TWI905765B - 發光顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種發光顯示裝置。該發光顯示裝置包括：基板，包含顯示區域及非顯示區域；白色像素及彩色像素，設置在該顯示區域中；以及氟基保護層，圍繞該白色像素。

Description

發光顯示裝置

本發明係關於一種發光顯示裝置。

發光顯示裝置係安裝在電子產品上或設置在電子產品中以顯示影像，該電子產品諸如電視、顯示器、筆記型電腦、智慧型手機、平板電腦、電子平板、穿載式裝置、智慧型手錶、可攜式資訊裝置、導航裝置、或車控顯示裝置等等。

當發光顯示面板的解析度逐漸增加時，相鄰像素之間的漏電流也會隨之增加，從而產生了不預期的光。

另外，設置在發光顯示面板的像素中的發光裝置可能會受從外部滲入的水氣影響。然而，當發光顯示面板的解析度逐漸增加時，會變得難以防止水氣滲入像素之間。

因此，本發明要實現的是提供一種發光顯示裝置，其實質上解決了因先前技術的限制及不利因素所產生的一個或多個問題。

本發明的一個態樣旨在是提供一種發光顯示裝置，其中白色像素的外部被氟基保護層圍繞。

本發明的其他優點和特徵部份將在隨後的描述中闡述，部份內容將在所屬技術領域中具有通常知識者驗證後變得顯而易見，或者可以透過實施本發明而獲知。本發明的目的及其他優點可以藉由說明書、申請專利範圍以及附圖中特別指出的結構來理解並實現。

為了達成本發明的優點及目的，於此具體且廣泛地說明，本發明提供一種發光顯示裝置，包括：基板，包含顯示區域及非顯示區域；白色像素及彩色像素，設置在顯示區域中；以及氟基保護層，圍繞白色像素。

關於本發明前述一般描述及以下詳細描述都是例示性和解釋性的，並且旨在提供本發明更進一步的解釋。

以下將詳細介紹本發明的示例性實施例以及於圖式中說明的示例。只要有可能，相同元件符號通常在圖式中表示相似或相同元件。

本發明的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法將藉由參考下文詳細描述的實施例以及附圖來明確說明。本發明不限於本文所揭露的實施例，而是將以各種形式實現。更準確地說，這些實施例僅為示例，以使所屬技術領域中具有通常知識者能夠充分理解本發明揭露內容和本發明範疇。

圖中顯示的每個組件的形狀、比例、角度和數量僅為了便於描述而顯示，並且本發明不限於所示組件的尺寸和厚度。相同元件符號在說明書自始至終表示相同元件。在下文中，可以省略對相關已知功能或配置的詳細解釋，以避免不必要地模糊本發明的重點。本發明使用的術語，諸如「包括」、「具有」和「包含」，通常允許加入其他組件，除非這些術語與術語「只」一起使用。除非另有明確說明，任何單數的表達都可以包含複數。

即使沒有明確說明，組件也解釋為包含一般誤差範圍。

當使用諸如「上」、「上方」、「下方」、「旁」的術語描述兩個元件之間的位置關係時，兩個元件之間可以設置一個或多個元件，除非這些術語與「立即」或「直接」使用。

當使用諸如「之後」、「隨後」、「接著」、「之前」的術語描述時間關係時，亦即該情況並非連續，除非這些術語與「立即」、「立刻」或「直接」使用。

雖然術語「第一」、「第二」等用於描述各種元件，但這些元件不受這些術語的限制。這些用語僅用於區分一個元件與其他元件。舉例而言，下文所提的第一元件可以是本發明的第二元件，同樣地第二元件也可以是第一元件，並不超出本發明範疇。

在描述本發明的元件中，可以使用諸如「第一」、「第二」、「A」、「B」、「(a)」、「(b)」等術語。這些術語意在確認與其他元件的對應元件，且對應元件的基礎、順序或數量應不受這些術語的限制。當一個元件「連接」、「耦合」或「黏附」到另一元件或層時，該元件或層不僅可以直接連接或黏附到另一元件或層，而且還可以藉由其間一個或多個元件或層間接連接或黏附到另一元件或層，除非另有特別說明。

術語「至少一個」可以理解為包含任何或全部組合中一個或多個相關列出的物件。舉例而言，「第一物件、第二物件及第三物件中的至少一個」表示所有物件選自二個以上第一物件、第二物件及第三物件的組合，以及第一物件、第二物件或第三物件。

本發明的各個實施例的特徵可以部份或全部彼此耦合或結合，並可以以技術上的各種方式連結和操作，且該領域具有通常知識者可以充分理解。本發明的實施例可以彼此獨立或相關聯地實施。

在下文中，將參考附圖詳細描述本發明各個實施例。

圖1是顯示根據本發明一實施例的發光顯示裝置的結構的示例圖；圖2是顯示根據本發明一實施例之應用於發光顯示裝置的像素的結構的示例圖；以及圖3是顯示根據本發明一實施例之應用於發光顯示裝置的控制驅動器的結構的示例圖。

根據本發明一實施例的發光顯示裝置可以是各種電子裝置或是包含在各種電子裝置中。例如，電子裝置可以是智慧型手機、平板個人電腦、電視、顯示器等，且該電子裝置可以包含在智慧型手機、平板個人電腦、電視、顯示器等中。

如圖1所示，根據本發明一實施例的發光顯示裝置可以包括：發光顯示面板100，其包含顯示影像的顯示區域DA及設置在顯示區域DA外部的非顯示區域NDA；閘極驅動器200，其供應閘極訊號給設置在發光顯示面板100的顯示區域DA中的複數條閘極線GL1至GLg；資料驅動器300，其供應資料電壓Vdata給設置在發光顯示面板100的顯示區域DA中的複數條資料線DL1至DLd；控制驅動器400，其控制閘極驅動器200及資料驅動器300的驅動；以及電源500，其供應電力給控制驅動器400、閘極驅動器200、資料驅動器300及發光顯示面板100。

發光顯示面板100包含：顯示區域DA；以及非顯示區域NDA。閘極線GL1至GLg、資料線DL1至DLd及像素P可以設置在顯示區域DA中。因此，影像可以在顯示區域DA中輸出。此處，g及d為自然數。非顯示區域NDA可以圍繞顯示區域D的外周，並可以設置在顯示區域DA的內部。在非顯示區域NDA中不會顯示影像。

舉例而言，當相機孔設置在顯示區域DA中時，不顯示影像的非顯示區域NDA可以設置在該相機孔的周圍。

如圖2所示，包含在發光顯示面板100中的像素P可以包含：像素驅動電路PDC，其包含開關電晶體Tsw1、儲存電容器Cst、驅動電晶體Tdr、及感測電晶體Tsw2；以及發光裝置ED，連接到像素驅動電路PDC。

驅動電晶體Tdr的第一終端可以連接到第一電壓EVDD所通過的第一電壓供應線PLA，並且驅動電晶體Tdr的第二終端可以連接到發光裝置ED。

開關電晶體Tsw1的第一終端可以連接到資料線DL，開關電晶體Tsw1的第二終端可以連接到驅動電晶體Tdr的閘極，並且開關電晶體Tsw1的閘極可以連接到閘極線GL。

可以透過資料線DL供應資料電壓Vdata，並可以透過閘極線GL供應閘極訊號GS。

感測電晶體Tsw2可以設置用於測量驅動電晶體Tdr的臨界電壓或電荷的遷移率。感測電晶體Tsw2的第一終端可以連接到驅動電晶體Tdr的第二終端及發光裝置ED，感測電晶體Tsw2的第二終端可以連接到供應參考電壓Vref所通過的感測線SL，並且感測電晶體Tsw2的閘極可以連接到供應感測控制訊號SS所通過的感測控制線SCL。

感測線SL可以連接到資料驅動器300，並可以透過資料驅動器300連接到電源500。舉例而言，從電源500供應的參考電壓Vref可以透過感測線SL供應給像素，且從像素P傳來的感測訊號可以由資料驅動器300處理。

