TW202231902A - 一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法 - Google Patents
一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202231902A TW202231902A TW110104857A TW110104857A TW202231902A TW 202231902 A TW202231902 A TW 202231902A TW 110104857 A TW110104857 A TW 110104857A TW 110104857 A TW110104857 A TW 110104857A TW 202231902 A TW202231902 A TW 202231902A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- protective film
- conductive
- atomic layer
- layer deposition
- physical property
- Prior art date
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 176
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims abstract description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 162
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 124
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 124
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims description 123
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 64
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 31
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- -1 poly(styrene sulfonate) Polymers 0.000 claims description 24
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 23
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 claims description 16
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 16
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 claims description 16
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 16
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 claims description 8
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical group [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 8
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 8
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims description 8
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 8
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 8
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 claims description 8
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 claims description 8
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920002397 thermoplastic olefin Polymers 0.000 claims description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 claims description 8
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- IWPSJDKRBIAWLY-UHFFFAOYSA-N gallium zirconium Chemical compound [Ga].[Zr] IWPSJDKRBIAWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 9
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
本發明乃揭示一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其步驟包括：提供一樣品，該樣品具有相對的上表面與下表面，且該上表面包括複數微結構；以及形成一導電原子層沉積保護膜順應性(conformally)地覆蓋該樣品的該上表面及位在該上表面的該等微結構，製備出一物性分析試片；其中，該導電原子層沉積保護膜是利用原子層沉積法形成。
Description
本發明乃關於一種製備物性分析試片的方法，且特別是關於一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法。
隨著積體電路的線寬逐漸縮小，製程中的前一個製程步驟中出現的缺陷往往對下一個製程步驟的良率產生極大的影響，故精確地掌握相關缺陷便是積體電路製程中必須面對的嚴肅議題。
目前最常被用以進行故障分析的儀器主要是電子顯微鏡，例如穿透式電子顯微鏡(TEM)、掃描式電子顯微鏡(SEM)以及聚焦離子束電子顯微鏡(FIB)。其中，適用於穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察的樣品必須先以物理研磨、化學蝕刻或利用聚焦離子束將樣品厚度減薄至一定程度才能進行觀察，惟樣品的細部微結構可能會在物理研磨、化學研磨或聚焦離子束減薄過程中被損壞，導致缺陷分析失真的風險，且利用聚焦離子束減薄過程中帶電的聚焦離子會累積在樣品表面，而導致靜電放電(ESD)破壞樣品內的元件電性。
