TWI900545B - 物件固持器及包含物件固持器之微影裝置 - Google Patents

Abstract

一種經組態以支撐一物件之物件固持器，該物件固持器包含：一芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件；及一靜電薄片，其在該等瘤節之間，該靜電薄片包含包夾於介電層之間的一電極；其中該靜電薄片藉由具有至少100 nm之一厚度的一接合材料接合至該芯體。

Description

物件固持器及包含物件固持器之微影裝置

本發明係關於一種用於微影裝置之物件固持器。更特定言之，該物件固持器包含經配置以將該物件固持器夾持至台及/或將物件夾持至該物件固持器之靜電夾具。本發明進一步係關於一種用於安裝靜電薄片之工具及一種製造物件固持器之方法。

微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩)處之圖案投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。與使用例如具有約193nm之波長之輻射的微影裝置相比，使用具有在4nm至20nm之範圍內(例如6.7nm或13.5nm)之波長之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。

在習知微影裝置中，待曝光之基板可由基板固持器(亦即，直接支撐基板之物件)支撐，基板固持器又由基板台(鏡塊或載物台，亦 即，諸如支撐基板固持器且提供包圍基板固持器之上表面之台之物件)支撐。基板固持器通常為大小及形狀對應於基板之平坦硬質圓盤(但其可具有不同大小或形狀)。其具有自至少一側突出之突出部陣列，被稱作瘤節或小突起。基板固持器可在兩個相對側上具有突出部之陣列。在此狀況下，當將基板固持器置放於基板台上時，基板固持器之主體被固持在基板台上方一小段距離，而基板固持器之一側上之瘤節的末端處於基板台之表面上。相似地，當基板擱置於基板固持器之相對側上之瘤節之頂部上時，基板與基板固持器之主體隔開。此情形之目的為幫助防止可能存在於基板台或基板固持器上之粒子(亦即污染粒子，諸如塵粒)使基板固持器或基板變形。由於瘤節之總表面積僅為基板或基板固持器之總面積之僅一小部分，因此任何粒子將處於瘤節之間且其之存在將不具有效應係高度可能的。常常，基板固持器及基板容納於基板台中之凹槽內使得基板之上表面與基板台之上表面實質上共面。

歸因於由基板在高產出量微影裝置之使用中所經歷之高加速度，不足以允許基板僅擱置於基板固持器之瘤節上。基板被夾持在適當位置。將基板夾持在適當位置之兩種方法係已知的-真空夾持及靜電夾持。在真空夾持中，部分地抽空基板固持器與基板之間的空間及視情況基板台與基板固持器之間的空間，使得藉由基板上方之氣體或液體之較高壓力而將基板固持在適當位置。然而，在基板或基板固持器附近之光束路徑及/或環境保持處於低或極低壓力(例如，用於極紫外線(EUV)輻射微影)的情況下，可不使用真空夾持。在此狀況下，不可能產生橫越基板(或基板固持器)之足夠大的壓力差以夾持基板(或基板固持器)。因此，可使用靜電夾持。在靜電夾持中，在基板或電鍍於其下表面上之電極與提供於基板 台及/或基板固持器上或中之電極之間建立電位差。該兩個電極表現為大電容器且可在合理電位差下產生相當大的夾持力。靜電配置可使單一電極對(一個電極在基板台上且一個電極在基板上)一起夾持基板台、基板固持器及基板之完整堆疊。在已知配置中，一或多個電極可提供於基板固持器上或中使得將基板固持器夾持至基板台且將基板分離地夾持至基板固持器。

需要改良包含一或多個靜電夾具之基板固持器，該一或多個靜電夾具用於將基板固持器夾持至基板台及/或將基板夾持至基板固持器。更一般而言，需要改良包含一或多個靜電夾具之物件固持器，諸如圖案化器件固持器，該一或多個靜電夾具用於將物件固持器固持至台及/或抵靠物件固持器固持物件。

根據本發明之一第一態樣，提供一種經組態以支撐一物件之物件固持器，該物件固持器包含：一芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件；及一靜電薄片，其在該等瘤節之間，該靜電薄片包含包夾於介電層之間的一電極；其中該靜電薄片藉由具有至少100nm之一厚度的一接合材料接合至該芯體。

根據本發明之一第二態樣，提供一種用於將一靜電薄片安裝至一芯體上之工具，該靜電薄片包含包夾於介電層之間的一電極，該芯體包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐一物件，該工具包含：一板，其包含用於各別瘤節之複數個凹槽，該板經組態以連接至該靜電薄片使得該等凹槽與該靜電薄片中之各別孔對齊。

根據本發明之一第三態樣，提供一種製造一物件固持器之 方法，該方法包含：提供包含複數個瘤節之一芯體，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐一物件；將一靜電薄片連接至包含用於各別瘤節之複數個凹槽之一板，使得該等凹槽與該靜電薄片中之各別孔對齊，該靜電薄片包含包夾於介電層之間的一電極；及當連接該靜電薄片時控制該板之移動，以便將該靜電薄片安裝至該等瘤節之間的該芯體上，該等凹槽之一深度判定安裝該靜電薄片所在之一高度。

