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TWI867295B - 用於傳輸撓性基板的輥、真空處理設備以及冷卻輥的方法 - Google Patents

用於傳輸撓性基板的輥、真空處理設備以及冷卻輥的方法 Download PDF

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TWI867295B
TWI867295B TW111115180A TW111115180A TWI867295B TW I867295 B TWI867295 B TW I867295B TW 111115180 A TW111115180 A TW 111115180A TW 111115180 A TW111115180 A TW 111115180A TW I867295 B TWI867295 B TW I867295B
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湯瑪仕 迪比許
沃根 布西別克
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

描述了一種用於傳輸撓性基板的輥（100）。輥（100）包括用於冷卻輥（100）的第一部分（101）的第一冷卻劑供應器（110）和用於冷卻輥（100）的第二部分（102）和第三部分（103）的第二冷卻劑供應器（120）。第一部分（101）提供在第二部分（102）和第三部分（103）之間。另外，描述了一種包括輥的真空處理設備和冷卻輥的方法。

Description

用於傳輸撓性基板的輥、真空處理設備以及冷卻輥的方法
本揭露書的實施例關於用於傳輸撓性基板的輥。此外，本揭露書的實施例關於使用輥對輥處理用於撓性基板處理的設備和方法，尤其是，藉由薄層塗佈撓性基板。特別是，本揭露書的實施例關於在用於藉由層的堆疊來塗佈撓性基板（如，用於薄膜太陽能電池生產、薄膜電池生產或撓性顯示器生產）的設備和方法中的傳輸撓性基板的輥。
撓性基板（諸如塑膠膜或箔）的處理在封裝產業、半導體產業和其他產業中有高度需求。處理可由藉由材料（諸如金屬、半導體和介電材料）塗佈撓性基板、蝕刻和對各個應用的基板實施的其他處理動作組成。執行此任務的系統通常包括塗佈滾筒（如，圓柱輥），與帶有輥組件的處理系統耦接，用於傳輸基板，並在其上將基板的至少一部分塗佈。
例如，可將塗佈處理（諸如CVD處理、PVD處理或蒸發處理）用於將薄層沉積到撓性基板上。輥對輥沉積設備可理解為，相當長的撓性基板（諸如一公里或更長）從供應線軸展開、藉由薄層堆疊塗佈並再次捲繞到捲繞捲軸上。特別是，在製造薄膜電池（如，鋰電池）、顯示產業和光伏（PV）產業中，輥對輥沉積系統是備受關注的。例如，對撓性觸控面板元件、撓性顯示器和撓性PV模組的需求不斷增長，導致對在輥對輥塗佈器中沉積合適層的需求不斷增長。
為了在撓性基板上實現高品質的塗層，必須掌握關於撓性基板傳輸的各種挑戰。例如，在處理真空條件下移動撓性基板期間，提供合適的基板張力以及良好的基板對輥的接觸和基板冷卻仍然具有挑戰性。此外，已經發現藉由使用冷卻的基板輥從撓性基板的熱提取仍然需要改進，特別是關於熱提取的均勻性。
因此，存在有對改進的基板傳輸輥、改進的輥對輥處理設備及其方法的持續需求。
鑑於上述情況，提供了根據獨立項的一種用於傳輸撓性基板的輥、一種用於處理撓性基板的真空處理設備及一種冷卻輥的方法。進一步的態樣、優點和特徵從附屬項、實施方式和附隨的圖式為顯而易見的。
根據本揭露書的一態樣，提供了一種用於傳輸撓性基板的輥。輥包括用於冷卻輥的第一部分的第一冷卻劑供應器。此外，輥包括用於冷卻輥的第二部分和第三部分的第二冷卻劑供應器。第一部分提供在第二部分和第三部分之間。
根據本揭露書的另一態樣，提供了一種用於處理撓性基板的真空處理設備。真空處理設備包括處理腔室，處理腔室包括具有至少一個沉積單元的複數個處理單元。此外，真空處理設備包括根據於此所述的任何實施例的輥，用於引導撓性基板通過複數個處理單元。特別地，輥連接到冷卻劑供應器。
