TWM655684U - 二合一的光電輔助製程腔體構造 - Google Patents

Abstract

一種二合一的光電輔助製程腔體構造，包含：一下腔體，具有一容置空間，且下腔體的頂部開設一腔體開口；一頂部蓋板，具有一上表面以及一下表面；頂部蓋板更具有一窗口以及多個通氣孔，連通上表面與下表面，該些通氣孔環繞窗口配置；一外管體，其底端設置於上表面並且覆蓋於窗口以及該些通氣孔；其中，頂部蓋板封閉腔體開口，並且下表面朝向反應空間，以形成一反應腔體；一內管體，其底端設置於上表面並且連接於窗口，並且內管體位於外管體中；其中，內管體內形成一第一氣體腔室，並且連通於窗口；外管體與內管體之間形成一第二氣體腔室，且第二氣體腔室連通於該些通氣孔；一紫外光源，設置於內管體的頂端，用以對第一氣體腔室發射一紫外光；一感應線圈，環繞於外管體，用以對外管體提供隨時間變化的磁通量而產生感應電場；以及一下腔體，具有一容置空間，且下腔體的頂部開設一腔體開口；其中，頂部蓋板封閉該腔體開口，並且下表面朝向反應空間。

Description

二合一的光電輔助製程腔體構造

本新型有關於ALD或ALE等製程的強化，特別是關於一種二合一的光電輔助製程腔體構造。

原子層沈積(Atomic Layer Deposition,ALD)或原子層磊晶(atomic layer epitaxy,ALE)過程中，或其他的晶圓表面加工製程中，會應用到紫外光輔助與電漿強化來將加強沈積或磊晶。

在傳統製程中紫外光輔助設備以及電漿強化設備是各自獨立的設備，這代表著紫外光輔助與電漿強化難以同時進行，必須分開進行。而分開進行紫外光輔助與電漿強化，又涉及了晶圓片在不同設備間移轉的作業，而影響了ALD或ALE作業的效率。

鑑於上述技術問題，本新型提出一種二合一的光電輔助製程腔體構造，用於結合紫外光輔助及電漿強化於單一製程。

本新型提出一種二合一的光電輔助製程腔體構造，包含：一下腔體，具有一容置空間，且下腔體的頂部開設一腔體開口；一頂部蓋板，具有一上表面以及一下表面；頂部蓋板更具有一窗口以及多個通氣孔，連通上表面與 下表面，該些通氣孔環繞窗口配置，其中，頂部蓋板封閉腔體開口，並且下表面朝向反應空間，以形成一反應腔體；一外管體，其底端設置於上表面並且覆蓋於窗口以及該些通氣孔；一內管體，其底端設置於上表面並且連接於窗口，並且內管體位於外管體中；其中，內管體內形成一第一氣體腔室，並且連通於窗口；外管體與內管體之間形成一第二氣體腔室，且第二氣體腔室連通於該些通氣孔；一紫外光源，設置於內管體的頂端，用以對第一氣體腔室發射一紫外光；以及一感應線圈，環繞於外管體，用以對外管體提供隨時間變化的磁通量而產生感應電場。

在至少一實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造更包含一晶圓承載座，位於該下腔體的反應空間中，並且該晶圓承載座是相應於頂部蓋板的下表面設置，晶圓承載座包含一晶圓承載板、一線性驅動器以及一偏壓電源；晶圓承載板的頂面朝向頂部蓋板的下表面，線性驅動器連接於晶圓承載板的底面，用以驅動晶圓承載板直線地上下位移，晶圓承載板連接於偏壓電源，且偏壓電源用以對晶圓承載板施加偏壓。

在至少一實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造更包含一第一噴灑頭，結合於頂部蓋板的下表面，環繞窗口，並且覆蓋於該些通氣孔。

