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TWI908151B - 多層佈線基板以及包含其的探針卡 - Google Patents

多層佈線基板以及包含其的探針卡

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TWI908151B
TWI908151B TW113123638A TW113123638A TWI908151B TW I908151 B TWI908151 B TW I908151B TW 113123638 A TW113123638 A TW 113123638A TW 113123638 A TW113123638 A TW 113123638A TW I908151 B TWI908151 B TW I908151B
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Taiwan
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hole conductor
layer
internal wiring
wiring layer
connecting pad
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TW113123638A
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English (en)
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TW202441188A (zh
Inventor
安範模
朴勝浩
邊聖鉉
Original Assignee
南韓商普因特工程有限公司
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Application filed by 南韓商普因特工程有限公司 filed Critical 南韓商普因特工程有限公司
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Abstract

根據本發明的多層佈線基板以及探針卡,多層佈線基板包括:第一絕緣部,第一絕緣部,包括陽極氧化膜材質的第一主體、貫通第一主體的第一通孔導體、以及與第一通孔導體電性連接的第一內部佈線層;第二絕緣部,包括陽極氧化膜材質的第二主體、貫通第二主體的第二通孔導體、以及與第二通孔導體電性連接的第二連接墊;以及焊料凸塊,設置在第一內部佈線層和第二連接墊中一者上,且焊料凸塊設置在第一內部佈線層與第二連接墊之間,通過焊料凸塊電性連接第一通孔導體、第一內部佈線層、第二連接墊以及第二通孔導體。

Description

多層佈線基板以及包含其的探針卡
本發明有關一種多層佈線基板及包括其的探針卡,更具體而言有關一種熱膨脹係數低且導電率高的多層佈線基板。
通常,半導體製作製程通過在晶片上形成圖案的製造(fabrication)製程、檢查構成晶片的各個晶片的電特性的電晶片分選(Electrical Die Sorting,EDS)製程以及由各個晶片組裝形成有圖案的晶片的裝配(assembly)製程製造而成。
此處,執行EDS製程以判別構成晶片的晶片中的不良晶片。在EDS製程中,主要使用對構成晶片的晶片施加電訊號並通過從施加的電訊號檢查的訊號來判斷不良的探針卡(probe card)。
探針卡包括:探針,與構成晶片的各晶片的圖案接觸並施加電訊號;空間轉換器(Space Transformer,ST),執行在探針與印刷電路板(printed circuit board,PCB)基板之間的節距(Pitch)轉換;以及中介層(Interposer),將空間轉換器與PCB基板連接。
探針卡所使用的空間轉換器主要包括在包括多層陶瓷基板的多層佈線基板(多層陶瓷(Multi Layer Ceramic,MLC))。這種陶瓷材質的多層佈線基板具有熱膨脹係數低而不受在作為測定對象物的晶片產生的熱的影響的優點。然而,陶瓷材質的多層佈線基板具有如下缺點:為能夠承受陶瓷燒結溫度,由比銅、金等金屬導電率相對低的鎢形成佈線。
