TWI833015B - 積層體及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種適於對軟性被黏著體中之補強膜間區域之彎曲確保彎曲留隙之積層體及其製造方法,該積層體具備軟性被黏著體及貼合於其同一面側之複數個補強膜。
本發明之積層體X具備被黏著體10(軟性被黏著體)及膜20(補強膜)。膜20包含基材21與黏著劑層22且以黏著劑層22側貼合於被黏著體10,並且包含於被黏著體10上相鄰之膜部分20A、20B。膜部分20A之基材21具有與膜部分20B對向之端面21a,端面21a以越為遠離被黏著體10之部位越向膜部分20A內側退避之方式傾斜。膜部分20B之基材21具有與膜部分20A對向之端面21b,端面21b以越為遠離被黏著體10之部位越向膜部分20B內側退避之方式傾斜。
Description
本發明係關於一種例如作為軟性器件構成零件之積層體及其製造方法。
於光學器件或電子器件等各種器件之製造過程中,存在如下情況:就保護器件構成零件之表面或保護其免於衝擊等觀點而言,於對該零件貼附特定之黏著膜後實施各種步驟。此種保護用膜存在如下情況:根據貼附有其之器件構成零件,為了補充其強度而在貼附於該構成零件之狀態下作為器件結構材料被組入至製品器件。關於兼具保護功能與補強功能之此種黏著膜之相關技術,例如記載於下述專利文獻1中。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-132977號公報
[發明所欲解決之問題]
關於軟性印刷配線基板(FPC)等軟性器件構成零件,存在如下情況:要求於其同一面中之複數個部位分別貼合有上述黏著膜(即,亦承擔製造過程中之保護功能之補強膜)。並且,複數個補強膜貼合於同一面側之軟性器件構成零件存在如下情況:於以在該補強膜間區域處補強膜彼此接近之方式被彎曲而回折之形態下被組裝至製品器件內。
於帶有複數個補強膜之此種器件構成零件(軟性被黏著體)中,就該器件構成零件之小型化或輕量化之觀點而言,較佳為橫跨該彎曲預定部位而相鄰之兩個補強膜之間之分離距離較短。然而,若橫跨彎曲預定部位而相鄰之兩個補強膜之間之分離距離過短,則存在如下情況:於軟性被黏著體之彎曲變形時補強膜彼此抵接,而軟性被黏著體無法獲得所需之回折形態。
本發明提供一種適於對軟性被黏著體中之補強膜間區域之彎曲確保彎曲留隙之積層體、及其製造方法,該積層體具備軟性被黏著體及貼合於其同一面側之複數個補強膜。
[解決問題之技術手段]
根據本發明之第1態樣,提供一種積層體。該積層體具備軟性被黏著體及補強膜。補強膜包含基材及其上之黏著劑層,且以黏著劑層側貼合於軟性被黏著體。於補強膜中,基材及黏著劑層可直接接合,亦可經由其他層而接合。又,補強膜包含於軟性被黏著體上分離而相鄰之第1補強膜部分及第2補強膜部分。第1補強膜部分之基材具有與第2補強膜部分對向之第1傾斜端面。該第1傾斜端面以越為遠離軟性被黏著體之部位越向第1補強膜部分內側退避之方式傾斜。第2補強膜部分之基材具有與第1補強膜部分對向之第2傾斜端面。該第2傾斜端面以越為遠離軟性被黏著體之部位越向第2補強膜部分內側退避之方式傾斜。
於本發明之第1態樣之積層體中,如上所述,軟性被黏著體上之第1補強膜部分之基材中與第2補強膜部分對向之端面以越為遠離軟性被黏著體之部位越向第1補強膜部分內側退避之方式傾斜,且軟性被黏著體上之第2補強膜部分之基材中與第1補強膜部分對向之端面以越為遠離軟性被黏著體之部位越向第2補強膜部分內側退避之方式傾斜。此種構成適於對軟性被黏著體中之第1及第2補強膜部分間區域處之彎曲確保彎曲留隙(即,適於抑制補強膜彼此之抵接)。此種積層體容易獲得使軟性被黏著體之補強膜貼合面朝向內側之適當之回折形態。此外,關於容易如此獲得適當之回折形態之本發明之積層體,容易將軟性被黏著體上之補強膜間距離設計得較短,從而容易謀求小型化或輕量化。
於本發明之第1態樣之積層體中,較佳為第1補強膜部分之黏著劑層於第2補強膜部分側緣端具有改性部,且第2補強膜部分之黏著劑層於第1補強膜部分側緣端具有改性部。此種構成適於在各補強膜部分之黏著劑層中抑制其構成成分之滲出。
根據本發明之第2態樣,提供一種積層體之製造方法。本製造方法包括:貼附步驟、切割步驟、剝離步驟、及黏著力上升步驟。
於貼附步驟中,將包含基材及基材上之黏著劑層的補強膜以其黏著劑層側貼附於軟性被黏著體。於補強膜中,基材及黏著劑層可直接接合,亦可經由其他層而接合。黏著劑層由如下黏著性組合物所構成,該黏著性組合物例如能夠藉由活性能量線照射或加熱等外部刺激自黏著力相對較低之狀態(低黏著力狀態)向黏著力相對較高之狀態(高黏著力狀態)不可逆地變化。
於切割步驟中,對軟性被黏著體上之補強膜實施形成切溝之加工,而於補強膜中劃分形成分離之兩個第1區域部與第1區域部間之第2區域部。於本步驟中,區分各第1區域部與第2區域部之切溝越遠離軟性被黏著體越為寬幅。即,各第1區域部中之第2區域部側之切斷端面以越為遠離軟性被黏著體之部位越向該第1區域部內側退避之方式傾斜。於該切斷端面中包含第1區域部之基材之切斷端面(傾斜)。又,經由本步驟而產生之第1及第2區域部之各黏著劑層處於上述低黏著力狀態。
於剝離步驟中,藉由以上方式將劃分形成於第1區域部間之第2區域部自軟性被黏著體剝離。軟性被黏著體上之第2區域部如上所述般處於低黏著力狀態。此種構成就自軟性被黏著體適當地剝離第2區域部之方面而言較佳。
於黏著力上升步驟中,使第1區域部中之黏著劑層之黏著力上升。於本步驟中,藉由針對第1區域部之黏著劑層之活性能量線照射或加熱等外部刺激,使軟性被黏著體上之各第1區域部之黏著劑層向高黏著力狀態變化。藉此,於第1區域部中,針對軟性被黏著體之貼合狀態變牢固。此種構成就將源自上述補強膜之第1區域部作為結構材料殘留於積層體之方面而言適宜。黏著劑層處於高黏著力狀態之第1區域部構成本發明之第1態樣之上述積層體中之補強膜部分(第1補強膜部分、第2補強膜部分)。又,第1區域部之基材之切斷端面(傾斜)構成第1態樣之上述積層體中之第1及第2補強膜部分之基材之傾斜端面。
