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TWI828771B - 研磨墊及研磨加工物的製造方法 - Google Patents

研磨墊及研磨加工物的製造方法 Download PDF

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TWI828771B
TWI828771B TW108135280A TW108135280A TWI828771B TW I828771 B TWI828771 B TW I828771B TW 108135280 A TW108135280 A TW 108135280A TW 108135280 A TW108135280 A TW 108135280A TW I828771 B TWI828771 B TW I828771B
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栗原浩
鳴島早月
髙見沢大和
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日商富士紡控股股份有限公司
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Abstract

本發明係以提供一種可減少刮痕的產生之研磨墊及研磨加工物的製造方法為目的。 一種研磨墊，其具備聚胺基甲酸酯薄片作為研磨層，在浸水狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，前述聚胺基甲酸酯薄片在40～60℃的範圍具有損失正切tanδ的波峰。

Description

研磨墊及研磨加工物的製造方法
本發明係有關於一種研磨墊及研磨加工物的製造方法。
在半導體裝置、電子零件等的材料，尤為Si基板(矽晶圓)、硬碟用基板、玻璃或LCD(液晶顯示器)用基板等薄型基板(被研磨物)的表面(加工面)，一般係使用研磨漿體並藉由研磨墊來進行化學機械研磨加工。
周知用於此種研磨加工的研磨墊，例如以減少凹陷為目的，而使用具備具有約1～3.6之30℃～90℃下的E′的比之研磨層的研磨墊(專利文獻1)；而且以兼具平坦化性能與低缺陷性能率為目的，而使用具備：具有0.1容量%的氣孔率，且在40℃及1rad/sec下具有385～750 l/Pa的KEL能量損失係數以及在40℃及1rad/sec下具有100～400MPa的彈性模數E′之聚合物材料作為研磨層的研磨墊(專利文獻2)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特表2004-507076號公報 專利文獻2：日本特開2005-136400號公報
發明所欲解決之課題
然而，使用上述專利文獻1及2所記載之研磨墊時，所得被研磨物的面品級不夠高，已知會產生例如刮痕等。
本發明係有鑑於上述問題而完成者，茲以提供一種可減少刮痕的產生之研磨墊及研磨加工物的製造方法為目的。 解決課題之手段
[第1實施形態] 本案發明人等為解決上述課題而致力進行研究的結果發現，在浸水(水中)條件下進行動態黏彈性測定時，透過使用所得之tanδ的波峰處於特定的溫度範圍之聚胺基甲酸酯薄片作為研磨層，可解決上述課題，而終至完成第1實施形態之本發明。
亦即，第1實施形態之本發明如下。 [1] 一種研磨墊，其具備聚胺基甲酸酯薄片作為研磨層， 在浸水狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，前述聚胺基甲酸酯薄片在40～60℃的範圍具有損失正切tanδ的波峰。 [2] 如[1]之研磨墊，其中前述損失正切tanδ的波峰值為0.15～0.35。 [3] 如[1]或[2]之研磨墊，其中在浸水狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，40℃下之前述聚胺基甲酸酯薄片的損失彈性模數E’’的值為21MPa以上。 [4] 如[1]～[3]中任一項之研磨墊，其中在浸水狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，前述聚胺基甲酸酯薄片在60℃與70℃下之損失正切tanδ的差A係小於50℃與60℃下之損失正切tanδ的差B，及70℃與80℃下之損失正切tanδ的差C。 [5] 如[1]～[4]中任一項之研磨墊，其中前述聚胺基甲酸酯薄片係包含聚胺基甲酸酯樹脂與分散於該聚胺基甲酸酯樹脂中的中空微粒子。 [6] 一種研磨加工物的製造方法，其具有在研磨漿體的存在下，使用如[1]～[5]中任一項之研磨墊來研磨被研磨物的研磨步驟。
[第2實施形態] 又，本案發明人為解決上述課題而致力進行研究的結果發現，在浸水(水中)條件下與乾燥條件下進行動態黏彈性測定時，透過使用所得之tanδ的波峰的溫度差處於特定的範圍之聚胺基甲酸酯薄片作為研磨層，可解決上述課題，而終至完成第2實施形態之本發明。
亦即，第2實施形態之本發明如下。 [1] 一種研磨墊，其具備聚胺基甲酸酯薄片作為研磨層， 該聚胺基甲酸酯薄片在浸水狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中之損失正切tanδ的波峰溫度A，與在乾燥狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中之損失正切tanδ的波峰溫度B的差為25～47℃。 [2] 如請求項1之研磨墊，其中前述波峰溫度A相對於前述波峰溫度B的變化率為0.45～0.65。 [3] 如請求項1或2之研磨墊，其中前述波峰溫度A係低於前述波峰溫度B。 [4] 如請求項1～3中任一項之研磨墊，其中前述波峰溫度A下之損失正切tanδ的波峰值α為0.15～0.35。 [5] 如請求項1～4中任一項之研磨墊，其中前述波峰溫度B下之損失正切tanδ的波峰值β為0.15～0.35。 [6] 如請求項1～5中任一項之研磨墊，其中前述波峰溫度A下之損失正切tanδ的波峰值α為前述波峰溫度B下之損失正切tanδ的波峰值β以上。 [7] 如請求項1～6中任一項之研磨墊，其中前述聚胺基甲酸酯薄片係包含聚胺基甲酸酯樹脂與分散於該聚胺基甲酸酯樹脂中的中空微粒子。 [8] 一種研磨加工物的製造方法，其具有在研磨漿體的存在下，使用如請求項1～7中任一項之研磨墊來研磨被研磨物的研磨步驟。 發明之效果
