WO2000041033A1

WO2000041033A1 - Substrate of lcd device and method of manufacture thereof

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Publication number: WO2000041033A1
Application number: PCT/JP1999/007328
Authority: WO
Inventors: Atuyuki Hoshino; Tadashi Hasegawa
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-12-28
Filing date: 1999-12-27
Publication date: 2000-07-13
Anticipated expiration: 2001-06-28
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Description

明細書液晶表示装置用基板及びその製造方法技術分野本発明は、液晶表示装置用基板及びその製造方法であって、基板の縁近傍に外部回路との接続用端子が設けられた液晶表示装置用基板及びその製造方法に関する。背景技術図 6は、従来のァクティブマトリクス型液晶表示装置の、外部との接続用端子部分の断面図を示す。ガラス基板 1 0 0の表面上に、ゲート絶縁膜 1 0 1が形成されている。ゲ一ト絶縁膜 1 0 1は、各画素の薄膜トランジスタ（T F T ) のゲート絶縁膜として機能する。ゲート絶縁膜 1 0 1の上に、ドレインバスライン 1 0 2が形成されている。ドレインバスライン 1 0 2は、 T F Tのドレイン電極に接続されている。

ドレインバスライン 1 0 2を覆うように、ゲ一ト絶縁膜 1 0 1の上に絶縁膜 1 0 3が形成されている。絶縁膜 1 0 3の、外周近傍の領域上に、外部端子 1 0 4が形成されている。外部端子 1 0 4は、絶緣膜

1 0 3に設けられたコンタクトホール 1 0 5を経由してドレインバスライン 1 0 2に接続されている。

ガラス基板 1 0 0に、ある間隔を隔てて対向するように、対向基板

1 1 0が配置されている。対向基板 1 1 0は、その縁の近傍において、接着剤 1 1 5によりガラス基板 1 0 0に固着されている。外部端子 1

0 4の上面のうち基板の外周側の領域は接着剤 1 1 5による接着箇所よりも外側に配置され、露出する。ガラス基板 1 0 0と対向基板 1 1 0との間に、液晶材料 1 1 8が充填されている。

対向基板 1 1 0をガラス基板 1 0 0に対向させて固着させる際には、基板法線方向から見たとき、対向基板 1 1 0の縁が、ガラス基板 1 0 0の対応する縁にほぼ重なるように配置する。対向基板 1 1 0がガラス基板 1 0 0に固着した後に、対向基板 1 1 0の縁の近傍の部分 1 1 0 aを切り落とす。対向基板 1 1 0の緣近傍部分 1 1 0 aを切り落とすことにより、外部端子 1 0 4を外部の駆動回路に接続することが可能になる。

対向基板 1 1 0の縁の近傍の部分 1 1 0 aを切り落とす時に、外部端子 1 0 4が損傷を受け、断線する場合がある。また、対向基板 1 1 0の対向面上には、共通電極が形成されている。切り落とし時に発生する導電性のゴミにより、外部端子 1 0 4と共通電極とが短絡する場合も起こり得る。発明の開示本発明の目的は、外部端子が形成された基板に対向する基板の縁の近傍部分を切り落とす時に、外部端子が損傷を受けにくい液晶表示装置用基板及びその製造方法を提供することである。

本発明の一観点によると、主表面内に画像表示領域が画定され、その外側の一部に端子領域が画定された第 1の基板と、前記第 1の基板の主表面内の前記画像表示領域上に配置された複数本の第 1のバスラインと、前記第 1のバスラインを覆うように、前記第 1の基板の主表面上に配置された第 1の絶緣膜と、前記第 1のバスラインの各々に対応して前記第 1の基板の端子領域上に設けられ、前記第 1の絶縁膜を貫通して前記第 1のバスラインの上面まで達する第 1のコンタク卜ホールを経由し、対応する前記第 1のバスラインに電気的に接続された外部端子と、前記外部端子の上面のうち少なくとも前記第 1の基板の外周側の端部近傍の領域を被覆しないように、前記外部端子の上面の一部を被覆する絶縁材料からなる保護膜とを有する液晶表示装置用基板が提供される。

外部端子の一部が保護膜で覆われているため、次工程以降の処理及び加工において、外部端子の受ける損傷を抑制することができる。また、外部端子の外周側の領域は保護膜で覆われていないため、この部分において、外部端子と外部の回路とを接続することができる。