在至少一實施例中，頂部蓋板包含前驅物管路，連通上表面與下表面，且前驅物管路位於上表面的一端用以連接一前驅物供應源，且前驅物管路位於下表面的一端是位於該些通氣孔的外側。

在至少一實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造更包含一第二噴灑頭，結合於頂部蓋板的下表面，並覆蓋於前驅物管路位於下表面的一端；其中，第一噴灑頭外徑與第二噴灑頭外徑之間的比值為介於0.3與0.9之間。

在至少一實施例中，內管體的內徑與外管體的內徑的比值介於0.1至0.6之間。

在至少一實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造更包含一間隔件，連接於外管體與內管體的頂端，並且紫外光源是結合於間隔件。

在至少一實施例中，間隔件更包含：至少一第一進氣管路，第一進氣管路由間隔件的外側面延伸至中央開口，並且第一進氣管路用以連接於一第一氣體源，使第一氣體腔室經由中央開口連通於第一進氣管路，第一進氣管路用以接收第一氣體並輸送至第一氣體腔室；以及至少一第二進氣管路，第二進氣管路由間隔件的外側面延伸進入至外側空腔，並且第二進氣管路用以連接於一第二氣體源，使第二氣體腔室經由外側空腔連通於第二進氣管路，第二進氣管路用以接收第二氣體並輸送至第二氣體腔室。

在至少一實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造更包含二透明隔板，用以封閉內管體的頂端與底端，使得第一氣體腔室為封閉。

在至少一實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造更包含一適配環，用以直接或間接地結合於外管體與內管體頂端，且適配環的頂面匹配紫外光源，以使得紫外光源透過適配環結合於內管體頂端。

基於上述二合一的光電輔助製程腔體構造，紫外光輔助及電漿強化的功能可以結合於單一設計。單一設計可以同時併用紫外光輔助及電漿強化，也可以在紫外光輔助及電漿強化中擇一實施，但不需要在不同的設備之間移轉晶圓，可以有效地提升ALD/ALE製程的效率。

110:頂部蓋板

111:上表面

112:下表面

113:設置槽

114:窗口

115:通氣孔

116:前驅物管路

120:外管體

122:第二氣體腔室

130:內管體

131:第一氣體腔室

140:紫外光源

150:感應線圈

160:間隔件

161:中央開口

162:外側空腔

163:第一進氣管路

164:第二進氣管路

170:線圈支架

180:透明隔板

190:適配環

200:下腔體

200a:反應空間

201:腔體開口

202:擋件

210:第一噴灑頭

210a:電漿通道

220:第二噴灑頭

220a:前驅物通道

230:晶圓承載座

232:晶圓承載板

234:線性驅動器

236:加熱器

240:偏壓電源

a:內管體內徑

b:外管體內徑

c:第一噴灑頭外徑

d:第二噴灑頭外徑

S110~S160:步驟

圖1是本新型實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造的剖面分解圖。

圖2是本新型實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造的剖面圖。

圖3與圖4是本新型實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造中部分元件的剖面圖。

圖5是本新型實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造中部分元件的剖面分解圖。

圖6是本新型實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造的另一剖面圖。

圖7是本新型實施例中，頂部蓋板、第一噴灑頭與第二噴灑頭的立體圖。

圖8是本新型實施例中，第一噴灑頭與第二噴灑頭的立體圖。

圖9與圖10是本新型紫外光輔助及電漿強化之製程方法的流程圖。

請參閱圖1至圖2所示，為本新型實施例所揭露的一種二合一的光電輔助製程腔體構造，用以執行紫外光輔助及電漿強化之製程方法。

如圖1與圖2所示，光電輔助製程腔體構造包含一頂部蓋板110、一外管體120、一內管體130、一紫外光源140、一感應線圈150以及一下腔體200。

如圖2所示，下腔體200具有一反應空間200a。下腔體200的頂部開設一腔體開口201，腔體開口201連通反應空間200a。

如圖1與圖2所示，頂部蓋板110具有一上表面111以及一下表面112，且上表面111具有下凹的一設置槽113。頂部蓋板110更具有一窗口114以及 多個通氣孔115，位於設置槽113中。窗口114與該些通氣孔115分別連通上表面111與下表面112，並且通氣孔115環繞窗口114配置。

