TWI902690B - 光吸收性組成物及濾光器 - Google Patents
光吸收性組成物及濾光器Info
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Abstract
本發明之光吸收性組成物含有光吸收劑、硬化性樹脂、及烷氧基矽烷。烷氧基矽烷包含二烷氧基矽烷。因光吸收性組成物之烷氧基矽烷包含二烷氧基矽烷,故於光吸收層形成具有矽氧烷鍵之堅固之骨架,並且藉由二烷氧基矽烷具有之有機官能基容易賦予光吸收層期望之柔軟性。
Description
本發明係關於一種光吸收性組成物及濾光器。
使用CCD(Charge Coupled Device)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等固體攝像元件之攝像裝置中,為了獲得具有良好之顏色再現性之圖像,於固體攝像元件之前表面配置各種濾光器。一般而言,固體攝像元件於從紫外線區域至紅外線區域之廣波長範圍內具有分光感度。另一方面,人類之視感度僅存在於可見光之區域。因此,已知有一種於固體攝像元件之前表面配置遮蔽紅外線或紫外線之一部分光之濾光器以使攝像裝置中之固體攝像元件之分光感度接近人類之視感度之技術。
先前,作為此種濾光器,一般為利用由介電多層膜引起之光反射而遮蔽紅外線或紫外線者。另一方面,近年來,具備含有光吸收劑之膜之濾光器受到關注。具備含有光吸收劑之膜之濾光器之穿透率特性不易受到入射角之影響,故而即便於攝像裝置中光傾斜入射至濾光器之情形時,亦可獲得色調變化較少之良好圖像。又,未使用光反射膜之光吸收型濾光器可抑制以由光反射膜引起之多重反射為原因之重影或眩光之產生,故而,於逆光狀態或夜景之攝影中容易獲得良好之圖像。此外,具備含有光吸收劑之膜之濾光器於攝像裝置之小型化及薄型化之方面亦有利。
例如,專利文獻1中,記載有一種具備可吸收紅外線及紫外線之UV-IR吸收層之濾光器。UV-IR吸收層包含由膦酸與銅離子形成之UV-IR吸收劑。又,專利文獻2中,記載有一種具備含有有機色素之層及含有膦酸銅之層之紅外線截止濾光器。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第6232161號公報
專利文獻2:日本專利第6281023號公報
[發明所欲解決之課題]
專利文獻1及2中記載之技術就賦予濾光器中之光吸收層期望之柔軟性之觀點而言有再次研究之餘地。因此,本發明提供一種就賦予濾光器中之光吸收層期望之柔軟性之觀點而言有利之光吸收性組成物。又,本發明提供一種具備了具有期望柔軟性之光吸收層的濾光器。
[解決課題之技術手段]
本發明提供
一種光吸收性組成物,其含有
光吸收劑、
硬化性樹脂、及
烷氧基矽烷,且
上述烷氧基矽烷包含二烷氧基矽烷。
又,本發明提供一種濾光器,其具備由上述之光吸收性組成物之硬化物形成之光吸收層。
又,本發明提供一種濾光器,其
具備含有光吸收劑及烷氧基矽烷之水解縮合物之光吸收層,且
使用奈米壓痕儀並根據奈米壓痕法(連續剛度測定法)測定上述光吸收層之一主面時,楊氏模數之平均值為2.00 GPa以下,且硬度之平均值為0.06 GPa以下。
[發明之效果]
上述光吸收性組成物就賦予濾光器中之光吸收層期望之柔軟性之觀點而言有利。又,上述濾光器之光吸收層具有期望之柔軟性。
作為具備光吸收層之濾光器,考慮由光吸收層單獨體構成之類型之濾光器、及於玻璃或樹脂等基材形成有光吸收層之類型之濾光器。於前者類型之濾光器之情形時,若光吸收層之性狀為硬質或如玻璃般硬度較高,則光吸收層之柔軟性容易降低,例如,若彎曲濾光器或機械性地使其變形,則光吸收層會破裂或產生皺褶。於樹脂等具有柔軟性之基材形成有光吸收層之後者之類型之濾光器之情形時,同樣地欲使濾光器變形時,亦有光吸收層破裂或產生皺褶之虞。因此,於該等濾光器之操作時需要細心注意。
於製程中切割大面積形成之濾光器而製作晶片之情形時,需要大型之切片機等玻璃切割用設備。此外,切割濾光器時,有時需要對伴隨著玻璃材料之性質之問題即裂縫或碎片進行研究。又,於將濾光器配置並接著於固體攝像元件等感測器上時,若濾光器為硬質,則有時由於濾光器之固有之翹曲(平坦性之不均),而導致配置並接著濾光器變得困難。為了使此種加工容易,有利的是提高光吸收層之柔軟性。
因此,本發明人等對就賦予光吸收層期望之柔軟性之觀點而言有利之技術日夜反覆進行研究,研究出本發明之光吸收性組成物及濾光器。
以下,對本發明之實施形態進行說明。再者,以下之說明係關於本發明之一例,本發明不受該等限定。
本發明之光吸收性組成物含有光吸收劑、硬化性樹脂、及烷氧基矽烷。此外,烷氧基矽烷包含二烷氧基矽烷。
於使用光吸收性組成物形成光吸收層時,藉由烷氧基矽烷之水解生成矽烷醇基。具有生成之矽烷醇基之來自烷氧基矽烷之化合物進一步反應而縮合,藉此,形成具有矽氧烷鍵(-Si-O-Si-)之堅固之骨架。若具有該骨架之物質中有機成分(有機官能基)較少,則所形成之光吸收層不易具有期望之柔軟性。於此情形時,光吸收層中局部受到較強之壓力時,具有矽氧烷鍵之骨架容易斷裂。然而,因光吸收性組成物之烷氧基矽烷包含二烷氧基矽烷,故於光吸收層中形成具有矽氧烷鍵之堅固之骨架,並且藉由二烷氧基矽烷具有之有機官能基容易賦予光吸收層期望之柔軟性。因此,例如,於切割使用光吸收性組成物而形成之光吸收層時,不易產生裂縫及碎片。又,即便彎曲使用光吸收性組成物而形成之光吸收層,光吸收層亦不易破裂。
例如,考慮提供一種於CCD及CMOS等固體攝像元件或光學零件上塗佈光吸收性組成物,與攝像元件或光學零件成為一體之濾光器。若將與攝像元件或光學零件成為一體之濾光器放置於規定之熱循環之環境中,則有產生熱膨脹及熱收縮之可能性。使用光吸收性組成物而形成之光吸收層容易具有期望之柔軟性,容易追隨熱膨脹及熱收縮而變形。因此,容易抑制光吸收層之破損及損傷。
進而,柔軟性較高之濾光器於製成具有平坦面之濾光器後,於組裝於光學系統時可沿著彎曲之配置面彎曲而形成曲面。藉由使濾光器之主面成為曲面,亦可應對以感測器之複雜配置為前提之特殊之攝像裝置之設計。
二烷氧基矽烷不限定於特定之二烷氧基矽烷。二烷氧基矽烷具有例如與矽原子鍵結之具有1〜6個碳原子之烴基。烷氧基矽烷亦可具有與矽原子鍵結之具有1〜6個碳原子之烴基中之至少一個氫原子被鹵素原子取代之鹵代烴基。於此情形時,進而,賦予使用光吸收性組成物而形成之光吸收層期望之柔軟性。
二烷氧基矽烷亦可為例如由下述式(b)所表示之烷氧基矽烷。於此情形時,更確實地容易賦予使用光吸收性組成物而形成之光吸收層期望之柔軟性。
(R
2)
2-Si-(OR
3)
2(b)
[式中,R
2分別獨立地為具有1〜6個碳原子之烷基,R
3分別獨立地為具有1〜8個碳原子之烷基]
二烷氧基矽烷亦可為例如二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、或3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。