根據本揭露書的進一步的態樣，提供了一種冷卻用於引導撓性基板的輥的方法。方法包括以下步驟：藉由向輥的第一部分提供第一冷卻劑來冷卻第一部分。此外，方法包括以下步驟：藉由向輥的第二部分和第三部分提供第二冷卻劑來冷卻第二部分和第三部分。第一部分提供在第二部分和第三部分之間。特別地，第一冷卻劑具有第一溫度並且第二冷卻劑具有與第一溫度不同的第二溫度，特別是第一溫度低於第二溫度。
根據本揭露書的另一態樣，提供了一種製造塗佈的撓性基板的方法。方法包括以下步驟：使用根據於此所述的任何實施例的輥、根據於此所述的任何實施例的真空處理設備和根據於此所述的任何實施例的冷卻輥的方法的至少一個。
實施例還涉及用於實施所揭露方法的設備，並包括用於執行每個描述方法態樣的設備零件。這些方法態樣可藉由硬體部件、由適當軟體程式化的電腦、藉由兩者的任何結合，或以任何其他方式執行。此外，根據本揭露書的實施例還涉及用於操作所述的設備的方法。用於操作所述的設備的方法包括用於實施設備的每個功能的方法態樣。
現在將詳細參照本揭露書的各種實施例，其中一個或多個示例在圖式中進行了說明。在以下的圖式的實施方式中，相同的元件符號指代相同部件。僅描述了關於個別實施例的差異。每個示例都是藉由解釋本揭露書的方式提供的，並不意味作為本揭露書的限制。此外，顯示或描述為一個實施例的一部分的特徵可使用在其他實施例上或與其他實施例結合使用，以產生進一步的實施例。實施方式意欲包括這種修改和變化。
示例性參照第1圖，描述了根據本揭露書的用於傳輸撓性基板的輥100。根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，輥100包括用於冷卻輥100的第一部分101的第一冷卻劑供應器110。另外，輥100包括用於冷卻輥100的第二部分102和第三部分103的第二冷卻劑供應器120。第一部分101提供在第二部分102和第三部分103之間。特別地，第一部分101是輥100的主體106的軸向中間部分。通常，第一部分101是輥100的圓柱形主體106的第一圓柱形部分。因此，通常第二部分102是主體106的第二圓柱形部分，且第三部分103是主體106的第三圓柱形部分。
因此，與習知技術相比，有利地提供了一種用於傳輸撓性基板的改進的輥。特別地，於此所述的輥的實施例提供選擇性地和單獨地冷卻用於傳輸撓性基板的輥的不同部分。因此，曝露於較高溫度的輥的一部分（通常是在材料沉積期間曝露於高溫的輥的中間部分）可獨立於輥的其他部分被冷卻。此外，如於此所述的輥的實施例有益地提供了以均勻方式從撓性基板提取熱量的可能性。因此，可降低甚至消除在撓性基板的運輸期間產生褶皺的風險。因此，可改進沉積在撓性基板上的塗層的品質。此外，提供具有可選擇性冷卻部分的輥具有可藉由使用熱材料變形效應(諸如熱膨脹和熱收縮)來控制輥形狀的優點。例如，可改變輥的形狀，特別是基板支撐表面的形狀。特別地，可控制輥的形狀以具有平坦的基板支撐表面、凹形基板支撐表面或凸形基板支撐表面。
在更詳細地描述了本揭露書的各種進一步的實施例之前，解釋了關於於此所使用的術語的一些態樣。
在本揭露書中，可將「輥」理解為具有用於接觸撓性基板的基板支撐表面的滾筒或輥。表述方式「用於接觸撓性基板的基板支撐表面」可理解為輥的外表面(如，如於此所述的套筒的外表面)配置為用於在撓性基板的引導或傳輸期間接觸撓性基板。通常，支撐表面是輥的彎曲外表面，尤其是圓柱外表面。因此，通常地，輥可繞著旋轉軸線旋轉，並包括基板引導區域。通常，基板引導區域是輥的彎曲的基板支撐表面(如，圓柱形對稱表面)。在引導撓性基板期間，輥的彎曲基板支撐表面可適以(至少部分)與撓性基板接觸。基板引導區域可界定為輥的角度範圍，其中基板在基板的引導期間與彎曲基板支撐表面接觸，並且可對應於輥的纏繞(enlacement)角度。例如，輥的纏繞角度可為120°或更多，尤其是180°或更多，或甚至270°或更多。根據可與於此所述的其他實施例結合使用的一些實施例，輥100是圓柱形的，並具有0.5m
Figure 111115180-A0305-02-0008-1
L
Figure 111115180-A0305-02-0008-2
