TWI895701B

TWI895701B - 電子裝置的製造方法

Info

Publication number: TWI895701B
Application number: TW112108681A
Authority: TW
Inventors: 鄭凱; 林芳瑩; 謝朝樺
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2022-05-25
Filing date: 2023-03-09
Publication date: 2025-09-01
Also published as: US20240057264A1; US12193167B2; US20230389191A1; TW202347813A; US20250089178A1; US11856710B2

Abstract

提供一種電子裝置的製造方法，包括以下步驟。提供多個第一電子元件。多個第一電子元件被轉移至多個拾取位置。從多個拾取位置中可以找出空的拾取位置，其中多個第一電子元件不存在於空的拾取位置。第二電子元件被轉移至空的拾取位置。提供目標基板。第一電子元件和第二電子元件被轉移至目標基板。

Description

電子裝置的製造方法

本揭露是有關於一種製造方法，且特別是有關於一種電子裝置的製造方法。

電子元件通常需要結合到目標基板上才能使用。為了製造效率，提供一種巨量轉移技術使得批量的電子元件能夠通過一個轉移步驟被轉移到目標基板上。目前，巨量轉移的效率和電子元件的轉移良率渴望得到改進。

本揭露涉及一種電子裝置的製造方法以實現良率的提升。

本揭露的一實施例提出一種電子裝置的製造方法，包括提供多個第一電子元件；轉移多個第一電子元件至多個拾取位置；從多個拾取位置中找出空的拾取位置，其中多個第一電子元件不存在於空的拾取位置。轉移第二電子元件至空的拾取位置；提供目標基板；並且轉移多個第一電子元件與第二電子元件至目標基板上。

本揭露的另一實施例提出一種電子裝置的製造方法，包括提供多個第一電子元件；轉移多個第一電子元件至多個拾取位置；從多個第一電子元件中找出缺陷電子元件；移除缺陷電子元件以從多個拾取位置中提供空的拾取位置；轉移第二電子元件至空的拾取位置；提供目標基板；並且轉移多個第一電子元件與第二電子元件至目標基板上。

為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

本揭露中所敘述之「一結構（或層別、元件、基材）位於另一結構（或層別、元件、基材）之上/上方」，可以指二結構相鄰且直接連接，或是可以指二結構相鄰而非直接連接。「非直接連接」是指二結構之間具有至少一中介結構（或中介層別、中介元件、中介基材、中介間隔），一結構的下側表面相鄰或直接連接於中介結構的上側表面，另一結構的上側表面相鄰或直接連接於中介結構的下側表面。而中介結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成，並無限制。在本揭露中，當某結構設置在其他結構「上」時，有可能是指某結構「直接」在其他結構上，或指某結構「間接」在其他結構上(即，某結構和其他結構間還夾設有至少一結構)。

本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極管、電容、電感、電阻、其他適合的元件、或上述元件的組合，但不限於此。

在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度或寬度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。另外，本揭露中所提到的術語“等於”、“相等”、“相同”、“實質上”或“大致上”通常代表落在給定數值或範圍的10%範圍內。此外，用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其他數值。若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。

在本揭露中，下文中不同實施例所提供的技術方案可相互替換、組合或混合使用，以在未違反本揭露精神的情況下構成另一實施例。例如，一個實施例的部分特徵可以與另一個實施例的部分特徵組合形成又一個實施例。

現在將詳細參照本揭露的示例性實施例，其示例在附圖中示出。只要有可能，相同或相似的元件將採用相同或相似的標號。

本揭露的電子裝置的製造方法可適用於包括顯示裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置，但本揭露不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。電子裝置例如可以包括液晶或發光二極體；發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)、螢光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料其他合適的材料或上述組合，但不以此為限。但不以此為限。天線裝置例如可以是液晶天線，但本揭露不限於此。拼接裝置可以是例如顯示拼接裝置或天線拼接裝置，但本揭露不限於此。需說明的是，電子裝置可以是上述的可選組合，但本揭露不限於此。

在本揭露的說明書和請求項中，使用序數等用語例如 “第一”、“第二”等，用以命名個元件。例如，使用序數的目的是將一個元件與另一個元件區隔，因為元件具有相同的術語。在本揭露中，第一和第二可以用來分別表示修復前的電子元件和修復後的電子元件。在一些實施例中，第一電子元件和第二電子元件可以具有實質上相同的特性，例如，第一電子元件和第二電子元件是LED。