本発明の他の観点によると、第 1の基板を準備する工程であって、該第 1の基板の主表面内に画像表示領域が画定され、その外側の一部に端子領域が画定されており、該画像表示領域上に配置された複数本の第 1のバスラインと、該第 1のバスラインを覆うように、前記第 1 の基板の主表面上に配置された第 1の絶縁膜と、前記第 1のバスラインの各々に対応して前記第 1の基板の端子領域上に設けられ、前記第 1の絶縁膜を貫通して前記第 1のバスラインの上面まで達する第 1 のコンタクトホールを経由し、対応する前記第 1のバスラインに電気的に接続された外部端子と、前記外部端子の上面のうち少なくとも前記第 1の基板の外周側の端部近傍の領域を被覆しないように、前記外部端子の上面の一部を被覆する絶緣材料からなる保護膜と、前記画像表示領域上に、前記第 1のバスラインと交差するように形成された複数の第 2のバスラインと、前記画像表示領域上に、前記第 1のバスラインと第 2のバスラインとの交差箇所の各々に対応して配置された画素電極と、前記画素電極の各々を、対応する第 1及び第 2のバスラィンのうち一方のバスラインに接続し、他方のバスラインに印加される信号によって導通状態を制御されるスィツチング素子とが形成された前記第 1の基板を準備する工程と、表面上に共通電極が形成された第 2の基板を準備する工程と、前記第 1の基板の主表面に前記第 2 の基板の共通電極が形成された面がある間隔を隔てて対向するように、前記第 1の基板と第 2の基板とを配置し、前記保護膜の上面のうち、少なくとも前記第 1の基板の外周側の一部の領域を封止部材が被覆しないように、前記第 1の基板と第 2の基板とを該封止部材で固着させる工程と、前記第 2の基板の縁近傍の部分を切り落とす工程であつて、切り落とされた後の第 2の基板の新たな縁が、前記第 1の基板の法線方向から見たとき、前記保護膜の内部を通過するように切り落とす工程とを有する液晶表示装置の製造方法が提供される。

外部端子の一部が保護膜で覆われているため、第 2の基板の縁近傍の部分を切り落とす際に、外部端子が損傷を受けにくくなる。これにより、外部端子の導通不良の発生を抑制することができる。図面の簡単な説明図 1は、本発明の第 1の実施例による液晶表示装置の平面図である < 図 2 A及び図 2 Bは、突起パターンの効果を説明するための、液晶表示装置の断面図である。

図 3は、第 1の実施例による液晶表示装置の断面図である。

図 4 A〜図 4 Fは、第 1の実施例による液晶表示装置の T F T基板の製造方法を説明するための基板の断面図である。

図 5 A及び図 5 Bは、第 2の実施例による液晶表示装置の T F T基板の製造方法を説明するための基板の断面図である。

図 6は、従来の液晶表示装置の外部端子部分の断面図である。発明を実施するための最良の形態図 1は、第 1の実施例によるホメオト口ピック型液晶表示装置の平面図を示す。ガラス基板 1の面内に、画像表示領域 2が画定され、その外側の一部に端子領域 3が画定されている。複数のゲートバスライン 5が図の行方向（横方向）に延在する。相互に隣り合う 2本のゲートバスラン 5の間に、行方向に延在する容量バスライン 6が配置されている。ゲ一トバスライン 5と容量バスライン 6をゲ一ト絶緣膜が覆う。このゲート絶縁膜の上に、図の列方向（縦方向）に延在する複数のデータバスライン 7が配置されている。

ゲートバスライン 5とデータバスライン 7との交差箇所に対応して、薄膜トランジスタ（T F T ) 1 0が設けられている。 T F T 1 0 のドレイン電極は、対応するデータバスライン 7に接続されている。ゲートバスライン 5力対応する T F T 1 0のゲート電極を兼ねる。データバスライン 7と T F T 1 0とを層間絶縁膜が覆う。 2本のゲ一トバスライン 5と 2本のデータバスライン 7とに囲まれた領域内に、画素電極 1 2が配置されている。画素電極 1 2は、対応する T F T 1 0のソース領域に接続されている。

容量バスライン 6から分岐した補助容量支線 1 4が、画素電極 1 2 の縁に沿って延在している。容量バスライン 6及び補助容量支線 1 4 は、画素電極 1 2との間で補助容量を形成する。容量バスライン 6の電位は固定されている。