8.5m的長度L。此外，輥100可具有0.2m
Figure 111115180-A0305-02-0008-4
D
Figure 111115180-A0305-02-0008-5
3.0m的直徑D，尤其是0.2m
Figure 111115180-A0305-02-0008-6
D
Figure 111115180-A0305-02-0008-7
2.0m，例如 D=0.4m±0.2m。因此，輥有利地配置用於引導和傳輸具有較大寬度的撓性基板。
在本揭露書中，「撓性基板」可理解為可彎曲的基板。例如，「撓性基板」可為「箔」或「腹板」。在本揭露書中，可同義使用術語「撓性基板」和術語「基板」。例如，於此所述的撓性基板可由類似PET、HC-PET、PE、PI、PU、TaC、OPP、BOOP、CPP、一種或多種金屬(如，銅)、紙、其結合及已經塗佈的基板(類似硬塗佈PET(如，HC-PET、HC-TAC))及類似者的材料製成，或包括PET、HC-PET、PE、PI、PU、TaC、OPP、BOOP、CPP、一種或多種金屬(如，銅)、紙、其結合及已經塗佈的基板(類似硬塗佈PET(如，HC-PET、HC-TAC))及類似者的材料。在一些實施例中，撓性基板是在其兩側上提供有索引匹配(IM)層的COP基板。例如，基板厚度可為1μm或以上及1mm或以下，特別是500μm或以下，或甚至200μm或以下。基板寬度WS可為0.3m
Figure 111115180-A0305-02-0009-8
W
Figure 111115180-A0305-02-0009-9
8m。基板可為透明的或非透明的基板。
在本揭露書中，輥的「主體」可理解為圓柱形主體，尤其是固體材料的圓柱形殼體。通常，主體是由具有高導熱率λ的材料製成，尤其是λ
Figure 111115180-A0305-02-0009-10
50W/(m．K)，更尤其是λ
Figure 111115180-A0305-02-0009-11
100W/(m．K)。例如，主體可由包括銅(諸如銅合金)的材料製成。特別是，主體可由銅製成。可理解的是，主體可替代地由具有高導熱率λ的任何其他合適的材料製成。
在本揭露書中，「冷卻劑供應器」可理解為配置用於提供冷卻劑的裝置或系統。因此，如於此所述的冷卻劑供應器通常包括冷卻劑和用於輸送冷卻劑的管道。更具體地，冷卻劑供應器可包括具有吸熱器、減壓器、增壓器和排熱器的封閉迴路製冷系統。通常，吸熱器由提供在待冷卻位置處的管道提供，如，如於此所述的輥的一個或多個部分。在本揭露書中，「冷卻劑」可理解為冷卻流體，特別是不可壓縮的冷卻流體，能夠提供從-100℃至+80℃，特別是-50℃至+80℃，更特別是-30℃至+80℃的範圍中的冷卻溫度。此外，通常冷卻劑是無毒的並且不與鋰反應。例如，冷卻劑可為油。
在本揭露書中，「輥的一部分」可理解為輥的具有基板支撐表面的一部分。通常，如於此所述的「輥的一部分」可理解為如於此所述的圓柱形主體的圓柱形部分。
示例性參照第1圖，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，第一冷卻劑供應器110配置用於提供第一溫度T1的第一冷卻劑。第二冷卻劑供應器120配置用於提供不同於第一溫度T1的第二溫度T2的第二冷卻劑。特別地，第一溫度T1低於第二溫度T2。
如第1圖中示意性地顯示，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，第一冷卻劑供應器110包括用於從輥100的第一部分101移除熱量的第一吸熱器161。通常，第二冷卻劑供應器120包括用於從輥100的第二部分102移除熱量的第二吸熱器162。此外，如第1圖中示意性地顯示，第二冷卻劑供應器120包括用於從輥100的第三部分103移除熱量的第三吸熱器163。例如，於此所述的「吸熱器」可由管道提供，特別是與待冷卻的輥的一部分接觸的管道。例如，吸熱器的管道可包括繞輥的中心旋轉軸線111提供的捲繞物。為了簡化說明，僅第1圖的上半部分顯示冷卻劑供應器，亦即第一冷卻劑供應器110和第二冷卻劑供應器120。然而，應該理解的是，通常完整的圓柱形部件（如，第1圖所示的第一部分101、第二部分102和第三部分103）可藉由如於此所述的相應冷卻劑供應器來冷卻。因此，第1圖的上部圖示也可適用於第1圖的下部分。