根據本發明，可提供一種可減少刮痕的產生之研磨墊及研磨加工物的製造方法。
[實施發明之形態]
以下就本發明實施形態詳細加以說明，惟本發明非限定於此，在不悖離其要旨的範圍可進行種種變形。
[第1實施形態：研磨墊] 第1實施形態之研磨墊係具備聚胺基甲酸酯薄片作為研磨層，在浸水狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，前述聚胺基甲酸酯薄片在40～60℃的範圍具有損失正切tanδ的波峰。
(損失正切tanδ) 損失正切tanδ係以損失彈性模數E’’(黏性成分)相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)的比所表示的值，在測定條件下，係表示作為測定對象之物質所顯示的彈性與黏性的平衡之指標。已知損失正切tanδ係隨作為測定對象之物質為乾燥狀態或浸水狀態而異，且亦隨測定時的頻率而異。於第1實施形態中，藉由將研磨中的動態製程之研磨層的動態黏彈性控制於既定範圍，可使研磨時對被研磨物(工件)的接觸狀態更良好；甚而，透過抑制由研磨所產生之研磨渣滓的反覆施壓，可抑制刮痕的產生。更具體而言，在研磨條件下，藉由使展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態，可抑制刮痕的產生。
在研磨條件下，聚胺基甲酸酯薄片的表面之研磨面係由漿體濡濕之狀態，在既定的溫度下藉由既定的研磨動作，而與被研磨物接觸。因此，於第1實施形態中，係使研磨層在浸水狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，在與研磨步驟之溫度同等的溫度範圍(40～60℃)，規定具有損失正切tanδ的波峰。
損失正切tanδ的波峰溫度為40～60℃，較佳為40～56℃，更佳為40～52℃。藉由損失正切tanδ的波峰處於上述溫度範圍內，在與研磨步驟之溫度同等的溫度範圍，可展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態，而抑制刮痕的產生。
此外，此處所稱「在20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，在40～60℃的範圍具有損失正切tanδ的波峰」，係指20～100℃的範圍之損失正切tanδ的極大值係處於40～60℃的範圍。又，此外，第1實施形態中所稱「波峰」，係指在處於極大值之溫度±5℃的溫度範圍，最大值與最小值的差為0.05以上者；源於雜訊等的更細微的上下變動則非解釋為波峰。
損失正切tanδ的波峰值較佳為0.15～0.35，更佳為0.20～0.35，再更佳為0.22～0.35。藉由損失正切tanδ的波峰值為上述範圍內，在與研磨步驟之溫度同等的溫度範圍，可更有效地展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態，而有進一步抑制刮痕的產生的傾向。
又，在浸水狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，40℃下之聚胺基甲酸酯薄片的損失彈性模數E’’的值較佳為21MPa以上，更佳為22～45MPa，再更佳為23～40MPa。藉由40℃下之損失彈性模數E’’的值為上述範圍內，在與研磨步驟之溫度同等的溫度範圍，可更有效地展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態，而有進一步抑制刮痕的產生的傾向。
再者，在浸水狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，聚胺基甲酸酯薄片在60℃與70℃下之損失正切tanδ的差A較佳小於50℃與60℃下之損失正切tanδ的差B，及70℃與80℃下之損失正切tanδ的差C。亦即，如後述圖1，損失正切tanδ的圖較佳在比波峰更高溫側具有肩部。透過如此於高溫側具有肩部，在比波峰更高溫側仍可維持較高的tanδ(水中)。從而，在更廣的溫度範圍，可展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態。藉此，於研磨步驟中，即使因摩擦熱等而生成局部呈高溫的部分，仍可抑制在該部分儲存彈性模數E’(彈性成分)為更優勢的情形，而有進一步抑制刮痕的產生的傾向。
聚胺基甲酸酯薄片在60℃與70℃下之損失正切tanδ的差A較佳為0.010～0.035，更佳為0.010～0.030，再更佳為0.012～0.028。又，50℃與60℃下之損失正切tanδ的差B較佳為0.035～0.060，更佳為0.038～0.050，再更佳為0.040～0.045。再者，70℃與80℃下之損失正切tanδ的差C較佳為0.055～0.095，更佳為0.060～0.090，再更佳為0.065～0.085。
此外，表示60℃與70℃下之損失正切tanδ的斜率的差A，與表示50℃與60℃下之損失正切tanδ的斜率的差B的差較佳為0.010～0.040，更佳為0.014～0.035，再更佳為0.016～0.030。又，表示60℃與70℃下之損失正切tanδ的斜率的差A，與表示70℃與80℃下之損失正切tanδ的斜率的差C的差較佳為0.030～0.080，更佳為0.040～0.070，再更佳為0.050～0.060。
