (20, 134.11 (2 0, 134.26 (20, 135.03 (20, 136.57 (20. 高分解能質量分析計算値 C₃₆H₅₀482.3913, 実験値 482.3902.

1, 2, 3, 4， 6， 8, 13, 15 -才クタプロピル - 5, 7, 14， 16 -テトラヒドロへキセン

出発物質（0.296 g, 0.500龍 ol)を用い、上に述べた方法で実験を行った。へキサンを加えよく洗った後ろ過し、さらにエタノールで洗うことで純度のよい 1, 2, 3, 4, 6, 8， 13, 15-ォク夕プロピル - 5， 7, 14， 16 -テトラヒドロへキセンが淡橙色粉末（0.158 g)として得られた。単離収率 47%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.05 (t， J = 7.3 Hz, 6H) , 1.12-1.23 (m, 18H )， 1.48-1.79 (m, 16H), 2.56 (t， J = 8.3 Hz, 4H) , 2.72 (t, J = 8.3 Hz, 4H), 2.97 (t， J = 8.3 Hz, 4H)， 3.21 (t， J = 8.2 Hz, 4H)， 3.89 (s, 4H )' 4.09 (s, 4H), 7.41 (dd, J = 3.3, 6.5 Hz, 2H) , 8.05 (dd, J = 3.3, 6 .5 Hz, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.87 (20, 14.98 (20, 15.08 (4C ), 24.31 (20, 24.46 (20, 24.58 (20, 25.12 (20, 29.93 (20 , 30.39 (20, 30.96 (20, 31.97 (20 , 32.24 (20, 32.29 (20, 124.48 (40 , 13 1.03 (20, 131.95 (20, 133.12 (20, 133.73 (20, 133.94 (20, 134.02 (20, 134.15 (20 , 135.02 (20, 136.36 (2C).元素分析計算値 C₅₍₎H₆₈: C, 89.76; H, 10.24. 実験値： C, 89.62; H, 10.30。

1， 2, 3, 4, 6, 13-へキサヒドロ- 5, 7, 12, 14 -テトラプロピルペン夕セン

出発物質（0.377 g, 1. O mmol)を用い、上に述べた方法で実験を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル /へキサン， 1/99)の処理により 1， 2, 3, 4， 6, 13 -へキサヒドロ- 5， 7, 12, 14-テトラプロピルペン夕センが橙色針状結晶（0.085 g)として得られた。単離収率 19%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.14 (t, J = 7.3 Hz, 6H) , 1.17 (t, J = 7.5 Hz, 6H), 1.56-1.62 (m, 4H)， 1.71-1.77 (m, 8H) , 2.74-2.78 (m, 8H) , 3.1 9 (t, J= 8.2 Hz, 4H), 4.06 (s， 4H)， 7.41 (dd, J = 3.2, 6.5 Hz, 2H) , 8 • 05 (dd, J = 3.2, 6.5 Hz, 2H),； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.88 (20, 1 5.00 (20, 23.27 (20, 23.56 (20, 24.29 (20, 27.37 (20, 30.19 (20 , 30.94 (20, 31.37 (20, 124.43 (20, 124.49 (20, 131.01 (20, 131. 94 (20, 132.82 (20, 133.59 (20, 134.17 (20, 135.03 (20. 高分解能質量分析計算値 C₃₄H₄₄452.3443, 実験値 452.3437。

参考例 22

R = Pr.7%

(式中、 DMPUは、 N, N'—ジメチルプロピレンウレァを示す。）このスキームでは、下記の手順を用いた。 Cp₂ZrCl₂(2.4 eQ)の THF溶液をドラィアイス-アセトン浴で- 78°Cにし、 n- BuLi (4.8 ed)のへキサン溶液を加えた。反応溶液を- 78°Cで 1時間保ち、これにアルキンを加え室温まで昇温した。そのまま室温で 1〜3時間保つと、ジルコナシクロペンタジェンが生成した。このジルコナシクロペン夕ジェン（2.0 ed)の THF溶液に塩化銅（I) (4.2 ea) Ν,Ν'-ジメチルプロピレンゥレア（DMPU) (6.0 eq)、テトラョ一ドベンゼン（1.0 e )を室温で加えた。 50°Cで 24時間撹拌し、 3N塩酸で処理した。適当な溶媒で抽出して有機層を 1つにし、飽和炭酸水素ナトリウム、飽和食塩水で洗った。硫酸マグネシゥムで乾燥させエバポレー夕一で溶媒を除いた後、適当な精製方法によりカツプリング生成物を得た。

1， 2, 3, 4, 6， 8, 10, 11, 12, 13, 15, 17—ドデカプロピル一 5, 9, 14， 18 -テトラヒドロへプタセン

出発物質（0.606 g， 1.49 皿 ol)を用い、上に述べた方法で実験を行った。クロロホルム/メタノールの混合溶媒から再結晶することで 1, 2, 3, 4, 6, 8, 10, 11, 12, 13, 15, 17-ドデカプロピル - 5， 9， 14, 18 -テトラヒドロヘプ夕センが淡黄色粉末（0.165g)として得られた。単離収率 25%。

¾ NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.06 (t, J = 7.2 Hz, 12H), 1.18 (t, J = 7.2 Hz, 12H), 1.25 (t, J = 7.3 Hz, 12H), 1.50-1.67 (m， 16H), 1.83-1.89 ( El, 8H), 2.57 (t, J = 8.4 Hz, 8H) , 2.78 (t, J = 8.3 Hz, 8H) , 3.35 (t, J = 7.9 Hz, 8H), 4.09 (s, 8H) , 8.76 (s， 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 15.08 (80, 15.11 (40, 24.33 (40, 24.79 (40, 25.10 (40, 30.62 (4C ), 31.45 (40, 32.28 (40 32.39 (40, 119.50 (20, 128.96 (40, 131.2 1 (40, 133.24 (40, 134.34 (40, 135.02 (40, 136.57 (40. 元素分析計算値 C₆₆H₉₄: C， 89.32; H, 10.68. 実験値： C， 89.03; H, 10.62。

1， 2, 3, 4, 6, 10, 12, 13, 14, 15, 17, 21 -ドデカヒドロ- 5, 7, 9, 11, 16, 18, 20, 22—ォクタプロピルノナセン

