TWM611628U - 真空檢測載台 - Google Patents

Abstract

一種真空檢測載台，其包含真空載台及控制裝置。真空載台具有第一真空吸附區及第二真空吸附區，用以吸附至少一待測物。第一真空吸附區及第二真空吸附區彼此分離，且沿著一第一方向排列。控制裝置耦合至真空載台，用以個別控制第一真空吸附區或第二真空吸附區，使第一真空吸附區及/或第二真空吸附區的整體或局部產生吸附力。

Description

真空檢測載台

本新型創作是有關於一種檢測載台，且特別是有關於一種真空檢測載台。

自動光學檢測(Automated Optical Inspection, AOI)已廣泛地應於半導體產業、面板產業、電路板產業或其他相關的科技產業或製造產業，並逐步取代過去的人工目視檢測(Visual Inspection)作業，以大幅提高檢測效率與精度。

在採用自動光學檢測技術對待測物進行檢測的過程中，為防止置放於載台上的待測物任意地移動，常見的作法是採用抽真空的手段對載台提供負壓，以將待測物吸附並固定於載台上。具體而言，載台具有用以承載待測物的吸附面及位於吸附面的多個吸孔，其中所述多個吸孔平均分佈於吸附面，且呈矩陣排列或等間隔排列。

一般而言，無論置放於吸附面上的待測物的尺寸大小，吸附面上的所有的吸孔皆產生吸附力。若有一部分的吸孔未被待測物覆蓋，則被待測物覆蓋的吸孔產生的吸附力容易受到未被待測物覆蓋的吸孔的影響而弱化，造成被吸附固定於載台上的待測物的穩固程度下滑，甚至影響到檢測效率與精度。

本新型創作提供一種真空檢測載台，通用於不同尺寸及幾何輪廓的待測物，且有助於提高檢測效率與精度。

本新型創作提出一種真空檢測載台，其包含真空載台及控制裝置。真空載台具有第一真空吸附區及第二真空吸附區，用以吸附至少一待測物。第一真空吸附區及第二真空吸附區彼此分離，且沿著一第一方向排列。控制裝置耦合至真空載台，用以個別控制第一真空吸附區或第二真空吸附區，使第一真空吸附區及/或第二真空吸附區的整體或局部產生吸附力。

基於上述，本新型創作的真空檢測載台可因應待測物的尺寸及幾何輪廓，以在真空載台的吸附面的特定區域(例如被待測物覆蓋的區域)產生吸附力。據此，待測物可被穩固地吸附並固定於真空載台的吸附面上，且有助於提高檢測效率與精度。進一步而言，因吸附面僅有被待測物覆蓋的區域產生吸附力，吸附力的強度得以維持且不易產生弱化的情形。

為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是本新型創作一實施例的真空檢測載台的架構示意圖。圖2是本新型創作一實施例的真空檢測載台的具體結構示意圖。請參考圖1及圖2，在本實施例中，真空檢測載台100包含一底座110、一真空載台120、一真空裝置130及一控制裝置140。真空載台120、真空裝置130及控制裝置140設置於底座110上。真空載台120具有一吸附面121、一位於吸附面121的第一真空吸附區122及一位於吸附面121的第二真空吸附區123，並用以吸附至少一待測物。第一真空吸附區122及第二真空吸附區123彼此分離，且沿著一第一方向D1排列。在本實施例中，第一真空吸附區122以及第二真空吸附區123的形狀分別為四邊形或方形，惟本新型創作不以此為限。

真空裝置130透過控制裝置140耦接至真空載台120的第一真空吸附區122及第二真空吸附區123，用以提供吸附力至第一真空吸附區122及第二真空吸附區123。控制裝置140耦合至真空載台120，以個別控制第一真空吸附區122及第二真空吸附區123，使第一真空吸附區122及/或第二真空吸附區123的整體或局部產生吸附力。在本實施例中，真空裝置130可為一真空幫浦、控制裝置140可採用常開電磁閥，惟本本新型創作不以此為限。當控制裝置140的線圈通電時，真空裝置130及第一真空吸附區122間的管路接通，以形成通路。相反地，真空裝置130及第一真空吸附區122間的管路斷開，以形成斷路。另一方面，當控制裝置140的線圈通電時，真空裝置130及第二真空吸附區123間的管路接通，以形成通路。相反地，真空裝置130及第二真空吸附區123間的管路斷開，以形成斷路。

