TWI911941B - 陶瓷基座 - Google Patents

Abstract

本發明關於一種陶瓷基座，本發明的陶瓷基座可以包括：絕緣板，配置有電極；基體，與所述絕緣板接合並具有吹掃流路；空心軸，與所述基體接合且其側壁具有與所述吹掃流路連通的一個以上的第一貫通孔；以及電力供應桿，與所述電極連接並延伸以穿過所述軸的內部空間，所述吹掃流路可以包括：矯正孔，用於矯正路徑；矯正流路，從所述一個以上的第一貫通孔延伸到所述矯正孔；以及一個以上的流路，從所述矯正孔延伸到邊緣。

Description

陶瓷基座

本發明關於一種陶瓷基座，尤其關於一種將用於進行吹掃（purge）的空氣泵送（air pumping）整體上均勻地形成在基座的上表面的陶瓷基座。

一般來說，半導體裝置或顯示器裝置是藉由在將包括介電層和金屬層的複數個薄膜層依序層疊在玻璃基板、柔性基板或半導體晶片（wafer）基板上之後進行圖樣化的半導體工程來進行製造的。這些薄膜層藉由化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD）製程或物理氣相沈積（Physical Vapor Deposition，PVD）製程來依序沈積在基板上。所述CVD製程包括低壓化學氣相沈積（Low Pressure CVD，LPCVD）製程、電漿增強化學氣相沈積（Plasma Enhanced CVD，PECVD）製程、有機金屬化學氣相沈積（Metal Organic CVD，MOCVD）製程等。在這樣的CVD裝置和PVD裝置中設置有陶瓷基座（susceptor），所述陶瓷基座用於支撐玻璃基板、柔性基板、半導體晶片基板等並處理半導體製程。所述陶瓷基座設置於CVD裝置和PVD裝置，並且可以具備用於支撐基板的吸盤電極和用於在熱處理製程等中加熱基板的加熱絲。另外，所述陶瓷基座還可以藉由設置高頻（RF）電極來代替加熱絲，或者藉由額外設置高頻（RF）電極來在形成在基板上的薄膜層的蝕刻製程（etching process）等過程中形成電漿。

然而，由於傳統的普通陶瓷基座具有以下結構：即，在藉由用於放置基板的上表面的吹掃孔或溝槽的配置來供應吹掃氣體（purge gas）時，無法將吹掃氣體均勻地供應到整個基座上表面這一結構，因此當下需要對這一點進行改進。即，傳統的普通陶瓷基座的吹掃結構具有以下結構：即，可能不僅沿特定方向局部地進行吹掃，或者可能僅沿特定方向局部地進行吹掃。在這種情況下，在執行針對設置於所述裝置的腔室的所述陶瓷基座上的基板的沈積製程等期間，薄膜可能會不均勻地沈積，這會導致良品率的降低或沈積性能等低下的問題。

因此，需要一種能夠在放置基板的所有方向上均勻地執行吹掃的陶瓷基座。

[發明要解決的問題]因此，本發明是為解決上述問題提出的，本發明的目的在於提供一種基座或陶瓷基座，其將基體（base body）的吹掃用矯正孔設置在基體的中心，並且藉由放射狀的對稱的分支流路來使所有的流體路徑到最外側邊緣為止的長度形成為相同，使得用於吹掃的空氣泵送整體上均勻地形成在基座的上表面。

另外，本發明的另一目的在於提供一種基座或陶瓷基座，其形成於軸（shaft）的兩個流路（flow path）分別各自地與基座的所述吹掃用矯正孔和用於真空抽吸的吸盤孔（chuck hole）形成流體疏通，從而可以複合性地實現基於所述吹掃用矯正孔的吹掃功能和基於所述吸盤孔的真空吸盤功能。[用於解決問題的手段]

首先，總結一下本發明的特點，根據用於達成上述目的的本發明的一方面的陶瓷基座，其可以包括：絕緣板，電極配置於所述絕緣板；基體，接合於所述絕緣板並設置有吹掃流路；空心軸，接合於所述基體並包括一個以上的第一貫通孔，所述一個以上的第一貫通孔形成在所述空心軸的側壁並與所述吹掃流路連通；以及電力供應桿，連接於所述電極，並且以穿過所述空心軸的內部空間的方式延伸，所述吹掃流路可以包括：矯正孔，用於矯正流體路徑；矯正流路，從所述一個以上的第一貫通孔延伸到所述矯正孔；以及一個以上的流路，從所述矯正孔延伸到所述基體的邊緣。

