TWM576363U - 減少競爭現象之電位轉換器 - Google Patents

Abstract

本創作提出一種減少競爭現象之電位轉換器，其係由一輸入電路(1)、一電位轉換電路(2)、一電位拉升電晶體(3)以及一電位拉升電晶體(4)所組成，其中，該輸入電路(1)係用來提供一第一信號(V(IN))以及該第一信號(V(IN))的反相信號；該電位轉換電路(2)係用來在電位轉換期間抑制上拉路徑和下拉路徑之間的競爭(contention)現象；該電位拉升電晶體(3)係用以拉升一第一節點(N1)之電位；而該電位拉升電晶體(4)係耦接於一第二輸入端(INB)，用以拉升一第二節點(N2)之電位。

本創作提出之減少競爭現象之電位轉換器，不但能精確地將第一信號轉換為一第二信號，並且能有效地減少上拉路徑和下拉路徑之間的競爭現象，進而降低功率消耗。

Description

減少競爭現象之電位轉換器

本創作係有關一種減少競爭現象之電位轉換器，尤指利用一輸入電路(1)、一電位轉換電路(2)、一電位拉升電晶體(3)以及一電位拉升電晶體(4)所組成，以求獲得精確電壓位準轉換且有效地抑制上拉路徑和下拉路徑之間的競爭，進而降低功率損耗之電子電路。

電位轉換器係一種用來溝通不同的積體電路(Integrated Circuit，簡稱IC)之間的信號傳遞之電子電路。在許多應用中，當應用系統需將信號從電壓位準較低的核心邏輯傳送到電壓位準較高的週邊裝置時，電位轉換器就負責將低電壓工作信號轉換成高電壓工作信號。

第1圖係顯示一先前技藝(prior art)之一閂鎖型電位轉換器電路，其係使用一第一PMOS(P-channel metal oxide semiconductor，P通道金屬氧化物半導體)電晶體(MP1)、一第二PMOS電晶體(MP2)、一第一NMOS(N-channel metal oxide semiconductor，N通道金屬氧化物半導體)電晶體(MN1)、一第二NMOS電晶體(MN2)及一反相器(INV)來構成一減少競爭現象之電位轉換器電路，其中，該反相器(INV)的偏壓是第二高電位電壓(VDDL)及地(GND)，而輸入電壓(V(IN))的電位亦在地(GND)與第二高電位電壓(VDDL)之間。輸入電壓(V(IN))及經過反相器(INV)輸出的反相輸入電 壓信號分別連接至第一NMOS電晶體(MN1)及第二NMOS電晶體(MN2)的閘極(gate)。因此，在同一時間內，第一NMOS電晶體(MN1)及第二NMOS電晶體(MN2)之中只有一個會導通(ON)。此外，由於第一PMOS電晶體(MP1)和第二PMOS電晶體(MP2)的交叉耦合(cross-coupled)方式，使得當電位轉換器的輸出(OUT)處於一個穩定的狀態時，閂鎖型的電位轉換器中沒有靜態電流(static current)產生。尤其，當第一NMOS電晶體(MN1)截止(OFF)而第二NMOS電晶體(MN2)導通(ON)時，第一PMOS電晶體(MP1)的閘極電位被拉降(pull down)並使得第一PMOS電晶體(MP1)導通，以致拉升(pull up)第二PMOS電晶體(MP2)的閘極電位而截止第二PMOS電晶體(MP2)；再者，當第一NMOS電晶體(MN1)導通而第二NMOS電晶體(MN2)截止時，第二PMOS電晶體(MP2)的閘極電位被拉降並使得第二PMOS電晶體(MP2)導通，以致拉升第一PMOS電晶體(MP1)的閘極電位而截止第一PMOS電晶體(MP1)。因此，在第一PMOS電晶體(MP1)和第一NMOS電晶體(MN1)之間或第二PMOS電晶體(MP2)和第二NMOS電晶體(MN2)之間就不會存在一個電流路徑。

