TWI901409B - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置包括驅動線路基板、發光元件、第一封裝層及第二封裝層。發光元件設置於驅動線路基板上，且與驅動線路基板電性連接。第一封裝層設置於驅動線路基板上，且具有多個反射微粒。第一封裝層包括第一部及第二部。第一部設置於驅動線路基板上，且由發光元件向外延展。第二部設置於第一部上且覆蓋發光元件的側壁。第二部的反射微粒的密度大於第一部的反射微粒的密度。第二封裝層設置於第一封裝層上且能吸光。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種光電裝置，且特別是有關於一種顯示裝置。

發光二極體顯示面板包括驅動線路基板及被轉置於驅動線路基板上的多個發光二極體元件。繼承發光二極體的特性，發光二極體顯示面板具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。此外，相較於有機發光二極體顯示面板，發光二極體顯示面板還具有色彩易調校、發光壽命長、無影像烙印等優勢。因此，發光二極體顯示面板被視為下一世代的顯示技術。

一般而言，為增加發光二極體元件的出光效率，可在驅動線路基板上形成反射膠層，以使發光二極體元件之朝向側邊發出的光束能被反射，進而出光。為使反射膠層能充分地反射發光二極體元件發出的光束，反射膠層需具有相當的厚度。然而，另一方面，反射膠層又不宜厚到超過發光二極體元件的頂面而影響出光。也就是說，反射膠層的厚度的均勻性要求相當高，而使得用以形成反射膠層的蝕刻製程裕度偏低，不利於量產製造。

本發明一實施例提供一種顯示裝置，其第一封裝層的製程裕度大。

本發明的顯示裝置包括驅動線路基板、發光元件、第一封裝層及第二封裝層。發光元件設置於驅動線路基板上，且與驅動線路基板電性連接。第一封裝層設置於驅動線路基板上，且具有多個反射微粒。第一封裝層包括第一部及第二部。第一部設置於驅動線路基板上，且由發光元件向外延展。第二部設置於第一部上且覆蓋發光元件的側壁。第二部的反射微粒的密度大於第一部的反射微粒的密度。第二封裝層設置於第一封裝層上且能吸光。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。

本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1為本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。圖2為利用電子顯微鏡拍攝之本發明一實施例之顯示裝置的發光元件及第一封裝層的照片。

請參照圖1，顯示裝置10包括驅動線路基板110，具有子畫素驅動結構。在一些實施例中，子畫素驅動結構可包括一子畫素驅動電路（未繪示）及電性連接至子畫素驅動電路的一接墊組G112，其中接墊組G112包括至少一接墊112。

舉例而言，在一些實施例中，子畫素驅動電路可包括一第一電晶體（未繪示）、一第二電晶體（未繪示）及一電容（未繪示），其中第一電晶體的第一端電性連接至對應的一資料線（未繪示），第一電晶體的控制端電性連接至對應的一掃描線（未繪示），第一電晶體的第二端電性連接至第二電晶體的控制端，第二電晶體的第一端電性連接至對應的一電源線（未繪示），電容電性連接至第一電晶體的第二端及第二電晶體的第一端，第二電晶體的第二端電性連接到對應之一接墊組G112的一接墊112，且接墊組G112的另一接墊112電性連接至一共用線。然而，本發明不以此為限，在其它實施例中，子畫素驅動電路也可以是其它形式的電路。

請參照圖1，顯示裝置10更包括發光元件120，設置於驅動線路基板110上，且與驅動線路基板110電性連接。詳細而言，在一些實施例中，發光元件120接合至驅動線路基板110的接墊組G112，且透過接墊組G112電性連接至驅動線路基板110的子畫素驅動電路（未繪示）。發光元件120具有一發光層122。舉例而言，在一些實施例中，發光元件120可以是微型發光二極體（μLED），而發光層122可以是位於微型發光二極體的第一型半導體層（未標示）與第二型半導體層（未標示）之間的一主動層。

請參照圖1及圖2，顯示裝置10更包括第一封裝層130，設置於驅動線路基板110上，且具有多個反射微粒130p。第一封裝層130更具有第一封裝材130g，而多個反射微粒130p分佈於第一封裝材130g中。在一些實施例中，反射微粒130p例如是二氧化鈦（TiO ₂）微粒，第一封裝層130例如是由白膠固化而成，但本發明不以此為限。

第一封裝層130包括第一部132及第二部134。第一部132設置於驅動線路基板110上且由發光元件120向外延展。第二部134設置於第一部132上且覆蓋發光元件120的側壁120s。在一些實施例中，第一封裝層130的第一部132大致上位於發光元件120的發光層122以下，第一封裝層130的第二部134大致上位於發光層122旁及發光層122以上，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一封裝層130的第一部132大致上佔滿驅動線路基板110之位於發光元件120正下方的區域以及驅動線路基板110之未被發光元件120占據的區域，第一封裝層130的第二部134圍繞在發光元件120的周圍而覆蓋發光元件120的側壁120s。在一些實施例中，第二部134可具有相對於驅動線路基板110傾斜的斜面134a。

在一些實施例中，第一封裝層130的第二部134可高於發光元件120的發光層122。在一些實施例中，發光元件120具有背向驅動線路基板110的頂面120a，第一封裝層130未覆蓋發光元件120的頂面120a。也就是說，在一些實施例中，第一封裝層130未覆蓋發光元件120的主要的出光面。