此外，在利用聚焦離子束將樣品厚度減薄前，通常會先在樣品表面鍍上一金屬保護層，例如金保護層或鉑保護層，惟該等金屬保護層可能會與樣品表面產生質量干擾，導致在後續利用聚焦離子束將樣品厚度減薄過程中造成樣品表面破裂或崩壞，導製故障分析樣品製作失敗。再者，由於金或鉑的原子粒徑較大，故利用物理氣相沉積法(PVD) 或化學氣相沉積法(CVD)在樣品表面所形成的金保護層或鉑保護層，對於位在樣品表面具有較小線寬的微結構可能會有階梯覆蓋率不佳的情況，在樣品表面的微結構之間造成懸垂(overhang)或者孔洞(via)，導致後續的物性分析失準。
有鑑於此，一種可改善上述缺點的物性物性分析試片的製備方法乃目前業界所殷切期盼。
本發明乃揭示一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其步驟包括：提供一樣品，該樣品具有相對的上表面與下表面，且該上表面包括複數微結構；以及利用原子層沉積法形成一導電原子層沉積保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該樣品的該上表面及位在該上表面的該等微結構，製備出一物性分析試片，其中，該導電原子層沉積保護膜之材料為金屬。
如上所述的一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該金屬為例如但不限於金、銀、鉑、銅、鋁、鈦、鉭或鎢。
如上所述的一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，更包括一步驟，使該物性分析試片表面的該導電原子層沉積保護膜被施以一減薄處理，例如但不限於利用一聚焦離子束系統進行。
本發明乃揭示另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其步驟包括：提供一樣品，該樣品具有相對的上表面與下表面，且該上表面包括複數微結構；利用原子層沉積法形成一導電原子層沉積保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該樣品的該上表面以及位在該上表面的該等微結構，其中，該導電原子層沉積保護膜之材料為金屬；以及形成一導電膠保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該導電原子層沉積保護膜，製備出一物性分析試片。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該金屬為例如但不限於金、銀、鉑、銅、鋁、鈦、鉭或鎢。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其中該導電膠保護膜之材料為複合型導電膠、本質型導電膠或離子型導電膠。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其中該複合型導電膠包含一基料以及複數導電物質。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該基料為選自合成樹脂、合成橡膠和無機鹽所構成族群其中之一或其組合。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該合成樹脂為例如但不限於環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸酯類樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、有機矽樹脂或熱塑性烯烴類樹脂。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該合成橡膠為例如但不限於聚異丁烯橡膠、矽橡膠、丁基橡膠或天然橡膠。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該無機鹽為例如但不限於矽酸鹽或磷酸鹽。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該等導電物質為例如但不限於選自金屬粉末、石墨粉末、石墨烯粉末、碳化矽粉末、碳化鎳粉末、表面具金屬鍍膜的粉末及奈米碳管所構成族群之其中之一或其組合。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該本質型導電膠包含一導電高分子。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該導電高分子為例如但不限於聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)或聚(3,4-乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT：PSS)。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該離子型導電膠為例如但不限於包含1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽的離子液體。
如上所述的另一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，更包括一步驟，使該物性分析試片表面的該導電膠保護膜被施以一減薄處理，例如但不限於利用一聚焦離子束系統進行。
本發明乃揭示又一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其步驟包括：提供一樣品，該樣品具有相對的上表面與下表面，且該上表面包括複數微結構；以及利用原子層沉積法於溫度大於或等於40ºC條件下沉積形成一導電原子層沉積保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該樣品的該上表面及位在該上表面的該等微結構，製備出一物性分析試片，其中，該導電原子層沉積保護膜之材料為電導率≥10
2S/m的導電金屬氧化物。
如上所述的又一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該電導率≥10
2S/m的導電金屬氧化物為例如但不限於銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)、氧化錫(SnO2)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(Ga2O3)或摻雜鋁的氧化鋅(Al doped ZnO：AZO)。
如上所述的又一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，更包括一步驟，使該物性分析試片表面的該導電原子層沉積保護膜被施以一減薄處理，例如但不限於利用一聚焦離子束系統進行。
本發明乃揭示再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其步驟包括：提供一樣品，該樣品具有相對的上表面與下表面，且該上表面包括複數微結構；利用原子層沉積法於溫度大於或等於40ºC條件下沉積形成一導電原子層沉積保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該樣品的該上表面以及位在該上表面的該等微結構，其中，該導電原子層沉積保護膜之材料為電導率≥10
