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TWI810911B - 用於傳輸撓性基板的輥、真空處理設備及其方法 - Google Patents

用於傳輸撓性基板的輥、真空處理設備及其方法 Download PDF

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TWI810911B
TWI810911B TW111115784A TW111115784A TWI810911B TW I810911 B TWI810911 B TW I810911B TW 111115784 A TW111115784 A TW 111115784A TW 111115784 A TW111115784 A TW 111115784A TW I810911 B TWI810911 B TW I810911B
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湯瑪仕 迪比許
史帝芬 班傑
克萊爾 阿姆斯壯
法蘭克 斯可那潘布格
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

描述了一種用於傳輸撓性基板（10）的輥（100）。輥（100）包括主體（101），具有提供在主體（101）的外表面（102）中的複數個氣體供應狹縫（103）。複數個氣體供應狹縫（103）在輥（100）的中心旋轉軸線（111）的方向上延伸。此外，輥（100）包括周向地圍繞主體（101）而提供並與主體（101）接觸的套筒（104）。套筒（104）具有複數個氣體出口（105），提供在複數個氣體供應狹縫（103）上方。此外，套筒（104）包括嵌入隔離材料內的金屬層（106）。

Description

用於傳輸撓性基板的輥、真空處理設備及其方法
本揭露書的實施例關於用於傳輸撓性基板的輥。此外，本揭露書的實施例關於使用輥對輥處理用於撓性基板處理的設備和方法，尤其是，藉由薄層塗佈撓性基板。特別是，本揭露書的實施例關於在用於藉由層的堆疊來塗佈撓性基板（如，用於薄膜太陽能電池生產、薄膜電池生產或撓性顯示器生產）的設備和方法中的傳輸撓性基板的輥。
撓性基板（諸如塑膠膜或箔）的處理在封裝產業、半導體產業和其他產業中有高度需求。處理可由藉由材料（諸如金屬、半導體和介電材料）塗佈撓性基板、蝕刻和對各個應用的基板實施的其他處理動作組成。執行此任務的系統通常包括塗佈滾筒（如，圓柱輥），與帶有輥組件的處理系統耦接，用於傳輸基板，並在其上將基板的至少一部分塗佈。
例如，可將塗佈處理（諸如CVD處理、PVD處理或蒸發處理）用於將薄層沉積到撓性基板上。輥對輥沉積設備可理解為，相當長的撓性基板（諸如一公里或更長）從供應線軸展開、藉由薄層堆疊塗佈並再次捲繞到捲繞捲軸上。特別是，在製造薄膜電池（如，鋰電池）、顯示產業和光伏（PV）產業中，輥對輥沉積系統是備受關注的。例如，對撓性觸控面板元件、撓性顯示器和撓性PV模組的需求不斷增長，導致對在輥對輥塗佈器中沉積合適層的需求不斷增長。
為了在撓性基板上實現高品質的塗層，必須掌握關於撓性基板傳輸的各種挑戰。例如，在處理真空條件下移動撓性基板期間，提供合適的基板張力以及良好的基板對輥的接觸和基板冷卻仍然具有挑戰性。
因此，存在有對改進的基板傳輸輥、改進的輥對輥處理設備及其方法的持續需求。
鑑於上述情況，提供了根據獨立項的一種用於傳輸撓性基板的輥、一種用於處理撓性基板的真空處理設備、一種製造用於引導撓性基板的輥的方法、一種處理撓性基板的方法及一種製造塗佈撓性基板的方法。進一步的態樣、優點和特徵從附屬項、實施方式和附隨的圖式為顯而易見的。
根據本揭露書的一態樣，提供了一種用於傳輸撓性基板的輥。輥包括主體，具有提供在主體的外表面中的複數個氣體供應狹縫。複數個氣體供應狹縫在輥的中心旋轉軸線的方向上延伸。此外，輥包括周向地圍繞主體而提供並與主體接觸的套筒。套筒具有複數個氣體出口，提供在複數個氣體供應狹縫上方。此外，套筒包括嵌入隔離材料內的金屬層。
