TWI856939B

TWI856939B - 基座的製造方法

Info

Publication number: TWI856939B
Application number: TW113120122A
Authority: TW
Inventors: 池珉皓; 成基明
Original assignee: 南韓商美科陶瓷科技有限公司
Priority date: 2023-06-07
Filing date: 2024-05-31
Publication date: 2024-09-21
Also published as: TW202449983A; CN119100827A; TW202449225A; KR102642523B1; CN119108325A

Abstract

本發明涉及一種基座的製造方法。其中，在基底基材和絕緣板的黏合結構中採用帽式套管結構物或管式結構物，從而能夠承受在固化過程中氣體流路內部的壓力的增加或者可防止所述壓力的增加，由此能夠在高深寬比接觸（High Aspect Ratio Contact，HARC）製程用高功率基座等中防止氣孔的堵塞現象，並且降低氣孔周圍的污染而使得電弧的產生最小化。

Description

基座的製造方法

本發明關於一種基座的製造方法，尤其，關於一種保護冷卻氣孔免受黏結劑影響的基座的製造方法以及藉由該方法製造的基座。

通常，以在玻璃基板、柔性基板或半導體晶圓基板上依次堆疊包括介電層和金屬層的多個薄膜層，然後對其進行圖案化的方式來製造半導體裝置或顯示裝置。這些薄膜層藉由化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）製程或物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）製程依次沉積在基板上。所述CVD製程包括低壓化學氣相沉積（Low Pressure CVD，LPCVD）製程、電漿強化化學氣相沉積（Plasma Enhanced CVD，PECVD）製程、有機金屬化學氣相沉積（Metal Organic CVD，MOCVD）製程等。

在這種CVD裝置和PVD裝置中，設置有基座，該基座支撐玻璃基板、柔性基板、半導體晶圓基板等並處理半導體製程。所述基座可以具有吸盤電極和發熱線，所述吸盤電極安裝在CVD裝置和PVD裝置中且用於支撐基板，所述發熱線在熱處理製程等中用於加熱基板。並且，所述基座具有高頻（RF）電極替代發熱線或者進一步具有高頻（RF）電極，並用於在位於基板上的薄膜層的蝕刻製程（etching process）等中形成電漿。

在這種基座中，基底基材和與其黏合的絕緣板具有規定的冷卻結構，以便使用外部冷卻氣體均勻地冷卻絕緣板上的基板。通常，設置有冷卻結構，以使設置在基底基材中的冷卻氣體流路與設置在絕緣板中的氣孔連通。在使用液體黏合劑黏合這種基底基材和絕緣板的製程中，進行了各種嘗試以防止黏合劑滲透到氣孔中。

圖1是用於說明傳統的基座的基底基材20和絕緣板13的黏合方法的圖。

參見圖1，在傳統的基座製造製程中，在使用液體黏合劑12黏合具有氣體流路21的基底基材20和具有氣孔3的絕緣板13時，將絕緣套管（bushing）40插入氣體流路21的端部，在其上覆蓋黏接膜50，進行黏合工序，以防止液體黏合劑12滲透到氣體流路21中，隨後進一步增加適當的工序，以與氣孔3連通。

然而，當在適用這種黏接膜50之後黏合基底基材20絕緣板13時，進行熱固化，此時，黏接膜50由於熱膨脹而隆起，從而無法完全防止液體黏合劑12滲透到氣體流路21的現象。由此，這種結構可能會成為因氣孔周圍的污染等而導致的氣體供應不良和顆粒（particle）的產生或電弧的產生等的原因。尤其，在高深寬比接觸（High Aspect Ratio Contact，HARC）製程用高功率基座等中這種問題尤為嚴重。

[要解決的技術問題]

因此，本發明是為了解決上述問題而提出的，本發明的目的在於，提供一種基座的製造方法以及藉由該方法製造的基座，在所述方法中，在基底基材和絕緣板的黏合結構中採用帽式套管結構物或管式結構物，從而能夠承受在固化過程中氣體流路內部的壓力的增加或者可防止所述壓力的增加，由此能夠在高深寬比接觸（High Aspect Ratio Contact，HARC）製程用高功率基座等中防止氣孔的堵塞現象，並且降低氣孔周圍的污染而使得電弧的產生最小化。 [用於解決技術問題的技術手段]