2S/m的導電金屬氧化物；以及形成一導電膠保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該導電原子層沉積保護膜，製備出一物性分析試片。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該電導率≥10
2S/m的導電金屬氧化物為例如但不限於銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)、氧化錫(SnO2)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(Ga2O3)或摻雜鋁的氧化鋅(Al doped ZnO：AZO)。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其中該導電膠保護膜之材料為複合型導電膠、本質型導電膠或離子型導電膠。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其中該複合型導電膠包含一基料以及複數導電物質。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該基料為例如但不限於選自合成樹脂、合成橡膠和無機鹽所構成族群其中之一或其組合。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該合成樹脂為例如但不限於環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸酯類樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、有機矽樹脂或熱塑性烯烴類樹脂。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該合成橡膠為例如但不限於聚異丁烯橡膠、矽橡膠、丁基橡膠或天然橡膠。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該無機鹽為例如但不限於矽酸鹽或磷酸鹽。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該等導電物質為例如但不限於選自金屬粉末、石墨粉末、石墨烯粉末、碳化矽粉末、碳化鎳粉末、表面具金屬鍍膜的粉末及奈米碳管所構成族群之其中之一或其組合。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該本質型導電膠包含一導電高分子。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該導電高分子為例如但不限於聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)或聚(3,4-乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT：PSS)。
如上所述的再一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該離子型導電膠為例如但不限於包含1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽的離子液體。
如上所述的再一種所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，更包括一步驟，使該物性分析試片表面的該導電膠保護膜被施以一減薄處理，例如但不限於利用一聚焦離子束系統進行。
為了使本發明揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本發明的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本發明具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。
在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明之實施例。在其他情況下，為簡化圖式，熟知的結構與裝置僅示意性地繪示於圖中。
實施例
實施例一
請參閱圖1A~1B，其所繪示的是根據本發明實施例一所揭示的方法以製備一物性分析試片1000的剖面製程。
首先，如圖1A所示，提供一樣品10，其中該樣品10包括一基板100，該基板100具有相對的上、下表面100A、100B，且該上表面100A上具有複數微結構110。
其次，如圖1B所示，利用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)形成一厚度為例如但不限於5Å~600Å的導電原子層沉積保護膜150，順應性(conformally)地覆蓋該樣品10的上表面100A以及位在該樣品10的上表面100A的該等微結構110，製備出一物性分析試片1000，可供後續的物性分析檢測，例如以電子顯微鏡例如但不限於掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子顯微鏡(TEM)或聚焦離子束電子顯微鏡(FIB)進行後續觀察。上述的導電原子層沉積保護膜150之材料為金屬，例如但不限於金、銀、鉑、銅、鋁、鈦、鉭或鎢。
實施例二
請參閱圖2A~2C，其所繪示的是根據本發明實施例二所揭示的方法以製備一物性分析試片2000的剖面製程。
首先，如圖2A所示，提供一樣品20，其中該樣品20包括一基板200，該基板200具有相對的上、下表面200A、200B，且該上表面200A上具有複數微結構210。
其次，如圖2B所示，利用原子層沉積法形成一厚度為例如但不限於5Å~600Å的導電原子層沉積保護膜250，順應性(conformally)地覆蓋該樣品20的上表面200A以及位在該樣品20的上表面200A的該等微結構210。上述的導電原子層沉積保護膜250之材料為金屬，例如但不限於金、銀、鉑、銅、鋁、鈦、鉭或鎢。
接著，如圖2C所示，利用離子束系統對該導電原子層沉積薄膜250施以一減薄處理，形成一減薄的導電原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)薄膜250’順應性(conformally)地覆蓋於該樣品20的上表面200A，並且順應性(conformally)地覆蓋於覆蓋該等結構210，製備出一物性分析試片2000，可供後續的物性分析檢測，例如以電子顯微鏡例如但不限於掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子顯微鏡(TEM)或聚焦離子束電子顯微鏡(FIB)進行後續觀察。
實施例三
請參閱圖3A~3C，其所繪示的是根據本發明實施例三所揭示的方法以製備另一物性分析試片3000的剖面製程。
首先，如圖3A所示，提供一樣品30，其中該樣品30包括一基板300，該基板300具有相對的上、下表面300A、300B，且該上表面300A上具有複數微結構310。
其次，如圖3B所示，利用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)形成一厚度為例如但不限於5Å~600Å的導電原子層沉積保護膜350，順應性(conformally)地覆蓋該樣品30的上表面300A以及位在該樣品30的上表面300A的該等微結構310。上述的導電原子層沉積保護膜350之材料為金屬，例如但不限於金、銀、鉑、銅、鋁、鈦、鉭或鎢。
