[go: up one dir, main page]

WO2000025337A1 - Mikromechanisches relais mit federndem kontakt und verfahren zum herstellen desselben - Google Patents

Mikromechanisches relais mit federndem kontakt und verfahren zum herstellen desselben Download PDF

Info

Publication number
WO2000025337A1
WO2000025337A1 PCT/EP1999/008016 EP9908016W WO0025337A1 WO 2000025337 A1 WO2000025337 A1 WO 2000025337A1 EP 9908016 W EP9908016 W EP 9908016W WO 0025337 A1 WO0025337 A1 WO 0025337A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
resistance
contact
contact surfaces
control lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP1999/008016
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Gerd Hechtfischer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohde and Schwarz GmbH and Co KG
Original Assignee
Rohde and Schwarz GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19950373A external-priority patent/DE19950373B4/de
Application filed by Rohde and Schwarz GmbH and Co KG filed Critical Rohde and Schwarz GmbH and Co KG
Publication of WO2000025337A1 publication Critical patent/WO2000025337A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/12—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage
    • H01H1/14—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage by abutting
    • H01H1/20—Bridging contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/50—Means for increasing contact pressure, preventing vibration of contacts, holding contacts together after engagement, or biasing contacts to the open position

Definitions

  • the present invention relates to a micromechanical relay with a resilient contact and a method for producing the same.
  • Micromechanical relays with dimensions in the sub-mm range have recently been implemented using microtechnology. This extreme miniaturization makes properties possible that stand out from the prior art.
  • the switching time in the ⁇ s range, the bounce-free switching behavior and the almost powerless switching due to the electrostatic drive are particularly worth mentioning here.
  • the contact capacities of a microrelay are in the fF range. This extremely low value leads to a pronounced insulation capacity when the contact is open, i.e. the coupling of signals into an adjacent circle is sufficiently attenuated even at very high frequencies (GHz range).
  • Micromechanical relays and methods for producing the same are known from DE 196 46 667 and DE 197 30 715.
  • the resistances built into the control lines avoid resonances caused by coupled signals.
  • the current is limited by the resistors, but this is not disadvantageous for the operation of the microrelay, since only charge has to be supplied to generate an electrostatic force between the movable bar and the bottom electrode; a continuous current is not necessary.
  • the coupling is also damped by the resistors in the control lines that a microrelay designed in this way is suitable for transmitting frequencies up to 100 GHz.
  • FIG. 1 shows the individual steps for the production of a micromechanical relay according to the invention
  • FIG. 2 shows the basic structure and the electrical mode of operation.
  • FIG. 2 shows a microstrip line with a coupling gap, which can be bridged by a micro relay.
  • the contact clip of the microrelay is narrower or as wide as the stripline. If the contact clip is narrower than the strip conductor, the ends that run towards the micro relay can be chamfered. This increases the insulation since the coupling between the strip conductors is damped more due to the smaller coupling area.
  • the microrelay is firmly connected to the substrate via an anchor pad. Signals can also reach the opposite strip conductor via this anchor pad.
  • the anchor pads must be beveled according to the invention ( Figure 2). This increases the path from the stripline to the anchor pad and prevents overcoupling.
