TWI828165B - 有機金屬化合物、其合成方法、包含其的氣相沉積前驅物及薄膜的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種合成有機金屬化合物（特別是含稀土類金屬的有機金屬化合物）的方法及將所合成的有機金屬化合物進行沉積以製造優異特性的薄膜的方法。
Description
本發明係關於合成有機金屬化合物的方法及利用所獲得的有機金屬化合物製造薄膜的方法，前述有機金屬化合物能夠用作可藉由氣相沉積實現薄膜沉積的氣相沉積化合物，具體地，係關於一種合成有機金屬化合物的方法及利用所合成的有機金屬化合物形成薄膜的方法，前述有機金屬化合物可應用於原子層沉積法（Atomic Layer Deposition；ALD）或化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition；CVD），揮發性和熱穩定性優異，與反應氣體的反應性優異。
最近，由於半導體元件的密集封裝和細微化的通道長度，用作介電材料的氧化矽（SiO
2）正在被金屬閘極/高介電材料（High-k）電晶體取代。
特別是隨著元件尺寸極小化，要求開發高介電常數材料和可應用其的製程。
另一方面，高介電（High-k）物質需具有高帶隙和能帶偏移、高k值、對矽相的優異穩定性、最小的SiO
2界面層以及基材上的高品質界面。另外，較佳非晶態或高結晶溫度薄膜。
為了替代氧化矽而正在活躍研究並應用的典型高介電物質可以例如氧化鉿（HfO
2）等，特別是在10nm以下製程中，不斷要求新一代高介電物質，新一代高介電物質的有力備選例如稀土摻雜的氧化鉿等。
特別是含稀土類元素材料，作為用於先進的矽CMOS、鍺CMOS和III-V電晶體元件的有前途的高介電物質，據報道，基於其的新一代氧化物比傳統介電材料具有顯著的容量優勢。
另外，含稀土類元素材料有望應用於製造具有強鐵電性、熱電性、壓電性、電阻轉換等特性的鈣鈦礦材料。即，正在研究藉由使用有機金屬化合物前驅物的氣相沉積製程製造ABO
3形態鈣鈦礦，調節A、B陽離子（稀土類或過渡金屬）的類型或組分，賦予材料的介電性、電子傳輸性和氧離子傳輸率等多樣特性，以用於燃料電池、感測器、二次電池等多種工業領域。
此外，對於含稀土類元素材料，還在研究利用多層氧化物薄膜結構的優異耐水滲透性，用於封裝材料或用於實現新一代非揮發性記憶體。
但是，稀土類含有層依然難以沉積，因而一直在研究具有有利於沉積的多樣配位體的稀土類前驅物。
構成稀土類前驅物的配位體的代表性實例有醯胺（amide）、脒基（amidinate）、β-二酮基（β-Diketonate）、環戊二烯基（cyclopentadienyl，Cp）等化合物基團，這些前驅物具有熔點高、沉積溫度低、薄膜中雜質高、反應性較低等難以應用於實際製程的缺點。
結果，迫切要求開發一種用於含稀土類薄膜沉積的經改善的稀土類前驅物、稀土類前驅物的高效合成方法和應用所合成稀土類前驅物的沉積製程。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1： 美國授權專利第8871304號。
[技術問題]
因此，本發明用於解決先前技術中有機金屬化合物前驅物（特別是稀土類前驅物）的問題，目的在於提供一種熱穩定性和揮發性優異、與反應氣體的反應性優異的有機金屬化合物前驅物化合物。
另外，本發明旨在提供一種用於高效合成前述有機金屬化合物前驅物化合物的方法和利用所合成的有機金屬化合物前驅物化合物的薄膜製造方法。
但是，本發明要解決的課題不限於以上提及的課題，未提及的其他課題是所屬技術領域中具有通常知識者可以從以下記載明確理解的。
[技術方案]
本發明的一個態樣提供一種合成有機金屬化合物的方法，包括使下述化學式1的化合物與下述化學式2的化合物反應以合成下述化學式3的化合物的步驟。
[化學式1]
ML
3[化學式2]
[化學式3]
在前述化學式1至3中，
M為稀土類元素，
L為選自包括矽烷胺（silyl amine）基、碳原子數1至4的直鏈或支鏈型烷基（alkyl）基、碳原子數2至10的二烷基胺（dialkylamine）、碳原子數1至4的醇鹽（alkoxide）基及包括一個以上芳族環的反應基的組的任一種，
R
1至R
