WO1992004810A1 - Equipement servant a neutraliser les charges electriques d'un materiau - Google Patents
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- H05F3/06—Carrying-off electrostatic charges by means of ionising radiation
Definitions
- the present invention relates to an apparatus for neutralizing a charged material, such as a substrate (wafer) or a carrier thereof, in a manufacturing process of a semiconductor device, which is extremely easily charged and which needs to be prevented from being charged. It is about. Background technology _
- Figure 9 shows the amount of suspended particles attached to the wafer in the clean room due to the electrostatic force with respect to the surface potential of ⁇ ⁇ 8.
- the horizontal axis represents the wafer potential and the vertical axis represents the number of attached particles.
- the number of attached particles is the number of particles attached to the effective area of the wafer (69.4 [cm 2 ] in the case of 5 inches), and the particle size per unit volume (cubic foot) is This is the number converted to the number of particles adhering to the effective area, assuming that the wafer is left for 5 hours in an atmosphere containing 10 particles of 0.5 [ ⁇ m] or more.
- Fig. 10 shows the range of adhesion of suspended particles due to electrostatic force when a high voltage (1000 [V]) is applied to W and the particle diameter is used as a parameter.
- the particle density is set to 1 [gZ cm 3 ].
- a rectangular frame line indicates a zero potential
- a broken line in the frame line indicates an equipotential line
- a solid line indicates an electric force line.
- a method using a so-called ionizer that is, a method in which a corona discharge is generated in an air atmosphere where a wafer or a wafer carrier is placed, and a resulting ion and a charged charge are neutralized.
- the corona discharge in the atmosphere is used. Therefore, among the generated ions, the positive ions are mainly water ions (H 20 ) n H +, and the water ions (H 20 ) n H + While the negative ions are mainly C 0 3 —, ⁇ ⁇ ⁇ —, and SO x ”, all of which have a strong oxidizing power, and have the same nature as the positive ions. This may cause oxide film formation.
- the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and prevents the generation of a dark current or a leak current due to the formation or contamination of a natural oxide film in a charged material that is easily charged.
- the purpose of the present invention is to provide a neutralizing device capable of performing the above. Disclosure of the invention
- the invention according to claim 1 provides a housing capable of storing a charged object having a predetermined charge, and introducing at least a gas non-reactive with the charged object into the housing. And a neutralizing charge generating means for selectively generating the predetermined charge and neutralizable ions in the housing.
- the invention according to claim 2 is characterized in that the neutralizing charge generating means includes a light source for projecting ultraviolet light for generating ions and electrons in the housing into the housing.
- the neutralizing charge generating means includes: a light source for projecting ultraviolet light into the housing; and a photocathode member provided in the housing and receiving the ultraviolet light to generate an external photoelectric effect. And electron generating means.
- the neutralizing charge generating means includes: a light source for projecting an ultraviolet ray into the housing; and an external light source provided in the housing and receiving the ultraviolet light.
- a first neutralizing charge generating means including a photocathode member for generating a photoelectric effect
- a second neutralizing charge generating means including a discharge device for performing corona discharge in the housing.
- the first and second neutralized charge generating means are selectively operable.
- the invention of claim 5 or claim 6 is characterized in that, in the invention of claims 1 to 4, the non-reactive gas is high-purity nitrogen or high-purity argon.
- the charged material when transferring an easily-charged material such as C to perform various processes (for example, transfer from a pretreatment chamber to an oxidation process chamber), the charged material is placed in a housing where the charged material is disposed.
- a non-reactive gas nitrogen, argon, etc.
- the charged substance is positively charged, ultraviolet light is emitted from the light source constituting the neutralizing charge generating means into the housing.
- the atmosphere in the case is excited, and electrons or negative ions are neutralized with the positive charge of the charged material.
- FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG.
- FIG. 3 is a top view of FIG.
- FIG. 4 is a longitudinal sectional view taken along the line IV-IV in FIG.
- FIG. 5 is a longitudinal sectional view taken along line VV of FIG.
- FIG. 6 is a front view taken along the line VI-VI of FIG.
- FIG. 7 is a plan view taken along the line VII-VII of FIG.
- FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
- FIG. 9 is a graph showing the relationship between the surface potential of the wafer and the number of attached particles.
- FIG. 10 is a schematic diagram showing a range of attachment of suspended particles on a charged wafer.
- FIG. 10 is a schematic diagram showing a range of attachment of suspended particles on a charged wafer.
- FIG. 11 is an embodiment of the present invention, and is a perspective view showing a neutralized charge generating means constituted only by an ultraviolet irradiation light source.
- FIG. 12 is a diagram showing a time change of the wafer potential under a predetermined nitrogen gas flow rate.
- FIG. 13 is a graph showing the change in the static elimination time with respect to the H concentration.
- FIG. 14 is a graph virtually illustrating a change in ion composition with respect to the H 20 concentration.
- Figure 1 5 is Ru graph der showing changes in static elimination time for H 9 0 concentration under a high temperature atmosphere of the housing.
- FIG. 16 is a diagram showing a time change of the wafer potential at a predetermined nitrogen gas flow rate. Fig.
- FIG. 17 shows a comparison between the case where the neutralized charge generation means composed of the photocathode member is used under the predetermined H20 concentration and the case where the neutralized charge generation means having the configuration without the photocathode member is used.
- FIG. 1 8 Figure in 2 0 concentration under other predetermined H 17 is a graph similar to FIG. -
- 1 is a housing, 3 and 3 3 are ⁇ ⁇ (charged material), 30 is a tunnel housing, 5 a and 5 b are photocathode members (first neutralized charge generating means), 8 a and 8 b are light sources (First neutralizing charge generating means, third neutralizing charge generating means), 10a, 10b are needle electrodes (second neutralizing charge generating means), 11a, 11b Is a counter electrode (second neutralizing charge generating means).
- FIG. 1 shows an embodiment of a neutralization device according to the present invention.
- a rectangular parallelepiped casing 1 is formed by joining six panels 1 a to lf which are conductors (SUS or the like). the central portion of the top panel 1 a, is substantially square hole-like opening 1 is formed, on the opening 1 a () 4 sheets of conductor (SUS or the like) in a triangular panel 1 a to l a
- a quadrangular pyramid-shaped housing projection 1A made of d is formed.
- the panels 1b to lf are grounded, and an insulator lm is interposed between the upper panel 1a and the other panels 1b to lf. Is electrically insulated from the panels lb to lf.
- the wafer 3 supported by the support may be configured to be connected to a voltage supply unit for a charging test.
- a gas introduction pipe 4 is connected to the top of the housing projection 1A, and the gas introduction pipe 4 is connected to a gas supply source (not shown) via a valve 4a.
- the gas supplied from the gas supply source via the valve 4B and the flow meter 4A is a gas that is non-reactive with respect to the wafer 3, ie, nitrogen N that does not contaminate the wafer 3.
- Gas (or Argon Ar gas, etc.) is selected.
- a DC power supply 15 for example, 100 [V;] to +100 [V] for controlling ion generation described later is provided with a high resistance 16 on the housing projection 1A.
