JP2000021571A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JP2000021571A JP2000021571A JP10189313A JP18931398A JP2000021571A JP 2000021571 A JP2000021571 A JP 2000021571A JP 10189313 A JP10189313 A JP 10189313A JP 18931398 A JP18931398 A JP 18931398A JP 2000021571 A JP2000021571 A JP 2000021571A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- light emitting
- organic
- emitting layer
- hole transport
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
発光特性が維持できる有機エレクトロルミネッセンス素
子を提供する。 【解決手段】陽極2、発光層3、陰極4とを有し、9,
10−ジフェノキシアントラセンや9,10−ビス(フ
ェニルチオ)アントラセン等のアントラセン系化合物を
発光層3中に含む。
Description
レイや平面光源などに使用される有機エレクトロルミネ
ッセンス(有機EL)素子に関するものであり、更に詳
しくは発光特性を改善し、寿命特性に優れる有機EL素
子に関するものである。
開発の進展に伴い、CRTに代わるフラットディスプレ
イに大きな期待が寄せられている。なかでもEL素子
は、高速応答性、視認性、輝度などの点に優れるため盛
んに研究が行われている。
無機EL素子では、駆動電圧が100V程度と高く、十
分な輝度も得られないなどの問題点がある。一方、有機
蛍光物質の電界発光は古くから知られ、アントラセン単
結晶などを使用した多くの研究が行われたが、駆動電圧
が高く発光輝度も低いことから実用的なデバイスの開発
までには至らなかった。
angらによって発表された有機EL素子は、10V以
下の直流低電圧駆動が可能で、1000cd/ m2 と高
い輝度が得られ、発光効率も1.5lm/ Wと優れてい
た(Appl. Phys. Lett., 51,913 (1987) )。この発表
により、無機EL素子に比較し低電圧での駆動、有機分
子の設計による多色化などの長所が示されたことで、新
規有機材料、新規陰極材料など数多くの有機EL素子の
研究が行われるようになった。
層の有機材料としては、トリス(8−キノリノラト)ア
ルミニウム(以下「Alq」と略称する)がある。この
Alqを発光層のホスト材料として使用し、クマリン誘
導体(特開平3−792号公報参照)、ジシアノメチレ
ン誘導体(特開平3−162481号公報参照)、キナ
クリドン誘導体(特開平5−70773号公報参照)な
どの蛍光性の有機色素材料をドープし、発光効率を向上
させる試みが行われている。しかし、寿命の点では必ず
しも満足のいくものではなく、さらに高発光効率で高寿
命の有機EL素子の開発が望まれていた。
みてなされたものであり、その目的は発光効率を向上し
て、長期に渡り安定な発光特性が維持できる有機EL素
子を提供することにある。
決するためになされたものであり、陽極、有機発光性物
質を含む発光層、陰極とを少なくとも有する有機エレク
トロルミネッセンス素子において、上記発光層が下記一
般式(1)で示される化合物を含むことを特徴とする有
機EL素子を提供する。
素、ハロゲン元素、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基、アシル基、アラルキル基、シ
クロアルキル基、シアノ基、芳香族炭化水素基、芳香族
複素環基のいずれかを、X1 、X2 は夫々独立して酸素
原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、エチニル基
のいずれかを示し、mとnは1または2をそれぞれ表
し、mとnとにより定まる芳香族縮合環の水素原子の一
部はハロゲン元素、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基、アシル基、アラルキル基、シ
クロアルキル基、シアノ基、芳香族炭化水素基、フェニ
ルエチニル基、芳香族複素環基に置換されていてもよ
い。)
光層との間に正孔輸送層を設け、上記正孔輸送層が上記
一般式(1)で示される化合物を含む有機EL素子を提
供する。
のX1 、X2 が夫々独立して酸素原子、硫黄原子、エチ
ニル基のいずれかを示し、m+nが2または3を表し、
mとnとにより定まる芳香族縮合環の水素原子の一部は
アリール基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基、フ
ェニルエチニル基に置換されていてもよい、で示される
化合物である有機EL素子を提供する。
層が一般式(1)で示される化合物を含む。これによ
り、発光効率に優れるとともに、長期に渡って安定した
発光が行える有機EL素子が得られる。
に正孔輸送層を設け、その正孔輸送層が一般式(1)で
示される化合物を含む。これにより、発光効率に優れる
とともに、長期に渡って安定した発光が行える有機EL
素子が得られる。
構成の側面図であり、図2はより好ましい例の側面図で
ある。図1において、1は基板、2は陽極、3は有機発
光性物質を含む発光層、4は陰極を示している。図2は
陽極2と発光層3との間に正孔輸送層5と界面層6とを
設け、陰極4と発光層3との間に電子輸送層7と界面層
8を設けたところを示している。
支持体であり、ガラス、プラスチックなどの透明な基板
が一般的には使用される。プラスチックの場合には、ポ
リカーボネート、ポリメタアクリレート、ポリサルホン
などを利用することができる。
設けられる。この透明電極としては、通常、インジウム
錫酸化物(ITO)薄膜、錫酸化物の膜を使用すること
ができる。また、仕事関数の大きいアルミニウム、金な
どの金属、ヨウ化銅などの無機導電性物質、ポリ(3−
メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリンなど
の導電性高分子により構成されてもよい。
法、スパッタリング法等により行われることが一般的で
あるが、導電性高分子の場合には適当なバインダーとの