光吸收性組成物中,烷氧基矽烷可進而包含四烷氧基矽烷及三烷氧基矽烷中之至少一個。藉此,使用光吸收性組成物而形成之光吸收層中容易藉由矽氧烷鍵形成緻密之結構。
光吸收性組成物中,烷氧基矽烷亦可進而包含四烷氧基矽烷及三烷氧基矽烷。藉此,使用光吸收性組成物而形成之光吸收層中容易藉由矽氧烷鍵更確實地形成緻密之結構。
光吸收性組成物中,四烷氧基矽烷及三烷氧基矽烷中之至少一個不限定於特定之烷氧基矽烷。例如,光吸收性組成物中,烷氧基矽烷係選自由四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、三氟丙基三乙氧基矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸基丙基三乙氧基矽烷、及3-異氰酸基丙基三甲氧基矽烷所組成之群中之至少1個。
烷氧基矽烷中之二烷氧基矽烷之含量不限定於特定之值。烷氧基矽烷中之二烷氧基矽烷之含量係例如將烷氧基矽烷換算為完全水解縮合物,以質量基準計為15〜48%。藉此,更確實地容易賦予使用光吸收性組成物而形成之光吸收層期望之柔軟性。
烷氧基矽烷中之二烷氧基矽烷之含量較理想為將烷氧基矽烷換算為完全水解縮合物,以質量基準計為15〜20%。藉此,使用光吸收性組成物而形成之光吸收層容易發揮較高之耐濕性。其原因在於藉由矽氧烷鍵形成緻密之結構,於高濕環境中光吸收劑不易凝聚。
光吸收劑只要可吸收規定之波長之光,便不限定於特定之光吸收劑。光吸收劑可由例如下述式(a)所表示之膦酸與銅離子形成。
[式中,R
11係烷基、芳基、硝基芳基、羥基芳基、或芳基中之至少一個氫原子被鹵素原子取代之鹵代芳基]
光吸收性組成物中,例如,藉由使式(a)所表示之膦酸配位於銅離子而形成光吸收劑。又,例如,於光吸收性組成物中形成至少包含光吸收劑之微粒子。於此情形時,藉由烷氧基矽烷之作用,微粒子彼此不凝聚而分散於光吸收性組成物中。該微粒子之平均粒徑為例如5 nm〜200 nm。若微粒子之平均粒徑為5 nm以上,則無需用以使微粒子微細化之特殊步驟,至少包含光吸收劑之微粒子之結構受破壞之可能性較小。又,微粒子良好地分散於光吸收性組成物中。又,若微粒子之平均粒徑為200 nm以下,則可降低由米氏散射引起之影響,可於濾光器中提昇可見光之穿透率,可抑制藉由攝像裝置拍攝到之圖像之對比度及霧度等特性之降低。微粒子之平均粒徑較理想為100 nm以下。於此情形時,因降低由瑞利散射引起之影響,故於使用光吸收性組成物而製作之濾光器中提高對可見光之透明性。又,微粒子之平均粒徑更理想為75 nm以下。於此情形時,使用光吸收性組成物而製作之濾光器對可見光之透明性特別高。再者,微粒子之平均粒徑可藉由動態光散射法測定。
作為光吸收劑之分散劑,可使用磷酸酯。因此,光吸收性組成物亦可含有磷酸酯。另一方面,使用光吸收性組成物而形成之光吸收層中,來自烷氧基矽烷之化合物與磷酸酯相比,可賦予光吸收層較高之耐濕性,並且適當地使光吸收劑分散。因此,藉由含有光吸收性組成物中之烷氧基矽烷,可減少磷酸酯之使用量。光吸收層之形成中,藉由使存在於光吸收劑之周圍之烷氧基矽烷與二烷氧基矽烷反應,光吸收層為均質且容易具有較高之緻密性。再者,光吸收性組成物亦可不含有磷酸酯。
磷酸酯係例如具有聚氧烷基之磷酸酯。具有聚氧烷基之磷酸酯不限定於特定之磷酸酯。具有聚氧烷基之磷酸酯係例如Plysurf A208N:聚氧乙烯烷基(C12、C13)醚磷酸酯;Plysurf A208F:聚氧乙烯烷基(C8)醚磷酸酯;Plysurf A208B:聚氧乙烯月桂醚磷酸酯;Plysurf A219B:聚氧乙烯月桂醚磷酸酯;Plysurf AL:聚氧乙烯苯乙烯化苯基醚磷酸酯;Plysurf A212C:聚氧乙烯十三烷基醚磷酸酯;或Plysurf A215C:聚氧乙烯十三烷基醚磷酸酯。該等均為第一工業製藥公司製造之製品。又,磷酸酯亦可為例如NIKKOL DDP-2:聚氧乙烯烷基醚磷酸酯;NIKKOL DDP-4:聚氧乙烯烷基醚磷酸酯;或NIKKOL DDP-6:聚氧乙烯烷基醚磷酸酯。該等均為Nikko Chemicals公司製造之製品。
光吸收性組成物中,硬化性樹脂不限定於特定之樹脂。硬化性樹脂係例如聚矽氧樹脂。聚矽氧樹脂係於其結構內具有矽氧烷鍵之化合物。於此情形時,烷氧基矽烷之水解縮合物亦具有矽氧烷鍵,故而,使用光吸收性組成物而形成之光吸收層中,烷氧基矽烷之水解縮合物與硬化性樹脂之親和性良好。
樹脂較理想為包含苯基等芳基之聚矽氧樹脂。若濾光器中包含之樹脂較硬(即剛性),則隨著包含該樹脂之層之厚度增加,濾光器之製程中由於硬化收縮容易產生裂縫。若樹脂為包含芳基之聚矽氧樹脂,則由光吸收性組成物形成之層容易具有良好之耐裂縫性。又,包含芳基之聚矽氧樹脂與式(a)所表示之膦酸具有較高之相溶性,不易使光吸收劑凝聚。作為用作基質樹脂之聚矽氧樹脂之具體例,可列舉KR-255、KR-300、KR-2621-1、KR-211、KR-311、KR-216、KR-212、KR-251、及KR-5230。該等均為信越化學工業公司製造之聚矽氧樹脂。
以光吸收劑由上述膦酸與銅離子形成之情形為例,說明光吸收性組成物之製備方法之一例。
例如,於光吸收性組成物含有式(a)中R
11為芳基、硝基芳基、羥基芳基、或鹵代芳基的膦酸(芳基系膦酸)之情形時,以如下方式製備D液。將乙酸銅一水合物等銅鹽添加至四氫呋喃(THF)等規定之溶劑中並攪拌,製備作為銅鹽之溶液之A液。其次,將芳基系膦酸加入THF等規定之溶劑中並攪拌,製備B液。於使用複數種之芳基系膦酸作為由式(a)所表示之膦酸之情形時,可將各芳基系膦酸加入THF等規定之溶劑中,其後攪拌並混合根據各芳基系膦酸之種類製備之複數預備液,而製備B液。例如,於B液之製備中加入烷氧基矽烷。一面攪拌A液,一面將B液加入A液中並攪拌規定時間。其次,於該溶液中加入甲苯等規定之溶劑並攪拌,而獲得C液。其次,對C液進行加溫,並且進行規定時間之脫溶劑處理,而獲得D液。藉此,去除由於THF等溶劑及乙酸(沸點:約118℃)等之銅鹽之解離而產生之成分,藉由式(a)所表示之膦酸與銅離子生成光吸收劑。對C液進行加溫之溫度係基於應從銅鹽解離而去除之成分之沸點而決定。再者,脫溶劑處理中,用以獲得C液之甲苯(沸點:約110℃)等溶劑亦揮發。該溶劑較理想為以一定程度殘留於光吸收性組成物中,故而,可就此觀點決定溶劑之添加量及脫溶劑處理之時間。再者,亦可使用鄰二甲苯(沸點:約144℃)代替甲苯以獲得C液。於此情形時,因鄰二甲苯之沸點較甲苯之沸點高,故可將添加量減少至甲苯添加量之4分之1左右。
於光吸收性組成物含有式(a)中R