如圖2所示，頂部蓋板110設置於腔體開口201，並且封閉腔體開口201。頂部蓋板110的下表面112朝向反應空間200a，使得外管體120、內管體130、紫外光源140以及感應線圈150位於下腔體200外部，並且外管體120與內管體130的底端朝向反應空間200a，以形成一反應腔體。

如圖1與圖2所示，內管體130位於外管體120中，外管體120的底端覆蓋於窗口114及該些通氣孔115上，並以內管體130的底端連接於窗口114，進而使得內管體130與外管體120連接於反應腔體。

如圖1與圖2所示，外管體120可為圓管、方形管或其他型態的管體。外管體120的底端設置於上表面111，並且外管體120以其底端覆蓋於窗口114及該些通氣孔115上。內管體130的底端設置於上表面111，並且內管體130以其底端連接於窗口114。內管體130位於外管體120中。內管體130的內形成一第一氣體腔室131，並且第一氣體腔室131連通於窗口114。外管體120與內管體130之間形成一第二氣體腔室122，且第二氣體腔室122連通於該些通氣孔115。

如圖1與圖2所示，紫外光源140設置於內管體130的頂端，用以對第一氣體腔室131發射一紫外光，以激發通入第一氣體腔室131的一第一氣體為激發態。具體而言，光電輔助製程腔體構造更包含一間隔件160，連接於外管體120與內管體130頂端，並且紫外光源140是結合於間隔件160。間隔件160具有一中央開口161以及一外側空腔162，且外側空腔162相鄰於中央開口161且位於中央開口161的外側。中央開口161連通於第一氣體腔室131，且外側空腔162連通於第二氣體腔室122。紫外光源140透過中央開口161對第一氣體腔室131投射紫外光。具體而言，紫外光的頻率是根據填充於第一氣體腔室131的第一氣體進行選擇，使得第一氣體受到紫外光的激發，而發出具有預定波長的激發光。

請參閱圖3與圖4所示，分別為間隔件160在不同方向的剖面示意圖。

如圖3所示，間隔件160更包含至少一第一進氣管路163。第一進氣管路163由間隔件160的外側面延伸至中央開口161，並且第一進氣管路163用以連接於一第一氣體源S1，使第一氣體腔室131經由中央開口161連通於第一進氣管路163。第一進氣管路163用以接收一第一氣體並輸送至第一氣體腔室131。第一氣體腔室131用以容納第一氣體，紫外光激發第一氣體為激發態。

如圖4所示，間隔件160還包含至少一第二進氣管路164。第二進氣管路164由間隔件160的外側面延伸進入至外側空腔162，並且第二進氣管路164用以連接於一第二氣體源S2，使第二氣體腔室122經由外側空腔162連通於第二進氣管路164。第二進氣管路164用以接收一第二氣體並輸送至第二氣體腔室122。

第一進氣管路163的數量可以是多個，分別連接於不同的第一氣體源S1，且不同的第一氣體源S1分別提供不同種類的第一氣體。透過閥門的切換，可以依據需求輸送指定種類的第一氣體至第一氣體腔室131。同樣地，第二進氣管路164的數量可以是多個，分別連接於不同的第二氣體源S2，且不同的第二氣體源S2分別提供不同種類的第二氣體。透過閥門的切換，可以依據需求輸送指定種類的第二氣體至第二氣體腔室122。

