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TWI826001B - 一種減少缺陷的鍍膜方法 - Google Patents

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TWI826001B
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陳榮欽
黃邦浩
諶昱涵
徐立科
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汎銓科技股份有限公司
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Abstract

本發明乃揭示一種減少缺陷的鍍膜方法，其特徵在於使樣品的鍍膜使用面朝向鍍膜腔體的底部，使鍍膜腔體側壁的沾黏顆粒不會在鍍膜製程中掉落在樣品的鍍膜使用面，故在鍍膜製程完成後可在樣品的鍍膜使用面上形成一表面平整的鍍膜。

Description

一種減少缺陷的鍍膜方法
本發明乃關於一種鍍膜方法，且特別是關於一種減少缺陷的鍍膜方法。
原子層沉積(ALD)鍍膜製程因具有等向性成長之優勢， 故已廣泛被用於半導體製程上。
習知的原子層沉積(ALD)鍍膜製程，如圖1A~1B所示，主要乃利用一如圖1A所示的原子層沉積(ALD)鍍膜設備10，該原子層沉積(ALD)鍍膜設備10包括一鍍膜腔體20，該鍍膜腔體20具有位置彼此相對的一頂部20A與一底部20B。其次，提供一如圖1A所示的樣品載具(carrier)30以及一樣品40，且該樣品40包含彼此相對的一鍍膜使用面40A以及一非鍍膜使用面40B，然後將該樣品40正向放置於樣品載具(carrier)30上，使該樣品40的非鍍膜使用面40B與該樣品載具(carrier)30的上表面貼合，使該樣品40的鍍膜使用面40A正面朝向該鍍膜腔體20的該頂部20A。然後，將該樣品載具30放置於該鍍膜腔體20內的該底部20B，進行後續的原子層沉積(ALD)鍍膜製程。如圖1A所示，原子層沉積(ALD)反應氣體自該鍍膜腔體20的該頂部20A往該鍍膜腔體20的該底部20B流動，並且通過該樣品40的該鍍膜使用面40A，以在該樣品40的該鍍膜使用面40A上形成一原子層沉積(ALD)鍍膜50’。不過，如圖1A所示，由於鍍膜腔體20的側壁常因鍍膜而附著許多沾黏顆粒60，在長久使用下，該等沾黏顆粒60會因重力作用而在原子層沉積(ALD)鍍膜製程中掉落在所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜50’上，導致所形成原子層沉積(ALD)鍍膜50’表面如圖1B所示般不平整。
如圖1C之TEM照片所示，根據圖1A~1B所示之習知一種原子層沉積(ALD)鍍膜製程所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜50’，該原子層沉積(ALD)鍍膜50’ 之成份為氮氧化鉭(TaON) ，其鍍膜製程是在室溫條件下進行，且其厚度為10 nm。習知的原子層沉積(ALD)鍍膜製程中因附著在鍍膜腔體20的側壁的沾黏顆粒60掉落在樣品40的鍍膜使用面40A，故在原子層沉積(ALD)鍍膜製程完成後在樣品40的鍍膜使用面40A上所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜50’，其表面如圖1C之TEM照面所示般極為不平整，此種不平整的原子層沉積(ALD)鍍膜50’對於後續樣品40本身的元件特性以及後續的缺陷光學檢測的準確性將造成極大不良影響。
有鑒於此，一種可減少缺陷的鍍膜方法，乃業界所殷切期盼的。
本發明乃揭示一種減少缺陷的鍍膜方法，其步驟包括：提供一原子層沉積(ALD)鍍膜設備，該原子層沉積(ALD)鍍膜設備包括一鍍膜腔體，該鍍膜腔體具有位置彼此相對的一頂部與一底部；提供一樣品載具(carrier)，該樣品載具包括一承載平台(stage)及複數支撐元件，且該承載平台包含彼此相對的一正面與一背面，其中該等複數支撐元件乃設置於該承載平台的該背面上； 提供一樣品，該樣品包含彼此相對的一鍍膜使用面與一非鍍膜使用面，並使該樣品被固定於該承載平台的該背面上，其中該樣品的該鍍膜使用面乃朝向該鍍膜腔體的該底部；將該樣品載具放置於該鍍膜腔體內的該底部，其中該承載平台的該正面乃朝向該鍍膜腔體的該頂部，該承載平台的該背面乃朝向該鍍膜腔體的該底部，且該承載平台之該背面與該鍍膜腔體的該底部維持一固定距離d，d＞0；施行一原子層沉積(ALD)製程，使一原子層沉積(ALD)反應氣體自該鍍膜腔體的該頂部往該鍍膜腔體的該底部流動，並且通過該樣品的該鍍膜使用面，以在該樣品的該鍍膜使用面上形成一原子層沉積(ALD)鍍膜；以及將該樣品載具移出該鍍膜腔體，並且將該樣品自該樣品載台取下。