11為烷基之膦酸(烷基系膦酸)之情形時,例如,以如下方式進而製備H液。首先,將乙酸銅一水合物等銅鹽添加至四氫呋喃(THF)等規定之溶劑中並攪拌,而獲得作為銅鹽之溶液之E液。又,將烷基系膦酸加入THF等規定之溶劑中並攪拌,而製備F液。於使用複數種之膦酸作為烷基系膦酸之情形時,亦可將各烷基系膦酸加入THF等規定之溶劑中,其後攪拌並混合根據各烷基系膦酸之種類製備之複數預備液,而製備F液。例如,於F液之製備中,進而加入烷氧基矽烷。一面攪拌E液,一面將F液加入E液中並攪拌規定時間。其次,將甲苯等規定之溶劑加入該溶液中並攪拌,而獲得G液。其次,對G液進行加溫,並且進行規定時間之脫溶劑處理,而獲得H液。藉此,去除由於THF等溶劑及乙酸等之銅鹽之解離而產生之成分。對G液進行加溫之溫度與C液同樣地決定,用於獲得G液之溶劑亦與C液同樣地決定。
例如,一面以規定之比率混合D液與H液,一面添加烷氧基矽烷,視需要添加聚矽氧樹脂等硬化性樹脂,藉此,可製備光吸收性組成物。於此情形時,二烷氧基矽烷亦可於D液與H液之混合後添加。
如圖1所示,濾光器1a具備光吸收層10。光吸收層10含有光吸收劑及烷氧基矽烷之水解縮合物。光吸收層10之特徵在於其性狀柔軟,例如,使用奈米壓痕儀並根據奈米壓痕法(連續剛度測定法)測定光吸收層10之一主面10a時,楊氏模數之平均值為2.00 GPa以下。楊氏模數之平均值亦可為例如0.10〜2.00 GPa。進而,硬度之平均值為0.06 GPa以下。硬度之平均值亦可為0.005〜0.06 GPa。如此,光吸收層10包含藉由烷氧基矽烷之水解縮合物而具有矽氧烷鍵之骨架,並且具有期望之柔軟性。關於奈米壓痕法(連續剛度測定法)之詳細內容,可參照國際公開第2019/044758號公報及日本特開2015-174270號公報。
光吸收層10所含有之烷氧基矽烷之水解縮合物包含例如二烷氧基矽烷之水解縮合物。藉此,光吸收層10具有期望之柔軟性。
就其他觀點而言,光吸收層10亦可由例如上述之光吸收性組成物之硬化物形成。於此情形時,光吸收層10容易具有期望之柔軟性。
於對濾光器1a進行在溫度85℃及相對濕度85%之環境下保持1000小時之耐濕試驗時,濾光器1a滿足例如以下之條件。於此情形時,濾光器1a顯示良好之耐濕性。再者,關於各參數,所謂「變化量」,意指耐濕試驗前後之參數值之差之絕對值。所謂「平均穿透率之變化量」,係表示於規定之波長之範圍內耐濕試驗前之穿透率之平均值與耐濕試驗後之穿透率之平均值的差之絕對值。所謂「最大穿透率之變化量」,係表示於規定之波長範圍內耐濕試驗前之穿透率之最大值與耐濕試驗後之穿透率之最大值的差之絕對值。又,與以百分率表現之穿透率相關之參數之變化量之單位表示為「點」。
(i)於波長450〜600 nm之平均穿透率之變化量ΔT
450-600為3點以下。ΔT
450-600較理想為1點以下,更理想為0.5點以下。
(ii)UV截止波長之變化量Δλuvc為5 nm以下,且IR截止波長之變化量Δλirc為5 nm以下。再者,UV截止波長係於波長350 nm〜450 nm之範圍穿透率為50%之波長。IR截止波長係於波長600 nm〜800 nm之範圍內穿透率為50%之波長。
(iii)從IR截止波長減去UV截止波長而得之值之變化量Δλirc-uvc為10 nm以下。
(iv)於波長300〜350 nm之最大穿透率之變化量ΔT
max300-350為1點以下。ΔT
max300-350較理想為0.5點以下。
(v)於波長300〜360 nm之最大穿透率之變化量ΔT
maX300-360為1點以下。ΔT
max300-360較理想為0.5點以下。
(vi)於波長700〜750 nm之平均穿透率之變化量ΔT
AVE700-750為3點以下。ΔT
AVE700-750較理想為1點以下。
(vii)於波長750〜1080 nm之最大穿透率之變化量ΔT
max750-1080為3點以下。ΔT
max750-1080較理想為1點以下。
(viii)於波長800〜950 nm之最大穿透率之變化量ΔT
max800-950、於波長800〜1000 nm之最大穿透率之變化量ΔT
max800-1000、於波長800〜1050 nm之最大穿透率之變化量ΔT
max800-1050、於波長800〜1100 nm之最大穿透率之變化量ΔT
max800-1100、於波長800〜1150 nm之最大穿透率之變化量ΔT
max800-1150、及於波長800〜1200 nm之最大穿透率之變化量ΔT
max800-1200分別為3點以下。ΔT
max800-950、ΔT
max800-1000、ΔT
max800-1050、ΔT
max800-1100、ΔT
max800-1150、及ΔT
max800-1200分別較理想為1點以下。
如圖1所示,濾光器1a由例如光吸收層10單獨體構成。於此情形時,濾光器1a與例如攝像元件或光學零件分開使用。濾光器1a亦可接合於攝像元件及光學零件。另一方面,亦可藉由將上述光吸收性組成物塗佈於攝像元件或光學零件,使光吸收性組成物硬化,而構成濾光器1a。
濾光器1a可藉由例如將形成於基板上之光吸收層10從基板剝離而製作。於此情形時,基板之材料可為玻璃,可為樹脂,亦可為金屬。亦可對基板之表面實施使用含氟化合物之塗佈等表面處理。
濾光器1a可變更為例如圖2所示之濾光器1b。濾光器1b除特別說明之情形,與濾光器1a同樣地構成。對與濾光器1a之構成元件相同或對應之濾光器1b之構成元件標附相同之符號,省略詳細之說明。關於濾光器1a之說明只要無技術性矛盾,便亦適用於濾光器1b。
如圖2所示,濾光器1b具備光吸收層10及透明介電基板20。光吸收層10與透明介電基板20之一主面平行地形成。光吸收層10亦可例如與透明介電基板20之一主面接觸。於此情形時,例如,藉由於透明介電基板20之一主面塗佈上述光吸收性組成物,使光吸收性組成物硬化,而形成光吸收層10。
透明介電基板20之種類不限定於特定之種類。透明介電基板20可於紅外線區域具有吸收能。透明介電基板20可於例如波長350 nm〜900 nm內具有90%以上之平均分光穿透率。透明介電基板20之材料不限制於特定之材料,例如為規定之玻璃或樹脂。於透明介電基板20之材料為玻璃之情形時,透明介電基板20係例如由鈉鈣玻璃及硼矽酸玻璃等矽酸鹽玻璃製成之透明之玻璃或紅外線截止玻璃。紅外線截止玻璃係例如包含CuO之磷酸鹽玻璃或氟磷酸鹽玻璃。
於透明介電基板20之材料為樹脂之情形時,該樹脂係例如降莰烯系樹脂等環烯系樹脂、聚芳酯系樹脂、丙烯酸樹脂、改質丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、或聚矽氧樹脂。
濾光器1a及1b可變更為進而具備紅外線反射膜等其他功能膜。
實施例
藉由實施例,更詳細地說明本發明。再者,本發明不限定於以下之實施例。
<實施例1>
(芳基系膦酸銅之製備)