在一模式下，真空裝置130及第一真空吸附區122形成通路，且真空裝置130及第二真空吸附區123間形成斷路，真空裝置130對第一真空吸附區122的整體或局部進行抽真空的動作，以使第一真空吸附區122的整體或局部產生吸附力。

在另一模式下，真空裝置130及第二真空吸附區123形成通路，且真空裝置130及第一真空吸附區122間形成斷路，真空裝置130對第二真空吸附區123的整體或局部進行抽真空的動作，以使第二真空吸附區123的整體或局部產生吸附力。

在又一模式下，真空裝置130及第一真空吸附區122形成通路，且真空裝置130及第二真空吸附區123形成通路。真空裝置130對第一真空吸附區122的整體或局部進行抽真空的動作，同時，真空裝置130對第二真空吸附區123的整體或局部進行抽真空的動作，以使第一真空吸附區122的整體或局部產生吸附力，並使第二真空吸附區123的整體或局部產生吸附力。

以上模式可因應不同待測物的尺寸及幾何輪廓進行切換，故真空檢測載台100通用於不同尺寸及幾何輪廓的待測物。另一方面，基於待測物在吸附面121上的所在位置，吸附面121可劃分被待測物覆蓋的區域(以下稱覆蓋區)及未被待測物覆蓋的區域(以下稱未覆蓋區)，透過控制裝置140的控制，真空裝置130對覆蓋區進行抽真空的動作，但不對未覆蓋區進行抽真空的動作，故覆蓋區產生的吸附力的強度得以維持且不易產生弱化的情形。據此，待測物可被穩固地吸附固定於真空載台120的吸附面121上，且有助於提高檢測效率與精度。

圖3是圖2的真空檢測載台的俯視示意圖。圖4是圖2的真空檢測載台的側視示意圖。圖5是圖3的真空載台沿著線段A-A1的截面示意圖。請參考圖2至圖4，在本實施例中，真空裝置130及控制裝置140位於真空載台120的一側，且控制裝置140可透過多個抽氣管(未繪示)耦接真空載台120，以使真空裝置130透過控制裝置140與對應的抽氣管(未繪示)對第一真空吸附區122的整體或局部進行抽真空的動作，或者是，使真空裝置130透過控制裝置140與對應的抽氣管(未繪示)對第二真空吸附區123的整體或局部進行抽真空的動作。

請參考圖2、圖4及圖5，真空載台120還具有一相對於吸附面121的底面124，以及貫通吸附面121與底面124的多個吸孔125，其中底面124朝向底座110，且這些吸孔125分佈於第一真空吸附區122與第二真空吸附區123。另一方面，真空檢測載台100更包括多個氣嘴150，其中這些氣嘴150設置於底面124，且插入這些吸孔125。進一步而言，控制裝置140可透過多個抽氣管(未繪示)耦接這些氣嘴150，且這些抽氣管(未繪示)、這些氣嘴150及這些吸孔125形成對應於第一真空吸附區122與第二真空吸附區123的多個抽真空路徑。

請參考圖2及圖4，真空檢測載台100更包含多個微調柱160，其中這些微調柱160設置於底座110與真空載台120之間，且配置用以調整真空載台120的水平度。詳細而言，每一個微調柱160的一端連接底座110，且每一個微調柱160的另一端連接真空載台120。由於真空載台120的水平度可透過這些微調柱160進行調整，同時，真空載台120的吸附面121具有高平面度(例如10微米以下，但不以此為限)，故有助於提高待測物的影像解析度。

請參考圖2及圖3，在本實施例中，第一真空吸附區122具有沿著垂直於第一方向D1的一第二方向D2排列的二個子真空吸附區122a，其中二個子真空吸附區122a實質上對稱設置，且二個子真空吸附區122a具有相同的幾何論廓設計。每一個子真空吸附區122a包括沿著第一方向D1排列的多個真空吸附流道122b，且這些真空吸附流道122b具有相同的幾何論廓設計。