- the side panels 1b and 1d are attached with exhaust pipes 22 each having a valve 23.
- disc-shaped photocathode members 5a and 5b are attached to the inner surfaces of the opposing triangular panels 1A and 1Ac of the housing projection 1A, respectively (see FIG. 3).
- hoods 6b and 6a are attached to the side panels 1f and 1e of the housing 1, respectively.
- the hoods 6a and 6b have transmission windows 7 that are at least transparent to ultraviolet rays. a and 7b are fixed (see Fig.
- a light source for projecting ultraviolet rays toward the photocathode members 5a, 5b through the transmission windows 7a, 7b respectively is provided near the hoods 6a, 6b. Lamps, etc.) 8a and 8b are provided. If necessary, the light sources 8a and 8b may be provided with a filter for shutting off heat.
- the photocathode members 5a and 5b, the light sources 8a and 8b, and the like constitute first neutralized charge generating means.
- disc-shaped insulating members 9a and 9b are attached to the opposing triangular panels lAb and 1Ad of the housing projection 1A (see FIG. 3), respectively.
- needle-shaped electrodes 10a and 1 Ob whose center portions are coated with quartz are protruded toward the inside of the housing 1, and are paired with the needle-shaped electrodes 10a and 1 Ob, respectively.
- the opposite electrodes 11a and 11b are attached.
- the needle electrodes 10a and 1 Ob are connected to a high-voltage power supply (not shown) via wires 12a and 12b, respectively.
- the counter electrodes 11a and 1113 are connected to wires 13 & and 13b, respectively. Grounded via As shown more clearly in FIG.
- the counter electrodes 11 a and 11 b have an annular portion 11 a centered on the needle electrode 10 a (the same applies to the electrode 1 Ob). () And a support wire portion 11 a connected to the electric wire 13 a. Further, as shown in FIG. 7, the insulation member 9b (9 a-versa.) The flange opening of the panel 1 A b by screws 14 through the attachment hole 9 b Q formed on the outer peripheral portion Fixed.
- the needle electrodes 10a, 1 Ob and the counter electrodes 11a, lib, etc., serving as a discharge device, constitute second neutralized charge generating means.
- a voltage probe 17 is provided below the wafer 3 supported on the support stands 2a to 2d, and a surface potentiometer 18 is connected to the probe 17.
- the surface electrometer 18 is connected to a lamp control unit 19,
- the lamp control unit 19 is connected to the light source 8a (the same applies to the light source 8b).
- an insulating tube 20 is fitted into the side panel 1 f, one end of the insulating tube 20 faces the inside of the housing 1, and the other end is connected to the ion analyzer 21.
- the surface electrometer 18 is connected to a discharge control unit connected to the needle electrodes 10a, 10Ob.
- a heat-radiating means such as a water-cooled type or an air-cooled type is provided on the outer surface of the housing projection 1A.
- the probe 17 is positively charged when the wafer 3 placed in the housing 1 into which nitrogen gas is introduced is positively charged, for example, by handling with a fluorine resin device.
- the surface electrometer 18 displays a predetermined positive potential.
- the lamp control unit 19 is activated, the light sources 8a and 8b are turned on, and the photocathode members 5a and 5b are irradiated with ultraviolet rays.
- electrons are generated at the housing projection 1A, and the electrons are generated by the flow of nitrogen gas flowing from the upper portion of the housing projection 1A (for example, the maximum flow velocity is 10 [m / sec]).
- the wafer moves to a lower wafer 3 due to an electric field from the upper part of the housing projection 1A toward the bottom of the housing 1.
- the amount of generated electrons can be controlled by adjusting the DC power supply 15.
- the electrons that have reached the surface of the wafer 3 are neutralized with the positive charges of the wafer 3, and the neutralization causes the surface electrometer 18 to be below the predetermined value (below 10 [V]). 8a and 8b go out.
- the control unit operates, and a voltage is applied to the needle electrodes 10a and 10b to start corona discharge, and positive ions of nitrogen gas are generated in the housing 1 together with electrons.
- the amount of generated positive ions can be controlled by adjusting the DC power supply 15.
- the generated positive ions reach the surface of the wafer 3 along the flow of the nitrogen gas and neutralize with the negative charges charged on the wafer 3, and the neutralization causes the surface electrometer 18 to fall below the predetermined value. Then, the supply of voltage to the needle electrodes 10a and 10b is stopped.
- the ion concentration inside the housing 1 can be monitored by the ion analyzer 21.
- Water (H 20 ) which is particularly harmful to the wafer, is set to a concentration of 20 [ppb] or less, which does not affect the contamination of water by introducing high-purity nitrogen gas or argon gas into the housing 1. be able to.
- the wafer When the wafer is blown with a high-speed nitrogen gas flow, the wafer is charged with a negative charge and becomes a high potential as described above, but comes into contact with a low-speed nitrogen gas flow of, for example, less than 10 [mZ sec]. In such a case, the wafer has only a low potential of at most several tens of volts or less. In such a case, the situation where the positive charge state changes to negative does not occur.
- FIG. 11 shows another embodiment having a simplified configuration of the above embodiment.
- the photocathode members 5a and 5b constituting the first neutralized charge generating means in the above embodiment are omitted, and the third neutralized charge generating means constituted only by the light sources 8a and 8b This is to show what is provided.
- the light source 8 a, 8 b the shortest wavelength, for example 1 4 5 using what may be irradiated with ultraviolet rays is [nm], H 2 0 at a normal temperature of the temperature in the case if e
- the concentration of introducing nitrogen gas in the housing 1 is 9. 3 [ppm]
- the nitrogen gas is introduced in the housing 1 molecules and H o 0 molecules are excited by the irradiated UV This is based on the use of ionization.
- FIG. 12 shows the experimental results of this example. Specifically, the flow rate of the nitrogen gas introduced into the housing 1 was set to 1 [1 / min], and the inside of the housing 1 was cooled to room temperature. This shows the relationship with the charge elimination time [sec] of the electric charge charged to the ⁇ ⁇ c 3 when placed at.
- the residual potential of the wafer 3 even when the wafer 3 is charged to a positive or negative high potential (for example, soil 30000 [V]), the residual potential of the wafer 3 always and finally It can be understood that the potential can be set to zero potential.
- a positive or negative high potential for example, soil 30000 [V]
- the potential can be set to zero potential. The reason for this zero potential The reason can be explained that in the case of the irradiation with only the ultraviolet rays, the gas molecules near the wafer are ionized to equal amounts of positive and negative charges.
- the charge elimination time differs depending on whether the initial charge polarity of C is positive or negative. For example, when ⁇ ⁇ ha is charged to +300 [V], the time to reach +300 [V] is from 0.3 to 0.4 [sec], whereas — When charged to 300 [V], the time required to reach 1300 [V] is about 5 seconds.
- the negative ions that neutralize positive charges are mostly composed of electrons with high mobility, and the positive ions that neutralize negative charges are N 2 +, (H 2 0) since is composed of n H + (hydro Niu-ion) or the like, due to the fact that the time to reach the Uweha for neutralization are different.