圖1示意性地示出了根據本揭露一些實施例的電子裝置的製造方法的流程圖。方法100可以包括以下步驟，但不限於此。在一些實施例中，方法100可以包括未在本文中明確描述的其他步驟。方法100可以適合應用在巨量轉移多個電子元件，例如微型發光二極體(micro-LED)、次毫米發光二極體(mini-LED)、發光二極體(LED)、主動元件或被動元件等。例如，方法100涉及轉移批量電子元件至目標基板並同時提高良率的技術。

在方塊102中，可以將多個第一電子元件轉移至多個拾取位置上。在一些實施例中，轉移頭具有拾取位置用於轉移第一電子元件。換句話說，拾取位置位於並形成在轉移頭上。轉移頭是一種工具，能夠藉由拾取位置同時拾取多個第一電子元件並將第一電子元件移動至預定位置後，將第一電子元件釋放至目標基板上以完成轉移製程。在一些實施例中，第一電子元件被預先佈置和提供在載板上並且被轉移至轉移頭的拾取位置上。例如，轉移頭可以使用拾取位置從載板拾取第一電子元件並且承載第一電子元件運送至預定位置。在一些實施例中，可以在轉移頭的拾取位置提供吸引力，使得第一電子元件暫時地附接至拾取位置。吸引力可以包括靜電力、粘附力、真空力等。例如，多個第一電子元件可以通過靜電轉移、打印轉移或真空轉移轉移至拾取位置上。在該實施例中，第一電子元件可以是指最初被轉移至轉移頭的拾取位置的電子元件。

在方塊104中，檢測拾取位置。在本實施例中，可以使用自動光學檢測(AOI)裝置進行檢測。例如，自動光學檢測裝置可以掃描轉移頭以獲取拾取位置的影像具有/不具有第一電子元件。獲取的影像可以指出是否存在意外缺陷或空的拾取位置。在其他實施例中，檢測可以藉由使用能夠判定出在拾取位置的意外缺陷的替代裝置來執行。

在一些實施例中，如方塊104A所述，可以通過方塊104所述的檢測從拾取位置中找出空的拾取位置。具體而言，轉移頭上的多個拾取位置中的一個或多個拾取位置沒有承載電子元件是空的，從而被確定一個空的拾取位置或多個空的拾取位置。如上所述，第一電子元件從載板被轉移至拾取位置。在一些實施例中，載板上的第一電子元件的排列沒有與拾取位置適當對應，使得一個或多個拾取位置可能無法拾取電子元件從而作為空的拾取位置。在一些實施例中，將第一電子元件轉移至拾取位置的吸引力沒有被適當地提供，使得一個或多個拾取位置可能無法拾取電子元件從而作為空的拾取位置。可選地，空的拾取位置可能是由於對應的拾取位置承載的電子元件掉落或被故意移除，而其他第一電子元件留在對應拾取位置上而存在的。

一旦一個或多個拾取位置被找出，即執行如方塊106A中所述的修復空的拾取位置的步驟。具體而言，第二電子元件、即用於修復的另一個電子元件，被提供並轉移至空的拾取位置上。修復用電子元件可以與已經附接到其他拾取位置上的第一電子元件具有相同的設計。在一些實施例中，修復用電子元件可以預先由另一載板承載並通過雷射釋放方法轉移至空的拾取位置上。例如，承載修復用電子元件的載板定位在空的拾取位置上方並且被定向為修復用電子元件面對空的拾取位置。雷射照射載板上修復用電子元件的所在位置並使修復用電子元件與載板分離。因此，修復用電子元件可以被轉移至空的拾取位置。在一些實施例中，可以通過替代方法將修復用電子元件轉移至空的拾取位置，並且本揭露不限於此。修復空的拾取位置之後，可以進一步執行方塊104中的檢測以確保所有拾取位置都乘載了電子元件，包括第一電子元件以及第二電子元件。