首先，總結本發明的特徵如下。為了實現所述目的的本發明的一方面的基座的製造方法，可包括：插入步驟，在形成於向絕緣板的氣孔延伸的氣體流路的端部處的凹槽中插入帽式套管結構物；形成步驟，使用黏合劑在所述帽式套管結構物的周圍形成黏合層；黏合步驟，將所述基底基材置於所述黏合層上並與所述絕緣板黏合，使得基底基材的氣體流路的端部與所述帽式套管結構物接觸；以及加工步驟，以使得在所述基底基材的所述氣體流路下側的所述帽式套管結構物中形成通孔的方式進行加工。

並且，根據本發明的另一方面的基座的製造方法，可包括：插入步驟，在形成於向絕緣板的氣孔延伸的氣體流路的端部處的凹槽中插入管式結構物；形成步驟，使用黏合劑形成黏合層，使其高度為所述管式結構物的端部高度以下；黏合步驟，在所述黏合層上黏合包括電極層的基底基材，並藉由將所述管式結構物插入所述基底基材的氣體流路來進行黏合；以及去除步驟，去除所述管式結構物。

在插入所述管式結構物的步驟中，可以先將具有通孔的套管結構物插入所述凹槽，然後在所述套管結構物的內側插入管式結構物。

所述套管結構物可以與所述絕緣板的材料相同，即由陶瓷材料製成。

所述套管結構物可以具有延伸至所述絕緣板的所述凹槽的端部以上的高度。

所述管式結構物可以由塑料材料製成。

所述管式結構物的直徑較佳小於等於氣體流路的端部的凹槽的直徑，所述氣體流路向所述絕緣板的氣孔延伸。

所述管式結構物的直徑較佳小於等於所述套管結構物的內側通孔的直徑。

並且，根據本發明的另一方面的基座，可包括：基底基材，具有用於供應冷卻氣體的氣體流路，絕緣板，固定在所述基底基材上且具有氣孔，以及套管結構物，具有通孔，使得在所述基底基材和所述絕緣板之間連通所述氣體流路和所述氣孔；其中，所述套管結構物可以包括形成於所述通孔內壁的螺絲錐。

所述螺絲錐的用途可以是在製造製程中與防止黏合劑滲透用管式結構物螺釘緊固。 [發明效果]

根據本發明的基座的製造方法以及藉由該方法製造的基座，在基底基材和絕緣板的黏合結構中採用帽式套管結構物或管式結構物，從而在固化過程中，能夠承受氣體流路內部的壓力的增加或者可防止所述壓力的增加，由此能夠在高深寬比接觸（High Aspect Ratio Contact，HARC）製程用高功率基座等中防止氣孔的堵塞現象，並且降低氣孔周圍的污染而使得電弧的產生最小化。

以下，參照圖式，對本發明進行詳細說明。此時，每個圖式中相同的構成要素盡可能用相同的元件符號表示。另外，將省略對已知的功能和/或構成的說明。以下公開的內容，將主要說明理解多種實施例的操作所需的部分，並且省略可能使說明的要點模糊的要素的說明。另外，圖式中的一部分構成要素可能會放大、省略或示意性地圖示。每個構成要素的大小不能完全反映實際大小，因此，這裡記載的內容不受每個圖中示出的構成要素的相對大小或間距的限制。

在對本發明的實施例進行說明時，如果判斷對與本發明相關的已知技術的具體說明不必要地模糊本發明的主旨時，將省略其詳細說明。並且，後述的術語是考慮到本發明的功能而定義的術語，可以根據使用者、操作者的意圖或判例而有所不同。因此，其定義應基於整個說明書的內容進行。本說明書中所使用的術語，僅僅是為了說明本發明的實施例而使用的，並不是用來限定。除非另有說明，單一數量的形式應包括多個數量的形式。本說明書中的“包括”或“具有”等表述，是用於指任意特徵、數字、步驟、動作、構件或它們的組合，不應理解為排除一個以上的其他特徵、數字、步驟、動作、構件或它們的組合的存在或附加可能性。

