[go: up one dir, main page]

TWI765491B - 顯示基板及其製備方法、顯示裝置 - Google Patents

顯示基板及其製備方法、顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI765491B
TWI765491B TW109145944A TW109145944A TWI765491B TW I765491 B TWI765491 B TW I765491B TW 109145944 A TW109145944 A TW 109145944A TW 109145944 A TW109145944 A TW 109145944A TW I765491 B TWI765491 B TW I765491B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
substrate
sub
emitting elements
adjustment layer
Prior art date
Application number
TW109145944A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202136873A (zh
Inventor
李健
陳振彰
王世鵬
李沛
曹鵬軍
李金鵬
王志遠
張騰
Original Assignee
中國商京東方科技集團股份有限公司
中國商北京京東方顯示技術有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 中國商京東方科技集團股份有限公司, 中國商北京京東方顯示技術有限公司 filed Critical 中國商京東方科技集團股份有限公司
Publication of TW202136873A publication Critical patent/TW202136873A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI765491B publication Critical patent/TWI765491B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/853Encapsulations characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/854Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856Reflecting means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H10W90/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0362Manufacture or treatment of packages of encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明實施例公開了一種顯示基板及顯示裝置,涉及顯示技術領域,用於在提高顯示基板的對比度的同時,降低顯示基板的功耗,並提高顯示基板的表面一致性。該顯示基板包括:第一襯底、多個發光元件、光線調節層以及第二襯底。所述多個發光元件設置在所述第一襯底的一側,所述多個發光元件相互間隔設置。所述光線調節層位於所述多個發光元件之間的間隙內、以及所述多個發光元件遠離所述襯底的一側表面上,以使至少一個發光元件被所述光線調節層包圍。所述光線調節層的材料包括吸光材料,被配置為對射向至所述光線調節層的至少一部分光線進行吸收。所述第二襯底覆蓋所述光線調節層。本發明提供的顯示基板及顯示裝置用於進行灰階顯示。

Description

顯示基板及其製備方法、顯示裝置
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板及其製備方法、顯示裝置。
次毫米發光二極體(Mini Light Emitting Diode,簡稱Mini LED)和微型發光二極體(Micro Light Emitting Diode,簡稱Micro LED)因具有自發光、高效率、高亮度、高可靠度、節能及反應速度快等諸多優點,被應用至微顯示、手機電視等中等尺寸顯示到影院大螢幕顯示等領域中。
本發明實施例的目的在於提供一種顯示基板及顯示裝置,用於在提高顯示基板的對比度的同時,降低顯示基板的功耗,並提高顯示基板的表面一致性。
為達到上述目的,本發明實施例提供了如下技術方案:
本發明實施例的第一方面提供了一種顯示基板。所述顯示基板包括:第一襯底、多個發光元件、光線調節層以及第二襯底。所述多個發光元件設置在所述第一襯底的一側,所述多個發光元件相互間隔設置。所述光線調節層位於所述多個發光元件之間的間隙內、以及所述多個發光元件遠離所述第一襯底的一側表面上,以使至少一個發光元件被所述光線調節層包圍。所述光線調節層的材料包括吸光材料,被配置為對射向至所述光線調節層的至少一部分光線進行吸收。所述第二襯底覆蓋所述光線調節層。
本發明實施例提供的顯示基板,透過在多個發光元件之間的間隙內、及多個發光元件遠離第一襯底的一側表面上設置光線調節層,並在光線調節層遠離第一襯底的一側覆蓋第二襯底,這樣不僅可以利用光線調節層對多個發光元件形成保護,利用第二襯底對光線調節層進行保護,還可以利用光線調節層對射向至光線調節層的至少一部分光線進行吸收,在提高顯示基板的對比度的同時,相比相關技術降低顯示基板的功耗。此外,由於光線調節層和第二襯底是採用例如壓合程序壓合在形成有多個發光元件的第一襯底上的,相比相關技術可以避免對光線調節層進行研磨,節省程序,同時能夠使得顯示基板的表面具有較高一致性。
在一些實施例中,所述光線調節層包括:第一子光線調節層和第二子光線調節層。所述第一子光線調節層位於所述多個發光元件之間的間隙內。相對於所述第一襯底,所述第一子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,與所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面持平,或者,高於或低於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面。所述第一子光線調節層的材料包括吸光材料,被配置為對射向至所述第一子光線調節層的至少一部分光線進行吸收。所述第二子光線調節層設置在所述第一子光線調節層遠離所述第一襯底的一側。相對於所述第一襯底,所述第二子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,高於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面。所述第二子光線調節層為透明薄膜。
在一些實施例中,在相對於所述第一襯底,所述第一子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,低於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面的情況下,所述第二子光線調節層包括第一部分和第二部分。所述第一部分在所述第一襯底上的正投影與所述多個發光元件在所述第一襯底上的正投影重合,所述第二部分在所述第一襯底上的正投影與所述第一子光線調節層在所述第一襯底上的正投影重合。所述第一部分的厚度範圍為20μm~100μm。所述第二部分的厚度範圍為50μm~100μm。
在一些實施例中,所述第二子光線調節層的折射率大於所述第二襯底的折射率。
在一些實施例中,所述第一子光線調節層遠離所述第一襯底的表面與所述第一襯底之間的間距,為所述多個發光元件的厚度的80%~120%。
在一些實施例中,所述光線調節層還包括:位於所述多個發光元件之間的間隙內、且設置在所述第一子光線調節層與所述第一襯底之間的第三子光線調節層。相對於所述第一襯底,所述第三子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,與所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面持平,或者,低於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面。所述第三子光線調節層的材料包括反光材料,被配置為將由所述多個發光元件入射至所述第三子光線調節層中的光線反射回所述多個發光元件中。
在一些實施例中,所述光線調節層包括:第一子光線調節層和第三子光線調節層。所述第三子光線調節層位於所述多個發光元件之間的間隙內。相對於所述第一襯底,所述第三子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,與所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面持平,或者,低於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面。所述第三子光線調節層的材料包括反光材料,被配置為將由所述多個發光元件入射至所述第三子光線調節層中的光線反射回所述多個發光元件中。所述第一子光線調節層設置在所述第三子光線調節層遠離所述第一襯底的一側。相對於所述第一襯底,所述第一子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,高於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面。所述第一子光線調節層的材料包括吸光材料,被配置為對射向至所述第一子光線調節層的至少一部分光線進行吸收。
