[go: up one dir, main page]

UA45463C2 - Пристрій для пoмноження напруги з малою залежністю вихідної напруги від напруги живлення - Google Patents

Пристрій для пoмноження напруги з малою залежністю вихідної напруги від напруги живлення Download PDF

Info

Publication number
UA45463C2
UA45463C2 UA99010011A UA99010011A UA45463C2 UA 45463 C2 UA45463 C2 UA 45463C2 UA 99010011 A UA99010011 A UA 99010011A UA 99010011 A UA99010011 A UA 99010011A UA 45463 C2 UA45463 C2 UA 45463C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
voltage
output
transistor
pump
transistors
Prior art date
Application number
UA99010011A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Крістл Лаутербах
Мартін Блох
Original Assignee
Сіменс Акцієнгезельшафт
Сименс Акциенгезельшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сіменс Акцієнгезельшафт, Сименс Акциенгезельшафт filed Critical Сіменс Акцієнгезельшафт
Publication of UA45463C2 publication Critical patent/UA45463C2/uk

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/06Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/06Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

Предмет заявки відноситься до пристрою для помноження напруги, що потрібна, наприклад, для ПППЗ ЕС із швидким паралельним стиранням. Вказаний пристрій для помноження напруги виконаний у вигляді виконаного на МОН-транзисторах багатокаскадного генератора накачки зарядів, оснащеного регулятором, здатним формувати імпульси накачки і вольтодобавки в залежності від напруги на виході пристрою. Крім того, для підвищення ефективності роботи регулятора частина вихідної напруги через подільник напруги підведена до основ транзисторів накачки і вольтодобавки. Перевагою винайденого пристрою є порівняно просте і надійне регулювання напруги на виході також і в інтегральних схемах, у яких припускаються значні коливання напруги живлення.