另外，第一、第二等術語雖然可以用來說明各種構成要素，但所述構成要素不限定於所述術語。所述術語僅用於區分一個構成要素與另一構成要素。

首先，在本發明中基座作為用於處理半導體晶圓、玻璃基板、柔性基板等的多種目的的加工對象基板的半導體裝置，為了支撐該加工對象基板而可以具有用作靜電吸盤的靜電吸盤電極，也可以為了將該加工對象基板加熱至規定的溫度而可以具有用於加熱器的發熱線（或發熱體），或者為了對該加工對象基板進行電漿強化化學氣相沉積等的製程處理而進一步具有高頻電極或者可以替代發熱線。

因此，事先聲明，如下所述，本發明的基座作為黏合包括氣體流路的基底基材和包括電極層的絕緣板的結構物，設置在所述絕緣板上的電極層包括用於實現如上所述的靜電吸盤電極、高頻電極或發熱線（或發熱體）中的任意一種以上的功能的導體。

圖2是根據本發明的實施例的基座100的示意性剖視圖。

參照圖2，根據本發明的一實施例的基座100包括藉由黏合劑312黏合在一起的基底基材200和絕緣板300。所述基座100較佳為圓形，但在一些情況下，也可以設計為橢圓形、四邊形等其他形狀。

基底基材200可以由包括多個金屬層的多層結構物（multi-layer structure）形成。這些金屬層可以藉由銅焊（brazing）製程、焊接（welding）製程或接合（bonding）製程等來黏合。絕緣板300固定在基底基材200上，其可以藉由使用規定的固定手段或黏接/黏合手段固定在基底基材200上。基底基材200和絕緣板300可以單獨製造後黏合，並且根據情況，也可以在基底基材200的上表面直接利用陶瓷片等來形成絕緣板300的結構物。

如圖2所示，絕緣板300包括位於陶瓷材料之間的電極層320，所述陶瓷材料由陶瓷片或粉末構成。作為一實施例，所述陶瓷材料可以由在氧化鋁（Al ₂O ₃）、氮化鋁（AlN）、碳化矽（SiC）、氮化矽（Si ₃N ₄）、二氧化矽（SiO ₂）、氧化鋇（BaO）、氧化鋅（ZnO）、氧化鈷（CoO）、氧化錫（SnO ₂）、氧化鋯（ZrO ₂）、Y ₂O ₃、YAG、YAM、YAP等的材料中選擇的物質製成。絕緣板300可以使用如上所述的陶瓷材料進行熱噴塗、陶瓷片的黏合製程等形成在基底基材200的上表面。

電極層320可以由導電金屬材料製成。作為一例，電極層320可以由銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）、鎢（W）、鉬（Mo）和鈦（Ti）中的至少一種形成，更佳地，可以由鎢（W）形成。電極層320可以使用熱噴塗製程或絲網印刷製程形成。電極層320具有約1.0μm至100μm的厚度。例如，較佳地，當電極層320藉由絲網印刷製程形成時，可以適用1.0~30μm的厚度，當電極層320藉由熱噴塗製程形成時，可以適用30~100μm的厚度。然而，由於難以形成電極層320的厚度小於1.0μm等的太薄的層，故不較佳，另外，此時，電阻值由於該電極層中的孔隙率和其他缺陷而增加，並且可能會發生靜電吸附力隨著所述電阻值的增加而降低的現象，故不較佳。另外，當電極層320的厚度太厚，如超過100μm等時，可能會發生電弧（arcing）現象，故不較佳。因此，電極層320的厚度較佳適用約1.0μm至100μm的範圍內的適當的值。如此形成的電極層320作為一例可以是能夠藉由在加載置於介電層330的上部的基板（未圖示）時接收偏壓來產生靜電力並夾緊（chucking），並且當卸載基板（未圖示）時，能夠藉由向電極層320施加相反的偏壓以引起放電來執行脫夾（de-chucking）的靜電吸盤電極。

然而，並不限於此，根據情況，作為電極層320可以進一步包括用於加熱器的電極圖案或者用於產生電漿的高頻電極圖案。換言之，本發明的基座100作為用於處理半導體晶圓、玻璃基板、柔性基板等的多種目的的加工對象基板的半導體裝置，可以為了支撐該加工對象基板而在用作靜電吸盤的電極層320上具有靜電吸盤電極，並且為了將該加工對象基板加熱至規定的溫度發熱線（或發熱體），或者為了對該加工對象基板進行電漿強化化學氣相沉積等的製程處理而進一步具有高頻電極或者可以替代發熱線。