- FIG. 13 shows the relationship between the H ⁇ 0 concentration in the housing 1 and the charge elimination time.
- Contact name in this case, H 2 0 concentration are performed by the range of 2 ⁇ 1 0 0 [ppm], the nitrogen gas flow rate was set to 1 [I Zm in], in the housing 1 set to a normal temperature of room temperature did.
- the static elimination time is the longest when the 0 concentration is 100 [ppm]. This is presumably because impurities other than moisture are released from the inner wall of the housing 1 and many of the impurities are easily negatively ionized. In other words, the negative ion When the total number increases, even if the sum of the negative ions and the electrons is the same, the number of negative ions increases as the number of negative ions increases. Because it becomes.
- the static elimination time is shortened when the H 2 0 concentration is low, the mobility is believed to be due to due to electrons becomes dominant.
- the time from when the wafer is positively charged (when the wafer is charged to +3000 [V]) to when the wafer potential becomes +50 [V] the H ⁇ O concentration is 2 [ppm ] Is slightly longer than 9.3 [p pm]. This is considered to be because the total number of ions H 2 0 concentration is produced and decreases is reduced. For when H 2 0 concentration has decreased even smaller than 2 [ppm], but merely some guess, dividing charging time becomes total power of the generated ions constant it would also be constant.
- the neutralization time is the longest when the H 20 concentration is 2 [ppm], and the shortest when the H 20 concentration is 9.3 [ppm]. There is not much difference. This is the ⁇ 1 2 0 ion composition Heni spoon between concentration change is considered to be because occurred. That is, high H. At 0 concentration, there is a large amount of hydrogen, and this is a force that increases the number of clusters in which multiple water molecules are bonded.
- H.0 H + (mass: 19), N 2 + (mass: 28), and (H 20 ).
- H + (mass: 37) ⁇ (H 20 ) n Increases in the order of H +. Therefore, the charge elimination time becomes shorter as the proportion of (H 2 0) H + ions is increased, and becomes longer as the (H 2 0) n H + is increased.
- Fig. 15 shows a comparison of the static elimination performance between the case where the inside of the housing 1 is placed at a high temperature (more specifically, at 100 [° C]) and the room temperature. It is shown. According to this, the static elimination time is shortened to nearly half that at the time of the baking as compared with the case at normal temperature.
- the ambient temperature rises, the free path of the molecules becomes longer, resulting in higher mobility of ions (including electrons) and shorter time required for neutralization. a, it is believed to occur by, as described above, the composition of the ions by a change in H 2 0 concentration changes.
- the positive ions of mass when H 2 0 concentration is 2 0 ⁇ 4 0 [ppm] is considered to be the shortest discharge time so a minimum, in fact the Since the first and second causes act in combination, it is considered that the static elimination performance is improved during the baking.
- FIGS. 17 and 18 show the static elimination with respect to the nitrogen gas flow rate between the case where the photocathode member is irradiated with ultraviolet rays as in the above-described embodiment and the case where the housing is directly irradiated with ultraviolet rays as in this embodiment.
- the photocathode member 5a (same for 5b) was made of A1.
- the static elimination time is shorter in the case of the above embodiment.
- the charge elimination time is longer when negative charging is performed than when charging is positive, the difference is not remarkably large.
- the present example can be reduced to about 1/10. Has been demonstrated. Force has an excellent effect that the residual potential on the wafer can always be reduced to zero.
- FIG. 8 shows another embodiment of the present invention.
- nitrogen gas or argon gas, etc.
- a transport conveyor 34 is provided in the tunnel housing 30, and a plurality of supports 33 are placed on a large number of supports 35 provided on the transport conveyor 34.
- Tunnel housing protrusions 31 are provided at predetermined intervals above the body 30, and nitrogen gas is introduced from above each of the tunnel housing protrusions 31.
- a surface voltmeter 32 is provided in the vicinity of each tunnel housing projection 31, and each surface voltmeter 32 is attached to the control unit 36.
- the control unit 36 is connected to neutralizing charge generating means (not shown) provided on each of the tunnel housing protrusions 3J.
- the neutralizing charge generating means is configured to selectively generate positive or negative ions, and has the same configuration as the first and second neutralizing charge generating means in the above embodiment. is there.
- the neutralizing charge generating means operates to selectively generate positive ions by the operation of the control unit 36, thereby neutralizing the charge of the wafer.
- the nitrogen gas for the transfer atmosphere is used. It does not affect the gas flow velocity.
- the wafer when the wafer is regulated so as to be charged only positively, it can be dealt with only by providing a neutralizing charge generating means for generating only negative ions (electrons).
- a neutralizing charge generating means for generating only negative ions (electrons).
- a housing capable of storing a charged object having a predetermined charge, and introducing at least a gas non-reactive with the charged object into the housing.
- a neutralizing charge generating means for selectively generating ions capable of neutralizing the predetermined charge and the inside of the housing. Unnecessary charges such as formation of a natural oxide film or generation of dark current or leak current can be avoided because neutralization is performed in a gas atmosphere that is not reactive to easily charged materials. The situation can be prevented beforehand.
- the neutralizing charge generating means is configured to include at least a light source for projecting ultraviolet light capable of exciting an atmosphere in the housing into the housing. Excellent effect that static electricity can be eliminated in one tenth of the time compared to static electricity removal by a ionizer, and the residual potential of charged material (wafer) can always be zero. Is 0
- the neutralizing charge generating means includes: a light source for projecting ultraviolet light into the housing; and a photocathode provided in the housing and receiving the ultraviolet light to generate an external photoelectric effect. It is characterized by a neutralizing charge generating means consisting of members and forces, so if the charged material is always positively charged, the selection of ion generation for neutralization can be unified, The overall configuration of the apparatus can be simplified.
- the neutralized charge generating means is provided in the housing and a light source for projecting ultraviolet light into the housing.
- a first neutralizing charge generating means comprising: a photocathode member for generating an external photoelectric effect upon receiving the ultraviolet light; and a second neutralizing charge generating means comprising: a discharge device for performing corona discharge in the housing. Since the first and second neutralized charge generating means are selectively operable, the neutralized charge generating means can be easily configured by a simple method. it can.
- the non-reactive gas is high-purity nitrogen, so that it can be obtained at low cost.
- the non-reactive gas is high-purity argon, it effectively acts as an inert gas on all charged materials. .