每一個真空吸附流道122b包括一矩形溝渠122c、一橫向溝渠122d及多個交錯於橫向溝渠122d的縱向溝渠122e，其中矩形溝渠122c環繞橫向溝渠122d及縱向溝渠122e，且橫向溝渠122d及縱向溝渠122e連通矩形溝渠122c。舉例來說，每一個真空吸附流道122b的矩形溝渠122c、橫向溝渠122d及縱向溝渠122e內凹於吸附面121，且每一個真空吸附流道122b及真空裝置130間的通路與斷路可由控制裝置140個別控制。

當真空裝置130對第一真空吸附區122進行抽真空的動作時，控制裝置140可控制真空裝置130與至少一個真空吸附流道122b保持通路，以使至少一個真空吸附流道122b產生吸附力。依此類對，控制裝置140可控制真空裝置130與所有的真空吸附流道122b保持通路，以使所有的真空吸附流道122b產生吸附力。

圖6A是圖3的區域R1的局部放大示意圖。請參考圖3與圖6A，彼此交錯的這些橫向溝渠122d及這些縱向溝渠122e形成多個交錯點101，且這些吸孔125分佈於這些交錯點101。因此，當真空裝置130與任一個真空吸附流道122b保持通路時，真空裝置130可透過吸孔125對矩形溝渠122c、橫向溝渠122d及縱向溝渠122e進行抽真空的動作，以使矩形溝渠122c、橫向溝渠122d及縱向溝渠122e產生吸附力。

圖6B是圖3的區域R2的局部放大示意圖。請參考圖2、圖3及圖6B，在本實施例中，第二真空吸附區123具有沿著第二方向D2排列的二個子真空吸附區123a，其中二個子真空吸附區123a實質上對稱設置，且二個子真空吸附區123a具有相同的幾何論廓設計。每一個子真空吸附區123a包括沿著第一方向D1排列的多個上半圓弧溝渠123b及沿著第一方向D1排列的多個下半圓弧溝渠123c，且這些上半圓弧溝渠123b與這些下半圓弧溝渠123c共一圓心102，或者是說，這些上半圓弧溝渠123b的曲率中心與這些下半圓弧溝渠123c的曲率中心落在同一點。

自圓心102向外，第n個上半圓弧溝渠123b連通於第(n+1)個上半圓弧溝渠123b，其中n大於等於1，且為奇數。舉例來說，自圓心102向外，第一個上半圓弧溝渠123b與第二個上半圓弧溝渠123b相連通，且第二個上半圓弧溝渠123b的曲率半徑大於第一個上半圓弧溝渠123b的曲率半徑。第二個上半圓弧溝渠123b未與第三個上半圓弧溝渠123b相連通，且第三個上半圓弧溝渠123b的曲率半徑大於第二個上半圓弧溝渠123b的曲率半徑。第三個上半圓弧溝渠123b與第四個上半圓弧溝渠123b相連通，且第四個上半圓弧溝渠123b的曲率半徑大於第三個上半圓弧溝渠123b的曲率半徑。依此類推，不贅述。

自圓心102向外，第n個下半圓弧溝渠123c連通於第(n+1)個下半圓弧溝渠123c，其中n大於等於1，且為奇數。舉例來說，自圓心102向外，第一個下半圓弧溝渠123c與第二個下半圓弧溝渠123c相連通，且第二個下半圓弧溝渠123c的曲率半徑大於第一個下半圓弧溝渠123c的曲率半徑。第二個下半圓弧溝渠123c未與第三個下半圓弧溝渠123c相連通，且第三個下半圓弧溝渠123c的曲率半徑大於第二個下半圓弧溝渠123c的曲率半徑。第三個下半圓弧溝渠123c與第四個下半圓弧溝渠123c相連通，且第四個下半圓弧溝渠123c的曲率半徑大於第三個下半圓弧溝渠123c的曲率半徑。依此類推，不贅述。

特別說明的是，自圓心102向外，第一個上半圓弧溝渠123b的曲率半徑等於第一個下半圓弧溝渠123c的曲率半徑，且第二個上半圓弧溝渠123b的曲率半徑等於第二個下半圓弧溝渠123c的曲率半徑。依此類推，不贅述。