10:琢面化場鏡面器件

11:琢面化光瞳鏡面器件

13:鏡面

14:鏡面

20:物件固持器/基板固持器

21:芯體

22:瘤節

22a:中心瘤節

22b:中間瘤節

22c:周邊瘤節

23:遠端

24:支撐平面

25:靜電薄片

26:電極

27:下部介電層

28:上部介電層

29:接合材料

30:板

31:凹槽

34:孔

35:溝槽

36:溝槽底面

37:面向物件之表面

38:氣體供應通路

39:徑向間隙

40:豎直間隙

41:徑向外表面

42:壁

44:電絕緣體

45:靜電屏蔽件

45a:靜電屏蔽件

45b:靜電屏蔽件

45c:靜電屏蔽件

46:導電線

B:EUV輻射光束

B':經圖案化EUV輻射光束

H:長度

IL:照明系統

LA:微影裝置

MA:圖案化器件

MT:支撐結構

PS:投影系統

R:距離

SO:輻射源

W:基板

WT:基板台

現在將僅作為實例參看隨附示意性圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1描繪包含微影裝置及輻射源之微影系統；圖2為根據本發明之一實施例之物件固持器的橫截面圖；圖3至圖5為與根據本發明之一實施例的製造物件固持器之方法中之不同階段相關的橫截面圖；圖6為根據本發明之一實施例之物件固持器之部分的特寫視圖；圖7為表示根據本發明之一實施例的物件固持器之芯體之不同位置處的瘤節之變化的圖解；圖8為根據本發明之一實施例的物件固持器之部分的特寫視圖；圖9為圖8中所展示之物件固持器之部分的放大視圖；圖10及圖11為根據本發明之替代實施例之物件固持器之部分的特寫視圖；圖12示意性地展示根據本發明之一實施例的物件固持器之 靜電薄片之靜電屏蔽件的不同可能位置；圖13至圖17及圖19為根據本發明之一實施例之物件固持器之替代配置的特寫視圖；及圖18為根據本發明之一實施例的物件固持器之靜電薄片之靜電屏蔽件之間的連接之平面圖。

雖然本發明易受各種修改及替代形式影響，但在圖式中作為實例展示其特定實施例，且可在本文中對其進行詳細描述。該等圖式可並非按比例。然而，應理解，該等圖式及對其之詳細描述並不意欲將本發明限制至所揭示之特定形式，而正相反，本發明意欲涵蓋屬於如由附加申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇的所有修改、等效者及替代例。

圖1展示包含輻射源SO及微影裝置LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B且將EUV輻射光束B供應至微影裝置LA。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA(例如光罩或倍縮光罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。

照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節該EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起向EUV輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要角度分佈。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或器件。

在因此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化器件MA相互作用。作為此相互作用之結果，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用為4或8之縮減因數。儘管投影系統PS在圖1中被說明為僅具有兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。

基板W可包括先前形成之圖案。在此種狀況下，微影裝置LA將由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。

可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即在充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)。

輻射源SO可為雷射產生電漿(LPP)源、放電產生電漿(DPP)源、自由電子雷射(FEL)或能夠產生EUV輻射之任何其他輻射源。

圖2為根據本發明之一實施例之物件固持器20的橫截面圖。該物件固持器20經組態以支撐物件。在以下描述中，將在物件固持器為經組態以支撐基板W之基板固持器20的內容背景中描述本發明。然而，物件固持器不限於此基板固持器20。舉例而言，物件固持器經組態以支撐圖案化器件MA。

在一實施例中，基板台WT包含基板固持器20及基板載物 台。基板載物台包含凹槽，基板固持器20被固持至該凹槽中。基板固持器20經組態以相對於基板台WT之基板載物台固持基板W。

如圖2中所展示，在一實施例中，基板固持器20包含芯體21。芯體21係板狀圓盤。如圖2中所展示，在一實施例中，芯體21包含複數個瘤節22。該等瘤節22為在芯體21之表面處突起的突起部。如圖2中所展示，在一實施例中，瘤節22具有遠端23。芯體21經組態成使得遠端23在支撐平面24中以用於支撐基板W。基板W之底面與瘤節22之遠端23接觸。基板W之底面之位置對應於支撐平面24。瘤節22經配置成使得基板W在基板固持器20上大體上平坦。

瘤節22在圖2中未按比例展示。在實務實施例中，可存在橫越直徑為例如200mm、300mm或450mm之基板固持器20而分佈的數百、數千或數萬個之瘤節。瘤節22之頂端具有小面積，例如，小於1mm²，使得基板固持器20之一側上的所有瘤節22之總面積不到基板固持器20之總表面積之總面積的約10%。由於瘤節22之配置，可能處於基板W、基板固持器20或基板台WT之表面上之任何粒子將落在瘤節22之間且因此將不會引起基板W或基板固持器20變形的機率較高。可形成圖案之瘤節配置可為規則的或可視需要變化以提供在基板W及基板台WT上之力之適當分佈。瘤節22可在平面中具有任何形狀，但在平面中通常為圓形。瘤節22可貫穿其高度具有相同形狀及尺寸，但通常為楔形的。瘤節22可在基板固持器20之面向物件之表面的其餘部分(亦即，靜電薄片25之頂表面)上方突出約1μm至約5mm，理想地約5μm至約250μm，理想地約10μm之距離。因此，在豎直方向上在瘤節22之遠端23與靜電薄片25之頂部表面之間的距離為約1μm至約5mm，理想地約5μm至約250μm，理想地約10 μm。基板固持器20之芯體21之厚度可在約1mm至約50mm之範圍內，理想地在約5mm至20mm之範圍內，典型地為10mm。

芯體21可由剛性材料製成。理想地，該材料具有高熱導率或低熱膨脹係數。理想地，該材料係導電的。理想地，該材料具有高硬度。合適材料包括碳化矽(silicon carbide，SiC)、矽化碳化矽(siliconized silicon carbide，SiSiC)、亞硝酸矽(silicon nitrite，Si₃N₄)、石英及/或各種其他陶瓷及玻璃陶瓷，諸如Zerodur^TM玻璃陶瓷。可藉由自相關材料之固體圓盤選擇性地移除材料以便留下突出瘤節22來製造芯體21。用以移除材料之合適技術包括放電加工(EDM)、蝕刻、加工及/或雷射切除。亦可藉由使瘤節22生長穿過光罩來製造芯體21。瘤節22可具有與基底相同的材料，且可藉由物理氣相沈積製程或濺鍍而生長。在一實施例中，芯體21包含一或多個內部通道(圖中未繪示)。在一實施例中，芯體21包含接合在一起之複數個層。在一實施例中，該等層係由不同材料形成。僅作為一項實例，在一實施例中，芯體21按次序包含SiSiC層、玻璃層及另一SiSiC層。層之其他組合亦係可能的。

