[go: up one dir, main page]

CN107039298B - 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备 - Google Patents

微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN107039298B
CN107039298B CN201610961364.5A CN201610961364A CN107039298B CN 107039298 B CN107039298 B CN 107039298B CN 201610961364 A CN201610961364 A CN 201610961364A CN 107039298 B CN107039298 B CN 107039298B
Authority
CN
China
Prior art keywords
micro
test
transfer device
components
pick
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610961364.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107039298A (zh
Inventor
徐宸科
邵小娟
郑建森
其他发明人请求不公开姓名
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hubei San'an Photoelectric Co ltd
Original Assignee
Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201610961364.5A priority Critical patent/CN107039298B/zh
Priority to PCT/CN2016/104869 priority patent/WO2018082089A1/zh
Publication of CN107039298A publication Critical patent/CN107039298A/zh
Priority to TW108115543A priority patent/TWI690052B/zh
Priority to TW106137931A priority patent/TWI670828B/zh
Priority to TW108115548A priority patent/TWI697093B/zh
Priority to TW108115544A priority patent/TWI690053B/zh
Priority to TW108115541A priority patent/TWI690051B/zh
Priority to TW108115551A priority patent/TWI697094B/zh
Priority to TW108115556A priority patent/TWI697095B/zh
Priority to US15/871,982 priority patent/US10410893B2/en
Priority to US16/522,641 priority patent/US10622234B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN107039298B publication Critical patent/CN107039298B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H10P72/0616—
    • H10P72/0611—
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/01—Manufacture or treatment
    • H10H29/02—Manufacture or treatment using pick-and-place processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/01—Manufacture or treatment
    • H10H29/03—Manufacture or treatment using mass transfer of LEDs, e.g. by using liquid suspensions
    • H10P72/70—
    • H10P74/277—
    • H10W72/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H10P72/72—
    • H10P72/78—
    • H10P74/207—
    • H10W72/0198—
    • H10W90/00—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有测试电路的微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备，其在转移过程中可对微元件进行测试，排除缺陷微元件。所述具有测试电路的微元件转移装置，包括：基底衬底，具有相对的两个表面；拾取头阵列，形成于所述基底衬底的第一表面上，用于拾取或释放微元件；测试电路，设置于所述基底衬底的内部或/和表面，具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极，在所述转移装置转移微元件过程中同时测试该微元件的光电参数。

Description

微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备
技术领域
本发明涉及用于显示的微元件，更具体地，涉及一种用于微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备。
背景技术
微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管（Micro LED）技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。高品质微间距发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。
在制造微元件的过程中，首先在施体基板上形成微元件，接着将微元件转移到接收基板上。接收基板例如是显示屏。在制造微元件过程中的一个困难在于：如何将微元件从施体基板上转移到接收基板上。
传统转移微元件的方法为借由基板接合（Wafer Bonding）将微元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。另一种实施方法为间接转移。此方法包含两次接合/ 剥离的步骤，首先，转移基板自施体基板提取微元件阵列，接着转移基板再将微元件阵列接合至接收基板，最后再把转移基板移除。其中，提取微元件阵列一般通过静电拾取的方式来执行。在静电拾取的过程中需要使用转移头阵列。
发明内容
本发明的目的是提出一种具有测试电路的微元件转移装置，其在转移过程中可同时对微元件进行测试，排除不合格的微元件。
本发明的技术方案为：一种微元件的转移装置，包括：基底衬底，具有相对的两个表面；拾取头阵列，形成于所述基底衬底的第一表面上，用于拾取或释放微元件；测试电路，设置于所述基底衬底的内部或/和表面上，具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极，在所述转移装置转移微元件过程中同时测试该微元件的光电参数。
优选地，所述每个子测试电路的至少一个测试电极形成于所述拾取头之用于接触微元件的表面，在所述拾取头阵列接触微元件时连接微元件的电极。
优选地，所述测试电路还包括一可伸缩电极，其位于所述基底衬底的第一表面，与形成于所述拾取头之用于接触微元件的表面的测试电极构成子测试电路。如此可应用于电极位于不同侧的微元件，例如垂直型微型发光二极管。
优选地，所述转移装置还包括CMOS集成电路，其位于所述基底衬底的第二表面，与所述测试电路连接。
优选地，所述基底衬底具有通孔结构，所述测试电路贯穿所述通孔结构，延伸至基底衬底的第二表面。
优选地，所述基底衬底为硅基板，所述CMOS集成电路由所述Si基板的一部分形成。
优选地，所述CMOS集成电路为位于所述基底衬底之上的结构层。
优选地，所述拾取头阵列通过静电力、范德华力、真空吸附力拾取微元件。
优选地，所述拾取头具有一静力电极层和覆盖在该电极层上的介质层，向所述电极层施加吸附电压时，所述拾取头产生静电吸力，拾起与其接触的微元件拾起。
优选地，所述拾取头阵列的各个拾取头的表面设有仿生壁虎材料，藉由仿生壁虎材料的粘附能力吸附微元件。
优选地，所述拾取头阵列为一系列吸嘴阵列，使用真空压力吸附微元件或释放微元件。在一个具体实施例中，所述转移装置还包括一腔体、若干真空路径及开关组件，所述吸嘴阵列通过所述若干真空路径连通至该腔体，并在相通处分别设置可开/关的阀门，所述开关组件用于控制各真空路径的阀门的开或关，从而控制所述吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。
优选地，所述开关组件包括CMOS集成电路及与所述CMOS集成电路连接的地址电极阵列，各个所述真空路径的阀门与所述地址电极阵列对应。
优选地，所述阀门为一可动的构件，所述地址电极阵列由所述CMOS集成电路用电压电位选择性激励以产生致使相应的可动的构件朝向相应的地址电极偏斜或靠近的静电吸引力，以控制各真空路径的开或关。
优选地，所述真空路径为一系列贯穿所述基底衬底的微孔结构，其一端与所述腔体连通，一端与所述吸嘴连接。
优选地，所述拾取头的尺寸为100微米以下，各个之间的间距为200微米以下。