然後，如圖3C所示，形成一導電膠保護膜370，順應性(conformally)地覆蓋該導電原子層沉積保護膜350，製備出一物性分析試片3000。
根據本發明實施例三，上述的導電膠保護膜370之材料可為一種複合型導電膠、一種本質型導電膠或一種離子型導電膠。
上述的複合型導電膠包含一基料以及複數導電物質。
其中，上述該複合型導電膠的基料可選自合成樹脂、合成橡膠和無機鹽所構成族群其中之一或其組合。該合成樹脂為例如但不限於環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸酯類樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、有機矽樹脂或熱塑性烯烴類樹脂。該合成橡膠為例如但不限於聚異丁烯橡膠、矽橡膠、丁基橡膠或天然橡膠。該無機鹽為例如但不限於矽酸鹽或磷酸鹽。
其中，該複合型導電膠中的該等導電物質為例如但不限於選自金屬粉末、石墨粉末、石墨烯粉末、碳化矽粉末、碳化鎳粉末、表面具金屬鍍膜的粉末及奈米碳管所構成族群之其中之一或其組合。
本實施例三所揭示的導電膠保護膜370之材料，乃以包含基料為環氧樹脂以及導電物質為銀粉所構成的銀膠為例示說明。在根據本發明的其它實施例中，也可選擇包含其它基料以及其它導電物質所構成的複合型導電膠作為導電膠保護膜370之材料。
此外，在根據本發明的其它實施例中，上述的導電膠保護膜370之材料也可選擇一種本質型導電膠，其中該本質型導電膠包含一導電高分子，例如但不限於導電高分子為聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)或聚(3,4-乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT：PSS)。
此外，在根據本發明的其它實施例中，上述的導電膠保護膜370之材料也可選擇一種離子型導電膠，例如但不限於包含1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽的離子液體。
上述的導電膠保護膜370可藉由將複合型導電膠、本質型導電膠或離子型導電膠以印刷、旋塗、噴塗等方式塗佈於導電原子層沉積保護膜350表面後，再經過常溫固化、加熱固化或照光固化等方式固化處理後便可獲得。
實施例四
請參閱圖4A~4D，其所繪示的是根據本發明實施例四所揭示的方法以製備一物性分析試片4000的剖面製程。
首先，如圖4A所示，提供一樣品40，其中該樣品40包括一基板400，該基板400具有相對的上、下表面400A、400B，且該上表面400A上具有複數微結構410。
其次，如圖4B所示，利用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)形成一厚度為例如但不限於5Å~600Å的導電原子層沉積保護膜450，順應性(conformally)地覆蓋該樣品40的上表面400A以及位在該樣品40的上表面400A的該等微結構410。上述的導電原子層沉積保護膜450之材料為金屬，例如但不限於金、銀、鉑、銅、鋁、鈦、鉭或鎢。
然後，如圖4C所示，形成一導電膠保護膜470，順應性(conformally)地覆蓋該導電原子層沉積保護膜450。
根據本發明實施例四，上述的導電膠保護膜470之材料可為一種複合型導電膠、一種本質型導電膠或一種離子型導電膠。
上述的複合型導電膠包含一基料以及複數導電物質。
上述該複合型導電膠的基料可選自合成樹脂、合成橡膠和無機鹽所構成族群其中之一或其組合。該合成樹脂為例如但不限於環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸酯類樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、有機矽樹脂或熱塑性烯烴類樹脂。該合成橡膠為例如但不限於聚異丁烯橡膠、矽橡膠、丁基橡膠或天然橡膠。該無機鹽為例如但不限於矽酸鹽或磷酸鹽。
其中，該複合型導電膠中的該等導電物質為例如但不限於選自金屬粉末、石墨粉末、石墨烯粉末、碳化矽粉末、碳化鎳粉末、表面具金屬鍍膜的粉末及奈米碳管所構成族群之其中之一或其組合。
本實施例四所揭示的導電膠保護膜470之材料，乃以包含基料為環氧樹脂以及導電物質為銀粉所構成的銀膠為例示說明。在根據本發明的其它實施例中，也可選擇包含其它基料以及其它導電物質所構成的複合型導電膠作為導電膠保護膜470之材料。
此外，在根據本發明的其它實施例中，上述的導電膠保護膜470之材料也可選擇一種本質型導電膠，其中該本質型導電膠包含一導電高分子，例如但不限於導電高分子為聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)或聚(3,4-乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT：PSS)。
此外，在根據本發明的其它實施例中，上述的導電膠保護膜470之材料也可選擇一種離子型導電膠，例如但不限於包含1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽的離子液體。
上述的導電膠保護膜470可藉由將複合型導電膠、本質型導電膠或離子型導電膠以印刷、旋塗、噴塗等方式塗佈於導電原子層沉積保護膜450表面後，再經過常溫固化、加熱固化或照光固化等方式固化處理後便可獲得。
接著，如圖4D所示，利用離子束系統對該導電膠保護膜470施以一減薄處理，形成一減薄的導電膠保護膜470’順應性(conformally)地覆蓋於該導電原子層沉積保護膜450表面，製備出一物性分析試片4000，可供後續的物性分析檢測，例如以電子顯微鏡例如但不限於掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子顯微鏡(TEM)或聚焦離子束電子顯微鏡(FIB)進行後續觀察。
實施例五
請參閱圖5A~5B，其所繪示的是根據本發明實施例五所揭示的方法以製備一物性分析試片5000的剖面製程。
首先，如圖5A所示，提供一樣品50，其中該樣品50包括一基板500，該基板500具有相對的上、下表面500A、500B，且該上表面500A上具有複數微結構510。
其次，如圖5B所示，利用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)於溫度大於或等於40ºC條件下形成一厚度為例如但不限於5Å~600Å的導電原子層沉積保護膜550，順應性(conformally)地覆蓋該樣品50的上表面500A以及位在該樣品50的上表面500A的該等微結構510，製備出一物性分析試片5000，可供後續的物性分析檢測，例如以電子顯微鏡例如但不限於掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子顯微鏡(TEM)或聚焦離子束電子顯微鏡(FIB)進行後續觀察。上述的導電原子層沉積保護膜550之材料為電導率≥10
2S/m的導電金屬氧化物，例如但不限於銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)、氧化錫(SnO
2)、氧化銦(In
2O
3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(G
a2O
3)或摻雜鋁的氧化鋅(Al doped ZnO：AZO)。
實施例六
請參閱圖6A~6C，其所繪示的是根據本發明實施例六所揭示的方法以製備另一物性分析試片6000的剖面製程。