所述一個以上的流路可以包括複數個分支流路，複數個所述分支流路從所述矯正孔以放射狀延伸到所述基體的邊緣。

複數個所述分支流路較佳配置在以所述矯正孔為中心形成原點對稱的位置上。

所述矯正孔較佳位於所述基體的中心。

所述一個以上的第一貫通孔包括形成於所述空心軸的側壁的兩個以上的貫通孔，從所述兩個以上貫通孔延伸的每個所述矯正流路在所述矯正孔相遇。

藉由將所述一個以上的第一貫通孔保持在高於大氣壓的正壓來可以執行吹掃功能。

還可以包括貫通形成在所述絕緣板的上部表面和所述基體的下部表面之間的第一貫通流路，所述空心軸還可以包括形成在所述側壁並與所述第一貫通流路連通的一個以上的第二貫通孔。

藉由將所述第二貫通孔保持在低於大氣壓的負壓來可以吸附配置在所述絕緣板的上部的基板。

所述電極可以是具有電漿生成功能的電極、具有靜電吸盤功能的電極或發熱體用電極中的一個以上。

所述基體可以包括：第一層，包括從所述一個以上的第一貫通孔延伸到所述矯正孔的所述矯正流路；以及第二層，包括所述矯正孔和從所述矯正孔延伸到邊緣的所述一個以上的流路。

還可以包括第一貫通流路，所述第一貫通流路從所述絕緣板的上部表面貫通所述第一層和所述第二層，所述空心軸還可以包括形成在所述側壁上並與所述第一貫通流路連通的一個以上的第二貫通孔。

所述基體可以包括：第一層，包括從所述一個以上的第一貫通孔延伸到所述矯正孔的所述矯正流路；第二層，包括所述矯正孔；以及第三層，包括從所述矯正孔延伸到邊緣的所述一個以上的流路。

還可以包括第一貫通流路，所述第一貫通流路從所述絕緣板的上部表面貫通所述第一層、所述第二層和所述第三層，所述軸還可以包括形成在所述側壁並與所述第一貫通流路連通的一個以上的第二貫通孔。

所述基體可以包括：第一層，包括形成為所述矯正流路的一部分的進入孔，所述進入孔與所述一個以上的第一貫通孔連通；第二層，包括所述矯正孔和形成為所述矯正流路的剩餘一部分的連接流路，所述連接流路從所述進入孔延伸到所述矯正孔；以及第三層，包括從所述矯正孔延伸到所述基體的邊緣的所述一個以上的流路。

還可以包括第一貫通流路，所述第一貫通流路從所述絕緣板的上部表面貫通所述第一層、所述第二層和所述第三層，所述軸還可以包括形成在所述側壁並與所述第一貫通流路連通的一個以上的第二貫通孔。[發明效果]

根據本發明的陶瓷基座，將吹掃用矯正孔設置在基體的中心，並且藉由放射狀的對稱分支流路來使所有的流體路徑到最外側邊緣為止的長度形成為相同，從而能夠在基座的上表面的整體上均勻地形成用於吹掃的空氣泵送。如上所述，在用於放置基板的所有的方向上均勻地實現吹掃，據此可以在執行針對所述陶瓷基座上的基板的沈積製程等的期間均勻地沈積薄膜，從而能夠增加良品率並提高沈積性能等。

另外，根據本發明的陶瓷基座，可以實現複合功能，即，形成於軸的流路（flow path）和基座上的所述吹掃用矯正孔形成流體疏通，據此在整個基座的上表面執行均勻的吹掃功能，而且形成於軸的其他流路和用於基座的真空抽吸的吸盤孔（chuck hole）形成流體疏通，據此能夠額外地實現真空吸盤功能。

以下，參照圖式，對本發明進行詳細說明。此時，每個圖式中相同的構成要素盡可能用相同的圖式標記表示。另外，將省略對已知的功能和/或構成的說明。以下揭露的內容，將主要說明理解多種實施例的操作所需的部分，並且省略可能使說明的要點模糊的要素的說明。另外，圖式中的一部分構成要素可能會放大、省略或示意性地繪示。每個構成要素的大小不能完全反應實際大小，因此，這裡記載的內容不受每個圖式中繪示的構成要素的相對大小或間距的限制。

在對本發明的實施例進行說明時，如果判斷對與本發明相關的已知技術的具體說明不必要地模糊本發明的主旨時，將省略其詳細說明。並且，後述的術語是考慮到本發明的功能而定義的術語，可以根據使用者、操作者的意圖或判例而有所不同。因此，其定義應基於整個說明書的內容進行。本說明書中所使用的術語，僅僅是為了說明本發明的實施例而使用的，並不是用來限定。除非另有說明，單數表述應包括複數表述。本說明書中的「包括」或「具有」等表述，是用於指任意特徵、數位、步驟、動作、構件或它們的組合，不應理解為排除一個以上的其他特徵、數位、步驟、動作、構件或它們的組合的存在或附加可能性。