近來,為了改善此種缺點,開發了由多種材質形成的多層佈線基板,作為與此種多層佈線基板相關的專利,公示有在日本公開專利第2016-72285號(以下,稱為“現有技術”)中記載者。
現有技術的多層佈線基板包括陶瓷基板與聚醯亞胺材質的多個樹脂層。此種現有技術的多層佈線基板使用低熱膨脹係數低的陶瓷基板,同時在聚醯亞胺材質的樹脂層中包括由銅形成的佈線,從而具有低熱膨脹係數與高導電率的效果。
然而,此種現有技術在與作為檢查對象物的晶片相對更近的位置處包括熱膨脹係數高的聚醯亞胺樹脂層。即,在聚醯亞胺樹脂層中可能會產生熱變形,因此會具有檢查的準確度下降的問題。[現有技術文獻][專利文獻][專利文獻1]公開編號第2016-72285號 日本公開專利公報
[發明所要解決的問題]對此,本發明是為了減少現有技術的問題而提出的,其目的在於提供一種熱膨脹係數低且導電率高的多層佈線基板。
另外,其目的在於通過包括包含多個氣孔的陽極氧化膜的絕緣部使焊料浸入到氣孔並固體化,從而將多層絕緣部堅固地固定。[解決問題的技術手段]
為了達成此種本發明的目的,根據本發明的多層佈線基板的特徵在於包括包含如下的多層佈線基板:第一絕緣部,包括陶瓷材質的主體、貫通所述主體的第一通孔導體、與所述第一通孔導體連接的第一內部佈線層以及第一連接墊;以及第二絕緣部,包括陽極氧化膜材質的主體、貫通所述主體的第二通孔導體、與所述第二通孔導體連接的第二內部佈線層以及第二連接墊。
另外,特徵在於包括如下的多層佈線基板:所述第一通孔導體與所述第一內部佈線層以及所述第一連接墊由鎢提供、所述第二通孔導體與所述第二內部佈線層以及第二連接墊由銅提供。
另外,特徵在於包括如下的多層佈線基板:所述第二絕緣部在多個層所包括的所述第二內部佈線層及所述第二連接墊的各自的一端還包括焊料凸塊,通過所述焊料凸塊連接所述各個層所包括的所述第二通孔導體、所述第二內部佈線層以及所述第二連接墊。
另外,特徵在於包括如下的多層佈線基板:所述第二絕緣部包括在陽極氧化時形成的多個氣孔,熔融的所述焊料凸塊的一部分浸入到所述氣孔的內部後變硬,從而將所述第二通孔導體、所述第二內部佈線層及所述第二連接墊固定在所述第二絕緣部上。
另外,特徵在於包括如下的多層佈線基板:所述第二絕緣部在各個層重疊的一側還包括阻斷部,所述阻斷部在所述焊料凸塊的兩側設置。
另外,特徵在於包括如下的多層佈線基板:所述阻斷部由可接著的絕緣材質提供。
根據本發明的探針卡,其特徵在於包括:第一絕緣部,包括陶瓷材質的主體、貫通所述主體的第一通孔導體、與所述第一通孔導體連接的第一內部佈線層以及第一連接墊;第二絕緣部,包括陽極氧化膜材質的主體、貫通所述主體的第二通孔導體、與所述第二通孔導體連接的第二內部佈線層以及第二連接墊;以及探針(probe pin),附著於所述第二絕緣部的所述第二連接墊。[發明的效果]
如以上說明所述般,根據本發明的多層佈線基板可熱膨脹係數低且導電率高。
另外,通過因包括包含多個氣孔的陽極氧化膜的絕緣部使焊料浸入到氣孔並固體化,從而可將多層絕緣部堅固地固定。
以下的內容僅例示發明的原理。因此,雖然並未在本說明書中明確說明或圖示,本領域技術人員可發明實現發明的原理並包含於發明的概念與範圍內的各種裝置。另外,本說明書所列舉的所有條件部用語及實施例在原則上應理解為,僅作為用以理解發明的概念的目的進行明確地解釋,而並不限制為如上所述特別列舉的實施例及狀態。
所述的目的、特徵及優點通過與所附圖式相關的以下詳細的說明而變得更明顯,因此,在發明所屬的技術領域內具有通常知識者可容易地實施發明的技術思想。
以下,若參照所附圖式對本發明的優選實施例詳細地進行說明,則如下所示。
圖1是概略地圖示根據本發明的優選實施例的探針卡的圖,圖2是圖示圖1的探針卡的第二絕緣部的圖,圖3是將圖1的部分A放大進行圖示的圖。
參照圖1至圖3,探針卡1用於點檢電路的斷開或短路等狀態,包括多層佈線基板10與探針20。具體而言,探針卡1位於形成有待檢查的電路的晶片2的上部,且通過與外部的各種設備連接而相對於晶片2進行升降運動,從而確認是否形成正常的電路。在圖1中圖示為探針卡1處於相對於晶片2上升的狀態。
