TW202427069A - 物件固持器及製造方法 - Google Patents

Abstract

一種物件固持器經組態以支撐一物件。該物件固持器包含一芯體，該芯體包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件。該物件固持器進一步包含該等瘤節之間的一靜電片。該靜電片包含：一電極，其包含一金屬；及金屬氧化物層，其包含該金屬之一氧化物。該電極包夾於該等金屬氧化物層之間。

Description

物件固持器及製造方法

本發明係關於一種物件固持器、一種包含此物件固持器之物件台、一種包含此物件固持器之微影設備以及一種製造此物件固持器之方法。

微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。舉例而言，微影設備可將圖案化裝置(例如，遮罩)處之圖案投射至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

為了將圖案投射於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵的最小大小。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用於在基板上形成較小特徵。

物件，諸如基板或遮罩，可藉由物件固持器來固持。由於諸如基板或遮罩之物件之高加速度，物件固持器經組態以夾持物件。舉例而言，可使用真空夾持，藉此物件與物件固持器之間的空間被抽空或部分地抽空，使得物件之相對表面處的氣體壓力將物件壓靠固持器。然而，使用EUV輻射之微影設備可在真空或接近真空中，亦即在低壓下，操作。在此類微影設備中，真空夾持可能不合適，出於此原因，可使用靜電夾持。該微影設備可包含靜電物件固持器，其經組態以藉由靜電力來固持物件。該靜電物件固持器可包含：複數個瘤節，其在支撐平面中具有遠端以用於支撐物件；及瘤節之間的靜電片，其中該靜電片經組態為帶電的，以便將靜電夾持力施加在藉由瘤節固持之物件上。

本發明之一目標為提供一種改良的物件固持器。

根據本發明之一態樣，提供一種經組態以支撐一物件之物件固持器，該物件固持器包含： 一芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件；及該等瘤節之間的一靜電片，該靜電片包含：一電極，其包含一金屬；及金屬氧化物層，其包含該金屬之一氧化物，其中該電極包夾於該等金屬氧化物層之間。

根據本發明之另一態樣，提供一種物件台，其包含一支撐部件及根據本發明之一態樣之物件固持器，該物件固持器附接至該支撐部件。

根據本發明之又另一態樣，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化裝置投射至一基板上之微影設備，該微影設備包含根據本發明之一態樣之物件固持器或根據本發明之一態樣之物件台。

根據本發明之一又另一範疇，提供一種製造一物件固持器之方法，其包含： 提供包含一金屬之一金屬片；在該金屬片中產生複數個穿孔；在該金屬片上提供金屬氧化物層以形成一靜電片，該等金屬氧化物層包含該金屬之一氧化物；提供一芯體，該芯體包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件；及組裝該靜電片與該芯體以形成該物件固持器。

圖1展示包含輻射源SO及微影設備LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射射束B及將EUV輻射射束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。

照明系統IL經組態以在EUV輻射射束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射射束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11共同提供具有所需橫截面形狀及所需強度分佈之EUV輻射射束B。作為琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11之補充或替代，照明系統IL可包括其他鏡面或裝置。

在如此調節之後，EUV輻射射束B與圖案化裝置MA相互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射射束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射射束B'投射至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射射束B'投射至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於經圖案化EUV輻射射束B'，因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用縮減因數4或8。儘管投影系統PS經繪示為僅具有圖1中之兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。

基板W可包括先前形成之圖案。在此狀況下，微影設備LA使由經圖案化EUV輻射射束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。

可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下的少量氣體(例如氫氣)。在另一實施例中，氫氣可提供於其中設置有基板台WT之隔室中。

輻射源SO可為雷射產生電漿(LPP)源、放電產生電漿(DPP)源、自由電子雷射(FEL)或能夠產生EUV輻射之任何其他輻射源。

圖2為用於微影設備之物件固持器20之橫截面視圖。物件固持器20經組態以支撐物件。在以下描述中，將在物件固持器為經組態以支撐基板W之基板固持器20的上下文中描述本發明。然而，物件固持器不限於此基板固持器20。舉例而言，物件固持器可經組態以支撐圖案化裝置MA，諸如遮罩。

在一實施例中，基板台WT包含基板固持器20及基板載物台。舉例而言，基板載物台可包含基板固持器20固持在其中之凹槽。基板固持器20經組態以相對於基板台WT之基板載物台固持基板W。作為另一實例，基板載物台之鏡面區塊可具有平頂，而無用於夾具之切口。夾具之底部電極可在鏡面區塊上施加夾持力，以在鏡面區塊上將夾具固持在適當位置。

如圖2中所展示，在一實施例中，基板固持器20包含芯體21。芯體21係板狀圓盤。如圖2中所展示，在一實施例中，芯體21包含複數個瘤節22。瘤節22為在芯體21之表面處突起的突起部。如圖2中所展示，在一實施例中，瘤節22具有遠端23。芯體21經組態以使得遠端23在支撐平面24中以用於支撐基板W。基板W之下側與瘤節22之遠端23接觸。基板W之下側之位置對應於支撐平面24。瘤節22經配置成使得基板W在基板固持器20上大體上平坦。芯體21可含有冷卻能力，例如，冷卻液體(例如水)可流動通過之通道。在此狀況下，芯可由多個材料層組成，該等材料層藉由氧化接合、擴散接合或其他接合技術彼此接合。