Description

Опис винаходу
Для програмування енергонезалежних пристроїв запам'ятовування, як, наприклад, ПППЗ ЕС із швидким 2 паралельним стиранням, застосовують отримані так званими генераторами накачки "високі значення напруги" - близько ЗОВ, причому ці генератори накачки напруги працюють за принципом ємнісного помноження напруги і містять по одному МОН-діоду й одному конденсатору на каскад накачки. В разі інтегральних схем, що повинні допускати значні коливання напруги живлення, використовують регульовані генератори накачки напруги, що значною мірою забезпечують постійне номінальне значення внутрішньої напруги. Ці генератори накачки заряду або напруги повинні бути розраховані таким чином, щоб і при малих значеннях напруги живлення, наприклад, 2,58, ще забезпечувалося номінальне значення внутрішньої напруги, наприклад, 58. Це призводить, однак, до того, що при високих напругах живлення, наприклад, 5В або 6В, за дуже короткий час досягається порівняно дуже висока напруга (20 або 308), що призводить до значних проблем при регулюванні.
В європейській заявці 0 350 462 описана схема регулювання напруги на виході помножувача напруги, в якій 72 тактові сигнали подаються від кільцевого генератора, частота котрого залежить від напруги на виході.
В європейській заявці 0 135 889 описано схему помноження напруги, у котрій основи р-канальних транзисторів жорстко з'єднані з напругою живлення, а основи п-канальних транзисторів жорстко з'єднані з опорним потенціалом.
В європейській заявці 0 678 970 описано схему помноження напруги, в котрій передбачені декілька однакових каскадів, які містять кожен два транзистори і два конденсатори, причому виводи основи усіх транзисторів мають спільний рівень напруги.
Найближчим до винаходу є описаний в статті А. ОШтелгама еї а). "А 5-М-Опіу Орегайоп О,буит Ріазй ЕЕРКОМ мій Ком Юесодег Зспете іп Тгіріе-УУеі! 5ігисіцге", ІЄЕЄЕ дотаї! ої Боїа е(айе Сігсийв, том 27, Мо 11 (1992) пристрій для помноження напруги, що містить послідовно з'єднані високовольтні р-МОН-транзистори накачки і с 29 додаткові транзистори вольтодобавки. Недоліком такої схеми є те, що внаслідок ефекту помноження напруги Ге) при незначних змінах напруги живлення вихідна напруга може коливатися у значних межах. Тому цей пристрій не придатний для інтегральних схем, що повинні припускати значні коливання напруги живлення.
Задачею винаходу є створення пристрою для помноження напруги, що має малу залежність напруги на виході від напруги накачки або, відповідно, від напруги живлення і є придатним для якомога ширшого діапазону о змін напруги живлення. (Се)
Ця задача вирішена у пристрої для помноження напруги, що містить, щонайменше, два транзистори накачки з'єднані послідовно, причому перший транзистор накачки з'єднаний безпосередньо з вводом напруги на вході, а т останній транзистор накачки безпосередньо або опосередковано з'єднаний з виводом напруги на виході 1 пристрою, при цьому затвори непарних транзисторів накачки через перші ємності з'єднані з виводом першого 32 тактового сигналу, а парні транзистори накачки через інші перші ємності з'єднані з виводом другого тактового З сигналу, причому непарні сполучні вузли послідовної схеми через другі ємності з'єднані з входом третього тактового сигналу і парні сполучні вузли послідовної схеми через інші другі ємності з'єднані з входом четвертого тактового сигналу, в якому згідно з винаходом вихід пристрою з'єднаний із регулятором, здатним « формувати перший, другий, третій і четвертий тактові сигнали таким чином, що при відповідній напрузі на вході З7З 70 встановлюється бажане значення напруги на виході, причому на виході пристрою встановлений подільник с напруги, вихід якого з'єднаний з виводами основ усіх транзисторів накачки. Завдяки цьому при зміні напруги "з живлення регулятор шляхом зміни тактових імпульсів намагається підтримувати сталою вихідну напругу, а частина вихідної напруги, підведена до основ транзисторів накачки, змінює зміщення вказаних основ, яке певною мірою компенсує зміну напруги живлення. 75 Крім того, згідно з винаходом затвор кожного транзистора накачки через відповідний транзистор те вольтодобавки з'єднаний з відповідним вузлом з'єднання з попереднім транзистором накачки, а затвор кожного 1 транзистора вольтодобавки з'єднаний з відповідним вузлом з'єднання з наступним транзистором накачки або входом пристрою, причому усі виводи основ транзисторів вольтодобавки і транзисторів накачки з'єднані з т виходом подільника напруги. Реалізація цих ознак також сприяє зменшенню залежності вихідної напруги від
Ге») 50 напруги живлення.
Згідно з винаходом, подільник напруги утворений послідовно з'єднаними р-канальним МОН-транзистором і с» струмообмежувальним елементом, виходом подільника напруги є вузол з'єднання першого виводу р-канального
МОН-транзистора і першого виводу струмообмежувального елемента, інший вивід якого з'єднаний з опорним потенціалом, причому інший вивід р-канального МОН-транзистора з'єднаний з виходом пристрою, а вивід 59 затвора р-канального МОН-транзистора з'єднаний з виводом напруги живлення.
ГФ) Використаний у подільнику напруги струмообмежувапьний елемент утворений двома послідовно з'єднаними т МОН-транзисторами у діодному включенні, що сприяє спрощенню технології виготовлення чіпа, оскільки в такому разі немає потреби у збільшенні типів напівпровідникових елементів.
Здатний формувати тактові імпульси накачки і вольтодобавки регулювальний пристрій містить 60 пропорційно-диференційний регулятор, який покращує динамічні характеристики регулювального пристрою.
Далі винахід пояснюється за допомогою креслень, на яких показано: фіг.1 - блок-схема пристрою, що відповідає винаходу, і фіг.2 - діаграма напруги на виході в залежності від напруги накачки для відомого пристрою для помноження напруги і пристрою, що відповідає даному винаходу.