3各自獨立地為氫、碳原子數1至4的直鏈或支鏈型烴，
x為1至3的整數。
本發明另一態樣提供一種以下述化學式3表示的有機金屬化合物。
[化學式3]
在前述化學式3中，
M為稀土類元素，
L為選自包括矽烷胺（silyl amine）基、碳原子數1至4的直鏈或支鏈型烷基（alkyl）基、碳原子數2至10的二烷基胺（dialkylamine）基、碳原子數1至4的醇鹽（alkoxide）基及包括一個以上芳族環的反應基的組的任一種，
R
1至R
3各自獨立地為氫、碳原子數1至4的直鏈或支鏈型烴，
x為1或2。
本發明又一態樣提供一種包含前述有機金屬化合物中任一種以上的沉積前驅物。
本發明再一態樣提供一種薄膜的製造方法，包括將前述氣相沉積前驅物導入腔室的步驟。
[發明功效]
本發明的合成有機金屬化合物的方法具有能夠高效合成有機金屬化合物的效果。
另外，使用以本發明的合成有機金屬化合物的方法所合成的有機金屬化合物來製造薄膜，具有提供優異特性的薄膜的效果。
以本發明薄膜的製造方法製造的優異特性的薄膜，可以應用於多種電子裝置的介電材料（特別是高K/金屬閘極、DRAM電容器）、鈣鈦礦材料、顯示裝置、新一代記憶體等。
下面藉由本發明的具體實施例，更詳細描述發明的作用和效果。不過，這種實施例只不過是作為發明示例而提出的，本發明的申請專利範圍並不由此限定。
在此之前，本說明書及申請專利範圍中使用的術語或詞語，不得限定為通常的或詞典的意義進行解釋，應立足於「發明人為了以最佳方法描述其自身的發明而可以適當地定義術語的概念」的原則，只解釋為符合本發明的技術思想的意義和概念。
因此，本說明書中記載的實施例的構成只不過是本發明最佳的一個實施例，並不全部代表本發明的技術思想，因此應理解為在本發明時間點會存在可以替代它們的多樣均等物和變形例。
只要上下文未明確表示不同，本說明書中使用的單數的表達包括複數的表達。在本說明書中，應理解為「包括」、「具備」或「具有」等術語係指定存在實施的特徵、數字、步驟、構成要素或它們的組合，不預先排除存在或附加一個或其以上的其他特徵、數字、步驟、構成要素或它們的組合的可能性。
本發明一個態樣的合成有機金屬化合物的方法可以包括：使化學式1的化合物與化學式2的化合物反應以合成化學式3的化合物的步驟。
[化學式1]
ML
3[化學式2]
[化學式3]
在前述化學式1至化學式3中，
M為稀土類元素，
L為選自包括矽烷胺（silyl amine）基、碳原子數1至4的直鏈或支鏈型烷基（alkyl）基、碳原子數2至10的二烷基胺（dialkylamine）基、碳原子數1至4的醇鹽（alkoxide）基及包括一個以上芳族環的反應基的組的任一種，
R
1至R
3各自獨立地為氫、碳原子數1至4的直鏈或支鏈型烴，
x為1至3的整數。
作為用於前述化學式1與化學式2反應的溶劑，可以使用甲苯（toluene），反應溫度可以為18℃~75℃。特別是反應溫度可以為常溫或約70℃。
在一個實現例中，前述稀土類元素可以為鈧（Sc）、釔（Y）、鑭（La）、鈰（Ce）、鐠（Pr）、釹（Nd）、釤（Sm）、銪（Eu）、釓（Gd）、鋱（Tb）、鏑 （Dy）、鈥（Ho）、鉺（Er）、銩（Tm）、鐿（Yb）或鑥（Lu）中任一種，
前述稀土類元素較佳地，可以為鑭（La）。
在一個實現例中，L可以為選自由六甲基二矽氮烷（bis（trimethylsilyl）amine；BTSA）、未取代或被碳原子數1至3的一個以上烷基取代的苄基（benzyl），及未取代或被碳原子數1至3的一個以上烷基取代的鄰甲苯胺（o-toluidine）構成的組的任一種。
在一個實現例中，前述化學式1的化合物可以以下述化學式1-1或下述化學式1-2表示。
[化學式1-1]
[化學式1-2]
在前述化學式1-1和前述化學式1-2中，
M為鈧（Sc）、釔（Y）、鑭（La）、鈰（Ce）、鐠（Pr）、釹（Nd）、釤（Sm）、銪（Eu）、釓（Gd）、鋱（Tb）、鏑（Dy）、鈥（Ho）、鉺（Er）、銩（Tm）、鐿（Yb）或鑥（Lu）中任一種。
另外，前述化學式2的化合物可以為但不限於NHtBuCH
2CH
2NMe
2，NHtBuCH（Me）CH
2NMe
2或NHtBuCH
2CH
2NEt
2（tBu代表tert-butyl（第三丁基），Me代表甲基，Et代表乙基）。
