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WO1996009668B1 - Dispositif optique - Google Patents

Dispositif optique

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WO1996009668B1
WO1996009668B1 PCT/GB1995/002191 GB9502191W WO9609668B1 WO 1996009668 B1 WO1996009668 B1 WO 1996009668B1 GB 9502191 W GB9502191 W GB 9502191W WO 9609668 B1 WO9609668 B1 WO 9609668B1
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Abstract

L'invention concerne un dispositif optique conçu pour être utilisé comme amplificateur ou modulateur. Ce dispositif comprend un substrat à semiconducteurs (2) pourvu d'une zone allongée formant guide d'ondes (1) et présentant une frontière de guidage de la lumière et s'étend entre une entrée (3) et une sortie (4) pour assurer un rayonnement optique. Une couche optiquement active d'un matériau (6) assure l'amplification de la lumière traversant la zone formant guide d'ondes (1). La largeur (w) de la zone (1) est réduite vers l'extérieur à partir de l'entrée pour permettre l'amplification des signaux optiques d'entrée, et est réduite vers la sortie (4) de manière à concentrer la lumière amplifiée en un seul mode vers la sortie. La concentration de la lumière amplifiée dans la zone active peut générer des effets non linéaires qui sont exploités pour assurer une modulation de données ou une commutation. Dans un mode de réalisation, la zone formant guide d'ondes comprend une première zone active (30) pour amplifier la lumière et une deuxième zone passive (31) pour concentrer la lumière vers la sortie.
PCT/GB1995/002191 1994-09-14 1995-09-14 Dispositif optique Ceased WO1996009668A1 (fr)

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EP94306753.8 1994-09-14
GB9425729.2 1994-12-20
GBGB9425729.2A GB9425729D0 (en) 1994-09-14 1994-12-20 Otical device

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WO1996009668B1 true WO1996009668B1 (fr) 1996-05-23

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DE (1) DE69532083T2 (fr)
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2760850B1 (fr) * 1997-03-13 1999-04-16 Alsthom Cge Alcatel Procede de fabrication de circuits optiques integres permettant de minimiser les pertes optiques de couplage
JP3244114B2 (ja) * 1997-08-18 2002-01-07 日本電気株式会社 半導体光アンプ
FR2768524B1 (fr) * 1997-09-12 1999-10-22 France Telecom Amplificateur a large surface avec recombineur a interferences multimodes
JP3045115B2 (ja) * 1997-09-30 2000-05-29 日本電気株式会社 光半導体装置の製造方法
US6034380A (en) * 1997-10-07 2000-03-07 Sarnoff Corporation Electroluminescent diode with mode expander
FR2770938B1 (fr) * 1997-11-10 1999-12-10 Alsthom Cge Alcatel Amplificateur optique semi-conducteur et source laser integree l'incorporant
US6819687B1 (en) * 1997-12-10 2004-11-16 Nellcor Puritan Bennett Incorporated Non-imaging optical corner turner
FR2779838B1 (fr) * 1998-06-15 2000-08-04 Alsthom Cge Alcatel Composant optique a semiconducteur et amplificateur et convertisseur de longueurs d'onde constitues par ce composant
FR2786278B1 (fr) * 1998-11-24 2001-01-26 Cit Alcatel Composant optique a semi-conducteur comportant un adapteur de mode
US6614585B1 (en) 1999-05-06 2003-09-02 Trumpf Photonics Inc. Phase conjugating structure for mode matching in super luminescent diode cavities
SE9902916L (sv) * 1999-08-16 2001-02-17 Ericsson Telefon Ab L M Modulator och integrerad krets
CA2404451A1 (fr) * 2000-02-25 2001-08-30 Princeton Lightwave, Inc. Diode superluminescente haute puissance a guide d'onde courbe multipasse
SE521023C2 (sv) * 2000-07-07 2003-09-23 Ericsson Telefon Ab L M Optisk anordning samt framställning därav
IES20000820A2 (en) * 2000-10-11 2002-05-29 Nat Univ Ireland A single frequency laser
US20020176152A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-28 Paola Parolari Intensity modulation of optical signals
KR100393193B1 (ko) * 2001-09-29 2003-07-31 삼성전자주식회사 광 도파로와 ｍｅｍｓ 액추에이터를 구비한 가변 광 감쇠기
KR100446524B1 (ko) * 2002-11-25 2004-09-04 삼성전자주식회사 파장분할 다중화/역다중화기
EP1624325B1 (fr) * 2004-08-03 2013-05-22 STMicroelectronics Srl Structure optique intégrée, sensible à l'énergie rayonnée dans la gaine d'un circuit optique planaire
JP4505470B2 (ja) * 2005-01-20 2010-07-21 富士通株式会社 光導波路デバイス及び半導体デバイス
US8615029B2 (en) * 2009-12-30 2013-12-24 Ipg Photonics Corporation Optical device
US10758886B2 (en) 2015-09-14 2020-09-01 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Conditioned surfaces for in situ molecular array synthesis
US11774446B2 (en) 2016-06-20 2023-10-03 Cowper Sciences Inc. Methods for diagnosis and treatment of autoimmune diseases
WO2017223116A2 (fr) 2016-06-20 2017-12-28 Healthtell Inc. Procédés pour le diagnostic différentiel de maladies auto-immunes
WO2018045300A1 (fr) * 2016-09-01 2018-03-08 Luxtera, Inc. Procédé et système destinés à un modulateur de phase à haute vitesse à jonction verticale
EP3538893A4 (fr) 2016-11-11 2020-09-23 Healthtell Inc. Procédés pour l'identification de biomarqueurs candidats
JP6245419B1 (ja) * 2017-04-04 2017-12-13 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
CN118140367A (zh) * 2021-09-23 2024-06-04 自由光子学有限责任公司 用于半导体激光器和光放大器的电流控制的分段接触