На фіг.1, як приклад, показано виконаний відповідно до винаходу чотирикаскадний пристрій для одержання бо напруги на виході Мртр, причому перший каскад містить МОН-транзистор Х1 і п-МОН-транзистор У1, а також конденсатор 11 і конденсатор 12, другий каскад містить п-МОН-транзистори Х1, У2, а також конденсатори 21, 22, третій каскад містить п-МОН-транзистори ХЗ, УЗ, а також конденсатори 31, 32 і четвертий каскад містить п-МОН-транзистори Х4, У4, а також конденсатори 41 і 42 . Напругу на вході Міп у відповідному винаходові пристрої відведено до виводу транзистора Х1, причому цей вивід з'єднаний із виводом затвора транзистора У1 |і є входом першого каскаду. Затвор транзистора Х1 з'єднаний із виводом транзистора У1 і через конденсатор 11 з тактовим виводом 4. Вихід першого каскаду з'єднаний із другим виводом транзистора У1 і другим виводом транзистора Х71, а також через конденсатор 12 із тактовим виводом РІ. Вхід другого каскаду з'єднаний із виходом першого каскаду, а вихід другого каскаду з'єднаний з входом третього каскаду. Структура другого /о каскаду відповідає структурі першого каскаду, причому конденсатор 21 з'єднаний не як конденсатор 11 - з тактовим виводом 4, а з виводом тактового сигналу Е2, а конденсатор 22 не як конденсатор 12 - з виводом тактового сигналу Е1, а з виводом тактового сигналу ЕЗ. Третій і четвертий каскади за своєю структурою і за управлінням тактовими сигналами відповідають двом першим каскадам і під'єднані після другого каскаду. На виході четвертого каскаду передбачений включений у прямому напрямку діод 0, з виводу катода якого знімають 7/5 вихідну напругу Мртр.
Транзистори вольтодобавки У1...74 хоча і підвищують ефективність генератора напруги накачки, однак, не є обов'язково необхідними для винаходу.
З напруги живлення Май, що може коливатися, наприклад, між 2,5 і 5В, одержують тактові сигнали накачки Е1 і ЕЗ і тактові сигнали вольтодобавки Е2 і Б4, наприклад, за допомогою генератора і наступної тригерної логіки. Значення напруги тактових сигналів Р1...24 при цьому коливаються в тому ж діапазоні, що і напруга живлення. За допомогою блока регулювання, наприклад, пропорційно-диференціального блока регулювання РО, виконаного так, що при відповідному значенні напруги на вході Міп встановлюється бажане значення напруги на виході Мртр навіть без спеціального під'єднання виводів основи, якщо тільки є відповідний регулятор напруги.
Як блок регулювання може використовуватися також простий пропорційний регулятор або більш ефективний, с ов але й більш складний, пропорційно-інтегрально-диференційний (ПІД-) регулятор.
Крім того пристрій, що відповідає даному винаходу, містить регульований подільник напруги, що містить і) р-канальні транзистори МІ, М2 і М3З, причому ці транзистори М1...МЗ з'єднані послідовно і два транзистори М2 і
МУЗ з'єднані як струмообмежувальні діоди. Замість струмообмежувальних діодів можливими є також інші струмообмежувальні елементи, як, наприклад, один або декілька резисторів. На перший вивід транзистора М1 с зо подається напруга виходу Мртр, а другий вивід транзистора МІ, на затвор якого подається напруга Мав, з'єднаний з першим виводом транзистора М2, причому вузол сполучення подає напругу Му; на усі виводи основ ікс, транзисторів Х1...Х4, а також У1...74. Другий вивід і вивід затвора транзистора М2 з'єднані з виводом основи «г і першим виводом транзистора М3. Другий вивід і вивід затвора транзистора М3З з'єднані з опорним потенціалом дпа. о
У даному винаході наявний ефект керування основою високовольтних КМОН-транзисторів цілеспрямовано «Е використовують для того, щоб зробити більшим вплив генератора напруги накачки при малих напругах живлення Май і зменшити його - при високих напругах живлення Уа, що значно спрощує регулювання.
Регулювання спрощується, бо, як показано на Фіг. 2, розмах напруги Мртр, що підлягає регулюванню, при розмаху напруги Ма, в даному випадку, від 2,5В до 5,58, знижується від 12,68 аж до 4,58. «
Щоб задіяв ефект керування основою, амплітуда сигналу вольтрдобавки в генераторі накачки зарядів в с повинна знижуватися приблизно до 1 В. Подільник напруги на транзисторах М1...МЗ3 забезпечує, завдяки розв'язці напруги живлення Уда через затвор транзистора МІ, більш низьке значення напруги Му на виводах ;» основ транзисторів Х1...Х4 й, при необхідності, транзисторів У1...74 при високій напрузі живлення Май, що відповідає низькому коефіцієнту керування через основу.
При напрузі живлення Мас, наприклад, 2,58 напруга Мм/ на кишені становить, наприклад, 4,38 і при значеннях їх напруги живлення від близько 4,7В досягає постійного значення близько 0,78. При значенні напруги живлення
Ууда менше або рівному 3,18 паразитний струм витікання тече через зміщені в прямому напрямку діоди між о джерелом і р-кишенею транзисторів Х1...Х4 і, при необхідності, й транзисторів МУ1...74, за рахунок чого їх напруга Мм/ на кишені знижується. Для лінійно регульованого діапазону подільника напруги на транзисторах
М1...МЗ, тобто для напруг живлення між 3,18 і 4,78, досягається значення АМртр/АМадй близько 0,98/18
Ме, порівняно з 4,4В/18 - для пристрою без подільника напруги на транзисторах М1...МЗ3. Завдяки цій меншій 4) залежності вихідної напруги генератора накачки від напруги живлення Маа регулювання значно спрощується.
На фіг.2 показана діаграма, на котрій значення напруги на виході Мртр подано через амплітуду імпульсів вольтодобавки/накачки Е1...4 для відповідного даному винаходові пристрою у вигляді графа 1, а для в Відповідного пристрою без подільника напруги на транзисторах М1...МЗ - у вигляді графа 2. Амплітуда імпульсів накачки Е71 і ЕЗ відповідає при цьому напрузі живлення Май, і показана на фіг.2 діаграма, отже, відбиває (Ф, якісно також меншу залежність, у випадку відповідного винаходу пристрою, напруги накачки Мртр від напруги ка живлення Май. Бажано щоб імпульси вольтодобавки переважно мали амплітуду 18.