請參考圖2及圖6B，每一個子真空吸附區123a還包括多個第一徑向溝渠123d與多個第二徑向溝渠123e，其中第n個上半圓弧溝渠123b及第(n+1)個上半圓弧溝渠123b之間設有至少一個第一徑向溝渠123d以連通彼此，且第n個下半圓弧溝渠123c及第(n+1)個下半圓弧溝渠123c之間設有至少一個第二徑向溝渠123e以連通彼此。n大於等於1，且為奇數。另一方面，這些上半圓弧溝渠123b、這些下半圓弧溝渠123c、這些第一徑向溝渠123d及這些第二徑向溝渠123e內凹於吸附面121。

特別說明的是，每一個第一徑向溝渠123d與每一個第二徑向溝渠123e的虛擬延伸線通過圓心102。

在本實施例中，自圓心102向外，與第(n+2)個上半圓弧溝渠123b相連通的第一徑向溝渠123d的數量大於與第n個上半圓弧溝渠123b相連通的第一徑向溝渠123d的數量。另一方面，與第(n+2)個下半圓弧溝渠123c相連通的第二徑向溝渠123e的數量大於與第n個下半圓弧溝渠123c相連通的第二徑向溝渠123e的數量。n大於等於1，且為奇數。

相應的，自圓心102向外，與第(k+2)個上半圓弧溝渠123b相連通的第一徑向溝渠123d的數量大於與第k個上半圓弧溝渠123b相連通的第一徑向溝渠123d的數量。另一方面，與第(k+2)個下半圓弧溝渠123c相連通的第二徑向溝渠123e的數量大於與第k個下半圓弧溝渠123c相連通的第二徑向溝渠123e的數量。k大於等於2，且為偶數。

自圓心102向外，彼此連通的第n個上半圓弧溝渠123b、第(n+1)個上半圓弧溝渠123b及至少一個第一徑向溝渠123d構成一個上半真空吸附流道，且彼此連通的第n個下半圓弧溝渠123c、第(n+1)個下半圓弧溝渠123c及至少一個第二徑向溝渠123e構成一個下半真空吸附流道。n大於等於1，且為奇數。

進一步而言，每一個上半真空吸附流道及真空裝置130間的通路與斷路可由控制裝置140個別控制，且每一個下半真空吸附流道及真空裝置130間的通路與斷路可由控制裝置140個別控制。當真空裝置130對第二真空吸附區123進行抽真空的動作時，控制裝置140可控制真空裝置130與至少一個上半真空吸附流道保持通路，並控制真空裝置130與至少一個下半真空吸附流道保持通路，以使至少一個上半真空吸附流道及至少一個下半真空吸附流道產生吸附力。依此類對，控制裝置140可控制真空裝置130與所有的上半真空吸附流道及所有的下半真空吸附流道產保持通路，以使所有的上半真空吸附流道及所有的下半真空吸附流道產生吸附力。

請參考圖6B，彼此連通的這些第一徑向溝渠123d及這些上半圓弧溝渠123b形成多個第一交會點103，且彼此連通的這些第二徑向溝渠123e及這些下半圓弧溝渠123c形成多個第二交會點104，且這些吸孔125分佈於這些第一交會點103及這些第二交會點104。因此，當真空裝置130與任一個上半真空吸附流道保持通路時，真空裝置130可透過吸孔125對二個上半圓弧溝渠123b及至少一個第一徑向溝渠123d進行抽真空的動作，以使二個上半圓弧溝渠123b及至少一個第一徑向溝渠123d產生吸附力。另外，當真空裝置130與任一個下半真空吸附流道保持通路時，真空裝置130可透過吸孔125對二個下半圓弧溝渠123c及至少一個第二徑向溝渠123e進行抽真空的動作，以使二個下半圓弧溝渠123c及至少一個第二徑向溝渠123e產生吸附力。

請參考圖2及圖3，在本實施例中，第二真空吸附區123還具有多個輔助真空吸附區123f，且這些輔助真空吸附區123f分佈於二個子真空吸附區123a的四周，用以增加吸附力與吸附面積。舉例來說，輔助真空吸附區123f概為田字型溝渠，且具有向外延伸的至少二個分渠。

