WO1998038710A1 - Optoelektronisches bauelement - Google Patents
Optoelektronisches bauelement Download PDFInfo
- Publication number
- WO1998038710A1 WO1998038710A1 PCT/EP1998/001080 EP9801080W WO9838710A1 WO 1998038710 A1 WO1998038710 A1 WO 1998038710A1 EP 9801080 W EP9801080 W EP 9801080W WO 9838710 A1 WO9838710 A1 WO 9838710A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- optoelectronic component
- component according
- electrothermal element
- optical waveguide
- electrothermal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0612—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0261—Non-optical elements, e.g. laser driver components, heaters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
- H01S2301/163—Single longitudinal mode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02453—Heating, e.g. the laser is heated for stabilisation against temperature fluctuations of the environment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
- H01S5/0655—Single transverse or lateral mode emission
Definitions
- the invention relates to an optoelectronic component with spatially adjustable temperature distribution, which has at least one optical waveguide and at least one electrothermal element for changing the temperature of the optical waveguide.
- a frequency tuning can be carried out without an efficient possibility to influence further parameters of the optoelectronic component and to adapt the component to the respective application conditions.
- inhomogeneities in the optical waveguide cause, inter alia, that the yield or the efficiency of the component is not satisfactory.
- the object of the invention is therefore to provide an optoelectronic component whose properties can be adapted to the respective application conditions, with a high yield or very good efficiency preferably being achieved.
- the optoelectronic component according to the invention in that the electrothermal element is designed and / or arranged in such a way that the temperature change which can be caused in the optical waveguide is location-dependent. This allows the physical component parameters to be optimized using an individually selected temperature field.
- the invention is based on the knowledge that various performance features of optoelectronic components are caused by inhomogeneities of the optical waveguide and that a targeted control of the effect of the inhomogeneities is possible by means of location-dependent temperature changes.
- the following features of optoelectronic components can be positively influenced by the measures according to the invention: efficiency, optical Output power, line width, side mode suppression, mode stability, wavelength tunability, efficiency of wavelength tuning, beam steering (beam steering), wavelength selection - depending on the type of component, for example a laser, a laser amplifier, a filter, a length wave converter, a multiplexer, a demultiplexer or a detector can be.
- the at least one electrothermal element can be designed as a heating element or as a cooling element, for example in the form of a Peltier element.
- the cross section of the at least one electrothermal element, the specific resistance of the at least one electrothermal element and / or that the distance of the at least one electrothermal element from the optical waveguide is location-dependent.
- the optoelectronic component according to the invention has at least one optical waveguide which guides a light field of a defined wavelength range in the axial direction, for example in the x direction. Due to the spatially inhomogeneous Resistance heating can be used to vary physical parameters, for example the refractive index, which are relevant for the component function locally via their temperature dependence.
- the optical waveguide is preferably made up of organic or inorganic semiconductors, polymers or glasses.
- a particularly advantageous embodiment can be seen in an inorganic semiconductor laser.
- the electrothermal elements preferably consist of one of the following electrically conductive substances: pure metals, metal alloys, ceramics, polymers or electrolytes.
- a metal film can be seen which has a substantially smaller extent in the z direction than in the x and y directions.
- the material composition of the metal film can additionally vary spatially (in this case preferably in the x and y directions).
- the lateral boundaries are preferably described by at least two curved functions y1 (x) and y2 (x) if the electrothermal element is simply connected. In the case of regions which are connected several times, further limiting functions yi (x) occur accordingly.
- the metal film can additionally be curved in the z-directions, that is to say it runs over ribs, for example.
- the metal body of the electrothermal element is contacted at at least two points, a voltage applied to the contact depending on the change in the electrical resistance in the xyz space causing a correspondingly spatially distributed current density.
- variable temperature distribution in the xyz space can be realized in the optical waveguide of the component.
- the optoelectronic component is, for example, a semiconductor laser
- the variable temperature distribution enables a more stable single-mode oscillation and an increase in yield to be achieved.
- the electrothermal element can either be put into operation before the current is injected into the laser-active zone of the laser component.
- Fig. 4 each have a semiconductor laser with a
- FIG. 7 shows a semiconductor laser with a heating element with a constant width over the length, but with changing length-specific resistance
- FIG. 8 shows a semiconductor laser with a heating element which has cutouts
- 10 shows a semiconductor laser with two heating elements which are arranged on different sides on each half of the optical waveguide
- 11 shows a semiconductor laser with three heating elements, each of which extends over part of the optical waveguide
- Fig. 13 shows a semiconductor laser with a
- Fig. 14 is a semiconductor laser with a
- 15 is a perspective view of a semiconductor laser
- 16 shows a semiconductor laser with a parallel heating element.
- FIG. 1 shows a top view of a semiconductor laser 10 which has the length L and whose waveguide runs in the axial direction (x direction).
- the basic structure of a semiconductor laser is known, which is why a detailed description is omitted.
- a strip 1 can be seen in the figure, which represents the contacting layer on the side of the pn-junction of the semiconductor laser facing away from the substrate.
- the waveguide not shown in the figure, runs under the Contacting layer 1.
- a film-like metal heating element 2 or 3 is provided on both sides of the strip 1.
- Both heating elements 2, 3 are delimited in the y direction by edges R1, R2, R3 and R4, which in the xy plane is curved. It can clearly be seen that the width Bij of a heating element 2 or 3 varies for different x values.
- a contact field 4, 5, 6, 7 is electrically connected to the heating element 2, 3.
- the contacting faces are preferably formed as a thick (approx. 700 nm) gold layer, so that they have the lowest possible electrical resistance.
- Themaschineticiansfeider 4 to 7 are used to apply a heating voltage to the heating elements. The voltage is supplied to the contacting feet by means of contacting wires, which are not shown in FIG. 1, however.
- the edges R1, R2, R3 and R4 of the two heating elements 2, 3 are curved.
- the course of an edge in the xy plane can be described as a function y (x) with O ⁇ x ⁇ L.
- the limiting function y2 (x) for O ⁇ x ⁇ L describes the edge of the heating element 2 for small y values and the limiting function y1 (x) for d ⁇ x ⁇ (Ld) describes the edge for large y values.
- the course of the edge of the other heating element 3 describes the limiting function y3 (x) for O ⁇ x ⁇ L with large y values and the limiting function y4 (x) for d ⁇ x ⁇ (Ld) with small y values.
- the heating elements end with the component facets shown as vertical lines.
- the temperature of the waveguide is varied locally.