本发明还提供了一种预先排除缺陷的微元件的转移方法，包括步骤：提供一转移装置，其包括基底衬底、形成于该基底衬底表面上的拾取头阵列以及设置于该基底衬底的内部或/和表面上的测试电路，该测试电路具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极；将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上；使测试电极与微元件接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得载体基板上的微元件的缺陷图案。
在一些实施例中，一种预先排除缺陷的微元件转移方法，包括下面步骤：（1）提供一转移装置，其包括基底衬底、形成于该基底衬底表面上的拾取头阵列以及设置于该基底衬底的内部或/和表面上的测试电路，该测试电路具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极；（2）将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上；（3）使测试电极与微元件的电极接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得载体基板上的微元件的缺陷图案；（4）用所述转移装置的拾取头阵列，拾起所述载体基板上的合格的微元件；（5）将所需的微元件释放到接收基板上。
在一些实施例中，一种预先排除缺陷的微元件转移方法，包括下面步骤：（1）提供一转移装置，其包括基底衬底、形成于该基底衬底表面上的拾取头阵列以及设置于该基底衬底的内部或/和表面上的测试电路，该测试电路具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极；（2）将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上；（3）使测试电极与微元件的电极接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得载体基板上的微元件的缺陷图案；（4）用所述转移装置的拾取头阵列，拾起所述载体基板上的不合格的微元件；（5）将所述不合格的微元件释放到接收基板上。
在一些实施例中，一种预先排除缺陷的微元件转移方法，包括下面步骤：（1）提供一转移装置，其包括基底衬底、形成于该基底衬底表面上的拾取头阵列以及设置于该基底衬底的内部或/和表面上的测试电路，该测试电路具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极；（2）将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上；（3）使测试电极与微元件的电极接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得载体基板上的微元件的缺陷图案；（4）用所述转移装置的拾取头阵列，拾起所述载体基板上的微元件；（5）分别将不合格的元件和合格的微元件释放到不同的接收基板。
在一些实施例中，一种预先排除缺陷的微元件转移方法，包括下面步骤：（1）提供一转移装置，其包括基底衬底、形成于该基底衬底表面上的拾取头阵列以及设置于该基底衬底的内部或/和表面上的测试电路，该测试电路具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极；（2）将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上；（3）用所述转移装置的拾取头阵列，拾起所述载体基板上的微元件；（4）将微元件释放到第一接收基板上；（5）使转移装置的测试电极与微元件的电极接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得第一接收基板上的微元件的缺陷图案；（6）用所述转移装置的拾取头阵列，拾起所述第一接收基板上的不合格的微元件；（7）将所述不合格的微元件释放到第二接收基板上。
优选地，所述拾取头阵列可以通过静电力、范德华力、真空吸附力拾取微元件。
根据本发明的另一个实施例，提供了一种用于制造微元件装置的方法，包括使用根据本发明的方法将微元件转移到微元件装置的接收衬底上。
根据本发明的另一个实施例，提供了一种使用根据本发明的方法制造的微元件装置。
根据本发明的另一个实施例，提供了一种电子设备，包含根据本发明的微元件装置。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或权利要求的技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者背景技术中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1是本发明第一个较佳实施例之微元件的转移装置的截面侧视图图示。
图2是在图1所示的转移装置的拾取头的电极层上施加电压以产生静电吸附力的示意图示。
图3是在图1所示的转移装置的测试电路上施加电压形成测试回路的示意图示。
图4是本发明第二个较佳实施例之微元件的转移装置的截面侧视图图示。
图5是在图4所示的转移装置之测试电路上施加电压以测试微元件的示意图示。
图6是在图4所示的转移装置之拾取头的电极层上施加电压以产生静电吸附力的示意图示。
图7是本发明第三个较佳实施例之微元件的转移装置的截面侧视图图示。
图8是在图7所示的转移装置的测试电路上施加电压以测试微元件的示意图示。
图9是在图7所示的转移装置之拾取头的电极层上施加电压以产生静电吸附力的示意图示。
图10是本发明第四个较佳实施例之微元件的转移装置的截面侧视图图示。其中，拾取头4120的表面包括微纳米复合的刚绒毛结构。
图11是图10所示微元件的转移装置的刚绒毛结构的SEM图。
图12本发明第五个较佳实施例之微元件的转移装置的截面侧视图图示。
图13-15为图14所示微元件转移装置之真空路径的阀门的示意图示。
图16是沿附图14的线A-A剖开的剖面图。
图17-18是沿图14的线B-B剖开的剖面图，其中图17为真空路径关闭状态，图18为真空路径开启状态。
图19是根据本发明实施的一种微元件转移之预先排除缺陷的流程图。
图20是本发明第六个较佳实施例之一种微元件的转移方法的流程图。
图21~24是本发明第六个较佳实施例之一种微元件的转移方法的过程示意图。
图25是本发明第七个较佳实施例之一种微元件的转移方法的流程图。
图26~27是本发明第七个较佳实施例之一种微元件的转移方法的过程示意图。
图28是本发明第八个较佳实施例之一种微元件的转移方法的流程图。
图29~31是本发明第八个较佳实施例之一种微元件的转移方法的过程示意图。
图32是本发明第九个较佳实施例之一种微元件的转移方法的流程图。
图33~37是本发明第九个较佳实施例之一种微元件转移方法的过程示意图。
图中标号表示如下：
1100、2100、3100、4100、5100：转移装置；
1110、2110、3110、4110、5110：基底衬底
1110A：基底衬底的第一表面；
1110B：基底衬底的第二表面；
1120、2120、3120、4120、5120：拾取头；
1120A：拾取头之用接触微元件的表面；
1122、2122、3122：拾取头的静电电路连接线路；
1124、2124、3124：拾取头的电极层；
1126、2126、3126：介质层；
1132A、1132B、2132A、2132B、3132、4132A、4132B、5132A、5132B：电路；
1134A、1134B、2134A、2134B、3134、4134A、4134B、5134A、5134B：测试电极；
2136、3136：可伸缩电极；
1140、2140、3140、4140：CMOS集成电路；
1200、2200、3200：微元件；
1220A、1220B、3220：微元件的电极；
1300、2300、3300：载体基板；
1310、2310、3310：中间层；
1140、2140、3140、4140：CMOS集成电路；
5138：绝缘保护层；
5150：通孔/真空路径；
5152：阀门/可动构件；
5154：承接层；
5160：腔体；
5170：CMOS集成电路；
5172：地址电极层；
5174：地址电极。
具体实施方式
本发明的实施例描述了用于转移微元件的转移装置及采用该转移装置进行转移微元件阵列的方法。其中，微元件阵列可以是微型LED器件、二极管、晶体管、集成电路(IC)芯片等，其尺寸可为1~100μm，但并不一定限于此，并且实施例的某些方面可适用于更大和更小的尺寸。下面各实施例公开了一种微元件的转移装置及采用该转移装置转移微元件的方法，该转移装置具有拾取头阵列用于拾取或释放微元件，各个拾取头的尺寸（例如长度或宽度）为1~100μm 。转移装置还设有测试电路，每个拾取头对应一个子测试电路，当拾取头接触微元件时，向测试电路施加电压，形成测试回路，实现微元件的光电性能测试，从而获取缺陷微元件的缺陷图案，如此可在微元件阵列转移过程中排除具有缺陷的微元件。
具体实施例
图1显示了本发明的第一个较佳实施例之转移装置的截面侧视图。该转移装置1100，包括：基底衬底1110、拾取头1120阵列、测试电路及CMOS集成电路1140。具体地，基底衬底1110用于提供支撑作用，可以由各种材料形成，诸如硅、陶瓷和聚合物。拾取头1120呈阵列式排列形成于基底衬底1110的第一表面1110A上，尺寸介于1μm~100μm，例如可以为50μm~20μm，节距为(1μm~100μm)×(1μm~100μm)，例如10μm×10μm 或50μm×100μm的节距。该拾取头1120阵列设于基底衬底1100的第一表面1110A上，用于通过各个吸附力（诸如静电力、真空压力、范德华力、磁力等）拾起微元件，以达到转印之功能。较佳地，各个拾取头还可以独立地可控制，实现了选择性拾起微元件和微元件的释放。测试电路由一系列子测试电路组成，每个子测试电路对应一个拾取头1120，每个子测试电路至少具有两个测试电极1134A和1134B，该子测试电路可通过电路1132A和1132B连接至与测试模组的工作电子器件，诸如CMOS集成电路1140等。
在本实施例中，该拾取头1120阵列采用静电力来实现拾起微元件和微元件的释放，每个拾取头1120对应有一静电吸附电路，包括连接线路1122和电极层1124，其中连接线路1122可贯穿基底衬底1110，连接至CMOS集成电路1140，从而与外部电子控制件连接，电极层1124的表面覆盖一介质层1126，如此当向电极层1124施加吸附电压时，形成静电吸附力拾起微元件，如图2所示。