如第1圖示意性地顯示，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，第一冷卻劑供應器110包括第一冷卻劑管道141並且第二冷卻劑供應器120包括第二冷卻劑管道142，兩者都連接到公共冷卻劑流出管道150。特別地，如第1圖示例性地顯示，冷卻劑流出管道沿輥的中心旋轉軸線111的方向延伸。
示例性地參照第2圖，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，輥進一步包括用於冷卻輥100的第四部分104和第五部分105的第三冷卻劑供應器130。通常，第二部分102提供在第一部分101和第四部分104之間。第三部分103可提供在第一部分101和第五部分105之間。通常，第四部分104是輥100的圓柱形主體106的第四圓柱形部分。因此，通常第五部分105是圓柱形主體106的第五圓柱形部分。
如第2圖示例性地顯示，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，第三冷卻劑供應器130包括用於從輥100的第四部分104移除熱量的第四吸熱器164。此外，通常第三冷卻劑供應器130包括用於從輥100的第五部分105移除熱量的第五吸熱器165。類似地，如在第1圖中，為了簡化說明，僅第2圖的下部顯示第三冷卻劑供應器。然而，應當理解，第2圖的下部所示的第三冷卻劑供應器130的圖示通常也適用於第2圖的上部。
如第2圖示例性地顯示，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，第三冷卻劑供應器130包括第三冷卻劑管道143，連接到沿輥100的中心旋轉軸線111的方向延伸的冷卻劑流出管道150。特別地，如第2圖示例性地顯示，第一冷卻劑管道141、第二冷卻劑管道142和第三冷卻劑管道143的每一個連接到共用的冷卻劑流出管道。
根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，第三冷卻劑供應器130配置用於提供第三溫度T3的第三冷卻劑，第三溫度T3不同於第一溫度Tl和第二溫度T2。特別地，第三溫度T3可低於第一溫度T1。附加地或替代地，第三溫度T3可低於第二溫度T2。
示例性參照第3圖，描述了根據本揭露書的真空處理設備200。根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，真空處理設備200包括處理腔室220，處理腔室220包括複數個處理單元221。複數個處理單元221包括至少一個沉積單元。此外，真空處理設備200包括根據於此所述的任何實施例的用於引導撓性基板經過複數個處理單元221的輥100。
如第3圖示例性地顯示，輥100可連接到冷卻劑供應器225。通常，冷卻劑供應器225配置用於提供兩種或更多種不同溫度的冷卻劑。特別地，冷卻劑供應器225配置用於提供具有第一溫度T1的第一冷卻劑和具有不同於第一溫度T1的第二溫度T2的第二冷卻劑。通常，第一溫度T1低於第二溫度T2。此外，應當理解，冷卻劑供應器225可配置用於提供具有第三溫度T3的第三冷卻劑，第三溫度T3不同於第一溫度T1和第二溫度T2。例如，第三溫度T3可低於第一溫度T1及/或低於第二溫度T2。
如第3圖示例性地顯示，通常真空處理設備200是輥對輥處理系統。根據於此所述的任何實施例的輥100可為真空處理設備的處理滾筒或塗佈滾筒。根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，真空處理設備200包括第一捲軸腔室210，其容納儲存捲軸212，用於提供撓性基板10。此外，真空處理設備200包括從第一捲軸腔室210下游佈置的處理腔室220。通常，處理腔室220是真空腔室，並包括複數個處理單元221。複數個處理單元221包括至少一個沉積單元。因此，在本揭露書中，可將「處理腔室」理解為具有至少一個沉積單元以將材料沉積在基板上的腔室。因此，處理腔室也可稱為沉積腔室。於此所使用的術語「真空」可理解具有小於（例如）10mbar的真空壓力的技術真空的意義。通常，如於此所述的真空腔室中的壓力可在10 -5mbar和約10 -8mbar之間，更通常在10 -5mbar和10 -7mbar之間，且甚至更通常在約10 -6mbar和10 -7mbar之間。