根據本揭露書的另一態樣，提供了一種用於傳輸撓性基板的輥。輥包括主體，具有提供在主體的外表面中的複數個氣體供應狹縫。複數個氣體供應狹縫在輥的中心旋轉軸線的方向上延伸。此外，輥包括周向地圍繞主體而提供並與主體接觸的套筒。套筒包括具有複數個氣體出口的複數個隔離材料的插入物。複數個氣體出口提供在複數個氣體供應狹縫上方。
根據本揭露書的進一步態樣，提供了一種用於處理撓性基板的真空處理設備。真空處理設備包括處理腔室，包括具有至少一個沉積單元的複數個處理單元。此外，真空處理設備包括根據於此所述的任何實施例的輥，用於引導撓性基板通過複數個處理單元。特別地，輥連接到電位施加裝置。
根據本揭露書的另一個態樣，提供了一種製造用於引導撓性基板的輥的方法。方法包括以下步驟：藉由使用雷射鑽孔而產生具有複數個氣體出口的套筒。套筒包括嵌入隔離材料內的金屬層和隔離材料的複數個插入物的至少一個。此外，方法包括以下步驟：提供周向地圍繞輥的主體並與輥的主體接觸的套筒，輥具有提供在主體的外表面中的複數個氣體供應狹縫，使得複數個氣體出口佈置在複數個氣體供應狹縫上方。
根據本揭露書的進一步的態樣，提供了一種處理撓性基板的方法。方法包括以下步驟：使用根據於此所述的任何實施例的用於傳輸撓性基板的輥來引導撓性基板通過一個或多個處理單元。此外，方法包括以下步驟：藉由通過輥的複數個氣體出口提供氣體到撓性基板來控制撓性基板的溫度。
根據本揭露書的另一個態樣，提供了一種製造塗佈撓性基板的方法。方法包括以下步驟：使用根據於此所述的任何實施例的輥、根據於此所述的任何實施例的真空處理設備及根據於此所述的任何實施例的處理撓性基板的方法的至少一個。
實施例還涉及用於實施所揭露方法的設備，並包括用於執行每個描述方法態樣的設備零件。這些方法態樣可藉由硬體部件、由適當軟體程式化的電腦、藉由兩者的任何結合，或以任何其他方式執行。此外，根據本揭露書的實施例還涉及用於操作所述的設備的方法。用於操作所述的設備的方法包括用於實施設備的每個功能的方法態樣。
現在將詳細參照本揭露書的各種實施例，其中一個或多個示例在圖式中進行了說明。在以下的圖式的實施方式中，相同的元件符號指代相同部件。僅描述了關於個別實施例的差異。每個示例都是藉由解釋本揭露書的方式提供的，並不意味作為本揭露書的限制。此外，顯示或描述為一個實施例的一部分的特徵可使用在其他實施例上或與其他實施例結合使用，以產生進一步的實施例。實施方式意欲包括這種修改和變化。
示例性參照第1A到1C圖，描述了根據本揭露書的用於傳輸撓性基板10的輥100。根據可與於此所述的任何其他實施例結合使用的實施例，輥100包括主體101，具有複數個氣體供應狹縫103。複數個氣體供應狹縫103提供在主體101的外表面102中。此外，複數個氣體供應狹縫103在輥100的中心旋轉軸線111的方向上延伸。此外，輥100包括周向地圍繞主體101而提供並與主體101接觸的套筒104。套筒104包括複數個氣體出口105，提供在複數個氣體供應狹縫103上方。特別地，如第1B和1C圖所示例性地顯示，複數個氣體出口105直接提供在複數個氣體供應狹縫103上方。更具體地，通常地，具有複數個氣體出口105的套筒104的內表面104I與具有複數個氣體供應狹縫103的主體101的外表面102接觸。因此，複數個氣體出口105的每個氣體出口都在複數個氣體供應狹縫103的相應氣體供應狹縫上方提供。
通常，複數個氣體出口105在徑向方向R上延伸。此外，套筒包含嵌入隔離材料11內的金屬層106。
因此，與習知技術相比，有利地提供了一種用於傳輸撓性基板的改進的輥。特別地，於此所述的輥的實施例提供了在輥和撓性基板之間採用靜電相互作用以便增加接觸壓力的可能性，特別是結合撓性基板的氣體冷卻。此外，由於可增加在輥和撓性基板之間的接觸壓力，因此可使用更高的氣體壓力來冷卻基板，從而改善冷卻效率。此外，如於此所述的輥的實施例的特定配置（如，為輥的外表面提供有隔離材料）意味著可避免不利影響，諸如由向輥施加電位而引起的漏電或電弧。
在更詳細地描述了本揭露書的各種進一步的實施例之前，解釋了關於於此所使用的一些術語的一些態樣。