转移装置1100的测试电路由一系列子测试电路构成，每个拾取头1120对应有一个子测试电路，该子测试电路由测试电极1134A、1134B及电路1132A、1132B构成。基底衬底1110在靠近拾取头1120的位置形成有一对通孔结构，该通孔内填充导电材料形成电路1132A和1132B，用于将测试电极1134A、1134B连接至设于基底衬底第二表面1100B的CMOS集成电路1140。测试电极1134A和1134B嵌入介质层1126内，且下表面和介质层1126的下表面齐平，此时拾取头1120之用于接触微元件的表面1120A由测试电极1134A、1134B和介质层1126构成，如图1所示。当拾取头1120的表面1120A与微元件接触时，测试电极1134A与微元件的电极1220A接触，测试电极1134B与微元件的电极1220B接触。
本实施例之转移装置1100主要针对电极位于同侧的微元件1200（例如同侧电极的微发光二极管），测试电极1134A和1134B形成于拾取头1120之用于接触微元件的表面1120A上。在使用转移装置1100对微元件1200进行转移前，该微元件1200一般放置于载体基板1300上（两者之间可以有中间层1310，相当此并不是必须的），其中电极1220A和1220B一般朝上放置。当转移装置1100的拾取头1120对准接触微元件1200时，测试电极1134A与微元件的电极1220A接触，测试电极1134B与微元件的电极1220B接触，当通过电路1132A和1132B向测试电极1134A和1134B施加测试电压时，构成测试回路，如图3所示，实现对该微元件的光电参数的测试，从而实现在转移微元件的过程中对微元件进行测试，预先排除具有缺陷的微元件。
图4显示了本发明的第二个较佳实施例之转移装置的截面侧视图。区别于转移装置1100，转移装置2100还设有至少一个可伸缩电极2136，与形成于拾取头之用于接触微元件的表面的测试电极2134B构成子测试电路，如此可应用于电极位于不同侧的微元件，例如垂直型微型发光二极管。该可伸缩电极2136与拾取头2120同侧，其可位于拾取头2120阵列外，下端部2136A突出于拾取头2120的下端部2120A。当使用转移装置2100对垂直型微元件进行转移时，垂直型微元件2200放置于导电型的载体基板2300上时，转移装置2100的拾取头2120朝向并接触微元件2200时，测试电极2034B与微元件2200的顶面电极2220接触，可伸缩电极2136与载体基板2300接触。图5和图6分别显示了测试模式和拾取模式的电路连接，请参看图5，当转移装置2100对微元件进行测试时，测试电压分别连接测试电极2134B和可伸缩电极2136，其中2134B连接微元件的顶面电极2220，可伸缩电极2136连接导电的基板2300，构成测试回路，实现对微元件2200的测试；请参看图6，当转移装置2100对微元件进行拾取时，吸附电压接通静电电路的电极层2124，此时拾取头2120表面产生静电吸力，拾起与之接触的微元件。
本实施例之转移装置可用于测试并转印电极同侧或电极不同侧（即垂直型微元件）的微元件。当应用于转移垂直型微元件时，测试电极2134B和可伸缩电极2136构成测试电路；当应用于转移水平型微元件时，测试电极2134B和2134A构成测试电路，此时可伸缩电极2136可起到静电保护的作用。
图7显示了本发明的第三个较佳实施例之转移装置的截面侧视图。区别于转移装置2100，转移装置3100主要是应用于垂直型微元件。在本实施例中，每个拾取头3120的表面仅形成一个测试电极3134，简化了测试电路。
图8和图9分别显示了测试模式和拾取模式的电路连接。请参看图8，当转移装置3100对微元件进行测试时，测度电压接通测试电极3134和可伸缩电极3136，其中测试电极3134连接微元件的顶面电极3220，可伸缩电极3136连接至导电型载体基板3300，构成测试回路，实现对微元件3200的测试；请参看图9，当转移装置2100对微元件3200进行拾取时，外部电源一端直接接地，另一端接通电极层3124，此时拾取头3120表面产生静电吸力，拾起与之接触的微元件。
图10显示了本发明的第四个较佳实施例之转移装置的截面侧视图。区别于转移装置1100，转移装置4100的拾取头4120采用范德华力拾起微元件和微元件的释放。在本实施例中，拾取头4120的表面采用仿生壁虎材料制作而成，朝向并接触微元件时，藉由仿生壁虎材料的粘附能力吸附微元件以拾起所需的微元件，并藉由仿生壁虎材料的脱附能力脱附微元件，以释放微元件。在本实施例中，测试电极4314A和4134B无需覆盖拾取头4120的表面，仅需在拾取头之用于接触微元件的表面上裸露出部分测试电极，保证拾取头4120接触微元件时，测试电极可与微元件的电极连接即可。
具体地，拾取头4120采用仿生壁虎材料制作而成，仿生壁虎材料可以选用硅橡胶或聚亚胺酯或多壁碳纳米管或聚酯树脂或聚酰亚胺或人造橡胶或环氧树脂或聚二甲基硅氧烷或聚氨酯与对苯二甲酸乙二酯或聚甲基丙烯酸甲酯或前述任意组合。进一步地，拾取头4120的表面包括微纳米复合的刚绒毛结构，如图11所示，比如是具有范围为1×105至6×108个突起每cm2的突起密度。藉由仿生壁虎材料制作而成的刚绒毛结构接触微元件表面产生范德华力，具有粘附作用，从而吸附微元件，以提取所需微元件。刚绒毛结构的表面优选具有憎水性，可以阻止接触面上水层的形成，尽可能地减小毛细力的可能作用，对减小间隙、提供范德华力起着重要的作用。
图12显示了本发明的第五个较佳实施例之转移装置的截面侧视图。区别于转移装置1100，转移装置5100的拾取头5120采用采用吸嘴结构，利用真空压力吸附作用拾起微元件和微元件的释放。具体地，移转装置5100具有吸嘴阵列，各个吸嘴通过真空路径5150连通至同一腔体5160内，各个真空路径具有阀门5152控制该真空路径的开/关。各个吸嘴的尺寸（例如长度或宽度）为1~100μm每个吸嘴的尺寸为1~20μm，吸嘴阵列的节距为(1μm ~100μm)×(1μm ~100μm)，例如10μm×10μm 或50μm×100μm的节距。为达到该尺寸，各路真空路径可为一系列形成于基底衬底5110的（例如Si基板）微孔结构。相应的，每个吸嘴5120对应一路真空路径5150、一个阀门5152和一个开关元件。为达到微小尺寸的开关阵列，可采用CMOS储存电路和地址电极阵列实现。
数字微反射镜（DMD）系基于微机电系统（MEMS）技术的单片半导体装置，通常包括形成图片元素( 像素) 的双稳态可移动微反射镜的区域阵列，微反射镜制作于对应寻址存储器单元的区域阵列及安置于微反射镜下方的相关联地址电极上方，地址电极由控制电路用电压电位选择性激励以形成致使相应微反射镜朝向相应地址电极偏斜的静电吸引力。本实施例利用DMD芯片的原理，在各真空路径与共用腔体连通的位置设置类似DMD芯片之微反射镜的可动的构件作为阀门，并在可动的构件上方制作相关联的地址电极，该地址电极由控制电路用电压电位选择性激励以形成致使相应可动的构件朝向相应地址电极偏斜的静电吸引力，致使该可动的构件向相应的地址电极偏移或偏斜，从而关闭或开启该真空路径，从而藉由开关组件控制各真空路径的阀门进而控制真空路径的开或关，以提取所需的微元件。
请参看图12，转移装置5100包括基底衬底5110、设于该基底衬底5110上方的腔体5160及位于腔体5160上方的开关阵列。具体的，基底衬底5110具有孔通5150阵列，并在基底衬底5110的下部表面形成一系列吸嘴结构作为拾取头5120，在该通孔5150的侧壁形成导电层5132A和5132B，并分别向基底衬底5110的上、下表面延伸，在基底衬底5110的下表面形成测试电极5134A和5134B，在导电层5132A和5132B上覆盖一介质层作为绝缘保护层5138。导电层5132A、5132B和测试电极5134A、5134B构成测试电路，其中基底衬底5110内部可形成功能电路（诸如CMOS集成电路等，图中未画出），用于连接测试电路。在本实施例中，各个吸嘴5120通过通孔5150连通至同一腔体5160内。各个通孔5150作为真空路径用于传送真空压力，吸嘴5120得以使用真空压力吸附微元件或释放微元件。进一步地，在各个通孔5150的开口处设有阀门5152，用于控制各路真空路径5150的开/关，并藉由开关组件控制各真空路径的阀门进而控制真空路径的开或关，以提取所需的微元件。该开关阵列由CMOS储存电路层5170和位于其下方面的地址电极层5172构成，地址电极层5172上设置有地址电极5174阵列，一个地址电极5174对应于一路真空路径5150。
在本实施例中，阀门5152为一可在微孔结构的开口处发生偏转的构件5152，该构件的边缘未连接至通孔的边沿，而是通过承接层5154与基底衬底5110连接，该构件5152在地址电极5174的静电吸引力的作用下，以该轴承为中心发生偏转，其中一个端部向地址电极5174发生偏斜。
图13-15显示了真空路径的阀门的示意图示，该阀门结构包括形成于基底衬底5110表面上的承接层5154，及位于承接层5154上的可动的构件5152。具体的，承接层5154包括框架5154a、枢轴5154b及开口5154c，枢轴5154b架于框架5154a上并横跨开口5154c，可动的构件5152通过孔5152a支撑于枢轴5154b上，并可以枢轴5154b为中心发生偏转或偏斜。
图16~18显示了该转移装置的单个吸嘴单元的剖面图。其中，图16为沿图14的线A-A切开的示意图，从该图可看出，在本实施例中，枢轴5154b的上表面低于框架5154a，构件5152悬吊于枢轴5154b上。图17~18系沿图12的线A-A切开的示意图，从图中可看出，在构件5152的上方设置地址电极5174，通过CMOS储存电路控制地址电极5174的开/关状态，当地址电极5174处于关闭状态（OFF），此时未向地址电极5174激励电压电位，不会产生静电吸引力，构件5152未发生偏斜，关闭该真空路径5150，如图17所示；当地址电极5174处于开启状态（ON），此时向地址电极5174激励电压电位，形成静电吸引力，构件5152的边缘在地址电极5174的静电吸引力的作用下在枢轴5154b上发生扭转，进而向地址电极5174发生偏斜，开启真空路径5150，如图18所示。
图19显示了采用上述任意一种转移装置进行微元件的缺陷排除的流程图，可以包括步骤S110-S130，下面进行简单说明。