混合乙酸銅一水合物4.500 g與四氫呋喃(THF)240 g並攪拌3小時而獲得乙酸銅溶液。其次,於所得之乙酸銅溶液中加入作為磷酸酯化合物之Plysurf A208N(第一工業製藥公司製造)1.646 g並攪拌30分鐘,而獲得A液。於苯基膦酸0.706 g中加入THF 40 g並攪拌30分鐘,而獲得B-1液。於4-溴苯基膦酸4.230 g中加入THF 40 g並攪拌30分鐘,而獲得B-2液。其次,混合B-1液與B-2液並攪拌1分鐘,將甲基三乙氧基矽烷(MTES)(信越化學工業公司製造,製品名:KBE-13)8.664 g及四乙氧基矽烷(TEOS)(岸田化學公司製造 特級)2.830 g加入該混合液中,進而攪拌1分鐘,而獲得B液。一面攪拌A液,一面於A液中加入B液,於室溫攪拌1分鐘。其次,於該溶液中加入甲苯140 g後,於室溫攪拌1分鐘,而獲得C液。將該C液放入燒瓶中,藉由油浴(東京理化器械公司製造,型號:OSB-2100)進行加溫,並且利用旋轉蒸發器(東京理化器械公司製造,型號:N-1110SF)進行脫溶劑處理。油浴之設定溫度調整為105℃。其後,從燒瓶中取出脫溶劑處理後之實施例1之D液。於脫溶劑處理中不完全去除溶劑,而是以使黏度降低一定程度之方式實施脫溶劑處理。以此方式獲得作為芳基系膦酸銅(UV-IR吸收劑)之分散液之D液。
(烷基系膦酸銅之製作)
混合乙酸銅一水合物4.500 g與THF 240 g並攪拌3小時,而獲得乙酸銅溶液。其次,於所得之乙酸銅溶液中加入作為磷酸酯化合物之Plysurf A208N 2.572 g並攪拌30分鐘,而獲得E液。又,於正丁基膦酸2.886 g中加入THF 40 g並攪拌30分鐘,而獲得F液。一面攪拌E液一面於E液中加入F液,於室溫攪拌1分鐘。其次,於該溶液中加入甲苯100 g後,於室溫攪拌1分鐘,而獲得G液。將該G液放入燒瓶中藉由油浴進行加溫,並且利用旋轉蒸發器進行脫溶劑處理。將油浴之設定溫度調整為105℃。其後,從燒瓶中取出脫溶劑處理後之實施例1之H液。於脫溶劑處理中不完全去除溶劑,而是以使H液之黏度降低一定程度之方式實施脫溶劑處理。以此方式獲得作為丁基膦酸銅(IR吸收劑)之分散液之H液。
(光吸收性組成物之製備)
於D液中添加聚矽氧樹脂(信越化學工業公司製造,製品名:KR-300)12.57 g並攪拌30分鐘,而獲得I液。將相當於H液總量之40質量%之量加入I液中,進而於其中加入作為烷氧基矽烷之甲基三乙氧基矽烷(MTES)(信越化學工業公司製造,製品名:KBE-13)10.840 g、四乙氧基矽烷(TEOS)(岸田化學公司製造 特級)5.660 g、二甲基二乙氧基矽烷(DMDES)(信越化學工業公司製造,製品名:KBE-22)4.896 g並攪拌30分鐘,而獲得實施例1之光吸收性組成物。關於烷氧基矽烷,假設獲得其完全水解縮合物時,於烷氧基矽烷之完全水解縮合物中,以質量基準計,來自MTES矽烷化合物之含量為60.0%,來自TEOS矽烷化合物之含量為20.0%,來自DMDES矽烷化合物之含量為20.0%,以此方式製備實施例1之光吸收性組成物。再者,存在於烷氧基矽烷之完全水解縮合物之來自MTES之矽烷化合物(固形物成分)之量相對於MTES之添加量的比以質量基準計為37.64%,存在於烷氧基矽烷之完全水解縮合物之來自TEOS之矽烷化合物(固形物成分)之量相對於TEOS之添加量的比以質量基準計為28.84%,存在於烷氧基矽烷之完全水解縮合物之來自DMDES之矽烷化合物(固形物成分)之量相對於DMDES之添加量的比以質量基準計為50.01%,以此為前提進行計算。實施例2及3以及比較例1亦以同樣之前提進行計算。將於D液之製備及光吸收性組成物之製備中添加之烷氧基矽烷之添加量之關係示於表2。
(濾光器之製作)
混合表面防污塗佈劑(大金工業公司製造,製品名:OPTOOL DSX,有效成分之濃度:20質量%)0.1 g與含氫氟醚液(3M公司製造,製品名:NOVEC 7100)19.9 g,並攪拌5分鐘,而製備氟處理劑(有效成分之濃度:0.1質量%)。將該氟處理劑淋塗於直徑200 mm、厚度0.7 mm之圓形硼矽酸玻璃(SCHOTT公司製造,製品名:D263 T eco)。其後,將該玻璃基板於室溫放置24小時,使氟處理劑之塗膜乾燥,其後,使用包含NOVEC 7100之無塵布輕輕地將玻璃表面擦乾而除去多餘之氟處理劑。以此方式製作氟處理基板。
藉由分配器將實施例1之光吸收性組成物塗佈於氟處理基板上。此時,使用不鏽鋼製之模框(內部尺寸:約100 mm平方)以使塗膜可保持充分之厚度之方式進行塗佈。將塗佈有光吸收性組成物之基板靜置規定時間,使光吸收性組成物之成分之反應充分地進行後,將基板從室溫緩慢地加熱,一面使溶劑緩慢地蒸發,一面使光吸收性組成物硬化。將此加熱中之最大到達溫度調節為85℃。進而,於溫度85℃及相對濕度85%之環境下放置基板2小時左右,促進烷氧基矽烷之水解反應,而獲得光吸收膜。對於以此方式獲得之光吸收膜,上拉其端部而從基板剝離,而獲得俯視具有約100 mm平方之尺寸之實施例1之濾光器。
(濾光器之切割)
使用具有直徑28 mm之圓形刀之旋切刀(OLFA公司製造),將實施例1之濾光器切割為短條狀。具體而言,沿著平行於濾光器之一邊且間隔20 mm之4條直線,對濾光器施加約30 N之負載而切割濾光器。使用金屬顯微鏡,以50倍之倍率觀察所得之短條狀之試樣。其結果,於試樣之切割面之周邊未產生割裂或斷裂等破損,確認實施例1之濾光器被良好地切割。
<實施例2>
與實施例1同樣地,獲得作為芳基系膦酸銅(UV-IR吸收劑)之分散液之D液及作為丁基膦酸銅(IR吸收劑)之分散液之H液。其次,於D液中添加聚矽氧樹脂(信越化學工業公司製造,製品名:KR-300)12.57 g並攪拌30分鐘,而獲得I液。將相當於H液總量之40質量%之量加入I液中,進而於其中加入作為烷氧基矽烷之甲基三乙氧基矽烷(MTES)(信越化學工業公司製造,製品名:KBE-13)5.420 g、四乙氧基矽烷(TEOS)(岸田化學公司製造 特級)2.830 g、二甲基二乙氧基矽烷(DMDES)(信越化學工業公司製造,製品名:KBE-22)2.448 g並攪拌30分鐘,而獲得實施例2之光吸收性組成物。關於烷氧基矽烷,假設獲得其完全水解縮合物時,於烷氧基矽烷之完全水解縮合物中,以質量基準計,來自MTES之矽烷化合物之含量為65.0%,來自TEOS之矽烷化合物之含量為20.0%,來自DMDES矽烷化合物之含量為15.0%,以此方式製備實施例2之光吸收性組成物。
除使用實施例2之光吸收性組成物代替實施例1之光吸收性組成物以外,與實施例1同樣地製作實施例2之濾光器。此外,將實施例2之濾光器與實施例1之濾光器同樣地切割為短條狀。使用金屬顯微鏡,以50倍之倍率觀察所得之短條狀之試樣。其結果,於試樣之切割面之周邊未產生割裂或斷裂等破損,確認實施例2之濾光器被良好地切割。
<實施例3>