多層佈線基板10在PCB基板(未圖示)與探針20之間設置,可補償PCB基板的基板端子與探針20的節距間的差。具體而言,多層佈線基板10包括第一絕緣部110與第二絕緣部120。
第一絕緣部110與PCB基板或中介層(未圖示)連接,且第一絕緣部110包括:陶瓷材質的第一主體111、貫通第一主體111的第一通孔導體112、與所述第一通孔導體112連接的第一內部佈線層113以及第一連接墊114。
第一絕緣部110包括多個第一主體111。具體而言,第一主體111包括多個層,在各個層包括第一通孔導體112、第一內部佈線層113及第一連接墊114。在本實施例中,作為例子對第一主體111包括三個層的情況進行圖示及說明,但本發明的思想並不限定於此。
第一主體111包括第一上層1111、第一中間層1112及第一下層1113。第一上層1111為與PCB基板連接的層,第一下層1113為與第二絕緣部120連接的層,第一中間層1112是指在第一上層1111與第一下層1113之間設置的層。
第一主體111可通過雷射照射加工、衝壓(punch)加工、鑽孔加工等形成多個貫通孔。此時,第一上層1111的各個貫通孔可形成於與PCB基板的端子對應的位置,第一中間層1112的各個貫通孔可以與第一上層1111的貫通孔相比更接近中心部定位的方式形成,且第一下層1113的各個貫通孔可以與第一中間層1112的貫通孔相比更接近中心部定位的方式形成。
在第一主體111的各層1111、1112、1113的貫通孔填充導電性材料。可使用鎢作為導電性材料,由此,可形成第一通孔導體112。
可通過單獨的漿料印刷裝置將導電性材料印刷在第一中間層1112及第一下層1113的上部。可使用鎢作為導電性材料,由此,可形成第一內部佈線層113。第一內部佈線層113連接各層1111、1112、1113的各個第一通孔導體112,可形成在與第一通孔導體112對應的位置。然而,第一內部佈線層113的位置並不限定於此。例如,第一內部佈線層113可形成於第一上層1111的下部及第一中間層1112的下部。
另外,也可通過漿料印刷裝置將導電性材料印刷在第一上層1111的上部及第一下層1113的下部。可使用鎢作為導電性材料,由此,可形成第一連接墊114。此時,第一上層1111的第一連接墊114與PCB基板的端子連接,且第一下層1113的第一連接墊114可與第二絕緣部120連接。
若第一通孔導體112與第一內部佈線層113以及第一連接墊114具備,則可在裝載配置第一主體111的各層1111、1112、1113後施加壓力。在1300℃至1500℃的溫度下在特定時間期間對各層1111、1112、1113進行塑形,因此,陶瓷材質的第一主體111、鎢材質的第一通孔導體112、第一內部佈線層113以及第一連接墊114可一體化。即,第一主體111、第一通孔導體112、第一內部佈線層113以及第一連接墊114可形成為一體形。
在第一絕緣部110的下部包括第二絕緣部120。第二絕緣部120與探針20連接,包括陽極氧化膜材質的第二主體121、貫通第二主體121的第二通孔導體122、與第二通孔導體122連接的第二內部佈線層123及第二連接墊124。
第二絕緣部120包括多個第二主體121。具體而言,第二主體121包括多個層,在各個層包括第二通孔導體122、第二內部佈線層123及第二連接墊124。在本實施例中,作為例子對第二主體121包括三個層的情況進行圖示及說明,但本發明的思想並不限定於此。
陽極氧化膜是指對作為母材的金屬進行陽極氧化而形成的膜,陽極氧化膜在陽極氧化時形成多個氣孔121a,所述氣孔121a為具有規則的排列的孔。
在作為母材的金屬為鋁(Al)或鋁合金的情況下,對母材進行陽極氧化,則在母材的表面形成陽極氧化鋁(Al2O3)材質的陽極氧化膜。如上所述形成的陽極氧化膜分為在內部不形成氣孔121a的障壁層與在內部形成有氣孔121a的多孔層。障壁層位於母材的上部而多孔層位於障壁層的上部。
