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WO1998012749A3 - Emittergesteuerter thyristor - Google Patents

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WO1998012749A3
WO1998012749A3 PCT/EP1997/005165 EP9705165W WO9812749A3 WO 1998012749 A3 WO1998012749 A3 WO 1998012749A3 EP 9705165 W EP9705165 W EP 9705165W WO 9812749 A3 WO9812749 A3 WO 9812749A3
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WO
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zone
cathode
emitter
whose
nmosfet
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Shuming Xu
Rainer Constapel
Jacek Korec
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Vishay Semiconductor GmbH
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Vishay Semiconductor GmbH
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Abstract

Bei einem emittergesteuerten Thyristor mit einem Hauptthyristor (TH), der aus einem p+-Anodenemitter (1), einer Driftzone (3') mit entgegengesetztem Leitungstyp, einer Zone (4), welche im ausgeschalteten Zustand gegenüber der Zone (3) eine Sperrzone aufweist und einer kathodenseitigen Emitterzone (5) mit wiederum umgekehrten Leitungstyp gebildet ist, so daß eine Zonenfolge p+n-pn+ entsteht, ist eine dazu parallelliegende Transistorstruktur (T) aus den ersten drei Gebieten abwechselnder Leitfähigkeit mit einem Emitter (1) der Basis (3) und dem Kollektor (8) vorgesehen. Diese Struktur enthält einen NMOSFET (M1) zur direkten Ansteuerung des Kathodenemitters (5) durch den Kathodenanschluß (KA), wobei die Source dieses Transistors von der Kathode ebenso kontaktiert wird, wie das Kollektorgebiet (8), welches an der Oberfläche des Halbleiters ein Kanalgebiet des MOSFET bildet, wobei das zugehörige Draingebiet über einen elektrischen Leiter (6) mit dem n+-Kathodenemitter (5) des Hauptthyristors (TH) verbunden ist. Weiterhin ist ein Einschalt-DMOSFET (M2) vorgesehen, dessen Gate (G2) mit dem Gate (G1) des NMOSFET (M1) verbunden ist, einer Source (S2), welche von der Kathode (K) kontaktiert ist und in einer p-Basis eingebettet ist, wobei eine leitende Verbindung mit der Kathodenkontaktierung des NMOSFET zum Einschalten (M1) besteht und die gemeinsame Verbindung zu einem Kathodenanschluß (KA) geführt ist. Ein Draingebiet (D2) ist in die Driftzone (3) eingebettet, wobei die Substratgebiete von M1 und M2 mit der Kathode kontaktiert sind. Die Struktur enthält einen PMOSFET (M3), dessen Gate mit der Kathode verbunden ist und dessen Drain (D3) Teil des Kollektorgebiets (8) des Transistors (T) für den Nebenstrom ist, dessen Sourcegebiet mit dem kathodennahen Basisgebiet (4) des Hauptthyristors (TH) verbunden ist und dessen Substratgebiet von einem Teil der n-dotierten Zone (3) gebildet wird, welches an die Oberfläche des Bauelements grenzt.
PCT/EP1997/005165 1996-09-21 1997-09-20 Emittergesteuerter thyristor Ceased WO1998012749A2 (de)

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EP97943875A EP0976157A2 (de) 1996-09-21 1997-09-20 Emittergesteuerter thyristor
US09/269,599 US6118141A (en) 1996-09-21 1997-09-20 Emitter-switched thyristor

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19638769A DE19638769C1 (de) 1996-09-21 1996-09-21 Emittergesteuerter Thyristor
DE19638769.8 1996-09-21

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WO1998012749A2 WO1998012749A2 (de) 1998-03-26
WO1998012749A3 true WO1998012749A3 (de) 1999-11-25

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PCT/EP1997/005165 Ceased WO1998012749A2 (de) 1996-09-21 1997-09-20 Emittergesteuerter thyristor

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EP (1) EP0976157A2 (de)
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