如圖1與圖2所示，此外，光電輔助製程腔體構造更包含二透明隔板180，用以封閉內管體130的頂端與底端，使得第一氣體腔室131為封閉，且第一氣體腔室131透過一第一進氣管路163連通第一氣體源S1，使第一氣體可以填充於第一氣體腔室131。二透明隔板180可以是直接地結合於內管體130的頂端與底端，也可以是結合於間隔件160與頂部蓋板110，亦即二透明隔板180分別設置於中央開口161與窗口114，透過內管體130的頂端與底端分別結合於間隔件160 與頂部蓋板110，使得封閉內管體130的頂端與底端。具體而言，透明隔板180可為表面蒸鍍氟化鎂(MgF2)等氟化物的具有蒸鍍薄膜的玻璃。蒸鍍薄膜主要選擇不影響紫外光穿透且具備抗反射特性之材料。

如圖1、圖2與圖4所示，感應線圈150環繞於外管體120，用以對外管體120提供隨時間變化的磁通量而感應產生電場。第二氣體透過第二進氣管路164進入第二氣體腔室122。第二氣體腔室122用以供第二氣體流通，且第二氣體受電場作用游離化產生電漿，而透過該些通氣孔115釋出至頂部蓋板110下方。

受電場作用游離化產生電漿，而朝向底端加速，透過通氣孔115釋出至頂部蓋板110下方。在一具體實施例中，二合一的光電輔助製程腔體構造更包含至少一線圈支架170。感應線圈150至少局部地固定於線圈支架170，且線圈支架170是可拆卸地固定於頂部蓋板110的上表面111。感應線圈150結合於線圈支架170形成一可拆卸的線圈模組。透過線圈支架170的拆換，可以快速地更換環繞於外管體120設置的感應線圈150，以根據需求產生不同的感應電場。

如圖5所示，此外，光電輔助製程腔體構造可以進一步包含一適配環190。適配環190的底面匹配外管體120與內管體130頂端，或是匹配於間隔件160，用以直接或間接地結合於外管體120與內管體130頂端，適配環190的頂面匹配紫外光源140，以使得紫外光源140可以透過適配環190及/或間隔件160結合於內管體130頂端。如圖6所示，具體而言，令內管體130的內徑為a，外管體120內徑為b，內管體內徑a與外管體內徑b的比值較佳為0.1至0.6之間(0.1<a/b<0.6)，可得到較佳的光電輔助製程效果。

參閱圖1、圖2、圖7與圖8所示，此外，光電輔助製程腔體構造可以進一步包含一第一噴灑頭210。第一噴灑頭210為環狀，結合於頂部蓋板110的下表面112，環繞窗口114，並且覆蓋於通氣孔115，而形成一電漿通道210a，電漿通道210a同時連通於下腔體200的反應空間200a。如圖1所示，第二氣體受電 場作用游離化產生的電漿，而朝向底端加速，通過通氣孔115後，進入電漿通道210a。經由第一噴灑頭210的散佈，可以更均勻地分散至下腔體200的反應空間200a中。第一噴灑頭210可透過接地或是調整電漿通道210a的方式，僅讓游離態離子通過，達成離子過濾效果。

如圖1與圖2所示，頂部蓋板110包含前驅物管路116，連通上表面111與下表面112。前驅物管路116位於上表面111的一端連接於前驅物供應源S3，且前驅物管路116位於下表面112的一端是位於通氣孔115的外側。此外，光電輔助製程腔體構造還包含一第二噴灑頭220。第二噴灑頭220同樣為環狀，結合於頂部蓋板110的下表面112，並環繞第一噴灑頭210。第二噴灑頭220覆蓋於前驅物管路116位於下表面112的一端，而形成前驅物通道220a。前驅物通道220a連通下腔體200的反應空間200a，用於均勻地散佈前驅物至反應空間200a中。

第一噴灑頭210與第二噴灑頭220分別提供互相隔離的電漿通道210a與前驅物通道220a，可以避免前驅物提早接觸電漿發生沈積，而堵塞噴灑頭的問題。如圖6所示，具體而言，令第一噴灑頭210外徑為c，第二噴灑頭220外徑為d，第一噴灑頭210外徑c與第二噴灑頭220外徑d之間較佳的比值為介於0.3與0.9之間(0.3<c/d<0.9)。