當所述基座100安裝在用於半導體製程的腔室內部時，為了使用外部冷卻氣體來均勻地冷卻絕緣板300上的基板（例如，玻璃基板、柔性基板和半導體晶圓基板等），基底基材200和絕緣板300可以如圖3所示的在氣孔30周圍具有規定的冷卻結構物。

圖3是圖2的AA部分的上下位置顛倒的放大剖視圖。其中，如下所述，將基底基材200置於絕緣板300上，並將其上下位置顛倒示出以符合黏合時的製程。

參照圖3，例如，為了供應冷卻氣體，如圖2所示，在基底基材200的內部以適當的圖案具有冷卻氣體流路15，並且藉由本發明的製造製程上的黏合劑312的滲透防止用套管結構物400（參見圖4c的帽式套管結構物410或圖5c的套管結構物420），冷卻氣體流路15的通孔和絕緣板300的（冷卻）氣孔30實現流體連通，使得能夠從（冷卻）氣孔30中噴出冷卻氣體，從而均勻地冷卻絕緣板300上的基板。此時的冷卻氣體主要可以使用氦氣（He），但不一定限於此，可以使用多種合適的氣體。絕緣板300的（冷卻）氣孔30可以根據設計以適當的數量形成。

在圖2中，可從藉由基座100下部的孔280設置的規定的電極棒281向電極層320施加例如夾緊（chucking）和脫夾（de-chucking）或者用於加熱（heating）或提供高頻的偏壓。根據設計，可以在形成電極層320的規定的電極圖案之間形成適當數量的（冷卻）氣孔30，並且所述（冷卻）氣孔30可以被形成為藉由套管結構物400部分實現從冷卻氣體流路15至絕緣板300上表面的流體連通。

圖4a至圖4d是用於說明根據本發明的一實施例的基座100的製造過程的各過程中的氣孔部分的剖視圖。

參照圖4a，在本發明的一實施例中，為了製造具有（冷卻）氣孔30的基座100，首先，準備預先形成凹槽290的絕緣板300，所述凹槽290形成於冷卻氣體流路15的端部，所述氣體流路向用於供應冷卻氣體的絕緣板300的氣孔30延伸。此時，較佳地，絕緣板300具有在必要位置處預先加工的氣孔30和從氣孔30延伸至凹槽290的氣體流路。對於這種氣孔30和氣體流路的加工而言，可以利用加工中心（Machining Center，MCT）的激光加工等，並且可以加工成直徑為1mm以下或數mm以下的孔。

以下，基座100的製造過程可以在規定的工作台上實現，但不再對其進行贅述，並且，為了當將絕緣板300置於工作台上時防止污染氣孔30，圖式中絕緣板300的下側較佳用黏接膜保護。

在絕緣板300的凹槽290中插入帽式套管結構物410，所述帽式套管結構物410在圖式中其頂部封閉（closed）且底部向氣孔30開口（opened）。較佳地，帽式套管結構物410被製造成其高度高於延伸至絕緣板300的凹槽290的端部以上的高度，並插入凹槽290中。帽式套管結構物410可以由耐熱性、耐磨性絕緣體、金屬、或陶瓷材料等製成，較佳地，可以是與如上所述的絕緣板300的陶瓷材料相同的材料。

並且，參照圖4b，在帽式套管結構物410插入絕緣板300的凹槽290中之後，使用如矽膏等的（液體）黏合劑312，在帽式套管結構物410的周圍（即側部和其頂部）形成黏合層。此時，當在帽式套管結構物410上塗布黏合劑312時，也可以藉由平坦化製程進行黏合劑312去除工序，使黏合劑312僅在帽式套管結構物410的高度以下殘留。黏合劑312較佳由絕緣強度為25 kV/mm以上且體積電阻為10 ¹⁵Ωcm以上的材料製成，以有利於防止電弧。