在本揭露書中，可將「輥」理解為具有用於接觸撓性基板的基板支撐面的滾筒或輥。表述方式「用於接觸撓性基板的基板支撐面」可理解為輥的外表面（如，如於此所述的套筒的外表面）配置為用於在撓性基板的引導或傳輸期間接觸撓性基板。通常，支撐表面是輥的彎曲外表面，尤其是圓柱外表面。因此，通常地，輥可繞著旋轉軸線旋轉，並包括基板引導區域。通常，基板引導區域是輥的彎曲的基板支撐表面（如，圓柱形對稱表面）。在引導撓性基板期間，輥的彎曲基板支撐表面可適以（至少部分）與撓性基板接觸。基板引導區域可界定為輥的角度範圍，其中基板在基板的引導期間與彎曲基板支撐面接觸，並且可對應於輥的纏繞（enlacement）角度。例如，輥的纏繞角度可為120°或更多，尤其是180°或更多，或甚至270°或更多。根據可與於此所述的其他實施例結合使用的一些實施例，輥100是圓柱形的，並具有0.5m≤L≤8.5m的長度L。此外，輥100可具有1.0m≤D≤3.0m的直徑D。因此，輥有利地配置用於引導和傳輸具有較大寬度的撓性基板。
在本揭露書中，「撓性基板」可理解為可彎曲的基板。例如，「撓性基板」可為「箔」或「腹板」。在本揭露書中，可同義使用術語「撓性基板」和術語「腹板」。例如，於此所述的撓性基板可由類似PET、HC-PET、PE、PI、PU、TaC、OPP、BOOP、CPP、一種或多種金屬（如，銅）、紙、其結合及已經塗佈的基板（類似硬塗佈PET（如，HC-PET、HC-TAC））及類似者的材料製成，或包括PET、HC-PET、PE、PI、PU、TaC、OPP、BOOP、CPP、一種或多種金屬（如，銅）、紙、其結合及已經塗佈的基板（類似硬塗佈PET（如，HC-PET、HC-TAC））及類似者的材料。在一些實施例中，撓性基板是在其兩側上提供有索引匹配（IM）層的COP基板。例如，基板厚度可為1µm或以上及1mm或以下，特別是500µm或以下，或甚至200µm或以下。基板寬度W S可為0.3m≤W≤8m。基板可為透明的或非透明的基板。
在本揭露書中，輥的「主體」可理解為圓柱形主體，尤其是固體材料的圓柱形殼體。通常，主體是由具有高導熱率λ的材料製成，尤其是λ≥50W/（m∙K），更尤其是λ≥100W/（m∙K）。例如，主體可由包括銅（諸如銅合金）的材料製成。特別是，主體可由銅製成。可理解的是，主體可替代地由具有高導熱率λ的任何其他合適的材料製成。
在本揭露書中，可將「氣體供應狹縫」理解為配置用於向於此所述的複數個氣體出口供應氣體的狹縫。特別地，通常，如於此所述的「氣體供應縫」提供在主體的外表面，並平行於輥的中心旋轉軸線。通常，輥的中心旋轉軸線對應於主體的中心旋轉軸線。此外，通常，如於此所述的「氣體供應狹縫」連接到氣體供應器。根據可與於此所述的其他實施例結合的實施例，可從在下限d GL和上限d GU之間的範圍中選擇在圓周方向上的氣體供應狹縫之間的距離d G，亦即d GL≤d G≤d GU。距離d G在第1E圖中示例地指出。下限d GL可為d GL=4mm，尤其是d GL=6mm，更尤其是d GL=8mm。上限d GU可為d GU=10mm，尤其是d GU=12mm，更尤其是d GU=15mm。例如，距離D G可為10mm。
在本揭露書中，可將「套筒」理解為與於此所述的主體的外表面接觸的套筒。因此，套筒可為周向地圍繞主體提供並與主體接觸的殼。通常，在撓性基板的傳輸期間，套筒至少部分地與撓性基板接觸。特別地，套筒可提供如於此所述的基板支撐表面。通常，套筒由金屬片製成。套筒可具有從在下限T L和上限T U之間的範圍選擇的厚度T，亦即T L≤T≤T U。下限T L可為T L=0.5mm，尤其是T L=1.0mm，更尤其是T L=1.5mm。上限T U可為T U=2.0mm，尤其是T U=2.5mm，更尤其是T U=3.0mm。