- the influence of the further heating element 3 must also be taken into account. Because the difference y3 (x) - y4 (x) varies in the x direction, the heating element 3 also heats up differently in the xy plane.
- Limiting functions y3 (x) and y4 (x) and the choice of material for the heating element the temperature distribution in the heating element 3 and in its surroundings is varied locally.
- the difference y3 (x) - y4 (x) in the x direction and also by varying the distance, for example the geometric center (y3 (x) + y4 (x)) / 2 of the heating element 3 from the waveguide the heating element 3 contributes to a local variation in the temperature of the waveguide.
- the resulting spatial temperature field in the waveguide can be calculated on the basis of the current and heat conduction, the following variables being included: The limiting functions y1 (x) to y4 (x), the material-specific electrical ones Resistances, the material-dependent thermal conductivity values as well as the geometric structure of the component and its heat sink.
- FIG. 2 shows a second exemplary embodiment of a semiconductor laser 10, which is distinguished from the first exemplary embodiment in that only one heating element 2 is provided.
- the lower edge of the heating element defined by the function y2 (x) is not curved. Because the heating element 2 has a smaller width in the central region of the waveguide than in outer regions, higher local temperatures are achieved in the middle. The prerequisite for this is that the layer thickness of the heating element in the z direction, the specific electrical resistance and the assumed heat dissipation are homogeneous.
- Exemplary embodiments each comprise a semiconductor laser 10, which each has a heating element 3.
- one edge of the heating element 3 is curved (y3 (x) in FIG. 3; y4 (x) in FIG. 4), while the other edge is not curved.
- the width that is to say the difference y3 (x) - y4 (x) varies in the x direction, so that a different temperature distribution can be achieved.
- FIG. 5 shows a semiconductor laser 10 which also has a heating element 2.
- the width that is to say the difference y1 (x) - y2 (x)
- the distance between the heating element 2 and the contact strip 1 and thus the waveguide below it is varied. Since the distance between heating element 2 ⁇
- Heating element section 2 ' is provided, which is connected by means of metal wires 9.1, 9.2 to the two heating element sections 3', 3 1 '.
- the two metal wires 9 thus connect the three parts 2 ', 3', 3 '' of the heating element to form a coherent area in the mathematical sense.
- the figure also shows that the width of the two heating element sections 3 ', 3 1 1 is constant, while the width of the heating element section 2' varies.
- FIG. 11 a metal surface 11 is shown in FIG. 11, which is electrically connected to the contact strip 1 and serves as a contact field for the contact strip 1.
- the local variation of the electrical resistance results from several local potential adjustments, in that a plurality of metal wires 12 are conductively connected to the heating element 2 at different locations.
- FIG. 13 shows an embodiment with a non-planar surface.
- the curved heating element 2 crosses the contact strip 1, a conductive connection between the heating element 2 and the contact strip 1 being prevented by an electrically insulating layer 13.
- the heating voltage is applied between the contacting fields 4 and 6.
- FIG. 14 shows a modification of the exemplary embodiment shown in FIG. 13.
- the heating element 2 is also the
- Contact strips 1 are curved so that the heating element and contact strips cross twice. A conductive connection between the heating element 2 and the contacting strip 1 is also prevented in this case by an electrically insulating layer 13. The Heating voltage itself is applied between the contact fields 4 and 5.
- FIG. 15 shows an arrangement which has some common features with FIGS. 13 and 14.
- the optical waveguide and the contacting strip 1 run uncurved in the x direction.
- the contact strip 1 is supplied with current via the metal surface 11.
- the heating element 2 is curved in three-dimensional space.
- the heating voltage is applied between the contacting fields 4 and 6.
- a conductive connection between the heating element 2 and the contacting strip 1 is prevented by an electrically insulating layer 13.
- the laser light 14 emerging in the axial direction is also schematically indicated.
- the exemplary embodiment shown in FIG. 16 represents a variant of the exemplary embodiment shown in FIG. 8, wherein the heating element 2 consists of two different types of metal with different specific resistance and the metal 16 fills the cutouts in the metal 15. It is also conceivable that the metal 15 has no recesses, but forms a homogeneous layer. The metal fields 16 are then attached in the z direction on or below this layer. The shape and distribution of the metal fields 16 can now be used to spatially vary the heating current density. A spatial variation of the temperature can also be achieved in this way. Of course, other designs of a heating element 2 and its arrangement relative to the contact strip 1 are also conceivable in order to achieve a desired temperature distribution in the optical waveguide.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit räumlich einstellbarer Temperaturverteilung, das mindestens einen Lichtwellenleiter und mindestens ein elektrothermisches Element zur Temperaturänderung des Lichtwellenleiters aufweist, wobei das elektrothermische Element derart ausgebildet und/oder angeordnet ist, daß die im Lichtwellenleiter hervorrufbare Temperaturänderung ortsabhängig ist.
Description
Optoelektronisches Bauelement
Technisches Gebiet
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit räumlich einstellbarer Temperaturverteilung, das mindestens einen Lichtwellenleiter und mindestens ein elektrothermisches Element zur Temperaturänderung des Lichtwellenleiters aufweist.
Stand der Technik
Es ist aus J. O'Gorman, A.F. Levi, S. Schmitt-Rink, T. Tanbun-Ek, D.L. Coblentz and R.A. Logan "On the temperature sensitivity of semiconductor lasers" Appl . Phys . Lett. 60, 157 (1992) bekannt, daß in optoelektronischen Bauelementen relevante physikalische Größen und Parameter von der Temperatur abhängig sind. Dieser thermische Effekt wird beispielsweise zur Wellenlängen- beziehungsweise Frequenzdurchstimmung in optoelektronischen Bauelementen ausgenutzt (S. Sakano, T. Tsuchiya, M. Suzuki, S. Kitajima and N.- Chinone "Tunable DFB laser with a striped thin-film heater", IEEE Phot . Technol . Lett. 4, 321 (1992). Zur Zuführung thermischer Energie wird eine Widerstandsheizung verwendet, die in axialer Wellenleiterrichtung (= Lichtausbreitungsrichtung) ein von Randeffekten abgesehen homogenes Temperaturfeld erzeugt.
Mit der bekannten Widerstandsheizung ist jedoch lediglich eine Frequenzdurchstimmung durchführbar ohne eine effiziente Möglichkeit, weitere Parameter des optoelektronischen Bauelementes zu beeinflussen und das Bauelement an jeweilige Anwendungsbedingungen anzupassen. Ferner bewirken Inhomogenitäten des Lichtwellenleiters unter anderem, daß die Ausbeute beziehungsweise der Wirkungsgrad des Bauelementes nicht zufriedenstellend ausfallen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, dessen Eigenschaften sich an jeweilige Anwendungsbedingungen anpassen lassen, wobei vorzugsweise eine hohe Ausbeute beziehungsweise ein sehr guter Wirkungsgrad erzielbar sein soll.