在一些實施例中,所述第三子光線調節層的反射率大於或等於70%。
在一些實施例中,每個發光元件包括:第三襯底;以及,設置在所述第三襯底一側的發光層。所述發光層相對於所述第三襯底靠近所述第一襯底。
在一些實施例中,在所述光線調節層包括第二子光線調節層的情況下,所述第三襯底的折射率大於所述第二子光線調節層的折射率。
在一些實施例中,在所述光線調節層包括第三子光線調節層的情況下,相對於所述第一襯底,所述第三子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,高於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面。
在一些實施例中,在所述光線調節層包括所述第一子光線調節層的情況下,所述第一子光線調節層的材料包括摻雜有吸光材料的亞克力膠。在所述光線調節層包括第二子光線調節層的情況下,所述第二子光線調節層的材料包括亞克力膠。在所述光線調節層包括第三子光線調節層的情況下,所述第三子光線調節層的材料包括摻雜有反光材料的亞克力膠。
在一些實施例中,所述第二襯底遠離所述第一襯底的一側表面設置有多個微結構。所述多個微結構被配置為,使來自所述多個發光元件並穿過所述第二襯底的至少一部分光線的傳播方向發生改變。
在一些實施例中,所述多個微結構的表面形狀包括棱錐、楔形、弧面和球面中的至少一種。
本發明實施例的第二方面提供了一種顯示基板的製備方法。所述顯示基板的製備方法包括:提供第一襯底,在所述第一襯底的一側設置相互間隔的多個發光元件。提供第二襯底,採用吸光材料,在所述第二襯底的一側形成光線調節層。採用壓合程序,對形成有所述多個發光元件的第一襯底和形成有所述光線調節層的第二襯底進行壓合,使所述多個發光元件嵌入所述光線調節層內,並使所述光線調節層的一部分陷入所述多個發光元件之間的間隙內,另一部分位於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的一側表面上。
本發明實施例提供的顯示基板的製備方法所能實現的有益效果,與上述技術方案提供的顯示基板所能達到的有益效果相同,在此不做贅述。
在一些實施例中,所述壓合程序包括真空壓合程序或滾壓程序。
本發明實施例的協力廠商面提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置,包括:如上述任一實施例中所述的顯示基板。
本發明實施例提供的顯示裝置所能實現的有益效果,與上述技術方案提供的顯示基板所能達到的有益效果相同,在此不做贅述。
下面將結合附圖,對本發明一些實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本發明所提供的實施例,本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例,都屬於本發明保護的範圍。
除非上下文另有要求,否則,在整個說明書和請求項中,術語“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人稱單數形式“包括(comprises)”和現在分詞形式“包括(comprising)”被解釋為開放、包含的意思,即為“包含,但不限於”。在說明書的描述中,術語“一個實施例(one embodiment)”、“一些實施例(some embodiments)”、“示例性實施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明與該實施例或示例相關的特定特徵、結構、材料或特性包括在本發明的至少一個實施例或示例中。上述術語的示意性表示不一定是指同一實施例或示例。此外,所述的特定特徵、結構、材料或特點可以以任何適當方式包括在任何一個或多個實施例或示例中。
以下,術語“第一”、“第二”僅用於描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此,限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特徵。在本發明實施例的描述中,除非另有說明,“多個”的含義是兩個或兩個以上。
在描述一些實施例時,可能使用了“連接”及其衍伸的表達。例如,描述一些實施例時可能使用了術語“連接”以表明兩個或兩個以上部件彼此間有直接物理接觸或電接觸。
“A、B和C中的至少一個”與“A、B或C中的至少一個”具有相同含義,均包括以下A、B和C的組合:僅A,僅B,僅C,A和B的組合,A和C的組合,B和C的組合,及A、B和C的組合。
“A和/或B”,包括以下三種組合:僅A,僅B,及A和B的組合。
本文中“被配置為”的使用意味著開放和包容性的語言,其不排除適用於或被配置為執行額外任務或步驟的設備。
另外,“基於”的使用意味著開放和包容性,因為“基於”一個或多個所述條件或值的過程、步驟、計算或其他動作在實踐中可以基於額外條件或超出所述的值。
如本文所使用的那樣,“約”或“近似”包括所闡述的值以及處於特定值的可接受偏差範圍內的平均值,其中所述可接受偏差範圍如由本領域普通技術人員考慮到正在討論的測量以及與特定量的測量相關的誤差(即,測量系統的局限性)所確定。
本文參照作為理想化示例性附圖的剖視圖和/或平面圖描述了示例性實施方式。在附圖中,為了清楚,放大了層和區域的厚度。因此,可設想到由於例如製造技術和/或公差引起的相對於附圖的形狀的變動。因此,示例性實施方式不應解釋為局限於本文示出的區域的形狀,而是包括因例如製造而引起的形狀偏差。例如,示為矩形的蝕刻區域通常將具有彎曲的特徵。因此,附圖中所示的區域本質上是示意性的,且它們的形狀並非旨在示出設備的區域的實際形狀,並且並非旨在限制示例性實施方式的範圍。
在相關技術中,Mini LED或Micro LED能夠發出多種顏色的光,例如紅色、綠色、藍色或黃色等。Mini LED或Micro LED可以作為畫素畫素,應用到顯示基板中進行顯示。
如圖1所示,以應用有多個Mini LED 2'的顯示基板為例。在相關技術中,通常會在該多個Mini LED 2'之間的間隙內以及該多個Mini LED 2'的表面塗覆黑膠,並採用研磨程序對該黑膠進行研磨,使得黑膠中位於多個Mini LED 2'表面的部分的厚度為所需厚度。這樣可以利用研磨後的黑膠提高顯示裝置的對比度。此處,受研磨程序的限制,目前僅能將黑膠中位於多個Mini LED 2'表面的部分的厚度研磨至40μm~50μm。
如黑膠的厚度大於Mini LED 2'的厚度,在顯示基板所顯示的亮度與未設置黑膠時的亮度相同的情況下,需要提供更大的驅動電壓,會使得顯示基板的功耗增大。此外,當黑膠的材質為摻雜有黑色顆粒的矽膠,在對黑膠進行研磨的過程中,黑色顆粒可能會從矽膠中崩離脫落,導致研磨後的黑膠的表面凹凸不平,對顯示基板的外觀效果可能會產生影響。
如圖2所示,本發明的一些實施例提供了一種顯示基板100。如圖3~圖9所示,該顯示基板100包括:第一襯底1、設置在第一襯底1一側的多個發光元件2、光線調節層3以及第二襯底4。
在一些示例中,如圖13所示,顯示基板100具有呈陣列狀排列的多個子畫素區域S。
上述多個發光元件2的設置方式包括多種。例如,每個子畫素區域S中設置有一個發光元件2,此時,該一個發光元件2用於進行相應子畫素區域S中子畫素的顯示。又如,每個子畫素區域S內設置有多個發光元件2,共同用於進行顯示。
下面本發明的一些實施例以每個子畫素區域S中設置有一個發光元件2為例,對顯示基板100的結構進行示意性說明。
在一些示例中,如圖12所示,上述第一襯底1包括襯底基板11,多個畫素驅動電路、多條電極引線13以及多個焊點。其中,該多個焊點包括多個陽極焊點15和多個陰極焊點14。
此處,襯底基板11的類型可以包括多種。
示例性的,襯底基板11可以為剛性襯底基板,例如玻璃襯底基板或PMMA(Polymethyl methacrylate,聚甲基丙烯酸甲酯)襯底基板。在襯底基板1採用玻璃襯底基板的情況下,有利於提高設置在其一側的線路(例如多個畫素驅動電路和多條電極引線13)的精度。
示例性的,襯底基板11可以為柔性襯底基板,例如PET(Polyethylene terephthalate,聚對苯二甲酸乙二醇酯)襯底基板、PEN(Polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester,聚萘二甲酸乙二醇酯)襯底基板或PI(Polyimide,聚醯亞胺)襯底基板。
上述多個畫素驅動電路的設置方式與發光元件2的設置方式相關。例如,該多個畫素驅動電路設置在襯底基板11一側,在每個子畫素區域S中設置有一個發光元件2的情況下,多個畫素驅動電路分別位於上述多個子畫素區域S內。
此處,畫素驅動電路的結構可以包括多種。示例性的,畫素驅動電路的結構可以包括“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等結構。此處,“T”表示為薄膜電晶體,位於“T”前面的數字表示為薄膜電晶體的數量,“C”表示為儲存電容器,位於“C”前面的數位表示為儲存電容器的數量。每種結構的畫素驅動電路所包括的多個薄膜電晶體中,有一個薄膜電晶體為驅動電晶體。
上述多條電極引線13與上述多個畫素驅動電路位於襯底基板11的同一側。該多條電極引線13的設置方式與發光元件2的設置方式相關。
示例性的,每條電極引線13可以設置在一列子畫素區域S中,其延伸方向可以平行(或大約平行)於該列子畫素區域S的延伸方向。或者,如圖13所示,每條電極引線13可以設置在一行子畫素區域S中,其延伸方向也可以平行(或大約平行)於該行子畫素區域S的延伸方向。也即,每列子畫素區域S或每行子畫素區域S中所設置的電極引線13的數量,與該列子畫素區域S或該行子畫素區域S中各子畫素區域S中所設置的發光元件2的數量相同。
如圖12所示,上述多個焊點設置在多個畫素驅動電路和多條電極引線13遠離襯底基板11一側。