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Description
明 細 書
帯電物の中和装置
技術分野
本発明は、 帯電物、 例えば半導体デバイスの製造工程における基体 (ウェハ) やそのキャリアのように極めて帯電し易く、 また、 帯電を回避する必要があるも のの帯電電荷を中和させるための装置に関するものである。 背景技術 _
従来、 例えば半導体デバイスの製造においてはウェハに所定の処理を順次行な うべく、 専用通路を介して、 あるいは直接的に一の処理室から他の処理室への移 送等が行なわれることが多い。 この場合、 ゥヱハについては掴持、 移動等各種の ハンドリングが行なわれる機会が多く、 特にそのハンドリング時にウェハと接触 する器具等は、 ウェハの金属汚染を回避すべく、 通常、 フッ素系樹脂や石英等に より形成されているので、 ゥヱハはその接触等により当該器具に対する帯電序列 の関係から正に帯電し、 かつ、.高電位になり易い。 '
例えば、 フッ素系樹脂から成るピンセッ トによる掴持時には + 5 0 0〜十 3 3 0 0 [V] 、 ポリプロピレンから成るスタンド上への載置時には + 6 0 0〜 + 2 0 0 0 [V] 、 フッ素系樹脂から成るピンセットを用いての石英プレート上 への載置時には + 1 0 0 0〜+ 1 .5 0 0 [V] 、 超純水による洗浄時には + 5 0 0〜+ 3 3 0 0 [V] 、 窒素ガスの吹き付け時には一 2 0 0〜一 1 0 0 0 [V] 、 という具合に、 ウェハに対する接触物の帯電序列に応じて正負に帯電す る。
しかしながら、 ゥヱハやそのキャリアが帯電した場合、 ゥヱハやそのキャリア に静電気力による浮遊粒子が付着したり、 あるいは製造中の半導体デバイスが静 電気放電により破壊したりする。
図 9は、 クリーンルーム内でのウェハにおける静電気力による浮遊粒子の付着 量をゥヱ八の表面電位に対して示したものであり、 ゥヱハとして 5ィンチウェハ を用い、 これを導電性のグレーチング床上に絶縁スタンドを介して垂直に設置し
た場合の実験結果を表している。 同図において、 横軸はゥ -ェハ電位を、 縦軸は付 着粒子数を示している。 ここで、該付着粒子数とは、 ウェハの有効面積 (5イン チウヱ八の場合 6 9 . 4 [ c m2] ) に付着する粒子の数であり、 単位体積 (キ ユービックフィート) 当り粒径が 0. 5 [^ m] 以上の粒子が 1 0個含まれる雰 囲気中にゥ ハを 5時間放置したとして、 前記有効面積に付着する数に換算した ものである。
同図によれば、 ゥヱハを垂直に設置した場合、 重力沈降による堆積がほとんど ないので、 ウェハ電位が 0〜5 0 [V] と低いときには粒子付着が無くなる。 た だし、 ゥヱハ電位が 3 0 0〜 1 8 0 0 [V] と上昇するに従い、静電気力の影響 により付着粒子数は急激に増大する。
図 1 0は、 ゥヱハ Wに高電圧 (1 0 0 0 [V] ) を印加し、 静電気力による浮 遊粒子の付着範囲を粒子径をパラメータとして示したものである。 この場合、 粒 子密度は 1 [ gZ c m3] に設定している。 なお、 同図中、 長方形の枠線は 0電 位を示しており、 該枠線内の破線で示す線は等電位線を、 実線で示す線は電気力 線を示している。
これによると、 粒子の粒径が 2 [/ m] のときはゥヱハに付着する粒子は殆ど なく、 0 . 5 [〃m] 、 0. 1 [^ m] と小さくなるに応じて、 付着範囲は急激 に広がる。 すなわち、 浮遊粒子が小さいほど静電気力の影響を受けてウェハに付 着し易いことが理解できる。
ところで、 上記のようなウェハあるいはウェハキャリアへの帯電の防止手段と しては、
第 1に、 いわゆるィオナイザを用いる手法、 すなわちウェハあるいはウェハキ ャリアが置かれる大気雰囲気内でコロナ放電を発生させ、 これにより生じたィォ ンと帯電電荷とを中和させる手法、
第 2に、 接地された金属体、 あるいは接地された導電性物質 (カーボン、 金属 等) を混在させて成る樹脂材料によりゥヱハをハンドリングして帯電電荷を放電 させる手法、
等が知られている。
しかしながら、上記従来の第 1の手法によれば大気中でのコロナ放電を利用し
ているので、 発生するイオンのうち、 正イオンは水のイオン (H20)nH+が主た るものであり、 該水のイオン (H20)nH+は、 ゥヱハ表面で自然酸化膜の成長を 助長させることになる一方、 負イオンは C 03— , Ν Οχ— , S Ox" が主たるもので あり、 これらはいずれも酸化力が強く、 前記正イオンの場合と同様に自然酸化膜 形成の要因となる。
—方、 上記従来の第 2の方法では、 金属あるいは導電性材料と直接的に接触す るので、 これらの粒子がゥェハに付着することとなり暗電流やリーク電流を生じ させる要因となる。
本発明は上記従来技術の課題を解決するべくなされたものであり、 容易に帯電 し易いゥヱハのような帯電物における、 自然酸化膜の形成あるいは汚染による暗 電流やリーク電流の発生を未然に防止できる中和装置を提供することを目的とす る。 発明の開示
上記目的を達成すべく、 請求項 1の発明は、 所定の電荷を帯びた帯電物を収納 可能な筐体と、 少なくとも前記帯電物に対して非反応性のガスを前記筐体内に導 入するためのガス導入手段と、 前記筐体内に前記所定の電荷と中和可能なイオン を選択的に発生させるための中和電荷発生手段とを備えたことを特徴とする。 請求項 2の発明は、 前記中和電荷発生手段は、 筐体内にイオン及び電子を発生 させるベく紫外線を筐体内に投光するための光源から成ることを 徴とする。 請求項 3の発明は、 前記中和電荷発生手段は、 紫外線を前記筐体内に投光する ための光源と、 前記筐体内に設けられ前記紫外線を受けて外部光電効果を生じさ せる光電陰極部材とから成るィォン及び電子発生手段であることを特徴とする。 請求項 4の発明は、 請求項 1の発明において、 前記中和電荷発生手段は、 紫外 線を前記筐体内に投光するための光源と、 前記筐体内に設けられ前記紫外線を受 けて外部光電効果を生じさせる光電陰極部材とから成る第 1の中和電荷発生手 段、 及び前記筐体内でコロナ放電をさせるための放電装置から成る第 2の中和電 荷発生手段とを備えて成り、該第 1及び第 2の中和電荷発生手段は選択的に作動 可能であることを特徴とする。
請求項 5又は請求項 6の発明は、 請求項 1乃至請求項 4„の発明において、 前記 非反応性のガスが、 高純度の窒素又は高純度のアルゴンであることを特徵とす る。
例えば各種プロセスを施すべくゥ ハのような容易帯電物を移送する場合 (例 えば前処理室から酸化プロセス室への移送) 、 該帯電物が配される筐体内に、 該 帯電物に対して非反応性のガス (窒素、 アルゴン等) を導入しておき、 該帯電物 が正に帯電しているときは、 中和電荷発生手段を構成する光源から紫外線を筐体 内に投光して筐体内雰囲気を励起し、 そのうちの電子あるいは負ィォンを帯電物 の正電荷と中和させる。