瘤節22在圖2中未按比例展示。在實務實施例中，可存在橫越直徑為例如200 mm、300 mm或450 mm之基板固持器20而分佈的數百、數千或數萬個瘤節。瘤節22之頂端具有小面積，例如，小於1 mm ²，使得基板固持器20之一側上的所有瘤節22之總面積不到基板固持器20之總表面積之總面積的約10%。由於瘤節22之配置，可能處於基板W、基板固持器20或基板台WT之表面上之任何顆粒將落在瘤節22之間且因此將不會引起基板W或基板固持器20變形的機率較高。可形成圖案之瘤節配置可為規則的或可視需要變化以提供在基板W及基板台WT上之力之適當分佈。在底側處，可存在少得多的瘤節(例如，約150個)，其可具有大於1 mm ²之表面積。在頂側及底側上，可圍繞突起至芯體21中之各瘤節製造溝槽，其優點為減小瘤節之橫向剛度。此可有助於適應改變的基板形狀，而不會由於因曝光之熱負載引起的熱改變而滑動，且有助於在底側上適應由於加速而引起的鏡面區塊(亦即，基板台主體)之變形而不滑動。瘤節22可在平面中具有任何形狀，但在平面中通常為圓形。瘤節22可貫穿其高度具有相同形狀及尺寸，但通常為楔形的。瘤節22可在基板固持器20之面向物件之表面的其餘部分(亦即，靜電片25之頂部表面)上方突出約1 μm至約5 mm，理想地約5 μm至約250 μm，理想地約10 μm之距離。因此，在豎直方向上在瘤節22之遠端23與靜電片25之頂部表面之間的距離為約1 μm至約5 mm，理想地約5 μm至約250 μm，理想地約10 μm。基板固持器20之芯體21之厚度可在約1 mm至約50 mm之範圍內，理想地在約5 mm至20 mm之範圍內，典型地為10 mm。

芯體21可由剛性材料製成。理想地，該材料具有高熱導率及低熱膨脹係數。理想地，該材料係導電的。理想地，該材料具有高硬度。合適的材料包括碳化矽(SiC)、矽化碳化矽(SiSiC)、亞硝酸矽(Si3N4)、石英及/或各種其他陶瓷及玻璃陶瓷，諸如Zerodur™玻璃陶瓷及/或堇青石。可藉由自相關材料之固體圓盤選擇性地移除材料以便留下突起瘤節22來製造芯體21。用以移除材料之合適技術包括放電加工(EDM)、蝕刻、加工及/或雷射剝蝕。亦可藉由使瘤節22生長穿過遮罩來製造芯體21。瘤節22可具有與基底相同之材料，且可藉由物理氣相沉積程序或濺鍍而生長。在一實施例中，芯體21包含一或多個內部通道(圖中未繪示)。在一實施例中，芯體21包含接合在一起之複數個層。在一實施例中，該等層係由不同材料形成。僅作為一個實例，在一實施例中，芯體21按次序包含SiSiC層、玻璃層及另一SiSiC層。層之其他組合亦係可能的。

如圖2中所展示，在一實施例中，基板固持器20包含用於靜電夾具之一或多個電極26。可產生電位差以便在基板W與基板固持器20之間及/或在基板固持器20與基板台WT之基板載物台之間提供靜電夾持力。在一實施例中，電極26囊封於介電層(亦被稱作電隔離層) 27、28之間。所產生的電位差可例如為大約10伏特至5,000伏特，該電位差之極性可為正的或負的。在美國公開案第2011-0222033號中描述使用一或多個加熱器及溫度感測器以局部地控制基板之溫度之配置，該公開案之全文係以引用方式併入本文中且其中之技術可應用於本文中的技術。

如圖2中所展示，在一實施例中，基板固持器20包含靜電片25。靜電片25包含一或多個電極26。對於電極26，在一實施例中，連續金屬膜之兩半(但與瘤節22之遠端23隔離)可彼此分開一間隔距離，且經定位以形成靜電夾具之正元件及負元件。間隔距離不受特定限制。在一實施例中，間隔距離為至少約20 μm。在其他實施例中，間隔距離為至少約50 μm，視情況至少約100 μm，視情況至少約200 μm，且視情況至少約500 μm。在一實施例中，間隔距離為至多約2 mm、視情況至多約1 mm，且視情況至多約500 μm。在一實施例中，間隔距離為約500 μm。因此可存在兩個電極26。然而，靜電片25中的電極26之數目不受特定限制且可為一個或三個或更多個。舉例而言，為了夾持具有絕緣背側之基板，可能至少需要兩個電極。電極中之一者可設定為正電壓且另一者可設定為負電壓。以此方式，基板可能不需要接地，但仍然經箝位，同時平均處於接近地電位(0V)。為了在夾具之底側上應用電極以夾持至鏡面區塊，一個電極可足夠，因為可將鏡面區塊上之導電塗層接地，且以此方式，在夾具電極與鏡面區塊之間具有電壓差以產生力。

電極26之金屬線可具有大於約20 nm，理想地大於約40 nm之層厚度。金屬線理想地具有小於或等於約1 pm，理想地小於約500 nm，理想地小於約200 nm之層厚度。

上部靜電片25之電極26可經組態以將基板W靜電夾持至基板固持器20。下部靜電片25之電極26可經組態以將基板固持器20靜電夾持至基板台WT之其餘部分。

在一實施例中，芯體21及瘤節22之材料係導電的。舉例而言，在一實施例中，瘤節22之材料為SiSiC。然而，芯體21及瘤節22之材料並非必需為導電的。在一實施例中，可提供將瘤節22中之兩者或更多者(視情況，所有瘤節22)之遠端23電連接至接地或共同電位的接地層。接地層可藉由沉積相對較厚的導電材料層而形成。導電材料不受特定限制。在一實施例中，導電材料為Cr。在替代實施例中，導電材料為CrN。在一實施例中，沉積層接著經圖案化以形成接地層。圖案可包含將瘤節22之遠端23連接在一起之一系列金屬線。此類圖案有時被稱作「曼哈頓(Manhattan)」圖案。在替代實施例中，沉積層未經圖案化。在一實施例中，接地層或另一層經配置以覆蓋芯體21及/或瘤節22之表面。接地層或其他層可有助於使表面平滑以使得更易於清潔表面。