多個焊點的設置方式與發光元件2的設置方式及結構相關。
示例性的,每個發光元件2例如可以為Mini LED或Micro LED,該Mini LED或Micro LED均具有兩個電極引腳(例如陰極電極引腳以及陽極電極引腳)。此時,如圖13所示,在每個子畫素區域S中,可以設置有一個陰極焊點14和一個陽極焊點15。同一子畫素區域S中,陽極焊點15可以與畫素驅動電路電連接(例如與圖12中所示的驅動電晶體12電連接),陰極焊點14可以與電極引線13電連接。這樣發光元件2的陰極電極引腳可以插入同一個子畫素區域S中的陰極焊點14內,陽極電極引腳可以插入同一個子畫素區域S中的陽極焊點15內,實現發光元件2與畫素驅動電路和電極引線14之間的電連接。
此處,畫素驅動電路被配置為,為發光元件2提供驅動電壓;電極引線13被配置為,為發光元件2提供公共電壓。這樣,在畫素驅動電路和電極引線13之間的配合下,便可以控制發光元件2的發光狀態,進而使得顯示基板100實現灰階顯示。
當然,本發明實施例除了採用上述驅動方式對多個發光元件2進行驅動以外,還可以採用其他的驅動方式。例如,本發明實施例還可以採用被動驅動的方式或IC(Integrated Circuit,積體電路)驅動的方式對多個發光元件2進行驅動。
在一些示例中,如圖2所示,上述多個發光元件2相互間隔設置,也就使得多個發光元件2之間具有間隙。如圖3~圖9所示,上述光線調節層3位於該多個發光元件2之間的間隙內、以及該多個發光元件2遠離第一襯底1的一側表面上,以使至少一個發光元件2被光線調節層3包圍。
此處,光線調節層3對至少一個發光元件2形成“包圍”,也即,光線調節層與至少一個發光元件2的側面、以及遠離第一襯底1的一側的表面之間較為緊密地接觸,光線調節層對至少一個發光元件2的側面、以及遠離第一襯底1的一側的表面形成了較為完全地覆蓋。這樣不僅可以對該至少一個發光元件2的表面形成保護,確保該至少一個發光元件2的品質,還可以將該至少一個發光元件2較為穩定的固定在第一襯底1上,避免發光元件2產生鬆動難以與第一襯底1良好電連接,進而確保顯示基板100的良好顯示效果。
在一些示例中,光線調節層3的材料包括吸光材料,被配置為對射向至光線調節層3的至少一部分光線進行吸收。
此處,射向至光線調節層3的光線包括:由外界射向至光線調節層3的光線,以及多個發光元件2所發出的光線。
由於由外界射向至光線調節層3的光線的面積,與光線調節層3的遠離第一襯底1一側的表面的面積基本相同,因此,由外界射向至光線調節層3的光線基本上能夠全部被光線調節層3吸收。這樣在顯示基板100進行顯示的過程中,可以利用光線調節層3減少由外界射向至顯示基板100並被第一襯底1和/或多個發光元件2所射的光線的量,在顯示基板100表現為暗態(即發光元件不出光)的情況下,可以使得顯示基板100的顯示面處於更黑的狀態,有效提高顯示基板100的對比度。
由於發光元件2所發出的光線的傳播方向基本為任意方向,這樣在發光元件2所發出的光線射向至光線調節層3時,光線調節層3的材料包括吸光材料的部分可以對光線進行吸收,而不包括吸光材料的部分則可以使得光線較為順利的穿過。這樣使得光線調節層3僅對發光元件2所發出的光線的一部分進行吸收,相比相關技術,減少了光線調節層3對發光元件2所發出光線的吸收的量,有利於降低顯示基板100的功耗。
在一些示例中,如圖3~圖9所示,第二襯底4覆蓋光線調節層3。
示例性的,第二襯底4可以為PET襯底。該PET襯底具有較好的塑性以及較高的透明度,這樣可以確保該PET襯底具有良好的光線透過率,減少或避免對穿過PET襯底的光線產生損耗。
在本示例中,光線調節層3形成在第二襯底4的一側,然後採用例如壓合程序將光線調節層3和第二襯底4壓合在形成有多個發光元件2的第一襯底1上。這樣相比相關技術,不僅可以避免對光線調節層3進行研磨,使得光線調節層3遠離第一襯底1的一側表面為較為平整的表面,還可以利用第二襯底4對光線調節層3形成保護,避免光線調節層3遠離第一襯底1的一側表面受到損傷,並使得顯示基板100的表面色度具有較高一致性的表面。
由此,本發明的一些實施例所提供的顯示基板100,透過在多個發光元件2之間的間隙內、及多個發光元件2遠離第一襯底1的一側表面上設置光線調節層3,並在光線調節層3遠離第一襯底1的一側覆蓋第二襯底4,這樣不僅可以利用光線調節層3對多個發光元件2形成保護,利用第二襯底4對光線調節層3進行保護,還可以利用光線調節層3對射向至光線調節層3的至少一部分光線進行吸收,在提高顯示基板100的對比度的同時,相比相關技術降低顯示基板100的功耗。此外,由於光線調節層3和第二襯底4是採用例如壓合程序壓合在形成有多個發光元件2的第一襯底1上的,相比相關技術可以避免對光線調節層3進行研磨,節省程序,同時能夠使得顯示基板100的表面具有較高一致性。
本發明的一些實施例中,光線調節層3的結構包括多種,顯示基板100中所採用的光線調節層3的結構的種類,可以根據實際需要選擇設置。下面對光線調節層3的結構進行示意性說明。
在一些實施例中,如圖4所示,光線調節層3包括:位於多個發光元件2之間的間隙內的第一子光線調節層31,以及設置在第一子光線調節層31遠離第一襯底1一側的第二子光線調節層32。
在一些示例中,第一子光線調節層31與多個發光元件2之間的位置關係包括多種,其與多個發光元件2的結構相關。
示例性的,多個發光元件2包括Mini LED。第一子光線調節層31與多個發光元件2之間的位置關係可以為:相對於第一襯底1,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面,與多個發光元件2遠離第一襯底1的表面持平,或者,如圖4所示,低於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面。此時,第一子光線調節層31全部位於多個發光元件2之間的間隙內,第一子光線調節層31也便覆蓋了多個發光元件2的側面的至少一部分。
此處,由於第一子光線調節層31全部位於多個發光元件2之間的間隙內,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面與第一襯底1之間的間距,即為第一子光線調節層31的厚度。第一子光線調節層31的厚度,可以為多個發光元件2的厚度(也即多個發光元件2在垂直於第一襯底1的方向上的尺寸)的80%~100%。例如,多個發光元件2的厚度可以為100μm,則第一子光線調節層31的厚度可以為80μm~100μm。例如,多個發光元件2的厚度可以為150μm,則第一子光線調節層31的厚度可以為120μm~150μm。第一子光線調節層31的具體厚度可以根據實際需要選擇設置。
示例性的,多個發光元件2包括Mini LED或Micro LED。第一子光線調節層31與多個發光元件2之間的位置關係還可以為:相對於第一襯底1,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面,高於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面。此時,第一子光線調節層31的一部分位於多個發光元件2之間的間隙內,另一部分位於多個發光元件2的遠離第一襯底1的一側表面上,第一子光線調節層31也便覆蓋了多個發光元件2的裸露的表面(包括多個發光元件2的側面、及遠離第一襯底1的一側表面)。
此處,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面與第一襯底1之間的間距,可以大於多個發光元件2的厚度,並小於或等於多個發光元件2的厚度的120%。
本示例以多個發光元件2包括Micro LED為例。其中,Micro LED的厚度一般比較小,例如厚度可以在10μm以下。考慮到第一子光線調節層31的製備程序,在第一子光線調節層31的厚度較薄的情況下,製備形成的第一子光線調節層31的厚度可以約為10μm左右。這樣相對於第一襯底1,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面,則會高於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面。例如,發光元件2的厚度可以為10μm,則第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面與第一襯底1之間的間距可以大於10μm,並小於或等於12μm。第一子光線調節層31的具體厚度可以根據實際需要選擇設置。
需要說明的是,第一子光線調節層31還覆蓋了第一襯底1位於多個發光元件2之間的間隙的部分,在第一子光線調節層31和第一襯底1之間具有較大附著力的情況下,可以利用第一子光線調節層31增強多個發光元件2與第一襯底1之間的連線性,使得多個發光元件2能夠更為牢固地固定在第一襯底1上。
在一些示例中,第一子光線調節層31的材料包括吸光材料,被配置為對射向至第一子光線調節層31的至少一部分光線進行吸收。這樣可以利用第一子光線調節層31對由外界射向至第一子光線調節層31的光線進行吸收,削弱甚至避免該光線被第一襯底1和/或多個發光元件2反射,在顯示基板100表現為暗態(即發光元件不出光)的情況下,可以使得顯示基板100的顯示面處於更黑的狀態,這樣有利於提高顯示基板100的對比度。
此外,在上述示例中,在相對於第一襯底1,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面,高於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面的情況下,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面與第一襯底1之間的間距,最大為發光元件2的厚度的120%,這樣相比於相關技術,大大減小了位於多個發光元件2遠離第一襯底1一側表面上的第一子光線調節層31的尺寸,有利於減少第一子光線調節層31對多個發光元件2所發出的光線的吸收,降低顯示基板100的功耗。