Darstellung der Erfindung
Diese Aufgabe wird durch das erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement dadurch gelöst, daß das elektrothermische Element derart ausgebildet und/oder angeordnet ist, daß die im Lichtwellenleiter hervorrufbare Temperaturänderung ortsabhängig ist. Dadurch lassen sich die physikalischen Bauelemente-Parameter durch ein individuell gewähltes Temperaturfeld optimieren.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß verschiedene Leistungsmerkmale optoelektronischer Bauelemente durch Inhomogenitäten des Lichtwellenleiters bedingt sind und daß eine gezielte Steuerung der Wirkung der Inhomogenitäten durch ortsabhängige Temperaturänderungen möglich ist. Insbesondere sind durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen folgende Leistungsmerkmale optoelektronischer Bauelemente positiv beeinflußbar: Wirkungsgrad, optische
Ausgangsleistung, Linienbreite, Seitenmodenunterdrückung, Modenstabilität, Wellenlängendurchstimmbarkeit, Effizienz der Wellenlängendurchstimmung, Strahllenkung (beam steering) , Wellenlängenselektion - je nach Art des Bauelementes, das beispielsweise ein Laser, ein Laserverstärker, ein Filter, ein Langenwellenkonverter, ein Multiplexer, ein Demultiplexer oder ein Detektor sein kann.
Das mindestens eine elektrothermische Element kann als Heizelement oder als Kühlelement, beispielsweise in Form eines Peltier-Elementes ausgebildet sein.
Zur Erzielung der ortsabhängigen Temperaturänderung ist bei vorteilhaften Ausführungsformen der Erfindung vorgesehen, daß der Querschnitt des mindestens einen elektrothermischen Elementes, der spezifische Widerstand des mindestens einen elektrothermischen Elementes und/oder daß der Abstand des mindestens einen elektrothermischen Elementes vom Lichtwellenleiter ortsabhängig ist.
Wesentliche Vorteile, insbesondere die Erhöhung des Wirkungsgrades und/oder der optischen Ausgangsleistung sowie die Seitenmodenunterdrückung lassen sich bei einer anderen vorteilhaften Ausgestaltung dadurch erzielen, daß die Ortsabhängigkeit überwiegend in Längsrichtung (axiale Richtung) des Lichtwellenleiters besteht.
Eine Alternative oder zusätzliche Ortsabhängigkeit der Temperaturverteilung in den anderen Richtungen kann beispielsweise in vorteilhafter Weise zur Strahllenkung (beam steering) genutzt werden.
Das erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement weist mindestens einen Lichtwellenleiter auf, der ein Lichtfeld eines definierten Wellenlängenbereiches in axialer, zum Beispiel in x-Richtung führt. Durch die räumlich inhomogen
wirkende Widerstandsheizung lassen sich physikalische Parameter, zum Beispiel der Brechungsindex, welche für die Bauelementefunktion relevant sind, über deren Temperaturabhängigkeit lokal variieren.
Der Lichtwellenleiter ist vorzugsweise aus organischen oder anorganischen Halbleitern, Polymeren oder Gläsern aufgebaut. Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform ist in einem anorganischen Halbleiterlaser zu sehen. Die elektrothermischen Elemente bestehen vorzugsweise aus einer der folgenden elektrisch leitfähigen Substanzen: reine Metalle, Metallegierungen, Keramiken, Polymere oder Elektrolyte . Als besonders vorteilhafte Ausgestaltung ist dabei ein Metallfilm zu sehen, welcher in z-Richtung eine wesentlich geringere Ausdehnung aufweist als in x- und y-Richtung. Die Materialzusammensetzung des Metallfilms kann zusätzlich räumlich variieren (in diesem Fall vorzugsweise in der x- und y-Richtung) .
Die lateralen Begrenzungen (laterale Richtungen verlaufen in der xy-Ebene) werden vorzugsweise durch mindestens zwei gekrümmte Funktionen y1 (x) und y2(x) beschrieben, wenn das elektrothermische Element einfach zusammenhängend ist. Bei mehrfach zusammenhängenden Gebieten treten entsprechend weitere Begrenzungsfunktionen yi(x) auf. Der Metallfilm läßt sich zusätzlich noch in z-Richtungen gekrümmt führen, das heißt, er verläuft beispielsweise über Rippen. Der Metallkörper des elektrothermischen Elementes ist an mindestens zwei Stellen kontaktiert, wobei eine an die Kontaktierung angelegte Spannung je nach Änderung des elektrischen Widerstands im xyz-Raum eine entsprechend räumlich verteilte Stromdichte verursacht. Daraus resultiert eine ortsabhängige Heizleistung, so daß im Lichtwellenleiter des Bauelementes eine im xyz-Raum variable Temperaturverteilung realisierbar ist.
Handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauelement beispielsweise um einen Halbleiterlaser, so läßt sich mit der variablen Temperaturverteilung eine stabilere einmodige Oszillation und eine Ausbeutesteigerung realisieren.
Eigenschaften von optoelektronischen Bauelementen sind häufig einer Alterung unterworfen. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung kann eine solche Alterung dadurch kompensiert werden, daß die an dem elektrothermischen Element anliegende Spannung zeitlich veränderbar ist.
Verschiedene Eigenschaften von Lasern sind von der Strominjektion abhängig, beispielsweise die Tendenz in bestimmten Moden zu schwingen. Eine derartige Abhängigkeit kann gemäß einer anderen Weiterbildung bewußt genutzt werden, da bei entsprechender Ausbildung des elektrothermischen Elementes die an dem elektrothermischen Element anliegende Spannung so groß gewählt werden kann, daß die ortsabhängige Temperaturänderung mit der räumlichen Verteilung der Strominjektion korreliert ist. Damit werden vorteilhafte Bauelemente-Eigenschaften erzielt, wie beispielsweise Seitenmodenunterdrückung, Lage der Emissionswellenlänge und Ausgangsleistungen.
