TWM658196U

TWM658196U - 製程裝置

Info

Publication number: TWM658196U
Application number: TW113202556U
Authority: TW
Inventors: 陳俊發; 李攸軒; 許淨雯; 楊兆璿; 林廷韋
Original assignee: 山太士股份有限公司
Priority date: 2024-03-14
Filing date: 2024-03-14
Publication date: 2024-07-21

Abstract

一種製程裝置，其包括基板以及塗層。塗層位於基板上。塗層的材質包括樹脂、架橋劑以及清潔材料。以樹脂為100重量單位計，架橋劑為5重量份至50重量份。以樹脂為100重量單位計，清潔材料為5重量份至200重量份。基於上述，至少由於塗層中的架橋劑及清潔材料具有特定的重量份範圍，因此製程裝置可以適用於電子元件的測試製程中或之後，對應的清潔步驟。

Description

製程裝置

本新型創作是有關於一種製程裝置，且特別是有關於一種可適用於電子元件相關製程的製程裝置。

在電子元件的測試中(如：最終測試(final test，FT)或晶圓針測(chip probing，CP)，但不限上述)，常需藉由探針(probe pin)進行電性的量測。然後，若探針上有雜質或刮痕(scratch)，可能會影響電子元件的測試結果。

本新型創作提供一種製程裝置，其可適用於電子元件相關製程。

本新型創作的製程裝置包括基板以及塗層。塗層位於基板上。塗層的材質包括樹脂、架橋劑以及清潔材料。以樹脂為100重量單位計，架橋劑為5重量份至50重量份。以樹脂為100重量單位計，清潔材料為5重量份至200重量份。

在本新型創作的一實施例中，塗層的邵氏硬度(Shore Hardness)介於40 A至80 A。

在本新型創作的一實施例中，塗層的彈性係數介於50kg/cm²至300kg/cm²。

在本新型創作的一實施例中，塗層的平整度小於或等於50微米。

在本新型創作的一實施例中，樹脂的分子量介於20,000g/mol至1,500,000g/mol。在本新型創作的一實施例中，樹脂的分子量更介於20,000g/mol至1,000,000g/mol。

在本新型創作的一實施例中，樹脂的玻璃轉化點大於或等於-60℃。在本新型創作的一實施例中，樹脂的玻璃轉化點更介於-60℃至-20℃。

在本新型創作的一實施例中，塗層為藉由將塗料塗佈於基板上且固化而成，其中塗料的黏度介於200cps至5,000cps。

在本新型創作的一實施例中，塗層為藉由將塗料塗佈於基板上且固化而成，其中固化的步驟包括熱固化步驟以及光固化步驟。

在本新型創作的一實施例中，熱固化步驟為藉由紅外光加熱。

在本新型創作的一實施例中，光固化步驟為於絕氧的環境中進行。

基於上述，製程裝置可以適用於電子元件的測試製程中或之後，對應的清潔步驟。

100:製程裝置

110:離型層

120:黏著層

130:基板

140:塗層

300:電子元件

320:導電端子

90:探針卡

91:探針

99:物質

圖1是依照本新型創作的一實施例的一種製程裝置的剖面示意圖。

圖2是依照一種常用的測試方法的側視示意圖。

圖3A至圖3D是依照以本新型創作的一實施例的一種製程裝置進行清潔或去汙過程的側視示意圖。

在附圖中，為了清楚起見，放大或縮小了部分的元件或膜層的尺寸。並且，為求清楚表示，於圖示中可能省略繪示了部分的膜層或構件。

本文所使用之方向術語(例如，上、下、右、左、前、後、頂部、底部)僅參看所繪圖式使用且不意欲暗示絕對定向。

在說明書中以「介於」或「約」表示兩不同數質之範圍，其為大於或約等於較小之數值，且小於或約等於較大之數值。

在說明書中所表示的數值，可以包括所述數值以及在本領域中具有通常知識者可接受的偏差範圍內的偏差值。上述偏差值可以是於製造過程或量測過程的一個或多個標準偏差(Standard Deviation)，或是於計算或換算過程因採用位數的多寡、四捨五入或經由誤差傳遞(Error Propagation)等其他因素所產生的計算誤差。