如第3圖示意性地顯示，複數個處理單元可在輥100周圍在圓周方向上佈置。當輥100旋轉時，撓性基板10被引導通過面朝輥的彎曲的基板支撐表面的處理單元，使得撓性基板的表面可被處理，同時以預定速度移動通過處理單元。例如，複數個處理單元可包括選自由以下群組所組成的一個或多個單元：沉積單元、蝕刻單元和加熱單元。如於此所述的真空處理設備的沉積單元可為濺射沉積單元，如AC（交替電流）濺射源或DC（直流電流）濺射源、RF（射頻）濺射源、MF（中間頻率）濺射源、脈衝濺射源、脈衝DC濺射源、磁控管濺射源、反應性濺射源、CVD沉積單元、PECVD沉積單元、PVD沉積單元或另一個合適的沉積單元。可理解的是，於此所述的沉積單元通常適於將薄膜沉積在撓性基板上，如，以形成撓性顯示裝置、觸碰螢幕裝置部件或其他電子或光學裝置。於此所述的沉積單元可配置用於沉積選自有以下群組所組成的至少一種材料：導電材料、半導體材料、介電材料或隔離材料。
此外，如第3圖所示例性地顯示，真空處理設備200可包括第二捲軸腔室250，從處理腔室220下游佈置。第二捲軸腔室250容納有捲繞捲軸252，用於在處理後將撓性基板10捲繞於上。
示例性參照第4A圖所示的方塊圖，描述了冷卻根據本揭露書的用於引導撓性基板的輥的方法300。根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，方法300包括藉由提供（由第4A圖中的方塊311表示）第一冷卻劑到第一部分101來冷卻（由第4A圖中的方塊310表示）輥（100）的第一部分101。另外，方法300包括藉由提供（由第4A圖中的方塊321表示）第二冷卻劑到第二部分102和第三部分103來冷卻（由第4A圖中的方塊320表示）輥100的第二部分102和第三部分103。如於此所述，第一部分101提供在第二部分102和第三部分103之間。特別地，第一冷卻劑具有第一溫度T1，且第二冷卻劑具有不同於第一溫度T1的第二溫度T2。特別地，第一溫度T1低於第二溫度T2。
示例性參照第4B圖，根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，方法300包括藉由提供（由第4B圖中的方塊331表示）第三冷卻劑到第四部分104和第五部分105來冷卻（由第4B圖中的方塊330表示）輥100的第四部分104和第五部分105。如於此所述，通常第二部分102提供在第一部分101和第四部分104之間。第三部分103通常提供在第一部分101和第五部分105之間。更具體地，通常第三冷卻劑具有不同於第一溫度T1和第二溫度T2的第三溫度T3。特別地，第三溫度T3可低於第一溫度T1及/或低於第二溫度T2。
根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，方法300進一步包括藉由熱膨脹（由第4B圖中的方塊341表示）或熱收縮（由第4B圖中的方塊342表示）輥100的至少一部分來改變（由第4B圖中的方塊340表示）輥100的形狀。特別地，改變輥的形狀可包括提供凸輥形狀或提供凹輥形狀。例如，藉由將輥的軸向中間部分（如於此所述的第一部分101）冷卻到比輥的橫向側部分（如於此所述的第二部分102和第三部分103）更低的溫度，可獲得凹輥形狀。提供凹輥形狀可能是有益的，由於可實現撓性基底的拉伸，這可能有利於避免起皺。
根據可與於此所述的任何其他實施例結合的實施例，方法300包括使用根據於此所述的任何實施例的輥100。
儘管於此沒有明確描述，但是應當理解，可提供多於三個單獨可控的冷卻劑供應器。例如，藉由提供與第二和第三冷卻劑供應器類似地配置的第四和第五冷卻劑供應器，可冷卻輥的十個獨立部分。