根據包括如上所述之各步驟之本積層體製造方法,可適當地製造本發明之第1態樣之上述積層體。根據此種本製造方法,可於所製造之積層體中享受與上文中關於本發明之第1態樣之積層體所述之效果相同之效果。又,於本製造方法中,無需將作為補強材料之複數個膜分別個別地貼附於軟性被黏著體。此種製造方法有助於積層體或供組裝其之器件之製造之效率化。
於上述切割步驟中,較佳為於各第1區域部之黏著劑層形成面向與第2區域部之間之切溝的改性部。此種構成適於在各補強膜部分之黏著劑層中抑制其構成成分之滲出。
於上述切割步驟中,較佳為區分各第1區域部與第2區域部之切溝係對補強膜藉由自其基材側至黏著劑層之中途為止之半切而形成。此種構成就如下方面而言適宜,即,於在切割步驟之後進行之上述剝離步驟中抑制所謂之糊劑殘留。於將被黏著體上之補強膜沿著其整個厚度方向進行切斷之情形時,根據其切斷方法或切斷條件,會因位於被黏著體與補強膜黏著劑層之界面及其附近之黏著劑層構成材料中之局部之升溫或按壓力之作用導致面向該界面之黏著劑層之一部分容易固著於被黏著體。於切割步驟中,藉由如上所述之半切而於切溝底端與被黏著體之間預先殘留未切斷之黏著劑部分的這一構成適於避免位於上述界面與其附近之黏著劑層構成材料中之局部之升溫或按壓力之作用。並且,藉由如上所述之半切而於切溝底端與被黏著體之間預先殘留未切斷之黏著劑部分的這一構成存在如下情況:就利用該黏著劑殘存部分之凝集力將第2區域部或其黏著劑層以無黏著劑殘渣(糊劑殘留)之方式自被黏著體表面剝離之方面而言較佳。
圖1及圖2表示本發明之一實施形態之積層體X。圖1係積層體X之立體圖。圖2係積層體X之局部放大剖視圖。積層體X具備被黏著體10及膜20。
被黏著體10為本發明之一實施形態中之軟性被黏著體,具有可撓性,且具有彼此對向之第1面11及第2面12。作為被黏著體10,例如可例舉:軟性顯示面板等軟性之光學器件、軟性印刷配線基板(FPC)等軟性之電子器件、及作為該等之構成零件之軟性基材。於被黏著體10為軟性之光學器件之情形時,於被黏著體10之第1面11側例如形成有包含呈陣列狀存在之複數個像素之像素區域、包含驅動電路等各種電路元件之電路區域、及將該等電性連接之配線圖案。於被黏著體10為軟性之電子器件之情形時,於被黏著體10之第1面11側例如形成有各種電路元件及配線圖案。此種被黏著體10能夠根據製造目標器件之設計獲得各種俯視形狀。
膜20如於圖2中詳細所示,包含基材21及黏著劑層22,且以黏著劑層22側貼合於上述被黏著體10之第2面12。於膜20中,基材21及黏著劑層22可直接接合,亦可經由其他層而接合。此種膜20為本發明中之補強膜之一例,除了具有對被黏著體10之保護功能以外還用於補充補強功能,其係與被黏著體10一起作為器件結構材料被組入至製品器件之要素。
膜20包含於被黏著體10上分離而相鄰之膜部分20A(第1補強膜部分)及膜部分20B(第2補強膜部分)(膜部分20A、20B分別包含基材21及黏著劑層22)。膜部分20A、20B於與膜20之厚度方向D1正交之面方向D2上分離而相鄰。
膜部分20A之基材21於面方向D2上具有與膜部分20B對向之端面21a(第1傾斜端面)。該端面21a以越為遠離被黏著體10之部位越向膜部分20A內側退避之方式傾斜。即,端面21a以如下方式傾斜,即,隨著向在膜20之厚度方向D1上自被黏著體10朝向膜20之方向前進而於面方向D2上遠離膜部分20B。此種端面21a之相對於上述厚度方向D1之傾斜角度α例如為1°以上、較佳為2°以上、更佳為3°以上、進而較佳為5°以上,例如為45°以下、較佳為30°以下。膜部分20A之黏著劑層22於膜部分20B側之緣端具有改性部22a。改性部22a係膜部分20A中之黏著劑層22之露出表面因加熱等而硬化之部位。
膜部分20B之基材21於面方向D2上具有與膜部分20A對向之端面21b(第2傾斜端面)。該端面21b以越為遠離被黏著體10之部位越向膜部分20B內側退避之方式傾斜。即,端面21b以如下方式傾斜,即,隨著向在膜20之厚度方向D1上自被黏著體10朝向膜20之方向前進而於面方向D2上遠離膜部分20B。此種端面21b之相對於上述厚度方向D1之傾斜角度α例如為1°以上、較佳為2°以上、更佳為3°以上、進而較佳為5°以上,例如為45°以下、較佳為30°以下。膜部分20B之黏著劑層22於膜部分20A側之緣端具有改性部22b。改性部22b係膜部分20B中之黏著劑層22之露出表面因加熱等而硬化之部位。
膜20中之基材21係用以確保膜20之機械強度之支持體,且為用以於膜20中表現其補強功能或保護功能之主要要素。
基材21包含可撓性之塑膠材料。作為此種塑膠材料,例如可例舉:聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、纖維素樹脂、及聚苯乙烯樹脂。作為聚酯樹脂,例如可例舉:聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、及聚萘二甲酸乙二酯。作為聚烯烴樹脂,例如可例舉:聚乙烯、聚丙烯、及環烯烴聚合物(COP)。於黏著劑層22如下所述般由能夠藉由照射活性能量線而進行高黏著力狀態化之黏著性組合物所構成之情形時,基材21較佳為具有針對活性能量線之透明性。就兼顧此種透明性與機械強度之觀點而言,基材21構成用之塑膠材料較佳為聚酯樹脂,更佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
基材21之厚度例如為4 μm以上,就補強被黏著體10之觀點而言,較佳為20 μm以上,更佳為30 μm以上,進而較佳為45 μm以上。又,基材21之厚度例如為500 μm以下,就膜20之可撓性或處理性之觀點而言,較佳為300 μm以下,更佳為200 μm以下,進而較佳為100 μm以下。
膜20中之黏著劑層22係用以將膜20貼附至被黏著體10之要素,且由黏著性組合物所構成。本實施形態中之黏著劑層22係由能夠藉由外部刺激而自黏著力相對較低之狀態(低黏著力狀態)向黏著力相對較高之狀態(高黏著力狀態)不可逆地變化之黏著性組合物所形成之層,且於經過製造過程之積層體X中獲得高黏著力狀態。