如圖2中所展示，在一實施例中，靜電片25包含包夾於介電層27、28之間的電極26。如圖2中所展示，在一實施例中，將瘤節22及靜電片25設置於基板固持器20之兩個主表面上。在一替代實施例中，將瘤節22及靜電片25設置於基板固持器20之兩個主表面中之僅一者上。如圖2中所展示，在一實施例中，靜電片25係在瘤節22之間。舉例而言，如圖2中所展示，孔34提供於靜電片25中。孔34經配置成使得其位置對應於芯體21之瘤節22。瘤節22自靜電片25之各別孔34中突出，使得包夾於介電層27、28之間的電極26被設置於瘤節22之間的區中。

如圖2中所展示，在一實施例中，基板固持器20包含接合材料29。在一實施例中，接合材料具有至少100 nm之厚度。接合材料29確保靜電片25相對於芯體21之位置。接合材料29保持靜電片25中之孔34與瘤節22對準。在一實施例中，瘤節22經定位於靜電片25之各別孔34之中心處。藉由規定接合材料29具有至少100 nm之厚度，確保了接合層之最小順應度。一般而言，較厚接合材料對由芯體21與靜電片25之間的介面處之溫度差所引起的應力位準更具順應性且更不敏感。在一實施例中，接合材料29具有至少2微米之厚度。在另一實施例中，接合材料29具有至少200 nm、視情況至少500 nm、視情況至少l pm、視情況至少5 pm、視情況至少10 pm、視情況至少20 pm、視情況至少25 pm及視情況至少50 pm之厚度。本案發明人已發現，使接合材料29在厚度上至少為25 pm提高了介面部分對溫度差之容許度(亦即，接合層更具順應性)。在一實施例中，接合材料29具有至多100 pm之厚度。此確保了接合材料29之最小程度之穩定性，其有益於夾持功能之靜電效能。在一實施例中，接合材料29具有至多75 pm且視情況至多50 pm之厚度。減小接合材料29之厚度有助於使接合材料29更穩定。僅作為一實例，在一實施例中，接合材料29具有在約25 pm至約75 pm之範圍內之厚度。

如圖2中所展示，在一實施例中，接合材料29在不彼此連接之離散部分中形成。舉例而言，可提供位於瘤節之間的數千個膠點。膠點可置放於在芯21中加工之特定襯墊上。接合材料29之不同部分的厚度可存在一些變化。在一實施例中，接合材料29之單獨的部分具有實質上彼此相同的厚度。如圖10中所展示，在一替代實施例中，接合材料29在芯體21與靜電片25之間的區中連續地延伸。如圖10中所展示，在一實施例中，接合材料29延伸至靜電片25與瘤節22之間的區。

圖3至圖5示意性地描繪製造基板固持器20之製程的連續階段。詳言之，圖3至圖5展示將靜電片25接合至芯體21的階段。

如圖3中所展示，在一實施例中，製造基板固持器20之方法包含提供芯體21。芯體21包含複數個瘤節22以用於支撐基板W。如圖3中所展示，在一實施例中，該方法包含將接合材料29施加至芯體21。將接合材料29施加至芯體21之主表面中之至少一者。將接合材料29施加於瘤節22之間。如圖3中所展示，在一實施例中，將接合材料29之複數個離散部分施加至芯體21。在一替代實施例中，橫越瘤節22之間的芯體21之主表面實質上連續地施加接合材料29。用於分配接合材料29之方法不受特定限制。藉由提供接合材料29之複數個離散部分，接合材料29之總體積可減小。此降低了過量接合材料29在瘤節22附近存在的可能性，否則過量接合材料29可能會不利地影響基板固持器20之夾持功能。

如圖4中所展示，在一實施例中，該方法包含將靜電片25連接至工具之板30。板30包含用於芯體21之各別瘤節22之複數個凹槽31。凹槽31與靜電片25之各別孔34對齊。在一實施例中，凹槽31之中心與靜電片25中之孔34的中心對準。板30經組態以使得凹槽31之圖案對應於芯體21之瘤節22的圖案。因此，以上關於瘤節22之數目及定位所提供的揭示內容同樣適用於板30之凹槽31的數目及定位，以及適用於靜電片25之孔34。在一實施例中，在垂直於板30之平面的方向上，板30具有至多10 ⁵Nm ^-1之剛度。板30經組態以順應於瘤節22之高度之變化。

板30連接至靜電片25之方式不受特定限制。舉例而言，板30與靜電片25之間的連接可藉助於真空及/或靜電吸引力及/或暫時接合。靜電吸引力之一個方式可為藉由在板30與片25之間施加電位(電壓)。在一實施例中，例如使用定位器相對於芯體21來定位板30。定位器經組態以在靜電片25被連接時控制板30之移動。定位器相對於芯體21定位板30，使得板30之凹槽31與芯體21之瘤節22對準(且因此靜電片25之孔34亦與芯體21之瘤節22對準)。

定位器經組態以控制板30之移動，以便將靜電片25安裝至瘤節22之間的芯體21上。舉例而言，定位器可將板30向下降低至芯體21上。在一替代實施例中，定位器經組態以使芯體21向上朝向板30移動，使得瘤節22延伸穿過靜電片25之孔34。

在安裝程序期間，瘤節22之遠端23與凹槽31之基底接觸。凹槽31之基底阻止靜電片25及芯體21移動為彼此更接近。凹槽31之深度判定安裝靜電片25所在之高度。凹槽31之深度控制靜電片25之底部與芯體21之上表面(其中定位接合材料29)之間的距離。凹槽31之深度控制瘤節22在所製造基板固持器20中之靜電片25之上表面上方突起的高度。