如前所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中該樣品載具(carrier)的材料為選自金屬、陶瓷以及高分子所構成之族群的其中之一或其組合。
如前所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中該樣品載具(carrier)的材料為不銹鋼、銅、鋁、氧化鋁、鐵氟龍或是氧化鋁鍍層之鋁材。
如前所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中該樣品乃藉由塗佈一膠體或黏貼一雙面膠帶於該非鍍膜使用面及/或該承載平台的該背面，使該樣品的該非鍍膜使用面藉由該膠體或該雙面膠帶貼合於該承載平台的該背面，進而使該樣品被固定於該承載平台的該背面上。
如前所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中該膠體為熱融膠、環氧樹酯、碳膠或銀膠。
如前所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中該雙面膠帶為銅膠雙面膠帶，碳膠雙面膠帶或高分子膠雙面膠帶。
如前所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中更包含複數檔片，且每一該等檔片乃分別設置於每一該等支撐元件上，使得該樣品可藉由該等檔片被固定於該承載平台的該背面上。
如前所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中更包含複數檔片，分別設置於該承載平台的該背面上，使得該樣品可藉由該等檔片被固定於該承載平台的該背面上。
如前所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中更包含複數側夾卡榫，且每一該等側夾卡榫乃分別設置於每一該等支撐元件上，使得該樣品可藉由該等側夾卡榫被固定於該承載平台的該背面上。
如前所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中更包含複數側夾卡榫，分別設置於該承載平台的該背面上，使得該樣品可藉由該等側夾卡榫被固定於該承載平台的該背面上。
如前所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中每一該等側夾卡榫均包含一卡榫墊片以及一螺絲。
為了使本發明揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本發明的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本發明具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。
在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明之實施例。在其他情況下，為簡化圖式，熟知的結構與裝置僅示意性地繪示於圖中。
實施例
實施例一
請參閱圖2A~2I，其中圖2A~2G所繪示的是根據本發明實施例一所揭示的一種原子層沉積(ALD)鍍膜製程，圖2H所繪示的是根據圖2A~2G所示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程在樣品的鍍膜使用面上所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜，圖2I是根據本發明實施例一所揭示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程所形成的鍍膜TEM照片。
首先，提供一如圖2G所示的原子層沉積(ALD)鍍膜設備10，該原子層沉積(ALD)鍍膜設備10包括一鍍膜腔體20，該鍍膜腔體20具有位置彼此相對的一頂部20A與一底部20B。
其次，提供一如圖2A~2B所示的樣品載具(carrier)35，該樣品載具35包括一承載平台(stage)36及複數支撐元件37，且該承載平台36包含彼此相對的一正面36A與一背面36B，其中該等複數支撐元件37乃設置於該承載平台36的該背面36B上。本實施例一所揭示的樣品載具(carrier)35，其材質為選自金屬、陶瓷以及高分子所構成之族群的其中之一或其組合，例如但不限於不銹鋼、銅、鋁、氧化鋁、鐵氟龍或是氧化鋁鍍層之鋁材。
