TWI819073B - 發光裝置、其製造方法及顯示模組 - Google Patents

Abstract

一種發光裝置，包含一載板、一發光元件以及一連結結構。載板包含一第一結合部以及沿伸自該結合部的一第一頸部。第一結合部具有第一寬度，第一頸部具有第二寬度，其中，第二寬度小於第一寬度。發光元件包含可發出第一光線的一第一發光層以及形成在該第一發光層之下的一第一接觸電極，其中該第一接觸電極對應該第一結合部。連結結構包含第一電連結部以及圍繞該第一結合部及該第一電連接部的一保護部，且第一電連結部與該第一結合部及該第一接觸電極電性連接。第一結合部大致位於保護部所圍繞的範圍內。

Description

發光裝置、其製造方法及顯示模組

本發明係關於一種發光裝置及其製造方法，尤關於一種包含特定結構之載板以及特定連結結構之發光裝置及其製造方法。

發光二極體(Light-Emitting Diode；LED)具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應速度快等特性，因此廣泛應用於各種需要使用發光元件的領域，例如，車輛、家電、顯示屏及照明燈具等。

LED屬於一種單色光(monochromatic light)，因此很適合做為顯示器中的像素(pixel)。例如可作為戶外或戶內顯示屏的像素。其中，提高顯示器的解析度是目前技術發展趨勢之一。為了提高解析度，勢必要將各作為像素的LED微小化。如此將衍伸出許多的技術問題，例如：要精確地將LED與基板的電性連結將更為困難。

本發明係揭露一種發光裝置，包含一載板、一發光元件以及一連結結構。載板包含一第一結合部以及沿伸自該結合部的一第一頸部。第一結合部具有第一寬度，第一頸部具有第二寬度，其中，第二寬度小於第一寬度。發光元件包含可發出第一光線的一第一發光層以及形成在該第一發光層之下的一第一接觸電極，其中該第一接觸電極對應該第一結合部。連結結構包含第一電 連結部以及圍繞該第一結合部及該第一電連接部的一保護部，且第一電連結部與該第一結合部及該第一接觸電極電性連接。第一結合部大致位於保護部所圍繞的範圍內。

100、200、400、500-1、500-2、600、601、602、700、841、842、843、1001、1002、1003、1101、1102、1102’、1103、1104、1105、1106、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900、2100:發光裝置

2000:顯示模組

120、220、420、620、720、820、910、920、1152、1220、1320、1420、1520、1620、1720、1820、2120:載板

122、522、1022、1122、1222、1322、1422、1522、1622:絕緣層

124、524、624、1024、1124、1224、1324、1424、1524、1624、2124:上導電層

1624P2、1624P1:上導電墊

1624A、1624B、1624C、1624D、1724A、1724B、1724C、1724D:黏結區域

1728、1628:導電貫孔

1628c、1628d、1728c、1728d、1628c、1628d:共同導電貫孔

126、526、626、1026、1126、1226、1326、1426、1526、1626、1726、1826:下導電層

1626d、1626d1、1726d、1726d1、1826d、1826d1:共同電極

140、640、1141、1142、1143、1144、1145、1146、1240、1340、1440、1540、1640A、1640B、1640C、1640D、1740A、1740B、1740C、1740D、1840A、1840B、1840C、1840D、1940A、1940B、1940C、1940D、2140A、2140B、2140C、2140D:發光元件

142、272、372、472、542-1’、542-2:第一發光單元

142a:承載基板

142b:發光層

142c1、142c2、272-1、272-2、372-1、372-2、542-1a、542-1b:接觸電極

144、274、474、544-1、544-2:第二發光單元

146、276、476、546-1、546-2:第三發光單元

160、562、660:連結結構

162、210、310:第一區塊

162a、214、311:第一電連結部

162b、216、313:第二電連結部

162c、212:第一保護部

162a1、162b1:孔洞或樹脂

164、230:第二區塊

166、250:第三區塊

180、580、580’、680、1180、1180’、1280、1380、1480、1580、1680、1780、1880、2180:透光元件

232:第二保護部

234:第三電連結部

236:第四電連結部

240、340、440:第一接點區

242、342、442、762:第一結合部

244、344、444、764:第一頸部

246、346、446、766:第二結合部

248、348、448、768:第二頸部

252:第三保護部

254:第五電連結部

256:第六電連結部

260、460:第二接點區

262:第三結合部

264、464:第三頸部

266、466:第四結合部

268、468:第四頸部

280、480:第三接點區

312、314:保護部

482:第五結合部

484:第五頸部

486:第六結合部

488:第六頸部

512、1012、1112:圖形化治具

532、534、1132:切割工具

542:第一發光單元群

544:第二發光單元群

546:第三發光單元群

561、1114:膠料

562’、1162’:未固化區塊

562’-1:保護部

562-2:電連結部

562’-2:導電粒子

800、941、942、943、944、945、946、947、948、949:顯示模組

900:顯示裝置

900B:發光模組

960:框架

1012a、1012b、1112a、1112b:孔洞

1031、1151:暫時性基板

1032、1152:目標基板

1228、1328、1428:導電貫孔

1226a、1326a、1426a:第一下導電墊

1226b、1326b、1426b:第二下導電墊

1226c、1326c、1426c:第三下導電墊

1226d、1326d、1426d:第四下導電墊

2190:遮光層

θ 1:觀看角度

第1A圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。

第1B圖係顯示第1A圖中發光裝置的上視圖。

第1C圖係顯示第1A圖中發光裝置的底視圖。

第1D圖係顯示第1A圖中發光裝置的部分剖面圖。

第2A圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置中載板的上視圖。

第2B圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置中載板以及連結結構的上視圖。

第2C圖係顯示第2A圖及的2B圖中第一發光單元及對應的第一區塊及第一接點區的示意圖。

第3A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之發光裝置中第一發光單元及對應的第一區塊及第一接點區的上視圖。

第3B圖係顯示第3A圖所揭露的剖面圖。

第4圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之發光裝置中載板的上視圖。

第5A圖至第5J圖係顯示依據本發明一實施例之發光裝置的製造流程圖。

第6A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。

第6B圖係顯示第6A圖中發光裝置的上視圖。

第6C圖係顯示第6A圖中發光裝置的下視圖。

第7圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置中載板的上視圖。

第8圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一顯示模組。

第9A圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一顯示裝置。

第9B圖係顯示根據本發明一實施例所揭露之一發光模組。

第10A圖至第10K圖係顯示依據本發明一實施例之顯示模組的製造流程圖。

第11A圖至第11I圖係顯示依據本發明另一實施例之顯示模組的製造流程圖。

第12A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。

第12B圖係顯示第12A圖中發光裝置的上視圖。

第12C圖係顯示第12A圖中發光裝置的底視圖。

第13A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。

第13B圖係顯示第13A圖中發光裝置的上視圖。

第13C圖係顯示第13A圖中發光裝置的底視圖。

第14A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。

第14B圖係顯示第14A圖中發光裝置的上視圖。

第14C圖係顯示第14A圖中發光裝置的底視圖。

第15A圖係顯示一發光裝置。

第15B圖顯示一顯示模組1000。

第15C圖顯示第15A圖中發光單元之發光角度的量測方法。

第16A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。

第16B圖係顯示第16A圖中發光裝置的上視圖。

第16C、16D圖係顯示第16A圖中發光裝置中載板的上視圖及底視圖。

第17A、17B圖係顯示上導電層的電子顯微鏡放大圖。

第18A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。

第18B、18C圖係顯示第18A圖中發光裝置中載板的上視圖及底視圖。

第19A圖係顯示根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。

第19B圖係顯示第19A圖中發光裝置中載板的底視圖。

第20圖顯示一顯示模組。

第21圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置的立體圖。

第1A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置100的立體圖，第1B圖係顯示第1A圖中發光裝置100的上視圖，以及第1C圖係顯示第1A圖中發光裝置100的底視圖。發光裝置100包含一載板120、一發光元件140、一連結結構160及一透光元件180。在一實施例中，發光元件140包含第一發光單元142、第二發光單元144以及第三發光單元146。在一實施例中，發光元件140形成在載板120之上，連結結構160位於載板120與發光元件140之間，且透光元件180覆蓋發光元件140以及連結結構160。