在一實施例中，凹槽31具有對應於上文所提及之瘤節22之經突起距離的深度。舉例而言，凹槽31具有約1 μm至約5 mm、理想地自約5 μm至約250 μm之深度。

在一實施例中，製造基板固持器20之方法包含固化接合材料29之步驟。在一實施例中，接合材料29在真空下經固化。此有助於避免接合材料29中之夾雜物。然而，接合材料29並非必需經固化。在一替代實施例中，接合材料29不需要固化。

所使用之接合材料之類型不受特定限制。在一實施例中，接合材料29包含黏著材料。然而，接合材料29並非必需為黏著材料。亦可使用非黏著材料。舉例而言，在一替代實施例中，接合材料29為用於將靜電片25焊接或熔接至芯體21之材料，或焊料玻璃，或熔接玻璃。

圖5示意性地展示當瘤節22之遠端23緊靠凹槽31之基底的時刻。亦可藉由將塗層沉積在需要凸起之位置上而在平板上形成凹槽。舉例而言，對於10 um，可採用複數個塗層。

上文參考圖2至圖5所描述之物件固持器之靜電片25可包含形成介電層之兩個玻璃層，其間具有導電塗層，諸如玻璃層中之一者上之鉻塗層。舉例而言，導電塗層可經配置於上部玻璃層之下部側上。

在上文所描述的物件固持器中，靜電片可為易碎的，因為其由玻璃層製成。舉例而言，藉由物件固持器固持之物件與靜電片之間的顆粒，諸如塵粒，可將較大力施加至靜電片之接觸區域上，其中顆粒接觸靜電片，此可能會促進玻璃層中之一者或兩者破裂的風險。此外，考慮到施加至玻璃層之間的導電塗層之高電壓以及由此產生的朝向瘤節之高電壓差，在發生此破裂之狀況下，可能會增加介電擊穿之風險。

圖6描繪根據本發明之一實施例之基板固持器60的一部分之放大視圖。如圖6中所展示，在一實施例中，基板固持器60包含芯體61。芯體61可為板狀圓盤，其包含複數個瘤節62，該複數個瘤節形成自芯體61之表面突起的突起部。瘤節62之遠端63經配置在支撐平面64中以用於支撐基板W。

儘管圖6僅展示2個瘤節，但在實務實施例中，可存在橫越基板固持器60 mm而分佈之數百、數千或數萬個瘤節。因此，圖6之視圖可經理解為僅描繪基板固持器之一部分。在一實施例中，該電極可經塑形為具有數千個孔之濾器，其中一個瘤節突起穿過各孔。

對於芯體61之其他特徵，參考上文參考圖2所描繪且描述之芯體21。

與參考圖2所描繪且描述之基板固持器20類似，圖6中所描繪之基板固持器60包含用於靜電夾具之一或多個電極66。可產生電位差以便在基板W與基板固持器60之間及/或在基板固持器60與基板台WT之基板載物台之間提供靜電夾持力。在一實施例中，電極66用介電層67、68囊封。所產生之電位差可例如為大約10伏特至5,000伏特。

根據本發明之一態樣，該等電極包含金屬，且該等介電層包含金屬氧化物層，金屬氧化物為金屬之氧化物。該靜電片因此可包含金屬氧化物層及包夾於金屬氧化物層之間的電極，其中該電極包含金屬，且其中金屬氧化物包含金屬之氧化物。包含金屬氧化物層及包夾於金屬氧化物層之間的電極之靜電片可為堅固的，其中該電極包含金屬，且其中金屬氧化物包含金屬之氧化物。因此，相較於參考圖2所描述之靜電片之玻璃層，靜電片可不太容易破裂。此外，因為金屬氧化物層之金屬氧化物包含與電極之金屬相同的金屬之氧化物，所以可在電極與金屬氧化物層之間提供堅固接合，從而促進靜電片之強度。

在一實施例中，金屬包含鋁、鈦及鎂中之至少一者。金屬可包含純粹形式的鋁、鈦或鎂，或鋁、鈦或鎂之任何合金。此等金屬以及其合金可藉由電漿電解氧化(PEO)而經氧化，從而使得能夠製造高度抗裂的夾層結構，此係因為形成夾層結構之金屬及金屬氧化物可以單個金屬片作為起點來製造，氧化其外表面，從而在電極與介電層之間提供堅固接合。在兩側均用100微米Al2O3氧化之鋁板之狀況下，鋁不必極薄。藉由具有厚度相對較高(200微米至1000微米)之鋁板，可獲得穩固的基板固持器，其能夠抵抗在晶圓與靜電片之間壓縮的顆粒造成之損壞。

在一實施例中，如將在下文中參考圖8所解釋，靜電片65包含複數個穿孔74，瘤節62延伸穿過穿孔，其中穿孔之邊緣73由在金屬氧化物層之間延伸的金屬氧化物覆蓋。

在一實施例中，靜電片之穿孔之間距與瘤節之間距匹配，使得瘤節與靜電片中之穿孔對齊。

在一實施例中，靜電片實質上平行於支撐平面延伸，以便由於靜電片與支撐平面(亦即，藉由基板固持器固持之基板或晶圓)之間的距離相同而促進均勻分佈的靜電夾持力。

圖7描繪根據本發明之另一實施例之物件固持器的一部分之放大視圖。如圖7中所描繪，靜電片之背離支撐平面之外表面由導電塗層70塗佈。導電塗層可經組態以連接至接地或其他合適的電位。藉此，靜電片可與芯體61屏蔽，該芯體可電接地或保持在另一合適的電位，該屏蔽藉由靜電力來防止或至少減少靜電片與芯體之間的相互作用。藉此，可減少作用於靜電片與芯體之間的膠69上之力，此可有助於膠69之可用壽命。此亦可防止底側處之靜電相互作用。作用於膠上之力可由於屏蔽而增加。在無屏蔽之情況下，電極可被拉向基板以及被拉向芯體。在有屏蔽之情況下，電極可僅被拉向基板，且此力因此亦可作用於膠點。該力可例如約為10至100 kN/m2或0.1至1巴。