接下來，參照圖4c，在使用黏合劑312在帽式套管結構物410的周圍形成黏合層之後，將基底基材200置於由黏合劑312形成的黏合層上。此時，將基底基材200置於黏合劑312的黏合層上並與絕緣板300黏合，使得基底基材200的冷卻氣體流路15的端部與帽式套管結構物410接觸（較佳使得中心重合）。當帽式套管結構物410置於多個位置時，每個帽式套管結構物410和對應的基底基材200的每個冷卻氣體流路15彼此接觸並與絕緣板300黏合。黏合時，在以如上所述的方式設置基底基材200之後，壓製基底基材200和絕緣板300並進行熱固化，從而牢固地黏合基底基材200和絕緣板300。此時，藉由壓製，帽式套管結構物410上的黏合劑312被壓製變薄成如實質上不存在一樣。

接下來，參照圖4d，對基底基材200的冷卻氣體流路15下側的帽式套管結構物410進行加工，以形成通孔411。例如，就所述通孔411的加工而言，可以利用加工中心（Machining Center，MCT）激光加工等，由此可以被加工成直徑為數mm以下的孔，或者較佳地，可以被加工成直徑為1mm以下的孔。由此，可以使得基底基材200的冷卻氣體流路15和絕緣板300的氣孔30之間實現流體連通。

在本發明中，以上述方式將基底基材200黏合在帽式套管結構物410上之後，藉由加工帽式套管結構物410通孔411來使用，由此使得在所述壓製和熱固化過程中，也能夠藉由防止黏合劑312流入冷卻氣體流路15的滲透而防止與氣孔30之間的流體連通被堵塞的現象，並且，由於不是用黏接膜50覆蓋的結構，也能夠充分承受氣體流路內部的壓力的增加而不隆起，從而防止氣孔30被堵塞的現象。

圖5a至圖5c是用於說明根據本發明的另一實施例的基座100的製造過程的各過程中的氣孔部分的剖視圖。

參照圖5a，在本發明的一實施例中，為了製造具有（冷卻）氣孔30的基座100，首先，準備預先形成凹槽290的絕緣板300，所述凹槽290形成在冷卻氣體流路15的端部，所述氣體流路向用於供應冷卻氣體的絕緣板300的氣孔30延伸。此時，較佳地，絕緣板300具有在必要位置預先加工的氣孔30。對於這種氣孔30的加工而言，可以利用加工中心（Machining Center，MCT）激光加工等，並且可以加工成直徑為1mm以下或數mm以下的孔。

以下，同樣地，基座100的製造過程可以在規定的工作台上實現，但不再對其進行贅述，並且，為了當將絕緣板300置於工作台上時防止污染氣孔30，圖式中絕緣板300的下側較佳用黏接膜保護。

在絕緣板300的凹槽290中插入套管結構物420，所述套管結構物420具有頂部和底部向氣孔30開口（opened）的通孔，並且在套管結構物420內側進一步插入管式結構物520。較佳地，具有通孔的套管結構物420被製造成其高度高於延伸至絕緣板300的凹槽290的端部以上的高度，並插入凹槽290中。然而，套管結構物420不是絕對必要的，可以被省略。換言之，在絕緣板300的凹槽290中，可以直接插入管式結構物520。

雖然無需在絕緣板300的凹槽290內側設置螺絲錐（screw tap）（陰螺紋），但如果需要，可以在絕緣板300的凹槽290內側設置螺絲錐（screw tap）（陰螺紋）。例如，如圖6的實施例，可以利用絕緣板300的凹槽290內側形成螺絲錐（screw tap）（陰螺紋）的結構。此時，絕緣板300的凹槽290內側的螺絲錐與插入其中的套管結構物420或管式結構物520的螺絲錐（陽螺紋）以螺釘緊固的方式緊固。

套管結構物420在插入絕緣板300的凹槽290中時，可以用有機矽黏合劑等來固定。換言之，在不使用套管結構物420而直接將管式結構物520插入絕緣板300的凹槽290中時，若沒有形成於凹槽290內側的螺絲錐，則也可以用有機矽黏合劑等直接將有或無螺絲錐的管式結構物520固定在絕緣板300的凹槽290中。或者，若有形成於凹槽290內側的螺絲錐，形成於凹槽290內側的螺絲錐可以與管式結構物520的螺絲錐（陽螺紋）螺釘緊固。