出発物質（0.753 g, 2.0 匪 ol)を用い、上に述べた方法で実験を行った。ェ —テルを加えよく洗った後、ろ過することで純度のよい 1， 2， 3， 4， 6, 8， 10, 11, 12 , 13, 15, 17 -ドデカプロピル- 5, 9， 14, 18-テトラヒドロヘプ夕センが淡緑色固体 (0.062 g)として得られた。単離収率 7%。 NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1. 16 (t, J = 7.2 Hz, 12H), 1.25 (t, J = 7.2 Hz, 12H), 1.58-1.64 (m, 8H) , 1.78 (bs, 8H) , 1.83-1.88 (m, 8H) , 2.78- 2.81 (m, 16H), 3.35 (t， J = 8.0 Hz, 8H) , 4. 11 (s, 8H) , 8.76 (s, 2H)； ¹³ C NMR (CDC1₃₎ Me₄Si) δ 14.99 (40, 15.05 (40, 23.31 (4C)， 23.65 (40 ， 24.32 (40, 27.40 (40, 30.40 (40, 31.39 (40, 119.47 (20, 128.94 (40, 131.22 (40, 132.84 (40, 133. 16 (40, 133.82 (40, 135.00 (4C ). 高分解能質量分析計算値 C₆₂H₈₂ 826.6412, 実験値 826.6389。

上記スキームでは、 2当量のジルコナシクロペン夕 [b]テトラヒドロナフ夕レン又は 2当量のジルコナシクロペン夕 [b]へキサヒドロアントラセンと、 1 当量の 1， 2, 4, 5—テトラヨウ化ベンゼンがカツ'プリング反応を行っている。この反応物の配合比を変えて、 1当量のジルコナシクロペン夕 [b]テトラヒドロナフタレン又は 1当量のジルコナシクロペン夕 [b]へキサヒドロアントラセンと、 1当量の 1 , 2， 4， 5—テトラヨウ化ベンゼンがカップリング反応を行うことにより、末端の 6員環のオルト位にヨウ素が配置されている炭化水素縮合環を得ることができる。また、 1 , 2， 4, 5—テトラヨウ化べンゼンの代わりに、 2， 3， 6， 7—テトラヨウ化ナフ夕レン、 2， 3， 6 , 7 - テトラヨウ化アントラセン、 2 , 3 , 8 , 9ーテトラヨウ化テトラセン等を用いることもできる。これらの炭化水素縮合環は、更に、芳香族化してポリアセンを得ることができる。

参考例 2 3

9, 10 -ジプロピル- 2, 3-ジョ一ド- 5， 6, 7, 8 -テトラヒドロアントラセン

ビス（ ⁵—シクロペン夕ジェニル）ジクロロジルコニウム（0.175 g, 0.6 m mol)の THF (2 5m l ) 溶液に、 _ 7 8°Cにて、 n _ブチルリチウム（0.75 ml, 1. mmol, 1· 6 mol/1)を添加した。この溶液を 1時間、攪拌し、 4, 10-テトラドデカジイン（0.095 ml, 0.5 腿 ol)を加えた。クーリングバスを取り外し、混合物を 1時間攪拌した。テトラョ一ドベンゼン（0.582 g, 1.0 匪 ol)及び DMPU (0.18 ml, 1.5 匪 ol)、 CuCl (0.104 g, 1.1 籠 ol)を混合物に加えた。 50 で 1時間攪拌した後、 3 N塩酸を添加して、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄した。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマ卜グラフィ一を行い、無色固体の標題化合物（0.148 g) を得た。 57% 単離収率。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.07 (t, / = 7.4 Hz, 6H) , 1.51-1.63 (m, 4H) ,

1.79-1.83 (m, 4H) , 2.83-2.89 (m, 8H) , 8.47 (s, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, M e₄Si) δ 14.68 (20, 22.80 (20, 23.36 (20, 27.81 (20, 29.86 (20, 1

02.38 (20, 131.58 (20, 132.88 (20, 135.16 (20 , 135.29 (20. 高分解能質量分析計計算値 C_2QH₂₄I₂ 517.9968, 実測値： 517.9963。

参考例 24

9, 10 -ジプロピル- 2， 3-ジョードアントラセン

9， 10 -ジプロピル - 2, 3-ジョード- 5, 6， 7, 8 -テトラヒドロアントラセン（0.25 9 g， 0.5 腿 ol)及び 2, 3 -ジクロ口- 5， 6-ジシァノベンゾキノン（0.341 g， 1.5 匪 ol) 、 1,4-ジォキサン（3 ml) を反応器に添加した。次いで、混合物を 1 時間、リフラックスし、冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空化、除去した。カラムクロマトグラフィー（へキサン）を行い、淡黄色固体の標題化合物（0.109 g) を得た。単離収率 42%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) <51.12 (t, / = 7.4 Hz, 6H) , 1.73-1.85 (m, 4Η) ,

3.41 (t, / = 8.1 Hz, 6H), 7.50 (dd, / = 7.1, 6.6 Hz, 2H) , 8.23 (dd, / = 7.1, 6.6 Hz, 2H), 8.79 (s， 2H) ; 'C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.67 (20,

24.65 (20, 29.87 (20, 103.11 (20, 125.33 (20, 125.69 (20, 129.7 2 (20, 130.08 (20, 133.19 (20, 136.19 (20. 高分解能質量分析計計算値 C₂。¾。I₂: 513.9655, 実測値： 513.9664。

5, 14 -ビス（p-ブロモフエニル） - 7, 12-ジプロピル -1, 2， 3， 4-テトラヒドロべビス（ ⁵—シクロペン夕ジェニル）.ジクロロジルコニウム（0.161 g, 0.551 imnol)及び n—ブチルリチウム（0.7 ml, 1.6 M, 1.1 丽 ol)とから調製したビス（77⁵—シクロペン夕ジェニル）ジブチルジルコニウムの THF溶液に、 1, 8-ビス（P-ブロモフエニル） - 1, 7 -ォク夕ジイン（0.191 g， 0.459 mmol)を、 -78 °C にて添加した。続いて室温で 1時間放置した。 CuCl (0.095 g, 0.964 匪 ol) 及び DMPU (0.17 ml, 1· 38 mmol)、 2， 3-ジョード - 9, 10-ジプロピルアントラセン（0.236 g 0.459 匪 ol) を混合物に添加した。 50 °Cで 1時間加熱した後、混合物中の溶媒を真空下で除去した。カラムクロマトグラフィー（クロロフォルム）を行った。クロロフオルム Zメタノールからの再結晶により、橙赤色の表題化合物（0.177 g)が得られた。単離収率 57%。

