TWI902265B - 印刷電路板用銅箔及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種印刷電路板用銅箔及其製造方法,製造方法包括進行多段式電鍍製程,以依序形成金屬離型層、焦銅層及硫酸銅層,多段式電鍍製程包括金屬離型電鍍製程、焦磷酸銅電鍍製程及硫酸銅電鍍製程。
Description
本發明是有關於一種銅箔及其製造方法,且特別是有關於一種印刷電路板用銅箔及其製造方法。
超薄銅箔被大量用於電子、電工材料用的印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB),針對PCB細線路用的超薄銅箔產品,當超薄銅箔存在針孔時,針孔有可能覆蓋於PCB線路上,進而導致線路失效,因此,超薄銅箔必須為無針孔。先前技術中,在超薄銅箔的電鍍段通常為一段式電鍍,最多為兩段式電鍍。一段式電鍍的電鍍條件單一且無法更改,鍍層容易無法形成緻密且均勻層,因此,容易形成鍍層針孔。
基於上述,開發出一種用於超薄銅箔無針孔製程,以達到超薄銅箔無針孔,為本領域技術人員亟欲發展的目標。
本發明提供一種印刷電路板用銅箔及其製造方法,所述製造方法可製造出無針孔印刷電路板用超薄銅箔,以避免針孔導致的線路失效問題。
本發明的印刷電路板用銅箔的製造方法包括進行多段式電鍍製程,以依序形成金屬離型層、焦銅層及硫酸銅層,多段式電鍍製程包括金屬離型電鍍製程、焦磷酸銅電鍍製程及硫酸銅電鍍製程。
在本發明的一實施例中,金屬離型層的成分包括Ni、W、Zn、Mo、Co或其組合。
在本發明的一實施例中,金屬離型電鍍製程的電鍍條件為2 ASD至20 ASD,時間為2秒至20秒,金屬離型電鍍製程為2段至6段式電鍍,電鍍溫度為25℃至60℃。
在本發明的一實施例中,金屬離型層的厚度為10nm至300nm。
在本發明的一實施例中,焦銅層的厚度為10 nm至300 nm。
在本發明的一實施例中,焦銅層的配方為焦磷酸銅離子5 g/L至25 g/L,焦磷酸鉀100 g/L至300 g/L,NH
3OH調控pH為9至10。
在本發明的一實施例中,焦磷酸銅電鍍製程的電鍍條件為2 ASD至20 ASD,時間為2秒至20秒,焦磷酸銅電鍍製程為2段至6段式電鍍,電鍍溫度為25℃至60℃。
在本發明的一實施例中,硫酸銅層的配方為銅離子70 g/L至90 g/L,硫酸60 g/L至150 g/L。
在本發明的一實施例中,硫酸銅電鍍製程的電鍍條件為5 ASD至30 ASD,時間為2秒至20秒,硫酸銅電鍍製程為4段至8段式電鍍。
在本發明的一實施例中,硫酸銅層的厚度為1.5μm至3μm。
本發明的印刷電路板用銅箔由上述印刷電路板用銅箔的製造方法製成。
基於上述,本發明提供一種印刷電路板用銅箔及其製造方法,所述製造方法利用多段式電鍍製程,多段式電鍍製程包括金屬離型電鍍製程、焦磷酸銅電鍍製程及硫酸銅電鍍製程,如此一來,可使電鍍層緻密且均勻,以達到鍍層間無針孔產生。
以下,將詳細描述本發明的實施例。然而,這些實施例為例示性,且本發明揭露不限於此。
在本文中,由「一數值至另一數值」表示的範圍,是一種避免在說明書中一一列舉該範圍中的所有數值的概要性表示方式。因此,某一特定數值範圍的記載,涵蓋該數值範圍內的任意數值以及由該數值範圍內的任意數值界定出的較小數值範圍,如同在說明書中說明文寫出該任意數值和該較小數值範圍一樣。
本發明提供一種印刷電路板用銅箔的製造方法。包括進行多段式電鍍製程,以依序形成金屬離型層、焦銅層及硫酸銅層,多段式電鍍製程包括金屬離型電鍍製程、焦磷酸銅電鍍製程及硫酸銅電鍍製程。
在本實施例中,金屬離型層的成分可為多元成分組成,可包括Ni、W、Zn、Mo、Co或其組合。金屬離型電鍍製程的電鍍條件例如是2 ASD至20 ASD,時間例如是2秒至20秒,金屬離型電鍍製程例如是2段至6段式電鍍,電鍍溫度例如是25℃至60℃。焦銅層的配方例如是焦磷酸銅離子5 g/L至25 g/L,焦磷酸鉀100 g/L至300 g/L,NH
3OH調控pH例如是9至10。焦磷酸銅電鍍製程的電鍍條件例如是2 ASD至20 ASD,時間例如是2秒至20秒,焦磷酸銅電鍍製程例如是2段至6段式電鍍,電鍍溫度例如是25℃至60℃。硫酸銅層的配方例如是銅離子70 g/L至90 g/L,硫酸60 g/L至150 g/L。硫酸銅電鍍製程的電鍍條件例如是5 ASD至30 ASD,時間例如是2秒至20秒,硫酸銅電鍍製程例如是4段至8段式電鍍。金屬離型層的厚度例如是10nm至300nm,硫酸銅層的厚度例如是1.5μm至3μm。
在本實施例中,在進行多段式電鍍製程之前,可依序進行酸洗及鉻酸流程,在進行多段式電鍍製程之後,可依序進行粗化、鉻酸及矽烷處理。酸洗及鉻酸流程以及粗化、鉻酸及矽烷處理的製程條件均為習知條件,本領域技術人員可依實際操作情形調整。故在此不予贅述。更詳細而言,酸洗條件例如是硫酸90-110 g/L 10S;鉻酸條件例如是鉻 3-6 g/L 10S;粗化條件例如是Cu