在另一些示例中,如圖4所示,光線調節層3所包括的第二子光線調節層32,相對於第一襯底1,其遠離第一襯底1的表面,高於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面。也即,第二子光線調節層32的一部分會位於多個發光元件2和第二襯底4之間,這樣在採用例如壓合程序在具有多個發光元件2的第一襯底1上形成光線調節層3和第二襯底4時,可以利用第二子光線調節層32的位於多個發光元件2和第二襯底4之間的部分,對多個發光元件2進行保護,避免多個發光元件2在壓合的過程中受到損傷。
此處,第二子光線調節層32的厚度,和第一子光線調節層31與多個發光元件2之間的位置關係相關。
示例性的,在相對於第一襯底1,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面,與多個發光元件2遠離第一襯底1的表面持平,或者,高於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面的情況下,第二子光線調節層32靠近第一襯底1的一側表面為較為平坦的表面,使得第二子光線調節層32的各個部分的厚度會較為均一。第二子光線調節層32的厚度可以根據實際需要選擇設置,例如,第二子光線調節層32的厚度的範圍可以為50μm~100μm;或者,第二子光線調節層32的厚度的範圍可以10μm~40μm。
示例性的,如圖4所示,在相對於第一襯底1,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面,低於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面的情況下,第二子光線調節層32靠近第一襯底1的一側表面為凹凸不平的表面。此時,第二子光線調節層32包括第一部分321和第二部分322,其中,第一部分321在第一襯底1上的正投影與多個發光元件2在第一襯底1上的正投影重合,第二部分322在第一襯底1上的正投影與第一子光線調節層31在第一襯底1上的正投影重合。第一部分321的厚度範圍可以為20μm~100μm。第二部分322的厚度範圍為50μm~100μm。
當然,第一部分321的厚度範圍和第二部分322的厚度範圍也可以為其他的數值範圍,可以根據實際需要選擇設置。
在一些示例中,上述第二子光線調節層32為透明薄膜。該透明薄膜具有較高的光線透過率(例如光線透過率可以大於或等於90%)。多個發光元件2所發出的光線可以較為順利的穿過第二子光線調節層32射到外界,這樣可以避免第二子光線調節層32對多個發光元件2所發出的光線的傳播產生不良影響。
在一些示例中,第二子光線調節層32的折射率大於第二襯底4的折射率。示例性的,第二子光線調節層32的折射率可以為1.5左右,例如折射率可以為1.49、1.5、1.51或1.52等;第二襯底4的折射率可以為1.4左右,例如折射率可以為1.39、1.4、1.41或1.42等。
由於外界大氣的光線的折射率為1.0左右,透過設置第二子光線調節層32和第二襯底4的折射率,並使得第二子光線調節層32的折射率大於第二襯底4的折射率,可以使得多個發光元件2所發出的光線在射向外界的過程中,從光密介質逐級射向光疏介質。這樣相比多個發光元件2所發出的光線直接射向外界大氣中,有利於引導光線的射出,削弱甚至避免出現全反射的情況。
在另一些實施例中,如圖6所示,光線調節層3在包括第一子光線調節層31和第二子光線調節層32的基礎上,還包括:第三子光線調節層33。該第三子光線調節層33位於多個發光元件2之間的間隙內、且設置在第一子光線調節層31與第一襯底1之間。也即,第三子光線調節層33、第一子光線調節層31和第二子光線調節層32沿第一襯底1的方向,依次層疊設置。
在一些示例中,第一子光線調節層31與多個發光元件2之間的位置關係可以為:相對於第一襯底1,第三子光線調節層31遠離第一襯底1的表面,與多個發光元件2遠離第一襯底1的表面持平,或者,如圖6所示,低於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面。此時,第三子光線調節層33全部位於多個發光元件2之間的間隙內,第三子光線調節層33也便對多個發光元件2的側面的至少一部分形成了覆蓋。
在一些示例中,第三子光線調節層33的材料包括反光材料,被配置為將由多個發光元件2入射至第三子光線調節層33中的光線反射回多個發光元件2中。這樣多個發光元件2所發出的光線在射向被第三子光線調節層33覆蓋的多個發光元件2的側面時,便可以在第三子光線調節層33的作用下發生之少一次反射,使得反射後的光線可以從多個發光元件2的遠離第一襯底1的表面射向至外界,有利於提高多個發光元件2所發出的光線的利用率,提高顯示基板100的光效,降低顯示基板100的功耗。
第三子光線調節層33僅對多個發光元件2的側面的至少一部分形成覆蓋,可以確保多個發光元件2所發出的光線能夠從其遠離第一襯底1的表面射出,避免出現該光線在射向多個發光元件2遠離第一襯底1的表面後,被反射回多個發光元件2內而難以射向外界的情況。
在一些示例中,第三子光線調節層33的反射率大於或等於70%。這樣可以有效確保第三子光線調節層33對各發光元件2所發出的並射向第三子光線調節層33的光線具有良好的反射效果,確保顯示基板100具有較高的光效,較低的功耗。示例性的,第三子光線調節層33的反射率可以為70%、80%、90%或95%等。
此處,在光線調節層3還包括第三子光線調節層33的情況下,關於第一子光線調節層31與多個發光元件2之間的位置關係,可以為:相對於第一襯底1,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面,與多個發光元件2遠離第一襯底1的表面持平,或者,高於或低於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面。例如,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面與第一襯底1之間的間距,為多個發光元件2的厚度的80%~120%。關於第一子光線調節層31和第二子光線調節層32的其他說明,可以參照上述一些示例中對第一子光線調節層31和第二子光線調節層32的說明,此處不在贅述。
在又一些實施例中,如圖5所示,光線調節層3可以包括:第三子光線調節層33和第一子光線調節層31。其中,第三子光線調節層33的材料包括反光材料,被配置為將由多個發光元件2入射至第三子光線調節層33中的光線反射回多個發光元件2中。第一子光線調節層31的材料包括吸光材料,被配置為對射向至第一子光線調節層31的至少一部分光線進行吸收。
在一些示例中,如圖5所示,第三子光線調節層33位於多個發光元件2之間的間隙內。相對於第一襯底1,第三子光線調節層33遠離第一襯底1的表面,與多個發光元件2遠離第一襯底1的表面持平,或者,低於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面。此時,第三子光線調節層33全部位於多個發光元件2之間的間隙內,第三子光線調節層33也便對多個發光元件2的側面的至少一部分形成了覆蓋。
在一些示例中,如圖5所示,第一子光線調節層31設置在第三子光線調節層33遠離第一襯底1的一側。相對於第一襯底1,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的表面,高於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面。也即,無論第三子光線調節層33遠離第一襯底1的表面,與多個發光元件2遠離第一襯底1的表面之間的位置關係如何,第一子光線調節層31均對多個發光元件2和第三子光線調節層33形成了覆蓋,且第一子光線調節層31的一部分位於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面上,對多個發光元件2形成保護。
透過設置第三子光線調節層33和第一子光線調節層31,能夠在第三子光線調節層33和第一子光線調節層31之間的配合作用下,利用第三子光線調節層33提高多個發光元件2所發出的光線的利用率,提高顯示基板100的光效,降低顯示基板100的功耗,並利用第一子光線調節層31,提高顯示基板100的對比度。
此外,在製備形成光線調節層3的過程中,可以透過調整第一子光線調節層31的厚度,調整第一子光線調節層31的位於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面上的一部分的厚度(例如該厚度為10μm),以便於能夠在利用第一子光線調節層31提高顯示基板100的對比度的同時,減少第一子光線調節層31對多個發光元件2所發出的光線的吸收,降低顯示基板100的功耗。
此處,對於第三子光線調節層33和第一子光線調節層31的其他說明,可以參照上述一些示例中對第三子光線調節層33和第一子光線調節層31的說明,此處不在贅述。
在上述一些實施例中,光線調節層3所包括的各個薄膜的材料包括多種。
在一些示例中,在光線調節層3包括第一子光線調節層31的情況下,第一子光線調節層31的材料包括摻雜有吸光材料的亞克力膠。該吸光材料例如可以包括炭黑顆粒。
在一些示例中,在光線調節層3包括第二子光線調節層32的情況下,第二子光線調節層32的材料包括亞克力膠。
在一些示例中,在光線調節層3包括第三子光線調節層33的情況下,第三子光線調節層33的材料包括摻雜有反光材料的亞克力膠。該反光材料例如可以包括鈦白顆粒。