Ή NMR (CDC1_3> Me₄Si) δ 0.93 (t, / = 7.2 Hz, 6H) , 1.60-1.76 (m, 8H) , 2.72 (bs, 4H), 3.33 (t, / = 8.0 Hz, 4H)， 7.29-7.35 (m, 6H) , 7.74 (d, = 8.1 Hz, 4H), 8.18 (dd, / = 6.9, 3.3 Hz, 2H)， 8.27 (s, 2H)； ¹³C NM R (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.51 (20, 22.83 (20, 24.45 (20, 29.30 (20, 30. 52 (20, 121.23 (20 , 122.16 (20 , 124.34 (20, 125.27 (20, 127.70 (20, 128.67 (20, 129.78 (20, 131.83 (40, 132.13 (40, 133.26 (20, 133.66 (20, 135.74 (20, 139.04 (20₀

参考例 25

ジメチル 3, 4， 5， 6 -テトラプロピルフタレート

ビス（7? ⁵—シクロペン夕ジェニル）ジクロロジルコニウム（7. 016 g, 24. 0 匪 ol)及び n —ブチルリチウム（31. 6 ml, 48. 0 uimol, 1. 52 M)とから調製したビス（ ⁵—シクロペン夕ジェニル）ジブチルジルコニウムの THF溶液 70 mlに、 4 -才クチン（5. 9 ml, 40. 0 匪 ol)を- 78 °Cにて加えた。反応混合物を室温まで昇温させ、 1時間攪拌した。 DMAD (ジメチルアセチレンジカルボキシレート）

(7. 4 ml, 60. 0 匪 ol) 及び CuCl (3. 96 g, 40. 0 mmol)を反応混合物に室温にて加えた。 1時間攪拌後、 3N HC1で加水分解し、混合物をへキサンで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシゥムで乾燥し、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、淡黄色油の標題化合物（4. 917 g) を得た。 GC収率 82%。単離収率 74%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 0. 97 (t, / = 7. 2 Hz, 6H) , 1. 04 (t, / = 7. 3 Hz, 6H) , 1. 45-1. 57 (m, 8H)， 2. 56-2. 62 (m, 8H) , 3. 83 く s, 6H) ; ¹³¹³C 丽 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 14. 68 (20 , 14. 86 (20 , 24. 60 (20 , 24. 99 (20 , 31. 70

(20 , 32. 59 (20 , 52. 06 (20 , 130. 34 (20 , 136. 84 (20 , 142. 11 (20 ,

169. 73 (20

参考例 2 6

1, 2-ビス（ヒドロキシメチル） -3, 4， 5, 6-テトラプロピルベンゼン

LiAlH₄ (1. 20 g, 31. 7 mmol)の 50 ml THF溶液に、ジメチル 3, 4, 5， 6 -テトラプロピルフタレート（5. 22 g, 14. 4 腿 ol)を 0 °Cにて加えた。室温にて 1時間攪拌した後、水で加水分解をした。混合物を 2N H₂S0₄で処理し、ジェチルェ一テルで抽出した。次いで、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物（3.67 g) を得た。単離収率 9 。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.05 (t, / = 7.3 Hz, 6H) , 1.05 (t, / = 7.3 Hz, 6H)， 1.46-1.58 (m, 8H) , 2.55 (t, / = 8.4 Hz, 4H) , 2.65 (t, 7 = 8. 4 Hz, 4H), 3.27 (bs, 2H) , 4.76 (s, 4H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) <5 14.82 (20, 15.04 (20, 24.75 (20, 25.64 (20, 31.90 (20, 32.39 (20, 59. 82 (20, 136.17 (20, 138.10 (20, 139.58 (20₀

参考例 27

1, 2-ビス（プロモメチル）- 3， 4， 5, 6-テトラプロピルベンゼン

トリブロモホスフィン（0.54 ml, 5.70 mmol)を、 1, 2-ビス（ヒドロキシメチル）- 3, 4, 5, 6 -テトラプロピルベンゼン（1.75 g， 5.70 腿 ol) の 20 mlクロ口ホルム溶液に、室温にて滴下した。 1時間攪拌後、混合物を水で処理し、クロ口ホルムで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物（1.866 g) を得た。 GC収率 100%。単離収率 87%。

Ή匪 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.03-1.10 (m, 12H), 1.47-1.59 (m, 8H) , 2.52 (t, 7 = 8.3Hz, 4H), 2.66 (t, 7 = 8.2Hz, 4H) , 4.71 (s, 4H) ; ¹³C NMR (C DCI3, Me₄Si) δ 14.99 (20, 15.07 (20, 24.67 (20, 25.00 (20, 29.04 (20, 31.85 (20, 32.17 (20, 132.70 (20 , 139.20 (20 , 141.00 (20. 元素分析. 計算値 C₂₀H₃₂Br₂: C, 55.57; H, 7.46; Br, 36.97.

C, 55.46; H， 7.40; Br, 36.98。

1, 2 -ビス（2-へキシニル） -3, 4， 5, 6-テトラプロピルベンゼン

卜ペンチン（1.67 ml, 17.12 mmol)の 30 ml THF溶液に、 n-プチルリチウム (9.7 il, 15.56 no 1, 1.6 M)を- 78 °Cにて加え、混合物を 1時間室温にて攪拌した。 1, 2-ビス（プロモメチル）- 3， 4， 5， 6-テトラプロピルベンゼン（1.68 g, 3.89 匪 ol) 及び DMPU (1.9 ml, 15.56 匪 ol) を室温にて加えた。 1時間攪拌後、 3N HC1で反応を終了させ、へキサンで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリゥム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物（1.520 g) を得た。 GC収率 100%。単離収率 97%。

Ή NMR (CDC1_3> Me₄Si) δ 0.93 (t， / = 7.4 Hz, 6H) , 1.05 (t, 7 = 7.2 Hz, 6H), 1.06 (t, / = 7.2 Hz, 6H) , 1.43-1.61 (m, 12H), 2.07 (tt, / = 2.2, 7.1 Hz, 4H)， 2.51 (t, / = 8.4 Hz, 4H) , 2.61 (t， / = 8.5 Hz, 4H)， 3.59 (t, J = 2.2 Hz, 4H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 13.48 (20, 15.03 (20, 15.15 (20, 19.40 (20, 20.99 (20, 22.36 (20 , 24.46 (20, 24. 80 (20, 32.33 (20 , 32.41 (20, 78.58 (20, 80.34 (20, 132.92 (20, 137.21 (20, 137.94 (20. 元素分析. 計算値 C₃。H₄₆： C, 88.60; H, 11. 40. 実験値： C， 88.49; H, 11.47. 高分解能質量分析計計算値 C₃₍₎H₄₆ 406. 3600, 実験値： 406.3626。