圖1是依照本新型創作的第一實施例的一種製程裝置的剖面示意圖。

請參照圖1，製程裝置100可以包括基板130以及塗層140。塗層140位於基板130上(於圖1中的上方)。

在一實施例中，製程裝置100可以更包括離型層110以及黏著層120。離型層110位於黏著層120下(於圖1中的下方)。黏著層120位於基板130下(於圖1中的下方)。也就是說，黏著層120與塗層140分別位於基板130的兩相對側。

在一實施例中，若製程裝置100包括離型層110、黏著層120、基板130以及塗層140，則在製程裝置100的一示例性使用方式上，可以先將離型層110移除，以藉由黏著層120而黏固於對應的物件上。

製程裝置100中各層的示例性特徵及對應的功效可以如以下詳細敘述。

[離型層]

在一實施例中，離型層110可以包括離型膜(release film)或離型紙(release paper)，但本新型創作不限於此。

在一實施例中，前述作為離型層110的離型膜的材質可以包括為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)。

在一實施例中，離型層110的厚度可為25微米(micrometer；μm)至175微米，但本新型創作不限於此。

在一實施例中，離型層110的離型力可為2gf/25mm至200gf/25mm，但本新型創作不限於此。

[黏著層]

在一實施例中，黏著層120的厚度介於10微米至50微米。舉例而言，黏著層120的厚度基本上為25微米。

若黏著層(類似於黏著層120，但厚度不同)的厚度小於10微米，則可能降低黏著層的黏著力。

若黏著層(類似於黏著層120，但厚度不同)的厚度大於50微米，則可能會因為黏著層過厚，而對應地使製程裝置的整體厚度增厚，而使材料成本增加或影響其他膜層的功能。

[基板]

在一實施例中，基材130的材質可以包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚醚醚酮(polyether ether ketone，PEEK)、聚乙烯亞胺(polyethylenimine，PEI)、聚醯胺(polyamide，PA)、聚醚碸(polyethersulfone，PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、晶圓、玻璃、金屬板、玻纖板、陶瓷板上述的堆疊或上述之組合。

在一實施例中，基板130的材質可以包括矽、碳化矽、氮化鎵、氧化鋁(Al₂O₃)、石英或適用於電子元件製程的材質。在一實施例中，基板130的外觀可以相同或相似於圓形，其直徑例如可為3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸、14英吋、 15英吋、16英吋、20英吋或其他適宜的規格。

在一實施例中，基板130可以包括適用於半導體製程的晶圓(可簡稱為：半導體晶圓；如：矽晶圓)。如此一來，包括以半導體晶圓作為基板130的製程裝置100可以直接適用於電子元件相關製程(如：晶圓針測(chip probing，CP))。

在一實施例中，基板130的厚度介於12微米至2000微米。在一實施例中，基板130的厚度介於150微米至1,800微米；例如：介於750微米至800微米。在一實施例中，基板130的厚度可以對應於一般電子元件相關製程中所使用的晶圓的厚度。

[塗層]

[塗層的組成]

在本實施例中，用於形成塗層140的材質可以包括樹脂、架橋劑以及清潔材料。也就是說，塗層140的材質可以包括樹脂、架橋劑以及清潔材料。

在一實施例中，前述的樹脂可以包括有機矽樹脂(silicone resin)、有機矽橡膠(silicone rubber)、聚氨酯樹脂(polyurethane resin；PU resin)、丙烯酸酯樹脂(acrylic resin)或上述之混合。

在一實施例中，以使用的樹脂為100重量單位計，所使用的架橋劑(可以更包括對應的觸媒)約為5重量份至50重量份。

在一實施例中，前述的架橋劑可以包括為胺類架橋劑、酸酐類架橋劑、有機過氧化物架橋劑或上述之混合。在一實施例中，在使用架橋劑的前提下，可以進一步地使用對應的觸媒。前述的觸媒可以包括白金觸媒。