本發明另一態樣的有機金屬化合物可以以下述化學式3表示。
[化學式3]
在前述化學式3中，
M為稀土類元素，
L為選自包括矽烷胺（silyl amine）基、碳原子數1至4的直鏈或支鏈型烷基（alkyl）基、碳原子數2至10的二烷基胺（dialkylamine）基、碳原子數1至4的醇鹽（alkoxide）基及包括一個以上芳族環的反應基的組的任一種，
R
1至R
3各自獨立地為氫、碳原子數1至4的直鏈或支鏈型烴，
x為1或2。
在一個實現例中，前述稀土類元素可以為鈧（Sc）、釔（Y）、鑭（La）、鈰（Ce）、鐠（Pr）、釹（Nd）、釤（Sm）、銪（Eu）、釓（Gd）、鋱（Tb）、鏑 （Dy）、鈥（Ho）、鉺（Er）、銩（Tm）、鐿（Yb）和鑥（Lu）中任一種，L可以為選自由六甲基二矽氮烷（bis（trimethylsilyl）amine）、未取代或被碳原子數1至3的一個以上烷基取代的苄基（benzyl），及未取代或被碳原子數1至3的一個以上烷基取代的鄰甲苯胺（o-toluidine）構成的組的任一種。
前述化學式3的化合物可以根據前述合成有機金屬化合物的方法合成。
本發明又一態樣提供一種包含前述化合物的沉積前驅物，較佳地，提供一種氣相沉積前驅物。
本發明再一態樣的薄膜的製造方法可以包括將前述氣相沉積前驅物導入腔室的步驟。將前述氣相沉積前驅物導入腔室的步驟可以包括物理吸附、化學吸附、或物理和化學吸附的步驟。
在一個實現例中，前述薄膜的製造方法可以包括原子層沉積法（Atomic Layer Deposition；ALD）或化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition；CVD）。
前述薄膜的製造方法可以包括但不限於有機金屬化學氣相沉積（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD）、低壓化學氣相沉積（Low Pressure Chemical Vapor Deposition；LPCVD）、脈衝直流化學氣相沉積法（P-CVD）、電漿強化原子層沉積法（PE-ALD）或它們的組合。
在一個實現例中，前述薄膜的製造方法可以進一步包括：作為反應氣體，注入含氧（O）原子化合物、含氮（N）原子化合物、含碳（C）原子化合物和含矽（Si）原子化合物中任一種以上的步驟。
在一個實現例中，前述反應氣體可以為選自氧氣（O
2）、臭氧（O
3）、水（H
2O）、過氧化氫（H
2O
2）、氮氣（N
2）、氨氣（NH
3）和聯氨（N
2H
4）中的任一種以上。
即，當所希望的含稀土類薄膜含有氧時，反應氣體可以選自但不限於氧氣（O
2）、臭氧（O
3）、水（H
2O）、過氧化氫（H
2O
2）和它們的任意組合。
當所希望的含稀土類薄膜含有氮時，反應氣體可以選自但不限於氮氣（N
2）、氨氣（NH
3）和聯氨（N
2H
4）和它們的任意組合。
另外，所希望的含稀土類薄膜亦可以含有其他金屬。
下面利用實施例更具體描述本發明，但本發明不限於此。
[實施例1]配位體的製造
NHtBuCH
2CH
2NMe
2配位體的製造
將1 eq的2-氯-N,N-二甲基乙胺鹽酸鹽（2-Chloro-N,N-dimethylethylamine hydrochloride）緩慢溶解於100 mL的水中，在0℃下緩慢添加1 eq的NaOH水溶液。然後在相同溫度下，利用滴液漏斗（dropping funnel）緩慢加入4 eq的第三丁胺（t-butylamine），在室溫下攪拌隔夜。反應完成後，加入1 eq的NaOH並進一步攪拌，利用己烷（hexane）溶劑萃取。將有機層利用MgSO
4去除水後，常壓下去除溶劑並進行純化。合成的NHtBuCH
2CH
2NMe
2為無色液體，合成產率為30%。
所獲得NHtBuCH
2CH
2NMe
2的化學結構式和NMR測量結果如下。
[NHtBuCH
2CH
2NMe
2的化學結構式]
1H-NMR（400MHz，苯-D6）：
δ 1.06（s，9H），2.06（s，6H），2.33（t，2H），2.56（t，2H）
NHtBuCH（Me）CH
2NMe
2配位體的製造