接著，請參照圖2C~2F，提供一樣品40，該樣品40包含彼此相對的一鍍膜使用面40A與一非鍍膜使用面40B，且藉由塗佈一膠體45於該承載平台36的該背面36B，使該樣品40的該非鍍膜使用面40B藉由該膠體45貼合於該承載平台36的該背面36B，進而使該樣品40被固定於該承載平台36的該背面36上。如圖2E~2F所示，該樣品40的鍍膜使用面40A乃背對該該承載平台36的該背面36B。本實施例一所使用的膠體45為例如但不限於熱融膠、環氧樹酯、碳膠或銀膠。此外，在根據本發明的其它實施例中，膠體45也可選擇塗佈於該樣品40的該非鍍膜使用面40B，或者同時塗佈於該該承載平台36的該背面36B以及該該樣品40的該非鍍膜使用面40B。
在根據本發明的其它實施例中，也可使用一雙面膠帶(未繪示)取代上述的膠體45，該雙面膠帶(未繪示)可為例如但不限於銅膠雙面膠帶，碳膠雙面膠帶或高分子膠雙面膠帶等，並藉由黏貼該雙面膠帶(未繪示)於於該承載平台36的該背面36B及/或該該樣品40的該非鍍膜使用面40B，使該樣品40的該非鍍膜使用面40B藉由該雙面膠帶(未繪示)貼合於該承載平台36的該背面36B，進而使該樣品40被固定於該承載平台36的該背面36上。
然後，將圖2E、2F所示的樣品載具35放置於如圖2G所示的鍍膜腔體20內的該底部20B，其中該承載平台36的該正面36A乃朝向該鍍膜腔體20的該頂部20A，該承載平台36的該背面36B乃朝向該鍍膜腔體20的該底部20B，且該承載平台36之該背面36B與該鍍膜腔體20的該底部20B維持一固定距離d，d＞0。此外，如圖2G所示，該樣品40的鍍膜使用面40A乃朝向該鍍膜腔體20的該底部20B，且背對該該鍍膜腔體20的該頂部20A。
然後，如圖2G所示，施行一原子層沉積(ALD)製程，使一原子層沉積(ALD)反應氣體自該鍍膜腔體20的該頂部20A往該鍍膜腔體20的該底部20B流動，並且通過該樣品的該鍍膜使用面40A，以在該樣品40的該鍍膜使用面40A上形成一原子層沉積(ALD)鍍膜50。
根據本實施例一所揭示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜50，該原子層沉積(ALD)鍍膜50之成份為氮氧化鉭(TaON)，其鍍膜製程可在例如但不限於室溫條件下進行，且其厚度可為例如但不限於10 nm。此外，根據本發明的其它實施例，此外，上述的低溫原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)鍍膜50也可為例如但不限於氧化鈦(TiO 2)、氧化鋁(Al 2O 3)、氧化鉿(HfO 2)、氧化鉑(PtO 2)、銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)等金屬氧化物，或例如但不限於氮化鋁(AlN)、氮化鉬(MoN)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)等金屬氮化物，或其它金屬氮氧化物等。
最後，將該樣品載具35移出該鍍膜腔體20，並且將該樣品40自該樣品載台36取下，便可如圖2H圖所示般獲得一鍍膜使用面40A具有一原子層沉積(ALD)鍍膜50的樣品40。
如圖2I所示之TEM照片，根據本實施例一所揭示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜50，因該樣品40的鍍膜使用面40A乃朝向該鍍膜腔體20的該底部20B，故鍍膜腔體20側壁的沾黏顆粒60不會在原子層沉積(ALD)鍍膜製程中掉落在樣品40的鍍膜使用面40A，所以在原子層沉積(ALD)鍍膜製程完成後可在樣品40的鍍膜使用面40A上形成一表面極為平整的原子層沉積(ALD)鍍膜50。
實施例二
請參閱圖3A~3G，其中圖3A~3F其所繪示的是根據本發明實施例二所揭示的一種原子層沉積(ALD)鍍膜製程，圖3G所繪示的是根據圖3A~3F所示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程在樣品的鍍膜使用面上所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜。
首先，提供一如圖3F所示的原子層沉積(ALD)鍍膜設備10，該原子層沉積(ALD)鍍膜設備10包括一鍍膜腔體20，該鍍膜腔體20具有位置彼此相對的一頂部20A與一底部20B。
其次，提供一如圖3A~3B所示的樣品載具(carrier)35’，該樣品載具35’包括一承載平台(stage)36、複數支撐元件37，以及複數檔片38，其中該承載平台36包含彼此相對的一正面36A與一背面36B，且每一該等檔片38乃分別設置於每一該等支撐元件37上。本實施例二所揭示的樣品載具(carrier)35’，其材質為選自金屬、陶瓷以及高分子所構成之族群的其中之一或其組合，例如但不限於不銹鋼、銅、鋁、氧化鋁、鐵氟龍或是氧化鋁鍍層之鋁材。