步骤S110：首先提供前述任意一种转移装置，该转移装置包括拾取头阵列和测试电路，测试电路由一系列子测试电极构成，每个子测试电路对应一个拾取头，较佳的一般包括两个测试电极，其中至少一个测试电极位于拾取头之用于接触微元件的表面上，如此当拾取头与微元件接触时可通过测试电极向微元件注入测试电流。
步骤S120：将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上。其中该载体基板可以是生长基板或者承载基板，如承载基板的材质可为玻璃、硅、聚碳酸酯（Polycarbonate，PC）、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS）或其任意组合。微元件可以为微发光二极管，厚度可为约0.5μm至约100μm。微元件的形状可为圆柱体，且圆柱体的半径可为约0.5μm至约500μm，但并不限于此，微元件还可以为三角柱体、立方体、长方体、六角柱体、八角柱体或者其他多角柱体。
步骤S130：使转移装置的测试电极与微元件的电极接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得载体基板上的微元件的缺陷图案。通过转移装置的测试电路，拾取头阵列接触微元件时，测试电极与微元件的电极连接，形成测试回路。
通过在微元件的转移过程同时对微元件进行测试获得微元件的缺陷图形，如此可选择性地拾取合格的微元件或者不合格的微元件。下面结合附图及实施例对一种预先排除缺陷的微元件转移方法的具体实施进行详细说明。
图20显示了本发明第六个较佳实施例之一种微元件的转移方法的流程图，其主包括步骤S210~S250。
参看图21，提供转移装置1100，将其定位在被连接在载体基板1300上的微元件1200之上。在本实施例中以前述第一个较佳实施例提及的转移装置1100为例简单进行说明，微元件放置在载体基板1300上，其电极朝上放置，转移装置1100的测试电极1134A和1134B分别与微元件的电极1120A和1120B对齐。为简化图示，图中仅示出了四个微元件1201~1204。
参看图22，使转移装置的拾取头1120与微元件接触，此时测试电极与微元件的电极连接，向测试电极的两端施加电压，形成了测试回路对微元件进行测试，获得了微元件的缺陷图案，例如微元件1204的光电参数不合格，微元件1201~1203的光电参数合格。
参看图23，通过控制用转移装置的拾取头阵列选择性拾起载体基板1300上的合格微元件1201~1203。在本实施例中，微元件阵列具有10μm 的间距，其中，每个微元件具有2μm的间隔和8μm 的最大宽度，每个微元器件的顶表面具有近似8μm的宽度，对应的拾取头之用于接触微元件的表面的宽度为近似8μm 或更小，以免与相邻的微LED 器件非故意接触。本发明的实施例不限于这些特定尺寸，并且可以是任意适当的尺寸。
参看图24，将微元件1201~1203释放到接收基板1400上。该接收基板可以选用汽车玻璃、玻璃片、柔性电子基底诸如有电路的柔性膜、显示器背板、太阳能玻璃、金属、聚合物、聚合物复合物，以及玻璃纤维等。
在本实施例中，在转移装置接触微元件阵列时，先采有其自身的测试电路对微元件进行测试，获得微元件阵列的缺陷图案，然后选择性拾取合格的微元件，可以有效避免在微元件的转移过程将具有缺陷的微元件转印至诸如显示器背板等终端应用接收基板。
图25显示了本发明第七个较佳实施例之一种微元件的转移方法的流程图，其主包括步骤S310~S350，其中步骤S310~S330与前述步骤S210~S230相同，下面针对步骤S340-S350进行简单说明。参看图26，通过控制用转移装置的拾取头阵列选择性拾起载体基板1300上的不合格微元件1204；参看图27，将不合格微元件1204释放至接收基板1500上。其中，接收基板1500可以为任意回收装置，其用于回收放置不合格的微元件。
在本实施例中，在微元件的转移前先采用转移装置的测试电路对微元件阵列进行测试并将其转移至回收装置，从而保留在载体基板上的微元件均为合格品，预先排除了不合格微元件。
图28显示了本发明第八个较佳实施例之一种微元件的转移方法的流程图，其主包括步骤S410~S450，其中步骤S410~S430与前述步骤S210~S230基本相同，下面针对步骤S440-S450进行简单说明。参看图29，通过控制用转移装置的拾取头阵列选择性拾起载体基板1300上的微元件1201-1204；参看图30，通过控制选择性地将不合格微元件1204释放至第一接收基板1500上；参看图31，将合格的微元件1201~1203释放至接收第二基板1400上。其中第一接收基板1500可以为任意回收装置，其用于回收放置不合格的微元件；第二接收基板1400可为柔性电子基底诸如有电路的柔性膜、显示器背板等。
在本实施例中，在步骤S450中也可以先选择性地将合格微元件1201~1203释放至第二接收基板1400上，再将不合格的微元件1204释放至接收第一基板1500上。
图32显示了本发明第九个较佳实施例之一种微元件的转移方法的流程图，其主包括步骤S510~S570，其中步骤S510~S520与前述步骤S210~S220基本相同，下面针对步骤S530-S570进行简单说明。
参看图33，采用转移装置的拾取头阵列选择性拾起载体基板1300上的微元件1201-1204；参看图34，将微元件1201-1204释放至第二接收基板1400上，此时转移装置的拾取头继续保持接触微元件，并使转移装置的测试电极与微元件的电极接触；参看图35，向测试电极施加电压，各个微元件1201~1204各自形成子测试回路，测试获得微元件的缺陷图案，例如微元件1201的光电参数不合格（即为缺陷微元件），微元件1202~1204的光电参数合格；参看图36，采用转移装置的拾取头阵列选择性拾起第二接收基板1400上的缺陷微元件1201；参看图37，将缺陷微元件1201释放至第一接收基板1500。其中第一接收基板1500可以为任意回收装置，其用于回收放置不合格的微元件；第二接收基板1400可为柔性电子基底诸如有电路的柔性膜、显示器背板等。
上述各实施例的拾取头阵列可以通过静电力、范德华力、真空吸附力拾取微元件或释放微元件。上述各实施例的微元件的转移方法均以图1所公开的转移装置1100进行举例说明，本发明并不以此为限，对于不同电极结构的微元件可根据需求选择不同结构的转移装置。
上述各实施例的微元件的转移方法中可通过转移装置对微元件阵列进行多次的测试及转印。
上述各实施例的微元件的转移方法可以用于制作电子装置，可以广泛用于电子设备中，该电子设备可以是手机、平板电脑等。
尽管已经描述本发明的示例性实施例，但是理解的是，本发明不应限于这些示例性实施例而是本领域的技术人员能够在如下文的权利要求所要求的本发明的精神和范围内进行各种变化和修改。

Claims (23)

1.微元件的转移装置，包括：
基底衬底，具有相对的两个表面；
拾取头阵列，形成于所述基底衬底的第一表面上，各个拾取头被独立控制，用于拾取或释放微元件；
测试电路，设置于所述基底衬底的内部或/和表面上，具有一系列子测试电路，一个子测试电路对应一个拾取头，每个子测试电路具有至少两个测试电极，在所述转移装置转移微元件过程中同时测试该微元件的光电参数，获得微元件的缺陷图案。
2.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述每个子测试电路的至少一个测试电极形成于所述拾取头之用于接触微元件的表面，在所述拾取头阵列接触微元件时连接微元件的电极。
3.根据权利要求2所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述每个子测试电路分别具有一对测试电极。
4.根据权利要求2所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述每个子测试电路共用一个测试电极。
5.根据权利要求2所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述测试电路还包括一可伸缩电极，其位于所述基底衬底的第一表面，与形成于所述拾取头之用于接触微元件的表面的测试电极构成子测试电路。
6.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：还包括CMOS集成电路，其位于所述基底衬底的第二表面，与所述测试电路连接。
7.根据权利要求6所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述基底衬底具有通孔结构，所述测试电路贯穿所述通孔结构，延伸至所述基底衬底的第二表面。
8.根据权利要求6所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述基底衬底为硅基板，所述CMOS集成电路由所述Si基板的一部分形成。
9.根据权利要求6所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述CMOS集成电路为位于所述基底衬底之上的结构层。
10.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述拾取头阵列通过静电力、范德华力或者真空吸附力拾起微元件。
11.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述拾取头具有一静力电极层和覆盖在该电极层上的介质层，向所述电极层施加吸附电压时，所述拾取头产生静电吸力，拾起与其接触的微元件。
12.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述拾取头阵列的各个拾取头的表面设有仿生壁虎材料，藉由仿生壁虎材料的粘附能力吸附微元件。
13.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述拾取头阵列为一系列吸嘴阵列，使用真空压力吸附微元件或释放微元件。
14.根据权利要求13所述的微元件的转移装置，其特征在于：还包括一腔体、若干真空路径及开关组件，所述吸嘴阵列通过所述若干真空路径连通至该腔体，并在相通处分别设置可开/关的阀门，所述开关组件用于控制各真空路径的阀门的开或关，从而控制所述吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。