在一實施例中，胺類架橋劑例如可以包括三烷基胺(如：三乙胺、三丁胺等)、胺基吡啶(如：4-二甲基胺基吡啶)、芳基胺(如：苯甲基二甲胺、2,4,6-三(二甲基胺基甲基)苯酚)或上述之混合，但本新型創作不限於此。

在一實施例中，酸酐架橋劑例如可以包括丁烯二酸酐、甲基四氫苯酐(Methyl Tetrahydrophthalic Anhydride，MTHPA，CAS：26590-20-5)或上述之混合，但本新型創作不限於此。

在一實施例中，有機過氧化物架橋劑例如可以包括過氧化苯甲醯(Benzoyl peroxide，BPO，CAS：94-36-0)、2-(叔丁基過氧異丙基)苯(Bis-(tert-butylperoxyisopropyl)benzene peroxide，BIBP，CAS：25155-25-3/2212-81-9)或上述之混合，但本新型創作不限於此。

在一實施例中，觸媒可以包括鉑觸媒。鉑觸媒例如可以包括鉑黑、氯鉑酸、有機鉑化合物(如：鉑雙乙醯乙酸、鉑(0)-1,3-二乙烯-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷(Platinium 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes；CAS：68478-92-2))。在一實施例中，在樹脂包括有機矽樹脂或有機矽橡膠的前提下，鉑觸媒的存在可以提升對應的硬化程度。

在一實施例中，前述的清潔材料可以包括有機矽樹脂粉末、有機矽橡膠粉末、矽酸鹽礦物或上述之混合。

在一實施例中，前述清潔材料的粒徑可以大於或約等於 0.05微米，且小於或約等於10微米。若清潔材料的粒徑過小(如：小於0.05微米)，則在相同的重量比例下雖然可以提升對應的表面積，但可能降低對應的摩擦力，而可能降低清潔效果。若清潔材料的粒徑過大(如：小於10微米)，則在相同的重量比例下會將低對應的表面積，並可能提升對應的摩擦力，而可能降低清潔效果，且可能會提升對應被清潔物(如：探針)損傷或損壞的可能。

在一實施例中，以使用的樹脂為100重量單位計，所使用的清潔材料約為5重量份至200重量份。清潔材料的添加量可能會影響的內聚力。若添加比例低(如：以使用的樹脂為100重量單位計，清潔材料的添加量小於5重量份)，則雖然對應的內聚力或回復性較佳，但由於添加比例過低反而清潔效果可能較差。若添加比例高(如：以使用的樹脂為100重量單位計，清潔材料的添加量大於200重量份)，則雖然由於添加比例過高而清潔效果可能較好，但對應的內聚力與回復性可能較差，而在使用上較為不便。

[塗層的形成方式]

塗層140可以藉由塗佈以及固化的方式而形成。前述固化的方式可以包括熱固化方式及/或光固化方式，但本新型創作不限於此。

在一實施例中，塗層140的形成方式可以如下。

首先，可以將包含或混有樹脂、架橋劑以及清潔材料的膠狀、膏狀或液狀塗料藉由適當的方式(如：以刮刀或其他類似的治具進行塗佈的方式)塗覆於基板130上。前述的塗料可以選擇性地使用適當的有機溶劑。

在將適當的塗料塗覆於基板130上的過程中及/或塗覆完成之後，可以進行第一階段固化步驟與第二階段固化步驟。

第一階段固化步驟可以包括藉由照光加熱的方式使於基板130上的塗料被固化或半固化。前述的照光加熱例如可以包括以紅外光(IR)進行照光加熱。相較於以熱風加熱的方式，照光加熱的受熱可以較為均勻，且所形成的塗層(如：塗層140)可以具有較佳的平整度(如：具有較少的氣泡、縮孔(俗稱：火山孔)或乾燥不均的現象；或，幾乎無前述的表徵)。

由於紅外光的光子能量較弱(相較於紫光或紫外光；相較於高分子中兩鍵結原子的鍵能；且/或，相較於高分子中某π鍵被激發而對應地為π*鍵所需的能量)，因此紅外光基本上不會促使對應的光化學反應產生，故第一階段固化步驟可以被稱為熱固化方式。