值得注意的是，第一封裝層130的第二部134的多個反射微粒130p的一密度大於第一部132的多個反射微粒130p的密度。舉例而言，在一些實施例中，第一封裝層130的第二部134的多個反射微粒130p的密度大於40%，第一封裝層130的第一部132的多個反射微粒130p的密度小於40%，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一封裝層130的第一部132的多個反射微粒130p的密度可指：在第一封裝層130的剖面中，位於第一部132中的多個反射微粒130p的面積和與第一封裝層130之第一部132（含第一封裝材130g及多個反射微粒130p）的面積的比值；第一封裝層130的第二部134的多個反射微粒130p的密度可指：在第一封裝層130的剖面中，位於第二部134中的多個反射微粒130p的面積和與第一封裝層130之第二部134的面積的比值。

在一些實施例中，可透過蝕刻製程參數的調整形成具有特殊之第二部134的第一封裝層130。調整蝕刻製程參數可使第一封裝層130的第二部134包覆發光元件120，此方式可增加用以製作第一封裝層130的蝕刻製程裕度（margin）。

請參照圖1，在一些實施例中，發光元件120的頂面120a至發光元件120的發光層122的距離D1例如是5μm，發光元件120的頂面120a至接墊112的距離D2例如是7μm，而第一封裝層130的第一部132的厚度T132例如是落在1μm~3μm的範圍，但本發明不以此為限。

請參照圖1，顯示裝置10更包括第二封裝層140，設置於第一封裝層130上，且能吸光。發光元件120的頂面120a高於第二封裝層140。在一些實施例中，第二封裝層140包括第二封裝材（未繪示）及分佈於第二封裝材中多個吸光微粒（未繪示）。在一些實施例中，吸光微粒例如是碳黑微粒，第二封裝層140例如是由黑膠固化而成，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第二封裝層140的厚度T140例如是落在2μm~4μm的範圍，但本發明不以此為限。

圖3示出本發明一實施例之第一封裝層的表面的高低起伏狀況。圖4示出本發明一實施例之第二封裝層的表面的高低起伏狀況。請參照圖1、圖3及圖4，在一些實施例中，第一封裝層130的表面130a的表面粗糙度大於第二封裝層140的表面140a的表面粗糙度。舉例而言，在一些實施例中，第一封裝層130的表面130a可為一凹凸不平的粗糙表面，第一封裝層130之凹凸不平的粗糙表面的高低差ΔH1可落在 的範圍；第二封裝層140的表面140a可為一凹凸不平的粗糙表面，第二封裝層140之凹凸不平的粗糙表面的高低差ΔH2可落在 的範圍，但本發明不以此為限。

請參照圖1，在一些實施例中，顯示裝置10更包括透光封裝層150，覆蓋第二封裝層140及發光元件120。在一些實施例中，透光封裝層150可為一透明膠層。發光元件120位於透光封裝層150與第一封裝層130之間。第二封裝層140位於透光封裝層150與第一封裝層130之間。在一些實施例中，第一封裝層130的第二部134可能凸出於第二封裝層140，而透光封裝層150可接觸於第一封裝層130的第二部134，但本發明不以此為限。在一些實施例中，透光封裝層150的厚度T150例如約是30μm，但本發明不以此為限。

10:顯示裝置 110:驅動線路基板 112:接墊 120:發光元件 120a:頂面 120s:側壁 122:發光層 130:第一封裝層 130a、140a:表面 130g:第一封裝材 130p:反射微粒 132:第一部 134:第二部 134a:斜面 140:第二封裝層 150:透光封裝層 D1、D2:距離 G112:接墊組 T132、T140、T150:厚度 ΔH1、ΔH2:高低差

圖1為本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。 圖2為利用電子顯微鏡拍攝之本發明一實施例之顯示裝置的發光元件及第一封裝層的照片。 圖3示出本發明一實施例之第一封裝層的表面的高低起伏狀況。 圖4示出本發明一實施例之第二封裝層的表面的高低起伏狀況。

10:顯示裝置

110:驅動線路基板

112:接墊

120:發光元件

120a:頂面

120s:側壁

122:發光層

130:第一封裝層

130a、140a:表面

132:第一部

134:第二部

134a:斜面

140:第二封裝層

150:透光封裝層

D1、D2:距離

G112:接墊組

T132、T140、T150:厚度

Claims (10)

1. 一種顯示裝置，包括：一驅動線路基板；一發光元件，設置於該驅動線路基板上，且與該驅動線路基板電性連接；一第一封裝層，設置於該驅動線路基板上，且具有多個反射微粒，其中該第一封裝層包括：一第一部，設置於該驅動線路基板上，且由該發光元件向外延展；以及一第二部，設置於該第一部上，且覆蓋該發光元件的一側壁，其中該第二部的該些反射微粒的一密度大於該第一部的該些反射微粒的一密度；以及一第二封裝層，設置於該第一封裝層上，且能吸光。
2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第二部的該些反射微粒的該密度大於40%，且該第一部的該些反射微粒的該密度小於40%。
3. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一封裝層之凹凸不平的一粗糙表面的一高低差大於該第二封裝層之凹凸不平的一粗糙表面的一高低差。
4. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一封裝層的該第二部凸出於該第二封裝層。
5. 如請求項4所述的顯示裝置，更包括：一透光封裝層，覆蓋該第二封裝層及該發光元件，且接觸於該第一封裝層的該第二部。
6. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一封裝層之凹凸不平的一粗糙表面的一高低差落在±2μm的範圍。
7. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第二封裝層之凹凸不平的一粗糙表面的一高低差落在的範圍。
8. 如請求項1所述的顯示裝置，更包括：一透光封裝層，覆蓋該第二封裝層及該發光元件。
9. 如請求項8所述的顯示裝置，其中該第一封裝層的該第二部凸出於該第二封裝層，且該透光封裝層接觸於該第一封裝層的該第二部。
10. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一封裝層的該第二部高於該發光元件的一發光層。