首先，如圖6A所示，提供一樣品60，其中該樣品60包括一基板600，該基板600具有相對的上、下表面600A、600B，且該上表面600A上具有複數微結構610。
其次，如圖6B所示，利用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)於溫度大於或等於40ºC條件下形成一厚度為例如但不限於5Å~600Å的導電原子層沉積保護膜650，順應性(conformally)地覆蓋該樣品60的上表面600A以及位在該樣品60的上表面600A的該等微結構610。上述的導電原子層沉積保護膜650之材料為電導率≥10
2S/m的導電金屬氧化物，例如但不限於銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)、氧化錫(SnO
2)、氧化銦(In
2O
3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(G
a2O
3)或摻雜鋁的氧化鋅(Al doped ZnO：AZO)。
接著，如圖6C所示，利用離子束系統對該導電原子層沉積薄膜650施以一減薄處理，形成一減薄的導電原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)薄膜650’順應性(conformally)地覆蓋於該樣品60的上表面600A，並且順應性(conformally)地覆蓋於覆蓋該等結構610，製備出一物性分析試片6000，可供後續的物性分析檢測，例如以電子顯微鏡例如但不限於掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子顯微鏡(TEM)或聚焦離子束電子顯微鏡(FIB)進行後續觀察。
實施例七
請參閱圖7A~7C，其所繪示的是根據本發明實施例七所揭示的方法以製備另一物性分析試片7000的剖面製程。
首先，如圖7A所示，提供一樣品70，其中該樣品70包括一基板700，該基板700具有相對的上、下表面700A、700B，且該上表面700A上具有複數微結構710。
其次，如圖7B所示，利用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)於溫度大於或等於40ºC條件下形成一厚度為例如但不限於5Å~600Å的導電原子層沉積保護膜750，順應性(conformally)地覆蓋該樣品70的上表面700A以及位在該樣品70的上表面700A的該等微結構710。上述的導電原子層沉積保護膜750之材料為電導率≥10
2S/m的導電金屬氧化物，例如但不限於銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)、氧化錫(SnO
2)、氧化銦(In
2O
3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(G
a2O
3)或摻雜鋁的氧化鋅(Al doped ZnO：AZO)。
然後，如圖7C所示，形成一導電膠保護膜770，順應性(conformally)地覆蓋該導電原子層沉積保護膜750，製備出一物性分析試片7000。
根據本發明實施例七，上述的導電膠保護膜770之材料可為一種複合型導電膠、一種本質型導電膠或一種離子型導電膠。
上述的複合型導電膠包含一基料以及複數導電物質。
其中，上述該複合型導電膠的基料可選自合成樹脂、合成橡膠和無機鹽所構成族群其中之一或其組合。該合成樹脂為例如但不限於環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸酯類樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、有機矽樹脂或熱塑性烯烴類樹脂。該合成橡膠為例如但不限於聚異丁烯橡膠、矽橡膠、丁基橡膠或天然橡膠。該無機鹽為例如但不限於矽酸鹽或磷酸鹽。
其中，該複合型導電膠中的該等導電物質為例如但不限於選自金屬粉末、石墨粉末、石墨烯粉末、碳化矽粉末、碳化鎳粉末、表面具金屬鍍膜的粉末及奈米碳管所構成族群之其中之一或其組合。
本實施例七所揭示的導電膠保護膜770之材料，乃以包含基料為環氧樹脂以及導電物質為銀粉所構成的銀膠為例示說明。在根據本發明的其它實施例中，也可選擇包含其它基料以及其它導電物質所構成的複合型導電膠作為導電膠保護膜770之材料。
此外，在根據本發明的其它實施例中，上述的導電膠保護膜770之材料也可選擇一種本質型導電膠，其中該本質型導電膠包含一導電高分子，例如但不限於導電高分子為聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)或聚(3,4-乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT：PSS)。
此外，在根據本發明的其它實施例中，上述的導電膠保護膜770之材料也可選擇一種離子型導電膠，例如但不限於包含1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽的離子液體。
上述的導電膠保護膜770可藉由將複合型導電膠、本質型導電膠、離子型導電膠以印刷、旋塗、噴塗等方式塗佈於導電原子層沉積保護膜750表面後，再經過常溫固化、加熱固化或照光固化等方式固化處理後便可獲得。
實施例八
請參閱圖8A~8D，其所繪示的是根據本發實施例八所揭示的方法以製備另一物性分析試片8000的剖面製程。
首先，如圖8A所示，提供一樣品80，其中該樣品80包括一基板800，該基板800具有相對的上、下表面800A、800B，且該上表面800A上具有複數微結構810。
其次，如圖8B所示，利用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)於溫度大於或等於40ºC條件下形成一厚度為例如但不限於5Å~600Å的導電原子層沉積保護膜850，順應性(conformally)地覆蓋該樣品80的上表面800A以及位在該樣品80的上表面800A的該等微結構810。上述的導電原子層沉積保護膜850之材料為電導率≥10
2S/m的導電金屬氧化物，例如但不限於銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)、氧化錫(SnO
2)、氧化銦(In
2O
3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(G
a2O
3)或摻雜鋁的氧化鋅(Al doped ZnO：AZO)。
然後，如圖8C所示，形成一導電膠保護膜870，順應性(conformally)地覆蓋該導電原子層沉積保護膜850。
根據本發明實施例八，上述的導電膠保護膜870之材料可為一種複合型導電膠、一種本質型導電膠或一種離子型導電膠。
上述的複合型導電膠包含一基料以及複數導電物質。
上述該複合型導電膠的基料可選自合成樹脂、合成橡膠和無機鹽所構成族群其中之一或其組合。該合成樹脂為例如但不限於環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸酯類樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、有機矽樹脂或熱塑性烯烴類樹脂。該合成橡膠為例如但不限於聚異丁烯橡膠、矽橡膠、丁基橡膠或天然橡膠。該無機鹽為例如但不限於矽酸鹽或磷酸鹽。