在一些實施例中，如方塊104B中所述，可以通過方塊 104的檢測從第一電子元件中找出缺陷電子元件。例如，通過方塊104 的檢測，被拾取位置攜帶的第一電子元件中可能會發現一個或多個電子元件存在缺陷從而被判定為缺陷電子元件。電子元件的缺陷可以包括電子元件的不當特徵和/或電子元件的裂紋等，其可以從電子元件的外觀判定，但本揭露不限於此。

一旦找出一個或多個缺陷電子元件，就執行方塊106B中描述的步驟以移除缺陷電子元件以提供空的拾取位置。在一些實施例中，缺陷電子元件通過雷射剝離或雷射脈衝從對應的拾取位置被移除。對於雷射剝離，具有足夠能量的雷射照射缺陷電子元件，來燒毀缺陷電子元件以清空對應的拾取位置。對於雷射脈衝，雷射可以衝擊缺陷電子元件，以破壞缺陷電子元件與對應拾取位置之間的連接物，使得缺陷電子元件從對應拾取位置分離以清空對應拾取位置。在一些實施例中，轉移頭的拾取位置的吸附力/吸引力可以獨立控制，使得可以通過降低缺陷電子元件所佔據的拾取位置的個體吸附力/吸引力來移除缺陷電子元件，從而去除缺陷電子元件以清空對應的拾取位置。在移除缺陷電子元件之後，可以依照方塊106A中所示修復空的拾取位置。

在方塊106A的修復之後，如方塊108中所述，執行將電子元件(包括方塊102中轉移的第一電子元件和方塊106A中轉移的第二電子元件)從拾取位置轉移到目標基板上的步驟。在方法100中，使用具有拾取位置的轉移頭將第一電子元件和第二電子元件從載板轉移到目標基板上。例如，轉移頭的拾取位位置可以全部被第一電子元件和第二電子元件佔據，即不存在空的拾取位置。在一些實施例中，重複方塊104的檢查，直到拾取位置上的所有第一電子元件和第二電子元件在被轉移到目標基板之前通過方塊104A和/或方塊104B的檢查，以此提高電子裝置的製造方法的良率。在一些實施例中，由於每個拾取位置都承載和轉移了良好電子元件至目標基板，方法100的轉移良率可以是99.9999%或接近100%。轉移良率可以通過單次轉移過程，即，執行一次方法100，根據轉移到目標基板上的電子元件中良好電子元件的比例來確定。此處，所謂的良好電子元件是指通過步驟104中所述的檢測能夠檢測出沒有缺陷的電子元件。在本揭露中，第一電子元件和第二電子元件指的是預定與目標基板接合以提供所需效果的相同類型的電子元件。而「第一」電子元件是在方塊104中描述的檢測之前，方塊102中最初轉移至轉移頭的拾取位置的電子元件，並且「第二」電子元件是在方塊104中描述的檢測之後，方塊106A中被轉移至轉移頭的拾取位置的修復用電子元件。

圖2至圖7示意性地示出了根據一些實施例的電子裝置的製造方法。在圖2中，提供多個第一電子元件210並且具體地，預先將第一電子元件210布置和承載於載板220上。轉移頭230具有多個拾取位置232也被提供用於轉移第一電子元件210。轉移頭230是轉移機器的一部分以轉移第一電子元件210。轉移頭230的拾取位置232位於轉移頭230的同一側並且能同時從載板220上拾取多個第一電子元件210。如此一來，便可以實現轉移批量的第一電子元件210的巨量轉移。

在一些實施例中，轉移頭230上拾取位置232的排列可以對應於載板220上第一電子元件210的排列。例如，拾取位置232的節距可以等於載板220上第一電子元件210的節距或其節距的倍數。因此，各個拾取位置232預設為拾取載板220上的其中一個第一電子元件210。在圖2中，此處提供的示範性說明示例出拾取位置232的節距是載板220上第一電子元件210的節距的兩倍，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，拾取位置232的節距和載板220上的第一電子元件210的節距可以依據最終產品的設計決定。