如圖2中所展示，在一實施例中，基板固持器20包含用於靜電夾具之一或多個電極26。可產生電位差以便在基板W與基板固持器20之間及/或在基板固持器20與基板台WT之基板載物台之間提供靜電夾持力。在一實施例中，電極26囊封於介電層(亦被稱作電隔離層)27、28之間。所產生之電位差可為大約10伏特至5,000伏特。在美國公開案第2011-0222033號中描述使用一或多個加熱器及溫度感測器以局部地控制基板之溫度之配置，該公開案之全文係以引用方式併入本文中且其中之技術可應用於本文中之技術。

如圖2中所展示，在一實施例中，基板固持器20包含靜電薄片25。靜電薄片25包含一或多個電極26。對於電極26，在一實施例中，連續金屬膜之兩個半部(但與瘤節22之遠端23隔離)可彼此分離一分離距離且經沈積以形成靜電夾具之正元件及負元件。分離距離不受特別限制。在一實施例中，分離距離為至少約20μm、視情況至少約50μm、視情況至少約100μm、視情況至少約200μm及視情況至少約500μm。在一實施例中，分隔距離為至多約2mm、視情況至多約1mm，且視情況至多約500μm。在一實施例中，分離距離為約500μm。因此可存在兩個電極26。然而，靜電薄片25中的電極26之數目不受特別限制且可為一個或三個或多於三個。電極26之金屬線可具有大於約20nm，理想地大於約40nm之層厚度。金屬線理想地具有小於或等於約1μm，理想地小於約500nm，理想地小於約200nm之層厚度。

上部靜電薄片25之電極26可經組態以將基板W靜電夾持至基板固持器20。下部靜電薄片25之電極26可經組態以將基板固持器20靜電夾持至基板台WT之其餘部分。

在一實施例中，芯體21及瘤節22之材料係導電的。舉例而言，在一實施例中，瘤節22之材料為SiSiC。然而，芯體21及瘤節22之材料並非必需為導電的。在一實施例中，可提供將瘤節22中之兩者或多於兩者(視情況，所有瘤節22)之遠端23電連接至接地或共同電位的接地層。接地層可藉由沈積相對較厚導電材料層而形成。導電材料不受特別限制。在一實施例中，導電材料為Cr。在一替代實施例中，導電材料為CrN。在一實施例中，沈積層接著經圖案化以形成接地層。圖案可包含將瘤節22之遠端23連接在一起之一系列金屬線。此類圖案有時被稱作「曼哈頓 (Manhattan)」圖案。在一替代實施例中，沈積層未經圖案化。在一實施例中，接地層或另一層經配置以覆蓋芯體21及/或瘤節22之表面。接地層或其他層可有助於使表面平滑以使得更易於清潔表面。

如圖2中所展示，在一實施例中，靜電薄片25包含包夾於介電層27、28之間的電極26。如圖2中所展示，在一實施例中，將瘤節22及靜電薄片25提供於基板固持器20之兩個主表面上。在一替代實施例中，將瘤節22及靜電薄片25提供於基板固持器20之兩個主表面中之僅一者上。如圖2中所展示，在一實施例中，靜電薄片25係在瘤節22之間。舉例而言，如圖2中所展示，孔34提供於靜電薄片25中。孔34經配置成使得其位置對應於芯體21之瘤節22。瘤節22通過靜電薄片25之各別孔34突起，使得包夾於介電層27、28之間的電極26被提供於瘤節22之間的區中。

如圖2中所展示，在一實施例中，基板固持器20包含接合材料29。在一實施例中，接合材料具有至少100nm之厚度。接合材料29確保靜電薄片25相對於芯體21之位置。接合材料29保持靜電薄片25中之孔34與瘤節22對準。在一實施例中，瘤節22經定位於靜電薄片25之各別孔34之中心處。藉由規定接合材料29具有至少100nm之厚度，確保了接合層之最小順應度。一般而言，較厚接合材料對由芯體21與靜電薄片25之間的界面處之溫度差所引起的應力位準更具順應性且更不敏感。在一實施例中，接合材料29之厚度為至少200nm、視情況至少500nm、視情況至少1μm、視情況至少2μm、視情況至少5μm、視情況至少10μm、視情況至少20μm、視情況至少25μm及視情況至少50μm。本發明人已發現，使接合材料29在厚度上至少為25μm改良了界面部分對溫度差之容許 度(亦即，接合層更具順應性)。在一實施例中，接合材料29具有至多100μm之厚度。此確保了接合材料29之最小程度之穩定性，其有益於夾持功能之靜電效能。在一實施例中，接合材料29具有至多75μm且視情況至多50μm之厚度。減小接合材料29之厚度有助於使接合材料29更穩定。僅作為一實例，在一實施例中，接合材料29具有在約25μm至約75μm之範圍內之厚度。

如圖2中所展示，在一實施例中，接合材料29在不彼此連接之離散部分中形成。接合材料29之不同部分的厚度可存在一些變化。在一實施例中，接合材料29之單獨的部分具有大體上彼此相同的厚度。如圖10中所展示，在一替代實施例中，接合材料29在芯體21與靜電薄片25之間的區中連續地延伸。如圖10中所展示，在一實施例中，接合材料29延伸至靜電薄片25與瘤節22之間的區。

圖3至圖5示意性地描繪製造基板固持器20之製程的順次階段。特定言之，圖3至圖5展示將靜電薄片25接合至芯體21的階段。

如圖3中所展示，在一實施例中，製造基板固持器20之方法包含提供芯體21。芯體21包含用於支撐基板W之複數個瘤節22。如圖3中所展示，在一實施例中，方法包含將接合材料29施加至芯體21。將接合材料29施加至芯體21之主表面中之至少一者。將接合材料29施加於瘤節22之間。如圖3中所展示，在一實施例中，將接合材料29之複數個離散部分施加至芯體21。在一替代實施例中，橫越瘤節22之間的芯體21之主表面實質上連續地施加接合材料29。用於分配接合材料29之方法不受特別限制。藉由提供接合材料29之複數個離散部分，接合材料29之總體積可減小。此降低了過量接合材料29在瘤節22附近存在的可能性，否則過 量接合材料29可能會不利地影響基板固持器20之夾持功能。