6, 1卜ジヒドロ- 2, 3 -ジョード _5， 7, 8， 9, 10, 12 -へキサプロピルナフタセン n -ブチルリチウム (3.0 ml, 4.8雇 ol， 1· 6 mol/1)を、 Cp₂ZrCl₂ (0.702 g, 2.4腿 ol)の THF (20 ml)溶液に一 78 °Cにて加えた。混合物を 1時間攪拌した後、 1, 2-ビス（2-へキシニル）- 3, 4, 5, 6-テトラプロピルベンゼン（0.813 g, 2. 0匪 ol)を加えた。クーリングバスを取り外し、混合物を 1時間攪拌した。テトラョ一ドベンゼン（1.16 g, 2.0 mmol) 及び DMPU (0.73 ml, 6.0 mmol), C uCl (0.416 g, 4.2雇 ol) を混合物中に添加した。 1時間、 50 °Cにて攪拌した後、 3N HC1を加えて反応を終了させ、クロ口ホルムで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、減圧した後、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、桃色固体の標題化合物（0. 477 g) を得た。 33%単離収率。

Ή匪 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.06 (t, / = 7.2 Hz, 6H) , 1.15 (t, / = 7.2 Hz, 12H), 1.49-1.72 (m， 12H), 2.56 (t, / = 8.4 Hz, 4H) , 2.74 (t， J =

8.4 Hz, 4H), 3.07 (t, / = 8.1 Hz, 4H) , 3.98 (s, 4H), 8.52 (s， 2H)； ¹³ C NMR (CDC1₃, Me4Si) δ 14.78 (20, 15.07 (20, 15.13 (20, 24.25 (20,

24.68 (20, 25.04 (20 , 30.47 (20, 30.59 (20, 32.21 (20, 32.34 (2 0, 102.71 (20, 131.01 (20, 131.97 (20, 133.47 (20, 135.09 (20, 135.50 (20, 136.08 (20, 136.84 (20. 高分解能質量分析計計算値 C₃₆H _4SI₂734.1846, 実験値： 734.1826。

実施例 5

2, 3 -ジョ一ド -5， 7, 8, 9, 10, 12-へキサプロピルナフ夕セン

6, 1卜ジヒドロ- 5, 7, 8， 9, 10, 12 -へキサプロピル- 2, 3 -ジョードナフタセン (0.238 g, 0.324匪 ol)及び 2， 3-ジクロロ- 5, 6-ジシァノベンゾキノン（0.081 g, 0.35讓 ol) 、 1,4-ジォキサン（2 ml)を反応器に添加した。混合物を 3時間、リフラックスした。冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空下で除去し、クロ口ホルム/メタノ一ルから再結晶した。橙赤色の表題化合物（0.081 g)を得た。単離収率 34%。

Ή丽 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.13 (t, / = 7.4 Hz, 6H) , 1.21 (t， / = 7.2

Hz, 6H), 1.24 (t， / = 7.2 Hz, 6H) , 1.60-1.67 (m, 4H) , 1.80-1.95 (m, 8

H)， 2.79 (t, / = 8.3 Hz, 4H) , 3.19 (t, 7 = 8.1 Hz, 4H) , 3.60 (t, / =

8.0 Hz, 4H)， 8.82 (s, 2H) , 8.99 (s， 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.8

7 (20, 15.02 (20, 15.09 (20, 24.43 (20, 24.82 (20, 24.88 (20, 3

0. 9 (20, 31.76 (20, 32.85 (20, 102.09 (20, 120.37 (20, 127.87

(20, 128.74 (20, 130.13 (20, 133.01 (20, 133.43 (20 , 136.37 (20,

137.13 (20. 高分解能質量分析計計算値 C₃₆H₄₆I₂: 732.1689, 実験値： 73

2.1709。

参考例 30

ジメチル 1,4 -ジプロピル -5, 6, 7, 8-テトラヒドロナフタレン -2, 3-ジカルポキシレート

ビス（77⁵—シクロペンタジェニル）ジクロロジルコニウム（16· 849 g, 57.6 4 龍 ol)及び n_ブチルリチウム（75.8 ml, 115.3 讓 ol, 1.52 M)とから調製したビス（7? ⁵—シクロペンタジェニル）ジブチルジルコニウムの 200 ml THF 溶液に、 4, 10-テトラドデカジイン（9· 14 g， 48.03 匪 ol) を- 78 でにて添加した。反応混合物を室温まで昇温させ、 1時間攪拌した。 DMAD (17.4 ml, 144. 01 mmol) 及び CuCl (9.51 g, 96.06 mmol)を反応混合物に室温にて加えた。 1 時間攪拌後、 3N HC1で加水分解を行い、へキサンで抽出した。炭酸水素ナトリゥム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、メタノールから再結晶させた。無色結晶の表題化合物（8.133 g) を得た。 GC収率 58%。単離収率 51%。 Ή丽 R (CDCI3, Me₄Si) δ 0.96 (t, / = 7.3 Hz, 6H) , 1.50-1.56 (m, 4H)， 1.76 (bs， 4H), 2.59 (t, / = 8.2 Hz, 4H) , 2.74 (bs, 4H) , 3.82 (s, 6

H)； ¹³C NMR (CDCI3, Me₄Si) δ 14.46 (20, 22.41 (20 , 23.53 (20, 26.80 (20, 31.96 (20, 51.93 (20 , 129.56 (20 , 136.75 (20, 138.41 (20, 169.50 (20. 元素分析計算値 C₂₍₎H₂₈0₄ : C, 72.26; H, 8.49. 実測値： C,

72.06; H, 8.60。

参考例 31

ジメチル 1， 4-ジプロピルナフタレン -2, 3-ジカルボキシレー卜

2, 3-ジクロロ- 5， 6 -ジシァノベンゾキノン（1.362 g, 6.0匪 ol) を、ジメチル 1, 4-ジプロピル -5， 6， 7， 8 -テトラヒドロナフタレン -2, 3 -ジカルポキシレートのベンゼン溶液（20ml) (0.665 g, 2.0 匪 ol)に加えた。混合物を 24時間、リフラックスした。濾過後、混合物を真空中で減圧した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、無色結晶の表題化合物（0.464 g)を得た。 GC収率 87%。単離収率 71%。

Ή NMR (CDC1_3> Me₄Si) δ 1.05 (t， / = 7.4 Hz, 6H)， 1.71-1.81 (m， 4H) ,

3.07 (t, / = 8.1 Hz, 4H), 3.91 (s, 6H) , 7.60 (dd, / = 3.4, 6.5 Hz, 2

H), 8.12 (dd, / = 3.4, 6.5 Hz, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.52 (2 C)， 24.64 (20, 32.20 (20, 52.26 (20, 125.53 (20, 127.28 (20, 128.