作為用以形成黏著劑層22之黏著性組合物,例如可例舉:能夠藉由照射紫外線或電子束等活性能量線而自低黏著力狀態向高黏著力狀態變化之黏著性組合物(第1黏著性組合物)、及能夠藉由加熱而自低黏著力狀態向高黏著力狀態變化之黏著性組合物(第2黏著性組合物)。
第1黏著性組合物包含基礎聚合物、光硬化劑、及光聚合起始劑。
作為基礎聚合物,例如可例舉:丙烯酸系聚合物、天然橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS嵌段共聚物)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS嵌段共聚物)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS嵌段共聚物)、苯乙烯-丁二烯橡膠、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚異丁烯、丁基橡膠、氯丁二烯橡膠、及矽酮橡膠。就抑制黏著力之觀點而言,作為基礎聚合物,較佳為丙烯酸系聚合物。
基礎聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)例如為0℃以下,較佳為-100℃~-5℃,更佳為-80℃~-10℃,進而較佳為-40℃~-10℃。此種構成於確保第1黏著性組合物中之基礎聚合物之流動性之方面而言適宜,因此,於藉由活性能量線使第1黏著性組合物變化為高黏著力狀態之方面而言適宜。
玻璃轉移溫度係文獻或目錄等中所記載之值、或基於下述式(X)(Fox式)計算所得之值。關於下述其他聚合物之玻璃轉移溫度亦同樣如此。
1/Tg=W1/Tg1+W2/Tg2+…+Wn/Tgn (X)
[式(X)中,Tg表示聚合物(A)之玻璃轉移溫度(單位:K),Tgi(i=1、2、…n)表示單體i形成均聚物時之玻璃轉移溫度(單位:K),Wi(i=1、2、…n)表示單體i在所有單體成分中之質量分率]
第1黏著性組合物中之丙烯酸系聚合物係藉由包含(甲基)丙烯酸烷基酯作為主成分之單體成分(第1單體成分)之聚合而獲得。所謂「(甲基)丙烯酸」,設為意指丙烯酸及/或甲基丙烯酸。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可例舉直鏈狀或支鏈狀之(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯。作為此種(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可例舉:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸新戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸異三(十二烷基)酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸異十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸異十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、及(甲基)丙烯酸二十烷基酯。就形成丙烯酸系聚合物之方面而言,可使用一種(甲基)丙烯酸烷基酯,亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸烷基酯。
就調整丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度之觀點而言,作為(甲基)丙烯酸烷基酯,較佳為併用甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸C4-12烷基酯。於併用該等之情形時,相對於甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸C4-12烷基酯之總量100質量份,甲基丙烯酸甲酯之調配量例如為5質量份以上,例如為20質量份以下,又,丙烯酸C4-12烷基酯之調配量例如為80質量份以上,例如為95質量份以下。
第1單體成分中之(甲基)丙烯酸烷基酯之調配比率例如為50質量%以上,較佳為60質量%以上,又,例如為80質量%以下。
第1單體成分較佳為包含能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯進行共聚之含官能基之乙烯基單體。作為含官能基之乙烯基單體,例如可例舉:含羥基之乙烯基單體、含羧基之乙烯基單體、含氮之乙烯基單體、(甲基)丙烯腈等含氰基之乙烯基單體、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之乙烯基單體、含磺基之乙烯基單體、2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基之乙烯基單體、芳香族乙烯基單體、乙烯酯單體、及甲基乙烯基醚等乙烯基醚單體。
作為含羥基之乙烯基單體,例如可例舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸4-(羥基甲基)環己基甲酯,較佳可例舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯,更佳可例舉丙烯酸2-羥基乙酯。
作為含羧基之乙烯基單體,例如可例舉:(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯、羧基戊基(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、馬來酸、富馬酸、及丁烯酸。又,作為含羧基之乙烯基單體,例如亦可例舉馬來酸酐或伊康酸酐等含酸酐基之單體。