如圖4中所展示，在一實施例中，方法包含將靜電薄片25連接至工具之板30。板30包含用於芯體21之各別瘤節22之複數個凹槽31。凹槽31與靜電薄片25之各別孔34對齊。在一實施例中，凹槽31之中心與靜電薄片25中之孔34的中心對準。板30經組態以使得凹槽31之圖案對應於芯體21之瘤節22的圖案。因此，以上關於瘤節22之數目及定位所提供的本發明同樣適用於板30之凹槽31的數目及定位，以及適用於靜電薄片25之孔34。在一實施例中，在垂直於板30之平面的方向上，板30具有至多10⁵Nm^-1之勁度。板30經組態以順應於瘤節22之高度之變化。

板30連接至靜電薄片25之方式不受特別限制。舉例而言，板30與靜電薄片25之間的連接可藉助於真空及/或靜電吸引力及/或暫時接合。在一實施例中，例如使用定位器相對於芯體21來定位板30。定位器經組態以在靜電薄片25被連接時控制板30之移動。定位器相對於芯體21定位板30，使得板30之凹槽31與芯體21之瘤節22對準(且因此靜電薄片25之孔34亦與芯體21之瘤節22對準)。

定位器經組態以控制板30之移動，以便將靜電薄片25安裝至瘤節22之間的芯體21上。舉例而言，定位器可將板30向下降低至芯體21上。在一替代實施例中，定位器經組態以使芯體21向上朝向板30移動，使得瘤節22延伸通過靜電薄片25之孔34。

在安裝製程期間，瘤節22之遠端23與凹槽31之基底接觸。凹槽31之基底阻止靜電薄片25及芯體21移動為彼此更接近。凹槽31之深度判定安裝靜電薄片25所在之高度。凹槽31之深度控制靜電薄片25之底部與芯體21之上表面(其中定位接合材料29)之間的距離。凹槽31之深度控 制瘤節22在所製造基板固持器20中之靜電薄片25之上表面上方突起的高度。

在一實施例中，凹槽31具有對應於上文所提及之瘤節22之經突出距離的深度。舉例而言，凹槽31具有約1μm至約5mm，理想地自約5μm至約250μm之深度。

在一實施例中，製造基板固持器20之方法包含固化接合材料29之步驟。在一實施例中，接合材料29在真空下經固化。此有助於避免接合材料29中之夾雜物。然而，接合材料29並非必需經固化。在一替代實施例中，接合材料29不需要固化。

所使用之接合材料之類型不受特別限制。在一實施例中，接合材料29包括黏接材料。然而，接合材料29並非必需為黏接材料。亦可使用非黏接材料。舉例而言，在一替代實施例中，接合材料29為用於將靜電薄片25焊接或熔接至芯體21之材料。

圖5示意性地展示當瘤節22之遠端23緊靠凹槽31之基底的時刻。

在實施例中，接合材料29在由板30之凹槽31界定之高度下將靜電薄片25固定至芯體21。在一實施例中，方法包含使板30與靜電薄片25斷開連接。如圖2中所展示，在一實施例中，靜電薄片25提供於芯體21之每一側上。可針對芯體21之相對表面重複上文所描述之方法步驟，使得靜電薄片25提供於芯體21之兩個表面上。

在一實施例中，瘤節22中之至少一者在支撐平面24內之方向上在其遠端23處具有至多10⁷Nm^-1之勁度。在基板固持器20之正常使用中，支撐平面24內之方向係水平的。在支撐平面24內之方向上之勁度可 被稱作水平勁度。水平勁度係指需要待施加至瘤節22之遠端23以便水平地移動遠端23之力之量。舉例而言，為10⁷Nm^-1之水平勁度意謂水平地施加於遠端23處之10N力將使得遠端23水平地移動1μm。藉由規定水平勁度為至多10⁷Nm^-1，水平勁度小於電極嵌入於玻璃中(而非與具有瘤節22之芯體21分離地形成靜電薄片25)之已知基板固持器的水平勁度。藉由規定瘤節22延伸通過靜電薄片25之孔34，瘤節22比靜電薄片25之厚度更長(在豎直方向上)。藉由提供較長瘤節22，可減小瘤節22之水平勁度。在一實施例中，大部分瘤節22具有至多10⁷Nm^-1之勁度。在一實施例中，大體上所有瘤節22在支撐平面24內之方向上在其遠端23處具有至多10⁷Nm^-1之勁度。可藉由選擇瘤節22之長度來控制瘤節22之水平勁度。另外或替代地，可藉由選擇瘤節22之寬度(亦即，周長)來控制瘤節22之水平勁度。

藉由減小瘤節22之水平勁度，瘤節22在曝光期間在基板W之熱膨脹方向上更具可撓性。在曝光製程期間，藉由輻射來加熱基板W。基板W之加熱造成基板W局部地擴展。擴展之量橫越基板W而變化。基板W之擴展可造成基板W之底面之部分相對於瘤節22中之一些之遠端23滑動。此滑動可造成非所要的疊對誤差，其可難以預測(且因此難以補償)。藉由減小瘤節22之水平勁度，減小了基板W相對於瘤節22滑動之可能性。基板W之擴展在瘤節22之遠端23上賦予水平力。瘤節22可撓曲以便維持與基板W之接觸。瘤節22可充當懸臂樑。

在一實施例中，瘤節22中之至少一者(或大部分或全部)在其遠端23處具有至多7×10⁶Nm^-1、視情況至多5×10⁶Nm^-1、視情況至多3×10⁶Nm^-1、視情況至多2×10⁶Nm^-1且視情況至多10⁶Nm^-1之水平勁度。藉由減小瘤節22之水平勁度，理想地減小了橫越基板固持器20之瘤節22 之接觸勁度的變化。