另外，第一、第二等術語雖然可以用來說明各種構成要素，但所述構成要素不限定於所述術語。所述術語僅用於區分一個構成要素與另一構成要素。

圖1A是根據本發明的第一實施例的陶瓷基座100的概略剖視圖。

圖1B是根據本發明的第二實施例的陶瓷基座200的概略剖視圖。

參照圖1A和圖1B，第二實施例的陶瓷基座200雖與根據第一實施例的陶瓷基座100大致相同，但還設置有在絕緣板110的上部表面119與基體120的下部表面129之間貫通形成的第一貫通流路136-1。第一貫通流路136-1在絕緣板110的上表面形成用於真空抽吸的吸盤孔（chuck hole）91，並且放置在絕緣板110上的基板11可以藉由吸盤孔91被吸附並被支撐。

圖1C是根據本發明的第三實施例的陶瓷基座300的概略剖視圖。

參照圖1C，本發明的第三實施例的陶瓷基座300是在所述第二實施例的陶瓷基座200的基礎上省略掉電極112的變形例，剩餘的構成與第二實施例的陶瓷基座200相同。

即，本發明的基座（陶瓷基座）100、200、300包括利用陶瓷膠等黏合劑來接合的絕緣板110和基體120，並且在基體120的下部包括利用陶瓷膠等黏合劑來接合的空心軸（hollow shaft）130，以支撐接合體（110、120）。根據情況，可以在軸130的下部設置有連接支架140，以便於連接於諸如半導體設備的腔室之類的系統。

每根電力供應桿131、132、...等都容納在軸130中被貫通而成的內部空間，並且可以連接到嵌入絕緣板110的電極112和/或發熱體114，以供應所需的電力。每根電力供應桿131、132等從軸130的內部空間延伸並穿過具有外側處於密閉形態（例如，剛體（rigid body）或具有中空空間的構件）的連接支架140之後延伸到外部。

本發明的陶瓷基座100、200、300可以具有利用發熱體114在半導體製程中將相應的加工目標基板11加熱到預定溫度的加熱功能。另外，本發明的陶瓷基座100、200可以具有電極112，電極112可以用作執行用於支撐放置在絕緣板110上的基板11的靜電吸盤功能的吸盤電極，或者，還可以用作執行用於電漿增強化學氣相沈積或反應離子蝕刻（Reactive Ion Etch，RIE）設備中的幹法蝕刻等製程的電漿生成功能的電漿電極。這可以是與藉由吸盤孔91的真空抽吸來支撐基板11的真空吸盤功能不同的功能。

為此，絕緣板110可以被構成為在陶瓷材料之間配置（埋設）有發熱體114，根據情況，還可以被構成為電極112與發熱體114隔開預定的間隔而配置（埋設）。另外，根據情況，還可以被構成為吸盤電極（複數個吸盤電極）在發熱體114的上側或下側隔開預定的間隔而配置（埋設）。

如上所述，絕緣板110可以被構成為在穩定地支撐加工目標基板的同時藉由利用發熱體114的加熱和/或利用電極112的靜電吸盤功能或電漿生成功能等來能夠執行不同的半導體製程。絕緣板110可以由具有預定形狀的板狀結構物製成。例如，絕緣板110可以由圓形的板狀結構物製成，但並不限於此。其中，陶瓷材料可以是Al₂O₃、Y₂O₃、Al₂O₃/Y₂O₃、ZrO₂、AlC（Autoclaved lightweight concrete）、TiN、AlN、TiC、MgO、CaO、CeO₂、TiO₂、BxCy、BN、SiO₂、SiC、YAG、Mullite、AlF₃中的至少一個物質，較佳為氮化鋁（AlN）。進而，所述陶瓷材料的粉末可以藉由模制、燒結來構成絕緣板110，為此每個陶瓷粉末可以可選擇性地包括0.1至10%程度（較佳為約1至5%程度）的氧化釔粉末。

發熱體（或發熱電極）114可以形成為由加熱絲（或電阻絲）所形成的板狀線圈形態或平板形態。另外，發熱體114可以形成為多層結構，以用於精密的溫度控制。該發熱體114藉由電力供應桿131、132連接到電源，據此形成電力供應，並且，為了在半導體製程過程中執行基板的加熱或沈積製程和蝕刻製程等，可以執行用於將絕緣板110上的加工目標基板11加熱至預定溫度的功能。電力供應桿131、132穿過軸130的內部空間並貫通連接支架140的預定分隔板之後貫穿連接支架140，從而向外部延伸而出。

電極112可以由鎢（W）、鉬（Mo）、銀（Ag）、金（Au）、鈮（Nb）、鈦（Ti）、氮化鋁（AlN）或它們的合金製成，較佳由鉬（Mo）製成。電極112可以藉由除了用於發熱體114的電力供應桿131、132以外的其他電力供應桿（未圖示）來連接到電源端子（例如，接地（ground））。用於電極112的電力供應桿（未圖示）同樣穿過軸130的內部空間並貫通連接支架140的預定分隔板之後貫穿連接支架140，從而向外部延伸而出。

