WO1998013881A1 - Dispositif a semi-conducteur et son procede de production - Google Patents

Description

明 細 書 半導体装置およびその製造方法 技術分野

こ の発明は、 ゲー ト タ ー ンオフサイ リ ス タ 等の高耐圧用半導体装置及 びその製造方法に関す る も ので、 特に、 そ の高耐圧化、 大容量化に関す る も のであ る。 W ¾技術

高耐圧用 ダイ ォー ド ゃ卨耐圧用 ゲー ト タ ー ンオ フサイ リ ス 夕 等の高耐 圧用半導体装置は主 P N接合の表面電界を弱めな い と P N接合本来の実 力 の耐圧 よ り も低い電圧でアバラ ン シ ェ降伏が起こ り、 高耐圧用半導体 装置を製造で き ない こ と が知 られて い る。

こ のため、 ベベル形成 と呼ばれ、 P N接合の露出部に傾斜付けを して 電界を弱め る こ とが知 られて い る。

と こ ろ 力 こ のよ う に傾斜付け、 β ちベベル加工 した も のは、 そ のべ ベル加工 しな い も のに比 して 高耐圧化を達成す る こ と が出来 る も のの、 そ の外周部 と前記べベル加工部と の境界部に形成さ れるエ ッ ジ部に製造 時にチ ヅ ビ ン グが発生 し易 く、 該チ ヅ ビ ン グ部に発生す るひずみ電界に よ る電界集中が発生 し、 高耐圧化が阻害さ れ、 結果的に高耐圧の半導体 装置の安定提供が困難であ る と い う 問題があ っ た。

特にチ ッ ビ ン グは半導体素子の口径が大 き い、 即ち半導体素子の外周 長が長い大容量の半導体装置において は、 その影響が大き く、 結果的に 高耐圧大容量の半導体装 Εの安定提供が困難であ る と い う 問題があ っ た この発明は、 以上のよ う な従来の実情に鑑みて な さ れた も ので、 主 P N接合を有す る 高耐圧、 大容量の半導体装置の安定提供を図る こ と を 目 的 と す る も のであ る。

発明の開示

本発明は、 少な く と も 一方のベベル加工面 と外周面 と の境界部に 面取 り、 も し く は所定の曲率半径の境界面を形成 し構成 した ので、 前記べベ ル加工面 と 前記外周部 と の境界部に従来発生 して いた チ ッ ビ ン グの発生 を従来に比 し著 し く 低減で き、 該チ ッ ビ ン グ部のひずみ電界に よ り 従来 発生 して いた電界集中の発生が防止さ れ、 結果的に高耐圧化を図 る こ と が出来る だ けで な く、 その効果は半導体素子の口 ¾が大 き い、 即ち半導 体素子の外周長が長い大容最のも のにおいて極めて 有効であ り、 結果的 に大容量の半導体装置の安定提供を可能と す る効果があ る。

ま た、 本発明は、 第 2 導電型の低抵抗 の端 [ffiか ら のべベル加工の深 さ を、 第 1 導電型の低抵抗屑 と前 ffi第 2 導電 ¾の低抵抗屑 と の間に電圧 を 印加 し た時に 生ず る空乏層の一端の前記第 2 導 の低抵抗層の端面 か らの位置よ り 深 く な る よ う に構成 したので、 前記べベル加丁. ίίιίの近傍 に おいて空乏層が前記破線で示すよ う に曲げ ら れ、 そ の結果、 表面の ¾ 界強度が前記べベル加工面を有 しな い も のに比 して低減 し半導体装置の 高耐圧化、 大容量化を図 り 得 る効 があ る。

ま た、 本発明は、 第 2 導電型の低抵抗層か ら 第 1 導電型の高抵抗層に 向かっ て形成さ れたべベル加工面の電界強度を前記第 2 導電型の低抵抗 屑内部に生 じ る電界強度よ り 小さ く し構成 したので、 外周部におけ る電 界集中に よ る耐圧低下を阻止する こ と がで き、 結果的に半導体装匿の高 耐圧化を図 り 得 る効果があ る。