+28-20 g/L 60ASD -80 ASD 2-3S,Cu
+240-60 g/L 10ASD -30 ASD 15-30S。耐熱金屬層含有Ni、W、Zn、Mo、Co,厚度例如是1 nm至5 nm。至於矽烷處理,則配合適當預浸材板(Prepreg)選用矽烷。
本發明也提供一種印刷電路板用銅箔,由上述印刷電路板用銅箔的製造方法製成,印刷電路板用銅箔依序包含金屬離型層、焦銅層及硫酸銅層。
以下,藉由實驗例來詳細說明上述實施例所提出的印刷電路板用銅箔及其製造方法。然而,下述實驗例並非用以限制本發明。
由下方表1可得知,實施例1至實施例4是採取本發明的印刷電路板用銅箔的製造方法,利用多段式電鍍製程,以形成具有金屬離型層、焦銅層及硫酸銅層的電鍍層,如此一來,可使電鍍層緻密且均勻,以達到鍍層間無針孔產生,製造出無針孔印刷電路板用超薄銅箔,進而避免針孔導致的線路失效問題。相較之下,比較例1及比較例2並非使用本發明的印刷電路板用銅箔的製造方法,因此,撕離力不均形成孔洞,產生針孔,進而可能產生針孔導致的線路失效問題。
表1
| 金屬離型(NiCo) | 焦銅層 | 硫酸銅層 | 針孔 | |
| 實施例1 | 0.5ASD 15S 2 ASD 15S | 0.6 ASD 15S 1.8 ASD 30S | 20ASD 19S 5 ASD 59 S | 零針孔 |
| 實施例2 | 0.5ASD 15S 1ASD 5S 0.5 ASD 5S | 0.6 ASD 15S 0.9ASD 15S 0.9ASD 15S | 20ASD 19S 5 ASD 59 S | 零針孔 |
| 實施例3 | 0.5ASD 15S 2 ASD 15S | 0.6 ASD 15S 0.9ASD 15S 0.9ASD 15S | 20ASD 19S 5 ASD 59 S | 零針孔 |
| 實施例4 | 0.5ASD 15S 2 ASD 15S | 0.6 ASD 15S 1.8 ASD 30S | 10ASD 19S 5 ASD 30 S 5 ASD 30S | 零針孔 |
| 比較例1 | 2ASD 1.5S | 0.6 ASD 15S 1.8 ASD 30S | 20ASD 38S | 撕離力不均形成孔洞 |
| 比較例2 | 0.5ASD 15S 2 ASD 15S | 0.6 ASD 15S | 20ASD 38S | 針孔數>300 孔/m2 |
綜上所述,本發明提供一種印刷電路板用銅箔及其製造方法,所述製造方法利用多段式電鍍製程,多段式電鍍製程包括金屬離型電鍍製程、焦磷酸銅電鍍製程及硫酸銅電鍍製程,以形成具有金屬離型層、焦銅層及硫酸銅層的電鍍層,如此一來,可使電鍍層緻密且均勻,以達到鍍層間無針孔產生,製造出無針孔印刷電路板用超薄銅箔,進而避免針孔導致的線路失效問題。
無
無
Claims (10)
- 一種印刷電路板用銅箔的製造方法,包括: 進行多段式電鍍製程,以依序形成金屬離型層、焦銅層及硫酸銅層, 其中所述多段式電鍍製程包括金屬離型電鍍製程、焦磷酸銅電鍍製程及硫酸銅電鍍製程, 其中所述硫酸銅電鍍製程的電鍍條件為5 ASD至30 ASD,時間為2秒至20秒,所述硫酸銅電鍍製程為4段至8段式電鍍。
- 如請求項1所述的印刷電路板用銅箔的製造方法,其中所述金屬離型層的成分包括Ni、W、Zn、Mo、Co或其組合。
- 如請求項1所述的印刷電路板用銅箔的製造方法,其中所述金屬離型電鍍製程的電鍍條件為2 ASD至20 ASD,時間為2秒至20秒,所述金屬離型電鍍製程為2段至6段式電鍍,電鍍溫度為25至60℃。
- 如請求項1所述的印刷電路板用銅箔的製造方法,其中所述金屬離型層的厚度為10nm至300nm。
- 如請求項1所述的印刷電路板用銅箔的製造方法,其中所述焦銅層的配方為焦磷酸銅離子5 g/L至25 g/L,焦磷酸鉀100 g/L至300 g/L,NH 3OH調控pH為9至10。
- 如請求項1所述的印刷電路板用銅箔的製造方法,其中所述焦銅層的厚度為10 nm至300 nm。
- 如請求項1所述的印刷電路板用銅箔的製造方法,其中所述焦磷酸銅電鍍製程的電鍍條件為2 ASD至20 ASD,時間為2秒至20秒,所述焦磷酸銅電鍍製程為2段至6段式電鍍,電鍍溫度為25至60℃。
- 如請求項1所述的印刷電路板用銅箔的製造方法,其中所述硫酸銅層的配方為銅離子70 g/L至90 g/L,硫酸60 g/L至150 g/L。
- 如請求項1所述的印刷電路板用銅箔的製造方法,其中所述硫酸銅層的厚度為1.5μm至3μm。
- 一種印刷電路板用銅箔,由如請求項1至請求項9中任一項所述的印刷電路板用銅箔的製造方法製成。
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