データバスライン 7の電位が変動すると、浮遊容量に起因する容量結合により画素電極 1 2の電位が変動する。図 1の構成では、画素電極 1 2が補助容量を介して容量バスライン 6に接続されているため、画素電極 1 2の電位変動を低減することができる。

T F Tが形成されたガラス基板 1及び対向基板の対向面上に、それぞれ列方向に延在するジグザグパターンに沿って第 1の突起パターン 1 6及び第 2の突起パターン 1 8が形成されている。図 1では、第 1の突起パターン 1 6と第 2の突起パターン 1 8とを区別するために、第 1の突起パターン 1 6にハッチを付している。第 1の突起パ夕ーン 1 6は行方向に等間隔で配列し、その折れ曲がり点は、ゲートバスライン 5及び容量バスライン 6の上に位置する。第 2の突起パターン 1 8は、第 1の突起パターン 1 6とほぼ同様のパターンを有し、相互に隣り合う 2本の第 1の突起パターン 1 6のほぼ中央に配置されている。

図 1の下方の端子領域 3内に、データバスライン 7の各々に対応してデータ端子 2 0が配置され、左方の端子領域 3内に、ゲートバスライン 5の各々に対応してゲート端子 2 1が配置されている。各データ端子 2 0は、コンタクトホール 2 4を経由して対応するデータバスライン 7に接続されている。各ゲート端子 2 1は、コンタクトホール 2 5を経由して対応するゲ一トバスライン 5に接続されている。ゲートバスライン 5及びデータバスライン 7は、それぞれゲート端子 2 1及びデ一夕端子 2 0を介して外部の駆動回路に接続される。

データ端子 2 0のほぼ中央を行方向に横切るように、保護膜 2 6が配置されている。保護膜 2 6は、データ端子 2 0の上面のうち、ガラス基板 1の外周側の端部近傍の領域を被覆しない。

図 2 A及び図 2 Bを参照して、第 1及び第 2の突起パターン 1 6及び 1 8の機能について説明する。

図 2 Aは、電圧無印加状態における液晶表示装置の断面図を示す。ガラス基板 1の対向面上に、第 1の突起パターン 1 6が形成され、対向基板 3 6の対向面上に第 2の突起パターン 1 8が形成されている。 T F Tが形成されたガラス基板 1及び対向基板 3 6の対向面上に、突起パターン 1 6及び 1 8を覆うように、垂直配向膜 2 8が形成されている。 T F Tが形成されたガラス基板 1と対向基板 3 6との間に、液晶分子 3 0を含む液晶材料 2 9が挟持されている。液晶分子 3 0は、負の誘電率異方性を有する。ガラス基板 1及び対向基板 3 6の外側に、それぞれ偏光板 3 1及び 3 2がクロスニコル配置されている。

電圧無印加時には、液晶分子 3 0は基板表面に対して垂直に配向する。第 1及び第 2の突起パターン 1 6及び 1 8の斜面上の液晶分子 3 0 aは、その斜面に対して垂直に配向しょうとする。このため、第 1 及び第 2の突起パターン 1 6及び 1 8の斜面上の液晶分子 3 0 aは、基板表面に対して斜めに配向する。しかし、画素内の広い領域で液晶分子 3 0が垂直に配向するため、良好な黒表示状態が得られる。

図 2 Bは、液晶分子 3 0が斜めになる程度の電圧を印加した状態、すなわち中間調表示状態における断面図を示す。図 2 Aに示すように、予め傾斜している液晶分子 3 0 aは、その傾斜方向により大きく傾く。その周囲の液晶分子 3 0も、液晶分子 3 0 aの傾斜に影響を受けて同一方向に傾斜する。このため、第 1の突起パターン 1 6と第 2の突起パターン 1 8との間の液晶分子 3 0は、その長軸（ディレクタ）が図の左下から右上に向かう直線に沿うように配列する。第 1の突起パ夕 —ン 1 6よりも左側の液晶分子 3 0及び第 2の突起パターン 1 8よりも右側の液晶分子 3 0は、その長軸が図の右下から左上に向かう直線に沿うように配列する。