上述亞克力膠具有無色透明、較高的光線透過率(例如光線透過率可以大於或等於90%)和膠接強度良好等優點,這樣可以使得光線調節層3中的各個薄膜之間具有良好的黏接性,使得光線調節層3和第一襯底1、各發光元件2、第二襯底4之間均具有良好的黏接性,能夠在增強各發光元件2與第一襯底1之間的連線性的同時,避免出現第二襯底4或光線調節層3脫落的情況。
在一些實施例中,如圖7所示,顯示基板100所包括的多個發光元件2中,每個發光元件2包括:第三襯底22,以及設置在第三襯底22一側的發光層21。該發光層21相對於第三襯底22靠近所述第一襯底1。
下面,如圖11所示,以發光元件2為Mini LED為例,對發光元件2的結構進行示意性說明。
如圖11所示,上述Mini LED包括依次層疊設置的第三襯底22、N型半導體層23、發光層21、P型半導體層24、電流阻隔層25、導電層26、布拉格反射層27、陰極電極引腳28以及陽極電極引腳29,其中,陰極電極引腳28與N型半導體層23連接,陽極電極引腳29與導電層26連接。
在將圖11中所示的結構應用於圖12中所示的結構的情況下,陰極電極引腳28可以透過陰極焊點14與電極引線13連接,陽極電極引腳29可以透過陽極焊點15與驅動電晶體12連接。
本實施例中,發光層21能夠發出光線,這樣每個發光層21所發出的光線,可以在依次穿過第三襯底22、光線調節層3和第二襯底4之後,射向外界。
在一些示例中,在光線調節層3包括第二子光線調節層32的情況下,第三襯底22的折射率大於第二子光線調節層32的折射率。
由於第二子光線調節層32的折射率大於第二襯底4的折射率,第二襯底4的折射率大於外界大氣的折射率,透過將第三襯底22的折射率設置為大於第二子光線調節層32的折射率,可以使得發光層21所發出的光線在射向外界的過程中,所需穿過的各介質的折射率按照一定的梯度逐漸降低。這樣相比光線直接射向外界大氣中,有利於引導光線的射出,削弱甚至避免出現全反射的情況,提高出光效率。
示例性的,第三襯底22的材料可以包括藍寶石材料,第三襯底22的折射率可以為1.77左右。例如,該折射率可以為1.76、1.77或1.78等。
在一些示例中,在光線調節層3包括第三子光線調節層33的情況下,第三子光線調節層33遠離第一襯底1的表面,與多個發光元件2之間的位置關係,還可以包括:相對於第一襯底1,第三子光線調節層33遠離第一襯底1的表面,高於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面。這樣可以確保射向至第三子光線調節層33的光線能夠基本上都被反射回發光元件2中,避免出現被反射的光線射向相鄰發光元件2並引起混色的現象。
在一些實施例中,如圖12所示,顯示基板100還包括設置在陰極焊點14和陽極焊點15之間的間隙內的反射層5,該反射層5位於多個發光元件2靠近第一襯底1的一側。
透過在多個發光元件2靠近第一襯底1的一側設置反射層5,可以利用該反射層5將射向反射層5的光線反射會多個發光元件2內,並經多個發光元件2遠離第一襯底1的一側表面射向外界。這樣有利於提高多個發光元件2所發出的光線的利用率,提高顯示基板100的光效,降低顯示基板100的功耗。
示例性的,反射層5的材料可以為具有較高反射率的白色油墨。
在一些實施例中,第二襯底4遠離第一襯底1的一側表面可以為平整的表面。當然,如圖8和圖9所示,第二襯底4遠離第一襯底1的一側表面還可以設置有多個微結構41。該多個微結構41被配置為,使來自多個發光元件2並穿過第二襯底4的至少一部分光線的傳播方向發生改變。
此處,上述多個微結構41的形狀,與對穿過第二襯底4的至少一部分光線的傳播方向的改變狀況相關。
在一些示例中,如圖8所示,上述多個微結構41的表面形狀包括棱錐和楔形中的至少一種。棱錐或楔形的尖端位於遠離第二襯底41的一側。此時,上述多個微結構41能夠使來自多個發光元件2並穿過第二襯底4的至少一部分光線發生聚集,有利於提高顯示基板100的顯示亮度。
此處,微結構41的尺寸可以根據實際需要選擇設置。示例性的,微結構41的高度(也即微結構41在沿垂直於第一襯底1的方向上的尺寸)可以為12μm左右,微結構41的寬度(也即如圖9中所示微結構41與第二襯底4連接處的尺寸)可以為24μm左右。例如,微結構41的高度可以為11μm、12μm或13μm等,微結構41的寬度可以為23μm、24μm或25μm等。
在另一些示例中,如圖9所示,上述多個微結構41的表面形狀包括弧面和球面中的至少一種。此時,上述多個微結構41能夠使來自多個發光元件2並穿過第二襯底4的至少一部分光線發生擴散,提高顯示基板100的出光均勻性,避免顯示基板100的表面出現眩光現象。
此處,微結構41的尺寸可以根據實際需要選擇設置。示例性的,微結構41的直徑可以為20μm~30μm,微結構41的高度(也即微結構41在沿垂直於第一襯底1的方向上的尺寸)可以為10μm左右。例如,微結構41的直徑可以為20μm、23μm、27μm或30μm等,微結構41的高度可以為9μm、10μm或11μm等。
在一些示例中,上述多個微結構與第二襯底4為一體結構。這樣有利於簡化顯示基板100的結構。
示例性的,可以採用刻蝕程序對第二襯底4遠離第一襯底1的一側表面進行刻蝕,形成上述多個微結構41。由於第二襯底4具有一定的硬度,因此採用刻蝕程序形成的多個微結構41結構極為穩定,能夠避免發生變形。
此外,在一些實施例中,顯示基板100可以應用於液晶顯示裝置中,作為該液晶顯示裝置中的背光模組中的光源。
此時,如圖10所示,光線調節層3可以包括:位於多個發光元件2之間的間隙內的第三子光線調節層33,以及設置在第三子光線調節層33遠離第一襯底1一側的第二子光線調節層32。其中,相對於第一襯底1,第三子光線調節層33遠離第一襯底1的表面,低於多個發光元件2中的發光層21遠離第一襯底1的表面;第二子光線調節層32遠離第一襯底1的表面,高於多個發光元件2遠離第一襯底1的表面。這樣可以利用第三子光線調節層33對多個發光元件2從各方向射出的光線,進行較為全面的反射,並利用第二子光線調節層32和第二襯底4對光線進行引導,避免出現全反射的現象,由此,可以有效增大顯示基板100所能顯示的亮度。
在此基礎上,顯示基板100還包括設置在第二襯底4遠離第一襯底1一側的、且分別位於多個子畫素區域的量子點薄膜。示例性的,多個發光元件2均發出藍色光,該藍色光在穿過多個子畫素區域內的量子點薄膜後,會轉化為多種顏色的光,例如紅光色或綠色光。
本發明的一些實施例提供了一種顯示基板的製備方法。如圖14所示,該顯示基板的製備方法包括S100~S300。
S100,如圖15中(a)和(b)以及圖16中(a)和(b)所示,提供第一襯底1,在第一襯底1的一側設置相互間隔的多個發光元件2。
在一些示例中,上述多個發光元件2可以包括Mini LED,或者也可以包括Micro LED。在第一襯底1的一側設置多個發光元件2時,例如可以採用巨量轉移技術(Mass Transfer Technology)將多個發光元件2轉移至第一襯底1的一側。
此處,關於第一襯底1的結構、多個發光元件2的結構以及第一襯底1和多個發光元件2之間的連接可以參照上述一些實施例中的說明,此處不再贅述。
S200,如圖15中(c)以及圖16中(c)所示,提供第二襯底4,採用吸光材料,在第二襯底4的一側形成光線調節層3。
示例性的,第二襯底4可以為PET襯底,也即,第二襯底4可以為採用PET製成的薄膜結構。
在一些示例中,在第二襯底4的一側形成光線調節層3,包括:在第二襯底4的一側塗覆用於形成光線調節層3的材料,並進行固化,形成光線調節層3。
在一些示例中,如圖15中(c)以及圖16中(c)所示,光線調節層3包括層疊設置的第一子光線調節層31和第二子光線調節層32。
此時,在第二襯底4的一側形成光線調節層3,例如可以包括:在第二襯底4的一側塗覆用於形成第二子光線調節層32的材料,並進行固化,形成第二子光線調節層32;在另一薄膜(例如離型膜)上塗覆用於形成第一子光線調節層31的材料,並進行固化,形成第一子光線調節層31;之後將第一子光線調節層31和第二子光線調節層32進行覆合,並去除貼合在第一子光線調節層31一側的薄膜,便可以得到形成在第二襯底4一側的光線調節層3。
S300,如圖15中(d)和(e)以及圖16中(d)和(e)所示,採用壓合程序,對形成有上述多個發光元件2的第一襯底1和形成有光線調節層3的第二襯底4進行壓合,使上述多個發光元件2嵌入光線調節層3內,並使光線調節層3的一部分陷入上述多個發光元件2之間的間隙內,另一部分位於上述多個發光元件2遠離第一襯底1的一側表面上。
在一些示例中,光線調節層3的材料還包括亞克力膠。
由於亞克力膠具有在室溫或中溫下固化的優點,這樣在上述S200中,在第二襯底4的一側形成光線調節層3時,便可以在室溫或中溫下使得形成光線調節層3的材料固化,這樣可以避免額外再進行固化的操作,有利於簡化顯示基板100的製備程序,節約製備顯示基板100的成本。
由於亞克力膠具有一定的彈性以及填補斷差的功能,這樣在對形成有上述多個發光元件2的第一襯底1和形成有光線調節層3的第二襯底4進行壓合的過程中,多個發光元件2能夠逐漸伸入光線調節層3中,直至多個發光元件2完全嵌入光線調節層3的內部;光線調節層3中的一部分能夠向多個發光元件2之間的間隙內進行填補,直至多個發光元件2之間的間隙被填滿。
光線調節層3的另一部分位於多個發光元件2遠離第一襯底1的一側表面上,也即該多個發光元件2與第二襯底4之間,這樣可以利用光線調節層3的另一部分對多個發光元件2形成保護,避免第二襯底4與多個發光元件2直接接觸,對發光元件2造成損傷。
本發明的一些實施例所提供的顯示基板100的製備方法,透過先將光線調節層3形成在第二襯底4的一側,再採用壓合程序,對形成有多個發光元件2的第一襯底1和形成有光線調節層3的第二襯底4進行壓合,使得多個發光元件2嵌入光線調節層3內,並使光線調節層3的一部分陷入多個發光元件2之間的間隙內,另一部分位於多個發光元件2遠離第一襯底1的一側表面上,可以利用光線調節層3對射向至光線調節層3的至少一部分光線進行吸收,在提高顯示基板100的對比度的同時,不會提高顯示基板100的功耗。而且,相比相關技術,本發明的一些實施例所提供的顯示基板100的製備方法的程序簡單、易操作,避免了對光線調節層3進行研磨,進而避免顯示基板100出現表面泛白的情況,並使得顯示基板100的表面具有較高一致性。