在一實施例中，載板120包含一絕緣層122、一上導電層124以及一下導電層126。上導電層124可做為與發光元件140電性連結之用，並與下導電層126彼此電性連結。下導電層126則與發光裝置100的外部電性連結。在一實施例中，上導電層124透過導電貫孔(conductive via)與下導電層126彼此電性連結。導電貫孔貫穿絕緣層122，此外，導電貫孔可形成在絕緣層122的邊緣或是絕緣層122內部區域。一實施例中，上導電層124形成在絕緣層122之上並具有圖形化結構，下導電層126形成在絕緣層122之下並具有圖形化結構。參閱第1C圖，在一實施例中，因為第一發光單元142、第二發光單元144以及第三發光單元146有一個共同電極(共陰或共陽)，因此，下導電層126具有四個導電墊。具體而言，在本實施例中，共同電極是表示在物理上及電性上連接二或多個發光單元中相同電性的電極的端點。在一實施例中，三個發光單元皆為發光二極體，發光二極體中的p型半導體彼此共用一個電極。在另一實施例中，發光二極體中的n型半導體彼此共用一個電極。在一實施例中，下導電層126的一個導電墊126’的形狀與其他三個導電墊126”形狀不同以作為辨識用。在本實施例，下導電層126 中，作為共用電極的導電墊126’的其中一個角落為斜面(如第1C圖中左下角之下導電層126’)，即五邊形，與其他三個四邊形的導電墊126”不同以作為辨識用。四個導電墊126’、126”分別在四個角落，可分別與外部的四個電極做電性連結。在另一實施例中，三個發光單元的電極各自獨立地於外部電性連接，因此下導電層126具有六個導電墊。

絕緣層122的材料可以是環氧樹脂、BT(Bismaleimide Triazine)樹脂、聚醯亞胺(polyimide)樹脂、環氧樹脂與玻纖的複合材料或BT樹脂與玻纖的複合材料。上導電層124與下導電層126的材料可以是金屬，例如：銅、錫、鋁、銀或金。在一實施例中，當發光裝置100在顯示裝置作為像素時，絕緣層122的表面可以形成一層吸光層(圖未示)，例如，黑色塗層，可增加對比度。

參閱第1A圖，在一實施例中，發光元件140包含第一發光單元142、第二發光單元144以及第三發光單元146。在此一實施例中，發光單元的數目為三，但不以此為限。在另一實施例中，發光單元可以是一個、二個、四個或五個。在一實施例中，第一發光單元142、第二發光單元144以及第三發光單元146是可分別發出不同波長或不同顏色的光的發光二極體晶粒(LED die)。在一實施例中，第一發光單元142為紅光發光二極體晶粒，可經由電源提供一電力而發出第一光線，第一光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於600nm至660nm之間。參閱第1D圖，表示沿著第1B圖中I-I’的剖面圖，在一實施例中，第一發光單元142包含一承載基板142a、一發光層142b以及接觸電極142c1、142c2。其中，發光層142b之一側朝向承載基板142a，另一側朝向接觸電極142c1、142c2。承載基板142a可用以承載或支撐發光層142b。此外，承載基板142a遠離發光層142b的一面，也是第一發光單元142之上表面，即為第一發光單元142之出光面。在一實施例中，承載基板142a為透明陶瓷基板， 例如可以是氧化鋁基板，透過一結合層(bonding layer，圖未示)與發光層142b連結。

在一實施例中，第二發光單元144為綠光發光二極體晶粒，可發出第二光線，第二光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於510nm至560nm之間。與第一發光單於142的結構相似，發光第二單元144包含一承載基板、一發光層以及接觸電極。進一步而言，第二發光單元144的發光層的組成與第一發光單元142不同。此外，在一實施例中，第二發光單元144的承載基板為成長基板(growth substrate)，例如，可以是藍寶石(sapphire)基板，作為發光層磊晶成長時之基板。第三發光單元146為藍光發光二極體晶粒，可發出第三光線，第三光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於430nm至480nm之間。第三發光單元146與第二發光單於144的結構相似，但發光層的組成與發光單元144不同。

在另一實施例中，第一發光單元142為比紅光波長較短的發光二極體晶粒，例如：藍光發光二極體或紫外光發光二極體，並覆蓋可發出紅光波長的波長轉換材料。第二發光單元144為比綠光波長較短的發光二極體晶粒，例如：藍光發光二極體或紫外光發光二極體，並覆蓋可發出綠光波長的波長轉換材料。第三發光單元146則為藍光發光二極體晶粒，或是紫外光發光二極體，且覆蓋可發出藍光波長的波長轉換材料。

參閱第1B圖，在一實施例中，第一發光單元142、第二發光單元144以及第三發光單元146的排列為三角形，各自在三角形的三個頂點上。在其他實施例中，第一發光單元142、第二發光單元144以及第三發光單元146可以是以線性方式排列。

參閱第1A圖，在一實施例中，連結結構160包含第一區塊162、第二區塊164以及第三區塊166。連結結構160的第一區塊162可連結載板120與發光單元142，且同時提供電性及物理性的連結。進一步而言，可參閱第1D圖，第一區塊162包含第一電連結部162a、第二電連結部162b以及第一保護部162c。在一實施例中，第一電連結部162a電性連結上導電層124以及接觸電極142c1，第二電連結部162b電性連結上導電層124以及接觸電極142c2，且保護部162c圍繞第一電連結部162a以及第二電連結部162b。在一實施例中，第一電連結部162a以及第二電連結部162b的輪廓可以是平滑的表面或是有凹凸起伏的表面。在一實施例中，第一電連結部162a以及/或第二電連結部162b具有頸部的輪廓。換言之，第一電連結部162a在接觸電極142c1以及上導電層124之間有一寬度小於與第一電連結部162a與上導電層124之界面的寬度。或是，第二電連結部162b在接觸電極142c2以及上導電層124之間有一寬度小於與第二電連結部162b與上導電層124之界面的寬度。在一實施例中，第一電連結部162a以及第二電連結部162b大部分是導電材料所組成。另外，第一電連結部162a以及第二電連結部162b分別含有為小量的孔洞或樹脂162a1、162b1。在另一實施例中，第一電連結部162a以及第二電連結部162b可全部都是導電材料所組成。

在一實施例中，第一保護部162c位於第一電連結部162a以及第二電連結部162b之間，包覆第一電連結部162a及第二電連結部162b，且與載板120以及發光單元142的表面相連結。第一保護部162c不僅可保護第一電連結部162a以及第二電連結部162b，避免外部環境對導電材料的氧化，還可避免第一電連結部162a及第二電連結部162b在高溫的環境下因材料軟化或熔化造成 短路的問題。此外，第一保護部162c可增加載板120與發光單元142的接合強度。在一實施例中，第一保護部162c主要為樹脂所組成，還可包含少量的導電材料。值得注意的是，第一保護部162c內的導電材料，並不是連續地存在第一電連結部162a及第二電連結部162b之間，而是以不連續地形式存在第一電連結部162a及第二電連結部162b之間。在另一實施例中，第一保護部162c主要為樹脂所組成，但不包含導電材料。

第一電連結部162a、第二電連結部162b以及第一保護部162c所含有的導電材料可以是相同或不同，例如：金、銀、銅或錫合金。在一實施例中，導電材料是低熔點的金屬或低液化熔點(liquidus melting point)的合金。在一實施例中，低熔點的金屬或低液化熔點的合金的熔點或液化溫度低於210℃。在另一實施例中，低熔點的金屬或低液化熔點的合金的熔點或液化溫度低於170℃。低液化熔點的合金的材料可以是錫銦合金或錫鉍合金。

第一電連結部162a、第二電連結部162b以及第一保護部162c所含有的樹脂可以是相同或不同，例如可以是熱固性樹脂。在一實施例中，樹脂是熱固性環氧樹脂。在一實施例中，樹脂具有玻璃轉化溫度Tg，且玻璃轉化溫度Tg大於50℃。在另一實施例中，樹脂的玻璃轉化溫度Tg大於120℃。在一實施例中，第一電連結部162a及/或第二電連結部162b的導電材料的液化溫度與第一保護部162c的樹脂的玻璃轉化溫度差小於50℃。在一實施例中，導電材料相對於第一區塊162的重量比是在40%至80%之間。在另一實施例中，導電材料相對於第一區塊162的重量比是在30%至70%之間。