第二階段固化步驟可以包括使塗覆於基板130上的塗料(可為未固化狀態或半固化狀態)處於絕氧的環境中，並以照射高能光線的方式進行固化。絕氧的環境例如將整個物件(如：具有塗料塗覆於其上的基板130)置於絕氧空間(如：氮氣箱)中；且/或，在塗覆於基板130上的塗料之上更覆蓋對應的隔絕物件(如：離型膜)。另外，前述的高能光線所指為對應單一光子(photon)之能量，舉例而言，高能光線為紫光或紫外光。由於在高能光線的照射之下，氧氣可能分解成氧自由基及/或產生臭氧(ozone)，而氧自由基及/或臭氧容易與樹脂中的高分子反應而造成材料上的缺陷。因此，使塗覆於基板130上的塗料於絕氧的環境中進行照射高能光線的方式予以固化，可以提升所形成的塗層及/或對應材料的穩定度、強度及/或耐久性。

由於紫光或紫外光的光子能量較強(相較於紅外光；相較於高分子中兩鍵結原子的鍵能；且/或，相較於高分子中某π鍵被激發而對應地為π*鍵所需的能量)，因此紫光或紫外光可能會促使對應的光化學反應(如：架橋反應)產生，故第二階段固化步驟可以被稱為光固化方式。

在一實施例中，可以先進行前述的第一階段固化步驟；而後，進行前述的第二階段固化步驟。在一實施例中，第一階段固化步驟的執行時序可以與第二階段固化步驟的執行時序可以重疊。舉例而言，可以在接近完成但尚未完成第一階段固化步驟時，即進行第二階段固化步驟。又舉例而言，可以在進行第一階段固化步驟的過程中，進行一次的或多次的第二階段固化步驟。當然，若有需要，第一階段固化步驟也可以於絕氧的環境中進行。

在一實施例中，塗層140僅藉由前述第一階段固化步驟，則在厚度為150微米至300微米的對應情況下，其對應的平整度(可以算數平均粗度(Ra)判斷)可以約為30微米至50微米。

在一實施例中，塗層140為藉由包括前述第一階段固化步驟及前述第二階段固化步驟的方式所形成，則在厚度為150微米至300微米的對應情況下，其對應的平整度(可以算數平均粗度(Ra)判斷)可以更小(如：小於或約等於30微米)。

在一些電子元件的相關製程中，常會使用探針/探針卡。在使用探針/探針卡時，其具有對應的壓縮量(Over Drive，OD)。壓縮量是控制探針/探針卡與被測試物(如：晶圓或晶片)接觸的重要參數。壓縮量不能超過探針/探針卡的供應商所指定的最大值，以避免針壓過大而造成探針/探針卡變形。壓縮量不能過小，以避免探針/探針卡未與被測試物接觸的可能。在一般的電子元件相關製程中，考量對應的元件製程品質及對應的探針/探針卡規格，壓縮量大多設定於30微米至80微米的範圍。

基於前段所述，考量製程裝置100被原位(in-situ)地用於探針/探針卡清潔(即，不改變如壓縮量或其他類似的參數條件下)的方式之下，塗層140的平整度小於或約等於50微米；較佳地，更小於或約等於30微米。如此一來，可以使製程裝置100可以適用於探針/探針卡的清潔，且/或可以降低探針/探針卡損傷或損壞的可能。

[用於形成塗層的塗料的黏度影響]

在一實施例中，用於形成塗層140的塗料的黏度可以介於200cps至5,000cps。架橋劑及/或清潔材料的添加比例可能會對於塗料的黏度有所影響。

若架橋劑的添加比例過低(如：以使用的樹脂為100重量單位計，所使用的架橋劑小於5重量份)，則對應形成的塗料的黏度可能較低(如：小於200cps)，雖然流平性(levelling property) 可以較佳，而可以使所形成的塗層具有較佳的平整度，但可能較難一次地形成至具有適當的厚度，而可能需要進行多次的工序而可能提升製程上的複雜度或難度。並且，若厚度過低(如：厚度小於150微米)，則對於探針的使用上可能會使對應的清潔能力降低。另外，由於架橋密度可能過低，而可能造成硬度較軟，在使用時回復性較差，對應的清潔能力降低。