與實施例1同樣地獲得作為芳基系膦酸銅(UV-IR吸收劑)之分散液之D液及作為丁基膦酸銅(IR吸收劑)之分散液之H液。其次,於D液中添加聚矽氧樹脂(信越化學工業公司製造,製品名:KR-300)12.57 g並攪拌30分鐘,而獲得I液。將相當於H液總量之40質量%之量加入I液中,進而於其中加入作為烷氧基矽烷之二甲基二乙氧基矽烷(DMDES)(信越化學工業公司製造,製品名:KBE-22)7.344 g並攪拌30分鐘,而獲得實施例3之光吸收性組成物。實施例3之光吸收性組成物之製備中,於I液與H液之混合液中不加入甲基三乙氧基矽烷(MTES)及四乙氧基矽烷(TEOS)。關於烷氧基矽烷,假設獲得其完全水解縮合物時,於烷氧基矽烷之完全水解縮合物中,以質量基準計,來自MTES之矽烷化合物之含量為42.1%,來自TEOS之矽烷化合物之含量為10.5%,來自DMDES之矽烷化合物之含量為47.4%,以此方式製備實施例3之光吸收性組成物。
除使用實施例3之光吸收性組成物代替實施例1之光吸收性組成物以外,與實施例1同樣地製作實施例3之濾光器。此外,將實施例3之濾光器與實施例1之濾光器同樣地切割為短條狀。使用金屬顯微鏡,以50倍之倍率觀察所得之短條狀之試樣。其結果,於試樣之切割面之周邊未產生割裂或斷裂等破損,確認實施例3之濾光器被良好地切割。
<比較例1>
與實施例1同樣地獲得作為芳基系膦酸銅(UV-IR吸收劑)之分散液之D液及作為丁基膦酸銅(IR吸收劑)之分散液之H液。其次,於D液中添加聚矽氧樹脂(信越化學工業公司製造,製品名:KR-300)12.57 g並攪拌30分鐘,而獲得I液。將相當於H液總量之40質量%之量加入I液中,進而攪拌30分鐘,而獲得比較例1之光吸收性組成物。比較例1之光吸收性組成物之製備中,於I液與H液之混合液中不加入烷氧基矽烷。
除使用比較例1之光吸收性組成物代替實施例1之光吸收性組成物以外,與實施例1同樣地製作比較例1之濾光器。此外,嘗試將比較例1之濾光器與實施例1之濾光器同樣地切割為短條狀。然而,於平行於濾光器之一邊且間隔20 mm之4條之直線之周圍產生多個裂縫,無法良好地切割比較例1之濾光器,未能獲得短條狀之試樣。
<穿透率光譜測定>
使用紫外可見近紅外分光光度計(日本分光公司製造,製品名:V-670)測定各濾光器之0°之入射角之穿透率光譜。將實施例1、實施例2、實施例3、及比較例1之濾光器之穿透率光譜分別示於圖3、圖4、圖5、及圖6中。又,將從圖3〜6讀取之關於穿透率之特性示於表1。
<厚度測定>
使用雷射移位計(基恩士公司製造,製品名:LK-H008)測定距濾光器之表面之距離,藉此測定濾光器之厚度,將結果示於表1。
<楊氏模數及硬度>
使用奈米壓痕儀(MTS系統公司製造,製品名:Nano Indenter XP),根據奈米壓痕法(連續剛度測定法)對濾光器之表面進行測定。作為壓頭,使用金剛石製三角錐壓頭,於約23℃之室溫及大氣中進行測定。對藉由該測定獲得之硬度-壓入深度線圖中之5〜10 μm之壓入深度之範圍中之硬度值進行平均,確定各濾光器之表面之硬度之平均值。又,對藉由該測定獲得之楊氏模數-壓入深度線圖中之5〜10 μm之壓入深度之範圍中之楊氏模數之值進行平均,確定各濾光器之楊氏模數之平均值。再者,基於濾光器之主成分為聚矽氧樹脂,將濾光器之泊松比(Poisson's ratio)規定為0.4。將結果示於表3。實施例中,楊氏模數之平均值為0.87〜1.6 GPa,硬度之平均值為0.020〜0.048 GPa。另一方面,比較例中,楊氏模數之平均值為2.6 GPa,硬度為0.11 GPa,可知柔軟性差。
<霧度之測定>
使用HAZE METER(村上色彩技術研究所公司製造,製品名:HM-65L2),依據日本產業規格JIS K 7136,測定實施例1〜3之濾光器及比較例1之濾光器之霧度。將結果示於表3。
<耐濕試驗>
將實施例1〜3之濾光器保管於設定為溫度85℃及相對濕度85%之恆溫恆濕器(東京理化器械公司製造,KCL-2000A)之內部1000小時,實施耐濕試驗。使用紫外可見近紅外分光光度計(日本分光公司製造,製品名:V-670),測定耐濕試驗後之實施例1及2之濾光器之0°入射角之穿透率光譜。將結果示於圖7及8中。圖7及8中,實線表示耐濕試驗前之濾光器之穿透率光譜,虛線表示耐濕試驗後之濾光器之穿透率光譜。將從該等穿透率光譜讀取之各參數值示於表4。再者,耐濕試驗後之實施例3之濾光器白濁,完全未使光穿透。
如表3所示,提示了實施例1〜3之濾光器與比較例1之濾光器相比,柔軟性較高。又,如表4所示,提示了實施例1及2之濾光器滿足上述(i)〜(viii)之條件,具有良好之耐濕性。
本發明之實施形態之濾光器之光吸收膜的楊氏模數較小,柔軟性較高。因此,於平坦之基板上製作光吸收膜後,使從基板剝離之光吸收膜沿著透鏡、彎曲性濾光器、樹脂性之柔軟性較高之濾光器、或其他光學元件等具備任意之曲面或柔軟性較高之平面之其他基材之表面積層,藉此,可於其曲面上以均一之厚度積層光吸收膜,而可形成具備光吸收性功能之光學元件或濾光器。
又,於近年之智慧型手機等攜帶型通訊機器中,越來越多使用以使用有機EL之顯示器為代表之柔軟性較高之基材。本發明之實施形態之光吸收膜作為基材,對於此種具有柔軟性之顯示器或面板亦發揮追隨性,故而,亦容易應用於該等之領域。
於普通之旋轉塗佈或浸漬塗佈之塗佈方法中,於曲面上形成均一之厚度之膜需要非常精密之控制,較為困難。另一方面,藉由上述方法,因可相對較容易地以均一之厚度於曲面上形成光吸收膜,故非常有效。
光吸收膜與曲面之貼合可使用接著劑。可將焙燒後之膜沿著基材之曲面等積層,其後實施加熱處理或加熱及加濕處理。於後者之情形時,焙燒溫度較理想為60℃以下,最終之加熱及加濕之溫度較理想為80℃以上。
又,作為製作光吸收膜之基板,可使用於表面(例如,以格子狀)形成有以玻璃纖維、碳纖維、或纖維素奈米纖維等為材料之線材之基板。於此情形時,於基板上形成光吸收膜後,藉由與線材一起剝離,可獲得於內部或表面形成有線材之光吸收膜。因此種線材賦予光吸收膜適度之機械剛性,故可製作具備柔軟性及剛性之光吸收膜。
進而,於平坦之基板上形成塗膜後,藉由使基板變形並且實施加熱或加熱及加濕處理,可形成與最終之基板形狀對應之特殊之表面狀態(例如透鏡狀)之光吸收膜。藉由對應於所要求之基板之形狀使光吸收膜變形或硬化,可製作各種表面狀態(平面或曲面)之光吸收濾光器。
本發明之實施形態之光吸收膜之耐衝擊性亦優異。因此,有不易受使用環境限制之優點。本發明之實施形態之光吸收膜可有效地使用於例如經受長時間之震動、較強之衝擊之可穿戴裝置,特別是可穿戴攝影機或運動攝影機中內置之攝影機模組、光學感測器、或各種光學系統之一部分。
[表1]
| 光學特性 | 厚度[μm] | ||||||||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | ||