接著，請參照圖3C~3E，提供一樣品40，該樣品40包含彼此相對的一鍍膜使用面40A與一非鍍膜使用面40B，且藉由該等檔片38使得該樣品40的該非鍍膜使用面40B貼合於該承載平台36的該背面36B，進而使該樣品40被固定於該承載平台36的該背面36上。此外，在根據本發明的其它實施例中，該等檔片38也可分別設置於該該承載平台36的該背面36B(未繪示)，且同樣可藉由該等檔片38使得該樣品40的該非鍍膜使用面40B貼合於該承載平台36的該背面36B，進而使該樣品40被固定於該承載平台36的該背面36上。
然後，將圖3C~3E所示的樣品載具35’放置於如圖3F所示的鍍膜腔體20內的該底部20B，其中該承載平台36的該正面36A乃朝向該鍍膜腔體20的該頂部20A，該承載平台36的該背面36B乃朝向該鍍膜腔體20的該底部20B，且該承載平台36之該背面36B與該鍍膜腔體20的該底部20B維持一固定距離d，d＞0。此外，如圖2G所示，該樣品40的鍍膜使用面40A乃朝向該鍍膜腔體20的該底部20B，且背對該該鍍膜腔體20的該頂部20A。
然後，如圖3F所示，施行一原子層沉積(ALD)沉積製程，使一原子層沉積(ALD)反應氣體自該鍍膜腔體20的該頂部20A往該鍍膜腔體20的該底部20B流動，並且通過該樣品的該鍍膜使用面40A，以在該樣品40的該鍍膜使用面40A上形成一原子層沉積(ALD)鍍膜50。
根據本實施例二所揭示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜50，該原子層沉積(ALD)鍍膜50之成份為氮氧化鉭(TaON) ，其鍍膜製程可在例如但不限於室溫條件下進行，且其厚度可為例如但不限於10 nm。此外，根據本發明的其它實施例，此外，上述的低溫原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)鍍膜50也可為例如但不限於氧化鈦(TiO 2)、氧化鋁(Al 2O 3)、氧化鉿(HfO 2)、氧化鉑(PtO 2)、銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)等金屬氧化物，或例如但不限於氮化鋁(AlN)、氮化鉬(MoN)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)等金屬氮化物，或其它金屬氮氧化物等。
最後，將該樣品載具35’移出該鍍膜腔體20，並且將該樣品40自該樣品載台36取下，便可如圖3G圖所示般獲得一鍍膜使用面40A具有一原子層沉積(ALD)50的樣品40。
根據本實施例二所揭示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜50，因該樣品40的鍍膜使用面40A乃朝向該鍍膜腔體20的該底部20B，故鍍膜腔體20側壁的沾黏顆粒60不會在原子層沉積(ALD)鍍膜製程中掉落在樣品40的鍍膜使用面40A，所以在原子層沉積(ALD)鍍膜製程完成後可在樣品40的鍍膜使用面40A上形成一表面極為平整的原子層沉積(ALD)鍍膜50。
實施例三
請參閱圖4A~4G，其中圖4A~4F所繪示的是根據本發明實施例三所揭示的一種原子層沉積(ALD)鍍膜製程，圖4G所繪示的是根據圖4A~4F所示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程在樣品的鍍膜使用面上所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜。
首先，提供一如圖4F所示的原子層沉積(ALD)鍍膜設備10，該原子層沉積(ALD)鍍膜設備10包括一鍍膜腔體20，該鍍膜腔體20具有位置彼此相對的一頂部20A與一底部20B。
其次，提供一如圖4A~4B所示的樣品載具(carrier)35”，該樣品載具35”包括一承載平台(stage)36、複數支撐元件37以及複數側夾卡榫39，且該承載平台36包含彼此相對的一正面36A與一背面36B，該等複數支撐元件37乃設置於該承載平台36的該背面36B上，且每一該等側夾卡榫39包含一卡榫墊片391及一螺絲392，其中每一該等側夾卡榫39乃分別設置於每一該等支撐元件37上。如圖4A~4B所示，每一支撐元件37均被一卡榫墊片391及一螺絲392夾於其間，且該螺絲392可穿過該支撐元件37而使該卡榫墊片391被側向推進。本實施例三所揭示的樣品載具(carrier)35，其材質為選自金屬、陶瓷以及高分子所構成之族群的其中之一或其組合，例如但不限於不銹鋼、銅、鋁、氧化鋁、鐵氟龍或是氧化鋁鍍層之鋁材。