在一實施例中，瘤節22中之至少一者(或大部分或全部)在其遠端23處具有至少10⁵Nm^-1、視情況至少2×10⁵Nm^-1、視情況至少5×10⁵Nm^-1且視情況至少10⁶Nm^-1之水平勁度。此提供至瘤節22之最小穩固性。

在一實施例中，包括瘤節22之芯體21係由具有高楊氏模量之材料製成。舉例而言，SiSiC具有高楊氏模量。在一實施例中，瘤節22具有為至少10⁷Nm^-1、視情況至少2×10⁷Nm^-1且視情況至少3×10⁷Nm^-1之豎直勁度。舉例而言，豎直勁度可為約3.4×10⁷Nm^-1。藉由增加豎直勁度，可改良聚焦效能。

製造包含瘤節22之芯體21之方法不受特別限制。舉例而言，雷射切除、放電加工及/或粉末噴砂可用以產生瘤節22。

圖6為根據本發明之一實施例之基板固持器20之部分的特寫視圖。如圖6中所展示，在一實施例中，瘤節22中之至少一者係由溝槽35包圍。溝槽35形成於芯體21之面向物件之表面37中。在一實施例中，瘤節22緊接由溝槽35包圍。藉由提供溝槽35，瘤節22之長度增加，而不必增加靜電薄片25之厚度或瘤節22之遠端23在靜電薄片25之頂部表面上方突起之高度。藉由增加瘤節22之長度，可減小瘤節22之水平勁度。瘤節22之長度為遠端23與溝槽底面36之間的豎直距離。溝槽35之深度為溝槽底面36與芯體21之面向物件之表面37之間的豎直距離。芯體21之面向物件之表面37為接合材料29定位在其上的表面。

瘤節22之遠端23的直徑不受特別限制。在一實施例中，遠端23之直徑為至少100μm，且視情況至少200μm。在一實施例中，遠端 23處之直徑為至多500μm。舉例而言，在一實施例中，遠端23處之直徑為約210μm。瘤節22之長度不受特別限制。在一實施例中，瘤節22之長度為至少200μm、視情況至少500μm且視情況至少1000μm。在一實施例中，瘤節22之長度為至多2000μm，且視情況至多1000μm。舉例而言，在一實施例中，未由溝槽35包圍之瘤節22具有約560μm之長度。在一實施例中，由溝槽35包圍之瘤節22具有約1000μm之長度。在一實施例中，芯體21包含由溝槽35包圍之至少一個瘤節22及未由任何此類溝槽包圍之至少一個瘤節22。可存在由溝槽35包圍之瘤節22及未由溝槽包圍之瘤節22的混合物。

圖7為展示瘤節22之水平勁度可如何取決於該等瘤節在基板固持器20中之位置而變化的示意圖。在一實施例中，基板固持器20之周邊區中之瘤節22c中之至少一者的水平勁度比基板固持器20之中心區中之瘤節22a中之至少一者的水平勁度低。在一實施例中，瘤節22之水平勁度在徑向方向上遠離基板固持器20之中心逐漸增大。如上文所提及，存在控制瘤節22之水平勁度的不同方式。圖7示意性地展示藉由變化瘤節22之長度而變化的水平勁度。舉例而言，如圖7中所展示，在一實施例中，瘤節22之長度H隨著距基板固持器20之中心之距離R增大而增大。另外或替代地，包圍瘤節22之溝槽35的深度可隨著距基板固持器20之中心的距離R增大而增大。另外或替代地，瘤節22之寬度可隨著距基板固持器20之中心之距離R增大而減小。如圖7中所展示，在一實施例中，中間瘤節22b可具有小於周邊瘤節22c之高度、大於中心瘤節22a之長度的中間高度。

當基板W相對於芯體21擴展時，基板W之相對移動取決於基板W之徑向位置而變化。一般而言，可預期，基板W與芯體21之間的相 對移動在周邊處可最大，而在基板固持器20之中心處可處於最小值。此意謂基板W相對於瘤節22之遠端23滑動的風險在基板固持器20之周邊區中較大。藉由取決於徑向位置使瘤節22之水平勁度變化，可使瘤節22針對其位置之需要而具可撓性的。此允許平衡可撓性瘤節之益處與製造芯體21之複雜度。舉例而言，可能更難以製造具有較低水平厚度之瘤節22。可增加製造芯體21之複雜度，且可需要降低在基板W與基板固持器20之間滑動的可能性。

圖8為根據本發明之一實施例之基板固持器20之部分的特寫視圖。如圖8中所展示，在一實施例中，芯體21包含至少一個氣體供應通路38。氣體供應通路38經組態以經由芯體21與靜電薄片25之間的豎直間隙40而將氣體供應至瘤節22中之至少一者的徑向外表面41(圖9中所展示)與靜電薄片25之間的徑向間隙39。圖9為瘤節22之徑向外表面41與靜電薄片25之界定靜電薄片25中之孔34的壁42之間的徑向間隙39之特寫視圖。在圖8及圖9中，雙端箭頭表示氣流。

在一實施例中，基板固持器20包含經組態以熱調節基板W之熱調節器。熱調節器可用以(例如)在曝光製程期間控制基板W之溫度。在一實施例中，熱調節器包含熱調節流體流動通過之電路。在一實施例中，熱調節器包含經控制以控制熱調節功能之加熱器及感測器。

藉由提供氣體供應通路38，可在基板W與基板固持器20之間供應氣體以便增加基板固持器20與基板W之間的熱轉移。此情形有助於控制基板W之溫度。如圖8中所展示，氣體經由氣體供應通路38直接供應在靜電薄片25下方。氣體供應通路38在靜電薄片25正下方的芯體21之面向物件之表面37中的開口處終止。氣體在芯體21與靜電薄片25之間的豎 直間隙40中流動且到達徑向間隙39。氣體接著填充基板W與靜電薄片25之頂部表面之間的間隙，藉此改良基板W與基板固持器20之間的熱傳導。