| 於300〜350 nm之最大穿透率[%] | 於300〜360 nm之最大穿透率[%] | UV截止波長[nm] | 於450~600 nm之平均穿透率[%] | IR截止波長[nm] | 於700〜750 nm之平均穿透率[%] | 於750〜1080 nm之最大穿透率[%] | 於800〜950 nm之最大穿透率[%] | 於800〜1000 nm之最大穿透率[%] | 於800〜1050 nm之最大穿透率[%] | 於800〜1100 nm之最大穿透率[%] | 於800〜1150 nm之最大穿透率[%] | 於800〜1200 nm之最大穿透率[%] | IR截止波長與UV截止波長之差[nm] | ||
| 實施例1 | 0.05 | 0.05 | 405 | 86.32 | 631 | 0.70 | 0.27 | 0.27 | 0.27 | 0.27 | 0.27 | 0.58 | 2.41 | 225 | 236 |
| 實施例2 | 0.04 | 0.04 | 404 | 86.93 | 638 | 1.64 | 0.33 | 0.13 | 0.13 | 0.25 | 0.48 | 1.59 | 4.90 | 235 | 197 |
| 實施例3 | 0.04 | 0.04 | 401 | 88.03 | 643 | 2.63 | 0.61 | 0.36 | 0.36 | 0.36 | 0.81 | 2.30 | 6.44 | 242 | 146 |
| 比較例1 | 0.07 | 0.07 | 407 | 85.76 | 630 | 0.68 | 0.22 | 0.22 | 0.22 | 0.22 | 0.22 | 0.62 | 2.65 | 223 | 201 |
[表2]
| 添加量[g] | 固形物成分量[g] | 固形物成分比率 | |||||||||||
| 四 烷氧基 矽烷 | 三 烷氧基 矽烷 | 二 烷氧基 矽烷 | 全部矽烷單體 | 四 烷氧基 矽烷 | 三 烷氧基 矽烷 | 二 烷氧基 矽烷 | 全部矽烷單體 | 四 烷氧基 矽烷 | 三 烷氧基 矽烷 | 二 烷氧基 矽烷 | 全部矽烷單體 | ||
| TEOS | MTES | DMDES | TEOS | MTES | DMDES | TEOS | MTES | DMDES | |||||
| 實施例1 | 芳基系膦酸銅製備時 | 2.830 | 8.664 | 0.000 | 11.494 | 0.816 | 3.261 | 0.000 | 4.077 | 6.7% | 26.6% | 0.0% | 33.3% |
| 光吸收性組成物之最終製備時 | 5.660 | 10.840 | 4.896 | 21.396 | 1.632 | 4.080 | 2.448 | 8.161 | 13.3% | 33.3% | 20.0% | 66.7% | |
| 合計 | 8.490 | 19.504 | 4.896 | 32.890 | 2.449 | 7.341 | 2.448 | 12.238 | 20.0% | 60.0% | 20.0% | 100.0% | |
| 實施例2 | 芳基系膦酸銅製備時 | 2.830 | 8.664 | 0.000 | 11.494 | 0.816 | 3.261 | 0.000 | 4.077 | 10.0% | 40.0% | 0.0% | 50.0% |
| 光吸收性組成物之最終製備時 | 2.830 | 5.420 | 2.448 | 10.698 | 0.816 | 2.040 | 1.224 | 4.081 | 10.0% | 25.0% | 15.0% | 50.0% | |
| 合計 | 5.660 | 14.084 | 2.448 | 22.192 | 1.632 | 5.301 | 1.224 | 8.158 | 20.0% | 65.0% | 15.0% | 100.0% | |
| 實施例3 | 芳基系膦酸銅製備時 | 2.830 | 8.664 | 0.000 | 11.494 | 0.816 | 3.261 | 0.000 | 4.077 | 10.5% | 42.1% | 0.0% | 52.6% |
| 光吸收性組成物之最終製備時 | 0.000 | 0.000 | 7.344 | 7.344 | 0.000 | 0.000 | 3.673 | 3.673 | 0.0% | 0.0% | 47.4% | 47.4% | |
| 合計 | 2.830 | 8.664 | 7.344 | 18.838 | 0.816 | 3.261 | 3.673 | 7.750 | 10.5% | 42.1% | 47.4% | 100.0% | |
| 比較例1 | 芳基系膦酸銅製備時 | 2.830 | 8.664 | 0.000 | 11.494 | 0.816 | 3.261 | 0.000 | 4.077 | 20.0% | 80.0% | 0.0% | 100.0% |
[表3]
| 硬度之平均值[GPa] | 楊氏模數之平均值[GPa] | 霧度 | |
| 實施例1 | 0.020 | 0.87 | 0.34 |
| 實施例2 | 0.048 | 1.6 | 0.31 |
| 實施例3 | 0.028 | 1.1 | 0.13 |
| 比較例1 | 0.11 | 2.6 | 0.7 |
[表4]
| 光學特性 | |||||||||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | ||
| 於300〜350 nm之最大穿透率[%] | 於300〜360 nm之最大穿透率[%] | UV截止波長[nm] | 於450〜600 nm之平均穿透率[%] | IR截止波長[nm] | 於700〜750 nm之平均穿透率[%] | 於750〜1080 nm之最大穿透 率[%] | 於800〜950 nm之最大穿透率[%] | 於800〜1000 nm之最大穿透率[%] | 於800〜1050 nm之最大穿透率[%] | 於800~1100 nm之最大穿透率[%] | 於800〜1150 nm之最大穿透率[%] | 於800〜1200 nm之最大穿透率[%] | IR截止波長與UV截止波長之差[nm] | ||
| 實施例1 | 初始值 | 0.05 | 0.05 | 405 | 86.32 | 631 | 0.70 | 0.27 | 0.27 | 0.27 | 0.27 | 0.27 | 0.58 | 2.41 | 225 |
| 試驗後 | 0.01 | 0.01 | 410 | 86.02 | 632 | 0.62 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.42 | 1.81 | 222 | |
| 變化量 | 0.04 | 0.04 | 5 | 0.30 | 1 | 0.08 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.16 | 0.60 | 3 | |