鑑於於此所述的實施例，應理解，根據本揭露書的態樣，可提供製造塗佈撓性基板的方法。方法包括使用根據於此所述的任何實施例的輥100、根據於此所述的任何實施例的真空處理設備200及根據於此所述的任何實施例的冷卻輥的方法300的至少一個。
鑑於上述內容，應當理解，與最先進的技術相比，於此所述的實施例提供了改善的撓性基板傳輸、改善的輥冷卻、改善的基板冷卻，使得有益地更薄和更寬的撓性基板可用改善的處理結果進行處理。
雖然上述內容涉及實施例，但可在不背離基本範圍的情況下設計其他和進一步的實施例，並且範圍由以下的申請專利範圍決定。
10:撓性基板
100:輥
101:第一部分
102:第二部分
103:第三部分
104:第四部分
105:第五部分
106:主體
110:第一冷卻劑供應器
111:中心旋轉軸線
120:第二冷卻劑供應器
130:第三冷卻劑供應器
141:第一冷卻劑管道
142:第二冷卻劑管道
143:第三冷卻劑管道
150:冷卻劑流出管道 161:第一吸熱器 162:第二吸熱器 163:第三吸熱器 164:第四吸熱器 165:第五吸熱器 200:真空處理設備 210:第一捲軸腔室 212:儲存捲軸 220:處理腔室 221:處理單元 225:冷卻劑供應器 250:第二捲軸腔室 252:纏繞捲軸 300:方法 310:方塊 311:方塊 320:方塊 321:方塊 330:方塊 331:方塊 340:方塊 341:方塊 342:方塊
因此，可詳細理解本揭露書的上述特徵的方式，可藉由參考實施例來獲得上面簡要概述的本揭露書的更特定的描述。附隨的圖式關於本揭露書的實施例，並描述在下方： 第1圖顯示根據於此所述的實施例的輥的示意性縱向截面圖； 第2圖顯示根據於此所述的進一步的實施例的輥的示意性縱向截面圖； 第3圖顯示根據於此所述的實施例的真空處理設備的示意圖；及 第4A和4B圖顯示用於說明根據本揭露書的冷卻用於引導撓性基板的輥的方法的實施例的方塊圖。
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100:輥
101:第一部分
102:第二部分
103:第三部分
106:主體
110:第一冷卻劑供應器
111:中心旋轉軸線
120:第二冷卻劑供應器
141:第一冷卻劑管道
142:第二冷卻劑管道
150:冷卻劑流出管道
161:第一吸熱器
162:第二吸熱器
163:第三吸熱器

Claims (16)

  1. 一種用於傳輸一撓性基板的輥(100)，包含：用於冷卻該輥(100)的一第一部分(101)的一第一冷卻劑供應器(110)及用於冷卻該輥(100)的一第二部分(102)和一第三部分(103)的一第二冷卻劑供應器(120)，該第一部分(101)提供在該第二部分(102)和該第三部分(103)之間，其中該第一冷卻劑供應器(110)配置用於提供具有一第一溫度(T1)的一第一冷卻劑，且其中該第二冷卻劑供應器(120)配置用於提供與該第一溫度(T1)不同的一第二溫度(T2)的一第二冷卻劑，用於藉由熱膨脹或熱收縮該輥的至少一部分來改變該輥的一形狀，以提供一凸形或凹形輥形狀，該第一冷卻劑供應器(110)包含一第一冷卻劑管道(141)且該第二冷卻劑供應器(120)包含一第二冷卻劑管道(142)，兩者都連接到一公共冷卻劑流出管道(150)，其中該公共冷卻劑流出管道(150)沿該輥的一中心旋轉軸線(111)的一方向延伸。
  2. 如請求項1所述之輥(100)，其中該第一部分(101)是該輥(100)的一主體(106)的一軸向中間部分。
  3. 如請求項1或2所述之輥(100)，其中該 第一溫度(T1)低於該第二溫度(T2)。
  4. 如請求項1所述之輥(100)，該第一部分(101)是該輥的一圓柱形主體(106)的一第一圓柱形部分，該第二部分(102)是該主體(106)的一第二圓柱形部分，該第三部分(103)是該主體(106)的一第三圓柱形部分。