  • the coupling is greatly damped by the low contact capacity of the microrelay, so that such a microstrip line, which can be switched with a microrelay, is also suitable for switching very high frequencies in the GHz range.
  • a microrelay can transmit high frequencies due to the small dimensions, since the component size is very small compared to the wavelength.
  • the switching signal is coupled in via the stripline with low reflection, the control lines are connected to the voltage supply via bond pads and bond wires.
  • a NiCr layer is deposited as a resistance layer on an Al 2 O 3 ceramic substrate.
  • the surface resistance is in the lOOOhm / square range.
  • an adhesive layer for example TiW
  • a conductive layer for example gold
  • These three layers are structured for the bottom electrode and for control lines, gold being applied with an electrodeposition and subsequently etched to roughen the surface thereof.
  • gold and TiW are removed from the control lines in a defined area, so that a NiCr resistor is created (NiCr resistor in the kOhm range).
  • the control lines are thus defined as resistance conductors ( Figure la).
  • polyimide is spun on, which serves as a spacer between the bottom electrode and the movable electrode. Indentations are etched into this polyimide layer, which also serves as a sacrificial layer (FIG. 1 a). These depressions are made by the subsequent silicon dioxide deposition
  • the movable bar is formed, which is characterized by elevations and depressions on the underside of the bar (FIG. 1d).
  • the structure of the movable bar is analogous to the prior art disclosed in DE 196 46 667 (FIG. 1b).
  • the lower compressive stress layer SiO 2 (1) is deposited thicker than the upper compressive stress layer SiO 2 (2).
  • the lower compressive stress layer has a larger volume than the upper, so that the resulting force of the lower compressive stress layer is greater than the upper. After removing the sacrificial layer, this leads to a deformation of the bar upwards.
  • a second layer of polyimide is applied.
  • This polyimide layer is not only windowed at the free end of the movable bar (as in DE 196 46 667), but also at the points of firm contact (FIG. 1c).
  • the two polyimide layers are also removed locally at the clamping point.
  • the subsequent metal deposition TiW adhesive layer and electroplating gold
  • the conductor tracks are also galvanically reinforced for firm contact. This reinforcement of the conductor track leads to a lower conductor track resistance and thus to an improved volume resistance.
  • a metal connection is also made from the fixed end of the movable beam to a control line on the substrate.
  • the movable electrode is now connected to the control line and can now be controlled via the NiCr resistor.
  • An adhesive layer for example TiW and a gold layer, is deposited on the back of the Al 2 O 3 substrate. This rear-side metallization is necessary for the implementation of the microstrip line from FIG. 2, since it represents the planar electrode with ground contact, while the strip line from FIG. 2 serves as a strip-shaped electrode.
  • the microrelay shown in FIG. 1d is formed with deformed movable bars and a voltage-compensated contact clip.
  • the distance of the movable bar from the substrate is between 0.1 ⁇ m and 5 ⁇ m at the clamping point and between 0.1 ⁇ m and 100 ⁇ m at the free end.
  • the bar length is between l ⁇ m and lOOOO ⁇ m.
  • the dome-shaped or cylindrical resilient contact is achieved by the local removal of polyimide below the fixed contact.
  • the compressive stress layer SiO 2 (l) pushes the two-layer metal composite upwards.
  • the resilient contact is anchored to the substrate via polyimide supports. If the polyimide supports only remain on two sides, a cylindrical surface is formed. The resilient contact is only anchored on two sides like a bridge. On the other hand, if the fixed contact is clamped on all four sides, a dome-shaped contact occurs. A resilient contact is created with both embodiments.