在圖3中，第一電子元件210從載板220被轉移至拾取位置232，相似於圖1的方塊102中描述的轉移步驟。由此可知圖1中方塊102所描述的電子元件可以是指第一電子元件210。因此，第一電子元件210可以是指最初被轉移至拾取位置232的電子元件。具體而言，轉移頭230可以朝向載板220移動以使拾取位置232接觸和/或拾取對應的第一電子元件210。例如，當拾取位置232鄰近和/或接觸載板220上對應的第一電子元件210時，可以在拾取位置232處產生吸引力，使得對應的第一電子元件210附接至轉移頭230的拾取位置232並從載板220分離。在一些實施例中，吸引力包括靜電力、粘附力、真空力等。因此，通過靜電轉移、打印轉移或真空轉移第一電子元件210被轉移至拾取位置232，但本揭露不限於此。第一電子元件210可暫時附接至拾取位置232且能夠在後續步驟中從拾取位置232釋放。

在第一電子元件210被轉移至拾取站位置232之後，執行圖1的方塊104中描述的檢測。在圖3中，此處提供的示範性示例示出了其中一個拾取位置232未能承載對應的第一電子元件210。因此，可以如圖1的方塊104A中所描述的找出空的拾取位置232E，並且空的拾取位置232E被視為是電子裝置的製造方法的缺陷。在一些實施例中，空的拾取位置232E的存在，可能歸因於載板220的對應位置沒有電子元件210。在一些實施例中，空的拾取位置232E的存在，可能歸因於在圖1的方塊102中描述的轉移步驟期間，空的拾取位置232E要轉移的第一電子元件210掉落。在一些實施例中，空的拾取位置232E可能由於其他原因存在。例如，相應拾取位置上的電子元件可能被有意移除，但不限於此。

在圖4和圖5中，可以如圖1的方塊106A中所述的修復空的拾取站位置232E。在圖4中，提供承載多個第二電子元件250的載板240。載板240承載的第二電子元件250可以與圖2和圖3中的載板220承載的第一電子元件210相同。在一些實施例中，圖2與圖3中載板220上的第一電子元件210可以未完全轉移至轉移頭230，使得承載剩餘第一電子元件210的載板220便可作為圖4與圖5中載有第二電子元件250的載板240，以修補空的拾取位置232E。

在圖4中，載板240承載的第二電子元件250定向為第二電子元件250位於空的拾取位置232E上方並面向空的拾取位置232E。在此配置下，藉由雷射LR1照射第二電子元件250在載板240的對應處以執行雷射釋放方法。雷射LR1會衝擊載板240使得第二電子元件250從載板240分離。在一些實施例中，離型材料形成在載板240與第二電子元件250之間。因此，雷射LR1可以劣化載板240與第二電子元件250之間的離型材料，使得第二電子元件250從載板240分離，但本發明不限於此。

如圖5所示，第二電子元件250移至空的拾取位置232E並附接至轉移頭230的空的拾取位置232E。因此，空的拾取位置232E不再是空的，並且以此被修復以用作標準拾取位置232承載電子元件、即第二電子元件250。圖4和圖5提供了實施圖1的方塊106A中所述的步驟的示範性示例，但本揭露不限於此。在一些實施例中，本揭露中修復空的拾取位置232E也適用其他的替代方法，將第二電子元件250貼附於空的拾取位置232E上。換句話說，第二電子元件250指的是修復用電子元件，其通過修復步驟被轉移至對應的拾取位置232上以修復檢測步驟發現的缺陷。

在一些實施例中，在修復空的拾取位置232E之後，可以進一步執行圖1的方塊104中所述的檢測以確保所有拾取位置232承載對應的電子元件，即第一電子元件210和第二電子元件250。如果一個或更多個空的拾取位置232E在圖1的方塊104中所述的檢測下被找到，圖1的方塊106A中所述的修復、即圖4和圖5所示的步驟被進一步執行，直到找不到空的拾取位置232E。

然後，執行圖1的方塊108中所述的轉移。具體而言，如圖6所示，提供目標基板260。目標基板260可以是其上具有電路佈線和/或驅動電路的基板。例如，接合墊262形成並設置在目標基板260上。在一些實施例中，第一電子元件210和第二電子元件250在轉移頭230的拾取位置232上的排列對應於接合墊262在目標基板260上的排列。轉移頭230被定向為第一電子元件210和第二電子元件250都面向目標基板260，並且具體而言，對位目標基板260上的接合墊262。