ま た、 本発明は、 第 1 導電型の低抵抗層か ら第 1 導 の高抵抗層に 向かっ て形成さ れたべベル加工面の前記第 1 導電型の低抵抗屑の外側端 面 とのな す角度 0 1 を 0. 5 ° ~ 5 、 ま た第 2 導電型の低抵抗層か ら 第 1 導電型の高抵抗層に 向かって形成さ れたべベル加工面の前記第 2 導 電型の低抵抗層の外側端面 と のな す角度 0 2 を 1 ° ~ 2 0 ° と し構成 し た ので、 角度 0 1 においては 0. 5 ° 〜 5 ° の範囲において は耐圧低減 率約 8 0 %、 即ち理論値の約 8 0 %の耐圧を確保す る こ とがで き、 ま た、 角度 0 2 においては 1 ° 〜 2 0 ° の範囲に おいて角度 0 1 同様に論理値 の約 8 0 %の耐圧を確保す る こ と がで き、 半導体装置の高耐圧化、 大容 tt化に お効であ る。

ま た、 本発明は、 ベベル加工面の S方向長さ 力 前 ¾第 1 導電型の低 抵抗層側が、 前記第 2 導電型の低抵抗層側 よ り 長 く な る よ う 構成 した の で、 侄方向 βさ を長 く したべベル加工面 と 対を な すべベル加工面の ¾方 向 βさ が同一の比較において、 ベペル加工表面におけ る空乏層の幅に対 応す る 表面距離が長 く な り 表面電解強度が低下 し表面 リ ーク 電流が低減 す る こ と で、 半導体装置の高耐圧化、 大容量化を有効に行い得 る効果が あ る。

ま た、 本発明は、 ベベル加工面 と 前記外周部 と の境界部に形成す る 面 取 り、 も し く は所定の曲率半径の境界面を前記べベル加工面形成前に加 ェする よ う 構成 したので、 ベベル加工面形成後に、 そのべペル加工面 と 外周 と の境界に形成された エ ッ ジ部の面取 り 加工を行 う 従来の方法に比 し前記面取 り 時の前記境界部のチ 'ソ ビ ン グを低減す る こ とが出来、 結果 的に半導体装置の高耐圧化、 大容量化を図 り 得 る効果があ る。 図面の簡単な説明

第 1 図は こ の発明の実施の形態 1 の概略構成図であ る。

第 2 図 （ a ) 及び第 2 図 （ b ) は こ の発明の実施の形態 1 の説明図で あ る。

第 3 図は こ の発明の実施の形態 2 の概略構成図であ る。

第 4 図は こ の発明の実施の形態 4 の説明図であ る。

5 図は こ の発明の実施の形態 4 の説明図であ る。

第 6 図は こ の発明の実施の形態 5 の説明図であ る。

第 7 図は こ の発明の実施の形態 6 の説明図であ る。

第 8 図は こ の発明の実施の形態 6 の説明図であ る。 発明を実施す る ための最 ^の形態

こ の発明を よ り 詳細に説述す る ために、 添付の図 tfflに従っ て これを説 明す る。

第 1 図は こ の発明の実施の形態 1 の構成を示す図で、 図に おいて 1 は 比抵抗 4 5 0 ~ 9 0 0 Ω c m、 厚み 7 0 0 〃 111の 1^型単結晶 3 i ウ エノ、 基板で、 第 1 導電型の高抵抗層 （ N —層） を構成す る も のであ る。 2 は リ ンか ら な る N型不純物を、 第 1 導電型の高抵抗^ 1 の -方の主面に拡 散 して形成さ れた第 1 導電型の低抵抗層 2 ( N +層） を構成す る も ので あ る。 ま た 3 は第 1 導 ¾型の高抵抗層 1 の他方の ¾ [ [!にボ ロ ンか ら な る P S不純物を拡散 して形成さ れた第 2 導電 ¾の低抵抗眉 （ P +層） であ る。