このように、 1画素内に、液晶分子の傾斜方向の揃ったドメインが、複数個画定される。第 1及び第 2の突起パターン 1 6及び 1 8が、ドメインの境界を画定する。第 1及び第 2の突起パターン 1 6及び 1 8 を、基板面内に関して相互に平行に配置することにより、 2種類のドメインを形成することができる。図 1では、第 1及び第 2の突起パ夕ーン 1 6及び 1 8が折れ曲がつているため、合計 4種類のドメインが形成される。 1画素内に複数のドメインが形成されることにより、中間調表示状態における視角特性を改善することができる。

図 3は、図 1の液晶表示装置の断面図を示す。図 3の中央の破断部よりも右側及び左側の図は、それぞれ図 1の一点鎖線 A— A及び一点鎖線 B— Bにおける断面図に相当する。 T F T基板 3 5と対向基板 3 6とが、相互にある間隙を隔てて平行に配置されている。

まず、 T F T基板 3 5の構成について説明する。ガラス基板 1の対向面上に、ゲートバスライン 5が形成されている。ゲートバスライン 5は、厚さ 1 0 O n mの A 1膜と厚さ 5 O n mの T i膜との 2層構造を有する。ゲートバスライン 5を覆うように、ガラス基板 1の上にゲ ―ト絶緣膜 4 0が形成されている。ゲ一ト絶縁膜 4 0は、厚さ 4 0 0 n mの S i N膜である。

ゲート絶緣膜 4 0の表面上に、ゲ一卜バスライン 5を跨ぐように活性領域 4 1が形成されている。活性領域 4 1は、厚さ 3 0 n mのノンドープアモルファス S i膜である。活性領域 4 1の表面のうち、ゲートバスライン 5の上方の領域上にチャネル保護膜 4 2が形成されている。チャネル保護膜 4 2は、厚さ 1 4 0 nmの S i N膜である。チャネル保護膜 4 2は、図 1において T F T 1 0のチャネル領域を覆うようにパターニングされている。

活性領域 4 1の上面のうち、チャネル保護膜 4 2の両側の領域上に、それぞれソース電極 44及びドレイン電極 4 6が形成されている。ソース電極 44及びドレイン電極 4 6は、共に厚さ 3 0 nmの n+型ァモルファス S i膜、厚さ 2 0 nmの T i膜、厚さ 7 5 nmの A 1膜、及び厚さ 8 0 nmの T i膜がこの順番に積層された積層構造を有する。ゲートバスライン 5、ゲ一ト絶緣膜 4 0、活性領域 4 1、ソース電極 44、及びドレイン電極 46により T F T 1 0が構成される。端子領域 3においては、ゲ一ト絶縁膜 4 0の上にデータバスライン 7の端部が配置されている。データバスライン 7は、画像表示領域 2 内に形成されたドレイン電極 4 6と同一の積層構造を有する。なお、デ一夕バスライン 7の下に、活性領域 4 1と同時に形成されるァモルファス S i膜が残る。 T F T 1 0、及びデータバスライン 7を覆うように、ゲート絶縁膜 4 0の上に絶縁膜 4 8が形成されている。絶縁膜 4 8は、厚さ 3 3 0 nmの S i N膜である。

絶縁膜 4 8の上に、画素電極 1 2が形成されている。画素電極 1 2 は、厚さ 7 0 nmのィンジゥム錫ォキサイド（ I TO) 膜であり、絶縁膜 48を貫通するコンタクトホール 5 0を経由してソース電極 4 4に接続されている。

画素電極 1 2及び絶縁膜 4 8の上に、第 1の突起パターン 1 6が形成されている。第 1の突起パターン 1 6は、フォトレジストにより形成される。画像表示領域 2内の最上層を配向膜 2 8が覆っている。端子領域 3においては、絶縁膜 4 8の上にデ一夕端子 2 0が形成されている。データ端子 2 0は、画素電極 1 2と同時に成膜されパターニングされる。データ端子 2 0は、絶縁膜 4 8を貫通するコンタクトホール 2 4を経由してデータバスライン 7に接続されている。データ端子 2 0の上面の一部を、保護膜 2 6が覆っている。デ一夕端子 2 0 の上面のうち、ガラス基板 1の外周側の一部の領域は露出している。次に、対向基板 3 6の構成について説明する。ガラス基板 2 7の対向面の所定の領域上に C r等からなる遮光膜 5 2が形成されている。遮光膜 5 2を覆うように、ガラス基板 2 7の対向面上に I T Oからなる共通電極 5 4が形成されている。画像表示領域 2内の共通電極 5 4 の表面を、配向膜 2 8が覆う。端子領域 3においては、共通電極 5 4 が露出している。