在圖7中，轉移頭230可以釋放第一電子元件210和第二電子元件250，從而將第一電子元件210和第二電子元件250從轉移頭230的拾取位置232上轉移至目標基板260上。在一些實施例中，位於目標基板260上的第一電子元件210和第二電子元件250可以通過例如倒裝芯片接合技術等接合並電連接到對應的接合墊262。藉由減小或關閉拾取位置232上的吸引力、或者拾取位置232的吸引力小於第一電子元件210和第二電子元件250在接合墊262的接合力，第一電子元件210和第二電子元件250可以從拾取位置232分離。在將第一電子元件210和第二電子元件250轉移到目標基板260上之前，對拾取位置232進行檢查和修復，直到所有拾取位置232都承載相應的電子元件。如此一來，將電子元件轉移至目標基板260上的轉移良率得以提升。例如，在轉移頭230具有100個拾取位置232的情況下，圖2至圖7的方法允許僅通過執行一次圖1的方塊108中所述的轉移，將100個電子元件轉移到目標基板260。此外，如圖1的方塊104中所述，對電子元件，即第一電子元件210和第二電子元件250進行檢測，其確保第一電子元件210和第二電子元件250轉移到目標基板260上是良好電子元件。如此一來，可實現約99.9999%或更高的轉移良率。在一些實施例中，在圖1的方塊108所述的轉移以及圖6和圖7的步驟之後，轉移到目標基板260的預定轉移區域上的電子元件是良好元件並且在目標基板260的預定轉移區域中將不會發現空的接合墊。使得目標基板260的相同預定轉移區域不需要進一步的轉移製程和/或修復製程。因此，圖1的方法100以及圖2至圖7中所描述的方法，實現了電子裝置製造的理想良率。

圖8至圖10示意性地示出了根據一些實施例的電子裝置的製造方法的一些步驟。在一些實施例中，如圖1的方塊104B中所述，在圖1的方塊104中所述的檢測下缺陷電子元件可以被找出。具體而言，圖8示範性地示出在圖1的方塊104中描述的檢測下，發現拾取位置232上的第一電子元件210其中之一有缺陷。圖1的方塊104中所述的檢測可以由AOI裝置執行。缺陷電子元件210F可以是具有可以從AOI裝置獲取的圖像中識別的裂紋、不正確特徵等的電子元件。

此後，執行圖1的方塊106B中描述的移除步驟。例如，缺陷電子元件210F可以通過如圖9所示的雷射脈衝去除。具體而言，雷射LR2照射並衝擊缺陷電子元件210F，並且可以施加真空力VC以從對應的拾取位置232分離缺陷電子元件210F以提供空的拾取位置232E。如此一來，圖9所示的轉移頭230的狀態類似於圖3的狀態。換句話說，存在空的拾取位置232E。然後，在圖9的步驟之後可以執行圖4至圖7的步驟，如圖7所示將電子元件批量轉移至目標基板260，以提高良率。

在一些實施例中，如圖10所示，缺陷電子元件210F可以通過雷射剝離去除。具體來說，具有足夠能量的雷射LR3照射缺陷電子元件210F，使得缺陷電子元件210F被燒毀且清空對應的拾取位置232，從而提供如圖3中所示的空的拾取位置232E。然後，在圖10的步驟之後可以執行圖4至圖7的步驟，如圖7所示將電子元件批量轉移至目標基板260，以提高良率。

根據上述實施例，圖2和圖3可以涉及圖1的方塊102中描述的步驟。圖3可以涉及圖1的方塊104A中描述的步驟。圖4和圖5可以涉及圖1的方塊106A。圖8可以涉及圖1的方塊104B中描述的步驟。圖9和圖10可以涉及圖1的方塊106B中描述的步驟。圖6和圖7可以涉及圖1的方塊108中描述的步驟。然而，本公開不限於此。

綜上所述，本揭露的實施例提供一種電子裝置的製造方法，通過在電子元件轉移到目標基板上之前，檢查和修復轉移工具、例如拾取位置。例如，在將電子元件轉移到目標基板上之前，檢測和修復確保拾取位置都承載了電子元件和/或確保拾取位置上的電子元件是良好元件。因此，電子元件轉移到目標基板上的良率可接近100%，亦即約99.9999%，其滿足相關產業的工業需求。可選地，本揭露實施例所描述的方法可以不需要在目標基板的一個預定轉移區域上作進一步的轉移和/或修復步驟以將良好電子元件成功地轉移到預定轉移區域上，使得電子裝置製造的整體良率得以提升。