接著，請參照圖4C~4E，提供一樣品40，該樣品40包含彼此相對的一鍍膜使用面40A與一非鍍膜使用面40B，且藉由每一該等側夾卡榫39的該螺絲392側向推進該卡榫墊片391使得該樣品40的該非鍍膜使用面40B貼合於該承載平台36的該背面36B，進而使該樣品40被固定於該承載平台36的該背面36上。此外，在根據本發明的其它實施例中，該等側夾卡榫39也可分別設置於該承載平台36的該背面36上(未繪示)，且同樣藉由每一該等側夾卡榫39的該螺絲392側向推進該卡榫墊片391而使該樣品40的該非鍍膜使用面40B貼合於該承載平台36的該背面36B，進而使該樣品40被固定於該承載平台36的該背面36上。此外，本實施例三所揭示的側夾卡榫39包含一卡榫墊片391及一螺絲392，惟其它具有相同功能的側夾卡榫(未繪示)也可適用於本發明。
然後，將圖4C~4E所示的樣品載具35”放置於如圖4F所示的鍍膜腔體20內的該底部20B，其中該承載平台36的該正面36A乃朝向該鍍膜腔體20的該頂部20A，該承載平台36的該背面36B乃朝向該鍍膜腔體20的該底部20B，且該承載平台36之該背面36B與該鍍膜腔體20的該底部20B維持一固定距離d，d＞0。此外，如圖4F所示，該樣品40的鍍膜使用面40A乃朝向該鍍膜腔體20的該底部20B，且背對該該鍍膜腔體20的該頂部20A。
然後，如圖4F所示，施行一原子層沉積(ALD)沉積製程，使一原子層沉積(ALD)沉積氣體自該鍍膜腔體20的該頂部20A往該鍍膜腔體20的該底部20B流動，並且通過該樣品的該鍍膜使用面40A，以在該樣品40的該鍍膜使用面40A上形成一原子層沉積(ALD)鍍膜50。
根據本實施例三所揭示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜50，該原子層沉積(ALD)鍍膜50之成份為氮氧化鉭(TaON) ，其鍍膜製程可在例如但不限於室溫條件下進行，且其厚度可為例如但不限於10 nm。此外，根據本發明的其它實施例，此外，上述的低溫原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)鍍膜50也可為例如但不限於氧化鈦(TiO 2)、氧化鋁(Al 2O 3)、氧化鉿(HfO 2)、氧化鉑(PtO 2)、銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)等金屬氧化物，或例如但不限於氮化鋁(AlN)、氮化鉬(MoN)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)等金屬氮化物，或其它金屬氮氧化物等。
最後，將該樣品載具35”移出該鍍膜腔體20，並且將該樣品40自該樣品載台36取下，便可如圖4G圖所示般獲得一鍍膜使用面40A具有一原子層沉積(ALD)鍍膜50的樣品40。
根據本實施例三所揭示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜50，因該樣品40的鍍膜使用面40A乃朝向該鍍膜腔體20的該底部20B，故鍍膜腔體20側壁的沾黏顆粒60不會在原子層沉積(ALD)鍍膜製程中掉落在樣品40的鍍膜使用面40A，所以在原子層沉積(ALD)鍍膜製程完成後可在樣品40的鍍膜使用面40A上形成一表面極為平整的原子層沉積(ALD)鍍膜50。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:原子層沉積(ALD)鍍膜設備 20:鍍膜腔體 20A:頂部 20B:底部 30、35、35’、35”:樣品載具 35:上表面 36:承載平台 36A:正面 36B:背面 37:支撐元件 38:檔片 39:側夾卡榫 391:卡榫墊片 392:螺絲 40:樣品 40A:鍍膜使用面 40B:非鍍膜使用面 45:膠體 50、50’:原子層沉積(ALD)鍍膜 60:沾黏顆粒 d:承載平台之背面與鍍膜腔體底部間之距離
圖1A所繪示的是習知一種原子層沉積(ALD)鍍膜製程示意圖。
圖1B所繪示的是根據圖1A所示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程示意圖在樣品的鍍膜使用面上所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜。
圖1C是根據圖1A所揭示的習知原子層沉積(ALD)鍍膜製程所形成的鍍膜TEM照片。
圖2A~2G所繪示的是根據本發明實施例一所揭示的一種原子層沉積(ALD)鍍膜製程。
圖2H所繪示的是根據圖2A~2G所示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程在樣品的鍍膜使用面上所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜。
圖2I是根據本發明實施例一所揭示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程所形成的鍍膜TEM照片。