Claims (2)

60 Формула винаходу
1. Пристрій для помноження напруги з малою залежністю вихідної напруги від напруги живлення, у якому, щонайменше, два транзистори накачки з'єднані послідовно, причому перший транзистор накачки з'єднаний 65 безпосередньо з вводом напруги на вході, а останній транзистор накачки безпосередньо або опосередковано з'єднаний з виводом напруги на виході пристрою, при цьому затвори непарних транзисторів накачки через перші ємності з'єднані з виводом першого тактового сигналу, а парні транзистори накачки через інші перші ємності з'єднані з виводом другого тактового сигналу, причому непарні сполучні вузли послідовної схеми через другі ємності з'єднані з виводом третього тактового сигналу і парні сполучні вузли послідовної схеми через інші другі ємності з'єднані з виводом четвертого тактового сигналу, який відрізняється тим, що вихід пристрою з'єднаний із регулювальним пристроєм, здатним формувати перший, другий, третій і четвертий тактові сигнали таким чином, що при відповідній напрузі на вході встановлюється бажане значення напруги на виході, причому до виходу пристрою підєднаний подільник напруги, вихід якого з'єднаний з виводами основ усіх транзисторів накачки. 70
2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що затвор кожного транзистора накачки через відповідний транзистор вольтодобавки з'єднаний з відповідним вузлом з'єднання з попереднім транзистором накачки, а затвор кожного транзистора вольтодобавки з'єднаний з відповідним вузлом з'єднання з наступним транзистором накачки або входом пристрою, причому усі виводи основ транзисторів вольтодобавки і транзисторів накачки з'єднані з виходом подільника напруги.
З. Пристрій за п. 1 або 2, який відрізняється тим, що подільник напруги утворений послідовно з'єднаними р-канальним МОН-транзистором і струмообмежувальним елементом, виходом подільника напруж є вузол з'єднання першого виводу р-канального МОН-транзистора і першого виводу струмообмежувального елемента, інший вивід якого з'єднаний з опорним потенціалом, причому інший вивід р-канального МОН-транзистора з'єднаний з виходом пристрою, а вивід затвора р-канального МОН-транзистора з'єднаний з виводом напруги 2о живлення.
4. Пристрій за будь-яким з пунктів 1-3, який відрізняється тим, що струмообмежувальний елемент утворений, двома послідовно з'єднаними МОН-транзисторами у діодному включенні.
5. Пристрій за будь-яким з попередніх пунктів, який відрізняється тим, що здатний формувати тактові імпульси накачки і вольтодобавки регулювальний пристрій містить пропорційно-диференційний регулятор. с щі 6) (зе) (Се) « ІФ) «
- . и? щ» 1 щ» (о) сю» іме) 60 б5
UA99010011A 1996-07-05 1997-06-12 Пристрій для пoмноження напруги з малою залежністю вихідної напруги від напруги живлення UA45463C2 (uk)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19627197A DE19627197C1 (de) 1996-07-05 1996-07-05 Vorrichtung zur Spannungsvervielfachung mit geringer Abhängigkeit der Ausgangsspannung von der Versorgungsspannung
PCT/DE1997/001197 WO1998001938A1 (de) 1996-07-05 1997-06-12 Vorrichtung zur spannungsvervielfachung mit geringer abhängigkeit der ausgangsspannung von der versorgungsspannung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA45463C2 true UA45463C2 (uk) 2002-04-15