  5. 如請求項1所述之輥(100)，進一步包含用於冷卻該輥(100)的一第四部分(104)和一第五部分(105)的一第三冷卻劑供應器(130)，該第二部分(102)提供在該第一部分(101)和該第四部分(104)之間，該第三部分(103)提供在該第一部分(101)和該第五部分(105)之間。
  6. 如請求項5所述之輥(100)，該第三冷卻劑供應器(130)包含一第三冷卻劑管道(143)，該第三冷卻劑管道(143)連接到該公共冷卻劑流出管道(150)。
  7. 如請求項5所述之輥(100)，該第四部分(104)是該輥(100)的該圓柱形主體(106)的一第四圓柱形部分，且該第五部分(105)是該圓柱形主體(106)的一第五圓柱形部分。
  8. 如請求項5所述之輥(100)，其中該第三冷卻劑供應器(130)配置用於提供一第三溫度(T3)的一第三冷卻劑，該第三溫度(T3)不同於該第一溫度(T1)和該第二溫度(T2)。
  9. 如請求項8所述之輥(100)，其中該第三溫度(T3)低於該第一溫度(T1)並且低於該第二溫度(T2)。
  10. 如請求項2所述之輥(100)，其中該主體(106)是由包含銅的一材料製成的一圓柱體。
  11. 一種用於處理一撓性基板(10)的真空處理設備(200)，包含：一處理腔室(220)，包含複數個處理單元(221)，該複數個處理單元(221)包含至少一個沉積單元；及根據請求項1-10任一項所述之一輥(100)，以引導該撓性基板通過該複數個處理單元(221)，該輥(100)連接到一冷卻劑供應器(225)。
  12. 如請求項11所述之真空處理設備(200)，該冷卻劑供應器(225)配置為提供至少具有一第一溫度(T1)的一第一冷卻劑和具有一第二溫度(T2)的 一第二冷卻劑，該第二溫度(T2)不同於該第一溫度(T1)。
  13. 一種冷卻用於引導一撓性基板的一輥(100)的方法(300)，包含以下步驟：藉由向該輥(100)的一第一部分(101)提供(311)一第一冷卻劑來冷卻(310)該第一部分(101)；及藉由向該輥(100)的一第二部分(102)和一第三部分(103)提供(321)一第二冷卻劑來冷卻(320)該第二部分(102)和該第三部分(103)，該第一部分(101)提供在該第二部分(102)和該第三部分(103)之間，該第一冷卻劑具有第一溫度(T1)並且該第二冷卻劑具有與該第一溫度(T1)不同的一第二溫度(T2)；及藉由使該輥(100)的至少一部分熱膨脹(341)或熱收縮(342)來改變(340)該輥(100)的一形狀，其中改變(340)該輥(100)的該形狀之該步驟包含以下步驟：提供一凸輥形狀或提供一凹輥形狀，其中向該輥(100)的該第一部分(101)提供(311)該第一冷卻劑之該步驟藉由使用一第一冷卻器供應器(110)來實施，且其中冷卻該輥(100)的該第二部分(102)和該第三部分(103)之該步驟藉由使用一第二冷卻器供應器(120)來實施，其中該第一冷卻劑供應器(110)包含一第一冷卻劑 管道(141)且該第二冷卻劑供應器(120)包含一第二冷卻劑管道(142)，兩者都連接到一公共冷卻劑流出管道(150)，以及其中該公共冷卻劑流出管道(150)沿該輥的一中心旋轉軸線(111)的一方向延伸。
  14. 如請求項13所述之方法(300)，進一步包含以下步驟：藉由向該輥(100)的一第四部分(104)和一第五部分(105)提供(331)一第三冷卻劑來冷卻(330)該第四部分(104)和該第五部分(105)，該第二部分(102)提供在該第一部分(101)和該第四部分(104)之間，該第三部分(103)提供在該第一部分(101)和該第五部分(105)之間，該第三冷卻劑具有一第三溫度(T3)，該第三溫度(T3)不同於該第一溫度(T1)和該第二溫度(T2)。
  15. 如請求項13或14所述之方法(300)，進一步包含以下步驟：使用根據請求項1至10任一項所述之一輥(100)。
  16. 如請求項13或14所述之方法(300)，其中該第一溫度(T1)低於該第二溫度(T2)。
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