第1實施形態之動態黏彈性測定可依循常用方法來進行；浸水狀態下的動態黏彈性測定，係使用浸漬於溫度23℃的水中3天的研磨層作為試樣，並且在浸漬於水中的狀態下進行試樣的測定。作為可進行此種測定的動態黏彈性測定裝置，可例示例如PerkinElmer Japan公司製DMA8000等。就其他條件，不特別限制，可根據實施例中所記載的條件來進行測定。
[第2實施形態：研磨墊] 第2實施形態之研磨墊係具備聚胺基甲酸酯薄片作為研磨層，該聚胺基甲酸酯薄片在浸水狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中之損失正切tanδ的波峰溫度A，與在乾燥狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中之損失正切tanδ的波峰溫度B的差為25～47℃。
(損失正切tanδ) 損失正切tanδ係以損失彈性模數E’’(黏性成分)相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)的比所表示的值，在測定條件下，係表示作為測定對象之物質所顯示的彈性與黏性的平衡之指標。已知損失正切tanδ係隨作為測定對象之物質為乾燥狀態或浸水狀態而異，且亦隨測定時的頻率而異。
在使漿體與研磨墊接觸的研磨步驟中，聚胺基甲酸酯薄片的表面之研磨面係處於較接近浸水的狀態與較接近乾燥的狀態之間的任一種狀態。由此，於第2實施形態中，藉由使浸水狀態與乾燥狀態下的損失正切tanδ的波峰溫度差成為既定的範圍，可於整面使展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態。藉此，可於整面使研磨時對被研磨物(工件)的接觸狀態更良好，且可抑制研磨渣滓的反覆施壓，而能夠抑制刮痕的產生。
基於上述觀點，於第2實施形態中，係記載在浸水狀態以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中之損失正切tanδ的波峰溫度A，與在乾燥狀態下以頻率1.6Hz、20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中之損失正切tanδ的波峰溫度B的差作為指標。該波峰溫度A與波峰溫度B的差為25～47℃，較佳為25～45℃，更佳為27～45℃。透過波峰溫度A與波峰溫度B的差為上述範圍內，可於整面展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態，而能夠於整面抑制刮痕的產生。
此外，此處所稱「20～100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中之損失正切tanδ的波峰」，係指20～100℃的範圍之損失正切tanδ的極大值。又，此外，第2實施形態中所稱「波峰」，係指在處於極大值之溫度±5℃的溫度範圍，最大值與最小值的差為0.05以上者；源於雜訊等的更細微的上下變動則非解釋為波峰。
又，由乾燥狀態下之損失正切tanδ的溫度向浸水狀態下之損失正切tanδ的溫度之峰位移的程度，亦即波峰溫度A相對於波峰溫度B的變化率較佳為0.45～0.65，更佳為0.475～0.625，再更佳為0.50～0.60。透過波峰溫度A相對於波峰溫度B的變化率為上述範圍內，可於整面展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態，而有抑制刮痕的產生的傾向。
浸水狀態下的波峰溫度A較佳低於乾燥狀態下的波峰溫度B。藉此，在接觸研磨漿體之研磨面的大部分，可於更低溫度下展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態。因此，可於整面使研磨時對被研磨物(工件)的接觸狀態更良好，而有抑制刮痕的產生的傾向。
浸水狀態下的波峰溫度A較佳為30～60℃，更佳為35～55℃，再更佳為40～50℃。又，乾燥狀態下的波峰溫度B較佳為55～95℃，更佳為65～95℃，再更佳為70～95℃。
波峰溫度A下之損失正切tanδ的波峰值α較佳為0.15～0.35，更佳為0.18～0.35，再更佳為0.21～0.35。又，波峰溫度B下之損失正切tanδ的波峰值β較佳為0.15～0.35，更佳為0.18～0.35，再更佳為0.21～0.35。藉由波峰值α及波峰值β各為上述範圍內，可於整面展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態，而有抑制刮痕的產生的傾向。
波峰溫度A下之損失正切tanδ的波峰值α較佳為波峰溫度B下之損失正切tanδ的波峰值β以上。更具體而言，波峰值α與波峰值β的差較佳為0～0.030，更佳為0～0.020，再更佳為0～0.010。藉此，在接觸研磨漿體之研磨面的大部分，可於更低溫度下展現相對於儲存彈性模數E’(彈性成分)，損失彈性模數E’’(黏性成分)為更優勢之狀態。因此，可於整面使研磨時對被研磨物(工件)的接觸狀態更良好，而有抑制刮痕的產生的傾向。
第2實施形態之動態黏彈性測定可依循常用方法來進行；浸水狀態下的動態黏彈性測定，係使用浸漬於溫度23℃的水中3天的研磨層作為試樣，並且在浸漬於水中的狀態下進行試樣的測定。又，乾燥狀態下的動態黏彈性測定，係使用在溫度23℃(±2℃)、相對濕度50%(±5%)的恆溫恆濕槽中保持40小時的研磨層作為試樣，並於一般的大氣環境下(乾燥狀態)進行試樣的測定。作為可進行此種測定的動態黏彈性測定裝置，可例示例如PerkinElmer Japan公司製DMA8000等。就其他條件，不特別限制，可根據實施例中所記載的條件來進行測定。
(聚胺基甲酸酯薄片) 作為具有第1實施形態及/或第2實施形態之上述特性的研磨層，係使用聚胺基甲酸酯薄片。構成聚胺基甲酸酯薄片的聚胺基甲酸酯樹脂，不特別限制，可舉出例如聚酯系聚胺基甲酸酯樹脂、聚醚系聚胺基甲酸酯樹脂、及聚碳酸酯系聚胺基甲酸酯樹脂。此等可單獨使用1種或組合2種以上來使用。