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

Bei einem Mikromechanischen Relais zum Schalten von Hochfrequenzsignalen, das eine auf einem Substrat angeordnete Bodenelektrode, eine bewegliche Gegenelektrode mit einem elektrisch leitenden Kontaktbügel, zwei Steuerleitungen zum Ansteuern von Boden- und Gegenelektrode und zwei über einen Koppelspalt voneinander beabstandete Kontaktflächen aufweist und bei dem der Kontaktbügel bei Anlagen einer elektrischen Spannung zwischen Boden- und Gegenelektrode in Richtung der Bodenelektrode bewegt und dadurch eine elektrische Verbindung zwischen den Kontaktflächen hergestellt wird, weisen die beiden Steuerleitungen jeweils einen Widerstand im k OMEGA -Bereich auf oder sind mit einem Widerstandselement oder einer Widerstandskette im k OMEGA -Bereich versehen.

Description

Mikromechanisches Relais mit federndem Kontakt und Verfahren zum Herstellen desselben
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein mikromechanisches Relais mit federndem Kontakt und einem Verfahren zum Herstellen desselben.
Durch Anwendung der Mikrotechnik werden in neuester Zeit mikromechanische Relais realisiert, deren Abmessungen im sub-mm-Bereich liegen. Diese extreme Miniaturisierung macht Eigenschaften möglich, die sich vom Stand der Technik abheben. Hier ist vor allem die Schaltzeit im μs-Bereich, das prellfreie Schaltverhalten und das fast leistungslose Schalten durch den elektrostatischen Antrieb zu nennen. Darüberhinaus liegen die Kontaktkapazitäten eines Mikrorelais im fF-Bereich. Dieser äußerst geringe Wert führt zu einem ausgeprägten Isolationsvermögen bei geöffnetem Kontakt, d.h. das Überkoppeln von Signalen in einen benachbarten Kreis wird auch noch bei sehr hohen Frequenzen (GHz-Bereich) ausreichend gedämpft.
Mikromechanische Relais und Verfahren zum Herstellen desselben sind aus DE 196 46 667 und DE 197 30 715 bekannt.
Beim Schalten von Hochfrequenzsignalen kann es zum Einkoppeln solcher Signale in den Steuerkreis, also in Bodenelektrode und bewegliche Elektrode kommen. Dies führt zu Resonanzen, die das Signal stark verfälschen.
Es ist Aufgabe der Erfindung, solche Einkopp ingen in den Steuerkreis eines mikromechanischen Relais zu vermeiden.
Dies wird erfindungsgemäß ausgehend von einem mikromechanischen Relais laut Oberbegriff des Hauptanspruches durch dessen kennzeichnende Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Durch die in die Steuerleitungen eingebauten Widerstände werden durch eingekoppelte Signale hervorgerufene Resonanzen vermieden. Durch die Widerstände wird zwar der Strom begrenzt, dies ist für den Betrieb des Mikrorelais jedoch nicht nachteilig, da für die Erzeugung einer elektrostatischen Kraft zwischen beweglichen Balken und Bodenelektrode nur Ladung zugeführt werden muß, ein Dauerstrom ist nicht nötig. Durch die Widerstände in den Steuerleitungen wird auch die Einkopplung gedämpft, so daß ein derart ausgebildetes Mikrorelais geeignet ist, Frequenzen bis zu 100 GHz zu übertragen.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand schematischer Zeichnungen an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Figur 1 zeigt die einzelnen Schritte für die Herstellung eines erfindungsgemäßen mikromechanischen Relais,
Figur 2 zeigt den prinzipiellen Aufbau und die elektrische Wirkungsweise.
Figur 2 zeigt eine Mikrostreifenleitung mit Koppelspalt, der durch ein Mikrorelais überbrückt werden kann. Der Kontaktbügel des Mikrorelais ist dabei schmäler oder genauso breit wie der Streifenleiter. Ist der Kontaktbügel schmäler als der Streifenleiter, können die Enden, die auf das Mikrorelais zulaufen, abgeschrägt werden. Dies erhöht die Isolation, da die Kopplung zwischen den Streifenleitern aufgrund der geringeren Koppelfläche stärker gedämpft wird.
Das Mikrorelais ist über ein Ankerpad mit dem Substrat fest verbunden. Über dieses Ankerpad können ebenfalls Signale in den gegenüberliegenden Streifenleiter gelangen. Um hier eine verbesserte Dämpfung zu erreichen, müssen die Ankerpads erfindungsgemäß abgeschrägt werden (Figur 2). Dadurch erhöht sich der Weg vom Streifenleiter zum Ankerpad und die Überkopplung wird verhindert.
Darüberhinaus wird die Kopplung durch die geringe Kontaktkapazität des Mikrorelais stark gedämpft, so daß eine solche mit einem Mikrorelais schaltbar aufgebaute Mikrostreifenleitung auch noch zum Schalten von sehr hohen Frequenzen im GHz- Bereich geeignet ist. Schließlich kann ein solches Mikrorelais aufgrund der geringen Abmessungen hohe Frequenzen übertragen, da die Bauteilgröße sehr klein gegenüber der Wellenlänge ist.