其中，該複合型導電膠中的該等導電物質為例如但不限於選自金屬粉末、石墨粉末、石墨烯粉末、碳化矽粉末、碳化鎳粉末、表面具金屬鍍膜的粉末及奈米碳管所構成族群之其中之一或其組合。
本實施例八所揭示的導電膠保護膜870之材料，乃以包含基料為環氧樹脂以及導電物質為銀粉所構成的銀膠為例示說明。在根據本發明的其它實施例中，也可選擇包含其它基料以及其它導電物質所構成的複合型導電膠作為導電膠保護膜870之材料。
此外，在根據本發明的其它實施例中，上述的導電膠保護膜870之材料也可選擇一種本質型導電膠，其中該本質型導電膠包含一導電高分子，例如但不限於導電高分子為聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)或聚(3,4-乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT：PSS)。
此外，在根據本發明的其它實施例中，上述的導電膠保護膜470之材料也可選擇一種離子型導電膠，例如但不限於包含1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽的離子液體。
上述的導電膠保護膜870可藉由將複合型導電膠、本質型導電膠離子型導電膠以印刷、旋塗、噴塗等方式塗佈於導電原子層沉積保護膜450表面後，再經過常溫固化、加熱固化或照光固化等方式固化處理後便可獲得。
接著，如圖8D所示，利用離子束系統對該導電膠保護膜870施以一減薄處理，形成一減薄的導電膠保護膜870’ 順應性(conformally)地覆蓋於該導電原子層沉積保護膜850表面，製備出一物性分析試片8000，可供後續的物性分析檢測，例如以電子顯微鏡例如但不限於掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子顯微鏡(TEM)或聚焦離子束電子顯微鏡(FIB)進行後續觀察。
綜上所述，利用本發明所揭示的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，藉由利用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)形成一金屬或電導率≥10
2S/m的導電金屬氧化物所構成的導電原子層沉積保護膜，順應性(conformally)地覆蓋於該樣品上表面以及位在該樣品上表面的該等微結構，或者藉由利用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)形成一金屬或電導率≥10
2S/m的導電金屬氧化物所構成的導電原子層沉積保護膜以及一導電膠保護膜順應性(conformally)地覆蓋該導電原子層沉積保護膜，避免在樣品表面的微結構之間造成懸垂(overhang)或者孔洞(via)，導致後續的物性分析失準的缺點，且可避免累積在樣品上表面的帶電聚焦離子產生靜電放電而破壞樣品內的元件電性，故可使後續利用電子顯微鏡的物性分析更精確。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10~80:樣品
100~800:基板
100A~800A:上表面
100B~800B:下表面
110~810:微結構
150~850:導電原子層沉積保護膜
370、470、770、870:導電膠保護膜
250’、650’:減薄的導電原子層沉積保護膜
470’、870’:減薄的導電膠保護膜
1000~8000:物性分析試片
圖1A~1B所繪示的是根據本發明實施例一所揭示的方法以製備一物性分析試片1000的剖面製程。
圖2A~2C所繪示的是根據本發明實施例二所揭示的方法以製備一物性分析試片2000的剖面製程。
圖3A~3C所繪示的是根據本發明實施例三所揭示的方法以製備一物性分析試片3000的剖面製程。
圖4A~4D所繪示的是根據本發明實施例四所揭示的方法以製備一物性分析試片4000的剖面製程。
圖5A~5B所繪示的是根據本發明實施例五所揭示的方法以製備一物性分析試片5000的剖面製程。
圖6A~6C所繪示的是根據本發明實施例六所揭示的方法以製備一物性分析試片6000的剖面製程。
圖7A~7C所繪示的是根據本發明實施例七所揭示的方法以製備一物性分析試片7000的剖面製程。
圖8A~8D所繪示的是根據本發明實施例八所揭示的方法以製備一物性分析試片8000的剖面製程。
10:樣品
100:基板
100A:上表面
100B:下表面
110:微結構
150:導電原子層沉積保護膜
1000:物性分析試片
Claims (36)
- 一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其步驟包括： 提供一樣品，該樣品具有相對的上表面與下表面，且該上表面包括複數微結構；以及 利用原子層沉積法形成一導電原子層沉積保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該樣品的該上表面及位在該上表面的該等微結構，製備出一物性分析試片，其中該導電原子層沉積保護膜之材料為金屬。
- 如請求項1所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該金屬為金、銀、鉑、銅、鋁、鈦、鉭或鎢。
- 如請求項1或2所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，更包括一步驟，使該物性分析試片表面的該導電原子層沉積保護膜被施以一減薄處理。
- 如請求項3所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該減薄處理步驟是利用一聚焦離子束系統進行。
- 一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其步驟包括： 提供一樣品，該樣品具有相對的上表面與下表面，且該上表面包括複數微結構； 利用原子層沉積法形成一導電原子層沉積保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該樣品的該上表面以及位在該上表面的該等微結構，其中該導電原子層沉積保護膜之材料為金屬；以及 形成一導電膠保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該導電原子層沉積保護膜，製備出一物性分析試片。
- 如請求項5所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該金屬為金、銀、鉑、銅、鋁、鈦、鉭或鎢。
- 如請求項5所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其中該導電膠保護膜之材料為複合型導電膠、本質型導電膠或離子型導電膠。
- 如請求項7所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其中該複合型導電膠包含一基料以及複數導電物質。
- 如請求項8所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該基料為選自合成樹脂、合成橡膠和無機鹽所構成族群其中之一或其組合。
- 如請求項9所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該合成樹脂為環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸酯類樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、有機矽樹脂或熱塑性烯烴類樹脂。