25 (20, 132.42 (20, 136.85 (20, 169.53 (20. 元素分析計算値 C₂₀H₂₄

0₄: C, 73.15; H, 7.37. 実測値： C， 73.10; H, 7.44。

参考例 32

2, 3-ビス（ヒドロキシメチル） -1， 4-ジプロピルナフタレン

LiAlH₄ (0.075 g, 1.98匪 ol)の 5 ml THF溶液に、ジメチル 1,4-ジプロピルナフ夕レン -2， 3-ジカルポキシレート（0.295 g, 0.898 mmol)を 0 °Cにて加えた。室温にて、 1時間攪拌した後、水で加水分解を行った。混合物を 2N ¾S 0₄で処理しジェチルェ一テルで抽出した。抽出物を飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した。白色固体の標題化合物（0.219 g)を得た。単離収率 90%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ (t， / = 7.3 Hz, 6H) , 1.59-1.67 (m， 4H)， 3.0

8 (t, / = 8.2 Hz, 4H) ， 3.51 (bs, 2H) , 4.87 (s, 4H) , 7.47 (dd, / = 3.3 , 6.5 Hz, 2H), 8.04 (dd, / = 3.3, 6.5 Hz, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.52 (20, 24.96 (20, 31.52 (20 , 59.71 (20, 125.05 (20, 125.7

7 (20, 132.12 (20, 134.53 (20, 136.48 (20. 元素分析計算値 C₁₈H₂₄0

₂： C， 79.37; H, 8.88. 実測値： C, 79.43; H, 9.01。

参考例 33

2, 3-ビス（プロモメチル） -1, 4 -ジプロピルナフ夕レン

トリブロモホスフィン（0.04 ml, 0.42 mmol)を、 2， 3 -ビス（ヒドロキシメチル） -1, 4 -ジプロピルナフタレン（0.109 g, 0.40 mmol) の 5 mlクロ口ホルム溶液に室温にて滴下した。 1時間攪拌した後、混合物を水で処理し、クロロホルムで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして

、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマ卜グラフィ一を行い、白色固体の標題化合物（0.115 g) を得た。単離収率

72%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.14 (t, / = 7.3 Hz, 6H) , 1.75 (bs, 4H) , 3. 12 (t, / = 8.3 Hz, 4H) , 4.92 (s, 4H) , 7.49 (dd, / = 3.3, 6.5 Hz, 2H) , 8.02 (dd, / = 3.3, 6.5 Hz, 2H)； ¹³C NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.77 (20, 24.37 (20, 29.01 (20 , 31.11 (20, 125.17 (20, 126.59 (20 , 130.91 (20, 132.44 (20, 138.44 (20. 元素分析計算値 C₁₈H₂₂Br₂: C, 54.30; H

， 5.57; Br, 40.13. 実測値： C, 54.21; H, 5.57; Br, 40.24。

参考例 34 .

2, 3-ビス（2-へキシニル）- 1， 4-ジプロピルナフタレン

卜ペンチン（2.05 ml, 1.06 匪 ol)の 30 ml THF溶液に、 n-ブチルリチウム

(7.6 ml, 19.1 顏 ol, 2.52 M)を -78 °Cにて加え、混合物を 1時間室温にて攪拌した。 2, 3 -ビス（プロモメチル）- 1,4 -ジプロピルナフタレン（1.91 g, 4.

79 匪 ol) 及び ΜΡϋ (2.3 ml, 19.1 mmol) を室温にて加えた。 1時間攪拌後、 3N HC1で処理し、へキサンで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物（1.66 g) を得た。単離収率 93%。

¾丽 R (CDC1₃, Me₄Si) 0.91 (t, / = 7.4 Hz, 6H) , 1.12 (t, / = 7.3 Hz, 6H), 1.40-1.49 (m, 4H) , 1.68-1.78 (m, 4H) , 2.07 (tt， / = 2.1, 7.0

Hz, 4H), 3.10 (t， / = 8.3 Hz, 4H) , 3.84 (t, / = 2.1 Hz, 4H) , 7.41 (d d, / = 3.3, 6.5 Hz, 2H), 8.01 (del, / = 3.3, 6.5 Hz, 2H)； ¹³C NMR (CDC1

₃, Me₄Si) δ 13.43 (20, 14.77 (20, 19.96 (20, 20.88 (20, 22.32 (2

0, 24.11 (20, 31.40 (20, 78.25 (20, 80.95 (20, 124.64 (20 , 125. 02 (20, 131.66 (20, 132.48 (20, 134.99 (20. 元素分析計算値 C₂₈H₃

₆： C, 90.26; H, 9.74. 実測値： C, 90.13; H, 9.86。

参考例 3 5

5, 12 -ジヒドロ -1, 2, 3, 4, 6， 1卜へキサプロピルナフタセンビス（？？ ⁵—シクロペンタジェニル）ジクロロジルコニウム（0.351 g, 1.2 m Diol)及び n—プチルリチウム（1.5 ml， 2.4 mmol, 1.6 M)とから調製したビス (7? ⁵—シクロペンタジェニル）ジブチルジルコニウムの 20 ml THF溶液に、、 3 -ビス（2-へキシニル）- 1， 4-ジプロピルナフ夕レン（0.373 g， 1.0 mmol)を- 78 °Cにて加えた。反応混合物を室温まで昇温させ、 1時間攪拌した。 4 -ォクチン（0.22 ml, 1.5 mmol) 及び NiBr₂ (PPh₃) ₂ (0.892 g, 1.2 蘭 ol)を反応混合物に、室温にて加えた。 24時間攪拌した後、 3N HC1で加水分解を行い、へキサンで抽出した。炭酸水素ナトリゥム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマ卜グラフィーを行い、エタノールで粉末化することにより、やや橙色の粉末の標題化合物（0.224 g) を得た。単離収率 46%。

Ή NM (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.14-1.19 (m, 18H), 1.48-1.79 (m, 12H), 2.5 7 (t, / = 8.4 Hz, 4H), 2.76 (t, / = 8.4 Hz, 4H) , 3.20 (t, / = 8.3 Hz, 4H), 4.04 (s, 4H), 7.42 (dd， / = 3.3, 6.6 Hz, 2H) , 8.05 (dd, / = 3.3, 6.6 Hz, 2H)； ¹³C 丽 R (CDC1₃, Me₄Si) δ 14.88 (20, 15.06 (20, 15.10 (20, 24.29 (20, 24.69 (20, 25.08 (20, 30.42 (20, 30.98 (20, 32. 26 (20, 32.35 (20, 124.47 (20, 131.03 (20, 131.92 (20 , 134.11 (2 C)， 134.26 (20, 135.03 (20, 136.57 (20. 高分解能質量分析計計算値 C₃₆H₅₀ 482.3913, 実測値 482.3902。