Family

ID=7799068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA99010011A UA45463C2 (uk) 1996-07-05 1997-06-12 Пристрій для пoмноження напруги з малою залежністю вихідної напруги від напруги живлення

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6172886B1 (uk)
EP (1) EP0909478B1 (uk)
JP (1) JP3244710B2 (uk)
KR (1) KR100419925B1 (uk)
CN (1) CN1078974C (uk)
AT (1) ATE190778T1 (uk)
BR (1) BR9710203A (uk)
DE (2) DE19627197C1 (uk)
ES (1) ES2144870T3 (uk)
RU (1) RU2195760C2 (uk)
UA (1) UA45463C2 (uk)
WO (1) WO1998001938A1 (uk)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19953882C2 (de) * 1999-11-09 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Ladungspumpe zum Erzeugen von hohen Spannungen für Halbleiterschaltungen
US6570435B1 (en) * 1999-11-18 2003-05-27 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with current limited charge pump and method
KR100518245B1 (ko) * 1999-12-17 2005-10-04 주식회사 하이닉스반도체 저전압 챠지 펌프 회로
US6268762B1 (en) * 2000-02-18 2001-07-31 Silicon Storage Technology, Inc. Output stage for a charge pump and a charge pump made thereby
DE10017920A1 (de) * 2000-04-11 2001-10-25 Infineon Technologies Ag Ladungspumpenanordnung
US6664846B1 (en) * 2000-08-30 2003-12-16 Altera Corporation Cross coupled N-channel negative pump
CN100568689C (zh) * 2000-11-21 2009-12-09 睦塞德技术公司 电荷泵电源
US6597972B2 (en) 2001-02-27 2003-07-22 International Business Machines Corporation Integrated fan assembly utilizing an embedded fan controller
US6476666B1 (en) * 2001-05-30 2002-11-05 Alliance Semiconductor Corporation Bootstrapped charge pump
JP4417693B2 (ja) * 2003-11-12 2010-02-17 東芝モバイルディスプレイ株式会社 Dc−dc変換回路
JP4143054B2 (ja) * 2004-08-19 2008-09-03 株式会社東芝 電圧生成回路
JP4369462B2 (ja) 2006-11-22 2009-11-18 Okiセミコンダクタ株式会社 チャージポンプ型dc/dcコンバータ
US7808301B2 (en) * 2007-07-26 2010-10-05 Macronix International Co., Ltd. Multiple-stage charge pump circuit with charge recycle circuit
DE102008029409A1 (de) 2008-06-23 2009-12-24 Atmel Automotive Gmbh Schaltung mit einer geregelten Ladungspumpe
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
TWI643435B (zh) 2013-08-21 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
CN103441670B (zh) * 2013-08-28 2016-06-22 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 一种输出电压可控的电荷泵电路
EP2860865A1 (en) 2013-10-11 2015-04-15 Dialog Semiconductor GmbH High efficiency charge pump circuit
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9766171B2 (en) 2014-03-17 2017-09-19 Columbia Insurance Company Devices, systems and method for flooring performance testing
US9768711B2 (en) * 2014-06-13 2017-09-19 Zohaib Hameed RF-DC power converter
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN106236755A (zh) * 2016-08-29 2016-12-21 许昌恒生制药有限公司 一种含有盐酸马尼地平和氢氯噻嗪的复方片剂及制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3335423A1 (de) * 1983-09-29 1985-04-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltung zur spannungsvervielfachung
SU1261064A1 (ru) * 1984-06-28 1986-09-30 Предприятие П/Я Х-5737 Умножитель напр жени на МДП-транзисторах
IT1225608B (it) * 1988-07-06 1990-11-22 Sgs Thomson Microelectronics Regolazione della tensione prodotta da un moltiplicatore di tensione.
JP3148070B2 (ja) * 1994-03-29 2001-03-19 株式会社東芝 電圧変換回路
TW271011B (uk) * 1994-04-20 1996-02-21 Nippon Steel Corp
US5856918A (en) * 1995-11-08 1999-01-05 Sony Corporation Internal power supply circuit
US5801987A (en) * 1997-03-17 1998-09-01 Motorola, Inc. Automatic transition charge pump for nonvolatile memories