Das Schaltsignal wird über den Streifenleiter reflexionsarm eingekoppelt, die Steuerleitungen werden über Bondpads und Bonddrähten an die Spannungsversorgung angeschlossen.
Das Verfahren zum Herstellen des Mikrorelais mit Widerstandleiter und federndem Kontakt wird anhand von Figur 1 beschrieben. Auf einem Al2O3-Keramiksubstrat wird eine NiCr-Schicht als Widerstandsschicht abgeschieden. Der Flächenwiderstand liegt hierbei im lOOOhm/Square-Bereich. Anschließend wird eine Haftschicht zum Beispiel TiW und eine leitende Schicht zum Beispiel Gold aufgetragen. Diese drei Schichten werden zur Bodenelektrode und zu Steuerleitungen strukturiert, wobei Gold mit einer galvanischen Abscheidung aufgebracht wird und nachfolgend zur Aufrauhung der Oberfläche derselben angeätzt wird. Daraufhin wird erfindungsgemäß bei den Steuerleitungen in einem definierten Bereich Gold und TiW entfernt, so daß ein NiCr- Widerstand entsteht (NiCr- Widerstand im kOhm-Bereich). Die Steuerleitungen sind somit als Widerstandsleiter definiert (Figur la).
Im nächsten Technologieschritt wird Polyimid auf geschleudert, das als Distanzschicht zwischen Bodenelektrode und beweglicher Elektrode dient. In dieser auch als Opferschicht dienenden Polyimidschicht werden Vertiefungen eingeätzt (Figur la). Diese Vertiefungen werden durch die nachfolgende Siliziumdioxidabscheidung
(SiO2(l) ) gefüllt. Nach Aufbau der gesamten Struktur und Entfernen der Opferschicht entsteht der bewegliche Balken, der durch Erhebungen und Vertiefungen an der Balkenunterseite gekennzeichnet ist (Figur ld).
Der Aufbau des beweglichen Balkens erfolgt analog zu dem in DE 196 46 667 offenbarten Stand der Technik (Figur lb). Allerdings wird die untere Druckspannungsschicht SiO2(l) dicker abgeschieden als die obere Druckspannungsschicht SiO2(2). Dadurch weist die untere Druckspannungsschicht ein größeres Volumen auf als die obere, so daß die resultierende Kraft der unteren Druckspannungsschicht größer ist als die obere. Nach dem Entfernen der Opferschicht führt dies zu einer Deformation des Balkens nach oben.
Nach Strukturieren des beweglichen Balkens wird eine zweite Polyimidschicht aufgebracht. Diese Polyimidschicht wird nicht nur an dem freien Ende des beweglichen Balkens gefenstert (wie in DE 196 46 667), sondern auch an den Stellen des festen Kontakts (Figur lc). Darüberhinaus werden auch am Einspannpunkt die beiden Polyimidschichten örtlich entfernt. Bei der anschließenden Metallabscheidung (Haftschicht TiW und Galvanik-Gold) wird nun nicht nur der Kontaktbügel aufgebaut, sondern auch die Leiterbahnen zum festen Kontakt galvanisch verstärkt. Diese Verstärkung der Leiterbahn führt zu einem geringeren Leiterbahnwiderstand und somit zu einem verbesserten Durchgangswiderstand.
Bei dieser Metallabscheidung wird auch eine Metallverbindung vom festen Ende des beweglichen Balkens zu einer Steuerleitung auf dem Substrat hergestellt. Die bewegliche Elektrode ist hiermit an der Steuerleitung angeschlossen und kann nun über den NiCr- Widerstand angesteuert werden. Auf der Rückseite des Al2O3-Substrats wird eine Haftschicht zum Beispiel TiW und eine Goldschicht abgeschieden. Diese Rückseitenmetallisierung ist für die Realisierung der Mikrostreifenleitung von Figur 2 notwendig, da sie die planar gestaltete Elektrode mit Massekontakt darstellt, während die Streifenleitung von Figur 2 als streifenförmige Elektrode dient.
Nach Entfernen der beiden Opferschichten entsteht das in Figur ld gezeigte Mikrorelais mit verformten beweglichen Balken und spannungskompensiertem Kontaktbügel. Der Abstand des beweglichen Balkens vom Substrat beträgt am Einspannpunkt zwischen 0, 1 μm und 5μm und am freien Ende zwischen 0, 1 μm und lOOμm. Die Balkenlänge liegt zwischen lμm und lOOOOμm.
Der kuppeiförmige oder auch zylinderförmige federnde Kontakt wird durch die örtliche Entfernung von Polyimid unterhalb des festen Kontaktes erreicht. Die Druckspannungsschicht SiO2(l) drückt den Zweilagen-Metallverbund nach oben. Dabei ist der federnde Kontakt über Polyimidstützen auf dem Substrat verankert. Bleiben die Polyimidstützen nur auf zwei Seiten stehen, kommt es zur Ausbildung einer Zylinderfläche. Der federnde Kontakt ist dabei wie eine Brücke nur an zwei Seiten verankert. Wird dagegen der feste Kontakt an allen vier Seiten eingespannt, kommt es zu einem kuppeiförmigen Kontakt. Mit beiden Ausführungsformen wird ein federnder Kontakt geschaffen.