その後、 半導体製造プロ セ ス と して周知の写 rt製版：に程、 拡散：!：程、 メ タ ラ イ ズ工程等に よ っ て第 1 導電型の低抵抗層 2 の表面に周知のァ ノ — ド エ ミ ッ タ 4、 ア ノ ー ド シ ョ ー ト 領域 5、 ア ノ ー ド ¾極 6 が形成さ れ て な る も のであ る。

ま た、 第 2 導電型の低抵抗層 3 の表面には力 ソー ド 逭極 7、 ゲー ト 電 極 8 が形成さ れて な る も のであ る。

9 は第 1 導電型の低抵抗屑 2 か ら第 1 導電型の高抵抗層 1 に 向かっ て 断面積が増大す る よ う、 且つ第 1 導電型の低抵抗層 2 と第 1 導電型の高 抵抗層 1 と の外周に跨 り、 且つ第 1 導電型の低抵抗層 2 の外側端面 との な す角度 6> 1 が 2 . 5 ° に力 tlェさ れたベベル加工面、 1 0 はべベル加工 面 9 と外周面 と の境界部に位置す る よ う に形成さ れた面取 り であ る。 ま た、 1 1 は第 2 導電型の低抵抗層 3 か ら第 1 導電型の高抵抗屑 1 に 向かっ て断面積が増大す る よ う、 Πつ第 2 導電型の低抵抗層 3 と第 1 導 電型の高抵抗層 1 と の外周に跨 り、 且つ第 2 導電型の低抵抗層 3 の外側 端面 と のなす角度 Θ 2 が 5 ° に加工さ れたべベル加工面、 1 2 はべベル 加 工面 1 1 と外周面 と の境界部に位置す る よ う に形成さ れた 面取 り であ る。

次に 前記べベル加 -ェ程の時朋等について説明す る。 先に述べた第 1 導電型の低抵抗層 2 の表面へのァ ノ ー ド エ ミ ッ タ 4、 ァ ノ ー ド シ ョ ー ト 領域 5、 ア ノ ー ド電極 6 の形成、 及び笫 2 導電型の低抵抗履 3 の表面へ の 力 ソ ー ド電極 7、 ゲー ト 電極 8 の形成がいずれも完 ； T後、 サ ン ド ブラ ス ト 又は ダイ ヤモ ン ド カ ッ タ ーで外周の切 り 出 しを行う。 その後、 ベべ ル加丄面 9 、 1 1 を ダイ ヤ モ ン ド 砥石 で に し、 引 き続 き ダイ ヤ モ ン ド 砥石で面取 り 1 0、 1 2 を行う。 そ の後べベル加工 ffl 9、 1 1、 及び面 取 り 1 0、 1 2 部を含め外周 をアル ミ ナ砥粒ゃダイ ヤモ ン ド砥粒で ラ ッ ビ ン グ し加工 を 完 了 す る。

1 3 はべベル加：に面 9、 1 1 と その間の外周面を一体旳に覆 う 周知の ノ ヅ シ ベー シ ョ ン ゴ ム で あ る。

なお、 第 1 導電型の低抵抗層 2、 及び第 2 導電 ffiの低抵抗層 3 はェ ビ タ キシ ャ ル成長に よ り 形成 した後に拡散を ¾施 して も 良い。

次に、 こ のよ う に構成さ れた 導体装置の動作について説明す る。 ァ ノ ー ド電極 6 と 力 ソー ド電極 7 を負荷回路 （図示せず） に接続す る と 共 に、 ア ノ ー ド電極 6 と 力 ソー ド電極 7 問に電源電圧を印加 し、 ゲー ト 電 極 8 か ら カ ソ一 ド電極 7 に順方向ゲー ト 電流を流す と ァ ノ ー ド電極 6 と 力 ソー ド 電掖 7 間がタ ー ン オ ン しオ ン状態に移行 し、 ま た、 ゲー ト 電極 8 か ら カ ソー ド電極 7 に逆方向ゲー ト 電流を流す と ァ ノ ー ド電極 6 と 力 ソ ー ド 電極 7 間がタ ー ンオ フ しオ フ状態に移行 し、 こ れ らのタ ー ンオ ン 、 タ ー ンオ フ に対応 し前記 Λ荷回路が閉路、 開路さ れる こ と は周知の通 り であ る。