若從表面形成有具有障壁層與多孔層的陽極氧化膜的母材中去除母材,則僅存留陽極氧化鋁(Al2O3)材質的陽極氧化膜。在此情況下,若去除障壁層,則陽極氧化膜整體上為陽極氧化鋁(Al2O3)材質並構成薄板形態,並且具有直徑均勻且以垂直的形態沿上下貫通形成並具有規則排列的氣孔121a。如上所述,可使用去除障壁層的陽極氧化物作為第二主體121。
各個氣孔121a在第二主體121內彼此獨立地存在。換句話說,在包含陽極氧化鋁(Al2O3)材質的第二主體121中,在其內部具有寬度為數奈米至數百奈米的大小的多個氣孔121a以沿上下貫通第二主體121的方式形成。
在第二主體121中,除對金屬母材進行陽極氧化而以自然產生的方式形成的氣孔121a以外,追加形成貫通孔。貫通孔為沿上下貫通第二主體121的構成。
貫通孔對第二主體121進行蝕刻而形成。對第二主體121進行局部遮蔽,僅對未被遮蔽的區域進行蝕刻而形成貫通孔。第二主體121通過蝕刻不僅可容易地形成具有比氣孔121a大的內部寬度的貫通孔,而且可使蝕刻溶液與第二主體121反應並使貫通孔具有沿上下垂直地貫通第二主體121的形狀。如此,氣孔121a及貫通孔均在第二主體121內沿垂直方向並排形成。
第二主體121包括第二上層1211、第二中間層1212、第二下層1213。第二上層1211為與第一絕緣部110連接的層,第二下層1213為與探針20連接的層,第二中間層1212是指在第二上層1211與第二下層1213之間設置的層。此時,第二上層1211的各個貫通孔可形成於與第一主體111的第一下層1113所包括的第一連接墊114對應的位置,第二中間層1212的各個貫通孔可以比第二上層1211的貫通孔更接近中心部定位的方式形成,第二下層1213的各個貫通孔可以比第二中間層1212的貫通孔更接近中心部定位的方式形成。
在第二主體121的各層1211、1212、1213的貫通孔填充導電性材料。可使用導電率高的銅作為導電性材料,由此,可形成第二通孔導體122。
可通過單獨的漿料印刷裝置將導電性材料印刷在第二上層1211及第二中間層1212的下部。可使用銅作為導電性材料,由此,可形成第二內部佈線層123。第二內部佈線層123連接各層1211、1212、1213的各個第二通孔導體122,且可形成在與第二通孔導體122對應的位置。然而,第二內部佈線層123的位置並不限定於此。例如,第二內部佈線層123可形成於第二中間層1212的上部及第二下層1213的上部。
另外,可通過漿料印刷裝置將導電性材料印刷在第二中間層1212的上部與第二下層1213的上部及下部。可使用銅作為導電性材料,由此,可形成第二連接墊124。此時,第二連接墊124可與第二內部佈線層123或探針20連接。
具體而言,第二連接墊124可形成為與第二內部佈線層123相同的長度,或形成為比第二內部佈線層123短的長度。另外,在裝載配置第二主體121的各層1211、1212、1213的情況下,第二內部佈線層123與第二連接墊124的中心可形成於相同的位置。因此,在裝載配置第二主體121的各層1211、1212、1213的情況下,第二內部佈線層123與第二連接墊124可以分別隔有特定間隔並相對的方式配置。
在第二主體121的各層1211、1212、1213之間形成有突起形狀的焊料(solder)凸塊125。焊料凸塊125用於接合第二主體121的各層1211、1212、1213,可通過漿料印刷裝置而形成為半球形狀。此時,焊料凸塊125可在第二通孔導體122、第二內部佈線層123及第二連接墊124均固化後形成。具體而言,第二通孔導體122、第二內部佈線層123及第二連接墊124可在150℃下在一小時期間內加熱而固化後形成焊料凸塊125。
具體而言,焊料凸塊125可形成於第二內部佈線層123的一端。在本實施例中,作為例子對焊料凸塊125形成於第二上層1211及第二中間層1212的下部的情況進行圖示,但焊料凸塊125的形狀並不限定於此。例如,焊料凸塊125可在形成在第二中間層1212及第二下層1213的上部的第二連接墊124上形成,或在第二上層1211及第二中間層1212的下部與第二中間層1212及第二下層1213的上部均形成。