Also Published As

Publication number Publication date
EP0909478A1 (de) 1999-04-21
KR100419925B1 (ko) 2004-04-17
EP0909478B1 (de) 2000-03-15
RU2195760C2 (ru) 2002-12-27
KR20000022122A (ko) 2000-04-25
ATE190778T1 (de) 2000-04-15
DE19627197C1 (de) 1998-03-26
CN1078974C (zh) 2002-02-06
JP2000500960A (ja) 2000-01-25
US6172886B1 (en) 2001-01-09
ES2144870T3 (es) 2000-06-16
BR9710203A (pt) 1999-08-10
JP3244710B2 (ja) 2002-01-07
DE59701270D1 (de) 2000-04-20
CN1225203A (zh) 1999-08-04
WO1998001938A1 (de) 1998-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
UA45463C2 (uk) Пристрій для пoмноження напруги з малою залежністю вихідної напруги від напруги живлення
US6236581B1 (en) High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM
EP0350462B1 (en) Regulation of the output voltage of a voltage multiplier
US6876247B2 (en) High voltage generator without latch-up phenomenon
US5406523A (en) High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM
US20080136500A1 (en) Charge pump for generation of multiple output-voltage levels
US20070024349A1 (en) Semiconductor device having internal power supply voltage generation circuit
JP2005538670A (ja) モジュラチャージポンプアーキテクチャ
US5546031A (en) Feed-back circuit for CMOS high voltage generator to program (E) eprom-memory cells
JP2011511392A (ja) フラッシュメモリデバイスでの電力供給及びシステム
US7514984B2 (en) Charge pumping circuit and direct current converting apparatus using the same
KR100812086B1 (ko) 반도체 소자의 전압조절장치
US7623394B2 (en) High voltage generating device of semiconductor device
US5619124A (en) Reference voltage generator in a semiconductor integrated device
US7173479B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
US20120169405A1 (en) Method and apparatus for generating voltage
US5612611A (en) Switching regulator with dyssymetrical differential input stage
KR101511762B1 (ko) 기준 전압 발생 회로
US20060203594A1 (en) Large voltage generation in semiconductor memory device
KR19990080385A (ko) 전압조정회로
JPH0974738A (ja) 半導体装置
SU1615883A1 (ru) Генератор импульсов
KR950014253B1 (ko) 반도체소자의 온-칩 고전압 발생기
EP0376627A2 (en) Integrated high voltage generating system
KR950024215A (ko) 퓨즈를 이용한 고전압 발생회로