Bei dieser Weiterbildung kann das elektrothermische Element entweder zeitlich vor der Strominjektion in die laseraktive Zone des Laserbauelementes in Betrieb genommen werden. Alternativ hierzu ist es denkbar, den Heizstrom zeitlich in einer definierten Weise auf den Endwert zu erhöhen, welcher mit der zeitlichen Erhöhung des Injektionsstroms der laseraktiven Zone korreliert ist.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den übrigen Unteransprüchen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung anhand mehrerer Figuren schematisch dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 einen Halbleiterlaser mit zwei Heizelementen,
Fig. 2 einen Halbleiterlaser mit einem Heizelement mit einseitig schwach gekrümmtem Rand,
Fig. 3 und Fig. 4 je einen Halbleiterlaser mit einem
Heizelement mit einseitig stark gekrümmtem Rand,
Fig. 5 einen Halbleiterlaser mit einem insgesamt gekrümmten Heizelement,
Fig. 6 einen Halbleiterlaser mit einem gekrümmten Lichtwellenleiter,
Fig. 7 einen Halbleiterlaser mit einem Heizelement mit über die Länge gleichbleibender Breite, jedoch sich änderndem längenspezifischen Widerstand,
Fig. 8 einen Halbleiterlaser mit einem Heizelement, das Aussparungen aufweist,
Fig. 9 einen Halbleiterlaser mit an den Endbereichen des Lichtwellenleiters angeordneten Heizelementen,
Fig. 10 einen Halbleiterlaser mit zwei Heizelementen, die an verschiedenen Seiten auf jeweils der Hälfte des Lichtwellenleiters angeordnet sind,
Fig. 11 einen Halbleiterlaser mit drei Heizelementen, die sich jeweils über einen Teil des Lichtwellenleiters erstrecken,
Fig. 12 einen Halbleiterlaser mit einem mehrfach teilweise überbrückten Heizelement,
Fig. 13 einen Halbleiterlaser mit einem den
Lichtwellenleiter kreuzenden Heizelement,
Fig. 14 einen Halbleiterlaser mit einem den
Lichtwellenleiter zweifach kreuzenden Heizelement,
Fig. 15 eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterlasers und
Fig. 16 einen Halbleiterlaser mit einem parallel verlaufenden Heizelement.
Im Zusammenhang mit den Ausführungsbeispielen wurde der Einfachheit halber auf Heizelemente Bezug genommen. Die Ausführungsbeispiele lassen sich jedoch auch mit Kühlelementen verwirklichen.
Wege zur Ausführung der Erfindung
In Figur 1 ist ein Halbleiterlaser 10 in Draufsicht dargestellt, der die Länge L aufweist und dessen Wellenleiter in axialer Richtung (x-Richtung) verläuft. Der grundsätzliche Aufbau eines Halbleiterlasers ist bekannt, weshalb auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet wird. In der Figur ist ein Streifen 1 zu erkennen, der die Kontaktierungsschicht auf der Substrat-abgewandten Seite des pn-Übergangs des Halbleiterlasers darstellt. Der in der Figur nicht dargestellte Wellenleiter verläuft unter der
Kontaktierungsschicht 1.
In der xy-Ebene, die der Zeichenebene entspricht, ist auf beiden Seiten des Streifens 1 jeweils ein filmartiges Metall-Heizelement 2 beziehungsweise 3 vorgesehen. Diese länglichen, vorzugsweise als Metallfilm ausgebildeten, Heizelemente 2, 3 erstrecken sich wie der Streifen 1 in x-Richtung über die Länge L. Beide Heizelemente 2, 3 sind in y-Richtung durch Ränder R1 , R2 , R3 und R4 begrenzt, die in der xy-Ebene gekrümmt verlaufen. Deutlich zu erkennen ist, daß die Breite Bij eines Heizelementes 2 beziehungsweise 3 für unterschiedliche x-Werte, variiert.
An jedem Längsende eines Heizelementes 2, 3 ist ein Kontaktierungsfeld 4, 5, 6, 7 mit dem Heizelement 2, 3 elektrisch verbunden. Die Kontaktierungsfeider sind vorzugsweise als dicke (ca. 700 nm) Goldschicht ausgebildet, so daß sie einen möglichst geringen elektrischen Widerstand besitzen. Die Kontaktierungsfeider 4 bis 7 dienen dazu, an die Heizelemente eine Heizspannung anzulegen. Die Zuführung der Spannung an die Kontaktierungsfeider erfolgt dabei mittels Kontaktierungsdrähten, die in der Figur 1 jedoch nicht dargestellt sind.
Wie bereits erwähnt, verlaufen die Ränder R1 , R2 , R3 und R4 der beiden Heizelemente 2, 3 gekrümmt. Konkret läßt sich der Verlauf eines Randes in der xy-Ebene als Funktion y(x) mit O≤x≤L beschreiben. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel beschreibt die Begrenzungsfunktion y2(x) für O≤x≤L den Rand des Heizelementes 2 bei kleinen y-Werten und die Begrenzungsfunktion y1 (x) für d≤x≤(L-d) den Rand bei großen y-Werten. Den Verlauf des Randes des anderen Heizelementes 3 beschreibt die Begrenzungsfunktion y3(x) für O≤x≤L bei großen y-Werten und die Begrenzungsfunktion y4(x) für d≤x≤(L-d) bei kleinen y-Werten.
In x-Richtung schließen die Heizelemente mit den als vertikale Striche dargestellten Bauelementefacetten ab.
Wird nun jeweils eine Heizspannung an die
Kontaktierungsfelder 4 bis 7 und somit an die Heizelemente 2, 3 angelegt, fließt ein Strom, wobei die Stromdichte abhängig vom Widerstand des Heizelementes ist. Dadurch, daß die Breite B12(X) oder B34(x), das heißt, die Differenz y1 (x) - y2(x) oder y3(x) - y4(x) für verschiedene x-Werte variiert, erwärmt sich das Heizelement in der xy-Ebene unterschiedlich. Durch die Wahl der Begrenzungsfunktionen y1 (x) und y2(x) läßt sich die Temperaturverteilung im Heizelement 2 sowie in dessen Umgebung lokal variieren. Durch die Variation der Differenz y1 (x) - y2(x) für verschiedene x-Werte als auch durch die Variation des Abstandes, zum Beispiel der geometrischen Mitte (y1(x) + y2(x))/2 des Heizelementes 2 vom Wellenleiter wird die Temperatur des Wellenleiters lokal variiert.