若架橋劑的添加比例過高(如：以使用的樹脂為100重量單位計，所使用的架橋劑大於50重量份)，則對應形成的塗料的黏度可能較高(如：大於5,000cps)，因此需要較小心地控制使用的量，以避免所形成的厚度過厚(如：厚度大於300微米)。若厚度過厚可能會提升對應形成的塗層產生自身缺陷(如：脫膠、殘膠、自身斷裂或其他類似的混合性破壞)的可能。並且，由於黏度可能較高而使對應的流平性較差，因此對應形成的塗層可能平整度較差。另外，由於架橋密度可能較高，而可能造成硬度較硬，在對於探針的使用上較難使探針插入於其中，而可能使對應的清潔能力降低或無清潔能力，甚至對探針造成損傷或損壞。

若清潔材料的添加比例過低(如：以使用的樹脂為100重量單位計，所使用的清潔材料小於5重量份)，則對應形成的塗料的黏度可能較低(如：小於200cps)。類似於前述，較低的黏度雖然流平性可以較佳，而可以使所形成的塗層具有較佳的平整度，但可能較難一次地形成至具有適當的厚度，而可能需要進行多次的工序而可能提升製程上的複雜度或難度。若厚度過低(如：厚度小於150微米)，則對於探針的使用上可能會使對應的清潔能力降低。

若清潔材料的添加比例過高(如：以使用的樹脂為100重量單位計，所使用的清潔材料大於200重量份)，則對應形成的塗料的黏度可能較高(如：大於5,000cps)。類似於前述，較高的黏度需要較小心地控制使用的量，以避免所形成的厚度過厚(如：厚度大於300微米)。並且，由於黏度可能較高而使對應的流平性較差，因此對應形成的塗層可能平整度較差。

[塗層的硬度及其對應的影響]

在一實施例中，塗層140的邵氏硬度(Shore Hardness)介於40A至80A。在前述的範圍內，硬度較為適中。並且，若欲以穿刺的方式使被清潔物件(如：探針)刺入塗層140，而使塗層140得以黏附被清潔物件上的汙塵，則邵氏硬度介於40A至80A的塗層140適於使被清潔物件(如：探針)從垂直於塗層140表面的方向上進行穿刺。

在一實施例中，邵氏硬度可以藉由一般常用的標準方法進行測試。舉例而言，邵氏硬度可以藉由ASTM D2240或ISO 868的標準測試方法/規範進行測試，而進行換算或估算。

在一實施例中，塗層140的硬度可能跟其中的分子結構及/或架橋結構有關。

以樹脂材料或橡膠材料為例，若其分子結構具有較長的碳鏈，則其硬度可能相對地較低。再以樹脂材料或橡膠材料為例，若其分子結構包括芳香烴或是具有高立體障礙的結構(如：橋聯雙環基團(bridged bicyclic group))，則其硬度可能相對地較高。

架橋結構的密度可能與架橋劑和樹脂的比例有關。為便於進行評估及/或配方調配，在一般與高分子相關的領域中，架橋結構的密度關係可以藉由其架橋劑對樹脂的重量比例比較評估。

若架橋結構的密度過低(以使用的樹脂為100重量單位計，所使用的架橋劑(可以更包括對應的觸媒)小於5重量份)，則對應的塗層的內聚力可能較低；且/或，對應的塗層的硬度可能較低(如：邵氏硬度小於40A)。

若塗層的硬度過低(如：邵氏硬度小於40A)，則在使用上回復性可能較差，而會降低其清潔能力。

若架橋結構的密度過高(以使用的樹脂為100重量單位計，所使用的架橋劑(可以更包括對應的觸媒)大於50重量份)，則對應的塗層的內聚力可能較高；且/或，對應的塗層的硬度可能較高(如：邵氏硬度大於80A)。