在本揭露書中，可將「氣體出口」理解為配置用於在藉由於此所述的輥的傳輸基板的期間向撓性基板提供氣體的出口。因此，於此所述的氣體出口可理解為氣體排放孔。根據本揭露書的氣體出口的出口直徑D out可從在下限D L和上限D U之間的範圍選擇，亦即D L≤D out≤D U。下限D L可為D L=30µm，尤其是D L=40µm，更尤其是D L=60µm。上限D U可為D U=150µm，尤其是D U=100µm，更尤其是D U=80µm。通常，於此所述的氣體出口是藉由使用雷射鑽孔方法創建的。雷射鑽孔也可稱為雷射點火（laser firing）。通常，如於此所述的「氣體出口」具有圓柱內表面，其內徑對應於於此所述的氣體出口的出口直徑D out。換句話說，如於此所述的「氣體出口」可理解為沿著出口軸線（通常在徑向方向上延伸）的恆定出口直徑D out的圓柱出口。
根據可與於此所述的其他實施例結合的實施例，在圓周方向上的相鄰氣體出口之間的距離d C可從在下限d CL和上限d CU之間的範圍選擇，亦即d CL≤ d C≤d CU。下限d CL可為d CL=4mm，尤其是d CL=6mm，更尤其是d CL=8mm。上限d CU可為d CU=10mm，尤其是d CU=12mm，更尤其是d CU=15mm。例如，距離d C可為10mm。在圓周方向上的相鄰氣體出口105之間的距離d C在第1C圖中示例性地指出。通常，距離d C是在相鄰的氣體出口105的中心軸線之間的距離，如第1C圖所示。因此，通常，在相鄰的氣體供應狹縫103之間的距離d G是相鄰氣體供應狹縫103的中心軸線之間的距離。特別地，如第1C圖所示例性地顯示，距離d G可基本上對應於d C，亦即dG=dC。術語「基本上對應」可理解為由於輥的曲率對在dG和dC之間的差異產生的效果可被忽略，因為輥的直徑D遠大於在相鄰的氣體供應狹縫之間的距離dG以及在圓周方向上的相鄰氣體出口之間的距離dC，亦即D>>dC且D>>dG。因此，確切地說，在相鄰氣體出口105的中心軸線之間的角度可與在相鄰氣體供應狹縫的中心軸線之間的角度相同。如第1B圖所示例性地顯示，通常在圓周方向上的氣體出口105的數量對應於氣體供應狹縫103的數量。替代地，在圓周方向上的氣體出口的數量可為氣體供應狹縫的數量的任何整數倍。
根據可與於此所述的其他實施例結合的實施例，在軸向方向上的相鄰氣體出口之間的距離dA可從在下限dAL和上限dAU之間的範圍選擇，亦即dAL
Figure 111115784-A0305-02-0013-1
Figure 111115784-A0305-02-0013-2
dA
Figure 111115784-A0305-02-0013-3
dAU。下限dAL可為dAL=4mm，尤其是dAL=6mm，更尤其是dAL=8mm。上限dAU可為dAU=10mm，尤其是dAU=12mm，更尤其是dAU=15mm。例如，距離dA可為10mm。
根據可與於此所述的其他實施例結合的實施例，在圓周方向上的相鄰氣體出口之間的距離dC對應於在軸向方向上的相鄰氣體出口之間的距離dA，亦即dC=dA。換句話說，於此所述的複數個氣體出口可規則地分佈在套筒中。
在本揭露書中，「嵌入隔離材料中的金屬層」可理解為被隔離材料包圍的金屬層。例如，金屬層可具有選自在下限T ML和上限T MU之間的範圍的厚度T M，亦即T ML≤T M≤TMU。下限T ML可為T ML=10µm，尤其是T ML=20µm，更尤其是T ML=30µm。上限T MU可為T MU=200µm，尤其是T MU=150µm，更尤其是T MU=100µm。
應當理解，嵌入如於此所述的隔離材料內的金屬層可用作靜電夾盤。通常，可將靜電夾盤理解為配置用於提供靜電電荷的裝置，用於藉由靜電力保持基板。因此，靜電夾盤配置為提供用於保持撓性基板與輥的彎曲表面接觸的吸引力。因此，可進一步改善在撓性基板和輥之間的恆定和同質接觸力。
在本揭露書中，「隔離材料」可理解為電隔離材料。因此，「隔離材料」可理解為非導電材料，如具有非常低的導電率或可忽略不計的導電率。例如，隔離材料可為陶瓷材料或聚合材料。
示例性參照第2圖，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，套筒104包括隔離頂層107和內隔離套筒104I。如第2圖所示，金屬層106可提供在隔離頂層107和內隔離套筒104I之間。特別地，金屬層106可提供在隔離頂層107下方。更具體地，金屬層106可直接提供在隔離頂層下方。因此，金屬層106可與隔離頂層接觸。此外，金屬層106可提供在內隔離套筒104I的頂部。特別地，金屬層106可直接提供在內隔離套筒104I的頂部上。因此，金屬層106可與內隔離套筒104I接觸。