| 實施例2 | 初始值 | 0.04 | 0.04 | 404 | 86.93 | 638 | 1.64 | 0.33 | 0.13 | 0.13 | 0.25 | 0.48 | 1.59 | 4.90 | 235 |
| 試驗後 | 0.05 | 0.05 | 409 | 86.84 | 638 | 1.43 | 0.27 | 0.25 | 0.25 | 0.25 | 0.37 | 1.24 | 4.14 | 230 | |
| 變化量 | 0.01 | 0.01 | 5 | 0.08 | 0 | 0.21 | 0.06 | 0.12 | 0.12 | 0.00 | 0.11 | 0.35 | 0.77 | 5 |
1a,1b:濾光器
10:光吸收層
20:透明介電基板
[圖1]係表示本發明之濾光器之一例之剖視圖。
[圖2]係表示本發明之濾光器之另一例之剖視圖。
[圖3]係實施例1之濾光器之穿透率光譜。
[圖4]係實施例2之濾光器之穿透率光譜。
[圖5]係實施例3之濾光器之穿透率光譜。
[圖6]係比較例1之濾光器之穿透率光譜。
[圖7]係耐濕試驗前後之實施例1之濾光器之穿透率光譜。
[圖8]係耐濕試驗前後之實施例2之濾光器之穿透率光譜。
1a:濾光器
10:光吸收層
Claims (7)
- 一種光吸收性組成物,其含有: 光吸收劑、 硬化性樹脂、及 烷氧基矽烷, 上述烷氧基矽烷包含二烷氧基矽烷, 上述烷氧基矽烷中之上述二烷氧基矽烷之含量係將上述烷氧基矽烷換算為完全水解縮合物,以質量基準計為15〜20%,且使用奈米壓痕儀並根據奈米壓痕法(連續剛度測定法)測定由上述光吸收性組成物之硬化物形成之光吸收層之一主面時,調節楊氏模數之平均值為2.00 GPa以下,且硬度之平均值為0.06 GPa以下, 具備上述光吸收層之濾光器在溫度85℃及相對濕度85%之環境下保管1000小時之耐濕試驗之前以及上述耐濕試驗之後,分別具有對於0°入射角之第1穿透率光譜及第2穿透率光譜,於上述第1穿透率光譜及第2穿透率光譜中,滿足下述(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)、及(viii), (i)於波長450 nm〜600 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之平均穿透率與於波長450 nm〜600 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之平均穿透率的差之絕對值之變化量ΔT 450-600為3點以下; (ii)於波長350 nm〜450 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之穿透率為50%之波長與於波長350 nm〜450 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之穿透率為50%之波長的差之絕對值之UV截止波長之變化量Δλuvc為5 nm以下,且於波長600 nm〜800 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之穿透率為50%之波長與於波長600 nm〜800 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之穿透率為50%之波長的差之絕對值之IR截止波長之變化量Δλirc為5 nm以下; (iii)於上述第1穿透率光譜中從上述IR截止波長減去上述UV截止波長而得之值與於上述第2穿透率光譜中從上述IR截止波長減去上述UV截止波長而得之值的差之絕對值之變化量Δλirc-uvc為10 nm以下; (iv)於波長300 nm〜350 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長300 nm〜350 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max300-350為1點以下; (v)於波長300 nm〜360 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長300 nm〜360 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max300-360為1點以下; (vi)於波長700 nm〜750 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之平均穿透率與於波長700 nm〜750 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之平均穿透率的差之絕對值之變化量ΔT AVE700-750為3點以下; (vii)於波長750 nm〜1080 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長750 nm〜1080 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max750-1080為3點以下; (viii)於波長800 nm〜950 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜950 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-950、 於波長800 nm〜1000 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜1000 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-1000、 於波長800 nm〜1050 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜1050 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-1050、 於波長800 nm〜1100 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜1100 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-1100、 於波長800 nm〜1150 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜1150 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-1150、及 於波長800 nm〜1200 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜1200 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-1200分別為3點以下。