然而，上述習知電位轉換器在第二PMOS電晶體(MP2)趨近於導通(或截止)與在第二NMOS電晶體(MN2)趨近於截止(或導通)的過程中，對於輸出節點(OUT)上的電位之拉升及拉降有互相競爭(contention)的現象，因此輸出電壓信號(V(OUT))在轉變成低電位時速度較慢。此外，考慮當輸入電壓(V(IN))由0伏特改變至1.8伏特時，第一NMOS電晶體(MN1)導通，而第二PMOS電晶體(MP2)的閘極變為低電位，使得第二PMOS電晶體(MP2)導通。所以，輸出為一第一高電位電壓(VDDH)。但是，由於0伏特無法瞬間轉換至1.8伏特，因此，在轉換期間的較低輸入電壓(V(IN))可能無法 使第一PMOS電晶體(MP1)、第二PMOS電晶體(MP2)、第一NMOS電晶體(MN1)及第二NMOS電晶體(MN2)達到完全導通或完全截止，如此會造成在第一高電位電壓(VDDH)與地(GND)之間存在一靜態電流(static current)，此靜態電流會增加功率的損耗。

再者，閂鎖型的電位轉換器的性能是受到第一高電位電壓(VDDH)的影響，由於第一PMOS電晶體(MP1)和第二PMOS電晶體(MP2)的閘-源極電壓為第一高電位電壓(VDDH)，而第一NMOS電晶體(MN1)和第二NMOS電晶體(MN2)的閘-源極電壓是第二高電位電壓(VDDL)。因此，限制了可以使閂鎖型電位轉換器正常運作的第一高電位電壓(VDDH)的範圍。

第2圖係顯示另一先前技藝之一鏡像型電位轉換器電路，該電位轉換器藉由將第一PMOS電晶體(MP1)和第二PMOS電晶體(MP2)的閘極連接在一起並連接到第一PMOS電晶體(MP1)的汲極，使得第一PMOS電晶體(MP1)和第二PMOS電晶體(MP2)形成電流鏡電路，第一PMOS電晶體(MP1)是處於飽和區，並且其閘極電壓使得飽和電流等於流入第一NMOS電晶體(MN1)之電流，而流經第一PMOS電晶體(MP1)和第二PMOS電晶體(MP2)之電流亦相等。由於鏡像型電位轉換器的性能是由第一PMOS電晶體(MP1)和第一NMOS電晶體(MN1)的電流來決定，因此，即使輸出的第一高電位電壓(VDDH)改變，電位轉換器的性能也不會有太大的改變。因此，鏡像型的電位轉換器可以適用在各種輸出電壓電路。

然而，當第一NMOS電晶體(MN1)導通而第二NMOS電晶體(MN2)截止時，第一PMOS電晶體(MP1)和第二PMOS電晶體(MP2)的閘極電位被拉降，使得第一PMOS電晶體(MP1)和第二PMOS電晶體(MP2)都導通。 如此，在第一PMOS電晶體(MP1)和第一NMOS電晶體(MN1)之間會產生一個靜態電流路徑。

有鑑於此，本創作之主要目的係提出一種減少競爭現象之電位轉換器，其不但能精確且快速地將第一信號轉換為一第二信號，並且可有效地抑制上拉路徑和下拉路徑之間的競爭，進而降低功率損耗。

本創作提出一種減少競爭現象之電位轉換器，其係由一輸入電路(1)、一電位轉換電路(2)、一電位拉升電晶體(3)以及一電位拉升電晶體(4)所組成，其中，該輸入電路(1)係用來提供一第一信號(V(IN))以及該第一信號(V(IN))的反相信號；該電位轉換電路(2)係用來在電位轉換期間抑制上拉路徑和下拉路徑之間的競爭(contention)現象；該電位拉升電晶體(3)係用以拉升一第一節點(N1)之電位；而該電位拉升電晶體(4)係耦接於一第二輸入端(INB)，用以拉升一第二節點(N2)之電位。

由模擬結果證實，本創作所提出之減少競爭現象之電位轉換器，不但能精確且快速地將一第一信號轉換為一第二信號，並且可以有效地抑制上拉路徑和下拉路徑之間的競爭，同時亦能有效地減少功率損耗。