參閱第1A圖，在一實施例中，連結結構160的第二區塊164可連結載板120與發光單元144，且同時提供電性及物理性的連結。相似地，在一 實施例中，連結結構160的第三區塊166可連結載板120與發光單元146，且同時提供電性及物理性的連結。第二區塊164以及第三區塊166的具體結構、作用及材料與第一區塊162大致相同或相似，可以參考第1D圖及第一區塊162相應之段落。

參閱第1A圖，在一實施例中，透光元件180覆蓋發光元件140、連結結構160以及上導電層124。在一實施例中，透光元件180與發光單元142、144、146，連結結構160的第一區塊162、第二區塊164、第三區塊166以及上導電層124直接接觸。在一實施例中，透光元件180的側壁與載板120的側壁可以是共平面。在另一實施例中，透光元件180的側壁與載板120的側壁也可以不共平面。透光元件180的側壁與載板120的側壁之間有一平面(圖未式)，此平面與透光元件180的側壁及載板120的側壁不平行，可以是透光元件180的下表面或載板的上表面。透光元件180可保護發光元件140、連結結構160以及上導電層124。此外，透光元件180可做為發光裝置100的出光面，發光元件140射出的光可穿透透光元件180。在一實施例中，透光元件180對波長在440nm至470nm、510nm至540nm以及610nm至640nm的所有波段的穿透度大於80%。在一實施例中，透光元件180的折射率在1.30至2.0之間。在另一實施例中，透光元件180的折射率在1.35至1.70之間。再者，透光元件180可減少上導電層124遭受外界環境的氧化。

透光元件180的材料可為樹脂、陶瓷、玻璃或上述之組合。在一實施例中，透光元件180的材料為熱固化樹脂，熱固化樹脂可為環氧樹脂或矽氧樹脂。在一實施例中，透光元件180為矽氧樹脂，矽氧樹脂的組成可根據所需的物理性質或光學性質的需求做調整。一實施例中，透光元件180含有脂肪 族的矽氧樹脂，例如，甲基矽氧烷化合物，並具有較大的延展性，較可以承受發光元件140產生的熱應力。另一實施例中，透光元件180含有芳香族的矽氧樹脂，例如，苯基矽氧烷化合物，並具有較大的折射率，可以提高發光元件140的光萃取效率。發光元件140的折射率與發光元件140出光面相鄰物質之材料的折射率相差越小，出光的角度越大，光萃取(light extraction)的效率可更加提升。在一實施例中，發光元件140出光面之材料為藍寶石(sapphire)，其折射率約為1.77，透光元件180之材料為含有芳香族的矽樹脂，其折射率則大於1.50。

第2A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置200中載板220的上視圖。第2B圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置200中載板以及連結結構的上視圖。第2C圖係顯示第2A圖及的2B圖中第一發光單元272及對應的第一區塊210及第一接點區240的示意圖。在一實施例中，第2A圖至第2C圖與第1A至第1D圖是相同的實施例，因此可以結合第1A至第1D圖來看。第2A圖至第2C圖也可與第1A至第1D圖不相同。在一實施例中，載板220包含上導電層，上導電層則包含第一接點區240、第二接點區260以及第三接點區280。在一實施例中，第一接點區240對應的是發光元件中的第一發光單元272。第二接點區260對應的是發光元件中的第二發光單元274。第三接點區280對應的是發光元件中的第三發光單元276。以第一發光單元272及對應的第一接點區240為例，在一實施例中，第一接點區240包含第一結合部242、第一頸部244、第二結合部246以及第二頸部248。同時參閱第2C圖，第一頸部244可沿伸自第一結合部242或是彼此相連接。第一結合部242可做為與第一發光單元272的一個接觸電極272-1主要的電性連接之部分。第一頸部244可連結到上 導電層的其他部分，作為與外部電性連接的橋樑。在一實施例中，第一結合部242與第一發光單元272中電極272-1的面積大小相同或相近。在一實施例中，第一結合部242與第一發光單元272中上述電極的面積的比值在0.8至1.2之間。此外，第一結合部242具有一寬度Wb大於第一頸部244的寬度Wn。在一實施例中，第一頸部244的寬度Wn與第一結合部242的寬度Wb的比值小於0.6。相似地，第二結合部246與第一發光單元272中另一接觸電極272-2的面積的比值在0.8至1.2之間。此外，第二頸部248的寬度Wn與第二結合部246的寬度Wb的比值小於0.6。在本文，結合部的寬度Wb及頸部的寬度Wn可指最大寬度。例如：結合部的形狀為圓形時，結合部的寬度Wb是指直徑。在一實施例中，第一結合部242與第二結合部246之間最近的距離小於100μm。在另一實施例中，第一結合部242與第二結合部246之間最近的距離小於50μm。

參閱第2B圖，在一實施例中，連結結構包含第一區塊210、第二區塊230以及第三區塊250。在一實施例中，同時參閱第2A圖，第一接點區240與第一發光單元272透過連結結構的第一區塊210連結。第一區塊210的第一電連結部214主要形成在第一結合部242上，並與第一發光單元272電性連接，且第二電連結部216主要形成在第二結合部246上，並與第一發光單元272的另一電極電性連接。第一保護部212包覆第一電連結部214以及第二電連結部216。此外，同時參閱第2A圖，在一實施例中，第一結合部242大致位於第一保護部212所圍繞的範圍內。在一實施例中，第一保護部212涵蓋的面積小於第一發光單元272。在另一實施例中，第一保護部212涵蓋的面積也可大於第一發光單元272或與第一發光單元272相近。

同時參閱第2A圖及第2B圖，第二發光單元274對應第二區塊230及第二接點區260。第二區塊230的第二保護部232、第三電連結部234以及第四電連結部236可分別與第一保護部212、第一電連結部214以及第二電連結部216的結構及功能相同或相似。第二接點區260的第三結合部262、第三頸部264、第四結合部266以及第四頸部248可分別與第一結合部242、第一頸部244、第二結合部246以及第二頸部248的結構及功能相同或相似。相似地，第三發光單元276對應第三區塊250及第三接點區280。第三區塊250的第三保護部252、第五電連結部254以及第六電連結部256可分別與第一保護部212、第一電連結部214以及第二電連結部216的結構及功能相同或相似。第三接點區280的第五結合部282、第五頸部284、第六結合部286以及第六頸部288可分別與第一結合部242、第一頸部244、第二結合部246以及第二頸部248的結構及功能相同或相似。

第3A圖為根據本發明另一實施例所揭露之發光裝置中第一發光單元372及對應的第一區塊310及第一接點區340的上視圖。第3B圖係顯示第3A圖所揭露的剖面圖。參閱第3A圖及第3B圖，與第2C圖不同之處，第一區塊310包含兩個保護部312、314。在一實施例中，接觸電極372-1第一接點區340的第一結合部342以及第一電連結部311皆被保護部312所包覆。第一頸部344則部分被保護部312所包覆。此外，接觸電極372-2、第二結合部346以及第二電連結部313皆被保護部314所包覆。第二頸部348則部分被保護部314所包覆。

第4圖為根據本發明另一實施例所揭露之發光裝置400中載板420的上視圖。在一實施例中，載板420包含上導電層，上導電層則包含第一接 點區440、第二接點區460以及第三接點區480。第一接點區440為例，與第2A圖不同之處在於，第一結合部442的寬度或面積比第一發光單元472的對應電極(圖未示)大。在一實施例中，第一結合部442的寬度大於第一發光單元472的其中之一寬度且第一頸部444的寬度小於第一結合部442的寬度。相似地，第二結合部446的寬度大於第一發光單元472的其中之一寬度且第二頸部448的寬度小於第二結合部446的寬度。在另一實施例中，第一結合部442的寬度大致等於第一發光單元472的其中之一寬度或略小於第一發光單元472的其中之一寬度。此外，第二發光單元474對應第二接點區460。第二接點區460的第三結合部462、第三頸部464、第四結合部466以及第四頸部468可分別與第一結合部442、第一頸部444、第二結合部446以及第二頸部448的結構及功能相同或相似。再者，第三發光單元476對應第三接點區480。第三接點區480的第五結合部482、第五頸部484、第六結合部486以及第六頸部488可分別與第一結合部442、第一頸部444、第二結合部446以及第二頸部448的結構及功能相同或相似。增加上導電層中結合部的面積，可減少因為連接結構中不同區塊的體積不同造成發光單元彼此之間高度不均或發光單元傾斜的現象。詳言之，當上導電層中結合部的面積較大時，各區塊內的電連結部會被攤平在結合部上並與發光單元的電極相連接。如此，即使兩個電連結部的體積不同，也不會造成太大的高度差異。

