[go: up one dir, main page]

UA42887C2 - Схема керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою - Google Patents

Схема керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою

Info

Publication number
UA42887C2
UA42887C2 UA99126788A UA99126788A UA42887C2 UA 42887 C2 UA42887 C2 UA 42887C2 UA 99126788 A UA99126788 A UA 99126788A UA 99126788 A UA99126788 A UA 99126788A UA 42887 C2 UA42887 C2 UA 42887C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
nmoh
circuit
transistor
nonvolatile semiconductor
output
Prior art date
Application number
UA99126788A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Томас Цеттлер
Original Assignee
Інфінеон Текнолоджіс Аг
Инфинеон Текнолоджис Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Інфінеон Текнолоджіс Аг, Инфинеон Текнолоджис Аг filed Critical Інфінеон Текнолоджіс Аг
Publication of UA42887C2 publication Critical patent/UA42887C2/uk

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

Винахід стосується схеми керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою. Схема управління для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою (ЗП) містить схему (10) перетворення рівнів, що подає вихідне значення (В) і комплементарне до нього вихідне значення (ВН) на розрядну шину та/або шину слів напівпровідникового ЗП, причому між схемою (12) введення даних і схемою (10) перетворення рівнів вона містить схему-защіпку (11) для проміжного запам'ятовування даних, що підлягають запису у напівпровідниковий ЗП. Схема (12) введення даних складається із першого nМОН-транзистора, ввімкненого своїм каналом витік-стік між входом даних (ДАНІ) і першим виходом даних, і ввімкнених між масою і другим виходом даних, послідовно з'єднаних між собою другого і третього nМОН-транзисторів (nТ2, nТЗ), причому затвор другого nМОН-транзистора (nТ2) з'єднаний із затвором першого nМОН-транзистора (nТ1), а затвор третього nМОН-транзистора (nТЗ) з'єднаний з витоком (стоком) першого nМОН-транзистора (nТ1).
UA99126788A 1997-06-13 1998-06-08 Схема керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою UA42887C2 (uk)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19725181A DE19725181A1 (de) 1997-06-13 1997-06-13 Ansteuerschaltung für nichtflüchtige Halbleiter-Speicheranordnung
PCT/DE1998/001560 WO1998058384A1 (de) 1997-06-13 1998-06-08 Ansteuerschaltung für nichtflüchtige halbleiter-speicheranordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA42887C2 true UA42887C2 (uk) 2001-11-15

Family

ID=7832475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA99126788A UA42887C2 (uk) 1997-06-13 1998-06-08 Схема керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6137315A (uk)
EP (1) EP0988633B1 (uk)
JP (1) JP3399547B2 (uk)
KR (1) KR20010013737A (uk)
CN (1) CN1124617C (uk)
AT (1) ATE201112T1 (uk)
BR (1) BR9810100A (uk)
DE (2) DE19725181A1 (uk)
ES (1) ES2157666T3 (uk)
RU (1) RU2221286C2 (uk)
UA (1) UA42887C2 (uk)
WO (1) WO1998058384A1 (uk)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19921868C2 (de) * 1999-05-11 2001-03-15 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Kontrolle von Zuständen einer Speichereinrichtung
US7440311B2 (en) * 2006-09-28 2008-10-21 Novelics, Llc Single-poly non-volatile memory cell
US7554860B1 (en) 2007-09-21 2009-06-30 Actel Corporation Nonvolatile memory integrated circuit having assembly buffer and bit-line driver, and method of operation thereof
EP2226788A4 (en) 2007-12-28 2012-07-25 Sharp Kk DISPLAY CONTROL, DISPLAY ARRANGEMENT AND DISPLAY CONTROL PROCEDURE
CN101965607B (zh) 2007-12-28 2013-08-14 夏普株式会社 辅助电容配线驱动电路和显示装置
WO2009084269A1 (ja) 2007-12-28 2009-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha 半導体装置及び表示装置
JP4902750B2 (ja) * 2007-12-28 2012-03-21 シャープ株式会社 半導体装置及び表示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4599707A (en) * 1984-03-01 1986-07-08 Signetics Corporation Byte wide EEPROM with individual write circuits and write prevention means
US4716312A (en) * 1985-05-07 1987-12-29 California Institute Of Technology CMOS logic circuit
US4654547A (en) * 1985-06-28 1987-03-31 Itt Corporation Balanced enhancement/depletion mode gallium arsenide buffer/comparator circuit
FR2604554B1 (fr) * 1986-09-30 1988-11-10 Eurotechnique Sa Dispositif de securite pourla programmation d'une memoire non volatile programmable electriquement
JP2773786B2 (ja) * 1991-02-15 1998-07-09 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 書き込み電圧発生回路
JP3173247B2 (ja) * 1993-09-29 2001-06-04 ソニー株式会社 レベルシフタ
US5682345A (en) * 1995-07-28 1997-10-28 Micron Quantum Devices, Inc. Non-volatile data storage unit method of controlling same
JP3404712B2 (ja) * 1996-05-15 2003-05-12 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6137315A (en) 2000-10-24
DE59800692D1 (de) 2001-06-13
JP2001505350A (ja) 2001-04-17
JP3399547B2 (ja) 2003-04-21
KR20010013737A (ko) 2001-02-26
RU2221286C2 (ru) 2004-01-10
EP0988633B1 (de) 2001-05-09
CN1260901A (zh) 2000-07-19
ES2157666T3 (es) 2001-08-16
BR9810100A (pt) 2000-08-08
EP0988633A1 (de) 2000-03-29
CN1124617C (zh) 2003-10-15
DE19725181A1 (de) 1999-02-25
ATE201112T1 (de) 2001-05-15
WO1998058384A1 (de) 1998-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW325535B (en) Memory system and data transfer method
TW337018B (en) Semiconductor nonvolatile memory device
TW337046B (en) Semiconductor memory and the memory system
MY122850A (en) Nonvolatile memory device and refreshing method
EP0913944A3 (en) Programmable logic architecture incorporating a content addressable embedded array block
WO2003025939A3 (en) Dynamic column block selection
TW331640B (en) Data storage device.
TW373337B (en) Non-volatile semiconductor memory
KR960008824B1 (en) Multi bit test circuit and method of semiconductor memory device
EP0986066A3 (en) Ferroelectric memory and method of testing the same
DE69902642D1 (de) Mehrpegeldaten durch eine einzige eingangs-/ausgangspinne
KR890006003A (ko) 데이타 입출력 회로
EP0388300A3 (en) Controller for direct memory access
TW363189B (en) Semiconductor non-volatile memory apparatus and the computer system to make use of the apparatus
UA42887C2 (uk) Схема керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою
US5835446A (en) Column decoder for semiconductor memory device with prefetch scheme
SG143028A1 (en) Data processing device
TW332355B (en) Semiconductor device having a latch circuit for latching externally input data
TW376522B (en) DRAM with variable internal operation frequency
TW326536B (en) Single-chip memory system having a page access mode
TW328596B (en) Semiconductor device having memorizing function and data reading method thereof
WO2002095592A3 (en) Method and apparatus to provide real-time access to flash memory features
TW428101B (en) Synchronous semiconductor memory apparatus
KR950020127A (ko) 반도체 기억 회로 제어 방법
KR960025787A (ko) 플래쉬 메모리 장치