在一些實施例中,上述壓合程序的類型包括多種。
示例性的,上述壓合程序可以包括真空壓合程序。
如圖15中(d)所示,在採用真空壓合程序,對形成有多個發光元件2的第一襯底1和形成有光線調節層3的第二襯底4進行壓合的過程中,可以一邊進行抽真空操作,一邊對形成有光線調節層3的第二襯底4整體進行壓合,這樣光線調節層3靠近多個發光元件2的表面,可以與多個發光元件2基本同時接觸,使得多個發光元件2能夠基本同時伸入並嵌入光線調節層3的內部。並且,還避免在光線調節層3和第一襯底1之間形成氣泡。
示例性的,上述壓合程序可以包括滾壓程序。
如圖16中(d)所示,在採用滾壓程序,對形成有多個發光元件2的第一襯底1和形成有光線調節層3的第二襯底4進行壓合的過程中,可以先對形成有多個發光元件2的第一襯底1的一端(例如圖16中所示的右端),與形成有光線調節層3的第二襯底4的一端(例如圖16中所示的右端)進行壓合,使得該端的發光元件2完全嵌入光線調節層3的內部,然後將壓合位置逐漸向相對的另一端(例如圖16中所示的左端)移動,使得多個發光元件2自第一襯底1的一端向相對的另一端依次嵌入光線調節層3的內部,之後進行升溫脫泡操作。這樣可以減少甚至消除在光線調節層3和第一襯底1之間可能出現的氣泡。
在一些實施例中,在光線調節層3包括多層薄膜的情況下,靠近多個發光元件2的一側的薄膜的硬度,小於遠離多個發光元件2的一側的薄膜的硬度。
例如,光線調節層3包括層疊設置的第一子光線調節層31和第二子光線調節層32。此時,第一子光線調節層31的硬度,小於第二子光線調節層32的硬度。這樣在對形成有多個發光元件2的第一襯底1和形成有光線調節層3的第二襯底4進行壓合的過程中,可以易於多個發光元件2伸入並嵌入第一子光線調節層31內部。在相對於第一襯底1,第一子光線調節層31遠離第一襯底1的一側表面,低於多個發光元件2遠離第一襯底1的一側表面的情況下,可以減緩並便於控制多個發光元件2伸入第二子光線調節層32的速度,避免出現多個發光元件2穿透第二子光線調節層32、與第二襯底2相接觸的情況,進而有利於避免出現多個發光元件2被損傷的情況。
此外,本發明的一些實施例還可以透過控制第二子光線調節層32的厚度,控制多個發光元件2伸入光線調節層3的速度。
本發明的一些實施例提供了一種顯示裝置200。如圖17所示,該顯示裝置200包括如上述一些實施例中提供的顯示基板100。
上述顯示裝置200所包括的顯示基板100,具有與上述一些實施例中提供的顯示基板100相同的結構和有益效果,此處不再贅述。
在一些示例中,上述顯示裝置200還包括:用於安裝上述顯示基板100的外殼,和/或,安裝在顯示基板100上的攝影鏡頭等。
在一些實施例中,上述顯示裝置200為電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記型電腦、數位相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或元件。
以上所述,僅為本發明的具體實施方式,但本發明的保護範圍並不局限於此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內,想到變化或替換,都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此,本發明的保護範圍應以所述請求項的保護範圍為准。
2':Mini LED 100:顯示基板 1,4,22:襯底 2:發光元件 3:光線調節層 31~33:子光線調節層 321:第一部分 322:第二部分 21:發光層 23:N型半導體層 24:P型半導體層 25:電流阻隔層 26:導電層 27:布拉格反射層 28:陰極電極引腳 29:陽極電極引腳 41:微結構 11:襯底基板 12:驅動電晶體 13:電極引線 14:陰極焊點 15:陽極焊點 200:顯示裝置
為了更清楚地說明本發明中的技術方案,下面將對本發明一些實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例的附圖,對於本領域普通技術人員來講,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。此外,以下描述中的附圖可以視作示意圖,並非對本發明實施例所涉及的產品的實際尺寸、方法的實際流程等的限制。
圖1為根據相關技術中的一種顯示基板的製備方法的流程圖; 圖2為根據本發明一些實施例中的一種顯示基板的俯視圖; 圖3為圖2所示顯示基板的一種沿A-A'向的剖視圖; 圖4為圖2所示顯示基板的另一種沿A-A'向的剖視圖; 圖5為圖2所示顯示基板的又一種沿A-A'向的剖視圖; 圖6為圖2所示顯示基板的又一種沿A-A'向的剖視圖; 圖7為圖2所示顯示基板的又一種沿A-A'向的剖視圖; 圖8為圖2所示顯示基板的又一種沿A-A'向的剖視圖; 圖9為圖2所示顯示基板的又一種沿A-A'向的剖視圖; 圖10為圖2所示顯示基板的又一種沿A-A'向的剖視圖; 圖11為根據本發明一些實施例中的一種Mini LED的結構圖; 圖12為根據本發明一些實施例中的一種顯示基板的結構圖; 圖13為根據本發明一些實施例中的一種顯示基板的局部結構圖; 圖14為根據本發明一些實施例中的一種顯示基板的製備方法的流程圖; 圖15為根據本發明一些實施例中的一種顯示基板的製備步驟圖; 圖16為根據本發明一些實施例中的另一種顯示基板的製備步驟圖; 圖17為根據本發明一些實施例中的一種顯示裝置的結構圖。
1,4:襯底
3:光線調節層
2:發光元件
31~33:子光線調節層
41:微結構

Claims (17)

  1. 一種顯示基板,包括:第一襯底;設置在所述第一襯底一側的多個發光元件,所述多個發光元件相互間隔設置;光線調節層,所述光線調節層位於所述多個發光元件之間的間隙內、以及所述多個發光元件遠離所述第一襯底的一側的表面上,以使至少一個發光元件被所述光線調節層包圍;所述光線調節層的材料包括吸光材料,被配置為對射向至所述光線調節層的至少一部分光線進行吸收;以及,覆蓋所述光線調節層的第二襯底。
  2. 如請求項1的顯示基板,其中,所述光線調節層包括:位於所述多個發光元件之間的間隙內的第一子光線調節層;相對於所述第一襯底,所述第一子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,與所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面持平,或者,高於或低於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面;所述第一子光線調節層的材料包括吸光材料,被配置為對射向至所述第一子光線調節層的至少一部分光線進行吸收;以及,設置在所述第一子光線調節層遠離所述第一襯底一側的第二子光線調節層;相對於所述第一襯底,所述第二子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,高於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面;所述第二子光線調節層為透明薄膜。
  3. 如請求項2的顯示基板,其中,在相對於所述第一襯底,所述第一子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,低於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面的情況下,所述第二子光線調節層包括第一部分和第二部分,所述第一部分在所述第 一襯底上的正投影與所述多個發光元件在所述第一襯底上的正投影重合,所述第二部分在所述第一襯底上的正投影與所述第一子光線調節層在所述第一襯底上的正投影重合,所述第一部分的厚度範圍為20μm~100μm,所述第二部分的厚度範圍為50μm~100μm。
  4. 如請求項2或3的顯示基板,其中,所述第二子光線調節層的折射率大於所述第二襯底的折射率。
  5. 如請求項2的顯示基板,其中,所述第一子光線調節層遠離所述第一襯底的表面與所述第一襯底之間的間距,為所述多個發光元件的厚度的80%~120%。
  6. 如請求項2的顯示基板,其中,所述光線調節層還包括:位於所述多個發光元件之間的間隙內、且設置在所述第一子光線調節層與所述第一襯底之間的第三子光線調節層;相對於所述第一襯底,所述第三子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,與所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面持平,或者,低於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面;所述第三子光線調節層的材料包括反光材料,被配置為將由所述多個發光元件入射至所述第三子光線調節層中的光線反射回所述多個發光元件中。
  7. 如請求項1的顯示基板,其中,所述光線調節層包括:位於所述多個發光元件之間的間隙內的第三子光線調節層;相對於所述第一襯底,所述第三子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,與所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面持平,或者,低於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面;所述第三子光線調節層的材料包括反光材料,被配置為將由所述多個發光元件入射至所述第三子光線調節層中的光線反射回所述多個發光元件中;以及,設置在所述第三子光線調節層遠離所述第一襯底一側的第一子光線調節 層;相對於所述第一襯底,所述第一子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,高於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面;所述第一子光線調節層的材料包括吸光材料,被配置為對射向至所述第一子光線調節層的至少一部分光線進行吸收。