15.根据权利要求14所述的微元件的转移装置，其特征在于： 所述开关组件包括CMOS集成电路及与所述CMOS集成电路连接的地址电极阵列，各个所述真空路径的阀门与所述地址电极阵列对应。
16.根据权利要求15所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述阀门为一可动的构件，所述地址电极阵列由所述CMOS集成电路用电压电位选择性激励以产生致使相应的可动的构件朝向相应的地址电极偏斜或靠近的静电吸引力，以控制各真空路径的开或关。
17.根据权利要求14所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述真空路径为一系列贯穿所述基底衬底的微孔结构，其一端与所述腔体连通，一端与所述吸嘴连接。
18.一种微元件的转移方法，包括步骤：
提供一转移装置，其包括基底衬底、形成于该基底衬底表面上的拾取头阵列以及设置于该基底衬底的内部或/和表面上的测试电路，该拾取头阵列的各个拾取头独立控制，该测试电路具有一系列子测试电路，一个子测试电路对应一个拾取头，每个子测试电路具有至少两个测试电极；
将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上；
使测试电极与微元件的电极接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得载体基板上的微元件的缺陷图案。
19.根据权利要求18所述的微元件的转移方法，包括下面步骤：
（1）提供一转移装置，其包括基底衬底、形成于该基底衬底表面上的拾取头阵列以及设置于该基底衬底的内部或/和表面上的测试电路，该测试电路具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极；
（2）将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上；
（3）使测试电极与微元件的电极接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得载体基板上的微元件的缺陷图案；
（4）用所述转移装置的拾取头阵列，拾起所述载体基板上的合格的微元件；
（5）将微元件释放到接收基板上。
20.根据权利要求18所述的微元件的转移方法，包括下面步骤：
（1）提供一转移装置，其包括基底衬底、形成于该基底衬底表面上的拾取头阵列以及设置于该基底衬底的内部或/和表面上的测试电路，该测试电路具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极；
（2）将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上；
（3）使测试电极与微元件的电极接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得载体基板上的微元件的缺陷图案；
（4）用所述转移装置的拾取头阵列，拾起所述载体基板上的不合格的微元件；
（5）将所述不合格的微元件释放到接收基板上。
21.根据权利要求18所述的微元件的转移方法，包括下面步骤：
（1）提供一转移装置，其包括基底衬底、形成于该基底衬底表面上的拾取头阵列以及设置于该基底衬底的内部或/和表面上的测试电路，该测试电路具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极；
（2）将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上；
（3）使测试电极与微元件的电极接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得载体基板上的微元件的缺陷图案；
（4）用所述转移装置的拾取头阵列，拾起所述载体基板上的微元件；
（5）分别将不合格的微元件和合格的微元件释放到不同的接收基板。
22.根据权利要求18所述的微元件的转移方法，包括下面步骤：
（1）提供一转移装置，其包括基底衬底、形成于该基底衬底表面上的拾取头阵列以及设置于该基底衬底的内部或/和表面上的测试电路，该测试电路具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极；
（2）将转移装置定位在被连接在载体基板上的微元件之上；
（3）用所述转移装置的拾取头阵列，拾起所述载体基板上的微元件；
（4）将微元件释放到第一接收基板上；
（5）使转移装置的测试电极与微元件的电极接触，向测试电路施加测试电压形成测试回路，测试微元件，获得第一接收基板上的微元件的缺陷图案；
（6）用所述转移装置的拾取头阵列，拾起所述第一接收基板上的不合格的微元件；
（7）将所述不合格的微元件释放到第二接收基板上。
23.一种用于制作微元件装置的方法，包括使用权利要求18-22所述的任意一种微元件转移方法，预先排除缺陷。
CN201610961364.5A 2016-11-04 2016-11-04 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备 Active CN107039298B (zh)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610961364.5A CN107039298B (zh) 2016-11-04 2016-11-04 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备
PCT/CN2016/104869 WO2018082089A1 (zh) 2016-11-04 2016-11-07 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备
TW108115541A TWI690051B (zh) 2016-11-04 2017-11-02 微元件的轉移方法、微元件裝置的製造方法、微元件裝置及電子設備
TW106137931A TWI670828B (zh) 2016-11-04 2017-11-02 微元件的轉移裝置、微元件的轉移方法、微元件裝置的製造方法、微元件裝置及電子設備
TW108115548A TWI697093B (zh) 2016-11-04 2017-11-02 微元件的轉移方法、微元件裝置的製造方法、微元件裝置及電子設備
TW108115544A TWI690053B (zh) 2016-11-04 2017-11-02 微元件的轉移方法、微元件裝置的製造方法、微元件裝置及電子設備
TW108115543A TWI690052B (zh) 2016-11-04 2017-11-02 微元件的轉移方法、微元件裝置的製造方法、微元件裝置及電子設備
TW108115551A TWI697094B (zh) 2016-11-04 2017-11-02 微元件的轉移裝置、微元件的轉移方法、微元件裝置的製造方法、微元件裝置及電子設備
TW108115556A TWI697095B (zh) 2016-11-04 2017-11-02 微元件的轉移裝置、微元件的轉移方法、微元件裝置的製造方法、微元件裝置及電子設備
US15/871,982 US10410893B2 (en) 2016-11-04 2018-01-16 Micro elements transfer device and method
US16/522,641 US10622234B2 (en) 2016-11-04 2019-07-25 Micro elements transfer device and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610961364.5A CN107039298B (zh) 2016-11-04 2016-11-04 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107039298A CN107039298A (zh) 2017-08-11
CN107039298B true CN107039298B (zh) 2019-12-24

Family

ID=59530298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610961364.5A Active CN107039298B (zh) 2016-11-04 2016-11-04 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10410893B2 (zh)
CN (1) CN107039298B (zh)
TW (7) TWI690051B (zh)
WO (1) WO2018082089A1 (zh)

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106229287B (zh) * 2016-09-30 2019-04-05 厦门市三安光电科技有限公司 用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法
CN107039298B (zh) * 2016-11-04 2019-12-24 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备
US10916523B2 (en) 2016-11-25 2021-02-09 Vuereal Inc. Microdevice transfer setup and integration of micro-devices into system substrate
US10998352B2 (en) * 2016-11-25 2021-05-04 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US10978530B2 (en) 2016-11-25 2021-04-13 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US12464822B2 (en) 2016-11-25 2025-11-04 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