發光裝置ED可以包含：第一電極，透過驅動電晶體Tdr供應第一電壓EVDD；第二電極，連接到供應第二電壓EVSS所通過的第二電壓供應線PLB；以及發光層，設置在第一電極與第二電極之間。第一電極可以是陽極，而第二電極可以是陰極。

應用到本發明的像素結構並不限於圖2所示的結構。因此，像素P的結構可以改變成各種形狀。

閘極驅動器200可以配置為積體電路（IC）並安裝在非顯示區域NDA中。而且，閘極驅動器200可以藉由使用面板內閘極（GIP）型式來直接嵌入至非顯示區域NDA中。當閘極驅動器200使用GIP型式時，構成閘極驅動器200的電晶體可以透過顯示區域DA中與包含在像素P中的電晶體的相同製程設置在非顯示區域NDA中。況且，閘極驅動器200可以設置在其中設置發光裝置的顯示區域DA中。

閘極驅動器200可以供應閘極脈衝給閘極線GL1至GLg。

當由閘極驅動器200產生的閘極脈衝供應給包含在像素P中的開關電晶體Tsw1的閘極時，開關電晶體Tsw1可以導通。當開關電晶體Tsw1導通時，透過資料線DL供應的資料電壓Vdata可以供應給像素P。

當由閘極驅動器200產生的閘極關斷訊號供應給開關電晶體Tsw1時，開關電晶體Tsw1可以關斷。當開關電晶體Tsw1關斷時，資料電壓可不再供應給像素P。

供應給閘極線GL的閘極訊號GS可以包含：閘極脈衝；以及閘極關斷訊號。

電源500可以產生各種電力並將產生的電力供應給控制驅動器400、閘極驅動器200、資料驅動器300、以及發光顯示面板100。

資料驅動器300可以連接到資料線DL1至DLd及感測線SL。舉例而言，感測線中的每一條可以共同地連接到在連接至一條閘極線的像素之中包含在能夠顯示白色的單位像素中的像素，但也可以連接到構成單位像素的每一個像素。

資料驅動器300可以藉由使用從控制驅動器400傳送來的資料控制訊號DCS和影像資料Data來輸出資料電壓Vdata。

控制驅動器400可以藉由使用時間同步訊號TSS來重新調整從外部系統傳送的影像資料Ri、Gi及Bi，並可以產生要供應給資料驅動器300的資料控制訊號DCS以及要供應給閘極驅動器200的閘極控制訊號GCS。

因此，如圖3所示，控制驅動器400可以包含：資料對準器430，其重新調整輸入影像資料Ri、Gi及Bi以產生影像資料Data並將影像資料Data供應給資料驅動器300；控制訊號產生器420，其藉由利用時間同步訊號TSS來產生閘極控制訊號GCS及資料控制訊號DCS；控制單元410，其將從外部系統傳來的時間同步訊號TSS傳送給控制訊號產生器420並將從外部系統傳來的影像資料Ri、Gi及Bi傳送給資料對準器430；以及輸出單元440，其向資料驅動器300供應由資料對準器430產生的影像資料Data及由控制訊號產生器420產生的資料控制訊號DCS，並向閘極驅動器200供應由控制訊號產生器420產生的閘極控制訊號GCS。

控制訊號產生器420可以產生供應給電源500的電力控制訊號。

控制驅動器400可以進一步包含儲存單元450，用於儲存各種資料。如圖3所示，儲存單元450可以包含在控制驅動器400中，然可以與控制驅動器400隔開並單獨設置。

外部系統可以進行驅動控制驅動器400及電子裝置的功能。舉例而言，當電子裝置為電視（TV）時，外部系統可以透過通訊網路接收各種聲音資訊、影像資訊、文字資訊等，並可以將接收到的影像資訊傳送給控制驅動器400。在這種情況下，該影像資訊可以以影像資料Ri、Gi及Bi輸入。

圖4是顯示佈置在圖1的區域A中的像素的平面圖；以及圖5是顯示佈置在圖1的區域A中的像素的另一平面圖。

本發明可以應用於包含配置以允許光從其間穿透的透射區域TA的發光顯示面板100，並還可以應用於不包含透射區域TA的發光顯示面板100。

以下，為了方便敘述，將描述包含透射區域TA的發光顯示面板100，作為根據本發明的發光顯示面板的一示例。

顯示區域DA可以包含：透射區域TA（或指透明區域）；以及非透射區域NTA。透射區域TA可以是允許從外部入射的大部分光通過的區域。非透射區域NTA可以是使從外部入射的大部分光無法透射的區域。此外，非透射區域NTA可以指設置像素P的區域。

因透射區域TA，位於發光顯示面板100後側的物件或背景可以從發光顯示面板100的正面被看見。

非透射區域NTA可以設置在相鄰的透射區域TA之間，並且像素P及訊號線可以設置在非透射區域NTA中。

特別是，非透射區域NTA可以包含：發光區域，其中會發光；以及非發光區域NEA，其中不會發光。

光可以透過位於非透射區域NTA的發光區域中的發光裝置ED發出，並且構成像素P的像素驅動電路及連接至該像素的訊號線可以設置在非透射區域NTA的非發光區域NEA中。

此外，圍繞發光區域的堤部可以設置在非發光區域NEA中。

訊號線可以包含：第一訊號線，在非透射區域NTA中沿第一方向（或XYZ座標系統中的Y軸方向）延伸；以及第二訊號線，沿不同於第一方向的第二方向（或XYZ座標軸系統中的X軸方向）延伸。舉例而言，第一訊號線可以包含資料線DL及感測線SL，而第二訊號線可以包含閘極線GL。

包含四個像素P的單位像素UP可以設置在非透射區域NTA中。白光可以發射穿過單位像素UP。

單位像素UP可以包含：第一彩色像素P1；第二彩色像素P2；第三彩色像素P3；以及白色像素PW。第一彩色像素P1可以包含發出第一顏色光的第一發光區域EA1，第二彩色像素P2可以包含發出第二顏色光的第二發光區域EA2，第三彩色像素P3可以包含發出第三顏色光的第三發光區域EA3，而白色像素PW可以包含發出白光的白光發光區域EAW。

舉例而言，第一發光區域EA1可以發出藍光，第二發光區域EA2可以發出紅光，第三發光區域EA3可以發出綠光，而白光發光區域EAW可以發出白光。

亦即，應用於本發明的單位像素UP必須設有發出白光的白光發光區域EAW。

透射區域TA可以設置在相鄰的非透射區域NTA之間，並且發光裝置ED及構成該些像素P1、P2、P3及PW的像素驅動電路PDC可以不設置在透射區域TA中。

舉例而言，非透射元件或不透光元件可以不設置在透射區域TA，且因此透射區域TA可以是具有允許光穿過的高透光率的區域。

舉例而言，透射區域TA可以不與構成該些像素P1、P2、P3及PW的像素驅動電路PDC重疊。此外，透射區域TA可以不與構成該些像素P1、P2、P3及PW的發光裝置重疊。

舉例而言，如圖4及圖5所示，透射區域TA可以沿著第二方向（或X軸方向）與非透射區域NTA交錯佈置，或者可以沿著第一方向（或Y軸方向）與非透射區域NTA交錯佈置。

如同另一實施例，透射區域TA可以佈置以圍繞非透射區域NTA，或者非透射區域NTA可以佈置以圍繞透射區域TA。

以下，為了方便描述，在構成單位像素UP中的四個像素P1、P2、P3及PW之中，除了白色像素PW之外的其餘每一個像素P1、P2及P3都稱為彩色像素。特別是，當不需要區分彩色像素時，可以使用與像素的相同的參考符號P作為彩色像素的參考符號。