Im vorliegenden Beispiel ist ferner der Einfluß des weiteren Heizelementes 3 zu berücksichtigen. Dadurch, daß auch bei diesem die Differenz y3(x) - y4(x) in x-Richtung variiert, heizt sich das Heizelement 3 in der xy-Ebene ebenfalls unterschiedlich auf. Durch die Wahl der
Begrenzungsfunktionen y3(x) und y4(x) und die Materialwahl des Heizelementes wird die Temperaturverteilung im Heizelement 3 sowie in dessen Umgebung lokal variiert. Durch die Variation der Differenz y3(x) - y4(x) in x-Richtung als auch die Variation des Abstandes, zum Beispiel der geometrischen Mitte (y3(x) + y4(x))/2 des Heizelementes 3 vom Wellenleiter, trägt das Heizelement 3 zu einer lokalen Variation der Temperatur des Wellenleiters bei. Das sich ergebende räumliche Temperaturfeld im Wellenleiter läßt sich auf der Basis der Strom- und Wärmeleitung berechnen, wobei folgende Größen eingehen: Die Begrenzungsfunktionen y1 (x) bis y4(x), die materialabhängigen spezifischen elektrischen
Widerstände, die materialabhängigen Wärmeleitwerte sowie die geometrische Struktur des Bauelementes und dessen Wärmesenke.
In Figur 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel eines Halbleiterlasers 10 dargestellt, der sich gegenüber dem ersten Ausführungsbeispiel dadurch auszeichnet, daß lediglich ein Heizelement 2 vorgesehen ist. Darüber hinaus ist der durch die Funktion y2(x) definierte untere Rand des Heizelementes nicht gekrümmt. Dadurch, daß das Heizelement 2 im mittleren Bereich des Wellenleiters eine geringere Breite aufweist als in äußeren Bereichen, werden in der Mitte höhere lokale Temperaturen erzielt. Voraussetzung dafür ist allerdings, daß die Schichtdicke des Heizelementes in z-Richtung, der spezifische elektrische Widerstand sowie die angenommene Wärmeableitung homogen sind.
Die in den Figuren 3 und 4 gezeigten beiden
Ausführungsbeispiele umfassen jeweils einen Halbleiterlaser 10, der jeweils ein Heizelement 3 aufweist. In beiden Ausführungsformen ist jeweils ein Rand des Heizelementes 3 gekrümmt (y3(x) in Figur 3; y4(x) in Figur 4), während der andere Rand nicht gekrümmt ausgebildet ist. Auch in diesen Ausführungsbeispielen variiert die Breite, das heißt die Differenz y3(x) - y4(x), in x-Richtung, so daß sich eine unterschiedliche Temperaturverteilung erzielen läßt.
In Figur 5 ist ein Halbleiterlaser 10 gezeigt, der ebenfalls über ein Heizelement 2 verfügt. Im Gegensatz zu den vorgenannten Ausführungsbeispielen ist die Breite, das heißt die Differenz y1 (x) - y2(x), in x-Richtung konstant. Zur Erzielung einer variierenden Temperaturverteilung in x-Richtung, das heißt in Erstreckungsrichtung des Wellenleiters, wird der Abstand des Heizelementes 2 zu dem Kontaktierungsstreifen 1 und damit dem darunter liegenden Wellenleiter variiert. Da der Abstand zwischen Heizelement 2
< <
P P
H h
F- F-
P F- er Φ
Φ H
H Φ
3
Φ -
F-
3 cn cn 0 er φ Di
H P
H & er
P Di
H P
Di
F- d
CΛ H, rr Ω
. tr
P d
Ω tr
Di
F-
Φ m
Φ
3
T3
Φ
F,
P rr d
F,
<
Φ
H er
Φ
F- d
3 ß
iß rc 1_J- > X H N ∑; rc Di < Di σ σ « rc <J « DJ H tr' > F- rc DJ < ■ D. _» D- H φ Φ Φ d Φ 3 d P: Φ • d Φ F- Φ F- 0 P Φ 0 0 Φ 3 F- d CΛ φ Φ 0 1 F- o φ 3 ß F- ∑; cn F- 3 tr F- H F, Φ F- ιn 3 H H 3 3 F, Ω tn rr F- 3 H d φ H φ N Φ er N Di F- H N σ Ω σ Di rr er H rr rr _ tr DJ - N rr F- d: ^
3 Φ F- F- φ Φ 3 Φ φ Φ tr F- er φ N P H p: P P DJ F- rr Φ tn « Φ Ω X er 3 F- d: H H H H 3 3 3 H d 3 Φ H d X4 Φ d X4 X4 P lß ∑; tr ∑; TJ 0 h tr 0 Φ F- iß er Φ cn Di Φ rr Di φ rr Di F- 3 rr F- Hi rr rr cn d Φ 3 0 P 3 iß rr 3 H Ω d
Φ 3 d 3 F- • 3 H F- Φ D. rc F- rr er F- F- H d er 3 (T Φ d er tr H
F, Φ Φ 3 Φ 3 Di Φ F- φ er φ Φ H Φ φ Φ Φ rc H 3 Φ 3 P tr 3 P DJ rr
H 3 F- iß 3 F- 3 Ω • 3 F- φ H H F- h H φ Φ iß F- d X4 Φ iß X4 F- D
F- rr 3 er * Φ rr rr tr1 N Ω d H 3 d d F- o 3 3 er 3 rr φ tn
Φ P Φ Φ F- Φ d O tn φ tr 3 P 3 3 N H P P iß F- Di Φ F- F- F- iß er 3 F- OJ ιß « cn N Hi Φ F- H er iß in X ß iß φ F- Φ d d Φ Φ F- Φ iß Ω cn
Φ cn 3 d H, d <-r H Ω Φ φ tn Φ 1 cn cn H tn F- Hl Ω P H 3 3 F, φ tr rr