  8. 如請求項6的顯示基板,其中,所述第三子光線調節層的反射率大於或等於70%。
  9. 如請求項2的顯示基板,其中,每個發光元件包括:第三襯底;以及,設置在所述第三襯底一側的發光層;所述發光層相對於所述第三襯底靠近所述第一襯底。
  10. 如請求項9的顯示基板,其中,在所述光線調節層包括第二子光線調節層的情況下,所述第三襯底的折射率大於所述第二子光線調節層的折射率。
  11. 如請求項9的顯示基板,其中,在所述光線調節層包括第三子光線調節層的情況下,相對於所述第一襯底,所述第三子光線調節層遠離所述第一襯底的表面,高於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的表面。
  12. 如請求項2的顯示基板,其中,在所述光線調節層包括所述第一子光線調節層的情況下,所述第一子光線調節層的材料包括摻雜有吸光材料的亞克力膠;在所述光線調節層包括第二子光線調節層的情況下,所述第二子光線調節層的材料包括亞克力膠;在所述光線調節層包括第三子光線調節層的情況下,所述第三子光線調節層的材料包括摻雜有反光材料的亞克力膠。
  13. 如請求項1的顯示基板,其中,所述第二襯底遠離所述第一 襯底的一側表面設置有多個微結構;所述多個微結構被配置為,使來自所述多個發光元件並穿過所述第二襯底的至少一部分光線的傳播方向發生改變。
  14. 如請求項13的顯示基板,其中,所述多個微結構的表面形狀包括棱錐、楔形、弧面和球面中的至少一種。
  15. 一種顯示基板的製備方法,包括:提供第一襯底,在所述第一襯底的一側設置相互間隔的多個發光元件;提供第二襯底,採用吸光材料,在所述第二襯底的一側形成光線調節層;採用壓合程序,對形成有所述多個發光元件的第一襯底和形成有所述光線調節層的第二襯底進行壓合,使所述多個發光元件嵌入所述光線調節層內,並使所述光線調節層的一部分陷入所述多個發光元件之間的間隙內,另一部分位於所述多個發光元件遠離所述第一襯底的一側表面上。
  16. 如請求項15的顯示基板的製備方法,其中,所述壓合程序包括真空壓合程序或滾壓程序。
  17. 一種顯示裝置,包括:如請求項1~14中任一項的顯示基板。
TW109145944A 2020-03-27 2020-12-24 顯示基板及其製備方法、顯示裝置 TWI765491B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010232324.3A CN113451486A (zh) 2020-03-27 2020-03-27 显示基板及其制备方法、显示装置
CN202010232324.3 2020-03-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202136873A TW202136873A (zh) 2021-10-01
TWI765491B true TWI765491B (zh) 2022-05-21

Family

ID=77808182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109145944A TWI765491B (zh) 2020-03-27 2020-12-24 顯示基板及其製備方法、顯示裝置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US12402456B2 (zh)
EP (1) EP4131435A4 (zh)
JP (2) JP7686616B2 (zh)
KR (1) KR102886569B1 (zh)
CN (1) CN113451486A (zh)
TW (1) TWI765491B (zh)
WO (1) WO2021190245A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021147064A1 (zh) * 2020-01-23 2021-07-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113097371B (zh) * 2021-03-31 2022-08-12 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
KR102864367B1 (ko) * 2021-08-09 2025-09-24 동우 화인켐 주식회사 발광 다이오드 어셈블리용 회로 기판, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
US20240405157A1 (en) * 2021-09-30 2024-12-05 Shenzhen Jufei Optoelectronics Co., Ltd. Display module, led optical device and manufacturing method therefor
CN116014051A (zh) * 2021-10-22 2023-04-25 隆达电子股份有限公司 微型发光二极管封装结构
CN116031251A (zh) * 2021-10-27 2023-04-28 京东方科技集团股份有限公司 封装结构、显示基板及其制作方法、显示装置
CN114241943B (zh) * 2021-12-14 2024-03-15 惠州华星光电显示有限公司 显示屏、显示装置及显示屏的制作方法
TWI801122B (zh) * 2022-01-28 2023-05-01 友達光電股份有限公司 封裝結構及其製造方法
CN114551697A (zh) * 2022-02-09 2022-05-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示基板及显示面板
JP7766534B2 (ja) * 2022-03-25 2025-11-10 日東電工株式会社 表示体および光半導体素子封止用シート
JP2024019872A (ja) * 2022-08-01 2024-02-14 信越ポリマー株式会社 ドライフィルム、発光型電子部品、及び発光型電子部品の製造方法
JP2024019873A (ja) * 2022-08-01 2024-02-14 信越ポリマー株式会社 ドライフィルム、発光型電子部品、及び発光型電子部品の製造方法
US20260020392A1 (en) * 2022-10-04 2026-01-15 Lg Electronics Inc. Transparent display device using light-emitting diode
CN115867070A (zh) * 2022-12-28 2023-03-28 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法、终端
CN118679573A (zh) * 2023-01-18 2024-09-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
JP2024168732A (ja) * 2023-05-24 2024-12-05 信越ポリマー株式会社 ドライフィルム、一体型封止シート、発光型電子部品、及び発光型電子部品の製造方法
WO2025083997A1 (ja) * 2023-10-16 2025-04-24 信越ポリマー株式会社 ドライフィルム、発光素子パッケージおよびその製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201025676A (en) * 2008-12-31 2010-07-01 Advanced Optoelectronic Tech Compound semiconductor device package module structure and fabricating method thereof
TW201210819A (en) * 2010-06-22 2012-03-16 Nitto Denko Corp Composite film and semiconductor light emitting device using the same
CN102549783A (zh) * 2009-07-16 2012-07-04 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 用于led的反射基底
CN104380464A (zh) * 2012-01-24 2015-02-25 柯立芝照明有限公司 包含波长转换材料的发光管芯及相关方法
CN109844948A (zh) * 2017-10-12 2019-06-04 株式会社流明斯 显示器用发光二极管模块组件
US20190305197A1 (en) * 2017-07-21 2019-10-03 Nichia Corporation Backlight including light emitting module and light reflective members