1‧‧‧輸入電路

2‧‧‧電位轉換電路

3‧‧‧電位拉升電晶體

4‧‧‧電位拉升電晶體

N1‧‧‧第一節點

N2‧‧‧第二節點

N3‧‧‧第三節點

N4‧‧‧第四節點

MP1‧‧‧第一PMOS電晶體

MP2‧‧‧第二PMOS電晶體

MP3‧‧‧第三PMOS電晶體

MP4‧‧‧第四PMOS電晶體

MN1‧‧‧第一NMOS電晶體

MN2‧‧‧第二NMOS電晶體

MN3‧‧‧第三NMOS電晶體

MN4‧‧‧第四NMOS電晶體

IN‧‧‧第一輸入端

V(IN)‧‧‧第一信號

INB‧‧‧第二輸入端

OUT‧‧‧輸出端

GND‧‧‧地

V(OUT)‧‧‧第二信號

VDDH‧‧‧第一高電源供應電壓

VDDL‧‧‧第二高電源供應電壓

I1‧‧‧第一反相器

V(INB)‧‧‧反相第一信號

第1圖 係顯示第一先前技藝中電位轉換器之電路圖；第2圖 係顯示第二先前技藝中電位轉換器之電路圖；第3圖 係顯示本創作較佳實施例之減少競爭現象之電位轉換器之電路圖；第4圖 係顯示本創作較佳實施例之第一信號及第二信號之暫態分析時序 圖；

根據上述之目的，本創作提出一種具減少競爭現象之電位轉換器，如第3圖所示，其係由一輸入電路(1)、一電位轉換電路(2)、一電位拉升電晶體(3)以及一電位拉升電晶體(4)所組成，其中，該輸入電路(1)係用來提供該第一信號(V(IN))以及該第一信號(V(IN))的反相信號；其係由一第三NMOS電晶體(MN3)、一第四NMOS電晶體(MN4)以及一第一反相器(I1)所組成，其中，該第三NMOS電晶體(MN3)的源極連接至地(GND)，其閘極連接至該第一輸入端(IN)，而其汲極則與該第一NMOS電晶體(MN1)的源極相連接；該第四NMOS電晶體(MN4)的源極連接至地(GND)，其閘極連接至該第二輸入端(INB)，而其汲極則與該第二NMOS電晶體(MN2)的源極相連接；該第一反相器(I1)係耦接於該第一輸入端(IN)，用以接受該第一信號(V(IN))，並提供一個與該第一信號(V(IN))反相的信號；該電位轉換電路(2)係用來在電位轉換期間抑制上拉路徑和下拉路徑之間的競爭；其係由一第一PMOS電晶體(MP1)、一第二PMOS電晶體(MP2)、一第一NMOS電晶體(MN1)以及一第二NMOS電晶體(MN2)所組成，其中，該第一PMOS電晶體(MP1)的源極連接至該第一高電源供應電壓(VDDH)，其閘極連接至該第四節點(N4)，而其汲極則與該第一節點(N1)相連接；該第二PMOS電晶體(MP2)的源極連接至第一高電源供應電壓(VDDH)，其閘極連接至該第三節點(N3)，而其汲極則與該第二節點(N2)相連接；該第一NMOS電晶體(MN1)的源極連接至該第三節點(N3)，其閘極連接至該第二輸入端(INB)，而其汲極則與該第一節點(N1)相連接；該第二NMOS電晶體(MN2)的源極連接至該第 四節點(N4)，其閘極連接至該第一輸入端(IN)，而其汲極則與該第二節點(N2)相連接；該電位拉升電晶體(3)係耦接於該第一輸入端(IN)，用以拉升該第一節點(N1)之電位；其係由一第三PMOS電晶體(MP3)所組成，其源極連接至該第一高電源供應電壓(VDDH)，其閘極連接至該第一輸入端(IN)，而其汲極則與該第一節點(N1)相連接；而該電位拉升電晶體(4)係耦接於該第二輸入端(INB)，用以拉升該第二節點(N2)之電位；其係由一第四PMOS電晶體(MP4)所組成，其源極連接至該第一高電源供應電壓(VDDH)，其閘極連接至該第二輸入端(INB)，而其汲極則與該第二節點(N2)相連接；該第一高電源供應電壓(VDDH)係用以提供該電位轉換器所需之第一高電源電壓，該第二高電源供應電壓(VDDL)係用以提供該電位轉換器所需之第二高電源電壓，該第二高電源供應電壓(VDDL)之位準係小於該第一高電源供應電壓(VDDH)之位準，該第一信號(V(IN))為介於0伏特及1.2伏特間的矩形波，而該第二信號(V(OUT))則為介於0伏特及1.8伏特間的對應波形。