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5850790A (ja) * 1981-09-19 1983-03-25 Mitsubishi Electric Corp 光半導体デバイス
JPS59154089A (ja) * 1983-02-22 1984-09-03 Sony Corp 半導体レ−ザ−
FR2598862B1 (fr) * 1986-05-16 1994-04-08 Bouley Jean Claude Laser a semi-conducteur a reaction distribuee et a longueur d'onde continument accordable.
US4815084A (en) * 1987-05-20 1989-03-21 Spectra Diode Laboratories, Inc. Semiconductor laser with integrated optical elements
JPH03284892A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Fujitsu Ltd 光増幅装置
JP2839699B2 (ja) * 1990-11-08 1998-12-16 株式会社東芝 進行波型光増幅器
US5140651A (en) * 1991-06-27 1992-08-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Semiconductive guided-wave programmable optical delay lines using electrooptic fabry-perot elements
US5179568A (en) * 1991-08-28 1993-01-12 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration Self-collimated unstable resonator semiconductor laser
US5392308A (en) * 1993-01-07 1995-02-21 Sdl, Inc. Semiconductor laser with integral spatial mode filter
DE4322164A1 (de) * 1993-07-03 1995-01-12 Ant Nachrichtentech Optoelektronisches Bauelement mit Rückkopplungsgitter, mit axial quasi-kontinuierlich und nahezu beliebig variierbarem Gitterkopplungs-Koeffizienten, mit quasi-kontinuierlich axial verteilbarer Brechungsindex-Variation, sowie mit axial nahezu beliebig verteilbarer und variierbarer Phasenverschiebung
FR2709566B1 (fr) * 1993-09-02 1995-09-29 Alcatel Nv Composant optique actif semiconducteur à ruban.
US5517517A (en) * 1994-06-30 1996-05-14 At&T Corp. Semiconductor laser having integrated waveguiding lens
AU2002233082B2 (en) * 2001-02-02 2005-11-10 Conjuchem Biotechnologies Inc. Long lasting growth hormone releasing factor derivatives

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