除使用二甲胺基異丙基氯鹽酸鹽（Dimethylaminoisopropyl chloride hydrochloride）取代2-氯-N,N-二甲基乙胺鹽酸鹽（2-Chloro-N,N-dimethylethylamine hydrochloride）之外，以與
NHtBuCH
2CH
2NMe
2配位體製造相同的方式進行反應。所合成的NHtBuCH（Me）CH
2NMe
2為無色液體，合成產率為72%。
所獲得的NHtBuCH（Me）CH
2NMe
2的化學結構式和NMR測量結果如下。
[NHtBuCH（Me）CH
2NMe
2的化學結構式]
1H-NMR（400MHz，苯-D6）：
δ 0.79（d，3H），1.09（s，9H），2.07（s，6H），2.40（dd，1H），2.51（dd，1H），2.69（m，1H）
NHtBuCH
2CH
2NEt
2配位體的製造
除使用2-氯-N,N-二乙基乙胺鹽酸鹽（2-Chloro-N,N- diethylethylamine hydrochloride）取代2-氯-N,N-二甲基乙胺鹽酸鹽（2-Chloro-N,N-dimethylethylamine hydrochloride）之外，以與
NHtBuCH
2CH
2NMe
2配位體製造相同的方式進行反應。所合成的NHtBuCH
2CH
2NEt
2為無色液體，合成產率為80%。
所獲得的NHtBuCH
2CH
2NEt
2的化學結構式和NMR測量結果如下。
[NHtBuCH
2CH
2NEt
2的化學結構式]
1H-NMR（400MHz，苯-D6）：
δ 0.96 （t，6H），1.09（s，9H），2.40（q，4H），2.50（t，2H），2.59（t，2H）
[實施例2]三烷基鑭的製造
[實施例2-1] La（N,N-二甲基鄰甲苯胺）
3的製造
K（N,N-二甲基鄰甲苯胺）合成
在冰浴下，在盛有1 eq的KOtBu的燒瓶中加入溶劑THF，再加入1 eq的N,N-二甲基鄰甲苯胺（N,N- dimethyl-o-toluidine）。在-78℃下，利用滴液漏斗（dropping funnel）加入1eq的nBuLi。攪拌2小時後，減壓獲得固體。將所獲得的固體重新溶解於甲苯後過濾，再將過濾物減壓。對所獲得的固體進行乾燥，合成了K（N,N-dimethyl-o-toluidine）。所合成的K（N,N- dimethyl-o-toluidine）為深紅色固體，合成產率為100%。
所合成的K（N,N-dimethyl-o-toluidine）的NMR測量結果如下所示。
1H-NMR（400MHz，THF-d8）： δ 1.83（s，1H），2.42（s，1H），2.50（s，6H），4.91（t，1H），5.89（d，1H），5.96（t，1H），6.08（d，1H）
La（N,N-二甲基鄰甲苯胺）
3合成
在冰浴下，在盛有1 eq的LaBR
3THFx的燒瓶中加入溶劑THF，再緩慢加入所合成的1 eq的K（N,N-二甲基鄰甲苯胺）。攪拌1小時後減壓去除溶劑。重新溶解於甲苯（toluene）後，利用過濾器去除沉澱物。再將濾液減壓，獲得了La（N,N-二甲基鄰甲苯胺）
3。
所合成的La（N,N-二甲基鄰甲苯胺）
3為黃色固體，合成產率為38%。
所合成的La（N,N-二甲基鄰甲苯胺）
3的化學結構式和NMR測量結果如下。
[La（N,N-二甲基鄰甲苯胺）
3的化學結構式]
1H-NMR（400MHz，C6D6）：
δ 2.05（s，8H），6.51（t，1H），6.9（m 3H）
[實施例2-2] La（苄基）
3的製造
K（苄基）合成
在冰浴下，在盛有1 eq的KOtBu的燒瓶中加入溶劑THF，再加入1 eq的甲苯（toluene）。在-78℃下，利用滴液漏斗（dropping funnel）加入1 eq的nBuLi。攪拌2小時後，減壓獲得固體。利用己烷（hexane）多次沖洗獲得的固體後乾燥，合成了K（苄基）。所合成的K（苄基）為紅色固體，合成產率為95%。
所合成的K（苄基）的NMR測量結果如下。
1H-NMR（400MHz，THF-d8）： δ 2.18（s，2H），4.65（t，1H），5.50（d，2H），5.98（t，2H）
La（苄基）
3合成
在冰浴下，在盛有1 eq的LaBR