此種聚胺基甲酸酯樹脂，只要是胺基甲酸酯預聚物與硬化劑的反應物則不特別限定，可適用各種周知者。於此，胺基甲酸酯預聚物不特別限定，可舉出例如六亞甲基二異氰酸酯與己三醇的加成物；2,4-甲苯二異氰酸酯與植物兒茶酚的加成物；甲苯二異氰酸酯與己三醇的加成物；甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷的加成物；苯二甲基二異氰酸酯與三羥甲基丙烷的加成物；六亞甲基二異氰酸酯與三羥甲基丙烷的加成物；及異三聚氰酸與六亞甲基二異氰酸酯的加成物。又，亦可使用藉由除此之外的聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物的反應所調製的含異氰酸酯基之化合物、或市售的各種胺基甲酸酯預聚物。胺基甲酸酯預聚物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
含異氰酸酯基之化合物所使用的聚異氰酸酯化合物，只要於分子內具有2個以上的異氰酸酯基則不特別限制。例如，分子內具有2個異氰酸酯基的二異氰酸酯化合物可舉出間苯二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯(2,6-TDI)、2,4-甲苯二異氰酸酯(2,4-TDI)、萘-1,4-二異氰酸酯、二苯甲烷-4,4'-二異氰酸酯(MDI)、4,4'-亞甲基-雙(環己基異氰酸酯)(氫化MDI)、3,3'-二甲氧基-4,4'-聯苯基二異氰酸酯、3,3'-二甲基二苯甲烷-4,4'-二異氰酸酯、苯二甲基-1,4-二異氰酸酯、4,4'-二苯基丙烷二異氰酸酯、三亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、伸丙基-1,2-二異氰酸酯、伸丁基-1,2-二異氰酸酯、伸環己基-1,2-二異氰酸酯、伸環己基-1,4-二異氰酸酯、對苯二異硫氰酸酯、苯二甲基-1,4-二異硫氰酸酯、次乙基二異硫氰酸酯等。 聚異氰酸酯化合物較佳為二異氰酸酯化合物，其中更佳為2,4-TDI、2,6-TDI、MDI，特佳為2,4-TDI、2,6-TDI。 此等聚異氰酸酯化合物可單獨使用，亦可組合多種聚異氰酸酯化合物來使用。
聚異氰酸酯化合物較佳包含2,4-TDI及/或2,6-TDI，更佳包含2,4-TDI及2,6-TDI。再更佳僅由2,4-TDI及2,6-TDI所構成。2,4-TDI對2,6-TDI的質量比較佳為100：0～50：50，更佳為90：10～60：40，再更佳為90：10～70：30，再更佳為80：20。
含異氰酸酯基之化合物所使用的多元醇化合物，可舉出乙二醇、二乙二醇(DEG)、丁二醇等二醇化合物、三醇化合物等；聚丙二醇(PPG)、聚(氧四亞甲基)二醇(PTMG)等聚醚多元醇化合物；乙二醇與己二酸的反應物或丁二醇與己二酸的反應物等聚酯多元醇化合物；聚碳酸酯多元醇化合物、聚己內酯多元醇化合物等。又，亦可使用加成環氧乙烷的3官能性丙二醇。此等當中，較佳為PTMG，亦較佳組合使用PTMG與DEG。PTMG的數量平均分子量(Mn)較佳為500～2000，更佳為500～1300，再更佳為500～1000，再更佳為500～800。根據多元醇化合物的分子量，或者所用多元醇化合物的組合，可調整第1實施形態中之損失正切tanδ的波峰溫度。又，根據多元醇化合物的分子量，或者所用多元醇化合物的組合，可調整第2實施形態中之浸水狀態及乾燥狀態的損失正切tanδ。數量平均分子量可藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography : GPC)來測定。此外，要由聚胺基甲酸酯樹脂測定多元醇化合物的數量平均分子量時，亦可根據胺分解等常用方法將各成分分解後，藉由GPC來推定。多元醇化合物可單獨使用，亦可組合多種多元醇化合物來使用。
胺基甲酸酯預聚物的NCO當量較佳為300～700，更佳為350～600，再更佳為400～500。此外，「NCO當量」係以“(聚異氰酸酯化合物的質量份+多元醇化合物的質量份)/[(聚異氰酸酯化合物每1分子的官能基數×聚異氰酸酯化合物的質量份/聚異氰酸酯化合物的分子量)-(多元醇化合物每1分子的官能基數×多元醇化合物的質量份/多元醇化合物的分子量)]"求得，為表示每1個NCO基之胺基甲酸酯預聚物的分子量的數值。
又，硬化劑不特別限定，可舉出例如乙二胺、丙二胺、六亞甲二胺、異佛爾酮二胺、二環己基甲烷-4,4’-二胺、3,3’-二氯-4,4’-二胺基二苯基甲烷(MOCA)、4-甲基-2,6-雙(甲硫基)-1,3-苯二胺、2-甲基-4,6-雙(甲硫基)-1,3-苯二胺、2,2-雙(3-胺基-4-羥苯基)丙烷、2,2-雙[3-(異丙胺基)-4-羥苯基]丙烷、2,2-雙[3-(1-甲基丙胺基)-4-羥苯基]丙烷、2,2-雙[3-(1-甲基戊胺基)-4-羥苯基]丙烷、2,2-雙(3,5-二胺基-4-羥苯基)丙烷、2,6-二胺基-4-甲基酚、三甲基伸乙基雙-4-胺基苯甲酸酯及聚四亞甲基氧化物-雙-對胺基苯甲酸酯等多元胺化合物；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、三亞甲二醇、四乙二醇、三乙二醇、二丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、1,2-丁二醇、3-甲基-1,2-丁二醇、1,2-戊二醇、1,4-戊二醇、2,4-戊二醇、2,3-二甲基三亞甲二醇、四亞甲二醇、3-甲基-4,3-戊二醇、3-甲基-4,5-戊二醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇、1,6-己二醇、1,5-己二醇、1,4-己二醇、2,5-己二醇、1,4-環己烷二甲醇、新戊二醇、甘油、三羥甲基丙烷、三羥甲基乙烷、三羥甲基甲烷、聚(氧四亞甲基)二醇、聚乙二醇、及聚丙二醇等多元醇化合物。又，多元胺化合物亦可具有羥基，作為此種胺系化合物，可舉出例如2-羥乙基乙二胺、2-羥乙基丙二胺、二-2-羥乙基乙二胺、二-2-羥乙基丙二胺、2-羥丙基乙二胺、二-2-羥丙基乙二胺等。