- 如請求項9所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該合成橡膠為聚異丁烯橡膠、矽橡膠、丁基橡膠或天然橡膠。
- 如請求項9所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該無機鹽為矽酸鹽或磷酸鹽。
- 如請求項8所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該等導電物質為選自金屬粉末、石墨粉末、石墨烯粉末、碳化矽粉末、碳化鎳粉末、表面具金屬鍍膜的粉末及奈米碳管所構成族群之其中之一或其組合。
- 如請求項7所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該本質型導電膠包含一導電高分子。
- 如請求項14所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該導電高分子為聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)或聚(3,4-乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT：PSS)。
- 如請求項7所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該離子型導電膠為 包含1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽的離子液體。
- 如請求項5至16中任一項所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，更包括一步驟，使該物性分析試片表面的該導電膠保護膜被施以一減薄處理。
- 如請求項17所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該減薄處理步驟是利用一聚焦離子束系統進行。
- 一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其步驟包括： 提供一樣品，該樣品具有相對的上表面與下表面，且該上表面包括複數微結構；以及 利用原子層沉積法於溫度大於或等於40ºC條件下沉積形成一導電原子層沉積保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該樣品的該上表面及位在該上表面的該等微結構，製備出一物性分析試片，其中，該導電原子層沉積保護膜之材料為電導率≥10 2S/m的導電金屬氧化物。
- 如請求項19所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該電導率≥10 2S/m的導電金屬氧化物為銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)、氧化錫(SnO 2)、氧化銦(In 2O 3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(G a2O 3)或摻雜鋁的氧化鋅(Al doped ZnO：AZO)。
- 如請求項19或20所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，更包括一步驟，使該物性分析試片表面的該導電原子層沉積保護膜被施以一減薄處理。
- 如請求項21所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該減薄處理步驟是利用一聚焦離子束系統進行。
- 一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其步驟包括： 提供一樣品，該樣品具有相對的上表面與下表面，且該上表面包括複數微結構； 利用原子層沉積法於溫度大於或等於40ºC條件下沉積形成一導電原子層沉積保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該樣品的該上表面以及位在該上表面的該等微結構，其中，該導電原子層沉積保護膜之材料為電導率≥10 2S/m的導電金屬氧化物；以及 形成一導電膠保護膜，順應性(conformally)地覆蓋該導電原子層沉積保護膜，製備出一物性分析試片。
- 如請求項23所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該電導率≥10 2S/m的導電金屬氧化物為銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋯氧化物(IGZO)、氧化錫(SnO 2)、氧化銦(In 2O 3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(G a2O 3)或摻雜鋁的氧化鋅(Al doped ZnO：AZO)。
- 如請求項23所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其中該導電膠保護膜之材料為複合型導電膠、本質型導電膠或離子型導電膠。
- 如請求項25所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，其中該複合型導電膠包含一基料以及複數導電物質。
- 如請求項26所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該基料為選自合成樹脂、合成橡膠和無機鹽所構成族群其中之一或其組合。
- 如請求項27所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該合成樹脂為環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸酯類樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、有機矽樹脂或熱塑性烯烴類樹脂。
- 如請求項27所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該合成橡膠為聚異丁烯橡膠、矽橡膠、丁基橡膠或天然橡膠。
- 如請求項27所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該無機鹽為矽酸鹽或磷酸鹽。
- 如請求項26所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該等導電物質為選自金屬粉末、石墨粉末、石墨烯粉末、碳化矽粉末、碳化鎳粉末、表面具金屬鍍膜的粉末及奈米碳管所構成族群之其中之一或其組合。
- 如請求項25所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該本質型導電膠包含一導電高分子。
- 如請求項32所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該導電高分子為聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)或聚(3,4-乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT：PSS)。