CN107818931B (zh) * 2017-09-30 2021-10-19 厦门市三安光电科技有限公司 半导体微元件的转移方法及转移装置
US10615063B2 (en) * 2017-11-08 2020-04-07 Facebook Technologies, Llc Vacuum pick-up head for semiconductor chips
TWI626772B (zh) * 2017-11-13 2018-06-11 Au Optronics Corporation 轉置裝置
CN109786307B (zh) * 2017-11-15 2021-02-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型led显示面板的制备方法
KR102428029B1 (ko) * 2017-12-20 2022-08-02 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 전사헤드
TWI635785B (zh) * 2017-12-29 2018-09-11 宏碁股份有限公司 微元件轉移頭
CN110062573B (zh) * 2018-01-18 2020-10-20 宏碁股份有限公司 微组件转移头
KR102427474B1 (ko) * 2018-01-30 2022-08-01 한국전자기술연구원 Led전사장치 및 전사방법
TWI636267B (zh) * 2018-02-12 2018-09-21 Au Optronics Corp. 發光二極體的檢測方法
CN108417682B (zh) * 2018-03-22 2020-03-20 厦门市三安光电科技有限公司 一种微型发光元件及其制作方法
US10707105B1 (en) * 2018-03-29 2020-07-07 Facebook Technologies, Llc Selective shape memory alloy pick-up head
KR20190114372A (ko) * 2018-03-30 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 전사 시스템
CN108490341B (zh) * 2018-03-30 2019-10-08 惠州雷通光电器件有限公司 微型芯片转移系统及方法
US11295972B2 (en) * 2018-06-12 2022-04-05 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Layout structure between substrate, micro-LED array and micro-vacuum module for micro-LED array transfer using micro-vacuum module, and method for manufacturing micro-LED display using the same
US20190378749A1 (en) * 2018-06-12 2019-12-12 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Micro-vacuum module for semiconductor device transfer and method for transferring semiconductor device using the micro-vacuum module
CN110648956A (zh) * 2018-06-27 2020-01-03 普因特工程有限公司 微发光二极管转印头
KR20200005235A (ko) * 2018-07-06 2020-01-15 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 전사헤드
TWI677903B (zh) * 2018-08-24 2019-11-21 王中林 巨量佈設晶片的方法
CN109256351B (zh) * 2018-09-20 2021-06-08 南方科技大学 微型芯片的批量转移装置以及转移方法
CN111128833B (zh) * 2018-10-31 2021-08-17 成都辰显光电有限公司 一种微元件的转移装置
CN111128832B (zh) * 2018-10-31 2021-10-22 成都辰显光电有限公司 微元件转移装置及其制造方法
CN111128819B (zh) * 2018-10-31 2023-09-29 成都辰显光电有限公司 一种微器件转移装置及其制备方法
CN111146132A (zh) * 2018-11-06 2020-05-12 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种微元件的转移装置及转移方法
CN111146131B (zh) * 2018-11-06 2022-08-26 成都辰显光电有限公司 一种微元件的转移装置及转移方法
CN111244011B (zh) * 2018-11-29 2023-03-14 成都辰显光电有限公司 微元件的转移装置以及转移方法
CN111244008A (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 微元件的转移装置及其转移方法
CN111244009B (zh) 2018-11-29 2022-10-28 成都辰显光电有限公司 微元件的转移装置
CN111261568B (zh) * 2018-11-30 2023-02-10 成都辰显光电有限公司 微元件的转移装置及其转移方法
CN111261572B (zh) * 2018-11-30 2023-03-31 成都辰显光电有限公司 转移装置以及微元件的转移方法
CN111261569B (zh) * 2018-11-30 2022-10-28 成都辰显光电有限公司 微元件的转移装置及其转移方法
EP3687271A1 (en) * 2019-01-25 2020-07-29 Mycronic AB Eletrical verification of electronic components
CN111830295B (zh) * 2019-04-18 2023-04-21 成都辰显光电有限公司 一种测试微元件电气性能的装置
CN109927403B (zh) * 2019-04-19 2021-06-29 成都辰显光电有限公司 一种转印装置、转印装置的制作方法和转印方法
US10916518B2 (en) * 2019-04-22 2021-02-09 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Electrical binding structure and method of forming the same
US11670531B2 (en) 2019-04-25 2023-06-06 Meta Platforms Technologies, Llc Bridge pick-up head for transferring semiconductor devices
TWI694611B (zh) * 2019-05-01 2020-05-21 蔡東猛 微型發光二極體和影像感測元件測試和修復流程
US10714374B1 (en) * 2019-05-09 2020-07-14 X Display Company Technology Limited High-precision printed structures
CN112017988B (zh) * 2019-05-31 2024-03-19 成都辰显光电有限公司 转移设备
US12426410B2 (en) * 2019-08-28 2025-09-23 Tslc Corporation Semiconductor components and semiconductor structures and methods of fabrication
CN112557867B (zh) * 2019-09-25 2023-05-30 成都辰显光电有限公司 检测装置及检测方法
CN112670201B (zh) * 2019-10-15 2023-06-27 成都辰显光电有限公司 检测装置
CN110911436B (zh) * 2019-12-03 2022-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板、发光二极管的转移装置及转移方法
US11756810B1 (en) 2019-12-27 2023-09-12 Meta Platforms Technologies, Llc Detection of force applied by pick-up tool for transferring semiconductor devices
CN113257958A (zh) * 2020-02-11 2021-08-13 晶元光电股份有限公司 发光二极管测试电路、发光二极管测试方法及制造方法
CN111244016B (zh) * 2020-03-10 2022-10-18 深超光电（深圳）有限公司 转移装置、转移装置的制备方法、转移方法
KR20250159069A (ko) * 2020-03-30 2025-11-07 뷰리얼 인크. 마이크로 디바이스 이송에서의 오프셋 정렬 및 보수
GB2593698B (en) * 2020-03-30 2022-12-07 Plessey Semiconductors Ltd Monolithic electronic device
CN111146129B (zh) 2020-04-03 2020-09-15 Tcl华星光电技术有限公司 一种微型发光二极管转移装置、转移方法及显示装置