並且，在使用套管結構物420的情況下，若沒有形成於凹槽290內側的螺絲錐，可以用有機矽黏合劑等直接將有螺絲錐（陽螺紋）或無螺絲錐（陽螺紋）的套管結構物420固定在絕緣板300的凹槽290中。此時，若有形成於凹槽290內側的螺絲錐（參見圖6），可以與套管結構物420的螺絲錐（陽螺紋）螺釘緊固。如此，在凹槽290中插入套管結構物420之後，在套管結構物420內側（內壁）進一步插入管式結構物520。此時，較佳利用形成於套管結構物420內側的螺絲錐（陰螺紋），與管式結構物520的螺絲錐（陽螺紋）螺釘緊固。

管式結構物520可以由柔性材料製成。當在絕緣板300的凹槽290中直接插入管式結構物520時，管式結構物520的直徑較佳小於等於絕緣板300的凹槽290的直徑。並且，當利用套管結構物420時，管式結構物520的直徑較佳小於等於套管結構物420的通孔的直徑。由此，在後續製程中，可防止（液體）黏合劑312向套管結構物420和管式結構物520之間的滲透。

並且，管式結構物520被製造成其高度高於圖式中延伸至套管結構物420的端部以上的高度，並插入套管結構物420中，例如，管式結構物520的高度可以是套管結構物420高度的5倍以上。例如，套管結構物420的高度為5mm時，管式結構物520的高度可以是40±10mm。在規定的夾具（jig）中，可以預先準備與多個凹槽290相對應的數量的這種管式結構物520，由此管式結構物520能夠被插入至與之對應的位置。

套管結構物420可以由耐熱性、耐磨性絕緣體、金屬或陶瓷材料等製成，較佳地，可以是與如上所述的絕緣板300的陶瓷材料相同的材料。管式結構物520可以由耐熱性的柔性絕緣材料，例如，柔性的塑料材料（如聚醚醯亞胺（ULTEM）等工程塑料）等多種材料製成。由工程塑料等形成的管式結構物520可以具有耐熱性以在170℃以上的溫度條件下不發生形狀變形，並且在如上所述的熱固化溫度下（如150℃以下）不發生形狀變形。

並且，參照圖5b，在絕緣板300的凹槽290中，僅插入管式結構物520或者插入套管結構物420和管式結構物520之後，使用如矽膏等的（液體）黏合劑312來形成黏合層，其中，所述黏合層的厚度小於套管結構物420的高度（使用套管結構物420的情況），並且使用黏合劑312形成厚度為管式結構物520的最上端部高度以下的黏合層。黏合劑312較佳由絕緣強度為25 kV/mm以上且體積電阻為10 ¹⁵Ωcm以上的材料製成，以有利於防止電弧。

接下來，在由黏合劑312形成的黏合層上放置基底基材200，並且在基底基材200的冷卻氣體流路15中插入管式結構物520，從而使得套管結構物420的多個上端部位於冷卻氣體流路15下端部的多個凹槽190中，由此準備黏合。此時，較佳地，管式結構物520的最上端部的高度被設計為能夠升高到基底基材200的上端面以上。在圖5a和圖6中，如果沒有使用套管結構物420，則可以不形成冷卻氣體流路15下端部的多個凹槽190。

隨後，參照圖5c，壓製基底基材200和絕緣板300並進行熱固化，從而牢固地黏合基底基材200和絕緣板300。在基底基材200和絕緣板300牢固地黏合之後，管式結構物520被去除。管式結構物520的去除方式如下：藉由向與套管結構物420螺釘緊固時的相反方向旋轉，從而使得絕緣板300的凹槽290或套管結構物420分離而去除。在圖5a和圖6中，即便沒有使用套管結構物420，在去除管式結構物520時，可以藉由施加適當的扭轉力等來使得從黏合劑312分離，從而去除管式結構物520。

如此，使用管式結構物520，或者使用套管結構物420和管式結構物520，由此在所述壓製和熱固化過程中，防止黏合劑312流入冷卻氣體流路15的滲透，從而防止與氣孔30之間的流體連通被堵塞的現象，並且不是傳統用黏接膜覆蓋的結構，而是藉由比套管結構物420高的管式結構物520，使空氣連通，從而防止氣體流路內部的壓力的增加，由此能夠穩定地進行所述壓製和熱固化。

如此，根據圖5a至圖5c和圖6製造的本發明的基座100的形狀如下：以如圖2所示將基座100安裝在用於半導體製程的腔室內部的情況為基準，絕緣板300置於基底基材200上。