軸130形成為具有被貫通的內部空間的中空型（hollow），並且結合於絕緣板110和基體120兩者的接合體的下表面。軸130可以由陶瓷材料製成以與絕緣板110結合。其中，陶瓷材料可以是Al₂O₃、Y₂O₃、Al₂O₃/Y₂O₃、ZrO₂、AlC（Autoclaved lightweight concrete）、TiN、AlN、TiC、MgO、CaO、CeO₂、TiO₂、BxCy、BN、SiO₂、SiC、YAG、Mullite、AlF₃中的至少一個物質，優選為氮化鋁（AlN）。進而，所述陶瓷材料的粉末可以藉由模制、燒結來構成軸130，為此每個陶瓷粉末可以可選擇性地包括0.1至10%程度（較佳為約1至5%程度）的氧化釔粉末。

所述連接支架140可以為諸如鋁（Al）之類的金屬材質，也可以是如上所述那樣由陶瓷材料製成。即，所述陶瓷材料可以是Al₂O₃、Y₂O₃、Al₂O₃/Y₂O₃、ZrO₂、AlC（Autoclaved lightweight concrete）、TiN、AlN、TiC、MgO、CaO、CeO₂、TiO₂、BxCy、BN、SiO₂、SiC、YAG、Mullite、AlF₃中的至少一個物質，較佳為氮化鋁（AlN）。進而，所述陶瓷材料的粉末可以藉由模制、燒結來構成軸130，為此每個陶瓷粉末可以可選擇性地包括0.1至10%程度（較佳為約1至5%程度）的氧化釔粉末。

重新參照圖1A至圖1C，接合在絕緣板110下部的基體120具有吹掃（purge）流路125。空心軸130的側壁上端部接合在基體120上，並且軸130具有形成在其側壁上並與吹掃流路125連通的一個以上的第一貫通孔135。基體120可以由陶瓷材料製成。其中，陶瓷材料可以是Al₂O₃、Y₂O₃、Al₂O₃/Y₂O₃、ZrO₂、AlC（Autoclaved lightweight concrete）、TiN、AlN、TiC、MgO、CaO、CeO₂、TiO₂、BxCy、BN、SiO₂、SiC、YAG、Mullite、AlF₃中的至少一個物質，較佳為氮化鋁（AlN）。進而，所述陶瓷材料的粉末可以藉由模制、燒結來構成軸130，為此每個陶瓷粉末可以可選擇性地包括0.1至10%程度（較佳為約1至5%程度）的氧化釔粉末。

所述吹掃流路125包括矯正流路121、矯正孔122和複數個分支流路123。矯正流路121是從軸130的第一貫通孔135延伸至用於矯正路徑的矯正孔122的流路部分。矯正孔122可以被設計為具有大於矯正流路121直徑的預定的直徑，並且可以以適當的高度垂直地形成在絕緣板110的上表面。分支流路123是以放射狀從矯正孔122延伸到基體120的邊緣（edge）的流路（參照圖2E、圖3E、圖4F、圖5F、圖6F、圖7F）。

在下文中進行了更詳細地說明，較佳使矯正孔122位於基體120的中心，但也可以根據情況配置在其他位置處。另外，複數個分支流路123被構成為與矯正孔122連接/連通，較佳地，配置在以矯正孔122為中心形成原點對稱的位置處。雖然形成在所述軸130側壁的一個以上的第一貫通孔135在圖式中示出了兩個，但是也可以在軸130的側壁上形成有一個，也可以在軸130的側壁上形成有三個以上的適當的數量。從如上所述的複數個第一貫通孔135延伸的每個矯正流路121可以形成為在矯正孔122處相遇並與分支流路123一同以放射狀延伸。

可以藉由將如上所述的第一貫通孔135保持在高於大氣壓的正壓來執行吹掃功能。例如，藉由基於軸130的第一貫通孔135的正壓空氣泵送（抽吸）來保持高於大氣壓的壓力，從而可以執行吹掃（purge）功能。此時，預定的氣泵（未圖示）可以藉由第一貫通孔135來以高於大氣壓的預定的壓力來執行注入空氣的泵送。例如，可以藉由第一貫通孔135以正壓空氣泵送的方式來執行用於將包含規定的氣體（例如，氮氣、He、Ar等非活性氣體等）的空氣吹入上述的CVD裝置和PVD裝置的腔室內的吹掃。

另外，除了如上所述的陶瓷基座100、200、300的共同特徵之外，在圖1B的情況下，第二實施例的陶瓷基座200更包括第一貫通流路136-1，所述第一貫通流路136-1形成為貫通絕緣板110的上部表面119與基體120的下部表面129之間。與此相對應地，軸130還可以包括形成在其側壁上並與第一貫通流路136-1連通的一個以上的第二貫通孔136。