実施例 6

1, 2, 3, 4, 6, 1卜へキサプロピルナフ夕セン

5， 12-ジヒドロ- 1, 2， 3， 4, 6, 1卜へキサプロピルナフタセン（0.503 g， 1.04 匪 ol) 及ぴ 2, 3 -ジクロ口- 5, 6-ジシァノベンゾキノン（0.260 g， 1.14 mmol) 1,4-ジォキサン（3 ml)を、反応器に添加した。混合物を 24時間、リフラックスし、冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空下、除去し、クロ口ホルム/メタノールから再結晶化し、橙赤色の標題化合物（0.112 g)を得た。 NMR収率 36 %。単離収率 22%。

Ή NMR (CDC1₃, Me₄Si) δ 1.12 (t, / = 7.3 Hz, 6H), 1.25 (t， / = 7.4

Hz, 6H), 1.27 (t, / = 7.3 Hz, 6H)， 1.63-1.69 (m, 4H)， 1.85-2.01 (m， 8

H), 2.80 (t, / = 8.4 Hz, 4H) , 3.23 (t, / = 8.3 Hz, 4H) , 3.75 (t， J =

8.1 Hz, 4H), 7.40 (dd, / = 7.1, 3.2 Hz, 2H) , 8.30 (dd, / = 7.1, 3.2 H z, 2H), 9.06 (s, 2H)； ¹³C NMR (CDC Me₄Si) 14.99 (20, 15.06 (20, 15.14 (20, 24.40 (20, 24.76 (20, 24.91 (20, 30.74 (20, 31.81 (2

0, 32.62 (20, 32.83 (20, 120.03 (20, 124.09 (20, 125.35 (20 , 12

7.62 (20, 128.55 (20, 129.42 (20, 133.30 (20, 133.36 (20, 136.33

(20. 高分解能質量分析計計算値 C₃₆H_4S: 480.3756, 実測値： 480.3747。本発明によれば、ポリアセンの側鎖に置換基を導入することにより、溶解度を向上させることができる。また、様々な置換基を導入することができるので

、ポリアセンの側鎖を様々に修飾することができ、その物性を用途に応じて改変することができる。

従来は、縮合多環芳香族化合物中の芳香族環の数が増大するにつれて、溶解度が益々減少する傾向にあった。しかし、本発明では、縮合多環芳香族化合物中の芳香族環の数が増大しても、様々な置換基を導入することにより、溶解度を維持することができる。従って、様々な縮合多環芳香族化合物の合成の自由度が顕著に改善される。

Claims

1. 下記式（I ) で示されることを特徴とするポリアセン誘導体。

求

(式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹及び R^1Qは、それぞれ、互

Mの

いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい Ci 〜C_4Q炭化水素基；置換基を有していてもよい（^〜( ₄₍₎アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリ一ルォキシ基囲；置換基を有していてもよいァミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R⁶及び R⁷は、互いに架橋して C₄〜C_4Q飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式一 N (R¹¹) 一で示される基（式中、 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく；

A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい。！〜炭化水素基；置換基を有していてもよい (^〜（^アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qアルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₂〜C_4Qアルコキシ力ルポニル基；置換基を有していてもよい C₇〜(： ₄₀ァリールォキシカルポニル基；シァノ基（― CN) ；カルバモイル基（一 C (=0) NH₂) ；ハロホルミル基（― C (=0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（一 C (=0) 一 H) ；イソシァノ基；イソシアナト基；チオシアナト基又はチォイソシアナト基であり、但し、 A¹及び A²は、互いに架橋して、式— C (=0) ― B— C (=0) 一で示される環を形成してもよく（式中、 Bは、酸素原子又は式一 N (B¹) 一で示される基（式中、 B】は、水素原子、（^〜( 炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である）、

nは、 1以上の整数である、

但し、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^l A¹及び A²が全て水素原子である場合を除き、

nが 1である場合には、

少なくとも R R²、 R⁴及び R⁹が水素原子以外の基であるか、又は少なくとも R³、 R⁵、 R⁸及び R^1Qが水素原子以外の基であり、

かつ、以下の（a) 、 (b) 、 (c) 及び（d) の場合を除き、

(a) R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²が全てメチル基である場合、

(b) R³、 R⁴、 R⁹及び R^1Qが全て置換基を有していてもよいァリ一ル基である場合、

(c) R'、 R²、 R⁴及び R⁹が全てアルコキシ基又はァリ一ルォキシ基であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R R⁸、 R¹⁰, A¹及び A²が全て水素原子である場合、

(d) R³、 R⁵、 R⁸及び R^1Qが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり

、かつ、 R R²、 R⁴、 R⁶、 R R⁹、 A¹及び A²が全て水素原子である場合また、 nが 2である場合には、以下の（a' ) 、（b' ) 、 (c ' ) 及び（ d' ) の場合を除く。

(a' ) 下記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体であって、

R ²、 R ³、 R 4 、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²が全てメチル基である、又は、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R^1Qが全て水素原子であり、かつ、 R⁶、 R⁷、 A¹及び A²の 1つ以上がァリール基である、又は、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹ 、 R^1Q、 A¹及び A²の 1つ以上がジァリールアミン基である場合、 (b' ) 下記式（I b) で示されるペン夕セン誘導体であって、

RK RK ： ^5b及び R^8bが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である場合 (c ' ) 下記式（ I c) で示されるペン夕セン誘導体であって、

R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Qの 2つ以上がァリ一ル基又はァリールアルキニル基であるか、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^lflの 1つ以上がァリールアルケニル基であるか、又は、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Qが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である場合、

(d ' ) 下記式（I d) で示されるペン夕セン誘導体であって、

2. R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^lK A¹及び A²の 5っ以上が、水素原子以外の基である請求項 1に記載のポリアセン誘導体。

3. RK RK R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²の 6っ以上が水素原子以外の基である請求項 1に記載のポリアセン誘導体。

4. 前記ポリアセン誘導体が、下記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体であり、

(式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^{8 a}、 R^8b、 R⁹及び R ^1Qは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい（^〜（：₄₍₎炭化水素基；置換基を有していてもよい (^〜（ ₄₍₎アルコキシ基；置換基を有していてもよい C_s〜C_4flァリールォキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R⁶及び R⁷は、互いに架橋して C₄〜(： _4Q飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式一 N (R¹¹ ) 一で示される基（式中、 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく；