ま た、 面取 り 1 0、 1 2 を行っ たので、 ベベル加工面 9、 1 1 と外周 部 と の境界部に従来発生 して いたチ ッ ビ ン グの発生を従来に比 し ^ し く 低減で き、 該チ ッ ビ ン グ部のひずみ電界に よ り 従来発生 して いた ¾界集 中の発生が防止さ れ、 結果的に高耐圧化を図る こ とが出来 る だ けで な く 、 その効 ¾は半導体素了-の U gが大き い、 即ち 半導体素子の外周 が ½ ぃ大容量の も のにおいて極めて有効で あ り、 結 的に 大容量の半導体装 Kの安定提供が可能と な っ た。

ま た、 ベベル加工面 9、 1 1 と、 外周部 と の境界部の表面電界強度は 、 第 1 導電型の低抵抗層 2 側よ り 第 2 導電型の低抵抗層 3 側が大であ る こ とが第 2 図 （ a ) の シユ ミ レ一 シ ヨ ン の結 ¾ (図中の破線は印加電圧 を変化さ せた場合の空乏層の延びの変化を、 ま た、 ¾線は電界分布の変 ィ匕を示 し、 第 2 導電型の低抵抗層 3 のべベル加 τ· iftj 1 1 と外周 と の境界 部近傍の表面電界強度が大で あ る こ と を示す） か ら確認さ れてお り、 面 取 り 効果は第 2 導電型の低抵抗^ 3 側、 即ちべベル加工-面 1 1 側が効果 的であ る。 即ち、 笫 2 図 （ a ) に示す よ う に面取 り 1 2 を形成す る こ と で、 空乏屑の幅に対応 した表面距離■£が、 第 2 図 （ b ) の面取 り 無 しの も のに比 し長 く な る ため、 表面電界強度は表 ifij距離 ^增に比例 し低減す る。

なお、 面取 り 1 0、 1 2 に代え所定の曲率半径の境界領域で、 前 idベ ベル加工面 と前記外周部 と を連続的に繋げる と エ ッ ジ部が無 く な り、 前 記境界領域のチ ッ ビ ン グの発生も無 く 電界集中低減上更に効果的であ り、 高耐圧化、 大容量化上極めて 有効であ る。

第 3 図は こ の発明の実施の形態 2 を示す も ので、 ア ノ ー ド電極 6 を正 に、 カ ゾ ー ド電極 7 を負にバイ アス した場合に、 破線で示す空乏屑 1 4 の両端位置がベベル加工面 9、 1 1 の範囲内に位置す る よ う に構成 した も ので、 その他の構成は実施の形態 1 と 同一であ る。

空乏層 1 4 の広が り 方は、 こ の領域に も と も と存在 していた P側の正 孔数と N側の電子数 とがつ り 合う よ う にな る た め、 P側 と N側の ¾度 領域、 即ち第 2 導電型の低抵抗層 3 と第 1 導電型の低抵抗層 2 の外周部 をべベル加工面 1 1 、 9 の形成に よ って除去す る と、 ベベル加工面 1 1 、 9 の近傍において空乏層 1 4 が破線で示すよ う に曲げ られ、 その結果、 表面の電界強度がベベル加工面 9、 1 1 を有 しな い も のに比 して低減 し 高耐圧化、 大容量化を図 る こ とが出来 る。