請再參閱第3圖，茲依電位轉換器之工作模式說明圖3之工作原理如下：現在考慮第一信號(V(IN))為邏輯低位準(“0”)時，電位轉換器的穩態操作情形：第一輸入端(IN)上的邏輯低位準(“0”)同時傳送到該第一反相器(I1)的輸入端、該第二NMOS電晶體(MN2)的閘極、該第三NMOS電晶體(MN3)的閘極以及該第三PMOS電晶體(MP3)的閘極，使得該第二NMOS電晶體(MN2)、該第三NMOS電晶體(MN3)截止、該第三PMOS電晶體(MP3)導通，而該第一反相器(I1)傳送一邏輯高位準(“VDDL”)到該第一NMOS電晶體(MN1)、該第四NMOS電晶體(MN4)的閘極以及該第四PMOS電晶體(MP4)的閘極，使得該第一NMOS電晶體(MN1)、該第四NMOS電晶體(MN4)導通， 而該第四PMOS電晶體(MP4)截止，此時，由於該第四NMOS電晶體(MN4)導通，該第四節點(N4)的電位會被拉降至一邏輯低位準(“0”)，該第四節點(N4)的邏輯低位準(“0”)使得第一PMOS電晶體(MP1)導通；再者，由於該第一NMOS電晶體(MN1)和該第三PMOS電晶體(MP3)都導通，而該第三NMOS電晶體(MN3)截止，因此，該第三節點(N3)的電位會被拉升至一邏輯高位準(“VDDH”)，而該第三節點(N3)上的邏輯高位準(“VDDH”)傳送到該第二PMOS電晶體(MP2)的閘極，使得該第二PMOS電晶體(MP2)截止；由於該第二PMOS電晶體(MP2)、該第四PMOS電晶體(MP4)和該第二NMOS電晶體(MN2)都截止，而該第四NMOS電晶體(MN4)導通，因此，該第四節點(N4)的電位會維持在一邏輯低位準(“0”)；再者，由於第一NMOS電晶體(MN1)、第一PMOS電晶體(MP1)和第三PMOS電晶體(MP3)都導通，而該第三NMOS電晶體(MN3)截止，因此，該第三節點(N3)的電位會維持在邏輯高位準(“VDDH”)，且該第四節點(N4)的電位亦維持在邏輯低位準(“0”)，因此，輸出端(OUT)的電位會維持在一邏輯低位準(“0”)的穩態值。