作為含氮之乙烯基單體,例如可例舉:N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌𠯤、乙烯基吡𠯤、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基㗁唑、乙烯基𠰌啉、N-丙烯醯𠰌啉、N-乙烯基羧醯胺類、及N-乙烯基己內醯胺。
作為含磺基之乙烯基單體,例如可例舉苯乙烯磺酸及烯丙基磺酸。
作為芳香族乙烯基單體,例如可例舉:苯乙烯、對甲基苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、及α-甲基苯乙烯。
作為乙烯酯單體,例如可例舉乙酸乙烯酯及丙酸乙烯酯。
就形成丙烯酸系聚合物之方面而言,可使用一種含官能基之乙烯基單體,亦可使用兩種以上之含官能基之乙烯基單體。就對丙烯酸系聚合物導入交聯結構之觀點而言,作為含官能基之乙烯基單體,較佳為使用含羥基之乙烯基單體及/或含羧基之乙烯基單體。就於黏著劑層22中確保充分之凝集力之觀點而言,作為含官能基之乙烯基單體,較佳為使用含氮之乙烯基單體,較佳為與含氮之乙烯基單體一起使用含羥基之乙烯基單體及/或含羧基之乙烯基單體。
第1單體成分中之含官能基之乙烯基單體之調配比率例如為5質量%以上、較佳為10質量%以上、更佳為15質量%以上,又,例如為30質量%以下、較佳為20質量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由使包含(甲基)丙烯酸烷基酯作為主成分之如上所述之第1單體成分聚合而形成。作為聚合方法,例如可例舉溶液聚合、塊狀聚合、及乳化聚合,較佳可例舉溶液聚合。
於溶液聚合中,例如於將第1單體成分與聚合起始劑調配於溶劑中而製備反應溶液後,對該反應溶液進行加熱。然後,藉由經由反應溶液中之第1單體成分之聚合反應,可獲得包含丙烯酸系聚合物之丙烯酸系聚合物溶液。
藉由溶液聚合所獲得之丙烯酸系聚合物溶液之固形物成分濃度例如為20質量%以上,例如為80質量%以下。丙烯酸系聚合物之重量平均分子量例如為100000以上、較佳為300000以上、更佳為500000以上,例如為5000000以下、較佳為3000000以下、更佳為2000000以下。丙烯酸系聚合物之重量平均分子量設為藉由凝膠滲透層析法(GPC)進行測定並藉由聚苯乙烯換算而算出之值。
第1黏著性組合物中之丙烯酸系聚合物之調配比率例如為50質量%以上、較佳為80質量%以上,又,例如為90質量%以下。第1黏著性組合物中之丙烯酸系聚合物之調配量相對於丙烯酸系聚合物與光硬化劑與光聚合起始劑之總量的比率例如為70質量%以上,又,例如為95質量%以下。
第1黏著性組合物中之光硬化劑例如為多官能(甲基)丙烯酸酯,就能夠藉由照射活性能量線而使黏著劑層22之黏著力充分地上升之觀點而言,較佳可例舉2官能(甲基)丙烯酸酯及3官能(甲基)丙烯酸酯。作為2官能(甲基)丙烯酸酯,例如可例舉:聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A環氧乙烷改性二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A環氧丙烷改性二(甲基)丙烯酸酯、烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、及甘油二(甲基)丙烯酸酯。作為3官能(甲基)丙烯酸酯,例如可例舉:乙氧化異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、及三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯。作為光硬化劑,亦可例舉:其他丙烯酸系光反應性低聚物、以及胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等光反應性低聚物。該等光硬化劑可單獨使用,亦可併用兩種以上。
光硬化劑之官能基當量例如為50 g/eq以上,例如為500 g/eq以下。光硬化劑在25℃下之黏度例如為5 mPa・s以上,例如為1000 mPa・s以下。光硬化劑之分子量就於第1黏著性組合物中之相溶性之觀點而言,例如為200以下,例如為1000以上。
光硬化劑相對於上述丙烯酸系聚合物之相溶性較佳為較低。光硬化劑相對於丙烯酸系聚合物之相溶性較低的這一構成如下所述,關於黏著劑層22黏著力,就實現能夠於事後向高黏著力狀態變化之低黏著力狀態之方面而言較佳。
第1黏著性組合物中之光硬化劑之調配比率例如為10質量%以上,又,例如為50質量%以下。第1黏著性組合物中之光硬化劑之調配量相對於丙烯酸系聚合物100質量份,例如為10質量份以上,例如為50質量份以下、較佳為30質量份以下。第1黏著性組合物中之光硬化劑之調配量相對於丙烯酸系聚合物與光硬化劑與光聚合起始劑之總量的比率例如為5質量%以上,又,例如為30質量%以下。
第1黏著性組合物中之光聚合起始劑係促進光硬化劑之硬化反應者,且根據光硬化劑之種類等而選擇。作為光聚合起始劑,例如可例舉:光陽離子起始劑(光酸產生劑)、光自由基起始劑、及光陰離子起始劑(光鹼產生劑)。作為光自由基起始劑,例如可例舉:1-羥基環己基苯基酮等羥基酮類、苯偶醯二甲基縮酮類、胺基酮類、醯基氧化膦類、二苯甲酮類、及含三氯甲基之三𠯤衍生物。該等光聚合起始劑可單獨使用,亦可併用兩種以上。於使用多官能(甲基)丙烯酸酯作為上述光硬化劑之情形時,作為光聚合起始劑,較佳可例舉光自由基起始劑,更佳可例舉羥基酮類。此種光聚合起始劑之光吸收區域例如為300 nm以上,又,例如為450 nm以下。
第1黏著性組合物中之光聚合起始劑之調配比率例如為0.01質量%以上,又,例如為0.5質量%以下、較佳為0.1質量%以下。第1黏著性組合物中之光聚合起始劑之調配量相對於丙烯酸系聚合物100質量份,例如為0.01質量份以上,又,例如為1質量份以下、較佳為0.5質量份以下。第1黏著性組合物中之光聚合起始劑之調配量相對於丙烯酸系聚合物與光硬化劑與光聚合起始劑之總量的比率例如為0.01質量%以上,又,例如為1質量%以下、較佳為0.5質量%以下。
於製備第1黏著性組合物時,將丙烯酸系聚合物(於藉由溶液聚合而製備丙烯酸系聚合物之情形時,為丙烯酸系聚合物溶液)、光硬化劑、及光聚合起始劑以上述比率進行調配並混合。