第5A至第5J為製作發光裝置100的流程圖。參照第5A圖，提供一載板。該載板包含一絕緣層522、一上導電層524以及一下導電層526。上導電層524及下導電層526分別具有多個接點。其中上導電層524的多個接點可與多個發光元件電性連接。在一實施例中，發光元件包含三個發光單元，每個 發光單元需2個接點對應，因此，上導電層524包含3*2*N個接點，N可以是大於1的整數。因為三個發光單元具有一個共同電極，因此下導電層526則包含4*N個接點。

參照第5B圖，將含有導電粒子(圖未示)的膠料561透過圖形化治具512形成在上導電層524上，並形成未固化區塊562’。圖形化治具512可以是鋼板(stencil)或網版。在一實施例中，未固化區塊562’形成的位置，是對應一個發光單元群所需電連接的位置，可以是一個發光單元的二個電極對應一個區塊。在另一實施例中，各個未固化區塊562’形成的位置是對應一個發光單元群中各個發光單元的各電極電連接的位置。此處所述發光單元群是指發出相同波長或相同顏色的發光單元。例如：皆是發出紅光波長的發光二極體，藍光波長的發光二極體或綠光的發光二極體。參照第5C圖，將第一發光單元群542與未固化區塊562’相連接並形成在上導電層524上。在一實施例中，發光單元群542形成在上導電層524上的方式是一個接一個的方式，因此發光單元542-1被先形成在上導電層524上再接續下一個發光單元。在另一個實施例中，可以是同一個發光單元群中的多個發光單元同時形成在上導電層524上。

參照第5D圖，在一實施例中，將多個發光單元群形成在同一個載板，各個發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2分別形成在上導電層524上的不同未固化區塊562’。在本圖示中，各發光單元群的數量為二，但不以此為限，可以是大於1的整數。

第5E圖及第5F圖分別表示連結結構中其中一個區塊在固化前後，與發光單元542-1以及載板520的細部結構圖。參照第5E圖，此時，未固化區塊562’中的導電粒子562’-2是分散在保護部562’-1內。保護部562’-1尚未固化， 因此為液態的狀態。在一實施例中，之後，在固化階段，保護部562’-1的黏度會先下降再上升，且導電粒子562’-2會聚集在發光單元542-1的電極542-1a、542-1b以及上導電層524之間或周遭。導電粒子562’-2在聚集中同時會經過熔融態。參照第5E圖，固化後，導電粒子562’-2形成電連結部562-2，且保護部562’-1形成固化的保護部562-1。在一實施例中，導電粒子562’-2尚有小部分未聚集到接觸電極542-1a、542-1b以及上導電層524之間或周遭，因此會有一小部分的導電粒子562’-2彼此分開地存在電連結部562-2之間。

接續5D圖，參照第5G圖，第一發光單元群542，第二發光單元群544以及第三發光單元群546與上導電層524之間的連結結構562皆為已固化及電性連接的狀態。在一實施例中，第一發光單元群542，第二發光單元群544、544以及第三發光單元群546是一併固化及電性連接。在另一實施例中，第一發光單元群542形成在上導電層524上後，可以將對應的未固化區塊562’先固化並電性連接。之後，再將第二發光單元群544形成在上導電層524上固化並電性連接。接著，將第三發光單元群546形成在上導電層524上固化並電性連接。參照第5H圖，將透光元件580’覆蓋第一發光單元群542，第二發光單元群544以及第三發光單元群546。在一實施例中，透光元件580’為連續地覆蓋第一發光單元群542，第二發光單元群544以及第三發光單元群546。透光元件580’的形成方式可以是塗佈或模具成形(molding)。在一實施例中，透光元件580’覆蓋第一發光單元群542，第二發光單元群544以及第三發光單元群546之後還包含固化步驟。

第5I圖及第5J圖表示將各發光裝置分離的步驟。在一實施例中，載板的絕緣層522與透光元件580’是分兩步驟分離。參照第5I圖，分離的步驟 (第一次分離)包含以切割工具532切割載板的絕緣層522並形成切割道。接著，參照第5J圖，分離的步驟(第二次分離)以切割工具534切割透光元件580’並形成發光裝置500-1、500-2。在另一實施例中，載板的絕緣層522與透光元件580’是分離順序也可以變動，先分離透光元件580’再分離載板的絕緣層522。在另一實施例中，也可一步驟同時分離載板的絕緣層522與透光元件580’，如此絕緣層522與透光元件580的側壁可以形成共平面。

第6A圖為根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置600的立體圖，第6B圖係顯示第6A圖中發光裝置600的上視圖，以及第6C圖係顯示第6A圖中發光裝置600的底視圖。發光裝置100包含一載板620、一發光元件640、一連結結構660及一透光元件680。在一實施例中，發光元件640形成在載板620之上，連結結構660位於載板620與發光元件640之間，且透光元件680覆蓋發光元件640以及連結結構660。載板620、發光元件640、連結結構660以及透光元件680的具體結構、作用及形成的方法可以參考第1圖及相應之段落。

與第1圖的不同之處，發光元件640只有一個發光單元，發出第一光線，且透光元件680包含波長轉換材料，波長轉換材料被第一光線激發後發出第二光線。在一實施例中，發光裝置600發出的光為至少兩種不同波長的混光且混光的顏色是白色。在一實施例中，發光元件640為藍光發光二極體晶粒，可經由電源提供一電力而發出第一光線，第一光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於430nm至490nm之間。於另一實施例中，發光元件640為紫光發光二極體晶粒，第一光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於400nm至430nm之間。透光 元件680中的波長轉換材料為波長轉換顆粒(圖未示)並分散在透明黏合劑(圖未示)中。

在一實施例中，波長轉換顆粒吸收第一光線(例如，藍光或UV光)後被激發出來的第二光線為黃光，其主波長或峰值波長介於530nm至590nm之間。另一實施例中，波長轉換顆粒吸收第一光線(例如，藍光或UV光)後被激發出來的第二光線為綠光，其主波長或峰值波長介於515nm至575nm之間。其他實施例中，波長轉換顆粒吸收第一光線(例如，藍光或UV光)後被激發出來的第二光線為紅光，其主波長或峰值波長介於600nm至660nm之間。

波長轉換顆粒可包含單一種類或多種的波長轉換顆粒。在一實施例中，波長轉換顆粒包含可發出黃光之單一種類或多種的波長轉換顆粒。另一實施例中，波長轉換顆粒包含可發出綠光及紅光之多種波長轉換顆粒。如此，除了發出綠光的第二光線外，還包含發出紅光的第三光線，並可與未被吸收的第一光線產生一混合光。在另一實施例中，第一光線完全或幾乎完全被波長轉換顆粒吸收。在本文中，「幾乎完全」係指混合光中位於第一光線峰值波長的光強度小於或等於在第二光線及/或第三光線峰值波長光強度的3%。

波長轉換顆粒的材料可包含無機的螢光粉(phosphor)、有機分子螢光色素(organic fluorescent colorant)、半導體材料(semiconductor)、或上述材料的組合。半導體材料包含奈米尺寸結晶體(nano crystal)的半導體材料，例如量子點(quantum-dot)發光材料。

參照第6B圖，發光裝置600中載板620的上導電層624部分被發光元件640所覆蓋且部分露出。此外，透光元件680覆蓋發光元件640以及露出 的上導電層624。參照第6C圖，發光裝置600中下導電層626包含兩個分開的導電墊。在一實施例中，其中一個導電墊具有一斜邊作為辨識用。

第7圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置700中載板720的上視圖。在一實施例中，第7圖與第6A至第6C圖是相同的實施例，因此可以結合第6A至第6C圖來看。在一實施例中，載板720包含上導電層，上導電層則包含接點區760。接點區760包含第一結合部762、第一頸部764、第二結合部766以及第二頸部768。在一實施例中，接點區760對應發光元件740。發光元件740覆蓋第一頸部764以及第二頸部768。接點區760的具體結構、作用及形成的方法可以參考第2A圖或第4圖及相應之段落。