單位像素UP設置在發光顯示面板100的顯示區域DA中，且單位像素UP中的每一個可以包含一個白色像素PW以及三個彩色像素P1、P2及P3。

如上所述，彩色像素P1、P2及P3可以發出藍光、紅光及綠光，但本發明不限於此。因此，彩色像素P1、P2及P3可以發出其他顏色組合的光。

彩色像素P1、P2及P3中的每一個都設有彩色濾光片。從彩色像素P1、P2及P3中的每一個發出的光的顏色可以由彩色濾光片決定。

因為白光從白色像素PW發出，所以白色像素PW中沒有設置彩色濾光片。

如圖4及圖5所示，圍繞在白色像素PW外部的氟基保護層FSL可以設置在白色像素PW的外部上。

特別是，氟基保護層FSL可以設置在圍繞白色像素PW外部的堤部上端。如上所述，該堤部可以設置在圍繞發光區域的非發光區域NEA中。

在這種情況下，設置在氟基保護層FSL內部的發光層以及設置在氟基保護層FSL外部的發光層可以被氟基保護層FSL隔開。

即使設置在氟基保護層FSL內部的發光層及設置在氟基保護層FSL外部的發光層不完全地被氟基保護層隔開，設置在氟基保護層FSL內部的發光層與設置在氟基保護層FSL外部的發光層之間的長度可以被氟基保護層FSL增長。

因此，水氣穿過發光層的滲入路徑可以被阻擋或增長。

因此，可以防止從彩色像素P1、P2及P3至白色像素PW的水氣滲入，並可以防止從白色像素PW至彩色像素P1、P2及P3的水氣滲入。

氟基保護層FSL可以包含用於發光顯示面板100製程中的氟基材料。舉例而言，氟基材料可以是在圖案化發光顯示面板100的有機層的製程中作用為有機層用的蝕刻阻擋層（stopper）的材料，或者可以是在圖案化發光顯示面板100的有機層的製程中作用為圖案遮罩的材料。

具體來說，氟基材料可以是含氟聚合物。在含氟聚合物中，碳-碳鍵連續形成為鏈結構，並且含氟聚合物的官能基包含大量的氟(F)。

氟基材料含有大量氟(F)，且因此可具有正交性。正交性可以是指一種兩物件獨立存在而彼此無關的特性。因此，氟基材料可以同時具有：疏水性，其對水具有很低的親和力；以及疏油性，其對油具有很低的親和力。因其正交性，氟基材料可以與水氣隔開或是阻絕水氣。氟基材料的應用可以透過TOF-SIMS（飛行時間二次離子質譜儀）的分析來確認。

因此，如上所述，氟基保護層FSL可以防止或減少像素間的水氣滲入及水氣轉移。

此外，設置在氟基保護層FSL內部的發光層及設置在氟基保護層FSL外部的發光層可以完全或部分地被氟基保護層FSL隔開，且設置在氟基保護層FSL內部的發光層與設置在氟基保護層FSL外部的兩發光層之間的長度可以被氟基保護層FSL增長。

因此，可以減少穿過發光層的漏電流。

舉例而言，氟基保護層FSL可以具有一種倒錐形結構，因此，可以隔離位於氟基保護層FSL中由有機材料形成的發光層，且因而，可以減少或消除從彩色像素至白色像素PW的漏電流及從白色像素至彩色像素的漏電流。

因為氟基保護層FSL比發光層具有更大的電阻，所以當發光層沒有被隔離時，漏電流可能會流過發光層而不是氟基保護層FSL。然而，因為設置在彩色像素與白色像素PW之間的發光層的長度被氟基保護層FSL增長，所以可以減少彩色像素與白色像素PW之間的漏電流。

在這種情況下，因為設置在發光層上端的陰極可以透過高階梯覆蓋性的濺鍍製程設置在發光顯示面板上，所以陰極可以以倒錐形結構沿著氟基保護層FSL連續形成。

因此，相同的電壓可以透過陰極供應給所有像素。

白色像素PW可以設置在如圖4所示的形狀中，或是設置在如圖5所示的形狀中。特別是，光透射通過的透射區域TA可以設置在白色像素PW的外部的至少一個上。

舉例而言，如圖4所示，白色像素PW沿著資料線DL設置，並且僅可以設置在資料線DL的一側上。更具體地說，沿著第n條資料線DLn設置的白色像素PW可以僅設置在第n條資料線DLn的右側上，其中n為自然數。

在這種情況下，該些彩色像素的其中之一可以設置在白色像素PW之間，而透射區域TA可以設置在白色像素PW的右側上。

更詳細而言，單位像素UP可以沿著設在基板101上的第n條資料線DLn設置。單位像素UP中的每一個可以包含三個彩色像素P1、P2及P3和一個白色像素PW。在三個彩色像素P1、P2及P3之中，第一彩色像素P1及第二彩色像素P2可以佈置有插入其間的第n條資料線DLn。在三個彩色像素P1、P2及P3之中，第三彩色像素P3及白色像素PW可以佈置有插入其間的第n條資料線DLn。舉例而言，第三彩色像素P3可以設置在第n條資料線DLn的左側上，而白色像素PW可以設置在第n條資料線DLn的右側上。

在設於單位像素UP中的三個彩色像素P1、P2及P3和白色像素PW之中，氟基保護層FSL可以僅設置在白色像素PW的外部部分上。

在這種情況下，在設於第n條資料線DLn左側上的第一彩色像素P1及第三彩色像素P3的左側上，可以設置光透射通過的透射區域TA（例如，第一透射區域）。此外，在設於第n條資料線DLn右側上的第二彩色像素P2及白色像素PW的右側上，可以設置光透射通過的透射區域TA（例如，第二透射區域）。

如上所述，由於圍繞白色像素PW的氟基保護層FSL的緣故，滲入穿過相鄰於白色像素PW的透射區域TA的水氣不會傳送至相鄰於白色像素PW的彩色像素。並且，由於圍繞白色像素PW的氟基保護層FSL的緣故，滲入彩色像中的水氣不會傳送至白色像素PW。

此外，在白色像素PW與相鄰於白色像素PW的彩色像素之間，漏電流由於氟基保護層FSL而無法傳送或可減少。

作為另一示例，如圖5所示，白色像素PW可以交替地設置在資料線DL的左右側上。特別是，光透射通過的透射區域TA可以設置在白色像素PW的外部的至少一個上。

具體來說，單位像素UP可以沿著第n條資料線DLn設置。在這種情況下，設在單位像素UP之中的第一單位像素UP1中的白色像素PW可以設置在第n條資料線DLn的右側上，設在單位像素UP之中的第二單位像素UP2中的白色像素PW可以設置在第n條資料線DLn的左側上，而設在單位像素UP之中的第三單位像素UP3中的白色像素PW可以設置在第n條資料線DLn的右側上。

在這種情況下，白色像素PW可以交替地相鄰於設在單位像素的左右側上的透射區域TA。舉例而言，設在第一單位像素UP1中的白色像素PW可以相鄰於設在第一單位像素UP1的右側上的透射區域TA，設在第二單位像素UP2中的白色像素PW可以相鄰於設在第二單位像素UP2的左側上的透射區域TA，而設在第三單位像素UP3中的白色像素PW可以相鄰於設在第三單位像素UP3的右側上的透射區域TA。

因此，由於圍繞白色像素PW的氟基保護層FSL的緣故，從設在單位像素UP的左側上的透射區域TA滲入白色像素PW中的水氣不會傳送至相鄰於白色像素PW的彩色像素。由於圍繞白色像素PW的氟基保護層FSL的緣故，從設在單位像素UP的右側上的透射區域TA滲入彩色像素中的水氣也不會傳送至相鄰於彩色像素的白色像素PW。

此外，由於圍繞白色像素PW的氟基保護層FSL的緣故，從設在單位像素UP的右側上的透射區域TA滲入白色像素PW中的水氣不會傳送至相鄰於白色像素的PW彩色像素。由於圍繞白色像素PW的氟基保護層FSL的緣故，從設在單位像素UP的左側上的透射區域TA滲入彩色像素中的水氣不會傳送至相鄰於彩色像素的白色像素PW。