一方、 前記移送物が負に帯電した場合は、 前記励起により笸体内で発生した正 イオンを帯電物の負の電荷と中和させる。 図面の簡単な説明
図 1は本発明の一実施例を示す斜視図である。 図 2は図 1の I I一 I I線に 沿う断面図である。 図 3は図 1の上面図である。 図 4は図 3の I V— I V線に沿 う縦断面図である。 図 5は図 3の V— V線に沿う縦断面図である。 図 6は図 5の V I— V I線に沿う正面図である。 図 7は図 5の V I I— V I I線に沿う平面図 である。 図 8は本発明の他の実施例を示す概略構成図である。 図 9はウェハの表 面電位と付着粒子数との関係を示すグラフである。 図 1 0は帯電ウェハにおける 浮遊粒子の付着範囲を示す模式図である。 図 1 1は本発明の実施例であり、 中和 電荷発生手段を紫外線の照射光源のみにより構成したものを示す斜視図である。 図 1 2は所定の窒素ガス流量下におけるウェハ電位の時間変化を示す図である。 図 1 3は Hり 0濃度に対する除電時間の変化を示すグラフである。 図 1 4は H 2 0濃度に対するイオン組成の変化を仮想的に示すグラフである。 図 1 5は筐 体の高温雰囲気下における H 9 0濃度に対する除電時間の変化を示すグラフであ る。 図 1 6は所定の窒素ガス流量におけるウェハ電位の時間変化を示す図であ る。 図 1 7は所定の H 2 0濃度下において光電陰極部材で構成される中和電荷発 生手段を用いた場合と、光電陰極部材を省略した構成の中和電荷発生手段を用い た場合の比較を示すグラフである。 図 1 8は他の所定の H 2 0濃度下における図
1 7と同様なグラフである。 -
1は筐体、 3 , 3 3はゥヱハ (帯電物) 、 3 0はトンネル筐体、 5 a , 5 b は光電陰極部材 (第 1の中和電荷発生手段) 、 8 a , 8 bは光源 (第 1の中和電 荷発生手段、 第 3の中和電荷発生手段) 、 1 0 a, 1 0 bは針状電極 (第 2の中 和電荷発生手段) 、 1 1 a , 1 1 bは対向電極 (第 2の中和電荷発生手段) 。 発明を実施するための最良の形態
図 1は、 本発明に係る中和装置の一実施例を示すものであり、 直方体状の筐体 1は導体 (S U S等) である 6枚のパネル 1 a〜l fを接合して成り、 その上面 パネル 1 aの中央部には、 略四角穴状の開口部 1 が形成され、 該開口部 1 a () 上には 4枚の導体 (S U S等) である三角パネル 1 A a〜l A dから成る四角錐 体状の筐体突部 1 Aが形成されている。 なお、 前記パネル 1 b〜l f は接地さ れ、 上面パネル 1 aと他のパネル 1 b〜l f との間には絶縁物 l mが介在してお り、 その結果、 前記筐体突部 1 Aは、 パネル l b〜l f とは電気的に絶縁されて いる。
前記筐体 1の底面パネル 1 bの中央部上には、 4本の直立した支持スタンド 2 a〜2 dが設けられ、 該支持スタンド 2 a〜2 dの上部に形成される支持部に は、 ゥヱハ 3が載置されるようになっている (図 2参照) 。 なお、 前記支持部に 支持されたウェハ 3には、 帯電試験用の電圧供袷手段を接続するように構成して もよい
また、 前記筐体突部 1 Aの頂部にはガス導入管 4が連結され、 該ガス導入管 4 はバルブ 4 aを介して図示しないガス供給源に接続されている。 ここで、 該ガス 供給源からバルブ 4 B及び流量計 4 Aを介して供給されガスは、 前記ゥ ハ 3に 対して非反応性のガス、 すなわちウェハ 3を汚染しない窒素 N。ガス (あるいはァ ルゴン A rガス等) が選ばれる。
なお、 前記筐体突部 1 Aには後記イオン発生の制御用の直流電源 1 5 (例え ば、 一 1 0 0 0 [V;] 〜 + 1 0 0 0 [V] ) が高抵抗 1 6を並列に接続して設け られている一方、 前記側方パネル 1 b、 1 dには夫々バルブ 2 3を有する排気管 2 2力取付けられている。
さらに、 前記筐体突部 1 Aの相対向する三角パネル 1 A 、 1 Acの内面側に は、 円板状の光電陰極部材 5 a、 5 bが夫々取付けられている (図 3参照) 一 方、 前記筐体 1の側面パネル 1 f、 1 eには、 フード 6 b、 6 aが夫々取付けら れており、 該フード 6 a、 6 bには少なくとも紫外線に対して透明な透過窓 7 a、 7bが夫々固定されている (図 4参照) 。 また、 前記フード 6 a、 6 bの 近傍には、 夫々前記透過窓 7 a、 7 bを介し前記光電陰極部材 5 a、 5 bに向け て紫外線を投光するための光源 (紫外線ランプ、 水銀ランプ等) 8 a、 8 bが設 けられている。 なお、 必要に応じて該光源 8 a、 8 bには熱遮断用のフィルタを 設けてもよい。
前記光電陰極部材 5 a、 5 b、光源 8 a、 8 b等は、 第 1の中和電荷発生手段 を構成する。
—方、 前記筐体突部 1 Aの相対向する三角パネル lAb、 1 Adには、夫々円 板状の絶縁部材 9 a、 9 bが取付けられており (図 3参照) 、該絶縁部材 9 a、 9 bには、 その中心部に石英コーティングした針状電極 10 a、 1 Obが筐体 1 内に向かって突設されていると共に、 該両針状電極 10 a、 1 Obと夫々対にな る対向電極 1 1 a、 1 1 bが取付けられている。 なお、 前記針状電極 10 a、 1 Obは夫々電線 12 a、 12 bを介して図示しない高圧電源に接続されている —方、 前記対向電極 1 1 a、 1 113は夫々電線13 &、 13bを介して接地され ている。 前記対向電極 1 1 a、 1 1 bは、 図 6によりその構成をさらに明確に示 すように、 前記針状電極 10 a (電極 1 Obについても同様) を中心とする環状 の部分 1 1 a()と、 前記電線 13 aに接続される支持線の部分 1 1 a,とから成 る。 また、 図 7に示すように、 前記絶縁部材 9b (9 aも同様である。 ) はその 外周部に形成された取付孔 9 b Qを介してビス 14によりパネル 1 A bのフランジ 開口部に固定される。
放電装置としての前記針状電極 10 a、 1 Obや前記対向電極 1 1 a、 l i b 等は第 2の中和電荷発生手段を構成する。
他方、 図 4に示すように、前記支持スタンド 2 a〜2 d上に支持されたウェハ 3の下方には、 電圧プローブ 17が設けられており、 該プローブ 17には表面電 位計 18が接続され、 該表面電位計 18はランプ制御ュニット 19に接続され、