藉由將氣體供應通路38提供於靜電薄片25正下方，可改良基板W之平坦度。此係因為在芯體21與靜電薄片25之下部介電層27之間的氣體通路允許氣體到達基板W下方，而無需靜電薄片25中之孔處於彼位置中。藉由在靜電薄片25中不具有孔，沒有必要在高壓電極26中具有孔。藉由在高電壓電極26中不具有孔，沒有必要在孔中具有接地層以屏蔽電極26。藉由在高電壓電極26中不具有孔，不存在靜電夾持力之局部減小，否則將會降低平坦度。靜電薄片25定位於氣體供應通路38與基板W之間。在一實施例中，橫越芯體21提供複數個此類氣體供應通路38。對氣體供應通路38之位置及數目不存在特定限定。預期本發明之一實施例改良基板W下方之壓力之均一性，而不會過度地減小基板W之平坦度。豎直間隙40存在於接合材料29之部分之間的區中。藉由增加基板W下方之壓力之均一性，可在不過度地增加在基板W之部分下方之壓力過低之可能性的情況下減小平均壓力。藉由減小基板W下方之平均壓力，增加將基板W固持於基板固持器20上之有效夾持力。氣體之釋放時間可減少。所用氣體之類型不受特別限制。在一實施例中，氣體包含氫氣。在一實施例中，靜電薄片25包含豎直在氣體供應通路38正上方的孔。

圖10為根據本發明之一實施例之基板固持器20之部分的特寫視圖。如圖10中所展示，在一實施例中，接合材料29實質上填充靜電薄片25之下表面與芯體21之對向表面之間的區。如圖10中所展示，在一實施例中，接合材料29實質上覆蓋在靜電薄片25下方的芯體21之面向物件之表面37。如圖10中所展示，在一實施例中，接合材料29包圍瘤節 22。如圖10中所展示，在一實施例中，接合材料29具有低於靜電薄片25之上表面的上表面。在一替代實施例中，接合材料29之上表面與靜電薄片25之上表面實質上共面。圖10中所展示之實施例與上文所描述之其中接合材料29提供於稀疏位置中(而非全部圍繞靜電薄片25)的其他實施例形成對比。

在一實施例中，電極26連接至高電壓電位(例如，約3200kV)。在基板W與靜電薄片25之間產生的電場在基板固持器20與基板W之間產生靜電吸引力。在一實施例中，使芯體26及其瘤節22電接地(或保持處於另一受控電位)。在靜電薄片25與瘤節22之間的區中以及在靜電薄片25與芯體21之間的區中存在電場。在接合材料29中存在電場。

如圖10中所展示，在一實施例中，靜電薄片25包含電絕緣體44。電絕緣44係非導電的且充當高電壓障壁。電絕緣體44在電極26之平面中包圍電極26。電絕緣體44降低了電極26與瘤節22之間的電崩潰之可能性。

電荷可橫越電絕緣體44流動。當電極26處於高電壓時，此可不當地影響夾持力。當基板固持器20並不用以夾持基板W時，電荷流亦可不當地導致殘餘夾持力。在接合材料29皆圍繞靜電薄片25(例如，如圖10中所展示)之實施例中，接合材料29之表面導電性可不當地影響靜電場及夾持力。

圖11為根據本發明之一實施例之基板固持器20之部分的特寫視圖。箭頭指示電場。如圖11中所展示，在一實施例中，靜電薄片25包含靜電屏蔽件45。靜電屏蔽件45經組態以將靜電薄片25與其他組件隔離。在一實施例中，靜電屏蔽件45經組態以將電絕緣體44中之電荷與基 板W及/或與芯體21及瘤節22之其餘部分屏蔽。靜電屏蔽件45可提供於靜電薄片25周圍之一或多個不同位置中。在一實施例中，靜電屏蔽件45包含在靜電薄片25之表面處的導電電鍍。在一實施例中，靜電屏蔽件45係藉由化學氣相沈積而施加。在一實施例中，靜電屏蔽件45係藉由濺鍍而施加。在一實施例中，靜電屏蔽件45係藉由物理氣相沈積而施加。在一實施例中，靜電屏蔽件45具有至少50nm、視情況至少100nm、視情況至少200nm且視情況至少500nm之厚度。在一實施例中，靜電屏蔽件45具有為至多1000nm、視情況至多500nm、視情況至多200nm且視情況至多100nm之厚度。在一實施例中，靜電屏蔽件45之厚度針對靜電屏蔽件之不同區段可不同。

圖12為根據本發明之一實施例之靜電薄片25之部分的示意性橫截面圖。如圖12中所展示，在一實施例中，靜電薄片25包含在靜電薄片25之面向芯體21之主表面處的靜電屏蔽件45a。在圖11中所展示之實例中，此為靜電薄片25之底部表面。靜電屏蔽件45a經組態以將電極26與芯體21之面向物件之表面37隔離。在一實施例中，靜電屏蔽件45a覆蓋靜電薄片25之大體上全部底部表面。然而，未必為此狀況。在一替代實施例中，靜電屏蔽件45a僅覆蓋靜電薄片25之底部表面之部分。

如圖12中所展示，在一實施例中，靜電薄片25包含靜電薄片25之孔界定之表面處的靜電屏蔽件45b。靜電屏蔽件45b經組態以將靜電薄片25與瘤節22中之至少一者之徑向外表面41隔離。如圖12中所展示，在一實施例中，靜電薄片25包含在靜電薄片25之背離芯體21之主表面處的靜電屏蔽件45c。在圖11中所展示之實例中，此為靜電薄片25之頂部表面。靜電屏蔽件45c經組態以使靜電薄片25與豎直地在電絕緣體44上 方之基板W的區至少部分地隔離。在一實施例中，靜電屏蔽件電接地(或保持處於另一受控電位)。靜電屏蔽件45可存在於若干位置中。在一實施例中，靜電屏蔽件45c經提供為靜電薄片25之頂部上圍繞靜電薄片25中之孔34的環。在一實施例中，靜電屏蔽件45a、45b、45c之不同區段具有不同厚度。