A¹及び A ま、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい (^〜炭化水素基；置換基を有していてもよい (^〜（：アルコキシ基；置換基を有していてもよい c₆〜c₄₀ァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qアルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₂〜C_4Gアルコキシ力ルポニル基；置換基を有していてもよい C₇〜C₄₍₎ァリールォキシカルポニル基；シァノ基（一 CN) ；カルバモイル基（一 C ( = 0) NH₂) ；ハロホルミル基（一 C (=0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（一 C (=0) — H) ；ィソシァノ基；イソシアナト基；チオシアナ卜基又はチォイソシアナト基であり、但し、 A¹及び A²は、互いに架橋して、式一 C (=0) -B-C ( = 0) —で示される環を形成してもよい（式中、 Bは、酸素原子又は式一 N (B¹) 一で示される基（式中、 B¹は、水素原子、（^〜（：₄₍₎炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である）。）

R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A² の 5つ以上が、水素原子以外の基である請求項 1に記載のポリアセン誘導体。

5. Ri、 R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²の 6つ以上が、水素原子以外の基である請求項 4に記載のポリァセン誘導体。

6. R R RK R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^Sa、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²の 7つ以上が、水素原子以外の基である請求項 4に記載のポリァセン誘導体。

7. R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²の 8つ以上が、水素原子以外の基である請求項 4に記載のポリァセン誘導体。

8. R¹, R²、 RK R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R R^8a、 R^8b、 R R ¹⁰、 A¹及び A²の 9つ以上が、水素原子以外の基である請求項 4に記載のポリァセン誘導体。

9. R¹, R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²の 1 0以上が、水素原子以外の基である請求項 4に記載のポリアセン誘導体。

1 0. R¹及び R²、 R³及び R^1D、 R⁴及び R⁹、 R⁵及び R⁸、 R⁶及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基である請求項 1〜3の何れかに記載のポリアセン誘導体。

1 1. R¹及び R²、 R³及び R^1Q、 R⁴及び R⁹、 R^5a及び R^8a、 R^5b及び R^8b、 R⁶ 及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基である請求項 4〜 9の何れかに記載のポリアセン誘導体。

1 2. R RK RK R⁴、 RK R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹及び R ^1Qの何れかが、置換基を有していてもよい〜(：₄₍₎炭化水素基；置換基を有していてもよい C^C ₄₀アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ基である請求項 1〜 3の何れかに記載のポリァセン誘導体。

1 3. R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R^1Qの何れかが、置換基を有していてもよい（^〜(^。炭化水素基；置換基を有していてもよい (^〜（：₄₀アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C₄₀ァリ一ルォキシ基である請求項 4〜 9の何れかに記載のポリァセン誘導体。

1 4. nが 1である場合に、 A¹及び A²がアルコキシカルポニル基であり、かつ、 Ri、 R²、 R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリール基である請求項 1に記載のポリアセン誘導体。

1 5. nが 1である場合に、 A A²、 R R²、 R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリール基である請求項 1に記載のポリアセン誘導体。

1 6. nが 1である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³ 、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸及び R^1Gがアルキル基又はァリール基である請求項 1に記載のポリアセン誘導体。

1 7. 前記ポリアセン誘導体が、上記式（ l a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A¹及び A²がアルコキシカルポニル基であり、かつ、 R R ²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8b、 R⁹がアルキル基又はァリール基である請求項 4に記載のポリァセン誘導体。

18. 前記ポリアセン誘導体が、上記式（ l a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A A²、 R R²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8b、 R⁹がァルキル基又はァリール基である請求項 4に記載のポリアセン誘導体。

1 9. 前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペンタセン誘導体である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R^5a、 R^{8 a} 及び R ¹⁰がアルキル基又はァリール基である請求項 4に記載のポリァセン誘導体。

20. 下記式（I) で示されるポリアセン誘導体の製造方法であって、

(式中、 R^l、 R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹及び R¹⁽¹は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい〜C_4Q炭化水素基；置換基を有していてもよい (^〜0₄₍₎アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4flァリールォキシ基；置換基を有していてもよいァミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R⁶及び R⁷は、互いに架橋して C₄〜C₄₍₎飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式一 N (R¹¹) 一で示される基（式中、 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく；

A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい ^〜。炭化水素基；置換基を有していてもよい

ルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Cァリ —ルォキシ基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qアルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₂〜C₄₍₎アルコキシ力ルポニル基；置換基を有していてもよい C₇〜C₄。ァリ一ルォキシカルポニル基；シァノ基（一 CN) ；カルバモイル基（一 C (=0) NH₂) ；ハロホルミル基（― C ( = 0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（一 C (=0) -H) ；イソシァノ基；イソシアナト基；チオシアナト基又はチォイソシアナト基であり、但し、 A¹及び A²は、互いに架橋して、式一 C (=〇） -B-C ( = 0) —で示される環を形成してもよく（式中、 Bは、酸素原子又は式一 N (B¹) 一で示される基（式中、 Biは、水素原子、（广。₄₍₎炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である）、

nは、 1以上の整数である。）

下記式（I I ) で示される炭化水素縮合環を

(式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R R Rⁱ⁰、 A'、 A²及び nは上記の意味を有する。

脱水素試薬の存在下、芳香族化することを特徴とするポリアセン誘導体の製造方法。

2 1. 前記脱水素試薬が、リチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せであり、まず、前記炭化水素縮合環にリチウム化剤を添加し、ついで、脱リチウム試薬を添加する請求項 2 0に記載のポリアセン誘導体の製造方法。

2 2. 前記リチウム化剤がアルキルリチウムであり、前記脱リチウム試薬がハロゲン化アルキルである請求項 2 1に記載のポリアセン誘導体の製造方法。

2 3. 前記脱水素試薬が、下記式（I I I ) で示される化合物である請求項 20に記載のポリアセン誘導体の製造方法。

24. 前記脱水素試薬が、パラジウムを含む請求項 20に記載のポリアセン誘導体の製造方法。

2 5. R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²の 5つ以上が、水素原子以外の基である請求項 2 0〜 24の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法。

2 6. R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^l A¹及び A²の 6つ以上が、水素原子以外の基である請求項 2 0〜24の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法。

2 7. 前記ポリアセン誘導体が、下記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体であり、

(式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、

^1Qは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい (^〜（ ₄₍₎炭化水素基；置換基を有していてもよい ^〜 ^アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R⁶及び R⁷は、互いに架橋して C₄〜C_4Q飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式一 N (R¹¹ ) 一で示される基（式中、 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく；