請參考圖2至圖4，真空檢測載台100更包含一氣浮載台170，設置於底座110上，且位於真空載台120的一側。氣浮載台170具有一氣浮區171與一環繞氣浮區171的外真空吸附區172。外真空吸附區172可用以吸附固定待測物，且氣浮區171可用以防止待測物下垂或下陷，據以維持待測物的表面的平整度。

圖7A至圖7E是不同待測物置放於圖3的真空檢測載台的俯視示意圖。在本實施例中，待測物為一方形面板、一附晶圓環的12吋圓形晶圓、一12吋圓形晶圓、一8吋圓形晶圓、一6吋圓形晶圓、一4吋圓形晶圓以及一8吋圓形玻璃晶圓中的至少一者或其組合於本實施例中不允以限制。請參考圖2、圖3及圖7A，待測物10a可以是一大尺寸面板，當待測物10a置放於真空載台120的吸附面121上時，待測物10a完全覆蓋住第一真空吸附區122與第二真空吸附區123。在此狀態下，真空裝置130與第一真空吸附區122形成通路，且真空裝置130與第二真空吸附區123形成通路。接著，真空裝置130對第一真空吸附區122的整體進行抽真空的動作，同時，真空裝置130對第二真空吸附區123的整體進行抽真空的動作，以使第一真空吸附區122及第二真空吸附區123的整體產生吸附力，從而將待測物10a穩固地吸附並固定於真空載台120的吸附面121上。

特別說明的是，待測物10a也覆蓋住所有的輔助真空吸附區123f，故真空裝置130也對所有的輔助真空吸附區123f進行抽真空的動作，以產生吸附力。

請參考圖2、圖3及圖7B，待測物10b亦可以是尺寸小於待測物10a(見圖7A)的面板，當待測物10b置放於真空載台120的吸附面121上時，待測物10b覆蓋住第一真空吸附區122的二個子真空吸附區122a的其一，且完全覆蓋住三個真空吸附流道122b。在此狀態下，真空裝置130與三個真空吸附流道122b形成通路。接著，真空裝置130對三個真空吸附流道122b進行抽真空的動作，以使三個真空吸附流道122b產生吸附力，從而將待測物10b穩固地吸附並固定於真空載台120的吸附面121上。

請參考圖2、圖3及圖7C，待測物10c亦可以是附晶圓環11的12吋晶圓，當待測物10c置放於真空載台120的吸附面121上時，待測物10c覆蓋住第二真空吸附區123的二個子真空吸附區123a的其一，且完全覆蓋住所有的上半圓弧溝渠123b、所有的下半圓弧溝渠123c、所有的第一徑向溝渠123d及所有的第二徑向溝渠123e。在此狀態下，真空裝置130與所有的上半圓弧溝渠123b、所有的下半圓弧溝渠123c、所有的第一徑向溝渠123d及所有的第二徑向溝渠123e形成通路。接著，真空裝置130對所有的上半圓弧溝渠123b、所有的下半圓弧溝渠123c、所有的第一徑向溝渠123d及所有的第二徑向溝渠123e進行抽真空的動作，以使所有的上半圓弧溝渠123b、所有的下半圓弧溝渠123c、所有的第一徑向溝渠123d及所有的第二徑向溝渠123e產生吸附力，從而將待測物10c穩固地吸附並固定於真空載台120的吸附面121上。

特別說明的是，晶圓環11也覆蓋住一部分的輔助真空吸附區123f，故真空裝置130也對被晶圓環11覆蓋住的一部分的輔助真空吸附區123f進行抽真空的動作，以產生吸附力。