3 Ω S*. Φ F- h Φ J rr 3 3 Hi H fd Hl cn φ er rr ∑. tr 3 d Φ d tn er tr o cn 3 F- Φ 3 φ Φ in F- Φ er 3 Φ Φ 3 td 3 P er Φ φ 3 3 rr F- H Φ Φ iß 3 M H Ω H M Φ Φ H F- Di iß φ iß iß 3 P F-
3 F- rr co Φ — » Φ 3 X4 H rr Φ rr 3 Di — » tr Di Φ 3 F- cn ιn P Φ in F- H cn er H 3 rr P er F- Φ H P iß Φ Di o rr F- rr 3 rr in 3 Hl cn 0: CΛ Φ Φ Φ tΛ rr X4 H 3 iß Di X 3 P t-1 Φ φ CTi d ü> Hi Φ Iß - Φ •ö to Ω
Φ φ et 0 Φ Φ Φ 1 3 d F' 3 NJ 3 Φ P Φ rc W H F- Φ tr Pd tr4 >
F- 3 F- 3 3 N tn Pd Φ Hi Di d: Φ ∑; iß Φ 3 d ∑: tr in Φ 0 φ H F- Φ F- d rr Φ Hi Φ F- 3 Φ F, er F- H, φ p: H cn Hi Φ Φ 0 F- 3 Φ M Φ Ω in Ω in
Φ OJ H H 3 F- rc Ω 3 P Φ ιn tn H 3" iß Φ F- F- N rr H Φ tr 0 tr Hi
- d d F- ιß φ tr F- Di tr H, rr rr σ H Φ X4 er er N Φ P 3 3 > er 3 er d:
Di 3 cn er rr F- er cn Φ rr F, d Φ tn rr Φ Φ rr P H X4 • d P Z tr
Φ >ß cn er Φ N d <-r F- Φ Φ 3 3 φ H <! F- H ta Φ rr > in er Φ F, NJ cn OJ cn φ H 3 φ 3 ω cn Φ F- Ω Di Di tr F- Φ Di Φ ∑; 3 F- ö • 0
- d
Hl Λ Φ h-J iß F- H Φ iß 3 X4 Φ φ cn H, Φ Φ Φ Φ d F- Φ H H 3
« - φ H > φ 3 d: H Φ rr 3 in 3 Ω H 3 > H Φ 3 F, 3 Φ tr σ H Φ iß
0 H N Φ d 3 < Ω er 3 S • Φ F- tr p: d Di Di rr d Di 3 P p: 3 in
3 F- Di ∑; 3 tΛ Φ 0 •rl X4 cn Di Φ Ω σ d O tn Φ F- 3 X d cn 3 H Hi rr cn F- Hl 3 3 F- Φ <-r Φ er N rc tr F- < Hi Φ Hl 3 iß OJ iß ^J φ 3 iß Φ 0
P er cn CΛ ω d: rr ß 3 P d Φ ιn φ rr F- d: . H in F- iß rc Φ F- H
X4 Ω Φ tr Φ H d Di d: H H F- Di H • rr rr F- F- Hl P N Φ rr 3 rr P tr H H, tn F- H Φ er M H N P Φ er φ H Ω 3 Φ 3 in P F- Φ
F- d ~j Φ φ d 3 3 Φ 3 Di Φ Φ in rr d ö 3 d rr iß Ό d N Φ F, Di
Φ Hl 3 F- 3 J X4 — - h Di H, H H ∑; 3 P 3 > Di Φ P Hi φ H P
F, < Ω iß cn o « tn Φ P Φ Φ 3 P cn DJ iß Di 1 Φ F 3 M H h d Di Φ Di tr IΛ < ^ 0 T3 3 tr X4 3 F- Φ Φ cn F- Pd h Φ 3 P Φ p: Φ ß
3 Φ H Φ er 0 3 3 P er rr Φ rr N 3 3 cn Hl Φ F- 3 iß d H 3 d in Φ
Iß er 3 d Φ 3 P DJ rr 3 3 H 3 d Φ F- 0 Ω rr 3 cn Φ Hi in cn d 3 F- Ω P P 3 F- l£> F- er D. H er H M tr αi - iß 3 rT rc rr cn 3 er rr IΛ H tr to X4 rr rr tn Φ X 3 3 er F- er - P Φ rr Di Φ Φ T F- rr Φ < Ω OJ 3 3 Φ Di Di d d ∑: ∑: 3 M H
H Φ F- F, F- 3 F, Di F- F- F- 0 tr F- F- Φ iß σ 3 3 p: F- NJ 3 σ φ 3 Di er Φ X4 Φ F- Φ 3 3 H Φ < er N 3 Φ Φ iß Di rr H Di F- H rr
F- Φ Φ H cn Ω Φ H P ß 3 0 er φ N F, H Di Φ Σ. Ω Φ >.
Hl 3 3 0 tr d ^j 3 Φ 3 Φ H Φ Φ Φ cn Φ 3 Φ tr F-
Φ Ω F- 3 er « 3 O Di tn < Φ F- F- F- 3 N F- er er er
3 3 rr cn P cn H iß H Φ Φ φ Di α 3 iß Ω 3 P Di Σ. CΛ Φ Φ cn F- Φ rr Ω Φ cn 3 H, " H Φ Φ Φ rr tr Φ 3 F- rr H F- rr 3 tr P F- cn Φ er h cn 3 - Φ N Di tn φ M
• Di er er rr Φ 3 F- rr Iß d F- Ω F- P ∑:
P H 3 Φ H F- -> 3 3 σ DJ H Φ tr 3 O in Φ φ ts. cn φ F- φ 3 F- NJ Φ Φ 0: φ φ Ω Φ H
F- d Ω 3 Di F- Φ d er F- cn to iß 3 tr h Ω
3 H tr 3 Φ Hi H, Φ 3 er Φ φ cn tr er rr tn Φ H iß φ h 3 Φ cn 3 Φ F,
Heizelementabschnitt 2' vorgesehen, der mit Hilfe von Metalldrähten 9.1, 9.2 mit den beiden Heizelementabschnitten 3', 31' verbunden ist. Die beiden Metalldrähte 9 verbinden also die drei Teile 2 ' , 3 ' , 3 ' ' des Heizelementes zu einem im mathematischen Sinne zusammenhängenden Gebiet. Die Figur läßt noch erkennen, daß die Breite der beiden Heizelementabschnitte 3', 31 1 konstant ist, während die Breite des Heizelementabschnitts 2' variiert.
Zusätzlich ist in Figur 11 eine Metallfläche 11 dargestellt, die elektrisch mit dem Kontaktierungsstreifen 1 verbunden ist und als Kontaktierungsfeld für den Kontaktierungsstreifen 1 dient.
In dem in Figur 12 gezeigten Ausführungsbeispiel resultiert die lokale Variation des elektrischen Widerstands aus mehreren lokalen Potentialangleichungen, indem mehrere Metalldrähte 12 an verschiedenen Stellen leitend mit dem Heizelement 2 verbunden sind.
In Figur 13 ist ein Ausführungsbeispiel mit nichtplanarer Oberfläche dargestellt. Hierbei kreuzt das gekrümmte Heizelement 2 den Kontaktierungsstreifen 1 , wobei eine leitende Verbindung zwischen dem Heizelement 2 und dem Kontaktierungsstreifen 1 durch eine elektrisch isolierende Schicht 13 verhindert wird. Die Heizspannung wird zwischen den Kontaktierungsfeidern 4 und 6 angelegt.