此外，在白色像素PW與相鄰於白色像素PW的彩色像素之間，漏電流可能無法透過氟基保護層FSL傳送或減少。

因此，在根據本發明的發光顯示裝置中，可以減少或防止在白色像素PW與彩色像素P1、P2及P3之間的水氣滲入，並可以減少或防止在彩色像素P1、P2及P3之間的漏電流。因此，發光顯示裝置的品質可以提升。

圖6是顯示沿著圖4中所示的K-K'線所截取的剖面的示例圖；圖7是顯示沿著圖4中所示的L-L'線所截取的剖面的示例圖；以及圖8是顯示沿著圖4中所示的K-K'線所截取的剖面的另一示例圖。特別是，圖6為顯示彼此相鄰的彩色像素（例如：第三彩色像素P3）及白色像素PW的剖面圖的示例視圖；圖7為顯示兩個相鄰的彩色像素（例如：第一彩色像素P1及第二彩色像素P2）的剖面圖的示例視圖；以及圖8是顯示異物包含在白色像素PW中的剖面圖的示例視圖。

如上所述，根據本發明的發光顯示裝置可以包括：基板101，包含顯示區域DA及非顯示區域NDA；白色像素PW及彩色像素P，設置在顯示區域DA中；以及氟基保護層FSL，圍繞白色像素PW的外部。

舉例而言，參照圖6及圖7，像素驅動電路層102設置在基板101上，像素驅動電路層102被平坦化層103覆蓋，陽極AN設置在平坦化層103的上端上，陽極AN的外部被堤部BK覆蓋，陽極AN及堤部BK都被發光層EL覆蓋，發光層被陰極CA覆蓋，而陰極CA被封裝層104覆蓋。彩色濾光片CF設置在對應於位於封裝層104上端的彩色像素P1、P2及P3的區域中，黑色矩陣BM設置在彩色濾光片CF之間，而彩色濾光片CF及黑色矩陣BM設置在封裝基板105上。

基板101可以是透明玻璃基板或是透明塑膠基板。

像素驅動電路層102可以設置在基板101上。像素驅動電路層102可以包含至少兩個絕緣層及至少兩個金屬層，而且參考圖2，像素驅動電路層102設有電晶體Tsw1、Tsw2及Tdr。在圖6及圖7中，示出了圖2中所示的電晶體Tsw1、Tsw2及Tdr之中的驅動電晶體Tdr。圖6及圖7中所示的發光顯示面板100在陰極CA的上端設有彩色濾光片CF。因此，從發光裝置ED產生的光可以穿過陰極CA及彩色濾光片CF發射至外部。因此，發光區域可以設有包含在像素驅動電路PDC中的電晶體Tsw1、Tsw2及Tdr的至少一個。舉例而言，如圖6及圖7所示，驅動電晶體Tdr可以設置在發光區域中。因此，在以下的描述中，在驅動電晶體Tdr不需要特別指明的情況下，圖6及圖7中所示的驅動電晶體Tdr可以稱為電晶體。

驅動電路層102可以包含：光阻擋層LS；緩衝層102a，覆蓋光阻擋層LS；主動層ACT，設置在緩衝層102a上；閘極絕緣層GI，設置在主動層ACT上；閘極G，設置在閘極絕緣層GI上；鈍化層102b，覆蓋閘極G；以及源極/汲極SD，設置在鈍化層102b上。像素驅動電路層102可以進一步包含另一鈍化層，覆蓋源極/汲極SD。另一鈍化層可以包含在平坦化層103中。

光阻擋層LS可以設置在非透射區域NTA中。光阻擋層LS可以設置以重疊設在像素驅動電路層102中的電晶體，且尤其可以設置以重疊驅動電晶體Tdr。

舉例而言，光阻擋層LS可以設置以重疊驅動電晶體Tdr的主動層ACT，以阻絕外部光從外部入射在主動層ACT上。光阻擋層LS可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)中的任一種形成或由上述金屬的合金形成。光阻擋層LS可以形成為單層或多層。

訊號線可以沿著光阻擋層LS設置在基板101上。舉例而言，訊號線可以是資料線DL。

緩衝層102a、閘極絕緣層GI及鈍化層102b可以是絕緣層，而光阻擋層LS、閘極G以及源極/汲極SD可以是金屬層。

設在像素驅動電路層102中的電晶體Tsw1、Tsw2及Tdr的每一個可以由主動層ACT、閘極絕緣層GI及閘極G形成。

緩衝層102a可以形成為單層或可以形成為至少兩個無機層。舉例而言，緩衝層102a可以藉由使用氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)中的任一種來形成為單層。此外，緩衝層102a可以藉由使用氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)之中的至少兩種材料來形成為多層。

緩衝層102a可以形成在整個上表面以阻絕從基板101擴散的離子或雜質，並阻絕水氣穿過基板101滲入薄膜電晶體（TFT）或發光裝置中。

主動層ACT可以設置在緩衝層102a上。主動層ACT可以由矽基半導體材料或氧化物基半導體材料形成。主動層ACT可以包含通道區域，重疊於設在通道區域兩端的閘極G和源極/汲極區域。

閘極絕緣層GI可以設置在主動層ACT上。閘極絕緣層GI可以進行絕緣主動層ACT和閘極G的功能。閘極絕緣層GI可以由無機絕緣材料形成。舉例而言，閘極絕緣層GI可以藉由使用氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)中的任一種來形成為單層。此外，閘極絕緣層GI可以藉由使用氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)之中的至少兩種材料來形成為多層。

如圖6所示，閘極絕緣層GI可以僅設置在與位於主動層ACT上端上的閘極G對應的區域中，或是可以設置以覆蓋整個主動層ACT。

因此，閘極絕緣層GI可以僅設置在非透射區域NTA中。此外，即使當閘極絕緣層GI設置在透射區域TA中時，閘極絕緣層GI可以僅設置在透射區域TA的一部分中以增進透射區域TA的透光率。

閘極G可以設置在閘極絕緣層GI上。閘極G設置以重疊主動層ACT，在閘極G與主動層ACT之間插入有閘極絕緣層GI。

閘極G可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)中的任一種形成、可以由上述金屬的合金形成、或可以形成為單層或多層。

鈍化層102b可以設置在閘極G及緩衝層102a上。鈍化層102b可以設置以覆蓋閘極G。鈍化層102b可以進行保護電晶體的功能。舉例而言，鈍化層102b可以藉由使用由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)中的至少一種來形成為單層或多層。

鈍化層102b可以設置在非透射區域NTA中。此外，即使當鈍化層102b設置在透射區域TA中，鈍化層102b可以僅設置在透射區域TA的一部分中以增進透射區域TA的透光率。

源極/汲極SD可以設置在鈍化層102b上。源極/汲極SD可以透過形成在鈍化層102b中的電晶體接觸孔連接到電晶體的第一電極或第二電極。

電晶體的第一電極或第二電極可以是設置在主動層ACT的通道區域兩端的源極/汲極區域。

舉例而言，設在鈍化層102b上的源極/汲極SD可以連接到電晶體的第一電極，而設在鈍化層102b上的另一源極/汲極SD可以連接到電晶體的第二電極。

源極/汲極SD可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)中的 任一種形成、可以由上述金屬的合金形成、或可以形成為單層或多層。

平坦化層103可以設置在像素驅動電路層102上。平坦化層103可以進行覆蓋及保護電晶體的功能，並可以進行使像素驅動電路層102上端平坦化的功能。

平坦化層103可以藉由使用有機材料和無機材料中的至少一種來形成，並可以形成為單層或多層。

舉例而言，平坦化層103可以藉由使用由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)中的至少一種來形成為單層或多層。

可以在平坦化層103的非透射區域NTA與透射區域TA之間的邊界形成階差。在這種情況下，如圖6及圖7所示，設在透射區域TA中的平坦化層103的高度A可以比設在非透射區域NTA中的平坦化層103的高度B還要低。隨著平坦化層103的高度降低，透射區域TA中的透光率會隨之增加。

平坦化層103在透射區域TA與非透射區域NTA之間的邊界的階差可以藉由蝕刻設在透射區域TA中的平坦化層103來形成，或是可以因為在透射區域TA中緩衝層102a和閘極絕緣層GI不設置在平坦化層103的下端而形成。