こ の実施の形態 3 はべベル加工面に発生する電解強度は第 1 ^電型の 高抵抗層 1、 第 1 導 ¾型の抵抗層 2 及び第 2 導電型の低抵抗層 3 各層の 抵抗率、 厚み、 ベベル加工の形状に よ っ て泱ま る こ と を利用 してベベル 加工面 1 1 の電界強度が前記第 2 導電型の低抵抗層 3 内部に生 じ る電界 強度よ り 小さ く な る よ う 構成された も ので、 その他の構成は実施の形態 1 と 同一であ る。

こ の よ う に構成す る こ と で、 外周部におけ る電界集中に よ る耐圧低下 を阻止す る こ と がで き、 結果的に高耐圧化を図る こ と が出来る。

この発明の実施の形態 4 は、 ベベル加工の角度 0 1 ヒ Θ 2 を限定 した も ので、 その他の構成は実施の形態 1 と 同一であ る。

即ち第 4 図及び第 5 図に示すよ う にべベル加工の角度 0 1 と 0 2 はそ の角度が大き す ぎて も、 小さ すぎて も 耐圧が低減す る こ とが実験の結果 確認さ れて お り、 角度 0 1 において は 0 . 5 ° ~ 5 ° 、 角度 0 2 におい て は 1 ° 〜 2 0 ° の範囲が突用に供す る こ と を実験の結果確認 した も の で あ る。

即ち角度 0 1 において は第 4 図に示すよ う に 0 . 5 ° ~ 5 ° の範囲に おいて は耐圧低減率 （第 1 の導電型の卨抵抗層 1 の理論耐圧値に対す る 実測耐圧値の割合で、 こ の値が高い程高耐圧を得 る こ と がで き る ） が理 論値の約 8 0 %の耐圧を確保で き実用 に供する こ と が分かる。

ま た、 角度 0 2 においては第 5 図に示す よ う に 1 ~ 2 0 ° の範囲にお いて角度 θ 1 同様に理論値の約 8 0 % の耐 D^:-を確保す る こ とがで き、 実 用 に供す る こ とが分か る。

なお、 第 4 図及び第 5 図は実験を繰 り 返 し、 第 4 図に おいて は 度 Θ 2 の耐圧低減率がピー ク 値の角度 0 2 において角度 0 1 を変化さ せた時 の耐圧低減率を、 ま た第 5 図において は角度 θ 1 の耐圧低減率が ビー ク 値の角度 0 1 において 角度 0 2 を変化さ せた時の耐圧低減率 を 示す も の で あ る。

第 6 図は こ の発明の実施の形態 5 を示す も ので、 ベベル加工面 9、 1 1 のおさ がべベル加工面 9 〉 ベベル加工面 1 1 と な る よ う に構成 した も ので、 そ の他の構成は突施の形態 1 と 'であ る。

第 6 [¾は耐圧特性 6 K V のモデル 1 0 0、 2 0 0、 3 0 0 のべベル加 ェ仕様について耐圧特性を実験よ り 求めた も のであ る。

先ずモデル 1 0 0、 即ちべベル加工面 9、 1 1 の径方向長さ （相当 ） が共に 2 m mで等 しい場合において、 ア ノ ー ド ' ,β極 6 と 力 ソ ー ド 電極 7 問に電圧 6 Κ V を印力!]す る と、 オ シ ロ ス コ 一ブの写 rt Ρ Η — 1 か ら明 ら かな よ う に リ ーク電流が 1 0 m A ( P 1 点を ¾準に 測） に達す る こ と が分かる。

次にモデル 2 0 0、 即ちべベル加工面 9 の ¾方向長さ （相 当 ） が 3 m m、 ベベル加工面 1 1 の ί 方向長さ （相当 ） が 2 m m、 即ち、 ベベル加 工面 9 の径方向長さ > ベベル加工面 1 1 の径方向長さ に構成 し ァ ノ ー ド 電極 6 と カ ソ一 ド電極 7 間に電圧 6 K V ·を 印力 []す る と、 リ ー ク電流が 6 m A ( P 2 点を基準に計測） に達す る こ と が分か る。