若塗層的硬度過高(如：邵氏硬度大於80A)，則探針可能較難插入或穿刺於其中，而會降低其清潔能力甚至損傷或損壞探針。

[塗層的彈性係數及其對應的影響]

在一實施例中，塗層140的彈性係數介於50kg/cm²至300kg/cm²。在前述的範圍內，彈性較為適中。並且，若欲以穿刺的方式使被清潔物件(如：探針)刺入塗層140，而使塗層140得以黏附被清潔物件上的汙塵，則彈性係數介於50kg/cm²至 300kg/cm²的塗層140可能具有較佳的清潔能力以及較多的可使用次數。

在一實施例中，彈性係數可以藉由一般常用的標準方法進行測試。舉例而言，彈性係數可以藉由相同或相似於楊氏模數(Young's modulus)的標準測試方法/規範進行測試，而進行換算或估算。

在一實施例中，塗層140的彈性可能跟其中材質的特性及/或對應的比例關係有關。

以樹脂材料或橡膠材料為例，在一實施例中，塗層140所使用的樹脂/橡膠的重均分子量可以介於20,000g/mol至1,500,000g/mol。若分子量過低(如：重均分子量小於20,000g/mol)，則可能因為內聚力較差，而使對應的彈性係數較低。若分子量過高(如：重均分子量大於或約等於20,000g/mol)，則可能因為內聚力較佳，而使對應的彈性係數較高。

在一實施例中，若進一步地考量對應的樹脂/橡膠、架橋劑以及清潔材料的整體比例關係以及對應的其他特性(如：形成方式的難易度、塗料黏度的適中性或硬度的適中性)或功效，塗層140所使用的樹脂/橡膠的重均分子量更可以約為20,000g/mol至1,000,000g/mol。

再以樹脂材料或橡膠材料為例，在一實施例中，塗層140所使用的樹脂/橡膠的玻璃轉化點(glass transition temperature，Tg)可以大於或約等於-60℃。若玻璃轉化點過低(如：玻璃轉化點小於-60℃)，則可能因為內聚力較差，而使對應的彈性係數較低，且所形成的塗層可能耐溫性差。若玻璃轉化點過高(如：玻璃轉化點大於或約等於-60℃)，則可能因為內聚力較佳，而使對應的彈性係數較高，且所形成的塗層具有較佳的耐溫性。

在一實施例中，若進一步地考量對應的樹脂/橡膠、架橋劑以及清潔材料的整體比例關係以及對應的其他特性(如：形成方式的難易度、塗料黏度的適中性或硬度的適中性)或功效，塗層140所使用的樹脂/橡膠的的玻璃轉化點(glass transition temperature，Tg)可以介於-60℃至-20℃。

在一實施例中，製程裝置100可以作為探針卡清潔墊(probe card clean pad)或探針清潔墊(probe pin clean pad)，但本新型創作不限於此。但值得注意的是，本新型創作並未限定前述任一實施例的製程裝置100的用途。

探針的清潔方法可以包括以下步驟。步驟1：藉由探針對電子元件進行測試。步驟2：於前述的步驟1之後，藉由前述任一實施例的製程裝置100對探針進行清潔。

探針的清潔方法舉例如下。圖2是依照一種常用的測試方法的側視示意圖。圖3A至圖3D是依照以本新型創作的一實施例的一種製程裝置進行清潔或去汙過程的側視示意圖。

請參照圖2，可以藉由一般常用的測試方式，以藉由探針91對電子元件300進行電性測試。

電子元件300例如是半導體晶圓，其可以具有對應的導電端子320。導電端子320可以為焊球或接觸墊(contact pad)。晶圓針測(chip probing，CP)為半導體晶圓(可為成品或半成品)製造過程中對晶圓上的裸晶(封裝前)進行產品良率驗證的重要測試。在裸晶測試的過程中，常藉由對應的探針卡(probe card)90進行測試。探針卡90包括探針(probe pin)91。探針91在測試過程中會接觸接觸墊320，以傳送對應的電訊號而進行測試。因此，在探針91與導電端子320相接觸的過程中，導電端子320上的部分物質(如：形成導電端子的焊料或形成接觸墊的金料、銀料、鋁料、鋅料或銅料，但不限)可能會沾附於探針91上。

