TWM618161U - 低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組 - Google Patents
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Abstract
本創作開發一款新型的光纖輸出二極體雷射模組,將數顆獨立的二極體雷射,經由新設計之光束準直及空間合併,耦光進入纖核直徑105um,數值孔徑0.12光纖,相較於一般產品數值孔徑0.22光纖,出光角度降為55%,並用一般藍光雷射二極體進行驗證,先利用光學軟體協助進行光學鏡片參數之設計及優化,在實驗上,將8顆藍光二極體雷射,經由理論設計的光學鏡片組件進行精密組裝,耦光進入纖核直徑105um、數值孔徑0.12的光纖,達到功率30W的藍光雷射輸出,亦成為最小數值孔徑藍光雷射。
Description
本創作係有關一種低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其光學鏡片組件的準直及空間的光束合併,耦光進入纖核至低數值孔徑。
高亮度雷射乃今日材料加工、醫療、軍事、立體影視等應用之重要元件。半導體雷射因具可量產性、低成本、小體積及高電光轉換效率等特性,乃成為今日及未來製造高亮度雷射之首選。因此半導體雷射利用光纖輸出光束,獲得較高亮度,行之久已。但半導體雷射在輸出功率越大時,輸出光束品質會變差。若在配合現有一般纖核直徑105um作為輸出端,則光束參數積(Beam Parameter Product, BPP)將大於10mm*mrad,難以呈現高亮度。也因此使半導體雷射的應用,無法擴展至更大的用途。是以,本創作人有鑑於上揭問題點,乃構思一種具有低數值孔徑光纖輸出的高亮度二極體雷射模組,為本創作所欲解決的課題。
緣是,本創作之主要目的,係在提供一種低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其採用低數值孔徑之輸出光纖,使光束發散角較小之功效增進。
本創作之另一目的,係在提供一種低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其採用高羥值,使光纖對波長<460nm之雷射,具有較佳之穿透率之功效增進。
本創作之又一目的,係在提供一種低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其光纖端面採用光束切割方式,有別於一般研磨拋光,此方法具有快速切割且適於量產之功效增進。
本創作之另一目的,係在提供一種低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其雷射晶片封裝於氣密環境,以提升雷射長期的耐用性之功效增進。
本創作之再一目的,係在提供一種低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其雷射晶片的共振腔鍍上反射膜,採用反射率≧20%的鍍膜,以承受更高的外部反射光之功效增進。
為達上述目的,本創作採用之技術手段包含:一外殼;複數雷射二極體,其位在該外殼內,並激發出複數光束;一光學鏡片組件,其位在該外殼內,並將各該光束分別準直後,而在空間合併成一合併光束;以及一光纖,具有一纖核,且該光纖輸出設定一低數值孔徑,並將該光纖結合在該外殼之側面,使該合併光束可耦合於該纖核至該低數值孔徑。
依據前揭特徵,該纖核直徑為105um;該低數值孔徑為0.12。
依據前揭特徵,該光纖採用高羥值。
依據前揭特徵,該光纖端面採用光束切割方式。
依據前揭特徵,該光纖輸出端採用一透明窗鏡,該透明窗鏡配合一氣密焊料。
依據前揭特徵,該雷射二極體包括一雷射晶片,該雷射晶片具有一共振腔,該共振腔端面形成一鏡面而可鍍上一反射膜,該反射膜之反射率≧20%。
依據前揭特徵,該雷射二極體至少8顆以上。
依據前揭特徵,該雷射二極體之波長為450nm。
依據前揭特徵,該光學鏡片組件包括複數快軸準直鏡、複數慢軸準直鏡、複數反射鏡,且各該光束經過各該快軸準直鏡、各該慢軸準直鏡分別準直後,並經過各該反射鏡後,而在空間合併成一合併光束,該合併光束經由該聚焦鏡可耦合至該纖核。
依據前揭特徵,該外殼包括一座體及一封蓋,該座體設有一凹槽,該凹槽具有一台階,該台階可承放各該雷射二極體,使各該雷射二極體之間可並行排列,且各該快軸準直鏡設在該台階上,而靠近各該雷射二極體之前方,又各該慢軸準直鏡與各該反射鏡設在該凹槽上,而各該慢軸準直鏡設在各該快軸準直鏡之前方、各該反射鏡設在各該慢軸準直鏡之前方,再該聚焦鏡設在各該反射鏡之側邊與該聚焦鏡結合在該凹槽之側面,並配合該聚焦鏡之位置相對應該纖核之位置。
藉助上揭技術手段,本創作具有如下的功效增進需再闡明者:
一、在於產生更小角度且耐用性更優的雷射產品,可以讓半導體雷射的應用,擴展至更大的用途,例如雷射焊接及金屬3D列印等。
二、亮度考量上,採用高羥值且數值孔徑為NA0.12之輸出光纖,在相同纖核直徑105um的條件下,其光束品質的光束參數積(Beam Parameter Product, BPP)只有一般NA0.22光纖的55%,且光纖對波長<460nm之雷射,具有較佳之穿透率。
三、光纖端面採用光束切割方式,有別於一般研磨拋光,此方法具有快速切割且於量產。
四、雷射晶片封裝於氣密環境,以提升雷射長期的耐用性。實作上除了用焊接密封上封蓋外,光纖輸出端採用透明窗鏡配合氣密焊料,使雷射可以操作在氣密環境,避免環境空氣對共振腔的鏡面造成汙染。
五、雷射晶片的共振腔鍍上反射膜,採用較高反射率的鍍膜,用以承受較高的反射功率。一般高功率雷射二極體考慮出光效率,鍍膜反射率多設定在 10%以下,可以得到電光轉換效率大於50%的出光效率,但缺點在於對反射光較敏感,特別是對直接半導體雷射加工的用途。實作上將鍍膜反射率提高到 20%以上,可以承受更高的反射光,特別在雷射加工的用途。
首先,請參閱圖1~圖5B所示,本創作一種低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,包括:一外殼10,在本實施例中,該外殼10包括一座體11及一封蓋12,該座體11設有一凹槽111,該凹槽111具有一台階112,該台階112可承放各該雷射二極體20,使各該雷射二極體20之間可並行排列,但不限定於此。此外,該外殼10之形狀與大小不限定於圖式。
複數雷射二極體20,其位在該外殼10內,並激發出複數光束21,在本實施例中,該雷射二極體20為藍光雷射二極體、紅色雷射二極體、綠色雷射二極體或UV雷射二極體其中之一所構成,亦可經由此法達成高亮度需求;該雷射二極體20至少8顆以上;該雷射二極體20之波長為400nm~670nm,亦從UV至紅光,但不限定於此。
一光學鏡片組件30,其位在該外殼10內,並將各該光束21分別準直後,而在空間(S)合併成一合併光束(L),在本實施例中,該光學鏡片組件30包括複數快軸準直鏡31、複數慢軸準直鏡32、複數反射鏡33及一聚焦鏡34,各該快軸準直鏡31設在該台階112上,而靠近各該雷射二極體20之前方,又各該慢軸準直鏡32與各該反射鏡33設在該凹槽111上,而各該慢軸準直鏡32設在各該快軸準直鏡31之前方、各該反射鏡33設在各該慢軸準直鏡32之前方,使各該光束21經過各該快軸準直鏡31、各該慢軸準直鏡32分別準直後,並經過各該反射鏡33後,而在空間(S)合併成一合併光束(L),但不限定於此。
承上,在本實施例中,如圖2C所示,該雷射二極體20包括一雷射晶片22,該雷射晶片22具有一共振腔221,該共振腔221端面形成一鏡面222而可鍍上一反射膜223,該反射膜223之反射率≧20%,但不限定於此。
一光纖40,具有一纖核(Core Optical Fiber)41,且該光纖40輸出設定一低數值孔徑42,並結合在該外殼10之側面101,使該合併光束(L)可耦合於該纖核41至該低數值孔徑(Numerical Aperture,NA)42,在本實施例中,該聚焦鏡34設在各該反射鏡33之側邊與該聚焦鏡34結合在該凹槽111之側面1111,並配合該聚焦鏡34之位置相對應該纖核41之位置,使該合併光束(L)經由該聚焦鏡34可耦合至該纖核41,但不限定於此。
承上,在本實施例中,如圖3C所示,其該纖核41直徑(d)為105um,配合該低數值孔徑42為0.12,而數值孔徑定義為NA=sinα,該α為輸出光錐角,且該光纖40採用高羥(Hydroxyl,OH)值與該光纖40端面43採用光束切割,但不限定於此。此外,在另一實施例中,如圖3D所示,該光纖40輸出端44採用一透明窗鏡45,該透明窗鏡45配合一氣密焊料46,但不限定於此。
一光學軟體50,其對該雷射二極體20進行驗證,便於該光學鏡片組件30參數之設計及優化,達到理論耦光效率90%以上,但不限定於此。
基於如此之構成,採用數值孔徑≦NA0.12之輸出光纖,光束發散角較小,又採用高羥值,使該光纖40對波長<460nm之雷射,具有較佳之穿透率,另該光纖40端面43採用光束切割方式,有別於一般研磨拋光,此方法具有快速切割,適於量產且減少因研磨產生的鏡面損傷,加上該雷射晶片22封裝於氣密環境,以提升雷射長期的耐用性,及該雷射晶片22的該共振腔221鍍上該反射膜223,採用反射率≧20%的鍍膜,以承受更高的外部反射光,特別在雷射加工的用途,並配合圖4所示,其8顆藍光雷射空間光束合併之示意圖;圖5A所示,其為光纖輸出藍光雷射的輸出光功率對電流,而以波長為450nm、該纖核41直徑(d)為105um、數值孔徑≦NA0.12為條件,形成光纖耦合(Fibre Coupled, FC)模組(Module);圖5B所示,其為光纖輸出藍光雷射的輸出光功率轉換效率(power conversion efficiency, PCE),而波長為450nm、該纖核41直徑(d)為105um、數值孔徑≦NA0.12為條件,形成光纖耦合(Fibre Coupled, FC)模組(Module),但不限定於此。