如上所述的第二貫通孔136可以藉由保持在低於大氣壓的負壓來執行用於吸附配置在絕緣板110上部的基板11的真空吸盤功能。即，第一貫通流路136-1在絕緣板110的上表面形成用於真空抽吸的吸盤孔（chuck hole）91，並且放置在絕緣板110上的基板11可以藉由吸盤孔91被吸附並被支撐。

例如，露出於所述絕緣板110上表面的一個以上的吸盤孔91可以與形成在所述絕緣板110上表面的溝槽（groove）相遇。形成在絕緣板110上表面的溝槽能夠進行多種實施，以能夠依靠來自一個以上的吸盤孔91的負壓而吸附並支撐基板11。例如，形成在絕緣板110上表面的溝槽可以被設計為整體上相連以能夠依靠來自吸盤孔91的負壓來穩定地吸附基板11。

如上所述，本發明的陶瓷基座200被構成為，能夠藉由第二貫通孔136的負壓空氣泵送來實現基板11的卡緊（chucking）和解除卡緊（dechucking），此時，在穩定地支撐絕緣板110上的加工目標基板11的同時能夠執行利用基於發熱體114的加熱和/或基於電極112的電漿的沈積或乾法蝕刻製程等各種半導體製程。

根據本發明的實施例的陶瓷基座100、200、300，將吹掃用矯正孔122設置在基體120的中心，並且藉由放射狀的對稱分支流路123來使所有的流體路徑到絕緣板110的最外側（最外廓）邊緣為止的長度都形成為相同，從而能夠在基座的上表面整體上均勻地形成用於吹掃的空氣泵送。

另外，在圖1B和圖1C的情況下，第二實施例的陶瓷基座200可以實現複合功能，即，形成於軸130的流路（flow path）和基座上的所述吹掃用矯正孔122形成流體連通，以在基座的上表面執行整體上均勻的吹掃功能，並且形成於軸130的其他流路136和用於在基座上真空抽吸的吸盤孔（chuck hole）形成流體連通，以額外地執行真空吸盤功能。

以下，藉由參照圖2A至圖2E、圖4A至圖4G以及圖6A至圖6G（是將圖1A的基座上下翻轉並放大的圖式）來更詳細地說明本發明的第一實施例的陶瓷基座100，並且藉由參照圖3A至圖3E、圖5A至圖5G以及圖7A至圖7G（是將圖1B的基座上下翻轉並放大的圖式）來更詳細地說明本發明的第二實施例、第三實施例的陶瓷基座200、陶瓷基座300。根據第三實施例的陶瓷基座300是在根據所述第二實施例的陶瓷基座200的基礎上省略掉電極112的變形例，因此只要是本領域具有通常知識者就能夠藉由參照根據第二實施例的陶瓷基座200的結構來輕鬆地掌握。

圖2A是示出構成圖1A的陶瓷基座100的基體120的複數個層（311、312）的實施例的圖，圖2B和圖2C分別是示出第一層311的俯視圖（top view）和仰視圖（bottom view），圖2D和圖2E分別是示出第二層312的俯視圖和仰視圖。

參照圖2A，根據本發明的陶瓷基座100的基體120可以包括第一層311和第二層312。第一層311和第二層312單獨地區分製作，據此可以利用陶瓷膠等進行接合，並且在填充材料粉末或層疊複數個片（sheet）時可以利用每個層的模制和燒結來進行層疊。

參照圖2B和圖2C，第一層311可以包括矯正流路121，所述矯正流路121從軸130的一個以上的第一貫通孔135延伸到矯正孔122。

參照圖2D和圖2E，第二層312可以包括矯正孔122，並且可以包括複數個分支流路123，複數個所述分支流路123從複數個矯正孔122以放射狀延伸到基體120/絕緣板110的邊緣。

圖3A是示出構成圖1B的陶瓷基座200的基體120的複數個層411、412的實施例的圖，圖3B和圖3C分別是示出第一層411的俯視圖和仰視圖，圖3D和圖3E分別是示出第二層412的俯視圖和仰視圖。

參照圖3A，根據本發明的陶瓷基座200的基體120可以包括第一層411和第二層412。第一層411和第二層412單獨地區分製作，據此可以利用陶瓷膠等進行接合，並且在填充材料粉末或層疊複數個片時可以利用每個層的模制和燒結來進行層疊。