溶液を基板上に塗布したり、電解重合により直接基板上
に薄膜を作製することができる。陽極の膜厚は、必要と
する透明性に依存するが、可視光の透過率が60%以
上、好ましくは80%以上であり、この場合の膜厚は、
5〜1000nm、好ましくは10〜500nmであ
る。
の発光層の有機発光性物質としては、蛍光量子収率が高
く、陰極4からの電子注入効率が高く、さらに電子移動
度が高い化合物が有効である。特に、アモルファス薄膜
における安定性、耐熱性の点に優れるキノリン誘導体の
キレート錯体が好ましく使用することができる。
素としては、リチウム、銀、ベリリウム、マグネシウ
ム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、カドミウム、
アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、イッ
トリウム、スカンジウム、ランタン、ジルコニウム、マ
ンガン、ルテチウムなどがある。なかでも高い蛍光量子
収率を有するベリリウム、マグネシウム、アルミニウ
ム、カルシウム、亜鉛、スカンジウムなどのキレート錯
体が特に好ましい。
200nmであり、好ましくは、40〜100nmであ
る。
と同時に長期に渡り高い発光効率を維持するために、少
なくとも一般式(1)で示される化合物を発光層中に含
有する。
素、ハロゲン元素、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基、アシル基、アラルキル基、シ
クロアルキル基、シアノ基、芳香族炭化水素基、芳香族
複素環基のいずれかを、X1 、X2 は夫々独立して酸素
原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、エチニル基
のいずれかを示し、mとnは1または2をそれぞれ表
し、mとnとにより定まる芳香族縮合環の水素原子の一
部はハロゲン元素、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基、アシル基、アラルキル基、シ
クロアルキル基、シアノ基、芳香族炭化水素基、フェニ
ルエチニル基、芳香族複素環基に置換されていてもよ
い。)
は、mとnとにより定まる基本骨格となる芳香族縮合環
として、m=n=1の場合にはアントラセン、m+n=
3(m=1,n=2またはm=2,n=1)の場合には
ナフタセン、m=n=1の場合にはペンタセンを有す
る。
発光層内、正孔輸送層内における、キャリアの蓄積を抑
制し、励起子からのエネルギー移動を起こしやすくする
ため、キャリア輸送性が高く、さらに蛍光量子収率が高
い物質が好ましい。
々独立して酸素原子、硫黄原子、エチニル基のいずれか
を示し、m=n=1の場合のアントラセン、m+n=3
(m=1,n=2またはm=2,n=1)の場合のナフ
タセンのいずれかであることが好ましい。さらに、mと
nとにより定まる芳香族縮合環の水素原子の一部が置換
される場合には、アリール基、アリールオキシ基、芳香
族炭化水素基、フェニルエチニル基に置換されることが
好ましい。
光層中0.01〜30mol%とされればよく、特に
0.5〜10mol%が好ましい。0.5mol%以上
とすることにより、一重項励起子からのエネルギー移動
が起こりやすくなり、10mol%以下とすることによ
り濃度消光による発光輝度の低下や電子の注入障壁の増
加による駆動電圧の上昇が極めて少なくなる。
設けた場合には、この正孔輸送層中に一般式(1)で示
される化合物を含んでも十分に上記の効果を得ることが
できる。一般式(1)で示される化合物は、正孔輸送層
中上記の理由から0.01〜30mol%とされればよ
く、特に0.5〜10mol%が好ましい。
の一般式(1)の化合物を含有させることで、さらなる
発光効率の向上と長期に渡り高い発光効率を維持するこ
とも可能である。
させることやフルカラー表示を可能とする方法として、
有機発光層中に一般式(1)で示される化合物と同時に
他の蛍光性有機材料をドープすることもできる。
の有機物質を使用することができ、たとえば、スチルベ
ン系色素、オキサゾール系色素、シアニン系色素、キサ
ンテン系色素、オキサジン系色素、クマリン系色素、ア
クリジン系色素、キナクリドン誘導体、ペリレン誘導体
(特開平3−791号公報)、4−ジシアノメチレン−
2−メチル−6−p−ジメチルアミノスチリル−4H−
ピラン(DCM1)誘導体、ユーロピウム (III)錯体
(Chem.Lett.,1991,1267)、亜鉛ポルフィリン誘導体、
ローダミン系色素(特開平8−286033号公報)、
ビオラントロン誘導体(特開平7−90259)、ニー
ルレッド誘導体、ビス(2−スチリル−8−キノリノラ
ト)亜鉛(II)錯体(Chem.Lett.,1997,633 )など幅広
く使用することができる。このようなドープ有機材料の
濃度としては、発光層内において0.01〜30mol
%とされることが好ましい。
との間には、必要に応じて正孔輸送層5を設けることが
できる。正孔輸送層を設けることにより、陰極から注入
され発光層内を移動する電子が効率よくブロッキングさ
れ、高い発光効率が可能となる。
からの注入障壁が低く、さらに正孔移動度が高い材料が
使用できる。このような正孔輸送材料としては、公知の
正孔輸送材料が使用できる。例えば、N,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,
1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(以下TPDと
する)や1,1’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフ
ェニル)シクロヘキサン等の芳香族ジアミン系化合物、
特開平2−311591号公報で示されているヒドラゾ
ン化合物が使用することができる。
リシランのような高分子材料も好ましく使用することが
できる(Appl.Phys.Lett.,59,2760(1991) )。
しては、真空蒸着法、ディップ法、スピンコート法、L
B法等の種々の方法が適用できる。ピンホール等の欠陥
の無いサブミクロンオーダーの均一な薄膜を作製するた
めには、特に、真空蒸着法、スピンコート法が好まし
い。
プとならないバインダー樹脂をコート溶液に溶解して使
用することができる。このようなバインダー樹脂として
は、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリエ
ステル等が挙げられる。バインダー樹脂の含有量は、正
孔移動度を低下させない10〜50重量%が好ましい。
だけではなく、金属カルコゲン化物、金属ハロゲン化
物、金属炭化物、ニッケル酸化物、鉛酸化物、銅の沃化
物、鉛の硫化物等のp型化合物半導体やp型水素化非晶
質シリコン、p型水素化非晶質炭化シリコン等も使用す
ることができる。
蒸着法、スパッタ法、CVD法等、通常の公知の手法に
より作製することができる。有機物質、無機物質いずれ
を使用した場合においても正孔輸送層の膜厚は、通常、
10〜200nmであり、好ましくは、20〜80nm
である。
との間に、リーク電流の防止、正孔注入障壁の低減、密
着性向上等のために、界面層6を設けて、駆動電圧の低
減や長寿命化を実施することができる。
−308688号公報にみられるようなトリフェニルア
ミンの誘導体である4,4’,4”−トリス{N−(3
−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ}トリフェニ
ルアミン(以下MTDATAとする)や4,4’,4”
−トリス{N,Nジフェニルアミノ}トリフェニルアミ
ン(以下TDATAとする)や銅フタロシアニン等が好
ましく使用できる。この界面層を設けるときの膜厚は、
5〜100nmで好ましく使用できる。
陰極には公知の有機EL用の陰極も含め種々のものが使
用できる。たとえば、マグネシウム−アルミニウム合
金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム
合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム等が
ある。
間に必要に応じて電子輸送層7を設けることができる。
この電子輸送性物質としては、電子親和力が大きく電子
の移動度が大きい物質が必要であり、このような条件を
満たす物質は、シクロペンタジエン誘導体(特開平2−
289675号公報)、オキサジアゾール誘導体(特開
平2−216791号公報)、ビススチリルベンゼン誘
導体(特開平1−245087号公報)、p−フェニレ
ン化合物(特開平3−33183号公報)、フェナント
ロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、トリ
アゾール誘導体(特開平7−90260号公報)などが
挙げられる。
る範囲内であれば、その層自体が複数の層で形成されて
いたり、それらの層間にさらに他の層を挟んだりしても
よい。
送層7と陰極4との間に、界面層8を設け、駆動電圧の
低減や発光効率の向上、長寿命化を達成することができ
る。このような界面層は陰極からの電子注入を容易にす
る効果や陰極との密着性をあげる効果がある。
チウム(Appl. Phys. Lett., 70,152 (1997))に代表さ
れるアルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ
化物、酸化マグネシウム、酸化ストロンチウム、酸化ア
ルミニウム、酸化バリウムなどの酸化物がある。このよ
うな界面層材料はそれ自体絶縁体であるため、使用する
膜厚は、通常5nm以下であり、好ましくは、2nm以
下とすることにより陰極からのトンネル注入が可能とな
ると考えられる。
における保存安定性、駆動安定性を確保するために、高
分子膜をコーティングしたりガラス封止により大気中の
酸素や水分から遮断してもよい。
て使用して、液晶表示素子のバックライトや壁面照明素
子として使用したり、パターニングして画素を形成し、
ディスプレイとして使用したりすることができる。
比較例により説明するが、本発明は必ずしもこれらに限
定されるものではない。
2(シート抵抗7Ω/□)を形成した。この陽極2上
に、真空蒸着法により銅フタロシアニン(式2)を膜厚
15nmに蒸着して界面層6を形成した。次いで、TP
D(式3)を膜厚45nmに蒸着して正孔輸送層5を形
成した。
ム錯体であるAlq(式4)と9,10−ジフェノキシ
アントラセン(式5)を異なる蒸着ボートを用いて膜厚
60nmに共蒸着して発光層を形成した。このときの
9,10−ジフェノキシアントラセンの濃度は5mol
%であった(Alqが95mol%)。最後に、Mgと
Agを共蒸着して膜厚200nmのMgAg(10:
1)陰極合金を形成して有機EL素子を作製した。
ジフェノキシアントラセンを用いない)こと以外は例1
と同様にしてAlqを有機発光層とする有機EL素子を
作製した。
50nmに蒸着して界面層6を形成した。次いで、TP
D(式3)を膜厚10nm蒸着して正孔輸送層5を形成
した。次いでテトラフェニルブタジエン(式7)と9,
10−ビス(フェニルエチニル)アントラセン(式8)
とを異なる蒸着ボートを用いて膜厚60nmに共蒸着し
て発光層を形成した。
ニル)アントラセンの濃度は5mol%であった(テト
ラフェニルブタジエンが95mol%)。最後に、Mg
とAgを共蒸着して膜厚200nmのMgAg(10:
1)陰極合金を形成して有機EL素子を作製した。
9)1重量部、TPD(式3)1重量部をジクロロメタ
ン500重量部に溶解させた溶液を用いて回転数500
0rpmでこの基板上に膜厚60nmでスピンコートし
正孔輸送層とした。次いでビス(2−メチル−8−キノ
リノラト)(フェノラート)アルミニウム (III)(式1
0)と9,10−ビス(フェニルチオ)アントラセン
(式11)とを異なる蒸着ボートを用いて膜厚40nm
に共蒸着して発光層を形成した。
オ)アントラセンの濃度は7mol%であった(ビス
(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラート)ア
ルミニウム (III)が93mol%)。次いで、電子輸送
層としてビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェ
ノラート)アルミニウム (III)のみからなる有機層を2
0nm形成した。最後に、MgとAgを共蒸着して膜厚
200nmのMgAg(10:1)陰極合金を形成して
有機EL素子を作製した。
50nmに蒸着して界面層6を形成した。次いで、α−
NPD(式12)と5,12−ジフェノキシナフタセン
(式13)とを異なる蒸着ボートを用いて膜厚10nm
に共蒸着して正孔輸送層を形成した。
センの正孔輸送層中の濃度は8mol%であった(α−