対向基板 3 6は、その周辺部において接着剤 5 6により T F T基板 3 5に固着されている。 T F T基板 3 5と対向基板 3 6との間の間隙が、接着剤 5 6により封止されている。 T F T基板 3 5と対向基板 3 6との間の間隙内に、液晶材料 2 9が充填されている。液晶材料 2 9 は、負の誘電率異方性を有する。接着剤 5 6は、保護膜 2 6よりも内側の領域において T F T基板 3 5に固着される。なお、接着剤 5 6が保護膜 2 6に接触するような配置としてもよい。

次に、 T F T基板 3 5と対向基板 3 6との貼り合わせ方法について説明する。対向基板 3 6を T F T基板 3 5に固着させる際には、基板法線方向から見たとき、対向基板 3 6の縁が T F T基板 3 5の対応する縁にほぼ重なるように配置する。固着後、対向基板 3 6の周辺部分 3 6 aを切り落とす。

基板法線方向から見たとき、周辺部分 3 6 aを切り落とした後の対向基板 3 6の緣は、保護膜 2 6の内部を通過する。このため、対向基板 3 6をスクライブする際に、 T F T基板 3 5側のデータ端子 2 0にキズ等が発生することを抑制できる。これにより、データ端子 2 0の導通不良の発生を抑制し、歩留りの向上を図ることが可能になる。また、共通電極 5 4の切り屑等に起因するデータ端子 2 0同士の短絡を防止することができる。

次に、図 4 A〜図 4 Fを参照して、図 3に示す T F T基板 3 5の作製方法を説明する。

図 4 Aに示す状態までの工程を説明する。ガラス基板 1の表面上に、厚さ 1 0 O nmの A 1膜と厚さ 5 O nmの T i膜とを順番に形成する。これらの膜の形成は、スパッタリングにより行うことができる。フォトリソグラフィ技術を用い、 A 1膜と T i膜との 2層をパター二ングし、ゲートバスライン 5を残す。 A 1膜と T i膜のエッチングは、 B C 1₃と C 1 ₂との混合ガスを用いた反応性イオンエッチング（R I E) により行う。

図 4 Bに示す状態までの工程を説明する。ゲートバスライン 5を覆うように、ガラス基板 1の上に S i Nからなる厚さ 40 0 nmのゲート絶緣膜 40を形成する。ゲ一ト絶縁膜 40の上に厚さ 3 0 nmのノンド一プアモルファス S i膜 4 1 aを形成する。ゲート絶緣膜 40及びアモルファス S i膜 4 1 aの形成は、例えばプラズマ励起型化学気相成長（P E— CVD) により行う。

アモルファス S i膜 4 1 aの上に、厚さ 1 40 nmの S i N膜を、 P E— C VDにより形成する。この S i N膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、チャネル保護膜 42を残す。ゲートバスライン 5をフォトマスクとして用い、ガラス基板 1の背面から露光することにより、レジストパターンの、図 1の行方向に平行な縁を画定することができる。図 1の列方向に平行な縁は、通常のフォトマスクを用いて露光することにより画定する。 S i N膜のエッチングは、緩衝弗酸系のエッチヤントを用いたゥエツトエッチング、またはフッ素系ガスを用いた R I Eにより行うことができる。

図 4 Cに示す状態までの工程を説明する。チャネル保護膜 42を覆うように、基板の全面上に P E— CVDにより、厚さ 30 nmの n + 型アモルファス S i膜を形成する。この n+型アモルファス S i膜の上に、スパッタリングにより厚さ 2 O nmの T i膜、厚さ 7 5 nmの A 1膜、及び厚さ 8 0 nmの T i膜を順番に形成する。この最上層の T i膜からノンドープアモルファス S i膜 4 1 aまでをパ夕一ニングする。これらの膜のエッチングは、 B C 1 ₃と C 1 ₂との混合ガスを用いた R I Eにより行う。このとき、ゲ一トバスライン 5の上方の領域においては、チャネル保護膜 4 2がエッチング停止層として機能する。

ゲート絶縁膜 4 0の上に、ゲートバスライン 5を跨ぐように、ノンド一プアモルファス S iからなる活性領域 4 1が残る。また、活性領域 4 1の上面の、保護膜 4 2の両側の領域上に、それぞれソース電極 4 4及びドレイン電極 4 6が残る。端子領域上には、データバスライン 7が残る。