此時，本發明的基座100包括：基底基材200，具有用於供應冷卻氣體的冷卻氣體流路15；絕緣板300，固定在所述基底基材200上且具有氣孔30；以及套管結構物420，具有通孔，使得在基底基材200和絕緣板300之間連通冷卻氣體流路15和氣孔30。如上所述，較佳地，套管結構物420的通孔內壁形成有螺絲錐。套管結構物420的通孔內壁的螺絲錐的用途可以是在如上所述的製造製程中與防止黏合劑滲透用管式結構物520螺釘緊固。除此之外，套管結構物420的外側（外壁）和絕緣板300的凹槽290內側（內壁）也可以形成有螺絲錐等，如上所述的實施例同樣適用於此。

如上所述，根據本發明的基座100的製造方法，藉由在基底基材200和絕緣板300的黏合結構中採用帽式套管結構物410或插入帽式套管結構物410的管式結構物520等，由此在固化過程中，能夠承受氣體流路內部的壓力的增加或者可以防止所述壓力的增加，由此能夠高深寬比接觸（High Aspect Ratio Contact，HARC）製程用高功率基座等中防止氣孔的堵塞現象，並且降低氣孔周圍的污染而使得電弧的產生最小化。

如上所述，在本發明中，已經說明了如具體構成要素等的特定事項和有限的實施例和圖式，但這僅是為了幫助對本發明整體的理解而提供的，而本發明並不限於所述實施例，本發明所屬領域的普通技術人員能夠在不脫離本發明的本質特徵的範圍內進行各種修改和變更。因此，本發明的精神不應被限制於所說明的實施例並確定，除所附的申請專利範圍之外，與所述申請專利範圍等同或等效變更的所有技術思想都應被解釋為包括在本發明的範圍內。

3:氣孔 12:液體黏合劑 13:絕緣板 15:冷卻氣體流路 20:基底基材 21:氣體流路 30:氣孔 40:絕緣套管 50:黏接膜 100:基座 190:凹槽 200:基底基材 280:孔 281:電極棒 290:凹槽 300:絕緣板 312:黏合劑 320:電極層 400:套管結構物 410:帽式套管結構物 411:通孔 420:套管結構物 520:管式結構物

圖2是根據本發明的一實施例的基座的示意性剖視圖。

圖3是圖2的AA部分的放大剖視圖。

圖4a至圖4d是用於說明根據本發明的一實施例的基座的製造過程的各過程中的氣孔部分的剖視圖。

圖5a至圖5c是用於說明根據本發明的另一實施例的基座的製造過程的各過程中的氣孔部分的剖視圖。

圖6是用於說明圖5a的製造過程的另一實施例的圖。

15:冷卻氣體流路

30:氣孔

200:基底基材

300:絕緣板

312:黏合劑

410:帽式套管結構物

411:通孔

Claims

一種基座的製造方法，其包括以下步驟：插入步驟，在形成於氣體流路的端部的凹槽中插入管式結構物，所述氣體流路向絕緣板的氣孔延伸；形成步驟，使用黏合劑形成黏合層，使所述黏合層的高度為所述管式結構物的端部高度以下；黏合步驟，在所述黏合層上黏合包括電極層的基底基材，並藉由將所述管式結構物插入所述基底基材的氣體流路來進行黏合；以及去除步驟，去除所述管式結構物。
如請求項1所述之基座的製造方法，其中，在插入所述管式結構物的步驟中，先將具有通孔的套管結構物插入所述凹槽，然後在所述套管結構物的內側插入所述管式結構物。
如請求項2所述之基座的製造方法，其中，所述套管結構物與所述絕緣板的材料相同，由陶瓷材料製成。
如請求項2所述之基座的製造方法，其中，所述套管結構物具有延伸至所述絕緣板的所述凹槽的端部以上的高度。
如請求項1所述之基座的製造方法，其中，所述管式結構物由塑料材料製成。
如請求項1所述之基座的製造方法，其中，所述管式結構物的直徑小於等於所述氣體流路的端部的凹槽的直徑，所述氣體流路向所述絕緣板的氣孔延伸。
如請求項2所述之基座的製造方法，其中，所述管式結構物的直徑小於等於所述套管結構物的內側通孔的直徑。