如第2圖示例性地顯示，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，複數個氣體出口105延伸穿過隔離頂層107和內隔離套筒104I。因此，氣體出口的內壁提供有隔離材料11，亦即隔離頂層107的隔離材料和內隔離套筒104I的隔離材料。換句話說，氣體出口的內壁可由隔離材料組成。應當理解，隔離頂層107和內隔離套筒104I由隔離材料11組成。
示例性參照第3圖，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，套筒104包括提供在內金屬套筒104M上的外隔離層108。金屬層106嵌入外隔離層108內。應理解，外隔離層108由隔離材料11組成。如第3圖所示例性地顯示，複數個氣體出口105延伸穿過外隔離層108和內金屬套筒104M。因此，氣體出口的內壁提供有外隔離層108的隔離材料和內金屬套筒104M的材料。
根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，金屬層106連接到電位施加裝置140，如第2和3圖中示意性地指示。
在本揭露書中，「電位施加裝置」可理解為配置成將電位施加到輥，特別是施加到輥的金屬層的裝置。特別地，如於此所述的電位施加裝置可配置為提供中頻（MF）電位。例如，中頻（MF）電位可從1kHz到100kHz。通常，電位施加裝置經由物理接觸（如，電接點）連接到輥。因此，可在電位施加裝置和輥之間提供電接點。例如，電接點可為電滑動接點或電刷接點。根據另一個示例，電接點可為插頭接點。因此，電位施加裝置可理解為一種充電裝置，其配置用於向輥（特別是嵌入隔離材料中的金屬層）提供電荷。應當理解，通常提供到嵌入金屬層的電連接線。
根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，電位施加裝置配置用於施加具有中頻（MF）的電位，特別是1kHz至100kHz的頻率。換言之，從電位施加裝置提供的電位可為頻率為1kHz至100kHz的電位。特別地，中頻電位可理解為在選自1kHz至100kHz的範圍的頻率下具有交替極性的電位。已經發現，將MF電位施加到塗佈滾筒具有的優點是可基本上避免或甚至消除基板的充電，尤其是沉積在基板上的層的充電。因此，可在基板上沉積具有更高品質（如更高的均勻性、更少的缺陷等）的層。
示例性地參照第4圖，描述了一種替代的輥配置，其解決了與參照第1A、1B、2和3圖所述的輥的實施例的相同問題。特別地，第4圖中所示的替代輥配置還有利地提供了藉由使用靜電相互作用來增加在輥和撓性基板之間的接觸壓力的可能性，同時可避免有害影響，諸如由向輥施加電位引起的漏電或電弧。
如第4圖中示例性地顯示，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，輥100包括主體101，具有提供在主體101的外表面102中的複數個氣體供應狹縫103。複數個氣體供應狹縫103在輥100的中心旋轉軸線111的方向上延伸。此外，輥100包括周向地圍繞主體101而提供並與主體101接觸的套筒104。套筒104包括複數個插入物130且複數個插入物130包括隔離材料。此外，複數個插入物130的每一個包括氣體出口105。因此，複數個氣體出口105提供在複數個插入物130中。複數個氣體出口105提供在複數個氣體供應狹縫103上方。
根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，氣體供應狹縫103的表面可塗佈有隔離材料。換言之，氣體供應狹縫103可包括隔離塗層103C，如第4圖中示例性地顯示。此外，套筒104可包括隔離頂層107和內金屬套筒104M。特別地，隔離頂層107也可覆蓋複數個插入物130的外頂表面。此外，如第4圖所示意性地指出，內金屬套筒104M可連接到如於此所述的電位施加裝置140。替代地，電位施加裝置140可連接到主體101。