根據圖7之物件固持器進一步對應於根據圖6之物件固持器。相同的元件符號指代相同或類似的項目，對圖6之描述同樣適用於圖7中所描繪之實施例。

在一實施例中，氧化鋁層用聚醚醚酮(PEEK)塗佈。PEEK塗層可填充包含金屬氧化物之介電層中之孔隙，因此可有助於減小此類孔隙處之電弧作用。

在一實施例中，金屬氧化物層之厚度係在50微米與150微米之間，從而提供具有合適的介電屬性之相對較薄的層，使得一方面電極與另一方面基板之間的距離相對較短，從而使得能夠建立高夾持力。

在一實施例中，電極之厚度係在300微米與500微米之間。包含金屬之相對較厚的電極可提供機械地堅固的電極，藉此提高整個靜電片之機械堅固性且提高靜電片抵抗破裂之能力。

在一實施例中，支撐平面與靜電片之面向支撐平面之外表面之間的距離係在1微米與20微米之間。詳言之，結合上文所提及之在50微米與150微米之間的金屬氧化物層之厚度的特徵，可產生較大的夾持力。

在一實施例中，基板固持器具備另一靜電夾具，其使得夾具之平行於且背離支撐表面之表面能夠夾持至另一結構，例如微影設備之另一結構。因此，在此類實施例中，該芯體包含：複數個其他瘤節，該等瘤節在基板台之平面中具有遠端以用於支撐基板台之主體上的基板固持器；及 其他瘤節之間的另一靜電片，該另一靜電片包含金屬氧化物層及包夾於金屬氧化物層之間的電極； 其中該鏡面區塊平面平行於該支撐平面。

在一實施例中，該另一靜電片之電極之金屬包含鋁，且其中金屬氧化物包含氧化鋁。替代地，該金屬可包含鈦或鎂，如上文所描述。

在上文中，已經以諸如晶圓固持器之基板固持器為例解釋了物件固持器。本發明文件中所描述之物件固持器可進一步為圖案化裝置固持器，其經組態以固持圖案化裝置，諸如遮罩。

圖8描繪根據本發明之物件固持器60之橫截面視圖。物件固持器60經組態以支撐物件。在以下描述中，將在物件固持器為經組態以支撐基板W之基板固持器60的上下文中描述本發明。然而，物件固持器不限於此基板固持器60。舉例而言，物件固持器可經組態以支撐圖案化裝置MA，諸如遮罩。

在一實施例中，基板台WT包含基板固持器60及基板載物台。舉例而言，基板載物台包含凹槽，基板固持器60被固持至該凹槽中。基板固持器60經組態以相對於基板台WT之基板載物台固持基板W。作為另一實例，基板載物台之鏡面區塊可具有平頂，而無用於夾具之切口。夾具之底部電極可在鏡面區塊上施加夾持力，以在鏡面區塊上將夾具固持在適當位置。

如圖8中所展示，在一實施例中，基板固持器60包含芯體61。芯體61係板狀圓盤。如圖8中所展示，在一實施例中，芯體61包含複數個瘤節62。瘤節62為在芯體61之表面處突起的突起部。如圖8中所展示，在一實施例中，瘤節62具有遠端63。芯體61經組態以使得遠端63在支撐平面64中以用於支撐基板W。基板W之下側與瘤節62之遠端63接觸。基板W之下側之位置對應於支撐平面64。瘤節62經配置成使得基板W在基板固持器60上大體上平坦。

瘤節62在圖8中未按比例展示。在實務實施例中，可存在橫越直徑為例如200 mm、300 mm或450 mm之基板固持器60而分佈的數百、數千或數萬個瘤節。瘤節62之頂端具有小面積，例如，小於1 mm ²，使得基板固持器60之一側上的所有瘤節62之總面積不到基板固持器60之總表面積之總面積的約10%。由於瘤節62之配置，可能處於基板W、基板固持器60或基板台WT之表面上之任何顆粒將落在瘤節62之間且因此將不會引起基板W或基板固持器60變形的機率較高。可形成圖案之瘤節配置可為規則的或可視需要變化以提供在基板W及基板台WT上之力之適當分佈。瘤節62可在平面中具有任何形狀，但在平面中通常為圓形。瘤節62可貫穿其高度具有相同形狀及尺寸，但通常為楔形的。瘤節62可在基板固持器60之面向物件之表面之其餘部分(亦即，靜電片65之頂部表面)上方突起自約1微米至約20微米之距離。因此，由瘤節62之遠端63形成之支撐平面與靜電片65之頂部表面之間的在豎直方向上之距離為約1微米至約20微米。基板固持器20之芯體61之厚度可在約1 mm至約50 mm之範圍內，理想地在約5 mm至20 mm之範圍內，典型地為10 mm。該等瘤節可塗佈有塗層以產生用於基板接觸之較佳機械屬性，諸如具有特定摩擦係數且抵抗由基板與瘤節之間的顆粒產生的損壞之耐磨材料。