對於本領域技術人員來說顯而易見的是，在不脫離本揭露的範圍或精神的前提下，其可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改或變換。而鑑於前述內容，這些修改或者變換並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的權利範圍。

100:方法 102、104、104A、104B、106A、106B、108:方塊 210:第一電子元件 210F:缺陷電子元件 220、240:載板 230:轉移頭 232:拾取位置 232E:空的拾取位置 250:第二電子元件 260:目標基板 262:連接墊 LR1、LR2、LR3:雷射 VC:真空力

圖1示意性地示出了根據本揭露一些實施例的電子裝置的製造方法的流程圖。圖2至圖7示意性地示出了根據一些實施例的電子裝置的製造方法。圖8至圖10示意性地示出了根據一些實施例的電子裝置的製造方法的一些步驟。

100:方法

102、104、104A、104B、106A、106B、108:方塊

Claims

一種電子裝置的製造方法，包括：提供多個第一電子元件；轉移所述多個第一電子元件至多個拾取位置；從所述多個拾取位置中找出空的拾取位置，其中所述多個第一電子元件不存在於所述空的拾取位置；轉移第二電子元件至所述空的拾取位置；提供目標基板；以及轉移所述多個第一電子元件和所述第二電子元件至所述目標基板。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中所述多個第一電子元件通過靜電轉移、打印轉移或真空轉移被轉移至所述多個拾取位置。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中所述第二電子元件通過雷射釋放方法被轉移至所述空的拾取位置。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，更包括使用轉移頭來轉移所述多個第一電子元件和所述第二電子元件並且所述轉移頭具有所述多個拾取位置。
如請求項4所述的電子裝置的製造方法，其中所述多個第一電子元件和所述第二電子元件從所述轉移頭的所述多個拾取位置轉移至所述目標基板。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中所述空的拾取位置是通過自動光學檢測從所述多個拾取位置中找出。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中在所述多個第一電子元件和所述第二電子元件被轉移至所述目標基板之前，所述多個拾取位置中的每一個承載所述多個第一電子元件和所述第二電子元件中的一個電子元件。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中所述多個第一電子元件在轉移至所述多個拾取位置之前由載板承載。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中所述第二電子元件從載板轉移至所述空的拾取位置。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，進一步包括在將所述多個第一電子元件和所述第二電子元件轉移至所述目標基板之前，從對應的拾取位置找出並移除所述多個第一電子元件中的缺陷電子元件。
一種電子裝置的製造方法，包括：提供多個第一電子元件；轉移所述多個第一電子元件至多個拾取位置；從所述多個第一電子元件中找出缺陷電子元件；移除所述缺陷電子元件以從所述多個拾取位置中提供空的拾取位置；轉移第二電子元件至所述空的拾取位置；提供目標基板；以及轉移所述多個第一電子元件和所述第二電子元件至所述目標基板。
如請求項11所述的電子裝置的製造方法，其中所述多個第一電子元件通過靜電轉移、打印轉移或真空轉移被轉移至所述多個拾取位置。
如請求項11所述的電子裝置的製造方法，其中所述第二電子元件通過雷射釋放方法被轉移至所述空的拾取位置。
如請求項11所述的電子裝置的製造方法，其中所述缺陷電子元件通過雷射剝離被移除。
如請求項11所述的電子裝置的製造方法，其中所述缺陷電子元件通過雷射脈衝被移除。
如請求項11所述的電子裝置的製造方法，其中所述缺陷電子元件是通過自動光學檢測從所述多個第一電子元件中找出。
如請求項11所述的電子裝置的製造方法，其中在所述多個第一電子元件和所述第二電子元件被轉移至所述目標基板之前，所述多個拾取位置中的每一個承載所述多個第一電子元件和所述第二電子元件中的一個電子元件。
如請求項11所述的電子裝置的製造方法，其中所述多個第一電子元件在轉移至所述多個拾取位置之前由載板承載。
如請求項11所述的電子裝置的製造方法，其中所述第二電子元件從載板轉移至所述空的拾取位置。
如請求項11所述的電子裝置的製造方法，更包括使用轉移頭來轉移所述多個第一電子元件和所述第二電子元件並且所述轉移頭具有所述多個拾取位置。