陽極AN可以設置在平坦化層103上。陽極AN可以設置在非透射區域NTA中。

陽極AN可以透過穿過平坦化層103的電晶體接觸孔連接到驅動電晶體Tdr的第一電極或第二電極。

陽極AN可以由金屬、金屬合金及金屬和氧化物的組合中的任一種形成。舉例而言，陽極AN可以形成為包含由透明導電材料形成的透明電極層及由透明導電材料形成具有高反射效率的反射電極層的多層結構。

陽極AN的透明電極層可以由具有相對高功函數值的材料形成，例如：氧化錫銦(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。陽極AN的反射電極層可以由銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)及鎢(W) 中的任一種形成、或可以由上述金屬的合金形成。

具體來說，陽極AN可以形成為一種依序堆疊透明電極層、反射電極層及透明電極層的結構，或形成為一種依序堆疊透明電極層及反射電極層的結構，並可以以各種組合形成。

堤部BK可以設置在陽極AN的外部。特別是，堤部BK可以設置在非透射區域NTA中。

舉例而言，堤部BK可以由諸如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)的無機材料形成。此外，堤部BK可以由諸如聚醯亞胺、丙烯酸酯及苯並環丁烯系列樹脂的有機材料形成。

堤部BK覆蓋陽極AN的邊緣。光可以從陽極AN中沒有被堤部BK覆蓋的區域（以下簡稱開口部分）輸出。因此，陽極AN沒有被堤部BK遮蔽的開口部分可以成為發光區域，而形成堤部BK的部分可以成為非發光區域NEA。

再者，彩色像素P1、P2及P3中的每一個和白色像素PW可以透過堤部BK來區分，且透射區域TA及非透射區域NTA亦可以透過堤部BK來區分。

在這種情況下，如圖6及圖7所述，相鄰於透射區域TA的堤部BK可以包含與平坦化層103的傾斜表面相對應的傾斜表面。

舉例而言，堤部BK的傾斜表面可以具有與平坦化層103的傾斜表面相同或類似的傾斜角度。在這種情況下，堤部BK的傾斜表面和平坦化層103的傾斜表面是連續的。或者，堤部BK的傾斜表面可以具有比平坦化層103的傾斜表面較小的傾斜角度。在這種情況下，堤部BK的傾斜表面和平坦化層103的傾斜表面也是連續的。或者，堤部BK的傾斜表面可以自平坦化層103的傾斜表面平移，且在這種情況下，堤部BK與平坦化層103之間可形成一階梯狀結構。

氟基保護層FSL可以設置在堤部BK之中圍繞白色像素PW外部的堤部BK的上端上。

舉例而言，如圖4至圖6中所示，氟基保護層FSL可以設置在圍繞白色像素PW的堤部BK上。因此，白色像素PW的開口部分可以被氟基保護層FSL圍繞。

然而，如圖4至圖7中所示，氟基保護層FSL不設置在圍繞彩色像素P1、P2及P3的堤部BK上，而僅設置在彩色像素P1、P2及P3與白色像素PW之間的堤部BK上。

在這種情況下，在圍繞彩色像素P1、P2及P3的堤部BK之中，相鄰於白色像素PW的堤部BK可以設有氟基保護層FSL。然而，設在圍繞彩色像素P1、P2及P3的堤部BK之中相鄰於白色像素PW的堤部BK中的氟基保護層FSL僅覆蓋彩色像素P1、P2及P3中的每一個的外部部分。

舉例而言，如圖4及圖6所示，氟基保護層FSL可以設置在設於第三彩色像素P3與白色像素PW之間的堤部BK上。然而，設在第三彩色像素P3與白色像素PW之間的堤部BK上的氟基保護層FSL圍繞白色像素PW的所有四個外部，且僅圍繞第三彩色像素P3的四個外部的其中一個外部。

氟基保護層FSL可以形成為倒錐形結構，其下端寬度比上端寬度還要短。由於氟基保護層FSL的倒錐形結構，由有機材料組成的發光層EL無法在氟基保護層中連續形成。

氟基保護層FSL可以由各種用於發光顯示面板100的製程中的材料的其中一種來形成。

舉例而言，氟基保護層FSL可以由含氟聚合物形成。在含氟聚合物中，碳-碳鍵連續形成為鏈結構，且該含氟聚合物的官能基含有大量的氟(F)。

如上所述，氟基保護層FSL含有大量的氟(F)且因此可具有正交性。正交性可以理解為一種兩個物件獨立存在而彼此無關的特性。因此，氟基材料可以同時具有：疏水性，其對水有很低的親和力；以及疏油性，其對油有很低的親和力。因其正交性，氟基材料可以被水氣隔開或是阻絕水氣。

因此，如上所述，氟基保護層FSL可以防止白色像素與彩色像素之間的水氣滲入及水氣轉移。

發光層EL可以設置在陽極AN及堤部BK上。

因此，發光層EL可以設置在非透射區域NTA中。然而，發光層EL亦可以設置在透射區域TA中。在圖6及圖7中，顯示了僅在非透射區域NTA中之設有發光層EL的發光顯示面板100。

如上所述，氟基保護層FSL可以是倒錐形結構，其下端寬度比上端寬度還要短。亦即，氟基保護層FSL的上端寬度可以比下端寬度還要寬。

因此，由有機材料組成的發光層EL無法在氟基保護層FSL中連續形成。

特別是，被氟基保護層FSL圍繞的發光層EL和設置在氟基保護層FSL外部的發光層EL可以被氟基保護層FSL隔開。

被氟基保護層FSL圍繞的發光層EL可以指覆蓋設在白色像素PW中的陽極AN的發光層EL。設在氟基保護層FSL外部的發光層EL可以指覆蓋設在彩色像素P1、P2及P3中的陽極AN的發光層EL。

更詳細來說，氟基保護層FSL可以隔開覆蓋設在白色像素PW中的陽極AN的發光層EL和覆蓋彩色像素P1、P2及P3的陽極AN的發光層EL。

以下，為了方便描述，將被氟基保護層FSL圍繞的發光層EL稱為白光發光層ELW，而將設置在氟基保護層FSL外部的發光層EL稱為彩光發光層ELC。

因為白光發光層ELW和彩光發光層ELC被氟基保護層FSL隔開，所以滲入白光發光層ELW中的水氣不會傳送至彩光發光層ELC，而滲入彩光發光層ELC中的水氣亦不會傳送至白光發光層ELW。

因此，可以防止發光裝置ED因水氣滲入而導致品質下降及壽命減少的問題。

此外，即使有一部分的白光發光層ELW與彩光發光層ELC連接，因為水氣不會傳送至由氟基材料形成的氟基保護層FSL，所以水氣不會傳送至白光發光層ELW和彩光發光層ELC。然而，氟基保護層FSL會增加白光發光層ELW與彩光發光層ELC之間的間隙，因而水氣滲入的路徑會變長。因此，水氣很難傳送通過白光發光層ELW和彩光發光層ELC，而且在水氣傳送通過白光發光層ELW和彩光發光層ELC期間的時段可以被延緩。因此，可以防止發光裝置ED因水氣滲入而導致的品質下降及壽命減少的問題。

再者，因為白光發光層ELW和彩光發光層ELC被氟基保護層FSL隔開，所以可以防止白色像素PW和彩色像素P1、P2及P3的漏電流。

舉例而言，在像素之間的漏電流會傳送通過發光層。然而，如上所述，因為白光發光層ELW和彩光發光層ELC被氟基保護層FSL隔開，在白色像素PW產生的漏電流很難傳送至彩色像素P1、P2及P3，而在彩色像素P1、P2及P3產生的漏電流亦很難傳送至白色像素PW。

因此，可以防止因漏電流導致影像品質降低的問題。

陰極CA設置在發光層EL上。陰極CA在氟基保護層FSL上無法被隔開。

陰極CA可以僅設置在非透射區域NTA中，但可以設置在完整的透射區域TA中或僅設置在透射區域TA的一部分中。圖6及圖7顯示了僅在非透射區域NTA中之設有陰極CA的發光顯示面板100。