圖3A的本發明的陶瓷基座200的結構與圖2A的結構類似，但是還包括從絕緣板110的上部表面貫通第一層411和第二層412的第一貫通流路136-1。第一貫通流路136-1以在其路徑方向上不與矯正流路121或分支流路123相遇並連通的方式彼此配置在彼此不同的位置處。此時，軸130包括形成在其側壁上並與所述第一貫通流路136-1連通的一個以上的第二貫通孔136。軸130的第一貫通孔135和第二貫通孔136彼此不連通。

參照圖3B和圖3C，第一層411可以包括矯正流路121，所述矯正流路121從軸130的一個以上的第一貫通孔135延伸到矯正孔122。

參照圖3D和圖3E，第二層412可以包括矯正孔122，並且可以包括複數個分支流路123，複數個所述分支流路123從複數個矯正孔122以放射狀延伸到基體120/絕緣板110的邊緣。

圖4A是示出構成圖1A的陶瓷基座100的基體120的複數個層（511、512、513）的實施例的圖，圖4B和圖4C分別是示出第一層511的俯視圖和仰視圖，圖4D和圖4E分別是示出第二層512的俯視圖和仰視圖，圖4F和圖4G分別是繪示第三層513的俯視圖和仰視圖。

參照圖4A，根據本發明的陶瓷基座100的基體120可以包括第一層511、第二層512和第三層513。第一層511、第二層512和第三層513單獨地區分製作，據此可以利用陶瓷膠等進行接合，並且在填充材料粉末或層疊複數個片時可以利用每個層的模制和燒結來進行層疊。

參照圖4B和圖4C，第一層511包括矯正流路121，所述矯正流路121從一個以上的第一貫通孔135延伸到矯正孔122。

參照圖4D和圖4E，第二層512是形成有矯正孔122的層。

參照圖4F和圖4G，第三層513包括複數個分支流路123，複數個所述分支流路123從矯正孔122以放射狀延伸到基體120/絕緣板110的邊緣。

圖5A是示出構成圖1B的陶瓷基座200的基體120的複數個層（611、612、613）的實施例的圖，圖5B和圖5C分別是示出第一層611的俯視圖和仰視圖，圖5D和圖5E分別是示出第二層612的俯視圖和仰視圖，圖5F和圖5G分別是示出第三層613的俯視圖和仰視圖。

參照圖5A，根據本發明的陶瓷基座200的基體120可以包括第一層611、第二層612和第三層613。第一層611、第二層612和第三層613單獨地區分製作，據此可以利用陶瓷膠等進行接合，並且在填充材料粉末或層疊複數個片時可以利用每個層的模制和燒結來進行層疊。

圖5A的本發明的陶瓷基座200的結構與圖4A的結構類似，但是更包括從絕緣板110的上部表面貫通第一層611、第二層612和第三層613的第一貫通流路136-1。第一貫通流路136-1以在其路徑方向上不與矯正流路121或分支流路123相遇並連通的方式彼此配置在彼此不同的位置處。此時，軸130更包括形成在其側壁上並與第一貫通流路136-1連通的一個以上的第二貫通孔136。軸130的第一貫通孔135和第二貫通孔136彼此不連通。

參照圖5B和圖5C，第一層611包括矯正流路121，所述矯正流路121從一個以上的第一貫通孔135延伸到矯正孔122。

參照圖5D和圖5E，第二層612是形成有矯正孔122的層。

參照圖5F和圖5G，第三層513包括複數個分支流路123，複數個所述分支流路123從矯正孔122以放射狀延伸到基體120/絕緣板110的邊緣。

圖6A是示出構成圖1A的陶瓷基座100的基體120的複數個層（711、712、713）的實施例的圖，圖6B和圖6C分別是示出第一層711的俯視圖和仰視圖，圖6D和圖6E分別是示出第二層712的俯視圖和仰視圖，圖6F和圖6G分別是示出第三層713的俯視圖和仰視圖。

參照圖6A，根據本發明的陶瓷基座100的基體120可以包括第一層711、第二層712和第三層713。第一層711、第二層712和第三層713單獨地區分製作，據此可以使用陶瓷膠等進行接合，並且在填充材料粉末或層疊複數個片時可以利用每個層的模制和燒結來進行層疊。

參照圖6B和圖6C，第一層711包括形成為矯正流路121一部分的進入孔135-1，所述進入孔135-1與一個以上的第一貫通孔135連通。

參照圖6D和圖6E，第二層712包括形成為矯正流路121的剩餘一部分的連接流路，所述連接流路從進入孔135-1延伸到矯正孔122，所述第二層712更包括矯正孔122。

參照圖6F和圖6G，第三層713包括複數個分支流路123，複數個所述分支流路123從矯正孔122以放射狀延伸到基體120/絕緣板110的邊緣。

圖7A是示出構成圖1B的陶瓷基座200的基體120的複數個層（811、812、813）的實施例的圖，圖7B和圖7C分別是示出第一層811的俯視圖和仰視圖，圖7D和圖7E分別是示出第二層812的俯視圖和仰視圖，圖7F和圖7G分別是示出第三層813的俯視圖和仰視圖。