請參考圖2、圖3及圖7D，待測物10d亦可以是4吋晶圓，當待測物10d置放於真空載台120的吸附面121上時，待測物10d覆蓋住第二真空吸附區123的二個子真空吸附區123a的其一，且覆蓋住第一至第二個上半圓弧溝渠123b、第一至第二個下半圓弧溝渠123c、對應的第一徑向溝渠123d及對應的第二徑向溝渠123e。在此狀態下，真空裝置130與第一至第二個上半圓弧溝渠123b、第一至第二個下半圓弧溝渠123c、對應的第一徑向溝渠123d及對應的第二徑向溝渠123e形成通路。接著，真空裝置130對第一至第二個上半圓弧溝渠123b、第一至第二個下半圓弧溝渠123c、對應的第一徑向溝渠123d及對應的第二徑向溝渠123e進行抽真空的動作，以使第一至第二個上半圓弧溝渠123b、第一至第二個下半圓弧溝渠123c、對應的第一徑向溝渠123d及對應的第二徑向溝渠123e產生吸附力，從而將待測物10d穩固地吸附並固定於真空載台120的吸附面121上。

請參考圖2、圖3及圖7E，待測物10e亦可以是8吋玻璃晶圓，且氣浮載台170用以承載待測物10e。外真空吸附區172可用以提供吸力至待測物10e的外援部，藉以吸附並固定待測物10e，而氣浮區171可提供吹力至待測物10e的外緣部以內的中間部，藉以防止待測物10e下垂或下陷。如此，待測物10e的外緣部與中間部皆能平均受力，有助於維持待測物10e的表面平整度在一較佳範圍內，以利對待測物10e進行如檢測或加工等後續作業。

綜上所述，本新型創作的真空檢測載台可因應待測物的尺寸及幾何輪廓，以在真空載台的吸附面的特定區域(例如被待測物覆蓋的區域)產生吸附力。據此，待測物可被穩固地吸附並固定於真空載台的吸附面上，且有助於提高檢測效率與精度。進一步而言，因吸附面僅有被待測物覆蓋的區域產生吸附力，吸附力的強度得以維持且不易產生弱化的情形。另一方面，真空載台的水平度可透過多個微調柱進行調整，同時，真空載台的吸附面具有高平面度，故有助於提高待測物的影像解析度。

雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10a~10e:待測物 11:晶圓環 100:真空檢測載台 101:交錯點 102:圓心 103:第一交會點 104:第二交會點 110:底座 120:真空載台 121:吸附面 122:第一真空吸附區 122a、123a:子真空吸附區 122b:真空吸附流道 122c:矩形溝渠 122d:橫向溝渠 122e:縱向溝渠 123:第二真空吸附區 123b:上半圓弧溝渠 123c:下半圓弧溝渠 123d:第一徑向溝渠 123e:第二徑向溝渠 123f:輔助真空吸附區 124:底面 125:吸孔 130:真空裝置 140:控制裝置 150:氣嘴 160:微調柱 170:氣浮載台 171:氣浮區 172:外真空吸附區 A-A1:線段 D1:第一方向 D2:第二方向 R1、R2:區域

圖1是本新型創作一實施例的真空檢測載台的架構示意圖。 圖2是本新型創作一實施例的真空檢測載台的具體結構示意圖。 圖3是圖2的真空檢測載台的俯視示意圖。 圖4是圖2的真空檢測載台的側視示意圖。 圖5是圖3的真空載台沿著線段A-A1的截面示意圖。 圖6A是圖3的區域R1的局部放大示意圖。 圖6B是圖3的區域R2的局部放大示意圖。 圖7A至圖7E是不同待測物置放於圖3的真空檢測載台的俯視示意圖。

100:真空檢測載台

110:底座

120:真空載台

122:第一真空吸附區

123:第二真空吸附區

130:真空裝置

140:控制裝置

Claims (14)