第8圖為根據本發明一實施例所揭露之一顯示模組800。顯示模組800包含一載板820，例如一電路基板，以及多個發光裝置841、842、843。在一實施例中，多個發光裝置841、842、843是以陣列方式排列在載板820上並與載板820上的電路電性連接。在一實施例中，多個發光裝置841、842、843分別為一像素，具體結構可以是第1A至第1D圖的發光裝置。載板820表面具有一層吸光層(圖位示)，例如：黑色層，可提高顯示模組800在顯示影像時的對比。在一實施例中，在上視圖下，發光裝置841、842、843的形狀為矩形，例如，正方形，且尺寸在0.1mm至1.0mm之間。在另一實施例中，發光裝置841、842、843的尺寸在0.1mm至0.5mm之間。在一實施例中，發光裝置841、842、843之間的間距在0.2mm至2.0mm之間。在另一實施例中，發光裝置841、842、843的尺寸在0.5mm至1.2mm之間。在另一實施例中，多個發光裝置841、842、843分別為一白光光源，具體結構可以是第6A至第6C圖的發光裝置。

第9A圖為根據本發明一實施例所揭露之一顯示裝置900。顯示裝置900包含一載板920，多個顯示模組941、942、943、944、945、946、947、948、949形成在載板920上，一框架960圍繞多個顯示模組941、942、943、944、945、946、947、948、949，以及一面板蓋在顯示模組941、942、943、944、945、946、947、948、949以及框架960之上。在一實施例中，顯示模組941、942、943、944、945、946、947、948、949之間的間距可以非常接近，甚至是緊靠在一起。

第9B圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光模組900B。發光模組900B包含一載板910，多個發光裝置601、602形成在載板910上。發光裝置601包含發光元件640以及透光元件680。多個發光裝置601、602可以矩陣方式排列在載板910上，載板910表面具有線路層(圖未示)以與多個發光裝置601、602電性連結。在一實施例中，多個發光裝置601、602分別為一白光光源，具體結構可以是第6A至第6C圖的發光裝置。在一實施例中，發光模組900B作為顯示器中的背光模組。

第10A至第10J為製作一發光模組800的流程圖。在一實施例中，發光模組內的發光裝置的具體結構可參閱第1A圖。參照第10A圖，提供一載板。該載板包含一絕緣層1022、一上導電層1024以及一下導電層1026。上導電層1024及下導電層1026分別具有多個接點。值得注意的是，在設計上，下導電層1026的各導電墊的寬度大小可以比發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2的電極大，如此，在後續檢測步驟上將更容易。絕緣層1022、上導電層1024以及下導電層1026的具體說明書可以參考第5A圖及相應之段落。

參照第10B圖，將含有導電粒子(圖未示)的膠料1014透過圖形化治具1012的孔洞1012a、1012b形成在上導電層1024上，並形成未固化區塊562’。膠料1014、圖形化治具1012以及未固化區塊562’的具體說明可以參考第5B圖及相應之段落。參照第10C圖，將發光單元542-1、542-2與未固化區塊562’相連接並形成在上導電層1024上。發光單元542-1、542-2的作用及形成在上導電層1024上的方法可以參考第5C圖及相應之段落。參照第10D圖，將多個發光單元群形成在同一個載板上之後並對未固化區塊562’固化且形成電連結部562-2與與上導電層1024電性連接。在一實施例中，包含三個發光單元群。發光單元群的的具體說明可以參考第5B圖及相應之段落。

參照第10E圖，將發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2與上導電層1024電性連接後，可進行檢測步驟。在一實施例中，檢測步驟中是透過一檢測裝置檢測各發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2。檢測裝置包含一檢測板1031以及一感測元件1032以檢測各發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2是否滿足所需的性質並篩檢出不良品。檢測板1031可與下導電層1026電性連接。在一實施例中，下導電層1026的寬度或面積大於各發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2上電極的寬度或面積。如此，即使是小尺寸的發光單元542-1、544-1、546-1、542-2、544-2、546-2，依然可以較容易地透過檢測裝置檢測。檢測的性質可包含發光波長，發光強度或發光的色度座標。透過此檢測步驟，並篩檢出不良品，如此，可提高之後形成顯示模組800時的良率，因此可減少之後修補顯示模組800的步驟。

在一實施例中，當發光單元542-1在檢測後發現為不良品。參照第10F圖，發光單元542-1可從載板上被移除。在一實施例中，可以透過加熱減 少發光單元542-1與載板的接著強度再移除發光單元542-1。參照第10G圖，新的發光單元542-1’透過新的未固化區塊562’形成在原本發光單元542-1的位置。

參照第10H圖，將透光元件580’覆蓋第一發光單元542-1’、542-2，第二發光單元544-1、544-2以及第三發光單元546-1、546-2。透光元件580’的作用及形成的方法可以參考第5H圖及相應之段落。參照第10I圖，發光裝置的分離步驟(第一次分離)包含以切割工具532切割載板的絕緣層1022並形成切割道。接著，參照第10J圖，發光裝置的分離步驟(第二次分離)以切割工具534切割透光元件580’並形成發光裝置1001、1002。發光裝置分離的作用及形成的方法可以參考第5I及5J圖及相應之段落。

參照第10K圖，透過轉移的步驟，將多個已分離的發光裝置1001、1002、1003從一暫時性基板1031移到一目標基板1032並形成一顯示模組800。轉移的方式可以是一顆接一顆(one by one)或多個發光裝置1001、1002、1003一次移轉至目標基板1032。

第11A至第11I為製作一顯示模組800的流程圖。在一實施例中，顯示模組內的發光裝置的具體結構可參閱第6A圖。參照第11A圖，提供一載板。該載板包含一絕緣層1122、一上導電層1124以及一下導電層1126。上導電層1124及下導電層1126分別具有多個接點。絕緣層1122、上導電層1124以及下導電層1126的具體說明書可以參考第5A圖以及第10A圖及相應之段落。

參照第11B圖，將含有導電粒子(圖未示)的膠料1114透過圖形化治具1112的孔洞1112a、1112b形成在上導電層1124上，並形成未固化區塊1162’。膠料1114、圖形化治具1112以及未固化區塊1162’的具體說明可以參考第5B圖及相應之段落。參照第11C圖，將發光元件1141、1142、1143、 1144、1145、1146與未固化區塊1162’相連接並形成在上導電層1124上。發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146的作用及形成在上導電層1124上的方法可以參考第5C圖及相應之段落。參照第11D圖，將發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146形成在同一個載板上之後並對未固化區塊1162’固化且形成電連結部1162-2與上導電層1124電性連接。接著，將透光元件1180’覆蓋發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146。透光元件1180’的作用及形成的方法可以參考第5H圖及相應之段落。在一實施例中，覆蓋透光元件1180’之前可對各發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146進行檢測，以確認是否有不良品。

參照第11E圖，將已覆蓋透光元件1180’的發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146進行檢測步驟。檢測步驟的具體說明可以參考第第10E圖及相應之段落。在一實施例中，透光元件1180’包含波長轉換材料，因此，檢測到的資料是包含各發光元件1141、1142、1143、1144、1145、1146的光線以及波長轉換材料被激發的光線之混光。

參照第11F圖，發光裝置的分離步驟包含以切割工具1132切割載板的絕緣層1122以及透光元件1180’。透光元件1180’形成分離的透光元件1180。發光裝置分離的作用及形成的方法可以參考第51及5J圖及相應之段落。在一實施例中，分離步驟後形成的發光裝置1101、1102、1103、1104、1105、1106中，發光裝置1102於檢測後發現為不良品。參照第11G圖，在將發光裝置1101、1102、1103、1104、1105、1106形成在一暫時性載板1152上之後，發光裝置1102可從暫時性載板1152上被移除。在一實施例中，參照第11H圖，新的發光裝置1102’形成在原本發光裝置1102的位置以取代發光裝置1102。在另一實施例中，發光 裝置1102被移除後也可以不需再放置一個新的發光裝置，並形成一個缺口(圖未示)。

參照第111圖，透過轉移的步驟，將多個發光裝置1101、1102’、1103從一暫時性基板1151移到一目標基板1152並形成一顯示模組800。轉移的方式可以是一顆接一顆(one by one)或多個發光裝置1101、1102’、1103一次移轉至目標基板1152。