參照圖7A，根據本發明的陶瓷基座200的基體120可以包括第一層811、第二層812和第三層813。第一層811、第二層812和第三層813單獨區分地進行製作，據此可以利用陶瓷膠等進行接合，並且在填充材料粉末或層疊複數個片時可以利用每個層的模制和燒結來進行層疊。

圖7A的本發明的陶瓷基座200的結構與圖6A的結構類似，但是還包括從絕緣板110的上部表面貫通第一層811、第二層812和第三層813的第一貫通流路136-1。第一貫通流路136-1以在其路徑方向上不與矯正流路121或分支流路123相遇並連通的方式彼此配置在彼此不同的位置處。此時，軸130更包括形成在其側壁上與第一貫通流路136-1連通的一個以上的第二貫通孔136。軸130的第一貫通孔135和第二貫通孔136彼此不連通。

參照圖7B和圖7C，第一層811包括做為矯正流路121一部分的進入孔135-1，所述進入孔135-1與一個以上的第一貫通孔135連通。

參照圖7D和圖7E，第二層812包括做為矯正流路121的剩餘一部分的連接流路，所述連接流路從進入孔135-1延伸到矯正孔122，所述第二層812更包括矯正孔122。

參照圖7F和圖7G，第三層813包括複數個分支流路123，複數個所述分支流路123從矯正孔122以放射狀延伸到基體120/絕緣板110的邊緣。

如上所述，根據本發明的實施例的陶瓷基座100、200、300，將吹掃用矯正孔122設置在基體120的中心，並且藉由放射狀的對稱分支流路123來使所有的流體路徑到絕緣板110的最外側邊緣為止的長度都形成為相同，從而能夠在基座的上表面的整體上均勻地形成用於吹掃的空氣泵送。如上所述，在用於放置基板的所有的方向上均勻地實現吹掃，據此可以在執行針對所述陶瓷基座上的基板的沈積製程等的期間均勻地沈積薄膜，從而能夠增加良品率並提高沈積性能等。另外，在圖1B的情況下，第二實施例的陶瓷基座200可以實現複合功能，即，形成於軸130的流路（flow path）和基座上的所述吹掃用矯正孔122形成流體疏通，據此在整個基座的上表面執行均勻的吹掃功能，而且形成於軸130的其他流路136和用於基座的真空抽吸的吸盤孔（chuck hole）形成流體疏通，據此能夠額外地實現真空吸盤功能。

如上所述，在本發明中，已經說明了如具體構成要素等的特定事項和有限的實施例和圖式，但這僅是為了幫助對本發明整體的理解而提供的，而本發明並不限於所述實施例，本發明所屬領域的普通具有通常知識者能夠在不脫離本發明的本質特徵的範圍內進行各種修改和變更。因此，本發明的精神不應被限制於所說明的實施例並確定，除所附的權利要求之外，與所述權利要求等同或等效變更的所有技術思想都應被解釋為包括在本發明的範圍內。

11:基板91:吸盤孔100、200、300:陶瓷基座110:絕緣板112:電極114:發熱體119:上部表面120:基體121:矯正流路122:矯正孔123:分支流路125:吹掃流路129:下部表面130:軸131、132:電力供應桿135:第一貫通孔135-1:進入孔136:第二貫通孔136-1:第一貫通流路140:連接支架311、411、511、611、711、811:第一層312、412、512、612、712、812:第二層513、613、713、813:第三層

為了幫助理解本發明，做為詳細說明的一部分包括的圖式提供本發明的實施例，並且與詳細說明一起說明本發明的技術思想。

圖1A是根據本發明的第一實施例的陶瓷基座的概略剖視圖。

圖1B是根據本發明的第二實施例的陶瓷基座的概略剖視圖。

圖1C是根據本發明的第三實施例的陶瓷基座的概略剖視圖。

圖2A是示出構成圖1A的陶瓷基座的基體的複數個層的實施例的圖，圖2B至圖2E是示出每個所述層的俯視圖和仰視圖。

圖3A是示出構成圖1B的陶瓷基座的基體的複數個層的實施例的圖，圖3B至圖3E是示出每個所述層的俯視圖和仰視圖。

圖4A是出示構成圖1A的陶瓷基座的基體的複數個層的其他實施例的圖，圖4B至圖4G是示出每個所述層的俯視圖和仰視圖。

圖5A是示出構成圖1B的陶瓷基座的基體的複數個層的其他實施例的圖，圖5B至圖5G是示出每個所述層的俯視圖和仰視圖。

圖6A是示出構成圖1A的陶瓷基座的基體的複數個層的又一其他實施例的圖，圖6B至圖6G是示出每個所述層的俯視圖和仰視圖。

圖7A是示出構成圖1B的陶瓷基座的基體的複數個層的又一其他實施例的圖，圖7B至圖7G是示出每個所述層的俯視圖和仰視圖。

11:基板

100:陶瓷基座

110:絕緣板

112:電極

114:發熱體

119:上部表面

120:基體

121:矯正流路

122:矯正孔

123:分支流路

125:吹掃流路

129:下部表面

130:軸

131、132:電力供應桿

135:第一貫通孔

140:連接支架

Claims (14)