3THF
x的燒瓶中加入溶劑THF，緩慢加入所合成的1 eq的K（苄基）。攪拌1小時後過濾，去除產生的沉澱物。再將濾液減壓，獲得了La（苄基）
3。所合成的La（苄基）
3為深紅色固體，合成產率為47%。
所合成的La（苄基）
3的化學結構式和NMR測量結果如下。
[La（苄基）
3的化學結構式]
1H-NMR（400MHz，C6D6）：
δ 1.25 （s，2H），5.78（s，2H），6.06（t，1H），6.66（t，2H）
[實施例3] La（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）
3的製造
在室溫下，在盛有1 eq的實施例2-1的La（N,N-dimethyl-o-toluidine）
3或實施例2-2的La（苄基）
3的燒瓶中加入溶劑甲苯（Toluene），然後加入3 eq的實施例1的NHtBuCH
2CH
2NMe
2，在室溫下攪拌隔夜。反應完成後，減壓濃縮，在110℃、56 m托下昇華純化，獲得了La（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）
3。所合成的La（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）
3為象牙色固體，合成產率為15%。
所合成的La（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）
3的化學結構式和NMR測量結果如下。
[La（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）
3的化學結構式]
在前述La（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）
3的化學結構式中，tBu為第三丁基（tert-butyl）。
1H-NMR（400MHz，C6D6）：
δ 1.42（s，27H），2.1（s，18H），2.54（t，6H），3.16（t，6H）
[實施例4] La（btsa）2（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）的製造
在盛有1 eq的La（btsa）
3的燒瓶中加入溶劑甲苯（Toluene）後，加入1 eq的實施例1的NHtBuCH
2CH
2NMe
2。在70℃下加熱隔夜。反應完成後減壓濃縮，在110℃、56m托下昇華純化，獲得了La（btsa）2（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）。
所合成的La（btsa）2（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）為象牙色固體，合成產率為76%。
所合成的La（btsa）2（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）的化學結構式和NMR測量結果如下。
[La（btsa）2（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）的化學結構式]
在前述La（btsa）2（NHtBuCH
2CH
2NMe
2）的化學結構式中，BTSA為六甲基二矽氮烷（bis（trimethylsilyl）amine），tBu為第三丁基（tert-butyl）。
1H-NMR（400MHz，THF-d8）：
δ 0.15（s，36H），1.23（s，9H），2.48（s，6H），3.03（t，2H），3.09（t，2H）
[實驗例]
實施例3和實施例4的化合物的熱重分析結果參見圖1。
根據熱重分析結果，重量減半的溫度[T1/2]測量顯示，實施例3的化合物為243℃，實施例4的化合物為257℃。
另外，400℃下的殘留物量測量顯示，實施例3的化合物為44重量%，實施例4的化合物為29.4重量%。
[製造例1]
交互使用本發明實施例3和實施例4合成的前驅物與反應物O