第12A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置1200的立體圖，第12B圖係顯示第12A圖中發光裝置1200的上視圖，以及第12C圖係顯示第12A圖中發光裝置1200的底視圖。發光裝置1200包含一載板1220、一發光元件1240、一連結結構1260及一透光元件1280。載板1220、發光元件1240、連結結構1260及透光元件1280的結構、作用、材料及製造方法可以參考發光裝置100相應之段落。

發光裝置1200與發光裝置100的差異至少包含載板1220的結構以及發光元件1240中發光單元1242、1244、1246的排列。在一實施例中，載板1220包含絕緣層1222、上導電層1224、一下導電層1226以及導電貫孔1228。上導電層1224細部的圖形化結構可參閱第12B圖。上導電層1224包含六個結合部(或三對上導電墊)及六個頸部(或六條走線)，每一對上導電墊中的兩個上導電墊彼此相鄰但分離。此外，每一對上導電墊分別對應一個發光單元1242、1244、1246。參閱第12B圖，在一實施例中，由下至上依序具有第一發光單元1242、第二發光單元1244以及第三發光單元1246，且各自對應一對上導電墊。第一發光單元1242、第二發光單元1244以及第三發光單元1246的排列是以三字形(或川字型)的方式排列。在一實施例中，上導電墊是以3X2矩陣排列以 對應發光單元1242、1244、1246的排列方式。此外，三個走線彼此互相平行，由上導電層1224的內部往同一個側邊(第一側邊)延伸。相似地，另三個走線彼此互相平行，由上導電層1224的內部往另一個側邊(第二側邊)延伸。

下導電層1226細部的圖形化結構可參閱第12C圖。在一實施例中，下導電層1226包含第一下導電墊1226a、第二下導電墊1226b、第三下導電墊1226c以及第四下導電墊1226d。下導電墊的材料及作用可參閱第1C圖相應之段落。參閱第12C圖，第一下導電墊1226a、第二下導電墊1226b及第三下導電墊1226c各具有一長邊以及一短邊。第四下導電墊1226d為共用電極，第四下導電墊1226d的形狀具有兩個凹部及三個凸部且三個凸部分別與第一下導電墊1226a、第二下導電墊1226b及第三下導電墊1226c相對。如此，發光裝置1200在後續與電路基板(未圖示)電性連接時，可增加電連結材料，例如焊料，在下導電層1226與電路基板之間的分布，避免立碑現象的產生。在一實施例中，導電貫孔1228具有六個，分別連結六條走線，以及分別位在載板1220的四個角落以及兩個邊的中間區域。這裡所說的兩個邊是指各三個走線所對應的邊。在一實施例中，發光裝置1200的尺寸中，發光裝置1200的邊長小於500微米，每一對上導電墊中的兩個上導電墊的間距小於100微米，且下導電墊1226a、1226b、1226c的短邊邊長小於150微米。

第13A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置1300的立體圖，第13B圖係顯示第13A圖中發光裝置1300的上視圖，以及第13C圖係顯示第13A圖中發光裝置1300的底視圖。發光裝置1300包含一載板1320、一發光元件1340、一連結結構1360及一透光元件1380。載板1320、發光元件1340、 連結結構1360及透光元件1380的結構、作用、材料及製造方法可以參考發光裝置100相應之段落。

發光裝置1300與發光裝置100的差異至少包含載板1320的結構以及發光元件1340中發光單元1342、1344、1346的排列。在一實施例中，載板1320包含絕緣層1322、上導電層1324、一下導電層1326以及導電貫孔1328。上導電層1324細部的圖形化結構可參閱第13B圖。上導電層1324包含六個結合部(或三對上導電墊)及六個頸部(或六條走線)。上導電墊以及發光元件1340的排列可參閱第12B圖相應之段落。與第12B圖的上導電層1224不同之處，至少包含有兩條走線作為連結兩個上導電墊之用。

下導電層1326細部的圖形化結構可參閱第13C圖。在一實施例中，下導電層1326包含第一下導電墊1326a、第二下導電墊1326b、第三下導電墊1326c以及第四下導電墊1326d。下導電墊1326a、1326b、1326c、1326d的結構、作用及材料可以參考第1C圖相應之段落。在一實施例中，導電貫孔1328具有四個，分別位在載板1320的四個角落。在一實施例中，發光裝置1300的尺寸中，發光裝置1300的邊長小於500微米，下導電墊1326a、1326b、1326c、1326d的間距小於200微米，且下導電墊1326a、1326b、1326c、1326d的的邊長小於200微米。

第14A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置1400的立體圖，第14B圖係顯示第14A圖中發光裝置1400的上視圖，以及第14C圖係顯示第14A圖中發光裝置1400的底視圖。發光裝置1400包含一載板1420、一發光元件1440、一連結結構1460及一透光元件1480。載板1420、發光元件1440、連 結結構1460及透光元件1480的結構、作用、材料及製造方法可以參考發光裝置100相應之段落。

發光裝置1400與發光裝置100的差異至少包含載板1420的結構以及發光元件1440中發光單元1442、1444、1446的排列。在一實施例中，載板1420包含絕緣層1422、上導電層1424、一下導電層1426以及導電貫孔1428。上導電層1424細部的圖形化結構可參閱第14B圖。上導電層1424包含六個結合部(或三對上導電墊)及六個頸部(或六條走線)。上導電墊以及發光元件1440的排列可參閱第12B圖相應之段落。與第12B圖的上導電層1224不同之處，至少包含其中的四個導電貫孔1428位於載板1420的邊上並非是位於角落。換言之，六個導電貫孔1428皆位於載板1420的邊上。

下導電層1426細部的圖形化結構可參閱第14C圖。在一實施例中，下導電層1426包含第一下導電墊1426a、第二下導電墊1426b、第三下導電墊1426c以及第四下導電墊1426d。下導電墊1426a、1426b、1426c、1426d的結構、作用及材料可以參考第12C圖相應之段落。與第12C圖的下導電層1226不同之處，至少包含第四下導電墊1426d具有一平坦的側邊。在一實施例中，發光裝置1400的尺寸中，發光裝置1400的邊長小於400微米，每一對上導電墊中的兩個上導電墊的間距小於80微米，且下導電墊1426a、1426b、1426c的短邊邊長小於100微米。

第15A圖顯示一發光裝置1500，發光裝置1500為前述發光裝置1200、1300、1400之簡化的上視示意圖，僅繪示載板1520與發光元件1540，其中載板1520代表前述實施例中的載板1220、1320、1420，未繪示如如第12B圖、第13B圖及第14B圖所示載板1220、1320、1420的細節，例如外型、上導電層及 絕緣層結構。發光元件1540所包含之發光單元1542、發光單元1544及發光單元1546的結構、作用、材料及製造方法可參考發光裝置1200、1300、1400相應之段落。

第15B圖顯示一顯示模組1000，顯示模組1000包含一目標基板1152及複數個發光裝置1500以陣列方式排放固定在目標基板1152上。每個發光裝置1500包含一個發光元件1540。每一個發光元件1540包含的發光單元1542、發光單元1544及發光單元1546。發光單元1542、發光單元1544及發光單元1546分別可發出紅光、藍光與綠光。發光元件1540因可以發出獨立的紅藍綠光，可做為顯示模組1000中的一個顯示像素。多個發光裝置1500排放固定在目標基板1152的方式包含一顆接一顆(one by one)或多個發光裝置1500一次排放固定在目標基板1152上。在X軸上(橫向)，相鄰兩個的發光裝置1500裡的兩顆發光單元1542、兩顆發光單元1544及兩顆發光單元1546之間的距離皆為d1；在Y軸上(縱向)，相鄰兩個的發光裝置1500裡的兩顆發光單元1542、兩顆發光單元1544及兩顆發光單元1546之間的距離亦皆為d1。距離d1係根據目標基板1152的尺寸以及顯示模組1000的解析度而決定。在X軸上，相鄰兩個的發光裝置1500之間具有一間距g1，在Y軸上，相鄰兩顆的發光裝置1500之間具有一間距g2。在一實施例中，間距g1及間距g2介於5μm到1000μm。較大的間距方便進行後續更換故障發光裝置1500的程序。在一般的使用狀況下，顯示模組1000的觀看者通常在X軸上(水平方向)改變觀看的位置，而較少在Y軸上(垂直方向)改變觀看的位置，因此顯示模組1000的X軸上(水平方向)上可觀看的視角θ 1要大，也就是發光元件1540在X軸上(水平方向)的發光角度要大且光強度分佈要平均。為了確保顯示模組1000在X軸的觀看角度θ 1範圍內，色彩差異減到最小，如第15B圖所 示，發光單元1542、發光單元1544及發光單元1546沿著X軸方向的發光強度分佈差異必須減少，或者發光強度分佈一致。