芯體61可由剛性材料製成。理想地，該材料具有高熱導率或低熱膨脹係數。理想地，該材料係導電的。理想地，該材料具有高硬度。合適的材料包括碳化矽(SiC)、矽化碳化矽(SiSiC)、亞硝酸矽(Si3N4)、石英及/或各種其他陶瓷及玻璃陶瓷，諸如Zerodur™玻璃陶瓷及/或堇青石。可藉由自相關材料之固體圓盤選擇性地移除材料以便留下突起瘤節62來製造芯體61。用以移除材料之合適技術包括放電加工(EDM)、蝕刻、加工及/或雷射剝蝕。亦可藉由使瘤節62生長穿過遮罩來製造芯體61。瘤節62可具有與基底相同之材料，且可藉由物理氣相沉積程序或濺鍍而生長。在一實施例中，芯體61包含一或多個內部通道(圖中未展示)。在一實施例中，芯體61包含接合在一起之複數個層。在一實施例中，該等層係由不同材料形成。僅作為一個實例，在一實施例中，芯體61按次序包含SiSiC層、玻璃層及另一SiSiC層。層之其他組合亦係可能的。

如圖8中所展示，在一實施例中，基板固持器60包含用於靜電夾具之一或多個電極66。可產生電位差以便在基板W與基板固持器60之間及/或在基板固持器60與基板台WT之基板載物台之間提供靜電夾持力。在一實施例中，電極66囊封於介電層(亦被稱作電隔離層) 7、28之間。所產生之電位差可例如為大約10伏特至5,000伏特。

如圖8中所展示，基板固持器60包含靜電片65。靜電片65包含一或多個電極66，該一或多個電極包含金屬。對於電極66，在一實施例中，電極66之兩半(但與瘤節62之遠端63隔離)可彼此分開一間隔距離且經沉積以形成靜電夾具之正元件及負元件。間隔距離不受特定限制。因此可存在兩個電極66。然而，靜電片65中的電極66之數目不受特定限制且可為一個或三個或更多個。電極66可具有在300微米與500微米之間的厚度。

靜電片65之電極66可經組態以將基板W靜電夾持至基板固持器60。另一靜電夾具可由配置於物件固持器之下部側處的其他瘤節62及另一電極66形成。另一靜電片65之另一電極66可經組態以將基板固持器60靜電夾持至基板台WT之其餘部分，例如將該基板固持器靜電夾持至其鏡面區塊。

在一實施例中，芯體61及瘤節62之材料係導電的。舉例而言，在一實施例中，瘤節62之材料為SiSiC。然而，芯體61及瘤節62之材料並非必需為導電的。在一實施例中，可提供將瘤節62中之兩者或更多者(視情況，所有瘤節62)之遠端63電連接至接地或共同電位的接地層。接地層可藉由沉積相對較厚的導電材料層而形成。導電材料不受特定限制。

如圖8中所展示，在一實施例中，靜電片65包含包夾於介電層67、68之間的電極66，該電極包含金屬，該等介電層包含金屬之氧化物。舉例而言，該靜電片可包含鋁，且該等介電層可包含氧化鋁。作為另一實例，該靜電片可包含鎂，且該等介電層可包含氧化鎂。作為又一實例，該靜電片可包含鈦，且該等介電層可包含氧化鈦。包夾於金屬氧化物層之間的包含金屬之電極之結構可形成機械地穩定的結構，該等金屬氧化物層包含金屬之氧化物，該機械地穩定的結構當諸如藉由靜電片與基板之間的塵粒在機械應力下置放時或在製造基板固持器期間不太容易破裂。金屬氧化物層可具有在50微米與150微米之間的厚度。氧化物之形成可在整個表面上方保形，包括在板中之任何孔的邊緣上方保形。

金屬氧化物層可由聚醚醚酮(PEEK)塗佈以填充金屬氧化物中之間隙、孔等，藉此當在使用中將靜電電壓施加至靜電片之電極時使金屬氧化物層較不易受電弧作用影響。

同樣地，如上文參考圖7所描述，圖8中所描繪之靜電片65之外表面(該外表面背離支撐平面，亦即面向芯體61)出於屏蔽目的而具備可接地的導電塗層，藉此例如在電極與芯體之間提供屏蔽。

如圖8中所展示，在一實施例中，瘤節62及靜電片65經提供在基板固持器60之兩個主要表面上。在一替代實施例中，瘤節62及靜電片65經提供於基板固持器60之兩個主表面中之僅一者上。

如圖8中所展示，在一實施例中，靜電片65係在瘤節62之間。舉例而言，如圖8中所展示，穿孔經提供於靜電片65中。穿孔74經配置以使得其位置對應於芯體61之瘤節62。瘤節62突起穿過靜電片65之各別穿孔74，使得電極66經提供於瘤節62之間的區中，該電極包夾於介電層67、68之間。穿孔之邊緣73，亦即面向瘤節之邊緣，由金屬氧化物(諸如上文所提及之氧化鋁、氧化鎂或氧化鈦)覆蓋以在電極與瘤節之間形成介電質。

如圖8中所展示，在一實施例中，基板固持器60包含接合材料69。接合材料69確保靜電片65相對於芯體61之位置。接合材料69保持靜電片65中之穿孔74與瘤節62對準。在一實施例中，瘤節62定位於靜電片65之各別穿孔74的中心處。

根據本發明之一態樣之物件台包含支撐部件及根據本發明之物件固持器，該物件固持器附接至該支撐部件。該支撐部件可例如包含微影設備之鏡面區塊。

根據本發明之又另一態樣之微影設備經配置以將圖案自圖案化裝置投射至基板上，該微影設備包含根據本發明之物件固持器或根據本發明之物件台。該物件可例如為基板或圖案化裝置，諸如遮罩。該微影設備可為參考圖1所描述之微影設備。