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3517867B2 (ja) * 1997-10-10 2004-04-12 豊田合成株式会社 GaN系の半導体素子
JP2007300134A (ja) 2002-05-27 2007-11-15 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子、発光素子、素子積層体、並びにそれらを用いた発光装置
US7189591B2 (en) * 2003-12-19 2007-03-13 Nitto Denko Corporation Process for producing light-emitting semiconductor device
JP2005203737A (ja) * 2003-12-19 2005-07-28 Nitto Denko Corp 半導体発光素子の製造方法
CA2560701C (en) 2004-03-29 2016-10-18 Articulated Technologies, Llc Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
US7259030B2 (en) 2004-03-29 2007-08-21 Articulated Technologies, Llc Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
JP4818654B2 (ja) 2005-07-25 2011-11-16 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 発光素子の封止方法
JP5250949B2 (ja) 2006-08-07 2013-07-31 デクセリアルズ株式会社 発光素子モジュール
CN103594463B (zh) 2013-11-19 2017-01-18 长春希达电子技术有限公司 晶圆倒置式集成led显示封装模块
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
KR101942144B1 (ko) * 2014-11-11 2019-01-25 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이용 윈도우 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN107833903B (zh) * 2016-09-15 2022-10-18 伊乐视有限公司 具有光管理系统的发光显示器
DE102016119002B4 (de) * 2016-10-06 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
CN106384738A (zh) * 2016-10-28 2017-02-08 福州大学 一种基于压印工艺的Micro‑LED显示器件
CN107731864B (zh) 2017-11-20 2020-06-12 开发晶照明(厦门)有限公司 微发光二极管显示器和制作方法
KR20190077789A (ko) * 2017-12-26 2019-07-04 한국광기술원 마이크로 led를 이용한 디스플레이 및 그 제조방법
CN119208351A (zh) * 2018-05-17 2024-12-27 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP7067269B6 (ja) * 2018-05-24 2023-12-20 大日本印刷株式会社 自発光型表示体
CN108878626B (zh) * 2018-06-29 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
TWI676851B (zh) * 2018-08-22 2019-11-11 隆達電子股份有限公司 畫素陣列封裝結構及顯示面板
KR102660614B1 (ko) 2018-09-10 2024-04-26 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN211879404U (zh) * 2020-03-27 2020-11-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201025676A (en) * 2008-12-31 2010-07-01 Advanced Optoelectronic Tech Compound semiconductor device package module structure and fabricating method thereof
CN102549783A (zh) * 2009-07-16 2012-07-04 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 用于led的反射基底
TW201210819A (en) * 2010-06-22 2012-03-16 Nitto Denko Corp Composite film and semiconductor light emitting device using the same
CN104380464A (zh) * 2012-01-24 2015-02-25 柯立芝照明有限公司 包含波长转换材料的发光管芯及相关方法
US20190305197A1 (en) * 2017-07-21 2019-10-03 Nichia Corporation Backlight including light emitting module and light reflective members
CN109844948A (zh) * 2017-10-12 2019-06-04 株式会社流明斯 显示器用发光二极管模块组件

Also Published As

Publication number Publication date
JP2025134699A (ja) 2025-09-17
US12402456B2 (en) 2025-08-26
WO2021190245A1 (zh) 2021-09-30
TW202136873A (zh) 2021-10-01
KR102886569B1 (ko) 2025-11-17
EP4131435A4 (en) 2023-10-04
KR20220159936A (ko) 2022-12-05
US20220262995A1 (en) 2022-08-18
EP4131435A1 (en) 2023-02-08
JP2023518626A (ja) 2023-05-08
CN113451486A (zh) 2021-09-28
US20250294934A1 (en) 2025-09-18
JP7686616B2 (ja) 2025-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI765491B (zh) 顯示基板及其製備方法、顯示裝置
CN211879404U (zh) 显示基板及显示装置
CN106063378B (zh) 使用半导体发光器件的显示器件
CN111781771B (zh) 背光模组及其设计方法、显示装置
CN114175260A (zh) 显示装置的制造方法以及用于制造显示装置的基板
CN114639794A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
TWI757069B (zh) 顯示裝置
TWI787693B (zh) 顯示基板及其製備方法、顯示裝置
JP2019212739A (ja) 発光装置および面発光光源
JPWO2021190245A5 (zh)
US20230163264A1 (en) Display substrate and method for manufacturing the same, and display apparatus
WO2024082488A1 (zh) 封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法
KR20240050446A (ko) 반도체 발광 소자 및 디스플레이 장치
CN117812950A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN116744747A (zh) 显示面板和显示装置
US12535705B2 (en) Light-emitting substrate, backlight module, display apparatus, and method for manufacturing light-emitting substrate
JP7116327B2 (ja) 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
WO2024000291A1 (zh) 显示装置及显示面板
AU2023471968A1 (en) Light-emitting substrate, backlight module, and display device
WO2023226019A1 (zh) 发光基板及其制备方法、显示装置
TW202240937A (zh) 發光裝置
KR20250120030A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
CN114333614A (zh) 显示面板及显示装置