於第1黏著性組合物中,就對丙烯酸系聚合物導入交聯結構之觀點而言,較佳為調配交聯劑。於將具有羥基或羧基等交聯點之丙烯酸系聚合物與交聯劑調配於第1黏著性組合物之情形時,丙烯酸系聚合物之交聯點與交聯劑能夠進行反應,而能夠對丙烯酸系聚合物導入交聯結構。作為用於此之交聯劑,例如可例舉:異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、及金屬螯合物系交聯劑,較佳可例舉異氰酸酯系交聯劑。
作為異氰酸酯系交聯劑,例如可例舉:伸丁基二異氰酸酯或六亞甲基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯、伸環戊基二異氰酸酯或伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯或4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯。作為異氰酸酯系交聯劑,亦可例舉該等異氰酸酯之衍生物(例如異氰尿酸酯改性體或多元醇改性體等)。又,作為異氰酸酯系交聯劑,亦可使用市售品。作為該市售品,例如可例舉:Coronate L(甲苯二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物,Tosoh製造)、Coronate HL(六亞甲基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物,Tosoh製造)、Coronate HX(六亞甲基二異氰酸酯之異氰尿酸酯體,Tosoh製造)、及Takenate D110N(苯二甲基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物,三井化學製造)。該等交聯劑可單獨使用,亦可併用兩種以上。
交聯劑之官能基當量例如為50 g/eq以上,又,例如為500 g/eq以下。
第1黏著性組合物中之交聯劑之調配比率相對於丙烯酸系聚合物100質量份,例如為0.1質量份以上、較佳為1.0質量份以上、更佳為1.5質量份以上、進而較佳為2.0質量份以上,又,例如為10質量份以下、較佳為5質量份以下、更佳為4質量份以下。
於在第1黏著性組合物中調配如上所述之交聯劑之情形時,亦可將用以促進交聯反應之交聯觸媒調配於第1黏著性組合物中。
作為交聯觸媒,例如可例舉:鈦酸四正丁酯、鈦酸四異丙酯、三乙醯丙酮鐵、氧化丁基錫、二月桂酸二辛基錫等金屬系交聯觸媒。交聯觸媒可單獨使用,亦可併用兩種以上。
第1黏著性組合物中之交聯觸媒之調配比率相對於丙烯酸系聚合物100質量份,例如為0.001質量份以上、較佳為0.01質量份以上,又,例如為0.05質量份以下。
於第1黏著性組合物中,亦可視需要調配其他成分。作為其他成分,例如可例舉:矽烷偶合劑、黏著性賦予劑、塑化劑、軟化劑、抗劣化劑、填充劑、著色劑、紫外線吸收劑(就於螢光燈下或自然光下之穩定化之觀點而言)、抗氧化劑、界面活性劑、及抗靜電劑。
上述第2黏著性組合物包含基礎聚合物(第1聚合物)、及含有有機矽氧烷之聚合物(第2聚合物)。
作為基礎聚合物,例如可例舉:丙烯酸系聚合物、天然橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS嵌段共聚物)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS嵌段共聚物)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS嵌段共聚物)、苯乙烯-丁二烯橡膠、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚異丁烯、丁基橡膠、氯丁二烯橡膠、及矽酮橡膠。就抑制黏著力之觀點而言,作為基礎聚合物,較佳為丙烯酸系聚合物。
基礎聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)例如為0℃以下、較佳為-100℃~-5℃、更佳為-80℃~-10℃、進而較佳為-40℃~-10℃。此種構成就確保第2黏著性組合物中之基礎聚合物之流動性之方面而言適宜,因此,就藉由加熱使第2黏著性組合物向高黏著力狀態變化之方面而言適宜。
第2黏著性組合物中之丙烯酸系聚合物係藉由包含(甲基)丙烯酸烷基酯作為主成分之單體成分(第2單體成分)之聚合而獲得。
作為第2單體成分中之(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可使用與上述第1單體成分中之(甲基)丙烯酸烷基酯相同者。第2單體成分中之(甲基)丙烯酸烷基酯之調配比率例如為50質量%以上、較佳為60質量%以上,又,例如為80質量%以下。
第2單體成分較佳為包含能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯進行共聚之含官能基之乙烯基單體。作為含官能基之乙烯基單體,例如可使用與上述第1單體成分中之含官能基之乙烯基單體相同者。第2單體成分中之含官能基之乙烯基單體之調配比率例如為5質量%以上、較佳為10質量%以上、更佳為15質量%以上,又,例如為30質量%以下、較佳為20質量%以下。
第2黏著性組合物中之丙烯酸系聚合物可藉由使包含(甲基)丙烯酸烷基酯作為主成分之第2單體成分聚合而形成。作為聚合方法,例如可例舉:溶液聚合、塊狀聚合、及乳化聚合,較佳可例舉溶液聚合。
第2黏著性組合物中之丙烯酸系聚合物之調配量相對於丙烯酸系聚合物與含有有機矽氧烷之聚合物之總量的比率例如為70質量%以上,又,例如為99質量%以下、較佳為90質量%以下。
作為含有有機矽氧烷之聚合物,例如可例舉具有有機矽氧烷骨架之丙烯酸系、胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、及聚丁二烯系聚合物,就控制黏著力之觀點而言,適宜地使用具有有機矽氧烷骨架之丙烯酸系聚合物。