多元胺化合物較佳為二胺化合物，尤以3,3’-二氯-4,4’-二胺基二苯基甲烷(MOCA)為佳。MOCA可舉出例如PANDEX E(DIC公司製)、IHARACUAMINE MT(KUMIAI CHEMICAL公司製)等。又，作為多元醇化合物，此等當中，較佳為聚丙二醇，更佳為數量平均分子量為1000～3000的聚丙二醇，再更佳為數量平均分子量為1500～2500的聚丙二醇。硬化劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
相對於胺基甲酸酯預聚物100質量份，硬化劑較佳添加10～60質量份，更佳添加20～50質量份，再更佳添加20～40質量份。
根據胺基甲酸酯預聚物的分子量(聚合度)、或胺基甲酸酯預聚物與硬化劑的組合，可調整第1實施形態中之損失正切tanδ的波峰溫度。又，根據胺基甲酸酯預聚物的分子量(聚合度)、或胺基甲酸酯預聚物與硬化劑的組合，可調整第2實施形態中之浸水狀態及乾燥狀態的損失正切tanδ。基於此種觀點，作為一例，較佳以相對於存在於作為胺基甲酸酯預聚物之含異氰酸酯基之化合物的末端之異氰酸酯基之存在於硬化劑的活性氫基(胺基及羥基)的當量比之R值成為0.70～1.30的方式混合各成分，更佳為0.75～1.20，再更佳為0.80～1.10，再更佳為0.80～1.00，再更佳為0.85～0.95。
再者，聚胺基甲酸酯薄片較佳為具有氣泡的發泡聚胺基甲酸酯薄片。又，發泡聚胺基甲酸酯薄片的氣泡，根據其樣態可分類為多個氣泡獨立存在的獨立氣泡，與多個氣泡以連通孔相連而成的連續氣泡。其中，第1實施形態之聚胺基甲酸酯薄片較佳具有獨立氣泡，更佳為包含聚胺基甲酸酯樹脂與分散於該聚胺基甲酸酯樹脂中的中空微粒子之聚胺基甲酸酯薄片。透過使用中空微粒子，即有容易調整損失正切tanδ的波峰溫度的傾向。
具有獨立氣泡的聚胺基甲酸酯薄片可透過使用具有外殼且內部為中空狀的中空微粒子來成形。中空微粒子可使用市售品，亦可使用根據常用方法進行合成而得者。中空微粒子之外殼的材質不特別限制，可舉出例如聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、聚(甲基)丙烯酸、聚丙烯醯胺、聚乙二醇、聚羥基醚丙烯酸酯、馬來酸共聚物、聚環氧乙烷、聚胺基甲酸酯、聚(甲基)丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯及有機聚矽氧系樹脂，以及構成此等樹脂之單體以2種以上組合而成的共聚物。又，就市售品之中空微粒子，非限定於以下者，可舉出例如Expancel系列(AKZO NOBEL公司製商品名)、Matsumoto Microsphere(松本油脂(股)公司製商品名)等。
聚胺基甲酸酯薄片中的中空微粒子的形狀不特別限定，可為例如球狀及略呈球形。中空微粒子的平均粒徑不特別限制，較佳為5～200μm，更佳為5～80μm，再更佳為5～50μm，特佳為5～35μm。透過使用此種中空微粒子，亦可調整第1實施形態中之損失正切tanδ的波峰溫度。又，透過使用此種中空微粒子，亦可調整第2實施形態中之浸水狀態及乾燥狀態的損失正切tanδ的波峰溫度。此外，平均粒徑可藉由雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如Spectris(股)製Mastersizer 2000)等來測定。
中空微粒子係以相對於胺基甲酸酯預聚物100質量份，較佳為0.1～10質量份，更佳為1～5質量份，再更佳為1～3質量份的方式添加。
又，除上述成分以外，在不損及本發明效果的範圍，亦可將向來所使用的發泡劑與前述中空微粒子併用，也可於下述混合步驟中對前述各成分吹灑非反應性氣體。該發泡劑可舉出以水或碳數5或6的烴作為主成分的發泡劑。該烴可舉出例如正戊烷、正己烷等鏈狀烴、或環戊烷、環己烷等脂環式烴。又，除前述各成分外，亦可添加周知之整泡劑、阻燃劑、著色劑、塑化劑等。
聚胺基甲酸酯薄片的製造方法不特別限制，可舉出例如使胺基甲酸酯預聚物與硬化劑反應，形成聚胺基甲酸酯樹脂塊，並由所得聚胺基甲酸酯樹脂塊切出薄片的方法。於混合步驟中，係將胺基甲酸酯預聚物與硬化劑供給至混合機內並攪拌・混合。又，使用中空微粒子時，藉由將胺基甲酸酯預聚物、硬化劑與中空微粒子混合，可獲得摻有中空微粒子的聚胺基甲酸酯樹脂塊。混合順序不特別限制，較佳為先將胺基甲酸酯預聚物與中空微粒子混合，再於混合機內對其供給硬化劑。如此，即調製成聚胺基甲酸酯樹脂塊用之混合液。混合步驟係在加熱至可確保上述各成分之流動性的溫度之狀態下進行。
例如，在包含中空微粒子之加熱至30～90℃的胺基甲酸酯預聚物(例如含異氰酸酯基之化合物)的溶液中，將硬化劑投入至可溫調的附夾套混合機，並以30～130℃攪拌。亦可視需求在附攪拌機及夾套的儲槽中承接混合液並進行熟成。攪拌時間係根據混合機的齒數或旋轉數、間隙等適宜調整，例如為0.1～60秒。
於成形步驟中，係將前述混合步驟中調製的聚胺基甲酸酯樹脂塊用混合液澆注於預加熱至30～100℃的模框內，以100～150℃左右加熱10分鐘～5小時左右使其硬化而成形聚胺基甲酸酯樹脂塊。此時，藉由胺基甲酸酯預聚物與硬化劑反應而形成聚胺基甲酸酯樹脂，該混合液便在氣泡及/或中空微粒子分散於前述聚胺基甲酸酯樹脂中的狀態下硬化。藉此，即形成含有多個略呈球狀之氣泡的聚胺基甲酸酯樹脂塊。
藉由前述成形步驟所得之聚胺基甲酸酯樹脂塊，隨後經切割成薄片狀而形成聚胺基甲酸酯薄片。藉由進行切割，薄片表面即設有開孔。此時，為了形成耐摩耗性優良且不易堵塞的研磨層表面之開孔，亦能以30～150℃進行熟化1小時～24小時左右。
如此所得之具有聚胺基甲酸酯薄片的研磨層，其後對研磨層之研磨面之相反側的面黏貼雙面膠，再切成既定形狀，較佳為圓板狀，即完成第1及第2實施形態之研磨墊。雙面膠不特別限制，可由該技術領域中所熟知的雙面膠當中任意選出而使用。