在對形成於第二內部佈線層123的焊料凸塊125進行加熱的情況下,具有低的熔點的焊料凸塊125在低的熱量下也發生熔融。若進行焊料凸塊125的熔融,則可在裝載配置第二主體121的各層1211、1212、1213後施加壓力。因此,熔融的焊料凸塊125可以與相鄰的層的第二通孔導體122或第二內部佈線層123相接的狀態而固體化。即,可通過焊料凸塊125而與第二主體121的各層1211、1212、1213所包括的第二通孔導體122、第二內部佈線層123及第二連接墊124連接。
熔融的焊料凸塊125的一部分可浸入到第二主體121的氣孔121a。具體而言,焊料凸塊125熔融並可流入到相鄰的氣孔121a。因此,不僅可在與原有形成有焊料凸塊125的第二通孔導體122的一端或第二內部佈線層123的一端相鄰的第二通孔導體122或第二內部佈線層123內固體化並固定,而且還可在氣孔121a內部固體化並固定。即,焊料凸塊125在浸入到氣孔121a內部後變硬,從而可起到將第二通孔導體122與第二內部佈線層123固定於第二絕緣部120上的作用。
各個以一體形形成的第一絕緣部110與第二絕緣部120可通過焊料凸塊125結合。具體而言,在設置在第二絕緣部120的最上部的第二通孔導體122的一端可形成有焊料凸塊125。若對焊料凸塊125施加熱量使焊料凸塊125熔融,則使形成於第一絕緣部110的最下部的第一連接墊114與形成於第二絕緣部120的最上部的焊料凸塊125相接,在兩側以相接的狀態固體化,從而可將第一絕緣部110與第二絕緣部120結合。
在一體化的第一絕緣部110與第二絕緣部120的一側及另一側分別結合有PCB基板與探針20,因此,可形成探針卡1。
以下,對具有所述的構成的本發明的優選實施例的探針卡1的作用及效果進行說明。
首先,探針卡1包括:多層佈線基板10,包括具有多個層1111、1112、1113的第一絕緣部110以及具有多個層1211、1212、1213的第二絕緣部120;以及探針20,與多層佈線基板10連接。此時,探針20附著於第二絕緣部120。
第一絕緣部110包括陶瓷材質的第一主體111。第一主體111包括三個層,可在各個層通過雷射照射加工、衝壓加工、鑽孔加工等形成多個貫通孔。此時,在最上部設置的層的貫通孔與在最下部設置的層的貫通孔相比隔以更遠的距離並可形成有多個。
在第一主體111的貫通孔填充鎢形成第一通孔導體112,可在第一通孔導體112的一端及另一端印刷鎢而形成第一內部佈線層113或第一連接墊114。此時,最上部的第一連接墊114與PCB基板連接,最下部的第一連接墊114與第二絕緣部120連接。
若第一通孔導體112、第一內部佈線層113及第一連接墊114固化,則在裝載配置第一主體111的各層後施加壓力,可在1300℃至1500℃的溫度下在特定時間期間內進行塑形。因此,陶瓷材質的第一主體111與鎢材質的第一通孔導體112、第一內部佈線層113、第一連接墊114可一體化。即,第一主體111、第一通孔導體112、第一內部佈線層113以及第一連接墊114可形成為一體形。
另外,第一絕緣部110與第二絕緣部120結合。第二絕緣部120包括陽極氧化膜材質的第二主體121。第二主體121包括三個層,且可包括在陽極氧化時形成的氣孔121a與進行蝕刻形成的貫通孔。此時,在最上部設置的層的貫通孔與在最下部設置的層的貫通孔相比隔以更遠的距離並可形成有多個。
在第二主體121的貫通孔填充銅形成第二通孔導體122,在第二通孔導體122的一端及另一端印刷銅而可形成第二內部佈線層123或第二連接墊124。此時,最下部的第二連接墊124與探針20連接。
若對第二通孔導體122、第二內部佈線層123及第二連接墊124進行乾燥,則可在第二內部佈線層的一端形成焊料凸塊125。焊料凸塊125可形成於第二主體121的各層的上部或下部、或在上部與下部均形成。
若對焊料凸塊125施加熱,則進行焊料凸塊125的熔融。此時,第二主體121可在焊料凸塊125固體化之前在裝載配置各層後施加熱。因此,熔融的焊料凸塊125可以與相鄰的第二內部佈線層123或第二連接墊124相接的狀態而固體化。例如,在焊料凸塊125形成於第二主體121的第二上層1211的下部的情況下,熔融的焊料凸塊125可以與第二中間層1212的第二連接墊124相接的狀態而固體化。即,第二上層1211的第二內部佈線層123與第二中間層1212的第二連接墊124可通過焊料凸塊125連接。