CN113782475A (zh) * 2020-06-10 2021-12-10 佛山市国星光电股份有限公司 Led芯片转移结构、其制作方法和芯片转移方法
CN112967976B (zh) * 2020-06-19 2022-09-27 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种巨量转移装置及转移方法
JP7218405B2 (ja) * 2020-08-18 2023-02-06 東レエンジニアリング株式会社 チップ部品転写装置
CN111933627B (zh) * 2020-09-14 2024-10-08 厦门乾照半导体科技有限公司 可测试及微转移的微元件及其制作、测试和转移方法、显示装置
US20220199449A1 (en) * 2020-12-23 2022-06-23 Intel Corporation Carrier for microelectronic assemblies having direct bonding
US12142510B2 (en) 2020-12-23 2024-11-12 Intel Corporation Carrier for microelectronic assemblies having direct bonding
KR102505763B1 (ko) * 2021-01-29 2023-03-02 고려대학교 산학협력단 자성 전사 장치와 자성 전자 장치의 제조 방법
TWI751071B (zh) * 2021-04-14 2021-12-21 啟端光電股份有限公司 用以執行水平校準的轉移系統及其治具
CN113301718B (zh) * 2021-05-28 2022-11-04 淮南师范学院 一种微型电子元件检修方法
US20220392792A1 (en) * 2021-06-07 2022-12-08 Microntechnology, Inc. Apparatus and method for characterization and optional sorting and assembly of microelectronic components according to warpage
CN113782480B (zh) * 2021-09-08 2024-12-03 上海天马微电子有限公司 一种基板及微发光二极管的转移方法
DE112022004671T5 (de) * 2021-09-29 2024-08-01 Vuereal Inc. Mikrovorrichtungskartuschenstruktur
CN114420802B (zh) * 2021-12-27 2025-01-07 深圳市思坦科技有限公司 芯片转移装置及芯片转移方法
CN114496993B (zh) * 2021-12-29 2025-07-22 重庆康佳光电科技有限公司 一种芯片检测板、芯片转移方法、显示背板及显示装置
US11856710B2 (en) * 2022-05-25 2023-12-26 Innolux Corporation Method of manufacturing an electronic device
WO2025170384A1 (ko) * 2024-02-09 2025-08-14 엔젯 주식회사 픽앤플레이스 장치

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW369692B (en) * 1997-12-26 1999-09-11 Samsung Electronics Co Ltd Test and burn-in apparatus, in-line system using the apparatus, and test method using the system
US6400173B1 (en) * 1999-11-19 2002-06-04 Hitachi, Ltd. Test system and manufacturing of semiconductor device
TW567605B (en) * 2001-09-06 2003-12-21 Hitachi Ltd Method for identifying semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and semiconductor chip
US6791161B2 (en) * 2002-04-08 2004-09-14 Fabtech, Inc. Precision Zener diodes
JP4903055B2 (ja) * 2003-12-30 2012-03-21 フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション パワー半導体デバイスおよびその製造方法
CN102097458B (zh) * 2004-06-04 2013-10-30 伊利诺伊大学评议会 用于制造并组装可印刷半导体元件的方法和设备
JP4411598B2 (ja) * 2004-09-30 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 転写元基板及び半導体装置の製造方法
DE102005052055B3 (de) * 2005-10-31 2007-04-26 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Eingebettete Verformungsschicht in dünnen SOI-Transistoren und Verfahren zur Herstellung desselben
TWI638583B (zh) * 2007-09-27 2018-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，與電子設備
CN101499425A (zh) * 2008-01-31 2009-08-05 力成科技股份有限公司 即取即测的晶片接合方法
KR101582503B1 (ko) * 2008-05-12 2016-01-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
CN101587850B (zh) * 2008-05-21 2011-05-25 瑞鼎科技股份有限公司 承载结构以及测试装置
CN101604700B (zh) * 2008-06-13 2012-12-12 台湾积体电路制造股份有限公司 图像检测元件及其形成方法
US7964916B2 (en) * 2009-04-14 2011-06-21 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8399183B2 (en) * 2009-05-13 2013-03-19 Synopsys, Inc. Patterning a single integrated circuit layer using automatically-generated masks and multiple masking layers
KR101810699B1 (ko) * 2009-06-30 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR102458127B1 (ko) * 2009-06-30 2022-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
US8148728B2 (en) * 2009-10-12 2012-04-03 Monolithic 3D, Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8476145B2 (en) * 2010-10-13 2013-07-02 Monolithic 3D Inc. Method of fabricating a semiconductor device and structure
TWI827396B (zh) * 2010-02-16 2023-12-21 凡 歐貝克 ３ｄ積體電路
US8604332B2 (en) * 2010-03-04 2013-12-10 Guardian Industries Corp. Electronic devices including transparent conductive coatings including carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same
JP4783868B1 (ja) * 2010-03-17 2011-09-28 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
US8284593B2 (en) * 2010-04-14 2012-10-09 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-port memory having a variable number of used write ports
US8685778B2 (en) * 2010-06-25 2014-04-01 International Business Machines Corporation Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures
US8642416B2 (en) * 2010-07-30 2014-02-04 Monolithic 3D Inc. Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique
JP5579035B2 (ja) * 2010-11-30 2014-08-27 富士フイルム株式会社 重合性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法