又，第1及第2實施形態之研磨墊可為僅由研磨層所構成的單層構造，亦可由對研磨層之研磨面之相反側的面貼合其他層(下層、支持層)的多層所構成。其他層的特性不特別限定，若對研磨層之相反側的面貼合比研磨層更柔軟(A硬度或D硬度較小)的層，則可進一步提升研磨平坦性。另一方面，若對研磨層之相反側的面貼合比研磨層更硬(A硬度或D硬度較大)的層，則可進一步提升研磨速率。
具有多層構造時，只要使用雙面膠或接著劑等將多個層彼此視需求一面加壓一面予以接著・固定即可。此時所使用之雙面膠或接著劑不特別限制，可由該技術領域中所熟知的雙面膠或接著劑當中任意選出而使用。
再者，第1及第2實施形態之研磨墊，亦可視需求將研磨層的表面及/或背面，對其表面實施研削處理、溝槽加工、壓花加工或開孔加工(沖孔加工)，可將基材及/或黏著層與研磨層貼合，亦可具備透光部。研削處理的方法不特別限制，可藉由周知方法來進行研削。具體而言，可舉出使用砂紙之研削。溝槽加工及壓花加工的形狀不特別限制，可舉出例如格子型、同心圓型、放射型等形狀。
[研磨加工物的製造方法] 第1及第2實施形態之研磨加工物的製造方法係具有在研磨漿體的存在下，使用上述研磨墊來研磨被研磨物，而得到研磨加工物的研磨步驟。研磨步驟可為一次研磨(粗研磨)、完工研磨或兼具此兩種研磨。其中，第1及第2實施形態之研磨墊較佳使用於化學機械研磨。以下，以化學機械研磨為例來說明第1及第2實施形態之研磨加工物的製造方法，惟第1及第2實施形態之研磨加工物的製造方法非限定於以下者。
於此製造方法中，係一面與研磨漿體的供給同時以保持壓盤將被研磨物按壓於研磨墊側，一面使保持壓盤與研磨用壓盤相對旋轉，而對被研磨物的加工面以研磨墊藉由化學機械研磨(CMP)進行研磨加工。保持壓盤與研磨用壓盤能以彼此不同的旋轉速度朝同方向旋轉，亦可朝不同方向旋轉。此外，被研磨物在研磨加工中亦可一面在框部的內側移動(自轉)一面進行研磨加工。
研磨漿體亦可依據被研磨物或研磨條件等而含有水、以過氧化氫為代表的氧化劑等化學成分、添加劑、磨粒(研磨粒子；例如SiC、SiO2 、Al2 O3 、CeO­2 )等。
又，被研磨物不特別限定，可舉出例如半導體裝置、電子零件等的材料，尤為Si基板(矽晶圓)、硬碟用基板、玻璃或LCD(液晶顯示器)用基板等薄型基板(被研磨物)。其中，第1及第2實施形態之研磨加工物的製造方法可適用於作為形成有氧化層、銅等的金屬層之半導體裝置等的製造方法。 實施例
以下，利用實施例及比較例更具體地說明本發明。本發明不受以下實施例任何限定。
[第1實施形態] 以下將第1實施形態之實施例及比較例定為實施例A及比較例A。
[實施例A1] 對使2,4-甲苯二異氰酸酯(TDI)、數量平均分子量650的聚(氧四亞甲基)二醇(PTMG)及二乙二醇(DEG)反應而成之NCO當量460的胺基甲酸酯預聚物100份添加混合殼部分由丙烯腈-偏二氯乙烯共聚物構成，且殼內內含異丁烷氣體之粒子大小為15～25μm(平均粒徑：20μm)的經膨脹中空微粒子2.8份，而得到胺基甲酸酯預聚物混合液。將所得胺基甲酸酯預聚物混合液倒入第1液槽中，保溫於80℃。又，有別於第1液槽，將作為硬化劑之3,3’-二氯-4,4’-二胺基二苯基甲烷(亞甲基雙-鄰氯苯胺)(MOCA)25.5份及聚丙二醇8.5份置入第2液槽中，以120℃使其加熱熔融而混合，進一步進行減壓脫泡而得到硬化劑熔融液。
其次，由具備2個注入口之混合機的各個注入口注入第1液槽、第2液槽的各液體並攪拌混合而得到混合液。此外，此時，係以R值成為0.90的方式來調整混合比例，該R值係表示相對於存在於胺基甲酸酯預聚物中的末端之異氰酸酯基之存在於硬化劑的胺基及羥基的當量比。
將所得混合液注入至預加熱至100℃的模框中，以30分鐘、110℃使其一次硬化。將形成之塊狀成形物由模框中抽出，藉由烘箱以130℃進行二次硬化2小時，而得到胺基甲酸酯樹脂塊。將所得胺基甲酸酯樹脂塊放置冷卻至25℃後，再度藉由烘箱以120℃加熱5小時後，實施切割處理而得到發泡聚胺基甲酸酯薄片。對所得聚胺基甲酸酯薄片的背面黏貼雙面膠而作成研磨墊使用。
[實施例A2] 對與實施例A1相同的胺基甲酸酯預聚物100份添加混合殼內內含異丁烷氣體之粒子大小為5～15μm(平均粒徑：7μm)的未膨脹型中空微粒子3.1份、與4,4’-亞甲基-雙(環己基異氰酸酯)(氫化MDI)2份，而得到胺基甲酸酯預聚物混合液。又，使作為硬化劑之MOCA28份加熱熔融而混合，而得到硬化劑熔融液。使用胺基甲酸酯預聚物混合液及硬化劑熔融液並以與實施例A1同樣的方法進行製作，而得到研磨墊。
[比較例A1] 作為比較例A1，係準備Nitta Haas公司製IC1000墊。
[比較例A2] 對使2,4-甲苯二異氰酸酯(TDI)、數量平均分子量650的聚(氧四亞甲基)二醇(PTMG)、數量平均分子量1000的聚(氧四亞甲基)二醇(PTMG)及二乙二醇(DEG)反應而成之NCO當量460的胺基甲酸酯預聚物100份添加混合殼部分由丙烯腈-偏二氯乙烯共聚物構成，且殼內內含異丁烷氣體之粒子大小為30～50μm(平均粒徑：40μm)的經膨脹中空微粒子2.1份，而得到胺基甲酸酯預聚物混合液。使作為硬化劑之MOCA 27份及聚丙二醇8.7份加熱熔融而混合，進一步進行減壓脫泡而得到硬化劑熔融液。使用胺基甲酸酯預聚物混合液及硬化劑熔融液並以與實施例A1同樣的方法進行製作，而得到研磨墊。
[比較例A3] 對比較例A2之胺基甲酸酯預聚物100份添加混合與實施例A1中所使用者相同的中空微粒子3.0份，而得到胺基甲酸酯預聚物混合液。使作為硬化劑之MOCA 25.8份及聚丙二醇8.6份加熱熔融而混合，進一步進行減壓脫泡而得到硬化劑熔融液。使用胺基甲酸酯預聚物混合液及硬化劑熔融液並以與實施例A1同樣的方法進行製作，而得到研磨墊。
[比較例A4] 對比較例A2之胺基甲酸酯預聚物100份添加混合與實施例A2中所使用者相同的中空微粒子3.0份，而得到胺基甲酸酯預聚物混合液。使作為硬化劑之MOCA 25.8份及聚丙二醇8.6份加熱熔融而混合，進一步進行減壓脫泡而得到硬化劑熔融液。使用胺基甲酸酯預聚物混合液及硬化劑熔融液並以與實施例A1同樣的方法進行製作，而得到研磨墊。