第15C圖顯示第15A圖中發光單元1542、發光單元1544及發光單元1546的發光角度的量測方法。分別沿著第15A圖中的虛線X1、虛線X2及虛線X3，量測發光單元1542、發光單元1544及發光單元1546上0度到180度各個角度的發光強度，其中，發光角度定義為最大發光強度之50%以上的光強度分佈角度。

在一實施例中，發光裝置1500中的發光單元分別為可發出紅藍綠光線的發光二極體晶粒(bare die)或雷射二極體晶粒。詳言之，發光單元1542為一紅光二極體晶粒；發光單元1544為一藍光二極體晶粒；發光單元1546為一綠光二極體晶粒。在一實施例中，參考第1D圖，紅光二極體晶粒係透過一結合層(bonding layer，圖未示)將承載基板142a與發光層142b連結，承載基板142a為氧化鋁基板，具有對紅光的折射率(Reflectivity)約1.8，發光層142b為砷化鎵(AlGaInP)系列化合物，具有對紅光的折射率(Reflectivity)大於2.8，當結合層材料為絕緣材料，例如氧化矽(SiOx)時，結合層具有對紅光的折射率介於1.4~1.5，小於承載基板142a及發光層142b的折射率，紅光二極體晶粒具有一發光角度介於125至130度之間。在另一實施例中，當結合層材料為導電氧化物時，例如折射率介於1.8~2之間的氧化鋅(ZnO)時，紅光二極體晶粒的發光角度介於125度至135度之間。在另一實施例中，當結合層材料為導電氧化物時，例如氧化鋅(ZnO)，且承載基板142a為具有凹凸表面的氧化鋁基板時，其中凹凸表面朝向發光層142b並與結合層直接接觸，紅光二極體晶粒的發光角度介於130度至140度之間。

參考第1D圖，藍光二極體晶粒與綠光二極體晶粒的發光層142b為氮化物系列材料，承載基板142a亦為磊晶成長基板，例如氧化鋁基板(或稱為 藍寶石基板)，因此發光層142b與承載基板142a之間不含結合層。藍光二極體晶粒與綠光二極體晶粒的發光層142b材料為氮化鎵(GaN)系列的材料，對於藍光及綠光的折射綠介於2.3~2.5之間，承載基板142a的材料為氧化鋁，對於藍光及綠光的折射綠介於1.7~1.8之間。在一實施例中，承載基板142a為具有凹凸表面的氧化鋁基板，其中凹凸表面朝向發光層142b，藍光二極體晶粒與綠光二極體晶粒具有一發光角度介於130度至140度之間。

第16A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置1600的立體圖。第16B圖係顯示第16A圖中發光裝置1600的上視圖。第16C圖及第16D圖係分別顯示第16A圖中發光裝置1600所包含之載板1620的上視圖及底視圖。發光裝置1600包含載板1620、4組發光元件1640A、1640B、1640C、1640D，藉由連結結構(圖未示)固定在載板1620上、以及一透光元件1680(透光元件可允許發光單元所發出的光線依一定比例通過，惟透光元件的外觀可以為透明、半透明、或不透明，例如，透光元件可以為白色、灰色、黑色。此段描述亦適用於本說明書中其他相同或類似元件。)，覆蓋在載板1620及發光元件1640A、1640B、1640C、1640D上。載板1620、發光元件1640A~1640D、連結結構及透光元件1680的結構、作用、材料及製造方法可以參考前述描述發光裝置1200、1300、1400之段落。

如第16B圖所示，在一實施例中，4組發光元件1640A、1640B、1640C、1640D分別位於載板1620的4個角落，每一組發光元件1640A、1640B、1640C、1640D具有相同的元件配置方式，由下至上依序為第一發光單元1642、第二發光單元1644以及第三發光單元1646，其中，第一發光單元1642、第二發光單元1644以及第三發光單元1646的排列是以三字形(或川字型)的方式排列。

如第16B圖所示，軸線1642AX與軸線1642BX平行於X軸，軸線1642AX通過發光元件1640A與發光元件1640C的第一發光單元1642的中心點，軸線1642BX通過發光元件1640B與發光元件1640D的第一發光單元1642的中心點。兩軸線1642AX、1642BX之間具有一距離W1，同理，在發光元件1640A與發光元件1640B之間或在發光元件1640C與發光元件1640D之間，兩相同的第二發光單元1644或兩相同的第三發光單元1646的中心點之間的距離亦為距離W1。軸線1642AY與軸線1642CY平行於Y軸，軸線1642AY通過發光元件1640A與發光元件1640B中的第一發光單元1642、第二發光單元1644以及第三發光單元1646的中心點，軸線1642CY通過發光元件1640C與發光元件1640D中的第一發光單元1642、第二發光單元1644以及第三發光單元1646的中心點，兩軸線1642AY、1642CY之間具有一距離W2。在一實施例中，距離W1與距離W2相同。

如第16A圖所示發光裝置1600的立體圖及第16D圖所示載板1620的底視圖所示，載板1620包含絕緣層1622、上導電層1624、導電貫孔1628、以及下導電層1626(如第16D圖所示)，其中下導電層1626包含複數個共同電極1626d、1626d1。上導電層1624的細部結構可參閱第16C圖。在一實施例中，上導電層1624包含4個黏結區域1624A、1624B、1624C、1624D分別對應發光元件1640A、1640B、1640C、1640D(如圖中虛線所示區域)，每一個黏結區域1624A、1624B、1624C、1624D中包含六個結合部(或三對上導電墊1624P1、1624P2)及六個頸部(或六條走線)。每一對上導電墊1624P1、1624P2中，兩個上導電墊1624P1、1624P2彼此分離且具有一間距P小於80μm。此外，每一對上導電墊分別對應一個發光單元。在一實施例中，上導電層1624及下導電層1626的材料包含金屬，例如：銅、錫、鋁、銀、鈀、金或其疊層。在一實施例中，上導電 層1624的材料包含金與鈀的疊層，且不含鎳。因為如第17A圖所示，當兩相鄰上導電墊1624P1、1624P2之間的距離D小於40μm時，鍍鎳層在一般環境下容易發生電路板微短路現象(CAF；Conductive Anodic Filament)，導致兩相鄰上導電墊1624P1、1624P2之間形成一導電的架橋1624bri，使上導電墊1624P1、1624P2之間發生短路的情況。在一實施例中，當上導電層1624的材料包含銅、金與鈀，且不含鎳時，如第17B圖所示，當兩相鄰上導電墊1624P1、1624P2之間的距離D小於40μm時(例如：30.85μm)，兩相鄰上導電墊1624P1、1624P2之間不會發生短路的情況。

如第16C圖所示，複數個導電貫孔1628包含2個共同導電貫孔1628c及6個共同導電貫孔1628d。2個共同導電貫孔1628c分別位於兩黏結區域1624A、1624B之間及兩黏結區域1624C、1624D之間。6個共同導電貫孔1628d散佈在兩黏結區域1624A、1624C之間及兩黏結區域1624B、1624D之間。黏結區域1624A、1624B中所有的上導電墊1624P1藉由走線電連接到左側的共同導電貫孔1628c。黏結區域1624C、1624D中所有的上導電墊1624P1藉由走線電連接到右側的共同導電貫孔1628c。左右兩側的共同導電貫孔1628c在未接續至其他導電體時彼此電性絕緣。左右兩側的共同導電貫孔1628c藉由絕緣層1622中的導電層分別連接到下導電層1626[沒有一樣的標號已修正][請修正已修正]中位於相對位置的共同電極1626d1及其中一個共同電極1626d，如第16D圖所示。