Claims

A N S P R U C H E
1. Mikromechanisches Relais zum Schalten von Hochfrequenzsignalen, mit einer auf einem Substrat angeordneten Bodenelektrode, einem über ein Verbindungselement mit dem Substrat verbundenen beweglichen Element, das eine Gegenelektrode bildet und einen elektrisch leitenden Kontaktbügel trägt, zwei Steuerleitungen zum Ansteuern von Boden- und Gegenelektrode und zwei über einen Koppelspalt voneinander beabstandeten Kontaktflächen, wobei das bewegliche Element mit dem Kontaktbügel bei Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen Boden- und Gegenelektrode in Richtung der Bodenelektrode bewegt wird, wodurch der Kontaktbügel eine elektrische Verbindung zwischen den voneinander beabstandeten Kontaktflächen herstellt, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Steuerleitungen jeweils einen Widerstand im kΩ-Bereich aufweisen oder mit einem Widerstandselement oder einer Widerstandskette im kΩ-Bereich versehen sind.
2. Mikromechanisches Relais nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerleitungen als strukturierte Schichten oder Schichtfolgen auf dem Substrat ausgebildet sind, wobei Bereiche dieser Schichten oder Schichtfolgen zur Bildung eines Widerstandes im kΩ-Bereich aus einem Material mit geringer Leitfähigkeit bestehen.
3. Mikromechanisches Relais nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die geometrische Form der Kontaktflächen und/oder eines in einer zum Substrat parallelen Ebene gebildeten Querschnitts des Verbindungselementes derart von der Form eines einfachen Rechteckes abweicht, daß eine unerwünschte Überkopplung zwischen den Kontaktflächen reduziert wird.
4. Mikromechanisches Relais nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Breite der Kontaktflächen zum Koppelspalt hin verringert.
5. Mikromechanisches Relais nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Breite des Querschnitts des Verbindungselementes zum Koppelspalt hin verringert.
6. Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Relais nach einem der vorangehenden Ansprüche mit folgenden Schritten:
- Aufbringen einer ersten Schicht einer ersten, geringen Leitfähigkeit zur Bildung einer Widerstandsschicht auf die Oberfläche eines Substrates;
- Gegebenenfalls Aufbringen einer Zwischenschicht, insbesondere einer Haftschicht, auf die erste Schicht;
- Aufbringen einer zweiten Schicht einer zweiten, hohen Leitfähigkeit auf die erste Schicht bzw. die Zwischenschicht; - Strukturieren der zweiten Schicht entsprechend der Geometrie der Bodenelektrode und zumindest von Abschnitten der Steuerleitungen;
- Entfernen der zweiten Schicht und gegebenenfalls der darunterliegenden Zwischenschicht zur Freilegung der ersten Schicht in Bereichen der Steuerleitungen, in denen die Steuerleitungen mit einem Widerstand im kΩ-Bereich versehen werden sollen, wobei die Größe der freigelegten Bereiche unter Berücksichtigung der ersten Leitfähigkeit entsprechend der Größe des Widerstandes gewählt werden;
- Aufbringen einer Abstandsschicht;
- Aufbringen und Strukturieren der für das bewegliche Element und die Kontaktflächen erforderlichen Schichten auf die Abstandsschicht; - Aufbringen einer Hilfsschicht;
- Strukturieren der Hilfsschicht und der Abstandsschicht zur Definition der Bereiche des Kontaktbügels und eines Abschnittes der Steuerleitung zur Gegenelektrode;
- Aufbringen und Strukturieren der für den Abschnitt der Steuerleitung zur Gegenelektrode und den Kontaktbügel erforderlichen Schichten; - Entfernen der Hilfsschicht und teilweises Entfernen der Abstandsschicht mittels Ätzen zur Freilegung des beweglichen Elementes.
PCT/EP1999/008016 1998-10-23 1999-10-22 Mikromechanisches relais mit federndem kontakt und verfahren zum herstellen desselben Ceased WO2000025337A1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19849041.0 1998-10-23
DE19849041 1998-10-23
DE19950373.7 1999-10-19
DE19950373A DE19950373B4 (de) 1998-10-23 1999-10-19 Mikromechanisches Relais mit federndem Kontakt und Verfahren zum Herstellen desselben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2000025337A1 true WO2000025337A1 (de) 2000-05-04