[動態黏彈性測定] 基於下述條件進行聚胺基甲酸酯薄片的動態黏彈性測定。首先，將聚胺基甲酸酯薄片浸漬於溫度23℃的水中3天。使用所得聚胺基甲酸酯薄片作為試樣，於水中(浸水狀態)進行動態黏彈性測定。作為動態黏彈性測定裝置，係使用DMA8000(PerkinElmer Japan公司製)。 (測定條件) 測定裝置            ：DMA8000(PerkinElmer Japan公司製) 試樣                  ：長4cm×寬0.5cm×厚0.125cm 試驗長               ：1cm 試樣之前處理      ：保持於溫度23℃的水中3天 試驗模式            ：拉伸 頻率                  ：1.6Hz(10rad/sec) 溫度範圍            ：20～100℃ 升溫速度            ：5℃/min 應變範圍            ：0.10% 初荷重               ：148g 測定間隔            ：1point/℃
又，作為參考，係使用在溫度23℃(±2℃)、相對濕度50%(±5%)的恆溫恆濕槽中將聚胺基甲酸酯薄片保持40小時之乾燥狀態的聚胺基甲酸酯薄片作為試樣，於一般的大氣環境下(乾燥狀態)進行動態黏彈性測定。此外，除其他裝置使用RSA3(TA Instruments公司製)以外，係根據與上述相同的條件進行測定。將實施例A及比較例A之動態黏彈性測定的結果示於圖1～6。圖中記載為(水中)者係浸水狀態下的動態黏彈性測定的結果，記載為(DRY)者則為乾燥狀態下的動態黏彈性測定的結果。
[面品級確認試驗] 將研磨墊隔著具有丙烯酸系接著劑的雙面膠設置於研磨裝置的既定位置，對Cu膜基板，以下述條件實施研磨加工。 (研磨條件) 研磨機               　：F-REX300(荏原製作所公司製) Disk                  　：A188(3M公司製) 旋轉數               　：(壓盤)70rpm、(頂環)71rpm 研磨壓力            　：3.5psi 研磨劑溫度         　：20℃ 研磨劑排出量      　：200ml/min 研磨劑               　：PLANERLITE7000(Fujimi Incorporated公司製) 被研磨物            　：Cu膜基板 研磨時間            　：60秒 墊調節(pad break) 　：35N 10分鐘 調節                  　：Ex-situ、35N、4掃描
針對上述研磨加工後的被研磨物第10片以後至第50片，藉由eDR5210(KLA-Tencor公司製)之ReviewSEM以目視確認被研磨面之大於155nm的直線狀研磨擦痕(刮痕)，而得到平均值。基於刮痕的確認結果來評定面品級。
[第2實施形態] 以下，將第2實施形態之實施例及比較例定為實施例B及比較例B。
[實施例B1] 對使2,4-甲苯二異氰酸酯(TDI)、數量平均分子量650的聚(氧四亞甲基)二醇(PTMG)及二乙二醇(DEG)反應而成之NCO當量450的胺基甲酸酯預聚物100份添加混合殼部分由丙烯腈-偏二氯乙烯共聚物構成，且殼內內含異丁烷氣體之粒子大小為15～25μm(平均粒徑：20μm)的經膨脹中空微粒子2.8份，而得到胺基甲酸酯預聚物混合液。將所得胺基甲酸酯預聚物混合液倒入第1液槽中，保溫於80℃。又，有別於第1液槽，將作為硬化劑之3,3’-二氯-4,4’-二胺基二苯基甲烷(亞甲基雙-鄰氯苯胺)(MOCA)25.5份及聚丙二醇(PPG)8.5份置入第2液槽中，以120℃使其加熱熔融而混合，進一步進行減壓脫泡而得到硬化劑熔融液。
其次，由具備2個注入口之混合機的各個注入口注入第1液槽、第2液槽的各液體並攪拌混合而得到混合液。此外，此時，係以R值成為0.90的方式來調整混合比例，該R值係表示相對於存在於胺基甲酸酯預聚物中的末端之異氰酸酯基之存在於硬化劑的胺基及羥基的當量比。
將所得混合液注入至預加熱至100℃的模框中，以30分鐘、110℃使其一次硬化。將形成之塊狀成形物由模框中抽出，藉由烘箱以130℃進行二次硬化2小時，而得到胺基甲酸酯樹脂塊。將所得胺基甲酸酯樹脂塊放置冷卻至25℃後，再度藉由烘箱以120℃加熱5小時後，實施切割處理而得到發泡聚胺基甲酸酯薄片。對所得聚胺基甲酸酯薄片的背面黏貼雙面膠而作成研磨墊使用。
[實施例B2] 對與實施例B1相同的胺基甲酸酯預聚物100份添加混合殼內內含異丁烷氣體之粒子大小為5～15μm(平均粒徑：7μm)的未膨脹型中空微粒子3.1份、與4,4’-亞甲基-雙(環己基異氰酸酯)(氫化MDI)2份，而得到胺基甲酸酯預聚物混合液。又，使作為硬化劑之MOCA28份加熱熔融而混合，而得到硬化劑熔融液。使用胺基甲酸酯預聚物混合液及硬化劑熔融液並以與實施例B1同樣的方法進行製作，而得到研磨墊。
[比較例B1] 作為比較例B1，係準備Nitta Haas公司製IC1000墊。
[動態黏彈性測定] 基於下述條件進行聚胺基甲酸酯薄片的動態黏彈性測定。首先，將聚胺基甲酸酯薄片浸漬於溫度23℃的水中3天。使用所得聚胺基甲酸酯薄片作為試樣，於水中(浸水狀態)進行動態黏彈性測定。作為動態黏彈性測定裝置，係使用DMA8000(PerkinElmer Japan公司製)。 (測定條件) 測定裝置            ：DMA8000(PerkinElmer Japan公司製) 試樣                  ：長4cm×寬0.5cm×厚0.125cm 試驗長               ：1cm 試樣之前處理      ：保持於溫度23℃的水中3天 試驗模式            ：拉伸 頻率                  ：1.6Hz(10rad/sec) 溫度範圍            ：20～100℃ 升溫速度            ：5℃/min 應變範圍            ：0.10% 初荷重               ：148g 測定間隔            ：1point/℃