如圖11中所展示，舉例而言，在一實施例中，靜電薄片25中之孔34實質上為圓柱形。然而，未必為此狀況。圖13至圖17為孔34並非完全圓柱形的替代實施例的示意圖。舉例而言，如圖13中所展示，在一實施例中，孔34為沙漏形。此可更易於製造，特別是在使用粉末噴砂來塑形介電層27、28的情況下。在一實施例中，靜電薄片25包含介於電極26與基板W之間的上部介電層28。上部介電層28朝向基板W逐漸變窄。此意謂孔34之直徑橫越上部介電層28之厚度朝向基板W增大。如圖13中所展示，在一實施例中，靜電薄片25包含下部介電層27。下部介電層27在電極26與芯體21之間。在一實施例中，下部介電層朝向芯體21逐漸變窄。此意謂孔34之直徑橫越下部介電層27之厚度朝向芯體21增大。預期具有沙漏形壁34的本發明之實施例更易於製造。在圖13中，上部介電層28及下部介電層27兩者皆為楔形。在一替代性實施例中，兩個介電層27、28中之僅一者為楔形。在圖13中，介電層27、28自靜電薄片25之兩側逐漸變窄。如圖19中所展示，在一替代實施例中，靜電薄片25僅自一側逐漸變窄。舉例而言，上部介電層28及下部介電層27兩者可朝向基板W逐漸變窄。替代地，上部介電層28及下部介電層27兩者可朝向芯體21逐漸變窄。在一實施例中，孔34藉由僅自一側進行粉末噴砂而形成於靜電薄片25中。

如圖13至圖16中所展示，對提供靜電屏蔽件45之位置的選擇不受特別限制。如圖13中所展示，在一實施例中，靜電屏蔽件45提供於靜電薄片25之底部表面處及孔34之內部，但不提供於靜電薄片25之頂部上。

如圖14中所展示，在一實施例中，靜電屏蔽件45提供於瘤節22中之至少一者與包夾電極26之兩個介電層27、28中之僅一者之間。舉例而言，如圖14中所展示，在一實施例中，靜電屏蔽件提供於靜電薄片25之底部表面處及下部介電層27處之孔34內部(但不提供於上部介電層28處)。

如圖15中所展示，在一實施例中，靜電屏蔽件45提供於靜電薄片25之底部表面處、孔34之內部及孔34周圍的靜電薄片25之頂部處。

藉由提供靜電屏蔽件45，降低了不當電崩潰之可能性。此在由於製造容許度可能無法良好地控制電極26與瘤節22之間的間隙之大小時尤其重要。靜電屏蔽件45有助於減小可歸因於流經電絕緣體44或流經介電層27、28之電荷而引起的電崩潰。當全部在靜電薄片25周圍提供接合材料29(例如，如圖10中所展示)時，由於接合材料29之表面導電性，電極磁屏蔽件45降低了電崩潰的可能性。靜電屏蔽件45降低了橫越靜電薄片25周圍之間隙的不當靜電放電之可能性，該不當靜電放電可由進入彼等間隙之材料引起。

如圖16中所展示，在一實施例中，在僅用於上部介電層28(而不用於下部介電層27)之孔34僅內部及在孔34周圍的靜電薄片25之頂部上提供靜電屏蔽件45b。

圖17示意性地展示根據本發明之一實施例之基板固持器20之部分的透視圖。如圖17中所展示，在一實施例中，包圍不同瘤節22之靜電屏蔽件45c經由在介於電極26與基板W之間的靜電薄片25之上部介電層28之面向物件之表面上的導電線46(亦展示於圖16中)彼此電連接。在一實施例中，導電線46將孔34周圍之靜電屏蔽件45c連接至接地(或另一受控電位)。因此，不必需在靜電薄片25之底部表面處提供靜電屏蔽件45a以便將靜電屏蔽件45c連接至接地。

圖18為由導電線46連接的圍繞瘤節22之遠端23的靜電屏蔽件45c之示意性平面圖。靜電屏蔽件45c可呈現為藉由靜電薄片25之頂部上之薄導電線46電連接至地面的圓環。

用以製造根據實施例之物件固持器之全部部分的材料可為以下各者中之任一者：用以製造已知物件固持器之已知材料。特定言之，根據實施例之物件固持器之部分可用如全部內容以引用方式併入本文中的WO2015/120923A1、WO2014/154428A2及US2013/0094009A1中所揭示之材料製造。

特定言之，用於電極26之金屬可為Cr或Ti。瘤節之遠端表面上所使用之金屬可為CrN或TiN。絕緣部分可為氧化鉻。芯體可為SiSiC。用於靜電屏蔽件45之材料可為Cr、CrN或W(但許多其他材料係可能的)。

為了輔助清晰解釋，已關於物件固持器之上表面及下表面描述實施例。上表面及下表面為物件固持器之第一表面及第二表面。第一表面為物件可夾持至之表面。第二表面為台可被夾持至之表面。當物件固持器定向於水平面中時，第一表面為上表面且第二表面為下表面。然而， 實施例亦包括物件固持器未在水平面中定向。

實施例包括用於任何微影裝置中之物件固持器。微影裝置可包括用於基板製造、測試及檢測中之任何裝置，諸如電子束檢測裝置。為了輔助清晰解釋，已主要在夾持至基板W之基板固持器20之上側的內容背景中描述物件固持器之特徵。本發明之特徵同樣適用於物件固持器之下側，例如夾持至基板台WT之其餘部分的基板固持器20之下表面。僅作為實例，可將與可撓性瘤節22、溝槽35及安裝工具相關之特徵施加於基板固持器20之下側處。