該ランプ制御ユニッ ト 1 9は前記光源 8 a (光源 8 bも同様) に接続されてい る。 さらに、 前記側方パネル 1 f には絶縁管 2 0が嵌挿され、 該絶縁管 2 0の一 端は筐体 1内に臨まされ、 その他端はイオンアナライザー 2 1に接続されてい る。 なお、 図示は省略されているが、 前記表面電位計 1 8は、 前記針状電極 1 0 a、 1 O bに接続された放電制御ュニッ卜に接続されている。 また、 図示は 省略されているが、 前記筐体突部 1 Aの外表面には、 水冷式、 空冷式等の放熱手 段が設けられている。
本実施例は上記のように構成されているので、 窒素ガスを導入した筐体 1内に 置かれたウェハ 3が、 フッ素系樹脂製の器具によるハンドリング等により、 正に 帯電するとプローブ 1 7がこれを検知し、 前記表面電位計 1 8は所定の正電位を 表示する。 該電位計 1 8の表示が所定値を越えると、 前記ランプ制御ュニッ ト 1 9が作動し、 前記光源 8 a、 8 bが点灯し、 前記光電陰極部材 5 a、 5 bに紫 外線が照射され、 電子が前記筐体突部 1 Aに発生し、 該電子は筐体突部 1 Aの上 部から流入する窒素ガスの流れ (例えば、 最大流速が 1 0 [m/ s e c ] ) によ り、 あるいは筐体突部 1 Aの上部から筐体 1の底部に向かう電界により下方のゥ ェハ 3に移行する。 この場合、 電子の発生量は、 前記直流電源 1 5を調整するこ とにより制御できる。 該ゥヱハ 3の表面上に達した電子はゥヱハ 3の正電荷と中 和し、 該中和により前記表面電位計 1 8が前記所定値以下 (数 1 0 [V] 以下) になると、 前記光源 8 a、 8 bは消灯する。
—方、 例えば高速の窒素ガス流との接触等により、前記ゥヱハ 3が負に帯電し たときには、 前記表面電位計 1 8の表示が負となり、該表示値が所定値を越える と、 前記放電制御ュニッ卜が作動し、 前記針状電極 1 0 a、 1 0 bへの電圧供袷 によりコロナ放電が開始し、 筐体 1内に電子と共に窒素ガスの正イオンが発生す る。 この場合、 正イオンの発生量は、 前記直流電源 1 5を調整することにより制 御できる。 該発生した正ィォンは窒素ガスの流れに沿つてウェハ 3の表面に達 し、 ゥュハ 3に帯電した負電荷と中和し、 該中和により前記表面電位計 1 8が前 記所定値以下になると、 前記針状電極 1 0 a、 1 0 bへの電圧供給が停止する。 筐体 1の内部のイオンの濃度は前記イオンアナライザー 2 1により監視すること ができる。
なお、 ウェハに特に有害な水 (H20) は、筐体 1内への高純度窒素ガス又はァ ルゴンガスの導入により、 ゥヱハの汚染に影響のない 2 0 [p p b ] 以下の濃度 に設定することができる。
ウェハが高速の窒素ガス流により吹きつけられると、 上述したようにウェハに は負の電荷が帯電し高電位になるが、 例えば 1 0 [mZ s e c ] 未満の低速の窒 素ガス流と接触した場合には、 ゥヱハは高々数十 [V] 以下程度の低電位になる に過ぎないので、 例えばゥヱハがこのような低速窒素ガス流と接触する前に、 ノヽ ンドリング等により正に帯電していた場合、 その正の帯電状態が負に変わるよう な事態は生じない。
上記実施例の説明においては、 ウェハが正又は負に帯電した場合、 夫々の帯電 電荷を中和させるための中和電荷発生手段を用いるようにしたが、 例えばウェハ の帯電が常に正に帯電するべくハンドリングを行なうように規制しておけば、 負 イオン (あるいは電子) を発生させる中和電荷発生手段を設けるだけで対応でき 図 1 1は、上記実施例を簡略した構成とした他の実施例、換言すれば上記実施 例における第 1の中和電荷発生手段を構成する光電陰極部材 5 a、 5 bを省略 し、 光源 8 a、 8 bのみにより構成された第 3の中和電荷発生手段を設けるよう にしたものを示すものである。 すなわち、 本実施例の場合、 前記光源 8 a、 8 b は最短波長が、 例えば 1 4 5 [n m] である紫外線を照射し得るものを用い、 例 えば常温の筐体内温度下で H20濃度が 9. 3 [p p m] である筐体 1内に窒素ガ ス を導入すると、前記照射された紫外線により前記筐体 1内に導入された窒素ガ ス分子や Ho0分子が励起してイオン化するのを利用したものである。
図 1 2は本実施例の実験結果を示すものであり、 具体的には、 筐体 1内に導入 される窒素ガスの流量を 1 [ 1 /m i n] とし、該筐体 1内を常温下に置いた場 合におけるゥヱハ 3に帯電された電荷の除電時間 [ s e c ] との関係を示すもの である。
これによると、 本実施例の構成の場合、 ウェハ 3を正負の高電位 (例えば土 3 0 0 0 [V] ) に帯電させた場合でも、該ゥヱハ 3の残留電位を、 常に、 最終 的にゼロ電位にすることが可能であることが理解できる。 このゼロ電位になる理
由は、 前記紫外線のみの照射の場合、 ウェハ近傍のガス分子が等量の正負の電荷 に電離することによるものと説明できる。
また、 図 1 2からはゥヱハの当初の帯電極性が正であるか負であるかにより除 電時間が異なることも理解できる。 例えば、 ゥヱハを + 3 0 0 0 [V] に帯電さ せたときに + 3 0 0 [V] に達するまでの時間は 0. 3〜0. 4 [ s e c ] であ るのに対し、 — 3 0 0 0 [V] に帯電させたときに一 3 0 0 [V] に達するまで の時間は約 5秒である等のごとくである。 この理由は、 正の電荷を中和する負ィ オンはほとんどが移動度の大きい電子により構成され、 負の電荷を中和する正ィ オンは移動度の小さい N2+、 (H20)nH+ (ハイドロニゥムイオン) 等で構成さ れるので、 中和のためにゥヱハに到達する時間が異なることによる。
なお、 筐体 1内に導入される窒素ガスの流量を増大させると、 イオンあるいは 電子の移動度を増大させることになるので、 除電時間は短くなるものと推測され る。
図 1 3は筐体 1内の Hゥ 0濃度と前記除電時間との関係を示すものである。 な お、 この場合、 H20濃度は 2〜1 0 0 [p p m] の範囲で行 い、 窒素ガス流量 は 1 [ I Zm i n] に設定し、 筐体 1内は常温の室温下に設定した。
これによると、 ゥヱハを正に帯電させた場合、 H20濃度が 9. 3 [p p m] であるとき除電時間が最も短くなるという傾向を示すのに対して、 ウェハを負 に帯電させたときは H20濃度が 2 [p p m] のとき除電時間が最も長くなる。 これは、 除電時間が単純にィォン濃度のみに関係するものではないことを示唆す るものである。 すなわち、 H20 分子と窒素分子とでは H。0の方がイオン化が 容易であり、 H。0濃度が高いときの方が生成されるイオン総数が大きいが、 除 電時間は必然的に短くなるものではない。 すなわち、 除電時間はイオンの総数の みならず、 移動度の大きさにも関係するので、 イオンの組成が除電時間について 支配的になると考えるべきである。