In Figur 14 ist eine Abwandlung des in Figur 13 gezeigten Ausführungsbeispiels zu sehen. Neben einem gekrümmten Verlauf des Heizelementes 2 ist auch der
Kontaktierungsstreifen 1 gekrümmt ausgebildet, so daß sich Heizelement und Kontaktierungsstreifen zweimal überkreuzen. Eine leitende Verbindung zwischen dem Heizelement 2 und dem Kontaktierungsstreifen 1 wird auch in diesem Fall durch eine elektrisch isolierende Schicht 13 unterbunden. Die
Heizspannung selbst wird zwischen den Kontaktierungsfeldern 4 und 5 angelegt.
Das in Figur 15 dargestellte Ausführungsbeispiel zeigt eine Anordnung, welche mit den Figuren 13 und 14 einige Gemeinsamkeiten aufweist. Der Lichtwellenleiter und der Kontaktierungsstreifen 1 verlaufen ungekrümmt in x-Richtung. Die Stromzufuhr des Kontaktierungsstreifens 1 erfolgt über die Metallfläche 11. Das Heizelement 2 verläuft im dreidimensionalen Raum gekrümmt. Die Heizspannung wird zwischen den Kontaktierungsfeldern 4 und 6 angelegt. Eine leitende Verbindung zwischen dem Heizelement 2 und dem Kontaktierungsstreifen 1 wird durch eine elektrisch isolierende Schicht 13 verhindert. Schematisch ist ferner das in axialer Richtung austretende Laserlicht 14 angedeutet .
Das in Figur 16 gezeigte Ausführungsbeispiel stellt eine Variante des in Figur 8 gezeigten Ausführungsbeispiels dar, wobei das Heizelement 2 aus zwei verschiedenen Metallsorten mit unterschiedlichem spezifischen Widerstand besteht und das Metall 16 die Aussparungen im Metall 15 ausfüllt. Denkbar ist auch, daß das Metall 15 keine Aussparungen besitzt, sondern eine homogene Schicht bildet. Die Metallfelder 16 sind dann in z-Richtung auf oder unter dieser Schicht angebracht. Die Form und die Verteilung der Metallfelder 16 läßt sich nun dazu benutzen, die Heizstromdichte räumlich zu variieren. Dadurch kann ebenfalls eine räumliche Variation der Temperatur erzielt werden. Selbstverständlich sind auch andere Ausbildungen eines Heizelementes 2 und dessen Anordnung relativ zum Kontaktierungsstreifen 1 denkbar, um eine gewünschte Temperaturverteilung im Lichtwellenleiter zu erzielen.
Claims
1. Optoelektronisches Bauelement mit räumlich einstellbarer Temperaturverteilung, das mindestens einen Lichtwellenleiter und mindestens ein elektrothermisches Element zur Temperaturänderung des Lichtwellenleiters aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrothermische Element (2, 3) derart ausgebildet und/oder angeordnet ist, daß die im Lichtwellenleiter hervorrufbare Temperaturänderung ortsabhängig ist.
2. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt des mindestens einen elektrothermischen Elementes (2, 3) ortsabhängig ist.
3. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche
1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand des mindestens einen elektrothermischen Elementes (2, 3) vom Lichtwellenleiter ortsabhängig ist.
4. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der spezifische Widerstand des mindestens einen elektrothermischen Elementes (2, 3) ortsabhängig ist.
5. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche
2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ortsabhängigkeit in Längsrichtung des Lichtwellenleiters besteht.
6. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrothermische Element (2, 3) mindestens eine Aussparung (8) aufweist, so daß das elektrothermische Element (2, 3) ein im mathematischen Sinne räumlich mehrfach zusammenhängendes Gebiet darstellt.
7. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die räumliche Anordnung und/oder die geometrische Form der mindestens einen Aussparung (8) derart gewählt werden, daß die ortsabhängige Temperaturänderung im Lichtwellenleiter entsteht.
8. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei der geometrischen Projektion des elektrothermischen Elementes (2, 3) in eine der Oberfläche des Bauelementes parallelen Ebene (xy-Ebene) die lokale Begrenzung in dieser Ebene durch Begrenzungsfunktion y1 (x) und y2(x) definiert ist.
9. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der beiden Begrenzungsfunktionen y1(x) und y2(x) gekrümmt verläuft.
10. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Projektion des elektrothermischen Elementes (2, 3) in eine x'y' -Ebene die lokale Begrenzung in der x ' y ' -Ebene durch die Begrenzungsfunktionen y'1(x') und y'2(x') definierbar ist, wobei die x'y '-Ebene von der xy-Ebene verschieden ist.
11. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der beiden Begrenzungsfunktionen y'1(x') und y'2(x) gekrümmt verläuft.
12. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrothermische Element (2, 3) an mindestens zwei Stellen elektrisch kontaktiert ist.
13. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrothermische Element (2, 3) aus verschiedenen Einzelkörpern aufgebaut ist, welche aus verschiedenen Metallen und/oder Metallegierungen bestehen und elektrisch miteinander verbunden sind.
14. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrothermische Element (2, 3) aus einer Metallegierung, einem Metall, einer keramischen Verbindung oder einem elektrisch leitfähigen Polymer besteht.
15. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrothermische Element (2, 3) eine widerstandsbehaftete Substanz aufweist, die ein Elektrolyt oder eine Kombination von Metallegierungen, reinen Metallen, Polymeren und Elektrolyten ist.
16. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es ein Halbleiterlaser, ein Halbleiterlaserverstärker, ein Filter oder ein Wellenlängenkonverter ist.
17. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die an dem elektrothermischen Element (2) anliegende Spannung zeitlich veränderbar ist.
18. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrothermische Element (2) einen im mathematischen Sinne zusammenhängenden Körper darstellt, wobei mindestens ein Abschnitt durch eine elektrisch leitfähige durch die Luft verlaufende Brücke (9) gebildet wird.
19. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrothermische Element (2) einen im mathematischen Sinne mehrfach zusammenhängenden Körper darstellt, wobei mindestens eine elektrisch leitfähige Drahtbrücke (12) vorgesehen ist, durch welche voneinander entfernte Punkte des elektrothermischen Elementes miteinander verbunden werden .
20. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrothermische Element (2) aus zwei verschiedenen Materialien mit unterschiedlichem spezifischen Widerstand aufgebaut ist, wobei das erste Material die Aussparung (8) im zweiten Material ausfüllt.
21. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrothermische Element (2) aus zwei verschiedenen Materialien mit unterschiedlichem spezifischen Widerstand ausgebildet ist, wobei das erste Material eine homogene Schicht (15) ausbildet und das zweite Material in lokal begrenzten Feldern (16) unter oder auf der Schicht liegt und leitend mit dieser verbunden ist.
22. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungsfunktion y1(x) und y2(x) und/oder die Begrenzungsfunktion y'1(x') und y'2(x') abschnittsweise definierte Funktionen darstellen.
23. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei elektrothermische Elemente (2, 3) ausgebildet sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AU67252/98A AU6725298A (en) | 1997-02-27 | 1998-02-26 | Optoelectronic component |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19707879 | 1997-02-27 | ||
| DE19707879.6 | 1997-02-27 | ||
| DE19717545A DE19717545A1 (de) | 1997-02-27 | 1997-04-25 | Optoelektronisches Bauelement mit räumlich einstellbarer Temperaturverteilung |
| DE19717545.7 | 1997-04-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO1998038710A1 true WO1998038710A1 (de) | 1998-09-03 |
Family
ID=26034338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/EP1998/001080 Ceased WO1998038710A1 (de) | 1997-02-27 | 1998-02-26 | Optoelektronisches bauelement |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| AU (1) | AU6725298A (de) |
| WO (1) | WO1998038710A1 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013079346A1 (de) * | 2011-11-30 | 2013-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserdiode |
| WO2013152862A1 (de) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur reduktion von modeninstabilität in einem lichtwellenleiter |
| US20210305776A1 (en) * | 2018-08-01 | 2021-09-30 | Osram Oled Gmbh | Laser diode chip |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63318527A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Brother Ind Ltd | 導波路型光偏向装置 |
| JPH0697604A (ja) * | 1992-09-16 | 1994-04-08 | Anritsu Corp | 分布反射型半導体レーザ |
| JPH06125138A (ja) * | 1992-10-10 | 1994-05-06 | Anritsu Corp | レーザ装置 |
| US5347526A (en) * | 1992-03-31 | 1994-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wavelength-tunable semiconductor laser |
-
1998
- 1998-02-26 WO PCT/EP1998/001080 patent/WO1998038710A1/de not_active Ceased
- 1998-02-26 AU AU67252/98A patent/AU6725298A/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63318527A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Brother Ind Ltd | 導波路型光偏向装置 |
| US5347526A (en) * | 1992-03-31 | 1994-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wavelength-tunable semiconductor laser |
| JPH0697604A (ja) * | 1992-09-16 | 1994-04-08 | Anritsu Corp | 分布反射型半導体レーザ |
| JPH06125138A (ja) * | 1992-10-10 | 1994-05-06 | Anritsu Corp | レーザ装置 |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 159 (P - 858) 18 April 1989 (1989-04-18) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 018, no. 364 (E - 1575) 8 July 1994 (1994-07-08) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 018, no. 416 (E - 1588) 4 August 1994 (1994-08-04) * |
| SHINJI SAKANO ET AL: "TUNABLE DFB LASER WITH A STRIPED THIN-FILM HEATER", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 4, no. 4, 1 April 1992 (1992-04-01), pages 321 - 323, XP000272604 * |
| SHUDONG JIANG ET AL: "TEMPERATURE-MODULATED SEMICONDUCTOR LASER FOR WIDELY TUNABLE AND POWER-CONTROLLED OPERATION", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 31, no. 8, 1 August 1992 (1992-08-01), pages 2432 - 2434, XP000355892 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013079346A1 (de) * | 2011-11-30 | 2013-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserdiode |
| US9722394B2 (en) | 2011-11-30 | 2017-08-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor laser diode |
| WO2013152862A1 (de) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur reduktion von modeninstabilität in einem lichtwellenleiter |
| US9235106B2 (en) | 2012-04-12 | 2016-01-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method and device for reducing mode instability in an optical waveguide |
| US20210305776A1 (en) * | 2018-08-01 | 2021-09-30 | Osram Oled Gmbh | Laser diode chip |
| US12080995B2 (en) * | 2018-08-01 | 2024-09-03 | Osram Oled Gmbh | Laser diode chip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU6725298A (en) | 1998-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2223399B1 (de) | Kantenemittierender halbleiterlaserchip mit zumindest einer strombarriere | |
| DE112017004914B4 (de) | Wellenleiterstruktur | |
| DE69112725T2 (de) | Laserdiode mit abstimmbarer Wellenlänge. | |
| WO2009082999A2 (de) | Kantenemittierender halbleiterlaserchip mit einem strukturierten kontaktstreifen | |
| EP1201013B1 (de) | Mehrfach-halbleiterlaserstruktur mit schmaler wellenlängenverteilung | |
| DE112015004794T5 (de) | Laserlichtquellenvorrichtung | |
| EP1770836B1 (de) | Laserdiodenvorrichtung, Laseranordnung mit mindestens einer Laserdiodevorrichtung und optisch gepumpter Laser | |
| DE112017000841T5 (de) | Halbleiterlaser-lichtquelleneinrichtung | |
| EP2193581B1 (de) | Spektral abstimmbares lasermodul | |
| EP4283802B1 (de) | Laserdiode mit verbesserten elektrischen leiteigenschaften | |
| DE3688951T2 (de) | Halbleiterlaservorrichtung. | |
| DE112016002251T5 (de) | Spannungsgesteuerte diodenlaserbaugruppen mit niedrigem wärmewiderstand | |
| DE112016005129B4 (de) | Halbleiterlaserdiode | |
| DE102011054739A1 (de) | Thermoelement und Herstellungsverfahren | |
| WO1998038710A1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
| DE19746204A1 (de) | Halbleiterlaserchip | |
| DE102011103952B4 (de) | Kantenemittierender Halbleiterlaser | |
| DE19717545A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement mit räumlich einstellbarer Temperaturverteilung | |
| DE102015206847A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement mit Resonator | |
| DE19839088B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Temperaturstabilisierung einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung | |
| EP4348777A1 (de) | Laserbarren mit verringerter lateraler fernfelddivergenz | |
| DE112019005619B4 (de) | Diodenlaser und verfahren zum betreiben eines diodenlasers | |
| WO2020025626A1 (de) | Laserdiodenchip | |
| EP1714360B1 (de) | Lichteinheit und verfahren zur erzeugung von lichtstrahlen | |
| DE102015104184A1 (de) | Kantenemittierender Halbleiterlaser und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AK | Designated states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AU CA US |
|
| AL | Designated countries for regional patents |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE |
|
| DFPE | Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101) | ||
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 1998912396 Country of ref document: EP |
|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application | ||
| WWW | Wipo information: withdrawn in national office |
Ref document number: 1998912396 Country of ref document: EP |