図 4 Dに示す状態までの工程を説明する。基板の全面上に、 P E— C V Dにより S i Nからなる厚さ 3 3 0 n mの絶縁膜 4 8を形成する。絶緣膜 4 8に、ソース電極 4 4の上面の一部を露出させるコン夕クトホール 5 0を形成する。同時に、データバスライン 7の端部近傍の上面の一部を露出させるコンタクトホール 2 4を形成する。

図 4 Eに示す状態までの工程を説明する。基板の全面上に、厚さ 7 0 n mの I T O膜を形成する。 I T O膜の形成は、例えば D Cマグネトロンスパッタリングにより行う。この I T O膜をパターニングし、画素電極 1 2及びデータ端子 2 0を残す。 I T O膜のエッチングは、しゅう酸系のエツチャントを用いたウエットエッチングにより行う。図 4 Fに示す状態までの工程を説明する。基板の全面上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングする。これにより、画像表示領域上に第 1の突起パターン 1 6を残し、端子領域上に保護膜 2 6を残す。次に、画像表示領域上に配向膜 2 8を形成する。

上記第 1の実施例による方法では、図 4 Fに示す工程において、保護膜 2 6の形成を、第 1の突起パターン 1 6の形成と同時に行う。このため、工程数の増加を伴うことなく保護膜 2 6を形成することができる。

また、保護膜 2 6を用いて、製品種別、製品番号、もしくはロット番号等の識別標識を形成することも可能である。例えば、画像表示領域以外の領域に、文字、バーコード、モザイク状の 2次元バーコ一ド等を形成することができる。次に、第 2の実施例による液晶表示装置の製造方法について、第 1 の実施例による製造方法との相違点に着目して説明する。

図 4 Aに示す工程において、ゲ一卜バスライン 5を N dを 2モル％含有する A 1 N d合金で形成する。第 1の実施例で用いた A 1 と T i との積層構造とする場合に比べて、配線抵抗を低減することができる。図 4 Cに示す工程においで、ソース電極 4 4、ドレイン電極 4 6 、及びデ一夕バスライン 7を、厚さ 3 O n mの n +型アモルファスシリコン膜、厚さ 2 O n mの T i膜、及び厚さ 3 0 O n mの A 1膜の 3層構造とする。第 1の実施例のように、 n ⁺型アモルファスシリコン膜、 T i膜、 A 1膜、 T i膜の 4層構造とする場合に比べて、 A 1膜を厚くすることができる。このため、データバスライン 7の配線抵抗を低減することができる。なお、 R I Eにより厚い A 1膜をエッチングすると、レジスト焦げ等が発生する場合がある。このような場合には、 A 1膜をウエットエッチングすることが好ましい。

第 2の実施例では、ソース電極 4 4の最上層が A 1膜であるため、 I T O膜と良好な電気的接続を得ることができない。このため、以下の工程は、第 1の実施例の場合と異なる。

図 5 Aに示すように、基板の全面上に S i Nからなる厚さ 3 3 0 η mの絶緣膜 4 8を形成する。なお、後にテ一パ形状のコンタクトホ一ルを形成するために、上層部分のエッチング速度が下層部分のエッチング速度よりも速くなるような条件で成膜することが好ましい。

絶縁膜 4 8の上に I T O膜を形成し、この I T〇膜をパターニングして、画素電極 1 2及びデータ端子の外部接続部 2 0 aを残す。

図 5 Bに示すように、絶緣膜 4 8に、ソース電極 4 4の上面の一部を露出させるコンタクトホール 5 0、及びデ一夕バスライン 7の上面の一部を露出させるコンタクトホール 2 4を形成する。基板の全面上に、厚さ 2 O n mの T i膜を形成し、その上にフォトレジスト膜を形成する。フォトレジスト膜をパターニングし、レジストパターン 6 0 、 6 1、及び 6 2を残す。レジストパターン 6 0は、図 1の第 1の突起パターン 1 6に整合したパターンを有する。図 1では、 1本の第 1の突起パターン 1 6が複数の画素電極 1 2の上を通過している。しかし、第 2の実施例の場合には、相互に隣り合う画素電極 1 2同士がレジストパターン 6 0を経由して接続されないように、隣接する 2つの画素電極 1 2の間の領域においてレジストパターン 6 0を分断させる。