在這種情況下，因為陰極CA可以透過具有高階梯覆蓋性的濺射製程設置在發光顯示面板上，所以陰極CA可以以倒錐形結構沿著氟基保護層FSL連續形成。

因此，可以透過陰極CA供應相同的電壓給所有的像素P。

封裝層104可以設置在基板101的整個表面上。封裝層104可以設置在透射區域TA及非透射區域NTA兩者中。

舉例而言，封裝層104可以包含氟化鋰(LiF)，並也可以包含無機材料，例如：氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)。此外，封裝層104可以形成為包含有機及無機材料的多層。

封裝層104可以是黏合材料，用於將基板101和設有彩色濾光片CF及黑色矩陣BM的封裝基板105黏接。

彩色濾光片CF設置在於封裝層104的上端對應於彩色像素P1、P2及P3的區域中。舉例而言，彩色濾光片CF可以設置在彩色像素P1、P2及P3的上端。特別是，彩色濾光片CF可以設置以對應於設在彩色像素P1、P2及P3中的陽極AN。

舉例而言，第一彩色像素P1可以設有藍色彩色濾光片CF，第二彩色像素P2可以設有紅色彩色濾光片CF，而第三彩色像素P3可以設有綠色彩色濾光片CF。因此，藍光可以從第一彩色像素P1輸出，紅光可以從第二彩色像素P2輸出，而綠光可以從第三彩色像素P3輸出。

然而，因為從白色像素PW自身輸出白光，所以彩色濾光片CF沒有設置在對應於在封裝層104上端的白色像素PW的區域中。亦即，白色像素PW上沒有彩色濾光片CF。

黑色矩陣BM可以設置在彩色濾光片CF之間。彩色濾光片CF可以被黑色矩陣BM隔開。黑色矩陣BM可以設置以面對圍繞像素P的堤部BK。

黑色矩陣BM可以設置在設於圍繞白色像素PW的堤部BK中的氟基保護層FSL的上端上。因此，黑色矩陣BM可以設置以圍繞白色像素PW。

最後，封裝基板105可以設置在黑色矩陣BM及彩色濾光片CF上。

舉例而言，封裝基板105可以黏接至黑色矩陣BM的上端及彩色濾光片CF。

然而，彩色濾光片CF及黑色矩陣BM可以設置在封裝基板105上，且設有彩色濾光片CF及黑色矩陣BM的封裝基板105可以透過封裝層104黏接至設有像素P的基板101。

或者，設有彩色濾光片CF及黑色矩陣BM的封裝基板105可以透過施加在封裝層104上的黏合材料黏接至設有像素P的基板101。

在這種情況下，封裝基板105可以是透明玻璃基板或是透明塑膠基板。

因此，封裝層104可以設置在設於彩色像素P1、P2及P3中的陽極AN與彩色濾光片CF之間，且封裝層104可以設置在陽極AN與封裝基板105之間。

如上所述，因為氟基保護層FSL可以形成為倒錐形結構，所以由有機材料形成的發光層EL可以在氟基保護層FSL連續形成。氟基保護層FSL比發光層EL具有更大的電阻特性。

因此，可以防止水氣傳送通過發光層EL，亦可以防止漏電流通過發光層EL。

此外，即使發光層EL在氟基保護層FSL的上端連續形成，水氣及漏電流亦無法傳送通過氟基保護層FSL。在這種情況下，因為氟基保護層FSL，發光層EL的路徑會變得更長，因此可以降低水氣及漏電流的移動速度。

因此，可以防止或減少像素P的性能衰減。

此外，如圖8所示，黑色矩陣BM設置在堤部BK的上端，而且黑色矩陣BM亦可以設置在圍繞白色像素PW的堤部BK的上端。

在這種情況下，氟基保護層FSL可以設置在圍繞白色像素PW的堤部BK上，而且黑色矩陣BM可以設置在氟基保護層FSL的上端。

因此，參照圖8，氟基保護層FSL與黑色矩陣BM之間的間隙D比黑色矩陣BM與圍繞彩色像素P1、P2及P3的堤部BK之間的間隙C還要小。

因此，滲入透射區域TA的封裝層104中的水氣W很難穿過氟基保護層FSL與黑色矩陣BM之間的間隙D傳送至白色像素PW內部。此外，因為氟基保護層FSL及黑色矩陣BM設置在彩色像素P1、P2及P3與白色像素PW之間，即使當水氣滲入白色像素PW內部的封裝層104中時，滲入白色像素PW內部的封裝層104中的水氣也很難穿過氟基保護層FSL與黑色矩陣BM之間狹窄的間隙D傳送至彩色像素P1。

此外，因為氟基保護層FSL及黑色矩陣BM設置在彩色像素P1、P2及P3與白色像素PW之間，滲入彩色像素P1、P2及P3內部的封裝層104中的水氣也很難穿過氟基保護層FSL與黑色矩陣BM之間狹窄的間隙D傳送至白色像素PW。

因此，可以防止或解決設在像素P中的發光裝置ED因水氣而毀損的問題。

此外，如上所述，白色像素PW沒有設有彩色濾光片CF，且彩色像素P1、P2及P3中的每一個都設有彩色濾光片CF。因此，彩色濾光片CF設置在設於彩色像素P1、P2及P3中的陰極CA的上端，並且封裝基板105設置在白色像素PW中的陰極CA的上端。

在這種情況下，設於白色像素PW中的陰極CA的上端與封裝基板105之間的間隙比設於彩色像素P1、P2及P3中的陰極CA的上端與彩色濾光片CF之間的間隙還要大。

因此，如圖8所示，在發光顯示面板100的製程期間，即使異物M位於設在白色像素PW中的陰極CA與封裝基板105之間，可以減少異物M被封裝基板105擠壓的機率。

當異物M被封裝基板105擠壓時，陰極CA和陽極AN透過異物M接觸的機率會增加。因此，含有異物M的白色像素PW變成缺陷像素的機率增加。

特別是，當白色像素PW變成缺陷像素，會大幅度降低亮度，所以包含白色像素PW的單位像素UP無法被正常驅動，且因此發光顯示面板的產量也會降低。

然而，在根據本發明的發光顯示面板100中，因為設在白色像素PW中的陰極CA上端與封裝基板105之間的間隙比設在彩色像素P1、P2及P3中的陰極CA上端與彩色濾光片CF之間的間隙還要大，即使當異物位於設在白色像素PW中的陰極CA與封裝基板105之間時，白色像素PW因異物而變成缺陷像素的機率是低的。因此，發光顯示裝置的產量及品質可以提升。

在根據本發明的發光顯示面板100中，如上所述，當單位像素UP包含三個彩色像素P1、P2及P3和一個白色像素PW時，氟基保護層FSL僅設置在圍繞白色像素PW的堤部上。

以下說明為何氟基保護層FSL僅設置在圍繞白色像素PW的堤部BK上的原因。

舉例而言，因為白色像素PW對單位像素UP的亮度控制有很大的影響力，所以白色像素PW的尺寸可以比彩色像素P1、P2及P3中的每一個的尺寸還要大。此外，彩色像素P1、P2及P3必須設有彩色濾光片CF，但白色像素PW無須設有彩色濾光片CF。

因此，設在圍繞白色像素PW的堤部BK中的氟基保護層FSL的高度及厚度可以自由選擇，不受發光顯示面板100的解析度影響。因此，具有各種高度及厚度的氟基保護層FSL可以設置在圍繞白色像素PW的堤部BK上。

圖9A至圖9E是顯示根據本發明一實施例之製造發光顯示面板的方法的示例圖。在以下描述中，將省略或簡要描述與如上參考圖1至圖8的描述相同或相似的細節。

首先，參照圖9A，像素驅動電路層102設置在基板101上，像素驅動電路層102包含：光阻擋層LS；緩衝層102a；主動層ACT；閘極絕緣層GI；閘極G；以及源極/汲極SD。