1. 一種真空檢測載台，包含： 一真空載台，具有一第一真空吸附區及一第二真空吸附區，用以吸附至少一待測物，其中該第一真空吸附區及該第二真空吸附區彼此分離，且沿著一第一方向排列；以及 一控制裝置，耦合至該真空載台，用以個別控制該第一真空吸附區或該第二真空吸附區，使該第一真空吸附區及/或該第二真空吸附區的整體或局部產生吸附力。
2. 如請求項1所述的真空檢測載台，更包含一真空裝置，耦接至該真空載台，用以提供吸附力至該第一真空吸附區及/或第二真空吸附區。
3. 如請求項2所述的真空檢測載台，更包含： 一底座，供該真空載台、該真空裝置以及該控制裝置設置；以及 多個微調柱，設置於該底座與該真空載台之間，用以調整該真空載台的水平度，其中每一該微調柱的一端連接該底座，另一端連接該真空載台。
4. 如請求項1所述的真空檢測載台，其中該第一真空吸附區具有沿著垂直於該第一方向的一第二方向排列的二個子真空吸附區，且每一子真空吸附區包括沿著該第一方向排列的多個真空吸附流道，每一該真空吸附流道包括一矩形溝渠、一橫向溝渠及多個交錯於該橫向溝渠的縱向溝渠，且每一該真空吸附流道的該矩形溝渠環繞該橫向溝渠及該些縱向溝渠。
5. 如請求項4所述的真空檢測載台，其中該真空載台還具有一相對於該吸附面的底面及貫通該吸附面與該底面的多個吸孔，彼此交錯的該些橫向溝渠及該些縱向溝渠形成多個交錯點，且該些吸孔分佈於該些交錯點。
6. 如請求項1所述的真空檢測載台，其中該第二真空吸附區具有沿著垂直於該第一方向的一第二方向排列的二個子真空吸附區，且每一該子真空吸附區包括沿著該第一方向排列的多個上半圓弧溝渠及沿著該第一方向排列的多個下半圓弧溝渠，該些上半圓弧溝渠與該些下半圓弧溝渠共一圓心。
7. 如請求項6所述的真空檢測載台，其中自該圓心向外，第n個該上半圓弧溝渠連通於第(n+1)個該上半圓弧溝渠，且第n個該下半圓弧溝渠連通於第(n+1)個該下半圓弧溝渠，其中n大於等於1，且為奇數。
8. 如請求項7所述的真空檢測載台，其中每一該子真空吸附區還包括多個第一徑向溝渠與多個第二徑向溝渠，第n個該上半圓弧溝渠及第(n+1)個該上半圓弧溝渠之間設有至少一第一徑向溝渠以連通彼此，且第n個該下半圓弧溝渠及第(n+1)個該下半圓弧溝渠之間設有至少一第二徑向溝渠以連通彼此。
9. 如請求項8所述的真空檢測載台，其中， 自該圓心向外，第(n+2)個該上半圓弧溝渠的曲率半徑大於第n個該上半圓弧溝渠的曲率半徑，與第(n+2)個該上半圓弧溝渠相連通的該些第一徑向溝渠的數量大於與第n個該上半圓弧溝渠相連通的該些第一徑向溝渠的數量；以及 自該圓心向外，第(n+2)個該下半圓弧溝渠的曲率半徑大於第n個該下半圓弧溝渠的曲率半徑，與第(n+2)個該下半圓弧溝渠相連通的該些第二徑向溝渠的數量大於與第n個該下半圓弧溝渠相連通的該些第二徑向溝渠的數量。
10. 如請求項8所述的真空檢測載台，其中該真空載台還具有一相對於該吸附面的底面及貫通該吸附面與該底面的多個吸孔，彼此連通的該些第一徑向溝渠及該些上半圓弧溝渠形成多個第一交會點，且彼此連通的該些第二徑向溝渠及該些下半圓弧溝渠形成多個第二交會點，且該些吸孔分佈於該些第一交會點及該些第二交會點。
11. 如請求項6所述的真空檢測載台，其中該第二真空吸附區還具有多個輔助真空吸附區，且該些輔助真空吸附區分佈於每一該子真空吸附區的四周。
12. 如請求項1所述的真空檢測載台，更包含一氣浮載台，設置於該底座上，且位於該真空載台的一側，該氣浮載台具有一氣浮區與一環繞該氣浮區的外真空吸附區。
13. 如請求項1所述的真空檢測載台，其中該第一真空吸附區以及該第二真空吸附區的形狀分別為四邊形或方形。
14. 如請求項1所述的真空檢測載台，其中該待測物為一方形面板、一附晶圓環的12吋圓形晶圓、一12吋圓形晶圓、一8吋圓形晶圓、一6吋圓形晶圓、一4吋圓形晶圓以及一8吋圓形玻璃晶圓中的至少一者或其組合。

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