又，使用在溫度23℃(±2℃)、相對濕度50% (±5%)的恆溫恆濕槽中將聚胺基甲酸酯薄片保持40小時之乾燥狀態的聚胺基甲酸酯薄片作為試樣，於一般的大氣環境下(乾燥狀態)進行動態黏彈性測定。此外，除其他裝置使用RSA3(TA Instruments公司製)以外，係根據與上述相同的條件進行測定。將實施例B及比較例B之動態黏彈性測定的結果示於圖1～3。圖中記載為(水中)者係浸水狀態下的動態黏彈性測定的結果，記載為(DRY)者則為乾燥狀態下的動態黏彈性測定的結果。
[面品級確認試驗] 將研磨墊隔著具有丙烯酸系接著劑的雙面膠設置於研磨裝置的既定位置，對Cu膜基板，以下述條件實施研磨加工。 (研磨條件) 研磨機               ：F-REX300(荏原製作所公司製) Disk                 ：A188(3M公司製) 旋轉數               ：(壓盤)70rpm、(頂環)71rpm 研磨壓力            ：3.5psi 研磨劑溫度         ：20℃ 研磨劑排出量      ：200ml/min 研磨劑               ：PLANERLITE7000(Fujimi Incorporated公司製) 被研磨物            ：Cu膜基板 研磨時間            ：60秒 墊調節               ：35N 10分鐘 調節                  ：Ex-situ、35N、4掃描
針對上述研磨加工後的被研磨物第10片以後至第50片，藉由eDR5210(KLA-Tencor公司製)之ReviewSEM以目視確認被研磨面之大於155nm的點狀研磨擦痕(刮痕)，而得到平均值。基於刮痕的確認結果來評定面品級。
此外，在實施例A中所評定的刮痕與在實施例B中所評定的微刮痕，其研磨擦痕係隨直線狀或點狀而異。直線狀研磨擦痕主要容易由研磨墊的碎屑或大的漿體凝聚物所生成；而點狀研磨擦痕則主要容易由研磨墊的碎屑或小的漿體凝聚物所生成。 產業上可利用性
本發明之研磨墊係使用於光學材料、半導體裝置、硬碟用基板等的研磨，尤其是作為適用於研磨在半導體晶圓上形成有氧化物層、銅等的金屬層等之裝置的研磨墊，具有產業上可利用性。
圖1為表示實施例A1及B1之動態黏彈性測定的結果的圖。 圖2為表示實施例A2及B2之動態黏彈性測定的結果的圖。 圖3為表示比較例A1及B1之動態黏彈性測定的結果的圖。 圖4為表示比較例A2之動態黏彈性測定的結果的圖。 圖5為表示比較例A3之動態黏彈性測定的結果的圖。 圖6為表示比較例A4之動態黏彈性測定的結果的圖。

Claims (13)

  1. 一種研磨墊，其具備聚胺基甲酸酯薄片作為研磨層，將浸漬於溫度23℃的水中3天之聚胺基甲酸酯薄片在水中之浸水狀態下以頻率1.6Hz、20~100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，前述聚胺基甲酸酯薄片在40~60℃的範圍具有損失正切tanδ的波峰。
  2. 如請求項1之研磨墊，其中前述損失正切tanδ的波峰值為0.15~0.35。
  3. 如請求項1或2之研磨墊，其中將浸漬於溫度23℃的水中3天之聚胺基甲酸酯薄片在水中之浸水狀態下以頻率1.6Hz、20~100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，40℃下之前述聚胺基甲酸酯薄片的損失彈性模數E”的值為21MPa以上。
  4. 如請求項1或2之研磨墊，其中將浸漬於溫度23℃的水中3天之聚胺基甲酸酯薄片在水中之浸水狀態下以頻率1.6Hz、20~100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中，前述聚胺基甲酸酯薄片之60℃與70℃下之損失正切tanδ的差A係小於50℃與60℃下之損失正切tanδ的差B，及70℃與80℃下之損失正切tanδ的差C。
  5. 如請求項1或2之研磨墊，其中前述聚胺基甲酸酯薄片係包含聚胺基甲酸酯樹脂與分散於該聚胺基甲酸酯樹脂中的中空微粒子。
  6. 一種研磨墊，其具備聚胺基甲酸酯薄片 作為研磨層，該聚胺基甲酸酯薄片係，將浸漬於溫度23℃的水中3天之聚胺基甲酸酯薄片在水中之浸水狀態下以頻率1.6Hz、20~100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中之損失正切tanδ的波峰溫度A，與在乾燥狀態下以頻率1.6Hz、20~100℃之條件所進行的動態黏彈性測定中之損失正切tanδ的波峰溫度B的差為25~47℃。
  7. 如請求項6之研磨墊，其中前述波峰溫度A相對於前述波峰溫度B的變化率為0.45~0.65。
  8. 如請求項6或7之研磨墊，其中前述波峰溫度A係低於前述波峰溫度B。
  9. 如請求項6或7之研磨墊，其中前述波峰溫度A下之損失正切tanδ的波峰值α為0.15~0.35。
  10. 如請求項6或7之研磨墊，其中前述波峰溫度B下之損失正切tanδ的波峰值β為0.15~0.35。
  11. 如請求項6或7之研磨墊，其中前述波峰溫度A下之損失正切tanδ的波峰值α為前述波峰溫度B下之損失正切tanδ的波峰值β以上。
  12. 如請求項6或7之研磨墊，其中前述聚胺基甲酸酯薄片係包含聚胺基甲酸酯樹脂與分散於該聚胺基甲酸酯樹脂中的中空微粒子。
  13. 一種研磨加工物的製造方法，其具有在研磨漿體的存在下，使用如請求項1~12中任一項之研磨墊來研磨被研磨物的研磨步驟。
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