レジストパターン 6 1は、コンタクトホール 5 0の上方の領域から画素電極 1 2の端部までを連続的に覆う。レジストパターン 6 2は、コンタクトホール 2 4の上方の領域から外部接続部 2 0 aの上方の —部の領域までを連続的に覆う。

これらのレジストパターン 6 0 、 6 1、及び 6 2をマスクとして、その下の T i膜をエッチングする。レジストパターン 6 0と、その下に残った T i膜 6 5により第 1の突起パターン 1 6が形成される。レジストパターン 6 1の下に残った T i膜 6 6により、画素電極 1 2がソース電極 4 4に電気的に接続される。レジス卜パターン 6 2の下に残った T i膜 6 7により、外部接続部 2 0 aがデータバスライン 7に電気的に接続される。 T i膜 6 7からなる内部接続部 2 0 bと、外部接続部 2 0 aとにより、データ端子 2 0が構成される。画像表示領域上を配向膜 2 8で覆う。

第 2の実施例における第 1の突起パターン 1 6は、その下層部分に導電性の T i膜 6 5を有する。しかし、相互に隣接する画素電極 1 2 の間で第 1の突起パターン 1 6が分断されているため、画素電極 1 2 同士の短絡が生ずることはない。

第 2の実施例では、 I T Oからなる画素電極 1 2がソース電極 4 4 の最上層の A 1膜に直接接触せず、 T i膜 6 6を介して接続される。このため、両者間の良好な電気的接続を確保することができる。

また、データ端子 2 0の内部接続部 2 0 bを覆うレジストパターン 6 2が、図 3に示す第 1の実施例の保護膜 2 6と同様の機能を果たす。このため、対向基板の周辺部分を切り落とす際にデータ端子 2 0が保護され、デ一夕端子 2 0の導通不良の発生を抑制することができる。また、第 1の実施例の場合と同様に、レジストパターン 6 2を用いて、製品種別、製品番号、もしくはロット番号等の識別標識を形成することも可能である。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

Claims

請求の範囲

1 . 主表面内に画像表示領域が画定され、その外側の一部に端子領域が画定された第 1の基板と、

前記第 1の基板の主表面内の前記画像表示領域上に配置された複数本の第 1のバスラインと、

前記第 1のバスラインを覆うように、前記第 1の基板の主表面上に配置された第 1の絶緣膜と、

前記第 1のバスラインの各々に対応して前記第 1の基板の端子領域上に設けられ、前記第 1の絶緣膜を貫通して前記第 1のバスラインの上面まで達する第 1のコンタクトホールを経由し、対応する前記第 1のバスラインに電気的に接続された外部端子と、

前記外部端子の上面のうち少なくとも前記第 1の基板の外周側の端部近傍の領域を被覆しないように、前記外部端子の上面の一部を被覆する絶縁材料からなる保護膜と

を有する液晶表示装置用基板。

2 . さらに、

前記画像表示領域上に、前記第 1のバスラインと交差するように形成された複数の第 2のバスラインと、

前記画像表示領域上に、前記第 1のバスラインと第 2のバスラインとの交差箇所の各々に対応して配置された画素電極と、

前記画素電極の各々を、対応する第 1及び第 2のバスラインのうち一方のバスラインに接続し、他方のバスラインに印加される信号によつて導通状態を制御されるスィツチング素子と

を有する請求項 1に記載の液晶表示装置用基板。

3 . 前記スイッチング素子が、前記第 1の絶縁膜で覆われており、前記画素電極が、前記第 1の絶縁膜上に配置され、該第 1の絶縁膜に形成された第 2のコンタクトホールを経由して前記スィツチング素子に接続されており、