值得注意的是，圖2僅為針對一種常用的測試方式進行繪示或描述，於本新型創作並不加以限定或詳述。舉例而言，測試方式可以例如為最終測試(final test，FT)。

圖3A至圖3D是依照以本新型創作的一實施例的一種製程裝置進行清潔或去汙過程的側視示意圖。另外，為求清楚，圖3A至圖3D為針對探針91末端的區域附近進行繪示及對應描述。

舉例而言，在於前述圖2的示例性測試後，可以藉由類似的作動方式，藉由製程裝置100對探針91進行清潔。

在一實施例中，於導電端子320與探針91相分離的過程中，導電端子320上的部分物質(如：形成導電端子的焊料或形成接觸墊的金料、銀料、鋁料、鋅料或銅料，但不限)可能會剝離且沾附於探針91上。

如圖3B所示，可以將製程裝置100置於相同或相似於電子元件300(如圖2所示)被放置之處，以藉由製程裝置100對探針91進行清潔。舉例而言，如圖3B至3C所示，可以相同或相似於前述的測試方式，以使製程裝置100與探針91相接觸，以使沾附於探針91上的物質99(如：焊料、金料、銀料、鋁料、鋅料、銅料或可能的汙漬)被製程裝置100的塗層140所沾黏。之後，如圖3C至3D所示，可以使製程裝置100與探針91相分離，並可以藉由製程裝置100以降低沾附於探針91上的物質99。

值得注意的是，於圖3A至圖3D中僅是示例性地介紹一種探針91的清潔方法，本新型創作對於探針91的種類並未加以限制。舉例而言，在圖2或3A至圖3D中，所繪示的探針91為垂直式探針(vertical probe pin)，但本新型創作不限於此。在一未繪示的實施例中，本新型創作前述任一實施例的製程裝置100也藉由類似於一般的測試方式，而可被用於懸臂式探針(cantilever probe pin)的清潔。

綜上所述，在本新型創作的製程裝置及藉由前述的製程裝置進行探針清潔的清潔方法中，由於塗層可以適於黏貼探針上的物質，而可以適於探針的清潔，且可以降低探針的刮痕；且/或，本新型創作的製程裝置可以具有較多的有效使用次數。

100:製程裝置

110:離型層

120:黏著層

130:基板

140:塗層

Claims

一種製程裝置，包括：基板；以及塗層，位於所述基板上，所述塗層的材質包括樹脂、架橋劑以及清潔材料，其中：以所述樹脂為100重量單位計，所述架橋劑為5重量份至50重量份；以所述樹脂為100重量單位計，所述清潔材料為5重量份至200重量份。
如請求項1所述的製程裝置，其中所述塗層的邵氏硬度(Shore Hardness)介於40 A至80 A。
如請求項1所述的製程裝置，其中所述塗層的彈性係數介於50kg/cm²至300kg/cm²。
如請求項1所述的製程裝置，其中所述塗層的平整度小於或等於50微米。
如請求項1所述的製程裝置，其中所述樹脂的分子量介於20,000g/mol至1,500,000g/mol。
如請求項1所述的製程裝置，其中所述樹脂的玻璃轉化點大於或等於-60℃。
如請求項1所述的製程裝置，其中所述塗層為藉由將塗料塗佈於所述基板上且固化而成，其中所述塗料的黏度介於200cps至5,000cps。
如請求項1所述的製程裝置，其中所述塗層為藉由將塗料塗佈於所述基板上且固化而成，其中所述固化的步驟包括熱固化步驟以及光固化步驟。
如請求項8所述的製程裝置，其中所述熱固化步驟為藉由紅外光加熱。
如請求項8所述的製程裝置，其中所述光固化步驟為於絕氧的環境中進行。