儘管可在本文中特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等。

儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置之部分。此等裝置通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。

儘管上文可特定地參考在物件檢測及光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於內容背景且可用於其他應用(例如壓印微影)中。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

20:物件固持器/基板固持器21:芯體22:瘤節23:遠端24:支撐平面25:靜電薄片26:電極27:下部介電層28:上部介電層29:接合材料34:孔

Claims (20)

1. 一種經組態以支撐一物件之物件固持器，該物件固持器包含：一芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端(distal ends)以用於支撐該物件，該等瘤節不具有經組態以提供一靜電力之一電極於其中；及一靜電薄片，其在該等瘤節之間，該靜電薄片包含包夾於介電層之間的一電極；其中該等瘤節中之至少一者緊接由該芯體之一面向物件（object-facing）之表面中的一溝槽包圍。
2. 如請求項1之物件固持器，其中該等瘤節中之至少一者在其遠端處在該支撐平面內之一方向上具有為10⁵至10⁷Nm^{- 1}之一勁度。
3. 如請求項1或2之物件固持器，其中該物件固持器之一周邊區中之該等瘤節中的至少一者相比於該物件固持器之一中心區中之該等瘤節中的至少一者在該支撐平面內之一方向上在其遠端處具有一較低勁度。
4. 如請求項1或2之物件固持器，其中該芯體包含至少一個氣體供應通路，該至少一個氣體供應通路經組態以經由該芯體與該靜電薄片之間的一豎直間隙而將氣體供應至該等瘤節中之至少一者的一徑向外表面與該靜電薄片之間的一間隙。
5. 如請求項1或2之物件固持器，其中該靜電薄片包含靜電屏蔽件，該靜電屏蔽件經組態以將該靜電薄片與選擇自下述的至少一者隔離：在該電極之一平面中在包圍該電極之一電絕緣體豎直上方的該物件之一區、該芯體之一面向物件之表面及/或該等瘤節中之至少一者之一徑向外表面中。
6. 如請求項5之物件固持器，其中該靜電屏蔽件提供於該等瘤節中之至少一者與包夾該電極之兩個介電層中之僅一者之間。
7. 如請求項5之物件固持器，其中該靜電屏蔽件包圍不同瘤節及包圍該等不同瘤節的該靜電屏蔽件經由該電極與該物件之間的該靜電薄片之一上部介電層之一面向物件之表面上的導電線彼此電連接。
8. 如請求項1或2之物件固持器，其中該靜電薄片包含在該電極與該物件之間的朝向該物件或該芯體逐漸變窄的一第一介電層，及在該電極與該芯體之間的朝向該物件或該芯體逐漸變窄的一第二介電層。
9. 如請求項1或2之物件固持器，其中該靜電薄片藉由具有100 nm或更少之一厚度的一接合材料接合至該芯體且其中該接合材料包含一黏接材料。
10. 一種微影裝置，其包含如請求項1至9中任一項之物件固持器。
11. 一種經組態以支撐一物件之物件固持器，該物件固持器包含：一芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件，該芯體包含至少一個氣體供應通路，其在該芯體之一表面中的一開口處終止；及一靜電薄片，其在該等瘤節之間，該靜電薄片包含包夾於介電層之間的一電極，其中該至少一個氣體供應通路經組態以經由該芯體與該靜電薄片之間的一間隙而將氣體供應至該等瘤節中之至少一者的一外表面與該靜電薄片之間的一間隙。
12. 如請求項11之物件固持器，其中該等瘤節中之至少一者緊接由該芯體之一面向物件之表面中的一溝槽包圍。
13. 如請求項11之物件固持器，其中該等瘤節中之至少一者在其遠端處在該支撐平面內之一方向上具有為10⁵至10⁷Nm^{- 1}之一勁度。
14. 如請求項11之物件固持器，其中該物件固持器之一周邊區中之該等瘤節中的至少一者相比於該物件固持器之一中心區中之該等瘤節中的至少一者在該支撐平面內之一方向上在其遠端處具有一較低勁度。
15. 如請求項11之物件固持器，其中該靜電薄片包含靜電屏蔽件，該靜電屏蔽件經組態以將該靜電薄片與選擇自下述的至少一者隔離：在該電極之一平面中在包圍該電極之一電絕緣體豎直上方的該物件之一區、該芯體之一面向物件之表面及/或該等瘤節中之至少一者之一徑向外表面中。
16. 一種經組態以支撐一物件之物件固持器，該物件固持器包含：一芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件，該芯體包含至少一個氣體供應通路，其在該芯體之一表面具有一開口；及一靜電薄片，其在該等瘤節之間，該靜電薄片包含包夾於介電層之間的一電極，其中該靜電薄片包含靜電屏蔽件，該靜電屏蔽件經組態以將該靜電薄片與選擇自下述的至少一者隔離：在該電極之一平面中在包圍該電極之一電絕緣體豎直上方的該物件之一區、該芯體之一面向物件之表面及/或該等瘤節中之至少一者之一徑向外表面中。
17. 如請求項16之物件固持器，其中該靜電屏蔽件提供於該等瘤節中之至少一者與包夾該電極之兩個介電層中之僅一者之間。
18. 如請求項16之物件固持器，其中該靜電屏蔽件包圍不同瘤節及包圍該等不同瘤節的該靜電屏蔽件經由該電極與該物件之間的該靜電薄片之一上部介電層之一面向物件之表面上的導電線彼此電連接。
19. 如請求項16之物件固持器，其中該等瘤節中之至少一者在其遠端處在該支撐平面內之一方向上具有為10⁵至10⁷Nm^{- 1}之一勁度。
20. 如請求項16之物件固持器，其中該芯體包含至少一個氣體供應通路，該至少一個氣體供應通路經組態以經由該芯體與該靜電薄片之間的一間隙而將氣體供應至該等瘤節中之至少一者的一外表面與該靜電薄片之間的一間隙。