如第16C圖所示，\黏結區域中相同標號的一對上導電墊或者連接相同顏色二極體的一對上導電墊會接到共同的導電貫孔，黏結區域1624A、1624C中的6個上導電墊1624P2，與黏結區域1624B、1624D中的6個上導電墊1624P2，由上而下，藉由走線分別電連接到一共同導電貫孔1628d。例如，黏結區域1624A 中的上導電墊1624P21與黏結區域1624C中的上導電墊1624P21藉由走線電連接到一共同導電貫孔1628d。同理，黏結區域1624A、1624B、1624C、1624D其他的上導電墊1624P22與上導電墊1624P23分別連結到一共同導電貫孔1628d，且每個共同導電貫孔1628d之間電性絕緣。6個共同導電貫孔1628d藉由絕緣層1622中的導電層分別連接到下導電層1626的另外6個共同電極1626d，如第16D圖所示，)。

如第16B圖及第16D圖所示，藉由提供電源給其中一個電連接到共同導電貫孔1628C的共同電極1626d及其中一個電連接到共同導電貫孔1628d的共同電極1626d，可將發光元件1640A、1640B、1640C、1640D其中一組中的一顆發光單元(第一發光單元1642、第二發光單元1644以及第三發光單元1646)點亮。亦即，藉由選定被供電的共同電極1626d，可獨立控制任何一顆第一發光單元1642、第二發光單元1644以及第三發光單元1646。在一實施例中，複數個共同電極1626d、1626d1其中之一的形狀異於其他的共同電極1626d、1626d1。例如，本實施例中，共同電極1626d1的形狀為方形，異於其他為圓形的共同電極1626d，用於後續黏著發光裝置1600在另一電路板上時，分辨發光裝置1600上發光單元1642、第二發光單元1644以及第三發光單元1646的排列順序及排列方向。

第18A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置1700的立體圖。第18B圖係顯示第18A圖中發光裝置1700的載板1720之上視圖。第18C圖顯示載板1720的底視圖。發光裝置1700包含載板1720、4組發光元件1740A、1740B、1740C、1740D藉由連結結構(圖未示)固定在載板1720上，以及一透光元件1780覆蓋在載板1720及發光元件1740A、1740B、1740C、1740D上。載板1720、發光 元件1740A、1740B、1740C、1740D、連結結構及透光元件1780的結構、作用、材料及製造方法可以參考發光裝置1200、1300、1400相應之段落。

如第18B、18C圖顯示，發光裝置1700與發光裝置1600的差異在於載板1720的走線設計、共同導電貫孔1728的位置以及下導電層1726包含複數個共同電極1726d、1726d1外觀。如第18B圖所示，複數個導電貫孔1728包含2個共同導電貫孔1728c以及6個共同導電貫孔1728d。2個共同導電貫孔1728c分別位於靠近黏結區域1724B及黏結區域1724D的角落。6個共同導電貫孔1728d分成兩組，分別散佈在黏結區域1724A、1724C之間及黏結區域1724B、1724D之間。黏結區域1724A、1724B、1724C、1724D中的上導電墊藉由不同於發光裝置1600的走線分別連接到共同導電貫孔1728c、1728d，其連接方式可以採用與發光裝置1600相似的手法。

如第18C圖所示，下導電層1726中，共同電極1726d1的形狀異於其他的共同電極1726d。例如，本實施例中，共同電極1726d1的形狀為方形，異於其他圓形的共同電極1726d，以利於後續黏著發光裝置1700在另一電路板上時，分辨發光裝置1700上發光單元1742、第二發光單元1744以及第三發光單元1746的方向。

第19A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置1800的立體圖。第19B圖顯示發光裝置1800之載板1820的底視圖。發光裝置1800包含載板1820、4組發光元件1840A、1840B、1840C、1840D藉由連結結構(圖未示)固定在載板1820上，以及一透光元件1880覆蓋在載板1820及發光元件1840A、1840B、1840C、1840D上。載板1820、發光元件1840A、1840B、1840C、連結 結構及透光元件1880的結構、作用、材料及製造方法可以參考發光裝置1200、1300、1400相應之段落。

如第19A、19B圖顯示，發光裝置1800與發光裝置1600、1700的差異在於載板1820上的走線設計、共同導電貫孔1828的位置以及下導電層1826包含的複數個共同電極1826d、1826d1的外觀，差異僅在於外觀的不同，其餘功能皆相同。

第20圖顯示一顯示模組2000，顯示模組2000包含一目標基板1152及複數個發光裝置1900以陣列型態固定在目標基板1152上，發光裝置1900可選用前述發光裝置1600、1700、1800。顯示模組2000與顯示模組1000的差異在於發光裝置1900包含4組可發紅光、藍光及綠光的發光元件1940A、1940B、1940C、1940D，發光元件1940A、1940B、1940C、1940D皆可為顯示模組2000中的一個像素。由於發光裝置1900包含4組發光元件，當製作具有相同解析度的顯示裝置時，將發光裝置1900排放固定在目標基板1152上的次數，為將發光裝置1500排放固定在目標基板1152上的次數的1/4，可以減少製程時間。

前述揭露的發光裝置1600、1700、1800包含4組發光元件排列成2X2的陣列，亦可包含3X3陣列、4X4陣列等，以減少後續發光裝置排放固定在目標基板上的製程時間。在其他的實施例中，發光裝置包含4X3陣列、3X2陣列或16X9陣列…等，根據顯示模組設計的顯示比例做調整。

第21圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置2100的立體圖。發光裝置2100與發光裝置1600、1700、1800結構大致相同，其中載板2120、發光元件2140A、2140B、2140C、2140D、連結結構(圖未示)及透光元件2180的結構、作用、材料及製造方法可以參考發光裝置1600、1700、1800相應之段落。 發光裝置2100與發光裝置1600、1700、1800的差異在於發光裝置2100包含一遮光層2190位於載板2120上並覆蓋發光元件2140A~2140D之間的上導電層2124及導電貫孔(圖未示)，露出發光元件2140A~2140D及其周圍一小部分的上導電層2124，遮光層2190為深色不透光的絕緣層，例如摻雜黑粉的絕緣膠，遮光層2190的作用在於減少上導電層2124及導電貫孔反射外界的光線，當發光裝置2100應用在前述第20圖顯示的顯示模組2000中發光裝置1900時，可提高顯示模組2000的對比度。

以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

100:發光裝置

120:載板

122:絕緣層

124:上導電層

126:下導電層

140:發光元件

142:第一發光單元

144:第二發光單元

146:第三發光單元

160:連結結構

162:第一區塊

164:第二區塊

166:第三區塊

180:透光元件

Claims (10)

1. 一種發光裝置，包含：一載板，包含一絕緣層、一上導電層位於該絕緣層上、複數個導電貫孔穿透該絕緣層以及一下導電層位於該絕緣層下；四或更多個發光元件，排列成一陣列，並倒裝在該載板上；一透光元件，形成在該載板上，並覆蓋該四或更多個發光元件；以及一遮光層，位於該載板上，覆蓋該上導電層以及該複數個導電貫孔，其中，在一上視圖中，該遮光層為十字型；其中，該四或更多個發光元件各包含一第一發光單元、一第二發光單元發以及一第三發光單元，該第一發光單元、該第二發光單元發以及該第三發光單元發出不同主波長的色光，其中，該複數個導電貫孔位於該四或更多個發光元件之間的區域上。
2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該陣列包含一行及一列，在該行中的兩相鄰的該第一發光單元以一第一距離分隔，在該列中的兩相鄰的該第一發光單元以一第二距離分隔，且該第一距離與該第二距離大體上相同。
3. 如申請專利範圍第2項之發光裝置，其中，在該行中的兩相鄰的第二發光單元以一第三距離分隔，且該第三距離與該第一距離大體上相同。
4. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該上導電層包含四或更多組的三對上導電墊以對應該四或更多個發光元件，且該三對上導電墊中任一對上導電墊之間的距離等於或大於40μm。
5. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該下導電層包含外觀上具有相同形狀的複數個共同電極。
6. 如申請專利範圍第5項之發光裝置，其中，該上導電層包含複數個上導電墊，該複數個上導電墊通過該多個導電貫孔電連接至該多個共同電極。
7. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，在每一該四或更多個發光元件中，該第一發光單元電連接至該複數個導電貫孔中的一導電貫孔，該第二發光單元電連接至該複數個導電貫孔中的另一導電貫孔。
8. 如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中，該導電貫孔與該另一導電貫孔彼此絕緣。
9. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該遮光層為混有黑色顆粒的絕緣膠。
10. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該透光元件覆蓋該載板以及該遮光層。

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