平坦化層103可以設置在像素驅動電路層102上。

陽極AN可以設置在平坦化層103上。

堤部BK可以設置在陽極AN的外部。

基板101可以包含：非透射區域NTA，設有像素P1、P2、P3及PW；以及透射區域TA。

非透射或透明元件例如電晶體Tsw1、Tsw2及Tdr以及光阻擋層LS可以設置在設於非透射區域NTA中的像素驅動電路層102中。

緩衝層102a、閘極絕緣層GI及鈍化層102b可以設置在設於透射區域TA中的像素驅動電路層102中，且非透射元件或透明元件可以不設置在透射區域TA中。此外，為了提升透射區域TA的透光率，構成像素驅動電路層102的緩衝層102a、閘極絕緣層GI及鈍化層102b中的至少一個可以不設置在透射區域TA中。

階差可以形成在設於基板101上的平坦化層103的透射區域TA與非透射區域NTA之間，且由於該階差可以形成傾斜表面。

陽極AN可以設置在對應於像素P1、P2、P3及PW中的每一個的位置。

陽極AN可以由金屬、金屬合金或金屬和氧化物的組合形成。舉例而言，陽極AN可以形成為包含由透明導電材料形成的透明電極層、及由具有高反射效率的透明導電材料形成的反射電極層的多層結構。

陽極AN的透明電極層可以由具有相對高功函數值的材料形成，例如：氧化錫銦(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。陽極AN的反射電極層可以由銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)及鎢(W) 中的任一種形成或可以由上述金屬的合金形成。

具體來說，陽極AN可以形成為依序堆疊的透明電極層、反射電極層及透明電極層的結構，或是依序堆疊透明電極層及反射電極層的的結構，並可以以各種組合形成。

堤部BK可以設置在陽極AN的外部。特別是，堤部BK可以設置在非透射區域NTA中。

舉例而言，堤部BK可以由諸如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy) 的無機材料形成。此外，堤部BK可以由諸如聚醯亞胺、丙烯酸酯及苯並環丁烯系列樹脂的有機材料形成。

堤部BK覆蓋陽極AN的邊緣。光可以自陽極AN中沒有被堤部BK覆蓋的區域（以下簡稱開口部分）輸出。因此，陽極AN沒有被堤部BK遮蔽的開口部分可以成為發光區域，而形成堤部BK的部分可以成為非發光區域NEA。

再者，彩色像素P1、P2及P3中每一個和白色像素PW可以被堤部BK隔開，且透射區域TA及非透射區域NTA亦可以被堤部BK隔開。

在這種情況下，如圖6及圖7所示，相鄰於透射區域TA的堤部BK可以包含與平坦化層103的傾斜表面相對應的傾斜表面。

舉例而言，堤部BK的傾斜表面可以具有與平坦化層103的傾斜表面相同或類似的傾斜角度。在這種情況下，堤部BK的傾斜表面和平坦化層103的傾斜表面可以是連續的。或者，堤部BK的傾斜表面可以具有比平坦化層103的傾斜表面較小的傾斜角度。在這種情況下，堤部BK的傾斜表面和平坦化層103的傾斜表面可以是連續的。或者，堤部BK的傾斜表面可以自平坦化層103的傾斜表面平移，且在這種情況下，堤部BK與平坦化層103之間可形成一階梯狀結構。

如圖9B所示，氟基材料FB覆蓋平坦化層103、堤部BK及陽極AN。舉例而言，氟基材料FB可以是含氟聚合物。在含氟聚合物中，碳-碳鍵連續形成為鏈結構，且該含氟聚合物的官能基包含大量的氟(F)。

氟基材料FB包含大量的氟(F)，且具有正交性。正交性可以指一種兩物件獨立存在而與彼此無關的特性。因此，氟基材料FB可以同時具有：疏水性，其對水有很低的親和力；以及疏油性，其對油有很低的親和力。因其正交性，氟基材料FB可以被水氣隔開或是阻絕水氣。

氟基材料FB可以藉由使用旋轉塗佈或狹縫塗佈（slit coating）技術來設置在基板101上。

光阻層PR可以設置在氟基材料FB上。光阻層PR可以使用正型或負型光阻材料來設置。此外，可以將矽基界面活性劑添加至構成光阻層PR的光阻材料，以增加界面的黏合特性。

參照圖9C，在設置氟基材料FB及光阻層PR之後，可以進行形成暴露氟基材料FB的一部分表面的光阻圖案PRa的曝光製程。該曝光製程可以藉由將一部分待移除的光阻層PR暴露於如紫外線(UV)的光中來進行。

在進行曝光製程之後，曝光的部分使用顯影劑來移除，因此可以形成暴露氟基材料FB的一部分表面的光阻圖案PRa。舉例而言，可以使用鹼性化學溶液（例如四甲基氫氧化銨(TMAH)）來進行光阻圖案PRa的顯影。

參照圖9D，在光阻圖案PRa形成之後，就會進行使用光阻圖案PRa作為遮罩的遮罩圖案化製程，且因此，可以形成氟基保護層FSL。特別是，氟基保護層FSL可以透過移除一部分在光阻圖案PRa下的氟基材料FB的圖案化製程來形成。

用於氟基保護層FSL的圖案化製程可以使用氟基有機溶劑來進行。含有大量的氟(F)官能基的氟基有機溶會劑滲入到氟基材料FB中，並選擇性地僅移除部分的氟基材料FB，從而形成氟基保護層FSL。

在這種情況下，如圖9D所示，由於氟基有機溶劑、氟基材料FB及光阻圖案PRa的特性，可以形成具有下端寬度比上端寬度較窄的倒錐形結構的氟基保護層FSL。

舉例而言，可以基於包含在光阻層PR中的界面活性劑的類型及成分控制倒錐形結構的角度。此外，基於光阻層PR與氟基材料FB之間的黏合特性，可以控制倒錐形結構的角度和結構。

如圖9E所示，如果光阻圖案PRa透過清洗製程移除，則僅會留下氟基保護層FSL。

發光層EL、陰極CA及封裝層104依序設置在氟基保護層FSL上。

最後，當彩色濾光片CF、黑色矩陣BM及封裝基板105依序設置在封裝層104上，或者設有彩色濾光片CF及黑色矩陣BM的封裝基板105黏接到封裝層104時，就完成了發光顯示面板100的製造。

隨後將簡述根據本發明一實施例的發光顯示裝置的技術特徵。

根據本發明一實施例的發光顯示裝置包括：基板，包含顯示區域及非顯示區域；白色像素及彩色像素，設置在顯示區域中；以及氟基保護層，圍繞白色像素的外部。

氟基保護層設置在圍繞白色像素外部的堤部上。

發光層設置在像素中，且被氟基保護層圍繞的發光層及設置在氟基保護層外部的發光層被氟基保護層隔開。

設置在發光層上的陰極沒有在氟基保護層上被隔開。

氟基保護層的上端寬度比氟基保護層的下端寬度還要寬。

根據本發明一實施例的發光顯示裝置進一步包括設置在彩色像素上的彩色濾光片。

在白色像素上沒有設置彩色濾光片。

黑色矩陣設置在氟基保護層的上端上。

彩色濾光片設置在封裝基板上，封裝層設置在彩色像素與彩色濾光片之間，且封裝層設置在白色像素與封裝基板之間。

光透射通過的透射區域設置在白色像素外部的至少一個上。

單位像素沿著第n條資料線設置在基板上，單位像素中的每一個包含三個彩色像素及一個白色像素，佈置三個彩色像素之中的第一彩色像素及第二彩色像素，其中在第一彩色像素與第二彩色像素之間插入有第n條資料線，且佈置三個彩色像素之中的第三彩色像素及一個白色像素，其中在第三彩色像素與白色像素之間插入有第n條資料線。