JP5477723B2 (ja) * 2011-01-18 2014-04-23 日立金属株式会社 光電変換モジュール、及び、光電変換モジュールの製造方法
CN102117869B (zh) * 2011-01-21 2013-12-11 厦门市三安光电科技有限公司 一种剥离发光二极管衬底的方法
US9029173B2 (en) * 2011-10-18 2015-05-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8794501B2 (en) * 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
US20130129922A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Batch processing for electromechanical systems and equipment for same
KR101334766B1 (ko) * 2012-04-12 2013-11-29 미래산업 주식회사 반도체 소자 핸들링 시스템
US8610241B1 (en) * 2012-06-12 2013-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Homo-junction diode structures using fin field effect transistor processing
CN102931309B (zh) * 2012-11-15 2015-04-01 安徽三安光电有限公司 一种倒装发光二极管及其制作方法
US9105714B2 (en) * 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9147451B2 (en) * 2013-03-20 2015-09-29 Arm Limited Memory device and method of controlling leakage current within such a memory device
TWI495814B (zh) * 2013-03-21 2015-08-11 Sanyang Industry Co Ltd Two-way valve
US9136161B2 (en) * 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
JP6402017B2 (ja) * 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9437793B2 (en) * 2014-02-21 2016-09-06 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Package support, fabrication method and LED package
US9444015B2 (en) * 2014-06-18 2016-09-13 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
CN104409466B (zh) * 2014-12-08 2017-08-18 厦门市三安光电科技有限公司 倒装高压发光器件及其制作方法
CN105789122B (zh) * 2014-12-12 2019-05-03 财团法人工业技术研究院 光电元件的转移方法
CN105983538B (zh) * 2015-01-28 2019-12-06 先进科技新加坡有限公司 一种高产能的测试分选机系统
KR101614370B1 (ko) * 2015-04-07 2016-04-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 이송 헤드, 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법
US9966514B2 (en) * 2015-07-02 2018-05-08 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light emitting diode package structure and fabrication method
US10163869B2 (en) * 2015-10-20 2018-12-25 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
JP6533838B2 (ja) * 2015-11-04 2019-06-19 ゴルテック インコーポレイテッド マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
GB2544335A (en) * 2015-11-13 2017-05-17 Oculus Vr Llc A method and apparatus for use in the manufacture of a display element
JP6196751B1 (ja) * 2016-03-31 2017-09-13 三井化学東セロ株式会社 部品製造用フィルム及び部品の製造方法
CN107039298B (zh) * 2016-11-04 2019-12-24 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN106601657B (zh) * 2016-12-12 2019-12-17 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备
US10453711B2 (en) * 2017-05-31 2019-10-22 Facebook Technologies, Llc Fluidic pick-up head for small semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
TWI690053B (zh) 2020-04-01
US20180158706A1 (en) 2018-06-07
CN107039298A (zh) 2017-08-11
TW201937684A (zh) 2019-09-16
WO2018082089A1 (zh) 2018-05-11
US20190348313A1 (en) 2019-11-14
TWI690051B (zh) 2020-04-01
TW201933577A (zh) 2019-08-16
US10622234B2 (en) 2020-04-14
US10410893B2 (en) 2019-09-10
TW201937686A (zh) 2019-09-16
TWI697095B (zh) 2020-06-21
TWI670828B (zh) 2019-09-01
TW201937687A (zh) 2019-09-16
TWI690052B (zh) 2020-04-01
TWI697093B (zh) 2020-06-21
TWI697094B (zh) 2020-06-21
TW201937685A (zh) 2019-09-16
TW201828452A (zh) 2018-08-01
TW201937683A (zh) 2019-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107039298B (zh) 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN106601657B (zh) 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备
TWI667691B (zh) 用於轉移微元件的轉置頭及微元件的轉移方法
CN106057723A (zh) 微元件的转移方法、装置及电子设备
TW202135279A (zh) 將micro-led組裝至基材上的方法及系統
CN107818931B (zh) 半导体微元件的转移方法及转移装置
US11631601B2 (en) Transfer head for transferring micro element and transferring method of micro element
CN106328576B (zh) 用于微元件转移的转置头的制作方法
CN109671670B (zh) 微元件的巨量排列方法及系统
KR102593231B1 (ko) 점착성 기재 및 점착성 기재의 제조방법
JP6600060B2 (ja) マイクロコンポーネントデバイスの大量配列方法およびシステム
CN111987193B (zh) 微发光二极管转移装置及其制作方法
CN217134373U (zh) 具有主动型元件的发光基板
WO2020107876A1 (zh) 微元件的转移装置及其制造方法
CN112701195B (zh) 微元件的转移装置以及转移方法
CN112466800B (zh) 一种电润湿转印头、转印头阵列及微led巨量转移的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231023

Address after: 436000 No. 18, Gaoxin fifth road, Gedian Development Zone, Ezhou City, Hubei Province

Patentee after: Hubei San'an photoelectric Co.,Ltd.

Address before: 361009 no.1721-1725, Luling Road, Siming District, Xiamen City, Fujian Province

Patentee before: XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right