NPDが92mol%)。次いでAlq(式4)を60
nm蒸着して発光層を形成した。さらに、フッ化リチウ
ムを0.5nm蒸着して界面層を形成した。最後に、A
lを蒸着して膜厚200nmの陰極を形成して有機EL
素子を作製した。
50nmに蒸着して界面層6を形成した。次いで、α−
NPD(式12)を膜厚10nmに蒸着して正孔輸送層
5を形成した。次いでAlq(式4)と5,12−ジフ
ェノキシナフタセン(式13)とを異なる蒸着ボートを
用いて膜厚40nmに共蒸着して発光層を形成した。
センの濃度は8mol%であった(Alqが92mol
%)。次いで、電子輸送層としてAlqのみからなる有
機層を20nm形成した。さらに、フッ化リチウムを
0.5nm蒸着して界面層を形成した。最後に、Alを
蒸着して膜厚200nmの陰極を形成して有機EL素子
を作製した。
有機EL素子の発光効率特性(10V印加時の輝度(c
d/m2 )と、発光効率(lm/W))を表1に示す。
なお、発光層と正孔輸送層の欄の番号は化合物の式番号
を示す。
m2 の一定電流で駆動したときに初期輝度が元の半分に
低下するのに要した時間である半減寿命時間(時間))
と、輝度が半減後の発光効率(lm/W)に関する測定
結果を表2に示す。
特定の有機蛍光性材料を発光層、正孔輸送層中に含有さ
せる。これにより、発光層で生成する励起子からのエネ
ルギー移動を容易にし、高い発光効率と寿命に優れる有
機EL素子を得ることができる。本発明は、この他、本
発明の効果を損しない範囲内で種々の応用が可能であ
る。
Claims (3)
- 【請求項1】陽極、有機発光性物質を含む発光層、陰極
とを少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、上記発光層が下記一般式(1)で示される
化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センス素子。 【化1】 (上記式中、R1 〜R2 は夫々独立して水素、ハロゲン
元素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アシル基、アラルキル基、シクロアルキル
基、シアノ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基のい
ずれかを、X1 、X2 は夫々独立して酸素原子、硫黄原
子、セレン原子、テルル原子、エチニル基のいずれかを
示し、mとnは1または2をそれぞれ表し、mとnとに
より定まる芳香族縮合環の水素原子の一部はハロゲン元
素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、アシル基、アラルキル基、シクロアルキル
基、シアノ基、芳香族炭化水素基、フェニルエチニル
基、芳香族複素環基に置換されていてもよい。) - 【請求項2】陽極と有機発光性物質を含む発光層との間
に正孔輸送層を設け、上記正孔輸送層が上記一般式
(1)で示される化合物を含む請求項1記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】一般式(1)の化合物が、そのX1 、X2
が夫々独立して酸素原子、硫黄原子、エチニル基のいず
れかを示し、m+nが2または3を表し、mとnとによ
り定まる芳香族縮合環の水素原子の一部はアリール基、
アリールオキシ基、芳香族炭化水素基、フェニルエチニ
ル基に置換されていてもよい、で示される化合物である
請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10189313A JP2000021571A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10189313A JP2000021571A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021571A true JP2000021571A (ja) | 2000-01-21 |
| JP2000021571A5 JP2000021571A5 (ja) | 2005-05-12 |
Family
ID=16239271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10189313A Withdrawn JP2000021571A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021571A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003080762A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Japan Science And Technology Agency | Functional thin film |
| US7195829B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-03-27 | Eastman Kodak Company | Organic element for electroluminescent devices |
| US7901594B2 (en) | 2000-02-29 | 2011-03-08 | Japan Science And Technology Corporation | Polyacene derivatives and production thereof |
| US8513466B2 (en) | 2009-11-30 | 2013-08-20 | University Of New Hampshire | Class of soluble, photooxidatively resistant acene derivatives |
| US8822731B2 (en) | 2009-11-30 | 2014-09-02 | University Of New Hampshire | Soluble, persistent nonacene derivatives |
| WO2014185408A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 国立大学法人九州大学 | 化合物、発光材料および有機発光素子 |
-
1998