- 如請求項25所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該離子型導電膠為包含1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽的離子液體。
- 如請求項24至34中任一項所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，更包括一步驟，使該物性分析試片表面的該導電膠保護膜被施以一減薄處理。
- 如請求項35所述的利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法，該減薄處理步驟是利用一聚焦離子束系統進行。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110104857A TWI762189B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110104857A TWI762189B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI762189B TWI762189B (zh) | 2022-04-21 |
| TW202231902A true TW202231902A (zh) | 2022-08-16 |
Family
ID=82198965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110104857A TWI762189B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI762189B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI826001B (zh) * | 2022-09-19 | 2023-12-11 | 汎銓科技股份有限公司 | 一種減少缺陷的鍍膜方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI707058B (zh) * | 2019-12-19 | 2020-10-11 | 汎銓科技股份有限公司 | 一種物性分析試片的製備方法 |
-
2021
- 2021-02-09 TW TW110104857A patent/TWI762189B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI826001B (zh) * | 2022-09-19 | 2023-12-11 | 汎銓科技股份有限公司 | 一種減少缺陷的鍍膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI762189B (zh) | 2022-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Shen et al. | Variability and yield in h‐BN‐based memristive circuits: the role of each type of defect | |
| US10395928B2 (en) | Depositing a passivation layer on a graphene sheet | |
| Hwang et al. | A Bioinspired Ultra Flexible Artificial van der Waals 2D‐MoS2 Channel/LiSiOx Solid Electrolyte Synapse Arrays via Laser‐Lift Off Process for Wearable Adaptive Neuromorphic Computing | |
| DE102005056364B3 (de) | Bipolarer Trägerwafer und mobile, bipolare, elektrostatische Waferanordnung | |
| Guillorn et al. | Fabrication of dissimilar metal electrodes with nanometer interelectrode distance for molecular electronic device characterization | |
| CN105789549B (zh) | 一种在二维材料上制备电极的方法 | |
| CN106908290B (zh) | 全息观测透射电镜试样的制备方法 | |
| TWI762189B (zh) | 一種利用導電原子層沉積保護膜製備物性分析試片的方法 | |
| CN113013046A (zh) | 一种物性分析试片的制备方法 | |
| TWI759053B (zh) | 一種利用導電膠保護膜製備物性分析試片的方法 | |
| CN109972087B (zh) | 一种微电极沉积掩膜的制备方法 | |
| CN109626321A (zh) | 透射电镜和压电力显微镜通用的氮化硅薄膜窗口制备方法 | |
| Gu et al. | Contact holes in vertical electrode structures analyzed by voltage contrast-SEM and conducting AFM | |
| CN105097580A (zh) | 聚焦离子束分析方法 | |
| US10424479B2 (en) | Method for making nano-scaled channels with nanowires as masks | |
| US10424480B2 (en) | Method for making thin film transistor with nanowires as masks | |
| CN108039338A (zh) | 一种消除介质层针孔缺陷影响的方法 | |
| CN1854714A (zh) | 一种利用微区覆膜进行缺陷分析的方法 | |
| CN109946340B (zh) | 一种二维层状材料样品电学测试微电极的制备方法 | |
| CN106290544A (zh) | 一种二次离子质谱分析方法 | |
| KR101737946B1 (ko) | 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법 및 이에 의해 제작된 시료 | |
| CN105865861B (zh) | 一种制备失效分析样品的方法 | |
| Almanza-Workman et al. | Planarization coating for polyimide substrates used in roll-to-roll fabrication of active matrix backplanes for flexible displays | |
| CN100437120C (zh) | 单根一维纳米材料的测试电极的制作方法 | |
| CN1865898A (zh) | 一种用于阶梯覆盖检查的透射电子显微镜样品制备方法 |