ま た モデル 3 0 0、 即ちべベル加工面 9、 1 1 の径方向長さ （相当 ） が共に 3 m mで等 しい場合において は印加電圧が 4 K V強で リ ー ク電流 が著 し く 増大 し耐圧 6 K V用 と して利用出来な い こ と がオ シ ロ ス コ ー プ の写真 P H — 3 か ら 明 ら かで あ る。

こ の よ う な モデル 1 0 0、 2 0 0、 3 0 0 の実験結果よ り、 モデル 2 0 0、 即ち、 ベベル加工面 9 の径方向長'さ 〉 ベベル加工面 1 1 の径方向 長さ に構成す る こ とで耐圧向上を 図 り 得 る こ と が分か る。

第 7 図及び第 8 図は実施の形態 6 を示す図で、 前記べベル加工面 と 前 記外周部 と の境界部に形成す る面取 り を、 前記べベル加工面形成前に行 う よ う に構成 した も ので、 そ の他の構成は実施の形態 1 と同一であ る。 即ちべベル加工面 9、 1 1 の径方向長さ の最低値を確保 した状態にお い てモデル 1 0 ◦、 モデル 3 0 0 の様にベベル加工面 9 の g方向長さ と ベベル加工面 1 1 の径方向長さ と を 同一に した場合に 比 し、 モデル 2 0 0 の様にベベル加工面 9 の径方向長さ を β く す る と、 ベベル加工面 1 1 の径方向長さ 同一の比較において第 2 図 （ a ) に示す - 2寸法、 即ち表面 に おけ る空乏層の幅に 対応す る表面距離 ^ が長 く な り、 その距離 ^ の増 大に比例 しベベル加工面 9 の表面電界強度が低下 し表面 リ ー ク 電流が低 減す る た め、 ベベル加工面 9 の径方向長さ > ベベル加工面 1 1 の径方向 長さ と す る こ と で、 結果的に半導体装置の耐圧向上を図る こ と がで き る。 先ず第 7 図に示すよ う に面取 り 1 0、 1 2 を形成 し、 その後、 第 8 図 に 示すよ う に べベル力 工面 9、 1 1 を加工す る も ので、 その加工方法に つ いて は実施の形態 1 と 同 じであ る。

こ のよ う に、 面取 り 1 0、 1 2 をべベル力 Π工面 9、 1 1 を加工前に行 う こ と で、 前記べベル加工後に、 そ のべベル加工面 と外周 と の境界に形 成されたエ ッ ジ部の前記面取 り 加工を行 う 時に誘発さ れ る チ ッ ビ ン グを 防止す る こ と が出来、 結果的に高耐圧化、 大容量化を図 る こ と が出来 る

5 なお、 前記面取 り に 代え、 所定の曲率半 Sの境界部を形成す る も ので あ って も 良い こ と は言 う ま で も な い。 産業上の利用可能性

以上の よ う に、 本発明にかか る半導体'装 Sは、 亀動機の可変速制御 ィ I D ン バー タ 等の半導体装置 と して、 例えば鉄道車両、 鉄鋼プラ ン ト、 電力 プラ ン ト 等に おけ る 電動機等の制御装 Kにおいて用 い る のに適 して い る。

Claims

請求の範囲

1. 第 1 導電型の低抵抗層 （ 2 ) と、 こ の低抵抗層 （ 2 ) に隣接 し配設 さ れる 第 1 導電型の高抵抗層 （ 1 ) と、 こ の第 1 導電型の高抵抗層 （ 1 ) を前記第 1 導電型の低抵抗層 （ 2 ) とで挟むよ う に前記第 1 導電型の 高抵抗層 （ 1 ) に隣接 し配設される第 2 導電型の低抵抗層 （ 3 ) と を有 し板状を な す と共に、 その外周が、 前記第 1 導電型の低抵抗層 （ 2 ) か ら 前記第 1 導電型の高抵抗屑 （ 1 ) に 向かって、 ま た、 前記第 2 導電型 の低抵抗層 （ 3 ) か ら 前記第 1 導電型の高抵抗層 （ 1 ) に向か っ て夫々 断面積が増大す る よ う にべベル加工さ れた半導体装置において、 少な く と も 一方のベベル加工面 ( 9 , 1 1 ) と前記外周部に形成さ れる外周面 と の境界部に面取 り （ 1 0 , 1 2 ) 、 も し く は所定の曲率半径の境界面 を形成 し た こ と を特徴 と す る 半導体装置。