A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい (^〜( 炭化水素基；置換基を有していてもよい Ci C^アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C₄。ァリ —ルォキシ基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qアルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₂〜C₄₍₎アルコキシ力ルポニル基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Gァリールォキシカルボ二ル基；シァノ基（一 CN) ；カルバモイル基（一 C ( = 0) NH₂) ；ハロホルミル基（― C ( = 0) _X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（一 C (=0) 一 H) ；イソシァノ基；イソシアナト基；チオシアナ卜基又はチオイソシアナト基であり、伹し、 A¹及び A²は、互いに架橋して、式一 C (=0) -B-C (=0) 一で示される環を形成してもよい（式中、 Bは、酸素原子又は式一 N (B¹) 一で示される基（式中、 B¹は、水素原子、（^〜じ炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である）。）

R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R!。、 A¹及び A² の 5つ以上が、水素原子以外の基である請求項 20〜24の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法。

2 8. R】、 R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹ 及び A²の 6つ以上が、水素原子以外の基である請求項 2 7に記載のポリアセン誘導体の製造方法。

2 9. R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R R¹⁰、 A¹ 及び A²の 7つ以上が、水素原子以外の基である請求項 2 7に記載のポリアセン誘導体の製造方法。

3 0. RK R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R ¹⁰、 A¹ 及び A²の 8つ以上が、水素原子以外の基である請求項 2 7に記載のポリァセン誘導体の製造方法。

3 1. R】、 R²、 R³、 R⁴、 R⁵ R⁵K R⁶、 R⁷、 R^s R^Sb、 R⁹、 R】⁰、 A¹ 及び A²の 9つ以上が、水素原子以外の基である請求項 2 7に記載のポリァセン誘導体の製造方法。

3 2. R¹, R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^I0、 A¹ 及び A²の 1 0以上が、水素原子以外の基である請求項 2 7に記載のポリアセン誘導体の製造方法。

3 3. R¹及び R²、 R³及び R^1Q、 R⁴及び R⁹、 R⁵及び R⁸、 R⁶及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基である請求項 2 0〜2 6の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法。

34. R¹及び R²、 R³及び R¹⁰、 R⁴及び R⁹、 R^5a及び R^8a、 R^5b及び R^8b、 R⁶ 及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基である請求項

27〜32の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法。

3 5. R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹及び R ¹⁽⁾の何れかが、置換基を有していてもよい（^〜（：₄₍₎炭化水素基；置換基を有していてもよい〜。 ₄₀アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Dァリールォキシ基である請求項 20〜26の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法。

36. R!、 R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R¹⁰の何れかが、置換基を有していてもよい Ci〜C_4fl炭化水素基；置換基を有していてもよい (^〜(：^アルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ基である請求項 2 7〜 3 2の何れかに記載のポリァセン誘導体の製造方法。

3 7. 上記式（I ) 中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸ R⁹、 R¹⁰

、 A¹及び A²が全て水素原子である場合を除かれている請求項 2 0 2 4の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法。

3 8. 上記式（ I ) 中、 nが 1であり、少なくとも R R²、 R⁴及び R⁹が水素原子以外の基であるか、又は少なくとも R³、 R^s、 R⁸及び R^1Dが水素原子以外の基であり、かつ、以下の（a) 、 (b) 、 (c) 及び（d) の場合を除かれている、請求項 2 0〜2 6の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法 (a) RK R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R R A¹及び A²が全てメチル基である場合、

(b) R³、 R⁴、 R⁹及び R^1Qが全て置換基を有していてもよいァリール基である場合、

(c ) R R²、 R⁴及び R⁹が全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R^lfl、 A¹及び A²が全て水素原子である場合、

(d) R³、 R⁵、 R⁸及び R^1Qが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり、かつ、 R R²、 R⁴、 R⁶、 R⁷、 R⁹、 A¹及び A²が全て水素原子である場合

3 9. 前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体であり、以下の（a ' ) , (b ' ) 、 (c ' ) 及び（d ' ) の場合が除かれている、請求項 2 7に記載のポリアセン誘導体の製造方法。

(a ' ) 下記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体であって、

²、 R ³、 R 4 、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰, A¹及ぴ A²が全てメチル基である、又は、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R^1Qが全て水素原子であり、かつ、 R⁶、 R⁷、 A¹及び A²の 1つ以上がァリ一ル基である、又は、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R¹ 、 R^lfl、 A¹及び A²の 1つ以上がジァリールアミン基である場合、

(b ' ) 下記式（I b) で示されるペン夕セン誘導体であって、

R RK R^5b及び R^8bが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である場合 (c ' ) 下記式（I c) で示されるペン夕セン誘導体であって、

R³、 R^5a、 R^8a及び R ¹⁰の 2つ以上がァリール基又はァリールアルキニル基であるか、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Qの 1つ以上がァリールアルケニル基であるか、又は、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Bが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である場合、

(d ' ) 下記式（I d) で示されるペン夕セン誘導体であって、

4 0. nが 1である場合に、 A¹及び A²がアルコキシカルポニル基であり、かつ、 R R²、 R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリール基である請求項 2 0〜2 4の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法。

4 1. nが 1である場合に、 A A²、 R R²、 R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリ一ル基である請求項 20〜24の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法。

42. nが 1である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³ 、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸及び R^lflがアルキル基又はァリール基である請求項 20 〜24の何れかに記載のポリアセン誘導体の製造方法。

43. 前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A¹及び A²がアルコキシカルポニル基であり、かつ、 R R ²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8b、 R⁹がアルキル基又はァリール基である請求項 27に記載のポリアセン誘導体の製造方法。

44. 前記ポリアセン誘導体が、上記式（ I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A A²、 R R²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8b、 R⁹がァルキル基又はァリール基である請求項 2 7に記載のポリァセン誘導体の製造方法。

45. 前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R^5a、 R^{8 a} 及び R ^{1 G}がアルキル基又はァリ一ル基である請求項 27に記載のポリァセン誘導体の製造方法。

46. 請求項 1〜1 9の何れかに記載のポリアセン誘導体、又は、請求項 2 0〜45の何れかに記載の製造方法で得られたポリァセン誘導体を含む導電材料。

47. 請求項 1〜19の何れかに記載のポリアセン誘導体、又は、請求項 2 0〜45の何れかに記載の製造方法で得られたポリアセン誘導体と、その他の合成有機ポリマーとを含有する樹脂組成物。