如上所述,多層佈線基板10通過使用具有低的熔點的焊料凸塊125使多層接合,從而可在使用導電率高的銅的同時,防止包含熱膨脹係數低的陽極氧化膜材質的第二主體121而熱變形。
另外,熔融的焊料凸塊125的一部分可浸入到第二主體121的氣孔121a。因此,焊料凸塊125還可在氣孔121a內部錨定(anchoring)的同時固體化並固定。即,焊料凸塊125可起到將第二通孔導體122、第二內部佈線層123及第二連接墊124固定於第二絕緣部120上的作用,從而可堅固地固定多層的第二絕緣部120。
具體而言,焊料凸塊125在將第二通孔導體122、第二內部佈線層123及第二連接墊124電結合的同時,在氣孔121a的內部固定,從而可將各層1211、1212、1213機械結合。即,包括氣孔121a的陽極氧化膜材質的第二主體121與焊料凸塊125結合,可具有可同時實現第二絕緣部120的電結合及機械結合的效果。
另外,通過在熱膨脹係數低的陽極氧化膜材質的第二絕緣部120附著剛性高的第一絕緣部110並一體化,可具有提高多層佈線基板10的整體剛性的效果。
以下,參照圖4及圖5,對根據本發明的另一實施例的探針卡進行說明。但,另一實施例與一實施例相比,在還包括阻斷部126’的方面存在差異,因此以差異點為主進行說明,對相同的部分引用一實施例的說明與圖式符號。
圖4是圖示根據本發明的另一實施例的探針卡的第二絕緣部的圖,圖5是將圖4的一部分構成放大進行圖示的圖。
參照圖4及圖5,根據本發明的另一實施例的探針卡在第二主體121’的各個層重疊的一側包括阻斷部126’。具體而言,阻斷部126’可在焊料凸塊125’的兩側具備。
阻斷部126’包含絕緣物質,可實現為由包含聚醯亞胺的合成樹脂材質的絕緣膜。在此情況下,使用液相接合體等接合到第二主體121’,但為了增進接合力,也可在介置有合成樹脂材質的接合膜的狀態下進行接合。根據阻斷部126’包含絕緣物質,阻斷部126’可使上部及下部所具備的第二主體121’分別電絕緣。
在焊料凸塊125’熔融而流動的情況下,可填補形成於兩側的阻斷部126’之間的空間並固體化。因此,在焊料凸塊125’熔融而流動的情況下,阻斷部126’可防止焊料凸塊125’流入到並非相鄰的第二通孔導體122’及第二連接墊124’的其他第二通孔導體122’及第二連接墊124’。
阻斷部126’在第二上層1211’與第二中間層1212’之間及第二中間層1212’與第二下層1213’處具備,可由可接著的材質提供。因此,在以使第二上層1211’與第二中間層1212’及第二下層1213’相接的方式配置的情況下,阻斷部126’可起到使與上部或下部相鄰的另一層的第二主體121’接著的作用。即,阻斷部126’阻斷焊料凸塊125’流入到並不相鄰的另一第二通孔導體122’及第二內部佈線層123’的同時,可容易地將第二主體121’的各層接合。
此時,阻斷部126’的熔融溫度可比焊料凸塊125’的熔融溫度低。具體而言,焊料凸塊125’的熔融溫度為約150℃至小於300℃,阻斷部126’的熔融溫度可為300℃以上。因此,在第二絕緣部120’被加熱到小於300℃的溫度的情況下,阻斷部126’還未熔融,僅焊料凸塊125’熔融並可流入到阻斷部126’之間的空間。
在焊料凸塊125’熔融後,第二絕緣部120’可被加熱到比焊料凸塊125’的熔融溫度高的溫度。因此,阻斷部126’可與相鄰的第二主體121’接合。即,焊料凸塊125’在熔融後,可將阻斷部126’與第二主體121’接合。
若對阻斷部126’進行熱壓著,則熔融的阻斷部126’的一部分可浸入到形成於第二主體121’的氣孔121a’。因此,與第二主體121’的一側接合的阻斷部126’可發揮在第二主體121’上堅固地固定的錨定效果。結果,可將在阻斷部126’的上部及下部具備的第二主體121’更堅固地結合。
另外,流出(over flow)到第二連接墊124’與阻斷部126’之間的間隔空間並進行熔接的焊料凸塊125’也浸入到形成於第二主體121’的氣孔121a’,並可發揮錨定效果。此種焊料凸塊125’的錨定效果可將上部、下部的第二主體121’更堅固地結合。