再考慮第一信號(V(IN))為邏輯高位準(“VDDL”)時，電位轉換器的穩態操作情形：第一輸入端(IN)上的該第二高電源電壓同時傳送到該第一反相器(I1)的輸入端、該第二NMOS電晶體(MN2)的閘極、該第三NMOS電晶體(MN3)的閘極以及該第三PMOS電晶體(MP3)的閘極，使得該第二NMOS電晶體(MN2)、該第三NMOS電晶體(MN3)導通、該第三PMOS電晶體(MP3)截止，而該第一反相器(I1)傳送邏輯低位準(“0”)到該第一NMOS電晶體(MN1)、該第四NMOS電晶體(MN4)的閘極以及該第四PMOS電晶體(MP4)的閘極，使得該第一NMOS電晶體(MN1)、該第四NMOS電晶體(MN4) 截止，而該第四PMOS電晶體(MP4)導通，此時，由於該第一NMOS電晶體(MN1)截止，該第三NMOS電晶體(MN3)導通，因此，該第三節點(N3)的電位會被拉降至一邏輯低位準(“0”)，該第三節點(N3)上的邏輯低位準(“0”)傳送到該第二PMOS電晶體(MP2)的閘極，使得該第二PMOS電晶體(MP2)導通；由於該第二PMOS電晶體(MP2)、該第四PMOS電晶體(MP4)和該第二NMOS電晶體(MN2)都導通，因此，該第四節點(N4)的電位會被拉升至一邏輯高位準(“VDDH”)；而該第四節點(N4)的邏輯高位準(“VDDH”)使得該第一PMOS電晶體(MP1)截止，此時由於該第一NMOS電晶體(MN1)、該第一PMOS電晶體(MP1)和該第三PMOS電晶體(MP3)都截止，因此，該第三節點(N3)的電位會維持在邏輯低位準(“0”)，而該第四節點(N4)的電位亦將維持在邏輯高位準(“VDDH”)，因此，輸出端(OUT)的電位會被拉升至一第一高電源供應電壓(VDDH)的穩態值。

綜上所述，因為該第一PMOS電晶體(MP1)、該第三NMOS電晶體(MN3)或該第二PMOS電晶體(MP2)、該第四NMOS電晶體(MN4)可以在短時間內同時導通。本創作透過該第一NMOS電晶體(MN1)和該第二NMOS電晶體(MN2)切斷對應的上拉路徑來減少競爭。當第三NMOS電晶體(MN3)或第四NMOS電晶體(MN4)導通(亦即，下拉路徑被致能)時，第一NMOS電晶體(MN1)和第二NMOS電晶體(MN2)中的一個電晶體將切斷上拉路徑，以避免上拉路徑和下拉路徑之間的競爭，因此，可以大幅減少延遲時間，並且可以消除短路功率損耗。

本創作所提出之減少競爭現象之電位轉換器之Spice暫態分析模擬結果，如第4圖所示，由該模擬結果可証實，本創作所提出之減少競 爭現象之電位轉換器，其不但仍能快速且精確地將第一信號轉換為一第二信號，並且能有效地降低功率的損耗。

雖然本創作特別揭露並描述了所選之最佳實施例，但舉凡熟 悉本技術之人士可明瞭任何形式或是細節上可能的變化均未脫離本創作的精神與範圍。因此，所有相關技術範疇內之改變都包括在本創作之申請專利範圍內。

Claims (8)