如圖2所示，光電輔助製程腔體構造更包含一晶圓承載座230，位於下腔體200的反應空間200a中，並且晶圓承載座230是相應於頂部蓋板110的下表面112設置。晶圓承載座230包含一晶圓承載板232以及一線性驅動器234。晶圓承載板232的頂面朝向頂部蓋板110的下表面112，且晶圓承載板232的頂面用以承載一晶圓，以使前驅物附著於晶圓的表面，並且受到激發光以及電漿的輔助，形成良好的原子層鍵結。此外，晶圓承載板232可以連接於一偏壓電源240，偏壓電源240用以對晶圓承載板232施加射頻形式的偏壓電流，以產生電場吸引電漿或前驅物，加強晶圓表面的沈積作用。線性驅動器234連接於晶圓承載板232 的底面，用以驅動晶圓承載板232直線地上下位移，以接近或遠離頂部蓋板110。以外，下腔體200還可以包含擋件202，延伸於反應空間200a中，並且環繞晶圓承載板232配置。此外，晶圓承載座230內部也可以設置加熱器236，例如電熱管等，用於對晶圓進行加熱，以使溫度維持於沉積反應所需的溫度。

基於上述二合一的光電輔助製程腔體構造，本新型提出一種紫外光輔助及電漿強化之製程方法。

如圖2與圖9所示，製程方法先提供一下腔體200，如步驟S110所示。下腔體200具有一反應空間200a，且下腔體200的頂部開設一腔體開口201，腔體開口201連通反應空間200a。

如圖1、圖2與圖9所示，製程方法先提供一頂部蓋板110，以頂部蓋板110封閉腔體開口201，如步驟S120所示。頂部蓋板110具有一上表面111與一下表面112，頂部蓋板110的下表面112朝向反應空間200a。頂部蓋板110更具有一窗口114以及多個通氣孔115分別連通上表面111與下表面112，並且通氣孔115環繞窗口114配置。在一具體實施例中，窗口114以及多個通氣孔115位於設置槽113中。

如圖1、圖2與圖9所示，接著，設置一外管體120與一內管體130，使內管體130位於外管體120中，以外管體120的底端覆蓋於窗口114及該些通氣孔115上，並以內管體130的底端連接於窗口114，如步驟S130所示。其中，內管體130的內部形成一第一氣體腔室131，並且第一氣體腔室131連通於窗口114；外管體120與內管體130之間形成一第二氣體腔室122，且第二氣體腔室122連通於該些通氣孔115。

如圖1、圖2與圖9所示，設置一紫外光源140於內管體130的頂端，如步驟S140所示。紫外光源140用以對第一氣體腔室131發射一紫外光，以激發通入第一氣體腔室131的一第一氣體為激發態而產生激發光。

如圖1、圖2與圖9所示，設置一感應線圈150環繞於外管體120，如步驟S150所示。感應線圈150用以對外管體120提供隨時間變化的磁通量而感應產生電場，以使一第二氣體被游離化而產生電漿。

如圖1、圖2與圖10所示，對第一氣體腔室131通入一第一氣體，並且對第二氣體腔室122通入一第二氣體，如步驟S160所示。

如圖1、圖2與圖10所示，可選擇地啟動紫外光源140以及感應線圈150，以經由頂部蓋板110的下表面112發出激發光以及電漿，如步驟S170所示。

參閱圖2所示，製程方法更包含提供一晶圓承載座230，位於下腔體200的反應空間200a中，並且晶圓承載座230是相應於頂部蓋板110的下表面112設置；其中，晶圓承載座230包含一晶圓承載板232以及一線性驅動器234，晶圓承載板232的頂面朝向頂部蓋板110的下表面112，且晶圓承載板232的頂面用以承載一晶圓。線性驅動器234連接於晶圓承載板232的底面，用以驅動晶圓承載板232直線地上下位移，以接近或遠離頂部蓋板110。晶圓承載板232可進一步連接於一偏壓電源240，偏壓電源240用以對晶圓承載板232施加射頻形式的偏壓電流，以產生電場吸引電漿或前驅物，加強晶圓表面的沈積作用。