2. 第 2 導電型の低抵抗層 （ 3 ) の端面か ら のベベル加工の深さ を、 第 1 導電型の低抵抗層 （ 2 ) と第 2 導電型の低抵抗層 （ 3 ) と の間に ¾圧 を 印加 した時に生ず る空乏屑 （ 1 4 ) の一端の前記第 2 導電型の低抵抗 層 （ 3 ) の端面か ら の位置よ り 深 く な る よ う に構成 した こ と を特徴 と す る 請求項第 1 項記載の半導体装置。

3. 第 2 導電型の低抵抗層 （ 3 ) か ら第 1 導電型の高抵抗層 （ 1 ) に 向 か って形成さ れたべベル加工面 （ 1 1 ) の電界強度を前記第 2 導電型の 低抵抗層 （ 3 ) 内部に生 じ る 電界強度よ り 小さ く な る よ う 構成 した こ と を特徴と す る 請求項第 1 項記載の半導体装置。

4. 第 1 導電型の低抵抗屑 ( 2 ) か ら第 1 導電型の高抵抗層 ( 1 ) に 向 か って形成さ れたべベル加工面 （ 9 ) の前記第 1 導電型の低抵抗層 （ 2 ) の外側端面 と のな す角度 （ 0 1 ) を 0. 5 ° ~ 5 ° 、 ま た第 2 導電型 の低抵抗層 （ 3 ) か ら 第 1 導電型の高抵抗層 （ 1 ) に 向かっ て形成さ れ たべベル加工面 （ 1 1 ) の前記第 2 導電せ-!の低抵抗屑 ( 3 ) の外側端面 と のな す角度 （ 0 2 ) を 1 ° 〜 2 0 ° と した こ と を特徴とす る 請求頃第 1 項、 又は第 2 ¾記載の半導体装置。

5. ベベル加工面 （ 9 , 1 1 ) の ί圣方向長さが、 前記第 1 導電型の低抵 抗層 （ 2 ) 側が、 前記第 2 導 S型の低抵抗層 （ 3 ) 側よ り 長 く 構成さ れ た こ と を特徴 と す る 請求項第 4項記載の半導体装置。

6. 第 1 導電型の低抵抗層 （ 2 ) と、 こ の低抵抗屑 ( 2 ) に隣接 し配設 さ れる第 1 導電型の高抵抗層 （ 1 ) と、 こ の第 1 導電型の高抵抗層 （ 1 ) を前記第 1 導電型の低抵抗層 （ 2 ) と で挟むよ う に前記第 1 導 « 3-!の 高抵抗層 （ 1 ) に隣接 し配設される第 2 導電 51の低抵抗^ ( 3 ) と を有 し 円板状を な す と共に、 そ の外周力 前記第 1 導電型の低抵抗 ¾ ( 2 ) か ら前記第 1 導電型の高抵抗層 （ 1 ) に 向かっ て、 ま た、 前 Μ第 2 導電 型の低抵抗層 （ 3 ) か ら前記第 1 導電型の高抵抗/ ( 1 ) に 向か っ て 々断面積が增大する よ う にべベル加工さ れ、 少な く と も 一方のベベル加 工面 （ 9 , 1 1 ) と 前記外周部に形成さ れ る外周面 と の境界部に 面取 り ( 1 0 , 1 2 ) 、 も し く は所 ^の曲率半径の境界面 を形成す る 半導体装 置の製造方法に おいて、 前記境界面 を前記ベベル加 に t'! に加ェす る こ と を特徴 と す る 半導体装置の製造方法。