Family

ID=26049722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP1999/008016 Ceased WO2000025337A1 (de) 1998-10-23 1999-10-22 Mikromechanisches relais mit federndem kontakt und verfahren zum herstellen desselben

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2000025337A1 (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4959515A (en) * 1984-05-01 1990-09-25 The Foxboro Company Micromechanical electric shunt and encoding devices made therefrom
DE4008832C1 (en) * 1990-03-20 1991-07-18 Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg, 8000 Muenchen, De Microswitch operated by electrostatic force - has force electrode of resistance material between end contacts
EP0665590A2 (de) * 1994-01-31 1995-08-02 Canon Kabushiki Kaisha Mikromechanisches Element, Herstellungsverfahren dafür und Vorrichtungen mit diesem Element
EP0711029A2 (de) * 1994-11-07 1996-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Mikrostruktur und Verfahren zu deren Herstellung
WO1998021734A1 (de) * 1996-11-12 1998-05-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum herstellen eines mikromechanischen relais

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4959515A (en) * 1984-05-01 1990-09-25 The Foxboro Company Micromechanical electric shunt and encoding devices made therefrom
DE4008832C1 (en) * 1990-03-20 1991-07-18 Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg, 8000 Muenchen, De Microswitch operated by electrostatic force - has force electrode of resistance material between end contacts
EP0665590A2 (de) * 1994-01-31 1995-08-02 Canon Kabushiki Kaisha Mikromechanisches Element, Herstellungsverfahren dafür und Vorrichtungen mit diesem Element
EP0711029A2 (de) * 1994-11-07 1996-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Mikrostruktur und Verfahren zu deren Herstellung
WO1998021734A1 (de) * 1996-11-12 1998-05-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum herstellen eines mikromechanischen relais

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0938738B1 (de) Verfahren zum herstellen eines mikromechanischen relais
DE69609458T2 (de) Elektromechanischer RF-Micro-Schalter
DE69934945T2 (de) Mikroelektromechanische Anordnung
DE69417725T2 (de) Micro-bearbeitetes relais und verfahren zur herstellung des relais
DE69633682T2 (de) Mikromechanischer Kondensator
DE602005003008T2 (de) RF MEMS Schalter mit einer flexiblen und freien Schaltmembran
DE60007736T2 (de) Mikromechanischer schalter und entsprechendes herstellungsverfahren
EP4057317A1 (de) Gekapseltes mems-schaltelement, vorrichtung und herstellungsverfahren
DE102007035633B4 (de) Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Strukturen sowie mikromechanische Struktur
DE69832333T2 (de) Mikroelektromechanischer Schalter
DE60311504T2 (de) Mikromechanisches relais mit anorganischer isolierung
DE19935819B4 (de) Relais und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19950373B4 (de) Mikromechanisches Relais mit federndem Kontakt und Verfahren zum Herstellen desselben
DE60307136T2 (de) Mikromechanischer elektrostatischer schalter mit niedriger betätigungsspannung
WO2000025337A1 (de) Mikromechanisches relais mit federndem kontakt und verfahren zum herstellen desselben
DE102021203574A1 (de) MEMS Schalter mit Kappenkontakt
DE10015598C2 (de) Mikroaktoranordnung
DE19646667C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Relais
EP1024508A2 (de) Elektrostatisch durchstimmbare Kapazität
DE19800189C2 (de) Mikromechanischer Schalter
DE60307672T2 (de) Mikromechanischer elektrostatischer schalter mit niedriger betätigungsspannung
DE102010002818B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelementes
EP1665315B1 (de) Bauteil zur impedanzänderung bei einem koplanaren wellenleiter sowie verfahren zur herstellung eines bauelements
EP1156504A2 (de) Mikromechanisches Relais mit verbessertem Schaltverhalten
WO2021018888A1 (de) Anordnung von mems-schaltern

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
122 Ep: pct application non-entry in european phase