一方、 同図に示すように、 ゥヱハが正に帯電した場合、 H。0濃度が 1 0 0 [ p p m] であるときに、 除電時間が最も長くなることが理解できる。 これは、 筐 体 1の内壁から水分以外の他の不純物が放出され、 その不純物の中に負イオン化 し易いものが多く含まれているからであると考えられる。 すなわち、 負イオンの
総数が多くなると、負イオンと電子の総和が同じでも負ィすンの数が多くなるに 従 ヽ移動度は負イオンによるものが支配的となるため、 ゥヱハにイオンが到達す る時間が長くなるからである。
他方、 ウェハが正に帯電した場合、 H20濃度が小さいときに除電時間が短く なるのは、 移動度が電子によるものが支配的となるためであると考えられる。 なお、 図 13によると、 ウェハを正に帯電したとき (+ 3000 [V] に帯電 したとき) からゥヱハ電位が +50 [V] になるまでの時間は、 H^O濃度が 2 [p pm] のときの方が 9. 3 [p pm] の ときよりも若干長くなつている。 これは、 H20 濃度が小さくなると生成されるイオンの総数が少なくなるためで あると考えられる。 H20濃度が 2 [ppm] よりもさらに小さくなつた場合に ついては、 あくまでも推測ではあるが、生成されるイオンの総数力一定となり除 電時間も一定になると考えられる。
また、 図 13から理解できるように、 ゥヱハが負に帯電した場合、 H20濃度 が 2 [ppm] のとき除電時間が最も長く、 9. 3 [ppm] のとき最も短くな るが、 両者の差はあまりない。 これは、該^120 濃度の変化の間にイオンの組成 変ィ匕が生じたためであると考えられる。 すなわち、 高 H。0濃度下ではハイドロ ニゥムィォンが多く存するので、 複数個の水分子が結合したクラスターが多くな る力ヽらである。
なお、 イオンの移動度はその ma s sが大きくなる程、,具体的には (H。0) H+ (ma s s : 19 )、 N2 + (m a s s : 28 )、 (H20)。H+ (ma s s : 37) ··· (H20) nH +の順序で大きくな る。 従って、 除電時間は (H20) H+のイオンを含む割合が多くなる程短くなり、 (H20) nH+が多くなる程長く なる。
これについては、 本発明者により仮想的に描かれた図 14力、ら、 H20濃度に 対する各イオンの組成の関係を知ることによりさらに理解が深められる。 すなわ ち、 同図に示すように、 例えば HnO濃度が 1 00 [p pm] である場合、 (H 0) H+が 70〜80%を占めており残りは (H。0) 。H+により占められ、 結果 として平均 ma s sは 24程度になり、 H20濃度が 9. 3 [ppm] であ る場合、 (H。0) H+と N2 +が同程度の割合で占められており、結果として平均
m a s sは 2 3程度になり、 そして、 H20濃度が 2 [p p.m] である場合、 その ほ とんどが N0+で占められ結果として平均 m a s sは 2 8程度となる。 換言すれ ば、 平均 m a s sと除電時間との間には一定の相関性が見られると理解できる。 図 1 5は、 筐体 1内を高温度 (より具体的には 1 0 0 [°C] でべ一キング) 雰 囲気下に置いた場合と常温下に置いた場合における除電性能の比較を示したもの である。 これによると、 除電時間は前記べ一キング時の方が常温下の場合の半分 近くに短くなる。 これは第 1に、 雰囲気温度が上昇すると、 分子の自由行程が長 くなり、 その結果、 イオン (電子を含む) の移動度が大きくなり中和に要する時 間が短縮されること、 第 2に、 前述したように、 H20濃度の変化によりイオン の組成が変化することにより生じるものと思われる。 なお、 第 1 4図に示す内容 のみから推測すると、 H20濃度が 2 0〜4 0 [ p p m] のとき正イオンの m a s sが最小となるので除電時間も最短となると考えられるが、 実際は前記第 1及 び第 2の原因が複合して作用するので、 前記べ一キング時には除電性能が向上す るものと考えられる。
図 1 6は上記実施例のように紫外線を A 1の光電陰極部材に照射した場合にお いて、 筐体 1内を H20濃度が 9 C p p m] で常温下に保ち、 窒素ガスを所定の 流量 ( 1 [ 1 i n] ) で流し、 上記実施例のように紫外線を A 1の光電陰極 部材に照射したときの結果を示すものである。 なお、 同図の上側の各プロットは ウェハを正に帯電した場合であり、 下側の各プロットは負に帯電させた場合であ り、 前者の方が後者の方に比べて除電時間が長くなつている。 なお、 窒素ガスの 流量を増大させると、 除電時間が短くなることは上記図 1 2において説明した通 りである。
図 1 7及び図 1 8は、 上述した実施例のように紫外線を光電陰極部材に照射し た場合と本実施例のように直接紫外線を筐体内に照射する場合とにおいて、 窒素 ガス流量に対する除電時間の変化を比較すべく示したものであり、 なお、 図 1 7 は筐体 1内の H20濃度が 9 [ p p m] であるとき、 図 1 8は 2 [ p p m] であ るときのものであり、 光電陰極部材 5 a ( 5 bも同様である) として A 1から成 るものを用いた。
これによると、 いずれの場合も光電陰極部材 5 aに紫外線を照射した方、 すな
わち上記実施例の場合の方が除電時間は短くなることが理解できる。 また、 ゥヱ ハを負に帯電させた場合の方が正に帯電させた場合に比べて除電時間は長いがそ の差は著しく大きいというものではない。
ここで、 光電陰極部材 5 aを取り付けた場合の実施例のとき、 該光電陰極部材 5 aから電子が放出されているか否かを確認すべく行われた実験例につき説明す る。 本実験例では、光電陰極部材 5 aを取り付けている筐体 1の上部を電気的に 絶縁した状態で紫外線を照射したときの筐体 1の電位変化を検証してみた。 電子 が放出されていれば筐体 1は正に帯電するはずであるが筐体 1の電位には変化が 見られなかった。 この結果は光電陰極部材を取り外した場合でも、 また、 ウェハ の電位を種々変化させた場合いずれにおいても同様であった。 なお、 この結果に ついては他の実験条件、 例えば光学フィルタを用いて照射する紫外線の波長を変 えたり、 ウェハのィォン電流を測定する等によりさらに精度良 t、検証を行う必要 がある。
さらに、 図 1 7及び図 1 8からは窒素ガス流量と除電時間との所定の相関性は 見られないが、 これは実験条件の設定に改善の余地があるだけであり、 相関性が ないということではない。 付言すれば、上記したように流量を増大すれば除電時 間が短縮するという相関性が成立することには変わらない。