以上,以具體實施形態對根據本發明的實施例的多層佈線基板及包括其的探針卡進行說明,但此僅為例示,本發明並不限定於此,且應解釋為具有根據本說明書所揭示的基礎思想的最廣範圍。本領域技術人員可組合、替代所揭示的實施形態以實施未提出的形狀的圖案,但此也並未脫離本發明的範圍。除此之外,本領域技術人員可基於本說明書容易地對所揭示的實施形態進行改變或變形,顯然此種改變或變形也屬於本發明的權利範圍。
1、1’:探針卡2:晶片10:多層佈線基板20:探針110:第一絕緣部111:第一主體112:第一通孔導體113:第一內部佈線層114:第一連接墊120、120’:第二絕緣部121、121’:第二主體121a、121a’:氣孔122、122’:第二通孔導體123、123’:第二內部佈線層124、124’:第二連接墊125、125’:焊料凸塊126':阻斷部1111:第一上層/層1112:第一中間層/層1113:第一下層/層1211:第二上層/層1212:第二中間層/層1213:第二下層/層1211’:第二上層1212’:第二中間層1213’:第二下層A:部分
圖1是概略地圖示根據本發明的優選實施例的探針卡的圖。圖2是圖示圖1的探針卡的第二絕緣部的圖。圖3是將圖1的部分A放大進行圖示的圖。圖4是圖示根據本發明的另一實施例的探針卡的第二絕緣部的圖。圖5是將圖4的一部分構成放大進行圖示的圖。
1:探針卡 2:晶片 10:多層佈線基板 20:探針 110:第一絕緣部 111:第一主體 112:第一通孔導體 113:第一內部佈線層 114:第一連接墊 120:第二絕緣部 121:第二主體 121a:氣孔 122:第二通孔導體 123:第二內部佈線層 124:第二連接墊 1111:第一上層/層 1112:第一中間層/層 1113:第一下層/層 1211:第二上層/層 1212:第二中間層/層 1213:第二下層/層 A:部分

Claims (5)

  1. 一種多層佈線基板,包括:第一絕緣部,包括陽極氧化膜材質的第一主體、貫通所述第一主體的第一通孔導體、以及與所述第一通孔導體電性連接的第一內部佈線層;第二絕緣部,包括陽極氧化膜材質的第二主體、貫通所述第二主體的第二通孔導體、以及與所述第二通孔導體電性連接的第二連接墊;以及焊料凸塊,設置在所述第一內部佈線層和所述第二連接墊中一者上,且所述焊料凸塊設置在所述第一內部佈線層與所述第二連接墊之間,通過所述焊料凸塊電性連接所述第一通孔導體、所述第一內部佈線層、所述第二連接墊以及所述第二通孔導體,其中所述第二絕緣部包括在陽極氧化時形成的多個氣孔,熔融的所述焊料凸塊的一部分浸入到所述氣孔的內部後變硬,從而將所述第一內部佈線層以及所述第二連接墊固定於所述第二絕緣部上。
  2. 如請求項1所述的多層佈線基板,其中所述第一通孔導體、所述第一內部佈線層、所述第二通孔導體以及所述第二連接墊由銅製成。
  3. 如請求項1所述的多層佈線基板,其中所述第二絕緣部在各個層重疊的一側更包括阻斷部,所述阻斷部在所述焊料凸塊的兩側設置。
  4. 如請求項3所述的多層佈線基板,其中所述其中所述阻斷部由能夠接著的絕緣材質提供。
  5. 一種探針卡,包括:第一絕緣部,包括陽極氧化膜材質的第一主體、貫通所述第一主體的第一通孔導體、以及與所述第一通孔導體電性連接的第一內部佈線層;第二絕緣部,包括陽極氧化膜材質的第二主體、貫通所述第二主體的第二通孔導體、以及與所述第二通孔導體電性連接的第二連接墊;焊料凸塊,設置在所述第一內部佈線層和所述第二連接墊中一者上,且所述焊料凸塊設置在所述第一內部佈線層與所述第二連接墊之間,以及探針,附著於所述第二絕緣部的所述第二連接墊,通過所述焊料凸塊電性連接所述第一通孔導體、所述第一內部佈線層、所述第二連接墊以及所述第二通孔導體,其中所述第二絕緣部包括在陽極氧化時形成的多個氣孔,熔融的所述焊料凸塊的一部分浸入到所述氣孔的內部後變硬,從而將所述第一內部佈線層以及所述第二連接墊固定於所述第二絕緣部上。
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