- 如請求項1之光吸收性組成物,其中,上述二烷氧基矽烷具有:與矽原子鍵結之具有1〜6個碳原子之烴基或上述烴基中之至少一個氫原子被鹵素原子取代之鹵代烴基。
- 如請求項1或2之光吸收性組成物,其中,上述烷氧基矽烷進而包含四烷氧基矽烷及三烷氧基矽烷中之至少一個。
- 如請求項1或2之光吸收性組成物,其中,上述烷氧基矽烷進而包含四烷氧基矽烷及三烷氧基矽烷。
- 如請求項1或2之光吸收性組成物,其中,上述光吸收劑係由下述式(a)所表示之膦酸與銅離子形成, [式中,R 11係烷基、芳基、硝基芳基、羥基芳基、或芳基中之至少一個氫原子被鹵素原子取代之鹵代芳基]。
- 一種濾光器,其具備由請求項1至5中任一項之光吸收性組成物之硬化物形成之光吸收層。
- 一種濾光器,其具備含有光吸收劑及烷氧基矽烷之水解縮合物之光吸收層, 上述烷氧基矽烷包含二烷氧基矽烷, 上述烷氧基矽烷中之上述二烷氧基矽烷之含量係將上述烷氧基矽烷換算為完全水解縮合物,以質量基準計為15〜20%,且使用奈米壓痕儀並根據奈米壓痕法(連續剛度測定法)測定上述光吸收層之一主面時,楊氏模數之平均值為2.00 GPa以下,且硬度之平均值為0.06 GPa以下, 上述濾光器在溫度85℃及相對濕度85%之環境下保管1000小時之耐濕試驗之前以及上述耐濕試驗之後,分別具有對於0°入射角之第1穿透率光譜及第2穿透率光譜,於上述第1穿透率光譜及第2穿透率光譜中,滿足下述(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)、及(viii), (i)於波長450 nm〜600 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之平均穿透率與於波長450 nm〜600 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之平均穿透率的差之絕對值之變化量ΔT 450-600為3點以下; (ii)於波長350 nm〜450 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之穿透率為50%之波長與於波長350 nm〜450 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之穿透率為50%之波長的差之絕對值之UV截止波長之變化量Δλuvc為5 nm以下,且於波長600 nm〜800 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之穿透率為50%之波長與於波長600 nm〜800 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之穿透率為50%之波長的差之絕對值之IR截止波長之變化量Δλirc為5 nm以下; (iii)於上述第1穿透率光譜中從上述IR截止波長減去上述UV截止波長而得之值與於上述第2穿透率光譜中從上述IR截止波長減去上述UV截止波長而得之值的差之絕對值之變化量Δλirc-uvc為10 nm以下; (iv)於波長300 nm〜350 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長300 nm〜350 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max300-350為1點以下; (v)於波長300 nm〜360 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長300 nm〜360 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max300-360為1點以下; (vi)於波長700 nm〜750 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之平均穿透率與於波長700 nm〜750 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之平均穿透率的差之絕對值之變化量ΔT AVE700-750為3點以下; (vii)於波長750 nm〜1080 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長750 nm〜1080 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max750-1080為3點以下; (viii)於波長800 nm〜950 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜950 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-950、 於波長800 nm〜1000 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜1000 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-1000、 於波長800 nm〜1050 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜1050 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-1050、 於波長800 nm〜1100 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜1100 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-1100、 於波長800 nm〜1150 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜1150 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-1150、及 於波長800 nm〜1200 nm之範圍內之上述第1穿透率光譜之最大穿透率與於波長800 nm〜1200 nm之範圍內之上述第2穿透率光譜之最大穿透率的差之絕對值之變化量ΔT max800-1200分別為3點以下。
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