なお、 ィオナイザを取り付けた従来の手法の場合と、 光電陰極部材を省略した 構成の本実施例の場合とで、 除電時間を比較すると、 本実施例の方が約 1 0分の 1に短縮できることが実証された。 し力、も、 ウェハへの残留電位を常にゼロにす ることができるという優れた効果を有している。
図 8はもう一つの他の実施例を示すものであり、 トンネル筐体 3 0内は一定の 搬送雰囲気を確保すべく、 窒素ガス (あるいはアルゴンガス等) が常時搬送方向 (同図の右方向) に所定の気流速度で流れている。 そして、 該トンネル筐体 3 0 内には搬送コンベア 3 4が設けられ、 該搬送コンベア 3 4上に設けられた多数の 支持台 3 5上に夫々ゥヱハ 3 3を載置する一方、 前記トンネル筐体 3 0の上部に 所定間隔を置いてトンネル筐体突部 3 1を設け、該各トンネル筐体突部 3 1の上 部からは窒素ガスを導入するようにしている。 また、 各トンネル筐体突部 3 1の 近傍には、 夫々表面電位計 3 2を設け、 各表面電位計 3 2は制御ュニット 3 6に
接続され、 該制御ュニッ ト 3 6は、 各卜ンネル筐体突部 3 Jに設けられた中和電 荷発生手段 (図示省略) に接続されている。 ここで、 中和電荷発生手段は、 選択 的に正又は負のイオンを発生するように構成されており、 上記実施例における第 1、 第 2の中和電荷発生手段と同様な構成のものである。
本実施例は上記のように構成されているので、 前記トンネル筐体 3 0内を通過 するウェハ 3 3が例えば窒素ガス気流との接触により負に帯電し、 表面電位計 3 2の表示値が所定値を越えると、 前記制御ュニット 3 6の作動により中和電荷 発生手段が選択的に正のイオンを発生するように作動し、 当該ウェハの帯電を中 和させる。
なお、 各トンネル筐体突部 3 1の上部からトンネル筐体 3 0内に導入される窒 素ガスは、 ゥヱハ 3 3の搬送方向に流される窒素ガスに比べて少ないので、 搬送 雰囲気用の窒素ガスの気流速度に影響を与えることはな 、。
本実施例の場合も、 例えばウェハが正にのみ帯電するように規制されている場 合、 負イオン (電子) のみを発生する中和電荷発生手段を設けるだけで対応でき ることは上記実施例と同様である。 産業上の利用可能性
以上のように、 請求項 1の発明によれば、 所定の電荷を帯びた帯電物を収納可 能な筐体と、 少なくとも前記帯電物に対して非反応性のガスを前記筐体内に導入 するためのガス導入手段と、 前記筐体内に前記所定の電荷と中和可能なイオンを 選択的に発生させるための中和電荷発生手段とを備えたことを特徴とするので、 筐体内における容易帯電物の帯電を回避することができ、 容易帯電物に対して非 反応性のガス雰囲気内で中和が行なわれることから、 自然酸化膜の形成あるいは 暗電流やリーク電流の発生というような不所望の事態を未然に防止することがで き 。
請求項 2の発明によれば、 前記中和電荷発生手段は、 少なくとも前記筐体内の 雰囲気を励起可能な紫外線を前記筐体内に投光するための光源から成るように構 成されており、 少なくともィオナイザによる除電に比べて 1 0分の 1の時間で除 電できる他、 帯電物 (ウェハ) の残留電位を常にゼロにできるという優れた効果
である 0
このように請求項 2の発明の場合、 少なくとも従来のィオナイザを用いた構成 に比べて、 完全無発塵、 電磁ノイズフリー、 オゾンフリー (窒素雰囲気中) 、 等 を実現でき、 極めて優れた除電性能 (除電時間、 残留電位等を評価対象とするも の) を有し、 除電システムの容易化が行え、 各種分野における広汎な活用が十分 に期待できる。
請求項 3の発明によれば、 前記中和電荷発生手段は、 紫外線を前記筐体内に投 光するための光源と、 前記筐体内に設けられ前記紫外線を受けて外部光電効果を 生じさせる光電陰極部材と力、ら成る中和電荷発生手段であることを特徴とするの で、 帯電物が常に正に帯電するものに限られる場合、 中和のためのイオン発生の 選択を一本化でき、 装置全体構成の簡略化を図ることができる。
請求項 4の発明によれば、請求項 1記載の帯電物の中和装置において、前記中 和電荷発生手段は、 紫外線を前記筐体内に投光するための光源と、前記筐体内に 設けられ前記紫外線を受けて外部光電効果を生じさせる光電陰極部材とから成る 第 1の中和電荷発生手段、 及び前記筐体内でコロナ放電をさせるための放電装置 から成る第 2の中和電荷発生手段とを備えて成り、 該第 1及び第 2の中和電荷発 生手段は選択的に作動可能であることを特徴とするので、 中和電荷発生手段を簡 単な手法で容易に構成することができる。
請求項 5の発明によれば、 請求項 1乃至請求項 4の発明において、 前記非反応 性のガスは、 高純度の窒素であるので、安価に入手可能である。
請求項 6の発明によれば、請求項 1乃至請求項 4の発明において、 前記非反応 性のガスは、高純度のアルゴンであるので、 あらゆる帯電物に対し不活性なガス として有効に作用する。
Claims
( 1 ) 所定の電荷を帯びた帯電物を収納可能な筐体と、 少なくとも前記帯電物 に対して非反応性のガスを前記筐体内に導入するためのガス導入手段と、 前記筐 体内に前記所定の電荷と中和可能なイオン及び電子を選択的に発生させるための 中和電荷発生手段とを備えたことを特徴とする帯電物の中和装置。
( 2 ) 前記中和電荷発生手段は、 少なくとも前記筐体内の雰囲気を励起可能な 紫外線を前記筐体内に投光するための光源から成ることを特徴とする請求項 1に 記載の帯電物の中和装置。
( 3 ) 前記中和電荷発生手段は、 紫外線を前記筐体内に投光するための光源 と、 前記筐体内に設けられ前記紫外線を受けてイオン及び電子を発生させるベく 外部光電効果を生じさせる光電陰極部材とから成ることを特徴とする請求項 1に 記載の帯電物の中和装置。
( 4 ) 前記中和電荷発生手段は、 紫外線を前記筐体内に投光するための光源 と、 前記筐体内に設けられ前記紫外線を受けて外部光電効果を生じさせる光電陰 極部材とから成る第 1の中和電荷発生手段、 及び前記筐体内でコロナ放電をさせ るための放電装置から成る第 2の中和電荷発生手段とを備えて成り、 該第 1及び 第 2の中和電荷発生手段は選択的に作動可能であることを特徵とする請求項 1に 記載の帯電物の中和装置。
( 5 ) 前記非反応性のガスは、 高純度の窒素である請求項 1乃至請求項 4のい ずれか 1項に記載の帯電物の中和装置。
( 6 ) 前記非反応性のガスは、 高純度のアルゴンである請求項 1乃至請求項 4 のいずれか 1項に記載の帯電物の中和装置。
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