在設於單位像素中的三個彩色像素及一個白色像素之中，氟基保護層FSL僅設置在白色像素的外部和周圍。

光透射通過的第一透射區域設置在設於第n條資料線的左側上的像素的左側，而光透射通過的第二透射區域設置在設於第n條資料線的右側上的像素的右側。

單位像素沿著第n條資料線設置，單位像素之中設於第一單位像素中的白色像素設置在第n條資料線的右側上，單位像素之中設於第二單位像素中的白色像素設置在第n條資料線的左側上，而單位像素之中設於第三單位像素中的白色像素設置在第n條資料線的右側上。

根據本發明的一實施例，可以防止或減少在設有彩色濾光片的像素與白色像素之間的漏電流。

根據本發明的一實施例，可以防止或減少在設有彩色濾光片的彩色像素與白色像素之間的水氣轉移。

因此，根據本發明的一實施例，可以提升發光顯示裝置的可靠度，因而可以提升發光顯示裝置的品質。

因此，根據本發明的一實施例，可以防止或減少在設有彩色濾光片的像素與白色像素之間的水氣轉移，因而可以延長發光顯示裝置的壽命，並可以提供低功率的發光顯示裝置。

以上所描述的技術特徵、結構和效果均包含在本發明的至少一個實施例中，但不僅限於一個實施例。此外，在本發明的至少一個實施例中所描述的技術特徵、結構及效果可以透過其他實施例的組合或修改被本領域具有通常知識者實施。因此，組合和修改的相關內容應該解釋為屬於本發明的範圍內。

在不脫離所揭露的精神或範圍的情況下，對於本領域具有通常知識者來說，對本發明的各種組合或修改是顯而易見的。因此，本發明範疇涵蓋本發明的修改與變化，在其等均等範圍內的所有技術概念應解釋為落入本發明範疇內。

本申請主張於2023年5月17日申請之第10-10-2023-0063685號韓國專利申請案的優先權，並將其作為參考如同在此完整闡述一樣併入本發明中。

100:發光顯示面板 101:基板 102:像素驅動電路層 102a:緩衝層 102b:鈍化層 103:平坦化層 104:封裝層 105:封裝基板 200:閘極驅動器 300:資料驅動器 400:控制驅動器 410:控制單元 420:控制訊號產生器 430:資料對準器 440:輸出單元 450:儲存單元 500:電源 A:高度（圖6、圖7） ACT:主動層 AN:陽極 B:高度 BK:堤部 BM:黑色矩陣 C,D:間隙 CA:陰極 CF:彩色濾光片 Cst:儲存電容器 DA:顯示區域 DCS:資料控制訊號 Data:影像資料 DL,DL1,DLd,DLn:資料線 EA1:第一發光區域 EA2:第二發光區域 EA3:第三發光區域 EAW:白光發光區域 ED:發光裝置 EL:發光層 ELC:彩光發光層 ELW:白光發光層 EVDD:第一電壓 EVSS:第二電壓 FB:氟基材料 FSL:氟基保護層 G:閘極 GCS:閘極控制訊號 GI:閘極絕緣層 GL,GL1,GLg:閘極線 GS:閘極訊號 LS:光阻擋層 M:異物 NDA:非顯示區域 NEA:非發光區域 NTA:非透射區域 P:像素 P1:第一彩色像素、彩色像素、像素 P2:第二彩色像素、彩色像素、像素 P3:第三彩色像素、彩色像素、像素 PDC:像素驅動電路 PLA:第一電壓供應線 PLB:第二電壓供應線 PR:光阻層 PRa:光阻圖案 PW:白色像素、像素 Ri,Gi,Bi:影像資料 SCL:感測控制線 SD:源極/汲極 SL:感測線 SS:感測控制訊號 TA:透射區域 Tdr:驅動電晶體 Tsw1:開關電晶體 Tsw2:感測電晶體 TSS:時間同步訊號 UP:單位像素 UP1:第一單位像素 UP2:第二單位像素 UP3:第三單位像素 Vdata:資料電壓 Vref:參考電壓 W:水氣

附圖說明本發明實施例以解釋本發明原理，根據結合附圖說明可以進一步理解本發明，且該附圖被視為本發明的一部分。其中： 圖1是顯示根據本發明一實施例的發光顯示裝置的結構的示例圖； 圖2是顯示根據本發明一實施例之應用於發光顯示裝置的像素的結構的示例圖； 圖3是顯示根據本發明一實施例之應用於發光顯示裝置的控制驅動器的結構的示例圖； 圖4是顯示佈置在圖1的區域A中的像素的平面圖； 圖5是顯示佈置在圖1的區域A中的像素的另一平面圖； 圖6是顯示沿圖4中的K-K'線所截取的剖面的示例圖； 圖7是顯示沿圖4中的L-L'線所截取的剖面的示例圖； 圖8是顯示沿圖4中的K-K'線所截取的剖面的另一示例圖； 圖9A至圖9E是顯示根據本發明一實施例之製造發光顯示面板的方法的示例圖。

101:基板

102:像素驅動電路層

102a:緩衝層

102b:鈍化層

103:平坦化層

104:封裝層

105:封裝基板

A:高度

ACT:主動層

AN:陽極

B:高度

BK:堤部

BM:黑色矩陣

CA:陰極

CF:彩色濾光片

DLn:資料線

ED:發光裝置

EL:發光層

ELC:彩光發光層

ELW:白光發光層

FSL:氟基保護層

G:閘極

GI:閘極絕緣層

LS:光阻擋層

NTA:非透射區域

P3:第三彩色像素

PW:白色像素

SD:源極/汲極

TA:透射區域

Tdr:驅動電晶體

Claims (10)

1. 一種發光顯示裝置，包括： 一基板，包含一顯示區域及一非顯示區域； 一白色像素及多個彩色像素，設置在該顯示區域中；以及 一氟基保護層，設置在一堤部上，並且僅圍繞該白色像素而不圍繞該等彩色像素， 其中， 沿著設在該基板上的一第n條資料線設置多個單位像素，其中n為自然數， 該些單位像素中的每一個包含三個彩色像素和該白色像素， 佈置該三個彩色像素之中的一第一彩色像素和一第二彩色像素，在該第一彩色像素與該第二彩色像素之間插入有該第n條資料線，以及 佈置該三個彩色像素之中的一第三彩色像素和該白色像素，在該第三彩色像素與該白色像素之間插入有該第n條資料線， 其中， 光透射通過的一第一透射區域設置在設於該第n條資料線的左側上的像素的左側上，以及 光透射通過的一第二透射區域設置在設於該第n條資料線的右側上的像素的右側上，以及 其中， 設於該些單位像素之中的一第一單位像素中的一個白色像素設置在該第n條資料線的該右側上， 設於該些單位像素之中的一第二單位像素中的一個白色像素設置在該第n條資料線的該左側上，以及 設於該些單位像素之中的一第三單位像素中的一個白色像素設置在該第n條資料線的該右側上。
2. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，多個發光層設置在該白色像素及該些彩色像素中，且被該氟基保護層圍繞的該發光層及設置在該氟基保護層外部的該發光層被該氟基保護層隔開。
3. 如請求項2所述之發光顯示裝置，其中，設置在該些發光層上的一陰極沒有在該氟基保護層上被隔開。
4. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，該氟基保護層的上端寬度比該氟基保護層的下端寬度還要寬。
5. 如請求項1所述之發光顯示裝置，進一步包括：多個彩色濾光片，設置在該些彩色像素上。
6. 如請求項5所述之發光顯示裝置，其中，在該白色像素上沒有設置彩色濾光片。
7. 如請求項5所述之發光顯示裝置，還包括：一黑色矩陣，設置在該氟基保護層的上端。
8. 如請求項5所述之發光顯示裝置，其中， 該些彩色濾光片設置在一封裝基板上， 一封裝層設置在該些彩色像素與該些彩色濾光片之間，以及 該封裝層設置在該白色像素與該封裝基板之間。
9. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，光透射通過的一透射區域設置在該白色像素的多個外部的至少一個上。
10. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，在設於該單位像素中的該三個彩色像素和該白色像素之中，該氟基保護層僅設置在該白色像素的外部和周圍。