示例性參照第5圖，描述了根據本揭露書的真空處理設備200。根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，真空處理設備200包括處理腔室220，處理腔室220包括複數個處理單元221。複數個處理單元221包括至少一個沉積單元。此外，真空處理設備200包括根據於此所述的任何實施例的用於引導撓性基板經過複數個處理單元221的輥100。如第4圖示意性地顯示，輥100連接到電位施加裝置140。此外，輥100可連接到氣體供應器225。通常，氣體供應器225配置為向輥100供應冷卻氣體，使得冷卻氣體可通過於此所述的複數個氣體出口105提供到撓性基板。
如第5圖示意性地顯示，通常，真空處理設備200是輥對輥處理系統。根據於此所述的任何實施例的輥100可為真空處理設備的處理滾筒或塗佈滾筒。根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，真空處理設備200包括第一捲軸腔室210，其容納儲存捲軸212，用於提供撓性基板10。此外，真空處理設備200包括從第一捲軸腔室210下游佈置的處理腔室220。通常，處理腔室220是真空腔室，並包括複數個處理單元221。複數個處理單元221包括至少一個沉積單元。因此，在本揭露書中，可將「處理腔室」理解為具有至少一個沉積單元以將材料沉積在基板上的腔室。因此，處理腔室也可稱為沉積腔室。於此所使用的術語「真空」可理解具有小於（例如）10mbar的真空壓力的技術真空的意義。通常，如於此所述的真空腔室中的壓力可在10 -5mbar和約10 -8mbar之間，更通常在10 -5mbar和10 -7mbar之間，且甚至更通常在約10 -6mbar和10 -7mbar之間。
如第5圖示意性地顯示，複數個處理單元可在輥100周圍在圓周方向上佈置。當輥100旋轉時，撓性基板10被引導通過面朝輥的彎曲的基板支撐表面的處理單元，使得撓性基板的表面可被處理，同時以預定速度移動通過處理單元。例如，複數個處理單元可包括選自由以下群組所組成的一個或多個單元：沉積單元、蝕刻單元和加熱單元。如於此所述的真空處理設備的沉積單元可為濺射沉積單元，如AC（交替電流）濺射源或DC（直流電流）濺射源、RF（射頻）濺射源、MF（中間頻率）濺射源、脈衝濺射源、脈衝DC濺射源、磁控管濺射源、反應性濺射源、CVD沉積單元、PECVD沉積單元、PVD沉積單元或另一個合適的沉積單元。可理解的是，於此所述的沉積單元通常適於將薄膜沉積在撓性基板上，如，以形成撓性顯示裝置、觸碰螢幕裝置部件或其他電子或光學裝置。於此所述的沉積單元可配置用於沉積選自有以下群組所組成的至少一種材料：導電材料、半導體材料、介電材料或隔離材料。
此外，如第4圖所示例性地顯示，真空處理設備200可包括第二捲軸腔室250，從處理腔室220下游佈置。第二捲軸腔室250容納有捲繞捲軸252，用於在處理後將撓性基板10捲繞於上。
示例性參照第6A圖所示的方塊圖，描述了製造根據本揭露書的用於引導撓性基板的輥的方法300。根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，方法300包括藉由使用雷射鑽孔生產（由第6A圖中的方塊310表示）具有複數個氣體出口105的套筒104。套筒104包括嵌入隔離材料內的金屬層106及/或隔離材料的複數個插入物130。此外，方法包括提供（由第6A圖中的方塊320表示）周向地圍繞輥100的主體101並與輥100的主體101接觸的套筒104，輥100的主體101在主體101的外表面中提供有複數個氣體供應狹縫103，使得複數個氣體出口105佈置在複數個氣體供應狹縫103上方。應當理解，套筒104可具有如於此所述的任何配置，如參照第1A、1B、2、3和4圖所描述的任何配置。
根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，方法300進一步包括為氣體供應狹縫103的表面提供（由第6B圖中的方塊330表示）隔離材料的塗層。