上文所描述之物件固持器可如下製造。提供包含金屬之金屬片，且在該金屬片中產生複數個穿孔。該等穿孔可藉由以下各者中之至少一者在該金屬片中產生： -噴砂處理，-電子束鑽孔，及- CNC加工，以按高精度在金屬中形成相對較小的穿孔。在該金屬片中產生穿孔之其他可能性包含雷射束塑形或雷射束蝕刻，藉此雷射束影響材料，使得隨後運用溫和蝕刻劑移除該材料。

金屬氧化物層經提供在金屬片上以形成靜電片，該等金屬氧化物層包含金屬之氧化物。金屬氧化物層可藉由對鋁片之外表面進行氧化以形成金屬氧化物層而提供於金屬片上。藉此，金屬氧化物層及金屬片可由同一塊材料製成，從而提供高度機械穩定的靜電片。靜電片可機械地較堅固，且較不容易破裂，亦即，此在靜電片之製造製程及處理之其餘部分中可為有利的。該氧化可包含電漿電解氧化(PEO)。氧化物層之厚度可經精細地控制，使得所得特性能夠適應應用。舉例而言，增厚氧化物層會增加介電強度。舉例而言，氧化鋁，亦即鋁合金上之PEO表面層之主要組分，具有介於14.6 kV/mm至16.7 kV/mm範圍內的介電強度。氧化鋁之另一益處可為其具有比玻璃高50%至100%的約7.5至9.4之介電常數。因此，電極可在實質上較低電壓下操作，同時保持所要夾持力。可使用二氧化矽添加劑。二氧化矽添加劑是否添加至金屬合金，亦即在氧化之前？具有包括二氧化矽添加劑之PEO表面塗層之鋁具有59 kV/mm至79 kV/mm之介電強度。二氧化矽添加劑可相應地使得能夠在100 um層厚度上獲得5.9 kV至7.9 kV。作為PED之替代方案，可在NaAlO2溶液中應用其他氧化程序，諸如微弧氧化MAO，此可自Al提供例如40 um至100 um的Al2O3。

金屬氧化物層可用聚醚醚酮(PEEK)塗佈。該塗層可填充包含金屬氧化物之介電層中之孔隙，此可促進減小此等孔隙處之電弧作用。

為了使芯體不受靜電場影響，當在操作中時，靜電片之一個表面可由導電塗層塗佈。

此外，在製造製程中，提供芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件。

靜電片與芯體經組裝以形成物件固持器。組裝靜電片與芯體可包含組裝靜電片與芯體，藉此在組裝狀態中，靜電片之由導電塗層塗佈之一個表面背離支撐平面。

如上文所提及，在一實施例中，該金屬包含鋁、鎂及鈦中之一者，且金屬氧化物包含鋁、鎂及鈦中之一者之氧化物。金屬鋁、鎂及鈦可藉由電漿電解氧化而經氧化以在電極上形成氧化物層。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。

儘管可在本文中特定地參考在微影設備之上下文中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部分。此等設備可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。

儘管上文可特定地參考在光學微影之上下文中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在上下文允許的情況下不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。由此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

實例 1.   一種經組態以支撐一物件之物件固持器，該物件固持器包含： 一芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件； 及 該等瘤節之間的一靜電片，該靜電片包含： 一電極，其包含一金屬，及 金屬氧化物層，其包含該金屬之一氧化物， 其中該電極包夾於該等金屬氧化物層之間。 2.   如實例1之物件固持器，其中該金屬包含鋁、鈦及鎂中之至少一者。 3.   如實例1或2之物件固持器，其中該靜電片包含複數個穿孔，該等瘤節延伸穿過該等穿孔，其中該等穿孔之邊緣由在該等金屬氧化物層之間延伸的金屬氧化物覆蓋。 4.   如實例3之物件固持器，其中該靜電片之該等穿孔之一間距與該等瘤節之一間距匹配，使得該等瘤節與該靜電片中之該等穿孔對齊。 5.   如前述實例中任一項之物件固持器，其中該靜電片實質上平行於該支撐平面延伸。 6.   如前述實例中任一項之物件固持器，其中該靜電片之背離該支撐平面之一外表面係由一導電塗層塗佈。 7.   如前述實例中任一項之物件固持器，其中氧化鋁層係由聚醚醚酮(PEEK)塗佈。 8.   如前述實例中任一項之物件固持器，其中該等金屬氧化物層之一厚度係在50微米與150微米之間。 9.   如前述實例中任一項之物件固持器，其中該電極之一厚度係在300微米與500微米之間。 10.  如前述實例中任一項之物件固持器，其中該支撐平面與該靜電片之面向該支撐平面之一外表面之間的一距離係在1微米與20微米之間。 11.  如前述實例中任一項之物件固持器，其中該芯體包含：複數個其他瘤節，該複數個其他瘤節在一鏡面區塊平面中具有遠端以用於支撐一鏡面區塊上之基板固持器；及 該等其他瘤節之間的另一靜電片，該另一靜電片包含：金屬氧化物層，其包含該金屬之一氧化物；及一電極，其包夾於該等金屬氧化物層之間； 其中該鏡面區塊平面平行於該支撐平面。 12.  如前述實例中任一項之物件固持器，其中該金屬包含鋁、鈦及鎂中之至少一者。 13.  如前述實例中任一項之物件固持器，其中該物件固持器為經組態以固持一基板之一基板固持器及經組態以固持一圖案化裝置之一圖案化裝置固持器中之一者。 14.  一種包含一支撐部件及如前述實例中任一項之物件固持器的物件台，該物件固持器附接至該支撐部件。 15.  一種微影設備，其經配置以將一圖案自一圖案化裝置投射至一基板上，該微影設備包含如實例1至13中任一項之物件固持器或如實例14之物件台。 16.  一種製造一物件固持器之方法，該方法包含： 提供包含一金屬之一金屬片， 在該金屬片中產生複數個穿孔， 在該金屬片上提供金屬氧化物層以形成一靜電片，該等金屬氧化物層包含該金屬之一氧化物， 提供一芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件，及 組裝該靜電片與該芯體以形成該物件固持器。 17.  如實例16之方法，其中該在該金屬片上提供金屬氧化物層包含對鋁片之外表面進行氧化以形成該等金屬氧化物層。 18.  如實例17之方法，其中該氧化包含電漿電解氧化(PEO)。 19.  如實例16至18中任一項之方法，其進一步包含用聚醚醚酮(PEEK)塗佈該等金屬氧化物層。 20.  如實例16至19中任一項之方法，其中藉由以下各者中之至少一者在該金屬片中產生該等穿孔： -噴砂處理， -電子束鑽孔， - CNC加工， -雷射束塑形，及 -雷射束蝕刻。 21.  如實例16至20中任一項之方法，其進一步包含用一導電塗層塗佈該靜電片之一個表面，且其中該組裝該靜電片與該芯體包含組裝該靜電片與該芯體，藉此該靜電片之由該導電塗層塗佈之該一個表面在組裝狀態中背離該支撐平面。 22.  如實例16至21中任一項之方法，其中該金屬包含鋁、鈦及鎂中之至少一者。 23.  如實例16至22中任一項之方法，其中該物件固持器為經組態以固持一基板之一基板固持器及經組態以固持一圖案化裝置之一圖案化裝置固持器中之一者。