綜上所述,本創作所揭示之技術手段,確具「新穎性」、「進步性」及「可供產業利用」等新型專利要件,祈請 鈞局惠賜專利,以勵創作,無任德感。
惟,上述所揭露之圖式、說明,僅為本創作之較佳實施例,大凡熟悉此項技藝人士,依本案精神範疇所作之修飾或等效變化,仍應包括在本案申請專利範圍內。
10:外殼
101:外殼之側面
11:座體
111:凹槽
1111:凹槽之側面
112:台階
12:封蓋
20:雷射二極體
21:複數光束
22:雷射晶片
221:共振腔
222:鏡面
223:反射膜
30:光學鏡片組件
31:快軸準直鏡
32:慢軸準直鏡
33:反射鏡
34:聚焦鏡
40:光纖
41:纖核
42:低數值孔徑
43:光纖端面
44:光纖輸出端
45:透明窗鏡
46:氣密焊料
50:光學軟體
S:空間
L:合併光束
d:直徑
α:輸出光錐角
圖1係本創作未封蓋之立體圖。
圖2A係本創作未封蓋之前視圖。
圖2B係圖2A中2B所示之放大圖。
圖2C係本創作雷射晶片之示意圖。
圖3A係本創作已封蓋之立體圖。
圖3B係圖3A中3B-3B之斷面剖視圖。
圖3C係本創作光纖之示意圖。
圖3D係本創作透明窗鏡配合氣密焊料之示意圖。
圖4係本創作8顆藍光雷射空間光束合併之示意圖。
圖5A係本創作光纖輸出藍光雷射的輸出光功率對電流圖。
圖5B係本創作光纖輸出藍光雷射的輸出光功率轉換效率圖。
40:光纖
41:纖核
42:低數值孔徑
43:端面
d:直徑
α:輸出光錐角
Claims (10)
- 一種低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組 ,包含 : 一外殼; 複數雷射二極體,其位在該外殼內,並激發出複數光束; 一光學鏡片組件,其位在該外殼內,並將各該光束分別準直後,而在空間合併成一合併光束;以及 一光纖,具有一纖核,且該光纖輸出設定一低數值孔徑,並將該光纖結合在該外殼之側面,使該合併光束可耦合於該纖核至該低數值孔徑。
- 如請求項1所述之低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其中,該纖核直徑為105um;該低數值孔徑為0.12。
- 如請求項1所述之低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其中,該光纖採用高羥值。
- 如請求項1所述之低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其中, 該光纖端面採用光束切割方式。
- 如請求項1所述之低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其中,該光纖輸出端採用一透明窗鏡,該透明窗鏡配合一氣密焊料。
- 如請求項1所述之低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其中,該雷射二極體包括一雷射晶片,該雷射晶片具有一共振腔,該共振腔端面形成一鏡面而可鍍上一反射膜,該反射膜之反射率≧20%。
- 如請求項1所述之低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其中,該雷射二極體至少8顆以上。
- 如請求項1所述之低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其中,該雷射二極體之波長為450nm。
- 如請求項1~8任一項中所述之低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其中,該光學鏡片組件包括複數快軸準直鏡、複數慢軸準直鏡、複數反射鏡,且各該光束經過各該快軸準直鏡、各該慢軸準直鏡分別準直後,並經過各該反射鏡後,而在空間合併成一合併光束,該合併光束經由該聚焦鏡可耦合至該纖核。
- 如請求項9所述之低數值孔徑光纖輸出二極體雷射模組,其中,該外殼包括一座體及一封蓋,該座體設有一凹槽,該凹槽具有一台階,該台階可承放各該雷射二極體,使各該雷射二極體之間可並行排列,且各該快軸準直鏡設在該台階上,而靠近各該雷射二極體之前方,又各該慢軸準直鏡與各該反射鏡設在該凹槽上,而各該慢軸準直鏡設在各該快軸準直鏡之前方、各該反射鏡設在各該慢軸準直鏡之前方,再該聚焦鏡設在各該反射鏡之側邊與該聚焦鏡結合在該凹槽之側面,並配合該聚焦鏡之位置相對應該纖核之位置。
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