示例性參照第7A圖所示的方塊圖，描述了根據本揭露書的處理撓性基板的方法400。根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，方法包括藉由使用根據於此所述的任何實施例的用於傳輸撓性基板10的輥100來引導（由第7A圖中的方塊410表示）撓性基板10經過一個或多個處理單元221。此外，方法包括藉由通過輥100的複數個氣體出口105向撓性基板提供氣體來控制（由第7A圖中的方塊420表示）撓性基板10的溫度。
根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，方法400進一步包括向嵌入在套筒104的隔離材料內的金屬層106施加（由第7B圖中的方塊430表示）電位。額外地或替代地，可將電位施加到主體101及/或內金屬套筒104M，如於此所述。
鑑於於此所述的實施例，應理解，根據本揭露書的態樣，可提供製造塗佈撓性基板的方法。方法包括使用根據於此所述的任何實施例的輥100、根據於此所述的任何實施例的真空處理設備200及根據於此所述的任何實施例的處理撓性基板的方法400的至少一個。
鑑於上述內容，應當理解，與最先進的技術相比，於此所述的實施例提供了改善的撓性基板傳輸和撓性基板的冷卻，使得可有利地處理更薄和更寬的撓性基板，具有改進的處理結果。
雖然上述內容涉及實施例，但可在不背離基本範圍的情況下設計其他和進一步的實施例，並且範圍由以下的申請專利範圍決定。
10:撓性基板 11:隔離材料 100:輥 101:主體 102:外表面 103:氣體供應狹縫 103C:隔離塗層 104:套筒 104I:內表面/內隔離套筒 104M:內金屬套筒 105:氣體出口 106:金屬層 107:隔離頂層 108:外隔離層 111:中心旋轉軸線 130:插入物 140:電位施加裝置 200:真空處理設備 210:第一捲軸腔室 212:儲存捲軸 220:處理腔室 221:處理單元 225:氣體供應器 250:第二捲軸腔室 252:捲繞捲軸 300:方法 310:方塊 320:方塊 330:方塊 400:方法 410:方塊 420:方塊 430:方塊
因此，可詳細理解本揭露書的上述特徵的方式，可藉由參考實施例來獲得上面簡要概述的本揭露書的更特定的描述。附隨的圖式關於本揭露書的實施例，並描述在下方： 第1A圖顯示根據於此所述的實施例的輥的示意性縱向截面圖； 第1B圖顯示了沿第1A圖中所示的線A-A的橫截面圖； 第1C圖顯示了第1B圖的擴大部分； 第2至4圖顯示根據於此所述的進一步實施例的輥的一部分的示意性剖視圖； 第5圖顯示了根據於此所述的實施例的真空處理設備的示意圖； 第6A和6B圖顯示了根據本揭露書的實施例的用於顯示製造用於引導撓性基板的輥的方法的方塊圖；及 第7A和7B圖顯示了根據於此所述的實施例的用於顯示處理撓性基板的方法的方塊圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
11:隔離材料
101:主體
102:外表面
103:氣體供應狹縫
104:套筒
104I:內表面/內隔離套筒
105:氣體出口
106:金屬層

Claims (20)

  1. 一種用於傳輸撓性基板(10)的輥(100)，包含：一主體(101)，具有提供在該主體(101)的一外表面(102)中的複數個氣體供應狹縫(103)，該複數個氣體供應狹縫(103)在輥(100)的一中心旋轉軸線(111)的一方向上延伸；及一套筒(104)，周向地圍繞該主體(101)而提供並與該主體(101)接觸，該套筒(104)具有複數個氣體出口(105)，該複數個氣體出口(105)提供在該複數個氣體供應狹縫(103)上方，該套筒(104)包含嵌入隔離材料內的一金屬層(106)。
  2. 如請求項1所述之輥(100)，該套筒(104)包含一隔離頂層(107)和一內隔離套筒(104I)，並且該金屬層(106)提供在該隔離頂層(107)和該內隔離套筒(104I)之間。
  3. 如請求項2所述之輥(100)，該金屬層(106)提供在該隔離頂層(107)下方。