參閱圖1、圖2、圖7與圖8所示，製程方法更包含提供一第一噴灑頭210，結合於頂部蓋板110的下表面112，環繞窗口114，並且覆蓋於通氣孔115，而形成一電漿通道210a，電漿通道210a同時連通於下腔體200的反應空間200a。第一噴灑頭210用以均勻地分散電漿至下腔體200的反應空間200a中。製程方法更包含提供一第二噴灑頭220，結合於頂部蓋板110的下表面112，並覆蓋於一前驅物管路116位於下表面112的一端，而形成前驅物通道220a。前驅物通道220a連通下腔體200的反應空間200a，用於均勻地散佈前驅物。

如圖1、圖2、圖3與圖4所示，設置紫外光源140於內管體130的頂端的步驟可更包含設置一間隔件160，連接於外管體120與內管體130頂端，並且 結合紫外光源140於間隔件160。如圖所示，間隔件160具有一中央開口161以及一外側空腔162，中央開口161連通於第一氣體腔室131，且外側空腔162連通於第二氣體腔室122。

如圖3與圖4所示，此外，在一具體實施例中，製造方法更包含於間隔件160設置至少一第一進氣管路163。第一進氣管路163由間隔件160的外側面延伸至中央開口161，用以接收一第一氣體並輸送至第一氣體腔室131。間隔件160還包含至少一第二進氣管路164。第二進氣管路164由間隔件160的外側面延伸進入至外側空腔162，用以接收一第二氣體並輸送至第二氣體腔室122。

此外，如圖1至圖5所示，在設置外管體120與內管體130的步驟S120中，更包含設置二透明隔板180，封閉內管體130的頂端與底端，使得第一氣體腔室131為封閉。

如圖1與圖2所示，在設置感應線圈150環繞於外管體120的步驟中，更包含提供一線圈支架170以固定感應線圈150於線圈支架170，並可拆卸地固定線圈支架170於頂部蓋板110的上表面111。

如圖1、圖2與圖5所示，此外，於設置紫外光源140之前，更包含提供一適配環190，結合於紫外光源140，並結合於外管體120與內管體130頂端，使得紫外光源140可以透過適配環190及/或間隔件160結合於內管體130頂端。

基於上述二合一的光電輔助製程腔體構造以及紫外光輔助及電漿強化之製程方法，紫外光輔助及電漿強化的功能可以結合於單一設計。單一設計可以同時併用紫外光輔助及電漿強化，也可以在紫外光輔助及電漿強化中擇一實施，但不需要在不同的設備之間移轉晶圓，可以有效地提升ALD/ALE製程的效率。

110:頂部蓋板

111:上表面

112:下表面

113:設置槽

114:窗口

115:通氣孔

116:前驅物管路

120:外管體

122:第二氣體腔室

130:內管體

131:第一氣體腔室

140:紫外光源

150:感應線圈

160:間隔件

161:中央開口

162:外側空腔

170:線圈支架

180:透明隔板

190:適配環

200:下腔體

200a:反應空間

201:腔體開口

202:擋件

210:第一噴灑頭

210a:電漿通道

220:第二噴灑頭

220a:前驅物通道

230:晶圓承載座

232:晶圓承載板

234:線性驅動器

236:加熱器

240:偏壓電源

Claims (10)