具有有機矽氧烷骨架之丙烯酸系聚合物係藉由包含(甲基)丙烯酸烷基酯與具有有機矽氧烷骨架之單體的單體成分(第3單體成分)之聚合而獲得。作為第3單體成分中之(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可使用與上述第1單體成分中之(甲基)丙烯酸烷基酯相同者。作為含有有機矽氧烷骨架之單體,例如可使用下述通式(1)所表示之化合物或通式(2)所表示之化合物。於通式(1)(2)中,R1
表示氫或甲基,R2
表示甲基或一價有機基,m及n為0以上之整數。
[化1]
[化2]
作為含有有機矽氧烷骨架之單體,亦可使用市售品,具體而言,可例舉:X-22-174ASX、X-22-2426、X-22-2475、及KF-2012(以上為信越化學工業股份有限公司製造之單末端反應性矽酮)。
含有有機矽氧烷骨架之單體之官能基當量例如為700 g/mol以上、較佳為800 g/mol以上、更佳為850 g/mol以上、進而較佳為1500 g/mol以上,又,例如為未達20000 g/mol、較佳為未達15000 g/mol、更佳為未達10000 g/mol、進而較佳為未達6000 g/mol、尤佳為未達5000 g/mol。
第3單體成分中之含有有機矽氧烷骨架之單體相對於(甲基)丙烯酸烷基酯及含有有機矽氧烷骨架之單體之總量的調配量之比率例如為10質量%以上、較佳為15質量%以上、更佳為20質量%以上,又,例如為60質量%以下、較佳為50質量%以下、更佳為40質量%以下、進而較佳為30質量%以下。
第3單體成分亦可含有含官能基之乙烯基單體。作為含官能基之乙烯基單體,例如可使用與上述第1單體成分中之含官能基之乙烯基單體相同者。
第2黏著性組合物中之含有有機矽氧烷之聚合物可藉由包含(甲基)丙烯酸烷基酯與含有有機矽氧烷骨架之單體且視需要含有含官能基之乙烯基單體的第3單體成分聚合而形成。作為聚合方法,例如可例舉溶液聚合、塊狀聚合、及乳化聚合,較佳可例舉溶液聚合。於溶液聚合中,例如於將第3單體成分與例如上述聚合起始劑調配於溶劑中而製備反應溶液後,對該反應溶液進行加熱。然後,藉由經由反應溶液中之第3單體成分之聚合反應,可獲得包含含有有機矽氧烷之聚合物之聚合物溶液。於該聚合反應中,亦可為了調整所形成之聚合物之分子量而使用鏈轉移劑。
於第2黏著性組合物中,就對調配其中之丙烯酸系聚合物及/或含有有機矽氧烷之聚合物導入交聯結構之觀點而言,較佳為調配交聯劑。作為第2黏著性組合物中之交聯劑,例如可使用與上文中作為第1黏著性組合物中之交聯劑所述者相同者。
於第2黏著性組合物中,亦可視需要調配其他成分。作為其他成分,例如可例舉:矽烷偶合劑、黏著性賦予劑、塑化劑、軟化劑、抗劣化劑、填充劑、著色劑、紫外線吸收劑(就於螢光燈下或自然光下之穩定化之觀點而言)、抗氧化劑、界面活性劑、及抗靜電劑。
第2黏著性組合物中之含有有機矽氧烷之聚合物之調配比率相對於丙烯酸系聚合物100質量份,例如為0.1質量份以上、較佳為0.3質量份以上、更佳為0.4質量份以上、進而較佳為0.5質量份以上、尤佳為1質量份以上、最佳為2質量份以上,又,例如為75質量份以下、較佳為50質量份以下、更佳為20質量份以下、進而較佳為10質量份以下、尤佳為8質量份以下、最佳為5質量份以下。
就確保相對於被黏著體10之充分之黏著性之觀點而言,黏著劑層22之厚度例如為5 μm以上、較佳為10 μm以上、更佳為15 μm以上、進而較佳為20 μm以上,又,就處理性之觀點而言,例如為300 μm以下、較佳為100 μm以下、更佳為50 μm以下、進而較佳為40 μm以下、尤佳為30 μm以下。
於積層體X中,如上文中參照圖2所述般,被黏著體10上之膜部分20A之基材21中與膜部分20B對向之端面21a以越為遠離被黏著體10之部位越向膜部分20A內側退避之方式傾斜,且被黏著體10上之膜部分20B之基材21中與膜部分20A對向之端面21b以越為遠離被黏著體10之部位越向膜部分20B部分內側退避之方式傾斜。此種構成適於在使被黏著體10中之膜部分20A、20B間區域沿以圖2內之箭頭R所示之方向彎曲而將積層體X回折之情形時,對該彎曲確保彎曲留隙(即,適於抑制膜部分20A、20B彼此之抵接)。就獲得此種技術效果之方面而言,例如根據膜部分20A、20B間之距離適宜地設定端面21a、21b之上述各傾斜角度α。
假設於端面21a並非如上所述般傾斜而相對於被黏著體10之第2面12垂直之情形時,依相鄰之膜部分20A、20B間之距離,導致膜部分20A、20B之端面21a、21b彼此相互干涉,而積層體X無法採取適當之回折形態。
相對於此,於本發明之一實施形態之積層體X中,由於端面21a、21b如上所述般傾斜,故而能夠對膜部分20A、20B間區域中之被黏著體10之彎曲(向箭頭R所示之方向之彎曲)確保彎曲留隙。因此,即便於膜部分20A或其端面21a與膜部分20B或其端面21b接近配置之情形時,亦容易獲得適當之回折形態。
此種積層體X容易獲得使被黏著體10之膜20貼合面朝向內側之適當之回折形態。此外,關於容易如此獲得適當之回折形態之積層體X,容易將被黏著體10上之膜部分20A、20B間距離設計得較短,因此容易謀求小型化或輕量化。
此外,於積層體X中,如上所述,膜部分20A中之黏著劑層22於膜部分20B側緣端具有改性部22a,且膜部分20B中之黏著劑層22於膜部分20A側緣端具有改性部22b。此種構成適於在膜部分20A、20B之端面21a、21b抑制黏著劑層構成成分之滲出。
圖3A至圖3D表示上述積層體X之製造方法。本製造方法包括:準備步驟、貼附步驟、切割步驟、剝離步驟、及黏著力上升步驟。
首先,於準備步驟中,如圖3A所示,準備作為軟性被黏著體之上述被黏著體10與膜20'。被黏著體10具有如上所述之第1面11及第2面12。膜20'包含上述基材21及處於上述低黏著力狀態之黏著劑層22。