圖3A~3F所繪示的是根據本發明實施例二所揭示的另一種原子層沉積(ALD)鍍膜製程。
圖3G所繪示的是根據圖3A~3F所示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程在樣品的鍍膜使用面上所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜。
圖4A~4F所繪示的是根據本發明實施例三所揭示的再一種原子層沉積(ALD)鍍膜製程。
圖4G所繪示的是根據圖4A~4F所示的原子層沉積(ALD)鍍膜製程在樣品的鍍膜使用面上所形成的原子層沉積(ALD)鍍膜。
10:原子層沉積(ALD)鍍膜設備
20:鍍膜腔體
20A:頂部
20B:底部
35:樣品載具
36:承載平台
36A:正面
36B:背面
37:支撐元件
40:樣品
40A:鍍膜使用面
40B:非鍍膜使用面
45:膠體
50:原子層沉積(ALD)鍍膜
60:沾黏顆粒
d:承載平台之背面與鍍膜腔體底部間之距離

Claims (10)

  1. 一種減少缺陷的鍍膜方法，其步驟包括：提供一原子層沉積(ALD)鍍膜設備，該原子層沉積(ALD)鍍膜設備包括一鍍膜腔體，該鍍膜腔體具有位置彼此相對的一頂部與一底部；提供一樣品載具(carrier)，該樣品載具包括一承載平台(stage)及複數支撐元件，且該承載平台包含彼此相對的一正面與一背面，其中該等複數支撐元件乃設置於該承載平台的該背面上，且該樣品載具(carrier)的材料為選自金屬、陶瓷以及高分子所構成之族群的其中之一或其組合；提供一樣品，該樣品包含彼此相對的一鍍膜使用面與一非鍍膜使用面，並使該樣品被固定於該承載平台的該背面上，其中該樣品的該鍍膜使用面乃朝向該鍍膜腔體的該底部；將該樣品載具放置於該鍍膜腔體內的該底部，其中該承載平台的該正面乃朝向該鍍膜腔體的該頂部，該承載平台的該背面乃朝向該鍍膜腔體的該底部，且該承載平台之該背面與該鍍膜腔體的該底部維持一固定距離d，d>0；施行一原子層沉積(ALD)製程，使一原子層沉積(ALD)反應氣體自該鍍膜腔體的該頂部往該鍍膜腔體的該底部流動，並且通過該樣品的該鍍膜使用面，以在該樣品的該鍍膜使用面上形成一原子層沉積(ALD)鍍膜；以及將該樣品載具移出該鍍膜腔體，並且將該樣品自該樣品載台取下。
  2. 如請求項1所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中該樣品載具(carrier)的材料為不銹鋼、銅、鋁、氧化鋁、鐵氟龍或是氧化鋁鍍層之鋁材。
  3. 如請求項1所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中該樣品乃藉由塗佈一膠體或黏貼一雙面膠帶於該承載平台的該背面及/或該非鍍膜使用面，使該樣品的該非鍍膜使用面藉由該膠體或該雙面膠帶貼合於該承載平台的該背面，進而使該樣品被固定於該承載平台的該背面上。
  4. 如請求項3所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中該膠體為熱融膠、環氧樹酯、碳膠或銀膠。
  5. 如請求項3所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中該雙面膠帶為銅膠雙面膠帶，碳膠雙面膠帶或高分子膠雙面膠帶。
  6. 如請求項1所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中更包含複數檔片，且每一該等檔片乃分別設置於每一該等支撐元件上，使得該樣品可藉由該等檔片被固定於該承載平台的該背面上。
  7. 如請求項1所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中更包含複數檔片，分別設置於該承載平台的該背面上，使得該樣品可藉由該等檔片被固定於該承載平台的該背面上。
  8. 如請求項1所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中更包含複數側夾卡榫，且每一該等側夾卡榫乃分別設置於每一該等支撐元件上，使得該樣品可藉由該等側夾卡榫被固定於該承載平台的該背面上。
  9. 如請求項1所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中更包含複數側夾卡榫，分別設置於該承載平台的該背面上，使得該樣品可藉由該等側夾卡榫被固定於該承載平台的該背面上。
  10. 如請求項8或9所述的該減少缺陷的鍍膜方法，其中每一該等側夾卡榫均包含一卡榫墊片以及一螺絲。
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