前記外部端子と前記画素電極とが同一材料で形成されている請求項 2に記載の液晶表示装置用基板。

4 . さらに、前記画素電極の上に配置され、前記保護膜と同一材料で形成された土手状の突起パターンを有する請求項 2に記載の液晶表示装置用基板。

5 . さらに、前記画素電極の上に配置され、前記保護膜と同一材料で形成された土手状の突起パターンを有する請求項 3に記載の液晶表示装置用基板。

6 . 前記スイッチング素子が、前記第 1の絶縁膜で覆われており、さらに、

前記画素電極の各々と、対応する前記スイッチング素子とを、前記第 1の絶縁膜に設けられた第 2のコンタクトホールを経由して電気的に接続する画素接.続配線と、

前記画素接続配線の上面を覆う被覆膜と

を有し、

前記外部端子が、前記端子領域上に配置された外部接続部と、該外部接続部を前記第 1のバスラインに電気的に接続する内部接続部とを含み、

前記保護膜が前記内部接続部の上面を被覆している請求項 2に記載の液晶表示装置用基板。

7 . 前記画素接続配線と前記内部接続部とが同一材料で形成され、前記画素電極と前記外部接続部とが同一材料で形成され、

前記保護膜と前記被覆膜とが同一材料で形成されている請求項 6 に記載の液晶表示装置用基板。

8 . さらに、前記画素電極の上に配置され、前記画素接続配線と同一材料で形成された下層と、前記被覆膜と同一材料で形成された上層との積層構造とされた土手状の突起パターンを有する請求項 6に記載の液晶表示装置用基板。

9 . さらに、前記画素電極の上に配置され、前記画素接続配線と同一材料で形成された下層と、前記被覆膜と同一材料で形成された上層との積層構造とされた土手状の突起パターンを有する請求項 7に記載の液晶表示装置用基板。

1 0 . 主表面内に画像表示領域が画定され、その外側の一部に端子領域が画定された第 1の基板と、

前記第 1のバスラインを覆うように、前記第 1の基板の主表面上に配置された第 1の絶縁膜と、

前記第 1のバスラインの各々に対応して前記第 1の基板の端子領域上に設けられ、前記第 1の絶縁膜を貫通して前記第 1のバスラインの上面まで達する第 1のコンタクトホールを経由し、対応する前記第 1のバスラインに電気的に接続された外部端子と、

前記外部端子の上面のうち少なくとも前記第 1の基板の外周側の端部近傍の領域を被覆しないように、前記外部端子の上面の一部を被覆する絶縁材料からなる保護膜と、

前記第 1の基板の主表面に対向し、該主表面からある間隔を隔てて配置され、前記第 1の基板に対向する面上に共通電極が形成された第 2の基板であって、該第 2の基板をその法線方向から見たとき、該第 2の基板の縁の一部が前記保護膜内を通過するように配置されている第 2の基板と、

前記第 2の基板を、その周辺部において前記第 1の基板に固着させ、該第 1の基板と第 2の基板との間の間隙をその外周において封止する封止部材と、

前記第 1の基板と第 2の基板との間の間隙内に充填された液晶材料と

を有する液晶表示装置。

1 1 . 第 1の基板を準備する工程であって、該第 1の基板の主表面内に画像表示領域が画定され、その外側の一部に端子領域が画定されており、該画像表示領域上に配置された複数本の第 1のバスラインと、該第 1のバスラインを覆うように、前記第 1の基板の主表面上に配置された第 1の絶緣膜と、前記第 1のバスラインの各々に対応して前記第 1の基板の端子領域上に設けられ、前記第 1の絶縁膜を貫通して前記第 1のバスラインの上面まで達する第 1のコンタクトホールを経由し、対応する前記第 1のバスラインに電気的に接続された外部端子と、前記外部端子の上面のうち少なくとも前記第 1の基板の外周側の端部近傍の領域を被覆しないように、前記外部端子の上面の一部を被覆する絶縁材料からなる保護膜と、前記画像表示領域上に、前記第 1 のバスラインと交差するように形成された複数の第 2のバスラインと、前記画像表示領域上に、前記第 1のバスラインと第 2のバスラインとの交差箇所の各々に対応して配置された画素電極と、前記画素電極の各々を、対応する第 1及び第 2のバスラインのうち一方のバスラィンに接続し、他方のバスラインに印加される信号によって導通状態を制御されるスィツチング素子とが形成された前記第 1の基板を準備する工程と、

表面上に共通電極が形成された第 2の基板を準備する工程と、前記第 1の基板の主表面に前記第 2の基板の共通電極が形成された面がある間隔を隔てて対向するように、前記第 1の基板と第 2の基板とを配置し、前記保護膜の上面のうち、少なくとも前記第 1の基板の外周側の一部の領域を封止部材が被覆しないように、前記第 1の基板と第 2の基板とを該封止部材で固着させる工程と、

前記第 2の基板の緣近傍の部分を切り落とす工程であって、切り落とされた後の第 2の基板の新たな緣が、前記第 1の基板の法線方向から見たとき、前記保護膜の内部を通過するように切り落とす工程とを有する液晶表示装置の製造方法。