膜20'例如可藉由以下方式製造,即,於基材21上塗佈黏著性組合物而形成塗膜,視需要自塗膜對溶劑進行乾燥而去除。作為黏著性組合物之塗佈方法,例如可例舉:輥式塗佈、接觸輥式塗佈、凹版塗佈、反向塗佈、輥式刷塗、噴塗、浸漬輥式塗佈、棒式塗佈、刮塗、氣刀塗佈、淋幕式塗佈、模唇塗佈、及模嘴塗佈。用以去除溶劑之乾燥溫度例如為50℃以上、較佳為70℃以上、更佳為100℃以上,又,例如為200℃以下、較佳為180℃以下、更佳為150℃以下。其乾燥時間例如為5秒以上、較佳為10秒以上,又,例如為20分鐘以下、較佳為15分鐘以下、更佳為10分鐘以下。於所使用之黏著性組合物包含交聯劑之情形時,藉由與上述乾燥同時或其後之老化使黏著性組合物中之交聯劑所參與之交聯反應進行。老化條件係根據交聯劑之種類適宜設定。老化溫度例如為20℃以上,又,例如為160℃以下、較佳為100℃以下。老化時間例如為1分鐘以上、較佳為12小時以上、更佳為1天以上,又,例如為7天以下。又,關於製造後之膜20',亦可視需要於黏著劑層22中之與基材21相反之側積層剝離膜。作為此種剝離膜,例如可例舉:聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚酯膜等可撓性塑膠膜。
其次,於貼附步驟中,如圖3B所示,對被黏著體10貼附膜20'。膜20'係以其黏著劑層22側被貼附於被黏著體10之第2面12側。膜20'之黏著劑層22(處於低黏著力狀態)之黏著力例如為4 N/25 mm以下、較佳為1 N/25 mm以下。帶有黏著劑層22之膜20'之黏著力係設為藉由剝離試驗所測定之值,該剝離試驗係將自膜20'視需要切出之試片以25℃貼合於聚醯亞胺膜之表面後自該聚醯亞胺膜剝離。於該剝離試驗中,將剝離溫度設為25℃,將剝離角度設為180°,將剝離速度設為300 mm/分鐘。
於膜20'之黏著劑層22由上述第1黏著性組合物(包含丙烯酸系聚合物、光硬化劑及光聚合起始劑)所構成之情形時,由於黏著劑層22內之光硬化劑處於未硬化之狀態,故而黏著劑層22能夠獲得低黏著力狀態。於膜20'之黏著劑層22由上述第2黏著性組合物(包含丙烯酸系聚合物、及含有有機矽氧烷之聚合物)所構成之情形時,作為黏著劑層22內之含有有機矽氧烷之聚合物之側鏈的聚有機矽氧烷部位由於在黏著劑層22內為相對低極性且有於黏著劑層22之被黏著體10側表面與其附近偏集存在之傾向,故而黏著劑層22能夠獲得低黏著力狀態。
貼附步驟中所使用之膜20'之黏著劑層22處於低黏著力狀態的這一構成就確保本步驟中之返工性之方面而言適宜。對膜20'要求用以自被黏著體10適當地剝離之輕剝離性,以便於在本步驟中產生貼附不良(膜20'相對於被黏著體10之位置偏移、或氣泡混入至被黏著體10與膜20'之間)之情形時,能夠利用替代之膜20'進行貼附作業。黏著劑層22處於低黏著力狀態之膜20'(其黏著劑層22能夠於事後向高黏著力狀態變化)適於關於膜20'對被黏著體10之貼附作業確保返工性,並且於適當之貼附後確保對被黏著體10之充分之接合狀態。
繼而,於切割步驟中,如圖3C所示,對被黏著體10上之膜20'實施形成切溝G之切割加工(於圖3C中,以粗實線模式性地表示切溝),於膜20'中劃分形成所分離之兩個第1區域部S1與第1區域部S1間之第2區域部S2。第1區域部S1係構成所製造之積層體X中之上述膜20(膜部分20A、20B)之區域。第2區域部S2係如下所述般被去除之區域。作為本步驟中之切割加工之方法,例如可例舉刀具切斷及雷射切斷。作為用以進行刀具切斷之刀具,例如可例舉:旋轉刀、湯姆森刀(Thomson blade)、及畢諾克刀(Pinnacle blade)。作為用以進行雷射切斷之雷射,例如可例舉CO2
雷射或YAG雷射。
於切割步驟中,區分各第1區域部S1與第2區域部S2之切溝G如圖4所示,越自被黏著體10朝向基材21側離開越為寬幅。切溝G係具有截面V字形狀之V字溝。即,各第1區域部S1中之第2區域部S2側之切斷端面Ga以越為遠離被黏著體10之部位越向第1區域部S1之內側退避之方式傾斜。關於切溝G之切斷端面Ga之傾斜程度(例如相當於上述傾斜角度α之角度),於刀具切斷中,可藉由適宜地選擇使用刀具之刀尖之刃角來進行調整,於雷射切斷中,可藉由適宜地調整使用雷射之照射能量或照射直徑、照射位置等照射條件來進行調整。
又,於本實施形態中之切割步驟中,在各第1區域部S1之黏著劑層22形成面向與第2區域部S2之間之切溝G的改性部22a、22b。改性部22a、22b例如可藉由切溝形成時之黏著劑層22之局部升溫來形成。如上所述,改性部22a、22b適於抑制黏著劑層22構成成分之滲出。
於如上所述之切割步驟中,區分各第1區域部S1與第2區域部S2之切溝G亦可對膜20'藉由自其基材21側至黏著劑層22之中途為止之半切來形成。於半切中,將基材21沿其厚度方向之整體切斷且切入至黏著劑層22之厚度方向之中途之位置為止。半切中之對黏著劑層22之切入深度為黏著劑層22之厚度整體(100%)中之例如70%以上、較佳為80%以上、更佳為90%以上,例如為未達100%、較佳為99%以下、更佳為98%以下。關於此種半切後之黏著劑層22中之殘存厚度,可根據與黏著劑層22之黏彈性等物性及剝離力之關係適宜地設定。
此種半切加工適於減輕因雷射切斷等切斷加工所產生之熱對被黏著體10之影響,因此,適於抑制被黏著體10產生因經由切割步驟而造成之熱歷程。例如於被黏著體10為軟性顯示面板或軟性印刷配線基板等電子器件之情形時,如上所述之半切加工就避免、減輕對設置於被黏著體10之第1面11側之各種元件或配線的熱影響之方面而言適宜。
繼而,於剝離步驟中,如圖3D所示,將劃分形成於第1區域部S1間之第2區域部S2自被黏著體10剝離。被黏著體10上之第2區域部S2中之黏著劑層22如上所述般處於低黏著力狀態,結果此種構成就將第2區域部S2自被黏著體10適當地剝離之方面而言較佳。