10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 13:鏡面 14:鏡面 20:物件固持器/基板固持器 21:芯體 22:瘤節 23:遠端 24:支撐平面 25:靜電片 26:電極 27:介電層 28:介電層 29:接合材料 30:板 31:凹槽 34:孔 60:基板固持器 61:芯體 62:瘤節 63:遠端 64:支撐平面 65:靜電片 66:電極 67:介電層 68:介電層 69:膠 70:導電塗層 73:邊緣 74:穿孔 B:EUV輻射射束 B':經圖案化EUV輻射射束 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台

現將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在隨附示意性圖式中： -  圖1描繪包含微影設備及輻射源之微影系統； -  圖2描繪用於微影設備之物件固持器之一部分的橫截面視圖； -  圖3描繪物件固持器之另一實施例之一部分的橫截面視圖； -  圖4及圖5描繪製造圖2及圖3中所描繪之物件固持器的階段； -  圖6描繪根據本發明之一實施例之物件固持器的一部分之橫截面視圖； -  圖7描繪根據本發明之另一實施例之物件固持器的一部分之橫截面視圖；且 -  圖8描繪根據本發明之物件固持器之另一部分的橫截面視圖。

60:基板固持器

61:芯體

62:瘤節

63:遠端

64:支撐平面

65:靜電片

66:電極

67:介電層

68:介電層

69:膠

73:邊緣

74:穿孔

Claims (15)

1. 一種經組態以支撐一物件之物件固持器，該物件固持器包含： 一芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件； 及 該等瘤節之間的一靜電片，該靜電片包含： 一電極，其包含一金屬，及 金屬氧化物層，其包含該金屬之一氧化物， 其中該電極包夾於該等金屬氧化物層之間。
2. 如請求項1之物件固持器，其中該金屬包含鋁、鈦及鎂中之至少一者。
3. 如請求項1或2之物件固持器，其中該靜電片包含複數個穿孔，該等瘤節延伸穿過該等穿孔，其中該等穿孔之邊緣由在該等金屬氧化物層之間延伸的金屬氧化物覆蓋。
4. 如請求項3之物件固持器，其中該靜電片之該等穿孔之一間距與該等瘤節之一間距匹配，使得該等瘤節與該靜電片中之該等穿孔對齊。
5. 如請求項1或2之物件固持器，其中該靜電片實質上平行於該支撐平面延伸。
6. 如請求項1或2之物件固持器，其中該靜電片之背離該支撐平面之一外表面係由一導電塗層塗佈。
7. 如請求項1或2之物件固持器，其中氧化鋁層係由聚醚醚酮(PEEK)塗佈。
8. 如請求項1或2之物件固持器，其中該等金屬氧化物層之一厚度係在50微米與150微米之間。
9. 如請求項1或2之物件固持器，其中該電極之一厚度係在300微米與500微米之間。
10. 如請求項1或2之物件固持器，其中該支撐平面與該靜電片之面向該支撐平面之一外表面之間的一距離係在1微米與20微米之間。
11. 如請求項1或2之物件固持器，其中該芯體包含：複數個其他瘤節，該複數個其他瘤節在一鏡面區塊平面中具有遠端以用於支撐一鏡面區塊上之基板固持器；及 該等其他瘤節之間的另一靜電片，該另一靜電片包含：金屬氧化物層，其包含該金屬之一氧化物；及一電極，其包夾於該等金屬氧化物層之間； 其中該鏡面區塊平面平行於該支撐平面。
12. 如請求項1或2之物件固持器，其中該金屬包含鋁、鈦及鎂中之至少一者。
13. 如請求項1或2之物件固持器，其中該物件固持器為經組態以固持一基板之一基板固持器及經組態以固持一圖案化裝置之一圖案化裝置固持器中之一者。
14. 一種微影設備，其經配置以將一圖案自一圖案化裝置投射至一基板上，該微影設備包含如請求項1至13中任一項之物件固持器。
15. 一種製造一物件固持器之方法，該方法包含： 提供包含一金屬之一金屬片， 在該金屬片中產生複數個穿孔， 在該金屬片上提供金屬氧化物層以形成一靜電片，該等金屬氧化物層包含該金屬之一氧化物， 提供一芯體，其包含複數個瘤節，該複數個瘤節在一支撐平面中具有遠端以用於支撐該物件，及 組裝該靜電片與該芯體以形成該物件固持器。