1. 一種二合一的光電輔助製程腔體構造，包含：一下腔體，具有一容置空間，且該下腔體的頂部開設一腔體開口；一頂部蓋板，具有一上表面以及一下表面；該頂部蓋板更具有一窗口以及多個通氣孔，連通該上表面與該下表面，該些通氣孔環繞該窗口配置；其中，該頂部蓋板封閉該腔體開口，並且該下表面朝向該反應空間，以形成一反應腔體；一外管體，其底端設置於該上表面並且覆蓋於該窗口以及該些通氣孔；一內管體，其底端設置於該上表面並且連接於該窗口，並且該內管體位於該外管體中；其中，該內管體內形成一第一氣體腔室，並且連通於該窗口；該外管體與該內管體之間形成一第二氣體腔室，且該第二氣體腔室連通於該些通氣孔；一紫外光源，設置於該內管體的頂端，用以對該第一氣體腔室發射一紫外光；以及一感應線圈，環繞於該外管體，用以對該外管體提供隨時間變化的磁通量而產生感應電場。
2. 如請求項1所述的二合一的光電輔助製程腔體構造，更包含一晶圓承載座，位於該下腔體的反應空間中，並且該晶圓承載座是相應於該頂部蓋板的該下表面設置，該晶圓承載座包含一晶圓承載板、一線性驅動器以及一偏壓電源；該晶圓承載板的頂面朝向該頂部蓋板的該下表面，該線性驅動器連接於該晶圓承載板的底面，用以驅動該晶圓承載板直線地上下位移，該晶圓承載板連接於該偏壓電源，且該偏壓電源用以對該晶圓承載板施加偏壓。
3. 如請求項1所述的二合一的光電輔助製程腔體構造，更包含一第一噴灑頭，結合於該頂部蓋板的該下表面，環繞該窗口，並且覆蓋於該些通氣孔。
4. 如請求項3所述的二合一的光電輔助製程腔體構造，其中，該頂部蓋板包含前驅物管路，連通該上表面與該下表面，且該前驅物管路位於上表面的一端用以連接一前驅物供應源，且該前驅物管路位於該下表面的一端是位於該些通氣孔的外側。
5. 如請求項4所述的二合一的光電輔助製程腔體構造，更包含一第二噴灑頭，結合於該頂部蓋板的該下表面，並覆蓋於該前驅物管路位於該下表面的一端；其中，該第一噴灑頭外徑與該第二噴灑頭外徑之間的比值為介於0.3與0.9之間。
6. 如請求項1所述的二合一的光電輔助製程腔體構造，其中，該內管體的內徑與該外管體的內徑的比值介於0.1至0.6之間。
7. 如請求項1所述的二合一的光電輔助製程腔體構造，更包含一間隔件，連接於該外管體與該內管體的頂端，並且該紫外光源是結合於該間隔件。
8. 如請求項7所述的二合一的光電輔助製程腔體構造，其中，該間隔件更包含：至少一第一進氣管路，該第一進氣管路由該間隔件的外側面延伸至該中央開口，並且該第一進氣管路用以連接於一第一氣體源，使該第一氣體腔室經由該中央開口連通於該第一進氣管路，該第一進氣管路用以接收該第一氣體並輸送至該第一氣體腔室；以及 至少一第二進氣管路，該第二進氣管路由該間隔件的外側面延伸進入至該外側空腔，並且該第二進氣管路用以連接於一第二氣體源，使該第二氣體腔室經由該外側空腔連通於該第二進氣管路，該第二進氣管路用以接收該第二氣體並輸送至該第二氣體腔室。
9. 如請求項1所述的二合一的光電輔助製程腔體構造，更包含二透明隔板，用以封閉該內管體的頂端與底端，使得該第一氣體腔室為封閉。
10. 如請求項1所述的二合一的光電輔助製程腔體構造，更包含一適配環，用以直接或間接地結合於該外管體與該內管體頂端，且該適配環的頂面匹配該紫外光源，以使得該紫外光源透過該適配環結合於該內管體頂端。

Images