1. 一種具減少競爭現象之電位轉換器，用以將一第一信號(V(IN))轉換為一第二信號(V(OUT))，其包括：一第一節點(N1)，用以將一第一PMOS電晶體(MP1)的汲極、一第三PMOS電晶體(MP3)的汲極以及一第一NMOS電晶體(MN1)的汲極連接在一起；一第二節點(N2)，用以將該第二PMOS電晶體(MP2)的汲極、一第四PMOS電晶體(MP4)的汲極以及一第二NMOS電晶體(MN2)的汲極連接在一起；一第三節點(N3)，用以將該第二PMOS電晶體(MP2)的閘極、該第一NMOS電晶體(MN1)的源極以及一第三NMOS電晶體(MN3)的汲極連接在一起；一第四節點(N4)，用以將該第一PMOS電晶體(MP1)的閘極、該第二NMOS電晶體(MN2)的源極以及一第四NMOS電晶體(MN4)的汲極連接在一起；一第一輸入端(IN)，耦接於該第三PMOS電晶體(MP3)以及該第二NMOS電晶體(MN2)的閘極，用以提供一第一信號(V(IN))；一第二輸入端(INB)，耦接於該第四PMOS電晶體(MP4)以及該第一NMOS電晶體(MN1)的閘極，用以提供該第一信號(V(IN))的反相信號(V(INB))；一輸出端(OUT)，耦接於該第四節點(N4)，用以輸出該第二信號(V(OUT))；一第一反相器(I1)，耦接於該第一輸入端(IN)，用以接受該第一信號(V(IN))，並提供一個與該第一信號(V(IN))反相的信號(V(INB))；一第一高電源供應電壓(VDDH)，耦接於該第一PMOS電晶體(MP1)、該第二PMOS電晶體(MP2)、該第三PMOS電晶體(MP3)以及該第四PMOS電晶體(MP4)的源極，用以提供該電位轉換器所需之第一高電源電壓；一第二高電源供應電壓(VDDL)，用以提供該電位轉換器所需之第二高電源電壓，該第二高電源供應電壓(VDDL)之電位係小於該第一高電源供應電壓(VDDH)之電位；一輸入電路(1)，耦接於該第一輸入端(IN)，用來提供差動輸入信號；一電位轉換電路(2)，耦接於該第一高電源供應電壓(VDDH)以及該輸入電路(1)，用來在電位轉換期間抑制電路的競爭現象；一電位拉升電晶體(3)，耦接於該第一輸入端(IN)，用以拉升該第一節點(N1)之電位；以及一電位拉升電晶體(4)，耦接於該第二輸入端(INB)，用以拉升該第二節點(N2)之電位。
2. 如申請專利範圍第1項所述的具減少競爭現象之電位轉換器，其中該輸入電路(1)包括：一第三NMOS電晶體(MN3)，其源極連接至地(GND)，其閘極連接至該第一輸入端(IN)，而其汲極則與該第一NMOS電晶體(MN1)的源極相連接；一第四NMOS電晶體(MN4)，其源極連接至地(GND)，其閘極連接至該第二輸入端(INB)，而其汲極則與該第二NMOS電晶體(MN2)的源極相連接；以及一第一反相器(I1)，耦接於該第一輸入端(IN)，用以接受該第一信號(V(IN))，並提供一個與該第一信號(V(IN))反相的信號。
3. 如申請專利範圍第2項所述的具減少競爭現象之電位轉換器，其中該電位轉換電路(2)包括：一第一PMOS電晶體(MP1)，其源極連接至該第一高電源供應電壓(VDDH)，其閘極連接至該第四節點(N4)，而其汲極則與該第一節點(N1)相連接；一第二PMOS電晶體(MP2)，其源極連接至該第一高電源供應電壓(VDDH)，其閘極連接至該第三節點(N3)，而其汲極則與該第二節點(N2)相連接；一第一NMOS電晶體(MN1)，其源極連接至該第三節點(N3)，其閘極連接至該第二輸入端(INB)，而其汲極則與該第一節點(N1)相連接；以及一第二NMOS電晶體(MN2)，其源極連接至該第四節點(N4)，其閘極連接至該第一輸入端(IN)，而其汲極則與該第二節點(N2)相連接。
4. 如申請專利範圍第3項所述的具減少競爭現象之電位轉換器，其中該電位拉升電晶體(3)係由一第三PMOS電晶體(MP3)所組成，其源極連接至該第一高電源供應電壓(VDDH)，其閘極連接至該第一輸入端(IN)，而其汲極則與該第一節點(N1)相連接。
5. 如申請專利範圍第4項所述的具減少競爭現象之電位轉換器，其中該電位拉升電晶體(4)係由一第四PMOS電晶體(MP4)所組成，其源極連接至該第一高電源供應電壓(VDDH)，其閘極連接至該第二輸入端(INB)，而其汲極則與該第二節點(N2)相連接。
6. 如申請專利範圍第1項所述的具減少競爭現象之電位轉換器，其中該第一信號(V(IN))的振幅為0伏特至該第二高電源供應電壓(VDDL)之間。
7. 如申請專利範圍第6項所述的具減少競爭現象之電位轉換器，其中該第二信號(V(OUT))的振幅為0伏特至該第一高電源供應電壓(VDDH)之間。
8. 如申請專利範圍第7項所述的具減少競爭現象之電位轉換器，其中該第一反相器(I1)的電壓源為該第二高電源供應電壓(VDDL)。