3，在基板上沉積稀土類薄膜。本實驗使用的基板為p-型Si晶片，電阻為0.02Ω·m。在沉積之前，p-型Si晶片在丙酮-乙醇-去離子水（DI water）中分別超聲波處理（Ultra sonic）各10分鐘以進行清洗。在Si晶片上形成的自然氧化物薄膜，在HF 10%（HF：H
2O=1：9）的溶液中浸泡10秒後去除。
基板保持150-450℃溫度備用，使前述實施例3和實施例4的前驅物在保持90-150℃溫度的鼓泡器（bubbler）中氣化。
作為吹掃（purge）氣體，供應氬（Ar）以吹掃殘留在沉積腔室中的前驅物和反應氣體，氬的流速為1000sccm。反應氣體採用濃度為224 g/cm3的臭氧（O
3），藉由調節氣動閥的開/關（on/off）注入各反應氣體，在製程溫度下成膜。
ALD循環依次包括10/15秒的前驅物脈衝、10秒的氬氣吹掃、2/5/8/10秒的反應物脈衝和10秒的氬氣吹掃。沉積腔室壓力調節為1-1.5托，沉積溫度調節為150-450℃。
可以確認使用實施例3和實施例4的化合物作為前驅物而形成氧化鑭薄膜。
[製造例2]
使用本發明實施例3和實施例4中合成的前驅物，藉由化學氣相沉積法製造了含有稀土類元素的薄膜。準備含有實施例3和實施例4中合成的前驅物的起始前驅物溶液（starting precursor solution）。
將該起始前驅物溶液以0.1cc/min的流速輸送到溫度保持在90-150℃的氣化器中。使用50至300sccm的氦載氣將汽化的前驅物輸送到沉積腔室。反應氣體使用氫氣（H2）和氧氣（O
2），並分別以0.5 L/min（0.5pm）的流速供應到沉積腔室。沉積腔室的壓力調節為1至15托，沉積溫度調節為150-450℃。在這種條件下進行約15分鐘的沉積製程。
可以確認能夠使用實施例3和實施例4的化合物作為前驅物形成氧化鑭薄膜。
藉由上述薄膜製造，可以確認實施例3和實施例4合成的稀土類前驅物可以藉由CVD以及ALD形成優異性能的薄膜。
即，可以製造具有均一特性的薄膜，並且可以確保優異的薄膜特性、厚度和錯層被覆性。
與前述詳細描述相比，本發明的範圍由後述申請專利範圍所代表，申請專利範圍的意義和範圍以及從其均等概念導出的所有變更或變形的形態應解釋為包含於本發明的範圍。
無
圖1係本發明實施例3和實施例4的化合物的熱重（Thermogravimetric；TG）分析結果圖表。
Claims (11)
- 一種合成有機金屬化合物的方法，包括使下述化學式1的化合物與下述化學式2的化合物反應以合成下述化學式3的化合物的步驟，[化學式1]ML3
- 如請求項1所述之合成有機金屬化合物的方法，其中，前述稀土類元素為鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)及鑥(Lu)中任一種。
- 如請求項1所述之合成有機金屬化合物的方法，其中，L為六甲基二矽氮烷。
- 如請求項1所述之合成有機金屬化合物的方法，其中，前述化學式1的化合物以下述化學式1-1或下述化學式1-2表示，
- 一種以下述化學式3表示的有機金屬化合物，
- 如請求項5所述之有機金屬化合物，其中，在前述化學式3中，前述稀土類元素為鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)及鑥(Lu)中任一種，L為選自由六甲基二矽氮烷、未取代或被碳原子數1至3的一個以上烷基取代的苄基、及未取代或被碳原子數1至3的一個以上烷基取代的鄰甲苯胺構成的組的任一種。
- 一種包含如請求項5或6所述之有機金屬化合物中任一種以上的 氣相沉積前驅物。
- 一種薄膜的製造方法，包括將如請求項7所述之氣相沉積前驅物導入腔室的步驟。
- 如請求項8所述之薄膜的製造方法，其中，前述薄膜的製造方法包括原子層沉積法或化學氣相沉積法。
- 如請求項8所述之薄膜的製造方法，其進一步包括：作為反應氣體，注入含氧(O)原子化合物、含氮(N)原子化合物、含碳(C)原子化合物和含矽(Si)原子化合物中任一種以上的步驟。
- 如請求項10所述之薄膜的製造方法，其中，前述反應氣體為選自氧氣(O2)、臭氧(O3)、水(H2O)、過氧化氫(H2O2)、氮氣(N2)、氨氣(NH3)和聯氨(N2H4)中的任一種以上。
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