- 1998-07-03 JP JP10189313A patent/JP2000021571A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7901594B2 (en) | 2000-02-29 | 2011-03-08 | Japan Science And Technology Corporation | Polyacene derivatives and production thereof |
| WO2003080762A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Japan Science And Technology Agency | Functional thin film |
| CN100387681C (zh) * | 2002-03-26 | 2008-05-14 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 功能性薄膜 |
| KR100960212B1 (ko) * | 2002-03-26 | 2010-05-27 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 기능성 박막 |
| US7195829B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-03-27 | Eastman Kodak Company | Organic element for electroluminescent devices |
| US8513466B2 (en) | 2009-11-30 | 2013-08-20 | University Of New Hampshire | Class of soluble, photooxidatively resistant acene derivatives |
| US8822731B2 (en) | 2009-11-30 | 2014-09-02 | University Of New Hampshire | Soluble, persistent nonacene derivatives |
| WO2014185408A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 国立大学法人九州大学 | 化合物、発光材料および有機発光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6660411B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
| KR20020026867A (ko) | 유기 전자발광 소자 및 유기 발광 매체 | |
| JPH08109373A (ja) | 有機薄膜el素子 | |
| JP3960131B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
| JPH11297474A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2004207102A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3951425B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2003317965A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
| JP3951461B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2000021571A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3932605B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4507420B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004047329A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP4733285B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2000315579A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH11260558A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3841203B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3841202B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2001011436A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2001043975A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004172068A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR100660001B1 (ko) | 전자 래더층을 갖는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR100682766B1 (ko) | 전자 래더층을 갖는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR100644530B1 (ko) | 전자 래더층을 갖는 유기 전계 발광 소자 | |
| JP2004014219A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040628 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040628 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060418 |