  4. 如請求項2所述之輥(100)，該金屬層(106)提供在該內隔離套筒(104I)的頂部上。
  5. 如請求項3所述之輥(100)，該金屬層(106)提供在該內隔離套筒(104I)的頂部上。
  6. 如請求項2-5任一項所述之輥(100)，其中該複數個氣體出口(105)延伸穿過該隔離頂層(107)和該內隔離套筒(104I)，使得提供隔離材料的該等氣體出口的內壁。
  7. 如請求項1所述之輥(100)，該套筒(104)包含提供在一內金屬套筒(104M)上的一外隔離層(108)，該金屬層(106)嵌入在該外隔離層(108)內。
  8. 如請求項7所述之輥(100)，其中該複數個氣體出口(105)延伸穿過該外隔離層(108)和該內金屬套筒(104M)，使得提供該外隔離層(108)的材料和內金屬套筒(104M)的材料的該等氣體出口的內壁。
  9. 如請求項1-5任一項所述之輥(100)，其中該金屬層(106)連接到一電位施加裝置(140)。
  10. 如請求項7或8所述之輥(100)，其中該金屬層(106)連接到一電位施加裝置(140)。
  11. 一種用於傳輸一撓性基板(10)的輥(100)，包含：一主體(101)，具有提供在該主體(101)的一外表面(102)中的複數個氣體供應狹縫(103)，該複數個氣體供應狹縫(103)在該輥(100)的一中心旋轉軸線(111)的一方向上延伸；及一套筒(104)，周向地圍繞該主體(101)而提供並與該主體(101)接觸，該套筒(104)具有隔離材料的複數個插入物(130)，其中複數個氣體出口(105)提供在該複數個氣體供應狹縫(103)上方。
  12. 如請求項11所述之輥(100)，其中該等氣體供應狹縫(103)的表面塗佈有隔離材料。
  13. 如請求項11或12所述之輥(100)，其中該套筒(104)包含一隔離頂層(107)和一內金屬套筒(104M)。
  14. 如請求項1所述之輥(100)，其中在該圓周方向上的氣體出口(105)的數量對應於氣體供應狹縫(103)的數量。
  15. 一種用於處理一撓性基板(10)的真空處理 設備(200)，包含：一處理腔室(220)，包含複數個處理單元(221)，該複數個處理單元(221)包含至少一個沉積單元；及如請求項1-14任一項所述的一輥(100)，用於引導該撓性基板通過該複數個處理單元(221)，包括該輥(100)連接到一電位施加裝置(140)。
  16. 一種製造用於引導一撓性基板的一輥(100)的方法(300)，包含以下步驟：藉由使用雷射鑽孔而產生(310)具有複數個氣體出口(105)的一套筒(104)，該套筒包含嵌入隔離材料內的一金屬層(106)和隔離材料的複數個插入物(130)的至少一個；及提供(320)周向地圍繞該輥(100)的一主體(101)並與該輥(100)的該主體(101)接觸的該套筒(104)，該輥(100)具有提供在該主體(101)的一外表面中的複數個氣體供應狹縫(103)，使得該複數個氣體出口(105)佈置在該複數個氣體供應狹縫(103)上方。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟：為該等氣體供應狹縫(103)的表面提供(330)隔離材料的一塗層。
  18. 一種處理一撓性基板的方法(400)，包含 以下步驟：使用如請求項1-14任一項所述之用於傳輸該撓性基板(10)的輥(100)來引導(410)該撓性基板通過一個或多個處理單元(221)；及藉由通過該輥(100)的該複數個氣體出口(105)提供氣體到該撓性基板來控制(420)該撓性基板(10)的一溫度。
  19. 如請求項18所述之方法(400)，進一步包含以下步驟：向嵌入在該套筒(104)的隔離材料內的該金屬層(106)施加一電位。
  20. 一種製造一塗佈撓性基板的方法，包含以下步驟：使用如請求項1-14任一項所述之一輥(100)、如請求項15所述的一真空處理設備(200)及如請求項18或19所述的處理一撓性基板的方法(400)的至少一個。
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