1. 一種陶瓷基座，其包括： 絕緣板，配置有電極； 基體，接合於所述絕緣板並具有吹掃流路； 空心軸，接合於所述基體並包括一個以上的第一貫通孔，所述一個以上的第一貫通孔形成於所述空心軸的側壁並與所述吹掃流路連通；以及 電力供應桿，連接於所述電極，並且以穿過所述空心軸的內部空間的方式延伸， 所述吹掃流路包括： 矯正孔，用於矯正路徑； 矯正流路，從所述一個以上的第一貫通孔延伸到所述矯正孔；以及 一個以上的流路，從所述矯正孔延伸至所述基體的側面的邊緣，所述矯正孔位於所述基體的中心。
2. 如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述一個以上的流路包括複數個分支流路，複數個所述分支流路從所述矯正孔以放射狀延伸到所述基體的側面的邊緣。
3. 如請求項2所述之陶瓷基座，其中，複數個所述分支流路配置於以所述矯正孔為中心形成原點對稱的位置。
4. 如請求項1所述之陶瓷基座，其中， 所述一個以上的第一貫通孔包括形成於所述空心軸的側壁的兩個以上的貫通孔， 從所述兩個以上的貫通孔延伸的每個所述矯正流路在所述矯正孔相遇。
5. 如請求項1所述之陶瓷基座，其中，藉由將所述一個以上的第一貫通孔保持在高於大氣壓的正壓來執行吹掃功能。
6. 如請求項1所述之陶瓷基座，其中， 還包括第一貫通流路，所述第一貫通流路貫通所述絕緣板的上部表面和所述基體的下部表面之間， 所述空心軸還包括一個以上的第二貫通孔，所述一個以上的第二貫通孔形成於所述側壁並與所述第一貫通流路連通。
7. 如請求項6所述之陶瓷基座，其中，藉由將所述一個以上的第二貫通孔保持在低於大氣壓的負壓來吸附配置於所述絕緣板的上部的基板。
8. 如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述電極是具有電漿生成功能的電極、具有靜電吸盤功能的電極或發熱體用電極中的一個以上。
9. 如請求項1所述之陶瓷基座，其中， 所述基體包括： 第一層，包括從所述一個以上的第一貫通孔延伸到所述矯正孔的所述矯正流路；以及 第二層，包括所述矯正孔，並且包括從所述矯正孔延伸到所述基體的側面的邊緣的所述一個以上的流路。
10. 如請求項9所述之陶瓷基座，其中， 還包括第一貫通流路，所述第一貫通流路從所述絕緣板的上部表面貫通所述第一層和所述第二層， 所述空心軸還包括一個以上的第二貫通孔，所述一個以上的第二貫通孔形成於所述側壁並與所述第一貫通流路連通。
11. 如請求項1所述之陶瓷基座，其中， 所述基體包括： 第一層，包括從所述一個以上的第一貫通孔延伸到所述矯正孔的所述矯正流路； 第二層，包括所述矯正孔；以及 第三層，包括從所述矯正孔延伸到所述基體的側面的邊緣的所述一個以上的流路。
12. 如請求項11所述之陶瓷基座，其中， 還包括第一貫通流路，所述第一貫通流路從所述絕緣板的上部表面貫通所述第一層、所述第二層以及所述第三層， 所述空心軸還包括一個以上的第二貫通孔，所述一個以上的第二貫通孔形成於所述側壁並與所述第一貫通流路連通。
13. 如請求項1所述之陶瓷基座，其中， 所述基體包括： 第一層，包括形成為所述矯正流路的一部分的進入孔，所述進入孔與所述一個以上的第一貫通孔連通； 第二層，包括所述矯正孔，並且包括形成為所述矯正流路的剩餘一部分的連接流路，所述連接流路從所述進入孔延伸到所述矯正孔；以及 第三層，包括從所述矯正孔延伸到所述基體的側面的邊緣的所述一個以上的流路。
14. 如請求項13所述之陶瓷基座，其中， 還包括第一貫通流路，所述第一貫通流路從所述絕緣板的上部表面貫通所述第一層、所述第二層以及所述第三層， 所述空心軸還包括一個以上的第二貫通孔，所述一個以上的第二貫通孔形成於所述側壁並與所述第一貫通流路連通。