又,於本剝離步驟中,就抑制所謂之糊劑殘留之方面而言,適宜的是於在剝離步驟之前之切割步驟中如上所述般進行半切。於對被黏著體10上之膜20'沿其厚度方向之整體進行切斷之情形時,根據其切斷方法及切斷條件,會因位於被黏著體10與膜20'之黏著劑層22之界面及其附近的黏著劑層構成材料中之局部之升溫或按壓力之作用,導致面向該界面之黏著劑層22之一部分容易固著於被黏著體10(黏著劑之局部固著)。例如於黏著劑層22由上述第1黏著性組合物所構成之情形時,會因該組合物中之多官能(甲基)丙烯酸酯等光硬化劑進行硬化而產生此種黏著劑之局部固著。於切割步驟中,藉由如上所述之半切而於切溝G之底端與被黏著體10之間預先殘留未切斷之黏著劑部分的這一構成適於避免位於上述界面與其附近之黏著劑層構成材料中之局部之升溫或按壓力的作用。並且,藉由如上所述之半切而於切溝G之底端與被黏著體10之間預先殘留未切斷之黏著劑部分的這一構成存在就如下方面而言較佳之情況,即,利用該黏著劑殘存部分之凝集力將第2區域部S2或其黏著劑層22以無黏著劑殘渣(糊劑殘留)之方式自被黏著體10表面剝離。
繼而,於黏著力上升步驟中,使第1區域部S1中之黏著劑層22之黏著力上升。於膜20'之黏著劑層22由上述第1黏著性組合物(包含丙烯酸系聚合物、光硬化劑及光聚合起始劑)所構成之情形時,於剝離步驟中,對黏著劑層22照射紫外線或電子束等活性能量線。藉此,經由黏著劑層22內之光硬化劑之聚合或硬化,黏著劑層22成為高黏著力狀態。於膜20'之黏著劑層22由上述第2黏著性組合物(包含丙烯酸系聚合物及含有有機矽氧烷之聚合物)所構成之情形時,於剝離步驟中,對黏著劑層22進行加熱。加熱溫度例如為40℃以上、較佳為50℃以上、更佳為60℃以上,又,例如為未達150℃、較佳為120℃以下、更佳為100℃以下、進而較佳為80℃以下。加熱時間例如為1小時以下、較佳為30分鐘以下、更佳為10分鐘以下、進而較佳為5分鐘以下,又,例如為1分鐘以上。藉由此種加熱,黏著劑層22內之丙烯酸系聚合物與含有有機矽氧烷之聚合物之相溶性變高,含有有機矽氧烷之聚合物或作為其側鏈之聚有機矽氧烷部位(於低黏著力狀態下,有在黏著劑層22之被黏著體10側表面與其附近偏集存在之傾向)進行熱擴散,黏著劑層22之被黏著體10側表面與其附近之丙烯酸系聚合物之存在比率上升。藉此,黏著劑層22成為高黏著力狀態。處於高黏著力狀態之黏著劑層22之黏著力例如為5 N/25 mm以上、較佳為8 N/25 mm以上、更佳為10 N/25 mm以上、進而較佳為12 N/25 mm以上。又,相對於處於低黏著力狀態之黏著劑層22之黏著力,處於高黏著力狀態之黏著劑層22之黏著力例如為2倍以上、較佳為4倍以上、更佳為8倍以上、進而較佳為10倍以上。
於本步驟中,藉由針對第1區域部S1之黏著劑層22的如上所述之活性能量線照射或加熱等外部刺激,使被黏著體10上之各第1區域部S1之黏著劑層22向高黏著力狀態變化。藉此,於源自膜20之第1區域部S1中,對被黏著體10之貼合狀態變得牢固。此種構成就將第1區域部S1作為結構材料殘留於積層體X之方面而言適宜。黏著劑層22處於高黏著力狀態之第1區域部S1構成積層體X中之膜部分20A、20B。
根據包括如上所述之各步驟之積層體製造方法,可適當地製造上述積層體X。因此,根據本製造方法,可於所製造之積層體X中享受與上文中關於積層體X所述之效果相同之效果。又,於本製造方法中,無需將作為補強材料之複數個膜部分20A、20B分別個別地貼附於被黏著體10。此種製造方法有助於積層體X或供組裝其之器件之製造之效率化。
[產業上之可利用性]
本發明之積層體例如可應用於複數個補強膜貼合於同一面側之軟性器件構成零件。
10:被黏著體(軟性被黏著體)
11:第1面
12:第2面
20:膜(補強膜)
20':膜
20A:膜部分(第1膜部分)
20B:膜部分(第2膜部分)
21:基材
21a:端面(第1傾斜端面)
21b:端面(第2傾斜端面)
22:黏著劑層
22a:改性部
22b:改性部
D1:厚度方向
D2:面方向
G:切溝
Ga:切斷端面
R:箭頭
S1:第1區域部
S2:第2區域部
X:積層體
α:傾斜角度
圖1係本發明之一實施形態之積層體之立體圖。
圖2係圖1所示之積層體之局部放大剖視圖。
圖3A表示圖1及圖2所示之積層體之製造方法中之一部分步驟,圖3B表示繼圖3A所示之步驟之後之步驟,圖3C表示繼圖3B所示之步驟之後之步驟,圖3D表示繼圖3C所示之步驟之後之步驟。
圖4係圖3C中之局部放大圖。
10:被黏著體(軟性被黏著體)
11:第1面11
12:第2面12
20:膜(補強膜)
20A:膜部分(第1膜部分)
20B:膜部分(第2膜部分)
21:基材
21a:端面(第1傾斜端面)
21b:端面(第2傾斜端面)
22:黏著劑層
22a:改性部
22b:改性部
D1:厚度方向
D2:面方向
R:箭頭
α:傾斜角度
Claims (3)
- 一種積層體,其係具備軟性被黏著體、及補強膜者,該補強膜包含基材及上述基材上之黏著劑層且以上述黏著劑層側貼合於上述軟性被黏著體,且上述補強膜包含於上述軟性被黏著體上分離而相鄰之第1補強膜部分及第2補強膜部分,上述第1補強膜部分之上述基材具有與上述第2補強膜部分對向之第1傾斜端面,該第1傾斜端面以越為遠離上述軟性被黏著體之部位越向第1補強膜部分內側退避之方式傾斜,上述第2補強膜部分之上述基材具有與上述第1補強膜部分對向之第2傾斜端面,該第2傾斜端面以越為遠離上述軟性被黏著體之部位越向第2補強膜部分內側退避之方式傾斜,上述第1補強膜部分之上述黏著劑層於上述第2補強膜部分側緣端具有改性部,上述第2補強膜部分之上述黏著劑層於上述第1補強膜部分側緣端具有改性部。
- 一種積層體之製造方法,其包括:將包含基材及上述基材上之黏著劑層的補強膜以上述黏著劑層側貼附於軟性被黏著體之步驟;切割步驟,其係對上述軟性被黏著體上之上述補強膜實施形成切溝之加工,而於該補強膜中劃分形成分離之兩個第1區域部與上述第1區域部間之第2區域部,且區分各第1區域部與上述第2區域部之切溝越遠離上述 軟性被黏著體越為寬幅;將上述第2區域部自上述軟性被黏著體剝離之步驟;及黏著力上升步驟,其係使上述第1區域部中之黏著劑層之黏著力上升,其中於上述切割步驟中,在各第1區域部之黏著劑層中形成面向與上述第2區域部之間之上述切溝之改性部。
- 如請求項2之積層體之製造方法,其中於上述切割步驟中,區分各第1區域部與上述第2區域部之上述切溝係對上述補強膜藉由自其基材側至黏著劑層之中途為止之半切而形成。
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